JPH11220087A - リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法Info
- Publication number
- JPH11220087A JPH11220087A JP2225298A JP2225298A JPH11220087A JP H11220087 A JPH11220087 A JP H11220087A JP 2225298 A JP2225298 A JP 2225298A JP 2225298 A JP2225298 A JP 2225298A JP H11220087 A JPH11220087 A JP H11220087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- lead frame
- air vent
- resin
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 97
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 97
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000272168 Laridae Species 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 樹脂封止時のキャビティ内のモールド不足を
防止して半導体装置の信頼性の向上およびモールド工程
の作業性の向上を図る。 【解決手段】 半導体チップ２を搭載したタブ１ａと、
タブ１ａを支持するタブ吊りリード１ｉと、半導体チッ
プ２のパッドとボンディングワイヤによって電気的に接
続された複数のインナリードと、半導体チップ２を樹脂
封止して形成した樹脂本体部３と、前記インナリードと
連結しかつ樹脂本体部３から外部に突出した複数のアウ
タリード１ｃと、モールド金型のキャビティからその外
部に至る箇所に対応してタブ吊りリード１ｉに設けられ
たエアーの通路である溝状のエアベント部１ｄとからな
り、モールド工程の樹脂注入時に前記キャビティ内のエ
アーをエアベント部１ｄに通してキャビティ外部に送り
出すことにより、前記キャビティ内のモールド不足を防
止する。
防止して半導体装置の信頼性の向上およびモールド工程
の作業性の向上を図る。 【解決手段】 半導体チップ２を搭載したタブ１ａと、
タブ１ａを支持するタブ吊りリード１ｉと、半導体チッ
プ２のパッドとボンディングワイヤによって電気的に接
続された複数のインナリードと、半導体チップ２を樹脂
封止して形成した樹脂本体部３と、前記インナリードと
連結しかつ樹脂本体部３から外部に突出した複数のアウ
タリード１ｃと、モールド金型のキャビティからその外
部に至る箇所に対応してタブ吊りリード１ｉに設けられ
たエアーの通路である溝状のエアベント部１ｄとからな
り、モールド工程の樹脂注入時に前記キャビティ内のエ
アーをエアベント部１ｄに通してキャビティ外部に送り
出すことにより、前記キャビティ内のモールド不足を防
止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造技術に
関し、特に、エアベント機能を有したリードフレームお
よびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法に関
する。
関し、特に、エアベント機能を有したリードフレームお
よびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】リードフレームを用いた樹脂封止形の半導
体装置の一例として、面実装形のＱＦＰ（Quad Flat Pa
ckage)が知られている。
体装置の一例として、面実装形のＱＦＰ（Quad Flat Pa
ckage)が知られている。
【０００４】このＱＦＰの製造工程を説明すると、ま
ず、リードフレームのタブ（ダイパッドあるいはアイラ
ンドともいう）に共晶もしくは導電性接着剤（例えば、
銀ペースト）によって半導体チップをボンディングし、
その後、金線などの金属ワイヤによって半導体チップの
パッド（接続端子）とインナリードとをワイヤボンディ
ングする。
ず、リードフレームのタブ（ダイパッドあるいはアイラ
ンドともいう）に共晶もしくは導電性接着剤（例えば、
銀ペースト）によって半導体チップをボンディングし、
その後、金線などの金属ワイヤによって半導体チップの
パッド（接続端子）とインナリードとをワイヤボンディ
ングする。
【０００５】続いて、封止工程において、この状態の半
完成品をモールド金型内に配置し、その後、封止用樹脂
を注入して樹脂封止を行う。
完成品をモールド金型内に配置し、その後、封止用樹脂
を注入して樹脂封止を行う。
【０００６】さらに、切断成形工程において、樹脂本体
部から突出したアウタリードをリードフレームの枠部か
ら切断して分離するとともに、アウタリードを所望の形
状に曲げ成形している。
部から突出したアウタリードをリードフレームの枠部か
ら切断して分離するとともに、アウタリードを所望の形
状に曲げ成形している。
【０００７】ここで、ＱＦＰの封止工程で使用するモー
ルド金型には、封止用樹脂をモールド金型のキャビティ
内に注入する際に、モールド金型のキャビティ内に残留
したエアーをこのキャビティの外部に送り出すエアベン
トがゲート以外の角部に設けられている。
ルド金型には、封止用樹脂をモールド金型のキャビティ
内に注入する際に、モールド金型のキャビティ内に残留
したエアーをこのキャビティの外部に送り出すエアベン
トがゲート以外の角部に設けられている。
【０００８】なお、ＱＦＰなどの半導体装置のモールド
工程については、例えば、日経ＢＰ社、１９９３年５月
３１日発行、香山晋、成瀬邦彦（監）、「実践講座ＶＬ
ＳＩパッケージング技術（下）」、３１〜４０頁に記載
されている。
工程については、例えば、日経ＢＰ社、１９９３年５月
３１日発行、香山晋、成瀬邦彦（監）、「実践講座ＶＬ
ＳＩパッケージング技術（下）」、３１〜４０頁に記載
されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術のモールド金型に設けられたエアベントは比較的その
幅が狭いため、このエアベント上に残留付着した封止用
樹脂とリードフレームとの接触面積も小さく、これによ
り、リードフレームの表面の酸化膜の形成状態によって
はリードフレームから封止用樹脂が剥がれやすくなる。
術のモールド金型に設けられたエアベントは比較的その
幅が狭いため、このエアベント上に残留付着した封止用
樹脂とリードフレームとの接触面積も小さく、これによ
り、リードフレームの表面の酸化膜の形成状態によって
はリードフレームから封止用樹脂が剥がれやすくなる。
【００１０】その結果、剥がれた封止用樹脂がモールド
金型のエアベントに詰まるという現象が起こる。
金型のエアベントに詰まるという現象が起こる。
【００１１】これにより、樹脂封止における樹脂注入時
にキャビティ内のエアーが外部に送り出されず、キャビ
ティ内に残留するエアーが封止用樹脂の浸入を妨害し、
その結果、封止用樹脂の注入が不充分となり、モールド
不足を引き起こすことが問題とされる。
にキャビティ内のエアーが外部に送り出されず、キャビ
ティ内に残留するエアーが封止用樹脂の浸入を妨害し、
その結果、封止用樹脂の注入が不充分となり、モールド
不足を引き起こすことが問題とされる。
【００１２】本発明の目的は、樹脂封止時のキャビティ
内のモールド不足を防止して半導体装置の信頼性の向上
およびモールド工程の作業性の向上を図るリードフレー
ムおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法
