JPH11246238A

JPH11246238A - プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネル用ガラス基板並びにその製造方法

Info

Publication number: JPH11246238A
Application number: JP10050519A
Authority: JP
Inventors: Masao Izumo; 正雄出雲
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1998-03-03
Filing date: 1998-03-03
Publication date: 1999-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】フロートガラス基板の表面側に存在するＳｎ
に起因したＰＤＰ用ガラス基板の黄変を防止する。【解決手段】フロートガラス基板５１をエッチング槽
５２内のフッ酸溶液５３に浸漬して、少なくともトップ
面５１Ｔの側に存在するＳｎ２２，２４をエッチングに
より除去する。このエッチング後のガラス基板１の上記
トップ面５１Ｔに相当する表面１Ｔ上に形成されたＳｎ
Ｏ₂膜と、当該ＳｎＯ₂膜の表面上に形成されたＡｇ補助
電極とを備えるＰＤＰは、表層にＳｎが存在するままの
フロートガラス基板をそのままＰＤＰ用ガラス基板とし
て使用した従来のＰＤＰと比較して、２価のＳｎとＡｇ
補助電極のＡｇイオンとが還元反応を起こしてコロイド
状のＡｇを生じることが全く無い。従って、上記エッチ
ング処理を施したガラス基板１をＰＤＰ用前面基板に用
いた場合には、ガラス基板の黄変が全く発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイパネル（以下「ＰＤＰ」と称す）に関するもので
あり、特に、ＰＤＰの前面パネルに用いられるフロート
ガラス基板の変色を抑制する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は、従来のＰＤＰの構造の一例を示
す縦断面図であり、かかる構造は例えば特開平３−１
９００３９号公報に提案されるものである。

【０００３】図５において、１０１は第１の絶縁基板、
１０２は第２の絶縁基板、１０４は列電極、１０５は放
電ガス空間、１０６は隔壁、１０７は蛍光体、１０８は
絶縁体、１０９は保護膜、１１３ａは透明電極（例えば
ＳｎＯ₂膜より成るため、以下「ＳｎＯ₂膜１１３ａ」と
も称す）、１１３ｂは金属補助電極を示している。ま
た、透明電極１１３ａと金属補助電極１１３ｂとを行電
極１１３と総称する。また、ＰＤＰの構造は、図５に示
すように、第１の絶縁基板１０１、行電極１１３、絶縁
体１０８及び保護膜１０９より成る前面パネル１３１
と、第２の絶縁基板１０２、列電極１０４、蛍光体１０
７及び隔壁１０６より成る背面パネル１３２とに大別で
きる。

【０００４】第１及び第２の絶縁基板１０１，１０２
は、その安価さからソーダガラスが用いられることが多
い（以下それぞれ「第１のガラス基板１０１」，「第２
のガラス基板１０２」とも称す）。そのため、図５の前
面パネル１３１の代わりに、図６に示す従来のＰＤＰの
他の構造を有する前面パネル１４１のように、第１のガ
ラス基板１０１の表面上をアルカリバリア層１１０でコ
ーティングすることにより、ソーダガラスが含有するナ
トリウム（Ｎａ）等のアルカリ金属イオンの拡散を防止
している。第２のガラス基板１０２についても同様であ
る。

【０００５】さて、図５又は図６に示す従来のＰＤＰで
は、金属補助電極１１３ｂとして厚膜Ａｇ膜（以下「厚
膜Ａｇ膜１１３ｂ」、「Ａｇ補助電極１１３ｂ」とも称
す）が多用されている。かかる厚膜Ａｇ膜１１３ｂの形
成方法として、スクリーン印刷法やロールコート法のよ
うにＡｇペーストを用いる方法や、ドライフィルム等の
有機バインダーにて成形されたものを用いる方法（ドラ
イフィルム法）が一般的に使用される。スクリーン印刷
法やロールコート法では、有機溶剤にて混練されたペー
スト状のＡｇとして、また、ドライフィルム法において
は有機バインダーにて成形された形状のＡｇとして、透
明電極１１３ａ上に供給されて、Ａｇパターンが形成さ
れる。このため、これらの形成方法を用いてＡｇ補助電
極１１３ｂを形成する場合、上記溶剤又はバインダーで
ある有機成分を除去し、Ａｇ補助電極１１３ｂを形成す
るために、Ａｇパターン形成後に通常５００℃程度の高
温にて焼成する必要性がある。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】さて、図５に示すＰＤ
Ｐのガラス基板１０１，１０２としては、その大型化が
比較的容易であること、低コスト化が達成できること等
の理由から、上述のように、ソーダガラスが多用されて
いる。かかるソーダガラスは、溶融窯で溶かされたガラ
ス原料を高温で溶融しているスズ（Ｓｎ）の上（溶融Ｓ
ｎのバス）に流し込み、溶融Ｓｎ上に浮かべることによ
り平板に形成するフロート法により製造される。以下、
かかる製造方法によって製造されるソーダガラスを単に
「フロートガラス」とも称す。

