JPH11354859A - 磁気抵抗素子と磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗素子と磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH11354859A JPH11354859A JP10172062A JP17206298A JPH11354859A JP H11354859 A JPH11354859 A JP H11354859A JP 10172062 A JP10172062 A JP 10172062A JP 17206298 A JP17206298 A JP 17206298A JP H11354859 A JPH11354859 A JP H11354859A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ferromagnetic
- layer
- tunnel junction
- magnetoresistive element
- magnetoresistance ratio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract description 80
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 8
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 230000005418 spin wave Effects 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003321 CoFe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003289 NiMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005811 NiMnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019041 PtMn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000002463 transducing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 強磁性トンネル接合による磁気抵抗効果を利
用した磁気抵抗素子の実用化。 【解決手段】 第１及び第２強磁性層１１、１４と、強
磁性層間に挟まれた絶縁層１２と、第２強磁性層と絶縁
層との間に挿入した非磁性金属薄膜１３とからなる強磁
性トンネル接合膜を基板１０上に形成した磁気変換素
子。 【効果】 絶縁層／強磁性層のトンネル接合界面におけ
るマグノンの発生を解消又は大幅に制限して、バイアス
電圧の印加による磁気抵抗比の減少を抑制する。より一
層の高記録密度化に適した磁気ヘッドが得られる。
用した磁気抵抗素子の実用化。 【解決手段】 第１及び第２強磁性層１１、１４と、強
磁性層間に挟まれた絶縁層１２と、第２強磁性層と絶縁
層との間に挿入した非磁性金属薄膜１３とからなる強磁
性トンネル接合膜を基板１０上に形成した磁気変換素
子。 【効果】 絶縁層／強磁性層のトンネル接合界面におけ
るマグノンの発生を解消又は大幅に制限して、バイアス
電圧の印加による磁気抵抗比の減少を抑制する。より一
層の高記録密度化に適した磁気ヘッドが得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、強磁性体／絶縁体
／強磁性体の構造からなる強磁性トンネル接合による磁
気抵抗効果を利用した磁気変換素子に関し、磁気ヘッ
ド、磁気センサ又は磁気メモリなどに使用することがで
きる。更に本発明は、このような磁気変換素子を備えた
磁気ヘッドに関する。
／強磁性体の構造からなる強磁性トンネル接合による磁
気抵抗効果を利用した磁気変換素子に関し、磁気ヘッ
ド、磁気センサ又は磁気メモリなどに使用することがで
きる。更に本発明は、このような磁気変換素子を備えた
磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録技術の分野では、最近の高記録
密度化への要求に対応するため、従来のインダクティブ
ヘッドに代わる読出しヘッドとして、磁気抵抗効果を利
用したＡＭＲ（異方性磁気抵抗）ヘッドが実用化され、
更により高感度なスピンバルブヘッドが開発されてい
る。更に最近では、特開平８−７０１４９号公報や佐藤
雅重他の論文「磁化固定層をもつ強磁性トンネル接合の
磁気抵抗効果」（日本応用磁気学会誌 Vol.21, No.4-2,
1997, p.489-492）に記載されているように、強磁性ト
ンネル接合の磁気変換素子が提案されている。
密度化への要求に対応するため、従来のインダクティブ
ヘッドに代わる読出しヘッドとして、磁気抵抗効果を利
用したＡＭＲ（異方性磁気抵抗）ヘッドが実用化され、
更により高感度なスピンバルブヘッドが開発されてい
る。更に最近では、特開平８−７０１４９号公報や佐藤
雅重他の論文「磁化固定層をもつ強磁性トンネル接合の
磁気抵抗効果」（日本応用磁気学会誌 Vol.21, No.4-2,
1997, p.489-492）に記載されているように、強磁性ト
ンネル接合の磁気変換素子が提案されている。
【０００３】この磁気変換素子は、図１２に断面示する
ように、電子がトンネルし得る程度に十分薄い絶縁層１
を挟むように強磁性層２、３を積層した強磁性トンネル
接合膜を基板４（又は該基板を被覆する下地膜）上に有
し、前記絶縁層を電子がトンネルするときに、両強磁性
層の磁化が互いに平行な状態における抵抗値Ｒp と反平
行な状態における抵抗値Ｒapとの差ΔＲを利用して磁気
抵抗効果が得られる。理論的には、従来のＡＭＲ素子や
スピンバルブ型素子より高い２０〜５０％の磁気抵抗比
（ΔＲ／Ｒ）が期待されており、実験レベルでも室温で
約１０％以上の磁気抵抗比が得られている。
ように、電子がトンネルし得る程度に十分薄い絶縁層１
を挟むように強磁性層２、３を積層した強磁性トンネル
接合膜を基板４（又は該基板を被覆する下地膜）上に有
し、前記絶縁層を電子がトンネルするときに、両強磁性
層の磁化が互いに平行な状態における抵抗値Ｒp と反平
行な状態における抵抗値Ｒapとの差ΔＲを利用して磁気
抵抗効果が得られる。理論的には、従来のＡＭＲ素子や
スピンバルブ型素子より高い２０〜５０％の磁気抵抗比
（ΔＲ／Ｒ）が期待されており、実験レベルでも室温で
約１０％以上の磁気抵抗比が得られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の強磁性トンネル接合による磁気変換素子は、一
般に数１０〜数１００ｍＶのバイアス電圧を印加すると
磁気抵抗比が大幅に減少するという問題があった。例え
ば、宮崎照宣の論文「強磁性トンネル接合のＧＭＲ」
（固体物理 Vol.32,No.4, 1997）には、３０ｍＶのバイ
アス電圧の印加で磁気抵抗比が最大値の約１／２に減少
することが、また A.C. Marley他による論文「Voltage
dependence of the magnetoresistance and the tunnel
ing currentin magnetic tunnel junctions」（J.Appl.
Phys. 81(8), 1997年４月15日発行）には、磁気抵抗比
が２００ｍＶで約１／２に減少することが報告されてい
る。このようなバイアス電圧印加に伴う磁気抵抗比の減
少は、強磁性トンネル接合の磁気変換素子を実用化する
上で好ましくない。
た従来の強磁性トンネル接合による磁気変換素子は、一
般に数１０〜数１００ｍＶのバイアス電圧を印加すると
磁気抵抗比が大幅に減少するという問題があった。例え
ば、宮崎照宣の論文「強磁性トンネル接合のＧＭＲ」
（固体物理 Vol.32,No.4, 1997）には、３０ｍＶのバイ
アス電圧の印加で磁気抵抗比が最大値の約１／２に減少
することが、また A.C. Marley他による論文「Voltage
dependence of the magnetoresistance and the tunnel
ing currentin magnetic tunnel junctions」（J.Appl.
