JPH10507846A - 電気的に制御できる格子反射鏡を備えたレーザ - Google Patents
電気的に制御できる格子反射鏡を備えたレーザInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 213
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 205
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 110
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 89
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 86
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 85
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 25
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 20
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 181
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 137
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 123
- 230000008859 change Effects 0.000 description 99
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 87
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 68
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 64
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 63
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 63
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 55
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 54
- 230000006870 function Effects 0.000 description 48
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 47
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 43
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 41
- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 34
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 33
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 32
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 29
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 25
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 24
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 24
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 22
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 22
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 230000004044 response Effects 0.000 description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 16
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 14
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 14
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 14
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000013461 design Methods 0.000 description 12
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 8
- 238000003491 array Methods 0.000 description 7
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 7
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 7
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 6
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 210000001520 comb Anatomy 0.000 description 4
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 4
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- OFHMUASCSJJNNA-JOCHJYFZSA-N bis-napthyl β-ketophosphonic acid Chemical compound C1=CC=C2C([C@H](C(=O)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)P(O)(=O)O)=CC=CC2=C1 OFHMUASCSJJNNA-JOCHJYFZSA-N 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- -1 chrome Chemical compound 0.000 description 2
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000004943 liquid phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- WIAVVDGWLCNNGT-UHFFFAOYSA-M lithium;butanoate Chemical compound [Li+].CCCC([O-])=O WIAVVDGWLCNNGT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 2
- 108700028369 Alleles Proteins 0.000 description 1
- 229930091051 Arenine Natural products 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000836150 Homo sapiens Transforming acidic coiled-coil-containing protein 3 Proteins 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001138418 Sequoia sempervirens Species 0.000 description 1
- 244000269722 Thea sinensis Species 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100027048 Transforming acidic coiled-coil-containing protein 3 Human genes 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000004063 acid-resistant material Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001422 barium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 235000013367 dietary fats Nutrition 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000010520 ghee Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000005577 local transmission Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000007620 mathematical function Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 238000002840 optical waveguide grating Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical group O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003498 protein array Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 238000012887 quadratic function Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001419 rubidium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010187 selection method Methods 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 230000008093 supporting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 101150065732 tir gene Proteins 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Abstract
(57)【要約】
1つまたは複数のレーザが、電界を使用して制御を行う光エネルギー伝達装置およびエネルギー案内装置と組み合わされる。光エネルギー伝達装置は、固体材料(1460)内のある種の極化構造を使用して格子、ミラー、レンズなどを形成することができる。極化構造は、ウェーブガイド構造(1476)と組み合わせることができる。極化構造に電界を印加することによって光エネルギーの経路指定、反射、屈折が制御される。調整可能な同調可能性は、可変電界が存在するときに軸(1489)に沿って可変屈折率の空間勾配を生成する極化構造(1478、1480)によって得られる。
Description
【発明の詳細な説明】
電気的に制御できる格子反射鏡を備えたレーザ
発明の背景
本発明は、電界制御を使用して光線を制御する光学装置に関連するレーザに関
する。詳細には、本発明は、周期的な極化構造(分極構造、poled structure)
を含む極化構造と、電極自体の間に印加された制御電界が存在するときに光エネ
ルギーの制御された伝搬を可能にする電極とで構成された装置に関連するレーザ
に関する。
本発明は特に、レーザ制御、通信、フラット・パネル・ディスプレイ、走査装
置、記録・再生装置の分野に適用することができる。
光ビームや音響ビームなどのエネルギー・ビームの相互作用を、電気光学(E
O)材料や圧電材料における印加電界によって制御することができる。ビーム相
互作用の電気的に制御された空間パターンが、あらゆる種類の切換装置または変
調装置に望まれている。電界をパターン化することにより、電気光学効果または
圧電効果を使用して、一様な基板内でパターン化された応答を行うことができる
。しかしながら、電界に関するマックスウェルの方程式により、急激な場の変動
は大きな範囲に広がることができない。材料の中には極化できるものがあるが、
これはそれらの電気光学的および/または圧電応答を何らかの外部の影響に応じ
て配向できることを意味する。これらの材料においては、潜在的に広い範囲にわ
たってEO係数の急激な空間変動を作り出すことができる。緩やかに変動する電
界を急激に変動する(極化)材料と組み合わせることにより、新しいタイプのパ
ターン化構造を製造し、使用することができる。
極化可能EO物質は、固定EO結晶と比べて、制御しなければならない追加自
由度を有する。通常、基板を極化させ、一様に位置合わせされた状態にしないか
ぎり、巨視的EO応答を観測することはできない。通常、一様に極化された構造
は、分子が最初、秩序を有さないベース材料と、分子が自然に局部的に、ただし
無作為に配向された巨視的ドメイン内でのみ互いに位置合わせされるベース材料
の両方から製造されている。第1のタイプの材料の一例は非線形ポリマーである
。第2のタイプの材料の例はジルコニウム酸チタン酸鉛(PZT)、液晶、ニオ
ブ酸リチウム(LiNbO3)などの結晶強誘電材料など、焼結圧電材料である
。非線形ポリマー極化は、◆E.Van Tomme、P.P.Van Dae
le、R.G.Baets、P.E.Lagasse著「Integrated
optic devices based on nonlinear op
tical polymers」(IEEE JQE 27 778、1991
年)に記載されている。PZT極化はたとえば、◆Miller等の米国特許第
4410823号「Surface acoustic wave devic
e employing reflectors」(1983年10月)に記載
されている(液晶極化は、S.Chandrasekhar著「Liquid
Crystals」Second Edition(1992)(Cambri
dge University Press、Cambridge)などの標準
的な文献に記載されている)。強誘電結晶極化は、◆Byer等の米国特許特許
第5036220号「Nonlinear optical radiatio
n generator and method of controllin
g regions of ferroelectirc polarizat
ion domains in solid state bodies」(1
991年7月)に記載されている。
極化EO装置の例には下記のものが含まれる。
◆S.Ura、R.Ohyama、T.Suhara、H.Nishihara
著「Electro−optic functional waveguide
using new polymer p−NAn−PVA for int
egrated photonic devices」(Jpn.J.Appl
.Phys.、31、1378(1992)[UOS92])の交互嵌合形電極
を含むポリマー層内のビーム・ディフラクタ
◆Schildkraut等の米国特許第5157541号「Optical
article for reflection modulation」(1
992年10月)の平面電極を含むポリマー層内のビーム変調器
◆H.Naitoh、K.Muto、T.Nakayama著「Mirror−
type optical branch and switch」(Appl
.Opt.17、101〜104ページ(1978年))の電極対を含むニオブ
酸リチウム・ウェーブガイド内の全内部反射ビーム・リフレクタ
◆M.Papuchon、Am.Roy著「Electrically act
ive optical bifurcation: BOA」(Appl.P
hys.Lett.31、266〜267ページ(1977年))の2つの電極
を含むニオブ酸リチウム内の2×2ウェーブガイド・スイッチ
◆H.SasakiおよびI.Anderson著「Theoretical
and experimental studies on active y
−junctions in optical waveguides」(IE
EE Journ.Quant.Elect.、QE14、883〜892ペー
ジ(1978年)の3つの電極を含むニオブ酸リチウム・ウェーブガイド内のY
字形接合ビーム・ルータ
これらの装置は、一様に極化された材料を様々な電極構造および光学構造と共
に使用する。パターン極化装置の多くの利点は認識されていない。たとえば、
◆H.Nishihara、M.Haruna、T.Suhara著「Opti
cal Integrated Circuits」(McGraw−Hill
、ニューヨーク(1989年))[NHS89]には、様々な電極パターンによ
って活動化される多数の電子光学装置が記載されているが、すべてのこれらの装
置は、一様に極化された基板上に作製される。同じことが、
◆T.SuharaおよびH.Nishihara著「Integrated
optics components and devices using
periodic structures」(IEEE J.Quantum
Electron.、QE−22、845、(1986年)[TH86])にも
当てはまる。この論文は、電極格子に対する極化構造の利点を認識せずに格子結
合装置の一般的な特性について説明している。
特定の文献では、パターン化極化構造のある利点が指摘されている。
◆Miller等の米国特許第4410823号には、圧電セラミック内にドメ
イン反転アレイを含む(しかし、電極は含まない)表面弾性波リフレクタが記載
されている。
◆Q.Chen、Y.Chiu、D.N.Lambeth、T.E.Schle
singer、D.D.Stancil著「Thin film electr
o−optic beam deflector using domain
reversal in LitaO3」(CTuN63、CLEO’93 C
onference Proceedings、196ページ以降、Optia
l Society of America)には、LiTaO3内の三角形ド
メイン反転領域を含むビーム・ステアラが記載されている。
◆Schaffnerの米国特許第5278924号「Periodic do
main reversal electro−optic modulato
r」(1994年1月)には、マイクロ波と光線との間の位相差を補償するドメ
イン反転を含むマッハ・ツェンダー変調器が記載されている。
◆Sriram等の米国特許第5267336号「Electro−optic
al sensor for detecting electric fie
lds」(1993年11月)には、電子光学基板内に1つのドメイン反転領域
を含むマッハ−ツェンダー電界センサが記載されている。
パターン化極化構造を使用することによって、(生成、変調、再方向付け、合
焦、フィルタ、変換、分析、検出、絶縁を含む)ビーム制御の効率上の利点が得
られ、レーザ制御、通信、データ蓄積、ディスプレイへの応用が可能になる。こ
れらの分野では、高効率でビーム制御を行う調節可能な方法が求められている。
急激なドメイン遷移のために、より効率の高い装置は一般に、パターン極化基板
を使用して高周波数変形形態を生成することによって得られる。電極は、高周波
数変形形態を生成するのではなくパターン極化基板を励起するために必要である
。
ポリマーにおける極化プロセスは、結晶の極化プロセスとはかなり異なり、ド
メイン境界がはっきりしない。結晶には、離散数(通常は2つ)の安定な極化方
向があり、局部領域の極化は、原子をこれらの択一状態間で切り替えることから
なる。極化領域は完全に位置合わせされ、対向して位置合わせされたドメイン間
には鋭い境界が存在する。極化ポリマーでは、極化方向にはかかわらずに任意の
方向へ分子を配向させることができる。極化プロセスでは、個別の分子の無作為
分布内の平均位置合わせ成分のみが生成される。したがって、ポリマーでは、極
化(および関連するEO係数)によって強度および配向が連続的に変動する。結
晶で得られる鋭いドメイン境界は存在しない。これは、ある種のポリマー極化装
置の効率に大きな影響を与える。ポリマーの極化強度および方向は、局部印加電
界の強度および方向に従うので、マックスウェル方程式で許容されるよりも鋭い
空間次元を有する極化微細形状を得ることは不可能である。ポリマーでは、電極
ではなく極化領域を空間的にパターン化してもほとんど利点は得られない。
光学ポリマーに基づく装置では、電子光学応答を生成するために極化が必要で
ある。極化は、(熱が存在するときに)装置上に作製された電極に電圧を印加す
ることによって行われる。ポリマー被膜全体を一様な電極を用いて極化すること
ができ、その後、電極は、必要な機能を得るために空間的にパターン化される。
電界が届く範囲内の活性領域もほぼ同様に極化されるので、装置のEO性能は
、パターン化電極を用いて極化を行う場合でもそれほど変化しない。層全体を極
化するか、それとも電極の下方の領域のみを極化するかの選択は、主として製造
上の都合によるものである。装置の活性領域の外側で極化が空間的にパターン化
されるポリマーEO装置の例には、◆Baken等の米国特許第4867516
号「Electro−optically induced optical
waveguide,and active devices compris
ing such a waveguide」(1989年9月)および◆Ti
cknor等の米国特許第5103492号「Electro−optic c
hannel switch」(1992年4月)の切替ウェーブガイドがある
。これらの装置のうちで、電極がパターン極化構造の複数の境界を横切るものは
ない。
極化プロセスは、ポリマーの屈折率楕円面も変化させる。このことは、◆J.
I.Thackara、G.F.Lipscomb、M.A.Stiller、
A.J.Ticknor、R.Lytel著「Poled electro−o
ptic waveguide formation in thin−fil
m organic media」(Appl.Phys.Lett.、52、
1031(1988年)[TLS88])、ならびに◆Thackara等の米
国特許第5006285号(1991年4月)および米国特許第5007696
号(1991年4月)「Electro−optic channel wav
eguide」に記載されたように極化可能なポリマーのストライプを極化する
ことによってウェーブガイドを製造できるようにすることなど、いくつかの望ま
しい効果を有する。しかし、このプロセスには、非励起状態で極化ポリマー境界
の損失が大きい(境界が散乱、回折、屈折する)という問題がある。光線が極化
ポリマーを横切る装置は、透過性が得られるが、一様な屈折率を得るために極化
ポリマーを電気的に活動化しなけれならないという問題を有する。極化のために
屈折率が変化することがないので、極化結晶装置はこの問題を有さない。
極化ポリマーにおいて横空間画定が行われない問題の解決策は、Diemee
rの米国特許第5016959号「Electro−optical comp
onent and method for making the same
」(1991年5月)で提案されている。Diemeerは、ポリマー被膜全体
が極化されるが、選択された領域の電子光学係数が照射によって破壊され、鋭い
空間境界を有する非極化領域が形成される、全内部反射(TIR)ウェーブガイ
ド・スイッチについて説明している。このような非極化照射領域内の下方の分子
は、位置合わせされたままであるが、もはや電子光学応答を有さない。この手法
は、ポリマー被膜に鋭い極化ドメイン−非極化ドメイン境界を形成するうえで有
用である。この手法は、反転極化ドメインを生成することができず、したがって
対応する結晶極化技法と比べて効率がかなり低減されるという欠点を有する。
非線形周波数変化装置では、通常、非線形光学材料内で、異なる極性のドメイ
ンが周期的に極化されるが、このようなドメインが電界によって励起されること
はない。極化構造は、ビームの軸に沿って周期的に変化し、2つのビーム間に蓄
積する位相差にもかかわらず正味エネルギー変換が可能になる。この手法は、準
位相整合と呼ばれており、Byer等の[米国特許第50326220]ニオブ
酸リチウム、KTP、タンタル酸リチウムなどの強誘電体で、また◆Khana
rian等の米国特許第4865406号「Frequency doubli
ng polymeric waveguide」(1989年9月)に記載さ
れたように、ポリマーで実証されている。位相整合は電界のないときに行われる
ので、これらの装置では通常、電極は使用されない。ポリマーにおける一般的な
周波数変化は、◆Khanarian等の米国特許第5061028号「Pol
ymeric waveguides with bidirectional
poling for radiation phase matching
」に記載されている。Khanarian等は、両方の特許においてパターン化
電極を使用してポリマー被膜を極化させた。しかし、付随する空間パターンの鋭
度の損失が深刻な問題となり、後者の特許のようにより複雑な電極構造が必要で
ある。
電界を使用して格子を制御し、伝搬する電界を制御する周期構造を使用する装
置が知られている。格子変調器は、◆Baues等の米国特許第4006963
号「Controllable,electro−optical grati
ng coupler」(1977年2月)に示されている。この構造は、電子
光学基板内の材料を周期的に除去し、永久格子を形成することによって製造され
る。基板を電子光学的に励起することによって固定屈折率格子の効果がより大き
く、あるいは小さくなり、ある種の同調が行われる。この構造は、極化領域を含
まない。Bauesの構造の欠点は、ポリマー被膜の場合と同じであり、格子は
、非常に強力な電界を印加しないかぎり透過性にすることができない。
EO切替可能な格子に関する現行の技術を第1図(従来技術)に示す。この構
造では、周期的にパターン化された電極が、格子を画定する要素として働く。後
述のように、基礎材料はパターン極化電極を有さない。入射ビーム12は、電気
的に制御可能な格子6を含む電子光学的に活性の材料2に結合される。格子電極
の電圧源10がオフであるとき、入射ビームは引き続き材料内を伝搬し、出射ビ
ーム16を形成する。格子制御電圧源をオンに切り替えると、材料内に屈折率変
調格子が生成され、入射ビームの一部が、反射出射ビーム14として結合される
。この材料は、極化構造全体にわたって同じ極性を有する単一のドメインを含む
電子光学的に活性の極化領域4を有する。第1の電極6は、共通の基板18上で
第2の電極7と相互嵌合している。電極間に電圧を印加すると、ビーム12の経
路に沿った電界の垂直成分が交互に逆の符号を有し、正の屈折率と負の屈折率が
交
互に生成され、格子が形成される。格子の強度は、2つの導体8によって2つの
電極間に接続された電圧源によって制御される。
一様な基板およびパターン化電極を使用する従来技術のEO装置および圧電装
置に関する第2の一般的な問題は、励起された電界のパターンが、電極からの距
離と共に急速に減衰することである。このパターンは、パターン微細形状寸法に
等しい電極からの距離でほぼ消失する。この問題は、非常に小さな微細形状寸法
のために格子の場合にはさらに深刻である。交互嵌合形電極で形成された従来技
術の格子は、浅い表面層でのみ変調効果を生成する。EO構造は、次元が微細形
状寸法よりも大きなウェーブガイドとかすかに相互作用する。より高次の相互作
用装置ではより長い格子周期を使用することができるが、前述のように、鋭い画
定が行われないため、この場合も効率が著しく制限される。現行の技術と効率的
に相互作用するための最小格子周期は、約10ミクロンである。アスペクト比(
光線の幅と微細形状寸法の比)が高いにもかかわらず、小さな構造に基づいてE
O構造の効率を維持する方法が必要である。ウェーブガイド、および場合によっ
ては案内されない大きなビームの幅全体にわたって持続する切替可能なパターン
構造が必要である。
バルク材料では、ホログラフィ露光および音響励起によって格子を形成するこ
とができる。ホログラフィ露光は非常に難しく、市販可能な状態の、SBNなど
の蓄積材料は、まだ開発されていない。音響励起は、実施しパワーを得るための
コストが非常に高く、ソフト・マウントやインピーダンス整合減衰構造などの追
加構成要素が必要である。付着技法、材料除去技法、材料修正技法(内部拡散、
外部拡散、イオン交換)を含め、他の方法によって表面格子が形成される。好ま
しくは、アクセス可能な表面での微細形状制御と共に、バルク相互作用構造を生
成するのに十分な大きさのアスペクト比を達成することができる手法が必要であ
る。
EO材料は基本的に、電子光学的に活性の材料でよいが、液晶は特殊なケース
であり、限られた適用性を有する。位置合わせされた液晶ドメインの調整可能な
パターンからの回折に基づく光変調器は、◆O’Callaghan等の米国特
許第5182665号「Diffractive light modulat
or」(1993年1月)に記載されている。液晶ドメインを形成することによ
って変調された全内部反射に基づく光変調器は、◆Handschy等の米国特
許第4813771号「Electro−optic switching d
