JPS5815244A - Partial plating device for ic frame - Google Patents
Partial plating device for ic frameInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＩＣフレームに対する金、銀等の貴金属メッキ
に用いる部分メッキ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a partial plating apparatus used for plating precious metals such as gold and silver onto IC frames.
従来のＩＣフレームの部分メッキ装置としては例えば第
１図及び第２図で示すようなものがある。即ち「スパー
ジャ−」と称するメッキボックス１があり、その上蓋兼
用のマスク板２上にメッキ対象物であるＩＣフレーム６
を抑圧板４の進退動を利用して当接させるようにしてあ
り、上記マスク板２に予め開口したメッキ液噴射口５め
がけノズル６より図中矢印方向にメッキ液Ａを噴射［７
てメッキ液噴射口５に簀呈しているＩＣ７レーム６の部
分、具体的にはアイランド部分７、リードビン部分８及
びアイランド部分の支持ビン９などにメッキＱＡを施す
ようにしている。尚ノズル６にはアノード１０が設けて
４すＩＣフレーム６はカソード化目在と［２である。2. Description of the Related Art Conventional IC frame partial plating apparatuses include those shown in FIGS. 1 and 2, for example. That is, there is a plating box 1 called a "sparger", and an IC frame 6 which is an object to be plated is placed on a mask plate 2 which also serves as an upper lid.
The plating solution A is injected in the direction of the arrow in the figure from the plating solution injection port 5 aimed at the nozzle 6 which is opened in advance in the mask plate 2 [7].
Then, plating QA is applied to the part of the IC7 frame 6 that is present in the plating solution injection port 5, specifically, the island part 7, the lead bin part 8, and the support bin 9 of the island part. The nozzle 6 is provided with an anode 10, and the IC frame 6 has a cathode point [2].
しかしながらこのような従来のＩＣフレームの部分メッ
キ装置にあっては、金や銀などの責金関を節約するため
にメッキ厚さを薄くＥ〜てきたＫもかかわらずマスク板
２のメッキ液噴射口５より施されるメッキ液はアイラン
ド部分７゜リードピン部分８及び支持ピン９をメッキす
ることになるので貴金属の節約にも限界があった。However, in such conventional IC frame partial plating equipment, the plating liquid injection port of the mask plate 2 has been made thinner in order to save on metals such as gold and silver. Since the plating solution applied from step 5 was used to plate the island portion 7° lead pin portion 8 and support pin 9, there was a limit to the saving of precious metals.
本発明はＩＣフレームにあって本当にメッキが必要であ
るのはワイヤボンディングする時に要求されるリードピ
ン部分であること及び従来アイランド部分に貴金属メッ
キを施し、例えば金−シリコン共晶を形成させＤＩＥボ
ンドさせていたがアイランド部分にはメンキせずとも導
′也性を有する接着材の使用が可能であることに着目し
て表されたものであり、マスク板のメッキ液を施す部分
の形状構造に工夫を加えることにより金や銀などの貴金
属の節約をより一層図ろうとするものである。The present invention is based on the fact that in the IC frame, what really requires plating is the lead pin part required for wire bonding, and that conventionally the island part is plated with a precious metal to form gold-silicon eutectic and DIE bonded. However, this method was created by focusing on the fact that it is possible to use an adhesive material with conductive properties on the island part without peeling it, and the shape and structure of the part of the mask plate to which the plating solution is applied was devised. The aim is to further save precious metals such as gold and silver by adding
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。The details of the present invention will be explained below with reference to the drawings.
第３図〜ａｇ４図は本発明〔第１発明〕の一実施例を示
すものである。尚以丁の説明において従来と同一乃至類
似する部分は同一符号を以て示し重複説明を省略するも
のとする。Figures 3 to ag4 show an embodiment of the present invention [first invention]. In the following description, parts that are the same or similar to those in the prior art will be denoted by the same reference numerals and redundant description will be omitted.
