JPH11135817A

JPH11135817A - 光電変換素子およびその製造方法

Info

Publication number: JPH11135817A
Application number: JP9293905A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Nakanishi; 健中西
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-10-27
Filing date: 1997-10-27
Publication date: 1999-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】十分な光拡散効果が得られ、安価でかつ作製
が容易な光電変換素子を提供する。【解決手段】透光性基板１の上に、シリカ微粒子８を
含有する紫外線硬化型のアクリル樹脂を塗布して、ある
いはシリカ微粒子８を含有するポリイミド樹脂を塗布し
て、表面に凹凸を有する光拡散層２を形成する。光拡散
層２の上に透明導電層３、透明層４、ａ−Ｓｉ層５、裏
面電極層６および裏面金属反射電極層７を順次積層する

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池等に適用
される光電変換素子に関するものである。

【０００２】

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】近
年、太陽電池に適用される光電変換素子においては、太
陽電池のエネルギー変換効率を向上させるため、入射し
た光を拡散させて光吸収長を長くする（光拡散効果）と
いった工夫がなされている。例えば、ガラス基板上に形
成されたＳnＯ₂（酸化錫）等の透明電極の表面をテクス
チャー構造（微細な凹凸状の構造）にしたものがよく用
いられている（例えば、特開平８−１８０８４号公報、
特開平７−１１５２１４号公報等参照）。このようなテ
クスチャー構造にすれば、入光した太陽光が乱反射して
閉じ込められ短絡電流密度を増加させることができ、半
導体中で太陽光を有効に吸収することができる。

【０００３】しかしながら、このようなテクスチャー構
造を形成するためには、例えばスパッタリング法やＣＶ
Ｄ法等を用いるので、製造設備にコストが嵩む。また、
ガラス基板であるため取扱いの簡便性に欠ける上、曲面
部位等への応用に制約がある場合が多い。

【０００４】本発明は、上記問題点に鑑み、十分な光拡
散効果が得られ、安価でかつ作製が容易な光電変換素子
の提供を目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、基板上に、表面に凹凸を有する光拡散層、半導体
層および電極層が設けられ、光拡散層は、微粒子を含有
する感光性樹脂から形成されたものである。そして、微
粒子は酸化ケイ素からなり、その粒径が０.０１〜１０
μｍであることが望ましい。また、感光性樹脂に代わ
り、ポリイミド樹脂が用いられてもよい。

【０００６】この構成によれば、感光性樹脂またはポリ
イミド樹脂に微粒子を含有させることにより、光拡散層
の表面に凹凸を形成することができ、その凹凸によって
十分な光拡散効果を得ることができる。特に、光拡散層
に感光性樹脂を用いると、紫外線、可視光を照射して硬
化させるだけで容易に光拡散層を形成することができ
る。そのため、設備コストを低減することができる。ま
た、耐熱性に優れたポリイミド樹脂を用いることも、光
拡散層として有力である。さらに、微粒子に安価な酸化
ケイ素を用いると、低コストで上記効果を達成すること
ができる。

【０００７】また、基板は透光性を有する電気絶縁性フ
ィルムまたはガラスからなり、基板の上に光拡散層が配
置される。あるいは、基板は金属板からなり、基板の上
に表面に溝が形成された電気絶縁体が設けられ、電気絶
縁体の上に光拡散層が配置される。前者は基板側から入
光されるタイプであり、後者は基板と反対側の表面から
入光されるタイプである。なお、後者のタイプにおい
て、基板の上に電気絶縁体を設けずに、直接、光拡散層
を配置してもよい。

【０００８】このように、基板が電気絶縁性フィルム、
ガラスまたは金属板であれば、低コストで光電変換素子
を作製できる。特に、電気絶縁性フィルムを用いれば、
曲線部位等にも対応することができる。また、電気絶縁
体の上に光拡散層が配置され、電気絶縁体の溝の表面に
沿うようにして凹凸が形成されるので、光拡散効果を発
揮することができる。

【０００９】また、溝はＶ字状に形成され、その大きさ
はピッチが１０〜３０μｍ、深さが１０〜３０μｍ、開
口角度が４５〜１２０度であることが望ましい。上記の
値より小さいかまたは大きいと、十分な光拡散効果が得
られにくいためである。