【０００７】上述のように、当該フロートガラスの表面
のうち、その製造工程において溶融Ｓｎと接触している
側の表面（以下「ボトム面」と称す）にはＳｎを含む組
成から成る表層が存在している。また、Collected pape
rs,XIV Intl.Congr.on Glass(1986)の１４６頁〜１５０
頁に記載される先行文献中の表１に指摘されるよう
に、上記溶融Ｓｎと接触していない側の表面（以下「ト
ップ面」と称す）にも、Ｓｎを含む組成から成る表層が
存在し、当該表層は溶融Ｓｎの蒸気の回り込みに起因す
るものである。従って、フロートガラスの両表面（ボト
ム面、トップ面）ともに、その表層にはＳｎが存在する
のである。

【０００８】また、図５又は図６に示すＡｇ補助電極１
１３ｂの形成工程において、Ａｇペースト等の焼成のた
めの熱処理として、例えば大気中において５００℃を越
えるような高温での長時間（〜３０分程度以上）の熱処
理を施すと、Ａｇ補助電極１１３ｂからＡｇイオンがガ
ラス基板１０１中に拡散してしまう。このとき、ガラス
基板１０１として上記フロートガラスを使用した場合
（以下「フロートガラス基板１０１」と称す）、ガラス
基板１０１中に拡散してきたＡｇイオンがフロートガラ
ス基板１０１の上記表層中に存在する２価のＳｎ（Ｓｎ
⁺⁺）と反応して、Ａｇイオンが還元（Ａｇ⁺→Ａｇ）さ
れてコロイド状のＡｇとなる。このコロイド状のＡｇ
は、４００ｎｍ近傍の光を吸収する特性を有するため、
フロートガラス基板１０１の全面を黄変させてしまう。
従って、かかる黄変により、ＰＤＰの蛍光体からの本来
の発光色のバランスが崩れてしまい、正確な色の表現が
得られないという問題点が生じる。この点について、図
７を用いて詳しく説明する。

【０００９】図７は、Ａｇ補助電極１１３ｂ中のＡｇイ
オンがフロートガラス基板１０１へ拡散する様子を示
す、ＰＤＰの模式的な縦断面図であり、ちょうど図６に
示す前面パネル１４１の製造工程において、Ａｇ補助電
極１１３ｂが形成された段階の状態に相当する。図７
中、１２０はＡｇ補助電極１１３ｂからＳｎＯ₂膜（透
明電極）１１３ａ及びアルカリバリア層１１０を通過し
て、フロートガラス基板１０１に達し、その表層１０１
Ｓをも越えて内部に拡散するＡｇイオン（以下「Ａｇイ
オン１２０」と称す）の軌跡（動き）を示している。こ
れに対して、１２３はＡｇイオンの軌跡１２０と同様に
ＳｎＯ₂膜１１３ａ及びアルカリバリア層１１０を透過
するのだが、フロートガラス基板１０１に到達後に、そ
の表層１０１Ｓ内に含まれる２価のＳｎ１２２と還元反
応を生じてトラップされるＡｇイオン（以下「Ａｇイオ
ン１２３」と称す）の軌跡（動き）を示している。ま
た、１２１はＳｎＯ₂膜１１３ａの内部の２価のＳｎ１
２２との還元反応によって透明電極膜１１３ａ中にトラ
ップされるＡｇイオン（以下「Ａｇイオン１２１」と称
す）の軌跡（動き）を示している。なお、１２４はＳｎ
Ｏ₂膜１１３ａ中又はフロートガラス基板１０１中に含
まれる４価のＳｎを示している。かかる４価のＳｎ１２
４は、Ｓｎ化合物中におけるＳｎ原子の安定状態である
ため、Ａｇイオンとの還元反応を起こすことは無い。従
って、上記フロートガラス基板１０１の黄変の原因とし
ては、２価のＳｎと上記３種類のＡｇイオン１２０，１
２１，１２３との還元反応が考えられる。