マスク板２にはメッキ液通路２０が凹設Ｌ２である。こ
のメッキ液通路２０はＩＣフレーム３のアイランド部分
７に相応するマスク部２１を残してその周囲に凹設され
るものである。２２は区画壁で、支持ピン９に相応する
位置、サイズで形成されている。第４図で示す実施例で
は、区画壁２２社左右一対で形成してありメッキ液通路
２０は従って前後で一対凹設された状態を呈することに
なる。メッキ液通路２０ｔｊ：ＩＣフレーム６のリード
ピン部分８と相応する位置。The mask plate 2 has a plating solution passage 20 formed in a recess L2. The plating solution passage 20 is recessed around the island portion 7 of the IC frame 3, leaving a mask portion 21 corresponding to the island portion 7. Reference numeral 22 denotes a partition wall, which is formed at a position and size corresponding to the support pin 9. In the embodiment shown in FIG. 4, the partition walls 22 are formed in pairs on the left and right, and the plating solution passages 20 are therefore recessed in pairs at the front and rear. Plating solution passage 20tj: a position corresponding to the lead pin portion 8 of the IC frame 6.
サイズのものとされており、一方にメッキｆｉＡの供給
口２６が他方に排出口２４がマスク板２の裏面にまで貫
通形成しである。２５はプレート状のアノードで、一対
のメッキ液通路２０の各底部に敷設されている。It has a plating fiA supply port 26 on one side and a discharge port 24 on the other side that penetrates to the back surface of the mask plate 2. A plate-shaped anode 25 is installed at the bottom of each of the pair of plating solution passages 20.
次に作用を説明する。Next, the effect will be explained.
ノズル６より噴射されたメッキｏｈは供給口２６エリメ
ツキ液通路２０内に入りそこで充満するとともに排出口
２４よりメッキボックス１内へ排出・回収きれる。ＩＣ
フレーム３ｔｌＦ圧板４を介してマスク板２上へ当接せ
しめられており、ＩＣフレーム６のリードピン部分８の
みがこのメッキ液通路２０の開口部位に臨ませられて露
出状態とされ、アイランド部分７及び支持ピン９の部分
は各々マスク部２１と区画壁２２とで連蔽さねメッキ液
通路２０に対しては非露出の状態とされているので、従
ってメッキ液Ａはメッキ液通路２０内を流れる間にＩＣ
フレーム６のリードピン部分８のみに触れそこが貴金楕
メッキされるものである。The plating oh injected from the nozzle 6 enters the supply port 26 and the rim plating liquid passage 20 and fills there, and is discharged and collected into the plating box 1 through the discharge port 24. IC
The frame 3tlF is brought into contact with the mask plate 2 via the pressure plate 4, and only the lead pin portion 8 of the IC frame 6 is exposed to the opening of the plating liquid passage 20, and the island portion 7 and The portions of the support pins 9 are connected by the mask portion 21 and the partition wall 22 and are not exposed to the plating solution passage 20, so the plating solution A flows within the plating solution passage 20. IC between
Only the lead pin portion 8 of the frame 6 is touched and that portion is oval plated with precious gold.
第５図（イ）及び（ロ）は他の実施列を示す図である。FIGS. 5(a) and 5(b) are diagrams showing other implementation sequences.
これらの実施例は、メッキ液通路２６が１つの区画壁２
７で区画され逆Ｃ字形状のものとされており、このＣ字
形状に会わせたプレート状のアノード２８がメッキ液通
路２６の底面に設けてありそして１つのメッキ液の供給
口２９及び排出口６０が形成されていて〔第５図（イ）
〕、また一対の区画壁２２で区画された１対のメッキ液
通路２０には各々ワイヤ状のアノード６１が配置されて
いる〔第５図（ロ）〕ほかは、先の実施例と略同様の本
のにしである。第５図（イ）の実施例はメッキ液通路２
６の凹設、具体的にはマスク板２の彫刻、を容易とする
ものでありまた第５図（ロ）の実施例はアノード３１を
ワイヤ状としてその配設を容易とするものである。その
他の構成・作用については先の実施例と略同様につき説
明を省略する。In these embodiments, the plating solution passage 26 is formed in one partition wall 2.
