JPH11135797A - 積層膜の形状加工方法およびそれを利用した薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
積層膜の形状加工方法およびそれを利用した薄膜トランジスタの製造方法Info
- Publication number
- JPH11135797A JPH11135797A JP29925197A JP29925197A JPH11135797A JP H11135797 A JPH11135797 A JP H11135797A JP 29925197 A JP29925197 A JP 29925197A JP 29925197 A JP29925197 A JP 29925197A JP H11135797 A JPH11135797 A JP H11135797A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- metal film
- upper metal
- gate electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010408 film Substances 0.000 title claims abstract description 137
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 114
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 78
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 20
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 92
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 21
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 229910018580 Al—Zr Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 229910003070 TaOx Inorganic materials 0.000 description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 4
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001810 electrochemical catalytic reforming Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｍｏ−Ｗ１０原子％の下層金属膜とＡｌ−Ｚ
ｒ０．９原子％の積層のゲート電極の端面形状を制御
し、層間絶縁層のカバレッジ状態を良好にして絶縁特性
を低下させない薄膜トランジスタの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ガラス基板１上に、半導体層２として多
結晶シリコンを形成する。その上に、ゲート絶縁層４の
ＳｉＯ２形成する。さらに、第１のゲート電極５として
膜厚１００ｎｍのＭｏ−Ｗ１０原子％と第２のゲート電
極６として膜厚１００ｎｍのＡｌ−Ｚｒ０．９原子％の
積層膜をスパッタ法により成膜し、第１のウェットエッ
チングをりん酸・硝酸・酢酸・水の混酸でにより行う。
続いて、フォレジスト７を除去せずに、りん酸・水の混
酸でゲート電極層のエッチングをし第２のゲート電極層
６のサイドエッチングを進行させる。これにより、以降
工程で形成する層間絶縁層８のガバレッジ性を確保でき
る。
ｒ０．９原子％の積層のゲート電極の端面形状を制御
し、層間絶縁層のカバレッジ状態を良好にして絶縁特性
を低下させない薄膜トランジスタの製造方法を提供す
る。 【解決手段】 ガラス基板１上に、半導体層２として多
結晶シリコンを形成する。その上に、ゲート絶縁層４の
ＳｉＯ２形成する。さらに、第１のゲート電極５として
膜厚１００ｎｍのＭｏ−Ｗ１０原子％と第２のゲート電
極６として膜厚１００ｎｍのＡｌ−Ｚｒ０．９原子％の
積層膜をスパッタ法により成膜し、第１のウェットエッ
チングをりん酸・硝酸・酢酸・水の混酸でにより行う。
続いて、フォレジスト７を除去せずに、りん酸・水の混
酸でゲート電極層のエッチングをし第２のゲート電極層
６のサイドエッチングを進行させる。これにより、以降
工程で形成する層間絶縁層８のガバレッジ性を確保でき
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置やイ
メージセンサなどに応用される薄膜トランジスタに関す
るものである。
メージセンサなどに応用される薄膜トランジスタに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、家庭用ビデオカメラのビューファ
インダーやノート型パソコンなどに液晶表示装置が搭載
されているが、これらの液晶表示装置のなかでも高画質
表示が可能なアクティブマトリックス型液晶表示装置が
特に注目されている。このアクティブマトリックス型液
晶表示装置には、画素電極のスイッチング素子として、
薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴと略記する）がよく用いられて
いる。
インダーやノート型パソコンなどに液晶表示装置が搭載
されているが、これらの液晶表示装置のなかでも高画質
表示が可能なアクティブマトリックス型液晶表示装置が
特に注目されている。このアクティブマトリックス型液
晶表示装置には、画素電極のスイッチング素子として、
薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉ
ｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴと略記する）がよく用いられて
いる。
【０００３】本出願人は、特願平８−２８５４２６号に
おいて既に図３に示したＴＦＴアレイを提案している。
これは、ガラス基板１の上に半導体層２が、その上にゲ
ート絶縁層４が、さらにその上のゲート電極がの第１の
ゲート電極層５のＭｏと第２のゲート電極層６のＡｌ−
Ｎｄ３．５％の積層膜で形成されている。そして、半導
体層２に接続するようにソース・ドレイン領域３が形成
されている。そして、層間絶縁層８、コンタクトホー
ル、ソース・ドレイン電極９が形成されてＴＦＴアレイ
が構成されている。
おいて既に図３に示したＴＦＴアレイを提案している。
これは、ガラス基板１の上に半導体層２が、その上にゲ
ート絶縁層４が、さらにその上のゲート電極がの第１の
ゲート電極層５のＭｏと第２のゲート電極層６のＡｌ−
Ｎｄ３．５％の積層膜で形成されている。そして、半導
体層２に接続するようにソース・ドレイン領域３が形成
されている。そして、層間絶縁層８、コンタクトホー
ル、ソース・ドレイン電極９が形成されてＴＦＴアレイ
が構成されている。
【０００４】以上のように構成された従来のＴＦＴアレ
イでは、例えばゲート電極としてＭｏ−Ｗ１０原子％と
Ａｌ−Ｚｒ０．９％の積層膜が使われている。この積層
膜のエッチングはＡｌのエッチング液としてよく用いら
れる燐酸と硝酸を含むエッチング液により容易に可能な
ため、この液を用いた一度のエッチングで加工をしてい
た。
イでは、例えばゲート電極としてＭｏ−Ｗ１０原子％と
Ａｌ−Ｚｒ０．９％の積層膜が使われている。この積層
膜のエッチングはＡｌのエッチング液としてよく用いら
れる燐酸と硝酸を含むエッチング液により容易に可能な
ため、この液を用いた一度のエッチングで加工をしてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うな構成では、積層のゲート電極の端面の形状制御が難
しいため、ゲート電極とソース・ドレイン電極の間の層
間絶縁層の絶縁耐圧低下や配線間ショートが発生しやす
いという課題を有していた。以下に、その課題について
説明する。
うな構成では、積層のゲート電極の端面の形状制御が難
しいため、ゲート電極とソース・ドレイン電極の間の層
間絶縁層の絶縁耐圧低下や配線間ショートが発生しやす
いという課題を有していた。以下に、その課題について
説明する。
【０００６】ゲート電極が積層膜であるため、その端面
のエッチング形状を制御するには、エッチング液組成，
エッチング液温，ゲート電極の材料組成，ゲート電極の
膜厚構成は少なくとも最適化する必要がある。また、異
種金属の積層構造に由来する電池効果による単層膜と積
層膜でのエッチングレート差や、基板表面へのエッチン
グ液の供給状態・当たり方などによりエッチングパター
ン形状によるエッチング状態の違いなども発生する。こ
れらの理由により、基板毎また基板内で再現性よく積層
ゲート電極の端面形状を制御することは難しい。例え