【００１０】上記光電変換素子の製造方法としては、光
が基板側から入光されるタイプでは、透光性基板の上に
微粒子を含有する感光性樹脂を塗布し、該感光性樹脂に
光を照射して硬化させ表面に凹凸を有する光拡散層を形
成し、該光拡散層の上に透明導電層、半導体層および電
極層を順次積層する。

【００１１】また、光が基板と反対側の表面から入光さ
れるタイプでは、金属基板の上に表面に溝を有する電気
絶縁体を形成し該電気絶縁体の上に、あるいは金属基板
単体の上に、微粒子を含有する感光性樹脂を塗布し、該
感光性樹脂に光を照射して硬化させ表面に凹凸を有する
光拡散層を形成し、該光拡散層の上に電極層、半導体層
および透明導電層を順次積層する。

【００１２】または、金属基板の上に表面に溝を有する
電気絶縁体を形成し該電気絶縁体の上に、あるいは金属
基板単体の上に、微粒子を含有するポリイミド樹脂を塗
布形成し、表面に凹凸を有する光拡散層を形成し、該光
拡散層の上に電極層、半導体層および透明導電層を順次
積層する。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。

【００１４】＜第１実施形態＞図１は、本発明の第１実
施形態に係る光電変換素子の構成を示す図である。この
光電変換素子は、透光性を有する基板１上に、表面に凹
凸を有する光拡散層２、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）か
らなる透明導電層３、ＺｎＯからなる透明層４、図示し
ないｐ層、ｉ層、ｎ層からなる非晶質シリコン層（以
下、「ａ−Ｓｉ層」という。）５、ＺｎＯからなる裏面
電極層６およびＡｇからなる裏面金属反射電極層７が積
層されて構成されている。この光電変換素子の場合、光
は図１の下側より入光する。

【００１５】基板１は、ポリエステルフィルム等の透光
性を有する電気絶縁性フィルムからなる。ポリエステル
フィルムを用いることにより、光電変換素子を軽量化す
ることができて取扱いも容易になり、低コストな光電変
換素子を実現できる。なお、上記基板１は、ポリイミド
フィルムまたはガラス等で構成されてもよい。

【００１６】光拡散層２は、シリカ（酸化ケイ素）微粒
子を含有する紫外線硬化型のアクリル樹脂、いわゆる感
光性樹脂から形成されている。これにより、図２に示す
ように、光拡散層２の表面に微細な凹凸が形成されるこ
とになる。なお、感光性樹脂に代わり、耐熱性に優れた
ポリイミド樹脂あるいはポリイミド系の樹脂を用いても
よい。また、図中、８は微粒子を示す。

【００１７】このように、シリカ微粒子を含有する感光
性樹脂またはポリイミド樹脂により光拡散層２の表面に
凹凸が形成され、さらに、この凹凸に対応して、光拡散
層２の上に積層される各層３，４，５，６の表面にも凹
凸が形成される。これらの凹凸によって、光電変換素子
に入射した光は散乱をおこし、ａ−Ｓｉ層５での光閉じ
込め効果を得ることができる。そのため、光電流密度を
増大させることができ、光電変換素子のエネルギー変換
効率を向上させることができる。しかも、微粒子には安
価なシリカを用いているので、低コストな光電変換素子
を作製できる。なお、微粒子はシリカに代わり、ＴiＯ₂
（酸化チタン），Ａl₂Ｏ₃（酸化アルミニウム），ＺrＯ
₂（酸化ジルコニウム），ＩＴＯ（酸化インジウム
錫），ＳnＯ₂（酸化錫）またはＭgＦ₂（フッ化マグネシ
ウム）等が用いられてもよい。

【００１８】また、シリカ微粒子の粒径は、０.０１〜
１０μｍであることが望ましく、これにより、光拡散層
２の表面に高低差が約０.００５〜５μｍの凹凸を形成
することができる。高低差が０.００５〜５μｍの凹凸
を形成できれば、入光する光の波長の関係上、最も光散
乱に適したものとなることが実験的に求められている。
また、微粒子の粒径が０.０１μｍより小さいかあるい
は１０μｍより大きいと、光が透過しすぎたりあるいは
透過しにくくなる。また、微粒子の凝集が生じ、凹凸の
高低差が不均一になったりする。

