JPH11101620A - 半田付け検査装置 - Google Patents
半田付け検査装置Info
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- JPH11101620A JPH11101620A JP9279843A JP27984397A JPH11101620A JP H11101620 A JPH11101620 A JP H11101620A JP 9279843 A JP9279843 A JP 9279843A JP 27984397 A JP27984397 A JP 27984397A JP H11101620 A JPH11101620 A JP H11101620A
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Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半田付け状態のさらに詳細な判定を、電極の
形状等に左右されることなく正確に行うことができる。 【解決手段】 撮像装置8によって半田付けされた電極
の画像を得、この画像がデータ処理装置に送られる。C
PU61は画像の輝度ヒストグラムを算出する。ニュー
ラルネットワーク65が設けられ、上記画像の輝度ヒス
トグラムを入力信号とし、上記電極の半田付け状態を目
視した評価値を教師信号として予め学習させられてい
る。検査対象となる半田付けされた電極の輝度ヒストグ
ラムを学習済みの上記ニューラルネットワーク65に入
力して当該半田付けされた電極の評価値を得る。
形状等に左右されることなく正確に行うことができる。 【解決手段】 撮像装置8によって半田付けされた電極
の画像を得、この画像がデータ処理装置に送られる。C
PU61は画像の輝度ヒストグラムを算出する。ニュー
ラルネットワーク65が設けられ、上記画像の輝度ヒス
トグラムを入力信号とし、上記電極の半田付け状態を目
視した評価値を教師信号として予め学習させられてい
る。検査対象となる半田付けされた電極の輝度ヒストグ
ラムを学習済みの上記ニューラルネットワーク65に入
力して当該半田付けされた電極の評価値を得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半田付け検査装置に
関し、単に半田付けの良否のみならず、良否の程度等の
詳細判定情報を、電極の形状等に左右されることなく、
ベテラン検査員の正確さをもって得ることができる半田
付け検査装置に関する。
関し、単に半田付けの良否のみならず、良否の程度等の
詳細判定情報を、電極の形状等に左右されることなく、
ベテラン検査員の正確さをもって得ることができる半田
付け検査装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半田付け検査装置として、例えば特開平
6−174444号公報には、半田付け状態毎に予めそ
の濃度(輝度)ヒストグラムを標準濃度ヒストグラムと
して登録しておき、半田付けされた電極の濃淡画像より
その濃度ヒストグラムを作成して、これと度数差の総和
が最も小さい標準濃度ヒストグラムに対応する半田付け
状態にあるものと判定する装置が提案されている。
6−174444号公報には、半田付け状態毎に予めそ
の濃度(輝度)ヒストグラムを標準濃度ヒストグラムと
して登録しておき、半田付けされた電極の濃淡画像より
その濃度ヒストグラムを作成して、これと度数差の総和
が最も小さい標準濃度ヒストグラムに対応する半田付け
状態にあるものと判定する装置が提案されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の半
田付け検査装置では、例えば良品ではあるがやや半田が
少ないとか、良品ではあるがやや半田が多い等の、さら
に詳細な工程管理上の半田付け情報を正確に得ることは
困難であるという問題がある。
田付け検査装置では、例えば良品ではあるがやや半田が
少ないとか、良品ではあるがやや半田が多い等の、さら
に詳細な工程管理上の半田付け情報を正確に得ることは
困難であるという問題がある。
【0004】また、半田付けされる電極の形状や大きさ
等により濃度ヒストグラムが変化するため、電極形状等
によっては誤判定を生じるという問題があった。
等により濃度ヒストグラムが変化するため、電極形状等
によっては誤判定を生じるという問題があった。
【0005】そこで、本発明はこのような課題を解決す
るもので、半田付け状態のさらに詳細な判定を、電極の
形状等に左右されることなく正確に行うことが可能な半
