JPH1090638A - 光制御素子 - Google Patents
光制御素子Info
- Publication number
- JPH1090638A JPH1090638A JP8243013A JP24301396A JPH1090638A JP H1090638 A JPH1090638 A JP H1090638A JP 8243013 A JP8243013 A JP 8243013A JP 24301396 A JP24301396 A JP 24301396A JP H1090638 A JPH1090638 A JP H1090638A
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- JP
- Japan
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- optical waveguide
- electrode
- substrate
- control element
- optical
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- Pending
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のものに比べて、製作性が良く、かつ導
波路の伝搬損失が小さく、低駆動電圧で高速動作が可能
な光制御素子を提供する。 【解決手段】 少なくとも１本の光導波路を表面近傍に
備え、かつ該光導波路の近傍の表面を掘り込んでリッジ
形状とした電気光学効果を有する基板と、該基板の表面
上に積層されたバッファ層と、該バッファ層上の光導波
路近傍に形成された信号電極および接地電極とからなる
電極とが、少なくとも設けられた光制御素子において、
光導波路の近傍の表面を掘り込む幅Ｇｒは、前記信号電
極と前記接地電極との間隔Ｇに対して、Ｇｒ≦Ｇの関係
を満たすようにする。
波路の伝搬損失が小さく、低駆動電圧で高速動作が可能
な光制御素子を提供する。 【解決手段】 少なくとも１本の光導波路を表面近傍に
備え、かつ該光導波路の近傍の表面を掘り込んでリッジ
形状とした電気光学効果を有する基板と、該基板の表面
上に積層されたバッファ層と、該バッファ層上の光導波
路近傍に形成された信号電極および接地電極とからなる
電極とが、少なくとも設けられた光制御素子において、
光導波路の近傍の表面を掘り込む幅Ｇｒは、前記信号電
極と前記接地電極との間隔Ｇに対して、Ｇｒ≦Ｇの関係
を満たすようにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光波の変調、光路
切り替え等を行う光制御素子に関し、特に動作速度が極
めて速い光制御素子に関する。
切り替え等を行う光制御素子に関し、特に動作速度が極
めて速い光制御素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から光通信システムや光応用計測技
術において、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）
結晶のような電気光学効果を有する強誘電体を利用して
電気信号による光の変調、スイッチング、偏波制御等を
行う光制御素子（光変調器、光スイッチ、偏波制御器
等）が数多く用いられている。
術において、例えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3 ）
結晶のような電気光学効果を有する強誘電体を利用して
電気信号による光の変調、スイッチング、偏波制御等を
行う光制御素子（光変調器、光スイッチ、偏波制御器
等）が数多く用いられている。
【０００３】このような従来の光制御素子の一例とし
て、ＬｉＮｂＯ3 結晶を用いた進行波形高速光強度変調
器の一構成例を図４（ａ）および（ｂ）に示す。
て、ＬｉＮｂＯ3 結晶を用いた進行波形高速光強度変調
器の一構成例を図４（ａ）および（ｂ）に示す。
【０００４】図４（ａ）はコプレーナ線路形変調電極を
用いた光変調器の上面図、図４（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿った断面図である。この例では、光変調器