【００１９】光拡散層２は、感光性樹脂を基板１上に塗
布し、紫外線で硬化させることにより形成される。基板
１上に紫外線硬化型のアクリル樹脂を塗布する方法とし
ては、スピンコート法、ディップコート法、スプレーコ
ート法、バーコート法またはカーテンコート法等が挙げ
られる。

【００２０】このように、アクリル樹脂を基板１上に塗
布し紫外線を照射して硬化させるだけで光拡散層２の表
面に凹凸が得られるので、従来から用いられているスパ
ッタリング法やＣＶＤ法等に比べ、容易にテクスチャー
構造を形成することができる。したがって、設備コスト
を低減することができる。

【００２１】なお、上記アクリル樹脂としては、具体的
には、アクリル酸、アクリル酸エステル、アクリルアミ
ド、アクリロニトリル、メタクリル酸、メタクリル酸エ
ステル等の重合体が適用できる。また、光拡散層の材料
としては、感光性を有するものであれば、アクリル樹脂
に代えてポリエステル樹脂等で形成されてもよい。

【００２２】＜第２実施形態＞図３は、第２実施形態に
係る光電変換素子の構成を示す図である。この光電変換
素子の特徴は、光拡散層の上に金属層を形成し、光拡散
層の表面に形成された凹凸と同様の凹凸を金属層の表面
にも形成し、上方から入光する光を反射させて、金属層
の上に形成されるａ−Ｓｉ層に光を閉じ込める点にあ
る。すなわち、光電変換素子は、金属からなる基板１、
表面に溝が形成された電気絶縁体１１、表面に凹凸を有
する光拡散層２、Ａｇからなる金属反射電極層７、Ｚｎ
Ｏからなる透明層４、図示しないｎ層、ｉ層、ｐ層から
なるａ−Ｓｉ層５、ＩＴＯからなる透明導電層３および
Ａｇからなる櫛形の集電電極層１２が積層されて構成さ
れている。この光電変換素子の場合、光は図３の上側よ
り入光する。なお、その他の構成については、第１実施
形態と同様である。

【００２３】電気絶縁体１１は、電気絶縁性を有するポ
リイミド樹脂からなり、基板１にはステンレス（ＳＵＳ
４３０等）が用いられる。また、ポリイミド樹脂に代わ
り、アルミナ（酸化アルミニウム）等の電気絶縁性を有
する酸化金属あるいはめっき鋼材が用いられてもよい。
この場合、基板１にはアルミニウム等が用いられる。こ
のように、基板１にステンレス、アルミニウムまたはめ
っき鋼材等の箔状の金属板を用いることによって、基板
１を薄くできる。そのため、光電変換素子を軽量化する
ことができ、取扱いが容易となる。また、光電変換素子
のコストを低減することができる。

【００２４】電気絶縁体１１は、その表面に複数の略Ｖ
字状の溝が形成されている。電気絶縁体１１の上には、
シリカ微粒子を含有する感光性樹脂からなる光拡散層２
が形成されている。そのため、図４に示すように、略Ｖ
字状の溝に沿うようにして、光拡散層２の表面に凹凸が
形成されることになる。そして、光拡散層２の上に金属
反射電極層７が形成される。金属反射電極層７は、透明
層４との界面において光拡散層２の凹凸と同様の凹凸が
反映されて形成される。すなわち、電気絶縁体１１およ
び光拡散層２は、この場合、金属反射電極層７の表面に
凹凸を形成させるための、いわゆる型の役割を担ってい
る。

【００２５】このような構成により、上方から入光する
光は、透明導電層３、ａ−Ｓｉ層５、透明層４を通過し
て金属反射電極層７の表面に形成された凹凸においてほ
ぼ１００％反射される。入光した光はこの凹凸にて反射
され、ａ−Ｓｉ層５で吸収されなかった光を再びａ−Ｓ
ｉ層５に戻して光を有効に利用することができる。さら
に、金属反射電極層７の凹凸は、電気絶縁体１１の略Ｖ
字状の溝と光拡散層２の凹凸が合わさったものであるの
で、これにより、光拡散効果を維持、発揮され、ａ−Ｓ
ｉ層５において光閉じ込め効果を得ることができる。

