JPH11229123A - Vapor deposition equipment - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高価な有機EL材料の利用効率を向上させ、
有機EL素子の大幅なコスト削減を可能にする蒸着装置
を提供する。
【解決手段】 成膜チャンバ12内に坩堝16の開口部
16Aを開閉する蒸着源シャッタ19を回動可能に設
け、この蒸着源シャッタ19の下面に付着しようとする
蒸発した蒸着物質を吸引パイプ26で吸引して、蒸着物
質回収槽27に蒸着物質15を回収することを可能にし
た。このため、非成膜時に無駄になる蒸着物質を有効に
回収できるため、高価な有機EL材料の利用効率を向上
し、有機EL素子の大幅なコストを削減を可能にした。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To improve the use efficiency of expensive organic EL materials,
Provided is a vapor deposition apparatus that can significantly reduce the cost of an organic EL element. SOLUTION: An evaporation source shutter 19 for opening and closing an opening 16A of a crucible 16 is rotatably provided in a film forming chamber 12, and a vaporized evaporation material to be attached to a lower surface of the evaporation source shutter 19 is sucked by a suction pipe 26. To allow the vapor deposition material 15 to be recovered in the vapor deposition material recovery tank 27. For this reason, it is possible to effectively collect a deposition material that is wasted at the time of non-film formation, so that the use efficiency of an expensive organic EL material is improved and the cost of the organic EL element can be greatly reduced.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は蒸着装置に関し、
さらに詳しくは、有機材料の蒸着を行う真空蒸着装置に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vapor deposition apparatus,
More specifically, the present invention relates to a vacuum deposition apparatus for depositing an organic material.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、蒸着装置として、成膜チャンバ内
で有機材料を蒸発させて被成膜基板へ有機膜を成膜する
ものが知られている。この蒸着装置は、例えば図6に示
すような有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有
機EL素子という)1における有機EL層4を成膜する
場合に用いられる。ここで、有機EL素子1の製造方法
を簡単に説明する。図6に示すように、ガラス基板2の
上に透明導電膜を例えばプラズマCVD装置により成膜
し、この透明導電膜をフォトリソグラフィー技術を用い
てストライプ状のアノード電極3にパターニングする。
次に、蒸着装置により、メタルハードマスクを用いて、
順次、正孔輸送層、発光層、電子輸送層としての機能を
有するそれぞれの有機膜を連続成膜して有機EL層4を
形成する。その後、蒸着装置により、メタルハードマス
クを用いて、低仕事関数の導電膜を成膜して有機EL層
4を介してアノード電極4と交差するストライプ状のカ
ソード電極5を形成する。このように、有機EL層4と
カソード電極5の成膜には蒸着装置が用いられている。2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a vapor deposition apparatus that evaporates an organic material in a film forming chamber to form an organic film on a substrate on which the film is to be formed. This vapor deposition apparatus is used, for example, when forming an organic EL layer 4 in an organic electroluminescence element (hereinafter, referred to as an organic EL element) 1 as shown in FIG. Here, a method for manufacturing the organic EL element 1 will be briefly described. As shown in FIG. 6, a transparent conductive film is formed on a glass substrate 2 by, for example, a plasma CVD apparatus, and the transparent conductive film is patterned into a striped anode electrode 3 by using a photolithography technique.
Next, using a metal hard mask,
Each organic film having a function as a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer is sequentially formed to form an organic EL layer 4. Thereafter, a conductive film having a low work function is formed using a metal hard mask by a vapor deposition apparatus to form a striped cathode electrode 5 intersecting with the anode electrode 4 via the organic EL layer 4. As described above, the deposition apparatus is used for forming the organic EL layer 4 and the cathode electrode 5.