ば、上層ゲート電極のサイドエッチングの進行が遅く、
いわゆるひさし状になってしまうことがあった。このよ
うなゲート電極の上に層間絶縁層を形成した場合、ゲー
ト電極端面部での層間絶縁層のカバレッジ特性が悪くな
り、ソース・ドレイン電極との絶縁耐圧低下や配線間シ
ョートが発生しやすいという課題を有していた。このた
め、積層ゲート電極の端面形状を改善して層間絶縁層の
絶縁特性を低下させない方法が期待されていた。
のエッチング形状を制御するには、エッチング液組成，
エッチング液温，ゲート電極の材料組成，ゲート電極の
膜厚構成は少なくとも最適化する必要がある。また、異
種金属の積層構造に由来する電池効果による単層膜と積
層膜でのエッチングレート差や、基板表面へのエッチン
グ液の供給状態・当たり方などによりエッチングパター
ン形状によるエッチング状態の違いなども発生する。こ
れらの理由により、基板毎また基板内で再現性よく積層
ゲート電極の端面形状を制御することは難しい。例え
ば、上層ゲート電極のサイドエッチングの進行が遅く、
いわゆるひさし状になってしまうことがあった。このよ
うなゲート電極の上に層間絶縁層を形成した場合、ゲー
ト電極端面部での層間絶縁層のカバレッジ特性が悪くな
り、ソース・ドレイン電極との絶縁耐圧低下や配線間シ
ョートが発生しやすいという課題を有していた。このた
め、積層ゲート電極の端面形状を改善して層間絶縁層の
絶縁特性を低下させない方法が期待されていた。
【０００７】本発明はかかる点に鑑み、Ｍｏを主成分と
する下層金属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積
層のゲート電極の端面形状を制御し、層間絶縁層の絶縁
特性を低下させない薄膜トランジスタの製造方法を提供
することを目的としている。
する下層金属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積
層のゲート電極の端面形状を制御し、層間絶縁層の絶縁
特性を低下させない薄膜トランジスタの製造方法を提供
することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明により課題を解決
するための手段は１）２）の２つの構成がある。 １）絶縁性基板の上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート
電極を順に積層してなる薄膜トランジスタの製造工程に
おいて、ゲート電極を形成する工程が、Ｍｏを主成分と
する下層金属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積
層膜を堆積する工程と、前記積層膜を一度にエッチング
し所定の形状に加工する工程と、前記エッチング時に使
用したエッチングマスク材を残したままＡｌを主成分と
する前記上層金属膜の端面を選択的にエッチングする工
程を有することを特徴とするものである。
するための手段は１）２）の２つの構成がある。 １）絶縁性基板の上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート
電極を順に積層してなる薄膜トランジスタの製造工程に
おいて、ゲート電極を形成する工程が、Ｍｏを主成分と
する下層金属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積
層膜を堆積する工程と、前記積層膜を一度にエッチング
し所定の形状に加工する工程と、前記エッチング時に使
用したエッチングマスク材を残したままＡｌを主成分と
する前記上層金属膜の端面を選択的にエッチングする工
程を有することを特徴とするものである。
【０００９】２）絶縁性基板の上に半導体層、ゲート絶
縁層、ゲート電極を順に積層してなる薄膜トランジスタ
の製造工程において、ゲート電極を形成する工程が、Ｍ
ｏを主成分とする下層金属膜とＡｌを主成分とする上層
金属膜との積層膜を堆積する工程と、前記積層膜を一度
にエッチングし所定の形状に加工する工程と、Ａｌを主
成分とする前記上層金属膜の選択的にエッチングし除去
する工程を有することを特徴とするものである。
縁層、ゲート電極を順に積層してなる薄膜トランジスタ
の製造工程において、ゲート電極を形成する工程が、Ｍ
ｏを主成分とする下層金属膜とＡｌを主成分とする上層
金属膜との積層膜を堆積する工程と、前記積層膜を一度
にエッチングし所定の形状に加工する工程と、Ａｌを主
成分とする前記上層金属膜の選択的にエッチングし除去
する工程を有することを特徴とするものである。
【００１０】本発明は前記した２つの構成により、各々
以下の作用がある。 １）積層ゲート電極エッチング時のエッチングマスクを
残した状態で、さらに上層金属膜を選択的にエッチング
する。これにより、下層金属膜の端面よりも上層金属膜
の端面のサイドエッチングを進行させる。従って、積層
ゲート電極の両端面がほぼ揃うか段々形状になり、以降
工程でこの上に形成される層間絶縁層のカバレッジ特性
を損なうことがない。
以下の作用がある。 １）積層ゲート電極エッチング時のエッチングマスクを
残した状態で、さらに上層金属膜を選択的にエッチング
する。これにより、下層金属膜の端面よりも上層金属膜
の端面のサイドエッチングを進行させる。従って、積層
ゲート電極の両端面がほぼ揃うか段々形状になり、以降
工程でこの上に形成される層間絶縁層のカバレッジ特性
を損なうことがない。
【００１１】２）積層ゲート電極エッチング後、上層金
属膜のみを選択的にエッチング除去する。これにより、
下層金属膜のみが残りゲート電極の端面形状が安定し、
以降工程でこの上に形成される層間絶縁層のカバレッジ
特性を損なうことがない。
属膜のみを選択的にエッチング除去する。これにより、
下層金属膜のみが残りゲート電極の端面形状が安定し、
以降工程でこの上に形成される層間絶縁層のカバレッジ
特性を損なうことがない。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、Ｍｏを主成分とする下層金属膜とＡｌを主成分とす
る上層金属膜との積層膜のパターン形状において、前記
積層膜を一度にエッチングする工程と、Ａｌを主成分と
する前記上層金属膜を選択的にエッチングし所定の形状
に加工する工程を有することを特徴とする積層膜の形状
加工方法としたものであり、積層膜エッチング後に上層
金属膜のみを選択的にエッチング加工する。これによ
り、積層膜の端面形状が安定し、以降工程でこの上に形
成される薄膜などのカバレッジ特性を損なうことがない
という作用を有する。
は、Ｍｏを主成分とする下層金属膜とＡｌを主成分とす
る上層金属膜との積層膜のパターン形状において、前記
積層膜を一度にエッチングする工程と、Ａｌを主成分と
する前記上層金属膜を選択的にエッチングし所定の形状
に加工する工程を有することを特徴とする積層膜の形状
加工方法としたものであり、積層膜エッチング後に上層
金属膜のみを選択的にエッチング加工する。これによ
り、積層膜の端面形状が安定し、以降工程でこの上に形
成される薄膜などのカバレッジ特性を損なうことがない
という作用を有する。
【００１３】本発明の請求項２に記載の発明は、Ａｌを
主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定の
形状に加工する工程において、少なくともりん酸を含む
エッチング液でエッチングすることを特徴とする請求項
１記載の積層膜の形状加工方法としたものであり、りん
酸を含むエッチング液により容易に選択的にエッチング
加工でき、また上層金属膜以外の薄膜がこのエッチング
液に対するエッチング速度が遅い場合に有用であるとい
う作用を有する。
主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定の
形状に加工する工程において、少なくともりん酸を含む
エッチング液でエッチングすることを特徴とする請求項
１記載の積層膜の形状加工方法としたものであり、りん
酸を含むエッチング液により容易に選択的にエッチング
加工でき、また上層金属膜以外の薄膜がこのエッチング
液に対するエッチング速度が遅い場合に有用であるとい
う作用を有する。
【００１４】本発明の請求項３に記載の発明は、Ａｌを
主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定の
形状に加工する工程において、有機系アルカリ性エッチ
ング液でエッチングすることを特徴とする請求項１記載
の積層膜の形状加工方法としたものであり、有機系アル
カリ性エッチング液により容易に選択的にエッチング加
工でき、また上層金属膜以外の薄膜がこのエッチング液
に対するエッチング速度が遅い場合に有用であるという
作用を有する。
主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定の
形状に加工する工程において、有機系アルカリ性エッチ
ング液でエッチングすることを特徴とする請求項１記載
の積層膜の形状加工方法としたものであり、有機系アル