田付け検査装置を提供することを目的とする。
るもので、半田付け状態のさらに詳細な判定を、電極の
形状等に左右されることなく正確に行うことが可能な半
田付け検査装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、半田付けされた電極(9)の画像を得
る手段(8)と、上記画像の輝度ヒストグラムを算出す
る手段(6,103)と、半田付けされた所定の電極
(9)について、その画像の輝度ヒストグラムを入力信
号とし、上記所定の電極の半田付け状態を目視した評価
値を教師信号として学習させたニューラルネットワーク
(65)とを具備し、検査対象となる半田付けされた電
極(9)の輝度ヒストグラムをニューラルネットワーク
(65)に入力して当該半田付けされた電極(9)の評
価値を得る。
め、本発明では、半田付けされた電極(9)の画像を得
る手段(8)と、上記画像の輝度ヒストグラムを算出す
る手段(6,103)と、半田付けされた所定の電極
(9)について、その画像の輝度ヒストグラムを入力信
号とし、上記所定の電極の半田付け状態を目視した評価
値を教師信号として学習させたニューラルネットワーク
(65)とを具備し、検査対象となる半田付けされた電
極(9)の輝度ヒストグラムをニューラルネットワーク
(65)に入力して当該半田付けされた電極(9)の評
価値を得る。
【0007】本発明においては、ベテラン検査員の半田
付け状態を目視した評価値とこの時の輝度ヒストグラム
を関連させてニューラルネットワークに学習させ、検査
時にその学習結果を再現するようにしているから、ベテ
ラン検査員なみの詳細な半田付け状態の判定が可能であ
る。
付け状態を目視した評価値とこの時の輝度ヒストグラム
を関連させてニューラルネットワークに学習させ、検査
時にその学習結果を再現するようにしているから、ベテ
ラン検査員なみの詳細な半田付け状態の判定が可能であ
る。
【0008】電極が複数種ある場合には、ニューラルネ
ットワークを各電極に対応させて複数設け、これらニュ
ーラルネットワークでそれぞれ各電極の半田付け状態を
学習するようにすれば、電極の形状等の相違に左右され
ることなく、正確な半田付け状態の判定が可能である。
ットワークを各電極に対応させて複数設け、これらニュ
ーラルネットワークでそれぞれ各電極の半田付け状態を
学習するようにすれば、電極の形状等の相違に左右され
ることなく、正確な半田付け状態の判定が可能である。
【0009】電極が複数種ある場合に、輝度ヒストグラ
ムに加えて電極の種類をニューラルネットワークの入力
信号として学習させるようにすれば、単一のニューラル
ネットワークによっても、形状等の相違に左右されるこ
となく複数種の電極の半田付け状態を正確に判定するこ
とができる。
ムに加えて電極の種類をニューラルネットワークの入力
信号として学習させるようにすれば、単一のニューラル
ネットワークによっても、形状等の相違に左右されるこ
となく複数種の電極の半田付け状態を正確に判定するこ
とができる。
【0010】なお、上記カッコ内の符号は、後述する実
施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであ
る。
施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものであ
る。
【0011】
(第1実施形態)図1には半田付け検査装置の全体構成
を示す。図において、ディスクリート部品1はそのリー
ド11がプリント基板2のスルーホール21内に挿入さ
れて、半田付け部3によってプリント基板2上の電極
(図示略)に接続固定されている。プリント基板2は移
動テーブル4上に載置されており、プリント基板2上に
半田付けされた多数のディスクリート部品1のうちの一
つが、移動テーブル4によって順次照明装置5の直下に
移送され位置決めされる。この移動テーブル4はX軸ス
テージ41とY軸ステージ42で構成されて、プリント
基板2を二次元のX−Y平面上で位置決めすることがで
きる。X軸ステージ41とY軸ステージ42は位置決め
回路72の出力によりサーボ制御されている。
を示す。図において、ディスクリート部品1はそのリー
ド11がプリント基板2のスルーホール21内に挿入さ
れて、半田付け部3によってプリント基板2上の電極
(図示略)に接続固定されている。プリント基板2は移
動テーブル4上に載置されており、プリント基板2上に
半田付けされた多数のディスクリート部品1のうちの一
つが、移動テーブル4によって順次照明装置5の直下に
移送され位置決めされる。この移動テーブル4はX軸ス
