JPH11258638A - ゲストホスト型液晶表示装置 - Google Patents
ゲストホスト型液晶表示装置Info
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- JPH11258638A JPH11258638A JP10057905A JP5790598A JPH11258638A JP H11258638 A JPH11258638 A JP H11258638A JP 10057905 A JP10057905 A JP 10057905A JP 5790598 A JP5790598 A JP 5790598A JP H11258638 A JPH11258638 A JP H11258638A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高反射率で視角特性に優れ暗表示が着色しない
反射型のゲストホスト型液晶表示装置の提供。 【解決手段】反射電極(21)とゲストホスト液晶層(1
6)との間に透明層と位相板を設け、透明層(18、1
9)の厚さを制御して、その上に形成した位相板(17)
のリタデーションを対応するカラーフィルタ(61〜6
3)の主な透過光波長の4分の1とする。
反射型のゲストホスト型液晶表示装置の提供。 【解決手段】反射電極(21)とゲストホスト液晶層(1
6)との間に透明層と位相板を設け、透明層(18、1
9)の厚さを制御して、その上に形成した位相板(17)
のリタデーションを対応するカラーフィルタ(61〜6
3)の主な透過光波長の4分の1とする。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に液晶層に2色性色素を添加したゲストホスト型
の液晶表示装置に関する。
り、特に液晶層に2色性色素を添加したゲストホスト型
の液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、これまでノート型のパ
ーソナルコンピュータ等のインターフェイスとして普及
してきた。そして、あらゆる電子機器において高機能化
とネットワーク化の進展に伴い、液晶表示装置の適用範
囲も一段と広がることが予想される。
ーソナルコンピュータ等のインターフェイスとして普及
してきた。そして、あらゆる電子機器において高機能化
とネットワーク化の進展に伴い、液晶表示装置の適用範
囲も一段と広がることが予想される。
【0003】こうした液晶表示装置の普及につれて、液
晶表示装置自体もより一層の低消費電力化が重要とな
り、特に、バックライトを必要としない反射型液晶表示
装置はこの要求に応えるものである。
晶表示装置自体もより一層の低消費電力化が重要とな
り、特に、バックライトを必要としない反射型液晶表示
装置はこの要求に応えるものである。
【0004】ゲストホスト型液晶表示装置は偏光板を用
いないため、光利用効率が高い。これを反射型液晶表示
装置に適用すると、高反射率の表示が得られる可能性が
ある。ゲストホスト型液晶表示装置には幾つかの種類が
あり、位相板方式もそのうちの一つである。
いないため、光利用効率が高い。これを反射型液晶表示
装置に適用すると、高反射率の表示が得られる可能性が
ある。ゲストホスト型液晶表示装置には幾つかの種類が
あり、位相板方式もそのうちの一つである。
【0005】位相板方式のゲストホスト型液晶表示装置
の表示原理の説明に当たり、まず位相板が無いゲストホ
スト型液晶表示装置の場合について図2に示す。
の表示原理の説明に当たり、まず位相板が無いゲストホ
スト型液晶表示装置の場合について図2に示す。
【0006】液晶層への入射光51は、2種類の固有偏
光(直線偏光)31,32に分解されて液晶層中を伝播
する。しかし、2色性色素はその平均の配向方向が液晶
層16と等しいため、2種類の固有偏光のうちの振動方
向が配向方向に平行な吸収成分の固有偏光31しか十分
に吸収されない。もう一方の透過成分の固有偏光32は
ほとんど吸収されずにそのまま反射電極21で反射光5
2となって液晶層16を透過する。従って、低コントラ
スト比になる。
光(直線偏光)31,32に分解されて液晶層中を伝播
する。しかし、2色性色素はその平均の配向方向が液晶
層16と等しいため、2種類の固有偏光のうちの振動方
向が配向方向に平行な吸収成分の固有偏光31しか十分
に吸収されない。もう一方の透過成分の固有偏光32は
ほとんど吸収されずにそのまま反射電極21で反射光5
2となって液晶層16を透過する。従って、低コントラ
スト比になる。
【0007】次に、位相板方式のゲストホスト型液晶表
示装置の構成と表示原理を図3に示す。液晶層16と反
射電極21との間に位相板17を設ける。該位相板のリ
タデーションは4分の1波長とする。
示装置の構成と表示原理を図3に示す。液晶層16と反
射電極21との間に位相板17を設ける。該位相板のリ
タデーションは4分の1波長とする。
【0008】振動方向が配向方向に垂直な透過成分の固
有偏光32は、液晶層16ではほとんど吸収されずに位
相板17に入射するが、位相板17を通過し、反射電極
21で反射され、再び、位相板17を通過する過程で振
動方向が配向方向に平行な直線偏光31に変換される。
これにより入射時にほとんど吸収されなかった成分(固
有偏光32)も液晶層16で吸収され、暗表示の反射率
が十分に低下する。
有偏光32は、液晶層16ではほとんど吸収されずに位
相板17に入射するが、位相板17を通過し、反射電極
21で反射され、再び、位相板17を通過する過程で振
動方向が配向方向に平行な直線偏光31に変換される。
これにより入射時にほとんど吸収されなかった成分(固
有偏光32)も液晶層16で吸収され、暗表示の反射率
が十分に低下する。
【0009】しかし、従来の位相板方式では、暗表示が
紫色に着色すると云う問題があった。その理由を図4で
説明する。
紫色に着色すると云う問題があった。その理由を図4で
説明する。
【0010】図4では、理想的な位相板のリタデーショ
ン波長分散を破線41で示した。位相板のリタデーショ
ンが全可視波長域で4分の1波長であれば、図3で説明
した偏光変換が全可視波長でなされる。しかし、位相板
のリタデーションは、図4の実線42で示す様に波長の
増大と共に減少するため、破線41と実線42は可視波
長域の一点(550nm)でしか交わらない。
ン波長分散を破線41で示した。位相板のリタデーショ
ンが全可視波長域で4分の1波長であれば、図3で説明
した偏光変換が全可視波長でなされる。しかし、位相板
のリタデーションは、図4の実線42で示す様に波長の
増大と共に減少するため、破線41と実線42は可視波
長域の一点(550nm)でしか交わらない。
【0011】図4は、視感度が最大となる550nmで
両者を一致させた場合である。破線41と実線42とが
大きく離れる両端の可視波長域では図3に示す偏光変換
が成立せず、暗表示の反射率が十分に低下しない。即
ち、主に赤と青の光が漏れるために、暗表示が紫色に着
色する。なお、位相板方式は、特開平9−90431号
公報がある。
両者を一致させた場合である。破線41と実線42とが
大きく離れる両端の可視波長域では図3に示す偏光変換
が成立せず、暗表示の反射率が十分に低下しない。即
ち、主に赤と青の光が漏れるために、暗表示が紫色に着
色する。なお、位相板方式は、特開平9−90431号
公報がある。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置はカラー
表示のためにカラーフィルタを備えており、赤(R)、
緑(G)、(青)Bの各カラーフィルタに対応した3種
類の画素で構成される。特開平9−90431号公報で
は、位相板のリタデーションをこの各画素毎に異なる値
に設定している。
表示のためにカラーフィルタを備えており、赤(R)、
緑(G)、(青)Bの各カラーフィルタに対応した3種
類の画素で構成される。特開平9−90431号公報で
は、位相板のリタデーションをこの各画素毎に異なる値
に設定している。
【0013】例えば、図5に示す様に位相板のリタデー
ションを各カラーフィルタの主な透過波長の4分の1波
長に設定したとする。この時の実効的な位相板リタデー
ションの波長分散を、まとめて図6に実線47で示す。
ションを各カラーフィルタの主な透過波長の4分の1波
長に設定したとする。この時の実効的な位相板リタデー
ションの波長分散を、まとめて図6に実線47で示す。
【0014】例えば、600〜700nmはRのカラー
