JPH11149881A - Ion source gas supply method and apparatus - Google Patents
Ion source gas supply method and apparatusInfo
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 11
- 239000002699 waste material Substances 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 100
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 60
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 4
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 229920002449 FKM Polymers 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 連続操業時間が長く、材料ガスが外部に漏れ
ることがなく、しかも無駄なく材料ガスを供給できるイ
オン源ガス供給方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 接地電位に保持された処理室１と絶縁リ
ング３で連結されると共に、高電位に保持されたイオン
源２に材料ガスを供給する際に、材料ガスボンベ６が接
地電位側に設置されているので、材料ガスボンベ６の本
数を多く設置しバルブで切替えることによりイオン注入
装置を停止させることがなく連続操業時間を長くするこ
とができる。材料ガスボンベ６の材料ガスを絶縁パイプ
１５で処理室１より絶縁リング３を通し、高電位側のイ
オン源２に直接供給するので、材料ガスが無駄なくプラ
ズマ化される。絶縁パイプ１５で材料ガスが漏れても処
理室或いはイオン源２内を経て真空排気され、排気ガス
処理装置でより安全に処理される。
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an ion source gas supply method and apparatus capable of supplying a material gas without waste, without a material gas leaking to the outside, and a continuous operation time is long. SOLUTION: When supplying a material gas to an ion source 2 held at a high potential while being connected to a processing chamber 1 held at a ground potential and an insulating ring 3, a material gas cylinder 6 is installed on the ground potential side. Since the number of the material gas cylinders 6 is increased and switched by a valve, the continuous operation time can be extended without stopping the ion implantation apparatus. Since the material gas of the material gas cylinder 6 is supplied from the processing chamber 1 through the insulating ring 3 through the insulating pipe 15 and directly to the ion source 2 on the high potential side, the material gas is converted into plasma without waste. Even if the material gas leaks through the insulating pipe 15, it is evacuated through the processing chamber or the inside of the ion source 2, and is processed more safely by the exhaust gas processing device.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン源に材料ガ
スを供給するイオン源ガス供給方法及びその装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for supplying an ion source gas for supplying a material gas to an ion source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体や液晶基板の製造工程のうち、い
わゆる画素をオンオフする素子（ＴＦＴ、薄膜トランジ
スタ）のソース、ドレイン、ゲート等の電極領域を形成
するためにイオンを注入する工程があり、イオン注入装
置が用いられる。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor or a liquid crystal substrate, there is a process of implanting ions for forming electrode regions such as a source, a drain and a gate of a device for turning on and off a pixel (TFT, thin film transistor). An injection device is used.
【０００３】図７はイオン源ガス供給方法を適用したイ
オン注入装置の従来例である。FIG. 7 shows a conventional example of an ion implantation apparatus to which an ion source gas supply method is applied.
【０００４】このイオン注入装置は、接地電位に保持さ
れると共に真空排気される処理室１と、高電位に保持さ
れたイオン源２と、処理室１とイオン源２とを連結する
絶縁リング３と、絶縁リング３の開口部に形成された引
き出し電極からなるイオンビーム引き出し部４と、イオ
ン源２に材料ガスを供給するイオン源ガス供給装置５と
で構成されている。This ion implantation apparatus comprises a processing chamber 1 which is maintained at a ground potential and evacuated, an ion source 2 which is maintained at a high potential, and an insulating ring 3 which connects the processing chamber 1 and the ion source 2. And an ion beam extraction unit 4 formed of an extraction electrode formed in the opening of the insulating ring 3, and an ion source gas supply device 5 for supplying a material gas to the ion source 2.
【０００５】イオン源ガス供給装置５は、材料ガスボン
ベ６と、バルブ７，８，９、ガス流量調整器１０及びガ
ス供給配管（金属管）１１とで構成されている。イオン
源２及びイオン源ガス供給装置５は、高圧部分１２に設
置されている。The ion source gas supply device 5 includes a material gas cylinder 6, valves 7, 8, and 9, a gas flow controller 10, and a gas supply pipe (metal pipe) 11. The ion source 2 and the ion source gas supply device 5 are installed in the high pressure part 12.