【0003】図7に示すように、蒸着装置31の構成
は、成膜チャンバ32内に被成膜基板であるガラス基板
33を保持するサセプタ34が設けられ、成膜チャンバ
32内に蒸着物質36が蒸発するように蒸着源である坩
堝35が配置されている。坩堝35は通常モリブデン
(Mo)、タンタル(Ta)などでなり、加熱方式とし
ては、図7に示すように抵抗加熱が行われている。ま
た、坩堝35の開口部35Aの上方には、ガラス基板3
3を被蒸着面を下に向けてサセプタ34で保持してい
る。さらに、坩堝35の開口部34Aを開閉可能に覆う
蒸着源シャッタ37が駆動軸38に一体に設けられ、こ
の駆動軸38を回転制御することにより、坩堝35の開
口部35A上方での蒸着物質の蒸発した流れを遮った
り、開放したするようになっている。このような蒸着源
シャッタ37により、ガラス基板33への蒸着物質36
の成膜開始と終了を制御している。As shown in FIG. 7, a vapor deposition apparatus 31 is configured such that a susceptor 34 for holding a glass substrate 33 as a substrate on which a film is to be formed is provided in a film formation chamber 32, and a deposition material 36 is provided in the film formation chamber 32. A crucible 35 serving as a vapor deposition source is disposed so that is evaporated. The crucible 35 is usually made of molybdenum (Mo), tantalum (Ta), or the like. As a heating method, resistance heating is performed as shown in FIG. The glass substrate 3 is provided above the opening 35A of the crucible 35.
3 is held by the susceptor 34 with the surface to be deposited facing downward. Further, a vapor deposition source shutter 37 that opens and closes the opening 34A of the crucible 35 is provided integrally with the drive shaft 38, and by controlling the rotation of the drive shaft 38, the vapor deposition material above the opening 35A of the crucible 35 The evaporative flow is blocked or opened. By such an evaporation source shutter 37, the evaporation material 36 on the glass substrate 33 is formed.
The start and end of the film formation are controlled.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような蒸着装置3
1で有機EL層を成膜する場合、有機EL材料の蒸発レ
ートは、蒸着源の温度に依存している。従って、有機E
L層の膜厚の均一性を確保するには、蒸着源の温度制御
が非常に重要である。また、有機EL層の厚み及びの均
一性は、有機EL素子の素子性能に関わる重要な条件で
ある。このため、所定の膜厚に達した時点で、成膜を停
止する必要がある。その方法としては、蒸着源36の温
度を蒸発温度以下に下げるか若しくは有機EL材料は蒸
発させたままで、強制的に蒸着源シャッタ37を閉じる
ことにより、成膜を停止させるかのいずれかである。通
常、連続的に生産する量産プロセスでは、生産性を考え
た場合、後者の方法を採らざるを得ない。なぜならば、
蒸着源から有機EL材料を蒸発させるまでの時間と蒸発
をさせなくするまでの時間は30分から60分程度必要
になるため、時間的な損失が大きいからである。SUMMARY OF THE INVENTION Such a vapor deposition apparatus 3
When the organic EL layer is formed in step 1, the evaporation rate of the organic EL material depends on the temperature of the evaporation source. Therefore, organic E
In order to ensure the uniformity of the thickness of the L layer, it is very important to control the temperature of the evaporation source. Further, the thickness and uniformity of the organic EL layer are important conditions relating to the element performance of the organic EL element. Therefore, it is necessary to stop the film formation when the film thickness reaches a predetermined value. As a method thereof, the film formation is stopped by lowering the temperature of the evaporation source 36 below the evaporation temperature or by forcibly closing the evaporation source shutter 37 while the organic EL material is evaporated. . Normally, in a mass production process of continuous production, the latter method is inevitable in consideration of productivity. because,
This is because the time required to evaporate the organic EL material from the evaporation source and the time required to evaporate the organic EL material are required to be about 30 to 60 minutes, so that the time loss is large.
【0005】しかし、生産タクト(ガラス基板が成膜チ
ャンバに搬入され成膜を実施した後、ガラス基板が搬出
され、次に成膜を行うガラス基板が来るまでのサイクル
時間)の内、成膜に占める時間の割合は50%以下であ
る。つまり、生産タクトの内、50%以上は蒸着源シャ
ッタの下面に有機EL材料を成膜していることになり、
半分以上の材料が無駄になっていることになる。また、
蒸着源シャッタ37に付着した有機膜が厚くなると蒸着
源の中に有機膜のカスが落下して混入することにより、
ガラス基板へ行う成膜の安定性を損なうという問題があ
った。特に、有機EL材料は非常に高価であるため、材
料の損失は製品のコスト高の大きな原因の一つになって
いる。However, during the production tact (the cycle time from when the glass substrate is carried into the film formation chamber and the film is formed and then the glass substrate is carried out and the next glass substrate to be formed next comes), Is 50% or less. In other words, 50% or more of the production tact has the organic EL material deposited on the lower surface of the evaporation source shutter.
More than half of the material is wasted. Also,
When the organic film attached to the evaporation source shutter 37 becomes thicker, organic film scum falls into the evaporation source and is mixed therein.