evices using ferroelectric Iiquid cr
ystals」(1989年3月)に記載されている。すべてのこれらの装置で
は、ドメインが物理的に現れ、あるいは消えて所望の効果が生成されなければな
らない。印加電界に応答して液晶装置内の分子の配向が変化し、光と相互作用す
るパターン化構造が生成される。しかし、液晶は重要な欠点を有する。液晶はも
ちろん液体であり、実装するのがより困難である。液晶は、限られた温度範囲と
、固体装置よりも複雑な製造工程を有する。励起電界パターンが距離に応じて減
衰するのでアスペクト比の高い構造を作製することはできない。分子の配向は、
電界がオフにされた直後に緩和し、パターンを再確立するには長い時間がかかり
、したがって高速の切替は不可能である。
従来の技術において光をウェーブガイド間で切り替える構造は、挿入損失が大
きく、あるいはチャネル間隔が大きく、そのため、大型の経路指定構造には適し
ていない。大型の切替構造は、光が基板内を伝搬できるようにするほど小さな挿
入損失を有する切替要素を有さなければならない。たとえば、ウェーブガイドが
100個のスイッチを有する場合、スイッチの挿入損失は、約0.03dBより
も小さくなければならない。従来技術ではこれは不可能である。R.A.Bec
kerおよびW.S.C.Chang著「Electro−optical s
witching in thin film waveguides for
a computer communications bus」(Appl
.Opt.18、3296(1979年))では、交互嵌合形電子光学格子スイ
ッチを介して結合されたマルチモード交差ウェーブガイド・アレイ構造が実証さ
れている。このスイッチは、固有に大きな挿入損失(0.4dB)と不十分な切
替効率(≒10%)とを有する。J.H.Hongの米国特許第5040864
号「Optical Crosspoint Switch Module」(
1991年8月)は、基本的に小さな挿入損失を有することができるが、効率的
に切替を行うには非常に大きな交差接合部を必要とし、したがって高密度切替ア
レ
イを生成することができない平面ウェーブガイド構造を開示している。
簡単に言えば、従来技術は、1)バルク波または小さなパターンとの効率的な
相互作用を行うには、アスペクト比の大きな制御可能なパターンが必要であるこ
とと、2)高次相互作用を効率的なものにするには急激なドメイン遷移が必要で
あることと、3)適切な無電力動作を行うには、印加電界が零のときにドメイン
構造が透過的である必要があることと、4)スイッチ・アレイには低挿入損失が
必要であることなど、いくつかの領域で欠点を有する。従来、実際の装置を実現
するうえで、前述の構造およびその他の構造に含まれる極化構造は十分には利用
されていない。
発明の要約
本発明によれば、光エネルギー伝達装置およびエネルギー案内装置は、電界を
使用し、固体材料内のある種の極化構造を使用してエネルギー伝搬を制御する。
極化構造は、格子を薄膜構成として形成することも、あるいはバルク構成として
形成することもでき、ウェーブガイド構造と組み合わせることができる。極化構
造に電界を印加することによって光エネルギーの経路指定が制御される。装置に
は、周波数選択的であり切替可能で調整可能同調可能なリフレクタ、スプリッタ
、方向性カプラ、周波数同調可能なスイッチ、効率的なビーム・コンバイナ、偏
光ビーム・コンバイナが含まれる。調整可能な同調可能性は、可変電界が存在す
るときに軸に沿って可変屈折率の空間勾配を生成する極化構造によって得られる
。
一実施形態では、本発明は、特定の周期の交番ドメイン構造を含む極化材料か
らなる切替可能な格子である。周期構造を横切って電界を印加すると、電子光学
効果によってブラッグ格子が形成され、中心波長の周りのある帯域幅を含む光放
射が放射される。格子は、それ自体で使用することも、あるいは他の格子と組み
合わせて強誘電結晶内に一体化構造を形成することもできる。具体的には、1つ
または複数の光学ウェーブガイド格子が1つまたは複数の周期構造と相互作用し
、波長選択的で一体型の光変調器、またはスイッチ、またはフィードバック要素
を形成する一体型構造が重要である。
本発明は、下記の詳細な説明を添付の図面と共に参照すればよりよく理解され
よう。
図面の簡単な説明
第1図は、従来技術による、インターディジタル化電極を含む変調器を示す図
である。
第2図は、本発明による、バルク光線と相互作用する切替格子の汎用実施形態
を示す図である。
第3図は、切替格子を使用するウェーブガイド・レトロリフレクタの実施形態
を示す図である。
第4図は、結晶の同じ面上に配設された3つの電極を含む再帰反射装置用の電
極構成の実施形態を示す図である。
第5図は、2つの電極が結晶の同じ面上に配設された、同じ装置用の電極構成
の実施形態を示す図である。
第6図は、テーパ付き分離部を含む3つの電極が結晶の同じ面上に配設された
、装置用の電極構成の実施形態を示す図である。
第7図は、極化交差ウェーブガイド・カプラのT字形実施形態を示す図である
。
第8図は、極化交差ウェーブガイド・カプラのX字形実施形態を示す図である
。
第9図は、ウェーブガイドの平面からの射出を含む極化ウェーブガイド射出カ
プラの実施形態を示す図である。
第10図は、並列ウェーブガイド極化指向性カプラの実施形態の図である。
第11図は、代替入射出モード・プロファイルの図を含む、x交差ウェーブガ
イド・カプラの平面概略図である。
第12図は、テーパ付き電極ギャップを用いて励起されるテーパ付き結合領域
形状を含むx交差ウェーブガイド・カプラの実施形態を示す図である。
第13図は、汎用結合領域形状および電極パターンを含むx交差ウェーブガイ
ド・カプラの実施形態を示す図である。
第14図は、調整可能周波数極化電子光学レトロリフレクタのバルク光実施形
態を示す図である。
第15図は、調整可能周波数極化電子光学レトロリフレクタのウェーブガイド
実施形態を示す図である。
第16図は、電子光学クラッディングを含む調整可能周波数電子光学レトロリ
フレクタと、極化格子およびクラッディングの独立励起のバルク光学実施形態を
示す図である。
第17図は、多重周波数極化電子光学レトロリフレクタのウェーブガイド実施
形態を示す図である。
第18図は、移相極化格子を示す図である。
第19図は、多重周期格子リフレクタの実施形態を示す図である。
第20図は、多重周期性とそれぞれの異なるスペクトル範囲とを含む2つの装
置の周波数応答曲線を示す図である。
第21図は、ツイン格子調整可能リフレクタの実施形態を示す図である。
第22図は、調整可能な光路長を有するツイン格子からなる一体型エタロンの
概略図である。
第23図は、フェーズ・シフタを含む二重格子切替可能Y字形接合の実施形態
を示す図である。
第24図は、極化ウェーブガイド・モード変換器の実施形態を示す図である。
第25図は、ウェーブガイド・モード変換器を使用するウェーブガイド・ルー
タの実施形態を示す図である。
第26図は、切替可能な並列ウェーブガイド共振器の実施形態を示す図である
。
第27図は、3アーム・ウェーブガイド・エタロンの実施形態を示す図である
。
第28図は、リング・ウェーブガイド・エタロンの実施形態を示す図である。
第29A図は、制御可能な極化中間構造を含む変調器/減衰器の実施形態を示
す図である。
第29B図は、調整可能なレンズ構造の実施形態を示す図である。
第30図は、切替極化ウェーブガイド・スタブを含む極化全内面反射(TIR
)ウェーブガイド・スイッチの実施形態を示す図である。
第31図は、二重TIRウェーブガイド・スイッチの実施形態を示す図である
。
第32図は、切替非極化ウェーブガイド・スタブを含むTIR電気切替ビーム
・ディレクタの実施形態を示す図である。
第33図は、TIRのない2位置極化ウェーブガイド・ルータの実施形態を示
す図である。
第34図は、50%スイッチ記録密度を有する極化TIRスイッチ・アレイの
実施形態を示す図である。
第35図は、100%スイッチ密度を有する極化TIRスイッチ・アレイの実
施形態を示す図である。
第36図は、永久旋回鏡と非対称損失交差領域とを含む高密度記録アーキテク
チャ用の二重ウェーブガイド構造の実施形態を示す図である。
第37図は、TIRスイッチを含む切替ウェーブガイド・アレイの実施形態を
示す図である。
第38図は、格子スイッチを含む切替ウェーブガイド・アレイの実施形態を示
す図である。
第39A図は、システム制御線を含むm×m通信スイッチ・アレイの実施形態
を示す図である。
第39B図は、WDM可能出力を含む3×3スイッチ・アレイの実施形態を示
す図である。
第40図は、画素要素を含む二次元切替アレイの実施形態を示す図である。
第41図は、データ・トラックに結合された画素要素を含む一次元切替アレイ
の実施形態を示す図である。
第42図は、選択可能な格子リフレクタ部と検出器アレイとを使用する切替可
能なスペクトル・アナライザの実施形態を示す図である。
第43図は、極化音響多層干渉計構造を示す図である。
第44図は、極化音響トランスジューサを示す図である。
第45図は、多重周波数光波の同調コヒーレント検出器の実施形態を示す図で
ある。
第46図は、単一の極化領域を使用する低損失切替可能ウェーブガイド・スプ
リッタの実施形態を示す図である。
第47図は、複数の極化領域を使用する低損失切替可能ウェーブガイド・スプ
リッタの実施形態を示す図である。
第48図は、1×3ウェーブガイド・スプリッタ用の主要設計要素を示す図で
ある。
第49図は、調整可能な位相アレイ変調器として示された活性ウェーブガイド
装置の多層スタックを示す図である。
第50図は、従来技術の調整可能なウェーブガイド減衰器の実施形態を示す図
である。
第51図は、多重極化セグメント調整可能ウェーブガイド減衰器の実施形態を
示す図である。
第52図は、角度拡大極化格子を使用する拡大された帯域幅を有する構造の実
施形態を示す図である。
第53図は、湾曲ウェーブガイドを使用する拡大された帯域幅を有する構造の
実施形態を示す図である。
第54図は、電気的に制御可能な極化レンズの実施形態を示す図である。
第55図は、周期的に極化されたリフレクタを使用するレーザ・フィードバッ
ク装置の実施形態を示す図である。
第56図は、周期的に極化されたウェーブガイド・リフレクタを使用するレー
ザ・フィードバック装置の実施形態を示す図である。
第57図は、複数の切替フィードバック格子を使用するレーザ・フィードバッ
ク装置の実施形態を示す図である。
第58図は、波長同調調整可能合焦システムの実施形態を示す図である。
特定の実施形態の説明
第55図〜第58図は特にこの出願の請求の範囲に関連している。請求され多
発に関する構造と方法は明細書の他の部分とともに説明されている。第2図を参
照すると、本発明の装置11の汎用な実施形態、すなわちパターン極化誘電装置
が示されている。基本的に、この装置は、電気制御可能なスタック化誘電体光エ
ネルギー・リディレクタ(energy redirector)であり、簡潔に言えば、電気的
に切替可能な鏡である。好ましい実施形態では、本発明は、ニオブ酸リチウムの
強誘電結晶20内のバルク光学リフレクタである。電気制御式切替要素は極化さ
れ
た格子22である。この極化格子は2つのタイプ36および38の交互に異なる
方向に極化されたドメインからなる。
ドメインは、任意の形状または寸法のものであり、ある種の材料特性がほぼ一
定である物理領域である。極化ドメインとは、分子群が方向性を有し、これらの
群が、極化方向と呼ばれる方向で、あるいはその方向の近くに向いてほぼ整列し
ている(あるいは部分的に整列する)。それぞれの異なる方向における整列原子
構造のドメイン、非線形活動や電子光学係数など様々な修正パラメータを含む整
列分子または原子構造からなるドメイン、好ましい方向のない原子構造のドメイ
ン、それぞれの異なる電極によって作動する領域によって画定されるドメイン、
局部電極で極化されたポリマーおよび石英ガラスの場合のように極化方向が領域
自体を横切って体系的に変動する極化領域、無作為に配向された分子からなるド
メイン、さらに、無作為ドメイン構造、すなわちドメイン自体内で無作為に極化
されたサブドメインからなるドメインを含め、多数のタイプのドメインがある。
極化構造とは、1組の個別のドメインである。パターン極化領域とは、その領域
内のドメインが空間パターンに従って極化され、複数のドメイン・タイプを含む
材料内の領域である。極化パターンと、極化プロセス中に使用される課されるパ
ターン(imposed pattern)との間には、このプロセスの性質に応じて体系的な
ずれが生じることがある。パターンの境界も、特に極化プロセスが完全な制御の
下で行われない場合には、ある程度不規則であり、課されるパターンに完全には
従わない。この装置は、それを制御する際に電界が印加され、したがって材料が
、損傷なしに必要な電界に耐えるために誘電体でなければならないので、パター
ン極化誘電体として説明することができる。通常、極化プロセスも電界を使用し
て行われ、材料はこれにも耐えなければならない。一般に、誘電とは、本出願で
は、応用例に必要な最小電界に耐える材料の機能を意味する。
動作時には、入射光線40は、光軸に沿って結晶上および結晶内に入射する。
光軸は、ビームの位相面に垂直であり、位相面での強度プロファイル全体にわた
る伝搬ビームの平均位置によって決められる。光軸は、一様な材料では真っ直ぐ
であるが、湾曲ウェーブガイド、非一様媒体、反射構造または回折構造を含め、
いくつかの状況で曲げられる。入射ビーム40は、結晶を貫通せず、望ましくな
いパワー損失およびモード変換を発生させることのないように結晶長全体にわた
って十分に小さなスポット寸法21を有することが好ましい。第2図に示した装
置のようなバルク相互作用装置では、ドメイン36および38は、入射ビーム4
0の少なくとも一部に重なるように基板20を十分な距離にわたって通っていな
ければならない。格子22は入射ビーム40と交差している。これは、格子22
の平面34が入射ビーム40の軸を横切るということ意味する。2本の線(また
は線と平面、または2つの平面)が互いに横切る場合、本出願では、それらの線
は平行ではないことを意味する。格子がビーム40を横切るので、ビームは格子
22の構造の少なくとも一部を通過する。
光線40は、光周波数源(図示せず)から導かれ、ビームがそれほど結晶に吸
収されず、ビームが光屈折効果を受けてもそれほどゆがまないような波長を有す
る。光周波数源手段は、格子リフレクタ22の許容波長内で十分な輝度を供給し
有用な切替射出ビーム44を生成することができる1つまたは複数の光学励起器
を含むことができる。射出ビームは、同じ基板上の他の要素に結合することも、
あるいは外部装置に結合することもでき、後者の場合、ビーム44が現れる射出
表面に反射防止コーティングを施すことが好ましい。反射防止コーティングは、
多層誘電コーティングでも、ほぼ適切な屈折率を有する材料からなる単一の4分
の1波長層でも、ゾル−ゲル・コーティングでもよい。励起器は、所望のスペク
トル輝度が達成されるかぎり、レーザ、発光ダイオード、アーク灯、放電、場合
によってはフィラメントを含め、任意の光源でよい。所望のスペクトル輝度を1
つまたは複数の励起器から直接供給することも、あるいは1つまたは複数の周波
数変換(二重、または混合、またはパラメトリック増幅)励起器から間接的に供
給することも、あるいは上記の代替策のうちのいくつかを組み合わせて供給する
こともできる。吸収効果によって波長は約400nmないし4000nmの範囲
に制限される。光屈折現象の効果は、構成、波長、ドーパント、極化構造に応じ
て異なり、本出願では、この効果が、許容限界内ではビームのゆがみが残らない
ように制御されるものと仮定する。
格子22は、2つの異なるタイプの交番ドメイン間の境界34で形成または画
定される。第1のタイプのドメイン36は、第2のタイプのドメイン38とは異
なる電子光学(EO)係数を有し、そのため、電極24と電極26との間に一様
な電界が印加された場合、2つのタイプのドメインの屈折率の変化は異なるもの
になる。屈折率によって光波の位相速度が変化するので、屈折率または位相速度
の異なる領域間ではインピーダンスが一致しない。極化センス矢印39、41に
よって示したように、領域36が他方のドメイン・タイプ38およびオリジナル
・ウェハ20の極化方向に対して逆のセンスを有する材料を用いてそのような屈
折率の変化を生じさせると有利てある。逆のセンスとは、本出願では、極化方向
がある基準方向の逆であることを意味する(電界制御可能な格子の代替実施態様
は、領域36の内外でE−O係数が破壊される照射マスク付きポリマー被膜であ
る)。構造22に一様な電界を印加すると、変調された屈折率が生成される。こ
の屈折率変調パターンは、既存の屈折率分布に追加される。最も簡単な構成は、
印加される電界がない場合には屈折率変調を有さず、印加された電界に応答して
屈折格子を直線的に形成する。格子22の周期48は、各ドメイン・タイプに対
応する領域を全体的に含む2つのドメイン領域間の距離である。
屈折格子の代替実施態様は、ひずみ場を極化領域に印加することによって得ら
れる。材料の光弾性応答のために、それぞれの異なる極化領域でそれぞれの異な
る屈折率の変化が生じる。ひずみ場は、たとえば高温の基板上に被膜を置き、次
いで室温に冷却することによって常に印加することができる。ひずみの集中は、
たとえば被膜のストライプをエッチングすることによって行うことができる。
極化要素36および38は、格子22全体にわたって交互に配置され、間に空
間は含まれない。追加ドメイン・タイプを使用することができる場合、各ドメイ
ンがそれぞれの異なるドメイン・タイプの様々な距離だけ分離されたより複雑な
交番パターンが可能である。ある種の応用例では、格子22は、その長さに沿っ
て1周期だけ含まれるドメイン・タイプが他の周期で再生されるように、第2図
に示したような一様に周期的な格子である。他の応用例では、複数のスペクトル
・ピークやより広いスペクトル帯域幅など他の利点が得られるように周期を修正
すると有利である。格子とは、本出願ては、形状および周期性のすべての可能な
変形態様を含め、区別可能な構造のアレイを意味する。
周期的屈折格子は、光線間の相互作用において仮想光子を供給することができ
る。これは、この格子構造が、相互作用に対して運動量を供給することはできる
が、エネルギーを供給することはできないことを意味する。相互作用を継続させ
るには、エネルギーと運動量を共に保存しなければならず、この格子は、2つの
保存関係を同時に満たすために運動量の増分が必要なときに有用である。格子の
周期性によって、相互作用に使用できる運動量が決められる。格子の強度によっ
て仮想光子ビームの「強度」が決定される。光線が横切る格子の断面の周期の数
によって、得られる仮想光子運動量の帯域幅が決定される。帯域幅の制限のため
に、相互作用は、特定の光周波数範囲(または複数の光周波数範囲)内でしか継
続できない。したがって、格子装置は、固有に周波数選択的なものであり、通常
、公称波長の周りで動作する。
たとえば、第2図に示したような、ある角度での簡単な反射プロセスでは、入
射ビーム40の光子は、射出ビーム44および42の光子と同じ光周波数を有し
、したがってエネルギーの保存が守られる。しかし、入射ビーム40中の光子の
運動量と偏向された射出ビーム44中の光子の運動量は同じではない。反射プロ
セスを生じさせるには、第2図に関連するベクトル図43によって示したように
、格子22によって運動量の変化を与えなければならない。格子22は相互作用
に対して仮想(運動量を有するがエネルギーは有さない)光子を供給し、運動量
を保存できるようにする。第iのモードに関連する運動量ベクトル、すなわちki
=2πi/λiは、そのモードの有効屈折率niの2π倍の値をその光波の波長λi
で除した値に等しく、伝搬方向を指し示す。運動量ベクトルの大きさを伝搬定
数とも呼ぶ。単一周期格子の場合、運動量ベクトルkl=2π/Λは、格子表面
の垂直な方向を指し示し、格子のフーリエ変換に存在する任意の波長値Λを有す
ることができる。したがって、50%デューティ・サイクル格子の伝搬定数kl
に関連する光間隔(格子の線および空間の幅)はΛ/2である。相互作用の周波
数は、たとえば光線の屈折率を調整することにより、あるいは熱膨張またはその
他の手段によって格子周期を調整することによって調整することもできる。所与
の装置をどのように実施するかに応じて、屈折構造は、相互作用に寄与すること
ができる波長およびベクトル方向のスペクトルを有することができる。また、複
数の仮想光子は、いわゆる「上位」格子相互作用における相互作用に寄与する
ことができる。「上位」格子とは、整数による除算による運動量保存に必要な周
期に関係する周期を有する格子である。必要な運動量仮想光子は、「上位」格子
の高調波から得られる。このプロセスによって運動量が保存される条件を一般に
ブラッグ条件と呼び、したがって本発明の格子はブラッグ格子であり、格子に対
する入射角は、帯域内周波数成分または共鳴周波数成分に関するブラッグ角であ
る。このエネルギーおよび運動量の二重保存は、エネルギー・ビームが光エネル
ギーの形態であるか、それともマイクロ波の形態であるか、それとも音響の形態
であるか、それとも時変エネルギー場からなるその他の波状エネルギーの形態で
あるかにかかわらず、エネルギー・ビーム相互作用に必要である。格子の実施態
様を変更するだけで、構造のパターンが波状エネルギー形態に結合できるように
それぞれの異なる形態のエネルギーのためのインピーダンス変調を生成すること
ができる。
第2図では、屈折格子は、周波数選択的な光エネルギー・ルータまたはリフレ
クタとして機能する。(1つまたは複数の仮想光子と相互作用することができる
)相互作用帯域幅内の特性周波数のビームは帯域内ビームと呼ばれ、それに対し
て他の周波数のエネルギー・ビームは帯域外ビームと呼ばれる。格子22は、光
周波数の関数として格子の反射効率の最大値の半分での全幅に対応する周波数帯
域幅を有する。屈折格子が存在する(格子が「オン」である)とき、格子の帯域
幅内の光周波数を有するビームは、格子構造に対する垂直線47の周りで角度4
6で格子から反射される。帯域外ビームは、入射ビームと同じ光軸に沿ってかつ
入射ビームと同じ方向に結晶内を伝播し、伝播射出ビーム42の一部を形成する
。格子を含む領域に電界を印加することによって、屈折率変調の強度(仮想光子
の強度とみなすことができる)が制御され、伝播出力ビーム42のパワーと反射
射出ビーム44のパワーとの比が調整される。
(入射ビームをそれほど低減させない)弱い再帰反射格子の場合、半値全幅最
大帯域幅△λは次式によって与えられる。
上式で、
λ=入射ビームの真空波長
n=ビームの屈折率
L=格子の長さ
反射率の高い格子の場合、有効長が格子の全長よりも小さく、帯域幅が増加す
る。
この2種類のドメインは、電界が印加される前には屈折率の差を有する。この
場合、永久屈折格子は極化切替可能屈折格子を伴っている。電界が印加されると
、屈折率(格子強度)の正味変調は、極性に応じて増減する。次いで、特定の値
の電界を印加したときに「グレーティングオフ」(屈折格子値が零に近くなる)
が発生する。次いで、他の電界強度を印加することによって格子を「オン」にす
ることができる。印加する電界の極性を反転させた場合、最初の永久格子の強度
の2倍の強度を有する屈折格子が生成される。
本発明の極化格子構造は、従来技術と比べて2つの主要な利点を有する。第1
に、極化ドメイン構造は、非常に鋭い境界を有し、仮想光子運動量、すなわち基
本格子周期に対応する運動量の倍数で強いフーリエ係数を与える。これは、必要
とされる小さな微細形状寸法ではリソグラフィを行うことが実際的ではない場合
に非常に有用である。第2に、格子周期と比べて光モード寸法が大きい場合でも
強屈折率変調格子を生成することができる。これは、電界変調が電極アレイの平
面からの距離に応じて指数関数的に減衰し、格子周期に等しい距離内の大部分の
変調を喪失させるので、パターン化電極によって励起される一様に極化された基
板では不可能である。極化プロセスによって、アスペクト比、すなわちドメイン
の深さと幅の比が極めて高い極化微細形状を生成することができる。電界極化技
法を使用して、250:1を超えるアスペクト比が達成されている。ほぼ一様な
電極を使用しているので、良好な静電貫通が得られる。深いドメイン壁を用いた
場合、ビーム全体にわたって良好が変調が得られる。
格子は、屈折率変化の二次元アレイでもよく、その場合、格子は2つの次元で
周期性を有する。その場合、格子から与えられる仮想光子は、2つの次元で運動
量を与える。これはたとえば、単一の格子からのいくつかの射出ビームを含む応
用例で有用である。
好ましい実施形態では、結晶は、市販のzカット・ニオブ酸リチウム単結晶ウ
ェハである。極化方法および極化ドメインの所望の配向に応じて、xカット、y
カット、アングル・カットを含め、他のカットを使用することもできる。製造ス
テップは主として、極化と電極製造とを含む。処理の前に、(たとえば、酸素プ
ラズマ灰化によって)結晶を清掃され、研磨工程および処理工程で残ったすべて
の炭化水素およびその他の汚染物を除去する。極化を制御するために、1994
年5月9日に出願された米国特許出願第08/239799号に記載されたよう
に、マスクおよび処理電極を使用して、ウェハの表面およびウェハ内にあるパタ
ーンの電界を印加する。極化電界の印加中に領域36で極化ドメインが反転する
ように極化パターンを調整する。簡単に言えば、ウェハ20の+z表面23上に
厚さ数ミクロンのシリカ層を付着させる。この被膜を、ドメインを反転する必要
がある領域36で薄くし、あるいは除去し、液体電極または付着した金属被膜を
使用して、パターン化されたシリカの上方に良好な等電位表面を形成し、約24
kV/mmを超える電界を印加し、+z表面23の電位が−z表面25の電位よ
りも高くなるようにする。この技法を使用して、ニオブ酸リチウムの強誘電結晶
を極化し、逆の極性を有する2つのドメイン・タイプのパターンを形成した(ド
メイン反転)。2つのタイプのドメイン電子光学係数の大きさは同じである。た
だし、極性は逆である。
好ましい技法だけでなく、内部拡散技法、イオン交換技法、代替電界極化技法
を使用して強誘電体でドメイン変換を行った。熱強化内部拡散によるドメイン形
成を、チタンを使用してニオブ酸リチウムで実証した。しかし、反転した領域が
三角形であるため、ドメイン寸法が小さい場合には相互作用効率が制限され、こ
の形状は主として、長い周期を有するウェーブガイド装置で有用である。イオン
交換を介したパターン極化を、ルビジウム・イオンとバリウム・イオンとを含む
塩浴内のKTPで実証した。この場合、結晶中のカリウム・イオンがルビジウム
・イオンと交換された。好ましい技法の代替技法を使用する電界極化も、ニオブ
酸リチウムとタンタル酸リチウムの両方で実証した。場合によっては、KTPや
チタン酸バリウムを含め、すべての固体強誘電材料を電界ドメイン反転技法によ
って極化することができる(冷却された流体、ガラス、架橋ポリマーなど、構造
をある期間にわたって保持する固体手段)。
それぞれの異なる技法によってそれぞれの異なる特性を有する格子が生成され
る。電界極化では、屈折率の固有の変化を発生させずに結晶中のドメインが整列
し、それに対して、イオン交換技法および拡散技法では、極化領域で屈折率が変
化することはない。この後者の方法を使用すると、切替可能極化格子には永久屈
折格子が伴う。
一般に、2種類の異なるドメインがあり、少なくとも第1のタイプが極化され
る。2種類のドメインしか必要とされないが、他のタイプのドメインを用いてよ
り複雑な切替可能格子構造を製造することができる。第2のドメイン・タイプは
、反転極化することも、あるいは非極化することも、あるいは他の角度で極化す
ることもでき、異なる電気活動係数(たとえば、電子光学係数や圧電光学係数)
によって区別することができる。たとえば、いくつかの応用例では、非極化ニオ
ブ酸リチウム・ウェハで装置を製造すると費用有効であり、その場合、基板ウェ
ハは、無作為に配向された複数のドメインを備える。極化ドメインは一様な配向
を有し、それに対して他のドメインの配向は無作為である。装置の性能は、装置
のタイプに応じて、無作為パターンの細部の影響を受ける。他の例を挙げれば、
第2のドメインを第1のドメインに垂直に、あるいは他の角度で配向させること
ができ、この場合も、電気応答の差によって、電子的に制御される有用な構造が
生成される。極化ドメインは、石英ガラスやポリマーなど、従来分子スケールで
以前に非極化され、無作為に配向された材料で形成することもできる。極化プロ
セスによって、第2のドメイン・タイプが材料内の非極化され無作為に配向され
た領域から構成される一方、材料の構成は第1のドメイン・タイプを生成するよ
う配向される。
代替技法では、第2のドメイン・タイプに対応する領域で電気活動係数を選択
的に変更または破壊することによって極化構造を形成することができる。このよ
うな領域の原子構造の配向を変更する必要はない。第2のドメイン領域で電気活
動を変更した場合、それぞれのドメインは異なるものになる。たとえば、非線形
ポリマーでは、照射によって電子光学係数を無効にし、照射がマスクされる電子
活動領域を形成することができる。ニオブ酸リチウムで同様な効果を実証した。
この場合、陽子交換のために非線形係数が破壊される。電子光学係数の修正は、
光放射、または電子ボンバード、またはKTPやタンタル酸リチウムなど大部分
の非線形材料を含め、他の多数の材料でのイオン・ボンバード、あるいはそれら
の組合せによって行うこともできる。
ニオブ酸リチウムでは、結晶のz軸に沿った印加電界E3によって、次式で与
えられる異常屈折率δneの変化が誘発される。
上式で、r33は適当な電子光学非線形光学係数である。r33はニオブ酸リチウ
ムの最大非線形定数なので、実際の装置の異常屈折率の変化を使用するのが最適
である(E3が印加されることによって正常屈折率の変化を発生させる非線形定
数r13は、r33よりも小さな係数3.6である)。異常屈折率の変化を使用する
には、光波を材料のz軸に沿って偏光しなければならない。zカット結晶では、
この偏光をTMと呼ぶ(TE偏光では、電気ベクトルは結晶表面の平面に存在す
る。他の唯一の有意非線形係数はr13であり、電界E1またはE2が印加されたと
きにTE波とTM波を結合する)。
極化構造内で誘発される屈折率変化はかなり小さいので(ニオブ酸リチウム基
板のz軸に沿って10V/μmの電界を印加した場合、屈折率変化δneは1.
6×103に過ぎない)、第2図の格子リフレクタは強い角依存性を有する。弱
い屈折率変化の場合のブルースター角は45°であり、したがって格子は、その
平面が光線の同位相波面に対して45°の角度に配設されたときにTE偏光波を
完全に透過させる。したがって、この装置は偏光器として使用することができる
。反射ビームは常に基本的に、45°の入射角で偏光される。十分な格子周期お
よび高い印加電界を用いてTM波の反射係数を高くした場合、偏光器の順方向の
吸光係数も非常に高くなる。もちろん、正常な入射では、この効果のための2つ
の
偏光の間の反射の差はない(ただし、前述の電子光学係数の差など、他の効果の
ための差が生じる)。格子入射角で動作する完全内部反射装置は、ブルースター
角とはまったく異なるものであり、この効果のための反射の差をほとんど有さな
い。
ウェハ材料は、強誘電体、ポリマー被膜、本発明による多数の有用な装置を製
造するために極化することもできる石英ガラスなどある種のアモルファス材料を
含め、極化可能な半導体誘電材料でよい。極化材料は、第2の材料の基板上に配
設された薄膜でもよい。石英ガラス、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チ
タン酸バリウム、酸化亜鉛、II−VI材料、様々なポリマーなど、多数の極化
可能な薄膜を首尾良く基板上に付着させた。MgO、シリコン、ヒ化ガリウム、
ニオブ酸リチウム、水晶や石英ガラスを含む様々なガラスを含め、様々な基板を
使用した。ドメインが電子的に切替可能であるには、そのドメインを電子光学材
料、すなわち電界を印加されることによって屈折率が変化する材料で構成しなけ
ればならない。
極化ステップの後、液体電極材料およびシリカ・マスク被膜を除去することが
好ましい。再び第2図を参照すると分かるように、第1の電極24および第2の
電極26は、誘電材料に対向し、格子を制御する電界を生成する手段を形成する
(ある材料に対向することは、その材料の近くに配置されるが、必ずしも接触せ
ず、材料の表面にほぼ整列するが、必ずしもギャップ寸法は一定でなく、異なる
寸法の追加材料が材料上に配置された状況を含む)。電極24および26は、導
電材料からなり、標準付着技法を使用して、結晶の対向表面上に結晶に対して間
隔を置いて境界付けるように配置することが好ましい。これらの電極は、表面が
大きな形状の一部として湾曲していても、あるいは非平行であっても、あるいは
その両方であっても、対向平面上にあると言う。電極は、応用例に整合する時間
で極化格子を活性化するのに適切な電界強度を達成するのに十分な電荷移動を行
う材料で形成することができる。たとえば、電極は、アルミニウム、金、チタン
、クロムなどの金属、導電塗料やエポキシや半導休材料やインジウムおよびスズ
の酸化物など光学的透過材料、塩水などの液体導体で択一的に構成することがで
きる。電極は、空気、または光学的透過バッファ層、またはその他の材料をギャ
ッ
プに満たした状態で表面23および25に対向することもできる。ある電極と、
外部接地平面、第2の電極、複数の電極などの電位基準との間に電位差が生じる
ので、必要な電極は1つだけである。電極は、それに電圧を印加することにより
、その電極によって決定される電界パターンが確立されるので、電界生成手段で
ある。電圧および電流の供給ももちろん必要である。電極は、パターン極化領域
または格子で構成することのできる本発明の活性部分を通じて制御電界が印加さ
れるように配置される。
金属電極の場合、電極の下方に配設されたコーティングを組み込み、案内され
た光波モードの一部が金属電極へ延びるときに発生する光損失を低減させるのが
最適である。コーティングは、同じ表面に複数の電極を取り付けた場合に表面で
高電界を維持できるほど薄くするが、光損失を低減させるほど厚くすべきである
。絶縁破壊の確率を低減させるために電極の上方に別のコーティングを配設する
ことも有用である。
電圧制御源32(または電位源)は、格子を活性化するために接続30を通じ
て電極を駆動するための電位を与える。活性化された電極は、印加電圧の極性に
応じて互いに対して極付けされる。電位源の電圧は、有意な量の光を切替射出ビ
ーム44に切り替えるのに十分な大きさの電界を極化領域を通じて生成する。電
位源の電圧は、2つの射出ビームのパワーの比を制御する手段を提供するために
可変である。電界が十分に高く、電気的に活性化された鏡が形成される場合、長
い格子を用いてほぼすべての入射ビームを反射することができる。電界が低い場
合、格子は部分リフレクタを形成する。電圧制御源は、バッテリでも、電気変圧
器でも、ガス発電機でも、他のタイプの制御可能な電流・電位源でもよい。制御
手段32は、時間依存電圧を生成し、応用例に必要な周波数で電極24および2
6上の電圧を変化させる電流を供給するコントローラを組み込むこともできる。
制御手段32は、複数の装置を制御することができ、ある種のパターンに従って
時間的に順序付けることができる複数の出力を有することもできる。電位源32
は、コンピュータまたは他の器具によってそれ自体の機能を手動制御または電子
制御するための制御入力を有することができる。
不要な繰り返しを避けるために、第2図を参照した説明した変形形態が後述の
実施形態に適用され、下記の図を参照して説明する変形形態も第2図に適用され
ることを理解されたい。
次に第3図を参照すると、本発明の波をガイドする実施形態が示されている。
具体的には、この実施形態は、電気制御式周波数選択的ウェーブガイド・レトロ
リフレクタである。この装置内のすべての光線は光学ウェーブガイド64によっ
て2つの次元に拘束され、装置61の基板60を形成する極化可能な誘電材料の
一表面を横切る。
ウェーブガイドは、回折効果、および場合によっては案内構造の湾曲にかかわ
らず全長にわたって光波を伝搬させる構造である。光学ウェーブガイドは、周り
の媒体に対して屈折率の増加された拡張領域で画定される。光波の案内の強度ま
たは拘束は、波長、屈折率の差、案内幅に依存する。一般に拘束が強いほど、モ
ードの幅は狭くなる。ウェーブガイドは、拘束の強度に応じて、複数の光モード
をサポートすることも、あるいは単一のモードをサポートすることもできる。一
般に、光モードは、2つの次元における電磁界形状、偏光状態、波長によって区
別される。複屈折材料または非対称ウェーブガイド内で案内される光波の偏光状
態は通常、直線偏光である。しかし、一般的な偏光状態は、特に光波が大きな波
長を有する場合、非平行偏光成分ならびに楕円成分および非偏光成分が含まれる
。屈折率の差が十分に小さく(たとえば、△n=0.003)、ガイドの幅寸法
が十分に狭い(たとえば、W=4μm)場合、ガイドはある範囲の波長にわたっ
て単一の横断モード(最下位モード)を拘束するに過ぎない。ウェーブガイドの
上下で屈折率が非対称的になるように基板の表面上でウェーブガイドを実施する
場合、屈折率の差またはウェーブガイドの幅に遮断値が存在し、この遮断値より
低い値ではモードが拘束されることはない。ウェーブガイドは、(たとえば、内
部拡散によって)基板で実施することも、あるいは(周りの領域をエッチングし
、あるいはコーティングを塗布し、あるストリップを除いてすべてをエッチング
してウェーブガイドを画定することによって)基板上に実施することも、(いく
つかの処理済み基板層を接触または結合させることによって)基板内部に実施す
ることもできる。ウェーブガイドは、全ての場合において基板を横断するとみな
される。ウェーブガイド内を伝搬する光モードは、ウェーブガイドの幅だけでな
く
すべての拘束パラメータに関係する横寸法を有する。
基板は、ニオブ酸リチウムの単結晶であり、ウェハの厚さによって分離された
2つの対向面63および65を有するチップを形成することが好ましい。対向面
は、平行である必要はなく、あるいは場合によっては平坦でなくてもよい。ウェ
ーブガイドは、アニール陽子交換(APE)など十分に確立された技法によって
面63上に形成することが好ましい。別法として、陽子以外のイオンを基板材料
内で内部拡散することも、あるいはイオン交換することもできる。APEウェー
ブガイドは、結晶異常屈折率を増加させ、z軸に沿って偏光された光用のウェー
ブガイドを形成する。zカット結晶の場合、これはTM偏光モードに対応する。
ニオブ酸リチウム中のチタン内部拡散などの代替技法で形成されたウェーブガイ
ドは、TM偏光とTE偏光の両方をサポートする。
ウェーブガイドを単一の最下位横モードしかサポートしないように設計し、上
位モードに関連する複雑さをなくすることが好ましい。上位横モードは、いくつ
かの応用例で問題となる、最下位モードとは異なる伝搬定数およびより高い散乱
損失を有する。しかし、高パワー伝搬の場合など、いくつかの応用例ではマルチ
モード応用例が好ましい。
1つの代替構成は、電界を直接印加するのではなく圧力を加えることによって
格子を励起するものである。圧力を加えることの効果は間接的には同じであり、
圧電効果により、応力が加えられることによって電界が生成され、それによって
ドメインの屈折率が変化する。しかし、たとえば、構造を機械的に圧縮する場合
、応力を維持するために持続エネルギーを印加する必要はなくなる。この代替策
は、前述の他の方法と同様に、後述の本発明の他の同様な実施態様にも適用され
る。
ウェーブガイドの寸法を決定した後、ウェーブガイド用のフォトマスクを生成
し、多数の周知のリソグラフィック工程のうちの1つによって基板上のマスキン
グ材料にパターンを転写する。マスク材料は、SiO2、タンタル、またはその
他の金属でも、あるいはその他の耐酸材料でもよい。APEウェーブガイドを製
造するには、マスクされた基板材料を溶融ベンゾ酸に浸漬し、結晶中のリチウム
・イオンを酸から得た陽子で交換する。この結果得られるステップ屈折率ウェー
ブガイドを次いで、約300℃で数時間にわたってアニールし、陽子を結晶内で
深く拡散させ、電気活動係数の高い低損失ウェーブガイドを形成する。
内部拡散二次元ウェーブガイドおよびイオン交換二次元ウェーブガイドだけで
なく、平面ウェーブガイド、および二次元リッジ・ウェーブガイドまたはストリ
ップ装着ウェーブガイドを形成することができる。平面ウェーブガイドは、より
低い屈折率の基板上に電気的に活性の材料を付着させることによって形成するこ
とができる。ウェーブガイド製造用の付着技法は、良く知られており、液相エピ
タキシ(LPE)と、分子ビーム・エピタキシ(MBE)と、炎加水分解と、ス
ピニングと、スパッタリングとを含む。リッジ・ウェーブガイドは、リフトオフ
や、ウェット・エッチや、反応性イオン・エッチング(RIE)などのドライ・
エッチなどの工程を使用することによってこのような平面ガイドから形成するこ
とができる。平面ガイドは、本発明、特に、格子からの可変可能角を使用する装
置で使用することもできる。
この実施形態の格子62は、基板を横切る光学ウェーブガイド64に垂直に配
設される。格子は、第1のタイプのドメイン66と第2のタイプのドメイン68
とで構成され、これらのドメインは、必ずしも基板内で延びる必要はない。たと
えば、内部拡散またはイオン交換を使用して活性材料を極化すると、反転された
ドメイン66は通常、材料内の有限の深さまで延びる。イオン・ボンバーやUV
照射などの技法により材料の電気活動を破壊する(あるいは電子光学活動を低減
させる)ことによって極化を行うときには部分ドメインを形成することもできる
。
入射光線80は、ウェーブガイド上に入射し、ウェーブガイドに結合される。
結合とは、界面、あるいは2つの平行なウェーブガイドまたは傾斜したウェーブ
ガイドの間、あるいは平面ガイドとストライプ・ガイドとの間、あるいは単一モ
ード・ウェーブガイドとマルチモード・ウェーブガイドとの間など、ある種の一
般的な境界を横切ってある領域から他の領域へパワーを伝達するプロセスを指す
。格子がオンであるとき、一部の入射ビームは再帰反射された射出ビーム82に
結合される。格子の再帰反射は完全である必要はなく、すなわち格子は逆方向の
数度以内に光を反射することがあるが、ウェーブガイドはこの光の大部分を捕捉
し、完全に再帰反射されたビームを形成する。再帰反射が不完全である場合、ウ
ェーブガイド64への再帰反射ビームの結合損失が生じる。格子がオフであると
き
(制御電界が、屈折格子が通常零電界で零に近い最小値を有する「オフ」位置に
調整されているとき)、入射ビームは引き続きウェーブガイドを通じて同じ方向
へ伝搬し、透過射出ビーム84を形成する。バルク装置の場合と同様に、電圧源
76を用いて、2つの射出ビームのパワーの比を制御するように格子の強度を変
動させることができる。
第1の電極70および第2の電極72は、誘電材料60のそれぞれの対向面に
対向する。基板は、損傷なしに印加電界に耐えることができるので誘電体である
が、電流が装置の性能に悪影響を与えないかぎり完全な絶縁体である必要はない
。電極は、導電材料で形成することができる。第1の電極構造を使用して誘電材
料内に電界を生成する手段もなければならない。
電極は、格子を形成する第1のタイプの極化構造の少なくとも2つの要素をブ
リッジする。これは、電極によって生成された電界が少なくとも2つの要素を貫
通することを意味する。したがって、これらの要素は電界によって活性化するこ
とができる。2本のワイヤ74によって電圧制御源76を2つの電極に接続し、
ウェーブガイド64と極化構造62が交差することによって形成された領域に電
界を生成することが好ましい。ワイヤは、応用例の必要に応じて電極を充電でき
るようにするのに十分な導電性を動作周波数に有するように任意の材料で任意の
形状に形成することができる。ワイヤは、丸形ケーブルでも、フラット・ケーブ
ルでも、同軸ケーブルでも、一体型リード・パターン導体でもよく、抵抗器でも
、キャパシタでも、半導体でも、あるいは漏れ絶縁体でもよい。
別法として、電極は、電気的に活性の材料全体にわたって電界を印加できるよ
うにする任意の方法で構成することもできる。たとえば、基板上のそれぞれの異
なる層に電極を挿入し、電極間に活性材料を挿入することができる。この構成は
、低電圧を用いて高電界を生成できるようにし、電極材料上に配設することがで
きるシリカやある種のポリマーなどのアモルフォス活性材料で特に有用である。
極化構造62は、ウェーブガイド64と極化構造62との間の交差がウェーブ
ガイドの横モード寸法と格子の長手方向寸法とを有するようにウェーブガイドよ
りも深くすることが好ましい。
第4図、第5図、第6図は、誘電材料189の共通の面上に電極が配設された
代替電極構成を示す。このような構成は、同じ表面の電極構成が低電圧で高電界
を得られるようにするので、ウェーブガイド180を使用して光線を案内する本
発明の実施形態で特に有用である。このような電極構造は、格子を横切るウェー
ブガイドの断面に電極が近接しているので、格子182の低電圧制御に特に重要
である。第4図に示した電極構成186では、第1の電極170および第2の電
極172は誘電材料の同じ表面に対向する。これらの電極は、表面がより大きな
形状の一部として湾曲されている場合でも共通の平面上にあると言う。第1の電
極は、それぞれ、第1のタイプのドメイン184と第2のタイプのドメイン18
5の交番領域からなる、いくつかの格子要素を含むウェーブガイドの一部の上方
に配置される。第2の電極は、第1の電極の周りに位置決めされる。ウェーブガ
イドに沿った電極間の距離は、ウェーブガイドの軸に沿って一様な電界が必要で
ある場合にはウェーブガイドの軸に沿ってほぼ一定である。電極の間隔は、第6
図の装置188に概略的に示したように、電界強度を漸減させるように変化させ
ることもできる。第4図に示したように配設された2つの電極間に接続された電
圧源174は、電極間で電界を生成することができる。電界ベクトル176は、
電気的に活性のウェーブガイドの領域で、材料の表面に垂直な最大成分を有する
。ニオブ酸リチウムなどのzカット強誘電結晶の場合、この電界構造は、最大電
子光学係数r33を活動化し、TM偏光光線の屈折率を変化させる。ニオブ酸リチ
ウムにおいて10V/μmの電界を印加し、波長が1.5μmの光線を用いた場
合、一次格子の強度は40cm-1である。
各電極構成に関して電極を電圧源に接触させる手段178が必要である。この
手段を形成するには、装置上の電極と電位源の端子との間にワイヤなどの導電材
料を電気的に接触させる。すべての電極構成で、各電極は通常、ワイヤが接触す
る断面、またはパッド、または接点を有する。パッドは、より容易に結合できる
ように電気接触手段に対する配置公差を低減させるほど大きな寸法のものである
ことが好ましい。その場合、超音波または、または加熱、または導電エポキシに
よるワイヤ・ボンディングなどの技法を使用して、ワイヤをパッドに接触させる
ことができる。別法として、バネ付き導体プレートを電極に直接接触するように
配置し、電圧源との必要な電気接続を形成することもできる。図では、電極は通
常、十分大きなものであり、それ自体で接触パッドとして機能する。
同じ表面電極構造の他の実施態様187を第5図に示す。この実施態様では、
第1の電極171および第2の電極173は、光学ウェーブガイドのどちらかの
面上に配置される。このように位置決めされた2つの電極を介して電位を印加す
ると、電界ベクトル177は、基板表面に平行な最大成分を有する。zカット強
誘電結晶の場合、TM偏光光波の屈折率および印加電界を変化させる電子光学係
数はr13である。ニオブ酸リチウムにおいて10V/μmの電界を印加し、波長
が1.5μmの光線を用いた場合、一次格子結合定数は12cm-1である。
別法として、TEウェーブガイドでは、2つの構成に対して活性電子光学係数
が切り替えられる。チップの表面に垂直な電界ベクトルでは、適当な係数はr13
であり、それに対してチップの表面に平行な電界ベクトルでは、電子光学係数は
r33である。xカット結晶、またはyカット結晶、または中間カットにも同様な
状況が当てはまる。
第5図の構成の他の変形形態として、電極が、一方の電極がウェーブガイド1
80をほぼカバーし、他方の電極がいくらか側面に変位されるように非対称的に
構成される。この構成では、隣接する電極の縁部の下で誘発される強力な垂直電
界が主として、一方の電極の下方のウェーブガイド領域を通過する。
第6図で、電極175および179はテーパ付けされ、中央電極181から分
離されている。これらの電極を介して電圧を印加すると、この構成は、漸減する
電界強度を生成し、強い電界は右側へ向かい、より弱い電界は左側へ向かう。「
テーパ」の語は、本出願では、任意のパラメータが、変動が線形であるか、それ
とも単調なものであるかを指定せずに、ある値から他の値への一般的な空間変動
を有することを意味する。このパラメータは、ギャップ、幅、密度、屈折率、厚
さ、デューティ・サイクルなどでよい。したがって、極化ドメイン内でウェーブ
ガイド180の左側への誘発される屈折率の変化は、右側へ誘発される屈折率の
変化よりも弱い。これはたとえば、相互作用領域の長さを延ばすために超狭帯域
幅トータル・リフレクタが必要とされる場合にそれを得るうえで有用である。第
7図および第8図に示したような非正常入射角装置では、特定の入射モードの特
定の射出モードへの結合を最適化するうえでテーパが有用である。
すべての電極構成で、印加される電圧は、一定の値から、急速に変動する信号
またはパルス信号までの範囲であり、電極間にどちらかの極性が付与されるよう
に印加することができる。電圧の値は、所与の応用例で電気的に活性の材料およ
び周りの材料への破滅的な損傷を回避するように選択される。
ニオブ酸リチウムなどの材料を介して一定の電界を印加すると、電極に電荷が
蓄積し、経時的に電界強度のDCドリフトが起こることがある。電荷は、電圧源
の極性を時折切り替え、電界強度が完全な値に戻るようにすることによって分散
することができる。時間平均電界が零に近い場合、正味電荷ドリフトも零に近い
。そのようなドリフトの影響を受ける応用例では、MgOの内部拡散などによっ
て材料の光屈折感度を最小限に抑えるように注意すべきであり、DC電界なしで
動作を構成することが好ましい。
表面層は、電界絶縁破壊および電極とのロシー光接触を防止するうえで有用で
ある。ビームが表面または表面の近くを伝わり、それに対して、互いに逆の極性
を有する電極が同じ表面上に配置されたときに絶縁破壊が最も重大なものになる
ので、損失はウェーブガイド装置では特に重要である。この問題は、活性材料の
極化ならびに電子光学切替に当てはまる。同じ表面上の2つの電極間の電界の最
大ベクトル成分は、材料の表面に平行である。絶縁破壊問題と光損失問題は、高
誘電強度を有する光透過性材料層を案内領域と電極との間に付着させることによ
ってかなり軽減することができる。二酸化ケイ素はそのような材料の1つの好例
である。電極間の表面に沿った、この表面の上方の空気で絶縁破壊が発生する可
能性もあるので、電極上に同様な高誘電強度材料を付着させることができる。
第7図および第8図は、電気制御式周波数選択的ウェーブガイド・カプラの2
つの実施形態を示す。第7図で、一対の二次元ウェーブガイドは誘電材料の一面
を横切り、T字形をなす角度118で交差し、3ポート装置を形成する。格子1
00は、第1のタイプのドメイン104と第2のタイプのドメイン102からな
り、それらの間の交差領域で2つのガイドに対してある角度に配設される(この
部分は、2つのウェーブガイドにおける光モードによって共有される)。交差領
域におけるピーク屈折率変化は、ウェーブガイドにおけるピーク屈折率変化に等
しいことが好ましい。これは、(内部拡散、イオン交換、エッチングなどによっ
て)T字形構造の製造を1つのステップで行う場合に可能である。第8図の交差
ウェーブガイド形状で最も好都合な、後に続くステップで2つのウェーブガイド
を配置する代替手法では、交差領域におけるピーク屈折率変化は、ウェーブガイ
ドにおける屈折率変化の2倍であり、これは必要とされない。従来どおり、格子
の周期性および角度は、反射プロセスが格子の帯域幅内の仮想光子の運動量によ
って位相整合されるように選択される。第1のウェーブガイド内の帯域内入射ビ
ームと第2のウェーブガイド108内の射出ビーム114を最適に結合するため
に、入射ビームの入射角は格子の回折角に等しい。この場合、2つのガイド間の
角度の二等分線は、ウェーブガイドの平面内の格子のドメイン境界に垂直である
。
入射ビーム112は、第1のウェーブガイド106に入射し、第1のウェーブ
ガイド106に結合される。第1の電極120および第2の電極122は、導体
126によって2つの電極に接続された電圧源124がオンにされたときにウェ
ーブガイド間の交差領域に電界が生成されるように、誘電材料の同じ面上に配置
される。この電界は、電子光学効果を介して交差領域内の格子の強度を制御し、
第1のウェーブガイドからの帯域内ビームを第2のウェーブガイドに結合し反射
射出ビーム114を形成する。格子をオフにした場合、入射ビームは引き続き、
主として第1のウェーブガイド・セグメントに沿って伝搬し、ほとんど損失のな
い透過射出ビーム116を形成する。別法として、入射ビームが、第2のウェー
ブガイド108に進入し、格子と相互作用することによって射出ウェーブガイド
106に切り替えられるように、ウェーブガイド内で逆伝搬ビームを使用するこ
とができる。
単一モード・システムでは、ウェーブガイド106に進入する最下位ガウス・
モードがウェーブガイド108の最下位ガウス・モードに結合されるように、格
子強度が空間的に非一様に分散されることが好ましい。格子強度は、電極の形状
を調整し、電極間のギャップを調整し、格子のデューティ・サイクルを調整する
ことによって変調することができる。格子の帯域幅も、チャーピング、移相、多
重周期構造の使用など、いくつかの周知の技法のうちの1つによって拡張するこ
とができる。
第7図および第8図の形状では、ガイドのモードが重なり合うガイド間の交差
領域の寸法によって結合領域の寸法が制限される。所与の電界強度を得るために
高い正味相互作用強度を得るには、ウェーブガイドの寸法を増加させ、より大き
な交差部を形成することが望ましい。しかし、大型のウェーブガイドはマルチモ
ードであり、いくつかの応用例では望ましくない。断熱膨張および収縮を使用す
る場合、大きな交差領域と単一モード・ウェーブガイドの両方の利点を同時に得
ることができる。入射ウェーブガイド106は、幅の狭いウェーブガイドとして
始まり、交差領域が接近するにつれて幅が断熱的に増加していく。射出ウェーブ
ガイド108の幅は、大部分の反射光を捕捉するために交差部において大きく、
断熱的に漸減して幅の狭いウェーブガイドに至る。入射ウェーブガイドまたは射
出ウェーブガイド、あるいはその両方の断熱テーパ付けの概念は、本明細書で説
明する多数の相互作用に適用することができる。
第8図を参照すると分かるように、2つのウェーブガイド136および138
は、x交差をなす角度158で交差し、4ポート装置を形成する。この装置は、
2つの切替動作が同時に行われる(ビーム142がビーム146および148に
切り替えられ、ビーム144がビーム148および146に切り替えられる)の
で、特に多機能なウェーブガイド・スイッチである。格子130は、第1のタイ
プのドメイン134と第2のタイプのドメイン132とからなり、2つのガイド
の間の交差領域内で2つのガイドに対してある角度に配設される。格子の角度は
、ウェーブガイドの平面内で、2つのガイド間の角度の二等分線が格子のドメイ
ン境界に垂直になるように選択することが好ましい。
第1の入射ビーム142は、第1のウェーブガイド136に結合され、それに
入射し、第2の入射ビーム144は、第2のウェーブガイド138に結合される
。第1の電極150および第2の電極152は、2つの電極間に接続された電圧
源154がオンにされたときにウェーブガイド間の交差領域に電界が生成される
ように、誘電材料上に配置される。この電界は、電子光学効果を通じて交差領域
内の屈折格子の強度を制御する。格子がオンのときには、第1の入射ビームの帯
域内成分が第1のウェーブガイドから第2のウェーブガイドに結合され第1の射
出ビーム146を形成する。同時に、第2のウェーブガイドからの第2の入射ビ
ームの帯域内成分の一部が第1のウェーブガイドに結合され、第2の射出ビーム
1
48を形成する。また、2つのビームの帯域外成分、および帯域内ビームの未切
替成分は引き続き、それぞれのウェーブガイドに沿って伝搬し、適当な射出ビー
ムの追加部分を形成する。したがって、複数の光周波数成分を含む2つのビーム
では、2つの入射ビーム中の単一の周波数成分を2つの射出ビーム間で切り替え
ることができる。
ウェーブガイドは、あるセグメントのみでよく、その場合、ウェーブガイドは
、基板から離れた位置に配置された他の光学構成要素に接続され、あるいは同じ
基板上に一体化される。たとえば、ウェーブガイド・セグメントは、ポンプ・レ
ーザ、光ファイバ、交差ウェーブガイド、その他の切替可能な格子、ミラー装置
、その他の要素に接続することができる。交差ウェーブガイド・スイッチ・アレ
イは光学切替網を備える。
第9図で、ウェーブガイド結合スイッチの他の実施形態を示す。格子のドメイ
ン壁はこの場合、結晶158の表面157に非直角に配設され、そのため、ウェ
ーブガイド160内の入射ビーム159が結晶の平面から反射され、反射射出ビ
ーム161を形成する。前述のように、反射されないビームは引き続き、ウェー
ブガイド内を伝搬し透過射出ビーム162を形成する。光透過性の第1の電極1
63は、インジウム酸化スズで構成することができ、誘電材料158の一面上の
、ウェーブガイドを横切る格子の部分の上方に配設される。第2の電極構造16
4は、光吸収性のものでよく、材料上に配設される。本開示で説明するすべての
ケースと同様に、第2の電極は、多数の代替構成のうちの1つで構成することが
でき、第7図と同様に第1の電極を囲むように構成することも、第2図と同様に
材料158の対向面上に構成することも、第6に示した構成と同様にテーパ付け
することもできる。電極は、2本のワイヤ156を用いて電圧源154に接続さ
れ、電圧源は、帯域内ビームの、透過ビーム162と反射ビーム161へのパワ
ー分割比を制御する。あるいは、電極構成は第5図に示したのと同様なものでも
よく、その場合、両方の電極は不透明である。
再び第9図を参照すると分かるように、ドメイン壁は、z軸165に対してあ
る角度で切断された強誘電結晶を電界極化することによって形成することが好ま
しい。電界極化ドメインは主としてz軸に沿って伝わるので、この技法によって
アングル・カット結晶を極化すると、ドメイン境界どうしが、表面に対して同じ
角度でz軸に平行になる。結晶の切断角度166は、結晶の平面内で伝搬する光
が基板から材料の表面に直角に反射するように45°であることが好ましい(任
意の角度を使用することができる)。第9図に示したドメインは平面であるが、
より一般的な構成で構成することもできる。平面格子は、平坦な入射同位相波面
から平坦な射出同位相波面を生成する。図の装置がウェーブガイドのないバルク
・リフレクタとして使用される場合、コリメートされた入射ビームが、コリメー
トされた射出ビームを生成する。この装置はたとえば、ビームが装置の外部から
入射し、あるいはウェーブガイドが装置の端部に配置され、ウェーブガイドの端
部と極化リフレクタとの間にいくらか距離がある場合にバルク・リフレクタとし
て有用である。しかし、いくつかのケースでは、ディスクからのデータの読取り
など、合焦を必要とするある種の応用例の場合と同様に、コリメートされたビー
ムから、湾曲された射出同位相波面を生成することが望ましい。ドメイン反転は
主としてz軸に沿って伝搬するので、第9図に示した基板の上面上に1組の湾曲
ドメインをパターン化することによって、1組の湾曲ドメインをこの材料のバル
クとして極化することができる。したがって、電界によって励起されたときに円
筒形レンズを形成する1組の凹(または凸)状ドメインを形成することができる
。同じ工程によって、表面に対してある角度に配向されたくさび形立体構造およ
びより複雑な立体構造を形成することができる。
代替方法では、極化技法によってドメイン境界がz軸に対してある角度で伝搬
する場合にzカット結晶を基板として使用することができる。たとえば、ニオブ
酸リチウムのzカット結晶内のチタン(Ti)内部拡散では、結晶の表面からビ
ームを反射させるのに適した三角形のドメインが生成される。表面に対する内部
拡散で形成されるドメインの角度は通常、約30°であり、そのため、格子に入
射した入射ビームは、結晶の表面に対して約60°の角度で表面から反射する。
次いで、射出ビームを、プリズムを用いて抽出することも、あるいは頂面からの
全内部反射の後に(ある角度に研磨することができる)背面から抽出することが
できる。
図の電極構造は、E3成分と、E1成分またはE2成分の両方を励起する。T
M偏光入射光波159は、異常屈折率変化と正常屈折率変化の組合せである屈折
率変化を受ける。第10図には、切替可能なウェーブガイド指向性カプラの実施
形態が示されている。第1のウェーブガイド204は、ある長さにわたって第2
のウェーブガイド206にほぼ平行である。ビームが互いに隣接して同様な方向
に伝搬する間、ビームの中心軸が変位される。ウェーブガイドが交差しないよう
に、中心軸が同軸になることはない。しかし、ウェーブガイド・セグメントは、
カプラの長さによって画定される位置で密に近接し、そのため、2つのウェーブ
ガイドの光モードの横プロファイルは多少とも重なり合う。2つのモードの伝搬
は次いで、少なくとも消失しながら重なり合う(すなわち、指数関数テールが重
なり合う)。モード電界の消失部分は、ウェーブガイドの高屈折率領域の外側の
指数関数的に減衰する部分である。2つのウェーブガイドのそれぞれのモードに
関連付けられた伝搬定数は、伝搬方向ではk=2πneff/λによって決定され
る。有効屈折率neffとは、真空中の光の速度と群伝搬速度の比であり、ウェー
ブガイド内のモードに応じて変動する。neffの値は、モード・プロファイルの
案内波構造との重なり合いによって決定される。
2つのウェーブガイドの幅、したがって2つのウェーブガイド内のモードの伝
搬定数が異なり、それによって、格子がオフのときにはモード間の結合が位相整
合されないことが好ましい(それぞれの異なる伝搬定数を生成するように2つの
ウェーブガイドの屈折率プロファイルを調整することもできる)。格子をオフに
した場合、第1のウェーブガイド内の入射ビーム210は引き続き、ウェーブガ
イド内を伝搬し、第1のウェーブガイド204から出る透過射出ビーム214を
形成する。格子がオンのときには、格子が、2つのモード間の結合が位相整合さ
れるように2つのウェーブガイドの伝搬定数の差を構成し、帯域内射出ビーム2
12が第2のウェーブガイド206から出る。結合を最適化するために、格子周
期Λは、2つのウェーブガイド内の伝搬定数の差の大きさが(誤差公差内で)格
子定数に等しくなるように選択される。2つのウェーブガイドの伝搬定数として
等しい値を選択し、それによって、格子がオフのときに2つのウェーブガイドが
結合されるようにすることもできる。この場合、格子をオンにすると、2つのガ
イド間の結合が低減する。
格子の強度は結合定数を決定し、結合定数は2つのウェーブガイド間の結合の
レベルを決定する。2つのウェーブガイドの相互作用領域の長さに沿って、パワ
ーがガイド間で正弦曲線的に前後に伝達され、その結果、結合はまず第1のウェ
ーブガイドから第2のウェーブガイドに行われ、次いで再び第1のウェーブガイ
ドに行われる。所与のウェーブガイド・モードでパワーが最大になる2つの位置
間の距離を結合されたウェーブガイドのビート長と呼ぶ。ビート長は格子の強度
に依存する。
第1の電極220および第2の電極222は、2つの電極間に電圧が印加され
たときに格子領域202を横切って電界を生成するように材料表面上に位置決め
される。導電材料224を用いて2つの電極に電圧源226が接続される。格子
の強度、したがって2つのウェーブガイド間のビート長は、格子を横切って印加
される電圧によって制御される。
2つのガイドの伝搬定数は、波長に強く依存する。仮想光子の運動量は基本的
に、あるいは主として固定される(すなわち、ある応用例における変動しないパ
ラメータによって決定される)ので、パワーは単一の周波数の付近でのみ第2の
ウェーブガイドに伝達され、周波数帯域幅は結合領域の長さに依存する。格子強
度に応じて、帯域内入射ビームの調整可能な部分は、結合された射出ビーム21
2として第2のウェーブガイドから出て、それに対して入射ビームの帯域外部分
は、帯域内ビームの残りの部分と共に透過射出ビーム214として第1のウェー
ブガイドから出る。
2つのモード間の結合は、モード間の結合強度を変更することと、モードの重
なり合いを増大させることと、一方のウェーブガイドの有効屈折率を変更するこ
とを含め、いくつかの手段で電子光学的に制御することができる。前述の電子光
学制御式結合は好ましい方法である。2つのウェーブガイド内でモードを効率的
に結合するには、入射ビームを順方向に散乱させる。これには最小格子周期が必
要である。
別法として、結合格子は、上記で第2図に関連して説明した永久格子と切替格
子の組合せとして実現することができる。次に、これをどのように実施するかに
関する詳細な例を与える。所望の周期ドメインを形成した後、基板を化学的にエ
ッチングし、極化構造とまったくおなじ周期を有するレリーフ格子を形成するこ
とができる。ニオブ酸リチウムの好ましい材料の場合、それぞれの異なるタイプ
のドメインがそれぞれの異なる速度でエッチングされるので、他のマスク形成ス
テップなしでエッチングを行うことができる。たとえば、フッ化水素酸(HF)
では、ニオブ酸リチウムの−zドメインは、+zドメインよりもずっと迅速に(
100倍以上)エッチングされる。したがって、zカット結晶を50%HF溶液
に浸漬させることによって、第1のタイプのドメインからなる領域をエッチング
し、それに対して、第2のタイプのドメインからなる領域はエッチングされない
ままにしておく。この手順では、2つのウェーブガイド間に結合を生成するため
に使用てきる永久結合格子が形成される。電極を取り付けた後、極化格子を励起
し、エッチング済み基板の格子上に重畳されるアディティブ(additive)屈折格
子を形成することができる。エッチング深さは、電極が一方の極性で励起された
ときに、エッチング済み永久格子によって誘導された有効屈折率変化を、電子光
学的に誘導される格子によって部分的または全体的に補償することができ、それ
に対して屈折格子が他方の励起極性で二重化されるように制御することができる
。それによってプッシュプル格子が形成され、それによって格子を非活動状態と
強力に活動する状態との間で切り替えることができる。
エッチング済み格子はポリマーや光透過性液晶などの電子光学材料をエッチン
グ済み領域に充填して、電子光学係数を高くし、屈折率を基板の屈折率に近くす
るときにも有用である。充填されたエッチング済み領域が光線へ延びることが好
ましい。充填されたエッチング済み領域を横切って電圧を印加すると、充填材料
の屈折率も、ウェーブガイドの残りの部分の屈折率の周りで変動する。
別法として、2つのウェーブガイド内のモードの重なり合いは、電子光学的に
修正することができる。たとえば、2つのウェーブガイド間の領域の屈折率を増
加させることができる。これによって、ウェーブガイドの拘束が低減され、個別
のモードの空間的広がりが互いの方へ広がり、重なり合いが増大する。この手法
を実施するには、2つのウェーブガイド間の領域を、ウェーブガイドが横切る基
板の極性に対して逆に極化することができる。電極がウェーブガイドと中間領域
の両方を横切って延びる場合、印加電圧によってウェーブガイド間の領域の屈折
率が増加し、それに対して2つのウェーブガイド内の屈折率は減少する。その結
果、モード拘束が低減され、そのため、2つのモード間の重なり合いおよび結合
が増大する。極化領域の縁部で発生する恐れがある望ましくない反射やモード結
合損失をウェーブガイド内で誘導しないよう注意しなければならない。このよう
な損失は、たとえばモード変化がウェーブガイドに沿って断熱的に発生するよう
に極化領域または電極の形状をテーパ付けし、反射を最小限に抑えることによっ
て最小限に抑えることができる。断熱的な変化とは、一定の速度で行われる平衡
維持プロセスと比べて非常に低速の変化を意味する。この場合は、変化が、ウェ
ーブガイド内で格子のために発生し、光をウェーブガイド特有のモードに維持す
るエネルギー再分散の速度と比べて低速であることを意味する。
2つのウェーブガイド間の結合を変化させる第3の手段は、一方のウェーブガ
イドの有効屈折率を他方のウェーブガイドに対して変更することである。したが
って、ガイドの伝搬定数が変更され、位相整合条件が変更される。この効果を最
大にするには、一方のウェーブガイドの電子光学係数が、他のウェーブガイドの
電子光学係数の符号とは反対の符号を有するように一方のウェーブガイドを極化
することができる。この場合、格子結合は永久もしくは交換格子である。第1の
電極は、ウェーブガイドとウェーブガイド間の領域との両方をカバーし、それに
対して第2の電極は第1の電極の両側に配設することができる。2つの電極間に
電界を印加することによって、一方へのウェーブガイドの伝搬係数が増加し、他
方のウェーブガイドの伝搬係数が減少し、したがって伝搬定数の差は最大になる
。格子結合プロセスが最大限に効率的になるのは、伝搬定数が特定の差のときだ
けである。印加電圧を調整することによって、必要に応じて位相整合を調整する
ことができる。この効果を使用して波長同調可能フィルタを形成することができ
る。
第10図に示した平行ウェーブガイドは非平行でもく、ウェーブガイドは場合
によっては直線形でなくてもよい。たとえば、ウェーブガイド間の相互作用強度
を空間的に修正する必要がある場合は、ガイド間の離隔距離を空間的に調整する
ことによってこれを行うことができる。このような修正はもちろん、後で説明す
る平行ウェーブガイド・カプラの実施形態に適用することができる。
第11図を参照すると、反射ビームのプロファイルを制御する交差ウェーブガ
イド・カプラの代替実施形態が示されている。各実施形態で、格子がカバーする
領域は、2つのウェーブガイドの交差領域全体にわたって延びるわけではない。
このような格子構造を用いる理由は、第11図を参照すれば最も良く理解されよ
う。パワー結合構造282は、どのように構成されるかに応じて、射出ウェーブ
ガイドに結合するモード284の空間プロファイルをゆがめることがある。空間
的に一様であり、90°など、互いに対して大きな角度をなすように配設された
2つのウェーブガイド間の交差領域280全体を一様にカバーするパワー・カプ
ラは、非対称プロファイル286などの射出ビーム・プロファイルを生成する。
入力ビームのパワーは、入力ビームがパワー結合構造または格子を通過する際に
減少する。直角交差の場合、反射ビームの近視野プロファイルは、入射ビームの
単調に減少するパワーに整合する。非対称プロファイル286の欠点は、結合さ
れたパワーの一部しかウェーブガイドに残らない単一モード構造にある。多くの
パワーはガイドから失われる。
単一モード装置では、射出ウェーブガイドの最下位モードのガウス形空間構成
288にパワーを結合する構造が必要である。この目標を達成するには、領域2
82を、案内されるモードの消失テールへ延ばさなければならず、相互作用を形
状的に変調し、あるいはパワー結合格子の局部強度を空間的に調整することによ
って変調しなければならない。第12図および第13図は、格子の形状構成を用
いてこの目的を達成する方法を示す。パワー結合領域282内の格子の「デュー
ティ・サイクル」を空間的に変調し、選択された領域の格子のオーダーを変更し
、電気制御式結合の場合には、(第6図に示したように電極空間を調整し、ある
いは格子電極構造の場合には電極のデューティ・サイクルを調整することによっ
て)印加電界の強度を漸減させることによって、この目的を達成することもでき
る。格子手段のデューティ・サイクルとは、所与のドメイン・タイプによって占
有される各周期の部分を意味し、デューティ・サイクルは位置に応じて変動する
。
第12図には、修正された格子構造を含む装置300が示されている。この装
置では、格子領域310が、2つの直角ガイド316および318の矩形交差領
域の一部をカバーするが、すべてをカバーするわけではない。格子が非活動化さ
れている場合、入射ビーム302はゆがみなしにガイド316を通過し、射出ビ
ーム308として基板から出る。交差領域の寸法は、2つのウェーブガイドの幅
304および305に整合する。交差領域内の点にパワー結合構造の小さな領域
が存在するので、入射ウェーブガイド内のビーム・プロファイルの所与の横セグ
メントが射出ウェーブガイド内のビーム・プロファイルの所与の横セグメントに
結合される。反射ビーム・プロファイルは、伝搬されるこのような位相結合寄与
の和で構築される。図の格子領域310は、点311、312、313を含む三
角形である。格子領域の形状を三角形から修正することができ、局部格子強度を
変調することができる。ウェーブガイド間の単一モード結合特性を最適化する格
子領域の厳密な形状は、ビーム伝搬法など、確立されたウェーブガイド伝搬技法
を用いて算出することができる。
単一モード結合格子装置340の他の実施形態を第13図に示す。格子領域3
50は、二重凸状であり、コーナー351にある一方の点は、ウェーブガイド3
46および348ならびにビーム330および342に共通のものであり、対向
するコーナー352上の他方の点は、両方のウェーブガイドならびにビーム34
2および332に共通のものである。この構造は、光強度が最大であるビームの
中央のパワーの大部分を反射させるという利点を有し、したがって2つのウェー
ブガイド346および348の最下位モード間でパワーをよりうまく結合する。
格子領域の最適な形状はこの場合も、格子の結合定数に依存する。
第12図および第13図を参照すると分かるように、第1の電極320は、ウ
ェーブガイドと同じ基板の表面上の、格子領域の上方に配設され、第2の電極3
22は、同じ表面上の第1の電極の周りに配設される。2つの電極間の距離は、
第13図に示したように一定でも、あるいは第12図に一次元で示したように漸
減させることもできる。2本のワイヤ326を用いて2つの電極に電圧制御源3
24が接続される。したがって、格子領域を通じて電界を印加し、一方の電子光
学係数を活動化させ、入射ビームと射出ビームとの間の結合を変化させることが
できる。
例示のために、第12図は、テーパ付き入射ウェーブガイド・セグメント28
7およびテーパ付き射出セグメント289も示す。入射ビーム285がテーパ付
きセグメント287内で断熱的に膨張し、交差面積を増大させ、それによって格
子310からの全反射を増大させる。格子は膨張したビーム285を射出ビーム
308に反射させることが可能である。必要に応じて、射出ウェーブガイドは、
射出ビームの幅を減少させるためにテーパ付きセグメント289を含むこともで
きる(別法として、後でのビーム切替相互作用のために必要に応じて射出ビーム
の幅を広くすることができる)。
格子は、2つのウェーブガイドの交差領域を越えて延びることができる。格子
を入射ウェーブガイドに沿って延ばすことによって、交差領域の後の残余透過光
をウェーブガイドから除去し、通常は放射モードに結合することができる。格子
を拡張することによって、切替アレイ内の光チャネル間のクロストークが最小限
に抑えられ、個別のウェーブガイドは、長さに沿って複数の信号チャネルを伝搬
させることができる。
具体的には、本発明によって、格子を同調させる手段が企図される。同調を行
ういくつかの実施例を第14図ないし第17図に示す。第14図を参照すると、
直角入射反射格子の強度および中心波長が単一の電圧源426によって制御され
るバルク光学装置400がある。この装置はパターン極化格子領域410からな
り、この領域は、材料の対向表面上の2つの電極420および422によって電
子光学的に活動化され、導体424によって426に接続される。格子の強度お
よび中心周波数は、装置の2つの電極間に単一の電圧を印加することによって同
時に同調される。格子の平均屈折率は、印加電界と共に変化し、電界に比例する
格子の中心波長を変化させる。平均屈折率は、様々なタイプのドメインにおける
加重屈折率変化を合計することによって、周期格子における格子の単一の周期に
わたって算出される。加重係数は、入射ビーム404の光路に沿った各ドメイン
・タイプの物理的長さ416および418である。周波数同調に関する条件は、
電界によって平均屈折率が変化するように、加重和が零に等しくならないように
することである。
屈折率と光線が横切る物理的距離との積を光学的距離と呼ぶ(屈折率は、ウェ
ーブガイド装置の有効屈折率で置き換えられる)。2種類のドメインを横切る平
均光学的距離がほぼ等しい(応用例のニーズによって決定される誤差範囲内でほ
ぼ等しい)場合、2種類のドメインを含む格子では50%デューティ・サイクル
が得られる。平均は、チャープ格子、または非周期格子、またはより一般的な他
のタイプの格子が可能になるように多数の後続のドメインにわたって求められる
。一般に、ドメインはそれぞれの異なる屈折率、ならびにそれぞれの異なる電子
光学係数を有することができる。同調に関する一般的な条件は、それぞれの異な
るタイプのドメイン内でビームが伝わる物理的距離で表される。各ドメインごと
に、全光学進相は、ビームが伝わる光学的距離(その2π/λ倍)によって与え
られる。しかし、進相の変化は、印加電界と、適当な電子光学係数と、物理的距
離(その2π/λ倍)の積によって与えられる。光波の受ける屈折率の平均変化
は、長さl(そのλ/2πl)の材料の断面内で光波が横切ったすべてのドメイ
ン内の進相の変化の和に等しい。平均屈折率のこの変化は、δλ/λ=δn/n
に従ってピーク相互作用波長の変化を決定する。格子強度は、この構造の波長と
同時に変化するが、そのような同時変化は望ましくないこともある。この構造は
、同調を行う際に中心となる動作点が、波長同調範囲全体にわたって応用例に関
する十分に高い格子強度を維持するように設計することができる。あるいは、下
記で第16図および第17図に参照して説明するように、別の同調構造を使用す
ることもできる。
平均屈折率の変更は、多数の異なる手段によって行うことができる。1つの方
法は、無作為な非電子光学的活性ドメイン414と電子光学的に活性のドメイン
412を交互に配置することである。電子光学的に活性の領域は極化ドメインで
あり、それに対して非電子光学的活性領域は無作為に極化することも、あるいは
非極化することも、あるいは放射不能にすることもできる。したがって、電界に
よって、格子全体にわたって平均屈折率が増加する△navg。第14図の極化無
作為構成では、△navgは、活性ドメイン412の屈折率変化とデューティ・サ
イクルの積に等しい。デューティ・サイクルは、長さ418を長さ418と長さ
416の和で除した値に等しい。この技法を使用して達成できる同調可能性は、
極化無作為構造ではλ△navg/nである。ここで、λは光波長であり、nは材
料の最初の(有効)屈折率である。ニオブ酸リチウムにおいて1.55μmの波
長および10V/μmの電界を仮定すると、50%デューティ・サイクル構造の
場合の同調範囲は1.1nmである。
入射ビーム404が格子の帯域幅内にあるとき、格子はビームを再帰反射射出
ビーム402に結合する。そうでない場合、入射ビームは、透過射出ビーム40
6を形成する。この動作を、ドメイン反転の場合と同様に、2つのドメイン・タ
イプが同じ電子光学係数を有するが互いに逆の極性を有する50%デューティ・
サイクル格子の動作と対比されたい。この後者の場合、第1のドメイン・タイプ
の屈折率変化が他方のドメイン・タイプの屈折率変化を打ち消すので、平均屈折
率は変化しない。50%デューティ・サイクル・ドメイン反転格子は、その中心
周波数を同調させない。
ドメイン反転格子の平均有効屈折率を変化させる代替手段は、長さ416が長
さ418に等しくない極化ドメイン領域に非50%デューティ・サイクルを使用
することである。この技法を使用して得ることができる同調可能性は、(2D−
1)△nλ/nである。ここで、Dは最大ドメイン・タイプのデューティ・サイ
クルである(D>0.5)。たとえば、75%デューティ・サイクル、1.55
μmの波長λ、10V/μmの電界をニオブ酸リチウムにおいて用いる場合、同
調範囲は0.54nmである。ドメイン反転格子はまた、第2のドメイン・タイ
プが電子光学的に活性ではない格子よりも強力である。
第15図には、同じ平均屈折率効果を使用するウェーブガイド装置440が示
されている。この場合、格子領域450内のウェーブガイド442の平均有効屈
折率は印加電界と共に変化し、格子の中心波長を変化させる。好ましくは、材料
の同じ表面上に配置される、第1の電極460と第2の電極462との間に電界
を印加するために電圧制御源466が使用される。平均有効屈折率は、非電子光
学的活性ドメインや、非50%デューティ・サイクルを有するドメイン反転格子
を含め、様々な形状によって達成することができる。入射ビーム445が格子の
帯域幅内にあるとき、格子は、ビームを再帰反射射出ビーム444に結合する。
そうでない場合、入射ビームは透過射出ビーム446を形成する。
第16図に示したように、ウェーブガイド装置480内の格子の同調可能性を
拡張する手段は、ウェーブガイド上に第2の電子光学材料482を付着させクラ
ッディングを形成することである。クラッディングは、ウェーブガイド内を伝搬
する光波に対して透過的であるべきであり、屈折率を調整可能に修正できるよう
に電界に反応すべきである。平均有効屈折率は部分的には、クラッディングの屈
折率によって求められる。第2の材料は、基板よりも高い電子光学係数を有する
ことができる。液晶およびポリマーは、クラッディングとして使用できる材料の
好例である。クラッディングの屈折率は、案内されるビームの大部分がクラッデ
ィング内を伝搬するように案内領域の屈折率に近いことが好ましい。
この実施形態ては、極化格子490全体にわたって電界を印加するために第1
の電極502が基板上で第2の電極504に囲まれる。電極をクラッディングの
下方の、基板の真上に配置することが好ましい。第16図に示したように、第1
の電極502をウェーブガイド484の真上に位置決めする場合、第1の電極を
光透過性材料で構成しなければならない。電極は、ウェーブガイド484のどち
らかの側に配設することもでき、その場合は透過性である必要はない。クラッデ
ィング上の、ウェーブガイドおよび第1の電極の上方に第3の電極506が位置
決めされる。この実施形態では、格子の中心波長と強度は別々に制御することが
できる。格子強度は、2本のワイヤ513、514によって第1の電極および第
2の電極に接続された第1の電圧源510によって制御され、それに対して格子
の中心波長は、2本のワイヤ514および515を用いて第1の電極と第3の電
極との間に接続された第2の電圧源512によって制御される。代替電極構成で
は、2つの電極しか使用されず、これらの電極は共に、誘導された電界が格子の
上方のクラッディング材料と格子構造自体の両方を貫通するようにクラッディン
グ材料上に位置決めすることが好ましい。その場合、単一の電圧源は、中心波長
と格子強度の両方を制御するが、それらを独立に制御するわけではない。
電子光学活性クラッディングを用いて達成できる同調可能性の程度は、案内さ
れるビームのどの部分がクラッディング内を伝搬するかに依存する。2つの屈折
率が比較的近く、そのため、ビームの10%がクラッディング内を伝搬する場合
、案内されるモードの有効屈折率の平均変化は、クラッディングの屈折率の変化
の10%に等しい。クラッディングの屈折率変化が0.1である場合、同調可能
性は7nm程度である。
第17図は、個別に制御可能ないくつかの格子530、532、534からな
る離散的に同調可能な格子装置520の実施形態を示す。格子は直列に配置され
、
すべての格子は入射ビーム522、前進ビーム526、反射ビーム524の経路
内にある。構造内の個別の各格子を小さな範囲にわたって連続的に同調させるこ
ともできる。第17図の各格子は、第1の電極542と第2の電極544とを有
し、これらの電極はワイヤを用いて電圧制御網552に接続される。格子を一度
にオンに切り替えて、一度に反射されるのが小さな通過帯域内の1つの波長だけ
になるようにすることも、あるいは複数の格子を同時に切り替えて、別々に制御
される中心波長および帯域幅を有するプログラム可能な光フィルタを形成するこ
ともできる。格子自体は、各格子で複数の周期が可能であることを含め、前述の
様々な変形態様を用いて実施することができる。
この構造は、バルクとして実現することも、あるいはウェーブガイド装置とし
て実現することもできる。後者の場合、光学ウェーブガイド528は、極化格子
に交差するように基板上に製造される。極化ドメイン536は、ウェーブガイド
内でのみ延びることができ、必ずしも材料全体にわたって延びる必要はない。2
つの電極は共に、(より高い電界強度を得るために)ウェーブガイドと同じ基板
の面ウェーブガイドに配設することが好ましい。すべての格子の第2の電極を図
のように接続し、電気接続の数を最小限に抑えることができる。
別法として、個別に対処可能な格子構造はバルク装置であってよく、その場合
、ウェーブガイド528は省略され、極化領域530、532、534は、伝搬
する光モードに重なり合うのに十分な深さを有するように最適に製造される。そ
の場合、各格子を制御する2つの電極は、たとえば単一の格子に関する第2図で
示したように、電界の貫通を最適化するように材料の対向面上に最適に位置決め
される。電極間の電界のフリンジングのために生じる隣接する格子間の交差励起
は、格子−電極群を基板の厚さに匹敵する量だけ分離し、あるいは挿入される一
定電位電極を追加することによって最小限に抑えることができる。
格子を同調させる代替手段は、活性材料の温度を変動させることである。この
同調は、熱膨張および熱光学効果の2つの効果のために行われる。それぞれの異
なる材料では、この2つの効果のどちらかが、熱で誘導される同調を支配する。
ニオブ酸リチウムでは、より大きな効果は熱膨張であり、最大(a軸)膨張係数
△L/Lは+14×10-50C-1であり、それに対して通常の軸に関する熱光学
係数△n0/nは+5.6×10-60C-1である。温度範囲が100℃の場合、こ
の2つの効果の組合せのために、全波長同調範囲は2.6nmになる。
多数の目的のために、一般的な周波数内容を有する極化格子を作製することが
望ましい。たとえば、複数の相互作用ピークが必要であることも、あるいは単に
より広い相互作用帯域幅が必要であることもある。この目的を達成するには、所
望の周波数を含む所与の数学的関数に対応する極化領域境界のパターンを決定す
る何らかの方法が必要である。第18図は、任意の移相を含む単一の周波数の場
合のプロセスの結果を示す。次に、第18図を参照すると分かるように、光学移
相564および565を正弦関数560に沿った1つまたは複数の位置に組み込
み、波長構造を修正することができる。この関数の平均レベルは、直線561に
よって与えられる。通常の極化プロセスによって得ることができる、同じ移相を
含む対応する方形波関数562も示されている。連続関数を方形波関数に変換す
るために、曲線560が平均561正弦波を超える領域570は、あるタイプの
ドメインに対応し、それに対して、曲線562が561よりも下方に位置する領
域572は、第2のタイプのドメインに対応する。方形波曲線562をフーリエ
変換した結果は、正弦波周波数の高調波よりも低い低周波数範囲における、正弦
関数560を変換した結果と同じ周波数成分を有する。この手法は、帯域幅が搬
送波周波数の小さな部分を超えないかぎり、任意のタイプの一般的な周波数分布
に有効である。
移相格子は、たとえば、格子22内のドメイン壁34の位置を周期関数ではな
く第18図のパターン562によって決定することができる、第2図の装置など
、本明細書で説明する任意の装置で実施することができる。移相パターンは、所
望のパターンを組み込んだ極化マスクを用いて制御することができる。
同様な技法を使用して任意の複数の周期格子を指定することができる。格子に
存在する各周期は、所望の振幅の対応する正弦波によってフーリエ級数(または
積分)で表される。すべての光波が加えられ、その結果としての光波が形成され
る。結果的な光波の正の部分は、あるタイプのドメインに対応し、それに対して
負の部分は第2のタイプのドメインに対応する。重畳される格子の数は基本的に
、任意の数に増加させることができ、実際には最小微細形状寸法によって制限さ
れ
る。
第19図は、重畳された多重周期格子装置580を製造する代替方法を示す。
ウェーブガイド内の単一のビームと相互作用する、切替可能な単一周期的極化格
子582と永久レリーフ格子584とを含む2格子ウェーブガイド構造が示され
ている。図では、案内される光波モードの消失テールが金属電極と重なり合った
ときに発生する損失を低減させるためにレリーフ格子上にコーティング588が
配設されている。このコーティングは、本明細書で説明するすべての要素に関す
る重要な設計最適化要素であり、各電極構造と隣接する光学ウェーブガイドとの
間に塗布すべきである。絶縁破壊の確率を低減させるうえで、本明細書で説明す
るすべての要素内の電極の上方のコーティングも有用である。
この重畳構造内の電気制御可能な格子は、ワイヤ606によって電圧制御源6
08に接続された一対の電極602および604によって切り替えられる。ウェ
ーブガイドのどちらかの面上で、第1の電極602がウェーブガイドの上方で心
合わせされ、それに対して第2の電極604が、第1の電極に平行に延びること
が好ましい。図の装置はウェーブガイド装置であり、入射ビーム590、ならび
に透過射出ビーム592および反射射出ビーム594を拘束するウェーブガイド
586を含む。
多重周期格子構造は多数の方法で構成することができる。たとえば、周波数ス
ペクトル中の複数の独立のピークが多重周波数フィードバック・ミラーとして有
用であることがある。プロセスをイネーブルするための固有の2つの周期を組み
込んだ単一の格子で2つの動作(たとえば、位相整合および反射)を行うことが
できる。最後の例として、格子の構成要素の位相および振幅が2つの偏光モード
に対する効果が等しくなるように調整された格子を製造し、偏光の影響を受けな
い構成要素を形成することができる。
周期構造の他の有用な修正はチャープ周期である。中心波長が格子の一端から
他端へ変化するように、格子構造の長さに沿って、周期を次第に増減させること
ができる。したがって、格子の波長帯域幅は、定周期格子の波長帯域幅にわたっ
て広げられる。格子を横切るチャーピングは必ずしも線形ではない。チャープ速
度の変動に応じて、周波数空間中の多数の異なる波長反射プロファイル(たとえ
ば、方形波、ローレンツ曲線形)を得ることができる。前述のように、チャープ
される格子のそれぞれの異なる部分の強度を修正するように、デューティ・サイ
クルまたは励起電界の強度、あるいはその両方を空間的に調整することもできる
。格子のデューティ・サイクルは、必要に応じてマスクによって制御することが
できる。電界強度は、たとえば第6図に示したように電極の離隔距離を調整する
ことによって制御することができる。
第21図および第22図に示したように、多重ピーク構造を有する2つの別々
の格子を含む構造で広スペクトル同調可能装置を実現することができる。第20
図は、このような装置の基本原則を示し、マルチピーク・コーム(multioeak co
mb)透過(または反射)プロファイル620および622を、そのような2つの
格子に関する光周波数の関数として示す。第1の格子プロファイル620は、第
1の周期626によって分離された透過ピークを有し、それに対して第2の格子
プロファイル622は、第1の格子プロファイルとはわずかに異なる第2の周期
624によって分離されたピークを有する。重要な概念は、この装置を、両方の
曲線のピークの重なり合いによって決定される周波数(周波数ν1)でのみ動作
させることである。同調は、格子の透過ピークのコーム(comb)を互いに同調させ
ることによって行われる。2つのコームのそれぞれの異なる透過ピークが、相対
周波数シフトの様々な範囲内で互いに重なり合い、そのため、組み合わされた格
子の正味透過は、熱同調または電子光学同調のみで達成できるよりもずっと広い
波長範囲にわたって離散的にジャンプする。ピーク分離が10%だけ異なる第2
0図の例では、第1の格子の周波数を周波数分離626の10%だけ増加させた
場合、1つ上の周波数ピークどうしが重畳し、同調量よりも10倍大きな有効周
波数が得られる。
第21図には、2つの格子650および652が単一のウェーブガイド642
の上方に配置された、装置のウェーブガイド実施形態が示されている。入射ビー
ム644は部分的にビーム643として反射され、ビーム645として透過する
。第1の電極666および第2の電極668は、それらの電極に接続された第1
の電圧源662がその格子を活動化するように第1の格子650の周りに位置決
めされる。第3の電極664は、第2の電極と共に、第2の格子652の周りに
位
置決めされる。第2の格子は、第2および第3の電極に接続された第2の電圧源
660によって制御される。好ましい実施形態では、各格子は、第20図に記載
したように多重ピーク構造であり、装置は周波数ホップ同調リフレクタを形成す
る。第20図の曲線によれば、格子は広帯域リフレクタとして構成され、透過率
が高い等間隔の周波数のコームを除いて、ほぼすべての入射放射周波数を反射さ
せる。したがって、縦続格子は、2つの透過ピークがν1で重なり合う場合を除
いて、第20図に示した周波数範囲内のすべての周波数を反射させる。2つの格
子の反射を、同位相で付加されて反射ビーム643を形成するように構成すれば
、透過スペクトルは、2つの透過曲線620および622の積にほぼ等しくなる
。一方の格子の中心周波数を同調させると、ν1での単一の透過ピークは隣接す
る次のピークにホップし、次いで次のピークにホップし、以下同様である。その
ような構造は、たとえば波長分割多重化(WDM)通信システムにおける電気同
調受信機で特に有用である。受信機は、特定の帯域内の入射光のみを検出し、そ
れに対して他の周波数では光の影響を受けないように構成することができる。
上記で分かるように、デューティ・サイクルが75%のドメイン反転格子にお
ける10V/μmの電界を仮定する場合、格子構造は約0.5nmだけシフトす
ることができる。個別の周波数ピーク628の幅が周波数分離の約100分の1
よりも狭い場合、この連続同調範囲を使用して、50nm範囲内のおそらく10
0個の帯域にわたって構造640の不連続同調を行うことができる。
入射光の周波数がたとえば第20図の曲線620の透過帯域内にしか存在しな
いことが分かっている場合、基本的にモアレ効果を使用して、曲線622の透過
スペクトルを有する単一の格子構造しか含まない装置を実現することができるこ
とに留意されたい。スペクトル622の中心周波数を同調させることによって、
1つの所望の帯域を選択し、同時に残りの所望の帯域を反射することができる。
この場合、第7図のT字形構造が特に興味深い。その場合、複数の周波数成分を
含む入射ビーム112は、(本明細書て説明する同調向けに構成された)格子構
造100によって、検出しあるいはその他の方法で処理することができる単一の
透過ビーム116と、他のすべての周波数成分を含む反射ビーム114に分割さ
れる。ビーム114に含まれるパワーは失われず、たとえば通信網内の他のノー
ドへ経路指定することができる。
この基本構造から、たとえば、第20図のスペクトルが透過曲線ではなく個別
の格子の反射曲線である他の変形態様を形成することができる。この場合、この
構造は、反射ピークの周波数が互いに整列し、反射率が反射波の相対位相に応じ
たものであるときにエタロンとして働く。そうでない場合、この複合構造の正味
反射は基本的に、2つの個別の構造の反射曲線の和である。
2つの格子間の光路長653を調整することによって2つの反射の相対位相を
最適化することが重要である。相対位相は、2つの格子構造654と655との
間で(たとえば第22図に示した)電子光学構造を使用して光路長653を調整
することによって制御することができる。ニオブ酸リチウム結晶および1.5μ
mの入射波長の場合、(10V/μmのz軸印加電界を使用して)2条のビーム
間の相対位相を最大で±πに調整するには、少なくとも250μmの格子間活動
化距離が必要である。格子が同調向けに構成されていない(平均屈折率が印加電
圧から独立するように構成されている)場合、任意選択で適用領域によって一方
の格子の強度(しかし、周波数ではない)を制御することができる。2つの格子
が共に同調される場合、狭い範囲の連続同調が行われる。電子励起の代替策また
は補助策として、チップの熱制御または機械的制御を通じて、2つの反射の位相
および格子のピーク波長をすべてまとめて変動させることができる。
第22図は、フェーズ・シフタ部635によって分離され、特性自由スペクト
ル範囲(FSR)を有する一体型エタロン640を形成する2つの格子リフレク
タ633および634を概略的に示す(構造630は、第21図の構造とほぼ同
じであり、ウェーブガイド636が横切る電子光学材料の領域を作動させること
ができる電極からなるフェーズ・シフタ部が追加されている)。説明を簡単にす
るために、一様単一周期格子のケースを考えるが、個別の格子は一般に、より複
雑な構造であってよい。格子は固定することも、あるいは電子的に作動させるこ
ともできる。フェーズ・シフタ部635に印加される電圧を調整することによっ
て、2つの格子からの反射を同位相で組み合わせ、基準周波数のビームを得るこ
とができる。2つのビームの周波数をFSRの倍数ごとに分離する場合、第2の
周波数のビームも同位相で加えられる。FSRは、2つの格子間の光路長に反比
例するので、光路長を選択することによってエタロン装置の反射ピーク構造の密
度が決定される。一例を挙げれば、ニオブ酸リチウムにおいて220μmごとに
分離された2つの短い高反射格子は、1nmの倍数ごとに分離された格子反射ピ
ークを有することができる。第20図に記載した多重ピーク構造620または6
22はそれぞれ、一体化エタロンとして実施することができる。
2つの格子690および692が2つの別々のウェーブガイド682および6
84を横切って延びる二重格子Y字形実施形態を第23図に示す。一般に、Y字
形接合は、平面または立体内に存在することができる、入射ウェーブガイドと複
数の射出ウェーブガイドとを有する。Y字形接合部688を用いて第1のウェー
ブガイド686に2つのウェーブガイドが接続される。入射光線ビーム691の
パワーは、入射ビーム691の約50%が各格子に入射するように第2のウェー
ブガイド682と第3のウェーブガイド684との間で分割される。2つの格子
は、簡単な反射構造を有することも、あるいは一連の高反射ピークを有すること
もできる。格子は不変のものでも、あるいは電子的に調整可能なものでもよい。
後者の場合、格子を励起する電極694および696が設けられる。その場合、
ウェハを横切って(あるいは第21図と同様に、ウェーブガイドと同じ表面上の
、他の電極に隣接する位置に)共通の電極698が設けられる。
ウェーブガイドの2つの分岐の相対光路長は、一方のウェーブガイド上の電子
光学活動領域の上方に配設された電極689によって調整することができる。位
相調整電極689上の電圧を調整することによって、2条の逆伝搬反射ビームを
、Y字形接合部で出会うときに同じ位相を有するように調整することができる。
反射されたモードは重なり合い、2つの光波の相対位相に応じて位相の中心が断
続する波面プロファイルを形成する。組み合わされた光波が伝搬する際、ガイド
の領域内の光モードの空間濃度は、移相の影響を強く受ける。光波が同じ位相を
有する場合、プロファイルは対称モードを形成し、このモードが入射上の最下位
モードに効率的に結合され、再帰反射射出ビーム693が形成される。Y字形接
続部で異なる位相で組み合わされる2つの反射ビームは、ウェーブガイド686
の対称モード(最下位モードなど)への結合力が非常に弱い。ウェーブガイド6
86が単一モードである場合、この反射エネルギーはウェーブガイドから拒絶さ
れ
る。したがって、電極689を有するY字形接合部の一方のアームの光路長を調
整することによって、反射をほぼ100%から零に非常に近い値に迅速に調整す
ることができる。さらに、格子を、本明細書で説明する同調可能な構成のうちの
1つにおける電子的に同調可能なリフレクタとして実施する場合、変調反射特性
をスペクトルのそれぞれの異なる領域にシフトすることができる。
第24図を参照すると、極化格子722を使用する切替可能ウェーブガイド・
モード変換器720が示されている。ウェーブガイド730は、入射モードと射
出モードの両方をサポートすることが好ましく、これらのモードは2つの横モー
ドでも、あるいは2つの偏光モードでもよい(たとえば、TEおよびTM)。ウ
ェーブガイド内の2つのモードは通常、それぞれの異なる伝搬定数を有し、これ
らの伝搬定数は、モードの有効屈折率によって決定される。格子722は、接続
部746によって電位源744に結合された電極740および742によって電
気的に励起される。格子周期Λ(724)は、2つのウェーブガイドの伝搬定数
の差の大きさが格子定数2πn/Λに等しくなるように選択される。格子がオン
のとき、格子は、2つのモード間の結合が位相整合されるように2つのウェーブ
ガイドの伝搬定数の差を構成する。格子の格子強度および装置相互作用長は、入
射モードから射出モードへのパワーの流れを最適化するように設定すべきである
。あるモードから他のモードへの正味パワー変換率は、電子光学係数(ニオブ酸
リチウムではr31)の強度および電界の強度によって決定される。
2つの横モードの場合、結合は、格子構造が存在するときの2つのモードの空
間的な重なり合いと、格子の強度に依存する。2つのモードが対称性によって直
交し、モードが位相整合される場合でも、対称構造が変換されないことがある。
この場合、位相整合構造自体を非対称的なものにして問題を解消することができ
る。第24図の好ましい実施形態では、極化構造を励起する電界を介して非対称
性を導入することができる。電界の垂直成分は、2つの電極740と742の中
間で符号が反転する。電極をウェーブガイド上で心合わせし、それぞれの異なる
対称性を有する横モード間のモード変換を最適化することが最適である。同じ対
称性を有する横モードを結合するときには逆のことが当てはまる。この場合、位
相整合構造を対称的なものにして変換を最適化すべきである。いくつかの代替手
法を使用することもできる。3電極構造は、電界の対称垂直成分と、非対称水平
電界とを有する。水平電界を1つの水平結合電子光学係数と共に使用して、それ
ぞれの異なる対称性を有するモードを結合することができる。あるいは、極化構
造が、ウェーブガイドをほぼ二等分する位相反転平面を有することもでき、その
場合、電界の対称成分を使用して、それぞれの異なる対称性を有するモードを結
合することができる(3つの電極の場合は垂直電界、2つの電極の場合は水平電
界)。
2つのモードの伝搬定数は波長に強く依存するので、それらのモードの相互作
用のビート長も波長に依存する。したがって、2つのモード間の結合領域の長さ
が与えられた場合、第2のモードに結合されるパワーは周波数の影響を受ける。
結合には周波数帯域幅が関連付けられる。所与の格子強度では、帯域内入射ビー
ムが射出モードに結合され、この射出モードが、結合された射出ビームとして射
出し、同時に、入射ビームの残りの部分が、透過射出ビームとして第1のウェー
ブガイドから出る。
第24図に示した構造を使用して、TE偏光モードとTM偏光モードを結合す
ることもできる。電子光学係数r31によって、たとえばニオブ酸リチウムにおけ
る2つの直交偏光を結合することができる。前述のように、格子の周期は、格子
定数が2つのモード間の伝搬定数の差に等しくなるように選択される。相互作用
長は、パワー伝達を最適化するように選択される。
TEモードとTMモードの両方をサポートするチタン内部拡散ウェーブガイド
などのウェーブガイドは、両方の偏光が変換器に出入りすることができる応用例
で使用される。1つの偏光(zカット・ニオブ酸リチウム基板ではTM、xカッ
トまたはyカットではTE)しかサポートしない陽子交換ウェーブガイドなどの
ウェーブガイドは、単一の偏光が必要とされる応用例で有用である。そのような
1偏光ウェーブガイドは、他の偏光に対する非常に有効なフィルタとして働くこ
とができる。誤った偏光成分は、回折のためにウェーブガイドから急速に分散し
、案内される偏光のみがウェーブガイドに残る。たとえば、陽子交換射出ウェー
ブガイド731は、必要に応じて、入射偏光のみ、あるいは射出偏光のみを案内
するように働くことができる。この装置は、格子の結合が強力であり、相互作用
長
および電界が正しく選択された場合、優れた透過機能および消光機能を有する光
学変調器として使用することができる。陽子交換ウェーブガイドと共に構成され
た変調器は、ほぼすべての正しく偏光された入射光を透過させ、垂直に偏光され
たモードに結合される光をほとんど透過させない。別法として、入射時にどちら
かの偏光を受け入れるように入射ウェーブガイドをチタン内部拡散することもで
きる。TEモードのプロファイルとTMモードのプロファイルがうまく重なり合
い、結合効率が最大になるように、2つのビーム用のウェーブガイドを形成する
屈折率プロファイルは類似していることが好ましい。
r31係数を活動化するには、結晶のY軸またはX軸に沿って電界を印加する。
適当な電界方向を達成する電極構成は、結晶のカットに依存する。x軸に沿って
配向されたウェーブガイドを有するzカット結晶では、ウェーブガイドのどちら
かの側に第1の電極および第2の電極を配置することができる。あるいは、x軸
に沿って配向されたウェーブガイドを有するyカット結晶では、ウェーブガイド
の真上に第1の電極を配置し、ウェーブガイドのどちらかの側に第1の電極に平
行に第2の電極を配置することができる。
格子722内の極化ドメインは、バルク基板(厚さ0.5mm以上など)内を
延びるように構成することができるので、第24図の構造は、制御可能なバルク
偏光変換器にも有用である。この場合、ウェーブガイド730は不要であり、電
極は極化材料の薄いバルク・スラブのどちらかの側に最適に構成される。
第25図を参照すると、Y字形パワー・スプリッタ702と横モード変換器7
04とを組み込んだ切替ビーム・ディレクタ700が示されている。このモード
変換器は、上記で第24図に関して説明した横モード変換器と同様に機能する。
格子構造706は、ウェーブガイド708に入射した最下位(対称)モードから
ウェーブガイドの1つ上の(非対称)モードへのエネルギー変換を位相整合する
。ウェーブガイドと格子構造か重なり合う相互作用領域の長さおよび強度は、入
射信号対称モード・パワーの約半分を上位の非対称モードに変換するように選択
される。さらに、格子モード変換器部704とY字形スプリッタ702との間の
光路長は、2つのモードの位相が、Y字スプリッタの一方の枝712では建設的
に組み合わされ、他方の枝713では破壊的に組み合わされるように選択される
。
この結果、パワーは主として、建設的な干渉と共にウェーブガイド712に経路
指定され、他方のウェーブガイド713へのパワー漏れはほとんどない。この状
態では、ガイド713内の逆伝搬パワーは基本的に、モード・カプラ704の後
にガイド708内の逆伝搬モードに結合されることはない。この装置は、順方向
では効率的なパワー・ルータを形成し、逆方向では絶縁構造を形成する。
格子モード変換器部704とY字形スプリッタ702との間の光路長を調整す
ることによって、射出パワーをガイド712からガイド713に切り替えること
ができる。これを行うには、2つのモードの位相が互いにπだけずれるように最
下位モードおよび1つ上のモードの相対光路長を調整し、次にガイド713内で
建設的な干渉を発生させ、ガイド712内で破壊的な干渉を発生させる。相対経
路長の調整は、電極対711および709を電圧源714を用いて励起し、基板
703、好ましくはニオブ酸リチウム(しかし、タンタル酸リチウム、KTP、
GaAs、Inp、AgGaS2、水晶など、光波に対する透過性を有する電子
光学材料であってよい)中の電子光学効果を介して電極711の下方の屈折率を
変化させることによって、経路長調整部705で行われる。電極711の下方の
ウェーブガイド708の伝搬距離は、2つのモードの相対位相を少なくとも所望
の量だけ変更できるように励起電圧と共に選択される。
格子706は、当技術分野で知られている技法で製造された永久格子でよい。
しかし、装置の機能を最適化するには、対称モードと非対称モードでほぼ等しい
パワーを有することが望ましい。既存の製造技法でこの目標を達成するのに十分
な制御を行うのは困難であり、したがって格子強度をいくらか調整することが望
ましい。この調整可能性は、電極709および710によって励起される少なく
ともいくつかの極化格子部を使用することによって達成することができる。電極
709および710は、電源715によって駆動され、所望のモード変換を行い
、あるいは組合せ極化永久格子の強度を調整するために格子部自体によって使用
することができる。
入射ウェーブガイド708は、横モード・カプラ704とY字形スプリッタ7
02との間で2つのモードを案内することができるように(好ましくは断熱的)
テーパ701を組み込んだ単一モード・ウェーブガイドとして最もうまく実施さ
れる。ウェーブガイド712および713は共に単一モードであることが好まし
い。この装置では、対称性が逆であるかぎり任意のオーダーのモードを使用する
ことができるが、相互接続のために、入射レグおよび射出レグで最下位モードを
使用することが最も望ましい。中間励起モードはそれほど重大なものではなく、
たとえば上位非対称モードであってよい。
第26図は、入射ウェーブガイド752が相互作用領域753に沿って並列ウ
ェーブガイド754に結合される並列ウェーブガイド切替可能共振器750を示
す。格子リフレクタ755および756は、ガイド内を伝搬する光を再帰反射さ
せるようにウェーブガイド754を横切って配設される。分離されたリフレクタ
対とウェーブガイド754は、入射ウェーブガイド752に結合された一体型エ
タロンを形成する。結合領域753の長さと、結合領域内の並列ウェーブガイド
の離隔距離は、入射ビーム757のある所望の部分Tがウェーブガイド754に
結合されるように選択される。エタロン構造754、755、756に結合され
た光は、リフレクタ755と756の間で共振し、ウェーブガイド752内の2
つの主射出チャネル、すなわち順方向伝搬波759および逆伝搬波758に結合
される。エタロン内で循環するパワーの同じ部分Tは、2つの射出チャネル75
8および759のそれぞれに結合される。
エタロンに関して言えば、一体化エタロンは、幅が共振器の損失に依存し分離
が自由スペクトル範囲に等しい周波数空間中の複数のピークで構成された周波数
受け入れ構造を有する。入射ビーム757の光周波数がこれらの共振周波数のう
ちの1つに合致する場合、エタロン内で循環するパワーは、Pcirc=PincT/
(T+Γ/2)2によって求められる値Pcircまで蓄積される。ここで、Pincは
、ウェーブガイド752内の入射パワー757であり、Γは、ウェーブガイド7
52内の順方向伝搬波759および逆伝搬波758に結合される出力を含まない
エタロンの損失であり、結合が弱く、損失が少ないものと仮定している。ウェー
ブガイド752内で逆方向へ伝搬するエタロンからの射出結合波は、反射波75
8を形成する。ビーム758中の反射パワーは、共振のピーク時にはPref=Pi nc
/(1+Γ/2T)2に等しい。T>Γ/2のときは、ほぼすべての入射パワ
ーが反射される。ウェーブガイド752内で順方向へ伝搬するエタロンから
の射出結合波は、(空洞共振時に)入射波757の非結合部分とは異なる位相を
有し、2条のビームは破壊的に干渉し、低振幅射出ビーム759を生成する。2
条のビームの振幅は等しくないので、射出ビーム759中の残留パワーPtrans
=Pinc/(1+2T/Γ)2は完全に零ではないが、非常に近い値にすることが
できる。結合Tを、エタロンの損失Γと比べて非常に大きな値にする場合、装置
の透過率は大幅に抑制される(T=10Γの場合は26dB)。その場合、この
構造は、FSRごとに分離された周波数のコームで非常に損失の低いリフレクタ
として働く。
この装置は、2つのリフレクタ755と756の間の光路長を変化させること
によって切り替えることができる。電極761および762は、ウェーブガイド
754を通じてミラー755と756の間で電界を生成するように配設される。
電圧源763を用いて電極が励起され、電子光学効果を介して電極761の下方
の基板の有効屈折率が変化し、それによってミラー間の光路長が変化し、一体化
エタロンの共振がシフトされる。共振が、共振の幅と入射ビームの周波数帯域幅
のどちらかよりも大きくシフトされた場合、反射が零に低下し、エタロン内の循
環パワーが約PincT/4に抑制されたときに透過率がほぼ100%に増加する
。
格子755および756は、永久格子でも、あるいは上記の図に示し、かつ前
述したように電極によって励起される極化格子でもよい。格子756が極化格子
である場合、格子をオフに切り替えることによって装置を切り替えることもでき
る。格子756がオフであり、すなわちビームを反射しない場合、入射波757
の損失は結合定数Tに等しくなるが、この場合、コーム構造は、電極761によ
って周波数シフトされるのではなく、なくなる。この2つの動作モード間の切替
機能の違いは、たとえば、周波数を変化させるのではなく反射を切り替える必要
がある広帯域入射信号に関して重要である。単一周波数入射ビームの場合、反射
は、電極761を用いて光路長を変化させ、あるいはミラー756をオフに切り
替えることにより共振器のQを低下させることによって、同様に切り替えること
ができる。しかし、ミラー756の屈折率を保持し、電極761を用いてエタロ
ンの周波数スペクトルのみをシフトする場合、広帯域入射波の他の周波数成分が
反射され、これはある種の応用例では極めて望ましくない。
エタロン内で蓄積されるパワ−Pcircは、TおよびΓが小さな場合にはかなり
大きく、たとえば第2高調波生成などの応用例で有用である。この応用例ではニ
オブ酸リチウム基板の一部内の準位相整合(QPM)周期的極化構造が、共振器
内の、たとえばミラー756と相互作用領域753との間に組み込まれ、あるい
は場合によっては相互作用領域自体内に組み込まれる。その場合、エタロンの1
つの共振周波数は、QPM周波数二倍器の位相整合周波数に合致するように同調
される。パワー蓄積によって、装置の周波数変換効率は、蓄積係数Pcirc/Pin c
の平方として向上する。他の共振モードが同時に注入ロックされることがない
ほどFSRが大きな値である場合、この周波数で発生する高反射を使用して、ポ
ンプ・レーザを所望の周波数に注入ロックすることもできる。上記で第21図お
よび第22図を参照して説明した線形一休型エタロンを使用して同じ目的を達成
することもできる。
エタロン内のリフレクタ755と756の間に蓄積するパワーを最適化するに
は、共振器の損失を最小限に抑えなければならない。共振器への入射結合が、空
洞に結合されない入射ビームの部分を破壊干渉によって取り消すように調整され
る、バルク蓄積空洞の技術分野で知られているプロセスの場合と同様に、第26
図の結合を「インピーダンス整合」することはできない。これは、エタロン透過
干渉ピークの条件である。前述のように、一体化構造では、透過ビームをほぼ取
り消すことができ、それに対して結合共振器にパワーが蓄積されるが、強力な反
射波が現れる。第27図および第28図に示したように、リング・ウェーブガイ
ド構造では反射波をなくすことができる。
エタロン内で循環するパワーに比例する射出751は、必要に応じて格子75
6を通じて取り出すことも、あるいは格子755を通じて取り出すこともできる
。
第27図には、入射ウェーブガイド752と、並列ウェーブガイド結合領域7
53と、3つのウェーブガイド・セグメント764、765、766と3つの格
子リフレクタ767、768、769とで形成されたリング共振器とを含む3ア
ーム・エタロン760が示されている。電極761と762との間に形成された
光路長調整部は任意選択である。格子リフレクタ767は、ウェーブガイド76
4から到着するパワーを最適にウェーブガイド765に反射するように配設され
る。単一モード・システムでは、格子(およびもしあれば、その電極)の空間構
成は、ウェーブガイド764の最下位モードから765の最下位モードへの結合
を行うように設計される。格子768および769も同様に、ウェーブガイド7
65からウェーブガイド766へ、次いで再びウェーブガイド764へのパワー
・フローを最適化するように構成され、確定的な光路長FSRと、光損失係数と
、入射ウェーブガイド752との結合Tとを有するファブリー・ぺロ共振器が形
成される。次に、インピーダンス整合が可能であり、インピーダンス整合は、結
合係数Tが、共振器の総往復損失係数から、主として結合領域753内の射出結
合損失を減じた値に等しいときに達成される。共振器内に位相整合周波数二倍器
を配設する場合、共振器内で循環する基本周波数ビームから得られる変換済みパ
ワーは、総往復損失中の1つの損失とはみなされない。
3アーム・エタロンの1つの共振に等しい周波数を有する入射ビーム757が
装置に入射した場合、パワーは並列ウェーブガイド相互作用領域を横切ってエタ
ロンに結合され、Pcirc=PincT/(T+Γ)2の循環パワーになるまで蓄積さ
れる。リング構造のために、パワーは主として、ウェーブガイド764からウェ
ーブガイド765、766に至り、ウェーブガイド764に戻る一方向へ循環す
る。この場合、エタロンからウェーブガイド752上への単一の射出結合波しか
なく、この光波は順方向へ伝搬する。射出結合波は、入射波757の残りの部分
に破壊的に干渉し、弱い透過波759を形成する。射出ビーム759の透過パワ
ーPtransは、Ptrans=Pinc(1−Γ/T)2(1+Γ/T)2によって与えら
れ、Γ=T、すなわちインピーダンス整合条件の場合には零にすることができる
。この場合、すべての入射パワーが共振器に流れ込む。インピーダンス整合状態
では、2つのビームが等しい振幅を有し、透過パワーが零に低下する。良好な設
計によって最小限に抑えることができるウェーブガイド752内の不連続性によ
る反射を除いて、ビーム758には反射パワーはほとんどない。
格子767または他の格子を切替可能な格子として構成することができ、その
場合、格子をオフにし、コーム構造を完全になくすが、ウェーブガイド764に
結合されるパワーのための多少の光損失を残すことによって、エタロンの品質Q
を低下させることができる。射出ビーム751は、格子768、あるいは格子7
67または769、あるいはその両方の透過時に取り出すことができる。
第28図は、リング・ウェーブガイド・エタロン770を示す。前述のように
、入射ウェーブガイド752は、並列相互作用領域753においてウェーブガイ
ド772に結合される。相互作用領域753は、第26図、第27図、第28図
のエタロン形状では格子結合が有用なオプションであることを強調するために第
28図の格子を含む(ただし、必要ではない)。ウェーブガイド772は、(交
差を有する、場合によっては複数のループを含む形状を有する)湾曲された閉鎖
経路に従い、部分753から現れたパワーの一部を相互作用領域753へ戻す。
前述のように、光路長、したがってFSRを調整できるように電極761および
773が設けられる。ただし、この場合、電極は基板の同じ面上に配設されるよ
うに示されている。エタロン構造の応用例に応じて、ある種の臨界機能構成要素
が製造される位置に直線部771が設けられる。エタロン装置770を使用して
周波数を2倍にする場合、リングの771などの直線部に周波数2倍構造を挿入
することは有利であるが、リング・ウェーブガイドからの周波数変換光を結合で
きるようにしなければならない。
装置770の機能は、その他の点では装置760の機能に類似している。装置
760の方が基板上の消費表面積が少ないが、特に直径が1cmよりも大きな場
合、装置770の方がエタロン内の光損失が低い。
装置760および770は、光源へのフィードバックが最小限に抑えられる、
周波数を2倍にする蓄積空洞として機能することができる。これらの装置は、再
帰反射なしに所与の周波数の透過率を切り替えることもでき、これは、光通信を
含む応用例で有用である。
WDM通信では、光波長ごとに分離された多数の通信チャネルを同じ光ファイ
バ上で搬送することができる。あるチャネルを検出するにはまず、他の宛先へ経
路指定される残りのチャネルから所望の波長領域内の光を分離しなければならな
い。この分離機能は、チャネル・ドロッピング・フィルタによって実行される。
チャネル・ドロッピング・フィルタとは、通信装置であり、波長分割多重化(W
DM)環境で使用される。チャネルをそれぞれの異なる波長上で搬送することに
よって単一の透過ファイバを介して複数のチャネルを多重化することが望ましい
。
そのようなシステム内の臨界構成要素は、経路指定または検出のために単一のチ
ャネルを抽出できるようにするチャネル・ドロッピング・フィルタである。理想
的なフィルタは、良好な消光比でチャネル中のほぼすべての光を抽出し、そのた
め後で、ネットワーク内で望ましくないクロストークなしに同じ波長を使用する
ことができる。所与の回線上に複数のチャネル・ドロッピング・フィルタを設置
できるので、チャネル・ドロッピング・フィルタは帯域外成分に関して非常に低
い挿入損失を有さなければならない。このフィルタは、チャネルが、宛先位置で
ドロップされ、通信が終了した後、その位置を越えて他の宛先へ進むことができ
るように切替可能であることが好ましい。チャネル・ドロッピング・フィルタの
逆のフィルタは、チャネル追加フィルタであり、他のチャネル中を伝搬するパワ
ーにそれほど影響を与えずにファイバにチャネルを追加する。透過フィルタおよ
び反射フィルタは詳しく分析されている[HL91、KHO87]。第7図、第
10図、第26図、第27図、第28図を参照して説明した装置を含め、上記の
構造のうちのいくつかをチャネル・ドロッピング・フィルタ用に使用することが
できる。
第7図のT字形格子結合ウェーブガイドは、帯域外成分用の低損失のチャネル
・ドロッピング・フィルタである。帯域内成分に関して99.9%の結合を達成
するには非常に長い格子が必要なので、従来技術の格子を用いる場合、この構成
はクロストークに関する難点を有する。ウェーブガイドを完全に横切って延びる
鋭い界面を有する上位の格子を使用することができるので、本出願の周期的極化
格子の結合強度は、従来技術と比べて著しく高い。従来技術は、必然的に浅い格
子とウェーブガイドとの間の重なり合いを最適化するために浅いウェーブガイド
に限られるが、本出願では、格子構造がウェーブガイドの深さを完全に横切って
延びるので、ほぼ等しい深さと幅とを有し、より低損失のウェーブガイド構成を
使用することができる。この構造は、チャネル追加フィルタとして使用すること
もできる。
第10図の装置も、Haus等著「Narrow band optical
channel dropping filters」(J.Lightwa
ve Technol.10、57ページないし62ページ(1992年))に
記載されたように格子を構成する場合にはチャネル・ドロッピング・フィルタで
ある。この場合の本出願の寄与は、極化格子結合技法に過ぎず、それによって、
短い距離でのウェーブガイド間の強力な結合が可能になり、効率的な上位の格子
を製造する際の製造上の難点が軽減される。
装置750、760、770は、入射ウェーブガイド752から抽出すべきチ
ャネルの周波数にエタロンの共振を同調させることによって、チャネル・ドロッ
ピング・フィルタとして使用することができる。一体型エタロンがほぼインピー
ダンス整合される場合、共振周波数でのほぼすべてのパワーがエタロン内に伝達
される。第27図および第28図のリング形状では、ウェーブガイド752内の
透過パワーおよび反射パワーを所望のレベルに低減させ、クロストークを最小限
に抑えることができる。所望のチャネルに対応する光が入射ウェーブガイドから
完全に抽出(ドロップ)され、反射も透過も残らない。第26図の線形形状では
、反射のためにある程度の光が失われる。この場合、検出効率はそれほど低下し
ないが、通信網でクロストーク問題が発生することがある。光によって搬送され
た信号は、エタロンのウェーブガイド・セグメントの上方に検出器を配置するこ
とによって検出することができ、ウェーブガイド内の光に結合することができる
。あるいは、第26図の754、第27図の764、765、766、第28図
の794などの射出ウェーブガイドのうちの1つに検出器を結合することもでき
る。装置760の場合、射出結合は、射出ビーム751に関して示したように、
循環パワーの小さな部分が、ウェーブガイドの連続セグメントに結合されるよう
に、1つの共振器格子リフレクタ767または768または769の反射を調整
することによって行うことができる。それらの連続ウェーブガイド・セグメント
は、他の装置のポートに接続することもでき、そのような装置は、同じ基板上の
離散装置でも、あるいは同じ基板上で一体化されていてもよい。装置770の場
合、リングの直線部771に(格子付き、あるいは格子なしの)並列ウェーブガ
イド射出力プラを配置することができる。これらのポートには循環パワーの一部
しか結合されないが、エタロン内で行われる蓄積のために、全結合パワーは、ウ
ェーブガイド752に進入するチャネル・パワーの100%に非常に近くなる。
射出結合は、射出ビーム751を生成する隣接するウェーブガイド794を用い
て示
されている。
リング形状は、ほぼすべてのパワー伝達がエタロン内で行われるように調整で
きるので、消光比(光分散効率が高いときに低い)および低クロストークの点で
優れている。すべてのエタロン装置は、帯域外ビームに対する挿入損失が低くな
るように設計することができる。第26図ないし第28図のすべての装置は、移
相電極761および762(および第28図の763)によって切り替えること
ができる。
前述のように、光路長は、電極761を使用して一体型エタロン共振の周波数
をシフトするように調整することができる。所望のチャネルは、このように直接
選択することができる。あるいは、上記で第20図、第21図、第22図を参照
して説明した手法を使用してこの技法によって複数のチャネルを選択することも
できる。エタロンのFSRを、チャネル分離とはわずかに異なるものになるよう
に選択する場合、モアレ効果を使用して、最小限の連続同調を有する広い間隔で
分離されたチャネルが選択される(適切な選択を行うには、FSRを、チャネル
帯域幅にエタロン共振帯域幅をたたみ込んだ際に得られる周波数幅の数倍の値を
チャネル間隔に加えた値に等しくなるようにする)。
構造750、760、770に関する変形形態として、上記で第10図を参照
して説明した格子援用カプラとして結合領域753を実施することができる。こ
れは、極化格子実施態様において、結合部分Tを調整できるという利点を有する
。特にリング共振器設計760および770では、インピーダンス整合を行うう
えで調整可能な結合は有用である。他の変形形態として、上記でより低い電圧励
起を得るために説明したように、基板の同じ面上で電極を実施することができる
。
射出ビーム759に付加すべき信号が、たとえばウェーブガイド766上へ送
られ、あるいはウェーブガイド794を介して直線部771に結合される場合、
第27図および第28図の構造を効率的なチャネル追加フィルタとして使用する
こともできる。これらの入力相互作用はおそらくインピーダンス整合されている
はずである。
次に、第29A図を参照すると、極化セグメント806を使用するウェーブガ
イド変調器/減衰器800が示されている。極化セグメント806の機能は、オ
ンに切り替えられたときに、入射ウェーブガイド・セグメント802から放出さ
れた光を(切替可能に)収集し、射出ウェーブガイド・セグメント804へ送る
ことである。この装置では、入射光線820は入射ウェーブガイド802に結合
される。極化セグメント806は、入射セグメントと射出ウェーブガイド・セグ
メント804との間に位置決めされる。入射ウェーブガイド・セグメントおよび
射出ウェーブガイド・セグメントは、内部拡散やイオン交換を含め、任意の標準
技法によって製造できる永久ウェーブガイドであることが好ましい。セグメント
806は、電界をオフにしたときに屈折率の差がほぼなくなり、したがってウェ
ーブガイド効果がなくなるように、一様に極化された基板内の逆極化領域である
ことが好ましい。セグメント806は、第29A図に示したウェーブガイド・セ
グメントである(別法として、多数のそのような要素間で光を中継する正レンズ
構造や負レンズ構造や複合構造など、いくつかの形状的に異なる方法で構成する
こともできる。第29B図参照)。セグメント806は、それを通じて電界を印
加することによってオンにされる。電界は、極化セグメントおよび周りの領域の
屈折率を変化させる。セグメント806が基板材料とは異なるように極化される
(好ましくは逆極化される)ので、正しい電界極性を付与することによってセグ
メントの屈折率を周りの材料と比べて高くし、ウェーブガイドを形成することが
できる。ウェーブガイドの境界の内側の屈折率を増加させることも、あるいは境
界上および境界の外側の屈折率を抑制することもできる。極化セグメントがオン
のとき、連続ウェーブガイドが形成され、入射セグメントと射出セグメントが結
合される。これを行うには、ウェーブガイドどうしを突き合わせ、同じ軸に位置
合わせし、極化セグメントの横モード・プロファイルが入射ウェーブガイド80
2および射出ウェーブガイド804のモード・プロファイルに最適に整合するよ
うに極化セグメントの幅を調整する。
極化セグメントがオフのとき、入射ビームは極化領域に拘束されず、したがっ
てビームは、射出ウェーブガイド・セグメントに到着する前に格子によって大幅
に膨張する。入射ウェーブガイド・セグメントと射出ウェーブガイド・セグメン
トの離隔距離が、案内されないビームのレイリー範囲よりもずっと大きく、その
ため、ビームが射出ウェーブガイドの寸法よりもずっと大きな寸法に膨張する場
合、射出ウェーブガイド・セグメントに結合され射出ビーム822を形成するの
は入射ビームの小さな部分に過ぎない。セグメント806の長さをレイリー範囲
に対して調整することによって、オフ状態で伝達されるパワーの量を所望の程度
に低減させることができる。
極化セグメント806の端部の位置は、不連続性のために生じる損失を最小限
に抑えるように入射ウェーブガイドの端部の位置および射出ウェーブガイドの端
部の位置に対して調整される。永久ウェーブガイドが拡散境界を有し、極化ウェ
ーブガイドが離散境界を有し、切替セグメントの屈折率変化が既存の屈折率に加
えられるので、ウェーブガイド802および804のリソグラフィック技法によ
って画定された境界と極化セグメント806の端部との間に拡散長の2分の1程
度の小さなギャップを残すことが望ましい。ウェーブガイド802とウェーブガ
イド806との間の接合部での反射およびその他の損失をさらに低減させるには
、励起電極810をセグメント806よりもわずかに短くし、あるいは電極幅を
その端部付近で小さくし、どちらの場合でも、フリンジング効果による電界の低
減を利用することによって、セグメント806の屈折率変化の最初の部分を小さ
くすることも有利である。
この構成の1つの顕著な態様は、オン状態とオフ状態の両方で反射パワーを最
小限に抑えることができることである。スイッチがオフである場合、反射は、ウ
ェーブガイド802の端部803での残留反射によって支配される。この反射は
、ウェーブガイドの長さに沿って屈折率の差を漸減させることによって最小限に
抑えることができる。ウェーブガイド804の端部805からの反射は、「オフ
」透過の平方だけ抑制される。「オン」状態では、反射は、やはり伝搬方向に沿
って構造806の屈折率の差を漸減させ、鋭い界面ではなく円滑な境界を形成す
ることによって最小限に抑えられる。
励起される極化領域の境界は、内部の屈折率が増加するために活動化されたと
きにビームを横方向に拘束する。極化領域の深さがウェーブガイド802および
804の深さに等しい場合、ビームは極化セグメント境界によって垂直方向にも
拘束される。しかし、zカット・ニオブ酸リチウム・ウェハ内の極化の深さを制
御することは困難である。深いドメインを極化し、いくつかの代替策のうちの1
つを使用して垂直次元の拘束を行うことが最も容易である。好ましい手法は、電
界の振幅が垂直次元で減少するように電極を構成することである。これは、第2
9A図に示された、電極が基板の対向面上に配置されない同一面電極構成によっ
て可能になる。電界の貫通深さは、2つの電極間のギャップを狭くし、あるいは
電極構造全体の幅を減少させることによって減少させることができる。
また、あるいは別法として、それ自体では多量のエネルギーを伝えるには不十
分であるが、極化セグメント806での屈折率の増加と相まって、光を2つの次
元で拘束しほぼすべての光を射出ウェーブガイド804へ搬送する弱い永久ウェ
ーブガイドを、入射ウェーブガイドと射出ウェーブガイドとの間の部分内に製造
することができる。これはたとえば、セグメント内の(基板に対する)永久屈折
率をウェーブガイド802および804の屈折率変化の約5分の3になるように
調整することによって行うことができる。セグメント806の「オン」屈折率変
化を同じ値の約半分に調整する場合、組合せ屈折率変化は合理的な案内を達成す
るのに十分なものであり、それに対して永久屈折率変化は不十分である。「オン
」状態では、極化領域で生じる切替屈折率変化が所望のウェーブガイド寸法より
もかなり深い場合でも、モードは両方の横次元で拘束され、「オン」ウェーブガ
イドの有効深さは主として、永久屈折率変化によって決定される。弱いウェーブ
ガイドは、第2のマスク形成ステップで製造することも、あるいは、より弱いウ
ェーブガイド・セグメントを画定するより幅の狭いマスク・セグメントを用いる
同じマスク形成ステップで製造することもできる。
関連代替策として、入射ウェーブガイドと射出ウェーブガイドとの間の領域は
平面ウェーブガイドでよく、その場合、伝搬モードは少なくとも1つの次元で回
折することができる。極化部をオンに切り替えると、この場合、平面ウェーブガ
イドよりも深い屈折率変化が生じるにもかかわらず、必要な横拘束が付加される
。どちらの場合にも、ウェーブガイドの2つの次元での拘束が2つの独立の技法
によって行われるので、ほぼあらゆるアスペクト比(ウェーブガイドの幅と深さ
の比)の切替可能なウェーブガイドを形成することができる。平面ウェーブガイ
ドとチャネル・ウェーブガイドは共に、同じ技法で製造することができ、この技
法はアニール陽子交換工程であることが好ましい。単独での陽子交換ステップは
平
面ガイドおよびチャネル・ウェーブガイドを画定するために使用することができ
る。ウェーブガイド製造工程はアニールによって完了され、アニール中には、屈
折率の変化が所望の深さまで拡散され、材料の光活動が復元される。2組のガイ
ドを同じ時間だけアニールすることが好ましい。ただし、第2の陽子交換ステッ
プを実行する前に1組のガイドを部分的にアニールすることによってより深くす
ることができる。
重要な代替策は、極化セグメント806を横切る完全で一様な永久ウェーブガ
イドを使用し、電気的に励起されるセグメントを使用して案内をオフにすること
である。この場合、電界の極性は、極化領域の屈折率を抑制するように選択され
、極化領域の深さは非常に大きなものでよい(実際、これはモード分散に関して
ある種の利点を有する)。この種の切替ウェーブガイドは、通常オンであり(す
なわち、透過状態)、電界を印加してオフに切り替える必要がある。通常オン・
スイッチ構成と通常オフ・スイッチ構成は共に電力障害時の動作に関して有利で
あり、したがって、本発明が両方のモードを与えることができるのは重要である
。セグメント806内でウェーブガイドをオフに切り替えるには、永久ウェーブ
ガイドで誘導される屈折率変化にほぼ等しく、かつそれとは逆の屈折率変化が必
要である。光を十分に分散させるには大部分のウェーブガイドを抑制すれば十分
なので、電界の深さの変動の、「オフ」状態に対する効果は非常に小さい。
平面ウェーブガイドの必要なしに、有限深さ極化技法によって拘束を両方の次
元で行うことができる。いくつかの極化技法(たとえば、ニオブ酸リチウムおよ
びタンタル酸リチウムにおけるチタン内部拡散やKTPにおけるイオン交換)で
は、有限深さの極化が行われ、これは場合によっては、特定の深さを有する極化
チャネル・ウェーブガイドを形成するように最適化することができる。しかし、
このような技法では、極化と共に屈折率変化が生じ、処理パラメータに応じて永
久ウェーブガイドがある程度形成される。この屈折率変化に応じて、極化ウェー
ブガイド・セグメントを「通常オン」構成と「通常オフ」構成のどちらかとして
製造することができる。
電界は、極化ウェーブガイド・セグメントと同じ結晶の面上に配置された2つ
の電極を横切って電圧を印加することによって極化領域内で生成することが好ま
しい。第1の電極810は極化領域の上方に配置され、それに対して第2の電極
812は第1の電極の1つまたは複数の側面に近接して配置される。zカット結
晶では、この構成は基板のd33電子光学係数を活動化する。電圧源816は2本
のワイヤ814を介して電極に電気的に接続され、装置用の駆動電圧を与える。
この装置は、ディジタル変調器として使用することも、あるいは非線形アナログ
変調器として使用することもできる。フルオン(full-on)電圧は、極化領域を
横切る損失が最小になる電圧として定義されている。オフ電圧は、射出ウェーブ
ガイド・セグメントとの結合を所望の程度に低減させる電圧として定義されてい
る。電圧をオン電圧とオフ電圧との間で連続的に変動させることによって、装置
をアナログ変調器と可変減衰器のどちらかとして使用することができる。
代替構造では、構造806は切替湾曲ウェーブガイドを形成し、この場合も入
射ウェーブガイド802および射出ウェーブガイド804に整列する。そのよう
な構造のモードは、曲率が小さく内側縁部上のモード拘束が内側ウェーブガイド
縁部から独立する極端なケースでは「ささやきの回廊(whispering gallery)」モ
ードと呼ばれる。曲率がより大きな場合、モードは修正ささやきの回廊モードで
あり、ある種の拘束はウェーブガイドの内側縁部によって与えられる。極化構造
は切替可能性以外の利点を与え、すなわち、外側壁上の鋭い屈折率遷移によって
、湾曲ウェーブガイド内を伝搬する修正ささやきの回廊モードの拘束が大幅に向
上する。入射ウェーブガイドと射出ウェーブガイドはこの場合、同軸である必要
も、あるいは平行である必要もなく、場合によってはスイッチオフ状態で順方向
絶縁を増大させる。入射ウェーブガイドと射出ウェーブガイドを軸に沿って互い
に角度をなすように構成する場合、構造806は単一の曲率半径またはテーパ付
き曲率半径を有する湾曲ウェーブガイド・セグメントであってよく、湾曲ウェー
ブガイド構造806がオンにされたときにウェーブガイド間でパワーを最適に結
合するために使用することができる。
第29B図は、代替構造801、すなわち、セグメント806のプリズム構造
が、局部光路長と局部(符号付き)屈折率変化の積がガイド802および804
の軸からの横方向への距離に応じて2次式的に減少するレンズ状構造として修正
された切替レンズ変調器/減衰器を示す。このレンズ状構造は、入射ウェーブガ
イド802の端部803から現れたビーム821を射出ウェーブガイド804の
端部805に集中または再合焦させるように配置される。光波は、端部803か
ら広がるように出て、レンズ状構造807を通過することができる。この構造で
は、複数の要素を互いに隣接させて配置し、正味合焦効果を高めることができる
ことに留意されたい。領域807内の屈折率は、合焦効果を得るために増加され
る。周りの領域か領域807とは逆の方向へ極化され、あるいは周りの領域の電
子光学係数がその他の点で領域807の電子光学係数と逆である場合、レンズ間
の空間も合焦領域として働くことができる(レンズ807間の領域で形成され、
より低い屈折率値に励起される負レンズ形状は、収束レンズ構造として働く)。
電極810は構造806の上方に配置され、電極812は構造の外側に配置され
るが、電極810の隣に必要に応じてすき間を設けて配置される。電極が活動化
されていないときは、ビームが発散し続け、ウェーブガイド端部806に再合焦
されるパワーはほとんどない。スイッチがオンのときは、ビームが再合焦され、
パワーの一部がガイド804を通過する。オン状態で効率的にパワーを収集する
には垂直拘束が必要であり、それに対してこれはオフ状態で望ましくない。垂直
拘束は、必要に応じてたとえば、構造がパターン化された表面全体にわたって一
様な平面ウェーブガイド835を設けることによって行うことができる。垂直拘
束は、レンズ状構造が基板の深い位置まで極化されており、深さの関数としての
電界低減が、エネルギーを収集しウェーブガイド端部805に再合焦させるよう
に調整される場合、レンズ状構造806によって与えることもできる。第29B
図の構造はもちろん、ウェーブガイド802および804のうちの一方を有さず
、あるいはそれらのどちらも有さない他の状況で使用することもできる。
第30図を参照すると、極化ウェーブガイド・セグメントを使用する極化全内
部反射(TIR)光エネルギー・リディレクタ830が示されている。この図は
、高切替反射のための極化TIRリフレクタと、それに組み合わされた低挿入損
失のための極化ウェーブガイド・セグメントとを共に示す。入射ウェーブガイド
832は、装置の全体にわたって延びる。極化領域836は、角度848でウェ
ーブガイドを横切って延び、極化領域自体が電子光学的に活動化されたときにガ
イド内を伝搬するビーム用のTIR界面を形成する。極化領域の一部は、射出ウ
ェ
ーブガイド・セグメント834に接続された極化ウェーブガイド・セグメント8
37も形成する。極化ウェーブガイド・セグメントと射出ウェーブガイド・セグ
メントは共に、入射ウェーブガイドに対して角度848の2倍の角度に配置され
る。電圧源846は、スイッチを電気的に活動化し、2本のワイヤ844を通じ
てスイッチに接続される。
極化領域836は、図に従って6つの垂直面で画定され、1つの面は、TIR
角に等しく、所望の電極励起を得るための全内部反射のための臨界角よりも小さ
な浅い角度848でウェーブガイド832を横切る。この面は、TIR反射界面
である。極化領域の次の3つの連続垂直面は、ウェーブガイド832の外側の突
起を密閉する。この突起は、切替可能なウェーブガイド・セグメントである。次
の2つの垂直面の配置は臨界的なものではなく、ウェーブガイド境界に従い、9
0°に交差することができる。
ドメイン(836および836の外側の基板の領域)は、静止屈折率分布、す
なわち、印加電界のないときの屈折率の空間分布によって特徴付けられる。ドメ
インを通じて励起電界分布を印加すると、ドメインはそれぞれの静止分布とは異
なる励起屈折率分布を有する。励起分布はまた、印加電界のアクセス可能な範囲
に応じた範囲を有する。2つのドメイン・タイプを互いの近くに並列させる利点
は、2つのドメイン内で電気応答が逆になり、並列領域全体にわたって2倍の屈
折率変化を含む遷移が発生することである。屈折率変化の場合、遷移によって、
単一のドメイン・タイプで達成されるよりも大きな反射を含む反射境界が形成さ
れる。
スイッチがオンのとき、ウェーブガイドに結合された入射ビーム851は、T
IR界面から反射し、極化ウェーブガイド・セグメントに沿って伝搬し、射出ウ
ェーブガイド・セグメント834に入り、偏向された射出ビーム854を形成す
る。スイッチがオフのとき、入射ビームは極化界面内を伝搬し、引き続き入射ウ
ェーブガイド内を伝搬し、偏向されない射出ビーム852を形成する。TIR界
面での屈折率変化が低いので、オフ状態での反射は非常に低い。永久ウェーブガ
イド・セグメント834がガイド832から数モード指数関数的減衰長だけ分離
されるので、ビームが切替領域を通過する際の散乱のための失われるパワーも極
めて低い。「オフ」スイッチはウェーブガイドにはほぼ見えず、入射ガイドで発
生する損失は極めて低い。摂動を加えられない等しい長さのウェーブガイドに対
するオフ状態の切替領域の追加損失を挿入損失と呼ぶ。入射ウェーブガイドが、
多数の極化スイッチを含むバスであるときには特に低挿入損失が望ましい。
入射ウェーブガイドに対する極化界面の角度θ(848)は、スネルの法則か
ら導かれる最大TIR角または臨界TIR角θeよりも小さくなければならない
。
上式で、
θ=(ウェーブガイドと極化界面との間の)TIR角
n=ウェーブガイド領域の屈折率
△n=極化境界の各側の電子光学的屈折率変化である。
屈折率の変化は、逆の符号を有する極化境界の各側で発生するので、有効屈折率
変化は2△nである。この数式では、境界から離れるにつれて徐々に(断熱的に
)変化していくものと仮定されている。有効屈折率が2倍になるので、極化TI
Rスイッチを用いて達成できる最大切替角は、一対の電極を含み極化界面を含ま
ない従来型のスイッチと比べて√2だけ大きくなる。これは、TIRスイッチを
使用して達成できるスイッチ・アレイの最大充填密度を増加させるので、非常に
顕著な増加である。
屈折率変化△nが偏光に依存するので、臨界角θeは入射ビームの偏光に依存
する。たとえばzカットニオブ酸リチウムでは、垂直電界E3を用いた場合、T
M波はr33による異常屈折率の変化の影響を受け、TE波はr13による正常屈折
率の変化の影響を受ける。r33>r13なので、TM波を切り替える方がずっと容
易である。アニール陽子交換ウェーブガイドは、z方向に偏光された光波しか案
内しないので、このウェーブガイドを使用すると非常に好都合である。一方、x
カットy伝搬(またはyカットx伝搬)ニオブ酸リチウムでは、TE波の方が屈
折率の変化が大きい。この場合、垂直方向ではなく、基板の平面のz方向に電界
成分を生成するように電極を変更しなければならないことに留意されたい。
実際のTIRスイッチの設計角は、いくつかの因子を最適化した後に選択しな
ければならない。切り替えるべきモードは、2つの平面内のウェーブガイドの幅
が異なる場合には異なる(ウェーブガイド製造平面内およびウェーブガイド製造
表面外の)2つの角分布を含む。所与の平面内のモードの角内容δφはほぼδφ
=±λ/πwoをカバーする。ここで、woはその平面における1/e2モード・
ウエストである。TIR界面で大部分の光を反射させたいのて、入射角は、切替
ウェーブガイドの平面では臨界角θeよりもほぼ角内容δφだけ小さくなければ
ならない。角内容δφはウエスト寸法に反比例するが、最適化すべき充填密度も
ウエスト寸法に反比例する。ウェーブガイドの平面外の方向でのモードの角内容
も、形状的により複雑な方法ではあるが有効入射角に寄与するので考慮に入れな
ければならない。
TIRスイッチを製造する代替方法は、電界ではなく、あるいは電界だけでな
くひずみ場も用いることである。ひずみ場は、永久的な方法で最も好都合に実施
され、電界は反射を変化させるうえで最も有用である。配向されたひずみ場をド
メイン境界に印加すると、光弾性効果を介して2つのドメインでそれぞれの異な
る屈折率変化が発生し、屈折率界面が得られる。上記で第2図を参照して説明し
たように、ひずみ場は、サンプルを高温に加熱し、異なる熱膨張係数を有する被
膜を付着させ、室温に冷却することによって生成することができる。ストリップ
などの領域をエッチングすることによって被膜にパターンを付与すると、被膜の
ギャップの周りにひずみ場が生成される。次いで、このひずみ場を使用して、ド
メイン境界で屈折率の差を活動化することができる。付与された被膜が誘電体で
ある場合、電極を付着させてもひずみ場の望ましくない変化が生じないかぎり、
この誘電体を通じて極化領域に電界を印加することができる。この被膜は、バッ
ファ層によって分離されるのではなく基板に直接接触することができるように光
吸収の低い被膜であることが好ましい。
極化領域は、入射ウェーブガイドの一部を含み、ウェーブガイドの伝搬軸に垂
直な界面を有する。TIR界面交差を含む入射ウェーブガイドの部分は、スイッ
チの長さを画定する。
上式で、θはすでに定義されており、
L=入射ウェーブガイドに沿って測定されたスイッチの長さ
W=ウェーブガイドの幅
したがって、スイッチの寸法を最小限に抑えるには、ウェーブガイドの幅をでき
るだけ小さくしなければならない。空間臨界応用例では、ウェーブガイド・セグ
メントが単一モードであることが好ましい。数値の例を挙げれば、単一モード・
ウェーブガイドの幅が4μmであり、最大屈折率変化△nが0.0015であり
、屈折率が2.16である場合、TIR角θは3°であり、スイッチの長さLは
76μmである。
極化ウェーブガイド・セグメントは、2θ、すなわちTIR界面の偏向角に等
しい入射ガイドに対する角度を形成する。TIR界面から反射したビームを極化
ウェーブガイド・セグメントに効率的にモード整合するために、極化セグメント
は、入射ウェーブガイドとほぼ同じ横モード・プロファイルを有するべきである
。効率的なモード整合は、極化ウェーブガイドの幅と屈折率の差の妥当な組合せ
を選択することによって達成することができる。極化ウェーブガイド・セグメン
トは、スイッチ界面によって占有されるウェーブガイドの側の後半に沿って入射
ウェーブガイドに交差する。ウェーブガイドの厳密な寸法および配置は、全内部
反射プロセスから現れた近電界(near field)モード・プロファイルを伝搬方向お
よび横プロファイルに関して最適にウェーブガイドのモードに整合するように決
定される。上記で第29A図を参照して説明したことと同様に、極化ウェーブガ
イド・セグメントと永久ウェーブガイド・セグメント834との間の整合にも同
じことが当てはまる。
永久ウェーブガイド・セグメントは基本的に、極化ウェーブガイド・セグメン
トが連続したものである。極化セグメントの長さは、入射ウェーブガイドおよび
切替ウェーブガイドの最適化損失に依存する。スイッチがオフのときに入射ウェ
ーブガイド内の偏向されないビーム間の散乱相互作用を回避するには、永久ウェ
ーブガイド・セグメントを入射ガイドからある距離(少なくとも光波長)だけ分
離しなければならない。多数のスイッチを有するバス・ウェーブガイドの場合、
入射ガイドの損失を、スイッチの数の逆数に関係する値に低減しなければならな
い。入射ガイド内のビームのモーダル・プロファイルは、ガイドの内部拡散縁部
をある距離だけ越えて延び、そこで指数関数的に減衰する。このような指数関数
的減衰の定数分だけ永久セグメントを入射ガイドから分離する場合、損失をバス
・ウェーブガイドの受け入れられるレベルに低減させることができる。
極化セグメントの長さは反射ビームの損失にも影響を与える。極化ウェーブガイ
ド・セグメントは、壁の粗度が高いので、単位長当たりの損失が内部拡散ウェー
ブガイドよりも高い。また、ウェーブガイドの各端部で前述のモード変換損失が
発生し、このような損失は、モード・プロファイルを最適に整合することによっ
て最小限に抑えられる。極化セグメントが短い場合(ビームのレイリー範囲の程
度)、透過ビームはそれほど、極化セグメントのモードに変換されず、したがっ
て結合損失が低減する。極化セグメントの最適長は、入射ウェーブガイドおよび
切替ウェーブガイド内のビームの許容相対損失に依存する。
第29A図に示したウェーブガイド・セグメント変調器/減衰器の場合と同様
に、切替ウェーブガイド・セグメント837ではモードの垂直拘束が必要である
。第29A図に記載したのと同じオプションをこの場合にも実施することができ
る。第30図には、基板の表面に平行な平面にビームを拘束する平面ウェーブガ
イド835が示されている。平面ウェーブガイドは一様なので、平面ウェーブガ
イドが存在しても、オフ状態でのウェーブガイド・スイッチ接合損失は影響を受
けない。平面ウェーブガイドの代わりに、あるいはある種の組合せにおいて、垂
直拘束が得られるように電界の深さを調整することや、深さの短い極化を使用す
ることや、電界によって誘導される屈折率変化によって補助される部分ウェーブ
ガイドを使用することや、電界によって活動化される極化領域によってオフにさ
れる完全永久ウェーブガイドを使用することを含め、他の代替策を実施すること
もできる。最後の2つの代替策は、隣接する屈折率の不連続性のためにウェーブ
ガイド832内のビームの損失の方が高いという欠点を有する。
切替領域を最適化する際には水平拘束も問題である。高い切替効率が必要であ
る場合、大きなTIR反射角を有することが好ましい。入射波851の左半分は
まず界面838から反射し、反射波の右半分を形成する。しかし、反射後、反射
波の右半分は、ウェーブガイド・セグメント837に到着するまで横次元での拘
束を受けない。この光波は、拘束されずに通過する間、回折によって膨張し、射
出ウェーブガイド834に結合されるビーム・パワーの部分が減少する。この効
果のために、スイッチがオン位置のときのスイッチの効率が低下する。しかし、
平均非案内距離はほぼ、ウェーブガイドの幅を、角度848の正弦の4倍で除し
た値に制限される。ウェーブガイド832の右側による永久屈折率変化のために
、入射波の右半分は、ウェーブガイド・セグメント837を通過した後、界面8
38から反射するまで拘束されたままである。入射波の右半分は次いて、射出ウ
ェーブガイド834にうまく整合する。入射ビーム851の両方の部分が、TI
R表面838から反射した後にウェーブガイド832の側面からの望ましくない
反射に従う。この表面の、ビームの伝搬軸に対応する角度は、表面838と同じ
であり、屈折率がわずかに異なるに過ぎないので、この表面からは全反射ではな
く、部分的な反射が起こるに過ぎず、この反射もスイッチの損失に加えられる。
リフレクタの効率を最適化しウェーブガイドの損失を最小限に抑えるうえで、
電極の設計は、このスイッチの重大な態様である。2つの電極を使用してスイッ
チを活動化することが好ましい。第1の電極840はTIR界面838の上方に
配置され、それに対して第2の電極842は第1の電極と並列し、その界面に隣
接して配置される。最適化に関する主要なパラメータは、2つの電極の離隔距離
と、重なり合っても、あるいは重なり合わなくてもよい第1の電極の縁部と極化
境界との間の距離である。2つの電極間の間隔は、装置を活動化するのに必要な
電圧に影響を及ぼすと共に、基板を貫通し屈折率変化プロファイルを生成する電
界パターンの幅に影響を及ぼす。さらに離隔された電極にはより高い電圧が必要
であるが、このような電極では、密に離隔された電極よりも深く基板内へ延びる
電界が生成される。
電界貫通深さは、大きな正味反射を得るうえで重大である。電界は、電極から
遠ざかるにつれて弱くなるので、極化境界での誘導屈折率変化も、TIR角の場
合と同様に深さと共に低減する。有効深さと呼ばれるある深さでは、この屈折率
変化は、スイッチ構造の角度で光線の中心放射線の全反射を維持するには不十分
なものになる。反射は最小TIR値よりも低い値では屈折率変化と共に急速に低
減するので、TIRミラーは基本的に、この深さでは機能を停止する。ガイド8
37および834への正味反射が高い場合、装置設計では、ガイド832内の大
部分の電界プロファイルの下方に有効深さを形成するように調整すべきである。
電極設計の影響を受ける第2の重要な動作パラメータは、TIR界面838を
越える反射波の消失電界の貫通である。「オン」状態ではTIR界面を越えてパ
ワーが伝達されることはないが、電磁界は、波長程度の距離だけTIR表面を貫
通する。TIR表面を越える印加電界には空間依存性もあり、電界強度は、他の
電極842により近い領域で低減する(かつ実際には反転する)。したがって、
屈折率変化は、TIR界面を越えると低減する。電界の大きな変動が発生する前
に、消失電界を、無視できる値に減衰させるよう注意しなければならず、そうし
ないとTIR界面を通じてパワーが漏れる。最適には、第1の電極は、最大屈折
率変化を得るために選択された距離だけ、界面838を越えた位置で電界の十分
な安定度が得られるように、極化界面と重なり合う。
第1の電極はまた、極化ウェーブガイド・セグメント836を横切り、場合に
よっては隣接する領域内へ延びる。この領域836を励起する2つの電極の形状
は、ウェーブガイド・セグメントから永久ウェーブガイド834へのパワー・フ
ローを最適化することによって決定される。他の電極構造を使用して、極化領域
内の電界の強度を修正することができる。たとえば、第2の電極が第1の電極の
周りでU字形を形成するように延びる場合、第1の電極の下方の電界は、平均し
て増加するが、多少2ローブ・ウェーブガイドを形成する。2ローブ・ウェーブ
ガイドは理想的な屈折率プロファイルを与えることはできない。
TIRスイッチは、光エネルギー・ルータであり、変調器として使用すること
もできる。電圧源が連続的に変動する場合、変調器はアナログであり、電圧と屈
折率との間に非線形関係が成立する。印加電圧が増加すると、全反射界面の深さ
が増加し、光波851から光波854への連続的に調整可能な反射が生成される
。変調器は、電圧を除去する際に透過を零にすべきか、それとも100%にすべ
きかに応じて、反射モードで使用することも、あるいは透過モードで使用するこ
ともできる。空間非線形応用例では、受信機が対数的に信号のレベルの影響を受
け
る場合など、電圧の関数としての反射係数および透過係数の非線形性が有用であ
る。
第31図は、2つのTIRリフレクタを含むTIRスイッチを示す。射出ウェ
ーブガイド834と入射ウェーブガイド832との間の角度を増加させたい場合
には、第2のTIR界面839を追加することができる。入射ウェーブガイド8
32と射出ウェーブガイド834との間の角度は、第30図の角度の2倍であり
、追加TIR界面を追加することによって何倍にでもすることもできる。界面8
39は、角度848の2倍に等しい界面838に対する角度849で形成される
(後続のTIR界面を追加する場合は、前のTIR界面と同じ角度838で追加
すべきである)。二重TIRミラー構造が、遠く離れた入射ウェーブガイド83
2から光を運ぶので、ウェーブガイド832に顕著な損失を生じさせずに極化領
域836の端部に直接、永久ウェーブガイド834を突き合わせることができる
ので、第30図の切替ウェーブガイド部分837はもはや必要とされない。この
場合も、極化セグメント836で垂直拘束が行われる。極化セグメント836お
よび射出ウェーブガイド834は、TIRおよびウェーブガイド・セグメントの
チェーン内で伝搬する電界プロファイルが入射ウェーブガイド832の局部最下
位モード電界プロファイルに最適に整合するように構成され位置合わせされる。
スイッチがオンのときには、TIRリフレクタの後で、偏向されたビームが永久
ウェーブガイド834に整合され、射出ビーム854が形成される。
入射ウェーブガイド832の外側の極化領域の内側境界の形状は、一方のTI
Rミラーによる入射ウェーブガイドの反射によって画定され、次いで他方のTI
Rミラーによる入射ウェーブガイドの反射によって画定される。内側境界がこの
ように画定されるので、ウェーブガイド・モードの内側エッジは、2つのTIR
ミラーから反射する間、最適に案内される。
第32図は、電気的に切り替えられるウェーブガイド・セグメントを含む極化
TIRスイッチ831を有するTIR切替ビーム・ディレクタを示す。この構造
では、領域836は逆極化され、界面838の後方に存在し、前述のように一対
の電極840および842によって励起される。電極対は、電圧源846によっ
て活動化され導体844を介して接続される。励起の極性はこの場合も、入射ビ
ーム851の方向からの負の屈折率変化を発生させるように選択される。スイッ
チがオンのとき、ビームはTIR界面838から永久ウェーブガイド834の方
へ反射されるが、第30図の場合とは異なり、TIR界面838と永久ウェーブ
ガイド834を結合する極化ウェーブガイド・セグメントはない。その代わり、
