JPH11204576A - 半導体配線の構造 - Google Patents
半導体配線の構造Info
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- JPH11204576A JPH11204576A JP10007473A JP747398A JPH11204576A JP H11204576 A JPH11204576 A JP H11204576A JP 10007473 A JP10007473 A JP 10007473A JP 747398 A JP747398 A JP 747398A JP H11204576 A JPH11204576 A JP H11204576A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 再配置配線材料にアルミニウムを使った場
合、再配置・バンピング工程で不良となったウエファー
を再生できなかった。 【解決手段】 再配置配線材料の下地にクロムを使うこ
とでクロムとアルミニウムのエッチング速度の差を使
い、再配置・バンプ工程で不良になったウエファーが再
生できるようになり、不良損失をカバーできるようにな
る。
合、再配置・バンピング工程で不良となったウエファー
を再生できなかった。 【解決手段】 再配置配線材料の下地にクロムを使うこ
とでクロムとアルミニウムのエッチング速度の差を使
い、再配置・バンプ工程で不良になったウエファーが再
生できるようになり、不良損失をカバーできるようにな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップの配線
材料に係わり、更に詳しくはワイヤーボンディング用ボ
ンディングパットをフリップチップ用エリアアレイパッ
ドに再配線する再配線の材料に関するものである。
材料に係わり、更に詳しくはワイヤーボンディング用ボ
ンディングパットをフリップチップ用エリアアレイパッ
ドに再配線する再配線の材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体パッケージの小型化、高密
度化に伴いベア・チップを直接フェイスダウンで、基板
上に実装するフリップチップボンディングが開発されて
いる。カメラ一体型ＶＴＲや携帯電話機等の登場によ
り、ベア・チップと略同じ寸法の小型パッケージ、所謂
ＣＳＰ（チップサイズ／スケール・パッケージ）を載せ
た携帯機器が相次いで登場してきている。最近ＣＳＰの
開発は急速に進み、その市場要求が本格化している。し
かし、フリップチップボンディングピッチはワイヤーボ
ンディングピッチに比べボンディングピッチが大きいた
め、ワイヤーボンディング用ＩＣはそのままフリップチ
ップに使うことはできない。そのため、先ず、半導体チ
ップの周辺にあるワイヤーボンディング用パッドを半導
体チップの内側に再配線する事によりフリップチップ用
パッドに移動し、フリップチップ実装に使えるようにし
なければならない。
度化に伴いベア・チップを直接フェイスダウンで、基板
上に実装するフリップチップボンディングが開発されて
いる。カメラ一体型ＶＴＲや携帯電話機等の登場によ
り、ベア・チップと略同じ寸法の小型パッケージ、所謂
ＣＳＰ（チップサイズ／スケール・パッケージ）を載せ
た携帯機器が相次いで登場してきている。最近ＣＳＰの
開発は急速に進み、その市場要求が本格化している。し
かし、フリップチップボンディングピッチはワイヤーボ
ンディングピッチに比べボンディングピッチが大きいた
め、ワイヤーボンディング用ＩＣはそのままフリップチ
ップに使うことはできない。そのため、先ず、半導体チ
ップの周辺にあるワイヤーボンディング用パッドを半導
体チップの内側に再配線する事によりフリップチップ用
パッドに移動し、フリップチップ実装に使えるようにし
なければならない。
【０００３】図４に、従来の再配線工程を示す。図４
（ａ）に示す半導体ウエファー製造工程は、ウエファー
上に能動素子を形成した（図示せず）後、半導体チップ
周辺部にワイヤーボンディング用のアルミニウムパッド
２を形成し、能動素子面をパッシベーション膜３にて保
護する。
（ａ）に示す半導体ウエファー製造工程は、ウエファー
上に能動素子を形成した（図示せず）後、半導体チップ
周辺部にワイヤーボンディング用のアルミニウムパッド
２を形成し、能動素子面をパッシベーション膜３にて保
護する。
【０００４】図４（ｂ）に示す裏面ラップ工程におい
て、半導体ウエファー厚みは、半導体ウエファー製造工
程では通常６３５ミクロンであるが、その後パッケージ
化される時、パッケージを薄くするため、ウエファー厚
みを４００ミクロン程度に薄くする必要がある。そのた
め、半導体ウエファーの素子面を接着シートに張り付け
た後、半導体ウエファー裏面１を削り、接着シートを剥
離し、半導体ウエファーの厚みを薄くする。
て、半導体ウエファー厚みは、半導体ウエファー製造工
程では通常６３５ミクロンであるが、その後パッケージ
化される時、パッケージを薄くするため、ウエファー厚
みを４００ミクロン程度に薄くする必要がある。そのた
め、半導体ウエファーの素子面を接着シートに張り付け
た後、半導体ウエファー裏面１を削り、接着シートを剥
離し、半導体ウエファーの厚みを薄くする。
【０００５】図４（ｃ）に示す層間ポリイミド形成工程
は、パッシベーション膜３のピンホールの保護、フリッ
プチップ用バンプの応力緩和等のため、半導体ウエファ
ー上にアルミニウムパッド２を開口して、層間ポリイミ
ド膜４を形成する。
は、パッシベーション膜３のピンホールの保護、フリッ
プチップ用バンプの応力緩和等のため、半導体ウエファ
ー上にアルミニウムパッド２を開口して、層間ポリイミ
ド膜４を形成する。
【０００６】図４（ｄ）に示すアルミニウム析出工程
は、半導体ウエファー上にスパッター等により再配線金
属であるアルミニウム６を析出させる。
は、半導体ウエファー上にスパッター等により再配線金
属であるアルミニウム６を析出させる。
【０００７】図４（ｅ）に示すパターン形成工程は、ワ
イヤーボンディング用のアルミニウムパット２からフリ
ップチップ用パッドである新ボンディングパッド８まで
の配線をフォトリソ法により形成する。
イヤーボンディング用のアルミニウムパット２からフリ
ップチップ用パッドである新ボンディングパッド８まで
の配線をフォトリソ法により形成する。
【０００８】図４（ｆ）に示す最終ポリイミド膜形成工
程は、フリップチップ用パッドとなる新ボンディングパ
ッド８を残し、半導体ウエファー面を最終ポリイミド膜
７にて保護する。
程は、フリップチップ用パッドとなる新ボンディングパ
ッド８を残し、半導体ウエファー面を最終ポリイミド膜
７にて保護する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た再配線材料には次のような問題点がある。即ち、裏面
ラップ工程で半導体ウエファーの表面に残った接着材料
の残りは、再配線金属析出工程終了後、層間ポリイミド
のクラックを発生させる。また、再配線金属析出工程が
原因となる再配線金属とワイヤーボンディング用アルミ
ニウムパッドとの接続抵抗の増大はパターン形成工程後
またはフリップチップバンプ形成後の接続抵抗テストで
発見される。これらは半導体ウエファー全体の不良とな
るため、不良金額が膨大となるため、再生する事が要求
される。この再生は、再配置金属のエッチング工程、ポ
リイミドのエッチング工程、フリップチップバンプエッ
チング工程等を組み合わせて行う。しかしながら、従来
の構造では、ワイヤーボンディング用アルミニウムパッ
ドとこれに接触する再配置金属が同じため、再配置金属
をエッチングするとき、再配置金属のみをエッチングす
る事ができず、ワイヤーボンディング用アルミニウムパ
ッドも一緒にエッチングしてしまい、再度、再配置金属
を析出したとき、ワイヤーボンディング用アルミニウム
パッドと電気接続が取れないため、途中工程で不良が発
見された半導体ウエファーを再生できず、損失が膨大と
なる問題があった。
た再配線材料には次のような問題点がある。即ち、裏面
ラップ工程で半導体ウエファーの表面に残った接着材料
の残りは、再配線金属析出工程終了後、層間ポリイミド
のクラックを発生させる。また、再配線金属析出工程が
原因となる再配線金属とワイヤーボンディング用アルミ
ニウムパッドとの接続抵抗の増大はパターン形成工程後
またはフリップチップバンプ形成後の接続抵抗テストで
発見される。これらは半導体ウエファー全体の不良とな
るため、不良金額が膨大となるため、再生する事が要求
される。この再生は、再配置金属のエッチング工程、ポ
リイミドのエッチング工程、フリップチップバンプエッ
チング工程等を組み合わせて行う。しかしながら、従来
の構造では、ワイヤーボンディング用アルミニウムパッ
ドとこれに接触する再配置金属が同じため、再配置金属
をエッチングするとき、再配置金属のみをエッチングす
る事ができず、ワイヤーボンディング用アルミニウムパ
ッドも一緒にエッチングしてしまい、再度、再配置金属
を析出したとき、ワイヤーボンディング用アルミニウム
パッドと電気接続が取れないため、途中工程で不良が発
見された半導体ウエファーを再生できず、損失が膨大と
なる問題があった。
【００１０】本発明は、上記従来の課題に鑑みなされた
ものであり、その目的は、半導体チップのボンディング
パッドを再配置が必要な半導体ウエファーにおいて、再
配置プロセス工程で不良が発見された半導体ウエファー
を再生可能となる半導体配線の材料を提供するものであ
る。
ものであり、その目的は、半導体チップのボンディング
パッドを再配置が必要な半導体ウエファーにおいて、再
配置プロセス工程で不良が発見された半導体ウエファー
を再生可能となる半導体配線の材料を提供するものであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明における半導体配線の材料は、半導体チップ
上のオリジナルボンディングパッドを位置の異なる新ボ
ンディングパッド位置に再配線する構造において、前記
オリジナルボンディングパッドに接触する再配線の材料
は、前記オリジナルボンディングパッドの材料よりもエ
ッチング速度が速い材料で構成したことを特徴とするも
のである。
に、本発明における半導体配線の材料は、半導体チップ
上のオリジナルボンディングパッドを位置の異なる新ボ
ンディングパッド位置に再配線する構造において、前記
オリジナルボンディングパッドに接触する再配線の材料
は、前記オリジナルボンディングパッドの材料よりもエ
ッチング速度が速い材料で構成したことを特徴とするも
のである。
【００１２】また、オリジナルボンディングパッドに接
触する再配線材料のエッチング速度は、前記オリジナル
ボンディングパッドの材料に比べほぼ２倍以上速いこと
を特徴とするものである。
触する再配線材料のエッチング速度は、前記オリジナル
ボンディングパッドの材料に比べほぼ２倍以上速いこと
を特徴とするものである。
【００１３】また、オリジナルボンディングパッドの材
料は、アルミニウムであることを特徴とするものであ
る。
料は、アルミニウムであることを特徴とするものであ
る。
【００１４】また、オリジナルボンディングパッドに接
触する再配線の材料は、クロムであることを特徴とする
ものである。
触する再配線の材料は、クロムであることを特徴とする
ものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下図面に基づいて本発明におけ
る半導体配線の材料について説明する。図１は本発明の
実施形態で、半導体配線の材料を使った場合の再生工程
を示す説明図である。図２は、本発明の実施形態で、半
導体配線材料を使った半導体配線の製造工程を示す説明
図である。図３は本発明の実施形態で、半導体配線の断
面図を示す説明図である。従来技術と同一部材は同一符
号で示す。
る半導体配線の材料について説明する。図１は本発明の
実施形態で、半導体配線の材料を使った場合の再生工程
を示す説明図である。図２は、本発明の実施形態で、半
導体配線材料を使った半導体配線の製造工程を示す説明
図である。図３は本発明の実施形態で、半導体配線の断
面図を示す説明図である。従来技術と同一部材は同一符
号で示す。
【００１６】図２に、本発明の半導体配線の製造工程を
示す。図２（ａ）に示す半導体ウエファー製造工程は、
ウエファー上に能動素子を形成した（図示せず）後、半
導体チップ周辺部にワイヤーボンディング用アルミニウ
ムパッド２を形成し、能動素子面をパッシベーション膜
３にて保護する。
示す。図２（ａ）に示す半導体ウエファー製造工程は、
ウエファー上に能動素子を形成した（図示せず）後、半
導体チップ周辺部にワイヤーボンディング用アルミニウ
ムパッド２を形成し、能動素子面をパッシベーション膜
３にて保護する。
【００１７】図２（ｂ）に示す裏面ラップ工程は、半導
体ウエファーの素子面を接着シートに張り付けた後、半
導体ウエファー裏面１を削り、接着シートを剥離すこと
で、半導体ウエファーの厚みを６３５μｍから４００μ
ｍ程度に薄くする。
体ウエファーの素子面を接着シートに張り付けた後、半
導体ウエファー裏面１を削り、接着シートを剥離すこと
で、半導体ウエファーの厚みを６３５μｍから４００μ
ｍ程度に薄くする。
【００１８】図２（ｃ）に示す層間ポリイミド形成工程
は、パッシベーション膜３のピンホールの保護、フリッ
プチップ用バンプの応力緩和等のため、半導体ウエファ
ー上にスピンナーで感光性ポリイミドを塗り、アルミニ
ウムパッド２を開口して、露光し、現像し、キュアする
ことで、層間ポリイミド膜４を形成する。
は、パッシベーション膜３のピンホールの保護、フリッ
プチップ用バンプの応力緩和等のため、半導体ウエファ
ー上にスピンナーで感光性ポリイミドを塗り、アルミニ
ウムパッド２を開口して、露光し、現像し、キュアする
ことで、層間ポリイミド膜４を形成する。
【００１９】図２（ｄ）に示すクロム＋アルミニウム析
出工程は、半導体ウエファー上にスパッター等により再
配線金属であるクロム５と低電気抵抗化のためのアルミ
ニウム６をそれぞれ４００Å，８０００Å程度析出させ
る。
出工程は、半導体ウエファー上にスパッター等により再
配線金属であるクロム５と低電気抵抗化のためのアルミ
ニウム６をそれぞれ４００Å，８０００Å程度析出させ
る。
【００２０】図２（ｅ）に示すパターン形成工程は、ワ
イヤーボンディング用アルミニウムパット２からフリッ
プチップ用パッドとなる新ボンディングパッド８までの
配線にレジストを塗り、露光し、現像した後、アルミニ
ウム６をリン酸・硝酸・酢酸混合液でエッチングし、ク
ロム５を硝酸セリウムアンモニウム／過塩素酸混合液で
エッチングし、レジストを剥離することで、再配線パタ
ーン９を形成する。
イヤーボンディング用アルミニウムパット２からフリッ
プチップ用パッドとなる新ボンディングパッド８までの
配線にレジストを塗り、露光し、現像した後、アルミニ
ウム６をリン酸・硝酸・酢酸混合液でエッチングし、ク
ロム５を硝酸セリウムアンモニウム／過塩素酸混合液で
エッチングし、レジストを剥離することで、再配線パタ
ーン９を形成する。
【００２１】図２（ｆ）に示す最終ポリイミド膜形成工
程は、半導体ウエファー上にスピンナーで感光性ポリイ
ミドを塗り、新ボンディングパッド８を開口して、露光
し、現像し、キュアすることで、最終ポリイミド膜７を
形成する。その後、メッキバンプ形成法（図示せず)に
て、新ボンディングパッド８上にフリップチップバンプ
を形成する。
程は、半導体ウエファー上にスピンナーで感光性ポリイ
ミドを塗り、新ボンディングパッド８を開口して、露光
し、現像し、キュアすることで、最終ポリイミド膜７を
形成する。その後、メッキバンプ形成法（図示せず)に
て、新ボンディングパッド８上にフリップチップバンプ
を形成する。
【００２２】図３は、本発明の再配置配線の断面図であ
る。オリジナルのワイヤーボンディング用アルミニウム
パッド２は本発明の再配置配線の材料のクロム５に接触
し、その上にアルミニウム６がつながっている。
る。オリジナルのワイヤーボンディング用アルミニウム
パッド２は本発明の再配置配線の材料のクロム５に接触
し、その上にアルミニウム６がつながっている。
【００２３】図１は、フリップチップバンプまで、完成
した後、ワイヤーボンディング用アルミニウムパッド２
と再配線パターン９の間に電気抵抗／密着力等の問題が
発生した場合の本発明の再生工程を示す。図１（ａ）で
示すバンプエッチング工程は、新ボンディングパッド８
上の半田バンプ／ＵＢＭ（ＵｎｄｅｒＢｕｍｐＭｅｔａ
ｌ）（図示せず)をそれぞれのエッチング液で除去す
る。
した後、ワイヤーボンディング用アルミニウムパッド２
と再配線パターン９の間に電気抵抗／密着力等の問題が
発生した場合の本発明の再生工程を示す。図１（ａ）で
示すバンプエッチング工程は、新ボンディングパッド８
上の半田バンプ／ＵＢＭ（ＵｎｄｅｒＢｕｍｐＭｅｔａ
ｌ）（図示せず)をそれぞれのエッチング液で除去す
る。
【００２４】図１（ｂ）で示すポリイミドエッチング工
程では、再配線パターン９の下の層間ポリイミド膜４を
除いたポリイミド膜、具体的には最終ポリイミド膜７と
層間ポリイミド膜４をヒドラジンのエッチング液で除去
する。
程では、再配線パターン９の下の層間ポリイミド膜４を
除いたポリイミド膜、具体的には最終ポリイミド膜７と
層間ポリイミド膜４をヒドラジンのエッチング液で除去
する。
【００２５】図１（ｃ）で示すアルミニウムエッチング
工程では、再配線パターン９の上層のアルミニウム６を
リン酸・硝酸・酢酸混合液でエッチングする。この時、
その下にあるクロム５は、エッチングされないため、ワ
イヤーボンディング用アルミニウムパッド２は保護され
たままの状態である。
工程では、再配線パターン９の上層のアルミニウム６を
リン酸・硝酸・酢酸混合液でエッチングする。この時、
その下にあるクロム５は、エッチングされないため、ワ
イヤーボンディング用アルミニウムパッド２は保護され
たままの状態である。
【００２６】図１（ｄ）に示すクロムエッチング工程
は、再配線パターン９を構成するクロム５をクロムエッ
チング液でエッチングする。例えば、エッチング液とし
て、１０％硝酸セリウム第二アンモニウム／５％過塩素
酸混合液を使った場合、常温にてクロムのエッチング速
度は約４０Å／秒であり、アルミニウムのエッチング速
度は約２０Å／秒であり、約２倍のエッチング速度の違
いがある。クロムの厚みは約４００Åであるため、エッ
チング時間は約１０秒である。一方、ワイヤーボンディ
ング用アルミニウムパッドのアルミニウムの厚みは約８
０００Åであるため、クロムの下地であるアルミニウム
を全てエッチングするにはさらに約４００秒必要とな
る。そのため、ワイヤーボンディング用アルミニウムパ
ッドを残したまま、再配線用のクロム５をエッチングす
る事が可能となる。
は、再配線パターン９を構成するクロム５をクロムエッ
チング液でエッチングする。例えば、エッチング液とし
て、１０％硝酸セリウム第二アンモニウム／５％過塩素
酸混合液を使った場合、常温にてクロムのエッチング速
度は約４０Å／秒であり、アルミニウムのエッチング速
度は約２０Å／秒であり、約２倍のエッチング速度の違
いがある。クロムの厚みは約４００Åであるため、エッ
チング時間は約１０秒である。一方、ワイヤーボンディ
ング用アルミニウムパッドのアルミニウムの厚みは約８
０００Åであるため、クロムの下地であるアルミニウム
を全てエッチングするにはさらに約４００秒必要とな
る。そのため、ワイヤーボンディング用アルミニウムパ
ッドを残したまま、再配線用のクロム５をエッチングす
る事が可能となる。
【００２７】図１（ｅ）に示すポリイミドエッチング工
程は、再配線パターン９に対応して残ったポリイミドを
ヒドラジンでエッチングする。これらの工程で、再度再
配置配線工程が始められるようなワイヤーボンディング
用アルミニウムパッド２のアルミニウムを残した状態
で、再生工程が、終了する。
程は、再配線パターン９に対応して残ったポリイミドを
ヒドラジンでエッチングする。これらの工程で、再度再
配置配線工程が始められるようなワイヤーボンディング
用アルミニウムパッド２のアルミニウムを残した状態
で、再生工程が、終了する。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の再配置配
線の材料によれば、再配置配線工程で問題の起こった半
導体ウエファーでも、オリジナルのパッド電極を残した
まま、ほぼ初期の状態に半導体ウエファーを回復するこ
とが可能である。これにより、再配置配線工程等で不良
となった半導体ウエファーを再度使用する事ができ、半
導体ウエファーの損失を防ぐことができる。
線の材料によれば、再配置配線工程で問題の起こった半
導体ウエファーでも、オリジナルのパッド電極を残した
まま、ほぼ初期の状態に半導体ウエファーを回復するこ
とが可能である。これにより、再配置配線工程等で不良
となった半導体ウエファーを再度使用する事ができ、半
導体ウエファーの損失を防ぐことができる。
【００２９】また、オリジナルなパッド電極材料とこの
材料に接触する再配置材料のエッチング速度が約２倍以
上違うことでその制御が容易となる。
材料に接触する再配置材料のエッチング速度が約２倍以
上違うことでその制御が容易となる。
【００３０】また、オリジナルなパッド電極材料がアル
ミニウムであるので、通常の半導体チップ全てに適用可
能となる。
ミニウムであるので、通常の半導体チップ全てに適用可
能となる。
【００３１】また、オリジナルなパッド電極材料に接触
する再配置材料がクロムであることで、容易にアルミニ
ウムとのエッチング速度の差を取ることができる。
する再配置材料がクロムであることで、容易にアルミニ
ウムとのエッチング速度の差を取ることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係わる再配置配線後の半
導体ウエファー再生工程を示す説明図である。
導体ウエファー再生工程を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態に係わる再配置配線工程を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態に係わる再配置配線の断面
図を示す説明図である。
図を示す説明図である。
【図４】従来の再配置配線工程を示す説明図である。
１ ウエファー裏面 ２ アルミニウムパッド ３ パッシベーション膜 ４ 層間ポリイミド膜 ５ クロム ６ アルミニウム ７ 最終ポリイミド膜 ８ 新ボンディングパッド ９ 再配線パターン
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップ上のオリジナルボンディン
グパッドを位置の異なる新ボンディングパッド位置に再
配線する構造において、前記オリジナルボンディングパ
ッドに接触する再配線の材料は、前記オリジナルボンデ
ィングパッドの材料よりもエッチング速度が速い材料で
構成したことを特徴とする半導体配線の構造。 - 【請求項２】 オリジナルボンディングパッドに接触す
る再配線材料のエッチング速度は、前記オリジナルボン
ディングパッドの材料に比べほぼ２倍以上速いことを特
徴とする請求項１記載の半導体配線の構造。 - 【請求項３】 オリジナルボンディングパッドの材料
は、アルミニウムであることを特徴とする請求項１から
２記載の半導体配線の構造。 - 【請求項４】 オリジナルボンディングパッドに接触す
る再配線の材料は、クロムであることを特徴とする請求
項３記載の半導体配線の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10007473A JPH11204576A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 半導体配線の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10007473A JPH11204576A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 半導体配線の構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204576A true JPH11204576A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11666765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10007473A Pending JPH11204576A (ja) | 1998-01-19 | 1998-01-19 | 半導体配線の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11204576A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1255295A1 (en) * | 2000-01-12 | 2002-11-06 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Semiconductor device, metal laminated plate for fabricating circuit on semiconductor, and method of fabricating circuit |
| US7148578B2 (en) * | 2001-07-10 | 2006-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor multi-chip package |
| JP2007266567A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hynix Semiconductor Inc | 高速及び高性能の半導体パッケージ |
| US8404496B2 (en) | 1999-11-11 | 2013-03-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state |
-
1998
- 1998-01-19 JP JP10007473A patent/JPH11204576A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8404496B2 (en) | 1999-11-11 | 2013-03-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state |
| US8759119B2 (en) | 1999-11-11 | 2014-06-24 | Fujitsu Semiconductor Limited | Method of testing a semiconductor device and suctioning a semiconductor device in the wafer state |
| EP1255295A1 (en) * | 2000-01-12 | 2002-11-06 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Semiconductor device, metal laminated plate for fabricating circuit on semiconductor, and method of fabricating circuit |
| EP1255295A4 (en) * | 2000-01-12 | 2005-03-02 | Toyo Kohan Co Ltd | SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT, LAMINATED METAL PLATE FOR THE MANUFACTURE OF LADDER RAILINGS ON SEMICONDUCTOR, AND METHOD FOR THE MANUFACTURE OF CONDUCTIVE RAILWAYS |
| US7148578B2 (en) * | 2001-07-10 | 2006-12-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor multi-chip package |
| US7453159B2 (en) | 2001-07-10 | 2008-11-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip having bond pads |
| US7541682B2 (en) | 2001-07-10 | 2009-06-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip having bond pads |
| US7547977B2 (en) | 2001-07-10 | 2009-06-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip having bond pads |
| US7576440B2 (en) | 2001-07-10 | 2009-08-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip having bond pads and multi-chip package |
| US7825523B2 (en) | 2001-07-10 | 2010-11-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip having bond pads |
| JP2007266567A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hynix Semiconductor Inc | 高速及び高性能の半導体パッケージ |
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