JPS58114504A - 帯域通過型減衰回路 - Google Patents
帯域通過型減衰回路Info
- Publication number
- JPS58114504A JPS58114504A JP21051781A JP21051781A JPS58114504A JP S58114504 A JPS58114504 A JP S58114504A JP 21051781 A JP21051781 A JP 21051781A JP 21051781 A JP21051781 A JP 21051781A JP S58114504 A JPS58114504 A JP S58114504A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- resistor
- transmission
- transmission line
- band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/22—Attenuating devices
- H01P1/227—Strip line attenuators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明ｌＪ帯域通過型減衰回路に係り、特にマイクｒＪ
波（・ランジスタ増幅回路にミスマツチングした回路を
接続した時に生ずる発振現象や通過損失を生じさせない
ようにした帯域通過型減衰ｌ１２７路に関する。
波（・ランジスタ増幅回路にミスマツチングした回路を
接続した時に生ずる発振現象や通過損失を生じさせない
ようにした帯域通過型減衰ｌ１２７路に関する。
（２）技１ホｔの１ｙ景
従来、Ｘバンド等の高周波を増幅するためのマイク０波
トランジスタ増幅回路の入力端または出力に、該マイク
し１波トランジスタ増幅回路の通過帯域外の低い周波数
領域で、インピーダンスがミスマツチされた状態の回路
が接続されると発振を惹起するために、これら低域での
安定化を計るために７１゛りｒ」波トランジスタ増幅回
路の入力端または出力端側に低域通過型濾波回路を形成
したバイアス回路を挿入したものが用いられてしるが必
ずしも安定に発振を停止さセることができない。
トランジスタ増幅回路の入力端または出力に、該マイク
し１波トランジスタ増幅回路の通過帯域外の低い周波数
領域で、インピーダンスがミスマツチされた状態の回路
が接続されると発振を惹起するために、これら低域での
安定化を計るために７１゛りｒ」波トランジスタ増幅回
路の入力端または出力端側に低域通過型濾波回路を形成
したバイアス回路を挿入したものが用いられてしるが必
ずしも安定に発振を停止さセることができない。
そこでマイクロ波トランジスタ増幅回路の入力或いζＪ
出力にブリジッドティ回路等を付加しているが周波数が
高くなるにつれて、通過損失が増大する欠点を有するた
めにこれらを解決する簡単な回路が要望されていた。
出力にブリジッドティ回路等を付加しているが周波数が
高くなるにつれて、通過損失が増大する欠点を有するた
めにこれらを解決する簡単な回路が要望されていた。
（３）従来技術と問題点
第１図（Ａ）、 （Ｂ）は、従来のマイクロ波トラン
ジスタ増幅回路を示すものであり、同図（Ａ）、 （
Ｂ）に於て、入力端子（Ｔ１）には導波管等が接続され
、該人力醋１子は入力整合回路を通してマイクロ波トラ
ンジスタ２のゲート端子に接続され、該トランジスタの
ゲートにはバイアス供給用のチョークコイル４と５０オ
ームの抵抗器５の直列回路の一端が接続されている。
ジスタ増幅回路を示すものであり、同図（Ａ）、 （
Ｂ）に於て、入力端子（Ｔ１）には導波管等が接続され
、該人力醋１子は入力整合回路を通してマイクロ波トラ
ンジスタ２のゲート端子に接続され、該トランジスタの
ゲートにはバイアス供給用のチョークコイル４と５０オ
ームの抵抗器５の直列回路の一端が接続されている。
第１図（Ａ＞の場合直列回路の他端はバイアス供給用の
端子Ｔ２に接続され、該バイアス供給用の端子にはゲー
トバイアス用のマイナス電圧−■が与えられている。
端子Ｔ２に接続され、該バイアス供給用の端子にはゲー
トバイアス用のマイナス電圧−■が与えられている。
さらに、抵抗器５の両端より接地間にコンデンサ６及び
７を接続して低域通過濾波回路を形成し、伝送通過帯域
に対しては大きなインピーダンスを示し、帯域外の低域
周波数に対しては通過濾波特性を示すように構成する。
７を接続して低域通過濾波回路を形成し、伝送通過帯域
に対しては大きなインピーダンスを示し、帯域外の低域
