JPS58115036A - ガラス微粒子集合体の製造方法 - Google Patents
ガラス微粒子集合体の製造方法Info
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- JPS58115036A JPS58115036A JP21061181A JP21061181A JPS58115036A JP S58115036 A JPS58115036 A JP S58115036A JP 21061181 A JP21061181 A JP 21061181A JP 21061181 A JP21061181 A JP 21061181A JP S58115036 A JPS58115036 A JP S58115036A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/60—Relationship between burner and deposit, e.g. position
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/70—Control measures
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集束型光ファイバの製造方法に関するものであ
る。光フアイバ母材の製造方法の１つとしてＶＡＤ法が
知られている。この方法は円筒状のガラス微粒子を集合
して多孔質母材を作シ、これを高温に加熱し、焼結して
透明母材を得る方法であり、纂１図に示すような装置を
設定して、円筒状の多孔質母材及び透明母材を作成する
。゛第１図においてｌはガラス原料及び火炎用ガスの供
給装置であシこれら原料ガス及び燃焼ガスはガラス微粒
子合成バーナー２に導かれる。合成バーナー２によって
加水分解反応または熱酸化反応によって合成されたガラ
ス微粒子が出発基材の下部に付着し堆積して多孔質母材
３を形成する。４は排気調整器、５は反応容器である。
る。光フアイバ母材の製造方法の１つとしてＶＡＤ法が
知られている。この方法は円筒状のガラス微粒子を集合
して多孔質母材を作シ、これを高温に加熱し、焼結して
透明母材を得る方法であり、纂１図に示すような装置を
設定して、円筒状の多孔質母材及び透明母材を作成する
。゛第１図においてｌはガラス原料及び火炎用ガスの供
給装置であシこれら原料ガス及び燃焼ガスはガラス微粒
子合成バーナー２に導かれる。合成バーナー２によって
加水分解反応または熱酸化反応によって合成されたガラ
ス微粒子が出発基材の下部に付着し堆積して多孔質母材
３を形成する。４は排気調整器、５は反応容器である。
多孔質母材３は、さらに高温発熱体６に１３２１４５０
〜１７００℃に加熱され焼結されて透明母材７となる。
〜１７００℃に加熱され焼結されて透明母材７となる。
仁のような従来のＶＡＤ法による集束製光ファイバ母材
の製造方法において、所定のＪｌｌｆｆ率分布を形成す
るために合成バーナー２の構造を工夫し、合成・９−ナ
ー２の中心部と周辺部で組成比の異なるガラス微粒子を
合成し、これを回転し乍ら引き上げる出発基材に吹き付
け、堆積させることによって中心部が高く、周辺部が低
いドーノ９−ント議度分布（Ｇ＊０＊ ＋ Ｐｓｉｓ
ｅ ＢｚＯｓ ａｔｅ ）を有する多孔質母材を作り、
上部の高温発熱体６によって焼結することによって透明
なガラス母材を造る。
の製造方法において、所定のＪｌｌｆｆ率分布を形成す
るために合成バーナー２の構造を工夫し、合成・９−ナ
ー２の中心部と周辺部で組成比の異なるガラス微粒子を
合成し、これを回転し乍ら引き上げる出発基材に吹き付
け、堆積させることによって中心部が高く、周辺部が低
いドーノ９−ント議度分布（Ｇ＊０＊ ＋ Ｐｓｉｓ
ｅ ＢｚＯｓ ａｔｅ ）を有する多孔質母材を作り、
上部の高温発熱体６によって焼結することによって透明
なガラス母材を造る。
このようなドー・皆ント濃度分布は多孔質母材に付着す
る直前の炎中での合成ガラス微粒子の空関磯度分布に大
きく影響される。従って、回転している多孔質母材と炎
中でのドーノ９ント・濃度分布との相対的な位置関係が
重要である。上述した方法では例えば製造中に反応容器
５内での熱対流によシ炎が揺れると、多孔質母材の成長