A plate-shaped anode 28 that meets the C-shape is provided at the bottom of the plating solution passage 26, and has one plating solution supply port 29 and one plating solution drain port. An exit 60 is formed [Fig. 5 (a)
], wire-shaped anodes 61 are arranged in each of the pair of plating liquid passages 20 divided by a pair of partition walls 22 [FIG. 5(B)]. Other than that, it is substantially the same as the previous embodiment. This is the book of the book. The embodiment shown in FIG. 5(a) is the plating liquid passage 2.
In the embodiment shown in FIG. 5(B), the anode 31 is shaped like a wire to facilitate its arrangement. The other configurations and operations are substantially the same as those in the previous embodiment, so explanations will be omitted.
第６図〜第７図は本発明〔第２発明〕の実施例を示す図
である。マスク板２にはメッキ液噴射口６２が設けであ
る。この噴射口６２ｒｊＩＣフレーム３のアイランド部
分７に相応するマスク部６６を残してその周囲に形成し
たものであり、ＩＣフレーム３のリードピン部分８と相
応する位置、サイズのものにしである。メッキ液噴射口
６２はマスク板２の表面より長面側へかけて貫通形成し
である。マスク部６６は支持アーム６４を介してノズル
６５で支持するようＫしてあり、マスク部６６の胴部６
６にはテーパ面６７が施されその全体があたかも逆角錐
形状を呈し、下部３８には楔形状のテーパ面６９が施さ
１１ている。ノズル６５の先端にはアノード４０が配置
されている。FIGS. 6 and 7 are diagrams showing an embodiment of the present invention (second invention). The mask plate 2 is provided with a plating solution injection port 62. This injection port 62rj is formed around the mask portion 66 corresponding to the island portion 7 of the IC frame 3, and has a position and size corresponding to the lead pin portion 8 of the IC frame 3. The plating liquid injection port 62 is formed to penetrate from the surface of the mask plate 2 to the long side. The mask part 66 is supported by a nozzle 65 via a support arm 64, and the body part 6 of the mask part 66
6 is provided with a tapered surface 67, so that the entire shape appears to be an inverted pyramid, and the lower portion 38 is provided with a wedge-shaped tapered surface 69. An anode 40 is arranged at the tip of the nozzle 65.
次ＶＣ作用を説明する。Next, the VC action will be explained.
ノズル６５より噴射されたメッキ液Ａけ下部６８のテー
パ面６９及び／ｌｌ１１部３６のテーパ面６７に出って
７Ｗ抵抗を殆ど受けずにメッキ液噴射口６２に到りそこ
で露呈されているＩＣフレーム６のリードビン部分８に
触れそこに貴金属メッキを施すものである。リードピン
部分８に備装しｆＣ′ｔＩｔメッキ液Ａはメッキボック
ス１内へ回収される。The plating solution A sprayed from the nozzle 65 comes out on the tapered surface 69 of the lower part 68 and the tapered surface 67 of the /ll11 part 36, reaches the plating solution injection port 62 without receiving almost 7W resistance, and reaches the IC exposed there. The lead bin portion 8 of the frame 6 is touched and precious metal plating is applied thereto. The fC'tIt plating solution A installed in the lead pin portion 8 is collected into the plating box 1.
尚その他の構成作用についてＦｉ第１発明（第３図〜第
４図）と略同様につき説明を省略する。Note that the other structural functions are substantially the same as those of the first Fi invention (FIGS. 3 and 4), so explanations thereof will be omitted.