周波数に対しては通過濾波特性を示すように構成する。
また、ソース電極は直接接地電位に接続されている。一
方、第１図（Ｂ）に示す場合は直列回路４．５の他端は
接地されバイアス供給回路終端を高周波的に短絡するコ
ンデンサ６がチョークコイル及び抵抗器交点接地間に接
続され、ノース電極に目バイアス抵抗器１１と、ｉ：ｊ
ｉ周波を短縮する：Ｊコンデンサ２か接地間に！ｌｌｊ
列接続されている。
方、第１図（Ｂ）に示す場合は直列回路４．５の他端は
接地されバイアス供給回路終端を高周波的に短絡するコ
ンデンサ６がチョークコイル及び抵抗器交点接地間に接
続され、ノース電極に目バイアス抵抗器１１と、ｉ：ｊ
ｉ周波を短縮する：Ｊコンデンサ２か接地間に！ｌｌｊ
列接続されている。
−Ｊイクｒｌ波トランンスク増幅回路を構成するトラン
ジスタ２のドレインは第１図（八）、（Ｂ）ノ１、に出
力（と合回路３を通して出力端子′ｒ″４に１宕続され
ると）ｔにＩ゛レイン電極出力整合回路間にプラス電瀞
１■を５．える端子］゛３Ｊ、りの電圧をチョーク二フ
ィル１３を通してりえるように４ニジ、チョーク二フィ
ルＩ３の一端と接地間にはバイアス（共給回路の終端を
１所周波的に短縮するｍｌンデンサ８が接続され、さら
に５０４−）、の抵抗２：（つとトラン−・ツタ増幅器
の帯域外の低域周波数を通過さゼる：Ｉンデンサ１０の
直列回路がチョーク二フイル１３の一端と接地１＋？＋
に接続されている。
ジスタ２のドレインは第１図（八）、（Ｂ）ノ１、に出
力（と合回路３を通して出力端子′ｒ″４に１宕続され
ると）ｔにＩ゛レイン電極出力整合回路間にプラス電瀞
１■を５．える端子］゛３Ｊ、りの電圧をチョーク二フ
ィル１３を通してりえるように４ニジ、チョーク二フィ
ルＩ３の一端と接地間にはバイアス（共給回路の終端を
１所周波的に短縮するｍｌンデンサ８が接続され、さら
に５０４−）、の抵抗２：（つとトラン−・ツタ増幅器
の帯域外の低域周波数を通過さゼる：Ｉンデンサ１０の
直列回路がチョーク二フイル１３の一端と接地１＋？＋
に接続されている。
ずなわ？し、」二記第１図（Ａ）は２電源構成を第１図
（Ｂ）ζＪ単電源のセルフバイアス構成を示すものであ
り、この構成によればトランジスタ２の入力端父上１出
力側からめたインピーダンス番Ｊバイ−）′ス回Ｒ６に
接続した５０オーツ９の抵抗器に終端され（１１域り１
周波数（低１或）での発振を防止し得る。
（Ｂ）ζＪ単電源のセルフバイアス構成を示すものであ
り、この構成によればトランジスタ２の入力端父上１出
力側からめたインピーダンス番Ｊバイ−）′ス回Ｒ６に
接続した５０オーツ９の抵抗器に終端され（１１域り１
周波数（低１或）での発振を防止し得る。
３−
しかし、このように構成してもマイクロ波トランジスタ
増幅回路の入力側または出力側に接続する回路によって
ｌＪ’、 ＋ｔＦ域り１低域周波数の発振を安定化して
防止し得ない。
増幅回路の入力側または出力側に接続する回路によって
ｌＪ’、 ＋ｔＦ域り１低域周波数の発振を安定化して
防止し得ない。
そこで第２図に示すブリジッドティ回路をマイクロ波ト
ランジスク増幅回路の入力または出力に、 付加するこ
とで発振防止の安定化を計っている。
ランジスク増幅回路の入力または出力に、 付加するこ
とで発振防止の安定化を計っている。
第２図に示すプリジッドティ回路は５０オームの抵抗器
１．ｊ、１５とチョーク：ｌイルｌＧと：２ンデンサ１
７よりなる直列共振回路と、該直列回路とζＪ逆回路に
よる並列共振回路のコンデンサ１８とチョークコイル１
９を四端子７１” ５． Ｔ ６． Ｔ ？ 。
１．ｊ、１５とチョーク：ｌイルｌＧと：２ンデンサ１
７よりなる直列共振回路と、該直列回路とζＪ逆回路に
よる並列共振回路のコンデンサ１８とチョークコイル１
９を四端子７１” ５． Ｔ ６． Ｔ ？ 。
１゛８間に接続したものであるが、このプリジッドティ
回路をマイクロ波トランジスタ増幅回路の入力またＬＪ
比出力付加した場合、Ｘバンドの如く高い周波数になる
と該ブリジッドティ回路内での通過損失が大きくなり、
増幅回路の能率が低下し、更に回路部品が多く、チョー
クコイル等の部品の占める割合が大きくなって大きなス
ペースをとることになる。
回路をマイクロ波トランジスタ増幅回路の入力またＬＪ
比出力付加した場合、Ｘバンドの如く高い周波数になる
と該ブリジッドティ回路内での通過損失が大きくなり、
増幅回路の能率が低下し、更に回路部品が多く、チョー
クコイル等の部品の占める割合が大きくなって大きなス
ペースをとることになる。
（４）発明の目的
５−
４