テージ41とY軸ステージ42で構成されて、プリント
基板2を二次元のX−Y平面上で位置決めすることがで
きる。X軸ステージ41とY軸ステージ42は位置決め
回路72の出力によりサーボ制御されている。
【0012】照明装置5は複数の円環状照明リング51
〜54を有し、これら照明リング51〜54は上下方向
へ間隔をおいて同心状に配設されるとともに、上方へ向
かうにつれて小径となっている。照明リング51は周方
向へ4区画され、各区画毎に多数の発光ダイオードが設
けられている。他の照明リング52〜54も同一構造で
ある。照明リング51〜54はそれぞれ照明制御回路7
1へ接続され、照明制御回路71は各照明リング51〜
54の各区画毎に、発光ダイオード群を通電発光させる
ことができる。なお、最上段の照明リング54はプリン
ト基板2の位置合わせ時に使用するものであり、半田付
け検査では残る下段の照明リング51〜53が使用され
る。
〜54を有し、これら照明リング51〜54は上下方向
へ間隔をおいて同心状に配設されるとともに、上方へ向
かうにつれて小径となっている。照明リング51は周方
向へ4区画され、各区画毎に多数の発光ダイオードが設
けられている。他の照明リング52〜54も同一構造で
ある。照明リング51〜54はそれぞれ照明制御回路7
1へ接続され、照明制御回路71は各照明リング51〜
54の各区画毎に、発光ダイオード群を通電発光させる
ことができる。なお、最上段の照明リング54はプリン
ト基板2の位置合わせ時に使用するものであり、半田付
け検査では残る下段の照明リング51〜53が使用され
る。
【0013】ディスクリート部品1はそのリード11
(すなわちスルーホール21)が照明装置5の中心軸上
に位置決めされており、各照明リング51〜53から発
する照明光は、リード11の半田付け部3に対してそれ
ぞれ異なる角度で入射する。各照明光の入射角度は上段
の照明リング53から発したものほど大きくなり、本実
施形態では3°〜70°の範囲内に設定されている。
「正常」な半田付け部3は、図2に示すように、なだら
かな裾部から急峻な頂部へと立ち上がる山型断面を有
し、プリント基板2に対して大きな角度で入射した光L
1 は半田付け部3の裾部で反射されて上方へ向かい、小
さい角度で入射した光L2 は頂部で反射されて上方へ向
かう。したがって、「正常」な半田付け部3ではほぼ電
極9の全面で上方へ向かう高輝度の反射光を生じる。
(すなわちスルーホール21)が照明装置5の中心軸上
に位置決めされており、各照明リング51〜53から発
する照明光は、リード11の半田付け部3に対してそれ
ぞれ異なる角度で入射する。各照明光の入射角度は上段
の照明リング53から発したものほど大きくなり、本実
施形態では3°〜70°の範囲内に設定されている。
「正常」な半田付け部3は、図2に示すように、なだら
かな裾部から急峻な頂部へと立ち上がる山型断面を有
し、プリント基板2に対して大きな角度で入射した光L
1 は半田付け部3の裾部で反射されて上方へ向かい、小
さい角度で入射した光L2 は頂部で反射されて上方へ向
かう。したがって、「正常」な半田付け部3ではほぼ電
極9の全面で上方へ向かう高輝度の反射光を生じる。
【0014】図3は「半田過少」の場合の半田付け部3
の断面で、この場合は、正常なときのものに比して半田
付け部3の断面が相似的に縮小し、上方へ向かう高輝度
の反射光を生じる領域は大幅に減少する。また、図4は
スルーホール21が一部露出した「穴あき」の半田付け
部3の断面であり、この場合は、半田が付いている領域
では上方へ向かう高輝度の反射光を生じるものの、半田
の無い部分はその輝度が非常に低い。図5は「半田過
多」の半田付け部3の断面であり、この場合は半田付け
部3の内周部が平坦面に、外周部は急峻面になるため、
上方へ向かう高輝度の反射光を生じる適度な傾斜面の領
域はやはり少なくなる。このように、半田付けの状態に
よって反射光の強度や分布が異なる。
の断面で、この場合は、正常なときのものに比して半田
付け部3の断面が相似的に縮小し、上方へ向かう高輝度
の反射光を生じる領域は大幅に減少する。また、図4は
スルーホール21が一部露出した「穴あき」の半田付け
部3の断面であり、この場合は、半田が付いている領域
では上方へ向かう高輝度の反射光を生じるものの、半田
の無い部分はその輝度が非常に低い。図5は「半田過
多」の半田付け部3の断面であり、この場合は半田付け
部3の内周部が平坦面に、外周部は急峻面になるため、
上方へ向かう高輝度の反射光を生じる適度な傾斜面の領
域はやはり少なくなる。このように、半田付けの状態に
よって反射光の強度や分布が異なる。
