JPH1138906A - 液晶装置 - Google Patents
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- JPH1138906A JPH1138906A JP9197610A JP19761097A JPH1138906A JP H1138906 A JPH1138906 A JP H1138906A JP 9197610 A JP9197610 A JP 9197610A JP 19761097 A JP19761097 A JP 19761097A JP H1138906 A JPH1138906 A JP H1138906A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】カラーフィルター上に形成される平坦化層の表
面平坦性をよくして、表示品位をよくする。 【解決手段】カラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂ画素間に
おける平坦化層４の溝部４ａの深さを、液晶を挟持した
一対の基板１間の隙間（セルギャップ）の６５％以下に
し、且つカラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂ画素の中心部
近傍と周辺部近傍での平坦化層４の厚みの差を０．３μ
ｍ以下としたことにより、液晶配向への悪影響を抑制し
て良好な表示品位を得ることができる。
面平坦性をよくして、表示品位をよくする。 【解決手段】カラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂ画素間に
おける平坦化層４の溝部４ａの深さを、液晶を挟持した
一対の基板１間の隙間（セルギャップ）の６５％以下に
し、且つカラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂ画素の中心部
近傍と周辺部近傍での平坦化層４の厚みの差を０．３μ
ｍ以下としたことにより、液晶配向への悪影響を抑制し
て良好な表示品位を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一対の基板間に挟
持した液晶とカラー表示するためのカラーフィルターを
有する液晶装置に関する。
持した液晶とカラー表示するためのカラーフィルターを
有する液晶装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】カラー表示を行う液晶表示素子では、一
般的にカラー表示用のＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の
各画素で構成されるカラーフィルターが、液晶を挟持し
た一対の基板の一方側に形成されている。そして、この
カラーフィルター上には、一般にカラーフィルターの保
護やカラーフィルター表面の平坦性を確保するために平
坦化層が形成されている。
般的にカラー表示用のＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の
各画素で構成されるカラーフィルターが、液晶を挟持し
た一対の基板の一方側に形成されている。そして、この
カラーフィルター上には、一般にカラーフィルターの保
護やカラーフィルター表面の平坦性を確保するために平
坦化層が形成されている。
【０００３】また、カラーフィルターの表面粗さや、カ
ラーフィルターの各ＲＧＢ画素のそれぞれの高さの違い
が大きすぎるために、上述した平坦化層として有機膜が
形成される場合もある。
ラーフィルターの各ＲＧＢ画素のそれぞれの高さの違い
が大きすぎるために、上述した平坦化層として有機膜が
形成される場合もある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たようにカラーフィルター上に平坦化層を単に形成した
だけでは、カラーフィルターの各ＲＧＢ画素間の段差は
完全には埋まらず、カラーフィルターの各ＲＧＢ画素間
に溝部ができることによって、液晶の性能を十分に引き
出すことができなかった。
たようにカラーフィルター上に平坦化層を単に形成した
だけでは、カラーフィルターの各ＲＧＢ画素間の段差は
完全には埋まらず、カラーフィルターの各ＲＧＢ画素間
に溝部ができることによって、液晶の性能を十分に引き
出すことができなかった。
【０００５】即ち、本願発明者らの実験によると、上述
したカラーフィルターの各ＲＧＢ画素間における平坦化
層の溝部の深さが、液晶表示素子の一対の基板間の隙間
（セルギャップ）の６５％程度以上あると各画素の表示
領域の配向状態が大きく異なり、カラーフィルターの各
ＲＧＢ画素間の配向状態が駆動を繰り返していくと特に
悪影響を与えることが分かった。この悪影響の原因はセ
ルギャップの違いにより、液晶のカイラル状態が異なる
ために生じると考えられ、特に、カラーフィルターの各
ＲＧＢ画素の表示領域の中心部と周辺部とのギャップ差
が０．３μｍ程度以上あると顕著に現れる。
したカラーフィルターの各ＲＧＢ画素間における平坦化
層の溝部の深さが、液晶表示素子の一対の基板間の隙間
（セルギャップ）の６５％程度以上あると各画素の表示
領域の配向状態が大きく異なり、カラーフィルターの各
ＲＧＢ画素間の配向状態が駆動を繰り返していくと特に
悪影響を与えることが分かった。この悪影響の原因はセ
ルギャップの違いにより、液晶のカイラル状態が異なる
ために生じると考えられ、特に、カラーフィルターの各
ＲＧＢ画素の表示領域の中心部と周辺部とのギャップ差
が０．３μｍ程度以上あると顕著に現れる。
【０００６】更に、この２つの悪い状態が同時に重なる