を提供することにある。
内のモールド不足を防止して半導体装置の信頼性の向上
およびモールド工程の作業性の向上を図るリードフレー
ムおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法
を提供することにある。
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１５】すなわち、本発明のリードフレームは、半
導体チップを支持するタブと、前記タブの周囲に延在し
て設けられかつ前記半導体チップと電気的に接続される
複数のインナリードと、前記インナリードと連結しかつ
半導体装置の外部端子となる複数のアウタリードと、樹
脂封止を行うモールド金型のキャビティからその外部に
至る箇所に対応して設けられかつ樹脂注入時にキャビテ
ィ内のエアーをキャビティ外部に送り出すエアベント部
とを有するものである。
導体チップを支持するタブと、前記タブの周囲に延在し
て設けられかつ前記半導体チップと電気的に接続される
複数のインナリードと、前記インナリードと連結しかつ
半導体装置の外部端子となる複数のアウタリードと、樹
脂封止を行うモールド金型のキャビティからその外部に
至る箇所に対応して設けられかつ樹脂注入時にキャビテ
ィ内のエアーをキャビティ外部に送り出すエアベント部
とを有するものである。
【００１６】また、本発明の半導体装置は、半導体チッ
プを搭載したタブと、前記タブを支持するタブ吊りリー
ドと、前記タブの周囲に延在して設けられかつ前記半導
体チップと電気的に接続された複数のインナリードと、
前記半導体チップを樹脂封止して形成した樹脂本体部
と、前記インナリードと連結しかつ前記樹脂本体部から
外部に突出した複数の外部端子であるアウタリードと、
樹脂封止を行うモールド金型のキャビティからその外部
に至る箇所に対応して前記タブ吊りリードに設けられか
つ樹脂注入時にキャビティ内のエアーをキャビティ外部
に送り出すエアベント部とを有するものである。
プを搭載したタブと、前記タブを支持するタブ吊りリー
ドと、前記タブの周囲に延在して設けられかつ前記半導
体チップと電気的に接続された複数のインナリードと、
前記半導体チップを樹脂封止して形成した樹脂本体部
と、前記インナリードと連結しかつ前記樹脂本体部から
外部に突出した複数の外部端子であるアウタリードと、
樹脂封止を行うモールド金型のキャビティからその外部
に至る箇所に対応して前記タブ吊りリードに設けられか
つ樹脂注入時にキャビティ内のエアーをキャビティ外部
に送り出すエアベント部とを有するものである。
【００１７】これにより、モールド金型のエアベントが
詰まった際にも、リードフレーム側のエアベント部によ
ってキャビティ内のエアーをキャビティ外部に送り出す
ことができる。
詰まった際にも、リードフレーム側のエアベント部によ
ってキャビティ内のエアーをキャビティ外部に送り出す
ことができる。
【００１８】したがって、樹脂注入時に、封止用樹脂が
キャビティに浸入する際のエアーによる妨害を無くすこ
とができ、その結果、キャビティ内が封止用樹脂によっ
て充分に満たされるため、モールド不足の発生を防ぐこ
とができる。
キャビティに浸入する際のエアーによる妨害を無くすこ
とができ、その結果、キャビティ内が封止用樹脂によっ
て充分に満たされるため、モールド不足の発生を防ぐこ
とができる。
【００１９】これにより、半導体装置およびモールド技
術の信頼性の向上を図ることができる。
術の信頼性の向上を図ることができる。
【００２０】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
モールド金型のキャビティからその外部に至る箇所に対
応して設けられたエアベント部をタブ吊りリードに備え
たリードフレームを準備する工程と、前記リードフレー
ムのタブに半導体チップを搭載する工程と、前記半導体
チップと前記リードフレームのインナリードとを電気的
に接続する工程と、前記半導体チップが搭載された前記
リードフレームを前記モールド金型の前記キャビティに
配置した後、前記モールド金型の型締めを行う工程と、
前記キャビティ内に封止用樹脂を供給しかつ前記キャビ
ティ内のエアーを前記タブ吊りリードに設けられた前記
エアベント部に通してキャビティ外部に送り出しながら
前記半導体チップを樹脂封止して樹脂本体部を形成する
工程と、前記樹脂本体部から突出した前記リードフレー
ムの複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部か
ら分離する工程とを有するものである。
モールド金型のキャビティからその外部に至る箇所に対
応して設けられたエアベント部をタブ吊りリードに備え
たリードフレームを準備する工程と、前記リードフレー
ムのタブに半導体チップを搭載する工程と、前記半導体
チップと前記リードフレームのインナリードとを電気的
に接続する工程と、前記半導体チップが搭載された前記
リードフレームを前記モールド金型の前記キャビティに
配置した後、前記モールド金型の型締めを行う工程と、
前記キャビティ内に封止用樹脂を供給しかつ前記キャビ
ティ内のエアーを前記タブ吊りリードに設けられた前記
エアベント部に通してキャビティ外部に送り出しながら
前記半導体チップを樹脂封止して樹脂本体部を形成する
工程と、前記樹脂本体部から突出した前記リードフレー
ムの複数のアウタリードを前記リードフレームの枠部か
ら分離する工程とを有するものである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００２２】図１は本発明によるリードフレームの構造
の実施の形態の一例を示す部分平面図、図２は本発明に
よる半導体装置の構造の実施の形態の一例を示す断面
図、図３は本発明の半導体装置の製造方法に用いられる
モールド金型の上金型の構造の実施の形態の一例を示す
拡大部分底面図、図４は本発明の半導体装置の製造方法
における樹脂封止時のモールド金型内の状態の一例を示
す部分断面図、図５は図３に示すモールド金型を用いて
樹脂封止を行った際のそのモールド金型のＡ−Ａ断面の
構造の一例を示す拡大部分断面図、図６は本発明の半導
体装置の製造方法における樹脂封止後のリードフレーム
の構造の一例を樹脂本体部を透過して示す部分平面図で
ある。
の実施の形態の一例を示す部分平面図、図２は本発明に
よる半導体装置の構造の実施の形態の一例を示す断面
図、図３は本発明の半導体装置の製造方法に用いられる
モールド金型の上金型の構造の実施の形態の一例を示す
拡大部分底面図、図４は本発明の半導体装置の製造方法
における樹脂封止時のモールド金型内の状態の一例を示
す部分断面図、図５は図３に示すモールド金型を用いて
樹脂封止を行った際のそのモールド金型のＡ−Ａ断面の
構造の一例を示す拡大部分断面図、図６は本発明の半導
体装置の製造方法における樹脂封止後のリードフレーム
の構造の一例を樹脂本体部を透過して示す部分平面図で
ある。
【００２３】図１に示す本実施の形態のリードフレーム
１は、面実装形の半導体装置に用いられるものであり、
本実施の形態ではその半導体装置の一例として図２に示
すＱＦＰを取り上げて説明する。
１は、面実装形の半導体装置に用いられるものであり、
本実施の形態ではその半導体装置の一例として図２に示
すＱＦＰを取り上げて説明する。
【００２４】したがって、図１に示すリードフレーム１
は、図２に示すＱＦＰに用いられるものである。
は、図２に示すＱＦＰに用いられるものである。
【００２５】図１〜図４を用いて、図１に示すリードフ
レーム１の構成について説明すると、半導体チップ２を
支持するタブ１ａ（ダイパッドもしくはアイランドとも
