JPS58111366A - 長尺薄膜読取素子 - Google Patents
長尺薄膜読取素子Info
- Publication number
- JPS58111366A JPS58111366A JP56209117A JP20911781A JPS58111366A JP S58111366 A JPS58111366 A JP S58111366A JP 56209117 A JP56209117 A JP 56209117A JP 20911781 A JP20911781 A JP 20911781A JP S58111366 A JPS58111366 A JP S58111366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- long thin
- electrode
- metal electrodes
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/191—Photoconductor image sensors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はファクシ建り、プリンタニその細画像の読取シ
をおこない、情報処理をおこなう装置に於ける新規な画
像の読取装置に関するものである。
をおこない、情報処理をおこなう装置に於ける新規な画
像の読取装置に関するものである。
更に詳しくは光導電体として特に均一薄膜状アモルファ
スシリコンを用い、これの両側を電極ではさんだサンド
イッチ構造の長尺薄膜貌堆素子の下地電極の構造に関す
るものである。
スシリコンを用い、これの両側を電極ではさんだサンド
イッチ構造の長尺薄膜貌堆素子の下地電極の構造に関す
るものである。
従来、ファクシミリ、プリンター等に用いられる読取装
置としてはＣＯＤ、７オトダイオーＰアレイ、例えばＭ
ＯＳフォトダイオード９アレイ等の半導体イメージセン
サ−が広く用いられて来た。
置としてはＣＯＤ、７オトダイオーＰアレイ、例えばＭ
ＯＳフォトダイオード９アレイ等の半導体イメージセン
サ−が広く用いられて来た。
これらのイメージセンサ−に於ては縮小光学系を用いる
のが通例の為、レンズ等が必要とな）、光路長が長くな
る結果、装置の小蓋化をはかる上で大きな問題となって
いた。
のが通例の為、レンズ等が必要とな）、光路長が長くな
る結果、装置の小蓋化をはかる上で大きな問題となって
いた。
これに対し本出願人は特願昭５６１−
号にてアモルファスシリコンの両側を電極てはさんだサ
ンドイッチ型長尺読攻素子を提案し丸。
ンドイッチ型長尺読攻素子を提案し丸。
この読取素子は第１図に示す如く絶縁性基１［８上に下
地金属電極５をピッＦに対応するように配置し、この複
数の下地金属電極を覆う様にアモルファスシリコン等の
光導電体から成る平板状薄層６を設は仁の上に上部共通
透明電極７を設けたものであシ、この受光素子を光入射
面から見ると第２図の如くなる。
地金属電極５をピッＦに対応するように配置し、この複
数の下地金属電極を覆う様にアモルファスシリコン等の
光導電体から成る平板状薄層６を設は仁の上に上部共通
透明電極７を設けたものであシ、この受光素子を光入射
面から見ると第２図の如くなる。
第２図に於て５−１〜５−５は下地金属電極、６は光導
電性層、７は上部共通透明電極である。
電性層、７は上部共通透明電極である。
この様な非晶質半導体を用いたサン１イツチ型イメージ
センサは通常基板８上に下地電極としてＡｊ、Ｏｒ、Ａ
ｕ等をフォトリソグラフィ等を用いて数１００〜数１０
０ＯＡの厚みでノぞターニングし、＋Ｉｌ）上ＫＭ着、
プ２ スマＣＶ Ｄ 、 Ｊ ／’ ７ ｆｉ 法１１
Ｋよ）非晶質半導体を着膜し作成するものであるが第
３図に示す様に従来下地金属電極５の端部段差部分８に
おいて非晶質半導体６が部分的に薄くなつ九シ膜質が弱
く々つ九）する為、下部金属電極５及び上部共通透明電
極７より成る上下電極間に電圧を印加すると、この部分
で絶縁破壊（放電）を起こしこの部分の素子が破壊され
、欠陥を億じるという現象が起こシやすかった。また前
記部分に於て接する非晶質半導体６が結晶化してしまう
という欠点も生じた。これらを防ぐ為に、下地電極５の
厚みを薄くして段差部分全体を小さくするという方法が
考えられているが、この方法ては金属層が薄くなること
から、断線、ピン・ホール尋の下地電極の欠陥が生じや
すいという欠点がある。
センサは通常基板８上に下地電極としてＡｊ、Ｏｒ、Ａ
ｕ等をフォトリソグラフィ等を用いて数１００〜数１０
０ＯＡの厚みでノぞターニングし、＋Ｉｌ）上ＫＭ着、
プ２ スマＣＶ Ｄ 、 Ｊ ／’ ７ ｆｉ 法１１
Ｋよ）非晶質半導体を着膜し作成するものであるが第
３図に示す様に従来下地金属電極５の端部段差部分８に
おいて非晶質半導体６が部分的に薄くなつ九シ膜質が弱
く々つ九）する為、下部金属電極５及び上部共通透明電
極７より成る上下電極間に電圧を印加すると、この部分
で絶縁破壊（放電）を起こしこの部分の素子が破壊され
、欠陥を億じるという現象が起こシやすかった。また前
記部分に於て接する非晶質半導体６が結晶化してしまう
という欠点も生じた。これらを防ぐ為に、下地電極５の
厚みを薄くして段差部分全体を小さくするという方法が
考えられているが、この方法ては金属層が薄くなること
から、断線、ピン・ホール尋の下地電極の欠陥が生じや
すいという欠点がある。
本発明は以上の欠点ｋかんがみ威されたものであ如、そ
の目的とする所は下地金属電極段差部分に帰因する非晶
質半導体膜の欠陥を減少させる為に、下地金属電極の段
差を緩和させる事に有る。
の目的とする所は下地金属電極段差部分に帰因する非晶
質半導体膜の欠陥を減少させる為に、下地金属電極の段
差を緩和させる事に有る。
具体的には、下地電極端部の段差を少なくとも２段の階
段状にし、一段の段差を従来の半分程度とする。段差の
加工は、従来の電極作成後フォトリソ、エツチングの工
程で端部加工必要部分を削除する為、加工の際、１段め
の段差のエツジ部分４エツチングされるので、さらに段
差の緩和をすることができる。従ってこの部分で非晶質
半導体が薄くなったり、膜質が劣化したシするのを押さ
える事ができ、欠陥の発生を防ぐことができる。さらＫ
この工程をくシ返す事で段差の数を２段以上にすれば段
差形状、をよ）なだらかに出来る。
段状にし、一段の段差を従来の半分程度とする。段差の
加工は、従来の電極作成後フォトリソ、エツチングの工
程で端部加工必要部分を削除する為、加工の際、１段め
の段差のエツジ部分４エツチングされるので、さらに段
差の緩和をすることができる。従ってこの部分で非晶質
半導体が薄くなったり、膜質が劣化したシするのを押さ
える事ができ、欠陥の発生を防ぐことができる。さらＫ
この工程をくシ返す事で段差の数を２段以上にすれば段
差形状、をよ）なだらかに出来る。
非晶質半導体を用いたサン１イツチ型イメージセンサに
おいて下地金属電極の構造を第４図に示す様に作成する
ための方法を第５図を用いて示す。
おいて下地金属電極の構造を第４図に示す様に作成する
ための方法を第５図を用いて示す。
（ａ） 公知の方法、例えばスびフｙ％ を用いて
基板８上に下地金属電極５を作成する。
基板８上に下地金属電極５を作成する。
（ｂ） この電極５上に設けようとする段差部分を残
して他の下地金属表面にフォトリソグラフィーによって
レジスト膜９を設ける。
して他の下地金属表面にフォトリソグラフィーによって
レジスト膜９を設ける。
（ｃ） 段差部分の厚みに応じてエツチング時間を調
整しながら、下地金属電極をエツチングし２段めの段差
を作る。この時、全方向にエツチングが進む為１段めと
２段め段差のエツジ部分はなだらかに形成され全体とし
て第５図（ｃ）のように段差の緩和され丸下地電極パタ
ーンを作成できる。
整しながら、下地金属電極をエツチングし２段めの段差
を作る。この時、全方向にエツチングが進む為１段めと
２段め段差のエツジ部分はなだらかに形成され全体とし
て第５図（ｃ）のように段差の緩和され丸下地電極パタ
ーンを作成できる。
３段以上の段差を作成する場合は上記（転）〜（ｃ）の
工程をさらに必要回数だけくシ返せばよい。
工程をさらに必要回数だけくシ返せばよい。
次に非晶質半導体として、ｉｍ又はｐｇア肴ル７アスシ
リコン（ａ−８ｉ）を用い、下地電極としてＯｒ、上部
透明電極としてＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎｏｘｉｄ
ｅ ）を用いたりエアイメージセンサ−に於いて、下地
電極の形状を改善した実施例を示す。第６図に示したセ
ンサー構造１０ＪＣおいて下地金属電極５０ｒの厚みを
２０００にとし、加工する部分は第６図（ｂ）のＩＴＯ
（斜線部分）におおわれたセンサ一部分（大枠部分）の
すべての周辺端部とする。
リコン（ａ−８ｉ）を用い、下地電極としてＯｒ、上部
透明電極としてＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎｏｘｉｄ
ｅ ）を用いたりエアイメージセンサ−に於いて、下地
電極の形状を改善した実施例を示す。第６図に示したセ
ンサー構造１０ＪＣおいて下地金属電極５０ｒの厚みを
２０００にとし、加工する部分は第６図（ｂ）のＩＴＯ
（斜線部分）におおわれたセンサ一部分（大枠部分）の
すべての周辺端部とする。
段差の加工の形状は、第７図に示すように端部から１０
μｍｍｔでの範囲とし、加工の為のＯｒエツチング時間
は、通常の、Ｊターン作成の際のエツチング時間の半分
として、１段目の段差約１０００又とする。第７図の破
線部分がエツチングで削除し先部分である。これによシ
下地電極端部の段差φＩ縦緩和れ、従来の電極パターン
によってい友場合の段差部分での種々の欠陥の発生をさ
ける事が出来、デバイスの歩止まりを向上させる事がで
き丸。
μｍｍｔでの範囲とし、加工の為のＯｒエツチング時間
は、通常の、Ｊターン作成の際のエツチング時間の半分
として、１段目の段差約１０００又とする。第７図の破
線部分がエツチングで削除し先部分である。これによシ
下地電極端部の段差φＩ縦緩和れ、従来の電極パターン
によってい友場合の段差部分での種々の欠陥の発生をさ
ける事が出来、デバイスの歩止まりを向上させる事がで
き丸。
尚本発明の実施例では下地金属電極端部に段差を設ける
例について述べたが、この部分をエツチングして丸くし
ても食い。第３図に示す如く、段差部８が角状になって
いると異状放電が起りやすく、素子破壊の原因となるが
、この部分にｒ（丸み）をつけてもこの様な現象を防ぐ
事が出来る。
例について述べたが、この部分をエツチングして丸くし
ても食い。第３図に示す如く、段差部８が角状になって
いると異状放電が起りやすく、素子破壊の原因となるが
、この部分にｒ（丸み）をつけてもこの様な現象を防ぐ
事が出来る。
以上述べた様に本発明は複数の金属電極の作成に於て、
その端部を注意深く鈍角に又は階段状に作成することＫ
よ）、読取装置の公正ｔｂの向上を遺戒することができ
る。
その端部を注意深く鈍角に又は階段状に作成することＫ
よ）、読取装置の公正ｔｂの向上を遺戒することができ
る。
第１図は本発明に係る読取素子の断面図であシ、第２図
は第１図の読取素子を共通透明電極側から見た図であシ
、 第５図は従来の下地金属電極の形状を示す概略図であ）
。 第４図は本発明の下地金属電極の概略図であシ、第５図
（転）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明の下地金属電極の作製
方法を示す概略図であシ、 第６図（ａ）は本発明の下地金属電極形成後、ａ −８
ｉ層、共通透明電極層を設けた受光素子の概略図であり
、 １１ｔ６図（ｂ）Ｆｉ第６図（ａ）を共通透明電極側か
ら見九図であり、 第７図は本発明の下地金属電極の一実施例を示す図であ
る。 ５：下部金属電極、６：非晶質半導体、７：上部透明電
極、８：段差部分、 ９ニレジスト膜。 第 １ 図 １３図 第 ５ ｍ （ａ） 第 ５１ 第１頁の続き ０発 明 者 布施マリオ 海老名市本郷２２７４番地富士ゼロ ックス株式会社海老名工場内
は第１図の読取素子を共通透明電極側から見た図であシ
、 第５図は従来の下地金属電極の形状を示す概略図であ）
。 第４図は本発明の下地金属電極の概略図であシ、第５図
（転）、（ｂ）、（Ｃ）は本発明の下地金属電極の作製
方法を示す概略図であシ、 第６図（ａ）は本発明の下地金属電極形成後、ａ −８
ｉ層、共通透明電極層を設けた受光素子の概略図であり
、 １１ｔ６図（ｂ）Ｆｉ第６図（ａ）を共通透明電極側か
ら見九図であり、 第７図は本発明の下地金属電極の一実施例を示す図であ
る。 ５：下部金属電極、６：非晶質半導体、７：上部透明電
極、８：段差部分、 ９ニレジスト膜。 第 １ 図 １３図 第 ５ ｍ （ａ） 第 ５１ 第１頁の続き ０発 明 者 布施マリオ 海老名市本郷２２７４番地富士ゼロ ックス株式会社海老名工場内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 絶縁性基板上に設けられかつビット毎に分割された
複数の金属電極、該複数の金属電極上に平板状に形成さ
れ九アモルファスシリコン層、皺アモルファスシリプン
層上で前記分割された複数の金属電極と対向する位置に
平板状に屡成され九透明電極からなる長大薄膜読取装置
に於いて、該分割された複数の金属電極の端部に段差を
設けた事を特徴とする長大薄膜読取装置。 ２、複数の金属電極の端部に丸みを設けた事を特徴とす
る特許請求の範囲第１項に記載の長大薄膜読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209117A JPS58111366A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 長尺薄膜読取素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56209117A JPS58111366A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 長尺薄膜読取素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58111366A true JPS58111366A (ja) | 1983-07-02 |
Family
ID=16567564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56209117A Pending JPS58111366A (ja) | 1981-12-25 | 1981-12-25 | 長尺薄膜読取素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58111366A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5007984A (en) * | 1987-09-28 | 1991-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for etching chromium film formed on substrate |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52124884A (en) * | 1976-04-13 | 1977-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5339095A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo detector |
| JPS56150877A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Photoelectric converter |
-
1981
- 1981-12-25 JP JP56209117A patent/JPS58111366A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52124884A (en) * | 1976-04-13 | 1977-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS5339095A (en) * | 1976-09-22 | 1978-04-10 | Hitachi Ltd | Photo detector |
| JPS56150877A (en) * | 1980-04-23 | 1981-11-21 | Canon Inc | Photoelectric converter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5007984A (en) * | 1987-09-28 | 1991-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for etching chromium film formed on substrate |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA1292313C (en) | Electronic camera | |
| US5091337A (en) | Method of manufacturing amorphous-silicon thin-film transistors | |
| JPH1039297A (ja) | 反射型液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPS58111366A (ja) | 長尺薄膜読取素子 | |
| US5159422A (en) | Photoelectric conversion device | |
| US4698495A (en) | Amorphous silicon photo-sensor for a contact type image sensor | |
| JPH0158711B2 (ja) | ||
| US4788593A (en) | High resolution scanning system including optical enlargement | |
| JP2755707B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2707871B2 (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
| JPS6327871B2 (ja) | ||
| JPS61216360A (ja) | 密着型イメ−ジセンサ | |
| JP2890528B2 (ja) | 焦電型赤外線固体撮像装置 | |
| JPS60219522A (ja) | フオトセンサ | |
| JPS59119759A (ja) | イメ−ジセンサ | |
| JPS6317554A (ja) | 光導電装置 | |
| JPS5897861A (ja) | 指向性を有するセンサ− | |
| JPS6150115A (ja) | 液晶ライトバルブ | |
| JP2979071B2 (ja) | 画像読み取り装置 | |
| JPH055722Y2 (ja) | ||
| JPS59151456A (ja) | 混成集積化光センサ用光電変換素子とその製造方法 | |
| JPS6214708Y2 (ja) | ||
| JPS60119165A (ja) | 一次元イメ−ジセンサの製造方法 | |
| JPS60263565A (ja) | 長尺一次元センサ | |
| JP2803759B2 (ja) | アクティブマトリクス構造およびその製造方法 |