方向に対しドーパント濃度分布が変化し、光ファイバと
しての伝送特性を大きく劣化させることがあった。また
合成バーナーの長期の使用に対しては、バーナー先端に
付着したどく微量のガラス微粒子により、炎の流れが微
妙に変化し、それがドーパント濃度分布に影参を及はし
、伝送特性が劣化することがあった。本発明は、多孔質
母材と原料のガラス微粒子流との相対的な位置関係を常
時一定に保つことによって常に最適のドーパント濃度分
布を一持するようにしたものであシ、その構成は、ｊ９
ス原料用ガスおよび燃焼ガスを混合燃焼させて回転する
出発基材にガラス微粒子を堆積させる方法において、出
発基材に向って斜め側方からガラス微粒子の火炎を噴出
させ、該火炎中のダークライン延長線と出発・基材回転
軸との交点からガラス微粒子集合体底面までの長２警所
定の値に保ってガラス微粒子を堆積させることを特徴と
する。
る直前の炎中での合成ガラス微粒子の空関磯度分布に大
きく影響される。従って、回転している多孔質母材と炎
中でのドーノ９ント・濃度分布との相対的な位置関係が
重要である。上述した方法では例えば製造中に反応容器
５内での熱対流によシ炎が揺れると、多孔質母材の成長
方向に対しドーパント濃度分布が変化し、光ファイバと
しての伝送特性を大きく劣化させることがあった。また
合成バーナーの長期の使用に対しては、バーナー先端に
付着したどく微量のガラス微粒子により、炎の流れが微
妙に変化し、それがドーパント濃度分布に影参を及はし
、伝送特性が劣化することがあった。本発明は、多孔質
母材と原料のガラス微粒子流との相対的な位置関係を常
時一定に保つことによって常に最適のドーパント濃度分
布を一持するようにしたものであシ、その構成は、ｊ９
ス原料用ガスおよび燃焼ガスを混合燃焼させて回転する
出発基材にガラス微粒子を堆積させる方法において、出
発基材に向って斜め側方からガラス微粒子の火炎を噴出
させ、該火炎中のダークライン延長線と出発・基材回転
軸との交点からガラス微粒子集合体底面までの長２警所
定の値に保ってガラス微粒子を堆積させることを特徴と
する。
以下に本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
亀２図に示すようにバーナ２から放出される火炎には、
その中央部にガラス微粒子を含まない未反応な気体原料
の流れがあり、周辺部のガラス微粒子が分布している部
分に比べ暗く見えることからこれをダークライン２０ヒ
打すつ、ダークライン２０を利用して第２図に示すよう
な・臂うメータＡをａｔする。即ちバーナー２より噴出
した炎中のダークライン２０の直線部分を延長し、多孔
質量、材の回転中心線との交点をａとする。また回転多
孔質母材３の底部をｂとし、ダ この＆ｂ間の距離をＡとする。上記ダークラインノ母ラ
メータムについて、ドーパント濃度分布と直接対応する
光ファイバの屈折率分布係数αとの関係を求めると、第
３図に示すようにα＝２なるダレ−ディト蓋に最適な放
物線状屈折率分布に対応する値（Ａ・）が存在すること
がわかる。そこで本発明は上記ｉ４ラメータＡが最適値
Ａｏを保つようにガラス微粒子を出発基材の底面および
回動自在にバーナ移動装置２１によって保持される。一
方ガラス微粒子の多孔質母材底面に向ってカメラ２４が
設けられ、バーナ２から噴き出される火炎ないしダーク
ラインとガラス微粒子の堆積状態の画偉を受像機２３に
送る。
その中央部にガラス微粒子を含まない未反応な気体原料
の流れがあり、周辺部のガラス微粒子が分布している部
分に比べ暗く見えることからこれをダークライン２０ヒ
打すつ、ダークライン２０を利用して第２図に示すよう
な・臂うメータＡをａｔする。即ちバーナー２より噴出
した炎中のダークライン２０の直線部分を延長し、多孔
質量、材の回転中心線との交点をａとする。また回転多
孔質母材３の底部をｂとし、ダ この＆ｂ間の距離をＡとする。上記ダークラインノ母ラ
メータムについて、ドーパント濃度分布と直接対応する
光ファイバの屈折率分布係数αとの関係を求めると、第
３図に示すようにα＝２なるダレ−ディト蓋に最適な放
物線状屈折率分布に対応する値（Ａ・）が存在すること
がわかる。そこで本発明は上記ｉ４ラメータＡが最適値