は、Ｔｉ熱核酸によって形成されたマッハツェンダ形光
導波路４０２を表面近傍に備え、かつ該光導波路の近傍
の表面を数ミクロン掘り込んでリッジ形状とした電気光
学効果を持つｚカットＬｉＮｂＯ3 基板４０１と、該基
板の表面上に積層され、かつ変調電極による光の伝搬損
失を制御するために、例えばＳｉＯ2 のような誘電体よ
りなるバッファ層（光導波路のクラッド層）４０５と、
該バッファ層４０５上の光導波路近傍に形成され、かつ
Ａｕ，Ａｌ等の信号電極４０４および接地電極４０５か
ら構成されるコプレーナ線路変調電極とを備える。
用いた光変調器の上面図、図４（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿った断面図である。この例では、光変調器
は、Ｔｉ熱核酸によって形成されたマッハツェンダ形光
導波路４０２を表面近傍に備え、かつ該光導波路の近傍
の表面を数ミクロン掘り込んでリッジ形状とした電気光
学効果を持つｚカットＬｉＮｂＯ3 基板４０１と、該基
板の表面上に積層され、かつ変調電極による光の伝搬損
失を制御するために、例えばＳｉＯ2 のような誘電体よ
りなるバッファ層（光導波路のクラッド層）４０５と、
該バッファ層４０５上の光導波路近傍に形成され、かつ
Ａｕ，Ａｌ等の信号電極４０４および接地電極４０５か
ら構成されるコプレーナ線路変調電極とを備える。
【０００５】従来このような変調器においては、通常、
電極の寸法は信号電極４０４の幅が５〜１０μｍ、信号
電極４０４と接地電極４０５との間隔が１０〜５０μｍ
程度に設定される。この場合、高効率な変調動作を実現
するために、信号電極４０４の幅は光導波路４０２の幅
とほぼ同程度の大きさに、また広域特性を確保するため
にリッジ幅よりはやや狭い程度に設定される。ここで、
電極の特性インピーダンスＺは、変調信号源等の入出力
インピーダンス（通常５０Ω）に整合させる必要がある
ので、Ｚの値を５０Ωまたはそれに近い値に設定する。
電極の寸法は信号電極４０４の幅が５〜１０μｍ、信号
電極４０４と接地電極４０５との間隔が１０〜５０μｍ
程度に設定される。この場合、高効率な変調動作を実現
するために、信号電極４０４の幅は光導波路４０２の幅
とほぼ同程度の大きさに、また広域特性を確保するため
にリッジ幅よりはやや狭い程度に設定される。ここで、
電極の特性インピーダンスＺは、変調信号源等の入出力
インピーダンス（通常５０Ω）に整合させる必要がある
ので、Ｚの値を５０Ωまたはそれに近い値に設定する。
【０００６】このような従来の変調器において、変調信
号の伝搬速度と光導波路を伝わる光波速度とが一致して
いない場合、変調器の動作帯域は主にこの速度不整合に
よって制限される。変調信号に対する電極の実効屈折率
をｎｍ、光導波路の実効屈折率をｎｏ（波長λ＝１．５
μｍ帯ではｎｏ＝２．１５（電気３ｄＢ）は、以下の式
（１）に示す関係で与えられることが知られている。
号の伝搬速度と光導波路を伝わる光波速度とが一致して
いない場合、変調器の動作帯域は主にこの速度不整合に
よって制限される。変調信号に対する電極の実効屈折率
をｎｍ、光導波路の実効屈折率をｎｏ（波長λ＝１．５
μｍ帯ではｎｏ＝２．１５（電気３ｄＢ）は、以下の式
（１）に示す関係で与えられることが知られている。
【０００７】
【数１】 Δｆ＝１．４ｃ／（π｜ｎｍ−ｎｏ｜Ｌ）・・・・ （１） 中、ｃは真空中の高速、Ｌは変調電極の相互作用長であ
る。変調器の駆動電圧Ｖπの大きさは変調電極長Ｌに反
比例する関係がある。したがって、式（１）の関係か
ら、駆動電圧を大きくすることなく広帯域化を図るため
には、Ｚ＝５０Ωとし、さらにｎｍの大きさをｎｏの大
きさに近付けるように、変調電極の構造および大きさ、
バッファ層の厚さ、リッジの幅・高さ等を設定してい
る。
る。変調器の駆動電圧Ｖπの大きさは変調電極長Ｌに反
比例する関係がある。したがって、式（１）の関係か
ら、駆動電圧を大きくすることなく広帯域化を図るため
には、Ｚ＝５０Ωとし、さらにｎｍの大きさをｎｏの大
きさに近付けるように、変調電極の構造および大きさ、
バッファ層の厚さ、リッジの幅・高さ等を設定してい
る。
【０００８】ところで、このようなリッジ構造を形成す
る技術としては、基板上にＴａやＡｌ，Ｔｉなどの金属
あるいはフォトレジストを使ってマスクパターンを形成
する工程を行った後、ＲＩＥ法、ＲＩＢＥ法、あるいは
ＩＢＥ法等によりドライエッチングを行うことによりリ
ッジ構造を得る方法が知られている。
る技術としては、基板上にＴａやＡｌ，Ｔｉなどの金属
あるいはフォトレジストを使ってマスクパターンを形成
する工程を行った後、ＲＩＥ法、ＲＩＢＥ法、あるいは
ＩＢＥ法等によりドライエッチングを行うことによりリ
ッジ構造を得る方法が知られている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の方法で
は、酸化物結晶であるＬｉＮｂＯ3 基板はエッチング速
度が極端に小さく、上記マスクパターンとのエッチング
速度差が確保できないという解決すべき課題を有する。
そのため、エッチング速度の分布が不均一になると共に
ＬｉＮｂＯ3 基板のエッチング中にリッジ部分のサイド
エッチングが進行する。その結果、Ｔｉ拡散光導波路の
側壁が削られてしまい、光導波路の伝搬損失が増大して
しまう。
は、酸化物結晶であるＬｉＮｂＯ3 基板はエッチング速
度が極端に小さく、上記マスクパターンとのエッチング
速度差が確保できないという解決すべき課題を有する。
そのため、エッチング速度の分布が不均一になると共に
ＬｉＮｂＯ3 基板のエッチング中にリッジ部分のサイド
エッチングが進行する。その結果、Ｔｉ拡散光導波路の
側壁が削られてしまい、光導波路の伝搬損失が増大して
しまう。
【００１０】したがって、本発明は、上記従来の問題点
を解決し、製作性が良く、かつ導波路の伝搬損失が小さ
く、低駆動電圧で高速動作が可能な光制御素子を提供す
ることを目的とする。
を解決し、製作性が良く、かつ導波路の伝搬損失が小さ
く、低駆動電圧で高速動作が可能な光制御素子を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明にもとづく光導波路は、少なくとも１本の光
導波路を表面近傍に備え、かつ該光導波路の近傍の表面
を掘り込んでリッジ形状とした電気光学効果を有する基
板と、該基板の表面上に積層されたバッファ層と、該バ
ッファ層上の光導波路近傍に形成された信号電極および
接地電極とからなる電極とが、少なくとも設けられた光
制御素子において、光導波路の近傍の表面を掘り込む幅
は、信号電極と接地電極との間隔と等しいか、もしくは
該間隔よりも狭いことを特徴とする。すなわち、図１ま
たは図３において、幅Ｇｒ（およびＧｒ′）と間隔Ｇと
の関係が、Ｇｒ≦Ｇ（およびＧｒ≦Ｇ′）となる。した
がって、本発明によれば、リッジ構造を形成するのに必
要な基板のエッチング面積を必要最小限とすることによ
り、エッチング速度が増すので、リッジ形成プロセスに
要する時間を短くできる。さらに、光導波路のサイドエ
ッチングが少なくなるので伝搬損失の増大が極めて小さ
い。
に、本発明にもとづく光導波路は、少なくとも１本の光
導波路を表面近傍に備え、かつ該光導波路の近傍の表面
を掘り込んでリッジ形状とした電気光学効果を有する基
板と、該基板の表面上に積層されたバッファ層と、該バ
ッファ層上の光導波路近傍に形成された信号電極および
接地電極とからなる電極とが、少なくとも設けられた光
制御素子において、光導波路の近傍の表面を掘り込む幅
は、信号電極と接地電極との間隔と等しいか、もしくは
該間隔よりも狭いことを特徴とする。すなわち、図１ま
たは図３において、幅Ｇｒ（およびＧｒ′）と間隔Ｇと
の関係が、Ｇｒ≦Ｇ（およびＧｒ≦Ｇ′）となる。した
がって、本発明によれば、リッジ構造を形成するのに必
要な基板のエッチング面積を必要最小限とすることによ
り、エッチング速度が増すので、リッジ形成プロセスに
要する時間を短くできる。さらに、光導波路のサイドエ
ッチングが少なくなるので伝搬損失の増大が極めて小さ
い。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態例を説明する。
施形態例を説明する。
【００１３】＜第１の実施形態例＞本発明の第１の実施
形態例であるマッハツェンダ形光変調素子の一構成例を
図１に示す。
形態例であるマッハツェンダ形光変調素子の一構成例を
図１に示す。
【００１４】図１（ａ）はコプレーナ線路形変調電極を
用いた光変調器の上面図、図１（ｂ）は変調器中央部Ａ
−Ａ′に沿った断面図である。この実施形態例におい
て、図４に示した従来例と同様に、エッチングしてリッ
ジ形状としたＬｉＮｂＯ3 基板１０１上にＴｉ拡散光導
波路１０２、およびバッファ層１０３を介して信号電極
１０４および接地電極１０５から構成される進行波電極
が設けられている。しかし、この実施形態例では従来例
の構造と異なって、エッチング領域１０６の幅Ｇｒおよ
びＧｒ′を信号電極１０４と接地電極１０５との間隔Ｇ
にほぼ等しく設定し、その他の基板領域はエッチングし
ていない。
用いた光変調器の上面図、図１（ｂ）は変調器中央部Ａ
−Ａ′に沿った断面図である。この実施形態例におい
て、図４に示した従来例と同様に、エッチングしてリッ
ジ形状としたＬｉＮｂＯ3 基板１０１上にＴｉ拡散光導
波路１０２、およびバッファ層１０３を介して信号電極
１０４および接地電極１０５から構成される進行波電極
が設けられている。しかし、この実施形態例では従来例
の構造と異なって、エッチング領域１０６の幅Ｇｒおよ
びＧｒ′を信号電極１０４と接地電極１０５との間隔Ｇ
にほぼ等しく設定し、その他の基板領域はエッチングし
ていない。
【００１５】このような構成からなる光変調器と従来の
ものとについて、リッジ構造作製時のエッチング深さの
割合ｄ、およびサイドエッチングによるリッジ幅の減少
分ΔＷの、ＬｉＮｂＯ3 基板（３インチ幅）上における
分布を測定した。その結果を図２に示す。図２のデータ
を得るにあたり、同一基板の上半分に従来例のマスクパ
ターンを、下半分に本発明の実施形態例のマスクパター
ンを作製し、１度のプロセスで同時にエッチングした。
ものとについて、リッジ構造作製時のエッチング深さの
割合ｄ、およびサイドエッチングによるリッジ幅の減少
分ΔＷの、ＬｉＮｂＯ3 基板（３インチ幅）上における
分布を測定した。その結果を図２に示す。図２のデータ
を得るにあたり、同一基板の上半分に従来例のマスクパ
ターンを、下半分に本発明の実施形態例のマスクパター
ンを作製し、１度のプロセスで同時にエッチングした。
【００１６】本発明者らは、基板上でエッチング面積の
割合が大きいと、エッチング速度が低下すると共に、リ
ッジ部分のサイドエッチエッチングが進行してＴｉ拡散
光導波路の側壁が削られてしまい、導波路の伝搬損失が
増大することを新たに見出した。図２からわかるよう
に、本発明の実施形態例では従来例に比べて１０％以上
エッチング速度が大きい。しかも、サイドエッチングが
１μｍ小さく、ウェハ面内の均一性もよい。これは、リ
ッジの幅が５〜１０μｍ程度であるのに対し、変調器の
幅１００μｍ以上であり、図４に示した従来構造の変調
器の場合、エッチングする領域はエッチングしないリッ
ジ部分に比べて５〜１０倍以上になるからである。
割合が大きいと、エッチング速度が低下すると共に、リ
ッジ部分のサイドエッチエッチングが進行してＴｉ拡散
光導波路の側壁が削られてしまい、導波路の伝搬損失が
増大することを新たに見出した。図２からわかるよう
に、本発明の実施形態例では従来例に比べて１０％以上
エッチング速度が大きい。しかも、サイドエッチングが
１μｍ小さく、ウェハ面内の均一性もよい。これは、リ
ッジの幅が５〜１０μｍ程度であるのに対し、変調器の
幅１００μｍ以上であり、図４に示した従来構造の変調
器の場合、エッチングする領域はエッチングしないリッ
ジ部分に比べて５〜１０倍以上になるからである。
【００１７】なお、変調帯域、駆動電圧等の変調特性
は、従来例と本発明の実施形態例とでは差が認められな
かった。
は、従来例と本発明の実施形態例とでは差が認められな
かった。
【００１８】＜第２の実施形態例＞図３は本発明の第２
の実施形態例を説明するためのもので、（ａ）は２つの
コプレーナ線路形変調電極を備えた光変調器の上面図、
（ｂ）は変調器中央部Ａ−Ａ′に沿った断面図である。
この実施形態例では、ｚカットＬｉＮｂＯ3 基板３０１
上にＴｉ拡散光導波路３０２が形成され、その光導波路
３０２の両側３０６の領域がエッチングされてリッジ形
状をなしている。さらにバッファ層３０３を介して第１