第８図〜第９図は第２兄明の他の実施例を示す図である
。この実施例ではマスク部４１が支持アーム４２を介し
マスク板２で支持されている。支持アーム４２はマスク
板２及びマスク部４１と一体のもので予め形成Ｅ７ても
よくまた別物を用いマスク板２及びマスク部４１に各々
取付けるようにしてもよい。この実施例によればノズル
６．６５を加工することなくマスク部４１が取付は形成
されメッキ液噴射口６２の形成も容易であるはかは第２
発明の先の実施例と略同様の作用が得られる。FIGS. 8 and 9 are diagrams showing other embodiments of the second brother. In this embodiment, a mask portion 41 is supported by the mask plate 2 via a support arm 42. The support arm 42 may be integral with the mask plate 2 and the mask portion 41 and may be formed in advance E7, or may be separately attached to the mask plate 2 and the mask portion 41, respectively. According to this embodiment, the mask portion 41 can be attached without machining the nozzle 6.65, and the plating solution injection port 62 can be easily formed.
Almost the same effect as the previous embodiment of the invention is obtained.
第１０図〜第１１図はｊｇ２発明の斐に他の実施例を示
す図である。この実施例では、第８区〜第９図の実施例
と同様にマスク部４６が支持アーム４４を介してマスク
板２で支持されているが、この支持アーム４４の上面は
マスク板２の上面と同一面にしてあって丁７にこの支持
アーム４４がＭ３区〜絽４図の実施例で駈明した区画振
２２と同様にＩＣフレーム６０支」、デビン９と相応す
る位置、ブイズで形成芒れている。従ってこの実施？り
によれば、ＩＣフレーム６けそのアイランド部分７がマ
スク板２で又での支持ビン９が支持アーム４４でそれぞ
れメンキ紗＾の噴船に対してシール芒れＩＣ７レーム６
のリードピン部分８のみがメッキ准噴射１６２内でメッ
キ液Ａの噴射に対して麹足されていてそこにのみメッキ
が施されることとなる。その他の構成・作用については
先の実施例と同様につき１１２明を省略する。Figures 10 and 11 are diagrams showing other embodiments of the jg2 invention. In this embodiment, the mask part 46 is supported by the mask plate 2 via a support arm 44, as in the embodiments shown in sections 8 to 9, but the upper surface of this support arm 44 is the upper surface of the mask plate 2. This support arm 44 is on the same plane as the IC frame 60 in the same plane as the section 22 shown in the embodiments of M3 to 4, and is formed with a buoy at a position corresponding to Devin 9. It's awned. Therefore this implementation? According to the above, the island portion 7 of the IC frame 6 is the mask plate 2, and the support bottle 9 at the straddle is the support arm 44, and the IC 7 frame 6 is sealed to the support arm 44.
Only the lead pin portion 8 is exposed to the injection of plating solution A in the plating sub-injection 162, and plating is applied only thereto. The other configurations and functions are the same as in the previous embodiment, so 112 will be omitted.