【０００６】このイオン注入装置は、イオン源２と同電
位（高電位）側に設置された材料ガスボンベ６からイオ
ン源２に材料ガスが直接供給されるようになっている。
尚、１３は材料ガスボンベ６やバルブ７などから材料ガ
スが漏れた場合、外部に漏れるのを防止するための隔壁
である。In this ion implantation apparatus, a material gas is directly supplied to the ion source 2 from a material gas cylinder 6 installed on the same potential (high potential) side as the ion source 2.
Reference numeral 13 denotes a partition wall for preventing the material gas from leaking from the material gas cylinder 6, the valve 7, or the like to the outside.
【０００７】図８はイオン源ガス供給方法を適用したイ
オン注入装置の他の従来例である。FIG. 8 shows another conventional ion implantation apparatus to which the ion source gas supply method is applied.
【０００８】図７に示した従来例との相違点は、イオン
源ガス供給装置５が処理室１と同電位（接地電位）側に
設置され、材料ガスボンベ６から処理室１及び絶縁リン
グ３を介してイオン源２に材料ガスが間接的に供給され
るようになっている点である。The difference from the conventional example shown in FIG. 7 is that the ion source gas supply device 5 is installed on the same potential (ground potential) side as the processing chamber 1, and the processing chamber 1 and the insulating ring 3 are separated from the material gas cylinder 6. The point is that the material gas is indirectly supplied to the ion source 2 via the ion source 2.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示した従来例は、設置できる材料ガスボンベ６の本数や
容量が小さいため、ガス消費量が多い時は、材料ガスボ
ンベ６の交換頻度数が多くなる。しかも材料ガスボンベ
６の交換の都度イオン注入装置を停止しなければなら
ず、連続操業時間を長くすることができない。However, in the conventional example shown in FIG. 7, since the number and capacity of the material gas cylinders 6 that can be installed are small, when the gas consumption is large, the frequency of replacement of the material gas cylinders 6 is large. Become. In addition, the ion implanter must be stopped every time the material gas cylinder 6 is replaced, so that the continuous operation time cannot be lengthened.
【００１０】また、図８に示した従来例は、設置できる
材料ガスボンベ６の本数を大きくし図示しないバルブで
切替えて連続供給することができるものの、材料ガスの
大半が真空排気されるので材料ガスのプラズマ化効率が
低く、材料ガスの無駄が多いという問題があった。In the conventional example shown in FIG. 8, the number of material gas cylinders 6 that can be installed is increased, and the material gas cylinders 6 can be switched and supplied continuously by a valve (not shown). However, there is a problem that the plasma conversion efficiency is low and material gas is wasted.
【００１１】そこで、接地電位側に材料ガスボンベ６を
設置し、ガス供給配管１１の一部を絶縁パイプに変えて
イオン源２に材料ガスを供給することが試みられた。Therefore, it has been attempted to supply the material gas to the ion source 2 by installing the material gas cylinder 6 on the ground potential side and changing a part of the gas supply pipe 11 to an insulating pipe.
【００１２】しかしながら、ガス供給配管と絶縁パイプ
との継手部分は機械的に弱く、材料ガスが外部に漏れた
り、配管抜け等の問題があった。However, the joint portion between the gas supply pipe and the insulating pipe is mechanically weak, and there have been problems such as material gas leaking to the outside and pipe disconnection.
【００１３】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、連続操業時間が長く、材料ガスが外部に漏れること
がなく、しかも材料ガスを効率よく使用できるイオン源
ガス供給方法及びその装置を提供することにある。Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to provide a method and apparatus for supplying an ion source gas capable of continuously operating for a long time, preventing material gas from leaking to the outside, and efficiently using the material gas. To provide.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のイオン源ガス供給方法は、接地電位に保持さ
れる処理室と絶縁リングで連結されると共に、高電位に
保持されるイオン源に材料ガスを供給する方法におい
て、材料ガスボンベを接地電位側に設置すると共にその
材料ガスを絶縁パイプで処理室より絶縁リングを通し、
高電位側のイオン源に供給するものである。In order to achieve the above object, an ion source gas supply method according to the present invention is characterized in that an ion source gas is connected to a processing chamber maintained at a ground potential by an insulating ring and is maintained at a high potential. In the method of supplying the material gas to the source, the material gas cylinder is placed on the ground potential side and the material gas is passed through the insulating ring from the processing chamber with an insulating pipe,
It is supplied to the ion source on the high potential side.
