JPH11251628A - テルビウム錯体を有する有機発光ダイオード - Google Patents
テルビウム錯体を有する有機発光ダイオードInfo
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- JPH11251628A JPH11251628A JP36122698A JP36122698A JPH11251628A JP H11251628 A JPH11251628 A JP H11251628A JP 36122698 A JP36122698 A JP 36122698A JP 36122698 A JP36122698 A JP 36122698A JP H11251628 A JPH11251628 A JP H11251628A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K85/351—Metal complexes comprising lanthanides or actinides, e.g. comprising europium
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 容易に製造することのできる、有機配位子を
有するテルビウムの錯体化合物を有する有機発光ダイオ
ードを提供する 【構成】 本発明は、基板層1と、第1電極層2と、p
型導電材料を含む層と、有機配位子を持つテルビウムの
錯化合物を含む層と、n型導電材料を含む層と、第2電
極とを順に有する有機発光ダイオードにおいて、前記有
機配位子を持つテルビウムの錯化合物は、TbL(C2
H5OH)2の組成を有し、L=N,N’,N’’-ト
リス-(3-R1-,5-R2-2-X-ベンジル)-1,4,
7-トリアザシクロノナンであり、X= -O-,-COO
-,R1=CH3,C2H5,C3H 7,i-C3H7,
t-C4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,O
tC4H9,F,Cl,Br,NO2,R2=CH3,
C2H5,C3H7,i-C3H7,t-C4H9,OC
H3,OC2H5,OC3H7,OtC4H9,F,C
l,Br,NO2とする。
有するテルビウムの錯体化合物を有する有機発光ダイオ
ードを提供する 【構成】 本発明は、基板層1と、第1電極層2と、p
型導電材料を含む層と、有機配位子を持つテルビウムの
錯化合物を含む層と、n型導電材料を含む層と、第2電
極とを順に有する有機発光ダイオードにおいて、前記有
機配位子を持つテルビウムの錯化合物は、TbL(C2
H5OH)2の組成を有し、L=N,N’,N’’-ト
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l,Br,NO2とする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ディスプレイ、照
明機器、固体画像増大器、カラーモニタ、カラーディス
プレイスクリーン等のための有機発光ダイオードに関
し、特に、基板層と、第1電極層と、p型導電有機材料
を含む層と、有機配位子を有するテルビウムの錯体化合
物を含む層と、n型導電材料を含む層と、第2電極とを
順に有するダイオードに関する。
明機器、固体画像増大器、カラーモニタ、カラーディス
プレイスクリーン等のための有機発光ダイオードに関
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物を含む層と、n型導電材料を含む層と、第2電極とを
順に有するダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】一般には、この技術分野における発光ダ
イオード(LED)は、半導体ダイオードであり、適当
な不純物を含有するInP、GaAs、GaAlAs、
GaP又はGaNのような、不純物注入された硫化亜鉛
(zinc sulphide)、シリコン、ゲルマニウムすなわち
III−V(族)半導体の如き無機半導体によって構成
されたダイオードである。長年の間、有機の電気的伝導
性材料ではなく無機半導体によるエミッタ材料の冷光
(ルミネッセント)放射源を開発する努力がなされてい
る。
イオード(LED)は、半導体ダイオードであり、適当
な不純物を含有するInP、GaAs、GaAlAs、
GaP又はGaNのような、不純物注入された硫化亜鉛
(zinc sulphide)、シリコン、ゲルマニウムすなわち
III−V(族)半導体の如き無機半導体によって構成
されたダイオードである。長年の間、有機の電気的伝導
性材料ではなく無機半導体によるエミッタ材料の冷光
(ルミネッセント)放射源を開発する努力がなされてい
る。
【0003】有機材料の発光層を有する発光ダイオード
は、幾つかの点で無機材料の光源よりも明らかに優れて
いる。有機ダイオードの利点の1つは、成形が容易で高
い弾力性を示すことであり、これにより発光ディスプレ
イやディスプレイスクリーンの新しい応用が可能とな
る。これらの層は、大きな表面で、平坦かつ極薄層に簡
単に製造することができ、これに伴って少量の材料しか
必要としない。かかる層は、低駆動電圧で著しく高い輝
度が特徴である。
は、幾つかの点で無機材料の光源よりも明らかに優れて
いる。有機ダイオードの利点の1つは、成形が容易で高
い弾力性を示すことであり、これにより発光ディスプレ
イやディスプレイスクリーンの新しい応用が可能とな
る。これらの層は、大きな表面で、平坦かつ極薄層に簡
単に製造することができ、これに伴って少量の材料しか
必要としない。かかる層は、低駆動電圧で著しく高い輝
度が特徴である。
【0004】その上、かかる発光色は、ルミネッセント
物質の選定によって、約400nmから約650nmま
での広い範囲で変えることができる。
物質の選定によって、約400nmから約650nmま
での広い範囲で変えることができる。
【0005】また、導電性有機材料と希土類金属のメタ
ロ有機化合物との組み合わせは、EBU規格に準じて色
純度を改善しカラーポイントを精密にするカラーディス
プレイを得るために、有機の発光ダイオードに用いられ
てきた。DE 44 28 450には、有機エレクトロ