以上説明してきた如く、本発明によれば、その構成を、
メッキ対象物であるＩＣ７レームを＠接させるマスク板
に、ＩＣフレームのアイランド部分に相応するマスク部
を残してその周囲にＩＣフレームのり−ドピン部分と相
応するメッキ液通路を凹設し、このメッキ液通路にメッ
キ液の供給及び排出口を設は且つアノードを配し、ノズ
ルよシメッキ液を噴射して施すものとし〔第１兄明〕、
またメッキ対象物であるＩＣフレームを当接させるマス
ク板に、ＩＣフレームのアイランド部分に相応するマス
ク部を残して七の周ｆｍＫＩｃ：ｙレームのリードピン
部分と相応するメッキ液噴射口を設け、アノードを配し
たノズルよりメッキ液を噴射して施すものとし〔第２＠
明〕たので、Ｉｃフレームに施される金、銀などの貴金
属メッキＦｉＩｃフレームのリードピン部分にのみに主
に施されることとなり上記マスク部の存在によりＩＣフ
レームのアイランド部分にはメッキ液が触れず従って従
来アイ２ンド部分をもメンキしてい九のに比べその分前
金属の節約を−ることができる。そしてリードピン部分
のみを貴金属メッキするに際し、メッキ液は、゛供給口
より入９メッキ液通路内に充満し次いで排出口から迅速
に１収されＣｌ１１発明〕、またマスク板に貫通形成し
であるメッキ液噴射口めがけて噴射され且つ迅速に回収
されるので＾品質で効率のよい部分メッキを、ＩＣフレ
ームのメッキを必要とする部分即ち「ワイヤボンディン
グ時にメッキの施されていることが要求される部分」と
してのリードピン部分に、施すことができるという効果
がある。As explained above, according to the present invention, the configuration is
A mask plate corresponding to the island part of the IC frame is left on the mask plate which contacts the IC7 frame which is the object to be plated, and a plating liquid passage corresponding to the glue-doped pin part of the IC frame is recessed around the mask plate, and this plating is performed. A supply and discharge port for the plating solution is provided in the liquid passage, an anode is arranged, and the plating solution is sprayed from a nozzle [First Brother Akira].
In addition, a plating solution injection port corresponding to the lead pin part of the fmKIc:y frame is provided on the mask plate that contacts the IC frame, which is the object to be plated, leaving a mask part corresponding to the island part of the IC frame. The plating solution shall be sprayed from a nozzle equipped with a
Therefore, the precious metal plating such as gold and silver applied to the IC frame is mainly applied only to the lead pin portion of the FiIc frame, and due to the presence of the mask portion, the plating solution does not come into contact with the island portion of the IC frame. Therefore, the metal used can be saved by that amount compared to the conventional method in which the eye and second parts are also removed. When plating only the lead pin portion with a precious metal, the plating solution enters from the supply port, fills the plating solution passageway, and then is quickly collected from the discharge port. Since the liquid is injected toward the injection port and quickly recovered, it is possible to perform high-quality and efficient partial plating on the parts of the IC frame that require plating, that is, the parts that require plating during wire bonding. It has the effect that it can be applied to the lead pin part as a ``.''.
第１図はＩＣフレームの部分メッキ装置の従来例を示す
概略断面図、
第２図は第１図のマスク板とＩＣフレームの相対位Ｉｔ
関保を示す部分拡大ｆ＋視図、謔３図は本発明〔第１兄
明〕の一実施例を尽す拡大概略断面図、
第４図はマスク板台とＩＣフレームの相対位置関係を示
す部分拡大斜視図、
第５図（イ）（ロ）は第１発明の他の実施例を各々示す
メッキ液通路の拡大斜視図、
第６図は本発明〔第２発明〕の一実施例を示す概略断面
図、
第７図はマスク部の部分拡大斜視図、
第８図は第２発明の他の実施例を示すマスク板の断面図
、
第９図は第８図矢示■方向より見たマスク部の底面図、
第１０図は第２発明の更に他の実施例を示すマスク板の
部分拡大斜視図、そして
第１１図は第１０図中のＸＩ −ＸＩ Ｉｎに沿う拡大
断面図である。
１ メッキボックス
２ マスク板
Ｓ ＩＣフレーム
４ 押圧板
５．６２ メッキ液噴射口
６．６５ ノズル
７ アイランド部分
８ リードピン部分
９ 支持ピン
１０．２５．２８．３１．４０ アノード２０．２６
メッキ液通路
２１．５５，４１．４５ マスク部２２．２７
区画壁
２３．２９ 供給口
２４．６０ 排出口
３４．４２．４４ 支持アーム。
６６ 胴部
３７．６９ テーパ面
６８ 下部
Ａ メッキ液
第 ５ 図（ロ）
２３
第６図
第７図
第８図
↑
■
第９図Figure 1 is a schematic cross-sectional view showing a conventional example of a partial plating device for IC frames, and Figure 2 is the relative position It of the mask plate and IC frame in Figure 1.