【００２６】なお、上記略Ｖ字状の溝の具体的な大きさ
としては、そのピッチが１０〜３０μｍ、溝の深さが１
０〜３０μｍ、かつ溝の開口角度が４５〜１２０度であ
ることがより好ましい。これは、ピッチおよび深さが１
０μｍより小さい、あるいは３０μｍより大きいと、凹
凸が均一にできなかったり、十分な光拡散効果を得るこ
とができないためである。また、開口角度が４５度より
小さいと電気絶縁体１１の加工がしにくくなり、１２０
度より大きいと十分な光拡散効果が得られないためであ
る。

【００２７】また、この光電変換素子を大型の太陽電池
に利用する場合、略Ｖ字状の溝は、そのピッチが０.５
〜２ｍｍ、溝の深さが０.３〜２ｍｍ、かつ溝の開口角
度が４５〜１２０度であってもよい。また、電気絶縁体
１１に形成される溝は、上記Ｖ字状に限らず、略Ｕ字
状、略半円状等でもかまわない。

【００２８】また、図３に示す光電変換素子の構成に代
えて、図５に示すように、表面に溝が形成された電気絶
縁体１１を設けずに、基板１の上に直接光拡散層２が配
置された構成の光電変換素子でもよい。あるいは、表面
に直接略Ｖ字状の溝が形成された基板１を用いてもよ
い。その他の構成は、図３に示す構成と同様である。

【００２９】これにより、光拡散層２の表面に形成され
た凹凸によって、金属反射電極層７は、透明層４との界
面において光拡散層２の凹凸と同様の凹凸が形成され
る。そのため、上方から入光する光はこの凹凸にて反射
され、光拡散効果が発揮され、ａ−Ｓｉ層５において光
閉じ込め効果を得ることができる。

【００３０】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることができる。例えば、上
記実施形態で説明した光電変換素子を太陽電池だけに限
らず、光センサや表示素子等に適用するようにしてもよ
い。

【００３１】また、第２実施形態で説明した電気絶縁体
を第１実施形態の構成に加えるように、例えば、基板１
と光拡散層２との間に形成するようにしてもよい。この
場合、電気絶縁体は透光性を有することが必要となる。

【００３２】

【実施例】以下、本発明にかかる光電変換素子の形成に
関する実施例を説明する。

【００３３】＜実施例１＞ポリエチレンテレフタレート
フィルム上に、ロールコーターを用いてスプレー法によ
り、平均粒径０.５μｍのシリカ微粒子を含有する紫外
線硬化型のアクリル樹脂を塗布した。次いで、８０℃で
５分間の熱処理を行った後、紫外線の照射を２分間行う
ことにより塗膜を硬化させ、表面に微細な凹凸を有する
光拡散層を得た。この上にスパッタリング法によりＩＴ
Ｏ層を１４０ｎｍ、ＺｎＯ層を５０ｎｍの厚さになるよ
う形成した。

【００３４】さらに、この上にプラズマＣＶＤ法により
ｐ層、ｉ層、ｎ層の順番にａ−Ｓｉ層を形成した。各層
の形成条件を表１に示す。

【００３５】

【表１】

【００３６】ｐ層の膜厚は１０ｎｍ、ｉ層の膜厚は５０
０ｎｍ、ｎ層の膜厚は３０ｎｍにそれぞれ設定した。

【００３７】次に、スパッタリング法により、裏面電極
としてＺｎＯ層を６０ｎｍの厚さに形成し、最後に裏面
金属反射電極としてＡｇ層を５００ｎｍの厚さに形成し
た。このようにして、図１に示す構造の光電変換素子を
作製した。

【００３８】そして、この光電変換素子に対して、ソー
ラー・シミュレーターによりＡＭ１.５（標準太陽光ス
ペクトル）、１００ｍＷ／ｃｍ²の疑似太陽光を照射し
た。そして、短絡電流密度Ｊ_SC、開放電圧Ｖ_OC、曲線因
子Ｆ.Ｆ.（フィル・ファクター）、変換効率ηの測定を
行なった。得られた結果を表２に示す。