と駆動初期から液晶配向に影響を与え、いわゆる駆動マ
ージンを著しく小さくすることが分かった。特に、セル
ギャップの狭い強誘電性液晶を用いた場合はこの傾向が
甚だしく顕著になる。セェブロン形状の液晶層構造を持
つ強誘電性液晶はＴＮ液晶とは大きく異なり、セルギャ
ップの影響を受けやすい。これは、図３に示すように、
基板間に挟持された強誘電性液晶１０のセェブロン構造
が、画素の表示領域の中心部１１と周縁部１２とのギャ
ップの違いによってずれるためと考えられる。
と駆動初期から液晶配向に影響を与え、いわゆる駆動マ
ージンを著しく小さくすることが分かった。特に、セル
ギャップの狭い強誘電性液晶を用いた場合はこの傾向が
甚だしく顕著になる。セェブロン形状の液晶層構造を持
つ強誘電性液晶はＴＮ液晶とは大きく異なり、セルギャ
ップの影響を受けやすい。これは、図３に示すように、
基板間に挟持された強誘電性液晶１０のセェブロン構造
が、画素の表示領域の中心部１１と周縁部１２とのギャ
ップの違いによってずれるためと考えられる。
【０００７】そこで、本発明は、カラーフィルター上に
形成される平坦化層の表面平坦性をよくして、良好な表
示品位を得ることができる液晶装置を提供することを目
的とする。
形成される平坦化層の表面平坦性をよくして、良好な表
示品位を得ることができる液晶装置を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、所定の隙間を設けて対向配置
された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液
晶と、前記基板の少なくとも一方に形成されるカラー表
示するための多数の画素からなるカラーフィルターと、
前記カラーフィルター上に形成される平坦化層と、を有
する液晶装置において、前記カラーフィルターの前記各
画素間に生じる前記平坦化層の溝部の深さを前記一対の
基板間の隙間の６５％以下とし、且つ前記カラーフィル
ターの前記各画素の中心部近傍と周縁部近傍での前記平
坦化層の厚みの差を０．３μｍ以下としたことを特徴と
している。
みなされたものであって、所定の隙間を設けて対向配置
された一対の基板と、前記一対の基板間に挟持される液
晶と、前記基板の少なくとも一方に形成されるカラー表
示するための多数の画素からなるカラーフィルターと、
前記カラーフィルター上に形成される平坦化層と、を有
する液晶装置において、前記カラーフィルターの前記各
画素間に生じる前記平坦化層の溝部の深さを前記一対の
基板間の隙間の６５％以下とし、且つ前記カラーフィル
ターの前記各画素の中心部近傍と周縁部近傍での前記平
坦化層の厚みの差を０．３μｍ以下としたことを特徴と
している。
【０００９】また、前記カラーフィルターの前記各画素
間における前記溝部の埋め率が６５％以上であり、前記
溝部の形状が略矩形であることを特徴としている。
間における前記溝部の埋め率が６５％以上であり、前記
溝部の形状が略矩形であることを特徴としている。
【００１０】また、前記基板上に前記カラーフィルター
の前記各画素間及び前記各画素の周縁部と重なるように
遮光用金属層が形成され、前記カラーフィルターの前記
各画素の中心部近傍と周縁部近傍での前記平坦化層の厚
みの差を０．３μｍ以下としたことを特徴としている。
の前記各画素間及び前記各画素の周縁部と重なるように
遮光用金属層が形成され、前記カラーフィルターの前記
各画素の中心部近傍と周縁部近傍での前記平坦化層の厚
みの差を０．３μｍ以下としたことを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る実施の形態について説明する。
る実施の形態について説明する。
【００１２】（第１の実施の形態）図１は、第１の実施
の形態に係る液晶装置を構成する一対の基板の一方を示
す概略断面図である。この図において、１は強誘電性液
晶（図示省略）を挟持する一対のガラス基板（図では液
晶装置の一方の基板側だけを示している）、２は遮光層
であるブラックマトリクス、３はカラーフィルター、４
は平坦化層（オーバーコート）である。
の形態に係る液晶装置を構成する一対の基板の一方を示
す概略断面図である。この図において、１は強誘電性液
晶（図示省略）を挟持する一対のガラス基板（図では液
晶装置の一方の基板側だけを示している）、２は遮光層
であるブラックマトリクス、３はカラーフィルター、４
は平坦化層（オーバーコート）である。
【００１３】以下のようにして、図１に示す液晶装置を
作製した。
作製した。
【００１４】ブラックマトリクス２は、例えばガラス基
板１上に金属膜（例えばＭｏ膜）をスパッタ法により
０．１μｍ程度の厚みで形成した後、フォトリソ法によ
ってパターンニングした。カラーフィルター３は、例え
ばブラックマトリクス２上に感光性着色樹脂を塗布し、
フォトリソ法により１．５μｍ程度の厚みでＲ（赤），
Ｇ（緑），Ｂ（青）の各画素として形成した。この液晶
装置では、ＲＧＢの３原色を一対のガラス基板１間に印
加される駆動電圧の制御により加色混合してカラー表示
を行う。
板１上に金属膜（例えばＭｏ膜）をスパッタ法により
０．１μｍ程度の厚みで形成した後、フォトリソ法によ
ってパターンニングした。カラーフィルター３は、例え
ばブラックマトリクス２上に感光性着色樹脂を塗布し、
フォトリソ法により１．５μｍ程度の厚みでＲ（赤），
Ｇ（緑），Ｂ（青）の各画素として形成した。この液晶
装置では、ＲＧＢの３原色を一対のガラス基板１間に印
加される駆動電圧の制御により加色混合してカラー表示
を行う。
【００１５】カラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素