本発明は上記したｊＪｔ来の欠点を除去し、マイク１ノ
波１ランシスタ増幅回路の安定化を計るとノｔに通過損
失の少ない帯域通過型減衰回路を提供することをＬＩ的
とｊ゛るものである。
波１ランシスタ増幅回路の安定化を計るとノｔに通過損
失の少ない帯域通過型減衰回路を提供することをＬＩ的
とｊ゛るものである。
（５）発明の構成
本発明の特徴とするとごろは第」の伝送線路に該第１の
伝送線路の特性インピーダンスに等しい抵抗値を有する
抵抗器を介して通過帯域の中心周波数波λａのｎ ７１
ａ／２ （ｎ＝１． ２ ・・・）長の・端がオープン
の第２の伝送線路を接続したことを特徴とする帯域通過
型減衰回路にある。
伝送線路の特性インピーダンスに等しい抵抗値を有する
抵抗器を介して通過帯域の中心周波数波λａのｎ ７１
ａ／２ （ｎ＝１． ２ ・・・）長の・端がオープン
の第２の伝送線路を接続したことを特徴とする帯域通過
型減衰回路にある。
（６）発明の実施例
り１ζ、本発明の１実施例を第３図及び第４図（Ａ）、
（Ｂ）について説明ずろ。
（Ｂ）について説明ずろ。
第３図＋ｊ本発明の安定化されたマイクロ波トランンス
タ増幅回路を得るための帯域通過型減衰回路の原理図を
示し、第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の帯域通過型減衰
回路を２電沸および単電源の−・′イタ１フ波トランジ
スタ増幅回路に付加した場合の朋路図である。
タ増幅回路を得るための帯域通過型減衰回路の原理図を
示し、第４図（Ａ）、（Ｂ）は本発明の帯域通過型減衰
回路を２電沸および単電源の−・′イタ１フ波トランジ
スタ増幅回路に付加した場合の朋路図である。
第３図に於て、ストリップライン、又は同軸ケ ６一
−プル等の伝送特性インピーダンスに整合した例えば５
０オームの抵抗器２１をＴ字状に）Ｕ続すると共に該抵
抗器の他端に後段又ｉｌｌ前段に接続ずろマイクｌｉｔ
波トランジスタ増幅回路の中心周波数の波Ｌλ０のｎ／
ｌｏ／２長く但しｎ＝１＋ ２．−・・）のたとえば
一端がオーブンのストリップライン等の伝送線路２２を
接続したものである。
０オームの抵抗器２１をＴ字状に）Ｕ続すると共に該抵
抗器の他端に後段又ｉｌｌ前段に接続ずろマイクｌｉｔ
波トランジスタ増幅回路の中心周波数の波Ｌλ０のｎ／
ｌｏ／２長く但しｎ＝１＋ ２．−・・）のたとえば
一端がオーブンのストリップライン等の伝送線路２２を
接続したものである。
上述の如き帯域通過型減衰回路によると第２図に示した
ブリジッドティ回路の如くＱが低くないためにＧＨｚオ
ーダで高い周波数になる程、信号の減衰、即し通過損失
が大きくなることはない。
ブリジッドティ回路の如くＱが低くないためにＧＨｚオ
ーダで高い周波数になる程、信号の減衰、即し通過損失
が大きくなることはない。
本発明の構成によればマイクロ波トランシスク増幅回路
の人力又は出力側より帯域通過型減衰回路をみた場合５
０オームの抵抗器が接続されているが完全にオープン状
態であるためにＸバンドの高い周波数にわたって通過↑
１１失を極めて小さくすることかできる。
の人力又は出力側より帯域通過型減衰回路をみた場合５
０オームの抵抗器が接続されているが完全にオープン状
態であるためにＸバンドの高い周波数にわたって通過↑
１１失を極めて小さくすることかできる。
上記した（）；域通過型減衰回路をマイクロ波トランジ
スタ増幅回路に挿入した場合の１実施例を第４図（Ａ）
、 （Ｂ）に示す。第４図（Ａ）はバイアス電源を２
電源とした増幅回路を、第４図（Ｂ）ＩＩバイアス電源
をセルフバイアスツノ式とした単重ｌυ九をボずものＣ
５その構成は第１図（Ａ）、 （Ｂ）と同一であるので
同一部分には同一１１号を（＝ｔ して重複説明Ｌ：！
′１’、ｉ’ Ｉｌｌと４°る。２３はａｊｙ渡竹で
マイクロ波トフンンスタ２の前段に配設した人力整合回
路１との間に接続した伝送線路に抵抗ｉ！：’、２１と
ストリップライン２２を′ｒ字状に接続して帯域通過型
減衰回１（ＩＳを構成したので増幅回路の帯域外での低
域発振か防止できると〕（に通過１１ｊ失を少なくする
ことが＋ｉＪ能となった。
スタ増幅回路に挿入した場合の１実施例を第４図（Ａ）
、 （Ｂ）に示す。第４図（Ａ）はバイアス電源を２
電源とした増幅回路を、第４図（Ｂ）ＩＩバイアス電源
をセルフバイアスツノ式とした単重ｌυ九をボずものＣ
５その構成は第１図（Ａ）、 （Ｂ）と同一であるので
同一部分には同一１１号を（＝ｔ して重複説明Ｌ：！
′１’、ｉ’ Ｉｌｌと４°る。２３はａｊｙ渡竹で
マイクロ波トフンンスタ２の前段に配設した人力整合回
