JPH11307658A - 半導体装置のパッケージ - Google Patents
半導体装置のパッケージInfo
- Publication number
- JPH11307658A JPH11307658A JP11122898A JP11122898A JPH11307658A JP H11307658 A JPH11307658 A JP H11307658A JP 11122898 A JP11122898 A JP 11122898A JP 11122898 A JP11122898 A JP 11122898A JP H11307658 A JPH11307658 A JP H11307658A
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- Japan
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- adhesive
- resin case
- peripheral edge
- groove
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- Pending
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- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Casings For Electric Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】外囲樹脂ケースと金属ベース板との間を接着剤
で接合するに際して、接着剤が接合面からはみ出してバ
リを形成しないようにパッケージ構造を改良する。 【解決手段】回路ブロック２，３を搭載した放熱用金属
ベース板１の周縁に外囲樹脂ケース４を重ね合わせ、両
者間を接着剤７で接合した半導体装置のパッケージを対
象に、外囲樹脂ケースの底部内周縁に沿って段付き溝部
４ａを形成し、該溝部に接着剤７を塗布するようにした
ものにおいて、前記の段付き溝部の内周縁を斜めにカッ
トして面取りし、この面取り部４ｂに接着剤の溜まりス
ペース４ｃを形成し、接合に際して接合面に塗布した接
着剤の余剰分を前記溜まりスペースの中に取り込んで樹
脂ケースの外側にはみ出さないようにする。
で接合するに際して、接着剤が接合面からはみ出してバ
リを形成しないようにパッケージ構造を改良する。 【解決手段】回路ブロック２，３を搭載した放熱用金属
ベース板１の周縁に外囲樹脂ケース４を重ね合わせ、両
者間を接着剤７で接合した半導体装置のパッケージを対
象に、外囲樹脂ケースの底部内周縁に沿って段付き溝部
４ａを形成し、該溝部に接着剤７を塗布するようにした
ものにおいて、前記の段付き溝部の内周縁を斜めにカッ
トして面取りし、この面取り部４ｂに接着剤の溜まりス
ペース４ｃを形成し、接合に際して接合面に塗布した接
着剤の余剰分を前記溜まりスペースの中に取り込んで樹
脂ケースの外側にはみ出さないようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、インバータ装置
に適用するパワートランジスタモジュールなどを対象と
する半導体装置のパッケージ構造に関する。
に適用するパワートランジスタモジュールなどを対象と
する半導体装置のパッケージ構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】まず、頭記したパワートランジスタモジ
ュールを例に、この発明の実施対象となる半導体装置の
組立構造を図４(a),(b) に示す。図において、１は放熱
用の金属ベース板、２は絶縁基板にパワー半導体素子２
ａを実装したパワー回路ブロック、３はプリント基板に
ＩＣなどの回路部品３ａを実装した制御回路ブロック、
４は端子一体形の外囲樹脂ケース、５は主回路用の外部
導出端子、６は制御回路用の外部導出端子である。ここ
で、パワー回路ブロック２，制御回路ブロック３は金属
ベース板１の上に並置してはんだ付け，接着剤で接合
し、この回路ブロック２，３を取り囲んで外囲樹脂ケー
ス４を金属ベース板１の外周縁に重ね合わせて接着剤で
接合されている。なお、図示されてないが、図４(b) の
組立状態で樹脂ケース４の内部にシリコーンゲルなどの
充填材を充填して回路素子を樹脂封止し、さらに樹脂ケ
ース４の上面に蓋を被せて製品を完成する。
ュールを例に、この発明の実施対象となる半導体装置の
組立構造を図４(a),(b) に示す。図において、１は放熱
用の金属ベース板、２は絶縁基板にパワー半導体素子２
ａを実装したパワー回路ブロック、３はプリント基板に
ＩＣなどの回路部品３ａを実装した制御回路ブロック、
４は端子一体形の外囲樹脂ケース、５は主回路用の外部
導出端子、６は制御回路用の外部導出端子である。ここ
で、パワー回路ブロック２，制御回路ブロック３は金属
ベース板１の上に並置してはんだ付け，接着剤で接合
し、この回路ブロック２，３を取り囲んで外囲樹脂ケー
ス４を金属ベース板１の外周縁に重ね合わせて接着剤で
接合されている。なお、図示されてないが、図４(b) の
組立状態で樹脂ケース４の内部にシリコーンゲルなどの
充填材を充填して回路素子を樹脂封止し、さらに樹脂ケ
ース４の上面に蓋を被せて製品を完成する。
【０００３】一方、金属ベース板１に外囲樹脂ケース４
を接合するために、図３で示すように樹脂ケース４に対
してあらかじめその底部内周縁に沿って断面Ｌ字状の段
付き溝部（溝幅は１mm程度）４ａを形成しておき、該溝
部４ａに接着剤（液状）７を塗布した上で、樹脂ケース
４を上方から金属ベース板１の周縁に重ね合わせて押圧
し、この状態で接着剤７を硬化して外囲樹脂ケース／金
属ベース板の間を接着するようにしている。
を接合するために、図３で示すように樹脂ケース４に対
してあらかじめその底部内周縁に沿って断面Ｌ字状の段
付き溝部（溝幅は１mm程度）４ａを形成しておき、該溝
部４ａに接着剤（液状）７を塗布した上で、樹脂ケース
４を上方から金属ベース板１の周縁に重ね合わせて押圧
し、この状態で接着剤７を硬化して外囲樹脂ケース／金
属ベース板の間を接着するようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来のパッケージ構造、特に外囲樹脂ケース４に形成した
段付き溝部４ａの形状では次記のような不具合が生じ
る。すなわち、段付き溝部４ａに接着剤７を塗布した上
で、外囲樹脂ケース４を金属ベース板１の上に重ね合わ
せて押圧すると、余剰の接着剤７が溝部４ａから内外に
はみ出してバリ７ａが生じる。この場合に、樹脂ケース
４の外側にはみ出したバリは外観の体裁を悪くするだけ
でなく、特に金属ベース板１の裏面側に回り込んだバリ
は当該半導体装置を放熱フィンなどのヒートシンクに密
着して取付ける場合に邪魔となので、はみ出し接着剤を
硬化する前に拭き取るか、あるいは硬化後に削りとるな
どの対応処置が必要となる。
来のパッケージ構造、特に外囲樹脂ケース４に形成した
段付き溝部４ａの形状では次記のような不具合が生じ
る。すなわち、段付き溝部４ａに接着剤７を塗布した上
で、外囲樹脂ケース４を金属ベース板１の上に重ね合わ
せて押圧すると、余剰の接着剤７が溝部４ａから内外に
はみ出してバリ７ａが生じる。この場合に、樹脂ケース
４の外側にはみ出したバリは外観の体裁を悪くするだけ
でなく、特に金属ベース板１の裏面側に回り込んだバリ
は当該半導体装置を放熱フィンなどのヒートシンクに密
着して取付ける場合に邪魔となので、はみ出し接着剤を
硬化する前に拭き取るか、あるいは硬化後に削りとるな
どの対応処置が必要となる。
【０００５】この発明は上記の点にかんがみなされたも
のであり、その目的は前記課題を解決し、外囲樹脂ケー
スと金属ベース板との間を接着剤で接合するに際して、
接着剤が接合面からはみ出してバリを形成しないように
改良した半導体装置のパッケージを提供することにあ
る。
のであり、その目的は前記課題を解決し、外囲樹脂ケー
スと金属ベース板との間を接着剤で接合するに際して、
接着剤が接合面からはみ出してバリを形成しないように
改良した半導体装置のパッケージを提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明によれば、回路組立体を搭載した放熱用金
属ベース板の周縁に外囲樹脂ケースを重ね合わせ、両者
間を接着剤で接合した半導体装置のパッケージで、外囲
樹脂ケースの底部内周縁に沿って段付き溝部を形成し、
該溝部に接着剤を塗布するようにしたものにおいて、前
記の段付き溝部に接着剤の溜まりスペースを形成する
（請求項１）ものとし、具体的には次記のような態様で
接着剤の溜まりスペースを形成する。
に、この発明によれば、回路組立体を搭載した放熱用金
属ベース板の周縁に外囲樹脂ケースを重ね合わせ、両者
間を接着剤で接合した半導体装置のパッケージで、外囲
樹脂ケースの底部内周縁に沿って段付き溝部を形成し、
該溝部に接着剤を塗布するようにしたものにおいて、前
記の段付き溝部に接着剤の溜まりスペースを形成する
（請求項１）ものとし、具体的には次記のような態様で
接着剤の溜まりスペースを形成する。
【０００７】(1) 段付き溝部の内周縁を面取して該面取
り部に接着剤の溜まりスペースを形成する（請求項
２）。 (2) 段付き溝部を階段状に形成してその上段側溝部に接
着剤の溜まりスペースを形成する（請求項３）。 上記のように外囲樹脂ケースの接合部に形成した段付き
溝部を面取り，あるいは階段状となして接着剤の溜まり
スペースを形成することにより、該部に接着剤を塗布し
て樹脂ケースを金属ベース板の周縁部に重ね合わせた際
に、余剰の接着剤材（液状）が前記の溜まりスペースに
取り込まれてこの部分に留まり、樹脂ケースの外側には
み出してバリを形成することがなくなる。
り部に接着剤の溜まりスペースを形成する（請求項
２）。 (2) 段付き溝部を階段状に形成してその上段側溝部に接
着剤の溜まりスペースを形成する（請求項３）。 上記のように外囲樹脂ケースの接合部に形成した段付き
溝部を面取り，あるいは階段状となして接着剤の溜まり
スペースを形成することにより、該部に接着剤を塗布し
て樹脂ケースを金属ベース板の周縁部に重ね合わせた際
に、余剰の接着剤材（液状）が前記の溜まりスペースに
取り込まれてこの部分に留まり、樹脂ケースの外側には
み出してバリを形成することがなくなる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
１，図２に示す実施例に基づいて説明する。なお、各実
施例の図中で図３に対応する同一部材には同じ符号がふ
してある。 〔実施例１〕図１(a),(b) はこの発明の請求項１，２に
対応する実施例を示すものである。この実施例において
は、外囲樹脂ケース４の底部内周縁に沿って形成した段
付き溝部４ａに対し、溝部４ａの内周縁を斜めカットし
て面取り部４ｂを作り、この部分に断面形状が三角にな
る接着剤の溜まり部４ｃを形成する。
１，図２に示す実施例に基づいて説明する。なお、各実
施例の図中で図３に対応する同一部材には同じ符号がふ
してある。 〔実施例１〕図１(a),(b) はこの発明の請求項１，２に
対応する実施例を示すものである。この実施例において
は、外囲樹脂ケース４の底部内周縁に沿って形成した段
付き溝部４ａに対し、溝部４ａの内周縁を斜めカットし
て面取り部４ｂを作り、この部分に断面形状が三角にな
る接着剤の溜まり部４ｃを形成する。
【０００９】そして、前記した形状の接合面に接着剤７
を塗布した上で、図１(b) のように外囲樹脂ケース４を
金属ベース板１の周縁に上方から重ね合わせて加圧力を
加えると、余剰の接着剤７は樹脂ケース４の外側にはみ
出さずに前記溜まりスペース７ｃの方に押し出されてこ
のスペース内に取り込まれる。この結果、図３で示した
ように接着剤７が樹脂ケース４の外側にはみ出してバリ
７ａが生じる作ることがなくなる。なお、このことは検
証のために発明者等が行った試作品のテスト結果からも
確認されている。
を塗布した上で、図１(b) のように外囲樹脂ケース４を
金属ベース板１の周縁に上方から重ね合わせて加圧力を
加えると、余剰の接着剤７は樹脂ケース４の外側にはみ
出さずに前記溜まりスペース７ｃの方に押し出されてこ
のスペース内に取り込まれる。この結果、図３で示した
ように接着剤７が樹脂ケース４の外側にはみ出してバリ
７ａが生じる作ることがなくなる。なお、このことは検
証のために発明者等が行った試作品のテスト結果からも
確認されている。
【００１０】〔実施例２〕図２(a),(b) はこの発明の請
求項１，３に対応する応用実施例をを示すものであり、
この実施例では先記した段付き溝部４ａが階段状に形成
されており、その上段側の溝部４ｄの部分で接着剤の溜
まりスペース４ｃを形成する。この実施例においても、
先記実施例１と同様に、段付き溝部に接着剤７を塗布
し、図２(b) のように外囲樹脂ケース４を金属ベース板
１の周縁に上方から重ね合わせて加圧力を加えると、余
剰の接着剤７は樹脂ケース４の外側にはみ出さずに前記
溜まりスペース７ｃの方に押し出されてこのスペース内
に留まり、樹脂ケース４の外側にはみ出すことがなくな
る。
求項１，３に対応する応用実施例をを示すものであり、
この実施例では先記した段付き溝部４ａが階段状に形成
されており、その上段側の溝部４ｄの部分で接着剤の溜
まりスペース４ｃを形成する。この実施例においても、
先記実施例１と同様に、段付き溝部に接着剤７を塗布
し、図２(b) のように外囲樹脂ケース４を金属ベース板
１の周縁に上方から重ね合わせて加圧力を加えると、余
剰の接着剤７は樹脂ケース４の外側にはみ出さずに前記
溜まりスペース７ｃの方に押し出されてこのスペース内
に留まり、樹脂ケース４の外側にはみ出すことがなくな
る。
【００１１】
【発明の効果】以上述べたように、この発明の構成によ
れば、半導体装置の外囲樹脂ケースを金属ベース板の周
縁に重ね合わせて接着剤で接合する際に、その接合面に
塗布した接着剤が樹脂ケースの外側にはみ出することが
なく、これにより従来の製品で問題となっていたバリ取
り作業が必要なくなって製品の品質が向上する。
れば、半導体装置の外囲樹脂ケースを金属ベース板の周
縁に重ね合わせて接着剤で接合する際に、その接合面に
塗布した接着剤が樹脂ケースの外側にはみ出することが
なく、これにより従来の製品で問題となっていたバリ取
り作業が必要なくなって製品の品質が向上する。
【図１】この発明の実施例１に対応するパッケージの構
成図であり、(a),(b) はそれぞれ接着前，接着後の状態
を表す要部構造の断面図
成図であり、(a),(b) はそれぞれ接着前，接着後の状態
を表す要部構造の断面図
【図２】この発明の実施例２に対応するパッケージの構
成図であり、(a),(b) はそれぞれ接着前，接着後の状態
を表す要部構造の断面図
成図であり、(a),(b) はそれぞれ接着前，接着後の状態
を表す要部構造の断面図
【図３】パッケージ接合部分の従来構造を示す要部断面
図
図
【図４】この発明の実施対象となるパワートランジスタ
モジュールの構成図であり、(a) は組立前の分解斜視
図、(b) の組立状態の外観斜視図
モジュールの構成図であり、(a) は組立前の分解斜視
図、(b) の組立状態の外観斜視図
１ 金属ベース板 ２，３ 回路ブロック ４ 外囲樹脂ケース ４ａ 段付き溝部 ４ｂ 面取り部 ４ｃ 接着剤の溜まりスペース ４ｄ 階段状の上段側溝部 ７ 接着剤
Claims (3)
- 【請求項１】回路組立体を搭載した放熱用金属ベース板
の周縁に外囲樹脂ケースを重ね合わせ、両者間を接着剤
で接合した半導体装置のパッケージであり、外囲樹脂ケ
ースの底部内周縁に沿って段付き溝部を形成し、該溝部
に接着剤を塗布するようにしたものにおいて、前記の段
付き溝部に接着剤の溜まりスペースを形成したことを特
徴とする半導体装置のパッケージ。 - 【請求項２】請求項１記載のパッケージにおいて、段付
き溝部の内周縁を面取して該面取り部に接着剤の溜まり
スペースを形成したことを特徴とする半導体装置のパッ
ケージ。 - 【請求項３】請求項１記載のパッケージにおいて、段付
き溝部を階段状となしてその上段側溝部に接着剤の溜ま
りスペースを形成したことを特徴とする半導体装置のパ
ッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11122898A JPH11307658A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 半導体装置のパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11122898A JPH11307658A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 半導体装置のパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307658A true JPH11307658A (ja) | 1999-11-05 |
Family
ID=14555808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11122898A Pending JPH11307658A (ja) | 1998-04-22 | 1998-04-22 | 半導体装置のパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11307658A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265982B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP2010093057A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Shizuki Electric Co Inc | 樹脂封止電気部品及びその製造方法 |
| JP2011031696A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 制御ユニット |
| JP2011096750A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shizuki Electric Co Inc | コンデンサ |
| WO2016075788A1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 三菱電機株式会社 | 防水型制御ユニット、及び防水型制御ユニットの製造方法 |
| CN109801882A (zh) * | 2017-11-17 | 2019-05-24 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| DE102018214055A1 (de) | 2017-11-27 | 2019-05-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung |
| US10748830B2 (en) | 2016-09-20 | 2020-08-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US12021001B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-06-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module and manufacturing method of semiconductor module |
-
1998
- 1998-04-22 JP JP11122898A patent/JPH11307658A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265982B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP2010093057A (ja) * | 2008-10-08 | 2010-04-22 | Shizuki Electric Co Inc | 樹脂封止電気部品及びその製造方法 |
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| JP2011096750A (ja) * | 2009-10-28 | 2011-05-12 | Shizuki Electric Co Inc | コンデンサ |
| WO2016075788A1 (ja) * | 2014-11-13 | 2016-05-19 | 三菱電機株式会社 | 防水型制御ユニット、及び防水型制御ユニットの製造方法 |
| US10106107B2 (en) | 2014-11-13 | 2018-10-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Waterproof type control unit and waterproof type control unit manufacturing method |
| US10748830B2 (en) | 2016-09-20 | 2020-08-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| CN109801882A (zh) * | 2017-11-17 | 2019-05-24 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
| US20190164858A1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-05-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor apparatus and electric power conversion apparatus |
| CN109841604A (zh) * | 2017-11-27 | 2019-06-04 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及电力变换装置 |
| JP2019096797A (ja) * | 2017-11-27 | 2019-06-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| DE102018214055A1 (de) | 2017-11-27 | 2019-05-29 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung und elektrische Leistungsumwandlungsvorrichtung |
| US10892200B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-01-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor apparatus and electric power conversion apparatus |
| CN109841604B (zh) * | 2017-11-27 | 2023-09-19 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及电力变换装置 |
| US12021001B2 (en) | 2020-08-27 | 2024-06-25 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor module and manufacturing method of semiconductor module |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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Effective date: 20040121 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
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Effective date: 20040422 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050809 |