カリ性エッチング液により容易に選択的にエッチング加
工でき、また上層金属膜以外の薄膜がこのエッチング液
に対するエッチング速度が遅い場合に有用であるという
作用を有する。
【００１５】本発明の請求項４に記載の発明は、Ａｌを
主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定の
形状に加工する工程において、少なくともテトラ・メチ
ル・アンモニウム・ハイドロオキサイド（以下、ＴＭＡ
Ｈと略記）を含むアルカリ性エッチング液でエッチング
することを特徴とする請求項１記載の積層膜の形状加工
方法としたものであり、少なくともＴＭＡＨを含むアル
カリ性エッチング液により容易に選択的にエッチング加
工でき、また上層金属膜以外の薄膜がこのエッチング液
に対するエッチング速度が遅い場合に有用であるという
作用を有する。
主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定の
形状に加工する工程において、少なくともテトラ・メチ
ル・アンモニウム・ハイドロオキサイド（以下、ＴＭＡ
Ｈと略記）を含むアルカリ性エッチング液でエッチング
することを特徴とする請求項１記載の積層膜の形状加工
方法としたものであり、少なくともＴＭＡＨを含むアル
カリ性エッチング液により容易に選択的にエッチング加
工でき、また上層金属膜以外の薄膜がこのエッチング液
に対するエッチング速度が遅い場合に有用であるという
作用を有する。
【００１６】本発明の請求項５に記載の発明は、Ｍｏを
主成分とする下層金属膜が、少なくともＷを０．５原子
％以上３０原子％以下含む合金であることを特徴とする
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の積層膜の形状加
工方法としたものであり、Ｍｏ−Ｗの合金を用いること
によってＭｏ単体よりも耐湿性などの膜の安定性が向上
し、またＷを０．５原子％以上３０原子％以下含む合金
であれば硝酸を含むＡｌのエッチング液で容易にエッチ
ングが可能であり、Ｗ濃度によってエッチング速度を制
御できるという作用を有する。
主成分とする下層金属膜が、少なくともＷを０．５原子
％以上３０原子％以下含む合金であることを特徴とする
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の積層膜の形状加
工方法としたものであり、Ｍｏ−Ｗの合金を用いること
によってＭｏ単体よりも耐湿性などの膜の安定性が向上
し、またＷを０．５原子％以上３０原子％以下含む合金
であれば硝酸を含むＡｌのエッチング液で容易にエッチ
ングが可能であり、Ｗ濃度によってエッチング速度を制
御できるという作用を有する。
【００１７】本発明の請求項６に記載の発明は、Ａｌを
主成分とする上層金属膜が、少なくともＺｒを０．５原
子％以上１０原子％以下含む合金であることを特徴とす
る請求項１〜請求項５のいずれかに記載の積層膜の形状
加工方法としたものであり、Ａｌ−Ｚｒ合金はヒロック
の発生に関する耐熱性が高いため、熱工程に対する膜の
安定性が良いという作用を有する。
主成分とする上層金属膜が、少なくともＺｒを０．５原
子％以上１０原子％以下含む合金であることを特徴とす
る請求項１〜請求項５のいずれかに記載の積層膜の形状
加工方法としたものであり、Ａｌ−Ｚｒ合金はヒロック
の発生に関する耐熱性が高いため、熱工程に対する膜の
安定性が良いという作用を有する。
【００１８】本発明の請求項７に記載の発明は、Ａｌを
主成分とする上層金属膜が、少なくともＮｄを２原子％
以上５原子％以下含む合金であることを特徴とする請求
項１〜請求項５のいずれかに記載の積層膜の形状加工方
法としたものであり、Ａｌ−Ｎｄ合金はヒロックの発生
に関する耐熱性が高いため、熱工程に対する膜の安定性
が良いという作用を有する。
主成分とする上層金属膜が、少なくともＮｄを２原子％
以上５原子％以下含む合金であることを特徴とする請求
項１〜請求項５のいずれかに記載の積層膜の形状加工方
法としたものであり、Ａｌ−Ｎｄ合金はヒロックの発生
に関する耐熱性が高いため、熱工程に対する膜の安定性
が良いという作用を有する。
【００１９】本発明の請求項８に記載の発明は、絶縁性
基板の上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極を順に
積層してなる薄膜トランジスタの製造工程において、ゲ
ート電極を形成する工程が、Ｍｏを主成分とする下層金
属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積層膜を堆積
する工程と、前記積層膜を一度にエッチングし所定の形
状に加工する工程と、前記エッチング時に使用したエッ
チングマスク材を残したままＡｌを主成分とする前記上
層金属膜の端面を選択的にエッチングする工程を有する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたも
のである。これは、積層ゲート電極エッチング時のエッ
チングマスクを残した状態で、さらに上層金属膜を選択
的にエッチングする。これにより、下層金属膜の端面よ
りも上層金属膜の端面のサイドエッチングを進行させ
る。従って、積層ゲート電極の両端面がほぼ揃うか段々
形状になり、以降工程でこの上に形成される層間絶縁層
のカバレッジ特性を損なうことがないという作用を有す
る。
基板の上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極を順に
積層してなる薄膜トランジスタの製造工程において、ゲ
ート電極を形成する工程が、Ｍｏを主成分とする下層金
属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積層膜を堆積
する工程と、前記積層膜を一度にエッチングし所定の形
状に加工する工程と、前記エッチング時に使用したエッ
チングマスク材を残したままＡｌを主成分とする前記上
層金属膜の端面を選択的にエッチングする工程を有する
ことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたも
のである。これは、積層ゲート電極エッチング時のエッ
チングマスクを残した状態で、さらに上層金属膜を選択
的にエッチングする。これにより、下層金属膜の端面よ
りも上層金属膜の端面のサイドエッチングを進行させ
る。従って、積層ゲート電極の両端面がほぼ揃うか段々
形状になり、以降工程でこの上に形成される層間絶縁層
のカバレッジ特性を損なうことがないという作用を有す
る。
【００２０】本発明の請求項９に記載の発明は、絶縁性
基板の上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極を順に
積層してなる薄膜トランジスタの製造工程において、ゲ
ート電極を形成する工程が、Ｍｏを主成分とする下層金
属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積層膜を堆積
する工程と、前記積層膜を一度にエッチングし所定の形
状に加工する工程と、Ａｌを主成分とする前記上層金属
膜を選択的にエッチングし除去する工程を有することを
特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたものであ
る。これは、積層ゲート電極エッチング後、上層金属膜
のみを選択的にエッチング除去する。これにより、下層
金属膜のみが残りゲート電極の端面形状が安定し、以降
工程でこの上に形成される層間絶縁層のカバレッジ特性
を損なうことがないという作用を有する。
基板の上に半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極を順に
積層してなる薄膜トランジスタの製造工程において、ゲ
ート電極を形成する工程が、Ｍｏを主成分とする下層金
属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積層膜を堆積
する工程と、前記積層膜を一度にエッチングし所定の形
状に加工する工程と、Ａｌを主成分とする前記上層金属
膜を選択的にエッチングし除去する工程を有することを
特徴とする薄膜トランジスタの製造方法としたものであ
る。これは、積層ゲート電極エッチング後、上層金属膜
のみを選択的にエッチング除去する。これにより、下層
金属膜のみが残りゲート電極の端面形状が安定し、以降
工程でこの上に形成される層間絶縁層のカバレッジ特性
を損なうことがないという作用を有する。
【００２１】本発明の請求項１０に記載の発明は、Ａｌ
を主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定
の形状に加工する工程において、少なくともりん酸を含
むエッチング液でエッチングすることを特徴とする請求
項８または請求項９記載の薄膜トランジスタの製造方法
としたものであるが、りん酸を含むエッチング液により
容易に選択的にエッチング加工でき、また上層金属膜以