呼ばれる）と、タブ１ａを支持するタブ吊りリード１ｉ
と、タブ１ａの周囲に延在して設けられかつ半導体チッ
プ２の接続端子であるパッドと電気的に接続される複数
のインナリード１ｂと、インナリード１ｂと連結しかつ
前記ＱＦＰの外部端子となる複数のアウタリード１ｃ
と、樹脂封止を行うモールド金型８のキャビティ８ｃか
らその外部に至る箇所に対応して設けられかつ樹脂注入
時にキャビティ８ｃ内のエアーをキャビティ８ｃ外部に
送り出すための通路であるエアベント部１ｄと、隣接す
るアウタリード１ｃ間に設けられかつ樹脂封止時の封止
用樹脂７の流出を阻止するダムバー１ｅと、アウタリー
ド１ｃやタブ吊りリード１ｉなどを支持する枠部１ｆと
からなる。
レーム１の構成について説明すると、半導体チップ２を
支持するタブ１ａ（ダイパッドもしくはアイランドとも
呼ばれる）と、タブ１ａを支持するタブ吊りリード１ｉ
と、タブ１ａの周囲に延在して設けられかつ半導体チッ
プ２の接続端子であるパッドと電気的に接続される複数
のインナリード１ｂと、インナリード１ｂと連結しかつ
前記ＱＦＰの外部端子となる複数のアウタリード１ｃ
と、樹脂封止を行うモールド金型８のキャビティ８ｃか
らその外部に至る箇所に対応して設けられかつ樹脂注入
時にキャビティ８ｃ内のエアーをキャビティ８ｃ外部に
送り出すための通路であるエアベント部１ｄと、隣接す
るアウタリード１ｃ間に設けられかつ樹脂封止時の封止
用樹脂７の流出を阻止するダムバー１ｅと、アウタリー
ド１ｃやタブ吊りリード１ｉなどを支持する枠部１ｆと
からなる。
【００２６】なお、本実施の形態のリードフレーム１
は、ＱＦＰに用いられるものであるため、タブ１ａの外
周の４方向に対して複数のインナリード１ｂおよびアウ
タリード１ｃが延在して設けられ、かつ、タブ１ａが、
その４つの角部において対角線外部に延在した４つのタ
ブ吊りリード１ｉによって支持されている。
は、ＱＦＰに用いられるものであるため、タブ１ａの外
周の４方向に対して複数のインナリード１ｂおよびアウ
タリード１ｃが延在して設けられ、かつ、タブ１ａが、
その４つの角部において対角線外部に延在した４つのタ
ブ吊りリード１ｉによって支持されている。
【００２７】そこで、本実施の形態のリードフレーム１
では、モールド金型８のゲート８ｄ（図４参照）に対応
したタブ吊りリード１ｉを除く、残り３箇所のタブ吊り
リード１ｉの枠部１ｆ側の根元付近に、モールド金型８
のキャビティ８ｃからその外部に至る箇所に対応させた
エアベント部１ｄが設けられている。
では、モールド金型８のゲート８ｄ（図４参照）に対応
したタブ吊りリード１ｉを除く、残り３箇所のタブ吊り
リード１ｉの枠部１ｆ側の根元付近に、モールド金型８
のキャビティ８ｃからその外部に至る箇所に対応させた
エアベント部１ｄが設けられている。
【００２８】ここで、本実施の形態のエアベント部１ｄ
は、図５に示すように、溝状に形成された深さ３０〜４
０μｍ程度かつ幅0.１ｍｍ程度の細長い凹部であり、リ
ードフレーム１の前記した３箇所の表面１ｇおよび裏面
１ｈに設けられている。
は、図５に示すように、溝状に形成された深さ３０〜４
０μｍ程度かつ幅0.１ｍｍ程度の細長い凹部であり、リ
ードフレーム１の前記した３箇所の表面１ｇおよび裏面
１ｈに設けられている。
【００２９】ただし、前記したエアベント部１ｄの深さ
や幅は、一例であり、これに限定されるものではなく、
種々のサイズに変更可能なことは言うまでもない。
や幅は、一例であり、これに限定されるものではなく、
種々のサイズに変更可能なことは言うまでもない。
【００３０】なお、エアベント部１ｄは、リードフレー
ム１のタブ吊りリード１ｉ上において、樹脂封止時のク
ランプの際、図３に示すモールド金型８のキャビティ８
ｃ内からクランプ面８ｆを通り過ぎて面圧逃げ部８ｇに
亘る箇所に対応して設けられている。
ム１のタブ吊りリード１ｉ上において、樹脂封止時のク
ランプの際、図３に示すモールド金型８のキャビティ８
ｃ内からクランプ面８ｆを通り過ぎて面圧逃げ部８ｇに
亘る箇所に対応して設けられている。
【００３１】さらに、本実施の形態のモールド金型８
は、エアベントを有していないものである（ただし、設
けられていてもよい）。
は、エアベントを有していないものである（ただし、設
けられていてもよい）。
【００３２】これにより、図４に示す封止用樹脂７の注
入時に、キャビティ８ｃ内に残留したエアーは、このリ
ードフレーム１のエアベント部１ｄを通って面圧逃げ部
８ｇすなわちキャビティ８ｃ外部に送り出される。
入時に、キャビティ８ｃ内に残留したエアーは、このリ
ードフレーム１のエアベント部１ｄを通って面圧逃げ部
８ｇすなわちキャビティ８ｃ外部に送り出される。
【００３３】また、本実施の形態のエアベント部１ｄ
は、リードフレーム１の複数のアウタリード１ｃやイン
ナリード１ｂを形成する際に、これらと一緒にエッチン
グによって形成されたものであるが、エアベント部１ｄ
の加工方法としては、エッチング以外のプレス加工など
を行ってもよい。
は、リードフレーム１の複数のアウタリード１ｃやイン
ナリード１ｂを形成する際に、これらと一緒にエッチン
グによって形成されたものであるが、エアベント部１ｄ
の加工方法としては、エッチング以外のプレス加工など
を行ってもよい。
【００３４】なお、エアベント部１ｄをエッチングによ
って形成することにより、その形状がエアベント部１ｄ
の表面開口面積を内方開口面積よりも狭く形成した断面
湾曲形状に形成される。
って形成することにより、その形状がエアベント部１ｄ
の表面開口面積を内方開口面積よりも狭く形成した断面
湾曲形状に形成される。
【００３５】すなわち、エッチングによってエアベント
部１ｄを形成することにより、図５に示すように、エア
ベント部１ｄは縦方向の内壁が表面開口部の面積を狭く
するように湾曲した形状に形成できる。
部１ｄを形成することにより、図５に示すように、エア
ベント部１ｄは縦方向の内壁が表面開口部の面積を狭く
するように湾曲した形状に形成できる。
【００３６】これにより、このエアベント部１ｄ内に付
着硬化した封止用樹脂７が、エアベント部１ｄから脱落
することを防げ、その結果、封止用樹脂７をリードフレ
ーム１内に留めておくことができる。
着硬化した封止用樹脂７が、エアベント部１ｄから脱落
することを防げ、その結果、封止用樹脂７をリードフレ
ーム１内に留めておくことができる。
【００３７】なお、リードフレーム１の材料は、例え
ば、鉄、銅、または、鉄とニッケルとの合金などであ
り、その厚さは、例えば、0.１〜0.１５ｍｍ程度であ
る。
ば、鉄、銅、または、鉄とニッケルとの合金などであ
り、その厚さは、例えば、0.１〜0.１５ｍｍ程度であ
る。
【００３８】次に、図２に示す本実施の形態のＱＦＰ
（半導体装置）の構成について説明する。
（半導体装置）の構成について説明する。
【００３９】なお、図２は、ＱＦＰを、タブ１ａから対
角線方向に延在するタブ吊りリード１ｉに対して、対向
する２つのエアベント部１ｄが形成された対角線方向に
沿って切断した断面図である。
角線方向に延在するタブ吊りリード１ｉに対して、対向
する２つのエアベント部１ｄが形成された対角線方向に
沿って切断した断面図である。
【００４０】前記ＱＦＰは、樹脂封止形でかつ面実装形
の多ピンのものであるとともに、図１に示すリードフレ
ーム１を用いて製造したものであり、複数のアウタリー
ド１ｃが樹脂本体部３から４方向に突出して、ガルウィ
ング状に曲げ成形されたものである。
の多ピンのものであるとともに、図１に示すリードフレ
ーム１を用いて製造したものであり、複数のアウタリー
ド１ｃが樹脂本体部３から４方向に突出して、ガルウィ
ング状に曲げ成形されたものである。
【００４１】前記ＱＦＰの構成について説明すると、半