There is a problem that the stability of film formation performed on a glass substrate is impaired. Particularly, since the organic EL material is very expensive, the loss of the material is one of the major causes of the high cost of the product.
【0006】この発明が解決しようとする課題は、高価
な有機材料の利用効率を向上させ、有機EL素子の大幅
なコスト削減を可能にする蒸着装置を得るには、どのよ
うな手段を講じればよいかという点にある。[0006] The problem to be solved by the present invention is to improve the efficiency of using expensive organic materials and to obtain a vapor deposition apparatus capable of greatly reducing the cost of an organic EL element. Is it good?
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
成膜チャンバ内に、加熱される蒸着源と、被成膜基板と
が配置されると共に、成膜を行わないときに前記蒸着源
から蒸発する蒸着物質の流出を遮る、開閉動作を行う蒸
着源シャッタが設けられた蒸着装置であって、前記蒸着
源シャッタに向けて蒸発した蒸着物質の回収手段を備え
ることを特徴としている。According to the first aspect of the present invention,
A deposition source to be heated and a substrate to be deposited are disposed in a deposition chamber, and a deposition source that performs an opening / closing operation to block outflow of a deposition material evaporated from the deposition source when the deposition is not performed. A vapor deposition apparatus provided with a shutter, characterized by comprising means for collecting vapor deposition material evaporated toward the vapor deposition source shutter.
【0008】請求項1記載の発明では、回収手段により
蒸着源シャッタに向けて蒸発する蒸着物質や蒸着源シャ
ッタに付着した蒸着物質を有効に回収できる。成膜時以
外に蒸発した蒸着物質を回収することにより、成膜にか
かるコストを大幅に削減することが可能となる。According to the first aspect of the present invention, the vapor deposition material evaporated toward the vapor deposition source shutter and the vapor deposition material adhered to the vapor deposition source shutter can be effectively recovered by the recovery means. By collecting the evaporation material evaporated at the time other than the time of film formation, the cost for film formation can be significantly reduced.
【0009】請求項2記載の発明は、請求項1記載の蒸
着装置であって、前記回収手段は、前記蒸着源シャッタ
に蒸着する蒸着物質を吸引して回収槽へ搬送することを
特徴としている。According to a second aspect of the present invention, there is provided the vapor deposition apparatus according to the first aspect, wherein the recovery means sucks the vapor deposition material to be vapor deposited on the vapor source shutter and transports the vapor to a recovery tank. .
【0010】請求項2記載の発明では、回収槽へ蒸発し
た蒸着物質を吸引することにより、蒸着源シャッタに付
着する蒸着物質の量を減らすことができ、回収した蒸着
物質の再利用を図ることができる。According to the second aspect of the present invention, the amount of the vapor deposition material adhering to the vapor deposition source shutter can be reduced by sucking the vapor deposition material evaporated into the recovery tank, and the recovered vapor deposition material can be reused. Can be.
【0011】請求項3記載の発明は、請求項1記載の蒸
着装置であって、前記回収手段は、前記蒸着源シャッタ
に接触して当該蒸着源シャッタに付着した蒸着物質を剥
離することを特徴としている。According to a third aspect of the present invention, in the vapor deposition apparatus according to the first aspect, the recovery means comes into contact with the vapor deposition source shutter and peels off the vapor deposition material adhered to the vapor deposition source shutter. And
【0012】請求項4記載の発明は、請求項3記載の蒸
着装置であって、前記回収手段は、前記蒸着源シャッタ
の開閉動作に伴い当該蒸着源シャッタの表面に付着した
前記蒸着物質を剥離・回収する回収容器であることを特
徴としている。According to a fourth aspect of the present invention, in the vapor deposition apparatus according to the third aspect, the collecting means peels off the vapor deposition material adhered to a surface of the vapor deposition source shutter in accordance with an opening and closing operation of the vapor deposition source shutter. -It is a collection container for collecting.
【0013】請求項3及び請求項4に記載の発明では、
蒸着源シャッタに付着した蒸着物質を剥離することによ
り、蒸着物質の再利用を図ることができる。According to the third and fourth aspects of the present invention,
By removing the deposition material attached to the deposition source shutter, the deposition material can be reused.
【0014】[0014]
【発明の実施の形態】以下、この発明に係る蒸着装置の
詳細を実施形態に基づいて説明する。 (実施形態1)図1は本発明に係る蒸着装置の実施形態
1を示す断面説明図であり、図2は本実施形態の蒸着装
置の要部説明図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The details of the vapor deposition apparatus according to the present invention will be described below based on embodiments. (Embodiment 1) FIG. 1 is a sectional explanatory view showing Embodiment 1 of a vapor deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is an explanatory view of a main part of the vapor deposition apparatus of this embodiment.