【００１５】また本発明のイオン源ガス供給装置は、接
地電位に保持された処理室と絶縁リングで連結されると
共に、高電位に保持されたイオン源に材料ガスを供給す
る装置において、接地電位側に設置された材料ガスボン
ベと、絶縁リングに処理室側からイオン源側へ向かって
設けられた絶縁パイプと、材料ガスボンベと絶縁リング
とを接続する材料ガスボンベ側配管と、絶縁リングとイ
オン源とを接続するイオン源側配管とを備えたものであ
る。Further, an ion source gas supply device of the present invention is connected to a processing chamber maintained at a ground potential by an insulating ring and supplies a source gas to an ion source maintained at a high potential. A material gas cylinder installed on the side, an insulating pipe provided on the insulating ring from the processing chamber side to the ion source side, a material gas cylinder side pipe connecting the material gas cylinder and the insulating ring, an insulating ring and the ion source. And an ion source side pipe connecting the
【００１６】本発明によれば、材料ガスボンベが接地電
位側に設置されているので、材料ガスボンベの本数を多
くとることができ連続操業時間が長くとれる。材料ガス
を絶縁パイプで処理室より絶縁リングを通し、高電位側
のイオン源に供給するので、万が一材料ガスが絶縁パイ
プから漏れても真空排気され、排気ガス処理装置（図示
せず）に導かれより安全に処理される。また、イオン源
に直接材料ガスが供給されるので、材料ガスが効率よく
使用できる。According to the present invention, since the material gas cylinder is installed on the ground potential side, the number of material gas cylinders can be increased, and the continuous operation time can be extended. Since the material gas is supplied from the processing chamber to the high-potential side ion source through an insulating ring through an insulating pipe, even if the material gas leaks from the insulating pipe, the material gas is evacuated and guided to an exhaust gas processing device (not shown). It is more secure than him. Further, since the source gas is directly supplied to the ion source, the source gas can be used efficiently.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【００１８】図１は本発明のイオン源ガス供給方法を適
用したイオン注入装置の概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of an ion implantation apparatus to which the ion source gas supply method of the present invention is applied.
【００１９】このイオン注入装置は、主に接地電位に保
持されると共に真空排気される処理室１と、高電位（１
０ＫＶ〜１００ＫＶ）に保持されたイオン源２と、処理
室１とイオン源２とを連結するための絶縁リング３と、
材料ガスボンベ６から材料ガス（ホスフィン或いはジボ
ラン）をイオン源２に供給するイオン源ガス供給装置と
で構成されている。This ion implantation apparatus has a processing chamber 1 which is mainly kept at a ground potential and evacuated, and a high potential (1
An ion source 2 held at 0 KV to 100 KV), an insulating ring 3 for connecting the processing chamber 1 and the ion source 2,
An ion source gas supply device for supplying a material gas (phosphine or diborane) from the material gas cylinder 6 to the ion source 2.
【００２０】処理室１には真空ポンプ１４が接続されて
おり、約１０-4〜１０-3Ｔｏｒｒ台に真空排気されるよ
うになっている。絶縁リング３の開穴部には、格子（或
いは網）状のイオンビーム引き出し電極からなり所定の
電圧が印加されることによりイオン源２で発生したイオ
ンを処理室１に引き出すためのイオンビーム引き出し部
４が形成されている。A vacuum pump 14 is connected to the processing chamber 1, and is evacuated to about 10 -4 to 10 -3 Torr. The opening of the insulating ring 3 is composed of a grid (or mesh) ion beam extraction electrode and is adapted to extract ions generated by the ion source 2 to the processing chamber 1 by applying a predetermined voltage to the processing chamber 1. A part 4 is formed.
【００２１】イオン源ガス供給装置は、接地電位側に設
置される材料ガスボンベ６と、絶縁リング３を処理室１
側からイオン源２側へ向かって貫通するように設けられ
た絶縁パイプ１５と、一端がバルブ７を介して材料ガス
ボンベ６に接続され処理室１の壁を貫通すると共に他端
が絶縁パイプ１５の一端（図では左端）に接続された材
料ガスボンベ側配管としての金属配管（ステンレス管）
１６と、一端が絶縁パイプ１５の他端（図では右端）に
接続されイオン源２の壁を貫通すると共にイオン源２の
外部でバルブ８、９及びガス流量調整器１０を介して他
端がイオン源２に接続されたイオン源側配管としての金
属配管１７とで構成されている。The ion source gas supply device includes a material gas cylinder 6 installed on the ground potential side and an insulating ring 3 which are connected to the processing chamber 1.