【００１０】上記３種類のＡｇイオン１２０，１２１，
１２３のうち、Ａｇイオン１２０は表層１０１Ｓ内のＳ
ｎ１２２と反応することなく、ガラス基板１０１内部に
到達するため、コロイド状のＡｇが生じず、従って、上
述のガラス基板１０１の黄変は観測されない。他方、Ａ
ｇイオン１２１は、ＳｎＯ₂膜１１３ａ内のＳｎ１２２
との還元反応によりコロイド状のＡｇを生成するのであ
るが、ＳｎＯ₂膜１１３ａの膜厚は約０．２μｍ程度で
あり、フロートガラス基板１０１の表層１０１Ｓの厚さ
（数１０μｍ程度）と比べて非常に薄いため、たとえ黄
変したとしても、ＳｎＯ₂膜膜１１３ａ自体の黄変がＰ
ＤＰにおいて観測されることはほとんど無い。

【００１１】従って、フロートガラス基板１０１の黄変
の原因は、表層１０１Ｓ内の２価のＳｎ１２２とＡｇイ
オン１２３との還元反応であることが分かる。なお、こ
のようなＡｇイオンとフロートガラス中のＳｎとの反応
によるガラスの変色については、上記先行文献にその
基本的な解析の説明を見ることができる。

【００１２】また、上述のＡｇイオンの拡散現象は、Ａ
ｇ補助電極１１３ｂの上記高温焼成工程に限らず、Ａｇ
補助電極１１３ｂの形成後の高温熱処理工程、例えば、
絶縁体（誘電体）層１０８（図６参照）の焼成工程やＰ
ＤＰの前面パネルと背面パネルとの封着工程等における
高温熱処理工程によっても引き起こされることは容易に
推察できる。

【００１３】上述のコロイド状のＡｇに起因して、ＰＤ
Ｐの正確な発光色が得られないという問題点の解決策の
一つとして、例えば液晶パネルの基板として用いられ
る、表面にＳｎを含有していない無アルカリガラスをＰ
ＤＰにも使用することが考えられる。しかしながら、Ｐ
ＤＰは、液晶パネルやＣＲＴが実現し難い、４０インチ
〜６０インチ級の大型壁掛けテレビを実現しうるディス
プレイであるところにその優位性があるため、大型のガ
ラス基板が材料として不可欠である。かかる点を鑑みる
と、高価な無アルカリガラスをＰＤＰ用ガラス基板とし
て採用することは到底できず、ＰＤＰ用ガラス基板に求
められるガラス基板の大型化、低コスト化及び量産対応
の可能性という要求を満足しうるガラス基板としてはフ
ロートガラス以外は考えられないとの結論に達する。従
って、ＰＤＰ用ガラス基板としてフロートガラス基板を
用いても、その黄変が生じない対策を講じることが必要
である。

【００１４】この発明は、上述のフロートガラス基板の
黄変に起因する問題点を解消するためになされたもので
あり、簡便且つ低コストな方法により、フロートガラス
基板の表層に存在するＳｎが除去されているＰＤＰ用ガ
ラス基板及びその製造方法を提供することを、第１の目
的とする。

【００１５】更に、第１の目的の達成により得られるフ
ロートガラス基板を備えることにより、従来のＰＤＰと
比較して表示品質が向上されたＰＤＰを提供すること
を、第２の目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】（１）請求項１記載の発
明に係るプラズマディスプレイパネル用ガラス基板は、
フロート法により製造されたガラス基板において、少な
くとも一方の表面側に存在するＳｎが所定の処理によっ
て除去されていることを特徴とする。

【００１７】（２）請求項２記載の発明に係るプラズマ
ディスプレイパネル用ガラス基板は、請求項１記載のプ
ラズマディスプレイパネル用ガラス基板において、前記
所定の処理とは、所定のエッチング溶液に浸漬すること
により前記Ｓｎを除去する処理であることを特徴とす
る。

【００１８】（３）請求項３記載の発明に係るプラズマ
ディスプレイパネル用ガラス基板は、請求項１記載のプ
ラズマディスプレイパネル用ガラス基板であって、前記
所定の処理とは、機械的手段により前記Ｓｎを除去する
処理であることを特徴とする。