Figure 3 is an enlarged schematic cross-sectional view of one embodiment of the present invention [first brother]; Figure 4 is a portion showing the relative positional relationship between the mask plate base and the IC frame. FIG. 5(A) and FIG. 5(B) are enlarged perspective views of a plating solution passage showing other embodiments of the first invention, and FIG. 6 is an enlarged perspective view of an embodiment of the present invention [second invention]. A schematic sectional view, FIG. 7 is a partially enlarged perspective view of the mask portion, FIG. 8 is a sectional view of a mask plate showing another embodiment of the second invention, and FIG. 9 is viewed from the direction indicated by the arrow FIG. 10 is a partially enlarged perspective view of a mask plate showing still another embodiment of the second invention, and FIG. 11 is an enlarged sectional view taken along the line XI-XI In in FIG. 10. . 1 Plating box 2 Mask plate S IC frame 4 Pressing plate 5.62 Plating liquid injection port 6.65 Nozzle 7 Island part 8 Lead pin part 9 Support pin 10.25.28.31.40 Anode 20.26
Plating solution passage 21.55, 41.45 Mask part 22.27
Partition wall 23.29 Supply port 24.60 Discharge port 34.42.44 Support arm. 66 Body 37.69 Tapered surface 68 Lower part A Plating solution Figure 5 (B) 23 Figure 6 Figure 7 Figure 8 ↑ ■ Figure 9
Claims (1)
スク板に、ＩＣフレームのアイランド部分に相応するマ
スク部を残してその周囲にＩＣフレームのリードビン部
分と相応するメッキ液通路を凹設し、このメッキ液通路
にメッキ液の供給及び排出口を設は且つアノードを配し
１ノズルよりメッキ液を噴射して施すＩＣフレームの部
分メッキ装置。 （２） メッキ対象物であるＩＣ７レームを当接させ
るマスク板に、ＩＣフレームのアイランド部分に相応す
るマスク部を残してその周囲にＩＣフレームのり−ドピ
ン部分と相応するメッキ液噴射口を設け、アノードを配
し友ノズルよりメッキ液を噴射して施すＩＣ７レームの
部分メッキ装置。[Scope of Claims] (11) A mask plate corresponding to the island part of the IC frame is left on the mask plate which contacts the IC frame which is the object to be plated, and a plating liquid passage corresponding to the lead bin part of the IC frame is formed around the mask plate. A partial plating device for an IC frame, in which the plating solution is recessed, a plating solution supply and discharge port is provided in the plating solution passage, an anode is arranged, and the plating solution is sprayed from one nozzle. (2) The plating target is an object to be plated. A mask plate corresponding to the island part of the IC frame is left on the mask plate on which the IC7 frame is brought into contact, and a plating liquid injection port corresponding to the glue-doped pin part of the IC frame is provided around the mask plate. IC7 frame partial plating equipment that sprays liquid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114042A JPS5815244A (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Partial plating device for ic frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114042A JPS5815244A (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Partial plating device for ic frame |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815244A true JPS5815244A (en) | 1983-01-28 |
| JPS6344300B2 JPS6344300B2 (en) | 1988-09-05 |
Family
ID=14627568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56114042A Granted JPS5815244A (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Partial plating device for ic frame |
Country Status (1)
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| JPS57210987A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Partial plating device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353957A (en) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Hitachi Cable Ltd | How to spot-fit a lead frame |
| JPH02133949A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Hitachi Cable Ltd | Lead frame spot plating method |
| JPH05277818A (en) * | 1991-09-27 | 1993-10-26 | Kwan Soon Jang | Automatic feeder of drilling machine combined with tapping machine |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6344300B2 (en) | 1988-09-05 |
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