【0015】図1に示すように、本実施形態の蒸着装置
11は、成膜チャンバ12内の上部に被成膜基板である
ガラス基板13を保持するサセプタ14が設けられてい
る。また、成膜チャンバ12内の下部には、有機EL材
料などの蒸着物質15が収納される蒸着源としての坩堝
16が開口部16Aを上方に向けて傾斜して配置されて
いる。この坩堝16は、同図に示すように、加熱用コイ
ル17が設けられており、この加熱用コイル17は蒸着
物質の蒸発温度に応じて温度制御が行われるようになっ
ている。なお、本実施形態では、成膜チャンバ12の下
部に一対の坩堝16、16が配置されている。そして、
成膜チャンバ12の下部には、回転駆動軸18が設けら
れ、この回転駆動軸18には円板状の蒸着源シャッタ1
9が取り付け杆20を介して一体的に取り付けられてい
る。この蒸着源シャッタ19は、坩堝16の開口部16
Aの上方から数センチ離間した状態でこの開口部16A
から蒸発する蒸着物質の流れを遮る機能を有し、開口部
16Aから外れた位置にある状態で蒸着物質の蒸発の流
れを阻害しないようになっている。このように、蒸着源
シャッタ19の位置を回転駆動軸18を回転駆動するこ
とで制御することができ、坩堝16から蒸発して蒸着物
質がガラス基板13の方へ流れるのを許容したり、遮っ
たりすることができるようになっている。また、サセプ
タ14に取り付けられたガラス基板13の下方には、成
膜時にガラス基板13の表面を開放し、非成膜時にはガ
ラス基板13の表面を蒸着物質からブロックするように
回動するメインシャッタ21が設けられている。このメ
インシャッタ21は、成膜チャンバ12の上壁を貫通し
て設けられた回転駆動軸22に固設され、回転駆動軸2
2を回転制御することにより、ガラス基板13の表面を
覆ったり、露呈させたりすることができる。なお、図1
において23はガラス基板13の搬入・搬出を可能にす
る開閉扉であり、24は成膜チャンバ12内の圧力を調
節するための真空ポンプに連通する排気口である。As shown in FIG. 1, a susceptor 14 for holding a glass substrate 13 as a substrate on which a film is to be formed is provided in an upper part of a film forming chamber 12 of the vapor deposition apparatus 11 of the present embodiment. Further, a crucible 16 as a vapor deposition source for accommodating a vapor deposition material 15 such as an organic EL material is disposed at a lower portion in the film forming chamber 12 with the opening 16A facing upward. As shown in the figure, the crucible 16 is provided with a heating coil 17, and the temperature of the heating coil 17 is controlled according to the evaporation temperature of the deposition material. In the present embodiment, a pair of crucibles 16 and 16 are arranged below the film forming chamber 12. And
A rotary drive shaft 18 is provided below the film forming chamber 12, and the rotary drive shaft 18 has a disk-shaped evaporation source shutter 1.
9 is integrally mounted via a mounting rod 20. The evaporation source shutter 19 is provided at the opening 16 of the crucible 16.
A several centimeters apart from above A
It has a function of blocking the flow of the vapor deposition material evaporating from the opening, and does not hinder the flow of the vaporization of the vapor deposition material in a state where it is away from the opening 16A. As described above, the position of the evaporation source shutter 19 can be controlled by rotating the rotation drive shaft 18 to allow or block the evaporation material from evaporating from the crucible 16 toward the glass substrate 13. Or to be able to. Below the glass substrate 13 attached to the susceptor 14, a main shutter that rotates so as to open the surface of the glass substrate 13 during film formation and block the surface of the glass substrate 13 from deposition material during non-film formation. 21 are provided. The main shutter 21 is fixed to a rotary drive shaft 22 provided through the upper wall of the film forming chamber 12,
By controlling the rotation of 2, the surface of the glass substrate 13 can be covered or exposed. FIG.
In the figure, reference numeral 23 denotes an opening / closing door which enables loading / unloading of the glass substrate 13, and reference numeral 24 denotes an exhaust port communicating with a vacuum pump for adjusting the pressure in the film forming chamber 12.