Phys. 81(8), 1997年４月15日発行）には、磁気抵抗比
が２００ｍＶで約１／２に減少することが報告されてい
る。このようなバイアス電圧印加に伴う磁気抵抗比の減
少は、強磁性トンネル接合の磁気変換素子を実用化する
上で好ましくない。
【０００５】そこで、本発明は、上述した従来の問題点
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、バイアス電圧印加により磁気抵抗比の減少を抑制し
て、様々な用途に対して実用化に適した強磁性トンネル
接合の磁気抵抗素子を提供することにある。これに加
え、本発明の目的は、このような高い磁気抵抗比の磁気
抵抗素子を備え、より高記録密度の磁気ヘッドを提供す
ることにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、バイアス電圧印加により磁気抵抗比の減少を抑制し
て、様々な用途に対して実用化に適した強磁性トンネル
接合の磁気抵抗素子を提供することにある。これに加
え、本発明の目的は、このような高い磁気抵抗比の磁気
抵抗素子を備え、より高記録密度の磁気ヘッドを提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するためのものであり、以下にその内容を図面に
示した実施例を用いて説明する。本発明の磁気抵抗素子
は、基板上に形成した第１及び第２強磁性層と、前記強
磁性層間に挟まれた絶縁層とからなる強磁性トンネル接
合膜を有し、該強磁性トンネル接合膜が、少なくとも一
方の前記強磁性層と前記絶縁層との間に非磁性金属薄膜
を有することを特徴とする。また、本発明の別の側面に
よれば、このような磁気変換素子を備える磁気ヘッドが
提供される。
を達成するためのものであり、以下にその内容を図面に
示した実施例を用いて説明する。本発明の磁気抵抗素子
は、基板上に形成した第１及び第２強磁性層と、前記強
磁性層間に挟まれた絶縁層とからなる強磁性トンネル接
合膜を有し、該強磁性トンネル接合膜が、少なくとも一
方の前記強磁性層と前記絶縁層との間に非磁性金属薄膜
を有することを特徴とする。また、本発明の別の側面に
よれば、このような磁気変換素子を備える磁気ヘッドが
提供される。
【０００７】従来より、バイアス電圧の印加に伴って磁
気抵抗比が減少する原因の１つに、マグノンの発生が考
えられている。即ち、絶縁層／強磁性層のトンネル接合
界面では、電子がトンネルする際にマグノン即ちスピン
波が発生する。このマグノンの発生により、電子がトン
ネルしたときにスピンの向きが保存されなくなって、磁
気抵抗比が減少する。従って、バイアス電圧を印加する
とより多くのマグノンが発生し、磁気抵抗比が減少す
る。
気抵抗比が減少する原因の１つに、マグノンの発生が考
えられている。即ち、絶縁層／強磁性層のトンネル接合
界面では、電子がトンネルする際にマグノン即ちスピン
波が発生する。このマグノンの発生により、電子がトン
ネルしたときにスピンの向きが保存されなくなって、磁
気抵抗比が減少する。従って、バイアス電圧を印加する
とより多くのマグノンが発生し、磁気抵抗比が減少す
る。
【０００８】本発明によれば、強磁性トンネル接合膜の
強磁性層と絶縁層との間に上述したように非磁性金属層
を挿入することにより、トンネル界面におけるマグノン
の発生が解消され又は少なくとも大幅に制限されるの
で、バイアス電圧の印加による磁気抵抗比の減少が抑制
される。
強磁性層と絶縁層との間に上述したように非磁性金属層
を挿入することにより、トンネル界面におけるマグノン
の発生が解消され又は少なくとも大幅に制限されるの
で、バイアス電圧の印加による磁気抵抗比の減少が抑制
される。
【０００９】前記非磁性金属薄膜がＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ａｌ、Ｐｔ及びＺｎからなる群から選択した１種又は２
種以上の金属からなり、かつその膜厚が２〜２０Åの範
囲内であると好都合である。
Ａｌ、Ｐｔ及びＺｎからなる群から選択した１種又は２
種以上の金属からなり、かつその膜厚が２〜２０Åの範
囲内であると好都合である。
【００１０】また、従来から当業者に知られているよう
に、絶縁層／強磁性層の界面に分極率の大きい強磁性材
料を挿入すると、磁気抵抗比が上昇するので、そのよう
に前記第１又は第２強磁性層を、２以上の異なる強磁性
材料の層から形成すると好都合である。
に、絶縁層／強磁性層の界面に分極率の大きい強磁性材
料を挿入すると、磁気抵抗比が上昇するので、そのよう
に前記第１又は第２強磁性層を、２以上の異なる強磁性
材料の層から形成すると好都合である。
【００１１】本発明の別の実施例によれば、前記第２強
磁性層の上に形成した反強磁性層を更に有するスピンバ
ルブ型の磁気抵抗素子が提供される。これにより、スピ
ンバルブ型素子の感度が大幅に向上する。
磁性層の上に形成した反強磁性層を更に有するスピンバ
ルブ型の磁気抵抗素子が提供される。これにより、スピ
ンバルブ型素子の感度が大幅に向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明による磁気抵抗素
子の第１実施例の構成を示している。図示しない絶縁層
で被覆した基板１０上に成膜した第１強磁性層１１の上
に薄い絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２の上に
は、非常に薄い非磁性金属層１３が形成され、かつその
上に第２強磁性層１４が形成されている。これらの強磁
性トンネル接合膜を構成する各層１１〜１４は、例えば
スパッタリング、真空蒸着法その他の従来から公知の成
膜方法及び装置を用いて形成することができる。
子の第１実施例の構成を示している。図示しない絶縁層
で被覆した基板１０上に成膜した第１強磁性層１１の上
に薄い絶縁層１２が形成されている。絶縁層１２の上に
は、非常に薄い非磁性金属層１３が形成され、かつその
上に第２強磁性層１４が形成されている。これらの強磁
性トンネル接合膜を構成する各層１１〜１４は、例えば
スパッタリング、真空蒸着法その他の従来から公知の成
膜方法及び装置を用いて形成することができる。
【００１３】前記強磁性層には、従来から知られている
Ｆｅ、Ｎｉ、又はＣｏ、もしくはこれらの一般式Ｎｉx
ＦｅyＣｏ1-x-y で表されるＮｉＦｅ、ＣｏＦｅなどの
合金、又はＮｉＭｎＳｂなどの強磁性材料で形成するこ
とができる。前記絶縁層には、Ａｌ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｈｆ
Ｏ2 、ＭｇＯ、ＣｏＯ、Ｇｅ、ＧｄＯx などを用いるこ
とができる。
Ｆｅ、Ｎｉ、又はＣｏ、もしくはこれらの一般式Ｎｉx
ＦｅyＣｏ1-x-y で表されるＮｉＦｅ、ＣｏＦｅなどの
合金、又はＮｉＭｎＳｂなどの強磁性材料で形成するこ
とができる。前記絶縁層には、Ａｌ2Ｏ3、ＮｉＯ、Ｈｆ
Ｏ2 、ＭｇＯ、ＣｏＯ、Ｇｅ、ＧｄＯx などを用いるこ
とができる。
【００１４】非磁性金属層１３は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、
Ａｌ、Ｐｔ及びＺｎからなる群から選択した１種又は２
種以上の金属で形成される。前記非磁性金属層の膜厚
は、強磁性層の分極率を非磁性金属層内でも保持し得る
程度に非常に薄く、絶縁層１２の膜厚を考慮して２〜２
０Åの範囲内に設定する。
Ａｌ、Ｐｔ及びＺｎからなる群から選択した１種又は２
種以上の金属で形成される。前記非磁性金属層の膜厚
は、強磁性層の分極率を非磁性金属層内でも保持し得る
程度に非常に薄く、絶縁層１２の膜厚を考慮して２〜２
０Åの範囲内に設定する。
【００１５】このような非磁性金属層を絶縁層１２と第
２強磁性層１４間に挿入することにより、バイアス電圧
印加時の磁気抵抗比の減少が大幅に小さくなった。これ
は、上述したように絶縁層／強磁性層のトンネル界面で
のマグノンの発生が抑制されたためと考えられる。別の
実施例では、第１強磁性層１１と絶縁層１２との間に非
磁性金属層１３を挿入することができ、その場合にも同
様の作用効果が得られる。
２強磁性層１４間に挿入することにより、バイアス電圧
印加時の磁気抵抗比の減少が大幅に小さくなった。これ
は、上述したように絶縁層／強磁性層のトンネル界面で
のマグノンの発生が抑制されたためと考えられる。別の
実施例では、第１強磁性層１１と絶縁層１２との間に非
磁性金属層１３を挿入することができ、その場合にも同
様の作用効果が得られる。
【００１６】図２は、図１の第１実施例の変形例を示し
ており、第１強磁性層１１と絶縁層１２との間に第２の
非磁性金属層１５が挿入されている。これにより、トン
ネル界面でのマグノンの発生をより効果的に解消し、バ
イアス電圧印加時の磁気抵抗比の減少をより一層抑制す
ることができる。
ており、第１強磁性層１１と絶縁層１２との間に第２の
非磁性金属層１５が挿入されている。これにより、トン
ネル界面でのマグノンの発生をより効果的に解消し、バ
イアス電圧印加時の磁気抵抗比の減少をより一層抑制す
ることができる。
【００１７】図３は、上記第１実施例の別の変形例を示
しており、第２強磁性層１４が、異なる２種の強磁性材
料の層１６、１７で形成されている。従来から絶縁層／
強磁性層の界面に分極率の大きい強磁性材料を挿入する
と、磁気抵抗比が上昇することが知られている。従っ
て、例えば絶縁層１２及び非磁性金属層１３に隣接する
方の強磁性層１６をＣｏで形成しかつ他方の強磁性層１
７をＮｉＦｅで形成すると、より高い磁気抵抗比が得ら
れる。また、第２強磁性層ではなく又は第２強磁性層に
加えて、第１強磁性層１３を同様に２つの異なる強磁性
材料層で形成することができる。
しており、第２強磁性層１４が、異なる２種の強磁性材
料の層１６、１７で形成されている。従来から絶縁層／
強磁性層の界面に分極率の大きい強磁性材料を挿入する
と、磁気抵抗比が上昇することが知られている。従っ
て、例えば絶縁層１２及び非磁性金属層１３に隣接する
方の強磁性層１６をＣｏで形成しかつ他方の強磁性層１
７をＮｉＦｅで形成すると、より高い磁気抵抗比が得ら
れる。また、第２強磁性層ではなく又は第２強磁性層に
加えて、第１強磁性層１３を同様に２つの異なる強磁性
材料層で形成することができる。
【００１８】本発明は、スピンバルブ型の磁気抵抗素子
にも適用することができる。図４には、このような本発
明による磁気抵抗素子の第２実施例が示され、図１の強
磁性トンネル接合膜の上に反強磁性層１８が形成されて
いる。反強磁性層１８は、従来と同様に、ＦｅＭｎ、Ｉ
ｒＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ及びＮｉＯなどの公知の反
強磁性材料を例えばスパッタリングすることにより成膜
することができる。これにより、スピンバルブ型素子の
感度が従来より大幅に向上する。
にも適用することができる。図４には、このような本発
明による磁気抵抗素子の第２実施例が示され、図１の強
磁性トンネル接合膜の上に反強磁性層１８が形成されて
いる。反強磁性層１８は、従来と同様に、ＦｅＭｎ、Ｉ
ｒＭｎ、ＮｉＭｎ、ＰｔＭｎ及びＮｉＯなどの公知の反
強磁性材料を例えばスパッタリングすることにより成膜
することができる。これにより、スピンバルブ型素子の
感度が従来より大幅に向上する。
【００１９】図４の実施例においても、図３の実施例と
同様により高い磁気抵抗比が得られるように、第２強磁
性層１４を２種又はそれ以上の異なる強磁性材料の層で
形成することができる。また、第１強磁性層１１と絶縁
層１２との間に非磁性金属層１３を挿入することができ
る。
同様により高い磁気抵抗比が得られるように、第２強磁
性層１４を２種又はそれ以上の異なる強磁性材料の層で
形成することができる。また、第１強磁性層１１と絶縁
層１２との間に非磁性金属層１３を挿入することができ
る。
【００２０】図５は、図４の第２実施例の変形例を示し
ており、図２の実施例と同様に第１強磁性層１１と絶縁
層１２間に第２の非磁性金属層１５が挿入されている。
これにより、同様にトンネル界面でのマグノンの発生を
より効果的に解消することができる。
ており、図２の実施例と同様に第１強磁性層１１と絶縁
層１２間に第２の非磁性金属層１５が挿入されている。
これにより、同様にトンネル界面でのマグノンの発生を
より効果的に解消することができる。
【００２１】
【実施例】（実施例１）イオンビームスパッタリング装
置を用いて、図４の実施例による強磁性トンネル接合膜
を基板上に成膜して、そのバイアス電圧に対する磁気抵
抗比の変化を測定した。先ず、図６及び図７に示すよう
に、絶縁層で被覆したＳｉ基板１０の上に、メタルマス
クを用いて真空チャンバ内でＦｅを膜厚１０００Åにス
パッタして、ストライプ状の第１強磁性層１１を形成し
た。次にマスクを変えて、第１強磁性層１１の上にＡｌ