【００１９】（４）請求項４記載の発明に係るプラズマ
ディスプレイパネル用ガラス基板は、請求項２又は３記
載のプラズマディスプレイパネル用ガラス基板におい
て、前記所定の処理とは、前記一方の表面側から少なく
とも１０μｍ程度の厚みの領域を除去する処理であるこ
とを特徴とする。

【００２０】（５）請求項５記載の発明に係るプラズマ
ディスプレイパネルは、請求項１乃至４のいずれかに記
載のプラズマディスプレイパネル用ガラス基板と、前記
プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の前記一方の
表面上に形成されたＳｎＯ₂膜と、前記ＳｎＯ₂膜の表面
上に形成されたＡｇ補助電極とを備えることを特徴とす
る。

【００２１】（６）請求項６記載の発明に係るプラズマ
ディスプレイパネル用ガラス基板の製造方法は、フロー
ト法によりガラス基板を製造した後、前記ガラス基板の
少なくとも一方の表面側に対して、所定の処理を行って
前記少なくとも一方の表面側に存在するＳｎを除去する
ことを特徴とする。

【００２２】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）（着眼点）ＰＤＰ用ガラス基板としてフロート法により
製造されたガラス（以下「フロートガラス」と称す）を
用いることの意義及び当該フロートガラス基板の黄変の
発生に対する対策の必要性は、既述の通りである。

【００２３】上記対策の一つとして、例えば、ＳｉＯ₂
より成るアルカリバリア層（図７のアルカリバリア層１
１０参照）をフロートガラス基板の表面上にコーティン
グすることにより、Ａｇイオンのフロートガラス基板へ
の拡散を阻止するという対策が考えられる。しかしなが
ら、アルカリバリア層として使用されるＳｉＯ₂膜は、
ガラス基板中のアルカリ金属イオンの拡散を阻止するの
には有効であるが、Ａｇイオンに対するバリア効果はほ
とんど認められないことが、本願発明者の研究により判
明した。

【００２４】次に、特にＰＤＰの全面パネルの製造プロ
セス全体の低温化によりＡｇイオンを生成させないとい
う解決策が考えられる。既述のように、上記のＡｇ補助
電極の形成工程での高温熱処理は、Ａｇペースト中の有
機溶媒等を除去するための熱処理である。従って、かか
る高温熱処理を必要とするスクリーン印刷法等によら
ず、半導体装置の製造工程で多用されるフォトリソグラ
フィ技術によりＡｇ補助電極を形成すれば、Ａｇ補助電
極の低温形成が可能である。更に、Ａｇ補助電極の形成
後の高熱処理工程、例えば絶縁体（誘電体）層（図６の
１０８参照）の形成工程や前面パネルと背面パネルとの
封着工程における、ガラスペーストの焼成熱処理をより
低温（例えば４００゜Ｃ以下）で行うことによって、Ｐ
ＤＰ製造工程全体を低温プロセス化することも不可能で
はない。しかしながら、フォトリソグラフィ技術を用い
ることにより、Ａｇ補助電極を形成するための工程数が
増えるばかりか、当該技術は半導体分野において十分に
確立された技術ではあるが、ＰＤＰの製造プロセスとし
て用いた場合にはコストメリットは小さく、当該技術自
身の更なる低コスト化はほとんど望めないと考えられ
る。また、ガラスペーストの焼成工程を低温化した場
合、果たして当該ガラスペーストに要求される特性を十
分に発揮できるかどうかも疑問である。従って、かかる
解決策はコスト的・技術的にみてその採用は困難である
と言える。

【００２５】以上の考察を振り返ると、いずれもＡｇイ
オンの拡散を阻止又は抑制することにその主眼が置かれ
ている。そこで、本願発明者は、上記ガラス基板の黄変
という現象の原因である、上記フロートガラス基板の表
面内に含まれる２価のＳｎとＡｇ補助電極から生成され
るＡｇイオンとの反応自体に再度着眼することにより、
ガラス基板の上記黄変の問題の解決策を見出した。即
ち、上記Ａｇイオンではなく、フロートガラス基板の表
面に含まれる上記２価のＳｎを除去するという考えを得
るに至った。