【0016】特に、本実施形態では、図3に示すよう
に、蒸着源シャッタ19の下面に、坩堝16の開口部1
6Aと略同径寸法の円筒状のフード部25が設けられ、
このフード部25の側壁のうち傾斜により生じる最下方
部には、一端部26Aがフード部25内に連通する、可
撓性を有する吸引パイプ26が接続されている。フード
部25は、吸引パイプ26の一端部26Aから蒸着物質
が回収されるときに、蒸着物質が効率よく一端部26A
に集積するような構造になっている。この吸引パイプ2
6の他端部26Bは、同図に示すように蒸着物質回収槽
27内に連通するように接続されている。なお、吸引パ
イプ26の他端部26Bは、蒸着物質回収槽27の上壁
から内部空間に所定の長さだけ入り込むように設定され
ている。また、蒸着物質回収槽27の上壁には、蒸着物
質回収槽27内を減圧するための吸引ポンプ41に連通
する減圧パイプ43と連結された開口部27Aが設けら
れている。図2に示す状態は、蒸着源シャッタ19が坩
堝16の開口部16Aの上方を遮るように位置する状態
であり、この状態で、吸引パイプ41が駆動し、蒸着物
質回収槽27内を成膜チャンバ12内の気圧より低い気
圧に減圧させることにより、発生する気流で回収する。
すなわち、蒸着源シャッタ19の下面に付着した蒸着物
質が吸引ポンプ41の吸引により吸引パイプ26を介し
蒸着物質回収槽27に回収されるため、ガラス基板13
の表面への成膜は停止した状態である。なお、この状態
では、メインシャッタ21もガラス基板13を覆うよう
に位置するように制御されている。また、ガラス基板1
3への成膜を開始する場合は、回転駆動軸18を回動制
御して蒸着源シャッタ19が坩堝16の開口部16Aを
覆わない位置に移動させることにより、蒸発した蒸着物
質がガラス基板13へ向けて流れ始めることが可能とな
る。このとき、メインシャッタ21は、予め回転駆動軸
22を回動制御してガラス基板13を覆わない位置へ移
動させておく必要がある。蒸着物質回収槽27に回収さ
れた蒸着物質は、採集パイプ44を介し蒸着物質採集槽
42により外部から採集し、蒸着源として再利用するこ
とができる。In particular, in the present embodiment, as shown in FIG.
A cylindrical hood portion 25 having substantially the same diameter as 6A is provided,
A flexible suction pipe 26 whose one end 26A communicates with the inside of the hood 25 is connected to the lowermost portion of the side wall of the hood 25 caused by the inclination. The hood portion 25 is configured such that when the vapor deposition material is collected from one end 26A of the suction pipe 26, the vapor deposition material is efficiently removed from the one end 26A.
It is structured to be integrated in This suction pipe 2
6, the other end 26B is connected so as to communicate with the inside of the evaporation material recovery tank 27 as shown in FIG. The other end 26B of the suction pipe 26 is set so as to enter a predetermined length from the upper wall of the vapor deposition substance recovery tank 27 into the internal space. In addition, an opening 27A connected to a decompression pipe 43 communicating with a suction pump 41 for depressurizing the inside of the evaporation material collecting tank 27 is provided on an upper wall of the evaporation material collecting tank 27. The state shown in FIG. 2 is a state in which the evaporation source shutter 19 is positioned so as to block above the opening 16A of the crucible 16, and in this state, the suction pipe 41 is driven to form a film in the evaporation material recovery tank 27. By reducing the pressure to a pressure lower than the pressure in the chamber 12, the gas is collected by the generated airflow.
That is, the vapor deposition material adhered to the lower surface of the vapor deposition source shutter 19 is collected in the vapor deposition material recovery tank 27 through the suction pipe 26 by the suction of the suction pump 41, so that the glass substrate 13
The film formation on the surface is stopped. In this state, the main shutter 21 is also controlled so as to be positioned so as to cover the glass substrate 13. Also, the glass substrate 1
When the deposition on the substrate 3 is started, the rotation of the rotary drive shaft 18 is controlled so that the evaporation source shutter 19 is moved to a position where the opening 16A of the crucible 16 is not covered. It is possible to start flowing toward. At this time, it is necessary to control the rotation of the rotation drive shaft 22 in advance to move the main shutter 21 to a position where the glass shutter 13 is not covered. The vapor deposition material collected in the vapor deposition material recovery tank 27 can be collected from the outside by the vapor deposition substance collection tank 42 via the collection pipe 44, and can be reused as a vapor deposition source.