路１との間に接続した伝送線路に抵抗ｉ！：’、２１と
ストリップライン２２を′ｒ字状に接続して帯域通過型
減衰回１（ＩＳを構成したので増幅回路の帯域外での低
域発振か防止できると〕（に通過１１ｊ失を少なくする
ことが＋ｉＪ能となった。
」二記、第４図（Ａ）、 （１３）で目人力整合回路
と１９波管の間に帯域通過型減衰回路を挿入しノこが、
出力１β合回路３と該出力整合回路の１１段に接続され
る３ｑ波管との間に帯域通過型減衰回路を挿入してもよ
く、さらにマイクロ波帯Ｉ・シンシスタ増幅回路の多段
増幅回路間に本発明の帯域通過型σ歳衰回路を挿入して
もよいことは明らかである。また本発明の実施例ではマ
イクロ波帯の増幅器を用いているか、これ１Ｊ１１１ｔ
ミリ波さらにロミリ波帯の増幅器でもよいことは明らか
である。
と１９波管の間に帯域通過型減衰回路を挿入しノこが、
出力１β合回路３と該出力整合回路の１１段に接続され
る３ｑ波管との間に帯域通過型減衰回路を挿入してもよ
く、さらにマイクロ波帯Ｉ・シンシスタ増幅回路の多段
増幅回路間に本発明の帯域通過型σ歳衰回路を挿入して
もよいことは明らかである。また本発明の実施例ではマ
イクロ波帯の増幅器を用いているか、これ１Ｊ１１１ｔ
ミリ波さらにロミリ波帯の増幅器でもよいことは明らか
である。
（７）発明の〃Ｊ果
７ −−
以上、詳細に説明したように本発明の帯域通過型減衰［
ｉ１路によればマイクロ波トランジスタ増幅回路の雑音
指数を劣化させることなく増幅回路の安定化を剖ること
が可能となり、回路基板スペースも大幅に小さくするこ
とができる効果を有するものである。
ｉ１路によればマイクロ波トランジスタ増幅回路の雑音
指数を劣化させることなく増幅回路の安定化を剖ること
が可能となり、回路基板スペースも大幅に小さくするこ
とができる効果を有するものである。
第１図（Ａ）、 （Ｂ）は従来のマイクロ波トランジ
スタ増幅回路図、第２図は従来のマイクロ波！・ランジ
スタ増幅回路の発振の安定化を計るためのブリジッドテ
ィ回路、第３図１Ｊ本発明のマイクロ波トランジスタ増
幅回路の発振を安定化するための帯域通過型減衰回路の
原理的構成図、第４図（Ａ’）、 （Ｂ）は本発明の
帯域通過型減衰回路をマイクロ波トランジスタ増幅回路
に接続した１実施例の回路図である。 ■・・・人力整合回路、２・・・トランジスタ、３・・
・出力整合回路、４．．１３，１６．１９・・・チョー
クコイル、５，９，１４．．１５．２１・・・５０オー
ムの抵抗器、６，７．．８．１０゜１７．１８・・・コ
ンテンツ、２０．２２・・・−９＝ ８− 伝送線路、２３・・・導波管。 特許出願人 富士通株式会社 １０−
スタ増幅回路図、第２図は従来のマイクロ波！・ランジ
スタ増幅回路の発振の安定化を計るためのブリジッドテ
ィ回路、第３図１Ｊ本発明のマイクロ波トランジスタ増
幅回路の発振を安定化するための帯域通過型減衰回路の
原理的構成図、第４図（Ａ’）、 （Ｂ）は本発明の
帯域通過型減衰回路をマイクロ波トランジスタ増幅回路
に接続した１実施例の回路図である。 ■・・・人力整合回路、２・・・トランジスタ、３・・
・出力整合回路、４．．１３，１６．１９・・・チョー
クコイル、５，９，１４．．１５．２１・・・５０オー
ムの抵抗器、６，７．．８．１０゜１７．１８・・・コ
ンテンツ、２０．２２・・・−９＝ ８− 伝送線路、２３・・・導波管。 特許出願人 富士通株式会社 １０−
Claims (3)
- （１）第１の伝送線路に該第１の伝送線路の特性インピ
ーダンスに等しい抵抗値を有する抵抗器を介して通過帯
域の中心周波数波λ０のｎ２Ω／２（ｎ＝１．．２．
・・・）長の一輪がオープンの第２の伝送線路を接続
したことを特徴とする帯域通過型減衰回路。 - （２）前記第１の伝送線路は入力また番」／および出力
に整合回路をイＹする半導体増幅回路の入力または／お
よび出力端子であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の帯域通過型減衰回路。 - （３）前記第１の伝送線路は前記半導体増幅回路の入力
または／および出力端子と導波管を接続する伝送線路で
あることを特徴とする特許請求の範囲ｍｓ ２項記載の