導体チップ２を搭載したタブ１ａと、タブ１ａを支持す
るタブ吊りリード１ｉと、タブ１ａの周囲に延在して設
けられかつ半導体チップ２の接続端子であるパッドとボ
ンディングワイヤ４（図６参照）によって電気的に接続
された複数のインナリード１ｂと、半導体チップ２を樹
脂封止して形成した樹脂本体部３と、インナリード１ｂ
と連結しかつ樹脂本体部３から外部に突出した複数の外
部端子であるアウタリード１ｃと、樹脂封止を行うモー
ルド金型８のキャビティ８ｃからその外部に至る箇所に
対応してタブ吊りリード１ｉに設けられかつ樹脂注入時
にキャビティ８ｃ内のエアーをキャビティ８ｃ外部に送
り出すための通路であるエアベント部１ｄとからなる。
導体チップ２を搭載したタブ１ａと、タブ１ａを支持す
るタブ吊りリード１ｉと、タブ１ａの周囲に延在して設
けられかつ半導体チップ２の接続端子であるパッドとボ
ンディングワイヤ４（図６参照）によって電気的に接続
された複数のインナリード１ｂと、半導体チップ２を樹
脂封止して形成した樹脂本体部３と、インナリード１ｂ
と連結しかつ樹脂本体部３から外部に突出した複数の外
部端子であるアウタリード１ｃと、樹脂封止を行うモー
ルド金型８のキャビティ８ｃからその外部に至る箇所に
対応してタブ吊りリード１ｉに設けられかつ樹脂注入時
にキャビティ８ｃ内のエアーをキャビティ８ｃ外部に送
り出すための通路であるエアベント部１ｄとからなる。
【００４２】なお、本実施の形態のＱＦＰは、図１に示
すリードフレーム１を用いて製造したものであるため、
図２に示すＱＦＰにおいても、エアベント部１ｄは、溝
状に形成された深さ３０〜４０μｍ程度かつ幅0.１ｍｍ
程度の細長い凹部であり、３箇所のタブ吊りリード１ｉ
の表面１ｇおよび裏面１ｈに設けられている。
すリードフレーム１を用いて製造したものであるため、
図２に示すＱＦＰにおいても、エアベント部１ｄは、溝
状に形成された深さ３０〜４０μｍ程度かつ幅0.１ｍｍ
程度の細長い凹部であり、３箇所のタブ吊りリード１ｉ
の表面１ｇおよび裏面１ｈに設けられている。
【００４３】また、封止用樹脂７は、例えば、熱硬化性
のエポキシ系樹脂である。
のエポキシ系樹脂である。
【００４４】さらに、半導体チップ２は、共晶結合ある
いは図示しない銀ペーストなどの導電性接着剤によって
タブ１ａに固定されている。
いは図示しない銀ペーストなどの導電性接着剤によって
タブ１ａに固定されている。
【００４５】また、ボンディングワイヤ４は、例えば、
金線などである。
金線などである。
【００４６】次に、本実施の形態のＱＦＰ（半導体装
置）の製造方法について説明する。
置）の製造方法について説明する。
【００４７】なお、前記ＱＦＰの製造方法は、図１に示
すリードフレーム１を用いて行うものである。
すリードフレーム１を用いて行うものである。
【００４８】まず、モールド金型８のキャビティ８ｃか
らその外部に至る箇所に対応して設けられたエアベント
部１ｄを３箇所のタブ吊りリード１ｉに備えた図１に示
すリードフレーム１を準備する。
らその外部に至る箇所に対応して設けられたエアベント
部１ｄを３箇所のタブ吊りリード１ｉに備えた図１に示
すリードフレーム１を準備する。
【００４９】なお、エアベント部１ｄは、溝状に形成さ
れた深さ３０〜４０μｍ程度かつ幅0.１ｍｍ程度の細長
い凹部であり、リードフレーム１の３箇所のタブ吊りリ
ード１ｉの表面１ｇおよび裏面１ｈに設けられている。
さらに、エアベント部１ｄはエッチングによって形成さ
れたものであるため、その縦方向の内壁が表面開口部の
面積を狭くするように湾曲した形状に形成されている。
れた深さ３０〜４０μｍ程度かつ幅0.１ｍｍ程度の細長
い凹部であり、リードフレーム１の３箇所のタブ吊りリ
ード１ｉの表面１ｇおよび裏面１ｈに設けられている。
さらに、エアベント部１ｄはエッチングによって形成さ
れたものであるため、その縦方向の内壁が表面開口部の
面積を狭くするように湾曲した形状に形成されている。
【００５０】続いて、リードフレーム１のタブ１ａに半
導体チップ２を搭載するダイボンディングを行う。
導体チップ２を搭載するダイボンディングを行う。
【００５１】ここでは、例えば、銀ペーストなどの導電
性接着剤を用いてタブ１ａに半導体チップ２を固定す
る。
性接着剤を用いてタブ１ａに半導体チップ２を固定す
る。
【００５２】その後、半導体チップ２の接続端子である
パッドとこれに対応するインナリード１ｂとをワイヤボ
ンディングによって電気的に接続する。
パッドとこれに対応するインナリード１ｂとをワイヤボ
ンディングによって電気的に接続する。
【００５３】なお、ここで用いるボンディングワイヤ４
は、例えば、金線である。
は、例えば、金線である。
【００５４】続いて、半導体チップ２が搭載されたリー
ドフレーム１をモールド金型８のキャビティ８ｃに配置
した後、モールド金型８の型締め（クランプ）を行う。
ドフレーム１をモールド金型８のキャビティ８ｃに配置
した後、モールド金型８の型締め（クランプ）を行う。
【００５５】この際、リードフレーム１のエアベント部
１ｄが、モールド金型８のキャビティ８ｃ内からクラン
プ面８ｆを通り過ぎて面圧逃げ部８ｇに亘る箇所に対応
するようにリードフレーム１を配置して、これを上金型
８ａおよび下金型８ｂとによってクランプする。
１ｄが、モールド金型８のキャビティ８ｃ内からクラン
プ面８ｆを通り過ぎて面圧逃げ部８ｇに亘る箇所に対応
するようにリードフレーム１を配置して、これを上金型
８ａおよび下金型８ｂとによってクランプする。
【００５６】その後、図４に示すように、ランナ８ｅを
介してゲート８ｄからキャビティ８ｃ内に封止用樹脂７
を供給していく。
介してゲート８ｄからキャビティ８ｃ内に封止用樹脂７
を供給していく。
【００５７】その際、キャビティ８ｃ内のエアーは、注
入された封止用樹脂７によりリードフレーム１のエアベ
ント部１ｄを通ってキャビティ８ｃ外部に押し出される
ようにして送り出される。
入された封止用樹脂７によりリードフレーム１のエアベ
ント部１ｄを通ってキャビティ８ｃ外部に押し出される
ようにして送り出される。
【００５８】すなわち、キャビティ８ｃ内のエアーをタ
ブ吊りリード１ｉに設けられたエアベント部１ｄに通し
てキャビティ８ｃ外部に送り出しながら半導体チップ２
とボンディングワイヤ４とを封止用樹脂７により樹脂封
止する。
ブ吊りリード１ｉに設けられたエアベント部１ｄに通し
てキャビティ８ｃ外部に送り出しながら半導体チップ２
とボンディングワイヤ４とを封止用樹脂７により樹脂封
止する。
【００５９】これにより、エアーによって妨害されるこ
とがないため、封止用樹脂７はキャビティ８ｃ内の隅々
まで行き渡り、その結果、エアーを含有しない樹脂本体
部３を形成できる。
とがないため、封止用樹脂７はキャビティ８ｃ内の隅々
まで行き渡り、その結果、エアーを含有しない樹脂本体
部３を形成できる。
【００６０】なお、ここで用いる封止用樹脂７は、例え
ば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。
ば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。
【００６１】ここで、封止用樹脂７の注入終了後のタブ
吊りリード１ｉのエアベント部１ｄの状態を示したもの
が図５である。
吊りリード１ｉのエアベント部１ｄの状態を示したもの
が図５である。
【００６２】続いて、封止用樹脂７の硬化後、モールド
金型８の型開きを行って樹脂封止を終了したリードフレ
ーム１をモールド金型８から取り出す。
金型８の型開きを行って樹脂封止を終了したリードフレ
ーム１をモールド金型８から取り出す。
【００６３】この際、図５に示すように、エアベント部
１ｄは、その縦方向の内壁が表面開口部の面積を狭くす
るように湾曲した形状に形成されているため、このエア
ベント部１ｄ内に付着硬化した封止用樹脂７がエアベン
ト部１ｄから脱落することを防げ、その結果、封止用樹
脂７をリードフレーム１内に留めておける。
１ｄは、その縦方向の内壁が表面開口部の面積を狭くす
るように湾曲した形状に形成されているため、このエア
ベント部１ｄ内に付着硬化した封止用樹脂７がエアベン
ト部１ｄから脱落することを防げ、その結果、封止用樹
脂７をリードフレーム１内に留めておける。
【００６４】なお、型開きを行って、モールド金型８内
から取り出したリードフレーム１の構造を表したものが
図６に示すリードフレーム１である。
から取り出したリードフレーム１の構造を表したものが
図６に示すリードフレーム１である。
【００６５】図６に示すように、モールド金型８（図４
参照）内から取り出したリードフレーム１の３箇所のタ
ブ吊りリード１ｉの根元付近のエアベント部１ｄ（図１
参照）には、封止用樹脂７が残留付着している。
参照）内から取り出したリードフレーム１の３箇所のタ
ブ吊りリード１ｉの根元付近のエアベント部１ｄ（図１
参照）には、封止用樹脂７が残留付着している。
【００６６】その後、リードフレーム１の切断成形工程
を行う。
を行う。
【００６７】すなわち、切断成形金型によって、樹脂本
体部３から突出した複数のアウタリード１ｃとタブ吊り
リード１ｉのエアベント部１ｄを含む根元付近とをリー
ドフレーム１の枠部１ｆから切断分離するとともに、ア
ウタリード１ｃを所望のガルウィング形状に曲げ成形す
る。
体部３から突出した複数のアウタリード１ｃとタブ吊り
リード１ｉのエアベント部１ｄを含む根元付近とをリー
ドフレーム１の枠部１ｆから切断分離するとともに、ア
ウタリード１ｃを所望のガルウィング形状に曲げ成形す
る。
【００６８】これにより、図２に示すＱＦＰ（半導体装
置）を製造できる。
置）を製造できる。
【００６９】本実施の形態によるリードフレームおよび
それを用いた半導体装置ならびにその製造方法によれ
ば、以下のような作用効果が得られる。
それを用いた半導体装置ならびにその製造方法によれ
ば、以下のような作用効果が得られる。
【００７０】すなわち、モールド金型８のキャビティ８
ｃからその外部に至る箇所に対応しかつ樹脂注入時にキ
ャビティ８ｃ内のエアーをキャビティ８ｃ外部に送り出
すための通路であるエアベント部１ｄがリードフレーム
１に設けられたことにより、モールド金型８のエアベン
ト（ただし、本実施の形態ではモールド金型８に前記エ
アベントが設けられていない場合を説明した）が詰まっ
た際にも、リードフレーム１側のエアベント部１ｄによ
ってキャビティ８ｃ内のエアーをキャビティ８ｃ外部に
送り出すことができる。
ｃからその外部に至る箇所に対応しかつ樹脂注入時にキ
ャビティ８ｃ内のエアーをキャビティ８ｃ外部に送り出
すための通路であるエアベント部１ｄがリードフレーム
１に設けられたことにより、モールド金型８のエアベン
ト（ただし、本実施の形態ではモールド金型８に前記エ
アベントが設けられていない場合を説明した）が詰まっ
た際にも、リードフレーム１側のエアベント部１ｄによ
ってキャビティ８ｃ内のエアーをキャビティ８ｃ外部に
送り出すことができる。
【００７１】これにより、樹脂注入時に、封止用樹脂７
がキャビティ８ｃに浸入する際のエアーによる妨害を無
くすことができる。
がキャビティ８ｃに浸入する際のエアーによる妨害を無
くすことができる。
【００７２】その結果、キャビティ８ｃ内が封止用樹脂
７によって充分に満たされるため、モールド不足の発生
を防ぐことができる。
７によって充分に満たされるため、モールド不足の発生
を防ぐことができる。
【００７３】これにより、ＱＦＰ（半導体装置）および
モールド技術の信頼性の向上を図ることができる。
モールド技術の信頼性の向上を図ることができる。
【００７４】さらに、リードフレーム１のエアベント部
１ｄをエッチングによって形成することにより、エアベ
ント部１ｄの形状をその表面開口面積を内方開口面積よ
りも狭く形成した断面湾曲形状にすることができる。
１ｄをエッチングによって形成することにより、エアベ
ント部１ｄの形状をその表面開口面積を内方開口面積よ
りも狭く形成した断面湾曲形状にすることができる。
【００７５】これにより、このエアベント部１ｄに付着
した封止用樹脂７は、エアベント部１ｄの断面湾曲形状
により、リードフレーム１から容易には脱落しない。な
お、エアベント部１ｄに付着した封止用樹脂７のうち、
キャビティ８ｃ内側に位置していたものは、樹脂本体部
３内に埋め込まれ、かつ、キャビティ８ｃ外側に位置し
ていたものものは、リードフレーム１の不要部分ととも
に切断除去される。
した封止用樹脂７は、エアベント部１ｄの断面湾曲形状
により、リードフレーム１から容易には脱落しない。な
お、エアベント部１ｄに付着した封止用樹脂７のうち、
キャビティ８ｃ内側に位置していたものは、樹脂本体部
３内に埋め込まれ、かつ、キャビティ８ｃ外側に位置し
ていたものものは、リードフレーム１の不要部分ととも
に切断除去される。
【００７６】したがって、リードフレーム１のエアベン
ト部１ｄに付着した封止用樹脂７が脱落してモールド金
型８内に残留することが無くなるため、これにより、モ
ールド工程および切断・成形工程などにおいてエアベン
ト部１ｄに付着した封止用樹脂７が不具合を引き起こす
ことを防げる。
ト部１ｄに付着した封止用樹脂７が脱落してモールド金
型８内に残留することが無くなるため、これにより、モ
ールド工程および切断・成形工程などにおいてエアベン
ト部１ｄに付着した封止用樹脂７が不具合を引き起こす
ことを防げる。
【００７７】その結果、モールド金型８のエアベントは
不要となり、これにより、モールド金型８からエアベン
トを取り除くことができる（ただし、前記エアベントを
設けておいてもよい）。
不要となり、これにより、モールド金型８からエアベン
トを取り除くことができる（ただし、前記エアベントを
設けておいてもよい）。
【００７８】また、モールド金型８から前記エアベント
を取り除くことにより、モールド金型８の清掃時間を少
なくすることができ、これにより、ＱＦＰの製造におけ
るターンアラウンドタイムの短縮を図ることができる。
を取り除くことにより、モールド金型８の清掃時間を少
なくすることができ、これにより、ＱＦＰの製造におけ
るターンアラウンドタイムの短縮を図ることができる。
【００７９】その結果、ＱＦＰ（半導体装置）のモール
ド工程におけるスループットの向上を図ることができ、
これにより、モールド工程の作業性の向上を図れる。
ド工程におけるスループットの向上を図ることができ、
これにより、モールド工程の作業性の向上を図れる。
【００８０】また、エッチングによってリードフレーム
１にエアベント部１ｄを形成することにより、リードフ
レーム１に所望形状のインナリード１ｂやアウタリード
１ｃを形成する際に、インナリード１ｂやアウタリード
１ｃといっしょにエアベント部１ｄを形成することがで
きる。
１にエアベント部１ｄを形成することにより、リードフ
レーム１に所望形状のインナリード１ｂやアウタリード
１ｃを形成する際に、インナリード１ｂやアウタリード
１ｃといっしょにエアベント部１ｄを形成することがで
きる。
【００８１】したがって、容易にリードフレーム１にエ
アベント部１ｄを形成できる。
アベント部１ｄを形成できる。
【００８２】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【００８３】例えば、前記実施の形態においては、エア
ベント部１ｄがリードフレーム１のタブ吊りリード１ｉ
の表面１ｇおよび裏面１ｈの両面に形成されている場合
を説明したが、エアベント部１ｄは、図７に示す他の実