ルミネッセント素子が記述されている。この素子は、基
板層と、第1透明電極層と、1つ以上の一量状態及び1
つ以上の3重項状態を持つ1以上のp型導電性有機材料
をオプションとして有するとともに有機配位子(リガン
ド)を持つ希土類金属イオンの1以上の錯体を有する発
光材料を有する1以上の光電作用層とを有し、前記希土
類金属イオンは、発出状態を有し、当該有機配位子は、
1つ以上の一量状態及び1つ以上の3重項状態を有し、
前記光電作用層はさらに、1つ以上の一量状態及び1つ
以上の3重項状態を持つ1つ以上のn型導電性有機材料
と第2電極とを有し、当該配位子の最低エネルギーの3
重項状態がn型導電及び/又はp型導電有機材料の最低
エネルギーの3重項状態より低くかつ当該希土類金属イ
オンの発出状態よりも高くされている。この希土類金属
イオンは、例えばテルビウム(III)イオンとするこ
とができる。
ロ有機化合物との組み合わせは、EBU規格に準じて色
純度を改善しカラーポイントを精密にするカラーディス
プレイを得るために、有機の発光ダイオードに用いられ
てきた。DE 44 28 450には、有機エレクトロ
ルミネッセント素子が記述されている。この素子は、基
板層と、第1透明電極層と、1つ以上の一量状態及び1
つ以上の3重項状態を持つ1以上のp型導電性有機材料
をオプションとして有するとともに有機配位子(リガン
ド)を持つ希土類金属イオンの1以上の錯体を有する発
光材料を有する1以上の光電作用層とを有し、前記希土
類金属イオンは、発出状態を有し、当該有機配位子は、
1つ以上の一量状態及び1つ以上の3重項状態を有し、
前記光電作用層はさらに、1つ以上の一量状態及び1つ
以上の3重項状態を持つ1つ以上のn型導電性有機材料
と第2電極とを有し、当該配位子の最低エネルギーの3
重項状態がn型導電及び/又はp型導電有機材料の最低
エネルギーの3重項状態より低くかつ当該希土類金属イ
オンの発出状態よりも高くされている。この希土類金属
イオンは、例えばテルビウム(III)イオンとするこ
とができる。
【0006】これら有機発光ダイオードにおいて、p型
導電又はn型導電材料の層とテルビウムの錯体化合物を
有する層は異なる形態で製造可能である。テルビウムの
錯体化合物は、例えば、単独で又はp型導電材料及びn
型導電材料と共に、例えばポリカーボネートやポリメタ
クリレートの如きポリマーのマトリクス(鋳型)に溶け
る。これに代わり、このテルビウムの錯体化合物は、層
の形で、単独で又はp型導電及びn型導電材材料と共に
蒸着可能である。
導電又はn型導電材料の層とテルビウムの錯体化合物を
有する層は異なる形態で製造可能である。テルビウムの
錯体化合物は、例えば、単独で又はp型導電材料及びn
型導電材料と共に、例えばポリカーボネートやポリメタ
クリレートの如きポリマーのマトリクス(鋳型)に溶け
る。これに代わり、このテルビウムの錯体化合物は、層
の形で、単独で又はp型導電及びn型導電材材料と共に
蒸着可能である。
【0007】これらの製造方法に適したものとするため
に、テルビウムの錯体化合物は、ポリマーを溶かす無極
性溶媒に対して可溶性のものとすべきであり、ポリマー
自体に溶けることのできるものであるべきである。これ
に加え、非分解状態でテルビウムの錯体化合物を気化さ
せかつ昇華させることができるのが良い。
に、テルビウムの錯体化合物は、ポリマーを溶かす無極
性溶媒に対して可溶性のものとすべきであり、ポリマー
自体に溶けることのできるものであるべきである。これ
に加え、非分解状態でテルビウムの錯体化合物を気化さ
せかつ昇華させることができるのが良い。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、容易に製造することのできる、有機配位子を有
するテルビウムの錯体化合物を有する有機発光ダイオー
ドを提供することである。
目的は、容易に製造することのできる、有機配位子を有
するテルビウムの錯体化合物を有する有機発光ダイオー
ドを提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、基板層と、第1電極層と、p型導電材料
を含む層と、有機配位子を持つテルビウムの錯化合物を
含む層と、n型導電材料を含む層と、第2電極とを順に
有する有機発光ダイオードにおいて、
め、本発明は、基板層と、第1電極層と、p型導電材料
を含む層と、有機配位子を持つテルビウムの錯化合物を
含む層と、n型導電材料を含む層と、第2電極とを順に
有する有機発光ダイオードにおいて、
【0010】前記有機配位子を持つテルビウムの錯化合
物は、TbL(C2H5OH)2の組成を有し、L=
N,N’,N’’-トリス-(3-R1-,5-R2-2-X-
ベンジル)-1,4,7-トリアザシクロノナンであり、 X= -O-,-COO-, R1=CH3,C2H5,C3H7,i-C3H7,t-
C4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,OtC
4H9,F,Cl,Br,NO2 R2=CH3,C2H5,C3H7,i-C3H7,t-
C4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,OtC
4H9,F,Cl,Br,NO2 であることを特徴としている。
物は、TbL(C2H5OH)2の組成を有し、L=
N,N’,N’’-トリス-(3-R1-,5-R2-2-X-
ベンジル)-1,4,7-トリアザシクロノナンであり、 X= -O-,-COO-, R1=CH3,C2H5,C3H7,i-C3H7,t-
C4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,OtC
4H9,F,Cl,Br,NO2 R2=CH3,C2H5,C3H7,i-C3H7,t-
C4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,OtC
4H9,F,Cl,Br,NO2 であることを特徴としている。
【0011】親物質としての1,4,7-トリアザノナ
ンを有する大環状キレート錯体Lを有するこの中性テル
ビウム化合物は、ダイオードにおける極めて高い発出量
効率を得ることを可能とする。加えて、この化合物は単