フィルタの透過率極大に対応するため、この波長域の表
示特性はRのカラーフィルタに対応する位相板で実質的
に決定される。同様に、400〜500nmはBのカラ
ーフィルタに対応する位相板で、500〜600nmは
Gのカラーフィルタに対応する位相板でそれぞれ実質的
に決定される。その結果、実効的な位相板リタデーショ
ンの波長分散47は理想の波長分散41に近づく。これ
によってRとBの光の漏れが抑えられ、暗表示の着色が
解消される。
フィルタの透過率極大に対応するため、この波長域の表
示特性はRのカラーフィルタに対応する位相板で実質的
に決定される。同様に、400〜500nmはBのカラ
ーフィルタに対応する位相板で、500〜600nmは
Gのカラーフィルタに対応する位相板でそれぞれ実質的
に決定される。その結果、実効的な位相板リタデーショ
ンの波長分散47は理想の波長分散41に近づく。これ
によってRとBの光の漏れが抑えられ、暗表示の着色が
解消される。
【0015】特開平9−90431号公報では、光反応
性の高分子を原料とし、フォトマスクを用いてR、G、
Bの各画素毎に位相板を形成している。
性の高分子を原料とし、フォトマスクを用いてR、G、
Bの各画素毎に位相板を形成している。
【0016】しかし、Rの位相板を形成後にGの位相板
を形成すると、Gの位相板の形成工程でRの位相板が損
なわれ、リタデーション値の低下等が生じ易い。
を形成すると、Gの位相板の形成工程でRの位相板が損
なわれ、リタデーション値の低下等が生じ易い。
【0017】これを防ぐためには、例えば、Gの位相板
を形成する際には、その前に形成したRの位相板上に保
護層を形成することが考えられる。しかし、こうした保
護層は電極間に液晶層以外の層を介在させることにな
り、肝心の液晶層に印加される電圧値が低下し、その結
果、コントラスト比や明表示の反射率が低下する。
を形成する際には、その前に形成したRの位相板上に保
護層を形成することが考えられる。しかし、こうした保
護層は電極間に液晶層以外の層を介在させることにな
り、肝心の液晶層に印加される電圧値が低下し、その結
果、コントラスト比や明表示の反射率が低下する。
【0018】本発明の目的は、上記に鑑み最適構造の位
相板方式のゲストホスト型液晶表示装置の提供にある。
相板方式のゲストホスト型液晶表示装置の提供にある。
【0019】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は下記のとおりである。
明の要旨は下記のとおりである。
【0020】第一の基板と第二の基板で挟持された2色
性色素を含む液晶層を有し、前記第一の基板は液晶層と
近接する側に共通電極とカラーフィルタを備え、前記第
二の基板は液晶層に電界を印加する反射電極と画素電極
およびこれに接続されたアクティブ素子を備え、前記反
射電極と液晶層の間に位相板を有し、該位相板の遅相軸
は液晶層の配向方向に対して45度を成す様に形成さ
れ、第一の基板と第二の基板は液晶層と接する面に配向
膜を備えたゲストホスト型液晶表示装置において、
〔1〕 前記位相板は画素電極上に透明層を介して設け
られており、該透明層の厚さはその上に形成される位相
板のリタデーションが、対応する各カラーフィルタの主
な透過光波長の4分の1波長となる厚さに形成されてい
ることを特徴とするゲストホスト型液晶表示装置にあ
る。
性色素を含む液晶層を有し、前記第一の基板は液晶層と
近接する側に共通電極とカラーフィルタを備え、前記第
二の基板は液晶層に電界を印加する反射電極と画素電極
およびこれに接続されたアクティブ素子を備え、前記反
射電極と液晶層の間に位相板を有し、該位相板の遅相軸
は液晶層の配向方向に対して45度を成す様に形成さ
れ、第一の基板と第二の基板は液晶層と接する面に配向
膜を備えたゲストホスト型液晶表示装置において、
〔1〕 前記位相板は画素電極上に透明層を介して設け
られており、該透明層の厚さはその上に形成される位相
板のリタデーションが、対応する各カラーフィルタの主
な透過光波長の4分の1波長となる厚さに形成されてい
ることを特徴とするゲストホスト型液晶表示装置にあ
る。
【0021】〔2〕 前記位相板はそのリタデーション
が、これと対応する赤,緑,青の各カラーフィルタ毎
に、その主な透過光波長の4分の1波長となる厚さに形
成されており、緑と青の各カラーフィルタに対応する位
相板はそれぞれ透明層の上に設けられており、該緑と青
の各カラーフィルタに対応する位相板と透明層とを合わ
せた層厚が、赤のカラーフィルタに対応する位相板の厚
さと実質的に同じになるよう形成されていることを特徴
とするゲストホスト型液晶表示装置にある。
が、これと対応する赤,緑,青の各カラーフィルタ毎
に、その主な透過光波長の4分の1波長となる厚さに形
成されており、緑と青の各カラーフィルタに対応する位
相板はそれぞれ透明層の上に設けられており、該緑と青
の各カラーフィルタに対応する位相板と透明層とを合わ
せた層厚が、赤のカラーフィルタに対応する位相板の厚
さと実質的に同じになるよう形成されていることを特徴
とするゲストホスト型液晶表示装置にある。
【0022】〔3〕 前記位相板はそのリタデーション
が、これと対応する赤,緑,青の各カラーフィルタ毎
に、その主な透過光波長の4分の1波長となるよう、そ
の下層に設けた透明層の厚さを制御することで形成され
ており、前記位相板と透明層とを合わせた層厚が対応す
る各カラーフィルタにおいて実質的に同じになるよう形
成されていることを特徴とするゲストホスト型液晶表示
装置にある。
が、これと対応する赤,緑,青の各カラーフィルタ毎
に、その主な透過光波長の4分の1波長となるよう、そ
の下層に設けた透明層の厚さを制御することで形成され
ており、前記位相板と透明層とを合わせた層厚が対応す
る各カラーフィルタにおいて実質的に同じになるよう形
成されていることを特徴とするゲストホスト型液晶表示
装置にある。
【0023】〔4〕 前記各カラーフィルタに対応する
各画素に設けた位相板の液晶層側の表面が、全画素面で
フラットになるよう形成されている前記のゲストホスト
型液晶表示装置にある。
各画素に設けた位相板の液晶層側の表面が、全画素面で
フラットになるよう形成されている前記のゲストホスト
型液晶表示装置にある。
【0024】〔5〕 前記各カラーフィルタに対応する
各画素が、液晶層の配向方向が異なる2以上の微小領域
で1画素が構成されている前記のゲストホスト型液晶表
示装置にある。
各画素が、液晶層の配向方向が異なる2以上の微小領域
で1画素が構成されている前記のゲストホスト型液晶表
示装置にある。
【0025】
【発明の実施の形態】本発明は、位相板と電極の間に透
明層を設け、該透明層の厚さを変えることにより近接す
る位相板の厚さをR、G、Bの各画素毎に変えて、位相
板のリタデーションをR、G、Bの各画素毎に変えるこ
とにある。
明層を設け、該透明層の厚さを変えることにより近接す
る位相板の厚さをR、G、Bの各画素毎に変えて、位相
板のリタデーションをR、G、Bの各画素毎に変えるこ
とにある。
【0026】具体的には、波長の最も短いBの画素にお
いて透明層の厚さを最も厚くし、次いで波長の短いGの
画素では透明層の厚さをBの画素よりも厚くし、波長の
最も長いRの画素において透明層の厚さを最も薄くす
る。
いて透明層の厚さを最も厚くし、次いで波長の短いGの
画素では透明層の厚さをBの画素よりも厚くし、波長の
最も長いRの画素において透明層の厚さを最も薄くす
る。
【0027】このような透明層は次の様にして形成する
ことができる。透明層を3層の透明層、即ち、第一の透
明層、第二の透明層、第三の透明層で構成する。第一の
透明層はR、G、Bの各画素全てに分布する様に形成す
る。第二の透明層はG、Bの画素に分布する様に形成す
る。そして、第三の透明層はBの画素だけに分布する様
に形成する。こうした透明層の上に位相板を形成する。
ことができる。透明層を3層の透明層、即ち、第一の透
明層、第二の透明層、第三の透明層で構成する。第一の
透明層はR、G、Bの各画素全てに分布する様に形成す
る。第二の透明層はG、Bの画素に分布する様に形成す
る。そして、第三の透明層はBの画素だけに分布する様
に形成する。こうした透明層の上に位相板を形成する。
【0028】また、Rの画素には透明層を設けないこと
もできる。即ち、透明層を第一の透明層、第二の透明層
で構成し、第一の透明層はG、Bの画素に分布する様に
形成し、第二の透明層はBの画素だけに分布する様に形
成する。
もできる。即ち、透明層を第一の透明層、第二の透明層
で構成し、第一の透明層はG、Bの画素に分布する様に
形成し、第二の透明層はBの画素だけに分布する様に形
成する。
【0029】透明層としては、例えば、窒化珪素(Si
Nx)膜の様な無機材料で形成してもよい。また、アク
リル系樹脂やエポキシ樹脂等の有機高分子材料で形成し
てもよい。さらにまた、厚さ1μm程度で十分に透明
で、かつ、光学的に等方性な材料であれば透明層として
用いることができる。
Nx)膜の様な無機材料で形成してもよい。また、アク
リル系樹脂やエポキシ樹脂等の有機高分子材料で形成し
てもよい。さらにまた、厚さ1μm程度で十分に透明
で、かつ、光学的に等方性な材料であれば透明層として
用いることができる。
【0030】位相板に機械的なストレスを与えないた
め、位相板上の配向膜には光反応性の有機高分子膜を用
い、これに偏光を照射して配向処理を施す。
め、位相板上の配向膜には光反応性の有機高分子膜を用
い、これに偏光を照射して配向処理を施す。
【0031】また、この時に偏光の振動方向を変えて1
画素内に複数回偏光を照射し、1画素内に液晶層に対す
る配向方向が異なる複数の微小領域を形成する。
画素内に複数回偏光を照射し、1画素内に液晶層に対す
る配向方向が異なる複数の微小領域を形成する。
【0032】位相板の厚さは、近接する透明層の厚さに
より決定されるため、位相板は、例えばスピンコートや
印刷などの方法でR、G、Bの各画素を一度に形成でき
るので、従来のフォトマスク等を用いてR、G、Bの各
画素毎に位相板を形成する場合に生ずる様々な問題を回
避することができる。例えば、位相板の形成工程での
R、G、Bの各画素の内、ある特定の画素の位相板のリ
タデーションが低下する等の恐れがない。
より決定されるため、位相板は、例えばスピンコートや
印刷などの方法でR、G、Bの各画素を一度に形成でき
るので、従来のフォトマスク等を用いてR、G、Bの各
画素毎に位相板を形成する場合に生ずる様々な問題を回
避することができる。例えば、位相板の形成工程での
R、G、Bの各画素の内、ある特定の画素の位相板のリ
タデーションが低下する等の恐れがない。
【0033】また、位相板形成時の保護層を必要としな
いため、位相板と透明電極の厚さの合計を1μm以下に
することができ、印加電圧の低下によるコントラスト比
や明表示の反射率低下を抑制することができる。
いため、位相板と透明電極の厚さの合計を1μm以下に
することができ、印加電圧の低下によるコントラスト比
や明表示の反射率低下を抑制することができる。
【0034】1画素内に液晶層の配向方向が異なる複数
の微小領域を設けることにより、液晶層が本来有する表
示特性の方位角依存性が相殺され、どの方位角からもほ
ぼ同一の表示特性が得られる。
の微小領域を設けることにより、液晶層が本来有する表
示特性の方位角依存性が相殺され、どの方位角からもほ
ぼ同一の表示特性が得られる。
【0035】
【実施例】次に本発明を実施例により具体的に説明す
る。
る。
【0036】〔実施例 1〕図1に本発明の液晶表示装
置の模式断面図を示す。図は3つの画素部を示し、右側
よりR、G、Bの各色に対応する。一対の基板のうちの
第一の基板10は、厚さ0.7mmのホウケイ酸ガラス
製で、カラーフィルタ15、共通電極24が積層されて
いる。
置の模式断面図を示す。図は3つの画素部を示し、右側
よりR、G、Bの各色に対応する。一対の基板のうちの
第一の基板10は、厚さ0.7mmのホウケイ酸ガラス
製で、カラーフィルタ15、共通電極24が積層されて
いる。
【0037】共通電極24はITO(Indium Tin Ox
ide)製で、その厚さは1000Åである。カラーフィ
ルタ15は顔料分散法で作製した。その透過スペクトル
を図8に示す。透過率の極大はR、G、Bでそれぞれお
よそ620nm、540nm、480nmの波長にあ
る。
ide)製で、その厚さは1000Åである。カラーフィ
ルタ15は顔料分散法で作製した。その透過スペクトル
を図8に示す。透過率の極大はR、G、Bでそれぞれお
よそ620nm、540nm、480nmの波長にあ
る。
【0038】一対の基板のうちの第二の基板11は、第
一の基板10と同じ材質と厚さであり、反射電極21、
アクティブ素子20を有する。反射電極21はAl製
で、その厚さは2000Åである。アクティブ素子20
は逆スタガ型の薄膜トランジスタである。
一の基板10と同じ材質と厚さであり、反射電極21、
アクティブ素子20を有する。反射電極21はAl製
で、その厚さは2000Åである。アクティブ素子20
は逆スタガ型の薄膜トランジスタである。
【0039】反射電極21は1画素毎に形成し、その形
状はほぼ長方形で、大きさは約100μm×300μm
である。反射電極21とアクティブ素子20はスルーホ
ール22で接続されており、各画素の反射電極21とス
ルーホール22はSiNx製の絶縁層25で絶縁されて
いる。
状はほぼ長方形で、大きさは約100μm×300μm
である。反射電極21とアクティブ素子20はスルーホ
ール22で接続されており、各画素の反射電極21とス
ルーホール22はSiNx製の絶縁層25で絶縁されて
いる。
【0040】第二の基板側の反射電極21上に位相板1
7を形成した。その形成工程を図7に示す。フォトリソ
グラフにより第一の透明膜19をG、Bのカラーフィル
タに対応する反射電極72、73上に形成した〔図7
(a)〕。
7を形成した。その形成工程を図7に示す。フォトリソ
グラフにより第一の透明膜19をG、Bのカラーフィル
タに対応する反射電極72、73上に形成した〔図7
(a)〕。
【0041】次に、第二の透明膜18をBのカラーフィ
ルタに対応する反射電極73上に形成した〔図7
(b)〕。第一の透明膜19と第二の透明膜18にはS
iNxを用い、膜厚はそれぞれ0.13μm、0.09μ
mとした。
ルタに対応する反射電極73上に形成した〔図7
(b)〕。第一の透明膜19と第二の透明膜18にはS
iNxを用い、膜厚はそれぞれ0.13μm、0.09μ
mとした。
【0042】次に、第一の光配向膜12をスピンコート
法にて形成し、これに光を照射して配向処理を施した
〔図7(c)〕。
法にて形成し、これに光を照射して配向処理を施した
〔図7(c)〕。
【0043】第一の光配向膜12上に光重合性の液晶分
子を形成した。光重合性液晶分子層は十分に薄いため光
配向膜の配向規制力が層全体におよび、同層は光配向膜
で規定された方向に対して平行にホモジニアス配向を形
成した。その後これに光照射して光重合性の液晶分子を
重合させ、位相板17とした〔図7(d)〕。
子を形成した。光重合性液晶分子層は十分に薄いため光
配向膜の配向規制力が層全体におよび、同層は光配向膜
で規定された方向に対して平行にホモジニアス配向を形
成した。その後これに光照射して光重合性の液晶分子を
重合させ、位相板17とした〔図7(d)〕。
【0044】その後、第二の光配向膜13をスピンコー
ト法にて形成し、これに光を照射して配向処理を施した
〔図7(e)〕。第一の光配向膜12と第二の光配向膜
13の配向方向は、互いに45゜を成す様にした。
ト法にて形成し、これに光を照射して配向処理を施した
〔図7(e)〕。第一の光配向膜12と第二の光配向膜
13の配向方向は、互いに45゜を成す様にした。
【0045】第一の透明膜19と第二の透明膜18の膜
厚は次の様にして決定した。カラーフィルタの透過率の
極大はR、G、Bでそれぞれ620nm、540nm、
480nmの波長にある。その4分の1波長はそれぞれ
155nm、135nm、120nmであり、後述の様
に位相板17の複屈折を0.16とすると、各カラーフ
ィルタの透過率極大波長で位相板17のリタデーション
を4分の1波長にするためには、位相板17の厚さはそ
れぞれ0.97μm、0.84μm、0.75μmとする
べきである。
厚は次の様にして決定した。カラーフィルタの透過率の
極大はR、G、Bでそれぞれ620nm、540nm、
480nmの波長にある。その4分の1波長はそれぞれ
155nm、135nm、120nmであり、後述の様
に位相板17の複屈折を0.16とすると、各カラーフ
ィルタの透過率極大波長で位相板17のリタデーション
を4分の1波長にするためには、位相板17の厚さはそ
れぞれ0.97μm、0.84μm、0.75μmとする
べきである。
【0046】従って、Rに対応する位相板17が最も厚
く、GとRの厚さの差は0.13μm、BとGの厚さの
差は0.09μmである。これより、第一の透明膜19
と第二の透明膜18の膜厚はそれぞれ0.13μm、0.
09μmとなる。
く、GとRの厚さの差は0.13μm、BとGの厚さの
差は0.09μmである。これより、第一の透明膜19
と第二の透明膜18の膜厚はそれぞれ0.13μm、0.
09μmとなる。
【0047】第一の光配向膜12と第二の光配向膜13
は、パラメトキシ桂皮酸を側鎖に有するポリビニルエス
テルを用いた。その分子構造を〔化1〕式に示す。
は、パラメトキシ桂皮酸を側鎖に有するポリビニルエス
テルを用いた。その分子構造を〔化1〕式に示す。
【0048】
【化1】
【0049】〔化1〕式のnは、通常およそ20〜10
000の間に分布する。この有機配向膜は、光照射によ
り側鎖のパラメトキシ桂皮酸が光2量化反応を起こす。
照射光に直線偏光を用いれば、その電気ベクトルの振動
方向により光反応を生じる2つのパラメトキシ桂皮酸の
組み合わせを選択できるため、光反応で生じる化学結合
の方向を制御することができる。液晶分子は直線偏光の
振動方向の垂直方向に配向することが経験的に知られて
いるため、照射光(直線偏光)の振動方向により液晶の
配向方向を制御できる。
000の間に分布する。この有機配向膜は、光照射によ
り側鎖のパラメトキシ桂皮酸が光2量化反応を起こす。
照射光に直線偏光を用いれば、その電気ベクトルの振動
方向により光反応を生じる2つのパラメトキシ桂皮酸の
組み合わせを選択できるため、光反応で生じる化学結合
の方向を制御することができる。液晶分子は直線偏光の
振動方向の垂直方向に配向することが経験的に知られて
いるため、照射光(直線偏光)の振動方向により液晶の
配向方向を制御できる。
【0050】光源には波長320nmに輝線を有する高
圧水銀灯を用い、グラントムソンプリズムを介すること
により、自然光である光源光を直線偏光にした。照射光
量は5J/cm2、照射時間は2分とした。この照射条
件で全ての光反応は終了し、例えば、第一の光配向膜1
2に配向処理した後に第二の光配向膜13に配向処理し
ても、第一の光配向膜12の配向状態が実質上乱される
ことはない。
圧水銀灯を用い、グラントムソンプリズムを介すること
により、自然光である光源光を直線偏光にした。照射光
量は5J/cm2、照射時間は2分とした。この照射条
件で全ての光反応は終了し、例えば、第一の光配向膜1
2に配向処理した後に第二の光配向膜13に配向処理し
ても、第一の光配向膜12の配向状態が実質上乱される
ことはない。
【0051】これらの光配向膜と光配向技術に関して
は、例えば、日本特許第2608661号、Martin S
chadt,Hubert Seiberle,Andreas Schusterらの文
献(NATURE Vol.381,16 May 199
5)に詳細に記載されている。〔化1〕に示した光配向
膜の他にも、例えば、カルコン系有機高分子も同様にし
て用いることができる。
は、例えば、日本特許第2608661号、Martin S
chadt,Hubert Seiberle,Andreas Schusterらの文
献(NATURE Vol.381,16 May 199
5)に詳細に記載されている。〔化1〕に示した光配向
膜の他にも、例えば、カルコン系有機高分子も同様にし
て用いることができる。
【0052】光重合性液晶分子にはDirk J.Broer,
Rifat A.M.Hikment,Ger Challaらの文献〔Makr
omol.Chem.Vol.190,3201〜3215(1
989)〕に記載されているものを用いた。〔化2〕に
その分子構造を示す。
Rifat A.M.Hikment,Ger Challaらの文献〔Makr
omol.Chem.Vol.190,3201〜3215(1
989)〕に記載されているものを用いた。〔化2〕に
その分子構造を示す。
【0053】
【化2】
【0054】光重合性液晶分子は両端にアクリル基を有
し、これによりポリマー状に重合することができる。ま
た、中央部のメゾゲン部と棒状構造とにより液晶状態を
とることができる。重合後の複屈折は、重合条件にもよ
るがおよそ0.15〜0.16の値になる。
し、これによりポリマー状に重合することができる。ま
た、中央部のメゾゲン部と棒状構造とにより液晶状態を
とることができる。重合後の複屈折は、重合条件にもよ
るがおよそ0.15〜0.16の値になる。
【0055】光重合性液晶分子を用いた位相板17の形
成方法を次に述べる。第二の基板11を160℃に加熱
し、その上に溶媒に溶かした光重合性液晶分子を塗布し
た。その後溶媒を除き、光重合性液晶分子を160℃に
加熱して等方層にした。温度を140℃に下げて光重合
性液晶分子を液晶層とし、第一の光配向膜12の配向方
向に配向させた。次いで光照射して重合し、第一の光配
向膜12の配向方向を保った状態で位相板17とした。
成方法を次に述べる。第二の基板11を160℃に加熱
し、その上に溶媒に溶かした光重合性液晶分子を塗布し
た。その後溶媒を除き、光重合性液晶分子を160℃に
加熱して等方層にした。温度を140℃に下げて光重合
性液晶分子を液晶層とし、第一の光配向膜12の配向方
向に配向させた。次いで光照射して重合し、第一の光配
向膜12の配向方向を保った状態で位相板17とした。
【0056】光源には前記光配向膜の場合と同様に波長
320nmに輝線を有する高圧水銀灯を用いた。照射光
量は5J/cm2、照射時間は5分とした。
320nmに輝線を有する高圧水銀灯を用いた。照射光
量は5J/cm2、照射時間は5分とした。
【0057】光重合性液晶分子を膜状にするのにスピン
コート法で行ったが、その場合の回転数を100〜30
00rpmの範囲で細かく変えて、第二の基板11を多
数作製した。この中から、位相板17のリタデーション
が最も適切な値のものを次の様にして選別した。
コート法で行ったが、その場合の回転数を100〜30
00rpmの範囲で細かく変えて、第二の基板11を多
数作製した。この中から、位相板17のリタデーション
が最も適切な値のものを次の様にして選別した。
【0058】透過軸が位相板17の配向方向に対して4
5゜になる様にして、第二の基板11の上に偏光板を配
置した。位相板17が理想的な4分の1波長板であれ
ば、この状態で反射率が0%になる筈である。この状態
で第二の基板11の光反射を測定し、最も反射率が低い
ものを選択した。
5゜になる様にして、第二の基板11の上に偏光板を配
置した。位相板17が理想的な4分の1波長板であれ
ば、この状態で反射率が0%になる筈である。この状態
で第二の基板11の光反射を測定し、最も反射率が低い
ものを選択した。
【0059】第一の基板10の配向膜14には日産化学
製のポリイミド系有機高分子を用いた。配向膜14はラ
ビング法で配向処理を施し、組み立て時に第二の基板1
1の第二の光配向膜13と配向方向が互いに等しくなる
様にした。
製のポリイミド系有機高分子を用いた。配向膜14はラ
ビング法で配向処理を施し、組み立て時に第二の基板1
1の第二の光配向膜13と配向方向が互いに等しくなる
様にした。
【0060】次に、これらの2枚の基板10,11の配
向膜13,14が対向する様にして組み立てた。2枚の
基板間の距離と、表示部全面にわたって液晶層16の厚
さを均一にするため、両者の間にスペーサとシール部
(図示省略)を形成した。
向膜13,14が対向する様にして組み立てた。2枚の
基板間の距離と、表示部全面にわたって液晶層16の厚
さを均一にするため、両者の間にスペーサとシール部
(図示省略)を形成した。
【0061】スペーサは直径6μmの球状のポリマービ
ーズを用い、表示部全体に分散されている。分散密度は
1cm2あたり約100個とした。シール部はエポキシ
系樹脂に球状のポリマービーズを混合したものを表示部
の周辺に塗付,形成した。
ーズを用い、表示部全体に分散されている。分散密度は
1cm2あたり約100個とした。シール部はエポキシ
系樹脂に球状のポリマービーズを混合したものを表示部
の周辺に塗付,形成した。
【0062】液晶層16としては、三菱化成製のLA1
21−4を用い、封入口から真空封入した。LA121
−4は誘電率異方性が正で2色性色素を含み、ほぼ無彩
色を呈する。前記の第一、第二の基板の配向方向によ
り、ホモジニアス配向の液晶層16が得られた。
21−4を用い、封入口から真空封入した。LA121
−4は誘電率異方性が正で2色性色素を含み、ほぼ無彩
色を呈する。前記の第一、第二の基板の配向方向によ
り、ホモジニアス配向の液晶層16が得られた。
【0063】このようにして作製した液晶パネルの表面
に、光拡散フィルム23を貼り付け、使用者や周囲の光
景の映り込みを低減した。さらに駆動装置を接続し、液
晶表示装置とした。
に、光拡散フィルム23を貼り付け、使用者や周囲の光
景の映り込みを低減した。さらに駆動装置を接続し、液
晶表示装置とした。
【0064】以上の様にして反射電極21と液晶層16
の間に位相板17を有するゲストホスト型液晶表示装置
を作製した。Bのカラーフィルタに対応する反射電極7
3上には第一と第二の透明膜を形成し、Gのカラーフィ
ルタに対応する反射電極72上には第一の透明膜だけを
形成し、Rのカラーフィルタに対応する反射電極71上
には透明膜を形成しなかった。
の間に位相板17を有するゲストホスト型液晶表示装置
を作製した。Bのカラーフィルタに対応する反射電極7
3上には第一と第二の透明膜を形成し、Gのカラーフィ
ルタに対応する反射電極72上には第一の透明膜だけを
形成し、Rのカラーフィルタに対応する反射電極71上
には透明膜を形成しなかった。
【0065】さらに、光重合性液晶分子を等方層にし、
低粘度にした状態でスピンコート法でこれを表面が平坦
な膜状にした。これにより、その層厚がR、G、Bの各
反射電極71,72,73で異なる位相板17を形成し
た。即ち、Rを最も厚くし、次いでGを厚くし、Bを最
も薄くした。スピンコートの条件を適宜調節することに
より、R、G、B各位相板17のリタデーションを、対
応するカラーフィルタの主な透過光波長の4分の1にな
る様に形成した。
低粘度にした状態でスピンコート法でこれを表面が平坦
な膜状にした。これにより、その層厚がR、G、Bの各
反射電極71,72,73で異なる位相板17を形成し
た。即ち、Rを最も厚くし、次いでGを厚くし、Bを最
も薄くした。スピンコートの条件を適宜調節することに
より、R、G、B各位相板17のリタデーションを、対
応するカラーフィルタの主な透過光波長の4分の1にな
る様に形成した。
【0066】上記によって得られた位相板型のゲストホ
スト型液晶表示装置の表示特性を、以下の様な方法で測
定した。
スト型液晶表示装置の表示特性を、以下の様な方法で測
定した。
【0067】光源にはメタルハライドランプを用い、液
晶パネル法線に対して約20゜の方向から照射し、液晶
パネル法線に対して約25゜の方向に反射した反射光を
輝度計で測定した。正反射条件を満たさない角度から測
定したため、液晶パネル表面等での反射光の影響は受け
ない。同条件で測定したSTN−LCD用反射板の輝度
を反射率100%とした。
晶パネル法線に対して約20゜の方向から照射し、液晶
パネル法線に対して約25゜の方向に反射した反射光を
輝度計で測定した。正反射条件を満たさない角度から測
定したため、液晶パネル表面等での反射光の影響は受け
ない。同条件で測定したSTN−LCD用反射板の輝度
を反射率100%とした。
【0068】反射率の印加電圧依存性を図10に示す。
図10中の93は液晶配向方向を含む面内で液晶パネル
に入射し、反射した光であり、94は93に直交する面
内で液晶パネルに入射し、反射した光である。いずれの
場合にもノーマリクローズ型の印加電圧依存性が得られ
た。94に着目すると、印加電圧8Vでの反射率は3
2.6%、コントラスト比は4.1:1であった。また、
暗表示(印加電圧0V)における色相の測定結果を図9
に示す。色相はCIS表色系で(u,v)=(0.21
1,0.413)であり、ほぼ無彩色であった。
図10中の93は液晶配向方向を含む面内で液晶パネル
に入射し、反射した光であり、94は93に直交する面
内で液晶パネルに入射し、反射した光である。いずれの
場合にもノーマリクローズ型の印加電圧依存性が得られ
た。94に着目すると、印加電圧8Vでの反射率は3
2.6%、コントラスト比は4.1:1であった。また、
暗表示(印加電圧0V)における色相の測定結果を図9
に示す。色相はCIS表色系で(u,v)=(0.21
1,0.413)であり、ほぼ無彩色であった。
【0069】以上の様に、GとBのカラーフィルタに対
応する画素部に、透明層をそれぞれ前記所定の厚さに形
成して、リタデーションが対応するカラーフィルタの主
な透過光波長の4分の1である位相板17を反射電極7
2,73とゲストホスト液晶層16との間に形成したこ
とにより、高反射率で、かつ、暗表示がほぼ無彩色な液
晶表示装置が得られた。
応する画素部に、透明層をそれぞれ前記所定の厚さに形
成して、リタデーションが対応するカラーフィルタの主
な透過光波長の4分の1である位相板17を反射電極7
2,73とゲストホスト液晶層16との間に形成したこ
とにより、高反射率で、かつ、暗表示がほぼ無彩色な液
晶表示装置が得られた。
【0070】〔実施例 2〕実施例1の液晶表示装置に
おいて、第一の透明膜19と反射電極(71,72,7
3)との間に、新たに第三の透明膜を配置した。第三の
透明膜はR、G、Bに対応する各反射電極(71,7
2,73)の上に形成され、その膜厚は第二の透明膜と
同様に0.09μmとした。
おいて、第一の透明膜19と反射電極(71,72,7
3)との間に、新たに第三の透明膜を配置した。第三の
透明膜はR、G、Bに対応する各反射電極(71,7
2,73)の上に形成され、その膜厚は第二の透明膜と
同様に0.09μmとした。
【0071】この場合も実施例1とほぼ同様の表示特性
が得られた。
が得られた。
【0072】〔実施例 3〕実施例1の液晶表示装置に
おいて、第一の光配向膜12と光重合性液晶分子に増感
材を添加して光重合した。増感剤には1,2−ベンズア
ントラキノンを用いた。なお、該増感剤としては5−ニ
トロアセナフテンでもよい。
おいて、第一の光配向膜12と光重合性液晶分子に増感
材を添加して光重合した。増感剤には1,2−ベンズア
ントラキノンを用いた。なお、該増感剤としては5−ニ
トロアセナフテンでもよい。
【0073】増感剤を配合したことにより光照射時間を
3分の1に短縮しても、光配向膜は実施例1とほぼ同様
の配向性が得られた。また、位相板17も前記の一連の
スピンコート条件で作製したものから選択することによ
り、実施例1とほぼ同様の光学特性のものが得られた。
3分の1に短縮しても、光配向膜は実施例1とほぼ同様
の配向性が得られた。また、位相板17も前記の一連の
スピンコート条件で作製したものから選択することによ
り、実施例1とほぼ同様の光学特性のものが得られた。
【0074】増感材を添加したことにより生産時間が短
縮でき、生産性を向上することができた。
縮でき、生産性を向上することができた。
【0075】〔実施例 4〕実施例1の液晶表示装置に
おいて、1画素内に液晶層16の配向方向が異なる複数
の微小領域を設けた。
おいて、1画素内に液晶層16の配向方向が異なる複数
の微小領域を設けた。
【0076】まず初めに、このような複数の微小領域を
設けた理由を説明する。図10に示した様に、実施例1
の液晶表示装置には表示特性に方位角依存性がある。9
3と94では、反射率が変化を始める電圧値(しきい値
電圧)がそれぞれ2.6V、1.2Vと互いに異なってい
る。特定の印加電圧に着目しても、93と94では反射
率がそれぞれ異なっている。そのため、実施例1の液晶
表示装置では光の入射方位角によって表示の見え方が変
わり、光の入射条件によっては表示が見にくくなること
がある。そこで、本実施例では、実施例1の液晶表示装
置に見られる上記の問題を解決することにした。
設けた理由を説明する。図10に示した様に、実施例1
の液晶表示装置には表示特性に方位角依存性がある。9
3と94では、反射率が変化を始める電圧値(しきい値
電圧)がそれぞれ2.6V、1.2Vと互いに異なってい
る。特定の印加電圧に着目しても、93と94では反射
率がそれぞれ異なっている。そのため、実施例1の液晶
表示装置では光の入射方位角によって表示の見え方が変
わり、光の入射条件によっては表示が見にくくなること
がある。そこで、本実施例では、実施例1の液晶表示装
置に見られる上記の問題を解決することにした。
【0077】本実施例の1画素内に液晶分子の配向方向
が異なる複数の微小領域を設ける具体的な方法を以下に
述べる。
が異なる複数の微小領域を設ける具体的な方法を以下に
述べる。
【0078】第二の基板11に第二の光配向膜13を塗
付した後、配向処理のための光照射を2回に分けて行っ