【0017】本実施形態1では、吸引パイプ26が可撓
性を有しているため、成膜時と非成膜時とで蒸着源シャ
ッタ19を回転駆動軸18を中心に自由に回動させるこ
とができる。また、蒸着物質回収槽27内に吸引パイプ
26の他端部26Bが所定の長さ下方に向けて突出して
いるため、この他端部26Bから排出される蒸着物質が
回収槽27の底へ溜まり易くすることができる。In the first embodiment, since the suction pipe 26 has flexibility, the evaporation source shutter 19 is freely rotated about the rotary drive shaft 18 during film formation and during non-film formation. be able to. Further, since the other end 26B of the suction pipe 26 protrudes downward by a predetermined length into the evaporation material recovery tank 27, the evaporation material discharged from the other end 26B accumulates at the bottom of the recovery tank 27. It can be easier.
【0018】本実施形態1では、非成膜時に坩堝16の
温度を落とすことなく、ガラス基板13を次の成膜を行
うガラス基板13に代えた直後に直ぐ成膜を開始するこ
とができ、生産タクトを短くすることができる。また、
非成膜時には、蒸発する蒸着物質を蒸着物質回収槽27
へ回収することができるため、回収された蒸着物質は蒸
着源へ再利用することができ、効率的な量産が可能にな
る。本実施形態1では、吸引ポンプ41の吸引により蒸
着物質を回収したが、蒸着物質回収槽27の替わりに吹
出ポンプを設け、吹出ポンプにより成膜チャンバ12内
の気圧より蒸着物質回収槽27内の気圧を高くして吸引
パイプ26の一端部26Aから吹き出した気流により蒸
着源シャッタ19に付着した蒸着物質を坩堝16に落と
してもよい。In the first embodiment, the film formation can be started immediately after the glass substrate 13 is replaced with the glass substrate 13 for performing the next film formation without lowering the temperature of the crucible 16 during non-film formation. Production tact can be shortened. Also,
At the time of non-film formation, the evaporation material to be evaporated is transferred to the evaporation material recovery tank 27.
Thus, the collected deposition material can be reused for a deposition source, and efficient mass production becomes possible. In the first embodiment, the vapor deposition material is collected by suction of the suction pump 41. However, a blowing pump is provided instead of the vapor deposition material collecting tank 27, and the pressure in the vapor deposition material collecting tank 27 is increased by the blowing pump from the pressure in the film forming chamber 12. The vapor pressure may be increased and the vapor deposited on the vapor deposition source shutter 19 may be dropped into the crucible 16 by an air current blown out from one end 26A of the suction pipe 26.
【0019】(実施形態2)図4は本発明に係る蒸着装
置の実施形態2を示す断面説明図であり、図5は実施形
態2の蒸着装置の要部説明図である。なお、本実施形態
においては、上記実施形態1と同一部分には同一の符号
を付してその説明を省略する。(Embodiment 2) FIG. 4 is an explanatory sectional view showing an embodiment 2 of a vapor deposition apparatus according to the present invention, and FIG. 5 is an explanatory view of a main part of the vapor deposition apparatus of Embodiment 2. Note that, in the present embodiment, the same portions as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
【0020】本実施形態の蒸着装置11は、上記実施形
態1と同様に、坩堝16の開口部16Aの上方で蒸発す
る蒸着部分の流れを遮る位置と、この流れを開放する位
置との間を回転移動する蒸着源シャッタ19が設けられ
ている。なお、この蒸着源シャッタ19の形状は、円板
状であり下面が平面となっている。また、本実施形態の
蒸着源シャッタ19も、上記実施形態1と同様に回転駆
動軸18により回動制御されるようになっている。そし
て、この蒸着源シャッタ19が坩堝16の開口部16A
から外れた位置の下方に図4及び図5に示すような形状
の蒸着物質回収容器28が配置されている。この蒸着物
質回収容器28は、蒸着源シャッタ19の回動方向に沿
って円筒を斜めに切ったような容器形状である。このた
め、この容器28の開口部28Aを形成する高さの高い
部分の開口縁が蒸着源シャッタ19の下面に接触する接
触縁28Bとなっている。なお、蒸着物質回収容器28
は、その開口縁が蒸着源シャッタ19の下面に接触した
場合にシャッタ19側を損傷させることがないように例
えばフッ素樹脂やゴム材料などで形成されている。As in the first embodiment, the vapor deposition device 11 of this embodiment moves between the position where the flow of the vapor deposition portion evaporating above the opening 16A of the crucible 16 is interrupted and the position where the flow is released. An evaporation source shutter 19 that rotates is provided. The shape of the evaporation source shutter 19 is disk-shaped and the lower surface is flat. The rotation of the evaporation source shutter 19 of the present embodiment is also controlled by the rotation drive shaft 18 as in the first embodiment. Then, the evaporation source shutter 19 is connected to the opening 16 A of the crucible 16.
A vapor deposition material recovery container 28 having a shape as shown in FIGS. The vapor deposition material recovery container 28 has a container shape obtained by cutting a cylinder obliquely along the rotation direction of the vapor deposition source shutter 19. For this reason, the opening edge of the high portion forming the opening 28 </ b> A of the container 28 is a contact edge 28 </ b> B that contacts the lower surface of the evaporation source shutter 19. In addition, the evaporation material recovery container 28
Is formed of, for example, a fluororesin or a rubber material so as not to damage the shutter 19 side when the opening edge contacts the lower surface of the evaporation source shutter 19.
【0021】図4において実線で示す位置に蒸着源シャ
ッタ19が位置する場合は、非成膜時の状態であり、坩
堝16の開口部16Aから蒸発する蒸着物質の流れを蒸
着源シャッタ19で遮っている状態である。このとき、
次に成膜が施されるガラス基板13がセットされ、成膜
を再開するには、メインシャッタ21を開放すると共
に、蒸着源シャッタ19を回転移動させて蒸着物質回収
容器28の上に移動させる。この状態で成膜を再開する
ことができる。次に、成膜を停止するには、蒸着源シャ
ッタ19を上記回転移動と同じ回転方向に回動させて坩
堝16の開口部16Aの上方を蒸着源シャッタ19で覆
うように回動させる。この回動に伴い、蒸着物質回収容
器28の接触縁28Bとの接触圧により、蒸着源シャッ
タ19の下面に付着した蒸着物質は剥離され、蒸着物質
回収容器28内に落下する。このように、非成膜時に蒸
着源シャッタ19下面に付着した蒸着物質を回収するこ
とができる。この回収した蒸着物質は、再度蒸着源とし
て再利用することが可能となる。When the evaporation source shutter 19 is located at the position shown by the solid line in FIG. 4, the film is not formed, and the flow of the evaporation material evaporated from the opening 16A of the crucible 16 is blocked by the evaporation source shutter 19. It is in the state that it is. At this time,
Next, the glass substrate 13 on which the film is to be formed is set, and in order to restart the film formation, the main shutter 21 is opened and the evaporation source shutter 19 is rotated and moved onto the evaporation material collecting container 28. . Film formation can be resumed in this state. Next, in order to stop the film formation, the evaporation source shutter 19 is rotated in the same rotation direction as the above-described rotational movement so as to cover the upper portion of the opening 16A of the crucible 16 with the evaporation source shutter 19. Along with this rotation, the vapor deposition material adhering to the lower surface of the vapor deposition source shutter 19 is peeled off by the contact pressure with the contact edge 28B of the vapor deposition material recovery container 28, and falls into the vapor deposition material recovery container 28. As described above, the deposition material adhered to the lower surface of the deposition source shutter 19 during non-film formation can be collected. The collected deposition material can be reused as a deposition source again.
【0022】以上、実施形態1及び実施形態2について
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。例
えば、上記各実施形態では、一対の坩堝16を備える構
成としたが、坩堝16の数は適宜設定することができ
る。また、蒸着源シャッタ19の形状や開閉機構は、上
記各実施形態に均等な各種のものを採用することが可能
である。さらに、上記各実施形態では、被成膜基板とし
てガラス基板を用いたがこれに限定されるものではな
い。また、上記した各実施形態は、蒸着物質として有機
EL材料を用いたが、高価な有機EL材料では特に回収
に伴う効果は大きいが、これに限定されず各種の有機材
料の蒸着にこの蒸着装置を用いることが可能である。ま
た、蒸着物質を効率よく付着させるように蒸着源シャッ
タ19を成膜チャンバ12内の温度より低くさせてもよ
い。Although the first and second embodiments have been described above, the present invention is not limited to these, and various changes accompanying the gist of the configuration are possible. For example, in each of the above embodiments, a configuration is provided in which a pair of crucibles 16 are provided, but the number of crucibles 16 can be appropriately set. Further, the shape and the opening / closing mechanism of the evaporation source shutter 19 may be various types equivalent to the above embodiments. Furthermore, in each of the above embodiments, a glass substrate is used as a substrate on which a film is to be formed, but the present invention is not limited to this. Further, in each of the embodiments described above, the organic EL material is used as the vapor deposition material. However, an expensive organic EL material has a particularly large effect associated with the recovery, but is not limited to this. Can be used. Further, the temperature of the evaporation source shutter 19 may be lower than the temperature in the film forming chamber 12 so that the evaporation material is efficiently attached.