は一辺が１００μｍの正方形で、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間
の隙間（色間）は１０μｍとし、片側５μｍに渡ってブ
ラックマトリクス２と重なっている。また、カラーフィ
ルター３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの
各画素の高さの差）は、０．２μｍ程度であった。この
Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素が表示領域である。
は一辺が１００μｍの正方形で、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間
の隙間（色間）は１０μｍとし、片側５μｍに渡ってブ
ラックマトリクス２と重なっている。また、カラーフィ
ルター３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの
各画素の高さの差）は、０．２μｍ程度であった。この
Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素が表示領域である。
【００１６】平坦化層４は、カラーフィルター３を覆う
ようにして例えばシロキサン系の平坦材をスピンコート
法によって塗布して形成され、カラーフィルター３の保
護、及びカラーフィルター３の平坦性を確保している。
この平坦化層４の塗布により、カラーフィルター３の
Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の
高低差）を０．１μｍ程度以下にし、且つ、Ｒ，Ｇ，Ｂ
の各画素上の中心部と周縁部（ブラックマトリクス２の
表示領域側端部）との高低差（平坦化層４の厚みの差）
が０．３μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下となるよ
うにしている。本実施の形態では、触針式の表面粗さ計
でＲ，Ｇ，Ｂの各画素上の中心部と周縁部での平坦化層
４の厚みの差を測定したところ、０．０６μｍ以下であ
った。
ようにして例えばシロキサン系の平坦材をスピンコート
法によって塗布して形成され、カラーフィルター３の保
護、及びカラーフィルター３の平坦性を確保している。
この平坦化層４の塗布により、カラーフィルター３の
Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の
高低差）を０．１μｍ程度以下にし、且つ、Ｒ，Ｇ，Ｂ
の各画素上の中心部と周縁部（ブラックマトリクス２の
表示領域側端部）との高低差（平坦化層４の厚みの差）
が０．３μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下となるよ
うにしている。本実施の形態では、触針式の表面粗さ計
でＲ，Ｇ，Ｂの各画素上の中心部と周縁部での平坦化層
４の厚みの差を測定したところ、０．０６μｍ以下であ
った。
【００１７】カラーフィルター３を形成したガラス基板
１の平坦化膜４上には不図示の透明電極、絶縁層、配向
膜等が形成され、このガラス基板１と、同様に形成した
他方のガラス基板（ブラックマトリクス、カラーフィル
ター、平坦化層は形成されていない）とを例えば１．５
μｍのセルギャップで貼り合わせて、その間に強誘電性
液晶（図示省略）を注入することにより、カラー表示可
能な液晶装置を得た。
１の平坦化膜４上には不図示の透明電極、絶縁層、配向
膜等が形成され、このガラス基板１と、同様に形成した
他方のガラス基板（ブラックマトリクス、カラーフィル
ター、平坦化層は形成されていない）とを例えば１．５
μｍのセルギャップで貼り合わせて、その間に強誘電性
液晶（図示省略）を注入することにより、カラー表示可
能な液晶装置を得た。
【００１８】尚、一対のガラス基板１に形成した不図示
の透明電極は単純マトリクス配置されており、駆動電圧
の印加によってマルチプレックス駆動される。また、こ
の液晶装置の背面側に、表示画面を照明する照明装置
（図示子省略）を配置した。
の透明電極は単純マトリクス配置されており、駆動電圧
の印加によってマルチプレックス駆動される。また、こ
の液晶装置の背面側に、表示画面を照明する照明装置
（図示子省略）を配置した。
【００１９】ここで、平坦化層４は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画
素間に形成される矩形状の溝部４ａの深さが、一対のガ
ラス基板１（正確には各ガラス基板１に形成した配向
膜）間の隙間（セルギャップ）の６５％以下となるよう
に形成されており、本実施の形態では、１．５μｍのセ
ルギャップに対して溝部４ａの深さが０．２μｍ程度に
形成されている。更に、本実施の形態では、カラーフィ
ルター３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間における溝部４ａの埋
め率は６５％程度となっていた。
素間に形成される矩形状の溝部４ａの深さが、一対のガ
ラス基板１（正確には各ガラス基板１に形成した配向
膜）間の隙間（セルギャップ）の６５％以下となるよう
に形成されており、本実施の形態では、１．５μｍのセ
ルギャップに対して溝部４ａの深さが０．２μｍ程度に
形成されている。更に、本実施の形態では、カラーフィ
ルター３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間における溝部４ａの埋
め率は６５％程度となっていた。
【００２０】そして、この液晶装置の一対のガラス基板