【００２６】図１は、上述の検討により得られた本願発
明の基本的な考え方を模式的に示す図である。図１は、
後述するＰＤＰ用ガラス基板の製造方法によりフロート
ガラスの表面に存在するＳｎが除去されたＰＤＰ用ガラ
ス基板１を用いたＰＤＰの前面パネルの縦断面図であ
り、製造工程においてＡｇ補助電極１３ｂまでが形成さ
れた段階の状態を示している。図１は、その表面にＳｎ
を含むフロートガラス基板を用いた従来のＰＤＰの前面
パネルを示す図７に相当し、以下の説明において両者を
比較することにより本願発明と従来の技術との違いが一
層明らかとなる。また、図１に示すように、上記ＰＤＰ
用ガラス基板１の一方の表面上にアルカリバリア層１０
が形成され、当該アルカリバリア層１０の表面上に透明
電極であるＳｎＯ₂膜１３ａ及びＡｇ補助電極１３ｂが
形成されている。なお、本願発明においては、アルカリ
バリア層１０は必須の構成要素ではないが、既述の機能
を有することからＰＤＰにおいて当該アルカリバリア層
１０を備えることは好ましいと言える。

【００２７】図１中、２０はＡｇ補助電極１３ｂからＳ
ｎＯ₂膜１３ａ及びアルカリバリア層１０を通過してガ
ラス基板１に到達し、その内部へ拡散するＡｇイオン
（以下「Ａｇイオン２０」と称す）の軌跡（動き）を示
しており、Ａｇイオン２０は、図７に示すＡｇイオン１
２０と対比することができる。また、図１中、２１はＳ
ｎＯ₂膜１３ａの内部の２価のＳｎ２２との還元反応に
よって透明電極膜１３ａ中にトラップされるＡｇイオン
（以下「Ａｇイオン２１」と称す）の軌跡（動き）を示
しており、Ａｇイオン２１は、図７に示すＡｇイオン１
２１と対比することができる。なお、２４はＳｎＯ₂膜
１３ａ中に含まれる４価のＳｎを示している。

【００２８】ここで、図１に示すＰＤＰ用ガラス基板１
の表面には、図７の表層１０１ＳのようなＳｎ、特にＡ
ｇイオンを還元させる２価のＳｎ（図７に示す２価のＳ
ｎ１２２参照）が存在しないことを理解されたい。従っ
て、たとえＡｇイオンがガラス基板１へ到達し、その内
部へ拡散したとしても、図１のガラス基板１の表面には
Ｓｎが全く存在しないため、当該Ａｇイオンは図７のＡ
ｇイオン１２３のように２価のＳｎと還元反応を起こす
ことは無い。即ち、当該Ａｇイオンはガラス基板の黄変
に寄与しないＡｇイオン２０に他ならない。従って、Ｐ
ＤＰ用ガラス基板１を備えるＰＤＰでは、その表面にＳ
ｎを含むフロートガラス基板を備える従来のＰＤＰが抱
えるガラス基板の黄変という問題が全く生じないという
効果を奏する。

【００２９】以上のＰＤＰ用ガラス基板の製造方法につ
いて、以下に詳述する。

【００３０】（実施の形態１に係るＰＤＰ用ガラス基板
の製造方法）さて、上述の構成を実現するためには、Ｐ
ＤＰ用ガラス基板１の両表面のうちで少なくともＡｇ補
助電極１３ｂ等が形成される側の表面に存在するＳｎを
除去すれば良い。既述のように、ＰＤＰ用ガラス基板と
して用いられるフロートガラスは、その製造方法に起因
してトップ面及びボトム面ともにその表層にＳｎを組成
として含有している。しかし、トップ面はＳｎバスに直
接に接触せずＳｎバスから回り込むＳｎ蒸気と接触する
のみであるので、その含有量はボトム面と比較して少な
い。この差異は既述した先行文献中の表１においても
見ることができる。

【００３１】従って、少なくとも一方の表面側としてト
ップ面側を選択して、その表層（即ち、表面と表面から
一定の厚みの領域）に存在するＳｎを除去した後に、か
かる表面上にＳｎＯ₂膜１３ａやＡｇ補助電極１３ｂ等
のＰＤＰの構成要素を形成することが、そのスループッ
トの観点からＰＤＰの製造工程において好適である。図
４は、かかる観点に基づいて測定された、フロートガラ
ス基板のトップ面の表面からその内部に向けてのＳｎ濃
度（ｗｔ％）プロファイルである。なお、図４はＳＩＭ
Ｓ（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓｓＳｐｅｃ
ｔｒｏｓｃｏｐｙ：２次イオン質量分析器）によるデー
タである。図４によれば、トップ面の最表面には約０．
０４４％ものＳｎが含まれており、その深さ方向に従っ
てＳｎ濃度は減少する。また、表面から５μｍ程度の厚
みの領域を除去すれば、約０．０１ｗｔ％（ほぼ８０
％）程度までＳｎが除去でき、また、１０μｍ程度の厚
みの領域までを除去すれば、約０．００４ｗｔ％（ほぼ
９０％）程度までＳｎが除去できることが解る。なお、
ボトム面には、トップ面と比較して約５倍ものＳｎが存
在し、その分布の深さは約５０μｍ程度にも達するとの
知見を付け加えておく。