施の形態のように、表裏面のうちの何れか一方に設けら
れていてもよい（図７は表面１ｇに設けられた場合を示
す）。
ベント部１ｄがリードフレーム１のタブ吊りリード１ｉ
の表面１ｇおよび裏面１ｈの両面に形成されている場合
を説明したが、エアベント部１ｄは、図７に示す他の実
施の形態のように、表裏面のうちの何れか一方に設けら
れていてもよい（図７は表面１ｇに設けられた場合を示
す）。
【００８４】これによれば、リードフレーム１の表裏面
のうち片面だけにエアベント部１ｄを形成することによ
り、表面１ｇと裏面１ｈとにエアベント部１ｄを形成す
る場合と比較すると、リードフレーム１の製造コストを
低減することができる。
のうち片面だけにエアベント部１ｄを形成することによ
り、表面１ｇと裏面１ｈとにエアベント部１ｄを形成す
る場合と比較すると、リードフレーム１の製造コストを
低減することができる。
【００８５】また、前記実施の形態においては、エアベ
ント部１ｄが溝状の凹部として形成されている場合を説
明したが、エアベント部１ｄは、図８に示す他の実施の
形態のように、スリット状の細長い貫通孔であってもよ
い。
ント部１ｄが溝状の凹部として形成されている場合を説
明したが、エアベント部１ｄは、図８に示す他の実施の
形態のように、スリット状の細長い貫通孔であってもよ
い。
【００８６】これによれば、エアベント部１ｄを貫通孔
としたことにより、このエアベント部１ｄによるエアベ
ント機能をさらに向上させることができる。
としたことにより、このエアベント部１ｄによるエアベ
ント機能をさらに向上させることができる。
【００８７】なお、エアベント部１ｄの形状は、樹脂注
入時のキャビティ８ｃ内のエアーをその通路としてキャ
ビティ８ｃ外部に送り出せる形状であれば、特に限定さ
れるものではない。
入時のキャビティ８ｃ内のエアーをその通路としてキャ
ビティ８ｃ外部に送り出せる形状であれば、特に限定さ
れるものではない。
【００８８】また、前記実施の形態においては、モール
ド金型８にエアベントが設けられていない場合を説明し
たが、モールド金型８に前記エアベントが設けられてい
てもよい。
ド金型８にエアベントが設けられていない場合を説明し
たが、モールド金型８に前記エアベントが設けられてい
てもよい。
【００８９】この場合、リードフレーム１においてモー
ルド金型８の前記エアベントに対応した箇所にリードフ
レーム１側のエアベント部１ｄとして小さな貫通孔を設
けておくことにより、樹脂注入時に、キャビティ８ｃ内
のエアーをリードフレーム１のこの貫通孔とモールド金
型８の前記エアベントとに通してキャビティ８ｃ外部に
送り出すことが可能になる。
ルド金型８の前記エアベントに対応した箇所にリードフ
レーム１側のエアベント部１ｄとして小さな貫通孔を設
けておくことにより、樹脂注入時に、キャビティ８ｃ内
のエアーをリードフレーム１のこの貫通孔とモールド金
型８の前記エアベントとに通してキャビティ８ｃ外部に
送り出すことが可能になる。
【００９０】これにより、モールド金型８の上金型８ａ
および下金型８ｂの両者に前記エアベントが設けられて
いる際には、モールド金型８の何れか一方の前記エアベ
ントが詰まっても、リードフレーム１の貫通孔と他方の
前記エアベントとにエアーを通すことができるため、そ
の結果、キャビティ８ｃ内のエアーをその外部に送り出
すことができる。
および下金型８ｂの両者に前記エアベントが設けられて
いる際には、モールド金型８の何れか一方の前記エアベ
ントが詰まっても、リードフレーム１の貫通孔と他方の
前記エアベントとにエアーを通すことができるため、そ
の結果、キャビティ８ｃ内のエアーをその外部に送り出
すことができる。
【００９１】また、前記実施の形態においては、半導体
装置がＱＦＰの場合について説明したが、前記半導体装
置は樹脂封止形のもので、かつ、エアベント部１ｄが設
けられたリードフレーム１を用いたものであれば、前記
ＱＦＰ以外のＳＯＰ（SmallOutline Package)などであ
ってもよい。
装置がＱＦＰの場合について説明したが、前記半導体装
置は樹脂封止形のもので、かつ、エアベント部１ｄが設
けられたリードフレーム１を用いたものであれば、前記
ＱＦＰ以外のＳＯＰ（SmallOutline Package)などであ
ってもよい。
【００９２】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００９３】（１）．リードフレームに、モールド金型
のキャビティからその外部に至る箇所に対応したエアベ
ント部が設けられたことにより、このリードフレームの
エアベント部によってキャビティ内のエアーをキャビテ
ィ外部に送り出すことができる。これにより、樹脂注入
時に、封止用樹脂がキャビティに浸入する際のエアーに
よる妨害を無くすことができる。その結果、キャビティ
内が封止用樹脂によって充分に満たされるため、モール
ド不足の発生を防ぐことができる。
のキャビティからその外部に至る箇所に対応したエアベ
ント部が設けられたことにより、このリードフレームの
エアベント部によってキャビティ内のエアーをキャビテ
ィ外部に送り出すことができる。これにより、樹脂注入
時に、封止用樹脂がキャビティに浸入する際のエアーに
よる妨害を無くすことができる。その結果、キャビティ
内が封止用樹脂によって充分に満たされるため、モール
ド不足の発生を防ぐことができる。
【００９４】（２）．前記（１）により、半導体装置お
よびモールド技術の信頼性の向上を図ることができる。
よびモールド技術の信頼性の向上を図ることができる。
【００９５】（３）．リードフレームのエアベント部を
エッチングによって形成することにより、エアベント部
の形状をその表面開口面積を内方開口面積よりも狭く形
成した断面湾曲形状にすることができる。したがって、
リードフレームのエアベント部に付着した封止用樹脂が
脱落してモールド金型内に残留することが無くなるた
め、これにより、モールド工程および切断・成形工程な
どにおいてエアベント部に付着した封止用樹脂が不具合
を引き起こすことを防げる。その結果、モールド金型に
おいてエアベントは不要となり、これにより、モールド
金型からエアベントを取り除くことができる。
エッチングによって形成することにより、エアベント部
の形状をその表面開口面積を内方開口面積よりも狭く形
成した断面湾曲形状にすることができる。したがって、
リードフレームのエアベント部に付着した封止用樹脂が
脱落してモールド金型内に残留することが無くなるた
め、これにより、モールド工程および切断・成形工程な
どにおいてエアベント部に付着した封止用樹脂が不具合
を引き起こすことを防げる。その結果、モールド金型に
おいてエアベントは不要となり、これにより、モールド
金型からエアベントを取り除くことができる。
【００９６】（４）．モールド金型からエアベントを取
り除くことにより、モールド金型の清掃時間を少なくす
ることができ、これにより、半導体装置の製造における
ターンアラウンドタイムの短縮を図ることができる。そ
の結果、半導体装置のモールド工程におけるスループッ
トの向上を図ることができ、これにより、モールド工程
の作業性の向上を図れる。
り除くことにより、モールド金型の清掃時間を少なくす
ることができ、これにより、半導体装置の製造における
ターンアラウンドタイムの短縮を図ることができる。そ
の結果、半導体装置のモールド工程におけるスループッ
トの向上を図ることができ、これにより、モールド工程
の作業性の向上を図れる。
【００９７】（５）．リードフレームの表裏面のうち片
面だけにエアベント部を形成することにより、表裏両面
にエアベント部を形成する場合と比較してリードフレー
ムの製造コストを低減することができる。
面だけにエアベント部を形成することにより、表裏両面
にエアベント部を形成する場合と比較してリードフレー
ムの製造コストを低減することができる。
【００９８】（６）．エアベント部がスリット状の貫通
孔であることにより、このエアベント部によるエアベン
ト機能をさらに向上させることができる。
孔であることにより、このエアベント部によるエアベン
ト機能をさらに向上させることができる。
【図１】本発明によるリードフレームの構造の実施の形
態の一例を示す部分平面図である。
態の一例を示す部分平面図である。
【図２】本発明による半導体装置の構造の実施の形態の
一例を示す断面図である。
一例を示す断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法に用いられるモ
ールド金型の上金型の構造の実施の形態の一例を示す拡
大部分底面図である。
ールド金型の上金型の構造の実施の形態の一例を示す拡
大部分底面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法における樹脂封
止時のモールド金型内の状態の一例を示す部分断面図で
ある。
止時のモールド金型内の状態の一例を示す部分断面図で
ある。
【図５】図３に示すモールド金型を用いて樹脂封止を行
った際のそのモールド金型のＡ−Ａ断面の構造の一例を
示す拡大部分断面図である。
った際のそのモールド金型のＡ−Ａ断面の構造の一例を
示す拡大部分断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法における樹脂封
止後のリードフレームの構造の一例を樹脂本体部を透過
して示す部分平面図である。
止後のリードフレームの構造の一例を樹脂本体部を透過
して示す部分平面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態のリードフレームを用
いて図３に示すモールド金型により樹脂封止を行った際
のそのモールド金型のＡ−Ａ断面の構造の一例を示す拡
大部分断面図である。
いて図３に示すモールド金型により樹脂封止を行った際
のそのモールド金型のＡ−Ａ断面の構造の一例を示す拡
大部分断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態のリードフレームを用
いて図３に示すモールド金型により樹脂封止を行った際
のそのモールド金型のＡ−Ａ断面の構造の一例を示す拡
大部分断面図である。
いて図３に示すモールド金型により樹脂封止を行った際
のそのモールド金型のＡ−Ａ断面の構造の一例を示す拡
大部分断面図である。
１ リードフレーム １ａ タブ １ｂ インナリード １ｃ アウタリード １ｄ エアベント部 １ｅ ダムバー １ｆ 枠部 １ｇ 表面 １ｈ 裏面 １ｉ タブ吊りリード ２ 半導体チップ ３ 樹脂本体部 ４ ボンディングワイヤ ７ 封止用樹脂 ８ モールド金型 ８ａ 上金型 ８ｂ 下金型 ８ｃ キャビティ ８ｄ ゲート ８ｅ ランナ ８ｆ クランプ面 ８ｇ 面圧逃げ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｈ０１Ｌ 23/28 Ａ // Ｂ２９Ｌ 31:34
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体装置に用いられるリードフレーム
であって、 半導体チップを支持するタブと、 前記タブの周囲に延在して設けられ、かつ前記半導体チ
ップと電気的に接続される複数のインナリードと、 前記インナリードと連結し、かつ前記半導体装置の外部
端子となる複数のアウタリードと、 樹脂封止を行うモールド金型のキャビティからその外部
に至る箇所に対応して設けられ、かつ樹脂注入時にキャ
ビティ内のエアーをキャビティ外部に送り出すエアベン
ト部とを有することを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載のリードフレームであっ
て、前記タブを支持するタブ吊りリードが設けられ、か
つ前記モールド金型のキャビティからその外部に至る箇
所に対応して前記タブ吊りリードに前記エアベント部が
設けられていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のリードフレーム
であって、前記エアベント部が凹部または貫通孔である
ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項４】 請求項１，２または３記載のリードフレ
ームを用いた半導体装置であって、 半導体チップを搭載したタブと、 前記タブを支持するタブ吊りリードと、 前記タブの周囲に延在して設けられ、かつ前記半導体チ
ップと電気的に接続された複数のインナリードと、 前記半導体チップを樹脂封止して形成した樹脂本体部
と、 前記インナリードと連結し、かつ前記樹脂本体部から外
部に突出した複数の外部端子であるアウタリードと、 樹脂封止を行うモールド金型のキャビティからその外部
に至る箇所に対応して前記タブ吊りリードに設けられ、
かつ樹脂注入時にキャビティ内のエアーをキャビティ外
部に送り出すエアベント部とを有することを特徴とする
半導体装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体装置であって、前
記エアベント部が凹部または貫通孔であることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項６】 樹脂封止形の半導体装置の製造方法であ
って、 モールド金型のキャビティからその外部に至る箇所に対
応して設けられたエアベント部をタブ吊りリードに備え
たリードフレームを準備する工程と、 前記リードフレームのタブに半導体チップを搭載する工
程と、 前記半導体チップと前記リードフレームのインナリード
とを電気的に接続する工程と、 前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを前
記モールド金型の前記キャビティに配置した後、前記モ
ールド金型の型締めを行う工程と、 前記キャビティ内に封止用樹脂を供給し、かつ前記キャ
ビティ内のエアーを前記タブ吊りリードに設けられた前
記エアベント部に通してキャビティ外部に送り出しなが
ら前記半導体チップを樹脂封止して樹脂本体部を形成す
る工程と、 前記樹脂本体部から突出した前記リードフレームの複数
のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】 請求項６記載の半導体装置の製造方法で
あって、前記エアベント部として凹部または貫通孔を形
成した前記リードフレームを用いることを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６または７記載の半導体装置の製
造方法であって、前記エアベント部をエッチングによっ
て形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 樹脂封止形の半導体装置の製造方法であ
って、 モールド金型のエアベントに対応した箇所に小さな貫通
孔が設けられたリードフレームを準備する工程と、 前記リードフレームのタブに半導体チップを搭載する工
程と、 前記半導体チップと前記リードフレームのインナリード
とを電気的に接続する工程と、 前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを前
記モールド金型の前記キャビティに配置した後、前記モ
ールド金型の型締めを行う工程と、 前記キャビティ内に封止用樹脂を供給し、かつ前記キャ
ビティ内のエアーを前記貫通孔および前記エアベントに
通してキャビティ外部に送り出しながら前記半導体チッ
プを樹脂封止して樹脂本体部を形成する工程と、 前記樹脂本体部から突出した前記リードフレームの複数
のアウタリードを前記リードフレームの枠部から分離す
る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2225298A JPH11220087A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2225298A JPH11220087A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11220087A true JPH11220087A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12077605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2225298A Pending JPH11220087A (ja) | 1998-02-03 | 1998-02-03 | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11220087A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897093B2 (en) | 2000-08-18 | 2005-05-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a resin molded or encapsulation for small outline non-leaded (SON) or quad flat non-leaded (QFN) package |
| JP2008182274A (ja) * | 2008-04-18 | 2008-08-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法および樹脂封止型半導体装置 |
| US9589843B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-03-07 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
-
1998
- 1998-02-03 JP JP2225298A patent/JPH11220087A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897093B2 (en) | 2000-08-18 | 2005-05-24 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a resin molded or encapsulation for small outline non-leaded (SON) or quad flat non-leaded (QFN) package |
| JP2008182274A (ja) * | 2008-04-18 | 2008-08-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置の製造方法および樹脂封止型半導体装置 |
| US9589843B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-03-07 | Renesas Electronics Corporation | Method for manufacturing a semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6770163B1 (en) | Mold and method for encapsulation of electronic device | |
| KR101054602B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US6724072B2 (en) | Lead frame, resin sealing mold and method for manufacturing a semiconductor device using the same | |
| JP2586831B2 (ja) | 樹脂封止用金型および半導体装置の製造方法 | |
| JP2017028333A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2002064114A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6979886B2 (en) | Short-prevented lead frame and method for fabricating semiconductor package with the same | |
| US20020149090A1 (en) | Lead frame and semiconductor package | |
| JP2912134B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003158234A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2003224239A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH11220087A (ja) | リードフレームおよびそれを用いた半導体装置ならびにその製造方法 | |
| US20210280502A1 (en) | Mold flow balancing for a matrix leadframe | |
| JP3445930B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0574999A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4286242B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100983304B1 (ko) | 리이드 프레임 및, 그것을 적용하여 제조된 반도체 팩키지및, 반도체 팩키지의 제조 방법 | |
| JPH08162596A (ja) | リードフレーム及び半導体装置 | |
| JPH0669401A (ja) | 半導体素子用リードフレーム | |
| JPH11340401A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| KR19980020499A (ko) | 플랫형 리드 프레임을 이용한 반도체 칩 패키지 | |
| JP2004200719A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000124384A (ja) | 半導体装置及びそれに用いるリードフレーム並びに半導体装置の製造方法 | |
| JPH06216179A (ja) | 半導体装置の製造方法およびその製造に用いるリードフレームならびにトランスファモールド型 | |
| JP2001044351A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031208 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040113 |