を１０〜２０Åの膜厚に円形にスパッタ成膜した後、前
記真空チャンバ内にアシストイオンソースから酸素を導
入し、Ａｌ膜を酸化させてＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層１２
を形成した。
置を用いて、図４の実施例による強磁性トンネル接合膜
を基板上に成膜して、そのバイアス電圧に対する磁気抵
抗比の変化を測定した。先ず、図６及び図７に示すよう
に、絶縁層で被覆したＳｉ基板１０の上に、メタルマス
クを用いて真空チャンバ内でＦｅを膜厚１０００Åにス
パッタして、ストライプ状の第１強磁性層１１を形成し
た。次にマスクを変えて、第１強磁性層１１の上にＡｌ
を１０〜２０Åの膜厚に円形にスパッタ成膜した後、前
記真空チャンバ内にアシストイオンソースから酸素を導
入し、Ａｌ膜を酸化させてＡｌ2Ｏ3からなる絶縁層１２
を形成した。
【００２２】次に、マスクを交換してＣｕを５Åの膜厚
にスパッタ成膜し、第１強磁性層１１と直交する向きに
ストライプ状の非磁性金属層１３を形成した。更に同じ
マスクを用いて、Ｃｏ（３０Å）／ＮｉＦｅ（１５０
Å）を連続成膜して、第２強磁性層１４を形成し、更に
反強磁性層１８として膜厚４００ÅのＦｅＭｎ膜を成膜
した。
にスパッタ成膜し、第１強磁性層１１と直交する向きに
ストライプ状の非磁性金属層１３を形成した。更に同じ
マスクを用いて、Ｃｏ（３０Å）／ＮｉＦｅ（１５０
Å）を連続成膜して、第２強磁性層１４を形成し、更に
反強磁性層１８として膜厚４００ÅのＦｅＭｎ膜を成膜
した。
【００２３】形成された強磁性トンネル接合膜は、その
左右両側に電磁石１９、２０を配置して非磁性金属層１
３及び第２強磁性層１４のストライプの向きに一定の磁
場を印加した状態で、反強磁性層１８及び第１強磁性層
１１のそれぞれ一方の端部に設けた電極２１、２２間に
一定の電流を流し、かつそれらの他方の端部に設けた電
極２３、２４間の電圧を室温（２９０Ｋ）及び７７Ｋで
測定した。このとき、前記両強磁性層の磁化方向が互い
に平行なときの抵抗値をＲp とし、反平行なときの抵抗
値をＲapとすると、磁気抵抗比は、ΔＲ／Ｒ＝（Ｒap
−Ｒp ）／Ｒpにより求められる。
左右両側に電磁石１９、２０を配置して非磁性金属層１
３及び第２強磁性層１４のストライプの向きに一定の磁
場を印加した状態で、反強磁性層１８及び第１強磁性層
１１のそれぞれ一方の端部に設けた電極２１、２２間に
一定の電流を流し、かつそれらの他方の端部に設けた電
極２３、２４間の電圧を室温（２９０Ｋ）及び７７Ｋで
測定した。このとき、前記両強磁性層の磁化方向が互い
に平行なときの抵抗値をＲp とし、反平行なときの抵抗
値をＲapとすると、磁気抵抗比は、ΔＲ／Ｒ＝（Ｒap
−Ｒp ）／Ｒpにより求められる。
【００２４】比較例１として、Ｆｅ／Ａｌ2Ｏ3／Ｃｏ／
ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎからなる従来構造の強磁性トンネル
接合膜を同様の手法により形成し、かつその磁気抵抗比
の変化を同様にして測定した。バイアス電流が１ｍＶの
ときに得られた磁気抵抗曲線を図８及び図９に示す。ま
た、１００ｍＶの電圧を印加したときに、従来構造の強
磁性トンネル接合膜では、磁気抵抗比が最大値の約１／
２まで減少するのに対し、本実施例の強磁性トンネル接
合膜は、磁気抵抗比の減少が約１／３〜１／５で、従来
に比して大幅に小さくなることが分かった。
ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎからなる従来構造の強磁性トンネル
接合膜を同様の手法により形成し、かつその磁気抵抗比
の変化を同様にして測定した。バイアス電流が１ｍＶの
ときに得られた磁気抵抗曲線を図８及び図９に示す。ま
た、１００ｍＶの電圧を印加したときに、従来構造の強
磁性トンネル接合膜では、磁気抵抗比が最大値の約１／
２まで減少するのに対し、本実施例の強磁性トンネル接
合膜は、磁気抵抗比の減少が約１／３〜１／５で、従来
に比して大幅に小さくなることが分かった。
【００２５】（実施例２）図１の実施例において、非磁
性金属層１３として膜厚５ÅのＡｕ膜を使用し、かつ第
１強磁性層１１と絶縁層１２との間に挿入して、上記実
施例１と同様の方法により、Ｆｅ（１０００Å）／Ａｕ
（５Å）／ＡＬ（１５Å）−Ｏ／ＮｉＦｅ（２５０Å）
／ＦｅＭｎ（４００Å）の構造を有する強磁性トンネル
接合膜を成膜した。比較例２として、Ｆｅ（１０００
Å）／ＡＬ（１５Å）−Ｏ／ＮｉＦｅ（２５０Å）／Ｆ
ｅＭｎ（４００Å）の従来構造を有する強磁性トンネル
接合膜を形成した。
性金属層１３として膜厚５ÅのＡｕ膜を使用し、かつ第
１強磁性層１１と絶縁層１２との間に挿入して、上記実
施例１と同様の方法により、Ｆｅ（１０００Å）／Ａｕ
（５Å）／ＡＬ（１５Å）−Ｏ／ＮｉＦｅ（２５０Å）
／ＦｅＭｎ（４００Å）の構造を有する強磁性トンネル
接合膜を成膜した。比較例２として、Ｆｅ（１０００
Å）／ＡＬ（１５Å）−Ｏ／ＮｉＦｅ（２５０Å）／Ｆ
ｅＭｎ（４００Å）の従来構造を有する強磁性トンネル
接合膜を形成した。
【００２６】本実施例及び比較例２の強磁性トンネル接
合膜におけるバイアス電圧に対する磁気抵抗比の変化
を、上記実施例１と同様の方法を用いて７７Ｋで測定
し、その結果を図１０により示した。即ち、図１０は本
実施例及び比較例２における磁気抵抗比のバイアス電圧
依存性を示しており、本実施例は、磁気抵抗比の減少が
０〜１００ｍＶのバイアス電圧の全測定範囲に亘って比
較例２の約１／２程度に小さくなっていることが分か
る。
合膜におけるバイアス電圧に対する磁気抵抗比の変化
を、上記実施例１と同様の方法を用いて７７Ｋで測定
し、その結果を図１０により示した。即ち、図１０は本
実施例及び比較例２における磁気抵抗比のバイアス電圧
依存性を示しており、本実施例は、磁気抵抗比の減少が
０〜１００ｍＶのバイアス電圧の全測定範囲に亘って比
較例２の約１／２程度に小さくなっていることが分か
る。
【００２７】また図１１は、図１０の測定結果を、バイ
アス電圧に対する磁気抵抗比をその最大値で除算するこ
とにより正規化して、磁気抵抗比のバイアス電圧依存性
をより明確に示している。同図からも、本実施例は磁気
抵抗比の減少が比較例２の約１／２程度に小さくなって
いることが容易に理解される。
アス電圧に対する磁気抵抗比をその最大値で除算するこ
とにより正規化して、磁気抵抗比のバイアス電圧依存性
をより明確に示している。同図からも、本実施例は磁気
抵抗比の減少が比較例２の約１／２程度に小さくなって
いることが容易に理解される。
【００２８】（実施例３）同じく図１の実施例におい
て、非磁性金属層１３として膜厚１０ÅのＡｕ膜を使用
し、上記実施例１と同様の方法により、Ｆｅ（１０００
Å）／ＡＬ（１５Å）−Ｏ／Ａｕ（１０Å）／ＮｉＦｅ
（２５０Å）／ＦｅＭｎ（４００Å）の構造を有する強
磁性トンネル接合膜を形成した。
て、非磁性金属層１３として膜厚１０ÅのＡｕ膜を使用
し、上記実施例１と同様の方法により、Ｆｅ（１０００
Å）／ＡＬ（１５Å）−Ｏ／Ａｕ（１０Å）／ＮｉＦｅ
（２５０Å）／ＦｅＭｎ（４００Å）の構造を有する強
磁性トンネル接合膜を形成した。
【００２９】本実施例におけるバイアス電圧に対する磁
気抵抗比の変化を、上記実施例１と同様の方法を用いて
７７Ｋで測定し、その結果を、バイアス電圧に対する磁
気抵抗比をその最大値で除算することにより正規化して
図１１に示した。本実施例では、磁気抵抗比の減少が、
上記実施例２と比較して更に小さくなっていることが分
かる。
気抵抗比の変化を、上記実施例１と同様の方法を用いて
７７Ｋで測定し、その結果を、バイアス電圧に対する磁
気抵抗比をその最大値で除算することにより正規化して
図１１に示した。本実施例では、磁気抵抗比の減少が、
上記実施例２と比較して更に小さくなっていることが分
かる。
【００３０】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。本発明の
磁気変換素子によれば、強磁性トンネル接合膜の強磁性
層と絶縁層との間に挿入した非磁性金属層を有すること
により、電子がトンネルする際にトンネル界面でのマグ
ノンの発生が抑制されるので、バイアス電圧の印加によ
る磁気抵抗比の減少が抑制され、様々な用途に実用化す
ることができる。特に、このような磁気抵抗素子を備え
る磁気ヘッドは、従来より高感度の読出しヘッドとして
利用され、より一層の高記録密度化に対応することがで
きる。
ので、以下に記載されるような効果を奏する。本発明の
磁気変換素子によれば、強磁性トンネル接合膜の強磁性
層と絶縁層との間に挿入した非磁性金属層を有すること
により、電子がトンネルする際にトンネル界面でのマグ
ノンの発生が抑制されるので、バイアス電圧の印加によ
る磁気抵抗比の減少が抑制され、様々な用途に実用化す
ることができる。特に、このような磁気抵抗素子を備え
る磁気ヘッドは、従来より高感度の読出しヘッドとして
利用され、より一層の高記録密度化に対応することがで
きる。
【図１】本発明による磁気抵抗素子の第１実施例の構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】図１の変形例を示す同様の断面図である。
【図３】図１の別の変形例を示す断面図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す断面図である。
【図５】図４の変形例を示す断面図である。
【図６】磁気抵抗比測定試験に用いた第１実施例の強磁
性トンネル接合膜及びその試験方法を示す概略平面図で
ある。
性トンネル接合膜及びその試験方法を示す概略平面図で
ある。
【図７】図６の強磁性トンネル接合膜の断面図である。
【図８】Ａ図及びＢ図は、７７Ｋで測定した実施例１及
び比較例１の磁気抵抗曲線をそれぞれ示す線図である。
び比較例１の磁気抵抗曲線をそれぞれ示す線図である。
【図９】Ａ図及びＢ図は、室温（２９０Ｋ）で測定した
実施例１及び比較例１の磁気抵抗曲線をそれぞれ示す線
図である。
実施例１及び比較例１の磁気抵抗曲線をそれぞれ示す線
図である。
【図１０】実施例２及び比較例２のトンネル接合膜の磁
気抵抗比のバイアス電圧依存性を示す線図である。
気抵抗比のバイアス電圧依存性を示す線図である。
【図１１】図１０の磁気抵抗比の測定値をその最大値で
除算することにより正規化した線図である。
除算することにより正規化した線図である。
【図１２】従来の強磁性トンネル接合の磁気抵抗素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
１ 絶縁層 ２、３ 強磁性層 ４、１０ 基板 １１ 第１強磁性層 １２ 絶縁層 １３ 非磁性金属層 １４ 第２強磁性層 １５ 非磁性金属層 １６、１７ 層 １８ 反強磁性層 １９、２０ 電磁石 ２１〜２４ 電極
フロントページの続き (72)発明者 藤森 啓安 宮城県仙台市青葉区片平２丁目１番１号 東北大学 金属材料研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に形成した第１及び第２強磁性層
と、前記強磁性層間に挟まれた絶縁層とからなる強磁性
トンネル接合膜を有する磁気抵抗素子であって、 強磁性トンネル接合膜が、少なくとも一方の前記強磁性
層と前記絶縁層との間に非磁性金属薄膜を有することを
特徴とする磁気抵抗素子。 - 【請求項２】 前記第２強磁性層の上に形成した反強磁
性層を更に有することを特徴とする請求項１に記載の磁
気抵抗素子。 - 【請求項３】 前記第１又は第２強磁性層が２以上の異
なる強磁性材料の層からなることを特徴とする請求項１
又は２に記載の磁気抵抗素子。 - 【請求項４】 前記非磁性金属薄膜がＣｕ、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ａｌ、Ｐｔ及びＺｎからなる群から選択した１種又
は２種以上の金属からなり、かつその膜厚が２〜２０Å
の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載の磁気抵抗素子。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の磁気
抵抗素子を備えることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10172062A JPH11354859A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 磁気抵抗素子と磁気ヘッド |
| US09/325,888 US6597548B1 (en) | 1998-06-05 | 1999-06-04 | Magnetoresistive element and magnetic head |