核であるので、非分解状態において簡単に昇華する。こ
の非分解状態においては、例えば、トルオール(トルエ
ン)のようなヒドロカーボン、シクロヘキサン、ジクロ
ロエタンのようなハロゲン化されたヒドロカーボン系、
ジクロロメタン、クロロホルム又はクロロベンゼンの如
き無極性溶媒に、そしてポリアクリレートやポリスチロ
ール等に溶解可能となっている。
ンを有する大環状キレート錯体Lを有するこの中性テル
ビウム化合物は、ダイオードにおける極めて高い発出量
効率を得ることを可能とする。加えて、この化合物は単
核であるので、非分解状態において簡単に昇華する。こ
の非分解状態においては、例えば、トルオール(トルエ
ン)のようなヒドロカーボン、シクロヘキサン、ジクロ
ロエタンのようなハロゲン化されたヒドロカーボン系、
ジクロロメタン、クロロホルム又はクロロベンゼンの如
き無極性溶媒に、そしてポリアクリレートやポリスチロ
ール等に溶解可能となっている。
【0012】本発明のこれらの態様及びその他の態様
は、以下に記述される実施例から明かとなり、該実施例
に基づいて明瞭になる。
は、以下に記述される実施例から明かとなり、該実施例
に基づいて明瞭になる。
【0013】
【実施例】添付図面中、図1は、本発明による有機発光
ダイオードの一実施例を示している。
ダイオードの一実施例を示している。
【0014】この実施例において、本発明による有機発
光ダイオードは、薄層構造の基板層1と、第1の透明電
極層2と、p型導電性有機材料及びルミネッセントテル
ビウム錯体を有する層3と、n型導電性有機材料5の層
と、第2の電極4とを有する。
光ダイオードは、薄層構造の基板層1と、第1の透明電
極層2と、p型導電性有機材料及びルミネッセントテル
ビウム錯体を有する層3と、n型導電性有機材料5の層
と、第2の電極4とを有する。
【0015】動作時は、直流電圧が両電極に印加され
る。この第1の電極(アノード)は正の電位とされ、第
2の電極(カソード)は負の電位とされる。
る。この第1の電極(アノード)は正の電位とされ、第
2の電極(カソード)は負の電位とされる。
【0016】基板1には、多くの場合例えばガラス板の
ような光伝導材料のプレートにより作られる。この上に
は、数100nmの厚さを持つ薄膜が設けられ、これが
アノード2を担うことになる。この薄膜も、光伝導する
ものでなければならない。これに続く層は、テルビウム
錯体を有するp型導電層であり、次にn型導電層が設け
られる。これらの層の厚さは、10ないし100nmで
ある。この有機エレクトロルミネッセント(電界発光)
素子は、カソード4で完成する。
ような光伝導材料のプレートにより作られる。この上に
は、数100nmの厚さを持つ薄膜が設けられ、これが
アノード2を担うことになる。この薄膜も、光伝導する
ものでなければならない。これに続く層は、テルビウム
錯体を有するp型導電層であり、次にn型導電層が設け
られる。これらの層の厚さは、10ないし100nmで
ある。この有機エレクトロルミネッセント(電界発光)
素子は、カソード4で完成する。
【0017】かかる透明アノードに用いるのに適し、正
孔を上記p型導電層に注入する材料は、電子に対し大き
な仕事関数を持つ金属、金属酸化物又は電気的伝導性有
機ポリマーである。例としては、インジウムの注入され
たスズ酸化物(ITO)、金又はポリアニリンの透明薄
層が挙げられる。
孔を上記p型導電層に注入する材料は、電子に対し大き
な仕事関数を持つ金属、金属酸化物又は電気的伝導性有
機ポリマーである。例としては、インジウムの注入され
たスズ酸化物(ITO)、金又はポリアニリンの透明薄
層が挙げられる。
【0018】p型導電層としては、分子的に不純物注入
された有機ポリマー又は本来的に導電性の有機ポリマ
ー、すなわち本来的な電気的導電性又は導電性有機モノ
マー(単量体)を有するポリマーが適用される。本来的
なp型導電性の有機ポリマーの一例は、ポリ(N-ビニ
ルカルバゾール)である。
された有機ポリマー又は本来的に導電性の有機ポリマ
ー、すなわち本来的な電気的導電性又は導電性有機モノ
マー(単量体)を有するポリマーが適用される。本来的
なp型導電性の有機ポリマーの一例は、ポリ(N-ビニ
ルカルバゾール)である。
【0019】こうしたほぼ無限に小さい電気的伝導性の
ために、有機ポリマーは、電気及び電子工業における絶
縁体又は被覆物として使用されるのが慣例となってい
る。しかしながら、最近では、ドーピングにより、すな
わち電子システムにおける電流伝導体を担うこともでき
るように規定された不純物を正確に導入することによっ
て、有機ポリマーの導電性を改変する試みが成功してき
ている。このようなドープされた有機ポリマーの例とし
ては、砒素を含むペンタフッ化物又はヨウ素化物がドー
プされたポリアセチレンがある。これらは金属光沢を呈
する。
ために、有機ポリマーは、電気及び電子工業における絶
縁体又は被覆物として使用されるのが慣例となってい
る。しかしながら、最近では、ドーピングにより、すな
わち電子システムにおける電流伝導体を担うこともでき
るように規定された不純物を正確に導入することによっ
て、有機ポリマーの導電性を改変する試みが成功してき
ている。このようなドープされた有機ポリマーの例とし
ては、砒素を含むペンタフッ化物又はヨウ素化物がドー
プされたポリアセチレンがある。これらは金属光沢を呈
する。
【0020】被ドープ有機ポリマーの他の種類は、例え
ばP. M. Bausenberger and D. S. Weissの"Organic Pho
toreceptors for Imaging Systems", Marcel Dekker, N
ew York (1993)に記述されているような、いわゆる「分
子的に被ドープポリマー(molecularly doped polymer
s)」(MDP)により構成される。前記の分子的にドー
プされたポリマーは、分子的に分散された二元固体のモ
ノマー溶液であり、これは、不活性ポリマーマトリクス
分子において不活性のうちに電荷を搬送することの可能
なものである。
ばP. M. Bausenberger and D. S. Weissの"Organic Pho