【００３２】図４のデータを基にして、フロートガラス
基板の少なくともトップ面側の表層に存在するＳｎを所
定のエッチング溶液に浸漬することにより除去する処理
方法を、図２を用いて説明する。

【００３３】図２の（ａ）〜（ｃ）は本実施の形態１に
係るＰＤＰ用ガラス基板の製造方法を示す図であり、５
１はフロートガラス基板であり、５１Ｔはそのトップ
面、５１Ｂはそのボトム面を示す。また、５２はエッチ
ング槽、５３はフッ酸溶液を示す。

【００３４】図２の（ａ）に示すように、フロートガラ
ス基板５１のトップ面５１Ｔ及びボトム面５１Ｂには、
共に２価及び４価のＳｎ２２，２４が存在している。か
かる状態のフロートガラス基板５１を、図２の（ｂ）に
示すように、エッチング槽５２内のフッ酸溶液５３に浸
漬することにより、Ｓｎ２２，２４が含まれるフロート
ガラス基板５１の表層をエッチングする。このようにし
て、図２の（ｃ）に示す、その表層にＳｎを含まないＰ
ＤＰ用ガラス基板１を得ることができる。なお、図２の
（ｃ）においては、トップ面５１Ｔ及びボトム面５１Ｂ
の両面に存在するＳｎを除去しているが、少なくとも一
方の表面（トップ面５１Ｔ）に存在するＳｎをエッチン
グにより除去すれば良いことは上述の通りである。この
場合、トップ面５１Ｔの少なくとも１０μｍ程度の厚み
の領域をエッチングすることにより、従って、少なくと
も０．００４ｗｔ％の含有量までＳｎを除去することに
より、ＰＤＰの表示性能上問題とならない程度にまでガ
ラス基板の黄変を除去することができる。

【００３５】また、上記フッ酸溶液５３の代わりに水酸
化ナトリウム溶液を用いても、同様にガラス基板の黄変
を除去できるという効果を得ることができる。但し、水
酸化ナトリウム溶液を用いた場合はエッチング速度が比
較的緩やかであるため、フッ酸溶液を用いる上記処理は
より好ましい形態と言える。また、フロートガラスの表
面側に存在するＳｎをエッチングにより除去するとい
う、本製造方法の本質に鑑みれば、エッチング溶液とし
ては上記のフッ酸溶液又は水酸化ナトリウム溶液に限ら
れるものではない。従って、上記Ｓｎを含む表面をエッ
チングし得る溶液を「所定のエッチング溶液」と定義す
れば、上記製造方法は「所定のエッチング溶液に浸漬す
ることにより上記Ｓｎを除去する処理方法」であると言
うことができる。

【００３６】以上のように、ＰＤＰ用ガラス基板の本製
造方法によれば、所定のエッチング溶液にガラス基板を
浸漬するという作業を単に行うだけでガラス基板の黄変
の原因であるＳｎを確実に且つ容易に除去できるため、
当該製造方法はコストメリットが大きい処理方法である
と言える。

【００３７】更に、本製造方法によれば、以下に述べる
効果をも得ることができる。

【００３８】図１のＳｎＯ₂膜１３ａに２価のＳｎ２２
を多く含む部分がＰＤＰの全面において散在すると、Ｓ
ｎ２２が多い部分と少ない部分との間にＳｎ２２とＡｇ
イオン２１との反応量の差に起因する表示のムラが観測
される場合があるが、本実施の形態１に係るＰＤＰ用ガ
ラス基板１をＰＤＰのガラス基板として用いることによ
り、上記ムラがほとんど観測されなくなる程度にまで低
減できるという効果を生じる。このようなＳｎＯ₂膜１
３ａ中の２価のＳｎ２２の不均一な分布は、例えば、Ｓ
ｎＯ₂膜の熱ＣＶＤ法による成膜工程において、ガラス
基板温度の面内不均一やＳｎＯ₂膜の原料の不十分な分
解、吹き付け時の酸素量不足等に起因している。このよ
うに、ＳｎＯ₂膜の成膜工程では多くの工程管理要素に
留意しなければならないが、ＰＤＰのガラス基板として
本実施の形態１に係るＰＤＰ用ガラス基板１を用いるこ
とにより、上記工程管理要素の不安定さを吸収すること
も可能である。