帯域通過型減衰回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21051781A JPS58114504A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 帯域通過型減衰回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21051781A JPS58114504A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 帯域通過型減衰回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58114504A true JPS58114504A (ja) | 1983-07-07 |
Family
ID=16590673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21051781A Pending JPS58114504A (ja) | 1981-12-26 | 1981-12-26 | 帯域通過型減衰回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58114504A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0625099U (ja) * | 1992-08-27 | 1994-04-05 | 川崎重工業株式会社 | ダブルハルタンカーのアクセストランク |
-
1981
- 1981-12-26 JP JP21051781A patent/JPS58114504A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0625099U (ja) * | 1992-08-27 | 1994-04-05 | 川崎重工業株式会社 | ダブルハルタンカーのアクセストランク |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0537798B1 (en) | Microwave filter | |
| US5077545A (en) | Surface acoustic wave waveguide-coupled resonator notch filter | |
| US6636128B2 (en) | Frequency-tunable notch filter | |
| US3381244A (en) | Microwave directional coupler having ohmically joined output ports d.c. isolated from ohmically joined input and terminated ports | |
| JPH03101305A (ja) | 電界効果トランジスタ増幅器 | |
| JP3442208B2 (ja) | 高周波用電子回路 | |
| US4297660A (en) | Electric circuit using surface acoustic wave device | |
| CA1283178C (en) | Distributed amplifier circuits | |
| JPS58114504A (ja) | 帯域通過型減衰回路 | |
| JPS6315761B2 (ja) | ||
| US5451905A (en) | Microwave semiconductor device comprising stabilizing means | |
| US4475092A (en) | Absorptive resonant cavity filter | |
| GB2246670A (en) | Microstrip filter | |
| JPH0232626A (ja) | 高周波増幅回路 | |
| US5781079A (en) | Magnetostatic wave device | |
| JPH03211870A (ja) | モノリシックマイクロ波集積回路 | |
| JP2565084B2 (ja) | 信号伝送回路 | |
| JPH02198207A (ja) | シングルバランスドミキサ回路 | |
| JPS6133719Y2 (ja) | ||
| US3064204A (en) | Broad-band amplifier | |
| JPH07131367A (ja) | 可変同調バンドパスフィルタ | |
| JPS593883B2 (ja) | バイアス回路 | |
| JPH0155773B2 (ja) | ||
| JPS5943001B2 (ja) | 帯域「ろ」波器 | |
| JPH03136403A (ja) | Ｔ型固定減衰器 |