JPS5813587A - オキサゾ−ル誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 誘発−は新規なオキ苧ゾール誘導体に関する。

本発明のオキ苧ゾール誘導体は文献未載の新規化金物で
あり、下記一般式（１）で表わされる。

〔式中翼は低級γルキル基、フェニル基、ナフチル基、
又は置換基として低級アル奉ル基、へ〇低級アル奉ル基
、低級テ＃コキシ基、低級ア＃キルチオ基、１Ｆ１基、
シアノ基、ハロゲン原子及びフエＪＬＡ／基から成る群
から選ばれた基を１〜１個有することのあるフェニル基
を示す、Ｙは酸素原子叉は硫黄原子を示す、ｎは８又は
８を示す、〕上記一般式（１）で表わされる化合物は局
所麻酔作用、皇小ｌｌ１ａ集組止作用を書し、局所麻酔
薬、血検値の予防乃至治療薬等として音用である。

上記一般式（１ｍ　Ｋ　都いて示される各基は具体的に
は以下の通りである。

低級アルキル基−・−メチル、エチル、プ曹ビル、イン
ブーピル、ブチル％　ｔ＠ｒｔ−ブチル、ペンチル、へ
専シル基等。

ナフチル基・−・ｄ−ナフチル基、Ｉ−ナフチル基響。

ハロゲン原子・・・・−、弗素原子、塩素原子、臭素原
子、沃素原子等。

へ會低級アル専ル基−−）曽フルオロメチル。

ト曽プＷ令メチル、ト豐タロロメチル、シ曽璽−ドメチ
ル、雪−フルオ■エチル、！、！−ジフル第第 四１チル、８．意、鵞−シリフルオロエチル基等。

低級アルコキシ基−・・・メトキシ、エトキシ、プロポ
キシ、インプロポキシ、ブトキＶ％　ｔ＠ｒｔ−ブトキ
シ、ペンチルオキシ、ヘキシルオ専ν基等。

低級アルキルチオ基・−一メチルチオ、エチルチオ、プ
■ビＪ？苧オ、インプ１ビルチオ、ブチルチオ、ｔａｒ
ｔ−ブチルチオ、ムンチルチオ、へ牟シルチオ基等。

置換基として低級アルキル基、八−低級アルキル基、低
級アルコキシ基、低級アルキルチオ基、凰トー基、シア
ノ基、ハロゲン原子及びフェニル基から成る群か６ＩＩ
ばれた基をト１個有することのあるフェニル基−Ｍｈ−
・フェニル、雪−メチルフェニル、８−メチルフェニル
、４−メチルフェニル、４−エチルフェニル、４−プロ
ｋＰルフエエル。

４−イＶプロピルフエ晶ル、１．４−ジメチルフエ１ル
、１．１．４−　）曽メチルフェニル、茸、畠、暴−ト
曽メナルフエエル、ｆｉ、８．ＩＩ−）讐メナルフェニ
ル。

鵞−ト讐フルオロメチルフェニル、ｌ−シ響フルオロメ
ナルフエエル、４−トリフルオロメナルフエエル、Ｉ−
）響プロ令メナルフエエル、＠−）曹夕ＷＷメチルーブ
エエル、ロー）響曹−ドメチルフェニル、冨−メトキシ
フェニル％８−メトキシフェニル、４−メトキシフェニ
ル、４−メトキシフェニル、４−プロポ専ジフェニル、
４−４ツブ嘗ポキシフ工エｊ４／％４−ブトキシフ工具
ル、４−電・ｒｔ−ブト奉ジフェニル、雪−メチルチオ
フエ二Ｎ、Ｓ−メチルチオフェニル、４−メチルチオフ
ェニル、冨−ノナルー４−メチルチオフェニル。

３−メチル−４−メチルチオフェニル、重−エトロフエ
ＪＬｋ、ＩＢ−二トロフェニル、４’　＝　Ｊｌ−、）
ロフエエル、！−シテノフエ凰ル、３−シテノフエ１ル
、４−シＴノフェニル、１−タＩＩロフエエル。