【0023】[0023]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、蒸着シャッタに付着した蒸着材料を回収す
ることにより、高価な有機材料の利用効率を向上させ、
有機EL素子の大幅なコスト削減を可能にする効果を奏
する。As is apparent from the above description, according to the present invention, the use efficiency of expensive organic materials can be improved by recovering the vapor deposition material adhered to the vapor deposition shutter.
This has the effect of enabling significant cost reduction of the organic EL element.
【図1】本発明に係る蒸着装置の実施形態1を示す断面
説明図。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing Embodiment 1 of a vapor deposition apparatus according to the present invention.
【図2】実施形態1の蒸着装置の要部説明図。FIG. 2 is an explanatory view of a main part of the vapor deposition apparatus of the first embodiment.
【図3】実施形態1の蒸着シャッタの斜視図。FIG. 3 is a perspective view of a vapor deposition shutter according to the first embodiment.
【図4】本発明に係る蒸着装置の実施形態2を示す断面
説明図。FIG. 4 is an explanatory sectional view showing Embodiment 2 of the vapor deposition apparatus according to the present invention.
【図5】実施形態2の蒸着装置の要部説明図。FIG. 5 is an explanatory view of a main part of a vapor deposition apparatus according to a second embodiment.
【図6】有機EL素子の断面図。FIG. 6 is a cross-sectional view of an organic EL element.
【図7】従来の蒸着装置を示す断面説明図。FIG. 7 is an explanatory sectional view showing a conventional vapor deposition apparatus.
11 蒸着装置 12 成膜チャンバ 13 ガラス基板 15 蒸着物質 16 坩堝 19 蒸着源シャッタ 26 吸引パイプ 27 蒸着物質回収槽 28 蒸着物質回収容器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Evaporation apparatus 12 Film-forming chamber 13 Glass substrate 15 Evaporation substance 16 Crucible 19 Evaporation source shutter 26 Suction pipe 27 Evaporation substance collection tank 28 Evaporation substance collection container
Claims (4)
と、被成膜基板とが配置されると共に、成膜を行わない
ときに前記蒸着源から蒸発する蒸着物質の流出を遮る、
開閉動作を行う蒸着源シャッタが設けられた蒸着装置で
あって、 前記蒸着源シャッタに向けて蒸発した蒸着物質の回収手
段を備えることを特徴とする蒸着装置。A deposition source to be heated and a substrate to be deposited are arranged in a deposition chamber, and a flow-out of a deposition material evaporated from the deposition source when the deposition is not performed is blocked.
An evaporation apparatus provided with an evaporation source shutter for performing an opening / closing operation, comprising: means for collecting evaporation material evaporated toward the evaporation source shutter.
蒸着する蒸着物質を吸引して回収槽へ搬送することを特
徴とする請求項1記載の蒸着装置。2. The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the collection unit sucks the vapor deposition material vapor deposited on the vapor source shutter and transports the vapor to a recovery tank.
接触して当該蒸着源シャッタに付着した蒸着物質を剥離
することを特徴とする請求項1記載の蒸着装置。3. The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the collecting unit comes into contact with the vapor deposition source shutter and peels off the vapor deposition material attached to the vapor deposition source shutter.
開閉動作に伴い当該蒸着源シャッタの表面に付着した前
記蒸着物質を剥離・回収する回収容器であることを特徴
とする請求項3記載の蒸着装置。4. The collection container according to claim 3, wherein the collection unit is a collection container that separates and collects the deposition material adhered to a surface of the deposition source shutter in accordance with an opening / closing operation of the deposition source shutter. Evaporation equipment.
Priority Applications (1)
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JP10044287A JPH11229123A (en) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | Vapor deposition equipment |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP10044287A JPH11229123A (en) | 1998-02-12 | 1998-02-12 | Vapor deposition equipment |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11229123A true JPH11229123A (en) | 1999-08-24 |
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