One end is connected to the material gas cylinder 6 via the valve 7 and penetrates the wall of the processing chamber 1 and the other end is connected to the insulating pipe 15. Metal pipe (stainless steel pipe) as a material gas cylinder side pipe connected to one end (left end in the figure)
16, one end of which is connected to the other end (the right end in the figure) of the insulating pipe 15, penetrates the wall of the ion source 2, and has the other end outside the ion source 2 via valves 8, 9 and the gas flow controller 10. A metal pipe 17 as an ion source side pipe connected to the ion source 2.
【００２２】ここで、材料ガスとしてのホスフィンやジ
ボランは、毒性が高いので、通常はガス単体としては使
用されず水素により５〜２０％に希釈して使用される。
また、空気中濃度に対しても法律で規制されており、例
えばホスフィンが０．３ｐｐｍ、ジボランが０．１ｐｐ
ｍとなっている。また、クリーンルーム等の室内に保管
できる材料ガスボンベ６の容量は、法律で１０リットル
以下に規制されている（圧力はボンベ充填時の単体の重
量で決まるので明示しない。例えば濃度が１０％の場
合、ホスフィンは１００ｋｇｆ／ｃｍ2 にできるがジボ
ランはさらに低圧力でしか充填できない）。そのため、
材料ガスボンベ６やバルブ７等は隔壁で覆われた二重構
造となっている。Here, phosphine and diborane as material gases are highly toxic, and therefore are not usually used as a gas alone but are used after being diluted to 5 to 20% with hydrogen.
Also, the concentration in the air is regulated by law, for example, phosphine is 0.3 ppm and diborane is 0.1 pp.
m. In addition, the capacity of the material gas cylinder 6 that can be stored in a room such as a clean room is regulated by law to 10 liters or less. Phosphine can be 100 kgf / cm 2 , but diborane can only be filled at lower pressures). for that reason,
The material gas cylinder 6, the valve 7, and the like have a double structure covered with partition walls.
【００２３】図２は図１に示したイオン源ガス供給装置
のガス導入部の拡大図であり、図３は図２のＡ−Ａ線断
面図である。FIG. 2 is an enlarged view of a gas introduction portion of the ion source gas supply device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【００２４】絶縁リング３と処理室１の隔壁１８との間
に絶縁リングフランジ１９，２０が二重に設けられてい
る。絶縁リング３とイオン源２の隔壁２１との間に絶縁
リングフランジ２２が設けられている。両絶縁リングフ
ランジ１９，２０の間、絶縁リングフランジ２０と絶縁
リング３との間、絶縁リング３と絶縁リングフランジ２
２との間には真空シール用Ｏリング２３〜２５がそれぞ
れ挟まれている。Insulating ring flanges 19 and 20 are provided between the insulating ring 3 and the partition 18 of the processing chamber 1. An insulating ring flange 22 is provided between the insulating ring 3 and the partition 21 of the ion source 2. Between the insulating ring flanges 19 and 20, between the insulating ring flange 20 and the insulating ring 3, between the insulating ring 3 and the insulating ring flange 2.
O-rings 23 to 25 for vacuum sealing are respectively sandwiched between the two.
【００２５】これら絶縁リング３や絶縁パイプ１５はセ
ラミック（或いはテフロン、ナイロン、エンジニアリン
グプラスチック）からなり、真空シール用Ｏリング２３
〜２５はバイトン等のテフロン系材料からなっている。The insulating ring 3 and the insulating pipe 15 are made of ceramic (or Teflon, nylon, engineering plastic), and the O-ring 23 for vacuum sealing is used.
25 are made of a Teflon-based material such as Viton.
【００２６】金属配管１６は、処理室１内において継手
２６により金属配管２７の一端（図では左端）に接続さ
れている。金属配管２７の他端（図では右端）はガスシ
ール用Ｏリング２８を介して絶縁パイプ１５の一端に接
続されている。絶縁パイプ１５の他端はガスシール用Ｏ
リング２９を介して金属配管３０の一端に接続されてい
る。金属配管３０はイオン源２内において継手３１によ
り金属配管１７に接続されている。The metal pipe 16 is connected to one end (the left end in the figure) of the metal pipe 27 by a joint 26 in the processing chamber 1. The other end (right end in the figure) of the metal pipe 27 is connected to one end of the insulating pipe 15 via an O-ring 28 for gas sealing. The other end of the insulating pipe 15 is O for gas sealing.
It is connected to one end of a metal pipe 30 via a ring 29. The metal pipe 30 is connected to the metal pipe 17 by a joint 31 in the ion source 2.
【００２７】同図において材料ガスは矢印３２方向に金
属配管１６内を進み、絶縁パイプ１５を通って金属配管
１７内を矢印３３方向に進む。In the figure, the material gas travels in the metal pipe 16 in the direction of arrow 32, passes through the insulating pipe 15 and travels in the metal pipe 17 in the direction of arrow 33.
【００２８】図１に示したイオン注入装置は、材料ガス
ボンベ６が接地電位側に設置されているので、材料ガス
ボンベ６の本数を多く設置することができ、各材料ガス
ボンベ６を図示しない切換えバルブで切替えることによ
り交換が容易となり、イオン注入装置を停止することが
なくなるため連続操業時間を長くすることができる。材
料ガスがイオン源２に直接供給されるので材料ガスが効
率的にプラズマ化される。金属配管１６，１７と絶縁パ
イプ１５とを接続する継手２６，３１が処理室１内とイ
オン源２内とにあるため、万が一材料ガスが継手２６，
３１や絶縁パイプ１５から漏れても真空排気され、排気
ガス処理装置に導かれ、より安全に処理される。In the ion implantation apparatus shown in FIG. 1, since the material gas cylinders 6 are installed on the ground potential side, the number of the material gas cylinders 6 can be increased, and each material gas cylinder 6 is switched by a switching valve (not shown). The switching facilitates the replacement and eliminates the need to stop the ion implanter, so that the continuous operation time can be extended. Since the material gas is directly supplied to the ion source 2, the material gas is efficiently turned into plasma. Since the joints 26 and 31 for connecting the metal pipes 16 and 17 and the insulating pipe 15 are located in the processing chamber 1 and the ion source 2, the material gas should be
Even if the gas leaks from the insulating pipe 31 or the insulating pipe 15, the gas is evacuated and guided to an exhaust gas treatment device to be processed more safely.
【００２９】図４はイオン源ガス供給装置のガス導入部
の変形例の拡大図であり、図５は図２のＢ−Ｂ線断面図
である。FIG. 4 is an enlarged view of a modified example of the gas introduction section of the ion source gas supply device, and FIG. 5 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【００３０】図２に示した実施の形態との相違点は、絶
縁パイプ１５を形成する代わりに絶縁体製チューブ３４
を用いた点である。３５は絶縁リングフランジである。
このような絶縁体製チューブ３４を用いても、接地電位
側に設置された材料ガスボンベ６の材料ガスをイオン源
２に直接供給することができ、絶縁体製チューブ３４で
ガス漏れが生じても処理室１かイオン源２を経て真空排
気されるので同様の効果が得られる。The difference from the embodiment shown in FIG. 2 is that an insulating tube 34 is used instead of forming the insulating pipe 15.
This is the point that was used. 35 is an insulating ring flange.
Even if such an insulator tube 34 is used, the material gas of the material gas cylinder 6 installed on the ground potential side can be directly supplied to the ion source 2, and even if a gas leak occurs in the insulator tube 34. The same effect can be obtained because the chamber is evacuated through the processing chamber 1 or the ion source 2.
【００３１】図６はイオン源ガス供給装置のガス導入部
の変形例の拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view of a modification of the gas inlet of the ion source gas supply device.
【００３２】図４に示した変形例との相違点は絶縁体製
チューブ３４を設けた絶縁リングフランジに絶縁リング
３と同心円状に形成されている点である。このような絶
縁体製チューブ３４と絶縁リング３とを用いても同様の
効果が得られる。The difference from the modification shown in FIG. 4 is that an insulating ring flange provided with an insulator tube 34 is formed concentrically with the insulating ring 3. The same effect can be obtained by using such an insulator tube 34 and the insulating ring 3.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。In summary, according to the present invention, the following excellent effects are exhibited.
【００３４】材料ガスボンベを接地電位側に設置すると
共にその材料ガスを絶縁パイプで処理室より絶縁リング
を通し、高電位側のイオン源に供給することにより、連
続操業時間が長く、材料ガスが外部に漏れることがな
く、しかも材料ガスを効率よく使用できるイオン源ガス
供給方法及びその装置の提供を実現することができる。The material gas cylinder is set on the ground potential side, and the material gas is supplied from the processing chamber through an insulating ring through an insulating ring to an ion source on the high potential side. Thus, it is possible to provide an ion source gas supply method and an apparatus thereof that do not leak into the gas and that can use the material gas efficiently.