外の薄膜がこのエッチング液に対するエッチング速度が
遅い場合に有用であるという作用を有する。
を主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定
の形状に加工する工程において、少なくともりん酸を含
むエッチング液でエッチングすることを特徴とする請求
項８または請求項９記載の薄膜トランジスタの製造方法
としたものであるが、りん酸を含むエッチング液により
容易に選択的にエッチング加工でき、また上層金属膜以
外の薄膜がこのエッチング液に対するエッチング速度が
遅い場合に有用であるという作用を有する。
【００２２】本発明の請求項１１に記載の発明は、Ａｌ
を主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定
の形状に加工する工程において、有機系アルカリ性エッ
チング液でエッチングすることを特徴とする請求項８ま
たは請求項９記載の薄膜トランジスタの製造方法とした
ものであり、有機系アルカリ性エッチング液により容易
に選択的にエッチング加工でき、また上層金属膜以外の
薄膜がこのエッチング液に対するエッチング速度が遅い
場合に有用であるという作用を有する。
を主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定
の形状に加工する工程において、有機系アルカリ性エッ
チング液でエッチングすることを特徴とする請求項８ま
たは請求項９記載の薄膜トランジスタの製造方法とした
ものであり、有機系アルカリ性エッチング液により容易
に選択的にエッチング加工でき、また上層金属膜以外の
薄膜がこのエッチング液に対するエッチング速度が遅い
場合に有用であるという作用を有する。
【００２３】本発明の請求項１２に記載の発明は、Ａｌ
を主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定
の形状に加工する工程において、少なくともＴＭＡＨを
含むアルカリ性エッチング液でエッチングすることを特
徴とする請求項８または請求項９記載の薄膜トランジス
タの製造方法としたものであり、少なくともＴＭＡＨを
含むアルカリ性エッチング液により容易に選択的にエッ
チング加工でき、また上層金属膜以外の薄膜がこのエッ
チング液に対するエッチング速度が遅い場合に有用であ
るという作用を有する。
を主成分とする上層金属膜を選択的にエッチングし所定
の形状に加工する工程において、少なくともＴＭＡＨを
含むアルカリ性エッチング液でエッチングすることを特
徴とする請求項８または請求項９記載の薄膜トランジス
タの製造方法としたものであり、少なくともＴＭＡＨを
含むアルカリ性エッチング液により容易に選択的にエッ
チング加工でき、また上層金属膜以外の薄膜がこのエッ
チング液に対するエッチング速度が遅い場合に有用であ
るという作用を有する。
【００２４】本発明の請求項１３に記載の発明は、Ｍｏ
を主成分とする下層金属膜が、少なくともＷを０．５原
子％以上３０原子％以下含む合金であることを特徴とす
る請求項８〜請求項１２のいずれかに記載の薄膜トラン
ジスタの製造方法としたものであり、Ｍｏ−Ｗの合金を
用いることによってＭｏ単体よりも耐湿性などの膜の安
定性が向上し、またＷを０．５原子％以上１０原子％以
下含む合金であれば硝酸を含むＡｌのエッチング液で容
易にエッチングが可能であり、Ｗ濃度によってエッチン
グ速度を制御できるという作用を有する。
を主成分とする下層金属膜が、少なくともＷを０．５原
子％以上３０原子％以下含む合金であることを特徴とす
る請求項８〜請求項１２のいずれかに記載の薄膜トラン
ジスタの製造方法としたものであり、Ｍｏ−Ｗの合金を
用いることによってＭｏ単体よりも耐湿性などの膜の安
定性が向上し、またＷを０．５原子％以上１０原子％以
下含む合金であれば硝酸を含むＡｌのエッチング液で容
易にエッチングが可能であり、Ｗ濃度によってエッチン
グ速度を制御できるという作用を有する。
【００２５】本発明の請求項１４に記載の発明は、Ａｌ
を主成分とする上層金属膜が、少なくともＺｒを０．５
原子％以上３０原子％以下含む合金であることを特徴と
する請求項８〜請求項１３のいずれかに記載の薄膜トラ
ンジスタの製造方法としたものであり、Ａｌ−Ｚｒ合金
はヒロックの発生に関する耐熱性が高いため、熱工程に
対する膜の安定性が良いという作用を有する。
を主成分とする上層金属膜が、少なくともＺｒを０．５
原子％以上３０原子％以下含む合金であることを特徴と
する請求項８〜請求項１３のいずれかに記載の薄膜トラ
ンジスタの製造方法としたものであり、Ａｌ−Ｚｒ合金
はヒロックの発生に関する耐熱性が高いため、熱工程に
対する膜の安定性が良いという作用を有する。
【００２６】本発明の請求項１５に記載の発明は、Ａｌ
を主成分とする上層金属膜が、少なくともＮｄを２原子
％以上５原子％以下含む合金であることを特徴とする請
求項８〜請求項１３のいずれかに記載の薄膜トランジス
タの製造方法としたものであり、Ａｌ−Ｎｄ合金はヒロ
ックの発生に関する耐熱性が高いため、熱工程に対する
膜の安定性が良いという作用を有する。
を主成分とする上層金属膜が、少なくともＮｄを２原子
％以上５原子％以下含む合金であることを特徴とする請
求項８〜請求項１３のいずれかに記載の薄膜トランジス
タの製造方法としたものであり、Ａｌ−Ｎｄ合金はヒロ
ックの発生に関する耐熱性が高いため、熱工程に対する
膜の安定性が良いという作用を有する。
【００２７】以下、本発明の実施の形態について、図１
と図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
薄膜トランジスタ作製工程フロー（断面図）を示すもの
である。
と図２を用いて説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
薄膜トランジスタ作製工程フロー（断面図）を示すもの
である。
【００２８】まず、ガラス基板１の上に、半導体層２の
前駆体として、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍの
非晶質シリコンを成膜し、フォトリソグラフィーおよび
エッチングを用いて島状に加工する。次に、真空中でも
４５０℃２時間の熱アニール処理を行い、次工程のレー
ザアニール処理時に非晶質シリコン中の水素が突沸して
膜質を悪化させないように、非晶質シリコン中の水素量
を減少させる。
前駆体として、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０ｎｍの
非晶質シリコンを成膜し、フォトリソグラフィーおよび
エッチングを用いて島状に加工する。次に、真空中でも
４５０℃２時間の熱アニール処理を行い、次工程のレー
ザアニール処理時に非晶質シリコン中の水素が突沸して
膜質を悪化させないように、非晶質シリコン中の水素量
を減少させる。
【００２９】レーザアニールは、例えば波長３０８ｎｍ
のＸｅＣｌレーザを例えば３００ｍＪ−ｃｍ2程度で照
射し、結晶化させて半導体層２として多結晶シリコンを
形成する。その上に、ゲート絶縁膜４として常圧ＣＶＤ
法により膜厚１００ｎｍの酸化シリコンを形成する。
のＸｅＣｌレーザを例えば３００ｍＪ−ｃｍ2程度で照
射し、結晶化させて半導体層２として多結晶シリコンを
形成する。その上に、ゲート絶縁膜４として常圧ＣＶＤ
法により膜厚１００ｎｍの酸化シリコンを形成する。
【００３０】さらに、第１のゲート電極５として膜厚１
００ｎｍのＭｏ−Ｗ１０原子％と第２のゲート電極６と
して膜厚１００ｎｍのＡｌ−Ｚｒ０．９原子％の積層膜
をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィーおよ
びエッチングを用いて加工する。
００ｎｍのＭｏ−Ｗ１０原子％と第２のゲート電極６と
して膜厚１００ｎｍのＡｌ−Ｚｒ０．９原子％の積層膜
をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィーおよ
びエッチングを用いて加工する。
【００３１】この時のゲート電極層の第１のエッチング
は、例えば４０℃のりん酸（比重１．６９）：硝酸（比
重１．３８）：酢酸（比重１．０５）：水＝１６：１：
２：１（体積比）で混合した混酸のウェットエッチング
により行う。この時のエッチング端面形状は例えば図１
（ａ）に示すようにひさし状になっている。続いて、フ
ォトレジスト７を除去せずに、例えば４０℃のりん酸：
水＝１６：３（体積比）でゲート電極層の第２のエッチ
ングをして第２のゲート電極層６のサイドエッチングを
進行させて、図１（ｂ）に示す端面形状とする。この形
状制御により、以降工程で形成する層間絶縁層８のガバ
レッジ性を確保できる。
は、例えば４０℃のりん酸（比重１．６９）：硝酸（比
重１．３８）：酢酸（比重１．０５）：水＝１６：１：
２：１（体積比）で混合した混酸のウェットエッチング
により行う。この時のエッチング端面形状は例えば図１
（ａ）に示すようにひさし状になっている。続いて、フ
ォトレジスト７を除去せずに、例えば４０℃のりん酸：
水＝１６：３（体積比）でゲート電極層の第２のエッチ
ングをして第２のゲート電極層６のサイドエッチングを
進行させて、図１（ｂ）に示す端面形状とする。この形
状制御により、以降工程で形成する層間絶縁層８のガバ
レッジ性を確保できる。
【００３２】次に図１（ｃ）に示すように、第１のゲー
ト電極層５および第２のゲート電極層６をマスクとして
ドナーとなる燐を半導体層２の一部領域に導入して、ソ
ース・ドレイン領域３を形成する。
ト電極層５および第２のゲート電極層６をマスクとして
ドナーとなる燐を半導体層２の一部領域に導入して、ソ
ース・ドレイン領域３を形成する。
【００３３】このとき、例えば高周波放電プラズマによ
りガスを分解して少なくとも導入すべき元素を含むイオ
ンを生成しそのイオンを質量分離をせずに加速電圧によ
って加速して活性半導体薄層に導入する方法（イオン・
ドーピング法）によって、水素ガスで希釈したホスフィ
ンガスを用いてドナーとなる燐を導入することにより、
４００℃３０分程度の熱処理によって充分に不純物を活
性化することができる。
りガスを分解して少なくとも導入すべき元素を含むイオ
ンを生成しそのイオンを質量分離をせずに加速電圧によ
って加速して活性半導体薄層に導入する方法（イオン・
ドーピング法）によって、水素ガスで希釈したホスフィ
ンガスを用いてドナーとなる燐を導入することにより、
４００℃３０分程度の熱処理によって充分に不純物を活
性化することができる。
【００３４】そして、図１（ｄ）に示すように、層間絶
縁層８として例えば常圧ＣＶＤにより酸化シリコンを４
００ｎｍを形成した後、フォトリソグラフィーおよびエ
ッチングによってコンタクトホールを形成する。
縁層８として例えば常圧ＣＶＤにより酸化シリコンを４
００ｎｍを形成した後、フォトリソグラフィーおよびエ
ッチングによってコンタクトホールを形成する。
【００３５】さらに、ソース・ドレイン電極９を、例え
ば膜厚１００ｎｍのＴｉおよび膜厚４００ｎｍのＡｌを
スパッタ法により成膜・エッチングして形成する。最後
に、水素雰囲気中で３５０℃６０分アニール処理を施
し、半導体層２およびソース・ドレイン領域３の多結晶
シリコン中の欠陥を補償して薄膜トランジスタが完成す
る。
ば膜厚１００ｎｍのＴｉおよび膜厚４００ｎｍのＡｌを
スパッタ法により成膜・エッチングして形成する。最後
に、水素雰囲気中で３５０℃６０分アニール処理を施
し、半導体層２およびソース・ドレイン領域３の多結晶
シリコン中の欠陥を補償して薄膜トランジスタが完成す
る。
【００３６】以上のように構成されたこの実施の形態１
の薄膜トランジスタには、次の効果がある。ゲート電極
層の第１のエッチング後には、端面形状は例えば図１
（ａ）のようにひさし状になっている。その後のゲート
電極層の第２のエッチングにより、第２のゲート電極層
６のサイドエッチングにより形状制御し、図１（ｂ）の
端面形状とする。これにより、層間絶縁層８のガバレッ
ジ性を良好にし、ゲート電極層５，６とソース・ドレイ
ン電極９との絶縁性の良い薄膜トランジスタが得られ
る。
の薄膜トランジスタには、次の効果がある。ゲート電極
層の第１のエッチング後には、端面形状は例えば図１
（ａ）のようにひさし状になっている。その後のゲート
電極層の第２のエッチングにより、第２のゲート電極層
６のサイドエッチングにより形状制御し、図１（ｂ）の
端面形状とする。これにより、層間絶縁層８のガバレッ
ジ性を良好にし、ゲート電極層５，６とソース・ドレイ
ン電極９との絶縁性の良い薄膜トランジスタが得られ
る。
【００３７】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２における薄膜トランジスタ作製工程フロー（断面
図）を示すものである。以下に、この図を用いて実施の
形態２を説明する。まず、ガラス基板１の上に、半導体
層２の前駆体として、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０
ｎｍの非晶質シリコンを成膜し、フォトリソグラフィー
およびエッチングを用いて島状に加工する。次に、真空
中で４５０℃２時間の熱アニール処理を行い、次工程の
レーザアニール処理時に非晶質シリコン中の水素が突沸
して膜質を悪化させないように、非晶質シリコン中の水
素量を減少させる。レーザアニールは、例えば波長３０
８ｎｍのＸｅＣｌレーザを例えば３００ｍＪ／ｃｍ2程
度で照射し、結晶化させて半導体層２として多結晶シリ
コンを形成する。その上に、ゲート絶縁層４として常圧
ＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍの酸化シリコンおよびス
パッタ法により膜厚５０ｎｍのＴａＯｘの積層膜を形成
する。
態２における薄膜トランジスタ作製工程フロー（断面
図）を示すものである。以下に、この図を用いて実施の
形態２を説明する。まず、ガラス基板１の上に、半導体
層２の前駆体として、プラズマＣＶＤ法により膜厚５０
ｎｍの非晶質シリコンを成膜し、フォトリソグラフィー
およびエッチングを用いて島状に加工する。次に、真空
中で４５０℃２時間の熱アニール処理を行い、次工程の
レーザアニール処理時に非晶質シリコン中の水素が突沸
して膜質を悪化させないように、非晶質シリコン中の水
素量を減少させる。レーザアニールは、例えば波長３０
８ｎｍのＸｅＣｌレーザを例えば３００ｍＪ／ｃｍ2程
度で照射し、結晶化させて半導体層２として多結晶シリ
コンを形成する。その上に、ゲート絶縁層４として常圧
ＣＶＤ法により膜厚１００ｎｍの酸化シリコンおよびス
パッタ法により膜厚５０ｎｍのＴａＯｘの積層膜を形成
する。
【００３８】さらに、第１のゲート電極５として膜厚１
００ｎｍのＭｏ−Ｗ１０原子％と第２のゲート電極６と
して膜厚１００ｎｍのＡｌの積層膜をスパッタ法により
成膜し、フォトリソグラフィーおよびエッチングを用い
て加工する。この時のゲート電極層のエッチングは、例
えば４０℃のりん酸（比重１．６９）：硝酸（比重１．
３８）：酢酸（比重１．０５）：水＝１６：１：２：１
（体積比）で混合した混酸のウェットエッチングにより
行う。この時のエッチング端面形状は例えば図２（ａ）
のようにひさし状になっている。次にフォトリソグラフ
ィおよびドライエッチングにより、ゲート絶縁膜４の上
層のＴａＯｘを図２（ｂ）の様に加工する。次に、第１
のゲート電極層５および第２のゲート電極層６をマスク
としてドナーとなる燐を半導体層２の一部領域にイオン
・ドーピング法を用いて導入し、ソース・ドレイン領域
３を形成する。また、このときＴａＯｘで覆われていた
領域に注入される燐は、ソース・ドレイン領域３よりも
少なく、ＬＤＤ（ライトリィー・ドープト・ドレイン）
領域１０が形成される。
００ｎｍのＭｏ−Ｗ１０原子％と第２のゲート電極６と
して膜厚１００ｎｍのＡｌの積層膜をスパッタ法により
成膜し、フォトリソグラフィーおよびエッチングを用い
て加工する。この時のゲート電極層のエッチングは、例
えば４０℃のりん酸（比重１．６９）：硝酸（比重１．
３８）：酢酸（比重１．０５）：水＝１６：１：２：１
（体積比）で混合した混酸のウェットエッチングにより
行う。この時のエッチング端面形状は例えば図２（ａ）
のようにひさし状になっている。次にフォトリソグラフ
ィおよびドライエッチングにより、ゲート絶縁膜４の上
層のＴａＯｘを図２（ｂ）の様に加工する。次に、第１
のゲート電極層５および第２のゲート電極層６をマスク
としてドナーとなる燐を半導体層２の一部領域にイオン
・ドーピング法を用いて導入し、ソース・ドレイン領域
３を形成する。また、このときＴａＯｘで覆われていた
領域に注入される燐は、ソース・ドレイン領域３よりも
少なく、ＬＤＤ（ライトリィー・ドープト・ドレイン）
領域１０が形成される。
【００３９】本実施例の場合、１００ｎｍのＭｏ−Ｗだ
けでは、イオンドーピング時のチャネル領域に対する不
純物の阻止能が不足しており、第２のゲート電極層６の
１００ｎｍのＡｌによって阻止能を確保している。その
後、第２のゲート電極層６をマスクとして、ＴａＯｘを
ドライエッチングにより除去する。このＴａＯｘを除去
する工程は、本実施例により作成したＬＤＤ構造のトラ
ンジスタ特性を十分に引き出すために必要な工程であ
り、これはイオンドーピング工程などで発生したＬＤＤ
領域のＴａＯｘ中の電荷による影響を無くすために必要
である。
けでは、イオンドーピング時のチャネル領域に対する不
純物の阻止能が不足しており、第２のゲート電極層６の
１００ｎｍのＡｌによって阻止能を確保している。その
後、第２のゲート電極層６をマスクとして、ＴａＯｘを
ドライエッチングにより除去する。このＴａＯｘを除去
する工程は、本実施例により作成したＬＤＤ構造のトラ
ンジスタ特性を十分に引き出すために必要な工程であ
り、これはイオンドーピング工程などで発生したＬＤＤ
領域のＴａＯｘ中の電荷による影響を無くすために必要
である。
【００４０】また、このＴａＯｘ除去するときのマスク
としては、マスク合わせ精度に関係してくるフォトレジ
ストは使用できない。このため、ゲート電極層をマスク
にし、ＴａＯｘのドライエッチングを例えばＣＦ4＋Ｏ2
ガスで行うのが最も容易である。このエッチングに対し
て、Ｍｏ−Ｗ１０原子％の第１のゲート電極層５はエッ
チングされるためマスクとして働かないので、その上層
に第２のゲート電極層のＡｌを使用しそれをマスクとし
ている。
としては、マスク合わせ精度に関係してくるフォトレジ
ストは使用できない。このため、ゲート電極層をマスク
にし、ＴａＯｘのドライエッチングを例えばＣＦ4＋Ｏ2
ガスで行うのが最も容易である。このエッチングに対し
て、Ｍｏ−Ｗ１０原子％の第１のゲート電極層５はエッ
チングされるためマスクとして働かないので、その上層
に第２のゲート電極層のＡｌを使用しそれをマスクとし
ている。
【００４１】このＴａＯｘを除去した後、例えば４０℃
のりん酸：水＝１６：３（体積比）で第２のゲート電極
層として残るため、その端面形状は図２（ｃ）のように
なる。したがって、以降工程で形成する層間絶縁層８の
ガバレッジ特性を確保できる。その層間絶縁層８として
例えば常圧ＣＶＤにより酸化シリコンを４００ｎｍを形
成した後、フォトリソグラフィーおよびエッチングによ
ってコンタクトホールを形成する。さらに、ソース・ド
レイン電極９を、例えば膜厚１００ｎｍのＴｉおよび膜
厚４００ｎｍのＡｌをスパッタ法により成膜・エッチン
グして形成する。最後に、水素雰囲気中で３５０℃６０
分アニール処理を施し、半導体層２およびソース・ドレ
イン領域３の多結晶シリコン中の欠陥を補償して薄膜ト
ランジスタが完成する。
のりん酸：水＝１６：３（体積比）で第２のゲート電極
層として残るため、その端面形状は図２（ｃ）のように
なる。したがって、以降工程で形成する層間絶縁層８の
ガバレッジ特性を確保できる。その層間絶縁層８として
例えば常圧ＣＶＤにより酸化シリコンを４００ｎｍを形
成した後、フォトリソグラフィーおよびエッチングによ
ってコンタクトホールを形成する。さらに、ソース・ド
レイン電極９を、例えば膜厚１００ｎｍのＴｉおよび膜
厚４００ｎｍのＡｌをスパッタ法により成膜・エッチン
グして形成する。最後に、水素雰囲気中で３５０℃６０
分アニール処理を施し、半導体層２およびソース・ドレ
イン領域３の多結晶シリコン中の欠陥を補償して薄膜ト
ランジスタが完成する。
【００４２】以上のように構成されたこの実施の形態２
の薄膜トランジスタには、次の効果がある。ゲート電極
層の第１のエッチング後には、端面形状は例えば図２
（ａ）のようにひさし状になっている。その後のゲート
電極層の第２のエッチングにより、第２のゲート電極層
６のサイドエッチングにより形状制御し、図２（ｃ）の
端面形状とする。これにより、層間絶縁膜８のガバレッ
ジ性を良好にし、ゲート電極層５，６とソース・ドレイ
ン電極９との絶縁性の良い薄膜トランジスタが得られ
る。また、第１のゲート電極層５に用いたＭｏ系合金は
耐湿性などに関して比較的不安定な材料であるため、上
層に層間絶縁層８を形成する直前までの間に極力表面を
大気中に出さないで変質を防ぐ効果もある。
の薄膜トランジスタには、次の効果がある。ゲート電極
層の第１のエッチング後には、端面形状は例えば図２
（ａ）のようにひさし状になっている。その後のゲート
電極層の第２のエッチングにより、第２のゲート電極層
６のサイドエッチングにより形状制御し、図２（ｃ）の
端面形状とする。これにより、層間絶縁膜８のガバレッ
ジ性を良好にし、ゲート電極層５，６とソース・ドレイ
ン電極９との絶縁性の良い薄膜トランジスタが得られ
る。また、第１のゲート電極層５に用いたＭｏ系合金は
耐湿性などに関して比較的不安定な材料であるため、上
層に層間絶縁層８を形成する直前までの間に極力表面を
大気中に出さないで変質を防ぐ効果もある。
【００４３】なお、実施の形態１，２では、半導体層の
前駆体の形成方法としてプラズマＣＶＤ法を用いたが、
減圧ＣＶＤ法，スパッタ法，真空蒸着法，または光ＣＶ
Ｄ法など、所定の前駆体を形成できるものなら何でもよ
い。
前駆体の形成方法としてプラズマＣＶＤ法を用いたが、
減圧ＣＶＤ法，スパッタ法，真空蒸着法，または光ＣＶ
Ｄ法など、所定の前駆体を形成できるものなら何でもよ
い。
【００４４】なお、実施の形態１，２では、半導体層の
前駆体を結晶化するためにＸｅＣｌレーザ光を照射した
が、これは前駆体を結晶化できる方法ならば何でもよ
く、Ａｒイオンレーザ光の照射や炉による熱アニールな
どでもよい。
前駆体を結晶化するためにＸｅＣｌレーザ光を照射した
が、これは前駆体を結晶化できる方法ならば何でもよ
く、Ａｒイオンレーザ光の照射や炉による熱アニールな
どでもよい。
【００４５】なお、実施の形態１，２では、半導体層と
して多結晶シリコンを用いたが、半導体として働くもの
なら何でもよく、非晶質シリコン，微結晶シリコン，単
結晶シリコンや、ゲルマニウム，シリコンゲルマニウ
ム，ガリウム砒素などでもよい。
して多結晶シリコンを用いたが、半導体として働くもの
なら何でもよく、非晶質シリコン，微結晶シリコン，単
結晶シリコンや、ゲルマニウム，シリコンゲルマニウ
ム，ガリウム砒素などでもよい。
【００４６】なお、実施の形態１，２では、ゲート絶縁
層として常圧ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ２を用いた
が、これは酸化シリコンなら何でもよく、例えば減圧Ｃ
ＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，スパッタ法，またはＥＣＲ
−ＣＶＤ法などの成膜手法を用いて形成した酸化シリコ
ンなどでもよい。
層として常圧ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ２を用いた
が、これは酸化シリコンなら何でもよく、例えば減圧Ｃ
ＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，スパッタ法，またはＥＣＲ
−ＣＶＤ法などの成膜手法を用いて形成した酸化シリコ
ンなどでもよい。
【００４７】なお、実施の形態２では、ゲート絶縁膜と
してスパッタ法により形成したＴａＯｘを用いたが、こ
れはゲート絶縁層として働くものなら何でもよく、例え
ば減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，スパッタ法，また
はＥＣＲ−ＣＶＤ法などの成膜手法を用いて形成したＳ
ｉＮｘなどでもよい。
してスパッタ法により形成したＴａＯｘを用いたが、こ
れはゲート絶縁層として働くものなら何でもよく、例え
ば減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，スパッタ法，また
はＥＣＲ−ＣＶＤ法などの成膜手法を用いて形成したＳ
ｉＮｘなどでもよい。
【００４８】なお、実施の形態１，２では、第１のゲー
ト電極５としてＭｏ−Ｗ１０原子％を用いたが、これ
は、Ｍｏを主成分とする材料で硝酸でエッチング可能で
ありりん酸でエッチングされないものなら何でもよく、
ＭｏやＭｏを主成分とし少なくともＷを０．５原子％以
上３０原子％以下を含む合金などでもよい。
ト電極５としてＭｏ−Ｗ１０原子％を用いたが、これ
は、Ｍｏを主成分とする材料で硝酸でエッチング可能で
ありりん酸でエッチングされないものなら何でもよく、
ＭｏやＭｏを主成分とし少なくともＷを０．５原子％以
上３０原子％以下を含む合金などでもよい。
【００４９】なお、実施の形態１，２では第２のゲート
電極６として、それぞれＡｌ−Ｚｒ０．９原子％，Ａｌ
を用いたが、これはＡｌを主成分とする金属なら何でも
よく、ＡｌやＡｌを主成分とし少なくともＺｒを０．５
原子％以上１０原子％以下を含む合金などでもよく、ま
た例えばＡｌを主成分とし少なくともＮｄを２原子％以
上５原子％以下を含む合金などでもよい。
電極６として、それぞれＡｌ−Ｚｒ０．９原子％，Ａｌ
を用いたが、これはＡｌを主成分とする金属なら何でも
よく、ＡｌやＡｌを主成分とし少なくともＺｒを０．５
原子％以上１０原子％以下を含む合金などでもよく、ま
た例えばＡｌを主成分とし少なくともＮｄを２原子％以
上５原子％以下を含む合金などでもよい。
【００５０】なお、実施の形態１，２では、所定の元素
を導入する方法としてイオン・ドーピング法を用いた
が、これは所定の元素を導入できる方法ならば何でもよ
く、イオン注入法やプラズマドーピング法などでもよ
い。
を導入する方法としてイオン・ドーピング法を用いた
が、これは所定の元素を導入できる方法ならば何でもよ
く、イオン注入法やプラズマドーピング法などでもよ
い。
【００５１】なお、実施の形態１，２では、ソース・ド
レイン領域を形成するドナーとして燐を用いたが、これ
はｎチャンネルの薄膜トランジスタを作製する場合には
砒素などドナーとして働くものならなんでもよく、ｐチ
ャネルの薄膜トランジスタを作製する場合にはアルミニ
ウムやほう素などアクセプターとして働くものならば何
でもよい。
レイン領域を形成するドナーとして燐を用いたが、これ
はｎチャンネルの薄膜トランジスタを作製する場合には
砒素などドナーとして働くものならなんでもよく、ｐチ
ャネルの薄膜トランジスタを作製する場合にはアルミニ
ウムやほう素などアクセプターとして働くものならば何
でもよい。
【００５２】なお、実施の形態１，２では、ソース・ド
レイン電極としてＴｉとＡｌの積層膜を用いたが、これ
は電極として働くものなら何でもよく、たとえばＴｉ，
Ｃｒ，Ｔａ，Ｍｏ，Ａｌなどの金属や不純物を大量にド
ープした多結晶シリコンやＩＴＯなどの透明導電層など
でもよい。
レイン電極としてＴｉとＡｌの積層膜を用いたが、これ
は電極として働くものなら何でもよく、たとえばＴｉ，
Ｃｒ，Ｔａ，Ｍｏ，Ａｌなどの金属や不純物を大量にド
ープした多結晶シリコンやＩＴＯなどの透明導電層など
でもよい。
【００５３】なお、実施の形態１，２では、層間絶縁層
として常圧ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ２を用いた
が、これは絶縁層として働くものなら何でもよく、例え
ば減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，スパッタ法，また
はＥＣＲ−ＣＶＤ法などの成膜手法を用いて形成した窒
化シリコンや酸化タンタルなどでもよい。
として常圧ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ２を用いた
が、これは絶縁層として働くものなら何でもよく、例え
ば減圧ＣＶＤ法，プラズマＣＶＤ法，スパッタ法，また
はＥＣＲ−ＣＶＤ法などの成膜手法を用いて形成した窒
化シリコンや酸化タンタルなどでもよい。
【００５４】なお、実施の形態１，２では、ガラス基板
を用いたが、これは表面が絶縁性のものならば何でもよ
く、プラスチック基板や表面に酸化シリコンを形成した
結晶シリコン基板や金属板などでもよい。
を用いたが、これは表面が絶縁性のものならば何でもよ
く、プラスチック基板や表面に酸化シリコンを形成した
結晶シリコン基板や金属板などでもよい。
【００５５】なお、実施の形態１，２では、第２のゲー
ト電極層を選択的にエッチングする工程でりん酸：水＝
１６：３（体積比）を用いたが、これは第２のゲート電
極層６のエッチング選択比が第１のゲート電極層５に対
して充分あるものなら何でもよく、たとえばりん酸と酢
酸と水の酸性エッチング液やテトラ・メチル・アンモニ
ウム・ハイドロオキサンド（ＴＭＡＨ）を主成分とする
アルカリ性エッチング液などでもよい。
ト電極層を選択的にエッチングする工程でりん酸：水＝
１６：３（体積比）を用いたが、これは第２のゲート電
極層６のエッチング選択比が第１のゲート電極層５に対
して充分あるものなら何でもよく、たとえばりん酸と酢
酸と水の酸性エッチング液やテトラ・メチル・アンモニ
ウム・ハイドロオキサンド（ＴＭＡＨ）を主成分とする
アルカリ性エッチング液などでもよい。
【００５６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、Ｍｏを主
成分とする下層金属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜
との積層のゲート電極の端面形状を制御し、層間絶縁層
の絶縁特性を低下させない薄膜トランジスタの製造する
ことができるという有効な効果が得られる。
成分とする下層金属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜
との積層のゲート電極の端面形状を制御し、層間絶縁層
の絶縁特性を低下させない薄膜トランジスタの製造する
ことができるという有効な効果が得られる。
【図１】本発明の実施の形態１における薄膜トランジス
タの製造工程の断面図
タの製造工程の断面図
【図２】本発明の実施の形態２における薄膜トランジス
タの製造工程の断面図
タの製造工程の断面図
【図３】従来例の薄膜トランジスタの断面図
１ ガラス基板 ２ 半導体層 ３ ソース・ドレイン領域 ４ ゲート絶縁層 ５ 第１のゲート電極層 ６ 第２のゲート電極層 ７ フォトレジスト ８ 層間絶縁層 ９ ソース・ドレイン電極 １０ ＬＤＤ領域
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/3205 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｒ 21/336 29/78 ６１７Ｖ (72)発明者 小林 郁典 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (15)
- 【請求項１】 Ｍｏを主成分とする下層金属膜とＡｌを
主成分とする上層金属膜との積層膜のパターン形成にお
いて、前記積層膜を一度にエッチングする工程と、Ａｌ
を主成分とする前記上層金属膜を選択的にエッチングし
所定の形状に加工する工程を有することを特徴とする積
層膜の形状加工方法。 - 【請求項２】 Ａｌを主成分とする上層金属膜を選択的
にエッチングし所定の形状に加工する工程において、少
なくともりん酸を含むエッチング液でエッチングするこ
とを特徴とする請求項１記載の積層膜の形状加工方法。 - 【請求項３】 Ａｌを主成分とする上層金属膜を選択的
にエッチングし所定の形状に加工する工程において、有
機系アルカリ性エッチング液でエッチングすることを特
徴とする請求項１記載の積層膜の形状加工方法。 - 【請求項４】 Ａｌを主成分とする上層金属膜を選択的
にエッチングし所定の形状に加工する工程において、少
なくともテトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキ
サイドを含むアルカリ性エッチング液でエッチングする
ことを特徴とする請求項１記載の積層膜の形状加工方
法。 - 【請求項５】 Ｍｏを主成分とする下層金属膜が、少な
くともＷを０．５原子％以上３０原子％以下含む合金で
あることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに
記載の積層膜の形状加工方法。 - 【請求項６】 Ａｌを主成分とする上層金属膜が、少な
くともＺｒを０．５原子％以上１０原子％以下含む合金
であることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか
に記載の積層膜の形状加工方法。 - 【請求項７】 Ａｌを主成分とする上層金属膜が、少な
くともＮｄを２原子％以上５原子％以下含む合金である
ことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載
の積層膜の形状加工方法。 - 【請求項８】 絶縁性基板の上に半導体層、ゲート絶縁
層、ゲート電極を順に積層してなる薄膜トランジスタの
製造工程において、 ゲート電極を形成する工程が、Ｍｏを主成分とする下層
金属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積層膜を堆
積する工程と、前記積層膜を一度にエッチングし所定の
形状に加工する工程と、前記エッチング時に使用したエ
ッチングマスク材を残したままＡｌを主成分とする前記
上層金属膜の端面を選択的にエッチングする工程を有す
ることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項９】 絶縁性基板の上に半導体層、ゲート絶縁
層、ゲート電極を順に積層してなる薄膜トランジスタの
製造工程において、 ゲート電極を形成する工程が、Ｍｏを主成分とする下層
金属膜とＡｌを主成分とする上層金属膜との積層膜を堆
積する工程と、前記積層膜を一度にエッチングし所定の
形状に加工する工程と、Ａｌを主成分とする前記上層金
属膜を選択的にエッチングし除去する工程を有すること
を特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項１０】 Ａｌを主成分とする上層金属膜を選択
的にエッチングし所定の形状に加工する工程において、
少なくともりん酸を含むエッチング液でエッチングする
ことを特徴とする請求項８または請求項９記載の薄膜ト
ランジスタの製造方法。 - 【請求項１１】 Ａｌを主成分とする上層金属膜を選択
的にエッチングし所定の形状に加工する工程において、
有機系アルカリ性エッチング液でエッチングすることを
特徴とする請求項８または９記載の薄膜トランジスタの
製造方法。 - 【請求項１２】 Ａｌを主成分とする上層金属膜を選択
的にエッチングし所定の形状に加工する工程において、
少なくともテトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオ
キサイドを含むアルカリ性エッチング液でエッチングす
ることを特徴とする請求項８または請求項９記載の薄膜
トランジスタの製造方法。 - 【請求項１３】 Ｍｏを主成分とする下層金属膜が、少
なくともＷを０．５原子％以上３０原子％以下含む合金
であることを特徴とする請求項８〜請求項１２のいずれ
かに記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項１４】 Ａｌを主成分とする上層金属膜が、少
なくともＺｒを０．５原子％以上１０原子％以下含む合
金であることを特徴とする請求項８〜請求項１３のいず
れかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 【請求項１５】 Ａｌを主成分とする上層金属膜が、少
なくともＮｄを２原子％以上５原子％以下含む合金であ
ることを特徴とする請求項８〜請求項１３のいずれかに
記載の薄膜トランジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29925197A JPH11135797A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 積層膜の形状加工方法およびそれを利用した薄膜トランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29925197A JPH11135797A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 積層膜の形状加工方法およびそれを利用した薄膜トランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135797A true JPH11135797A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17870118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29925197A Pending JPH11135797A (ja) | 1997-10-31 | 1997-10-31 | 積層膜の形状加工方法およびそれを利用した薄膜トランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135797A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110631A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 多層薄膜パターンの製造方法 |
| KR20020067744A (ko) * | 2001-02-17 | 2002-08-24 | 김동식 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
| JP2009076867A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2010199237A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JP2012500480A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド | バリア層除去方法及び装置 |
-
1997
- 1997-10-31 JP JP29925197A patent/JPH11135797A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002110631A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Toshiba Corp | 多層薄膜パターンの製造方法 |
| KR20020067744A (ko) * | 2001-02-17 | 2002-08-24 | 김동식 | 박막트랜지스터의 제조방법 |
| JP2009076867A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-04-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| WO2009093762A1 (ja) * | 2008-07-22 | 2009-07-30 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 半導体素子の製造方法 |
| KR101087851B1 (ko) * | 2008-07-22 | 2011-11-30 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| JP2012500480A (ja) * | 2008-08-20 | 2012-01-05 | エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド | バリア層除去方法及び装置 |
| US8598039B2 (en) | 2008-08-20 | 2013-12-03 | Acm Research (Shanghai) Inc. | Barrier layer removal method and apparatus |
| JP2010199237A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7122833B2 (en) | Semiconductor integrated circuit and method of fabricating same | |
| JP2564725B2 (ja) | Ｍｏｓ型トランジスタの作製方法 | |
| JP3282582B2 (ja) | トップゲート型薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP3122177B2 (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法 | |
| US20050148119A1 (en) | Method of manufacturing thin film transistor, method of manufacturing flat panel display, thin film transistor, and flat panel display | |
| JPH11135797A (ja) | 積層膜の形状加工方法およびそれを利用した薄膜トランジスタの製造方法 | |
| CN100437948C (zh) | 薄膜晶体管及半导体元件的制作方法 | |
| JP2776276B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP4304374B2 (ja) | トップゲート型薄膜トランジスタ | |
| CN100382255C (zh) | 平坦多晶硅薄膜晶体管的制作方法 | |
| JP3291069B2 (ja) | 半導体装置とその作製方法 | |
| JP3613221B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2002009298A (ja) | 薄膜半導体素子とその製造方法及び液晶表示装置 | |
| JPH10209452A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2003149677A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ基板 | |
| JP2776411B2 (ja) | 順スタガ型薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH11345975A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
| JP3312541B2 (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| KR20070050572A (ko) | 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 | |
| JP2001135822A (ja) | 薄膜トランジスタとその製造方法および液晶表示装置 | |
| JP2002353139A (ja) | 薄膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP4485303B2 (ja) | 透過型表示装置の作製方法 | |
| JPH10135462A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH07122752A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2005217368A (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |