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JPH11258626A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display

Info

Publication number
JPH11258626A
JPH11258626A JP5787098A JP5787098A JPH11258626A JP H11258626 A JPH11258626 A JP H11258626A JP 5787098 A JP5787098 A JP 5787098A JP 5787098 A JP5787098 A JP 5787098A JP H11258626 A JPH11258626 A JP H11258626A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal line
video signal
liquid crystal
signal lines
common
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5787098A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masataka Natori
正高 名取
Hikari Ito
光 伊藤
Takanori Nakayama
貴徳 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP5787098A priority Critical patent/JPH11258626A/en
Publication of JPH11258626A publication Critical patent/JPH11258626A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 静電保護対策 【解決手段】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、y方向に延
在されx方向に並設されている映像信号線を備え、この
映像信号線の両端側にそれぞれ共通信号線が形成され、
その一方の共通信号線は前記映像信号線のうち一本おき
に配列されている映像信号線と共通に接続され、かつ、
他方の共通信号線は前記映像信号線のうち残りの映像信
号線と共通に接続されているとともに、これら残りの映
像信号線と隣接する他の映像信号線とダイオードを介し
て接続されている。
(57) [Summary] Electrostatic protection measures [Technical solution] One of transparent substrates disposed opposite to each other with a liquid crystal interposed therebetween extends on the liquid crystal side surface and extends in the y direction and in the x direction. A video signal line is provided side by side, and a common signal line is formed at both ends of the video signal line,
One of the common signal lines is commonly connected to video signal lines arranged alternately among the video signal lines, and
The other common signal line is commonly connected to the remaining video signal lines of the video signal lines, and is connected to other video signal lines adjacent to the remaining video signal lines via diodes.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、たとえばアクティブ・マトリックス型と称される液
晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, for example, a liquid crystal display called an active matrix type.

【0002】[0002]

【従来の技術】アクティブ・マトリックス型の液晶表示
装置は、液晶を介して互いに対向配置される各透明基板
のうち一方の透明基板(以下、この基板をTFT基板と
称す)の液晶側の面に、そのx方向に延在されy方向に
並設された走査信号線とy方向に延在されx方向に並設
された映像信号線とで囲まれた各領域に画素を構成する
ようになっている。
2. Description of the Related Art In an active matrix type liquid crystal display device, a transparent substrate (hereinafter, this substrate is referred to as a TFT substrate) is disposed on a liquid crystal side of one of the transparent substrates disposed to face each other via a liquid crystal. A pixel is formed in each region surrounded by the scanning signal lines extending in the x direction and juxtaposed in the y direction and the video signal lines extending in the y direction and juxtaposed in the x direction. ing.

【0003】そして、これら各画素には、走査信号線か
らの走査信号(電圧)によってオンされる薄膜トランジ
スタと、このオンされた薄膜トランジスタを介して映像
信号線からの映像信号(電圧)が印加される画素電極と
が備えられている。
Each of these pixels is supplied with a thin film transistor which is turned on by a scanning signal (voltage) from a scanning signal line, and a video signal (voltage) from a video signal line via the turned on thin film transistor. And a pixel electrode.

【0004】この場合、このようなTFT基板を製造す
る際は、実際に液晶表示装置に組み立てられる大きさよ
りは大きめの透明基板が用意され、その透明基板内の複
数のTFT基板に相当する領域に前記各信号線、薄膜ト
ランジスタ、および画素等が形成された後に、各TFT
基板毎に分離するためのカッティングがなされるように
なっている。
In this case, when manufacturing such a TFT substrate, a transparent substrate larger than a size that can be actually assembled in a liquid crystal display device is prepared, and a region corresponding to a plurality of TFT substrates in the transparent substrate is prepared. After each signal line, thin film transistor, pixel, etc. are formed, each TFT
Cutting for separating each substrate is performed.

【0005】ここで、前記透明基板面に走査信号線ある
いは映像信号線を形成する場合、それらの断線検査等が
できるため、該走査信号線を共通に接続させる共通信号
線、および該映像信号線を共通に接続させる共通信号線
をそれぞれカッティング領域の外側に同時に形成するこ
とが行われている。
Here, when a scanning signal line or a video signal line is formed on the surface of the transparent substrate, a disconnection inspection or the like of the scanning signal line or the video signal line can be performed. Are commonly formed outside the cutting region at the same time.

【0006】そして、映像信号線においては、特に、そ
れに接続される共通信号線は各映像信号線の各端側にそ
れぞれ形成し、一方の共通信号線は各映像信号線のうち
一本おきの映像信号線と共通に接続されるとともに、他
方の共通信号線は残りの映像信号線と共通に接続される
ようになっている。
In the video signal lines, in particular, a common signal line connected to the video signal line is formed at each end of each video signal line, and one common signal line is provided for every other video signal line. The common signal line is commonly connected to the video signal lines, and the other common signal line is commonly connected to the remaining video signal lines.

【0007】各映像信号線はそれらの間の間隔が比較的
狭く形成され、隣接する映像信号線どおしが短絡してい
るか否かを前記各共通信号線のそれぞれにプローブを当
接させるだけで容易に検査できるからである。
The intervals between the video signal lines are formed relatively small, and it is determined whether adjacent video signal lines are short-circuited by merely contacting a probe to each of the common signal lines. This is because it can be easily inspected.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなTFT基板の製造において、透明基板のカッティン
グを行う際に、たとえば一本おきの映像信号線と共通に
接続されている一方の共通信号線を前記各映像信号線と
切り離した場合、それらの映像信号線は完全なフローテ
ィング状態となってしまうことが指摘されるに至った。
However, in the production of such a TFT substrate, when cutting a transparent substrate, for example, one common signal line commonly connected to every other video signal line is connected. It has been pointed out that when separated from each of the video signal lines, those video signal lines are completely in a floating state.

【0009】透明基板はその後において搬送工程に付さ
れる場合が多く、その搬送の際に静電気がフローティン
グ状態の映像信号線に浸入してしまい、該映像信号線に
接続されている薄膜トランジスタの特性(Vth等)を
変化させてしまう等の弊害が生じるに至ったからであ
る。
In many cases, the transparent substrate is subsequently subjected to a transporting process. During the transport, static electricity enters the floating video signal line, and the characteristics of the thin film transistor connected to the video signal line (characteristics) Vth) will be adversely affected.

【0010】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、静電気保護がなされている
液晶表示装置を提供するにある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object of the present invention is to provide a liquid crystal display device which is protected from static electricity.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0012】すなわち、液晶を介して互いに対向配置さ
れる透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、y
方向に延在されx方向に並設されている映像信号線を備
え、この映像信号線の両端側にそれぞれ共通信号線が形
成され、その一方の共通信号線は前記映像信号線のうち
一本おきに配列されている映像信号線と共通に接続さ
れ、かつ、他方の共通信号線は前記映像信号線のうち残
りの映像信号線と共通に接続されているとともに、これ
ら残りの映像信号線と隣接する他の映像信号線とダイオ
ードを介して接続されていることを特徴とするものであ
る。
That is, one of the transparent substrates opposed to each other via the liquid crystal is provided with a surface on the liquid crystal side of the transparent substrate.
Video signal lines extending in the x direction and juxtaposed in the x direction. A common signal line is formed at each end of the video signal line, and one of the common signal lines is one of the video signal lines. Every other video signal line is connected in common with the other video signal lines, and the other common signal line is connected in common with the other video signal lines. It is characterized by being connected to another adjacent video signal line via a diode.

【0013】このように構成された液晶表示装置は、透
明基板のカッティングの際に一方の共通信号線がまず切
りはなされたとしても、この共通信号線と分離された映
像信号線はダイオードを介して他方の共通信号線と依然
として接続されていることにことになる。
In the liquid crystal display device configured as described above, even when one of the common signal lines is cut off at the time of cutting the transparent substrate, the video signal line separated from the common signal line is connected via a diode. That is, it is still connected to the other common signal line.

【0014】このため、この映像信号線に静電気が浸入
したとしても該ダイオードを介して他方の共通信号線に
拡散されることから、該映像信号線に接続されている薄
膜トランジスタの特性を変化させてしまう弊害を回避で
きるようになる。
For this reason, even if static electricity enters the video signal line, it is diffused to the other common signal line via the diode, so that the characteristics of the thin film transistor connected to the video signal line are changed. This can avoid the adverse effects.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の一実施例を図面を用いて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0016】《TFT基板》まず、図2は、液晶を介し
て互いに対向配置される一対の透明基板のうち一方の透
明基板(TFT基板)の液晶側の構成の概略を示した平
面図である。
<< TFT Substrate >> First, FIG. 2 is a plan view schematically showing the structure of one of the pair of transparent substrates (TFT substrate) on the liquid crystal side among a pair of transparent substrates arranged to face each other with the liquid crystal therebetween. .

【0017】同図において、透明基板1があり、この透
明基板1の周辺を除く中央部は表示領域(図中一点鎖線
Aで囲まれる領域)となっている。
In FIG. 1, a transparent substrate 1 is provided, and a central portion of the transparent substrate 1 excluding the periphery is a display area (an area surrounded by a dashed line A in the figure).

【0018】なお、この表示領域は他の透明基板2との
間に液晶が介在される領域となっており、かつ、この液
晶は透明基板2の周辺に沿って形成されるシール材3に
よって封入されるようになっている。
The display area is an area where liquid crystal is interposed between the transparent substrate 2 and the liquid crystal, and the liquid crystal is sealed by a sealing material 3 formed along the periphery of the transparent substrate 2. It is supposed to be.

【0019】そして、前記表示領域には、図中x方向に
延在しかつy方向に並設される走査信号線4が形成さ
れ、また、この走査信号線4と絶縁されてy方向に延在
しかつx方向に並設される映像信号線5が形成され、こ
れら、走査信号線4と映像信号線5とで囲まれた各領域
は、それぞれ画素領域を構成するようになっている。
A scanning signal line 4 extending in the x direction and juxtaposed in the y direction is formed in the display area, and is extended in the y direction while being insulated from the scanning signal line 4. There are formed video signal lines 5 which are arranged side by side in the x direction. Each of the regions surrounded by the scanning signal lines 4 and the video signal lines 5 constitutes a pixel region.

【0020】すなわち、前記表示領域は、マトリックス
状に配置された各画素領域の集合体によって形成される
ことになる。
That is, the display area is formed by an aggregate of pixel areas arranged in a matrix.

【0021】各画素領域は、その詳細を図3に示すよう
に、該走査信号線4からの走査信号の供給によってオン
される薄膜トランジスタTFTと、このオンされた薄膜
トランジスタTFTを介して前記映像信号線5からの映
像信号が供給される画素電極6が形成されている。ま
た、これら薄膜トランジスタTFTおよび画素電極6の
他に、前記薄膜トランジスタTFTを駆動させる走査信
号線4とは異なる他の隣接する走査信号線4と前記画素
電極6との間に付加容量素子Caddが形成されてい
る。この付加容量素子Caddは、薄膜トランジスタT
FTがオフしても、画素電極6に映像信号を長く蓄積さ
せておくために備えられている。
As shown in FIG. 3 in detail, each pixel region has a thin film transistor TFT turned on by the supply of a scanning signal from the scanning signal line 4 and the video signal line via the turned on thin film transistor TFT. The pixel electrode 6 to which the video signal from the pixel 5 is supplied is formed. In addition to the thin film transistor TFT and the pixel electrode 6, an additional capacitance element Cadd is formed between the pixel electrode 6 and another adjacent scanning signal line 4 different from the scanning signal line 4 for driving the thin film transistor TFT. ing. This additional capacitance element Cadd is a thin film transistor T
Even if the FT is turned off, the video signal is provided to be stored in the pixel electrode 6 for a long time.

【0022】また、各走査信号線4はその一端側(図中
左側)が表示領域の外側に延在されて形成されて外部端
子4Aに接続され、各映像信号線5はその一端側(図中
右側)が表示領域の外側に延在されて形成され外部端子
5Aに接続されている。
Each scanning signal line 4 has one end (left side in the figure) formed to extend outside the display area and is connected to an external terminal 4A, and each video signal line 5 has one end (FIG. (Middle right) is formed to extend outside the display area and is connected to the external terminal 5A.

【0023】なお、このように形成されるTFT基板と
対向して配置される他の透明基板2(CF基板)は、そ
の液晶側の面に各画素領域に共通な共通電極(透明電
極)され、また、各画素領域毎に赤、緑、青のいずれか
のカラーフィルタが形成されている。
The other transparent substrate 2 (CF substrate) disposed opposite to the TFT substrate thus formed is provided with a common electrode (transparent electrode) common to each pixel region on its liquid crystal side. Further, one of red, green and blue color filters is formed for each pixel region.

【0024】透明基板1と透明基板2とのギャップは前
記シール材3によって規制され、このシール材3によっ
て液晶の層厚が設定できるようになっている。
The gap between the transparent substrate 1 and the transparent substrate 2 is regulated by the sealing material 3, and the thickness of the liquid crystal can be set by the sealing material 3.

【0025】このシール材3の一辺(図中右側の辺)の
一部には液晶封入口8が形成され、この液晶封入口3は
液晶を各透明基板1、2の間に封入した後に、封止剤9
によって封止されるようになっている。
A liquid crystal enclosing port 8 is formed on a part of one side (the right side in the figure) of the sealing material 3. After the liquid crystal encapsulating port 3 encloses liquid crystal between the transparent substrates 1 and 2, Sealant 9
To be sealed.

【0026】《画素構造》図4は、前記画素領域におけ
る構造のうち薄膜トランジスタTFTの部分およびその
近傍の構成を示した図である。
<< Pixel Structure >> FIG. 4 is a view showing the structure of the thin film transistor TFT and its vicinity in the structure in the pixel region.

【0027】同図に示すように、まず、透明基板1の表
面において、図中x方向に延在して走査信号線4が形成
されている。この走査信号線4はたとえばCrとMoと
の合金層あるいはそれらの積層体によって形成されてい
る。
As shown in FIG. 1, first, a scanning signal line 4 is formed on the surface of the transparent substrate 1 so as to extend in the x direction in the figure. The scanning signal line 4 is formed of, for example, an alloy layer of Cr and Mo or a laminate thereof.

【0028】そして、このように走査信号線4が形成さ
れた透明基板1の表面の全域には、該走査信号線4と後
に詳述する映像信号線5との層間絶縁を図るための絶縁
膜がたとえばシリコン窒化膜によって形成されている。
An insulating film is provided on the entire surface of the transparent substrate 1 on which the scanning signal lines 4 are formed in order to achieve interlayer insulation between the scanning signal lines 4 and a video signal line 5 described in detail later. Is formed of, for example, a silicon nitride film.

【0029】また、前記走査信号線4と後に詳述する映
像信号線5とで囲まれる画素領域の一角における前記絶
縁膜の上面には薄膜トランジスタTFTが形成されるよ
うになっている。
Further, a thin film transistor TFT is formed on an upper surface of the insulating film at one corner of a pixel region surrounded by the scanning signal line 4 and a video signal line 5 described later in detail.

【0030】この薄膜トランジスタTFTの形成領域に
おいては、ゲート絶縁膜として機能する前記絶縁膜の下
層において前記走査信号線4から一体になって延在され
たゲート電極4Gが形成され、前記絶縁膜の表面には該
ゲート電極4Gを股がるようにしてたとえばアモルファ
スSiからなる半導体層10が形成されている。
In a region where the thin film transistor TFT is formed, a gate electrode 4G integrally extending from the scanning signal line 4 is formed below the insulating film functioning as a gate insulating film, and a surface of the insulating film is formed. A semiconductor layer 10 made of, for example, amorphous Si is formed so as to extend the gate electrode 4G.

【0031】そして、この半導体層10は、後に詳述す
る映像信号線5の形成領域において該映像信号線5とほ
ぼ同一のパターンで延在されて形成されている。この映
像信号線5を半導体層10との積層構造とするのは、段
切れ防止と交差する走査信号線4との間の容量を低減さ
せるためである。
The semiconductor layer 10 is formed so as to extend in substantially the same pattern as the video signal line 5 in a region where the video signal line 5 described later is formed. The video signal line 5 has a laminated structure with the semiconductor layer 10 in order to prevent disconnection and to reduce the capacitance between the scanning signal line 4 and the crossing.

【0032】薄膜トランジスタTFTの形成領域におけ
る半導体層10の表面には、ドレイン電極5Dおよびソ
ース電極5Sが形成され、これら各電極5D、5Sはそ
れを平面的に観た場合に前記ゲート電極4Gを間にして
互いに対向して配置されている。
A drain electrode 5D and a source electrode 5S are formed on the surface of the semiconductor layer 10 in the region where the thin film transistor TFT is formed, and these electrodes 5D and 5S are disposed between the gate electrode 4G when viewed from above. And are arranged facing each other.

【0033】なお、半導体層10の表面のドレイン電極
5Dおよびソース電極5Sとの界面には前記半導体層1
0に高濃度の不純物がドープされたコンタクト層が形成
されている。この高濃度の不純物層は、半導体層10を
形成した時点でその全面に形成されており、その後に形
成する各電極5D、5Sをマスクとして前記各電極5
D、5Sから露呈された不純物層をエッチングすること
によって形成されるようになっている。
The interface between the drain electrode 5D and the source electrode 5S on the surface of the semiconductor layer 10 is
A contact layer doped with a high concentration impurity at 0 is formed. This high-concentration impurity layer is formed on the entire surface of the semiconductor layer 10 when the semiconductor layer 10 is formed.
It is formed by etching the impurity layer exposed from D and 5S.

【0034】そして、ドレイン電極5Dとソース電極5
Sは映像信号線3と同一の工程でかつ同一の材料で形成
されるようになっている。
Then, the drain electrode 5D and the source electrode 5
S is formed in the same step and with the same material as the video signal line 3.

【0035】すなわち、映像信号線5が、図中y方向に
延在されて形成され、この際、映像信号線5から延在さ
れた延在部によってドレイン電極5Dが形成され、ま
た、このドレイン電極5Dと離間された状態でソース電
極5Sが形成されるようになっている。
That is, the video signal line 5 is formed to extend in the y direction in the figure, and at this time, a drain electrode 5D is formed by the extension portion extending from the video signal line 5, and the drain electrode 5D is formed. The source electrode 5S is formed so as to be separated from the electrode 5D.

【0036】また、ソース電極5Sは後に詳述する画素
電極6の形成領域にまで延在されて形成され、この延在
部において前記画素電極6とのコンタクトがとれるよう
に構成されている。
The source electrode 5S is formed so as to extend to the formation region of the pixel electrode 6 described later in detail, and is configured such that a contact with the pixel electrode 6 can be made in this extending portion.

【0037】ここで、映像信号線3はたとえば走査信号
線2と同一の材料から形成され、MoとCrとの合金層
によって形成されている。しかし、必ずしもこのような
材料に限定されることはない。
Here, the video signal line 3 is formed of, for example, the same material as the scanning signal line 2, and is formed of an alloy layer of Mo and Cr. However, the material is not necessarily limited to such a material.

【0038】このように加工された透明基板1の表面の
全域には、前記薄膜トランジスタTFTへの液晶の直接
な接触を回避させるため、たとえばシリコン窒化膜から
なる保護膜が形成され、この保護膜には前記ソース電極
5Sの延在部の一部を露呈させるコンタクトホール12
が形成されている。
In order to avoid direct contact of the liquid crystal with the thin film transistor TFT, a protective film made of, for example, a silicon nitride film is formed on the entire surface of the transparent substrate 1 thus processed. Is a contact hole 12 exposing a part of the extension of the source electrode 5S.
Are formed.

【0039】そして、この保護膜の上面における画素領
域内にはたとえばITO(Indium-Tin-Oxide)膜からな
る画素電極6が形成され、この画素電極6は前記コンタ
クトホール12を通して前記ソース電極5Sと電気的な
接続が図れるようになっている。
A pixel electrode 6 made of, for example, an ITO (Indium-Tin-Oxide) film is formed in a pixel region on the upper surface of the protective film. The pixel electrode 6 is connected to the source electrode 5S through the contact hole 12. Electrical connection can be achieved.

【0040】《TFT基板毎にカッティングする前の透
明基板》図1は、図2に示したTFT基板をカッティン
グによって分離する前の透明基板の主表面における構成
図である。同図では、一枚の透明基板からたとえば2個
のTFT基板を形成できるようになっている。
<< Transparent Substrate Before Cutting for Each TFT Substrate >> FIG. 1 is a structural view of the main surface of the transparent substrate before the TFT substrate shown in FIG. 2 is separated by cutting. In the figure, for example, two TFT substrates can be formed from one transparent substrate.

【0041】このようにするのは、一枚の透明基板1A
で複数個分のデバイスを同時に加工してから分割してス
ループットを向上させる等のためである。
This is because one transparent substrate 1A
This is for improving the throughput by processing a plurality of devices simultaneously and then dividing the devices.

【0042】各TFT基板のカッティング領域(一点鎖
線で囲まれる領域)の外側において、各走査信号線4を
共通に接続させる共通信号線40および各映像信号線5
を共通に接続させる共通信号線50A、50Bが、それ
ぞれ走査信号線4および映像信号線5と同材料でかつ同
時に形成されている。
Outside the cutting area (area surrounded by a dashed line) of each TFT substrate, a common signal line 40 and a video signal line 5 for commonly connecting the scanning signal lines 4 are connected.
Are commonly formed of the same material as the scanning signal line 4 and the video signal line 5 at the same time.

【0043】この場合、映像信号線5においては、特
に、それに接続される共通信号線50A、50Bは各映
像信号線の各端側にそれぞれ形成されている。
In this case, in the video signal line 5, in particular, the common signal lines 50A and 50B connected to the video signal line 5 are formed at the respective ends of the video signal lines.

【0044】そして、一方の共通信号線50A(図中下
側)は各映像信号線5のうち一本おきの映像信号線5と
共通に接続されている。
One common signal line 50A (lower side in the figure) is commonly connected to every other video signal line 5 among the video signal lines 5.

【0045】また、他方の共通信号線50B(図中上
側)は残りの映像信号線5と共通に接続されているとと
もに、これら残りの映像信号線5と隣接する他の映像信
号線5とダイオード14を介して接続されている。
The other common signal line 50B (upper side in the figure) is commonly connected to the remaining video signal lines 5, and is connected to the other video signal lines 5 adjacent to the remaining video signal lines 5 and the diode. 14 are connected.

【0046】この場合のダイオード14は、この実施例
では、最初のカッティングによって除かれる共通信号線
50A(図中下側)側の方向にカソードが接続されるよ
うに設けられている。そして、各ダイオード14は映像
信号線5に対して全て同一極性にそろえて接続されてい
る。
In this case, the diode 14 in this case is provided so that the cathode is connected in the direction of the common signal line 50A (lower side in the figure) which is removed by the first cutting. The diodes 14 are all connected to the video signal line 5 with the same polarity.

【0047】これら各ダイオード14は、後に詳述する
ように、いままで共通信号線50Aと接続されていた各
映像信号線5が、カッティングによって該共通信号線5
0Aが除かれてもフローティング状態となってしまうの
を防止する機能を有するようになっている。
As will be described in detail later, each of these diodes 14 is replaced with a corresponding one of the video signal lines 5 connected to the common signal line 50A by cutting.
It has a function of preventing a floating state even if 0A is removed.

【0048】そして、これら各ダイオード14は、この
実施例では表示領域(液晶が封入されている領域)の外
側に設けるようにしたものであるが、必ずしもこれに限
定されることはなく、表示領域内であってもよいことは
いうまでもない。
The diodes 14 are provided outside the display area (the area where liquid crystal is sealed) in this embodiment. However, the present invention is not limited to this. It goes without saying that it may be inside.

【0049】なお、共通信号線50Aに直接に接続(ダ
イオード14を介することなく)されている映像信号線
5の他端にはその外部端子の手前において検査パッド5
Bが形成され、共通信号線50Bに接続されている映像
信号線5の他端には検査パッド5Bが形成されている。
The other end of the video signal line 5 directly connected to the common signal line 50A (without passing through the diode 14) is connected to the inspection pad 5 in front of its external terminal.
B is formed, and a test pad 5B is formed at the other end of the video signal line 5 connected to the common signal line 50B.

【0050】これら各検査パッド5Bは、次に説明する
ように、共通信号線50A、50Bとともに、該映像信
号線の断線およびショートを検査するために用いられる
ようになっている。
Each of these test pads 5B, together with the common signal lines 50A and 50B, is used for checking the disconnection and short-circuit of the video signal line as described below.

【0051】《断線検査方法》 (1)映像信号線の断線検査 共通信号線50Aに一方のプローブを当接させ、この共
通信号線50Aに接続されている映像信号線5の検査パ
ッド5Bに他方のプローブを順次当接させて、それらの
間に流れる電流を検知することによって、該映像信号線
5が断線しているか否かを検査する。この場合の極性は
不問である。
<< Disconnection inspection method >> (1) Inspection of disconnection of video signal line One probe is brought into contact with the common signal line 50A, and the other is connected to the inspection pad 5B of the video signal line 5 connected to the common signal line 50A. Are sequentially brought into contact with each other to detect a current flowing therebetween, thereby inspecting whether or not the video signal line 5 is disconnected. The polarity in this case does not matter.

【0052】また、共通信号線50Bに一方のプローブ
を当接させ、この共通信号線50Bに接続されている映
像信号線5の検査パッド5Bに他方のプローブを順次当
接させて、それらの間に流れる電流を検知することによ
って、映像信号線が断線しているか否かを検査する。こ
の場合の極性は不問である。
Further, one probe is brought into contact with the common signal line 50B, and the other probe is brought into contact with the test pad 5B of the video signal line 5 connected to the common signal line 50B, so that the probe is interposed therebetween. It detects whether the video signal line is disconnected by detecting the current flowing through the video signal line. The polarity in this case does not matter.

【0053】(2)隣接する映像信号線間のショート検
査 共通信号線50Aに一方のプローブを当接させ、他方の
プローブを共通信号線50Bに当接させて、それらの間
に流れる電流を検知することによって、隣接する映像信
号線間にショートが発生しているか否かを検査する。
(2) Inspection of short circuit between adjacent video signal lines One probe is brought into contact with the common signal line 50A, and the other probe is brought into contact with the common signal line 50B to detect a current flowing between them. By doing so, it is checked whether or not a short circuit has occurred between adjacent video signal lines.

【0054】この場合、ダイオードに対して逆方向電圧
をかける必要があり、共通信号線50Bよりも共通信号
線50Aを高い電位としなければならない。
In this case, it is necessary to apply a reverse voltage to the diode, and the common signal line 50A must have a higher potential than the common signal line 50B.

【0055】《液晶表示パネルの組立て方法》次に、上
述したカッティング前の透明基板1Aを用いて液晶表示
パネルを組み立てる際の方法の一実施例を図5を用いて
説明する。
<< Method of Assembling Liquid Crystal Display Panel >> Next, one embodiment of a method of assembling a liquid crystal display panel using the above-described transparent substrate 1A before cutting will be described with reference to FIG.

【0056】工程1(同図(a)) 図1に示した透明基板1Aを用意する。この場合、この
透明基板1Aにはその主表面を被ってCF基板2Aがシ
ール材3(図2参照)を介して貼り合わされている。
Step 1 (FIG. 7A) The transparent substrate 1A shown in FIG. 1 is prepared. In this case, a CF substrate 2A is attached to the transparent substrate 1A via a sealing material 3 (see FIG. 2) so as to cover the main surface.

【0057】そして、それぞれのTFT基板の液晶封入
孔8が形成されている辺に相当する部分(図中一点鎖線
X−Xで示す:図1の二点鎖線X’−X’に相当する)
に沿って透明基板1A、1Bにカッティングを行う。
Then, a portion corresponding to the side of each TFT substrate on which the liquid crystal sealing hole 8 is formed (shown by a dashed line XX in the drawing: corresponding to a two-dot chain line X'-X 'in FIG. 1).
The cutting is performed on the transparent substrates 1A and 1B along the line.

【0058】このカッティングを行うことにより、液晶
封入孔8が形成されている部分においてTFT基板1お
よびCF基板2のカッティング面が面一となり、液晶を
封入する際にはその封入を容易にすることができるよう
になる。
By performing this cutting, the cutting surfaces of the TFT substrate 1 and the CF substrate 2 are flush with each other in the portion where the liquid crystal sealing hole 8 is formed, and the sealing is easy when the liquid crystal is sealed. Will be able to

【0059】工程2(同図(b)) 上記カッティングにより分離されたそれぞれにおいて、
CF基板に相当する透明基板2Aのみを図中一点鎖線に
示す部分をカッティングすることにより所定の形状にす
る。
Step 2 (FIG. 6B) In each of the parts separated by the above cutting,
Only the transparent substrate 2A corresponding to the CF substrate is formed into a predetermined shape by cutting a portion indicated by a chain line in the figure.

【0060】このカッティングによって、透明基板1A
の表面に形成されている走査信号線4の外部端子4Aお
よびその共通信号線40、映像信号線5の外部端子5A
およびその共通信号線50A、50Bが露出されるよう
になる。
By this cutting, the transparent substrate 1A
Terminal 4A of the scanning signal line 4 and its common signal line 40 and the external terminal 5A of the video signal line 5 formed on the surface of
And the common signal lines 50A and 50B are exposed.

【0061】工程3(同図(c)) 映像信号線5の外部端子5Aが形成されている辺と対向
する側の辺部を図中一点鎖線に沿ってカッテングする。
Step 3 (FIG. 10C) The side of the video signal line 5 opposite to the side on which the external terminal 5A is formed is cut along the dashed line in the figure.

【0062】この場合、図6に示すように、CF基板2
の端面にカッター90を当接させて走査させることがで
き、該CF基板2の前記端面に対してTFT基板1(透
明基板1A)のカッティング面をほぼ面一にすることが
できる効果を有する。
In this case, as shown in FIG.
The cutting surface of the TFT substrate 1 (transparent substrate 1A) can be made substantially flush with the end surface of the CF substrate 2 with the cutter 90 contacting the end surface of the CF substrate 2.

【0063】そして、このカッティングによって共通信
号線50Aは映像信号線5から切り離されることにな
る。この場合におけるTFT基板側の透明基板1Aの状
態を図7に示している。
The common signal line 50A is cut off from the video signal line 5 by this cutting. FIG. 7 shows the state of the transparent substrate 1A on the TFT substrate side in this case.

【0064】従来では、このカッティングによって該共
通信号線50Aと接続されていた一本おきの映像信号線
5は完全にフローティング状態となってしまっていた
が、この実施例では、ダイオード14を介していまだ共
通信号線50Bと接続されている状態となっていること
に特徴を有する。
In the prior art, every other video signal line 5 connected to the common signal line 50A is completely floated by this cutting. However, in this embodiment, the video signal line 5 is connected via the diode 14. It is characterized in that it is still connected to the common signal line 50B.

【0065】すなわち、この工程後、通常、搬送工程を
経て次の工程に以降するようになるが、この搬送時に、
映像信号線5に静電気が浸入してきても前記ダイオード
14を介して共通信号線50Bに拡散され、薄膜トラン
ジスタTFTに特性を劣化させる弊害を回避できる効果
を奏するようになる。
That is, after this step, usually, the process proceeds to the next step after the transfer step.
Even if static electricity infiltrates the video signal line 5, it is diffused to the common signal line 50B via the diode 14, and the effect of avoiding the adverse effect of deteriorating the characteristics of the thin film transistor TFT can be obtained.

【0066】映像信号線5がフローティング状態となっ
ている場合、その映像信号線5に静電気が浸入すると、
経験則上、該映像信号線5が負に帯電することが確認さ
れている。このため、前記ダイオード14は、共通信号
線50B側をカソードとして接続させ、該映像信号線5
に帯電された電荷を該ダイオード14を介して共通信号
線50B側に拡散させるようになっている。
When the video signal line 5 is in a floating state and static electricity enters the video signal line 5,
As a rule of thumb, it has been confirmed that the video signal line 5 is negatively charged. Therefore, the diode 14 is connected to the common signal line 50B side as a cathode, and
Is diffused toward the common signal line 50B via the diode 14.

【0067】このことから、環境によっては前記映像信
号線5が正に帯電する場合も有り得るが、この場合には
前記ダイオード14の極性を逆するようにして接続する
ようにしてもよい。
From this, the video signal line 5 may be positively charged depending on the environment. In this case, the diode 14 may be connected so that the polarity of the diode 14 is reversed.

【0068】この場合、隣接する映像信号線5どおしの
ショート検査では、共通信号線50A、50Bに印加す
る電圧による電位差は上述した場合と逆に設定するよう
にすれば、該検査においては支障なく行えることにな
る。
In this case, in the short-circuit test between adjacent video signal lines 5, if the potential difference due to the voltage applied to the common signal lines 50A and 50B is set to be opposite to the above-mentioned case, It can be done without any trouble.

【0069】なお、上述した実施例では、ダイオード1
4を全て同一の極性に揃えて配置したものであるが、カ
ッテング後における搬送の条件あるいは状態等から、隣
接する各映像信号線5毎にグループ化されて異なる電荷
が帯電する場合も考えられる。この場合にはそれに応じ
てダイオード14の極性を設定することによって有効と
なる。
In the embodiment described above, the diode 1
4 are arranged so as to have the same polarity. However, depending on the transport condition or state after cutting, there may be a case where different electric charges are charged by being grouped for each adjacent video signal line 5. In this case, it is effective to set the polarity of the diode 14 accordingly.

【0070】工程4(同図(d)) TFT基板を図中一点鎖線に沿ってカッティングするこ
とにより、図2に示した形状にする。
Step 4 (FIG. 4D) The TFT substrate is cut along the dashed line in the figure to obtain the shape shown in FIG.

【0071】工程5(同図(e)) その後は、液晶封入孔9から液晶を封入し、該封入孔を
封入剤9によって塞ぐことにより、液晶表示パネルが完
成する。
Step 5 (FIG. 10E) Thereafter, liquid crystal is sealed through the liquid crystal sealing hole 9 and the sealing hole is closed with the sealing agent 9 to complete the liquid crystal display panel.

【0072】《ダイオード》図1は、上述したダイオー
ドの一実施例を示す平面図である。
<< Diode >> FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the diode described above.

【0073】同図において、図中x方向に走行する共通
信号線50Bを有し、この共通信号線50Bと一体にな
って複数の映像信号線5が図中y方向に走行して形成さ
れている。
In the figure, a common signal line 50B running in the x direction in the figure is provided, and a plurality of video signal lines 5 are formed integrally with the common signal line 50B while running in the y direction in the figure. I have.

【0074】これら各映像信号線5のうち一本おきに配
置された映像信号線5にはダイオード14が介在されて
形成されている。
Each of the other video signal lines 5 is formed with a diode 14 interposed therebetween.

【0075】このダイオード14は薄膜トランジスタT
FTと類似する構成からなり、そのゲート電極をソース
電極(表示領域側に位置づけられる電極)に接続させる
ことによって、ソース電極からドレイン電極(共通信号
線50Bの側に位置づけられる電極)の方向に電流が流
れ、その逆の方向には電流が流れないようになってい
る。
This diode 14 is a thin film transistor T
The FT has a configuration similar to that of the FT. By connecting the gate electrode to the source electrode (electrode positioned on the display region side), a current flows from the source electrode to the drain electrode (electrode positioned on the common signal line 50B side). Flows, and no current flows in the opposite direction.

【0076】すなわち、透明基板の表面に、まず、ゲー
ト電極14Gが形成されている。このゲート電極14G
は後に説明する映像信号線5(図では特に5Sと示して
いる)と交差するようにして配置され、その電極端子1
4G’は該交差部の領域外に形成されている。
That is, first, the gate electrode 14G is formed on the surface of the transparent substrate. This gate electrode 14G
Are arranged so as to intersect with a video signal line 5 (particularly indicated as 5S in the figure) to be described later.
4G 'is formed outside the area of the intersection.

【0077】そして、このゲート電極14Gを覆うよう
にして透明基板の全域には絶縁膜が形成されている。こ
の絶縁膜のうちゲート電極14G上のそれは、薄膜トラ
ンジスタ構造においてゲート絶縁膜の機能を有するよう
になる。
Then, an insulating film is formed over the entire area of the transparent substrate so as to cover the gate electrode 14G. The insulating film on the gate electrode 14G has the function of a gate insulating film in the thin film transistor structure.

【0078】ゲート電極14Gの映像信号線5Sと交差
する部分の絶縁膜上には、半導体層10が島状に形成さ
れている。この場合、半導体層10は前記映像信号線5
Sの走行方向に沿って突出部を有する形状となってい
る。後に映像信号線5Sを形成する場合に、該半導体層
10による段差部で一部段切れが生じても映像信号線5
Sの断線に至らないようにするためである。
The semiconductor layer 10 is formed in an island shape on the portion of the gate electrode 14G which intersects the video signal line 5S. In this case, the semiconductor layer 10 is provided on the video signal line 5.
It has a shape having a protruding portion along the traveling direction of S. When the video signal line 5S is formed later, the video signal line 5S is formed even if a portion of the step due to the semiconductor layer 10 is partially disconnected.
This is to prevent the disconnection of S.

【0079】そして、映像信号線5Sが前記半導体層1
0上において分離(物理的に)されて形成されている。
これにより表示領域側の映像信号線5Sの半導体層10
上における端部はソース電極14Sの機能を有するとと
もに、共通信号線50Bの側の映像信号線5Sの半導体
層10上における端部はドレイン電極14Dの機能を有
するようになっている。
The video signal line 5S is connected to the semiconductor layer 1
0 (separate (physical)).
Thereby, the semiconductor layer 10 of the video signal line 5S on the display area side
The upper end has the function of the source electrode 14S, and the end of the video signal line 5S on the side of the common signal line 50B on the semiconductor layer 10 has the function of the drain electrode 14D.

【0080】また、表示領域側の映像信号線5Sはその
一部において延在部を有しており、この延在部は前記ゲ
ート電極14Gの端子部との接続を図るための電極端子
14S’となっている。
The video signal line 5S on the display area side has an extended portion in a part thereof, and this extended portion is an electrode terminal 14S 'for connecting to the terminal portion of the gate electrode 14G. It has become.

【0081】すなわち、このように加工された透明基板
の全域には保護膜が形成され、この保護膜の上面には、
前記ゲート電極14Gの電極端子14G’の一部および
前記ソース電極14Sの電極端子14S’の一部を露出
させるコンタクト孔を通して各端子を互いに接続させる
たとえばITO膜からなる導電膜20が形成されてい
る。
That is, a protective film is formed over the entire area of the transparent substrate processed as described above.
A conductive film 20 made of, for example, an ITO film is formed to connect the terminals through a contact hole exposing a part of the electrode terminal 14G 'of the gate electrode 14G and a part of the electrode terminal 14S' of the source electrode 14S. .

【0082】《製造方法》図9および図10は、それぞ
れ前記ダイオードの製造方法の一実施例を示す工程図で
ある。
<< Manufacturing Method >> FIGS. 9 and 10 are process diagrams showing one embodiment of a method of manufacturing the diode.

【0083】ここで、図9は図8のA−A’線における
断面図を、また、図10は図BのB−B’線における断
面図を示している。
FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 8, and FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.

【0084】なお、このダイオードの製造は、表示領域
における各画素の製造と並行して行われるようになって
おり、以下、この画素の製造とともに説明していく。図
11は画素の製造工程の一実施例を示す図で、図4のT
−T’線における断面図である。
The manufacture of this diode is performed in parallel with the manufacture of each pixel in the display area, and will be described together with the manufacture of this pixel. FIG. 11 is a view showing one embodiment of the manufacturing process of the pixel.
It is sectional drawing in the -T 'line.

【0085】工程1.透明基板1Aを用意し、この透明
基板1Aの表面にたとえばCrおよびMoの合金層から
なるゲート電極14Gを形成する(図9(a)、図10
(a))。
Step 1. A transparent substrate 1A is prepared, and a gate electrode 14G made of, for example, an alloy layer of Cr and Mo is formed on the surface of the transparent substrate 1A (FIGS. 9A and 10).
(A)).

【0086】このゲート電極14Gは、画素領域におけ
る薄膜トランジスタTFTのゲート電極4G(走査信号
線4)と同材料かつ同一工程で形成されるようになって
いる(図11(a))。
The gate electrode 14G is formed of the same material and in the same process as the gate electrode 4G (scanning signal line 4) of the thin film transistor TFT in the pixel region (FIG. 11A).

【0087】工程2.前記ゲート電極14Gを覆って透
明基板1Aの表面の全域に絶縁膜21を形成する。さら
に、この絶縁膜12の表面の全域に半導体層10を形成
した後、この半導体層10をフォトリソグラフィ技術を
用いて図8に示したパターンに選択エッチングする(図
9(b)、図10(b))。
Step 2. An insulating film 21 is formed on the entire surface of the transparent substrate 1A so as to cover the gate electrode 14G. Further, after the semiconductor layer 10 is formed over the entire surface of the insulating film 12, the semiconductor layer 10 is selectively etched into a pattern shown in FIG. 8 by using a photolithography technique (FIGS. 9B and 10B). b)).

【0088】これら絶縁膜21および半導体層10は、
画素領域における絶縁膜21および半導体層10と同材
料かつ同一工程で形成されるようになっている(図11
(b))。
The insulating film 21 and the semiconductor layer 10 are
The insulating film 21 and the semiconductor layer 10 in the pixel region are formed of the same material and in the same process (FIG. 11).
(B)).

【0089】工程3.たとえばCrおよびMoの合金か
らなる金属層を全域に形成し、この金属層をフォトリソ
グラフィ技術を用いて図8に示したパターンに選択エッ
チングすることにより、映像信号線5を形成する。これ
により、半導体層10上の映像信号線5の端部にはソー
ス電極14Sおよびドレイン電極14Dが形成される
(図9(c)、図10(c))。
Step 3. For example, a metal layer made of an alloy of Cr and Mo is formed over the entire area, and the metal layer is selectively etched into a pattern shown in FIG. Thus, the source electrode 14S and the drain electrode 14D are formed at the end of the video signal line 5 on the semiconductor layer 10 (FIGS. 9C and 10C).

【0090】この映像信号線5の形成は、画素領域にお
いて薄膜トランジスタTFTのソース電極5Sおよびド
レイン電極5Dをも同時に形成するようになる(図11
(c))。
In the formation of the video signal line 5, the source electrode 5S and the drain electrode 5D of the thin film transistor TFT are simultaneously formed in the pixel region (FIG. 11).
(C)).

【0091】なお、この工程において、薄膜トランジス
タTFTとそれに接続される映像信号線5とが形成され
ることになる。
In this step, the thin film transistor TFT and the video signal line 5 connected to the thin film transistor TFT are formed.

【0092】このことから、該薄膜トランジスタTFT
の映像信号線5を介する静電気の浸入の防止対策のため
に、同時に共通信号線50A、50Bが形成されること
になる。この共通信号線50A、50Bによって静電気
が拡散され、該薄膜トランジスタTFTから保護される
ことになる。
From this, the thin film transistor TFT
The common signal lines 50A and 50B are formed at the same time in order to prevent static electricity from entering through the video signal line 5. Static electricity is diffused by the common signal lines 50A and 50B and is protected from the thin film transistor TFT.

【0093】工程4.保護膜22を全域に形成し、この
保護膜22に前記ゲート電極14Gの電極端子14G’
の一部およびソース電極14Sの電極端子14G’の一
部を露出させるためのコンタクト孔を形成する(図9
(d)、図10(d))。
Step 4. A protective film 22 is formed over the entire area, and the protective film 22 has an electrode terminal 14G 'of the gate electrode 14G.
9 and a contact hole for exposing a part of the electrode terminal 14G ′ of the source electrode 14S (FIG. 9).
(D), FIG. 10 (d)).

【0094】保護膜22は、画素領域における保護膜2
2と同材料かつ同一の工程で形成するとともに、コンク
タト孔も画素領域におけるコンタクト孔と同一の工程で
形成する(図11(d))。
The protective film 22 serves as the protective film 2 in the pixel region.
The contact hole is formed in the same step as the contact hole in the pixel region while the contact hole is formed in the same material and in the same step as FIG. 2 (FIG. 11D).

【0095】工程5.ITO膜を全域に形成し、このI
TO層をフォトリソグラフィ技術を用いて図に示したパ
ターンに選択エッチングすることにより、導電層10を
形成する(図9(e)、図10(e))。
Step 5. An ITO film is formed over the entire area, and this I
The conductive layer 10 is formed by selectively etching the TO layer into the pattern shown in the figure using the photolithography technique (FIGS. 9E and 10E).

【0096】導電層10は、画素領域における画素電極
6と同一の工程で形成する(図11(e))。
The conductive layer 10 is formed in the same step as the pixel electrode 6 in the pixel area (FIG. 11E).

【0097】以上、この実施例による液晶表示装置によ
れば、透明基板のカッティングの際に一方の共通信号線
がまず切りはなされたとしても、この共通信号線と分離
された映像信号線はダイオードを介して他方の共通信号
線と依然として接続されていることになる。
As described above, according to the liquid crystal display device of this embodiment, even if one of the common signal lines is cut off when the transparent substrate is cut, the video signal line separated from the common signal line is a diode. And is still connected to the other common signal line.

【0098】このため、この映像信号線に静電気が浸入
したとしても該ダイオードを介して他方の共通信号線に
拡散されることから、該映像信号線に接続されている薄
膜トランジスタの特性を変化させてしまう弊害を回避で
きるようになる。
For this reason, even if static electricity enters the video signal line, the static electricity is diffused to the other common signal line via the diode, so that the characteristics of the thin film transistor connected to the video signal line are changed. This can avoid the adverse effects.

【0099】[0099]

【発明の効果】以上説明したことから明らかになるよう
に、本発明による液晶表示装置によれば、充分な静電気
保護がなされるようになる。
As is apparent from the above description, the liquid crystal display device according to the present invention provides sufficient protection against static electricity.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による液晶表示装置(透明基板のカッテ
ィング前)の一実施例を示す平面図である。
FIG. 1 is a plan view showing one embodiment of a liquid crystal display device (before cutting a transparent substrate) according to the present invention.

【図2】本発明による液晶表示装置(透明基板のカッテ
ィング後)の一実施例を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing one embodiment of a liquid crystal display device (after cutting a transparent substrate) according to the present invention.

【図3】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す等価回路図である。
FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing one embodiment of a pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図4】本発明による液晶表示装置の画素の一実施例を
示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing one embodiment of a pixel of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図5】本発明による液晶表示装置の組立て方法の一実
施例を示す工程図である。
FIG. 5 is a process diagram showing one embodiment of a method of assembling a liquid crystal display device according to the present invention.

【図6】本発明による液晶表示装置の組立て方法の効果
を示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing the effect of the method for assembling a liquid crystal display device according to the present invention.

【図7】本発明による液晶表示装置の組立て方法の一工
程における透明基板(TFT基板側)の形状を示す平面
図である。
FIG. 7 is a plan view showing the shape of a transparent substrate (TFT substrate side) in one step of a method of assembling a liquid crystal display device according to the present invention.

【図8】本発明による液晶表示装置に組み込まれるダイ
オードの一実施例を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing one embodiment of a diode incorporated in the liquid crystal display device according to the present invention.

【図9】前記ダイオードの製造方法の一実施例を示す工
程図であり、図8のA−A’線における断面図である。
FIG. 9 is a process diagram showing one embodiment of a method of manufacturing the diode, and is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG.

【図10】前記ダイオードの製造方法の一実施例を示す
工程図であり、図8のB−B’線における断面図であ
る。
FIG. 10 is a process view showing one embodiment of the method for manufacturing the diode, and is a cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG.

【図11】画素領域内の薄膜トランジスタの製造方法の
一実施例を示す工程図であり、図4のT−T’線におけ
る断面図である。
11 is a process view showing one embodiment of a method for manufacturing a thin film transistor in a pixel region, and is a cross-sectional view taken along line TT ′ of FIG. 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1A……透明基板、4……走査信号線、5……映像信号
線、5A……外部端子(映像信号線)、5B……検査パ
ッド(映像信号線)、40……共通信号線(走査信号
線)、50A、50B……共通信号線(映像信号線)、
TFT……薄膜トランジスタ。
1A transparent substrate, 4 scanning signal line, 5 video signal line, 5A external terminal (video signal line), 5B inspection pad (video signal line), 40 common signal line (scanning) Signal lines), 50A, 50B ... common signal lines (video signal lines),
TFT: A thin film transistor.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、y方向に延
在されx方向に並設されている映像信号線を備え、 この映像信号線の両端側にそれぞれ共通信号線が形成さ
れ、その一方の共通信号線は前記映像信号線のうち一本
おきに配列されている映像信号線と共通に接続され、か
つ、他方の共通信号線は前記映像信号線のうち残りの映
像信号線と共通に接続されているとともに、これら残り
の映像信号線と隣接する他の映像信号線とダイオードを
介して接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
An image signal line extending in the y-direction and juxtaposed in the x-direction is provided on a liquid crystal side surface of one of the transparent substrates opposed to each other via a liquid crystal, A common signal line is formed at each end of the video signal line. One of the common signal lines is commonly connected to every other video signal line among the video signal lines, and the other is shared. The communication line is connected in common with the remaining video signal lines of the video signal lines, and is connected to other video signal lines adjacent to the remaining video signal lines via diodes. Liquid crystal display device.
【請求項2】 前記ダイオードは液晶が封入される領域
内に設けられていることを特徴とする請求項1記載の液
晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the diode is provided in a region where liquid crystal is sealed.
【請求項3】 一方の共通信号線は他方の共通信号線よ
り早く映像信号線と分離される信号線となっていること
を特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein one common signal line is a signal line separated from a video signal line earlier than the other common signal line.
【請求項4】 ダイオードは映像信号線に対して全て同
一極性にそろえて接続されていることを特徴とする請求
項1記載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the diodes are all connected to the video signal lines with the same polarity.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024209536A1 (en) * 2023-04-04 2024-10-10 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 Display device and method for manufacturing same

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