| US10/259,022 US7154715B2 (en) | 1998-06-05 | 2002-09-26 | Magnetoresistive element and magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10172062A JPH11354859A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 磁気抵抗素子と磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354859A true JPH11354859A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15934836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10172062A Pending JPH11354859A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 磁気抵抗素子と磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6597548B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11354859A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002099905A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-12 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Tunnel magnetoresistance element |
| JP2003525528A (ja) * | 2000-03-02 | 2003-08-26 | フォルシュングツェントルム・ユーリッヒ・ゲーエムベーハー | 磁場を測定する装置および磁場を測定する装置を作製する方法 |
| US7086141B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-08-08 | Tdk Corporation | Manufacturing method of magnetoresistive effect sensor |
| JP2007059927A (ja) * | 2002-03-28 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
| US7468282B2 (en) | 2002-03-26 | 2008-12-23 | Japan Science And Technology Agency | Tunneling magnetoresistive element, semiconductor junction element, magnetic memory and semiconductor light emitting element |
| JP2009010333A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Tdk Corp | Ｃｐｐ構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 |
Families Citing this family (138)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3836788B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2006-10-25 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |
| JP4128938B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2008-07-30 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| US7453673B2 (en) * | 2005-02-09 | 2008-11-18 | Seagate Technology Llc | Magnet tunneling junction with RF sputtered gallium oxide as insulation barrier for recording head |
| JP2007194457A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Alps Electric Co Ltd | トンネル型磁気検出素子及びその製造方法 |
| US8689430B1 (en) | 2006-11-29 | 2014-04-08 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a perpendicular magnetic recording (PMR)head |
| US8404128B1 (en) | 2009-02-23 | 2013-03-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a perpendicular magnetic recording head |
| US8400731B1 (en) | 2009-04-19 | 2013-03-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Write head with variable side shield gaps |
| US8611055B1 (en) | 2009-07-31 | 2013-12-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic etch-stop layer for magnetoresistive read heads |
| JPWO2011036795A1 (ja) * | 2009-09-28 | 2013-02-14 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ |
| US9202480B2 (en) | 2009-10-14 | 2015-12-01 | Western Digital (Fremont), LLC. | Double patterning hard mask for damascene perpendicular magnetic recording (PMR) writer |
| US8441896B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-05-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Energy assisted magnetic recording head having laser integrated mounted to slider |
| US8997832B1 (en) | 2010-11-23 | 2015-04-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Method of fabricating micrometer scale components |
| US8441756B1 (en) | 2010-12-16 | 2013-05-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an antiferromagnetically coupled writer |
| US8861146B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-10-14 | Pass & Seymour, Inc. | Electrical wiring device with protective features |
| US9123359B1 (en) | 2010-12-22 | 2015-09-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording transducer with sputtered antiferromagnetic coupling trilayer between plated ferromagnetic shields and method of fabrication |
| US8456961B1 (en) | 2011-03-22 | 2013-06-04 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for mounting and aligning a laser in an electrically assisted magnetic recording assembly |
| US8419954B1 (en) | 2011-10-31 | 2013-04-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer |
| US8451563B1 (en) | 2011-12-20 | 2013-05-28 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a side shield for a magnetic recording transducer using an air bridge |
| US8760823B1 (en) | 2011-12-20 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having soft and hard magnetic bias structures |
| US9093639B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-07-28 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for manufacturing a magnetoresistive structure utilizing heating and cooling |
| US9349392B1 (en) | 2012-05-24 | 2016-05-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for improving adhesion on dielectric substrates |
| US8724259B1 (en) | 2012-06-11 | 2014-05-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Conformal high moment side shield seed layer for perpendicular magnetic recording writer |
| US8711528B1 (en) | 2012-06-29 | 2014-04-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Tunnel magnetoresistance read head with narrow shield-to-shield spacing |
| US9269382B1 (en) | 2012-06-29 | 2016-02-23 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having improved pinning of the pinned layer at higher recording densities |
| US9213322B1 (en) | 2012-08-16 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for providing run to run process control using a dynamic tuner |
| US8984740B1 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Process for providing a magnetic recording transducer having a smooth magnetic seed layer |
| US9053719B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetoresistive sensor for a magnetic storage system read head, and fabrication method thereof |
| US8980109B1 (en) | 2012-12-11 | 2015-03-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a magnetic recording transducer using a combined main pole and side shield CMP for a wraparound shield scheme |
| US8760818B1 (en) | 2013-01-09 | 2014-06-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for providing magnetic storage elements with high magneto-resistance using heusler alloys |
| US9042208B1 (en) | 2013-03-11 | 2015-05-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive measuring fly height by applying a bias voltage to an electrically insulated write component of a head |
| US8883017B1 (en) | 2013-03-12 | 2014-11-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having seamless interfaces |
| US9336814B1 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Inverse tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head |
| US9819177B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-11-14 | Pass & Seymour, Inc. | Protective device with non-volatile memory miswire circuit |
| US9111564B1 (en) | 2013-04-02 | 2015-08-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording writer having a main pole with multiple flare angles |
| US9013836B1 (en) | 2013-04-02 | 2015-04-21 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing an antiferromagnetically coupled return pole |
| US9104107B1 (en) | 2013-04-03 | 2015-08-11 | Western Digital (Fremont), Llc | DUV photoresist process |
| US8993217B1 (en) | 2013-04-04 | 2015-03-31 | Western Digital (Fremont), Llc | Double exposure technique for high resolution disk imaging |
| US9070381B1 (en) | 2013-04-12 | 2015-06-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording read transducer having a laminated free layer |
| US9245545B1 (en) | 2013-04-12 | 2016-01-26 | Wester Digital (Fremont), Llc | Short yoke length coils for magnetic heads in disk drives |
| US9064527B1 (en) | 2013-04-12 | 2015-06-23 | Western Digital (Fremont), Llc | High order tapered waveguide for use in a heat assisted magnetic recording head |
| US9431047B1 (en) | 2013-05-01 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing an improved AFM reader shield |
| US9064528B1 (en) | 2013-05-17 | 2015-06-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Interferometric waveguide usable in shingled heat assisted magnetic recording in the absence of a near-field transducer |
| US9431039B1 (en) | 2013-05-21 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording |
| US9263067B1 (en) | 2013-05-29 | 2016-02-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Process for making PMR writer with constant side wall angle |
| US9361913B1 (en) | 2013-06-03 | 2016-06-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Recording read heads with a multi-layer AFM layer methods and apparatuses |
| US9406331B1 (en) | 2013-06-17 | 2016-08-02 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for making ultra-narrow read sensor and read transducer device resulting therefrom |
| US9287494B1 (en) | 2013-06-28 | 2016-03-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic tunnel junction (MTJ) with a magnesium oxide tunnel barrier |
| US9318130B1 (en) | 2013-07-02 | 2016-04-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Method to fabricate tunneling magnetic recording heads with extended pinned layer |
| US8923102B1 (en) | 2013-07-16 | 2014-12-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Optical grating coupling for interferometric waveguides in heat assisted magnetic recording heads |
| US8947985B1 (en) | 2013-07-16 | 2015-02-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording transducers having a recessed pole |
| US9275657B1 (en) | 2013-08-14 | 2016-03-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Process for making PMR writer with non-conformal side gaps |
| US9431032B1 (en) | 2013-08-14 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Electrical connection arrangement for a multiple sensor array usable in two-dimensional magnetic recording |
| US9042051B2 (en) | 2013-08-15 | 2015-05-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Gradient write gap for perpendicular magnetic recording writer |
| US9343098B1 (en) | 2013-08-23 | 2016-05-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a heat assisted magnetic recording transducer having protective pads |
| US9343086B1 (en) | 2013-09-11 | 2016-05-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording write transducer having an improved sidewall angle profile |
| US9441938B1 (en) | 2013-10-08 | 2016-09-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Test structures for measuring near field transducer disc length |
| US9042058B1 (en) | 2013-10-17 | 2015-05-26 | Western Digital Technologies, Inc. | Shield designed for middle shields in a multiple sensor array |
| US9349394B1 (en) | 2013-10-18 | 2016-05-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer having a gradient side gap |
| US9214172B2 (en) | 2013-10-23 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method of manufacturing a magnetic read head |
| US9007719B1 (en) | 2013-10-23 | 2015-04-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for using double mask techniques to achieve very small features |
| US8988812B1 (en) | 2013-11-27 | 2015-03-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Multi-sensor array configuration for a two-dimensional magnetic recording (TDMR) operation |
| US9194692B1 (en) | 2013-12-06 | 2015-11-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for using white light interferometry to measure undercut of a bi-layer structure |
| US9280990B1 (en) | 2013-12-11 | 2016-03-08 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches |
| US9001628B1 (en) | 2013-12-16 | 2015-04-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Assistant waveguides for evaluating main waveguide coupling efficiency and diode laser alignment tolerances for hard disk |
| US9082423B1 (en) | 2013-12-18 | 2015-07-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording write transducer having an improved trailing surface profile |
| US8917581B1 (en) | 2013-12-18 | 2014-12-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Self-anneal process for a near field transducer and chimney in a hard disk drive assembly |
| US9147408B1 (en) | 2013-12-19 | 2015-09-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Heated AFM layer deposition and cooling process for TMR magnetic recording sensor with high pinning field |
| US8971160B1 (en) | 2013-12-19 | 2015-03-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Near field transducer with high refractive index pin for heat assisted magnetic recording |
| US8970988B1 (en) | 2013-12-31 | 2015-03-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Electric gaps and method for making electric gaps for multiple sensor arrays |
| US9305583B1 (en) | 2014-02-18 | 2016-04-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer using multiple etches of damascene materials |
| US9183854B2 (en) | 2014-02-24 | 2015-11-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Method to make interferometric taper waveguide for HAMR light delivery |
| US9202493B1 (en) | 2014-02-28 | 2015-12-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method of making an ultra-sharp tip mode converter for a HAMR head |
| US9142233B1 (en) | 2014-02-28 | 2015-09-22 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having a recessed pole |
| US8988825B1 (en) | 2014-02-28 | 2015-03-24 | Western Digital (Fremont, LLC | Method for fabricating a magnetic writer having half-side shields |
| US9396743B1 (en) | 2014-02-28 | 2016-07-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Systems and methods for controlling soft bias thickness for tunnel magnetoresistance readers |
| US9153255B1 (en) | 2014-03-05 | 2015-10-06 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer having an asymmetric gap and shields |
| US9001467B1 (en) | 2014-03-05 | 2015-04-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating side shields in a magnetic writer |
| US9135930B1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic write pole using vacuum deposition |
| US9934811B1 (en) | 2014-03-07 | 2018-04-03 | Western Digital (Fremont), Llc | Methods for controlling stray fields of magnetic features using magneto-elastic anisotropy |
| US9190085B1 (en) | 2014-03-12 | 2015-11-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Waveguide with reflective grating for localized energy intensity |
| US9111558B1 (en) | 2014-03-14 | 2015-08-18 | Western Digital (Fremont), Llc | System and method of diffractive focusing of light in a waveguide |
| US9135937B1 (en) | 2014-05-09 | 2015-09-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Current modulation on laser diode for energy assisted magnetic recording transducer |
| US9007879B1 (en) | 2014-06-10 | 2015-04-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Interfering near field transducer having a wide metal bar feature for energy assisted magnetic recording |
| US8958272B1 (en) | 2014-06-10 | 2015-02-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Interfering near field transducer for energy assisted magnetic recording |
| US8976635B1 (en) | 2014-06-10 | 2015-03-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Near field transducer driven by a transverse electric waveguide for energy assisted magnetic recording |
| US8953422B1 (en) | 2014-06-10 | 2015-02-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Near field transducer using dielectric waveguide core with fine ridge feature |
| US9508363B1 (en) | 2014-06-17 | 2016-11-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic write pole having a leading edge bevel |
| US9361914B1 (en) | 2014-06-18 | 2016-06-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic sensor with thin capping layer |
| US9214169B1 (en) | 2014-06-20 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording read transducer having a laminated free layer |
| US9053735B1 (en) | 2014-06-20 | 2015-06-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer using a full-film metal planarization |
| US9042052B1 (en) | 2014-06-23 | 2015-05-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having a partially shunted coil |
| US9230565B1 (en) | 2014-06-24 | 2016-01-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic shield for magnetic recording head |
| US9190079B1 (en) | 2014-09-22 | 2015-11-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic write pole having engineered radius of curvature and chisel angle profiles |
| US9007725B1 (en) | 2014-10-07 | 2015-04-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Sensor with positive coupling between dual ferromagnetic free layer laminates |
| US9087527B1 (en) | 2014-10-28 | 2015-07-21 | Western Digital (Fremont), Llc | Apparatus and method for middle shield connection in magnetic recording transducers |
| US9786301B1 (en) | 2014-12-02 | 2017-10-10 | Western Digital (Fremont), Llc | Apparatuses and methods for providing thin shields in a multiple sensor array |
| US9111550B1 (en) | 2014-12-04 | 2015-08-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Write transducer having a magnetic buffer layer spaced between a side shield and a write pole by non-magnetic layers |
| US9721595B1 (en) | 2014-12-04 | 2017-08-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a storage device |
| US9236560B1 (en) | 2014-12-08 | 2016-01-12 | Western Digital (Fremont), Llc | Spin transfer torque tunneling magnetoresistive device having a laminated free layer with perpendicular magnetic anisotropy |
| US9286919B1 (en) | 2014-12-17 | 2016-03-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having a dual side gap |
| US9881638B1 (en) | 2014-12-17 | 2018-01-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a near-field transducer (NFT) for a heat assisted magnetic recording (HAMR) device |
| US9741366B1 (en) | 2014-12-18 | 2017-08-22 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields |
| US9214165B1 (en) | 2014-12-18 | 2015-12-15 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields |
| US9343087B1 (en) | 2014-12-21 | 2016-05-17 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic writer having half shields |
| US10074387B1 (en) | 2014-12-21 | 2018-09-11 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having symmetric antiferromagnetically coupled shields |
| US9437251B1 (en) | 2014-12-22 | 2016-09-06 | Western Digital (Fremont), Llc | Apparatus and method having TDMR reader to reader shunts |
| US9449625B1 (en) | 2014-12-24 | 2016-09-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording head having a plurality of diffusion barrier layers |
| US9123374B1 (en) | 2015-02-12 | 2015-09-01 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having an integrated polarization rotation plate |
| US9312064B1 (en) | 2015-03-02 | 2016-04-12 | Western Digital (Fremont), Llc | Method to fabricate a magnetic head including ion milling of read gap using dual layer hard mask |
| US9431031B1 (en) | 2015-03-24 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | System and method for magnetic transducers having multiple sensors and AFC shields |
| US9443541B1 (en) | 2015-03-24 | 2016-09-13 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having a gradient in saturation magnetization of the shields and return pole |
| US9384763B1 (en) | 2015-03-26 | 2016-07-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure including a soft bias layer |
| US9449621B1 (en) | 2015-03-26 | 2016-09-20 | Western Digital (Fremont), Llc | Dual free layer magnetic reader having a rear bias structure having a high aspect ratio |
| US9245562B1 (en) | 2015-03-30 | 2016-01-26 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording writer with a composite main pole |
| US9147404B1 (en) | 2015-03-31 | 2015-09-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a read transducer having a dual free layer |
| US9263071B1 (en) | 2015-03-31 | 2016-02-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Flat NFT for heat assisted magnetic recording |
| US9508372B1 (en) | 2015-06-03 | 2016-11-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Shingle magnetic writer having a low sidewall angle pole |
| US9508365B1 (en) | 2015-06-24 | 2016-11-29 | Western Digital (Fremont), LLC. | Magnetic reader having a crystal decoupling structure |
| US9530443B1 (en) | 2015-06-25 | 2016-12-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic recording device having a high aspect ratio structure |
| US9842615B1 (en) | 2015-06-26 | 2017-12-12 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic reader having a nonmagnetic insertion layer for the pinning layer |
| US9646639B2 (en) | 2015-06-26 | 2017-05-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording writer having integrated polarization rotation waveguides |
| US9431038B1 (en) | 2015-06-29 | 2016-08-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for fabricating a magnetic write pole having an improved sidewall angle profile |
| US9666214B1 (en) | 2015-09-23 | 2017-05-30 | Western Digital (Fremont), Llc | Free layer magnetic reader that may have a reduced shield-to-shield spacing |
| US9472216B1 (en) | 2015-09-23 | 2016-10-18 | Western Digital (Fremont), Llc | Differential dual free layer magnetic reader |
| US9424866B1 (en) | 2015-09-24 | 2016-08-23 | Western Digital (Fremont), Llc | Heat assisted magnetic recording write apparatus having a dielectric gap |
| US9384765B1 (en) | 2015-09-24 | 2016-07-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a HAMR writer having improved optical efficiency |
| US9595273B1 (en) | 2015-09-30 | 2017-03-14 | Western Digital (Fremont), Llc | Shingle magnetic writer having nonconformal shields |
| US9484051B1 (en) | 2015-11-09 | 2016-11-01 | The Provost, Fellows, Foundation Scholars and the other members of Board, of the College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin | Method and system for reducing undesirable reflections in a HAMR write apparatus |
| US9953670B1 (en) | 2015-11-10 | 2018-04-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a HAMR writer including a multi-mode interference device |
| US10037770B1 (en) | 2015-11-12 | 2018-07-31 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a magnetic recording write apparatus having a seamless pole |
| US9812155B1 (en) | 2015-11-23 | 2017-11-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for fabricating high junction angle read sensors |
| US9564150B1 (en) | 2015-11-24 | 2017-02-07 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic read apparatus having an improved read sensor isolation circuit |
| US9754611B1 (en) | 2015-11-30 | 2017-09-05 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic recording write apparatus having a stepped conformal trailing shield |