た。図12に示すほぼ長方形状の画素を半分に分割し、
一方を第一の領域81、他方を第二の領域82とした。
1回目の光照射では、フォトマスクを用いて第二の領域
を遮光し、第一の領域にのみ光照射した。2回目の光照
射では、フォトマスクを用いて第一の領域を遮光し、第
二の領域にのみ光照射した。
付した後、配向処理のための光照射を2回に分けて行っ
た。図12に示すほぼ長方形状の画素を半分に分割し、
一方を第一の領域81、他方を第二の領域82とした。
1回目の光照射では、フォトマスクを用いて第二の領域
を遮光し、第一の領域にのみ光照射した。2回目の光照
射では、フォトマスクを用いて第一の領域を遮光し、第
二の領域にのみ光照射した。
【0079】1回目の光照射と2回目の光照射では、照
射光(直線偏光)の振動方向を90度異ならせた。第一
の領域81における液晶配向方向83と、第二の領域8
2における液晶配向方向84が直交する様にし、かつ、
上記の配向方向83と配向方向84が位相板の遅相軸方
向85と45度を成す様にした。
射光(直線偏光)の振動方向を90度異ならせた。第一
の領域81における液晶配向方向83と、第二の領域8
2における液晶配向方向84が直交する様にし、かつ、
上記の配向方向83と配向方向84が位相板の遅相軸方
向85と45度を成す様にした。
【0080】第一の基板10の配向膜14にも、第二の
基板11の第二の光配向膜13と同様の光配向膜を用い
た。第二の基板11の第一の領域81と第二の領域82
に対応する部分に、第一の基板10の配向方向とそれぞ
れ平行になる様に配向処理を施した。
基板11の第二の光配向膜13と同様の光配向膜を用い
た。第二の基板11の第一の領域81と第二の領域82
に対応する部分に、第一の基板10の配向方向とそれぞ
れ平行になる様に配向処理を施した。
【0081】上記の様にして作製した液晶表示装置の反
射率の印加電圧依存性を図11に示す。図中の91は第
一の領域81における液晶配向方向を含む面内で液晶パ
ネルに入射し、反射した光の反射率を、また、92は第
二の領域82における液晶配向方向を含む面内で液晶パ
ネルに入射し、反射した光の反射率である。なお、91
と92では測定方向が90度異なる。両者のしきい値電
圧特性はほぼ等しく、その反射率もほぼ等しい。
射率の印加電圧依存性を図11に示す。図中の91は第
一の領域81における液晶配向方向を含む面内で液晶パ
ネルに入射し、反射した光の反射率を、また、92は第
二の領域82における液晶配向方向を含む面内で液晶パ
ネルに入射し、反射した光の反射率である。なお、91
と92では測定方向が90度異なる。両者のしきい値電
圧特性はほぼ等しく、その反射率もほぼ等しい。
【0082】この液晶表示装置の表示状態を、光源光が
入射する方位角を様々に変えて観察したが、表示が見に
くくなることはなかった。
入射する方位角を様々に変えて観察したが、表示が見に
くくなることはなかった。
【0083】以上の様に、1画素内に液晶層の配向方向
が異なる2つの微小領域を設けたことにより、個々の液
晶層が有する表示特性の方位角依存性が相殺され、どの
方位角からもほぼ同一の表示特性が得られた。
が異なる2つの微小領域を設けたことにより、個々の液
晶層が有する表示特性の方位角依存性が相殺され、どの
方位角からもほぼ同一の表示特性が得られた。
【0084】〔比較例 1〕実施例1の液晶表示装置に
おいて、反射電極21上の透明層を除いた。また、位相
板はフォトリソグラフを用いてR、G、B各画素毎に別
々に作製した。その方法を以下に示す。
おいて、反射電極21上の透明層を除いた。また、位相
板はフォトリソグラフを用いてR、G、B各画素毎に別
々に作製した。その方法を以下に示す。
【0085】実施例1と同じ溶媒に溶かした光重合性液
晶分子をスピンコート法で塗付した。その後フォトマス
クを用いてRの画素にだけ選択的に光を照射して、Rの
画素上の光重合性液晶分子だけに重合反応を生じさせ
た。Rの画素上だけに厚さ0.97μm位相板を形成し
た。その後、溶媒を用いてG、Bの画素上の未反応の光
重合性液晶分子を除いた。
晶分子をスピンコート法で塗付した。その後フォトマス
クを用いてRの画素にだけ選択的に光を照射して、Rの
画素上の光重合性液晶分子だけに重合反応を生じさせ
た。Rの画素上だけに厚さ0.97μm位相板を形成し
た。その後、溶媒を用いてG、Bの画素上の未反応の光
重合性液晶分子を除いた。
【0086】この時用いたフォトマスクは、開口部がス
トライプ状に分布し、開口部の幅は一画素の短辺の長さ
であり、かつ開口部間の幅は一画素の短辺の長さの2倍
である。これは、1画素がほぼ長方形状で、R、G、B
の各カラーフィルタに対応する画素がストライプ状に分
布した画素に対応している。
トライプ状に分布し、開口部の幅は一画素の短辺の長さ
であり、かつ開口部間の幅は一画素の短辺の長さの2倍
である。これは、1画素がほぼ長方形状で、R、G、B
の各カラーフィルタに対応する画素がストライプ状に分
布した画素に対応している。
【0087】次に、再び光重合性液晶分子の溶液をスピ
ンコート法で塗付し、その後フォトマスクを用いてGの
画素にだけ選択的に光を照射して、Gの画素上の光重合
性液晶分子だけ重合反応を生じさせた。Gの画素上だけ
に厚さは0.84μmの位相板を形成した。その後、溶
媒を用いてR、Bの画素上の未反応の光重合性液晶分子
を除いた。
ンコート法で塗付し、その後フォトマスクを用いてGの
画素にだけ選択的に光を照射して、Gの画素上の光重合
性液晶分子だけ重合反応を生じさせた。Gの画素上だけ
に厚さは0.84μmの位相板を形成した。その後、溶
媒を用いてR、Bの画素上の未反応の光重合性液晶分子
を除いた。
【0088】同様にして光重合性液晶分子の溶液を塗付
し、その後フォトマスクを用いてBの画素にだけ選択的
に光を照射して、Bの画素上の光重合性液晶分子だけに
重合反応を生じさせた。Bの画素上だけに厚さ0.75
μmの位相板を形成した。その後、溶媒を用いてR、G
の画素上の未反応の光重合性液晶分子を除いた。これを
用いて、実施例と同様に液晶表示装置とした。
し、その後フォトマスクを用いてBの画素にだけ選択的
に光を照射して、Bの画素上の光重合性液晶分子だけに
重合反応を生じさせた。Bの画素上だけに厚さ0.75
μmの位相板を形成した。その後、溶媒を用いてR、G
の画素上の未反応の光重合性液晶分子を除いた。これを
用いて、実施例と同様に液晶表示装置とした。
【0089】その表示特性は、ノーマリクローズ型で、
印加電圧8Vでの反射率は33.2%、コントラスト比
は2.1:1であった。実施例1に比べてコントラスト
比が半分以下に低下した。
印加電圧8Vでの反射率は33.2%、コントラスト比
は2.1:1であった。実施例1に比べてコントラスト
比が半分以下に低下した。
【0090】コントラスト比低下の原因を解明するた
め、この液晶表示装置を分解して、第2の基板11を取
り出し、実施例1と同様にして位相板17のリタデーシ
ョンを測定した。液晶パネルの透過軸が位相板の配向方
向に対して45゜になる様にして、第2の基板11の上
に偏光板を配置し、反射率を測定した。その結果RとG
の位相板の反射率は十分に低下せず、RとGの位相板の
リタデーションは4分の1波長からかなりずれているこ
とが分かった。
め、この液晶表示装置を分解して、第2の基板11を取
り出し、実施例1と同様にして位相板17のリタデーシ
ョンを測定した。液晶パネルの透過軸が位相板の配向方
向に対して45゜になる様にして、第2の基板11の上
に偏光板を配置し、反射率を測定した。その結果RとG
の位相板の反射率は十分に低下せず、RとGの位相板の
リタデーションは4分の1波長からかなりずれているこ
とが分かった。
【0091】R、G、BのうちRとGの位相板のリタデ
ーションだけが低下した原因は、Rの位相板を形成後、
Gの位相板を形成するため光重合性液晶分子の溶液を塗
付した。この際、光重合性液晶分子の溶液はRの位相板
上にも塗付されるが、この時Rの位相板が半ば溶解した
ものと思われる。同様に、Gの位相板のリタデーション
低下もBの位相板形成時に溶解したことによって生じた
ものと思われる。
ーションだけが低下した原因は、Rの位相板を形成後、
Gの位相板を形成するため光重合性液晶分子の溶液を塗
付した。この際、光重合性液晶分子の溶液はRの位相板
上にも塗付されるが、この時Rの位相板が半ば溶解した
ものと思われる。同様に、Gの位相板のリタデーション
低下もBの位相板形成時に溶解したことによって生じた
ものと思われる。
【0092】以上の様に、位相板はフォトリソグラフィ
を用いてR、G、B各画素毎に別個に作製したことによ
り、RとGの位相板のリタデーションが低下し、実施例
1に比べてコントラスト比が半分以下に低下したものと
考える。
を用いてR、G、B各画素毎に別個に作製したことによ
り、RとGの位相板のリタデーションが低下し、実施例
1に比べてコントラスト比が半分以下に低下したものと
考える。
【0093】〔比較例 2〕本比較例では、比較例1の
液晶表示装置の位相板の製法を変えて行った。Rの画素
上に位相板を形成後、保護膜をパネルの全面に塗付し
た。保護膜にはエポキシ系樹脂を用い、その厚さは約
1.5μmとした。次にGの画素上に位相板を形成し、
また保護膜をパネルの全面に塗付した。これを用いて同
様に液晶表示装置とした。
液晶表示装置の位相板の製法を変えて行った。Rの画素
上に位相板を形成後、保護膜をパネルの全面に塗付し
た。保護膜にはエポキシ系樹脂を用い、その厚さは約
1.5μmとした。次にGの画素上に位相板を形成し、
また保護膜をパネルの全面に塗付した。これを用いて同
様に液晶表示装置とした。
【0094】その表示特性はノーマリクローズ型で、印
加電圧8Vでの反射率は19%、コントラスト比は2.
8:1であった。実施例1に比べてコントラスト比、8
Vでの反射率共に低下した。特に、8Vでの反射率は半
分近くに低下した。
加電圧8Vでの反射率は19%、コントラスト比は2.
8:1であった。実施例1に比べてコントラスト比、8
Vでの反射率共に低下した。特に、8Vでの反射率は半
分近くに低下した。
【0095】電圧0Vに於ける反射率は実施例1と同程
度であるため、位相板のリタデーションはほぼ設計通り
の値である。保護膜により、比較例1において表示特性
低下の原因になった位相板の溶解が防止できていること
が分かる。
度であるため、位相板のリタデーションはほぼ設計通り
の値である。保護膜により、比較例1において表示特性
低下の原因になった位相板の溶解が防止できていること
が分かる。
【0096】反射率の印加電圧依存性を実施例1の液晶
表示装置と比較したところ、本比較例の液晶表示装置で
は反射率が変化し始める電圧が、高電圧側にずれてい
る。その原因は、液晶層に印加される電圧値の低下が考
えられる。
表示装置と比較したところ、本比較例の液晶表示装置で
は反射率が変化し始める電圧が、高電圧側にずれてい
る。その原因は、液晶層に印加される電圧値の低下が考
えられる。
【0097】本比較例では、保護膜を2層形成したが、
これらの厚さの合計が約3μm。位相板の厚さが1μm
弱であるため、電極間に合計約4μmの層が液晶層とは
別に介在することになる。液晶層厚が6μmであるか
ら、上下電極間に印加された電圧のうちの約半分しか液
晶層に印加されない。これにより、実施例1に比べて明
表示の反射率が半分近くに低下した。
これらの厚さの合計が約3μm。位相板の厚さが1μm
弱であるため、電極間に合計約4μmの層が液晶層とは
別に介在することになる。液晶層厚が6μmであるか
ら、上下電極間に印加された電圧のうちの約半分しか液
晶層に印加されない。これにより、実施例1に比べて明
表示の反射率が半分近くに低下した。
【0098】
【発明の効果】本発明によれば、位相板のリタデーショ
ンの実質的な波長分散が全可視波長域で4分の1波長に
近づき、暗表示時の着色が解消される。また、コントラ
スト比、反射率共に優れたゲストホスト型液晶表示装置
を得ることができる。
ンの実質的な波長分散が全可視波長域で4分の1波長に
近づき、暗表示時の着色が解消される。また、コントラ
スト比、反射率共に優れたゲストホスト型液晶表示装置
を得ることができる。
【図1】本発明の液晶表示装置の模式断面図である。
【図2】ゲストホスト型液晶表示装置の表示原理を示す
図である。
図である。
【図3】位相板型のゲストホスト型液晶表示装置の表示
原理を示す図である。
原理を示す図である。
【図4】位相板のリタデーションの理想値と実際の波長
分散特性を示す図である。
分散特性を示す図である。
【図5】本発明における位相板リタデーションの波長分
散特性を示す図である。
散特性を示す図である。
【図6】本発明における位相板リタデーションの実質的
な波長分散特性を示す図である。
な波長分散特性を示す図である。
【図7】本発明における位相板の形成工程を示す模式断
面図である。
面図である。
【図8】カラーフィルタの透過スペクトルを示す図であ
る。
る。
【図9】暗表示の色度を示す図である。
【図10】実施例1の液晶表示装置の反射率の印加電圧
依存性と方位角依存性を示す図である。
依存性と方位角依存性を示す図である。
【図11】実施例4の液晶表示装置の反射率の印加電圧
依存性と方位角依存性を示す図である。
依存性と方位角依存性を示す図である。
【図12】実施例4の液晶表示装置の1画素内における
液晶配向方向と位相板遅相軸方向を示す図である。
液晶配向方向と位相板遅相軸方向を示す図である。
1…液晶分子、2…2色性色素、10…第一の基板、1
1…第二の基板、12…第一の光配向膜、13…第二の
光配向膜、14…配向膜、15…カラーフィルタ、16
…液晶層、17…位相板、18…第二の透明膜、19…
第一の透明膜、20…アクティブ素子、21…反射電
極、22…スルーホール、23…光拡散フィルム、24
…共通電極、25…絶縁層、31…吸収成分の固有偏
光、32…透過成分の固有偏光、41…理想的な位相板
のリタデーション波長分散、42…実際の位相板のリタ
デーション波長分散、44…Rのカラーフィルタに対応
する位相板のリタデーション波長分散、45…Gのカラ
ーフィルタに対応する位相板のリタデーション波長分
散、46…Bのカラーフィルタに対応する位相板のリタ
デーション波長分散、47…本発明の位相板の実質的な
リタデーション波長分散、51…入射光、52…反射
光、61…Rのカラーフィルタ、62…Gのカラーフィ
ルタ、63…Bのカラーフィルタ、71…Rのカラーフ
ィルタに対応する反射電極、72…Gのカラーフィルタ
に対応する反射電極、73…Bのカラーフィルタに対応
する反射電極、81…第一の領域81、82…第二の領
域82、83…第一の領域81における液晶配向方向、
84…第二の領域82における配向方向、85…位相板
の遅相軸方向、86…走査配線、87…信号配線、91
…第一の領域81における液晶配向方向を含む面内で液
晶パネルに入射し反射した光の反射率、92…第二の領
域82における液晶配向方向を含む面内で液晶パネルに
入射し反射した光の反射率、93…液晶配向方向を含む
面内で液晶パネルに入射し反射した光の反射率、94…
93に直交する面内で液晶パネルに入射し反射した光の
反射率。
1…第二の基板、12…第一の光配向膜、13…第二の
光配向膜、14…配向膜、15…カラーフィルタ、16
…液晶層、17…位相板、18…第二の透明膜、19…
第一の透明膜、20…アクティブ素子、21…反射電
極、22…スルーホール、23…光拡散フィルム、24
…共通電極、25…絶縁層、31…吸収成分の固有偏
光、32…透過成分の固有偏光、41…理想的な位相板
のリタデーション波長分散、42…実際の位相板のリタ
デーション波長分散、44…Rのカラーフィルタに対応
する位相板のリタデーション波長分散、45…Gのカラ
ーフィルタに対応する位相板のリタデーション波長分
散、46…Bのカラーフィルタに対応する位相板のリタ
デーション波長分散、47…本発明の位相板の実質的な
リタデーション波長分散、51…入射光、52…反射
光、61…Rのカラーフィルタ、62…Gのカラーフィ
ルタ、63…Bのカラーフィルタ、71…Rのカラーフ
ィルタに対応する反射電極、72…Gのカラーフィルタ
に対応する反射電極、73…Bのカラーフィルタに対応
する反射電極、81…第一の領域81、82…第二の領
域82、83…第一の領域81における液晶配向方向、
84…第二の領域82における配向方向、85…位相板
の遅相軸方向、86…走査配線、87…信号配線、91
…第一の領域81における液晶配向方向を含む面内で液
晶パネルに入射し反射した光の反射率、92…第二の領
域82における液晶配向方向を含む面内で液晶パネルに
入射し反射した光の反射率、93…液晶配向方向を含む
面内で液晶パネルに入射し反射した光の反射率、94…
93に直交する面内で液晶パネルに入射し反射した光の
反射率。
Claims (5)
- 【請求項1】 第一の基板と第二の基板で挟持された2
色性色素を含む液晶層を有し、前記第一の基板は液晶層
と近接する側に共通電極とカラーフィルタを備え、前記
第二の基板は液晶層に電界を印加する反射電極と画素電
極およびこれに接続されたアクティブ素子を備え、前記
反射電極と液晶層の間に位相板を有し、該位相板の遅相
軸は液晶層の配向方向に対して45度を成す様に形成さ
れ、第一の基板と第二の基板は液晶層と接する面に配向
膜を備えたゲストホスト型液晶表示装置において、 前記位相板は画素電極上に透明層を介して設けられてお
り、該透明層の厚さはその上に形成される位相板のリタ
デーションが、対応する各カラーフィルタの主な透過光
波長の4分の1波長となる厚さに形成されていることを
特徴とするゲストホスト型液晶表示装置。 - 【請求項2】 第一の基板と第二の基板で挟持された2
色性色素を含む液晶層を有し、前記第一の基板は液晶層
と近接する側に共通電極とカラーフィルタを備え、前記
第二の基板は液晶層に電界を印加する反射電極と画素電
極およびこれに接続されたアクティブ素子を備え、前記
反射電極と液晶層の間に位相板を有し、該位相板の遅相
軸は液晶層の配向方向に対して45度を成す様に形成さ
れ、第一の基板と第二の基板は液晶層と接する面に配向
膜を備えたゲストホスト型液晶表示装置において、 前記位相板はそのリタデーションが、これと対応する
赤,緑,青の各カラーフィルタ毎に、その主な透過光波
長の4分の1波長となる厚さに形成されており、緑と青
の各カラーフィルタに対応する位相板はそれぞれ透明層
の上に設けられており、該緑と青の各カラーフィルタに
対応する位相板と透明層とを合わせた層厚が、赤のカラ
ーフィルタに対応する位相板の厚さと実質的に同じにな
るよう形成されていることを特徴とするゲストホスト型
液晶表示装置。 - 【請求項3】 第一の基板と第二の基板で挟持された2
色性色素を含む液晶層を有し、前記第一の基板は液晶層
と近接する側に共通電極とカラーフィルタを備え、前記
第二の基板は液晶層に電界を印加する反射電極と画素電
極およびこれに接続されたアクティブ素子を備え、前記
反射電極と液晶層の間に位相板を有し、該位相板の遅相
軸は液晶層の配向方向に対して45度を成す様に形成さ
れ、第一の基板と第二の基板は液晶層と接する面に配向
膜を備えたゲストホスト型液晶表示装置において、 前記位相板はそのリタデーションが、これと対応する
赤,緑,青の各カラーフィルタ毎に、その主な透過光波
長の4分の1波長となるよう、その下層に設けた透明層
の厚さを制御することで形成されており、前記位相板と
透明層とを合わせた層厚が対応する各カラーフィルタに
おいて実質的に同じになるよう形成されていることを特
徴とするゲストホスト型液晶表示装置。 - 【請求項4】 前記各カラーフィルタに対応する各画素
に設けた位相板の液晶層側の表面が、全画素面でフラッ
トになるよう形成されている請求項1,2または3に記
載のゲストホスト型液晶表示装置。 - 【請求項5】 前記各カラーフィルタに対応する各画素
が、液晶層の配向方向が異なる2以上の微小領域で1画
素が構成されている請求項4に記載のゲストホスト型液
晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10057905A JPH11258638A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | ゲストホスト型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10057905A JPH11258638A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | ゲストホスト型液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11258638A true JPH11258638A (ja) | 1999-09-24 |
Family
ID=13069014
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10057905A Pending JPH11258638A (ja) | 1998-03-10 | 1998-03-10 | ゲストホスト型液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11258638A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006154784A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
CN100371784C (zh) * | 2005-08-12 | 2008-02-27 | 友达光电股份有限公司 | 可增加开口率及可视角的液晶显示器元件 |
JP2008165250A (ja) * | 2002-02-26 | 2008-07-17 | Sony Corp | カラーフィルタ基板 |
US7751000B2 (en) | 2002-02-26 | 2010-07-06 | Sony Corporation | Liquid crystal display having a plurality of retardation films in reflective areas and method for manufacturing the same |
US8068199B2 (en) | 2004-10-29 | 2011-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
-
1998
- 1998-03-10 JP JP10057905A patent/JPH11258638A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008165250A (ja) * | 2002-02-26 | 2008-07-17 | Sony Corp | カラーフィルタ基板 |
US7751000B2 (en) | 2002-02-26 | 2010-07-06 | Sony Corporation | Liquid crystal display having a plurality of retardation films in reflective areas and method for manufacturing the same |
US8189144B2 (en) | 2002-02-26 | 2012-05-29 | Sony Corporation | Liquid crystal display having a patterned retardation film and method for manufacturing the same |
US8599338B2 (en) | 2002-02-26 | 2013-12-03 | Japan Display West Inc. | Liquid crystal display and method for manufacturing the same related application data |
JP2006154784A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-06-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
US8068199B2 (en) | 2004-10-29 | 2011-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
US8274632B2 (en) | 2004-10-29 | 2012-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
CN100371784C (zh) * | 2005-08-12 | 2008-02-27 | 友达光电股份有限公司 | 可增加开口率及可视角的液晶显示器元件 |
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