【００３９】加えて、本製造方法によれば、所定のエッ
チング溶液への浸漬はフロートガラス基板の表面に存在
する鋭角的なマイクロクラックを緩和するため、上記浸
漬後に得られるＰＤＰ用ガラス基板１は、従来のフロー
トガラス基板と比較して、その強度が向上するという効
果をも包含している。

【００４０】（実施の形態１の変形例）本実施の形態１
の変形例は、上記実施の形態１における「フロートガラ
スの表層に存在するＳｎの除去」という着想を、例えば
バフ研磨法等の機械的手段により実施するものである。
以下に、図３を用いて本実施の形態１の変形例に係るＰ
ＤＰ用ガラス基板の製造方法を説明する。

【００４１】図３の（ａ）〜（ｃ）は本実施の形態１の
変形例に係るＰＤＰ用ガラス基板の製造方法を示す模式
図である。図３の（ａ）に示すフロートガラス基板５１
のＳｎ２２，２４を有するトップ面５１Ｔ及びボトム面
５１Ｂを、図３の（ｂ）に示すように中心軸６１の回転
と共に回転する研磨板６０により研磨する。このように
して、図３の（ｃ）に示す表面にＳｎを含まないＰＤＰ
用ガラス基板１を得ることができる。

【００４２】なお、図３の（ｂ）では、フロートガラス
基板５１の両面５１Ｔ，５１Ｂを研磨しているが、少な
くとも一方の表面を研磨すれば良く、トップ面５１Ｔを
研磨する方が好適であることは既述の通りである。ま
た、この際の研磨量は、トップ面５１Ｔの少なくとも１
０μｍ程度の厚みの領域を研磨すれば、上述の実施の形
態１に係るＰＤＰ用ガラス基板の製造方法と同様の効果
を得ることができる。

【００４３】加えて、上記バフ研磨法によれば最大１μ
ｍ以下の面粗度が実現でき、また、数μｍ以下の高い基
板平行度も容易に実現できるため、反りや凹凸が除去さ
れたＰＤＰ用ガラス基板を得ることができるという効果
をも有している。

【００４４】また、上記の研磨法の代わりに、例えばＰ
ＤＰにおける隔壁の形成工程で用いられるブラスト法等
の他の機械的手段を用いても良い。

【００４５】

【発明の効果】（１）請求項１記載の発明によれば、プ
ラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と称す）用
ガラス基板は、フロート法により製造されたガラス基板
（以下「フロートガラス基板」と称す）の少なくとも一
方の表面に存在するＳｎが所定の処理によって除去され
ているため、表面にＳｎが存在するままのフロートガラ
ス基板をそのままＰＤＰ用ガラス基板として使用し、当
該ＰＤＰ用ガラス基板上に透明電極とＡｇ補助電極とを
順次に形成する従来のＰＤＰのように、フロートガラス
基板の一方の表面側に存在する２価のＳｎとＡｇ補助電
極のＡｇイオンとが還元反応を起こすことが全く無い。
従って、本発明によるガラス基板をＰＤＰ用ガラス基板
に用いても、上記還元反応により生じるコロイド状のＡ
ｇに起因するガラス基板の黄変が全く発生しないという
効果を得ることができる。

【００４６】（２）請求項２記載の発明によれば、フロ
ートガラス基板を所定のエッチング溶液に単に浸漬する
ことによりその表面側に存在するＳｎを除去するため、
上記（１）の効果と同時に、コストメリットが大きい方
法により、上記Ｓｎを確実且つ容易に除去することがで
きるという効果を有する。

【００４７】加えて、所定のエッチング溶液への浸漬
は、フロートガラス基板の表面に存在する鋭角的なマイ
クロクラックを緩和するため、上記浸漬後に得られるＰ
ＤＰ用ガラス基板は、従来のフロートガラス基板と比較
して、その強度が向上するという効果をも包含する。