【図１】本発明のイオン源ガス供給方法を適用したイオ
ン注入装置の概念図である。FIG. 1 is a conceptual diagram of an ion implantation apparatus to which an ion source gas supply method of the present invention is applied.
【図２】図１に示したイオン源ガス供給装置のガス導入
部の拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view of a gas introduction unit of the ion source gas supply device shown in FIG.
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 2;
【図４】イオン源ガス供給装置のガス導入部の変形例の
拡大図である。FIG. 4 is an enlarged view of a modified example of the gas introduction unit of the ion source gas supply device.
【図５】図４のＢ−Ｂ線断面図である。FIG. 5 is a sectional view taken along line BB of FIG. 4;
【図６】イオン源ガス供給装置のガス導入部の変形例の
拡大図である。FIG. 6 is an enlarged view of a modification of the gas introduction unit of the ion source gas supply device.
【図７】イオン源ガス供給方法を適用したイオン注入装
置の従来例である。FIG. 7 is a conventional example of an ion implantation apparatus to which an ion source gas supply method is applied.
【図８】イオン源ガス供給方法を適用したイオン注入装
置の他の従来例である。FIG. 8 is another conventional example of an ion implantation apparatus to which an ion source gas supply method is applied.
１ 処理室 ２ イオン源 ３ 絶縁リング ６ 材料ガスボンベ １５ 絶縁パイプ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Processing room 2 Ion source 3 Insulation ring 6 Material gas cylinder 15 Insulation pipe
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｈ０１Ｌ 21/265 ６０３Ａ Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 identification code FI H05H 1/46 H01L 21/265 603A
Claims (2)
グで連結されると共に、高電位に保持されるイオン源に
材料ガスを供給する方法において、材料ガスボンベを接
地電位側に設置すると共にその材料ガスを絶縁パイプで
処理室より絶縁リングを通し、高電位側のイオン源に供
給することを特徴とするイオン源ガス供給方法。In a method for supplying a source gas to an ion source which is connected to a processing chamber held at a ground potential and is maintained at a high potential while being connected to a processing chamber held at a ground potential, a source gas cylinder is installed on the ground potential side and A method for supplying an ion source gas, comprising supplying a source gas to a high potential side ion source through an insulating ring from a processing chamber through an insulating pipe.
グで連結されると共に、高電位に保持されたイオン源に
材料ガスを供給する装置において、接地電位側に設置さ
れた材料ガスボンベと、絶縁リングに処理室側からイオ
ン源側へ向かって設けられた絶縁パイプと、上記材料ガ
スボンベと上記絶縁リングとを接続する材料ガスボンベ
側配管と、上記絶縁リングと上記イオン源とを接続する
イオン源側配管とを備えたことを特徴とするイオン源ガ
ス供給装置。2. An apparatus for supplying a source gas to an ion source held at a high potential while being connected to a processing chamber held at a ground potential by an insulating ring, comprising: a source gas cylinder installed on the ground potential side; An insulating pipe provided on the insulating ring from the processing chamber side to the ion source side, a material gas cylinder side pipe connecting the material gas cylinder and the insulating ring, and an ion source connecting the insulating ring and the ion source An ion source gas supply device comprising: a side pipe.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP31225997A JP3807057B2 (en) | 1997-11-13 | 1997-11-13 | Ion source gas supply method and apparatus |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11149881A true JPH11149881A (en) | 1999-06-02 |
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| JP (1) | JP3807057B2 (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515290B1 (en) * | 2000-09-05 | 2003-02-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Bulk gas delivery system for ion implanters |
| JP2007273118A (en) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Ihi Corp | Ion implanting device |
| JP2010537431A (en) * | 2007-08-22 | 2010-12-02 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | Sealing between vacuum chambers |
-
1997
- 1997-11-13 JP JP31225997A patent/JP3807057B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US6515290B1 (en) * | 2000-09-05 | 2003-02-04 | Axcelis Technologies, Inc. | Bulk gas delivery system for ion implanters |
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| JP3807057B2 (en) | 2006-08-09 |
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| A977 | Report on retrieval |
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