８−フルオロフェニル、４−ブロムフェニル、鴛。

８−シタｕｖｘフェニル、２．４−シタｗｗフエ二ｋ。

露、４−ジフルオロフェニル、冨、４−ジプロ毫フェニ
ル、冨−フエＪＬＪａ／フェニル、８−フェニルフェニ
ル、４−フェニルフェニル基部。

本発明の化合物は種々の方１ｍよりＩｌ！ｊｌｌ廖れ尋
が、その＃Ｆましい一例を挙げれば以下に示す方法によ
り製造される。

（１）　　　　　　　　　　　　　　　　　（至））１
−Ｙ−ｃＩｍＱＩＣＨ＊−ＭＨ（ＣＨｓ　）ＩＩＮＩ１
０Ｈ（６、 〔式中Ｘはハロゲン原子、Ｗはハロゲン原子を示す。翼
及びＹは前記に同じ、〕 即ち本発明化合物は、一般式０で麦わ富れる公知のハロ
ゲン化金物又は一般式（３）で表わされる公知のエポキ
シ化合物と一般式（４）で麦わ富れる公知のシア電ンと
を反応させ、次いで得もれる一般式（Ｉ）で表わ書れる
化合物に二硫化炭素を反６ｍ昔、更に得られる一般式（
６）て表わされる化合物に一般式（ｎ″′ｅ表わされる
ハロゲン化アルキルを反応さぜ、最後に得られる一般式
（１）で表わされる化金物に塩基を作用審昔ることによ
り製造される。

一般式（り又は（３）の化合物と一般式（４）の化合−
との反応は遥常連＠−・溶媒中にて行なわれる。溶媒′
１：：。

：１１ としては反応に悪影響を及ぼさないものであれば各種の
有機溶媒を成（使用で命、例えばメタノール、エタノー
ル、インプロパツール勢の低級アルコール類、ジエチル
エーテル、テトラ−ドロフラン、ジオキ量ν等のエーテ
ル類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水
＊＊、酢酸エナル等を挙げ墨ことがで會墨、一般式奪）
又は０）の化金物と一般式ｋ）の化金物との使用開会と
して韓特に限５１！されず広い範囲内て適宜選択し得る
が、通常前者に対して後者を少なくとも等４ル量程度、
好ましくは６〜７倍４Ｊ＆／量用いるの′＃よい、該反
応牌富温及び加温下のいずれでも行ない得るが。

筒部の沸点付ｆｆ１Ｅ′Ｃ［応は好適に進行し、一般に
１〜１・時１ｉａｉｉ度にて反応は終了する。

−１式藝）の化金物と二硫化炭素との！ＩＬ応は、無嬉
媒又は適当な溶媒中にて行なわれる。溶媒としてはＩＬ
応に悪影響を及ぼ寝ない限り各種の有機溶媒を広く使用
て会、具体的には前記低級アルコール類、前記エーテル
類、前記芳香族炭化水素類等を例示で會る。これらのｗ
ｌＰ躯のうちでも低級アルコール類が特に：ｔＩ７Ｆ達
である。一般式ＣＩの化金物と二硫化炭素との使ｍ割舎
としては待に隈定かなく広い範−内で適宜選択すればよ
いが、通常前者に対して後者を少なくとも等峰ル量一度
、好ましくは等モル〜嵩倍脅ル量程度層いるのがよい０
反応温度とじては特に限定がなく水冷下、室温下及び加
温下のいずれでも行ない得るが、通常は室温付近で１〜
Ｂ時間程度反応させた後、溶媒を論来し、次いで跣置物
を１６０〜１ｓＯ″１ｏ１１度家て加温するのがよい、
所（して一般式（６）の化金物が生成する・ 、　一般式（・）の化合物と一般式（７）の化金物との
反応は−歓に有機溶媒中にて行なわれる。有機簿媒とし
ては反応に悪影響を及ぼさないものを広（使用て会、具
体的にはメタノール、エタノール等の低級アルコ−５ｐ
ａｓ−塩化炭素、塩化メチレン、り四■傘ル五等のハロ
ゲン化炭化水素類、Ｔ七゛トン、テトラｋｐｍフラン等
を例示で会る。一般式（６）の化合物と一般式（ガの化
合物との使用開会としては特に＠ｊｌ書れず広いＩＩＷ
内で適宜選択することがで会るが、通常前者に対して後
者を等令ル〜１０倍４＃量程度、＃會しくは１．　ｉ　
−ｓ倍峰ル量程度用いるのがよい、請反応は冷却下、室
温下及び加温下のいずれＫｍいても進行するが、好まし
くは室温付置にで行なわれる。ｊＫお時間は通常１〜１
・時１１１１１１Ｅｖ＆ｉ。