【0015】図1において、照明装置5の上方にはその
中心軸上にCCDカメラ等の撮像装置8が設けてあり、
撮像装置8は上記半田付け部3からの上方への反射光を
入射してその画像を得る。撮像装置8で得られた画像
は、データ処理装置6へ送られる。データ処理装置6は
内部に、入力および出力の各インターフェース62,6
3、CPU61、ビデオRAMを含む各種メモリ64、
およびニューラルネットワーク65等を有するととも
に、キーボード等の入力器66や、表示器67が接続さ
れている。CPU61は既述の照明制御回路71や位置
決め回路72の作動を制御するとともに、後述する手順
でニューラルネットワーク65を学習させ、学習済みの
ニューラルネットワーク65を使用して半田付けの評価
を行う。
中心軸上にCCDカメラ等の撮像装置8が設けてあり、
撮像装置8は上記半田付け部3からの上方への反射光を
入射してその画像を得る。撮像装置8で得られた画像
は、データ処理装置6へ送られる。データ処理装置6は
内部に、入力および出力の各インターフェース62,6
3、CPU61、ビデオRAMを含む各種メモリ64、
およびニューラルネットワーク65等を有するととも
に、キーボード等の入力器66や、表示器67が接続さ
れている。CPU61は既述の照明制御回路71や位置
決め回路72の作動を制御するとともに、後述する手順
でニューラルネットワーク65を学習させ、学習済みの
ニューラルネットワーク65を使用して半田付けの評価
を行う。
【0016】ここで、図6にニューラルネットワークの
構成を示す。ニューラルネットワーク65は実際には半
田付けされる電極の形状、大きさ等の種類に応じてA,
B,…,Nと複数設けられており、各ニューラルネット
ワーク65A〜65Nは信号の伝播を行うニューロン素
子654からなるニューロン素子網とその学習を制御す
る学習制御部(図示略)から構成されている。ニューロ
ン素子網は、入力信号が入力する入力層651と、出力
信号が出力される出力層653、およびこの両層65
1,653間に配置された中間層652から構成され、
各層651〜653のニューロン素子654は、他層の
ニューロン素子に対して所定の強さ(結合重み)で結合
されている。この結合重みの値の違いにより出力信号が
変化する。このような階層構造に構成されたニューラル
ネットワーク65A〜65Cでは、各ニューロン素子6
54相互間の結合重みを学習制御部で変化させることに
よって「学習」という処理が行われる。
構成を示す。ニューラルネットワーク65は実際には半
田付けされる電極の形状、大きさ等の種類に応じてA,
B,…,Nと複数設けられており、各ニューラルネット
ワーク65A〜65Nは信号の伝播を行うニューロン素
子654からなるニューロン素子網とその学習を制御す
る学習制御部(図示略)から構成されている。ニューロ
ン素子網は、入力信号が入力する入力層651と、出力
信号が出力される出力層653、およびこの両層65
1,653間に配置された中間層652から構成され、
各層651〜653のニューロン素子654は、他層の
ニューロン素子に対して所定の強さ(結合重み)で結合
されている。この結合重みの値の違いにより出力信号が
変化する。このような階層構造に構成されたニューラル
ネットワーク65A〜65Cでは、各ニューロン素子6
54相互間の結合重みを学習制御部で変化させることに
よって「学習」という処理が行われる。
【0017】なお、入力層651の出力関数は例えば線
形関数等が、中間層652および出力層653の出力関
数は例えばシグモイド関数等が使用できる。また、入力
層651のニューロン素子654は、後述する輝度ヒス
トグラムの輝度値(例えば0〜255)と等しい数だけ
設けられ、該当する輝度値における画素数が各ニューロ
ン素子654に入力信号として与えられる。中間層65
2のニューロン素子654の数は判定精度との関係で決
定されるが、通常は10〜20個である。出力層653
のニューロン素子654の数は本実施形態のように判定
値が一種類の場合には1個である。
形関数等が、中間層652および出力層653の出力関
数は例えばシグモイド関数等が使用できる。また、入力
層651のニューロン素子654は、後述する輝度ヒス
トグラムの輝度値(例えば0〜255)と等しい数だけ
設けられ、該当する輝度値における画素数が各ニューロ
ン素子654に入力信号として与えられる。中間層65
2のニューロン素子654の数は判定精度との関係で決
定されるが、通常は10〜20個である。出力層653
のニューロン素子654の数は本実施形態のように判定
値が一種類の場合には1個である。
【0018】以下、図7のフローチャートに従って、ニ
ューラルネットワークの学習手順を説明する。図7のス
テップ101では撮像装置8で得られた画像を取り込
む。続くステップ102では、図8に示すように、半田
付け部3の周囲に四角形の検査ウインドウLを設定する
とともに、この検査ウインドウL内のうち、半田付け部
3(プリント基板2上の電極9)を除く領域を低輝度画
素(図8の斜線)で置換するマスキング処理を行う。こ
れは後述の輝度平滑化処理において、半田付け部3の周
囲の画素輝度値が処理に影響しないようにしたものであ
る。すなわち、半田付け部3の周囲が暗い基板母材であ
る場合と、比較的明るい配線パターンである場合とでは
輝度平滑化処理の処理結果が異なってくるため、その影
響を排除するものである。なお、上記画像中、リード1
1の先端が露出する(図2参照)半田付け部3の中心領
域Nは上方への反射光が殆ど無いから低輝度域となる。
ューラルネットワークの学習手順を説明する。図7のス
テップ101では撮像装置8で得られた画像を取り込
む。続くステップ102では、図8に示すように、半田
付け部3の周囲に四角形の検査ウインドウLを設定する
とともに、この検査ウインドウL内のうち、半田付け部
3(プリント基板2上の電極9)を除く領域を低輝度画
素(図8の斜線)で置換するマスキング処理を行う。こ
れは後述の輝度平滑化処理において、半田付け部3の周
囲の画素輝度値が処理に影響しないようにしたものであ
る。すなわち、半田付け部3の周囲が暗い基板母材であ
る場合と、比較的明るい配線パターンである場合とでは
輝度平滑化処理の処理結果が異なってくるため、その影
響を排除するものである。なお、上記画像中、リード1
1の先端が露出する(図2参照)半田付け部3の中心領
域Nは上方への反射光が殆ど無いから低輝度域となる。
【0019】図7のステップ103では、マスキング処
理された半田付け画像の各部の輝度を平滑化する輝度平
滑化処理を行う。この輝度平滑化処理は例えば移動平均
法により行う。移動平均法を図9で説明すると、注目画
素P4の輝度値をその周囲のP0〜P3,P5〜P8の
8画素の輝度値の平均値と置き換えつつ、これを半田付
け部画像内の全ての画素について順次行うものである。
なお、輝度値の平均を上述のように3×3の画素領域で
8個の近傍画素からとる以外に、5×5の画素領域で2
4個の近傍画素からとることもできる。このような輝度
平滑化処理は3回程繰り返す。平滑化処理によって画像
全体がぼかされ、半田付け部3の外周境界域における細
幅の高輝度部がぼけて、輝度ヒストグラムへの影響が軽
減される。
理された半田付け画像の各部の輝度を平滑化する輝度平
滑化処理を行う。この輝度平滑化処理は例えば移動平均
法により行う。移動平均法を図9で説明すると、注目画
素P4の輝度値をその周囲のP0〜P3,P5〜P8の
8画素の輝度値の平均値と置き換えつつ、これを半田付
け部画像内の全ての画素について順次行うものである。
なお、輝度値の平均を上述のように3×3の画素領域で
8個の近傍画素からとる以外に、5×5の画素領域で2
4個の近傍画素からとることもできる。このような輝度
平滑化処理は3回程繰り返す。平滑化処理によって画像
全体がぼかされ、半田付け部3の外周境界域における細
幅の高輝度部がぼけて、輝度ヒストグラムへの影響が軽
減される。
【0020】図7のステップ104では、輝度平滑化処
理を行った画像について、輝度ヒストグラムを作成す
る。この輝度ヒストグラムは横軸に輝度、縦軸に画素数
をとったもので、輝度ヒストグラムの凹凸が激しい場合
には近傍同士を前後3点で平均化すると良い。輝度ヒス
トグラムの一例を図10に示す。図10において、実線
Xは正常な半田付け部の輝度ヒストグラムであり、鎖線
Yは「半田過少」の半田付け部のものである。
理を行った画像について、輝度ヒストグラムを作成す
る。この輝度ヒストグラムは横軸に輝度、縦軸に画素数
をとったもので、輝度ヒストグラムの凹凸が激しい場合
には近傍同士を前後3点で平均化すると良い。輝度ヒス
トグラムの一例を図10に示す。図10において、実線
Xは正常な半田付け部の輝度ヒストグラムであり、鎖線
Yは「半田過少」の半田付け部のものである。
【0021】ステップ105では、半田付けされる電極
の種類に応じて既述のように複数設けたニューラルネッ
トワーク65A〜65Nのうち、電極の種類に対応する
所定のニューラルネットワーク65Aの入力層651
へ、各輝度値毎の画素数を入力信号として与える。この
ニューラルネットワーク65A〜65Nの選択は、入力
器66(図1)より入力される指令信号等に基づいてな
される。続くステップ106では、学習対象となってい
る電極9の半田付け部3に対して予めベテラン検査員が
行った目視評価値を、上記ニューラルネットワーク65
Aへ教師信号として与える。ステップ107では、出力
信号が教師信号に一致するようにニューラルネットワー
ク65Aにおける各ニューロン素子654間の結合重み
を修正する。修正の具体的方法としては公知の誤差逆転
伝播法等を使用する。
の種類に応じて既述のように複数設けたニューラルネッ
トワーク65A〜65Nのうち、電極の種類に対応する
所定のニューラルネットワーク65Aの入力層651
へ、各輝度値毎の画素数を入力信号として与える。この
ニューラルネットワーク65A〜65Nの選択は、入力
器66(図1)より入力される指令信号等に基づいてな
される。続くステップ106では、学習対象となってい
る電極9の半田付け部3に対して予めベテラン検査員が
行った目視評価値を、上記ニューラルネットワーク65
Aへ教師信号として与える。ステップ107では、出力
信号が教師信号に一致するようにニューラルネットワー
ク65Aにおける各ニューロン素子654間の結合重み
を修正する。修正の具体的方法としては公知の誤差逆転
伝播法等を使用する。
【0022】ステップ108では、上記ニューラルネッ
トワーク65Aの出力信号(評価値)が目視評価値と一
致したか否かを確認し、一致していなければステップ1
07を繰り返す。出力評価値が目視評価値に一致する
と、学習は完了する。このような学習を電極9の種類毎
に全てのニューラルネットワーク65A〜65Nについ
て順次、種々の半田付け状態について行う。各半田付け
状態とその評価値の一例を以下に示す。
トワーク65Aの出力信号(評価値)が目視評価値と一
致したか否かを確認し、一致していなければステップ1
07を繰り返す。出力評価値が目視評価値に一致する
と、学習は完了する。このような学習を電極9の種類毎
に全てのニューラルネットワーク65A〜65Nについ
て順次、種々の半田付け状態について行う。各半田付け
状態とその評価値の一例を以下に示す。
【0023】 (1)半田無し 0.0≦評価値≦0.1 (2)半田過少 0.1<評価値≦0.3 (3)過少気味 0.3<評価値≦0.4 (4)完全良品 0.4<評価値≦0.6 (5)過多気味 0.6<評価値≦0.7 (6)半田過多 0.7<評価値≦0.9 (7)半田極過剰 0.9<評価値≦1.0
【0024】以上のように学習させたニューラルネット
ワークを使用して半田付け検査を行う場合には、検査対
象となるディスクリート部品1の半田付け部3を、移動
テーブル4によって照明装置5の直下に移送し、上述し
たステップ101〜104と同様の行程で半田付け画像
の輝度ヒストグラムを得る。そして、この輝度ヒストグ
ラムを、検査対象となっている電極の種類に対応したニ
ューラルネットワーク65A〜65Nの一つへ入力信号
として与えると、その出力信号として上記(1)〜
(7)に示した評価値が得られる。この評価値より、
「半田無し」から「半田極過剰」までの7種の半田付け
形態を判定することができる。
ワークを使用して半田付け検査を行う場合には、検査対
象となるディスクリート部品1の半田付け部3を、移動
テーブル4によって照明装置5の直下に移送し、上述し
たステップ101〜104と同様の行程で半田付け画像
の輝度ヒストグラムを得る。そして、この輝度ヒストグ
ラムを、検査対象となっている電極の種類に対応したニ
ューラルネットワーク65A〜65Nの一つへ入力信号
として与えると、その出力信号として上記(1)〜
(7)に示した評価値が得られる。この評価値より、
「半田無し」から「半田極過剰」までの7種の半田付け
形態を判定することができる。
【0025】このように、本実施形態によれば、ベテラ
ン検査員による目視評価と一致するようにニューラルネ
ットワーク65A〜65Nを学習させ、これを利用して
半田付け状態の評価をしているから、単に半田過多、過
少のみならず、上述した(1)〜(7)までの、さらに
詳細な判定を行うことができる。さらに本実施形態で
は、ニューラルネットワークを複数設けて、半田付けさ
れる電極の種類に応じたニューラルネットワークを選択
して半田付けの状態を判定するようにしているから、電
極形状等に影響されることなく常に正確な判定を行うこ
とができる。
ン検査員による目視評価と一致するようにニューラルネ
ットワーク65A〜65Nを学習させ、これを利用して
半田付け状態の評価をしているから、単に半田過多、過
少のみならず、上述した(1)〜(7)までの、さらに
詳細な判定を行うことができる。さらに本実施形態で
は、ニューラルネットワークを複数設けて、半田付けさ
れる電極の種類に応じたニューラルネットワークを選択
して半田付けの状態を判定するようにしているから、電
極形状等に影響されることなく常に正確な判定を行うこ
とができる。
【0026】(第2実施形態)上記第1実施形態では、
半田付けされる電極の種類に応じて複数のニューラルネ
ットワークを設けたが、図11に示すように単一のニュ
ーラルネットワーク65とし、入力信号1として第1実
施形態と同様の、輝度値毎の画素数を入力するととも
に、入力信号2として、電極9の種類を入力する。本実
施形態では、入力層651のニューロン素子654の数
を、輝度値と電極の種類に応じた数とする必要がある
が、電極9の種類が多い場合には、第1実施形態のよう
に各種類毎にニューラルネットワークを設けるのに比し
て、全体の構成を簡素化することができる。
半田付けされる電極の種類に応じて複数のニューラルネ
ットワークを設けたが、図11に示すように単一のニュ
ーラルネットワーク65とし、入力信号1として第1実
施形態と同様の、輝度値毎の画素数を入力するととも
に、入力信号2として、電極9の種類を入力する。本実
施形態では、入力層651のニューロン素子654の数
を、輝度値と電極の種類に応じた数とする必要がある
が、電極9の種類が多い場合には、第1実施形態のよう
に各種類毎にニューラルネットワークを設けるのに比し
て、全体の構成を簡素化することができる。
【0027】(第3実施形態)さらに詳細な判定を行う
場合には、図12に示すように、教師信号および出力信
号を2種類とし、教師信号1と出力信号1は既に説明し
た「半田無し」から「半田極過剰」までの評価値とし、
教師信号2と出力信号2は、「半田無し」から「半田極
過剰」までの各判定の下でのさらに詳細な程度を、例え
ば10段階で評価した評価値とする。これにより、電極
の種類に左右されることなく、さらに詳細に半田付け状
態の評価を行うことができる。
場合には、図12に示すように、教師信号および出力信
号を2種類とし、教師信号1と出力信号1は既に説明し
た「半田無し」から「半田極過剰」までの評価値とし、
教師信号2と出力信号2は、「半田無し」から「半田極
過剰」までの各判定の下でのさらに詳細な程度を、例え
ば10段階で評価した評価値とする。これにより、電極
の種類に左右されることなく、さらに詳細に半田付け状
態の評価を行うことができる。
【0028】
【発明の効果】以上のように、本発明の半田付け検査装
置によれば、半田付け状態のさらに詳細な判定を、電極
の形状等に左右されることなく正確に行うことができ
る。
置によれば、半田付け状態のさらに詳細な判定を、電極
の形状等に左右されることなく正確に行うことができ
る。
【図1】本発明の第1実施形態における半田付け検査装
置の全体構成を示すブロック図である。
置の全体構成を示すブロック図である。
【図2】正常な半田付け部の垂直断面図である。
【図3】「半田過少」の半田付け部の垂直断面図であ
る。
る。
【図4】「穴あき」の半田付け部の垂直断面図である。
【図5】「半田過多」の半田付け部の垂直断面図であ
る。
る。
【図6】ニュラルネットワークの構成を示す模式図であ
る。
る。
【図7】ニュラルネットワーク学習時のCPUにおける
処理手順を示すフローチャートである。
処理手順を示すフローチャートである。
【図8】半田付け部の撮影画像である。
【図9】輝度平滑化処理の説明図である。
【図10】輝度ヒストグラムを示す図である。
【図11】本発明の第2実施形態におけるニュラルネッ
トワークの構成を示す模式図である。
トワークの構成を示す模式図である。
【図12】本発明の第3実施形態におけるニュラルネッ
トワークの構成を示す模式図である。
トワークの構成を示す模式図である。
3…半田付け部、61…CPU(輝度ヒストグラムを算
出する手段)、65,65A,65B,65C…ニュー
ラルネットワーク、8…撮像装置(電極の画像を得る手
段)、9…電極。
出する手段)、65,65A,65B,65C…ニュー
ラルネットワーク、8…撮像装置(電極の画像を得る手
段)、9…電極。
【手続補正書】
【提出日】平成9年12月8日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 半田付け検査装置
Claims (1)
- 【請求項1】 半田付けされた電極の画像を得る手段
と、 画像の輝度ヒストグラムを算出する手段と、 半田付けされた所定の電極について、その画像の輝度ヒ
ストグラムを入力信号とし、上記所定の電極の半田付け
状態を目視した評価値を教師信号として学習させたニュ
ーラルネットワークとを具備し、 検査対象となる半田付けされた電極の輝度ヒストグラム
を前記ニューラルネットワークに入力して当該半田付け
された電極の評価値を得るようにしたことを特徴とする
半田付け検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9279843A JPH11101620A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半田付け検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9279843A JPH11101620A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半田付け検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11101620A true JPH11101620A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17616714
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9279843A Pending JPH11101620A (ja) | 1997-09-26 | 1997-09-26 | 半田付け検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11101620A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015026287A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 新電元工業株式会社 | はんだ付け検査装置、はんだ付け検査方法および電子部品 |
WO2020026833A1 (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | オムロン株式会社 | 光電センサ |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0694643A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Kawasaki Steel Corp | 表面欠陥検出方法 |
JPH06174444A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-06-24 | Rozefu Technol:Kk | ディスクリート型電子部品のはんだ形態検査方法 |
JPH0712530A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-01-17 | Nec Corp | はんだ付け検査装置 |
-
1997
- 1997-09-26 JP JP9279843A patent/JPH11101620A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0694643A (ja) * | 1992-09-17 | 1994-04-08 | Kawasaki Steel Corp | 表面欠陥検出方法 |
JPH06174444A (ja) * | 1992-12-02 | 1994-06-24 | Rozefu Technol:Kk | ディスクリート型電子部品のはんだ形態検査方法 |
JPH0712530A (ja) * | 1993-06-24 | 1995-01-17 | Nec Corp | はんだ付け検査装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015026287A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 新電元工業株式会社 | はんだ付け検査装置、はんだ付け検査方法および電子部品 |
WO2020026833A1 (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | オムロン株式会社 | 光電センサ |
JP2020022092A (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | オムロン株式会社 | 光電センサ |
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