Ａｏを保つようにガラス微粒子を出発基材の底面および
回動自在にバーナ移動装置２１によって保持される。一
方ガラス微粒子の多孔質母材底面に向ってカメラ２４が
設けられ、バーナ２から噴き出される火炎ないしダーク
ラインとガラス微粒子の堆積状態の画偉を受像機２３に
送る。
受像機２３とバーナ移動装置２１とを結ぶ回路に演算機
２２が設けられ、カメラ２４の受像に基づいてノ母うメ
ータＡ１を算出し、このノ臂うメータＡｌが最適値Ａｏ
でないときには、その差（Ａｔ −Ａｏ）＠零にするよ
うにバーナ位置を操作する信号が演算機、２２からバー
ナ移動装置２１に送られ、ノ々−す２の向きないし位置
を調整する。
２２が設けられ、カメラ２４の受像に基づいてノ母うメ
ータＡ１を算出し、このノ臂うメータＡｌが最適値Ａｏ
でないときには、その差（Ａｔ −Ａｏ）＠零にするよ
うにバーナ位置を操作する信号が演算機、２２からバー
ナ移動装置２１に送られ、ノ々−す２の向きないし位置
を調整する。
次に本発１ｊｌＩＱ方法による効果を従来のものと対比
して示す。第５図（ａ）は本発明に係る製造方法により
製造したガラス母材についてその伝送帯域を示すグラフ
であ、９、篤５図（ｂ）は従来の製造方法についての同
様のグラフである。′ｓ５図（ｂ）によ如明らかなよう
に製造本数が少ない場合には従来の製造方法のものも５
００ ＭＨｚｂｒ”前後の伝送帯域を有しているが、製
造本数が増すにつれて徐々に伝送帯域が低下してゆく。
して示す。第５図（ａ）は本発明に係る製造方法により
製造したガラス母材についてその伝送帯域を示すグラフ
であ、９、篤５図（ｂ）は従来の製造方法についての同
様のグラフである。′ｓ５図（ｂ）によ如明らかなよう
に製造本数が少ない場合には従来の製造方法のものも５
００ ＭＨｚｂｒ”前後の伝送帯域を有しているが、製
造本数が増すにつれて徐々に伝送帯域が低下してゆく。
これはバーナーより噴出したガラス微粒子の流れが製造
本数を重ねるうちに徐々に変化してゆくためと思われる
。原因としてはバーナー先端に付着した少量のガラス微
粒子の影響や長期の使用に対しては、バーナー先端の消
耗などのためバーナーの先端形状が微妙に変わっている
ためと考えられている。１１図（＆）は本発明に係るダ
ークライン制御を施した例であり、バーナよす噴出した
ガラス微粒子流と多孔質母材との相対的な位置−係を一
定に、卸ちパラメータＡが敵適値Ａｓになるよう制御し
たものである。麹５図−）から明らかなように本発明の
ダークライン制御に係るもの社製造本数が増しても伝送
帯域が低下することがなくは埋５ＧＧ ＭＨｚ ｋ”の
領域を維持している。
本数を重ねるうちに徐々に変化してゆくためと思われる
。原因としてはバーナー先端に付着した少量のガラス微
粒子の影響や長期の使用に対しては、バーナー先端の消
耗などのためバーナーの先端形状が微妙に変わっている
ためと考えられている。１１図（＆）は本発明に係るダ
ークライン制御を施した例であり、バーナよす噴出した
ガラス微粒子流と多孔質母材との相対的な位置−係を一
定に、卸ちパラメータＡが敵適値Ａｓになるよう制御し
たものである。麹５図−）から明らかなように本発明の
ダークライン制御に係るもの社製造本数が増しても伝送
帯域が低下することがなくは埋５ＧＧ ＭＨｚ ｋ”の
領域を維持している。
以上説明したように本発明に係る製造方法によれば多孔
質母材製造段階におｉて當に最適のドーパント撮直分布
が維持で龜るようにな）、光ファイバとしての伝送特性
も良好なものを比較的長期間製造してゆくことが′可能
となる・
質母材製造段階におｉて當に最適のドーパント撮直分布
が維持で龜るようにな）、光ファイバとしての伝送特性
も良好なものを比較的長期間製造してゆくことが′可能
となる・
第１図は気相軸付方法（ＶムＤ法）の説明図、＃！２図
はダークラインの説明図、第３図はパラメータムとガラ
ス母材の屈折率分布係数ａとの関係を示すグラフ、第４
図はダークライン制御システムの一例を示す概略図、ｍ
ｓ図（ａ）（ｂ） ｔｉガラス母材の伝送帯域と製造本
数の関係を示すグラフであ如、第ｓ＃Ａ（転）は本発明
の制御を行った例であシ、第Ｓ−６）祉従前の例を示す
。 ＃Ａ 面 中、 ｌはガス供給装置、２はバーナ、３は多孔質母材、４＃
ｉ排気調整器、５は反応容器、６は高温発熱体、７＃ｉ