一般式（至））の化合物Ｋｍ基を作用させるに際しては
１反応に悪影響を与えない有機溶媒中１例えばメタノー
ル、エタノール、インプロパツール等の低級γｋ　：ｉ
　−Ｊ＠／　［、ア七トン、テトラｋＦロフラン等の溶
媒中又は水中にて行なうのがよい、＃１基としては従来
公知のものを広く便用で命、例えばアン令エア、ト讐エ
チルアミン等の有機塩基類、炭酸す）リウム、炭酸カリ
ウム、重炭酸・すトリウム等の無機塩基を挙げるξとが
で会墨、　！Ｉｆｒｔｐ番塩基の使用量としては特に限
定されないが、通常−毅式＜１１１の化合物に対して等
４４／〜墨・倍４ＩＩＩＩ量、好ましくは等そル〜６倍
モル量用いられる。該反応は冷却下、室温下及び加温下
のいずれでも°行ない得るが、室温＝：う、（１０℃程
度にて好適に進行する。またＩＬ応時間は通常１〜ｇｏ
時間程度である。

断（して本発明の化合物が製Ｉ１１される。

所（して得られる本発明の化合物は、慣用の分一手段１
例えば溶媒抽出、再結晶、力予ムり■マシダラフイー等
により［応混合物から容易に単一精製される。

本発明化合物は１通常の薬理的に許容し得る酸と容易に
塩を形威し得る。斯かる酸としては、例えば硫酸、硝酸
、ＩＩ１酸、臭化水素酸等の無機酸、ｌｋ酸＊　ｐ−ト
ルエンスルホン酸、エタンスルホン酸、シェラ駿、マレ
イン酸、コハタ酸、安息香酸等の有機酸が拳げ修れ番。

次に本発明の化合物について参考例及び実施例を挙げＩ
Ｉらに異体的に示すが、本発明化合物はζ゛れらＥ１ｍ
電害れるものでｉ象ない。

参考例１ エチレンシア電ンＳ４炉をメタノール８６６ｍ／に加え
、６０〜テＯ℃に加温しつつ％ｔ、ｓ−エポキシプロビ
ル（４−メチル７エエル）エーテル＄・ｔのメタノール
溶液ｌＯ＠−を１時間にわたって滴下する０滴下終了後
、意時間還流し、次いで溶媒及び３１＃Ｊのエチレンジ
ｙｔνを減圧下に留資す番と、残渣として１−（鵞−ア
電ツェナ〃ア電））−１−（４−メチルフェノキシ）−
意−プロパツールが得られる。

上記で得られる１−（１−Ｔｔノエチルテ電））−Ｉｔ
−（４−メチルフェノキシ）−露一プａパノールを単一
することなく、この残渣をエタノール１６０−に溶解し
、二硫化炭素霊＠　ｍＪＦを−えると沈殿物を生成す墨
、１時間放置した後、デカンテーシ■ンで沈殿物を分取
し、油浴上にて徐々に１寓・℃まで加温し、更にｌ雪Ｏ
℃で１時間加温を続ける。この反応生成物に熱時、イン
プロパノール雪・Ｏｍ／を加え墨、冷後析出する結晶を
ｆ取し、インプロパノ−ルーメタノールより再結晶して
融点１４１〜１４！℃のｌ−〔２−ヒドロキシ−畠−（
４−メチルフェノキシ）プロピルツー２−イ電ダシリジ
ンチオン８１９を得る。