の信号電極３０４ａおよび第２の信号電極３０４ｂ、お
よび接地電極３０５から構成される２つの進行波電極を
有する。
の実施形態例を説明するためのもので、（ａ）は２つの
コプレーナ線路形変調電極を備えた光変調器の上面図、
（ｂ）は変調器中央部Ａ−Ａ′に沿った断面図である。
この実施形態例では、ｚカットＬｉＮｂＯ3 基板３０１
上にＴｉ拡散光導波路３０２が形成され、その光導波路
３０２の両側３０６の領域がエッチングされてリッジ形
状をなしている。さらにバッファ層３０３を介して第１
の信号電極３０４ａおよび第２の信号電極３０４ｂ、お
よび接地電極３０５から構成される２つの進行波電極を
有する。
【００１９】このような２つ以上の信号電極を備えた光
変調器では、信号電極間のクロストークを抑圧するため
に、２つの信号電極３０４ａおよび３０５ｂの間に接地
電極３０５を設けるとともに、信号電極の間隔を数百ミ
クロン以上の離す必要がある。実施形態例では、信号電
極３０４ａあるいは３０５ｂと接地電極３０５との間隔
（１０〜５０μｍ程度）だけエッチングしており、数百
ミクロンにおよび接地電極の下部をエッチングする必要
がないので、第１の実施形態例同様、ＬｉＮｂＯ3 基板
のエッチング速度を高めてエッチング時間を短くすると
共に、導波路側壁のサイドエッチングを抑制することが
可能になる。
変調器では、信号電極間のクロストークを抑圧するため
に、２つの信号電極３０４ａおよび３０５ｂの間に接地
電極３０５を設けるとともに、信号電極の間隔を数百ミ
クロン以上の離す必要がある。実施形態例では、信号電
極３０４ａあるいは３０５ｂと接地電極３０５との間隔
（１０〜５０μｍ程度）だけエッチングしており、数百
ミクロンにおよび接地電極の下部をエッチングする必要
がないので、第１の実施形態例同様、ＬｉＮｂＯ3 基板
のエッチング速度を高めてエッチング時間を短くすると
共に、導波路側壁のサイドエッチングを抑制することが
可能になる。
【００２０】なお、図１の実施形態例では、マッハツェ
ンダ導波路の対称性を保つため、接地電極１０５の下の
部分を幅Ｇｒ′掘り込み、Ｇｒと等しくしているが、対
称性を問題にしない場合や、位相変調器で導波路が１本
の場合はＧｒ′＝０、すなわち接地電極の下を掘り込む
必要はない。
ンダ導波路の対称性を保つため、接地電極１０５の下の
部分を幅Ｇｒ′掘り込み、Ｇｒと等しくしているが、対
称性を問題にしない場合や、位相変調器で導波路が１本
の場合はＧｒ′＝０、すなわち接地電極の下を掘り込む
必要はない。
【００２１】以上の実施形態例ではｚカットＬｉＮｂＯ
3 基板を用いたがｘカットやｙカット等、他の面方位の
ＬｉＮｂＯ3 基板を用いてもよいし、ＬｉＴａＯ3 等、
電気光学効果を有するその他の基板を用いてもよい。
3 基板を用いたがｘカットやｙカット等、他の面方位の
ＬｉＮｂＯ3 基板を用いてもよいし、ＬｉＴａＯ3 等、
電気光学効果を有するその他の基板を用いてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にもとづく
光制御素子は上記のような構成をなすことによって、速
度整合・インピーダンス整合をとると共に、電極の導体
損失を大幅に低減することによって、低駆動電圧で高速
動作が可能で、かつ製作性が良く、導波路の伝搬損失が
小さい光制御素子を実現することができる。
光制御素子は上記のような構成をなすことによって、速
度整合・インピーダンス整合をとると共に、電極の導体
損失を大幅に低減することによって、低駆動電圧で高速
動作が可能で、かつ製作性が良く、導波路の伝搬損失が
小さい光制御素子を実現することができる。
【図１】本発明にもとづく光制御素子の一例を説明する
ためのもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿う断面図である。
ためのもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−
Ａ′線に沿う断面図である。
【図２】本発明の効果を説明するためのもので、エッチ
ング深さとリッジ幅との基板上分布を示す図である。
ング深さとリッジ幅との基板上分布を示す図である。
【図３】本発明にもとづく光制御素子の他の例を説明す
るためのもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ′線に沿う断面図である。
るためのもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ′線に沿う断面図である。
【図４】従来の光制御素子の一例（マッハツェンダ形光
強度変調器）を説明するためのもので、（ａ）は上面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
強度変調器）を説明するためのもので、（ａ）は上面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。
１０１，３０１，４０１ ｚカットＬｉＮｂＯ3 基板 １０２，３０２，４０２ Ｔｉ拡散光導波路 １０３，３０３，４０３ ＳｉＯ2 バッファ層 １０４，３０４ａ，３０４ｂ，４０４ 信号電極 １０５，３０５，４０５ 接地電極 １０６，３０６，４０６ エッチング領域
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも１本の光導波路を表面近傍に
備え、かつ該光導波路の近傍の表面を掘り込んでリッジ
形状とした電気光学効果を有する基板と、該基板の表面
上に積層されたバッファ層と、該バッファ層上の光導波
路近傍に形成された信号電極および接地電極とからなる
電極とが、少なくとも設けられた光制御素子において、 前記光導波路の近傍の表面を掘り込む幅Ｇｒは、前記信
号電極と前記接地電極との間隔Ｇに対して、 Ｇｒ ≦ Ｇ の関係を満たすように設けられたことを特徴とする光制
御素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8243013A JPH1090638A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 光制御素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8243013A JPH1090638A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 光制御素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1090638A true JPH1090638A (ja) | 1998-04-10 |
Family
ID=17097594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8243013A Pending JPH1090638A (ja) | 1996-09-13 | 1996-09-13 | 光制御素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1090638A (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002122834A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-04-26 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 光導波路素子 |
| KR100339393B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-05-31 | 구자홍 | 가변 광감쇠기 |
| JP2005221874A (ja) * | 2004-02-06 | 2005-08-18 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| US6937781B2 (en) | 2001-04-04 | 2005-08-30 | Nec Corporation | Optical switch having photonic crystal structure |
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