JPH11217672A - 金属窒化物膜の化学的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法 - Google Patents
金属窒化物膜の化学的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法Info
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- JPH11217672A JPH11217672A JP10019525A JP1952598A JPH11217672A JP H11217672 A JPH11217672 A JP H11217672A JP 10019525 A JP10019525 A JP 10019525A JP 1952598 A JP1952598 A JP 1952598A JP H11217672 A JPH11217672 A JP H11217672A
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- C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜時のダスト発生によるチャンバおよび基
板の汚染が少なく、充分に窒化された金属窒化物膜の化
学的気相成長方法、およびこれを用いた電子装置の製造
方法を提供する。 【解決手段】 被処理基板上の自然酸化膜２４を水素活
性種により還元除去した後、プラズマＣＶＤによりＷや
Ｔａ等の金属膜２６を形成する。この後、窒化剤として
のＮＨ活性種等によりこれを窒化して、Ｗ2 ＮやＴａＮ
等の金属窒化物膜に変換する。金属膜２６の形成とその
窒化を複数回繰り返してもよい。 【効果】 金属化合物ガスと窒化剤ガスを同時にＣＶＤ
チャンバ内に導入することがないので、ハロゲン化アン
モニウム等の副反応生成物のダストが軽減される。また
ＮＨ活性種による窒化は反応しやすい系であり、窒化が
充分になされる。
板の汚染が少なく、充分に窒化された金属窒化物膜の化
学的気相成長方法、およびこれを用いた電子装置の製造
方法を提供する。 【解決手段】 被処理基板上の自然酸化膜２４を水素活
性種により還元除去した後、プラズマＣＶＤによりＷや
Ｔａ等の金属膜２６を形成する。この後、窒化剤として
のＮＨ活性種等によりこれを窒化して、Ｗ2 ＮやＴａＮ
等の金属窒化物膜に変換する。金属膜２６の形成とその
窒化を複数回繰り返してもよい。 【効果】 金属化合物ガスと窒化剤ガスを同時にＣＶＤ
チャンバ内に導入することがないので、ハロゲン化アン
モニウム等の副反応生成物のダストが軽減される。また
ＮＨ活性種による窒化は反応しやすい系であり、窒化が
充分になされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は金属窒化物膜の化学
的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法
に関し、さらに詳しくは、充分に窒化されて不純物含有
量が少なく、また成膜中に発生する副反応生成物のダス
トの少ない金属窒化物膜の化学的気相成長方法、および
これを用いた配線層を有する電子装置の製造方法に関す
る。
的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法
に関し、さらに詳しくは、充分に窒化されて不純物含有
量が少なく、また成膜中に発生する副反応生成物のダス
トの少ない金属窒化物膜の化学的気相成長方法、および
これを用いた配線層を有する電子装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＵＬＳＩ(Ultra Large Scale Integrate
d Circuits) 等の半導体装置や各種電子装置の内部配線
材料として、Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ系金属が広く用いられ
ている。近年、配線のデザインルールがサブクォータミ
クロン以下のレベルへと微細化して、高集積度化と高性
能化が進展するにともない、配線抵抗増大による動作周
波数の低下、消費電力の増加、さらには各種マイグレー
ション耐性の低下等が問題となりつつある。
d Circuits) 等の半導体装置や各種電子装置の内部配線
材料として、Ａｌ−Ｓｉ等のＡｌ系金属が広く用いられ
ている。近年、配線のデザインルールがサブクォータミ
クロン以下のレベルへと微細化して、高集積度化と高性
能化が進展するにともない、配線抵抗増大による動作周
波数の低下、消費電力の増加、さらには各種マイグレー
ション耐性の低下等が問題となりつつある。
【０００３】このため、Ａｌ系金属に比べて比抵抗の小
さいＣｕ系金属配線の採用が検討されている。Ｃｕの比
抵抗は１．７２μΩ・ｃｍと、Ａｌの２．７μΩ・ｃｍ
の２／３程度以下である。またエレクトロマイグレーシ
ョンやストレスマイグレーションに対する耐性も、Ａｌ
系金属配線よりＣｕ金属配線の方が大きい。Ｃｕ膜の成
膜方法としては、周知の電界めっき方法が一般的である
が、この方法ではＣｕ膜の下地として通電層となるシー
ド層を予め形成しておく必要があり、また他のドライプ
ロセスとの整合性の問題がある。そこでスパッタリング
法やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法によりＣｕ
膜を成膜する方法も試みられている。
さいＣｕ系金属配線の採用が検討されている。Ｃｕの比
抵抗は１．７２μΩ・ｃｍと、Ａｌの２．７μΩ・ｃｍ
の２／３程度以下である。またエレクトロマイグレーシ
ョンやストレスマイグレーションに対する耐性も、Ａｌ
系金属配線よりＣｕ金属配線の方が大きい。Ｃｕ膜の成
膜方法としては、周知の電界めっき方法が一般的である
が、この方法ではＣｕ膜の下地として通電層となるシー
ド層を予め形成しておく必要があり、また他のドライプ
ロセスとの整合性の問題がある。そこでスパッタリング
法やＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法によりＣｕ
膜を成膜する方法も試みられている。
【０００４】Ｃｕ金属配線は電気的特性やマイグレーシ
ョン耐性に優れるものの、Ｃｕ金属原子そのものは、容
易にＳｉ中やＳｉＯ2 中に拡散する問題点があることが
知られている。このため、例えば半導体装置において
は、下地の不純物拡散層や下層配線、層間絶縁膜等の上
にＣｕ膜を形成する前に、Ｃｕ原子の拡散を阻止するバ
リア層を形成しておくことが通常おこなわれる。従来よ
り、Ｗ等の高融点金属やＡｌ系金属による配線のバリア
層としては、ＴｉＮ膜が広く用いられてきた。しかしな
がら、このＴｉＮ膜は結晶組織が柱状構造となって成長
するため、その粒界に沿った金属原子の拡散の可能性を
残しており、Ａｌ原子やＷ原子より拡散しやすいＣｕ原
子に対しては、バリア層としての機能は充分ではない。
ョン耐性に優れるものの、Ｃｕ金属原子そのものは、容
易にＳｉ中やＳｉＯ2 中に拡散する問題点があることが
知られている。このため、例えば半導体装置において
は、下地の不純物拡散層や下層配線、層間絶縁膜等の上
にＣｕ膜を形成する前に、Ｃｕ原子の拡散を阻止するバ
リア層を形成しておくことが通常おこなわれる。従来よ
り、Ｗ等の高融点金属やＡｌ系金属による配線のバリア
層としては、ＴｉＮ膜が広く用いられてきた。しかしな
がら、このＴｉＮ膜は結晶組織が柱状構造となって成長
するため、その粒界に沿った金属原子の拡散の可能性を
残しており、Ａｌ原子やＷ原子より拡散しやすいＣｕ原
子に対しては、バリア層としての機能は充分ではない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこでＣｕ金属膜に対
する有効なバリア層材料として、ＴａＮ、Ｗ2 Ｎ、Ｔｉ
−Ｓｉ−Ｎ、Ｗ−Ｓｉ−ＮあるいはＴａ−Ｓｉ−Ｎ等が
注目されている。これらの材料は、その構造がアモルフ
ァスであるために、ＴｉＮ膜よりは粒界拡散が発生し難
いためである。
する有効なバリア層材料として、ＴａＮ、Ｗ2 Ｎ、Ｔｉ
−Ｓｉ−Ｎ、Ｗ−Ｓｉ−ＮあるいはＴａ−Ｓｉ−Ｎ等が
注目されている。これらの材料は、その構造がアモルフ
ァスであるために、ＴｉＮ膜よりは粒界拡散が発生し難
いためである。
【０００６】実際の半導体装置においては、多層配線構
造における高アスペクト比の接続孔（コンタクトホール
およびビアホール）内のバリア層として適用するため、
スパッタリング法よりステップカバレッジに優れる、Ｃ
ＶＤ法によるこれらＴａＮ膜、Ｗ2 Ｎ膜、Ｔｉ−Ｓｉ−
Ｎ膜、Ｗ−Ｓｉ−Ｎ膜あるいはＴａ−Ｓｉ−Ｎ膜等の成
膜が試みられている。これら金属窒化物膜のＣＶＤに採
用される原料ガスとしては、〔表１〕に例示されるもの
が代表的である。
造における高アスペクト比の接続孔（コンタクトホール
およびビアホール）内のバリア層として適用するため、
スパッタリング法よりステップカバレッジに優れる、Ｃ
ＶＤ法によるこれらＴａＮ膜、Ｗ2 Ｎ膜、Ｔｉ−Ｓｉ−
Ｎ膜、Ｗ−Ｓｉ−Ｎ膜あるいはＴａ−Ｓｉ−Ｎ膜等の成
膜が試みられている。これら金属窒化物膜のＣＶＤに採
用される原料ガスとしては、〔表１〕に例示されるもの
が代表的である。
【０００７】
【表１】
【０００８】〔表１〕に例示した原料ガスを用いた熱Ｃ
ＶＤ法により、これら金属窒化物膜が成膜されるが、副
反応生成物としてＮＨ4 ＣｌやＮＨ4 Ｆ等のハロゲン化
アンモニウムの固体微粒子が発生する。またＳｉＨ4 を
原料ガスの一部に用いる場合には、やはり気相中にＳｉ
を含む固体微粒子が発生する。これら固体微粒子は、い
ずれもＣＶＤチャンバ内や被処理基板上に、多量のダス
トとして残留する問題がある。
ＶＤ法により、これら金属窒化物膜が成膜されるが、副
反応生成物としてＮＨ4 ＣｌやＮＨ4 Ｆ等のハロゲン化
アンモニウムの固体微粒子が発生する。またＳｉＨ4 を
原料ガスの一部に用いる場合には、やはり気相中にＳｉ
を含む固体微粒子が発生する。これら固体微粒子は、い
ずれもＣＶＤチャンバ内や被処理基板上に、多量のダス
トとして残留する問題がある。
【０００９】これらアンモニウム塩によるダスト発生の
問題を回避するため、窒化剤ガスとしてのＮＨ3 に替え
て、〔表２〕に示すようにＮ2 やＮＦ3 を用いる試みも
ある。この場合はＮ2 やＮＦ3 を熱解離させることは困
難であるので、プラズマＣＶＤ法が採用される。
問題を回避するため、窒化剤ガスとしてのＮＨ3 に替え
て、〔表２〕に示すようにＮ2 やＮＦ3 を用いる試みも
ある。この場合はＮ2 やＮＦ3 を熱解離させることは困
難であるので、プラズマＣＶＤ法が採用される。
【００１０】
【表２】
【００１１】しかしながら、例えば通常の平行平板型プ
ラズマＣＶＤ装置による、ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）の
プラズマ放電では、金属化合物ガス、この場合には金属
ハロゲン化物を還元するには不充分であり、生成される
堆積膜中に金属原子と結合したままの形でハロゲン原子
が残留する。このため、堆積膜中の金属原子と窒素原子
とは、強固な結合を形成することができない。したがっ
て、バリア層形成後の工程における熱処理において、バ
リア層から窒素原子が外方拡散し、Ｃｕ金属配線等に対
するバリア性が劣化する虞れがあった。
ラズマＣＶＤ装置による、ＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）の
プラズマ放電では、金属化合物ガス、この場合には金属
ハロゲン化物を還元するには不充分であり、生成される
堆積膜中に金属原子と結合したままの形でハロゲン原子
が残留する。このため、堆積膜中の金属原子と窒素原子
とは、強固な結合を形成することができない。したがっ
て、バリア層形成後の工程における熱処理において、バ
リア層から窒素原子が外方拡散し、Ｃｕ金属配線等に対
するバリア性が劣化する虞れがあった。
【００１２】本発明は上述した問題点に鑑みて提案する
ものである。すなわち本発明の課題は、Ｃｕ等の拡散し
やすい金属に対してもバリア性が高く、また成膜に際し
てダストの発生が少ない金属窒化物膜の化学的気相成長
方法を提供することである。また本発明の別の課題は、
上述した金属窒化物膜の化学的気相成長方法を用いるこ
とにより、低抵抗ではあるが拡散しやすいＣｕ金属を配
線材料に用いた、信頼性の高い半導体装置等の電子装置
を提供することである。
ものである。すなわち本発明の課題は、Ｃｕ等の拡散し
やすい金属に対してもバリア性が高く、また成膜に際し
てダストの発生が少ない金属窒化物膜の化学的気相成長
方法を提供することである。また本発明の別の課題は、
上述した金属窒化物膜の化学的気相成長方法を用いるこ
とにより、低抵抗ではあるが拡散しやすいＣｕ金属を配
線材料に用いた、信頼性の高い半導体装置等の電子装置
を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために提案するものである。すなわち、本発明の
請求項１の金属窒化物膜の化学的気相成長方法は、金属
化合物ガスを用いて、表面に自然酸化膜を有する被処理
基板上に、金属窒化物膜を形成する工程を有する金属窒
化物膜の化学的気相成長方法であって、この金属窒化物
膜の形成工程は、被処理基板表面の自然酸化膜を水素活
性種により還元する第１の工程、金属化合物ガスを水素
活性種により還元して、被処理基板上に金属膜を形成す
る第２の工程、この金属膜表面に窒素を含む活性種を照
射し、金属膜を金属窒化物膜に変換する第３の工程、以
上の工程を具備することを特徴とする。
決するために提案するものである。すなわち、本発明の
請求項１の金属窒化物膜の化学的気相成長方法は、金属
化合物ガスを用いて、表面に自然酸化膜を有する被処理
基板上に、金属窒化物膜を形成する工程を有する金属窒
化物膜の化学的気相成長方法であって、この金属窒化物
膜の形成工程は、被処理基板表面の自然酸化膜を水素活
性種により還元する第１の工程、金属化合物ガスを水素
活性種により還元して、被処理基板上に金属膜を形成す
る第２の工程、この金属膜表面に窒素を含む活性種を照
射し、金属膜を金属窒化物膜に変換する第３の工程、以
上の工程を具備することを特徴とする。
【００１４】また本発明の請求項２の金属窒化物膜の化
学的気相成長方法は、金属化合物ガスを用いて、表面に
自然酸化膜を有する被処理基板上に、金属窒化物膜を形
成する工程を有する金属窒化物膜の化学的気相成長方法
であって、この金属窒化物膜の形成工程は、被処理基板
表面の自然酸化膜を水素活性種により還元する第１の工
程、金属化合物ガスを水素活性種により還元して、被処
理基板上に金属薄膜を形成する第２の工程、この金属薄
膜表面に窒素を含む活性種を照射し、金属薄膜を金属窒
化物薄膜に変換する第３の工程、金属化合物ガスを水素
活性種により還元して、金属窒化物薄膜上にさらに金属
薄膜を形成する第４の工程、第４の工程により形成され
た金属薄膜表面に窒素を含む活性種を照射し、第４の工
程により形成された金属薄膜を金属窒化物薄膜に変換す
る第５の工程、以上の工程を具備し、第４の工程および
第５の工程を反復することにより、所望の厚さを有する
金属窒化物膜を形成することを特徴とする。
学的気相成長方法は、金属化合物ガスを用いて、表面に
自然酸化膜を有する被処理基板上に、金属窒化物膜を形
成する工程を有する金属窒化物膜の化学的気相成長方法
であって、この金属窒化物膜の形成工程は、被処理基板
表面の自然酸化膜を水素活性種により還元する第１の工
程、金属化合物ガスを水素活性種により還元して、被処
理基板上に金属薄膜を形成する第２の工程、この金属薄
膜表面に窒素を含む活性種を照射し、金属薄膜を金属窒
化物薄膜に変換する第３の工程、金属化合物ガスを水素
活性種により還元して、金属窒化物薄膜上にさらに金属
薄膜を形成する第４の工程、第４の工程により形成され
た金属薄膜表面に窒素を含む活性種を照射し、第４の工
程により形成された金属薄膜を金属窒化物薄膜に変換す
る第５の工程、以上の工程を具備し、第４の工程および
第５の工程を反復することにより、所望の厚さを有する
金属窒化物膜を形成することを特徴とする。
【００１５】つぎに本発明の請求項８の電子装置の製造
方法は、金属化合物ガスを用いた化学的気相成長方法に
より、表面に自然酸化膜を有する被処理基板上に、金属
窒化物膜を形成する工程を有する電子装置の製造方法で
あって、この金属窒化物膜の形成工程は、被処理基板表
面の自然酸化膜を水素活性種により還元する第１の工
程、金属化合物ガスを水素活性種により還元して、被処
理基板上に金属膜を形成する第２の工程、この金属膜表
面に窒素を含む活性種を照射し、金属膜を金属窒化物膜
に変換する第３の工程、以上の工程を具備することを特
徴とする。
方法は、金属化合物ガスを用いた化学的気相成長方法に
より、表面に自然酸化膜を有する被処理基板上に、金属
窒化物膜を形成する工程を有する電子装置の製造方法で
あって、この金属窒化物膜の形成工程は、被処理基板表
面の自然酸化膜を水素活性種により還元する第１の工
程、金属化合物ガスを水素活性種により還元して、被処
理基板上に金属膜を形成する第２の工程、この金属膜表
面に窒素を含む活性種を照射し、金属膜を金属窒化物膜
に変換する第３の工程、以上の工程を具備することを特
徴とする。
【００１６】また本発明の請求項９の電子装置の製造方
法は、金属化合物ガスを用いた化学的気相成長方法によ
り、表面に自然酸化膜を有する被処理基板上に、金属窒
化物膜を形成する工程を有する電子装置の製造方法であ
って、この金属窒化物膜の形成工程は、被処理基板表面
の自然酸化膜を水素活性種により還元する第１の工程、
金属化合物ガスを水素活性種により還元して、被処理基
板上に金属薄膜を形成する第２の工程、この金属薄膜表
面に窒素を含む活性種を照射し、金属薄膜を金属窒化物
薄膜に変換する第３の工程、金属化合物ガスを水素活性
種により還元して、金属窒化物薄膜上にさらに金属薄膜
を形成する第４の工程、第４の工程により形成された金
属薄膜表面に窒素を含む活性種を照射し、第４の工程に
より形成された金属薄膜を金属窒化物薄膜に変換する第
５の工程、以上の工程を具備し、第４の工程および第５
の工程を反復することにより、所望の厚さを有する金属
窒化物膜を形成する工程であることを特徴とする。
法は、金属化合物ガスを用いた化学的気相成長方法によ
り、表面に自然酸化膜を有する被処理基板上に、金属窒
化物膜を形成する工程を有する電子装置の製造方法であ
って、この金属窒化物膜の形成工程は、被処理基板表面
の自然酸化膜を水素活性種により還元する第１の工程、
金属化合物ガスを水素活性種により還元して、被処理基
板上に金属薄膜を形成する第２の工程、この金属薄膜表
面に窒素を含む活性種を照射し、金属薄膜を金属窒化物
薄膜に変換する第３の工程、金属化合物ガスを水素活性
種により還元して、金属窒化物薄膜上にさらに金属薄膜
を形成する第４の工程、第４の工程により形成された金
属薄膜表面に窒素を含む活性種を照射し、第４の工程に
より形成された金属薄膜を金属窒化物薄膜に変換する第
５の工程、以上の工程を具備し、第４の工程および第５
の工程を反復することにより、所望の厚さを有する金属
窒化物膜を形成する工程であることを特徴とする。
【００１７】これらの発明において、水素活性種により
還元する工程は、いずれも水素ガスを含むガスのプラズ
マ励起により生成される水素活性種を、被処理基板表面
に照射する工程であることを特徴とする。ここで水素ガ
スを含むガスとは、水素ガス単独、あるいは水素とＡｒ
等の希ガス等を含む混合ガスを意味する。またこれらの
発明において、金属膜または金属薄膜表面に窒素を含む
活性種を照射する工程は、いずれも窒素、アンモニアま
たはヒドラジンを含むガスのプラズマ励起により生成さ
れるＮＨ活性種、Ｎ2 + イオンおよびＮ2 活性種を照射
する工程であることを特徴とする。
還元する工程は、いずれも水素ガスを含むガスのプラズ
マ励起により生成される水素活性種を、被処理基板表面
に照射する工程であることを特徴とする。ここで水素ガ
スを含むガスとは、水素ガス単独、あるいは水素とＡｒ
等の希ガス等を含む混合ガスを意味する。またこれらの
発明において、金属膜または金属薄膜表面に窒素を含む
活性種を照射する工程は、いずれも窒素、アンモニアま
たはヒドラジンを含むガスのプラズマ励起により生成さ
れるＮＨ活性種、Ｎ2 + イオンおよびＮ2 活性種を照射
する工程であることを特徴とする。
【００１８】またいずれの発明においても、金属窒化物
膜は、Ｘ線回折によりハローまたはハローに近いブロー
ドな回折パターンを示す、アモルファス構造であること
が望ましい。
膜は、Ｘ線回折によりハローまたはハローに近いブロー
ドな回折パターンを示す、アモルファス構造であること
が望ましい。
【００１９】またいずれの発明においても、金属窒化物
膜は、Ｔａ、Ｗ、ＴｉまたはＳｉを構成元素として含む
ことを特徴とする。かかる金属窒化物材料としては、Ｔ
ａＮ、Ｔａ2 Ｎ、ＷＮ、Ｗ2 Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｎ、Ｗ−
Ｓｉ−ＮあるいはＴｉ−Ｓｉ−Ｎ等が例示される。
膜は、Ｔａ、Ｗ、ＴｉまたはＳｉを構成元素として含む
ことを特徴とする。かかる金属窒化物材料としては、Ｔ
ａＮ、Ｔａ2 Ｎ、ＷＮ、Ｗ2 Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｎ、Ｗ−
Ｓｉ−ＮあるいはＴｉ−Ｓｉ−Ｎ等が例示される。
【００２０】本発明において、金属窒化物膜を形成する
対象となる被処理基板は、Ｃｕ金属等からなる配線層を
形成すべきもの、あるいはすでに配線層が形成されてい
るものである。その構造としては、絶縁膜である層間絶
縁膜に開口された接続孔の底部に、下層配線層や、半導
体装置であれば不純物拡散層が露出しているもの等が例
示される。
対象となる被処理基板は、Ｃｕ金属等からなる配線層を
形成すべきもの、あるいはすでに配線層が形成されてい
るものである。その構造としては、絶縁膜である層間絶
縁膜に開口された接続孔の底部に、下層配線層や、半導
体装置であれば不純物拡散層が露出しているもの等が例
示される。
【００２１】この下層配線表面には、自然酸化膜が薄く
形成されており、低抵抗の多層配線を形成するためには
これを除去する必要がある。この被処理基板に、水素ガ
スを含むガスのプラズマ励起により生成した水素活性種
を照射することにより、接続孔底部の自然酸化膜は還元
され、除去される。下層金属配線がＣｕまたはＷの場
合、自然酸化膜はＣｕＯまたはＷ3 Ｏであり、その還元
反応は次式の通りである。 ＣｕＯ＋２Ｈ →Ｃｕ＋Ｈ2 Ｏ ΔＧ＝−１２４．５kcal/mol ＷＯ3 ＋６Ｈ →Ｗ＋３Ｈ2 Ｏ ΔＧ＝−２８４．９kcal/mol ここで、Ｈは水素活性種を、ΔＧは標準生成熱を示し、
この値が＋の場合は吸熱反応を、−の場合は発熱反応を
表す。したがって、水素活性種による自然酸化膜の還元
除去反応は発熱反応であり、容易に進行する系である。
形成されており、低抵抗の多層配線を形成するためには
これを除去する必要がある。この被処理基板に、水素ガ
スを含むガスのプラズマ励起により生成した水素活性種
を照射することにより、接続孔底部の自然酸化膜は還元
され、除去される。下層金属配線がＣｕまたはＷの場
合、自然酸化膜はＣｕＯまたはＷ3 Ｏであり、その還元
反応は次式の通りである。 ＣｕＯ＋２Ｈ →Ｃｕ＋Ｈ2 Ｏ ΔＧ＝−１２４．５kcal/mol ＷＯ3 ＋６Ｈ →Ｗ＋３Ｈ2 Ｏ ΔＧ＝−２８４．９kcal/mol ここで、Ｈは水素活性種を、ΔＧは標準生成熱を示し、
この値が＋の場合は吸熱反応を、−の場合は発熱反応を
表す。したがって、水素活性種による自然酸化膜の還元
除去反応は発熱反応であり、容易に進行する系である。
【００２２】次に金属化合物ガス、例えばＷＦ6 を、水
素ガスを含むガスのプラズマ励起により生成した水素活
性種により還元する反応は、次式の通りである。 ＷＦ6 ＋６Ｈ →Ｗ＋６ＨＦ ΔＧ＝−２８３．４kcal/mol 一方、熱ＣＶＤにより同じＷＦ6 を水素ガスそのもので
還元する反応は、 ＷＦ6 ＋３Ｈ2 →Ｗ＋６ＨＦ ΔＧ＝ ２９．２kcal/mol で示されるように吸熱反応であるので、水素活性種によ
る反応の方が容易に進行し、したがって生成される金属
膜あるいは金属薄膜中の、残留Ｆ等の残留ハロゲンは低
減される。
素ガスを含むガスのプラズマ励起により生成した水素活
性種により還元する反応は、次式の通りである。 ＷＦ6 ＋６Ｈ →Ｗ＋６ＨＦ ΔＧ＝−２８３．４kcal/mol 一方、熱ＣＶＤにより同じＷＦ6 を水素ガスそのもので
還元する反応は、 ＷＦ6 ＋３Ｈ2 →Ｗ＋６ＨＦ ΔＧ＝ ２９．２kcal/mol で示されるように吸熱反応であるので、水素活性種によ
る反応の方が容易に進行し、したがって生成される金属
膜あるいは金属薄膜中の、残留Ｆ等の残留ハロゲンは低
減される。
【００２３】引き続き、形成された金属膜あるいは金属
薄膜表面に、ＮＨ活性種を照射し、金属膜あるいは金属
薄膜表面でのＮＨ活性種の吸着・解離と、Ｎ原子の金属
膜あるいは金属薄膜内部への拡散により、金属窒化物膜
を形成する。この窒化反応は次式により示される。 ２Ｗ ＋ＮＨ →Ｗ2 Ｎ＋ 1/2Ｈ2 ΔＧ＝−１１３．４kcal/mol
薄膜表面に、ＮＨ活性種を照射し、金属膜あるいは金属
薄膜表面でのＮＨ活性種の吸着・解離と、Ｎ原子の金属
膜あるいは金属薄膜内部への拡散により、金属窒化物膜
を形成する。この窒化反応は次式により示される。 ２Ｗ ＋ＮＨ →Ｗ2 Ｎ＋ 1/2Ｈ2 ΔＧ＝−１１３．４kcal/mol
【００２４】一方、従来法により金属化合物ガスを直接
窒化して金属窒化物膜を形成する反応は、次式により示
される。 ＷＦ6 ＋２ＮＨ3 → 1/2Ｗ2 Ｎ＋６ＨＦ＋ 3/4Ｎ2 ΔＧ＝１５kcal/mol ２ＷＦ6 ＋ＮＦ3 →Ｗ2 Ｎ＋15/2Ｆ2 ΔＧ＝７３３．７kcal/mol
窒化して金属窒化物膜を形成する反応は、次式により示
される。 ＷＦ6 ＋２ＮＨ3 → 1/2Ｗ2 Ｎ＋６ＨＦ＋ 3/4Ｎ2 ΔＧ＝１５kcal/mol ２ＷＦ6 ＋ＮＦ3 →Ｗ2 Ｎ＋15/2Ｆ2 ΔＧ＝７３３．７kcal/mol
【００２５】上式から明らかなように、本発明による拡
散による金属窒化物膜の形成方法は、従来法よりはるか
に進行しやすい系である。したがって、先に形成される
金属膜あるいは金属薄膜中の、残留Ｆ等の残留ハロゲン
が少ないこととあいまって、充分に窒化された金属窒化
物膜が形成される。
散による金属窒化物膜の形成方法は、従来法よりはるか
に進行しやすい系である。したがって、先に形成される
金属膜あるいは金属薄膜中の、残留Ｆ等の残留ハロゲン
が少ないこととあいまって、充分に窒化された金属窒化
物膜が形成される。
【００２６】さらに、金属化合物ガスとしての金属ハロ
ゲン化物と、窒化ガスとを同時に混合して用いることが
ないので、ハロゲン化アンモニウムによるダスト発生も
低減される。ダスト発生は、窒化ガスとしてＮＨ3 の替
わりにＮ2 やＮＦ3 を用いることにより、一層低減され
る。この場合には、Ｎ2 やＮＦ3 の放電解離効率を高め
るために、例えば従来の平行平板型プラズマＣＶＤ装置
より２桁以上高いプラズマ密度が得られる高密度プラズ
マＣＶＤ装置を採用することが望ましい。かかる高密度
プラズマＣＶＤ装置としては、ＥＣＲ (Electron Cyclo
tron Resonance) プラズマＣＶＤ装置、ヘリコン波プラ
ズマＣＶＤ装置、ＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)
−ＣＶＤ装置等が例示される。
ゲン化物と、窒化ガスとを同時に混合して用いることが
ないので、ハロゲン化アンモニウムによるダスト発生も
低減される。ダスト発生は、窒化ガスとしてＮＨ3 の替
わりにＮ2 やＮＦ3 を用いることにより、一層低減され
る。この場合には、Ｎ2 やＮＦ3 の放電解離効率を高め
るために、例えば従来の平行平板型プラズマＣＶＤ装置
より２桁以上高いプラズマ密度が得られる高密度プラズ
マＣＶＤ装置を採用することが望ましい。かかる高密度
プラズマＣＶＤ装置としては、ＥＣＲ (Electron Cyclo
tron Resonance) プラズマＣＶＤ装置、ヘリコン波プラ
ズマＣＶＤ装置、ＩＣＰ(Inductively Coupled Plasma)
−ＣＶＤ装置等が例示される。
【００２７】また本発明の電子装置の製造方法によれ
ば、上述した金属窒化物膜の化学的気相成長方法により
形成される金属窒化物膜を配線層等に用いることによ
り、Ｃｕ等の金属の拡散を充分に防止することができ
る。したがって、高集積度半導体装置等の電子装置を信
頼性高く製造することができる。本発明が適用される電
子装置としては、高集積度半導体装置の他に、薄膜磁気
ヘッド装置や薄膜インダクタ装置、薄膜コイル装置ある
いはマイクロマシン装置等が例示され、これら電子装置
の配線層等として用いることができる。
ば、上述した金属窒化物膜の化学的気相成長方法により
形成される金属窒化物膜を配線層等に用いることによ
り、Ｃｕ等の金属の拡散を充分に防止することができ
る。したがって、高集積度半導体装置等の電子装置を信
頼性高く製造することができる。本発明が適用される電
子装置としては、高集積度半導体装置の他に、薄膜磁気
ヘッド装置や薄膜インダクタ装置、薄膜コイル装置ある
いはマイクロマシン装置等が例示され、これら電子装置
の配線層等として用いることができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき添付図面を参照して説明する。
例につき添付図面を参照して説明する。
【００２９】まず本発明の金属窒化物膜の化学的気相成
長方法に採用したＣＶＤ装置につき、図３および図４を
参照して説明する。
長方法に採用したＣＶＤ装置につき、図３および図４を
参照して説明する。
【００３０】図３（ａ）〜（ｂ）および図４（ｃ）〜
（ｄ）は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略断面図
である。すなわち、ＣＶＤチャンバ７内には、被処理基
板１を載置した基板ステージ２が配設されている。この
基板ステージ２に対向して、被処理基板１に向けて開口
したプラズマ生成室１１が連接されている。プラズマ生
成室１１の閉端面には、石英やアルミナ等の誘電体材料
からなるマイクロ波導入窓９が配設されており、マグネ
トロン（不図示）で発生した２．４５ＧＨｚのマイクロ
波をプラズマ生成室１１内に導入する。このマイクロ波
導入窓９は、実際にマイクロ波が透過する中心の矩形部
分を除いて、ＲＦ印加手段６が接続される板状電極（不
図示）が形成されており、このマイクロ波導入窓９への
金属膜の付着を防止する構成となっている。符号１０は
プラズマ生成室１１を囲繞するソレノイドコイルであ
り、このソレノイドコイル１０で発生する０．０８７５
Ｔの磁界と２．４５ＧＨｚのマイクロ波との相互作用に
より、ＥＣＲ条件を達成することができる。プラズマ生
成室１１の同じく閉端面には、第１のガス導入孔４が配
設されている。この第１のガス導入孔４からは、水素を
含むガスと、窒化剤となるガスを選択的に切り替えて導
入することができる。一方、プラズマ生成室１１の解放
端面には、金属化合物ガスやキャリアガスを導入するガ
スリングヘッド状の第２のガス導入孔５が配設されてい
る。符号１２は電磁石であり、基板ステージ２の裏面に
配設され、被処理基板１への活性種の入射方向を制御す
る。符号８は高真空ポンプに接続される排気孔である。
（ｄ）は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置を示す概略断面図
である。すなわち、ＣＶＤチャンバ７内には、被処理基
板１を載置した基板ステージ２が配設されている。この
基板ステージ２に対向して、被処理基板１に向けて開口
したプラズマ生成室１１が連接されている。プラズマ生
成室１１の閉端面には、石英やアルミナ等の誘電体材料
からなるマイクロ波導入窓９が配設されており、マグネ
トロン（不図示）で発生した２．４５ＧＨｚのマイクロ
波をプラズマ生成室１１内に導入する。このマイクロ波
導入窓９は、実際にマイクロ波が透過する中心の矩形部
分を除いて、ＲＦ印加手段６が接続される板状電極（不
図示）が形成されており、このマイクロ波導入窓９への
金属膜の付着を防止する構成となっている。符号１０は
プラズマ生成室１１を囲繞するソレノイドコイルであ
り、このソレノイドコイル１０で発生する０．０８７５
Ｔの磁界と２．４５ＧＨｚのマイクロ波との相互作用に
より、ＥＣＲ条件を達成することができる。プラズマ生
成室１１の同じく閉端面には、第１のガス導入孔４が配
設されている。この第１のガス導入孔４からは、水素を
含むガスと、窒化剤となるガスを選択的に切り替えて導
入することができる。一方、プラズマ生成室１１の解放
端面には、金属化合物ガスやキャリアガスを導入するガ
スリングヘッド状の第２のガス導入孔５が配設されてい
る。符号１２は電磁石であり、基板ステージ２の裏面に
配設され、被処理基板１への活性種の入射方向を制御す
る。符号８は高真空ポンプに接続される排気孔である。
【００３１】これらのうち、図３（ａ）は水素イオンや
水素ラジカル等の水素活性種（Ｈ*で示す）をプラズマ
生成室１１で生成し、被処理基板１表面に照射して自然
酸化膜を還元しつつある状態を示す。また図３（ｂ）
は、水素活性種により金属化合物ガスを還元して、被処
理基板１上に金属膜あるいは金属薄膜（Ｍで示す）を形
成しつつある状態を示す。図４（ｃ）は、金属膜あるい
は金属薄膜に窒素を含む活性種の代表例であるＮＨ活性
種（ＮＨ* で示す）を照射しつつある状態を示す。そし
て図４（ｄ）は、被処理基板１上に金属窒化物膜あるい
は金属窒化物薄膜（ＭＮで示す）が形成された状態を示
す。
水素ラジカル等の水素活性種（Ｈ*で示す）をプラズマ
生成室１１で生成し、被処理基板１表面に照射して自然
酸化膜を還元しつつある状態を示す。また図３（ｂ）
は、水素活性種により金属化合物ガスを還元して、被処
理基板１上に金属膜あるいは金属薄膜（Ｍで示す）を形
成しつつある状態を示す。図４（ｃ）は、金属膜あるい
は金属薄膜に窒素を含む活性種の代表例であるＮＨ活性
種（ＮＨ* で示す）を照射しつつある状態を示す。そし
て図４（ｄ）は、被処理基板１上に金属窒化物膜あるい
は金属窒化物薄膜（ＭＮで示す）が形成された状態を示
す。
【００３２】図３〜図４にその構造と動作を示したＣＶ
Ｄ装置の例は、本発明の金属窒化物膜の化学的気相成長
方法を好適に実施しうる装置の一例ではあるが、水素を
含むガス、窒化剤ガス、および金属化合物ガスを含むガ
スを選択的に切り換えて導入することのできるＣＶＤ装
置であれば、いかなる装置でも使用することができる。
Ｄ装置の例は、本発明の金属窒化物膜の化学的気相成長
方法を好適に実施しうる装置の一例ではあるが、水素を
含むガス、窒化剤ガス、および金属化合物ガスを含むガ
スを選択的に切り換えて導入することのできるＣＶＤ装
置であれば、いかなる装置でも使用することができる。
【００３３】
【実施例】以下、本発明の金属窒化物膜の化学的気相成
長方法を適用し、電子装置の一例として、高集積度半導
体装置の多層配線層間の層間絶縁膜に形成された接続孔
を、金属窒化物膜およびＣｕ金属膜で埋め込む実施例
を、図１〜図２を参照して詳細に説明する。ただし本発
明はこれら実施例になんら限定されるものではない。
長方法を適用し、電子装置の一例として、高集積度半導
体装置の多層配線層間の層間絶縁膜に形成された接続孔
を、金属窒化物膜およびＣｕ金属膜で埋め込む実施例
を、図１〜図２を参照して詳細に説明する。ただし本発
明はこれら実施例になんら限定されるものではない。
【００３４】実施例１ 本実施例は、図３〜図４に示したＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置により、Ｗ2 Ｎからなる金属窒化物膜を形成した例
である。
装置により、Ｗ2 Ｎからなる金属窒化物膜を形成した例
である。
【００３５】本実施例で採用した被処理基板は、図１
（ａ）に示すようにＳｉ等の半導体基板（不図示）上に
形成された下層層間絶縁膜２１上に、下層配線２２、上
層層間絶縁膜２３が形成され、この下層配線２２に臨
み、上層層間絶縁膜２３に接続孔２５が形成されたもの
である。この接続孔２５底部に露出した下層配線２２の
表面には、自然酸化膜２４が形成されている。これらの
うち、下層配線２２はＣｕ系金属、Ｗ等の高融点金属で
形成されるが、多結晶シリコンや高融点金属ポリサイ
ド、Ａｌ系金属等であってもよい。また接続孔２５（こ
の場合はビアホール）の開口径は例えば０．１８μｍ、
アスペクト比は約５である。
（ａ）に示すようにＳｉ等の半導体基板（不図示）上に
形成された下層層間絶縁膜２１上に、下層配線２２、上
層層間絶縁膜２３が形成され、この下層配線２２に臨
み、上層層間絶縁膜２３に接続孔２５が形成されたもの
である。この接続孔２５底部に露出した下層配線２２の
表面には、自然酸化膜２４が形成されている。これらの
うち、下層配線２２はＣｕ系金属、Ｗ等の高融点金属で
形成されるが、多結晶シリコンや高融点金属ポリサイ
ド、Ａｌ系金属等であってもよい。また接続孔２５（こ
の場合はビアホール）の開口径は例えば０．１８μｍ、
アスペクト比は約５である。
【００３６】〔第１の工程〕図１（ａ）に示す被処理基
板を、図３（ａ）に示すようにＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置の基板ステージ２上にセッティングし、第１のガス導
入孔４からＨ2 ／Ａｒ混合ガスを導入し、下記条件によ
り水素プラズマ処理を施す。 Ｈ2 流量 １００〜 ３００ ｓｃｃｍ Ａｒ流量 ００〜 ３００ ｓｃｃｍ 全圧 １〜１０ ｍＴｏｒｒ マイクロ波電力１０００〜３０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 ２００〜 ４００ ℃ 時間 ３０〜 ３００ ｓｅｃ プラズマ処理条件の数値幅は、ＣＶＤチャンバ７の形
状、容積あるいは被処理基板上の自然酸化膜の厚さ等に
より変更される設計事項であるが、これらの範囲内であ
れば概ね良好なプラズマ処理が達成される。
板を、図３（ａ）に示すようにＥＣＲプラズマＣＶＤ装
置の基板ステージ２上にセッティングし、第１のガス導
入孔４からＨ2 ／Ａｒ混合ガスを導入し、下記条件によ
り水素プラズマ処理を施す。 Ｈ2 流量 １００〜 ３００ ｓｃｃｍ Ａｒ流量 ００〜 ３００ ｓｃｃｍ 全圧 １〜１０ ｍＴｏｒｒ マイクロ波電力１０００〜３０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 ２００〜 ４００ ℃ 時間 ３０〜 ３００ ｓｅｃ プラズマ処理条件の数値幅は、ＣＶＤチャンバ７の形
状、容積あるいは被処理基板上の自然酸化膜の厚さ等に
より変更される設計事項であるが、これらの範囲内であ
れば概ね良好なプラズマ処理が達成される。
【００３７】このプラズマ処理工程においては、導入ガ
スはＥＣＲ放電により励起されて高密度プラズマとな
り、このうちＨ2 はプラズマ中の電子との衝突により水
素活性種を解離生成する。この水素活性種を被処理基板
に照射すると、接続孔２５の底部にまで容易に入射し、
入射した水素原子により、下層配線２２表面のＣｕＯや
ＷＯ3 等の自然酸化膜２４は還元され、清浄なＣｕある
いはＷ等の表面が露出する。
スはＥＣＲ放電により励起されて高密度プラズマとな
り、このうちＨ2 はプラズマ中の電子との衝突により水
素活性種を解離生成する。この水素活性種を被処理基板
に照射すると、接続孔２５の底部にまで容易に入射し、
入射した水素原子により、下層配線２２表面のＣｕＯや
ＷＯ3 等の自然酸化膜２４は還元され、清浄なＣｕある
いはＷ等の表面が露出する。
【００３８】〔第２の工程〕この後、Ｈ2 ／Ａｒ混合ガ
スの導入およびＥＣＲ放電を継続するとともに、第２の
ガス導入孔５より金属化合物ガス、本実施例ではＷＦ6
を導入する。 ＷＦ6 流量 ２〜１０ ｓｃｃｍ Ｈ2 流量 １００〜３００ ｓｃｃｍ Ａｒ流量 １００〜２００ ｓｃｃｍ 全圧 １〜１０ ｍＴｏｒｒ マイクロ波電力１０００〜３０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 ２００〜 ４００ ℃ 時間 ３０〜 １８０ ｓｅｃ
スの導入およびＥＣＲ放電を継続するとともに、第２の
ガス導入孔５より金属化合物ガス、本実施例ではＷＦ6
を導入する。 ＷＦ6 流量 ２〜１０ ｓｃｃｍ Ｈ2 流量 １００〜３００ ｓｃｃｍ Ａｒ流量 １００〜２００ ｓｃｃｍ 全圧 １〜１０ ｍＴｏｒｒ マイクロ波電力１０００〜３０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 ２００〜 ４００ ℃ 時間 ３０〜 １８０ ｓｅｃ
【００３９】この工程では、ＷＦ6 は水素活性種により
還元され、被処理基板上にステップカバレッジ良く金属
膜２６が形成される。この還元反応の標準生成熱は、先
述したようにΔＧ＝−２８３．４ｋｃａｌの発熱反応で
あり、容易に進行し、低フッ素含有量のＷからなる金属
膜２６が形成される。この状態を図１（ｂ）および図３
（ｂ）に示す。なお、金属膜２６の厚さは、上層層間絶
縁膜２３表面の平坦部分で２０〜５０ｎｍ程度である。
還元され、被処理基板上にステップカバレッジ良く金属
膜２６が形成される。この還元反応の標準生成熱は、先
述したようにΔＧ＝−２８３．４ｋｃａｌの発熱反応で
あり、容易に進行し、低フッ素含有量のＷからなる金属
膜２６が形成される。この状態を図１（ｂ）および図３
（ｂ）に示す。なお、金属膜２６の厚さは、上層層間絶
縁膜２３表面の平坦部分で２０〜５０ｎｍ程度である。
【００４０】〔第３の工程〕この後、水素を含むガスお
よび金属化合物ガスの導入を停止し、第１のガス導入孔
４からは窒化剤ガスを切り換え導入する。ＥＣＲ放電は
継続する。窒化剤ガスとしてはＮ2 ／Ｈ2 ／Ａｒの混合
ガスを採用する。 Ｎ2 流量 １００〜 ３００ ｓｃｃｍ Ｈ2 流量 ５０〜 ２００ ｓｃｃｍ Ａｒ流量 １００〜 ３００ ｓｃｃｍ 全圧 １〜１０ ｍＴｏｒｒ マイクロ波電力１０００〜３０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 ２００〜 ４００ ℃ 時間 ３０〜 ３００ ｓｅｃ このＥＣＲ放電により、プラズマ生成室１１内にＮ2 ／
Ｈ2 ／Ａｒプラズマが生成する。このプラズマ中では、
電子とＨ2 ガスとの衝突により励起状態にある水素原子
が生成され、またＮ2 ガスも窒素原子に解離する。さら
にこの水素原子と窒素原子が結合し、主としてＮＨ活性
種が生成する。この他にも、Ｎ2 + イオンあるいはＮ2
活性種等の窒素を含む活性種が生成する。このＮＨ活性
種の生成は、プラズマ分光測定法により、３３６ｎｍの
発光スペクトルとして確認することができる。またＮ2
+ イオンは３９１．９ｎｍ、Ｎ2 活性種は３５７．７ｎ
ｍあるいは３５３．７ｎｍのスペクトルとして確認でき
る。
よび金属化合物ガスの導入を停止し、第１のガス導入孔
４からは窒化剤ガスを切り換え導入する。ＥＣＲ放電は
継続する。窒化剤ガスとしてはＮ2 ／Ｈ2 ／Ａｒの混合
ガスを採用する。 Ｎ2 流量 １００〜 ３００ ｓｃｃｍ Ｈ2 流量 ５０〜 ２００ ｓｃｃｍ Ａｒ流量 １００〜 ３００ ｓｃｃｍ 全圧 １〜１０ ｍＴｏｒｒ マイクロ波電力１０００〜３０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 ２００〜 ４００ ℃ 時間 ３０〜 ３００ ｓｅｃ このＥＣＲ放電により、プラズマ生成室１１内にＮ2 ／
Ｈ2 ／Ａｒプラズマが生成する。このプラズマ中では、
電子とＨ2 ガスとの衝突により励起状態にある水素原子
が生成され、またＮ2 ガスも窒素原子に解離する。さら
にこの水素原子と窒素原子が結合し、主としてＮＨ活性
種が生成する。この他にも、Ｎ2 + イオンあるいはＮ2
活性種等の窒素を含む活性種が生成する。このＮＨ活性
種の生成は、プラズマ分光測定法により、３３６ｎｍの
発光スペクトルとして確認することができる。またＮ2
+ イオンは３９１．９ｎｍ、Ｎ2 活性種は３５７．７ｎ
ｍあるいは３５３．７ｎｍのスペクトルとして確認でき
る。
【００４１】このＮＨ活性種をはじめとする窒素を含む
活性種を、ＣＶＤチャンバ７内に引き出し、被処理基板
１に照射する。この状態を図１（ｃ）および図４（ｃ）
に示す。
活性種を、ＣＶＤチャンバ７内に引き出し、被処理基板
１に照射する。この状態を図１（ｃ）および図４（ｃ）
に示す。
【００４２】これらＮＨ活性種等の照射により、Ｗから
なる金属膜２６表面でＮＨ活性種は解離し、生成した窒
素原子は金属膜２６中を拡散して、アモルファスＷ2 Ｎ
からなる金属窒化物膜２７が形成される。この状態を図
２（ｄ）および図４（ｄ）に示す。ＮＨ活性種照射によ
るＷの窒化反応は、これも先述したようにΔＧ＝−１１
３．４ｋｃａｌの発熱反応であり、容易に進行する。
なる金属膜２６表面でＮＨ活性種は解離し、生成した窒
素原子は金属膜２６中を拡散して、アモルファスＷ2 Ｎ
からなる金属窒化物膜２７が形成される。この状態を図
２（ｄ）および図４（ｄ）に示す。ＮＨ活性種照射によ
るＷの窒化反応は、これも先述したようにΔＧ＝−１１
３．４ｋｃａｌの発熱反応であり、容易に進行する。
【００４３】形成された金属窒化物膜２７が所望の膜厚
であれば次工程に進むが、所望の膜厚に満たない場合に
は、上述した第２の工程および第３の工程を反復して所
望の膜厚の金属窒化物膜とする。この場合、重複する説
明は省略するが、上述した工程中の金属膜を金属薄膜、
金属窒化物膜を金属窒化物薄膜と読み替え、さらに第２
の工程および第３の工程をそれぞれ第４の工程および第
５の工程と読み替えればよい。
であれば次工程に進むが、所望の膜厚に満たない場合に
は、上述した第２の工程および第３の工程を反復して所
望の膜厚の金属窒化物膜とする。この場合、重複する説
明は省略するが、上述した工程中の金属膜を金属薄膜、
金属窒化物膜を金属窒化物薄膜と読み替え、さらに第２
の工程および第３の工程をそれぞれ第４の工程および第
５の工程と読み替えればよい。
【００４４】この後、上層配線を形成するため、図２
（ｅ）に示すように周知の遠距離スパッタリング法ある
いはＣＶＤ法で、Ｃｕ金属からなるシード層２８を形成
する。このシード層２７は、通電層としての機能を持て
ばよいので、例えば３０ｎｍ程度と薄くてよい。この
後、これも周知の電解めっき法により、図２（ｆ）に示
すようにＣｕ金属からなる上層金属配線層２９を形成
し、接続孔２５内を埋め込む。
（ｅ）に示すように周知の遠距離スパッタリング法ある
いはＣＶＤ法で、Ｃｕ金属からなるシード層２８を形成
する。このシード層２７は、通電層としての機能を持て
ばよいので、例えば３０ｎｍ程度と薄くてよい。この
後、これも周知の電解めっき法により、図２（ｆ）に示
すようにＣｕ金属からなる上層金属配線層２９を形成
し、接続孔２５内を埋め込む。
【００４５】この後の工程は図示を省略するが、上層金
属配線層２９、シード層２８および金属窒化物膜２７を
パターニングして上層配線とする。あるいはこれら上層
金属配線層２９、シード層２８および金属窒化物膜２７
をＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing) により平坦
化研磨し、接続孔２５内にのみ残してコンタクトプラグ
を形成してもよい。
属配線層２９、シード層２８および金属窒化物膜２７を
パターニングして上層配線とする。あるいはこれら上層
金属配線層２９、シード層２８および金属窒化物膜２７
をＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing) により平坦
化研磨し、接続孔２５内にのみ残してコンタクトプラグ
を形成してもよい。
【００４６】本実施例によれば、金属膜の形成、および
これに続く窒化工程による金属窒化物膜の形成により、
Ｗ2 Ｎからなる金属窒化物膜を、アンモニウム塩等のダ
ストの発生なく形成することができる。またこの金属窒
化物膜を高集積度半導体装置の多層配線構造におけるバ
リア層に適用することにより、Ｃｕ金属配線の拡散が効
果的に防止された信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とができる。
これに続く窒化工程による金属窒化物膜の形成により、
Ｗ2 Ｎからなる金属窒化物膜を、アンモニウム塩等のダ
ストの発生なく形成することができる。またこの金属窒
化物膜を高集積度半導体装置の多層配線構造におけるバ
リア層に適用することにより、Ｃｕ金属配線の拡散が効
果的に防止された信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とができる。
【００４７】実施例２ 本実施例も、図３〜図４に示したＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置により、ＴａＮからなる金属窒化物膜を形成した例
である。
装置により、ＴａＮからなる金属窒化物膜を形成した例
である。
【００４８】本実施例で採用した被処理基板は、前実施
例で図１（ａ）を参照して説明したものに準じるもので
あるので、重複する説明は省略する。
例で図１（ａ）を参照して説明したものに準じるもので
あるので、重複する説明は省略する。
【００４９】〔第１の工程〕図１（ａ）に示す被処理基
板上の自然酸化膜２４に対する、水素活性種による還元
工程は、これも前実施例１と同様でよい。
板上の自然酸化膜２４に対する、水素活性種による還元
工程は、これも前実施例１と同様でよい。
【００５０】〔第２の工程〕この後、Ｈ2 ／Ａｒ混合ガ
スの導入およびＥＣＲ放電を継続するとともに、第２の
ガス導入孔５より金属化合物ガス、本実施例ではＴａＢ
ｒ5 を導入する。ＴａＢｒ5 は固体ソースであるので、
１５０〜２００℃程度に加熱し、気化ガスとして導入す
る。したがって、第２のガス導入孔５およびここに至る
ガス配管等は、リボンヒータ等で加熱しておくことが望
ましい。 ＴａＢｒ5 流量 ２〜１０ ｓｃｃｍ Ｈ2 流量 １００〜３００ ｓｃｃｍ Ａｒ流量 １００〜２００ ｓｃｃｍ 全圧 １〜１０ ｍＴｏｒｒ マイクロ波電力１０００〜３０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 ２００〜 ４００ ℃ 時間 ３０〜 １８０ ｓｅｃ
スの導入およびＥＣＲ放電を継続するとともに、第２の
ガス導入孔５より金属化合物ガス、本実施例ではＴａＢ
ｒ5 を導入する。ＴａＢｒ5 は固体ソースであるので、
１５０〜２００℃程度に加熱し、気化ガスとして導入す
る。したがって、第２のガス導入孔５およびここに至る
ガス配管等は、リボンヒータ等で加熱しておくことが望
ましい。 ＴａＢｒ5 流量 ２〜１０ ｓｃｃｍ Ｈ2 流量 １００〜３００ ｓｃｃｍ Ａｒ流量 １００〜２００ ｓｃｃｍ 全圧 １〜１０ ｍＴｏｒｒ マイクロ波電力１０００〜３０００ Ｗ（２．４５ＧＨ
ｚ） 被処理基板温度 ２００〜 ４００ ℃ 時間 ３０〜 １８０ ｓｅｃ
【００５１】この工程では、ＴａＢｒ5 は水素活性種に
より還元され、被処理基板上にステップカバレッジ良く
Ｔａからなる金属膜２６が形成される。この還元反応
は、ＴａＢｒ5 ＋５Ｈ →Ｔａ＋５ＨＢｒ ΔＧ＝−１
６０．９kcal/molで示される発熱反応である。したがっ
て、還元は容易に進行し、低Ｂｒ含有量のＴａからなる
金属膜２６が形成される。この状態を図１（ｂ）および
図３（ｂ）に示す。なお、金属膜２６の厚さは、上層層
間絶縁膜２３表面の平坦部分で２０〜５０ｎｍ程度であ
る。
より還元され、被処理基板上にステップカバレッジ良く
Ｔａからなる金属膜２６が形成される。この還元反応
は、ＴａＢｒ5 ＋５Ｈ →Ｔａ＋５ＨＢｒ ΔＧ＝−１
６０．９kcal/molで示される発熱反応である。したがっ
て、還元は容易に進行し、低Ｂｒ含有量のＴａからなる
金属膜２６が形成される。この状態を図１（ｂ）および
図３（ｂ）に示す。なお、金属膜２６の厚さは、上層層
間絶縁膜２３表面の平坦部分で２０〜５０ｎｍ程度であ
る。
【００５２】〔第３の工程〕この後の窒素を含む活性種
の照射工程は前実施例１に準じてよい。ＮＨ活性種等、
窒素を含む活性種の照射により、Ｔａからなる金属膜２
６表面でＮＨ活性種は解離し、生成した窒素原子は金属
膜２６中を拡散して、アモルファスＴａＮからなる金属
窒化物膜２７が形成される。この状態を図２（ｄ）およ
び図４（ｄ）に示す。ＮＨ活性種照射によるＴａの窒化
反応は、 Ｔａ ＋ＮＨ →ＴａＮ＋1/2 Ｈ2 で示される、容易に進行する系である。
の照射工程は前実施例１に準じてよい。ＮＨ活性種等、
窒素を含む活性種の照射により、Ｔａからなる金属膜２
６表面でＮＨ活性種は解離し、生成した窒素原子は金属
膜２６中を拡散して、アモルファスＴａＮからなる金属
窒化物膜２７が形成される。この状態を図２（ｄ）およ
び図４（ｄ）に示す。ＮＨ活性種照射によるＴａの窒化
反応は、 Ｔａ ＋ＮＨ →ＴａＮ＋1/2 Ｈ2 で示される、容易に進行する系である。
【００５３】形成された金属窒化物膜２７が所望の膜厚
であれば次工程に進むが、所望の膜厚に満たない場合に
は、上述した第２の工程および第３の工程を反復して所
望の膜厚の金属窒化物膜とする。この場合、重複する説
明は省略するが、上述した工程中の金属膜を金属薄膜、
金属窒化物膜を金属窒化物薄膜と読み替え、さらに第２
の工程および第３の工程をそれぞれ第４の工程および第
５の工程と読み替えれればよい。
であれば次工程に進むが、所望の膜厚に満たない場合に
は、上述した第２の工程および第３の工程を反復して所
望の膜厚の金属窒化物膜とする。この場合、重複する説
明は省略するが、上述した工程中の金属膜を金属薄膜、
金属窒化物膜を金属窒化物薄膜と読み替え、さらに第２
の工程および第３の工程をそれぞれ第４の工程および第
５の工程と読み替えれればよい。
【００５４】この後の上層配線形成工程は前実施例１と
同様でよい。本実施例によれば、金属膜の形成、および
これに続く窒化工程による金属窒化物膜の形成により、
ＴａＮからなる金属窒化物膜を、アンモニウム塩等のダ
ストの発生なく形成することができる。またこの金属窒
化物膜を高集積度半導体装置の多層配線構造におけるバ
リア層に適用することにより、Ｃｕ金属配線の拡散が効
果的に防止された信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とができる。
同様でよい。本実施例によれば、金属膜の形成、および
これに続く窒化工程による金属窒化物膜の形成により、
ＴａＮからなる金属窒化物膜を、アンモニウム塩等のダ
ストの発生なく形成することができる。またこの金属窒
化物膜を高集積度半導体装置の多層配線構造におけるバ
リア層に適用することにより、Ｃｕ金属配線の拡散が効
果的に防止された信頼性の高い半導体装置を提供するこ
とができる。
【００５５】以上、本発明の金属窒化物膜の化学的気相
成長方法およびこれをもちいた電子装置の製造方法につ
き詳細な説明を加えたが、本発明はこれら実施例に限定
されることなく、各種の実施態様が可能である。
成長方法およびこれをもちいた電子装置の製造方法につ
き詳細な説明を加えたが、本発明はこれら実施例に限定
されることなく、各種の実施態様が可能である。
【００５６】例えば金属窒化物膜の材料として例示した
Ｗ2 ＮおよびＴａＮの他に、ＷＮやＴａ2 Ｎ等の各種金
属窒化物や、Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ、Ｗ−Ｓｉ−ＮおよびＴａ
−Ｓｉ−Ｎ等の金属珪窒化物を採用することができる。
また、結晶組織が柱状で粒界拡散が問題とされてきた、
スパッタリング法等により成膜されたＴｉＮにおいて
も、本発明の形成方法を適用することにより、そのバリ
ア性を高めることができる。いずれの材料においても、
原料金属化合物ガスの残留成分が少なく、充分に窒化さ
れた金属窒化物膜がアモルファス構造として得られる。
Ｗ2 ＮおよびＴａＮの他に、ＷＮやＴａ2 Ｎ等の各種金
属窒化物や、Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ、Ｗ−Ｓｉ−ＮおよびＴａ
−Ｓｉ−Ｎ等の金属珪窒化物を採用することができる。
また、結晶組織が柱状で粒界拡散が問題とされてきた、
スパッタリング法等により成膜されたＴｉＮにおいて
も、本発明の形成方法を適用することにより、そのバリ
ア性を高めることができる。いずれの材料においても、
原料金属化合物ガスの残留成分が少なく、充分に窒化さ
れた金属窒化物膜がアモルファス構造として得られる。
【００５７】窒素を含む活性種の生成は、Ｎ2 ／Ｈ2 ／
Ａｒの混合ガスのプラズマ励起によったが、ＮＨ3 やＮ
2 Ｈ4 を含むガスのプラズマ励起によってもよい。かか
る窒化剤ガスを用いても、ハロゲン化アンモニウム等の
ダストが生成することはない。
Ａｒの混合ガスのプラズマ励起によったが、ＮＨ3 やＮ
2 Ｈ4 を含むガスのプラズマ励起によってもよい。かか
る窒化剤ガスを用いても、ハロゲン化アンモニウム等の
ダストが生成することはない。
【００５８】本発明の金属窒化物膜の化学的気相成長方
法は、半導体装置等各種電子装置の配線のバリア層とし
て好適に用いることができる。配線材料としては、拡散
が問題となるＣｕ金属の他にも、ＡｇやＡｌ等各種金属
を採用することができる。実施例中のＣｕ配線層は電解
メッキ法によったが、ＣＶＤ法によってもよい。この場
合の原料ガスとしては、Ｃｕ(hfac)(tmvs)やＣｕ(hfac)
の他に、各種有機金属化合物や無機金属化合物を用いる
ことができる。Ｃｕ(hfac)は、Ｃｕ原子にhfac (Hexafl
uoroacetylacetonate)が結合した化合物、Ｃｕ(hfac)(t
mvs)はＣｕ(hfac)にさらにtmvs (Trimethylvinylsilan
e) が結合した化合物である。
法は、半導体装置等各種電子装置の配線のバリア層とし
て好適に用いることができる。配線材料としては、拡散
が問題となるＣｕ金属の他にも、ＡｇやＡｌ等各種金属
を採用することができる。実施例中のＣｕ配線層は電解
メッキ法によったが、ＣＶＤ法によってもよい。この場
合の原料ガスとしては、Ｃｕ(hfac)(tmvs)やＣｕ(hfac)
の他に、各種有機金属化合物や無機金属化合物を用いる
ことができる。Ｃｕ(hfac)は、Ｃｕ原子にhfac (Hexafl
uoroacetylacetonate)が結合した化合物、Ｃｕ(hfac)(t
mvs)はＣｕ(hfac)にさらにtmvs (Trimethylvinylsilan
e) が結合した化合物である。
【００５９】その他、電子装置として高密度半導体装置
の接続孔を埋め込む配線への応用の他に、各種半導体装
置や磁気ヘッド装置等、低抵抗の配線を要する各種電子
装置に適用することができる。
の接続孔を埋め込む配線への応用の他に、各種半導体装
置や磁気ヘッド装置等、低抵抗の配線を要する各種電子
装置に適用することができる。
【００６０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の金属窒化物膜の化学的気相成長方法によれば、成膜時
のダストの発生が低減され、充分に窒化されたアモルフ
ァス構造の金属窒化物膜を形成することができる。
の金属窒化物膜の化学的気相成長方法によれば、成膜時
のダストの発生が低減され、充分に窒化されたアモルフ
ァス構造の金属窒化物膜を形成することができる。
【００６１】また本発明の電子装置の製造方法によれ
ば、上述した金属窒化物膜の化学的気相成長方法を用
い、これをバリア層に適用することにより、低抵抗では
あるが拡散性の強いＣｕ等の金属膜を配線材料に用いる
ことが可能になる。これにより、高密度半導体装置をは
じめとする、各種電子装置の動作周波数が向上し、消費
電力が低減され、またマイグレーション耐性にも優れた
高信頼性の電子装置を安定に供給できる。
ば、上述した金属窒化物膜の化学的気相成長方法を用
い、これをバリア層に適用することにより、低抵抗では
あるが拡散性の強いＣｕ等の金属膜を配線材料に用いる
ことが可能になる。これにより、高密度半導体装置をは
じめとする、各種電子装置の動作周波数が向上し、消費
電力が低減され、またマイグレーション耐性にも優れた
高信頼性の電子装置を安定に供給できる。
【図１】本発明の電子装置の製造方法の前半を示す概略
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明の電子装置の製造方法の後半を示す概略
断面図であり、図１に続くものである。
断面図であり、図１に続くものである。
【図３】本発明の金属膜の化学的気相成長方法で用いる
プラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図である。
プラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図である。
【図４】同じく本発明の金属膜の化学的気相成長方法で
用いるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図であ
る。
用いるプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略断面図であ
る。
１…被処理基板、２…基板ステージ、４…第１のガス導
入孔、５…第２のガス導入孔、６…ＲＦ印加手段、７…
ＣＶＤチャンバ、８…排気孔、９…マイクロ波導入窓、
１０…ソレノイドコイル、１１…プラズマ生成室、１２
…電磁石 ２１…下層層間絶縁膜、２２…下層配線、２３…上層層
間絶縁膜、２４…自然酸化膜、２５…接続孔、２６…金
属膜、２７…金属窒化物膜、２８…シード層、２９…上
層金属配線層
入孔、５…第２のガス導入孔、６…ＲＦ印加手段、７…
ＣＶＤチャンバ、８…排気孔、９…マイクロ波導入窓、
１０…ソレノイドコイル、１１…プラズマ生成室、１２
…電磁石 ２１…下層層間絶縁膜、２２…下層配線、２３…上層層
間絶縁膜、２４…自然酸化膜、２５…接続孔、２６…金
属膜、２７…金属窒化物膜、２８…シード層、２９…上
層金属配線層
Claims (14)
- 【請求項１】 金属化合物ガスを用いて、表面に自然酸
化膜を有する被処理基板上に、金属窒化物膜を形成する
工程を有する金属窒化物膜の化学的気相成長方法であっ
て、 前記金属窒化物膜の形成工程は、 前記被処理基板表面の自然酸化膜を水素活性種により還
元する第１の工程、 前記金属化合物ガスを水素活性種により還元して、前記
被処理基板上に金属膜を形成する第２の工程、 前記金属膜表面に窒素を含む活性種を照射し、前記金属
膜を金属窒化物膜に変換する第３の工程、 以上の工程を具備することを特徴とする金属窒化物膜の
化学的気相成長方法。 - 【請求項２】 金属化合物ガスを用いて、表面に自然酸
化膜を有する被処理基板上に、金属窒化物膜を形成する
工程を有する金属窒化物膜の化学的気相成長方法であっ
て、 前記金属窒化物膜の形成工程は、 前記被処理基板表面の自然酸化膜を水素活性種により還
元する第１の工程、 前記金属化合物ガスを水素活性種により還元して、前記
被処理基板上に金属薄膜を形成する第２の工程、 前記金属薄膜表面に窒素を含む活性種を照射し、前記金
属薄膜を金属窒化物薄膜に変換する第３の工程、 前記金属化合物ガスを水素活性種により還元して、前記
金属窒化物薄膜上にさらに金属薄膜を形成する第４の工
程、 前記第４の工程により形成された金属薄膜表面に窒素を
含む活性種を照射し、前記第４の工程により形成された
金属薄膜を金属窒化物薄膜に変換する第５の工程、 以上の工程を具備し、 前記第４の工程および前記第５の工程を反復することに
より、所望の厚さを有する金属窒化物膜を形成する工程
であることを特徴とする金属窒化物膜の化学的気相成長
方法。 - 【請求項３】 前記水素活性種により還元する工程は、 いずれも水素ガスを含むガスのプラズマ励起により生成
される水素活性種を、前記被処理基板表面に照射する工
程であることを特徴とする請求項１または２記載の金属
窒化物膜の化学的気相成長方法。 - 【請求項４】 前記窒素を含む活性種を照射する工程
は、 いずれも窒素、アンモニアおよびヒドラジンのうちのい
ずれか少なくとも１種を含むガスのプラズマ励起により
生成されるＮＨ活性種、Ｎ2 + イオンおよびＮ2 活性種
を照射する工程であることを特徴とする請求項１または
２記載の金属窒化物膜の化学的気相成長方法。 - 【請求項５】 前記金属窒化物膜は、 アモルファス構造であることを特徴とする請求項１また
は２記載の金属窒化物膜の化学的気相成長方法。 - 【請求項６】 前記金属窒化物膜は、 Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＳｉのうちの、いずれか少なくと
も１種を含むことを特徴とする請求項１または２記載の
金属窒化物膜の化学的気相成長方法。 - 【請求項７】 前記金属窒化物膜は、 ＴａＮ、Ｔａ2 Ｎ、ＷＮ、Ｗ2 Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｎ、Ｗ
−Ｓｉ−ＮおよびＴｉ−Ｓｉ−Ｎのうちのいずれか１種
の材料を含むことを特徴とする請求項１または２記載の
金属窒化物膜の化学的気相成長方法。 - 【請求項８】 金属化合物ガスを用いた化学的気相成長
方法により、表面に自然酸化膜を有する被処理基板上
に、金属窒化物膜を形成する工程を有する電子装置の製
造方法であって、 前記金属窒化物膜の形成工程は、 前記被処理基板表面の自然酸化膜を水素活性種により還
元する第１の工程、 前記金属化合物ガスを水素活性種により還元して、前記
被処理基板上に金属膜を形成する第２の工程、 前記金属膜表面に窒素を含む活性種を照射し、前記金属
膜を金属窒化物膜に変換する第３の工程、 以上の工程を具備することを特徴とする電子装置の製造
方法。 - 【請求項９】 金属化合物ガスを用いた化学的気相成長
方法により、表面に自然酸化膜を有する被処理基板上
に、金属窒化物膜を形成する工程を有する電子装置の製
造方法であって、 前記金属窒化物膜の形成工程は、 前記被処理基板表面の自然酸化膜を水素活性種により還
元する第１の工程、 前記金属化合物ガスを水素活性種により還元して、前記
被処理基板上に金属薄膜を形成する第２の工程、 前記金属薄膜表面に窒素を含む活性種を照射し、前記金
属薄膜を金属窒化物薄膜に変換する第３の工程、 前記金属化合物ガスを水素活性種により還元して、前記
金属窒化物薄膜上にさらに金属薄膜を形成する第４の工
程、 前記第４の工程により形成された金属薄膜表面に窒素を
含む活性種を照射し、前記第４の工程により形成された
金属薄膜を金属窒化物薄膜に変換する第５の工程、 以上の工程を具備し、 前記第４の工程および前記第５の工程を反復することに
より、所望の厚さを有する金属窒化物膜を形成する工程
であることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 【請求項１０】 前記水素活性種により還元する工程
は、 いずれも水素ガスを含むガスのプラズマ励起により生成
される水素活性種を、前記被処理基板表面に照射する工
程であることを特徴とする請求項８または９記載の電子
装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記窒素を含む活性種を照射する工程
は、 いずれも窒素、アンモニアおよびヒドラジンのうちのい
ずれか少なくとも１種を含むガスのプラズマ励起により
生成されるＮＨ活性種、Ｎ2 + イオンおよびＮ2 活性種
を照射する工程であることを特徴とする請求項８または
９記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記金属窒化物膜は、 アモルファス構造であることを特徴とする請求項８また
は９記載の電子装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記金属窒化物膜は、 Ｔａ、Ｗ、ＴｉおよびＳｉのうちの、いずれか少なくと
も１種を含むことを特徴とする請求項８または９記載の
電子装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記金属窒化物膜は、 ＴａＮ、Ｔａ2 Ｎ、ＷＮ、Ｗ2 Ｎ、Ｔａ−Ｓｉ−Ｎ、Ｗ
−Ｓｉ−ＮおよびＴｉ−Ｓｉ−Ｎのうちのいずれか１種
の材料を含むことを特徴とする請求項８または９記載の
電子装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10019525A JPH11217672A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 金属窒化物膜の化学的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法 |
| US09/233,912 US6284649B1 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-21 | Chemical vapor phase growing method of a metal nitride film and a method of manufacturing an electronic device using the same |
| KR1019990002954A KR19990068219A (ko) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | 금속 질화물 막의 화학적 기상 증착 방법 및 이것을 이용한 전자 장치의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10019525A JPH11217672A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 金属窒化物膜の化学的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11217672A true JPH11217672A (ja) | 1999-08-10 |
Family
ID=12001764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10019525A Pending JPH11217672A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 金属窒化物膜の化学的気相成長方法およびこれを用いた電子装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6284649B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11217672A (ja) |
| KR (1) | KR19990068219A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6355545B1 (en) | 1999-06-03 | 2002-03-12 | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. | Method and apparatus for wiring, wire, and integrated circuit |
| US6787481B2 (en) | 2002-02-28 | 2004-09-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US6825126B2 (en) | 2002-04-25 | 2004-11-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
| JP2005524991A (ja) * | 2002-05-07 | 2005-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱ｃｖｄ法の後に窒化物形成法を行うことにより共形の窒化タンタルシリサイドを形成する方法 |
| JP2005531421A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | シリコン・ライト・マシーンズ・コーポレイション | 犠牲層をエッチングするための導電性エッチストップ |
| JP2005322882A (ja) * | 2004-05-10 | 2005-11-17 | Hynix Semiconductor Inc | 低温バリア金属層を用いた半導体素子の金属配線製造方法 |
| JP2007211326A (ja) * | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Nec Electronics Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| WO2007148760A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Tokyo Electron Limited | ＴａＳｉＮ膜の成膜方法 |
| JP2009185373A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Mie Univ | 硬質物質の製造方法 |
| JP2010278473A (ja) * | 2000-06-08 | 2010-12-09 | Genitech Inc | 薄膜形成方法 |
| CN109786719A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-21 | 清华大学深圳研究生院 | 改性的金属氮化物纳米材料、制备方法及锂硫电池 |
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Also Published As
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|---|---|
| US6284649B1 (en) | 2001-09-04 |
| KR19990068219A (ko) | 1999-08-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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