| US9799351B1 (en) | 2015-11-30 | 2017-10-24 | Western Digital (Fremont), Llc | Short yoke length writer having assist coils |
| US9740805B1 (en) | 2015-12-01 | 2017-08-22 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for detecting hotspots for photolithographically-defined devices |
| US9858951B1 (en) | 2015-12-01 | 2018-01-02 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for providing a multilayer AFM layer in a read sensor |
| US9767831B1 (en) | 2015-12-01 | 2017-09-19 | Western Digital (Fremont), Llc | Magnetic writer having convex trailing surface pole and conformal write gap |
| JP2018157033A (ja) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | 東芝メモリ株式会社 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5390061A (en) * | 1990-06-08 | 1995-02-14 | Hitachi, Ltd. | Multilayer magnetoresistance effect-type magnetic head |
| JP3217703B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2001-10-15 | 株式会社東芝 | 磁性体デバイス及びそれを用いた磁気センサ |
| US6047462A (en) * | 1996-04-02 | 2000-04-11 | Tdk Corporation | Method of making a combined type thin film magnetic head |
| US6110751A (en) * | 1997-01-10 | 2000-08-29 | Fujitsu Limited | Tunnel junction structure and its manufacture and magnetic sensor |
| JP2871670B1 (ja) * | 1997-03-26 | 1999-03-17 | 富士通株式会社 | 強磁性トンネル接合磁気センサ、その製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録／再生装置 |
| JPH1196515A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Fujitsu Ltd | Ｇｍｒ磁気センサ、その製造方法、および磁気ヘッド |
| US5930087A (en) * | 1997-11-20 | 1999-07-27 | Hewlett-Packard Company | Robust recording head for near-contact operation |
| JPH11194623A (ja) * | 1998-01-07 | 1999-07-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 湿式現像装置 |
| US6108177A (en) * | 1998-11-19 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Tunnel junction structure with FeX ferromagnetic layers |
| US6178074B1 (en) * | 1998-11-19 | 2001-01-23 | International Business Machines Corporation | Double tunnel junction with magnetoresistance enhancement layer |
| JP3623417B2 (ja) * | 1999-12-03 | 2005-02-23 | アルプス電気株式会社 | スピンバルブ型薄膜磁気素子及び薄膜磁気ヘッド |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP10172062A patent/JPH11354859A/ja active Pending
-
1999
- 1999-06-04 US US09/325,888 patent/US6597548B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-09-26 US US10/259,022 patent/US7154715B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003525528A (ja) * | 2000-03-02 | 2003-08-26 | フォルシュングツェントルム・ユーリッヒ・ゲーエムベーハー | 磁場を測定する装置および磁場を測定する装置を作製する方法 |
| JP4741152B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2011-08-03 | フォルシュングツェントルム・ユーリッヒ・ゲーエムベーハー | 磁場を測定する装置および磁場を測定する装置を作製する方法 |
| WO2002099905A1 (en) * | 2001-05-31 | 2002-12-12 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Tunnel magnetoresistance element |
| US7220498B2 (en) | 2001-05-31 | 2007-05-22 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Tunnel magnetoresistance element |
| US7514160B2 (en) | 2001-05-31 | 2009-04-07 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Tunnel magnetoresistance element having a double underlayer of amorphous MgO and crystalline MgO(001) |
| US7086141B2 (en) | 2001-06-25 | 2006-08-08 | Tdk Corporation | Manufacturing method of magnetoresistive effect sensor |
| US7468282B2 (en) | 2002-03-26 | 2008-12-23 | Japan Science And Technology Agency | Tunneling magnetoresistive element, semiconductor junction element, magnetic memory and semiconductor light emitting element |
| JP2007059927A (ja) * | 2002-03-28 | 2007-03-08 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
| JP4686430B2 (ja) * | 2002-03-28 | 2011-05-25 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置 |
| JP2009010333A (ja) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Tdk Corp | Ｃｐｐ構造の磁気抵抗効果素子および磁気ディスク装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6597548B1 (en) | 2003-07-22 |
| US20030026048A1 (en) | 2003-02-06 |
| US7154715B2 (en) | 2006-12-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11354859A (ja) | 磁気抵抗素子と磁気ヘッド | |
| KR100344030B1 (ko) | 자기 소자, 자기 메모리 디바이스, 자기저항 효과 헤드 및 자기 저장 시스템. | |
| JP3291208B2 (ja) | 磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド | |
| KR100288466B1 (ko) | 자기저항효과소자와이를이용한자기저항효과형헤드,기억소자및증폭소자 | |
| US6387550B1 (en) | Giant magnetoresistive material film, method of producing the same and magnetic head using the same | |
| JPH11134620A (ja) | 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法 | |
| JP2000340858A (ja) | 磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2002503887A (ja) | トンネル効果磁気抵抗体およびこれを用いた磁気センサ | |
| JPH1041132A (ja) | 磁気抵抗効果膜 | |
| US20070048485A1 (en) | Magnetoresistive effect element, magnetic head, magnetic storage device and magnetic memory device | |
| JP2007531182A (ja) | 膜面垂直通電モード磁気抵抗ヘッド用安定化器とその製造方法 | |
| KR100304770B1 (ko) | 자기저항효과박막과그제조방법 | |
| JP3697369B2 (ja) | 磁気素子、磁気メモリ装置、磁気抵抗効果ヘッド、磁気ヘッドジンバルアッセンブリ、及び磁気記録システム | |
| JPH11238924A (ja) | スピン依存伝導素子とそれを用いた電子部品および磁気部品 | |
| JPH10188235A (ja) | 磁気抵抗効果膜及びその製造方法 | |
| JP2000022239A (ja) | 磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP3547974B2 (ja) | 磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 | |
| JP2001307308A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよび情報再生装置 | |
| JP3520192B2 (ja) | 磁気素子とそれを用いた磁気部品および電子部品 | |
| JP2001076479A (ja) | 磁気メモリ素子 | |
| US7502210B2 (en) | CPP magnetic detecting device containing NiFe alloy on free layer thereof | |
| JP3455055B2 (ja) | 磁気素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 | |
| JP3181512B2 (ja) | デュアルスピンバルブ型素子および薄膜磁気ヘッド | |
| JP3540083B2 (ja) | 磁気センサ | |
| JP2005109242A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド |