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JPH11189883A - 修復された金属パターンを有する基板および基板上の金属パターン修復方法と修復装置 - Google Patents

修復された金属パターンを有する基板および基板上の金属パターン修復方法と修復装置

Info

Publication number
JPH11189883A
JPH11189883A JP26418098A JP26418098A JPH11189883A JP H11189883 A JPH11189883 A JP H11189883A JP 26418098 A JP26418098 A JP 26418098A JP 26418098 A JP26418098 A JP 26418098A JP H11189883 A JPH11189883 A JP H11189883A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
metal
metal pattern
repairing
organic compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26418098A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Sakai
修 酒井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP26418098A priority Critical patent/JPH11189883A/ja
Priority to TW087116193A priority patent/TW531687B/zh
Priority to US09/173,532 priority patent/US6331348B1/en
Priority to KR1019980043661A priority patent/KR100308438B1/ko
Publication of JPH11189883A publication Critical patent/JPH11189883A/ja
Priority to US09/748,530 priority patent/US6875952B2/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 断線欠陥部を修正するための従来の導電材で
は、電気抵抗が大きく、発熱が起こり基板に損傷を与え
る可能性があり、また導電材を加熱するための従来の加
熱装置では、焼成後にひび割れなどが発生して品質の良
い焼成部を得ることができなかった。 【解決手段】 断線欠陥部６を修正するための導電材と
して、金属の有機化合物、その中でも金をベースとした
有機化合物からなるペースト１を使用して焼成を行うこ
とにより、非常に薄い厚さで、しかも電気抵抗が低い金
属薄膜１ａを得ることができる。また、加熱装置として
半導体レーザーを使用することにより、断線欠陥部６の
みを加熱することができるとともに、加熱のプロファイ
ルとして、予備焼成および本焼成を有する焼成工程と、
冷却工程とを設けることにより高品質な、すなわちひび
割れがなくしかも緻密な金属薄膜１ａを得ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に使
用されるガラス基板などに形成される金属パターンや半
導体形成用のマスク等の欠陥部を修復した基板、および
基板上の金属パターン修復方法と修復装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータなどに使用される表
示装置としてブラウン管を使用した表示装置に取って代
わって液晶を使用したマトリクス型の表示装置が多く採
用されてきている。また、画面上に一度に表示できるデ
ータを多くするために、大画面あるいは高解像度な液晶
表示装置やプラズマ表示装置の開発も進んでいる。その
ため、歩留まりの低下で欠陥基板の発生が多くなり、こ
の欠陥基板の修復が行われている。また、液晶表示装置
のコスト削減のためにも欠陥基板の修復が行われてい
る。
【０００３】通常のマトリクスタイプの液晶基板は、２
枚のガラス基板にそれぞれＩＴＯなどからなる透明なＸ
電極、透明なＹ電極がエッチング処理により形成され、
各基板の電極形成面がマトリクス状に対向させて配置さ
れ、このガラス基板間に液晶が封入されて形成される。
上記のようなガラス基板にＸ電極あるいはＹ電極が形成
される場合、上記した異物の混入やエッチング処理など
が原因で、図９に示されるような欠陥が生じることがあ
る。図９は、Ａの良品に対して、Ｂは隣り合うラインの
一部が接している状態のショート欠陥、Ｃは同一ライン
上の一部が欠損している状態の断線（オープン）欠陥を
示している。前記Ｂのショート欠陥を修復する方法とし
ては、従来よりショートリペア装置、すなわちレーザー
光線等を用いてショートした個所を切断する方法が採ら
れる。
【０００４】一方、前記Ｃの断線欠陥を修復する方法と
しては、従来以下に示す方法が開示されている。すなわ
ち、 断線欠陥部に有機インジウム化合物の溶液を塗布し、
これを加熱することによって前記有機インジウム化合物
の塗膜を導電層に変換する方法（特開平３−８５５２３
号公報）。 断線欠陥部に導電性のガラスを塗布する方法（特開平
２−６７５１７号公報）。 導電性の微粒子を含有した接着剤を転写する方法（特
開平２−３０１７２３号公報）。 断線欠陥部に導電性物質を塗布し、レーザー照射する
方法（特開平２−１９８３８号公報） などが開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記引
例〜は以下に示す欠点があった。すなわち、上記
の方法は、接合させる金属としてインジウムを使用して
いるため、導電層形成の際の加熱によってインジウムが
酸化し、電気特性に悪影響を与え、発熱が大きくなると
いう問題があった。
【０００６】上記の方法は、電極の断線部の修復に導
電性のガラスを塗布しているため、修復部に発生する抵
抗が大きくなり、発熱が大きいという問題があった。同
様に上記の方法も、導電性の微粒子を含有した樹脂を
使用しているため、接合部の抵抗値が大きくなり、その
ため発熱が大きいという問題が発生し、また十分安定な
接合状態を実現するためには、塗布厚が厚くなるという
構造的な諸問題が発生していた。
【０００７】上記の方法は、導電性物質の加熱におい
てＹＡＧレーザーと称される装置を用いているため、装
置自体が大型であり取扱いが面倒であり、さらにはレー
ザーの出力を自由にコントロールすることができないた
め、導電性物質が急激に焼成、冷却され、補正後の修復
部にひび割れが発生するなどして品質の面で問題があっ
た。また、ＹＡＧレーザーの他にも炭酸ガスレーザーな
どが従来から焼成用として使用されているが、いずれの
レーザーも寿命や取扱いの面において一長一短があっ
た。
【０００８】さらに、液晶表示装置のガラス基板上に形
成される透明電極は、１本のラインの幅、厚さ共非常に
小さいため、上記のような有機インジウム化合物、導電
性ガラスおよび導電性の微粒子を含有した接着剤では、
接合部を薄く形成することが難しく、また非常に薄く形
成できたとしてもひび割れが発生するなどして断線部の
接合品質を補償できなかった。
【０００９】また、液晶表示装置の基板上に透明電極を
形成するようなときに、薄膜上にレジスト材料を塗布
し、このレジスト材料をマスクを用いて露光させ、現像
してレジストパターンを形成し、このパターンに従って
前記薄膜をエッチングして所定パターンの透明電極を形
成する。このとき、前記マスクに欠陥があると透明電極
のパターンに狂いが生じる。前記マスクの遮光膜にも欠
陥が生じることがあるが、この欠陥を修復する際にも前
記と同様の問題が生じる。
【００１０】また、半導体形成用のマスク基板のパター
ンに欠損がある場合は、パターンが微細であることから
欠損の修復が困難となり、マスク基板を破棄等してい
る。しかし、最近、コスト削減のためにもパターンの欠
損を修復してマスク基板を使用することが必要とされる
ようになってきた。
【００１１】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、液晶表示装置のガラス基板などに形成され
た電極の断線欠陥やマスクの遮光膜の欠陥などを、電気
特性の良好なすなわち電気抵抗の低い且つ品質のよい薄
膜で修復することにより、修復された欠陥部の発熱を抑
えることができ、さらには欠陥部に形成される修復部に
ひび割れを発生させることがない修復された金属パター
ンを有する基板および基板上の金属パターン修復方法と
修復装置を提供するものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の修復された金属
パターンを有する基板は、基板上に形成された金属パタ
ーンの欠陥部に導電体が塗布されて修復された基板であ
って、前記欠陥部が、金属の有機化合物から析出された
金属の薄膜で修復されていることを特徴とするものであ
る。
【００１３】前記金属パターンが、電極である場合、欠
陥部に金属の有機化合物が塗布され、前記有機化合物が
加熱によって有機物成分が飛散され、金属成分のみから
なる薄膜が形成されることにより、液晶基板に形成され
る非常に幅が狭く且つ厚さが薄い電極に対しても、電極
の断面積と同程度あるいはそれ以下で、欠陥部に薄膜を
形成して修復することができる。
【００１４】なお、本発明の基板は、液晶表示装置のガ
ラス基板に代表されるが、他のＩＣ搭載基板などであっ
てもよく、また電極は、液晶表示装置の場合にはＩＴＯ
などの透明電極であるが、他の銅箔や金箔電極であって
もよい。
【００１５】また前記金属パターンは、遮光膜であって
もよい。前記遮光膜は、ガラス基板等に電極パターンを
形成する際のマスク又は半導体形成用マスク基板に適用
できる。このような遮光膜としては、Ｃｒ（クロム）な
どからなる金属パターンにより形成され、これをガラス
基板等に設けてマスクとして使用できる。この場合、遮
光膜に欠陥部が発生したときには上記手段により修復し
た後、遮光膜の金属パターンからはみ出した部分を除去
する。このようにして形成されたマスクを、レジスト層
が設けられた電極基板上に配置して露光、現像すること
により、レジスト層のパターンを形成でき、さらにレジ
ストパターンに従って電極部分をエッチング等で除去す
ることにより基板上に高密度の電極パターンを狂いなく
形成できる。
【００１６】上記の場合、前記金属の有機化合物を金レ
ジネートをベースとした低温焼成用のペーストとするこ
とが好ましく、このペーストを使用して欠陥部が金の薄
膜によって修復されることにより、導電性樹脂など従来
より用いられている修復部材に比べて非常に導電性がよ
く、そのため発熱を防止できる基板が得られる。したが
って、熱によるガラス基板などへの損傷を防ぐことがで
きるものである。
【００１７】また、本発明は、基板上に形成された金属
パターンの欠陥部に、金属の有機化合物を塗布する工程
と、前記有機化合物を加熱して、前記欠陥部に金属の薄
膜を析出させる工程と、を有することを特徴とするもの
である。
【００１８】上記金属の有機化合物を焼成する際の加熱
源としては、半導体レーザーを用いることが好ましく、
また、その焼成工程として、予備焼成および本焼成から
構成される加熱工程と、冷却工程とを設けて半導体レー
ザーの出力を調整することが好ましい。
【００１９】上記のように構成することにより、金属の
有機化合物から析出された金属の薄膜が緻密な金属層と
して得られ、しかも非常に薄い膜であるにもかかわらず
安定した電気特性が得られるものである。
【００２０】また、前述したペーストはその色が黒色で
あるため、前記半導体レーザーとの組み合わせにより、
断線欠陥部に形成されたペーストの部分のみにレーザー
光が吸収されて加熱させられ、それ以外の部分はレーザ
ー光が吸収されず発熱が抑えられるため、欠陥部以外の
ガラス基板の部分には熱による損傷を与えることが無
い。
【００２１】また本発明は、析出した金属薄膜の金属パ
ターンからのはみ出し部分を除去する除去工程を有する
ことが好ましい。上記手段よって、金属パターンが遮光
膜であるマスクとして適用することができ、加熱後の析
出した金属薄膜に対してパターンからはみ出した金属薄
膜部分が除去される。これにより、品質の高い金属パタ
ーンを有するマスクを形成することができる。
【００２２】また、本発明は、基板上に形成された金属
パターンの欠陥部を修復する金属パターン修復装置であ
って、金属の有機化合物を保持しておく受皿部と、前記
受皿部と金属パターンの欠陥部との間を移動して、前記
受皿部内の金属の有機化合物を前記欠陥部に転写する転
写体と、金属パターンの欠陥部に転写された前記金属の
有機化合物を焼成する半導体レーザーとが装備されてい
ることを特徴とするものである。
【００２３】上記において、金属パターンが遮光膜であ
るとき、金属パターンのはみ出し部分を除去するレーザ
ー照射装置が設けられていることが好ましい。前記修復
装置を遮光膜に適用する場合には、欠陥が生じた金属パ
ターンを修復した後に前記金属パターンからはみ出した
部分を除去しなければならず、除去しない場合にはマス
クとしての品質の低下を招く。そのためＹＡＧレーザー
等のレーザー照射装置によりこのはみ出し部分をカット
することができ、品質の低下を防止することができ、し
かも前記したガラス基板にＣｒ面を形成するような高価
なマスクである場合には、欠陥が生じた場合でも廃棄処
分することがなくなり、コストダウンを図ることが可能
になる。また、上記において、半導体レーザーの出力調
整部が設けられていることが好ましい。
【００２４】上記装置により、非常に微細な電極の欠陥
部に対して、非常に微量なペーストをスムースに欠陥部
に転写することができ、またひび割れ等の無い高品質な
金属の薄膜を与えることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】本発明の修復された電極を有する
基板を図面を参照して説明する。図１Ａ〜Ｃは、断線欠
陥の修復工程の概略を示したものであり、Ａは断線欠陥
部６に金属の有機化合物からなるペースト１が塗布され
た状態、Ｂはペースト１を加熱している状態、Ｃは加熱
後の断線欠陥部６の修復状態を示している。
【００２６】図１Ａの基板１０は、修復前の基板の状態
を示したものであり、ガラス基板２、電極３および金属
の有機化合物からなるペースト１の積層状態を示してい
る。前記ガラス基板２は通常使用されている基板であ
り、前記電極３についてもＩＴＯなどの通常使用される
材料からなり、ガラス基板２上に等幅且つ等ピッチでラ
イン状にエッチング処理によりパターン形成されてい
る。さらに、前記ガラス基板２上に形成された電極３の
断線欠陥部６には、金属の有機化合物からなるペースト
１が転写装置４により形成される。前記断線欠陥部６
は、エッチングなどの電極形成時にＩＴＯなどの膜面に
異物が混入するなどして電極３に生じるものである（図
９Ｃ参照）。
【００２７】前記転写装置４は、図２に示すように、転
写体として針状の転写プローブ４ａと、受皿部からなる
基台４ｄおよび版枠４ｃが形成されている。その版枠４
ｃ内には、ペースト１が流し込まれ、スキージによって
平坦にならされてペースト１からなる版ペースト１ｃと
して形成されている。また、前記転写プローブ４ａには
移動装置１３ａ（図５参照）が取付けられており、基板
の断線欠陥部６と版ペースト１ｃとの間を自由に移動で
きるようになっている。
【００２８】図２は、前記転写プローブ４ａの動作を示
したものであり、転写プローブ４ａはまず初期状態
（ａ）から版ペースト１ｃ上へと移動され（ｂ）、降下
される（ｃ）。次いで、転写プローブ４ａは版ペースト
１ｃの底部に到達するまで押し込まれ、転写プローブ４
ａを上昇させることにより、一定量のペースト１が転写
プローブの先端部に転写される。このとき図３Ａに示す
ように、転写プローブ４ａの内部には弾性体としてコイ
ルばね７が配設されており、転写プローブ４ａが版ペー
スト１ｃの底部に到達されると、コイルばね７の付勢力
に抗して転写プローブ４ａの上部から力Ｆで押圧される
ようになっている。次いで、転写プローブ４ａは、ガラ
ス基板２の断線欠陥部６上に移動され（ｄ）、降下され
る（ｅ）。そして、転写プローブ４ａを上昇させること
によりペースト１が転写プローブ４ａと分離されて、前
記ペースト１が断線欠陥部６に転写させられ、初期状態
（ａ）へと戻る（ｆ）。
【００２９】また、上記転写プローブ４ａは、その材質
をベリリウム−銅とすることが好ましく、また図３Ｂに
示すように、その先端部が平坦形状４ｂとされること
が、転写を容易にする点において好ましい。上記のよう
な転写プローブ４ａを使用することにより、高精度な位
置決めなどの機構や制御が不要になり、常に一定量のペ
ースト１を転写することができる。また、転写するペー
スト１の量を変える場合には、版ペースト１ｃの深さを
変更することにより容易に対応することができる。
【００３０】前記金属の有機化合物からなるペースト１
は、金粉をベースとした金ペーストではなく、金原子が
有機物と結合して形成されたものであり、全体が液状の
ペーストで形成されたものである。このようなペースト
１としては、金レジネートをベースとしたＭＯＤ（メタ
ロオーガニックデポジション）タイプの金ペーストを使
用することが好ましく、且つその中でも低温焼成用のも
のが好ましく使用される。
【００３１】上記のようにして断線欠陥部６に転写され
たペースト１からなる修復前基板１０は、図１Ｂの工程
へと送られ、そこでペースト１の焼成が行われる。この
焼成で使用される加熱装置の加熱源としては、半導体レ
ーザー５ａが用いられ、またその波長は８１０ｎｍ近傍
の近赤外線を照射することにより焼成が行われる。な
お、前記半導体レーザー５ａは、図示していないが、複
数の半導体素子をユニット化したものであり、それぞれ
の素子から発射されるレーザー光がガラスファイバーを
使用して束ねられ、レンズユニットにより集光されて対
象物に光を照射できるように形成されている。
【００３２】上記のような半導体レーザー５ａを使用し
た場合、図１Ｂの矢印で示されているように、ペースト
１に照射される部分はレーザー光が吸収されて発熱が起
こり加熱されるが、それ以外の部分はレーザー光は吸収
されず、電極３およびガラス基板２を通り抜けてしま
う。すなわち、この半導体レーザー５ａは近赤外線が発
射される素子を使用しており、上記で例示したペースト
１はそのペーストの色が黒色であるため、近赤外線は吸
収される。転写されたペースト１の部分のみ加熱処理さ
れ、それ以外のガラス基板２の部分には発熱は起こら
ず、ガラス基板２が損傷することがない。
【００３３】また、この半導体レーザー５ａは、レーザ
ー光の出力強度を容易にコントロールすることができ、
それによって断線欠陥部６が、ペースト１の焼成におい
て、高品質な焼成部として得ることができる。前述した
高品質な焼成部を得るための加熱工程として、図４に示
すプロファイルを挙げることができる。図４は横軸に時
間、縦軸に単位面積あたりに照射されるレーザー出力を
とったものである。
【００３４】最初に、レーザーを所定の出力まで上昇さ
せた後（０〜８秒）、一定時間段階的（８〜１６秒、１
６〜２４秒）に低出力が保持され、このとき予備焼成が
行われて液体であるペースト１中の溶剤分が飛ばされ
る。その後一定時間（２４〜３４秒）高出力が保持され
ることにより、本焼成が行われて金属成分の析出が行わ
れ、焼成完了後に徐々に出力を下げて（３４〜４２秒）
冷却が行われる。上記のような工程を経ることにより、
欠陥部６に形成された金属の析出部が、ひび割れのなく
且つ緻密である高品質な金属薄膜１ａを得ることができ
る。なお、上記プロファイルは一例であり、金属の有機
化合物の転写量等によって適宜変更することができる。
上記のようにして、断線欠陥部６が修復され、図１Ｃに
示すような金属の析出物による金属薄膜１ａが得られ、
修復された基板１０ａが得られるものである。
【００３５】上記のように、本発明の基板上の欠陥電極
修復方法は、ガラス基板２上の電極３に生じた断線欠陥
部６に対して、転写装置４により金属の有機化合物から
なるペースト１が転写され、そのペースト１の部分が半
導体レーザー５ａからなる加熱装置５によって焼成さ
れ、ペースト１中の金属成分のみを析出させて欠陥部の
修復が行われるものである。
【００３６】図５は、電極基板１０上の欠陥電極部６の
検査から修復までの装置全体を示すものである。この装
置は、テーブル１２と、検査装置８と、転写装置４と、
加熱装置５とからなるものである。テーブル１２は、電
極３が形成されたガラス基板２が載置される台であり、
Ｘ軸方向、Ｙ軸方向および回転（θ）方向へ自由に移動
させることができる。これによって、テーブル１２上に
置かれたガラス基板２の位置補正を行うことができる。
【００３７】前記検査装置８は、検査プローブ８ａおよ
び検査ブラシ８ｂを有しており、さらにこれらは検査回
路８ｃおよび移動装置１３ｃに接続されて制御装置１１
によりコントロールされている。
【００３８】図６は、断線欠陥部６の位置特定をする検
査装置を説明するための概略図であり、Ａは平面図、Ｂ
は回路図である。なお、前記検査ブラシ８ｂは、その幅
が隣り合う電極３のラインにかかるように広く形成され
ており、そのため多少検査ブラシ８ｂが電極３のライン
からずれたとしても検査ミスがおこることはない。
【００３９】最初に、電極３が形成されたガラス基板２
がテーブル１２に載置されると、検査プローブ８ａおよ
び検査ブラシ８ｂが電極３の両端に設置され、ライン状
に形成されている電極３の一方から順番に検査が行われ
る。前記検査プローブ８ａおよび検査ブラシ８ｂは、検
査回路８ｃに接続されている。この検査装置８は、電源
Ｅ、抵抗Ｒ、および抵抗Ｒに流れる電圧を測定するため
の電圧計から構成されており、検査装置８の両端が検査
プローブ８ａと検査ブラシ８ｂとにそれぞれ接続されて
いる。上記検査装置によって、正常に電極３が形成され
ている場合には電極３間に導通が起こり、それによって
検査回路８ｃに形成された抵抗Ｒ間に電圧が生じ、一方
断線欠陥部６が存在している場合には電極３間に導通は
起こらないため、抵抗Ｒ間には電圧が発生しない。この
電圧値（Ｖ）の有無をモニタ上で確認することにより、
どのラインの電極３に欠陥が発生しているかを確認する
ことができる。
【００４０】このようにして欠陥が発生している電極３
のラインが特定されると、次に検査ブラシ８ｂが検査プ
ローブ８ａ方向へ移動を開始して断線欠陥部６が発生し
ている場所の特定が行われる。
【００４１】図６Ｂに示すように、検査ブラシ８ｂは状
態Ｐ１から検査プローブ８ａ方向（状態Ｐ４方向）へ摺
動しながら移動するが、このとき断線欠陥部６の手前の
状態Ｐ２では電圧は発生せず、断線欠陥部６を超えた時
点の状態Ｐ３で電圧が発生し、よって断線欠陥部６の位
置が特定されるようになっている。このようにして断線
欠陥部６がどのラインで発生し、しかもラインのどの場
所であるかが正確に特定される。
【００４２】上記のようにして断線欠陥部６が発見され
ると、次に転写装置４が作動する。この転写装置４の転
写プローブ４ａは移動装置１３ａに接続されており、転
写プローブ４ａが版ペースト１ｃと断線欠陥部６との間
を自由に移動できるように制御装置１１により制御され
ている。
【００４３】前記転写装置４により断線欠陥部６にペー
スト１の転写が行われると、続いて半導体レーザー５ａ
からなる加熱装置によりペースト１に対しての焼成が行
われる。この半導体レーザー５ａは、移動装置１３ｂに
接続されており、断線欠陥部６に形成されたペースト１
の上部へ自由に移動可能となるように制御装置１１によ
り制御されている。上記のようにして、すべてのライン
の電極３が検査、修復されることにより、良品として基
板を使用することができるものである。
【００４４】また本発明は上記実施の形態に限られるも
のではなく、例えばガラス基板等に電極を形成する際の
マスク又は半導体形成用のマスク基板に設けられる遮光
膜の修復に適用することができる。
【００４５】図７は遮光膜（マスク）による基板への電
極の形成方法を説明するための説明図、図８は遮光膜に
おける金属パターンの欠陥部の修復方法を説明するため
の説明図である。図７に示すマスク２０は、ガラス基板
２１の一面側に金属パターンによる遮光膜２２を設ける
ことにより形成される。前記遮光膜２２は、ガラス基板
２１上にクロム（Ｃｒ）による金属パターンがスパッタ
リング等により形成される。
【００４６】前記マスク２０を液晶表示基板用として使
用した場合、液晶用のガラス基板２上にＩＴＯなどから
なる電極を形成することができる。すなわち図７に示す
ように、ガラス基板２と電極層３とレジスト層１５とが
順に積層された基板において、前記レジスト層１５上に
前記マスク２０を配置し、図７に示すような状態で露
光、現像処理することによりレジスト層１５の遮光膜２
２で覆われた部分以外の部分を除去してレジストパター
ンが形成される。さらに、エッチング処理することによ
りレジストパターン以外の電極層３が取除かれる。そし
て遮光膜２２上の残りのレジスト層１５をリフトオフし
て除去することによりガラス基板２表面に金属パターン
による電極が形成される。
【００４７】前記したマスク２０は、製造時にガラス基
板２１上に遮光膜２２として金属パターンが形成される
が、この場合図８に示すような欠陥部２４が形成される
場合がある。このため、前記欠陥部２４にペースト２３
が転写され、焼成等が行われることで欠陥部２４が修復
される。この場合、ペースト２３は、前記と同様な金属
の有機化合物、具体的には金レジネートをベースとした
ＭＯＤ（メタロオーガニックデポジション）タイプの金
ペーストを使用することができる。
【００４８】またペースト２３の焼成には前記と同様な
半導体レーザーを使用することができ、そのときの波長
は近赤外線で行なわれる。この場合半導体レーザー（近
赤外線）によって焼成されることにより、ガラス基板２
１に対してダメージを与えにくくなっている。すなわ
ち、前記レーザー光ではガラス基板２１の部分は透過
し、遮光膜２２の部分は吸収されるため、転写されるペ
ースト２３に対するガラス基板２１にかかる部分と遮光
膜２２の金属面にかかる部分とに温度差が生じにくくな
り、これによって両者の加熱状態は均一になり、固まり
具合に違いが生じるといった不都合が防止される。
【００４９】しかし上記のようにして修復された欠陥部
は遮光膜２２の金属パターンからはみ出す（図８の斜線
部分）場合があり、この状態のままではマスク２０とし
ての品質が低下するため（電極の場合は短絡さえしてい
なければはみ出した状態のままでよい）、はみ出し部分
の除去が必要になる。この場合の除去方法としては、Ｙ
ＡＧレーザー等のレーザー照射装置が使用される。この
場合、本発明の修復装置にＹＡＧレーザーなどのレーザ
ー照射装置が備えられる。
【００５０】
【発明の効果】本発明は、電極に断線欠陥が発見された
場合でも、欠陥を補修することよって欠陥部を高品質な
金属薄膜で形成することができるとともに、しかも電気
特性が良好で、欠陥部に発熱が生じて基板を損傷するこ
とを防止できる。
【００５１】また、本発明は、その焼成手段に半導体レ
ーザーを使用することにより、欠陥部に塗布されたペー
ストの部分のみ加熱が行われるため、それ以外の部分は
発熱せず、基板がダメージを受けることがないものであ
る。また、欠陥部の金属の析出工程を予備焼成および本
焼成からなる焼成工程と冷却工程とによって処理するこ
とにより、ひび割れのない緻密な金属の薄膜を得ること
ができる。
【００５２】また、本発明は、転写装置および加熱装置
のどちらも非常にコンパクトに形成できる装置であるた
め、従来から使用されている装置に後から取り付けたり
することもでき、汎用性に優れた装置として提供するこ
とができる。また、加熱装置として半導体レーザーを使
用することにより、レーザーの寿命や取扱いなどの点に
おける従来からの欠点を解消することができる。また本
発明によりマスクの遮光膜を修正することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ａ、Ｂ、Ｃは、本発明の電極の修復方法を示す
工程図、
【図２】転写プローブの動作を示す説明図、
【図３】Ａは転写プローブの構造を示す正面図、Ｂはそ
の拡大図、
【図４】焼成における時間と出力の関係を示すプロファ
イルの説明図、
【図５】本発明の電極修復装置を示す概略図、
【図６】Ａは電極の欠陥位置を検査するための検査装置
の平面図、Ｂは回路図、
【図７】遮光膜による基板への電極パターンの形成方法
を説明するための説明図、
【図８】金属パターンの欠陥部の修復方法を説明するた
めの説明図、
【図９】基板上に形成された電極を表す平面図であり、
Ａは正常、Ｂはショート欠陥、Ｃは断線欠陥を示す、
【符号の説明】
１ ペースト １ａ 金属薄膜 １ｃ 版ペースト ２ ガラス基板 ３ 電極 ４ 転写装置 ４ａ 転写プローブ ４ｂ 平坦部 ５ａ 半導体レーザー ６ 断線欠陥部 ７ コイルばね １０ａ 焼成後基板

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に形成された金属パターンの欠陥
    部に導電体が塗布されて修復された基板であって、前記
    欠陥部が、金属の有機化合物から析出された金属の薄膜
    で修復されていることを特徴とする修復された金属パタ
    ーンを有する基板。
  2. 【請求項２】 前記金属パターンは、電極である請求項
    １記載の修復された金属パターンを有する基板。
  3. 【請求項３】 前記金属パターンは、遮光膜である請求
    項１記載の修復された金属パターンを有する基板。
  4. 【請求項４】 前記金属の有機化合物が金レジネートを
    ベースとした低温焼成用のペーストである請求項１ない
    し３のいずれかに記載の修復された金属パターンを有す
    る基板。
  5. 【請求項５】 基板上に形成された金属パターンの欠陥
    部に、金属の有機化合物を塗布する工程と、前記有機化
    合物を加熱して、前記欠陥部に金属の薄膜を析出させる
    工程と、を有することを特徴とする基板上の金属パター
    ン修復方法。
  6. 【請求項６】 前記金属の有機化合物を加熱する熱源と
    して、半導体レーザーから照射されるレーザー光のエネ
    ルギーを使用する請求項５記載の基板上の金属パターン
    修復方法。
  7. 【請求項７】 半導体レーザーの出力を調整して、金属
    の有機化合物を、予備焼成および本焼成し、さらに冷却
    工程を設ける請求項６記載の基板上の金属パターン修復
    方法。
  8. 【請求項８】 析出した金属薄膜の金属パターンからの
    はみ出し部分を除去する除去工程を有する請求項５ない
    し７のいずれかに記載の基板上の金属パターン修復方
    法。
  9. 【請求項９】 基板上に形成された金属パターンの欠陥
    部を修復する金属パターン修復装置であって、金属の有
    機化合物を保持しておく受皿部と、前記受皿部と金属パ
    ターンの欠陥部との間を移動して、前記受皿部内の金属
    の有機化合物を前記欠陥部に転写する転写体と、金属パ
    ターンの欠陥部に転写された前記金属の有機化合物を焼
    成する半導体レーザーとが装備されていることを特徴と
    する基板上の金属パターン修復装置。
  10. 【請求項１０】 金属パターンが遮光膜であるとき、さ
    らに金属パターンのはみ出し部分を除去するレーザー照
    射装置が設けられる請求項９記載の基板上の金属パター
    ン修復装置。
  11. 【請求項１１】 半導体レーザーの出力調整部が設けら
    れている請求項９または１０記載の基板上の金属パター
    ン修復装置。
JP26418098A 1997-10-20 1998-09-18 修復された金属パターンを有する基板および基板上の金属パターン修復方法と修復装置 Pending JPH11189883A (ja)

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