JPH11307809A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH11307809A JPH11307809A JP10817998A JP10817998A JPH11307809A JP H11307809 A JPH11307809 A JP H11307809A JP 10817998 A JP10817998 A JP 10817998A JP 10817998 A JP10817998 A JP 10817998A JP H11307809 A JPH11307809 A JP H11307809A
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- semiconductor chip
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 受光素子や受光素子の外形を薄くし、これを
組み込んだモジュールやセットにおいても小型化を可能
とする。 【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ
があり、これらを封止する樹脂封止体は所定の波長の光
に対して透明となる材料でなる。また光が素子から発光
されると、溝２７の面２６で反射され、外部に射出され
る。また、入射される光は面２６を透過して受光素子に
照射される。
組み込んだモジュールやセットにおいても小型化を可能
とする。 【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ
があり、これらを封止する樹脂封止体は所定の波長の光
に対して透明となる材料でなる。また光が素子から発光
されると、溝２７の面２６で反射され、外部に射出され
る。また、入射される光は面２６を透過して受光素子に
照射される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体装置に関
するもので、特にこれらの構造を薄くし、この薄い側面
から光を射出（または入射）させるものであり、これら
を用いた機器の小型化・薄型化を実現するものである。
するもので、特にこれらの構造を薄くし、この薄い側面
から光を射出（または入射）させるものであり、これら
を用いた機器の小型化・薄型化を実現するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
【０００３】しかも携帯機器は、年間７００万台も販売
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
【０００４】またＭＤやＣＤ等の光学式記録再生装置で
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体をビームで照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体をビームで照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
【０００５】しかしこれら発光素子、受光素子は、小型
化が実現されていない。
化が実現されていない。
【０００６】例えば、図３は、特公平７−２８０８５号
公報の技術を説明するもので、半導体レーザ１が半導体
基板２に直接接続され、断面形状が台形のプリズム３が
半導体基板２に固定されている。尚、４は、光学記録媒
体である。半導体レーザ１と対向しているプリズム３の
傾斜面５は半透過反射面で、半導体基板２と対接してい
るプリズム面６は、光検出器（受光素子）７以外の部分
が、また面６と対向しているプリズム面８は、共に反射
面となっている。
公報の技術を説明するもので、半導体レーザ１が半導体
基板２に直接接続され、断面形状が台形のプリズム３が
半導体基板２に固定されている。尚、４は、光学記録媒
体である。半導体レーザ１と対向しているプリズム３の
傾斜面５は半透過反射面で、半導体基板２と対接してい
るプリズム面６は、光検出器（受光素子）７以外の部分
が、また面６と対向しているプリズム面８は、共に反射
面となっている。
【０００７】半導体レーザ１から発光され、傾斜面５か
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。
【０００８】一方、図４は、赤外線データ通信モジュー
ルで、赤外線ＬＥＤ、ＬＥＤドライバ、ＰＩＮフォトダ
イオード、アンプ等が内蔵されたモジュール１１であ
る。例えば基板に前記ＬＥＤが実装され、ここから射出
される光は、レンズ１２を介して外部へ放出され、前記
基板に実装されたフォトダイオードは、レンズ１３を介
してモールド１１内に入射される。
ルで、赤外線ＬＥＤ、ＬＥＤドライバ、ＰＩＮフォトダ
イオード、アンプ等が内蔵されたモジュール１１であ
る。例えば基板に前記ＬＥＤが実装され、ここから射出
される光は、レンズ１２を介して外部へ放出され、前記
基板に実装されたフォトダイオードは、レンズ１３を介
してモールド１１内に入射される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】図３や図４のモジュー
ルに於いて、半導体基板上に光学機器が実装され、また
半導体基板がモールドされたモジュールの上に更にレン
ズが実装されたりするため、これらを組み込んだセット
には、小型化が実現できない問題があった。
ルに於いて、半導体基板上に光学機器が実装され、また
半導体基板がモールドされたモジュールの上に更にレン
ズが実装されたりするため、これらを組み込んだセット
には、小型化が実現できない問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、発光する発光
用半導体チップと、上面を受光面とする受光用半導体チ
ップと、前記発光用及び受光用半導体チップを封止する
光に対して透明な樹脂封止体と、前記発光用半導体チッ
プから発光された光の光路と所定の角度で交差する面を
有するとともに、前記受光用半導体チップの上部にかつ
前記樹脂封止体の表面に形成された第１の溝とを有し、
前記発光用半導体チップからの光が前記溝で反射される
ことにより射出され、外部から入射された光が前記溝を
透過して前記受光用半導体チップに受光されることを特
徴とする。
用半導体チップと、上面を受光面とする受光用半導体チ
ップと、前記発光用及び受光用半導体チップを封止する
光に対して透明な樹脂封止体と、前記発光用半導体チッ
プから発光された光の光路と所定の角度で交差する面を
有するとともに、前記受光用半導体チップの上部にかつ
前記樹脂封止体の表面に形成された第１の溝とを有し、
前記発光用半導体チップからの光が前記溝で反射される
ことにより射出され、外部から入射された光が前記溝を
透過して前記受光用半導体チップに受光されることを特
徴とする。
【００１１】特に、前記溝の面にハーフミラーを形成す
ることを特徴とする。
ることを特徴とする。
【００１２】また、前記発光用半導体チップの側面を発
光面とすることを特徴とする。特にまた、前記発光用半
導体チップの高さを、発光した光が前記溝の面に照射さ
れるように成すことを特徴とする。
光面とすることを特徴とする。特にまた、前記発光用半
導体チップの高さを、発光した光が前記溝の面に照射さ
れるように成すことを特徴とする。
【００１３】さらに、前記発光用半導体チップの上面を
発光面とする。さらにまた、前記発光用半導体チップか
ら発光された光の光路を前記第１の溝の方向に向けるよ
うに所定の角度で交差する面を有するとともに、前記発
光用半導体チップの上部にかつ前記樹脂封止体の表面に
形成された第２の溝とを有することを特徴とする。
発光面とする。さらにまた、前記発光用半導体チップか
ら発光された光の光路を前記第１の溝の方向に向けるよ
うに所定の角度で交差する面を有するとともに、前記発
光用半導体チップの上部にかつ前記樹脂封止体の表面に
形成された第２の溝とを有することを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１を参照しながら説明する。
て、図１を参照しながら説明する。
【００１５】図は理解のために、二つの図を一体にした
もので、上が光半導体装置の平面図、下が前記平面図の
Ａ−Ａ線に於ける断面図である。
もので、上が光半導体装置の平面図、下が前記平面図の
Ａ−Ａ線に於ける断面図である。
【００１６】まずリードフレームがある。このリードフ
レームは、２点鎖線で示すアイランド２１とリード２２
により構成され、ここではＣｕより成り、この上に発光
部となる一点鎖線で示す半導体チップ２３、受光部とな
る一点鎖線で示す半導体チップ２４が半田等の固着手段
を介して固定されている。また半導体チップ２３、２４
の周囲には、ボンディングパッドが形成され、これに対
応して、チップの周囲から外部へ複数のリード２２が延
在され、チップ２３及び２４とリード２２との間を金属
細線で接続されている。
レームは、２点鎖線で示すアイランド２１とリード２２
により構成され、ここではＣｕより成り、この上に発光
部となる一点鎖線で示す半導体チップ２３、受光部とな
る一点鎖線で示す半導体チップ２４が半田等の固着手段
を介して固定されている。また半導体チップ２３、２４
の周囲には、ボンディングパッドが形成され、これに対
応して、チップの周囲から外部へ複数のリード２２が延
在され、チップ２３及び２４とリード２２との間を金属
細線で接続されている。
【００１７】そしてリードの先端及び半導体チップを所
定の波長の光に対して透明な封止体２５で封止されてい
る。この封止体２５には、光が反射及び透過される面２
６を持つ溝２７が設けられている。
定の波長の光に対して透明な封止体２５で封止されてい
る。この封止体２５には、光が反射及び透過される面２
６を持つ溝２７が設けられている。
【００１８】本発明の特徴は、前記面２６にあり、この
面２６は封止体２５に溝を形成することで構成され、点
線矢印で示すように、発光部２３の側面から発光する光
を面２６で反射させて封止体２５の上面Ｘから光が射出
され、また、封止体２５の上面Ｘに入射された光を面２
６で透過させて受光部２４に受光させることができる。
面２６は封止体２５に溝を形成することで構成され、点
線矢印で示すように、発光部２３の側面から発光する光
を面２６で反射させて封止体２５の上面Ｘから光が射出
され、また、封止体２５の上面Ｘに入射された光を面２
６で透過させて受光部２４に受光させることができる。
【００１９】また、図１の発光部２３はその側面から光
を発光させる半導体チップである。発光部２３と受光部
２４とを同一の高さのフレームに搭載すると、溝の深さ
が封止体２５の厚さの半分程度であるので、光を溝２７
の面２６に照射させることができず、その結果、樹脂封
止体２５の上面Ｘから光を射出することができない。そ
こで、発光部２３を搭載させるフレームの高さを発光し
た光が面２６に照射されるように高くすることにより、
発光した光を面２６で反射させ樹脂封止体２５の上面Ｘ
から射出させることが可能になる。
を発光させる半導体チップである。発光部２３と受光部
２４とを同一の高さのフレームに搭載すると、溝の深さ
が封止体２５の厚さの半分程度であるので、光を溝２７
の面２６に照射させることができず、その結果、樹脂封
止体２５の上面Ｘから光を射出することができない。そ
こで、発光部２３を搭載させるフレームの高さを発光し
た光が面２６に照射されるように高くすることにより、
発光した光を面２６で反射させ樹脂封止体２５の上面Ｘ
から射出させることが可能になる。
【００２０】図１の発光部２３は半導体チップの側面か
ら光を発光させるものであり、従って図１の実施の形態
はレーザー光を発光する半導体チップに用いて好適であ
る。
ら光を発光させるものであり、従って図１の実施の形態
はレーザー光を発光する半導体チップに用いて好適であ
る。
【００２１】図２は他の実施の形態を示す図であり、図
は理解のために、図１と同様に二つの図を一体にしたも
ので、上が光半導体装置の平面図、下が前記平面図のＡ
−Ａ線に於ける断面図である。リードフレームは図１の
如くアイランド２１とリード２２により構成され、アイ
ランド２１の上には発光部となる半導体チップ２３、受
光部となる半導体チップ２４がそれぞれ搭載される。そ
して、半導体チップ２３、２４の周囲には、ボンディン
グパッドが形成され、これに対応して、チップの周囲か
ら外部へ複数のリード２２が延在され、、チップ２３及
び２４とリード２２との間を金属細線で接続されてい
る。
は理解のために、図１と同様に二つの図を一体にしたも
ので、上が光半導体装置の平面図、下が前記平面図のＡ
−Ａ線に於ける断面図である。リードフレームは図１の
如くアイランド２１とリード２２により構成され、アイ
ランド２１の上には発光部となる半導体チップ２３、受
光部となる半導体チップ２４がそれぞれ搭載される。そ
して、半導体チップ２３、２４の周囲には、ボンディン
グパッドが形成され、これに対応して、チップの周囲か
ら外部へ複数のリード２２が延在され、、チップ２３及
び２４とリード２２との間を金属細線で接続されてい
る。
【００２２】そして、リードの先端及び半導体チップも
所定の波長の光に対して透明な封止体２５で封止されて
いる。この封止体２５には、光が反射及び透過される面
２６を持つ第１の溝２７、反射面２８を有する第２の溝
２９が設けられている。
所定の波長の光に対して透明な封止体２５で封止されて
いる。この封止体２５には、光が反射及び透過される面
２６を持つ第１の溝２７、反射面２８を有する第２の溝
２９が設けられている。
【００２３】本発明の特徴は、前記面２６及び前記反射
面２７にあり、この面２６は封止体２５に溝２７を形成
することで構成され、反射面２８は封止体２５に溝２９
を形成することで構成される。図２において、点線矢印
で示すように、発光部２３の上面から発光する光は初め
に反射面２８で反射させ、発光部２３からの光を面２６
へ照射させるようにする。反射面２８で反射された光を
面２６でさらに反射させて、封止体２５の上面Ｘから光
を射出させる。一方、封止体２５の上面Ｘに入射された
光は面２６を透過し、受光部２４に受光させることがで
きる。
面２７にあり、この面２６は封止体２５に溝２７を形成
することで構成され、反射面２８は封止体２５に溝２９
を形成することで構成される。図２において、点線矢印
で示すように、発光部２３の上面から発光する光は初め
に反射面２８で反射させ、発光部２３からの光を面２６
へ照射させるようにする。反射面２８で反射された光を
面２６でさらに反射させて、封止体２５の上面Ｘから光
を射出させる。一方、封止体２５の上面Ｘに入射された
光は面２６を透過し、受光部２４に受光させることがで
きる。
【００２４】図２の発光部１３は半導体チップの上面か
ら光を発光させるものであり、従って図２の実施の形態
は赤外線光を発光する半導体チップに用いて好適であ
る。
ら光を発光させるものであり、従って図２の実施の形態
は赤外線光を発光する半導体チップに用いて好適であ
る。
【００２５】一般には、発光部や受光部を構成する半導
体チップの上に、プリズムやレンズを構成して半導体装
置となるため、これを使用したモジュールやセットは、
セット自身の厚みは厚くなり、しかもこの上や周辺に光
学機器が配置されるため、薄型で小型が難しかった。し
かしながら、溝の一部分である面２６により、封止体の
上面Ｘで光の出し入れが可能となるため、プリズムは不
要である。従って装置自身の厚みを薄くすることができ
る。
体チップの上に、プリズムやレンズを構成して半導体装
置となるため、これを使用したモジュールやセットは、
セット自身の厚みは厚くなり、しかもこの上や周辺に光
学機器が配置されるため、薄型で小型が難しかった。し
かしながら、溝の一部分である面２６により、封止体の
上面Ｘで光の出し入れが可能となるため、プリズムは不
要である。従って装置自身の厚みを薄くすることができ
る。
【００２６】ここで、リードフレームの厚さは、約０．
１２５ｍｍで、半導体チップの厚みは、例えば２５０〜
３００μｍ程度である。また封止体２５は、透明なエポ
キシ材料で、例えばトランスファーモールドされ、全体
の厚みは、約１ｍｍ〜１．５ｍｍである。また金型にも
溝を形成する部分が設けられており、樹脂封止体で半導
体チップをトランスファーモールドした時に溝が同時に
形成される。
１２５ｍｍで、半導体チップの厚みは、例えば２５０〜
３００μｍ程度である。また封止体２５は、透明なエポ
キシ材料で、例えばトランスファーモールドされ、全体
の厚みは、約１ｍｍ〜１．５ｍｍである。また金型にも
溝を形成する部分が設けられており、樹脂封止体で半導
体チップをトランスファーモールドした時に溝が同時に
形成される。
【００２７】ここで溝２７及び２９は、厚みの半分程
度、ここでは７５０μｍ程度であり、少なくとも反射面
２６及び２８を構成する部分は４５°に成っている。こ
この反射面は、界面の両側の空気の屈折率とエポキシ材
料の屈折率との相違により、透過面となるとともに反射
面にもなる。そして、反射効率を上げたい場合には、反
射面に金属皮膜でハーフミラーを形成しても良い。この
被膜方法としては、半導体技術で使用される蒸着、スパ
ッタ成膜が考えられ、またその他にはメッキが考えられ
る。
度、ここでは７５０μｍ程度であり、少なくとも反射面
２６及び２８を構成する部分は４５°に成っている。こ
この反射面は、界面の両側の空気の屈折率とエポキシ材
料の屈折率との相違により、透過面となるとともに反射
面にもなる。そして、反射効率を上げたい場合には、反
射面に金属皮膜でハーフミラーを形成しても良い。この
被膜方法としては、半導体技術で使用される蒸着、スパ
ッタ成膜が考えられ、またその他にはメッキが考えられ
る。
【００２８】また、溝２７及び２９の先端は鋭角に形成
されているが、丸みを帯びさせても良い。その場合に
は、樹脂封止体２５に外部から力が加えられた場合の耐
久性が向上される。
されているが、丸みを帯びさせても良い。その場合に
は、樹脂封止体２５に外部から力が加えられた場合の耐
久性が向上される。
【００２９】図５は図１及び図２の光半導体装置を光記
録媒体再生装置の光ピックアップに組み込んだ応用例で
ある。図１及び図２に係わる光半導体装置５０の溝から
発光された光が射出される。射出された光はレンズ５１
を光学式ディスク５２上に照射される。レンズ５１によ
り射出された光は光学式ディスク上で集光する。光学式
ディスク上では、照射された光は「１」または「０」に
対応するディスクの形状に合わせて反射されたり、反射
されなかったりする。光学式ディスク５２はＣＤ、Ｍ
Ｄ、ＬＤやＤＶＤ等のディスクであり、例えばＣＤでは
光の反射はＣＤ上の形成されたピットの有無に起因す
る。反射された光は、レンズ５１で集光された後、光半
導体装置５０の溝に戻る。反射光は光半導体装置５０の
受光部で検出され、反射光の有無により受光部で２値信
号が検出される。
録媒体再生装置の光ピックアップに組み込んだ応用例で
ある。図１及び図２に係わる光半導体装置５０の溝から
発光された光が射出される。射出された光はレンズ５１
を光学式ディスク５２上に照射される。レンズ５１によ
り射出された光は光学式ディスク上で集光する。光学式
ディスク上では、照射された光は「１」または「０」に
対応するディスクの形状に合わせて反射されたり、反射
されなかったりする。光学式ディスク５２はＣＤ、Ｍ
Ｄ、ＬＤやＤＶＤ等のディスクであり、例えばＣＤでは
光の反射はＣＤ上の形成されたピットの有無に起因す
る。反射された光は、レンズ５１で集光された後、光半
導体装置５０の溝に戻る。反射光は光半導体装置５０の
受光部で検出され、反射光の有無により受光部で２値信
号が検出される。
【００３０】従来の光ピックアップでは、光を発光する
半導体装置と、発光した光の光路を変えるプリズムと、
光を受信する為の半導体装置が必要になる。それに対し
て、本発明の光半導体装置５０には、発光部及び受光部
となる半導体チップを１つの封止体中に封止され、封止
体上に反射及び透過面を持つ溝が形成されている。その
為、プリズムが必要なくなり、半導体装置を削減でき、
その結果光ピックアップを小型化することが可能にな
る。
半導体装置と、発光した光の光路を変えるプリズムと、
光を受信する為の半導体装置が必要になる。それに対し
て、本発明の光半導体装置５０には、発光部及び受光部
となる半導体チップを１つの封止体中に封止され、封止
体上に反射及び透過面を持つ溝が形成されている。その
為、プリズムが必要なくなり、半導体装置を削減でき、
その結果光ピックアップを小型化することが可能にな
る。
【００３１】
【発明の効果】本発明に依れば、光半導体装置の中に、
発光部及び受光部となる半導体チップを封止し、所定の
波長の光に対して透明な樹脂封止体上に反射及び透過面
を持つ溝を形成するので、光半導体装置の上面で光の入
射及び射出を行うことができる。その為、プリズム等の
光学機器を削減することができ、小型化することができ
る。
発光部及び受光部となる半導体チップを封止し、所定の
波長の光に対して透明な樹脂封止体上に反射及び透過面
を持つ溝を形成するので、光半導体装置の上面で光の入
射及び射出を行うことができる。その為、プリズム等の
光学機器を削減することができ、小型化することができ
る。
【図１】本発明の実施の形態を示す図である。
【図２】本発明の他の実施の形態を示す図である。
【図３】従来の光半導体装置と光学機器とを組んだ該略
図である。
図である。
【図４】従来の光半導体装置と光学機器とを組んだ該略
図である。
図である。
【図５】本発明の光半導体を光ピックアップへの応用例
を示す概略図である。
を示す概略図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 瀬山 浩樹 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 発光する発光用半導体チップと、 上面を受光面とする受光用半導体チップと、 前記発光用及び受光用半導体チップを封止する光に対し
て透明な樹脂封止体と、 前記発光用半導体チップから発光された光の光路と所定
の角度で交差する面を有するとともに、前記受光用半導
体チップの上部にかつ前記樹脂封止体の表面に形成され
た第１の溝とを有し、 前記発光用半導体チップからの光が前記溝で反射される
ことにより射出され、外部から入射された光が前記溝を
透過して前記受光用半導体チップに受光されることを特
徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 前記溝の面にハーフミラーを形成するこ
とを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 前記発光用半導体チップの側面を発光面
とすることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項４】 前記発光用半導体チップの高さを、発光
した光が前記溝の面に照射されるように成すことを特徴
とする請求項３記載の光半導体装置。 - 【請求項５】 前記発光用半導体チップの上面を発光面
とする請求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項６】 前記発光用半導体チップから発光された
光の光路を前記第１の溝の方向に向けるように所定の角
度で交差する面を有するとともに、前記発光用半導体チ
ップの上部にかつ前記樹脂封止体の表面に形成された第
２の溝とを有することを特徴とする請求項５記載の光半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10817998A JPH11307809A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10817998A JPH11307809A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307809A true JPH11307809A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14478005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10817998A Pending JPH11307809A (ja) | 1998-04-17 | 1998-04-17 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307809A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100661019B1 (ko) | 2005-09-27 | 2006-12-22 | 김필중 | 광 메모리 칩 |
-
1998
- 1998-04-17 JP JP10817998A patent/JPH11307809A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100661019B1 (ko) | 2005-09-27 | 2006-12-22 | 김필중 | 광 메모리 칩 |
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