１間に駆動電圧を印加し、マルチプレックス駆動下で顕
微鏡観察を行ったところ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の色間
やブラックマトリクス２の端面から出ていた配向欠陥
（駆動で出現する表示領域とは異なる配向反転領域も含
む）が抑制されて、良好な表示品位を得ることができ
た。
１間に駆動電圧を印加し、マルチプレックス駆動下で顕
微鏡観察を行ったところ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の色間
やブラックマトリクス２の端面から出ていた配向欠陥
（駆動で出現する表示領域とは異なる配向反転領域も含
む）が抑制されて、良好な表示品位を得ることができ
た。
【００２１】（第２の実施の形態）本実施の形態に係る
液晶装置における一対の基板の一方は、図２に示すよう
な構造である。強誘電性液晶（図示省略）を挟持するガ
ラス基板（図では一方の基板側だけを示している）１上
にポリアミド樹脂をベース材料にして顔料分散法によ
り、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素で構成されるカラーフィルター
３を形成したものである。このカラーフィルター３を、
透過率の特性及び色の特性を考慮して厚みを１．３μｍ
とし、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素のトップの透過率を８０％以
上とし、通常より５〜１０％透過率を向上させた。
液晶装置における一対の基板の一方は、図２に示すよう
な構造である。強誘電性液晶（図示省略）を挟持するガ
ラス基板（図では一方の基板側だけを示している）１上
にポリアミド樹脂をベース材料にして顔料分散法によ
り、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素で構成されるカラーフィルター
３を形成したものである。このカラーフィルター３を、
透過率の特性及び色の特性を考慮して厚みを１．３μｍ
とし、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素のトップの透過率を８０％以
上とし、通常より５〜１０％透過率を向上させた。
【００２２】このカラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂの各
画素は一辺が１００μｍの正方形で、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画
素間の隙間（色間）は８μｍであり、また、Ｒ，Ｇ，Ｂ
の各画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の高さの差）
を、０．１５μｍ程度とした。
画素は一辺が１００μｍの正方形で、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画
素間の隙間（色間）は８μｍであり、また、Ｒ，Ｇ，Ｂ
の各画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の高さの差）
を、０．１５μｍ程度とした。
【００２３】このように、第１の実施の形態で用いたカ
ラーフィルターよりも膜厚を薄くしたことにより、プロ
セスのマージンが若干広がるために、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画
素間の隙間（色間）を小さめに設定できた。
ラーフィルターよりも膜厚を薄くしたことにより、プロ
セスのマージンが若干広がるために、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画
素間の隙間（色間）を小さめに設定できた。
【００２４】カラーフィルター３上には、カラーフィル
ター３の保護、及びカラーフィルター３の平坦性を確保
するために平坦材をスピンコート法によって塗布して平
坦化層４を形成した。本実施の形態の平坦化層４は、例
えば東レ社製のＰＳＢを用いて２．０μｍの膜厚でカラ
ーフィルター３を覆うようにして形成した。この平坦化
層４の塗布により、カラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂの
各画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の高低差）を
０．１μｍ程度以下にし、且つ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素上
の中心部と周縁部（ブラックマトリクス２の表示領域側
端部）との高低差（平坦化層４の厚みの差）が０．３μ
ｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下となるようにしてい
る。本実施の形態では、触針式の表面粗さ計でＲ，Ｇ，
Ｂの各画素上の中心部と周縁部での平坦化層４の厚みの
差を測定したところ、０．０６μｍ以下であった。
ター３の保護、及びカラーフィルター３の平坦性を確保
するために平坦材をスピンコート法によって塗布して平
坦化層４を形成した。本実施の形態の平坦化層４は、例
えば東レ社製のＰＳＢを用いて２．０μｍの膜厚でカラ
ーフィルター３を覆うようにして形成した。この平坦化
層４の塗布により、カラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂの
各画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の高低差）を
０．１μｍ程度以下にし、且つ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素上
の中心部と周縁部（ブラックマトリクス２の表示領域側
端部）との高低差（平坦化層４の厚みの差）が０．３μ
ｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下となるようにしてい
る。本実施の形態では、触針式の表面粗さ計でＲ，Ｇ，
Ｂの各画素上の中心部と周縁部での平坦化層４の厚みの
差を測定したところ、０．０６μｍ以下であった。
【００２５】カラーフィルター３を形成したガラス基板
１の平坦化層４上に不図示の透明電極、絶縁層、配向膜
等を形成し、この透明電極に低抵抗化のために低抵抗の
金属（例えばＡｌ）膜からなる補助電極（図示省略）を
併設した。この補助電極は、この液晶装置の背面側に配
置された照明装置から照明される光がカラーフィルター
３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間から漏れるのを極力抑えるよ
うに、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の周縁部と重なるように形成
した。
１の平坦化層４上に不図示の透明電極、絶縁層、配向膜
等を形成し、この透明電極に低抵抗化のために低抵抗の
金属（例えばＡｌ）膜からなる補助電極（図示省略）を
併設した。この補助電極は、この液晶装置の背面側に配
置された照明装置から照明される光がカラーフィルター
３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間から漏れるのを極力抑えるよ
うに、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の周縁部と重なるように形成
した。
【００２６】そして、このガラス基板１と、同様に形成
した他方のガラス基板（ブラックマトリクス、カラーフ
ィルター、平坦化層は形成されていない）とを例えば
１．５μｍのセルギャップで貼り合わせて、その間に強
誘電性液晶（図示省略）を注入することにより、カラー
表示可能な液晶装置を得た。尚、一対のガラス基板１に
形成した不図示の透明電極は単純マトリクス配置されて
おり、駆動電圧の印加によってマルチプレックス駆動さ
れる。
した他方のガラス基板（ブラックマトリクス、カラーフ
ィルター、平坦化層は形成されていない）とを例えば
１．５μｍのセルギャップで貼り合わせて、その間に強
誘電性液晶（図示省略）を注入することにより、カラー
表示可能な液晶装置を得た。尚、一対のガラス基板１に
形成した不図示の透明電極は単純マトリクス配置されて
おり、駆動電圧の印加によってマルチプレックス駆動さ
れる。
【００２７】ここで、平坦化層４は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画
素間に形成される矩形状の溝部４ｂの深さが、一対のガ
ラス基板１（正確には各ガラス基板１に形成した配向
膜）間の隙間（セルギャップ）の６５％以下となるよう
に形成されており、本実施の形態では、１．５μｍのセ
ルギャップに対して溝部４ｂの深さが０．２μｍ程度に
形成されている。本実施の形態では、カラーフィルター
３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間における溝部４ａの埋め率は
７５％程度であった。
素間に形成される矩形状の溝部４ｂの深さが、一対のガ
ラス基板１（正確には各ガラス基板１に形成した配向
膜）間の隙間（セルギャップ）の６５％以下となるよう
に形成されており、本実施の形態では、１．５μｍのセ
ルギャップに対して溝部４ｂの深さが０．２μｍ程度に
形成されている。本実施の形態では、カラーフィルター
３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間における溝部４ａの埋め率は
７５％程度であった。
【００２８】そして、この液晶装置の一対のガラス基板
１間に駆動電圧を印加し、マルチプレックス駆動下で顕
微鏡観察を行ったところ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の色間
やブラックマトリクス２の端面から出ていた配向欠陥
（駆動で出現する表示領域とは異なる配向反転領域も含
む）が抑制されて、良好な表示品位を得ることができ
た。
１間に駆動電圧を印加し、マルチプレックス駆動下で顕
微鏡観察を行ったところ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の色間
やブラックマトリクス２の端面から出ていた配向欠陥
（駆動で出現する表示領域とは異なる配向反転領域も含
む）が抑制されて、良好な表示品位を得ることができ
た。
【００２９】（第３の実施の形態）本実施の形態に係る
液晶装置は、図２に示した第２の実施の形態と略同様に
構成した。但し、本実施の形態では、第２の実施の形態
と同様のカラーフィルター３を使用して、Ｒ，Ｇ，Ｂの
各画素間の隙間（色間）を６μｍとし、Ｒ，Ｇ，Ｂの各
画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の高さの差）を、
０．１３μｍ程度にするようにした。
液晶装置は、図２に示した第２の実施の形態と略同様に
構成した。但し、本実施の形態では、第２の実施の形態
と同様のカラーフィルター３を使用して、Ｒ，Ｇ，Ｂの
各画素間の隙間（色間）を６μｍとし、Ｒ，Ｇ，Ｂの各
画素間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の高さの差）を、
０．１３μｍ程度にするようにした。
【００３０】本実施の形態では、カラーフィルター３上
に形成される平坦化層４としては、例えば新日鐵化学社
製のＰＨＢを用い、２．２μｍの厚みでカラーフィルタ
ー３上に塗布後、ホットプレートタイプのベーク炉で８
０℃で８〜１０ｍｉｎ加熱した後、１２５℃で２分、さ
らに２５０℃で２分以上加熱した後、この平坦化層４の
塗布により、カラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素
間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の高低差）を０．１μ
ｍ程度以下にし、且つ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素上の中心部
と周縁部（ブラックマトリクス２の表示領域側端部）と
の高低差（平坦化層４の厚みの差）が０．３μｍ以下、
好ましくは０．１μｍ以下となるようにした。本実施の
形態では、触針式の表面粗さ計でＲ，Ｇ，Ｂの各画素上
の中心部と周縁部での平坦化層４の厚みの差を測定した
ところ、０．０６μｍ以下であった。
に形成される平坦化層４としては、例えば新日鐵化学社
製のＰＨＢを用い、２．２μｍの厚みでカラーフィルタ
ー３上に塗布後、ホットプレートタイプのベーク炉で８
０℃で８〜１０ｍｉｎ加熱した後、１２５℃で２分、さ
らに２５０℃で２分以上加熱した後、この平坦化層４の
塗布により、カラーフィルター３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素
間の段差（Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の高低差）を０．１μ
ｍ程度以下にし、且つ、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素上の中心部
と周縁部（ブラックマトリクス２の表示領域側端部）と
の高低差（平坦化層４の厚みの差）が０．３μｍ以下、
好ましくは０．１μｍ以下となるようにした。本実施の
形態では、触針式の表面粗さ計でＲ，Ｇ，Ｂの各画素上
の中心部と周縁部での平坦化層４の厚みの差を測定した
ところ、０．０６μｍ以下であった。
【００３１】カラーフィルター３を形成したガラス基板
１の平坦化層４上に不図示の透明電極、絶縁層、配向膜
等を形成し、この透明電極には低抵抗化のために低抵抗
の金属（例えばＡｌ）膜からなる補助電極（図示省略）
を併設した。この補助電極は、この液晶装置の背面側に
配置された照明装置から照明される光がカラーフィルタ
ー３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間から漏れるのを極力抑える
ように、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の周縁部と重なるように形
成した。
１の平坦化層４上に不図示の透明電極、絶縁層、配向膜
等を形成し、この透明電極には低抵抗化のために低抵抗
の金属（例えばＡｌ）膜からなる補助電極（図示省略）
を併設した。この補助電極は、この液晶装置の背面側に
配置された照明装置から照明される光がカラーフィルタ
ー３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間から漏れるのを極力抑える
ように、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素の周縁部と重なるように形
成した。
【００３２】そして、このガラス基板１と、同様に形成
した他方のガラス基板（ブラックマトリクス、カラーフ
ィルター、平坦化層は形成されていない）とを例えば
１．５μｍのセルギャップで貼り合わせて、その間に強
誘電性液晶（図示省略）を注入することにより、カラー
表示可能な液晶装置を得た。尚、一対のガラス基板１に
形成した不図示の透明電極は単純マトリクス配置されて
おり、駆動電圧の印加によってマルチプレックス駆動さ
れる。
した他方のガラス基板（ブラックマトリクス、カラーフ
ィルター、平坦化層は形成されていない）とを例えば
１．５μｍのセルギャップで貼り合わせて、その間に強
誘電性液晶（図示省略）を注入することにより、カラー
表示可能な液晶装置を得た。尚、一対のガラス基板１に
形成した不図示の透明電極は単純マトリクス配置されて
おり、駆動電圧の印加によってマルチプレックス駆動さ
れる。
【００３３】この平坦化層４は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間
に形成される矩形状の溝部４ｂの深さが、一対のガラス
基板１（正確には各ガラス基板１に形成した配向膜）間
の隙間（セルギャップ）の６５％以下となるように形成
されており、本実施の形態では、１．５μｍのセルギャ
ップに対して溝部４ｂの深さが０．２μｍ程度に形成さ
れている。更に、本実施の形態では、カラーフィルター
３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間における溝部４ａの埋め率は
８０％程度であった。
に形成される矩形状の溝部４ｂの深さが、一対のガラス
基板１（正確には各ガラス基板１に形成した配向膜）間
の隙間（セルギャップ）の６５％以下となるように形成
されており、本実施の形態では、１．５μｍのセルギャ
ップに対して溝部４ｂの深さが０．２μｍ程度に形成さ
れている。更に、本実施の形態では、カラーフィルター
３のＲ，Ｇ，Ｂの各画素間における溝部４ａの埋め率は
８０％程度であった。
【００３４】このように、本実施の形態においても、
Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の色間やブラックマトリクス２の
端面から出ていた配向欠陥（駆動で出現する表示領域と
は異なる配向反転領域も含む）が抑制されて、表示品位
の向上を図ることができた。
Ｒ，Ｇ，Ｂの各画素間の色間やブラックマトリクス２の
端面から出ていた配向欠陥（駆動で出現する表示領域と
は異なる配向反転領域も含む）が抑制されて、表示品位
の向上を図ることができた。
【００３５】また、上述した各実施の形態では、カラー
フィルターはＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各画素か
らなるカラーフィルターであったが、Ｒ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青），Ｗ（白）の各画素からなるカラーフ
ィルターでも同様の効果を得ることができる。
フィルターはＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）の各画素か
らなるカラーフィルターであったが、Ｒ（赤），Ｇ
（緑），Ｂ（青），Ｗ（白）の各画素からなるカラーフ
ィルターでも同様の効果を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
カラーフィルターの各画素間における平坦化層の溝部の
深さを基板間の隙間の６５％以下とし、且つカラーフィ
ルターの各画素の中心部近傍と周縁部近傍での平坦化層
の厚みの差を０．３μｍ以下としたことにより、液晶配
向への影響が低減されて良好な表示品位を得ることがで
きる。
カラーフィルターの各画素間における平坦化層の溝部の
深さを基板間の隙間の６５％以下とし、且つカラーフィ
ルターの各画素の中心部近傍と周縁部近傍での平坦化層
の厚みの差を０．３μｍ以下としたことにより、液晶配
向への影響が低減されて良好な表示品位を得ることがで
きる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶装置の要
部を示す概略断面図。
部を示す概略断面図。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る液晶装置の要
部を示す概略断面図。
部を示す概略断面図。
【図３】セェブロン形状の液晶層構造を持つ強誘電性液
晶のギャップの違いによるセェブロン形状のずれを示す
図。
晶のギャップの違いによるセェブロン形状のずれを示す
図。
１ 基板（ガラス基板） ２ ブラックマトリクス（遮光用金属層） ３ カラーフィルター ４ 平坦化層 ４ａ，４ｂ 溝部
Claims (5)
- 【請求項１】 所定の隙間を設けて対向配置された一対
の基板と、前記基板間に挟持される液晶と、前記一対の
基板の少なくとも一方に形成されるカラー表示するため
の多数の画素からなるカラーフィルターと、前記カラー
フィルター上に形成される平坦化層と、を有する液晶装
置において、 前記カラーフィルターの前記各画素間に生じる前記平坦
化層の溝部の深さを前記一対の基板間の隙間の６５％以
下とし、且つ前記カラーフィルターの前記各画素の中心
部近傍と周縁部近傍での前記平坦化層の厚みの差を０．
３μｍ以下とした、 ことを特徴とする液晶装置。 - 【請求項２】 前記カラーフィルターの前記各画素間に
おける前記溝部の埋め率が６５％以上であり、前記溝部
の形状が略矩形である、 請求項１記載の液晶装置。 - 【請求項３】 前記基板上に前記カラーフィルターの前
記各画素間及び前記各画素の周縁部と重なるように遮光
用金属層が形成され、前記カラーフィルターの前記各画
素の中心部近傍と周縁部近傍での前記平坦化層の厚みの
差を０．３μｍ以下とした、 請求項１又は２記載の液晶装置。 - 【請求項４】 前記液晶は強誘電性液晶である、 請求項１乃至３のいずれか１項記載の液晶装置。
- 【請求項５】 前記カラーフィルターは、赤，緑，青の
各画素、又は赤，緑，青，白の各画素で構成される、 請求項１乃至４のいずれか１項記載の液晶装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197610A JPH1138906A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 液晶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9197610A JPH1138906A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1138906A true JPH1138906A (ja) | 1999-02-12 |
Family
ID=16377343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9197610A Pending JPH1138906A (ja) | 1997-07-23 | 1997-07-23 | 液晶装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1138906A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6654084B1 (en) | 1999-07-06 | 2003-11-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display device with a loop of black matrix material surrounding an opposing electrode |
| KR100595294B1 (ko) * | 1999-12-14 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 칼라필터 기판의 제조방법 |
| US7132694B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-11-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method for fabricating the same, and electronic apparatus |
| US7136140B1 (en) | 1999-07-09 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display comprising a linear protrusion structure and an auxilliary protrusion structure having a width wider than that of the linear protrusion structure for controlling an alignment of liquid crystal |
| CN100412657C (zh) * | 2005-09-08 | 2008-08-20 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板及彩色滤光基板的制造方法 |
-
1997
- 1997-07-23 JP JP9197610A patent/JPH1138906A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6654084B1 (en) | 1999-07-06 | 2003-11-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Liquid crystal display device with a loop of black matrix material surrounding an opposing electrode |
| US7136140B1 (en) | 1999-07-09 | 2006-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display comprising a linear protrusion structure and an auxilliary protrusion structure having a width wider than that of the linear protrusion structure for controlling an alignment of liquid crystal |
| US7199856B2 (en) | 1999-07-09 | 2007-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
| US7259825B2 (en) | 1999-07-09 | 2007-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of fabricating the same comprising simultaneously forming pillar-shaped spacer and protrusion structure |
| US7330220B2 (en) | 1999-07-09 | 2008-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
| US7423718B2 (en) | 1999-07-09 | 2008-09-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display comprising protrusion structure having same material, same layer but lower height than pillar-shaped spacer |
| KR100595294B1 (ko) * | 1999-12-14 | 2006-07-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 칼라필터 기판의 제조방법 |
| US7132694B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-11-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method for fabricating the same, and electronic apparatus |
| CN100412657C (zh) * | 2005-09-08 | 2008-08-20 | 中华映管股份有限公司 | 液晶显示面板及彩色滤光基板的制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040901 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041019 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050517 |