【００３９】

【表２】

【００４０】＜実施例２＞厚さ５０μｍのステンレス基
板の上にピッチ２０μｍ、開口角度６０度の略Ｖ字状の
溝を有するポリイミド樹脂を形成し、その上にスプレー
法により、平均粒径０.５μｍのシリカ微粒子を含有す
る紫外線硬化型のアクリル樹脂を塗布した。

【００４１】次いで、８０℃で５分間の熱処理を行った
後、紫外線の照射を２分間行うことにより塗膜を硬化さ
せ、微細な凹凸を有する光拡散層を作製した。

【００４２】次に、スパッタリング法によりＡｇ層を５
００ｎｍの厚さに、ＺｎＯ層を１００ｎｍの厚さにそれ
ぞれ形成した。さらに、この上にプラズマＣＶＤ法によ
りｎ層、ｉ層、ｐ層の順番にａ−Ｓｉ層を形成した。各
層の形成条件は実施例１で示した形成条件と同様である
（表１参照）。ｎ層の膜厚は３０ｎｍ、ｉ層の膜厚は５
００ｎｍ、ｐ層の膜厚は１０ｎｍにそれぞれ設定した。

【００４３】次に、表面電極として、スパッタリング法
によりＩＴＯ層を６０ｎｍの厚さに形成し、最後にスパ
ッタリング法により櫛形の集電電極としてＡｇ層を５０
０ｎｍの厚さに形成した。このようにして、図３に示す
構造の光電変換素子を作製した。この光電変換素子に対
して実施例１と同様の測定を行った。得られた結果を表
２に示す。

【００４４】＜実施例３＞基板に厚さ５０μｍのアルミ
ニウムを用い、その上に、表面にピッチ２０μｍ、開口
角度６０度の略Ｖ字状の溝を有するアルミナからなる電
気絶縁体を形成した。その他の構成については、実施例
２と同様にして光電変換素子を作製し、同様の測定を行
った。得られた結果を表２に示す。

【００４５】＜実施例４＞基板に厚さ１５０μｍのステ
ンレスを用い、この上にロールコーターにより、平均粒
径０.３μｍのシリカ微粒子を含有するポリイミド樹脂
を塗布形成した。その他の構成については、実施例２と
同様にして、図５に示す構造の光電変換素子を作製し、
同様の測定を行った。得られた結果を表２に示す。

【００４６】＜実施例５＞基板として、コーニング社の
７０５９ガラスを用いた。その他の構成については実施
例１と同様にして光電変換素子を作成し、同様の測定を
行った。得られた結果を表２に示す。

【００４７】＜比較例１＞ＳｎＯ₂でテクスチャー構造
にされたガラス基板に、ＩＴＯ層、ＺｎＯ層、ａ−Ｓｉ
層、ＺｎＯ層およびＡｇ層を形成し、光電変換素子を作
製した。この光電変換素子に対して実施例１と同様の測
定を行った。その結果を表２に示す。

【００４８】＜比較例２＞コーニング社の７０５９ガラ
ス基板を用い、この上にＩＴＯ層、ＺｎＯ層、ａ−Ｓｉ
層、ＺｎＯ層およびＡｇ層を形成し、光電変換素子を作
製した。この光電変換素子に対して実施例１と同様の測
定を行った。その結果を表２に示す。

【００４９】このように、表２によると、コーニング社
の７０５９ガラスを用いてその上に光拡散層を形成した
実施例５の構成が最も曲線因子および変換効率に優れて
いることがわかった。また、実施例１，２，３および４
においても、基板にＳｎＯ₂のテクスチャー構造を形成
して光拡散層を形成しなかった光電変換素子に比べ、曲
線因子および変換効率が同等かあるいはそれ以上の値が
得られ、より一層の光拡散効果を得ることができる。

【００５０】

【発明の効果】以上のように、この発明によると、基板
上に微粒子を含有する感光性樹脂またはポリイミド樹脂
から形成される光拡散層が設けられ、光拡散層の表面に
凹凸を形成することができるので、十分な光拡散効果を
得ることができる光電変換素子を提供できる。

【００５１】特に、感光性樹脂を用いれば、基板の上に
感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂に光を照射して硬化さ
せるだけで、表面に凹凸を有する光拡散層を形成するこ
とができるので、大掛かりな製造設備を用いずに、容易
に光拡散効果を有する光電変換素子を製造することがで
きる。

【００５２】また、微粒子に安価な酸化ケイ素を用いる
と低コストで光電変換素子を製造でき、粒径が０.０１
〜１０μｍであれば光拡散効果に好適な凹凸を形成する
ことができる。

【００５３】また、基板に電気絶縁性フィルム、ガラス
または金属板を用いれば、軽量で低コストな光電変換素
子とすることができる。

【００５４】また、表面に溝が形成された電気絶縁体
と、表面に凹凸が形成された光拡散層を組み合わせて配
置すれば、電気絶縁体の溝に沿うように凹凸が形成され
ることになり、効果的に光を拡散することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態に係る光電変換素子の断
面図

【図２】同じく光電変換素子の要部断面図

【図３】第２実施形態に係る光電変換素子の断面図

【図４】同じく光電変換素子の要部断面図

【図５】第２実施形態に係る光電変換素子の変形例を示
す断面図

【符号の説明】

１基板２光拡散層３透明導電層５ａ−Ｓｉ層６裏面電極層７裏面金属反射電極層８微粒子１１電気絶縁体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に、表面に凹凸を有する光拡散
層、半導体層および電極層が設けられ、前記光拡散層
は、微粒子を含有する感光性樹脂から形成されたことを
特徴とする光電変換素子。
【請求項２】基板上に、表面に凹凸を有する光拡散
層、半導体層および電極層が設けられ、前記光拡散層
は、微粒子を含有するポリイミド樹脂から形成されたこ
とを特徴とする光電変換素子。
【請求項３】前記微粒子は酸化ケイ素からなり、その
粒径が０.０１〜１０μｍであることを特徴とする請求
項１または２記載の光電変換素子。
【請求項４】前記基板は透光性を有する電気絶縁性フ
ィルムまたはガラスからなり、前記基板の上に前記光拡
散層が配置されたことを特徴とする請求項１ないし３の
いずれかに記載の光電変換素子。
【請求項５】前記基板は金属板からなり、前記基板の
上に表面に溝が形成された電気絶縁体が設けられ、前記
電気絶縁体の上に前記光拡散層が配置されたことを特徴
とする請求項１ないし３のいずれかに記載の光電変換素
子。
【請求項６】前記溝はＶ字状に形成され、その大きさ
はピッチが１０〜３０μｍ、深さが１０〜３０μｍ、開
口角度が４５〜１２０度であることを特徴とする請求項
５記載の光電変換素子。
【請求項７】前記基板は金属板からなり、前記基板の
上に前記光拡散層が配置されたことを特徴とする請求項
１ないし３のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項８】前記基板はステンレス、アルミニウムま
たはめっき鋼材からなり、前記電気絶縁体はポリイミド
樹脂または酸化アルミニウムからなることを特徴とする
請求項５ないし７のいずれかに記載の光電変換素子。
【請求項９】透光性基板の上に微粒子を含有する感光
性樹脂を塗布し、該感光性樹脂に光を照射して硬化させ
表面に凹凸を有する光拡散層を形成し、該光拡散層の上
に透明導電層、半導体層および電極層を順次積層するこ
とを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【請求項１０】金属基板の上に表面に溝を有する電気
絶縁体を形成し該電気絶縁体の上に、あるいは金属基板
単体の上に、微粒子を含有する感光性樹脂を塗布し、該
感光性樹脂に光を照射して硬化させ表面に凹凸を有する
光拡散層を形成し、該光拡散層の上に電極層、半導体層
および透明導電層を順次積層することを特徴とする光電
変換素子の製造方法。
【請求項１１】金属基板の上に表面に溝を有する電気
絶縁体を形成し該電気絶縁体の上に、あるいは金属基板
単体の上に、微粒子を含有するポリイミド樹脂を塗布形
成し、表面に凹凸を有する光拡散層を形成し、該光拡散
層の上に電極層、半導体層および透明導電層を順次積層
することを特徴とする光電変換素子の製造方法。