透明母材、２０ａダークライン、２１扛バーナ移動装置
、２２は演算機・、２３は受像機、２４Ｆｉカメラであ
る。 特許出願人 日本電信電話公社 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士光石士部 （他１名）
はダークラインの説明図、第３図はパラメータムとガラ
ス母材の屈折率分布係数ａとの関係を示すグラフ、第４
図はダークライン制御システムの一例を示す概略図、ｍ
ｓ図（ａ）（ｂ） ｔｉガラス母材の伝送帯域と製造本
数の関係を示すグラフであ如、第ｓ＃Ａ（転）は本発明
の制御を行った例であシ、第Ｓ−６）祉従前の例を示す
。 ＃Ａ 面 中、 ｌはガス供給装置、２はバーナ、３は多孔質母材、４＃
ｉ排気調整器、５は反応容器、６は高温発熱体、７＃ｉ
透明母材、２０ａダークライン、２１扛バーナ移動装置
、２２は演算機・、２３は受像機、２４Ｆｉカメラであ
る。 特許出願人 日本電信電話公社 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士光石士部 （他１名）
Claims (1)
- ガラス原料用ガスおよび燃焼ガスを混合燃焼させて回転
する出発基材にガラス微粒子を堆積させる方法において
、出発基材に向って斜め側方からガラス微粒子の火炎を
噴出させ、誼火炎中のダークライン延長線と出発基材回
転軸との交点からガラス黴粒子集合体底面までの長さを
所定の値に保ってガラス微粒子を堆積させることを特徴
とするガラス微粒子集合体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21061181A JPS58115036A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | ガラス微粒子集合体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21061181A JPS58115036A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | ガラス微粒子集合体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58115036A true JPS58115036A (ja) | 1983-07-08 |
Family
ID=16592185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21061181A Pending JPS58115036A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | ガラス微粒子集合体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58115036A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1209129A2 (de) * | 2000-11-24 | 2002-05-29 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Quarzglaskörpers |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21061181A patent/JPS58115036A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1209129A2 (de) * | 2000-11-24 | 2002-05-29 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Quarzglaskörpers |
| EP1209129A3 (de) * | 2000-11-24 | 2004-07-28 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Quarzglaskörpers |
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