toreceptors for Imaging Systems", Marcel Dekker, N
ew York (1993)に記述されているような、いわゆる「分
子的に被ドープポリマー(molecularly doped polymer
s)」(MDP)により構成される。前記の分子的にドー
プされたポリマーは、分子的に分散された二元固体のモ
ノマー溶液であり、これは、不活性ポリマーマトリクス
分子において不活性のうちに電荷を搬送することの可能
なものである。
【0021】p型導電特性を有する特に適したMDPに
は、ポリメタクリル酸メチル又はビスフェノールA-ポ
リカーボネートのマトリクスにおけるドーパントとし
て、p型導電体N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス
(3-メチルフェニル)-1,1’-ビフェニル-4,4’
-ジアミン(TPD)の固体溶媒がある。
は、ポリメタクリル酸メチル又はビスフェノールA-ポ
リカーボネートのマトリクスにおけるドーパントとし
て、p型導電体N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス
(3-メチルフェニル)-1,1’-ビフェニル-4,4’
-ジアミン(TPD)の固体溶媒がある。
【0022】p型導電層には、ポリ(p-フェニレン基
ビニレン(=p-phenylenevinylene))及びその誘導体を
用いるのも適切である。好ましくは、4,4’,4’’
-トリス(3-メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミ
ン(MTDATA),N,N’-ジフェニル-N,N’-
ビス(3-メチルフェニル)-1,1’-ビフェニル-4,
4’-ジアミン(TPD),N,N’-ジ(4-メチルフ
ェニル)-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジア
ミン(DPPD)又は1,1’-ビス(4’-ビス-
(4’-メチルフェニル)-アミノ-フェニル)-シクロヘ
キサン(TAPC)のような導電性のトリフェニルアミ
ン誘導体を用いるのが良い。上記カソード及び混在層に
接触する電子運搬層には、2-(4-ビフェニル)-5-
(第3級-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾ
ール(ブチル-PBD),2-(4-ビフェニル基)-5-
フェニル-1,3,4-オキサジアゾール(PBD)又は
5-(4-ビフェニル基)-3-(第3級-ブチルフェニ
ル)-1,2,4-トリアゾール(TAZ)を用いるのが
好ましい。
ビニレン(=p-phenylenevinylene))及びその誘導体を
用いるのも適切である。好ましくは、4,4’,4’’
-トリス(3-メチルフェニルアミノ)トリフェニルアミ
ン(MTDATA),N,N’-ジフェニル-N,N’-
ビス(3-メチルフェニル)-1,1’-ビフェニル-4,
4’-ジアミン(TPD),N,N’-ジ(4-メチルフ
ェニル)-N,N’-ジフェニル-1,4-フェニレンジア
ミン(DPPD)又は1,1’-ビス(4’-ビス-
(4’-メチルフェニル)-アミノ-フェニル)-シクロヘ
キサン(TAPC)のような導電性のトリフェニルアミ
ン誘導体を用いるのが良い。上記カソード及び混在層に
接触する電子運搬層には、2-(4-ビフェニル)-5-
(第3級-ブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾ
ール(ブチル-PBD),2-(4-ビフェニル基)-5-
フェニル-1,3,4-オキサジアゾール(PBD)又は
5-(4-ビフェニル基)-3-(第3級-ブチルフェニ
ル)-1,2,4-トリアゾール(TAZ)を用いるのが
好ましい。
【0023】上記n型導電層にはまた、本質的に導電性
の有機モノマー及びポリマー又は分子的にドープされた
ポリマーを用いても良い。上記電子運搬層に好適な本質
的導電性の有機モノマーは、3,4,9,10-ペリレ
ン-テトラカルボキシ-ビス-ベンゾイミダゾール,2-
(4-ビフェニル基)-5-(第3級-ブチルフェニル)-
1,3,4-オキサジアゾール(ブチル-PBD),2-
(4-ビフェニル基)-5-フェニル-1,3,4-オキサ
ジアゾール又は2,5-ジフェニル-1,3,4-オキサ
ジアゾール(PPD)及び8-ヒドロキシ-キノリン-ア
ルミニウム(Alq3)である。
の有機モノマー及びポリマー又は分子的にドープされた
ポリマーを用いても良い。上記電子運搬層に好適な本質
的導電性の有機モノマーは、3,4,9,10-ペリレ
ン-テトラカルボキシ-ビス-ベンゾイミダゾール,2-
(4-ビフェニル基)-5-(第3級-ブチルフェニル)-
1,3,4-オキサジアゾール(ブチル-PBD),2-
(4-ビフェニル基)-5-フェニル-1,3,4-オキサ
ジアゾール又は2,5-ジフェニル-1,3,4-オキサ
ジアゾール(PPD)及び8-ヒドロキシ-キノリン-ア
ルミニウム(Alq3)である。
【0024】上記n型導電性の分子的にドープされた有
機ポリマーには、8-ヒドロキシ-キノリン-アルミニウ
ム(Alq3)が加えられたポリエチルのメタクリレー
トを使用することができる。
機ポリマーには、8-ヒドロキシ-キノリン-アルミニウ
ム(Alq3)が加えられたポリエチルのメタクリレー
トを使用することができる。
【0025】本発明において用いることのできる他の分
子的にドープされた有機ポリマーは、例えば、2-(4-
ビフェニル基)-5-(第3級-ブチルフェニル)-1,
3,4-オキサジアゾール及び2,5-ジフェニル-1,
3,4-オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系
又は3,4,5-トリフェニル-1,2,4-トリアゾー
ル及び3-(4’-t-ブチルフェニル)-4-フェニル-5
-(4’’-ビフェニル)-1,2,4-トリアゾールのよ
うなトリアゾール系がドープされるマトリクスとしての
ポリメチルメタクリル(PMMA),ポリスチレン又は
ビスフェノールA-ポリカーボネートにより構成され
る。
子的にドープされた有機ポリマーは、例えば、2-(4-
ビフェニル基)-5-(第3級-ブチルフェニル)-1,
3,4-オキサジアゾール及び2,5-ジフェニル-1,
3,4-オキサジアゾールのようなオキサジアゾール系
又は3,4,5-トリフェニル-1,2,4-トリアゾー
ル及び3-(4’-t-ブチルフェニル)-4-フェニル-5
-(4’’-ビフェニル)-1,2,4-トリアゾールのよ
うなトリアゾール系がドープされるマトリクスとしての
ポリメチルメタクリル(PMMA),ポリスチレン又は
ビスフェノールA-ポリカーボネートにより構成され
る。
【0026】このエレクトロルミネッセント材料は、T
bL(C2H5OH)2の組成を有する有機配位子を持
つテルビウムの錯化合物を有するものである。ここで、
L=N,N’,N’’-トリス-(3-R1-,5-R2-2
-X-ベンジル)-1,4,7-トリアザシクロノナン(=
triazacyclononane)であり、X= -O-,-COO-,R
1=CH3,C2H5,C3H7,i-C3H7,t-C
4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,OtC4
H9,F,Cl,Br,NO2であり、R2=CH3,
C2H5,C3H7,i-C3H7,t-C4H9,OC
H3,OC2H 5,OC3H7,OtC4H9,F,C
l,Br,NO2である。
bL(C2H5OH)2の組成を有する有機配位子を持
つテルビウムの錯化合物を有するものである。ここで、
L=N,N’,N’’-トリス-(3-R1-,5-R2-2
-X-ベンジル)-1,4,7-トリアザシクロノナン(=
triazacyclononane)であり、X= -O-,-COO-,R
1=CH3,C2H5,C3H7,i-C3H7,t-C
4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,OtC4
H9,F,Cl,Br,NO2であり、R2=CH3,
C2H5,C3H7,i-C3H7,t-C4H9,OC
H3,OC2H 5,OC3H7,OtC4H9,F,C
l,Br,NO2である。
【0027】テルビウム錯体は、得るべき緑のスペクト
ル領域における蛍光を可能とする。
ル領域における蛍光を可能とする。
【0028】大環状の3価の配位子Lは、親物質として
1,4,7-トリアザシクロノナンを有しており、これ
は各窒素原子においてフェノール誘導体又は安息香酸誘
導体で置換されるものである。テルビウム(III)イ
オンと連結するのにフェノレート又はベンゾレートを用
いることにより、当該配位子から金属イオンへの極めて
効果的なエネルギー伝搬が行われ、高い放出量子収量が
得られることが判明した。
1,4,7-トリアザシクロノナンを有しており、これ
は各窒素原子においてフェノール誘導体又は安息香酸誘
導体で置換されるものである。テルビウム(III)イ
オンと連結するのにフェノレート又はベンゾレートを用
いることにより、当該配位子から金属イオンへの極めて
効果的なエネルギー伝搬が行われ、高い放出量子収量が
得られることが判明した。
【0029】このテルビウム化合物の濃度は、導電性有
機ポリマーの伝搬特性に影響を及ぼさないようにするた
め、20mol%を超えてはならない。
機ポリマーの伝搬特性に影響を及ぼさないようにするた
め、20mol%を超えてはならない。
【0030】当該カソードから電子がそのn型導電層に
注入されなければならないので、カソードの材料には小
さな仕事関数を有する金属が用いられる。このような金
属としては、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウ
ム及び銀又はインジウムの合金といった種類のものだけ
でなく、カルシウムや、Li,Na,K,Csのような
アルカリ金属又はユーロピウム若しくはテルビウムのよ
うな希土類金属がある。
注入されなければならないので、カソードの材料には小
さな仕事関数を有する金属が用いられる。このような金
属としては、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウ
ム及び銀又はインジウムの合金といった種類のものだけ
でなく、カルシウムや、Li,Na,K,Csのような
アルカリ金属又はユーロピウム若しくはテルビウムのよ
うな希土類金属がある。
【0031】このダイオードを製造するために、かかる
n型又はp型導電性材料は、溶液から供給され、高真空
下で蒸着され、昇華され又は本来の状態に重合化される
ことが可能である。
n型又はp型導電性材料は、溶液から供給され、高真空
下で蒸着され、昇華され又は本来の状態に重合化される
ことが可能である。
【0032】上記テルビウム錯体を有する層は、オプシ
ョンとして電導性有機モノマーと共に昇華により形成さ
れうる。かかるテルビウム錯体を導電性有機ポリマーと
共に形成しようとするときは、塗膜溶液をつくるために
共通の溶剤又は溶剤の混合物に両成分を溶かすことが必
要である。
ョンとして電導性有機モノマーと共に昇華により形成さ
れうる。かかるテルビウム錯体を導電性有機ポリマーと
共に形成しようとするときは、塗膜溶液をつくるために
共通の溶剤又は溶剤の混合物に両成分を溶かすことが必
要である。
【0033】例 [(dmbtacn)Tb(C2H5OH)2]をつくるため
に、320mgの量のN,N’,N’’-トリス-(3,
5-ジメチル-2-ヒドロキシベンジル)-1,4,7-ト
リアザシクロノナンは、5mlエタノールに溶かされ
る。この溶液には、6mlの量の0.1モルのTbCl
3溶液が加えられる。そして、この溶液にも、97.2
mgのNaOCH3が加えられる。この溶液は、その後
2時間の間60°Cで攪拌され、これにより白い沈殿物
が形成される。この生成物は、吸い取られて少量の極冷
エタノールで何度も洗浄される。この結晶物質は、乾燥
器においてCaCl2により乾かされる。
に、320mgの量のN,N’,N’’-トリス-(3,
5-ジメチル-2-ヒドロキシベンジル)-1,4,7-ト
リアザシクロノナンは、5mlエタノールに溶かされ
る。この溶液には、6mlの量の0.1モルのTbCl
3溶液が加えられる。そして、この溶液にも、97.2
mgのNaOCH3が加えられる。この溶液は、その後
2時間の間60°Cで攪拌され、これにより白い沈殿物
が形成される。この生成物は、吸い取られて少量の極冷
エタノールで何度も洗浄される。この結晶物質は、乾燥
器においてCaCl2により乾かされる。
【0034】この[(dmbtacn)Tb(C2H5OH)
2]の粉体の光学物理特性は、次の値を示すものとなっ
た。
2]の粉体の光学物理特性は、次の値を示すものとなっ
た。
【表1】 (注) Abs254 254nmの吸収率 EM 発出スペクトラムの最大値 EX 励起スぺクトラムの最大値 τ 1/eまでの強度の減衰時間 LE ルーメン等価値 LMCT 配位子-金属-チャージ-トランスファ (ligand-metal-charge-transfer) QE254 254nm放射による励起で為される量子収率 dmbtacn N,N’,N’’-トリス-(3,5-ジメチル-2 -ヒドロキシベンジル)-1,4,7 -トリアザシクロノナン
【図1】 本発明による有機発光ダイオードの一実施例
を示す概略構成図。
を示す概略構成図。
【符号の説明】 1 基板層 2 第1透明電極層 3 テルビウム錯体を有するp導電有機材料の層 4 第2電極層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Groenewoudseweg 1, 5621 BA Eindhoven, Th e Netherlands (72)発明者 ウォルフガング ブッセルト ドイツ国 52159 ロエトフェン ヤーゲ ルスプファッド 3 (72)発明者 トーマス ユステル ドイツ国 52078 アーヒェン ウォルフ ェルスカウル 21 (72)発明者 ハンス ニコル ドイツ国 52070 アーヒェン ルイセン ストラッセ 26
Claims (1)
- 【請求項1】 基板層と、第1電極層と、p型導電材料
を含む層と、有機配位子を持つテルビウムの錯化合物を
含む層と、n型導電材料を含む層と、第2電極とを順に
有する有機発光ダイオードにおいて、 前記有機配位子を持つテルビウムの錯化合物は、TbL
(C2H5OH)2の組成を有し、 L=N,N’,N’’-トリス-(3-R1-,5-R2-2
-X-ベンジル)-1,4,7-トリアザシクロノナンであ
り、 X= -O-,-COO-, R1=CH3,C2H5,C3H7,i-C3H7,t-
C4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,OtC
4H9,F,Cl,Br,NO2 R2=CH3,C2H5,C3H7,i-C3H7,t-
C4H9,OCH3,OC2H5,OC3H7,OtC
4H9,F,Cl,Br,NO2 であることを特徴とする有機発光ダイオード。
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ITTO20010692A1 (it) * | 2001-07-13 | 2003-01-13 | Consiglio Nazionale Ricerche | Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione. |
US6569706B2 (en) * | 2001-09-19 | 2003-05-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Fabrication of organic light emitting diode using selective printing of conducting polymer layers |
JP2003147346A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Kansai Tlo Kk | 希土類錯体を用いた光機能材料及び発光装置 |
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US20040100176A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-05-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organic electronic device that filters colors |
US7540978B2 (en) | 2004-08-05 | 2009-06-02 | Novaled Ag | Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component |
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EP1739765A1 (de) * | 2005-07-01 | 2007-01-03 | Novaled AG | Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden |
EP1786050B1 (de) * | 2005-11-10 | 2010-06-23 | Novaled AG | Dotiertes organisches Halbleitermaterial |
US7919010B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-04-05 | Novaled Ag | Doped organic semiconductor material |
KR100665375B1 (ko) * | 2006-02-22 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
EP1837927A1 (de) * | 2006-03-22 | 2007-09-26 | Novaled AG | Verwendung von heterocyclischen Radikalen zur Dotierung von organischen Halbleitern |
DE502006000749D1 (de) | 2006-03-21 | 2008-06-19 | Novaled Ag | Heterocyclisches Radikal oder Diradikal, deren Dimere, Oligomere, Polymere, Dispiroverbindungen und Polycyclen, deren Verwendung, organisches halbleitendes Material sowie elektronisches Bauelement |
DE102007012794B3 (de) * | 2007-03-16 | 2008-06-19 | Novaled Ag | Pyrido[3,2-h]chinazoline und/oder deren 5,6-Dihydroderivate, deren Herstellungsverfahren und diese enthaltendes dotiertes organisches Halbleitermaterial |
DE102007018456B4 (de) * | 2007-04-19 | 2022-02-24 | Novaled Gmbh | Verwendung von Hauptgruppenelementhalogeniden und/oder -pseudohalogeniden, organisches halbleitendes Matrixmaterial, elektronische und optoelektronische Bauelemente |
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DE102007031220B4 (de) * | 2007-07-04 | 2022-04-28 | Novaled Gmbh | Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
US8118447B2 (en) | 2007-12-20 | 2012-02-21 | Altair Engineering, Inc. | LED lighting apparatus with swivel connection |
US7712918B2 (en) | 2007-12-21 | 2010-05-11 | Altair Engineering , Inc. | Light distribution using a light emitting diode assembly |
US8057712B2 (en) * | 2008-04-29 | 2011-11-15 | Novaled Ag | Radialene compounds and their use |
US8360599B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-01-29 | Ilumisys, Inc. | Electric shock resistant L.E.D. based light |
US7976196B2 (en) | 2008-07-09 | 2011-07-12 | Altair Engineering, Inc. | Method of forming LED-based light and resulting LED-based light |
US7946729B2 (en) | 2008-07-31 | 2011-05-24 | Altair Engineering, Inc. | Fluorescent tube replacement having longitudinally oriented LEDs |
US8674626B2 (en) | 2008-09-02 | 2014-03-18 | Ilumisys, Inc. | LED lamp failure alerting system |
US8256924B2 (en) | 2008-09-15 | 2012-09-04 | Ilumisys, Inc. | LED-based light having rapidly oscillating LEDs |
US8214084B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-07-03 | Ilumisys, Inc. | Integration of LED lighting with building controls |
US8653984B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-02-18 | Ilumisys, Inc. | Integration of LED lighting control with emergency notification systems |
US7938562B2 (en) | 2008-10-24 | 2011-05-10 | Altair Engineering, Inc. | Lighting including integral communication apparatus |
US8444292B2 (en) | 2008-10-24 | 2013-05-21 | Ilumisys, Inc. | End cap substitute for LED-based tube replacement light |
US8901823B2 (en) | 2008-10-24 | 2014-12-02 | Ilumisys, Inc. | Light and light sensor |
US8324817B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-12-04 | Ilumisys, Inc. | Light and light sensor |
US8556452B2 (en) | 2009-01-15 | 2013-10-15 | Ilumisys, Inc. | LED lens |
US8362710B2 (en) | 2009-01-21 | 2013-01-29 | Ilumisys, Inc. | Direct AC-to-DC converter for passive component minimization and universal operation of LED arrays |
US8664880B2 (en) | 2009-01-21 | 2014-03-04 | Ilumisys, Inc. | Ballast/line detection circuit for fluorescent replacement lamps |
US8330381B2 (en) | 2009-05-14 | 2012-12-11 | Ilumisys, Inc. | Electronic circuit for DC conversion of fluorescent lighting ballast |
US8299695B2 (en) | 2009-06-02 | 2012-10-30 | Ilumisys, Inc. | Screw-in LED bulb comprising a base having outwardly projecting nodes |
US8421366B2 (en) | 2009-06-23 | 2013-04-16 | Ilumisys, Inc. | Illumination device including LEDs and a switching power control system |
WO2011119958A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Altair Engineering, Inc. | Inside-out led bulb |
CA2794512A1 (en) | 2010-03-26 | 2011-09-29 | David L. Simon | Led light tube with dual sided light distribution |
EP2553320A4 (en) | 2010-03-26 | 2014-06-18 | Ilumisys Inc | LED LIGHT WITH THERMOELECTRIC GENERATOR |
US8454193B2 (en) | 2010-07-08 | 2013-06-04 | Ilumisys, Inc. | Independent modules for LED fluorescent light tube replacement |
JP2013531350A (ja) | 2010-07-12 | 2013-08-01 | イルミシス,インコーポレイテッド | Led発光管用回路基板取付台 |
EP2633227B1 (en) | 2010-10-29 | 2018-08-29 | iLumisys, Inc. | Mechanisms for reducing risk of shock during installation of light tube |
US8870415B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-10-28 | Ilumisys, Inc. | LED fluorescent tube replacement light with reduced shock hazard |
US9072171B2 (en) | 2011-08-24 | 2015-06-30 | Ilumisys, Inc. | Circuit board mount for LED light |
US9184518B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-11-10 | Ilumisys, Inc. | Electrical connector header for an LED-based light |
WO2014008463A1 (en) | 2012-07-06 | 2014-01-09 | Ilumisys, Inc. | Power supply assembly for led-based light tube |
US9271367B2 (en) | 2012-07-09 | 2016-02-23 | Ilumisys, Inc. | System and method for controlling operation of an LED-based light |
US9285084B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-15 | Ilumisys, Inc. | Diffusers for LED-based lights |
US9267650B2 (en) | 2013-10-09 | 2016-02-23 | Ilumisys, Inc. | Lens for an LED-based light |
CA2937642A1 (en) | 2014-01-22 | 2015-07-30 | Ilumisys, Inc. | Led-based light with addressed leds |
US9510400B2 (en) | 2014-05-13 | 2016-11-29 | Ilumisys, Inc. | User input systems for an LED-based light |
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US5128587A (en) * | 1989-12-26 | 1992-07-07 | Moltech Corporation | Electroluminescent device based on organometallic membrane |
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DE69514495T2 (de) * | 1994-08-11 | 2000-08-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V., Eindhoven | Festkörper-bildverstärker und röntgenuntersuchungsgerät mit einem festkörper-bildverstärker |
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