【００４８】（３）請求項３記載の発明によれば、機械
的手段によりフロートガラス基板の表面に存在するＳｎ
を除去するため、上記（１）と同様の効果が得られる。

【００４９】加えて、機械的手段は最大１μｍ以下の面
粗度が実現でき、また、数μｍ以下の高い基板平行度も
容易に実現できるため、ガラス基板の反りや凹凸を除去
することができるという効果をも包含することができ
る。

【００５０】（４）請求項４記載の発明によれば、フロ
ートガラス基板の一方の表面から少なくとも１０μｍ程
度の厚みの領域を除去するため、上記（２）の効果と同
時に、当該表面に存在するＳｎを、ＰＤＰのガラス基板
の黄変が問題とならない程度まで確実に除去することが
できるという効果を有する。

【００５１】（５）請求項５記載の発明によれば、上記
（１）乃至（４）と同様の効果を有するＰＤＰを得るこ
とができる。

【００５２】更に、請求項５記載の発明によれば、当該
ＰＤＰはガラス基板の黄変が全く発生しないという効果
は、ＳｎＯ₂膜中に２価のＳｎの不均一な濃度分布が生
じた場合であっても、上記不均一な濃度分布に起因する
ＰＤＰの表示ムラがほとんど観測されない程度にまで低
減することができるという効果を奏する。即ち、請求項
５記載の発明に係るＰＤＰは、ガラス基板の黄変及びＰ
ＤＰの表示ムラが除去・低減されており、フロートガラ
ス基板をそのまま使用する従来のＰＤＰと比較して、表
示品質が飛躍的に向上したＰＤＰであると言える。

【００５３】（６）請求項６記載の発明によれば、上記
（１）と同様の効果を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１に係るプラズマディス
プレイパネルにおける、Ａｇイオンの拡散状態を模式的
に示す図である。

【図２】本発明の実施の形態１に係るプラズマディス
プレイパネル用ガラス基板の処理方法を示す工程図であ
る。

【図３】本発明の実施の形態２に係るプラズマディス
プレイパネル用ガラス基板の処理方法を示す工程図であ
る。

【図４】フロートガラス基板のトップ面側の表面から
の深さとＳｎ濃度との関係を示す図である。

【図５】従来のプラズマディスプレイパネルの構成を
示す縦断面図である。

【図６】他の従来のプラズマディスプレイパネルの構
成の一部を示す縦断面図である。

【図７】他の従来のプラズマディスプレイパネルにお
ける、Ａｇイオンの拡散状態を模式的に示す図である。

【符号の説明】

１プラズマディスプレイパネル用ガラス基板、１３ａ
ＳｎＯ₂膜、１３ｂＡｇ補助電極、２２２価のＳ
ｎ、２４４価のＳｎ、５１フロートガラス基板、５
１Ｔフロートガラス基板のトップ面、５１Ｂフロー
トガラス基板のボトム面、５２エッチング槽、５３
フッ酸溶液、６０研磨板、６１研磨機の中心軸。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フロート法により製造されたガラス基板
において、少なくとも一方の表面側に存在するＳｎが所
定の処理によって除去されていることを特徴とする、プ
ラズマディスプレイパネル用ガラス基板。
【請求項２】請求項１記載のプラズマディスプレイパ
ネル用ガラス基板において、前記所定の処理とは、所定のエッチング溶液に浸漬する
ことにより前記Ｓｎを除去する処理であることを特徴と
する、プラズマディスプレイパネル用ガラス基板。
【請求項３】請求項１記載のプラズマディスプレイパ
ネル用ガラス基板であって、前記所定の処理とは、機械的手段により前記Ｓｎを除去
する処理であることを特徴とする、プラズマディスプレ
イパネル用ガラス基板。
【請求項４】請求項２又は３記載のプラズマディスプ
レイパネル用ガラス基板において、前記所定の処理とは、前記一方の表面側から少なくとも
１０μｍ程度の厚みの領域を除去する処理であることを
特徴とする、プラズマディスプレイパネル用ガラス基
板。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載のプラ
ズマディスプレイパネル用ガラス基板と、前記プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の前記一
方の表面上に形成されたＳｎＯ₂膜と、前記ＳｎＯ₂膜の表面上に形成されたＡｇ補助電極とを
備えることを特徴とする、プラズマディスプレイパネ
ル。
【請求項６】フロート法によりガラス基板を製造した
後、前記ガラス基板の少なくとも一方の表面側に対し
て、所定の処理を行って前記少なくとも一方の表面側に
存在するＳｎを除去することを特徴とする、プラズマデ
ィスプレイパネル用ガラス基板の製造方法。