実施例１ ２、ｓ、墨、＠−テトラヒドロー２−（４−メチルフェ
ノ率ジメチル）イミダゾ（Ｌｌ　−ｂ　）オキサゾール
の製造 １−（怠−ハイＦＯキシ−８−（４−メチルフェノキシ
）プロピルツー意−イ電ダシリジンチオン轟ｆ、ＩＩ−
化メチルｓｍｌを１４１２１００ｗｌ中に加え、室温下
１時間撹拌する。析出した結晶をろ取し、この結晶を、
炭酸力９６９を溶解した水１００−と酢酸エチルエステ
ル１００ｒｒｄ！の滉合液中に加え１０分間撹拌する。

有機層を分取し、乾燥（ＭｇＳＯｎ）、ｌ）縮して得ら
れる油状物質にインプロピルアルコール１００　ｍｌ！
を加えて８時間還流する０反応液を濃縮して得られる結
晶を酢酸エチルエステル−イソプロビルエーテルより再
結晶して！！、ｍｌ、５．＠−テトラヒドロ−鵞−（４
−メチルフェノ４Ｐｖメチル）イミダゾ（１，１−ｂ　
）オキ苧ゾールを得る。

融点　１１１ｓ−１１７℃ ′、′。

実施例１と同様にして下記第１表に記載の実施例２〜８
の化合物を得る。

第１表 実施例９ 意、３．・、チーテトラヒドロ−！−７エエルチオメチ
ルーｌｌｌ−オキ豐ゾロ（１１，１−１）ビＷｔジン・
沃化水素酸塩の製造 １−（鵞−へイドロキシー畠−フエエルチオプロビル）
パーヒドロビ９ｔジンー鵞−ナオン畠炉及び沃化メナル
畠ｍ／をアセトン１＠（ＩｇｍｊＫ加え、室温下１時間
撹拌する。析出する結晶をデ取し、この結晶をエタノー
ル１６６　ｍ／及び１８鳴アン令工ア水１０ｍ／の滉合
鍍中に加え、８時間撹拌する。ＩＩＬｔＰｆＩｔを濃縮
して得られる結晶を酢酸エチルエステル−エタノールよ
り再結晶して訂も・。

チーテトラヒドロ−意−フェニルチオメチルーＳＨ−オ
キ号ゾロ〔載ト１〕ビｖｔｓＰン・沃化水素酸塩を得墨
、融点１８マ〜１ｓ１１℃実施例・と同様にして下記第
意表に記載の実施例１０〜１４の化合物を得る。

第意表 昭和５７年５月２７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５６年　特　許　願第　ｌ１」５８号３、補正をす
る者 事件との関係　　特許出願人 棒弐金社　大框纒繭工場 ４、代理人 大阪市東区平野町２の１０平和ビル内電話０６−２０３
−０９４１（代）（６５２１）弁理十三　枝、英　ニ ア°　補ＬＥ（７）対象　−纏書中発明０ＩＩＰｊｌｌ
な説明ａｍ８、補正の内容 別紙添附の通り 補　　正　　の　　内　　容 １　明細書第１９頁に記載の構造式を下記り遥）訂正す
る。

ｃ以　上）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ■　一般式 〔式申鳳は低級アルキル基、フェ五ル基、ナフナル基、
   又は置換基として低級アル◆′ル基、６審低級γに専ル
   基、低級アルコキシ基、低級チルキルチオ基、１トロ基
   、シアノ基、八−ゲン原子及びフェニル基から成る群か
   ら還ばれた基をｔ−Ｓ個有することのあるフェニル基を
   示す。 Ｙは酸素原子又は硫黄原子を示す、１Ｆは２又は８を示
   す、〕 て麦わ書れ墨オキ豐ゾール誘導体及びその塩。