入射ウェーブガイドと射出ウェーブガイド834との間の中間領域の上方に電極
842が延びる。結合ウェーブガイド・セグメントは、TIR反射境界を含む入
射ウェーブガイド832のセグメントの横境界と射出ウェーブガイド834の入
射境界との間の領域に電界を印加することによって形成することができる。電界
の三次元分布は従来どおり、電極の形状およびマックスウェルの方程式によって
決定される。電極から生成される電界は、電子光学効果によって正の屈折率変化
を発生させ、所望の切替ウェーブガイド部を形成する。他の箇所で説明したよう
に、このウェーブガイド・セグメントも、入射モード851の射出モード854
との結合を最適化するように構成され位置合わせされる。この実施態様およびT
IRスイッチ実施態様の代替策として、射出ウェーブガイドは、入射ウェーブガ
イドから無視できるすき間だけ離れた位置から始まることができる。この代替策
は、スイッチ・オフ(直線)構成ではより高い挿入損失を有するが、より簡単な
構成を有する。
第33図を参照すると、極化セグメントを使用する2位置ウェーブガイド・ル
ータが示されている。この極化セグメントは、全内部反射に基づくものではない
。極化領域866は、入射ウェーブガイド862を小さな角度で横切る電気的に
励起可能なウェーブガイド・セグメントを形成する。電界を印加すると、セグメ
ント866の屈折率が増加し、それに対して入射ウェーブガイドの隣接する領域
の屈折率は低減する。したがって、入射ビーム880は少なくとも部分的に極化
ウェーブガイド・セグメントに結合される。スイッチがオフのとき、入射ビーム
は引き続き入射ガイド内を伝搬し、非切替射出ビーム882を形成する。この小
さな角度は、断熱的に漸減できるものであり、すべてあるいは大部分の入射光を
射出ガイド864に切り替え切替射出ビーム884として装置から射出させるこ
とが望ましい場合に低損失のウェーブガイド湾曲を形成する。
少なくとも2つの電極を使用して、極化領域を横切って電界が印加されウェー
ブガイドが活動化される。第1の電極870は極化ウェーブガイド・セグメント
の上方に位置決めされ、それに対して第2の電極872は第1の電極に隣接して
位置決めされる。第2の電極872は、第1の電極に隣接して位置決めされ、か
つ高パワー分割比を達成するために極化ウェーブガイド・セグメントの両側に配
置することができる。前述のように、電極は導体844を通じて電源846によ
って励起され、平面ウェーブガイド835、または深さに応じた電界低下、また
は本明細書で説明する他の手法のうちの1つを使用して、切替伝搬モードのため
の垂直拘束が行われる。
第34図を参照すると分かるように、いくつかの極化TIRスイッチが並列し
て配置され、アレイ900が形成される。TIR界面を形成する極化領域912
および914は、ウェーブガイド910に沿って順次、配置される。各極化領域
は同じ結晶配向を有し、領域912および914内の結晶のz軸は、結晶の残り
の部分のz軸に対して反転される。この構成の他の態様および多数の変形態様に
ついては、上記で第30図を参照して説明した。
各スイッチは、ワイヤ928を用いて電極に接続された多出力電圧制御源92
6を使用して個別に活動化される。すべてのスイッチがオフのとき、入射ビーム
902は入射ウェーブガイド910に沿って伝搬し、無視できる損失を含む非切
替射出ビーム904を形成する。第1のスイッチがオンのとき、入射ビームは第
1のTIR界面から反射し、ウェーブガイド916内で第1の反射射出ビーム9
08を形成する。第1のスイッチがオフであり、第2のスイッチがオンのとき、
入射ビームは第2のTIR界面から反射し、ウェーブガイド918内で第2の反
射射出ビーム906を形成し、以下、後続のスイッチに関して同様である。この
多重スイッチ構造はn個のスイッチに拡張することができる。
電極は、前述のように各TIR界面の上方に配置される。1つまたは複数の電
極920、922、924は、あるスイッチの陰極として働き、かつ他のスイッ
チの陽極として働く。たとえば、第2の電極922と第1および第3の電極92
0および924との間に電圧が印加され、第2のスイッチが活動化され、射出ビ
ーム906が形成される。陽極と陰極の両方として働く電極922は、前の極化
セグメント912のTIR界面に隣接する位置へ延び、同時に1つの極化領域9
14のTIR界面および1つの極化領域914の1つのウェーブガイド・セグメ
ントをカバーすることが好ましい。2つの完全な極化セグメント912および9
14と1つの完全な電極922とを含む構造の一部しか示されていない。この構
造は、完全な重複電極および重複極化セグメントを位置合わせすることによって
n個のスイッチとして複製することができる。
チャネル中のクロストークを回避するには、入射ビームが、活動化されたスイ
ッチの領域に進入するまで電子光学的屈折率変化を受けないように、電極に対す
る電圧を印加することができる。たとえば、第2の極化領域914のTIR界面
を活動化するには、電極922と924の間に電圧を印加し、電極920および
922ならびに前の電極上で同じ電位を維持することができる。
極化領域の全長はLよりも長いが、所与の領域によってウェーブガイドに沿っ
て占有される距離は定義上、Lに等しい。したがって、100%充填密度を有す
るTIRスイッチ線形アレイは、距離Lごとに始まる新しい極化領域を有する。
これは、この密度では、ウェーブガイド内の極化領域の内側コーナーで、隣接す
る領域どうしがわずかに接触するので、100%充填密度と呼ばれる。前の極化
構造内で案内された光のうちのいくらかが、前の構造に接触する次の極化構造内
へ漏れる恐れがあるので、隣接する領域どうしを接触させることは不利である。
上記で、配置が臨界的ではない極化領域の2つの垂直面で、前の極化領域に接
触するコーナーが形成されることを指摘した。極化領域の幅がこの内側コーナー
の側で狭くなるようにこれらの面を移動することによって、もはや領域どうしが
接触せず、光エネルギーの漏れが低減されるように構成することができる。たと
えば、ウェーブガイドを90°に横切る面の長さを有することによって、内側コ
ーナーをウェーブガイドの中央へ移動することができる。ウェーブガイドに並列
するために使用された面がTIR界面に並列し、臨界位置表面となる。この形状
を有する極化領域を「高密度」極化領域と呼ぶ。(光漏れを最小にするためには
2つの非臨界面の間に7番目の垂直面を加えるなど、他の方法がある。しかし、
ここで述べた代替法は高密度において別の有利点がある。)
第35図は、極化領域に高密度形状を使用し、隣接する複数の極化領域を反転
させることによって、スイッチの直線密度が2倍になる構成を示す。この場合、
ウェーブガイドを横ぎる極化領域の界面は、ウェーブガイドの軸に沿って並進す
ることを除いて同じである。したがって、極化領域は、ウェーブガイドに沿って
密に積み重ねられ、スイッチ密度が2倍になる。実際には、(基板が完全に極化
される最適なケースでは)反転極化領域以外の領域が基板と同じ極化方向を有す
るので、完全に空間的に画定されるのは反転極化領域だけである。反転極化の2
つの領域952および954を第35図に示す。TIR界面は、ウェーブガイド
950内を伝わる非切替光が場合によっては、非励起極化領域に出入りする際に
それぞれ使用する、極化領域の第1の面または入射面および第2の面または射出
面とみなすことができる。
射出ビーム946用のTIR界面は、極化基板と反転極化領域952の第1の
(入射)面との間に形成され、電極966によって励起される。射出ビーム94
7用のTIR界面は、反転極化領域952の第2の(射出)面と極化基板との間
に形成され、電極967によって励起される。射出ビーム948用のTIR界面
は、極化基板と反転極化領域954の第1の面との間に形成され、電極968に
よって励起される。射出ビーム949用のTIR界面は、反転極化領域954の
第2の面と極化基板との間に形成され、電極969によって励起される。電極は
、それぞれのTIR界面の上方で、永久射出ウェーブガイド956、957、9
58、959に接続された切替ウェーブガイド・セグメントに沿って延びる。1
つまたは複数の電極966、967、968、969、970はあるスイッチ用
の陰極として働き、かつ他のスイッチ用の陽極として働くことが好ましい。した
がって、各電極は、前のスイッチのTIR界面に平行に、かつその界面の全長に
沿って延びる。
各スイッチは、電圧源926を用いて導体928を介して電界を印加すること
によって個別に切り替えることができる。すべてのスイッチがオフのとき、入射
ビーム942はバス・ウェーブガイド950に沿って伝搬し、非切替射出ビーム
944を形成する。第1のスイッチがオンのとき、入射ビームはそれぞれのTI
R界面から反射し、第1の射出ウェーブガイド・セグメント956に結合され、
第1の反射射出ビーム946を形成する。その後に続くスイッチでは、入射ビー
ムはそれぞれの後続のTIR界面から反射し、ウェーブガイド・セグメント95
7または958または959に結合され、反射射出ビーム947または948ま
たは949を形成する。電極上の電圧は通常、隣接するスイッチからの光干渉が
なくなり、すなわち、すべての前のスイッチがオフになるように設定される。こ
れは、たとえばすべての前の電極を、切り替えられた電極と同じ電位に維持する
ことによって行うことができる。この多重スイッチ構造はn個のスイッチに拡張
することができる。
高密度極化領域の上流側端部を入射ウェーブガイド950の縁部をかなり越え
た位置へ延ばし、ウェーブガイドに対する垂直表面の角度を維持することが望ま
しい。このようにウェーブガイドを延ばすことによって、入射ウェーブガイド・
モードの全指数関数的テールが捕捉され、拡張された高密度極化領域の残りの非
臨界位置表面がウェーブガイド950から押し出され、それによって光損失が低
減する(上流側および下流側は、入射ビーム942の伝搬方向に対して定義され
る)。
極化領域の切替ウェーブガイド・セグメントを、上記で第30図を参照して説
明したように指定する場合、射出ウェーブガイドの離隔距離は、最高充填密度時
の射出ウェーブガイドの幅に等しくなり、したがって射出ウェーブガイドは平面
ウェーブガイドにマージされる。平面射出ウェーブガイドはある種の応用例には
有用であるが、各スイッチ内で第2の極化TIR界面を使用して射出ウェーブガ
イドを分離することができる。スイッチ内での2つのTIR界面の使用法につい
ては、第31図を参照して説明した。第35図の場合、積み重ねを行うときは極
化領域の形状がわずかに異なるものになることに留意されたい。拡張された高密
度極化領域の「射出ウェーブガイド」部は、第1のTIR界面の端部の周りで入
射ウェーブガイド942に対して角度3θだけ回転され、面の平行度が維持され
る。したがって、この「射出ウェーブガイド」部は第2のTIRリフレクタ・セ
グメントになる。
第2のTIRリフレクタ・セグメントの幅は、入射ウェーブガイドよりも約5
0%だけ大きい。第2のTIRリフレクタ・セグメント内で伝搬するモードは、
セグメントの内側で約2W/sinθの距離にわたって拘束を受けない。ここで
、Wはウェーブガイドの幅として定義される。この側で発生する回折のために、
射
出ウェーブガイド956ないし959へのパワー結合は低減する。この距離はほ
ぼレイリー範囲未満に維持することが望ましい。TIR角4.5°で動作する4
μm幅ウェーブガイドの場合、全非拘束距離は約100μmであり、これは青ビ
ームに関するレイリー範囲にほぼ等しい。そのようなスイッチのアレイの性能を
最適化する1つの解決策は、(電子光学係数を低下させずに)第2のTIRリフ
レクタ・セグメント内の適切な位置に永久屈折率低減領域を付加することにある
。この適切な位置は、拡張された高密度極化領域の内壁、および第31図を参照
して定義した極化領域836の内壁で境界付けされるゾーンである。永久屈折率
低減領域によって、モードが2つの連続TIRミラーから反射する際にモードの
拘束に関する最適位置に永久ウェーブガイド境界が画定される。付加された屈折
率低減領域は、入射ウェーブガイドに近づくするにつれて零にテーパし、ガイド
から十分に離れた位置で屈折率低減領域を打ち切ることによって、入射ウェーブ
ガイドに加される損失を著しく低減させることができる。屈折率低減領域は、前
のTIR界面のTIR機能を干渉しない(実際には、このTIR機能を助ける)
。
したがって、切替ビームは2つの連続TIR界面から反射し、スイッチの全偏
向角を2倍の4θにする。射出角を2倍にすることによって、入射ウェーブガイ
ドに等しい幅と、最も密度の高い構成での射出ウェーブガイド自体の幅に等しい
離隔距離とを有する射出ウェーブガイド用の空間が得られる。
射出ウェーブガイドは、第2のTIRリフレクタの最後のコーナーで、第2の
TIR界面に対して角度θをなすように、第2のTIR界面から反射する光を収
集するように最適に位置合わせされて、第35図の極化領域に接続される。所与
のスイッチ用の2つのTIRリフレクタは、介在するウェーブガイド・セグメン
トなしに接続されることが好ましい。これによって、壁の粗度および非対称性の
ために永久チャネル・ウェーブガイドよりも損失の大きな極化ウェーブガイド内
で偏向ビームが伝わらなければならない経路長を最小限に抑えられる。
代替極化境界構造では、隣接する2つの極化領域間の境界は湾曲TIR構造で
よい。そのような構造のモードはこの場合も、場合によってはウェーブガイドの
内側境界上でのある程度の拘束によって修正されるささやきの回廊モードである
。極化境界の曲率半径は、2つのタイプのガイド間で大きなパワー結合を得るた
め
にささやきの回廊モードがウェーブガイド・モードにうまく整合できるほど小さ
くされるが、モード内で角度を分散させるためにほぼ全内部反射を発生させるほ
ど大きくされる。
第36図は、より高い充填密度を得るための二重交差ウェーブガイド構造98
0を示す。この構造は、2つの斬新な特徴、すなわち非対称損失ウェーブガイド
・クロス997と90°ミラー976および977とを組み込んでいる。密度は
、基板981の同じ表面上に第1の入射ウェーブガイド984に平行な第2の入
射ウェーブガイド982を付加することによって増加されており、実際上、充填
密度は2倍である。切替要素983および985は、前述の極化TIRスイッチ
の1つの変形形態として概略的に示されているが、別法として、文献に記載され
た任意の一体型光学スイッチでよく、したがって本明細書でも、あるいは第36
図でもこのスイッチについては詳しく説明しない(このスイッチは、第7図を参
照して説明した格子スイッチや、第10図を参照して説明したカプラや、第25
図を参照して説明したスプリッタや、第33図を参照して説明した案内スイッチ
など、本明細書で説明する代替方法で実施することもできる)。
第1の入射ビーム992は第1のウェーブガイドに沿って伝搬し、それに対し
て第2の入射ビーム994は第2のウェーブガイドに沿って伝搬する。2条のビ
ームは、能動スプリッタまたは受動スプリッタを介してそれぞれの異なる光源か
ら放出することも、あるいは同じ光源から放出することもできる。対応するスイ
ッチがオフのとき、入射ビーム992および994が伝搬し、それぞれ、非偏向
射出ビーム993および995を形成する。対応するスイッチがオンの場合、第
1の入射ビーム994は射出ビーム996として偏向され、それに対して第2の
入射ビーム992は射出ビーム998として偏向される。
非対称ウェーブガイド・クロス997では、2つのウェーブガイドが互いに交
差し、屈折率プロファイルが、他方の損失が多少大きくなるのを犠牲にして、一
方のガイドの損失を最小限に抑えるように調整される。交差ガイドは、交差損失
を最小限に抑えるために互いに対して大きな角度をなすように配置される(本明
細書では90°で示されている)。第36図の形状を参照すると分かるように、
(この場合は、切替射出光線が並列射出ウェーブガイド986および988内で
伝搬できるように)第2の偏向ビーム998は第1のウェーブガイド984に交
差する。ウェーブガイド988は、ウェーブガイド984との交差点で切れ、ギ
ャップ990および991が残る。これは、ウェーブガイド984の損失を最小
限に抑え、交差領域内ではウェーブガイド984の損失よりもウェーブガイド9
88の損失の方が大きな非対称損失構造を形成するために行われる。後での都合
のために、非対称クロスが、より損失の小さなウェーブガイドに沿った方向を「
向く」ものと仮定する。非対称クロス997はウェーブガイド984に沿った方
向を向く。ギャップ990および991が、ガイド984内のモードに関する指
数関数的減衰長よりも広い場合、このクロス構造はウェーブガイド984にはほ
ぼ追加損失を与えない。その場合、ウェーブガイド984に沿った方向を向く多
数の非対称クロス構造を並べて、他の多数のウェーブガイドと交差する低損失の
ウェーブガイドを形成することができる。ギャップ990および991は、切れ
たウェーブガイド988内を伝搬するビーム998をいくらか反射させ散乱させ
、ギャップの幅は、2つのウェーブガイドの所望の低損失の組合せ制約に従って
最小限に抑えることができる。交差構造でウェーブガイド988内を伝搬するビ
ーム998からの光損失を最小限に抑えるには、ガイドの伝搬軸を横切る屈折率
プロファイルをガイドの軸に沿って変調またはテーパ付けすることができる。こ
の目標は、ウェーブガイド984で非常に小さな損失を維持し、同時に988の
損失を最小限に抑えることである。この目的は、ガイド984に隣接する領域で
の屈折率変化が、ウェーブガイド984自体の屈折率変化と比べて小さく、徐々
に変化する場合に達成される(引用するすべての屈折率変化は基板に対するもの
である)。
第2のウェーブガイドの損失は、2つの成分、すなわち屈折率の不連続性によ
る反射のための損失と、回折拡散のための損失とを有する。反射損失は、ウェー
ブガイド内の屈折率変化の大きさと、ウェーブガイドの端部および側面での屈折
率のテーパ・プロファイルによって決定される。たとえば、ウェーブガイドのコ
アでの屈折率変化が、両方のウェーブガイドにおいて△n=0.003で同じで
ある場合、4つの界面での正味反射損失は5%未満であり、反射を低減できる厳
密な屈折率プロファイルによる補正は無視される。ギャップ幅が通常、自由空間
レイリー範囲よりもずっと小さいので、回折損失はずっと小さい。たとえば、最
も幅の狭いモード次元が深さ2μmである場合、材料の屈折率が2.2であり波
長が0.5μmであると仮定すると、レイリー範囲は55μmである。幅3μm
のギャップを仮定すると、各ギャップでの回折損失は1%未満である。ウェーブ
ガイド深さが4μmである場合、回折損失はずっと小さくなる。回折損失は、ギ
ャップ寸法に対するウェーブガイドの寸法を増加させることによって最小限に抑
えることができる。
一般に、「ギャップ」990は、交差領域に隣接する屈折率分布を有する。こ
の屈折率分布は、基板の屈折率に対して画定される。ギャップの屈折率は、ウェ
ーブガイド988の屈折率分布に等しい値から、交差領域に隣接する他の値へ漸
減することができる。交差領域の重要な部分は、ウェーブガイド984の光モー
ドを伝搬させる部分である。ウェーブガイド984の損失を最小限に抑えるため
に、この重要な部分の交差領域に隣接する屈折率は、ウェーブガイド984内の
屈折率分布よりもずっと小さい。
非対称光損失を有する交差ウェーブガイド形状は、多数の形状変形態様におい
て組み合わせることができる。たとえば、切り替えられた射出ウェーブガイドが
入射ウェーブガイドを横切る複数の交差点と共に、3つの以上の入射ウェーブガ
イドを使用することができる。損失が交差点で最小限に抑えられるという意味で
好ましいウェーブガイドの選択も多数の方法で行うことができる。好ましいガイ
ドが並列される例を論じてきた。しかし、より複雑なシステムでは、互いに交差
すると共に、好ましくないガイドと交差する好ましいガイドがある。好ましいガ
イドをどのように交差させするかについての選択は、応用例に依存する。装置内
のウェーブガイド交差構造は、非対称損失交差と、ギャップ幅が零である対称損
失交差の組合せでよい。
ビームを小さな角度に偏向するスイッチ(TIRスイッチなど)では、ウェー
ブガイド・クロスで、所望の大きな交差角を達成するために976や977など
の追加ビーム回転手段を設けることができる。ビーム回転手段976および97
7は、垂直マイクロミラーであり、固定位置に設置することが好ましい。各マイ
クロミラーを形成するには、その部分内の基板材料を除去し、反射光を最適に射
出ウェーブガイド986または988へ送るような角度に配向された、ウェーブ
ガイドに隣接する(好ましくは粗度の低い)平坦な垂直表面を残す。マイクロミ
ラーは、たとえばハイパワー・エキサイマ・レーザを用いるレーザ・アブレーシ
ョンやイオン・ビーム・エッチングを含め、従来型の処理技法を使用して製造す
ることができる。レーザ・アブレーションとイオン・ビーム・エッチングは共に
、マスクの助けでミラー形状を画定することができる。この部分に酸化アルミニ
ウムやシリカなど低屈折率低損失材料を充填して、ミラー表面の汚染を防止し、
ミラーの全内部反射特性を維持することができる。
一方のウェーブガイドの入射に対するマイクロミラーの角度は、全内部反射を
与えるように調整することが好ましい。反射光波の消失テールのマイクロミラー
の部分を通じた漏れを最小限に抑えるために、マイクロミラー自体の反射表面に
垂直な方向のマイクロミラー部分の厚さは、光の波長よりもずっと大きいことが
好ましい。他方のウェーブガイドに対する角度は、反射ビームの平均伝搬方向が
他方のウェーブガイドの中心軸に平行に平行になるように調整される。マイクロ
ミラーの位置は、一方のウェーブガイドから他方のウェーブガイドへの光の結合
を最適化するように調整される。接合領域内のミラーの位置は、ミラー表面を照
明する2つのビーム・プロファイルの「重心」が同じ場所に位置するように調整
することが好ましい。ビーム・テールの指数関数的に減少する強度を含め、ほぼ
モード全体を反射するために、入射ビームおよび反射ビームを横切るミラーの長
さは、ウェーブガイドの幅の約2倍よりも大きい。1つのウェーブガイド・モー
ドから入射した光は、ウェーブガイド接合領域を通じてマイクロミラーへ回折し
、反射し、射出ウェーブガイド・モードに結合される前に再びウェーブガイド接
合領域を通じて反射角に回折する。ミラー付近の2つのウェーブガイド間の接合
領域は、非拘束ビームのレイリー範囲と比べて小さな領域として最適に維持され
る。これは、幅が2ミクロンないし5ミクロンの範囲のウェーブガイドを用いて
達成することができる。
第36図の構造によって切替光分散ウェーブガイドの大型インターデジタル・
アレイが可能になる。一対の入射ウェーブガイドに沿って構造980全体を何度
も複製し、簡単な交番親子関係パターンを含むインタリーブされた射出ウェーブ
ガイドを生成することができる(この場合、親子関係とは、特定の「親」入射ウ
ェーブガイドから光パワーを導くことを意味する)。各入射ウェーブガイドは、
上記にリストし本明細書で説明する要素と同様に切替要素が非常に低い挿入損失
を有するかぎり多数の射出ウェーブガイドに接続することができる。非対称クロ
ス構造のために、入射ウェーブガイドの上方にさらに入射ウェーブガイドを(追
加スイッチ、マイクロミラー、非対称ウェーブガイド・クロス、インタリーブ射
出ウェーブガイドと共に)付加しても、下部入射ウェーブガイドの損失はそれほ
ど増加せず、光を長距離にわたって多数の射出ウェーブガイドに分散する能力は
それほど影響を受けない。これによって、各追加入射ウェーブガイドに必要な光
源パワーが適度に増加し、それぞれの射出ウェーブガイドヘ同じパワーが送られ
る。必要な数の入射ウェーブガイドを並列させて使用し、光の場合によっては大
きな全パワーを分散することができる。第36図の手法を使用して入射ウェーブ
ガイドの射出ウェーブガイドを多数の代替パターンでインタリーブすることがで
きる。TIRスイッチではなく格子リフレクタを使用して同じ結果を達成するこ
とができる。格子リフレクタを入射ウェーブガイドに対して大きな角度に配向さ
せる場合、マイクロミラーはもはや必要とされない。
前段で説明した構造は、スイッチ当たりに1つの入力を有し入力当たりに多数
のスイッチを含むという点で1対多数アーキテクチャである。多数の入力を同じ
出力に接続する方法はない。多数対1アーキテクチャが必要である。その場合、
多数対多数構成は、1対多数構成と多数対1構成を組み合わせることによって得
られる。
第37図は、多数対1構成で構成されたTIRスイッチを含むウェーブガイド
のアレイ1060を示す。図の構造では、2つの入射ウェーブガイド1072お
よび1074が、2条の入射ビーム1062および1064を1つの射出ウェー
ブガイド1076内の射出ビーム1070に切り替える。入射TIRスイッチ1
090および1092ならびに射出スイッチ1094および1096については
、上記で第30図ないし第32図および第36図で説明してあり、したがって概
略的にしか示されておらず、図を明確にするために多数の要素(電極、接点、電
源、コントローラ、垂直拘束手段、極化領域の深さ、射出ウェーブガイド拘束の
タイ
プなど)が省略されている。入射TIRスイッチは、第36図を参照して説明し
たように順方向に伝搬するビームを用いて構成され、それに対して射出TIRス
イッチは、逆方向へ伝搬するビームを用いて構成される。スイッチ1090およ
び1092は、共に、射出ウェーブガイド1076にパワーを注入するために必
要なので、スイッチ1094および1096と同様にほぼ同時に切り替えられる
。第36図を参照して説明したように、スイッチ1090および1094がオン
のとき、ビーム1062および1064の一部がそれぞれ、ウェーブガイド10
78または1084に切り替えられる。入射ビームの残りの部分は、入射ウェー
ブガイドの延長部に沿って射出経路内にビーム1066または1068として伝
搬し、他の構成要素で使用することも、あるいは吸収しあるいはシステムから散
乱させるためのビーム・ダンプとすることもできる。それぞれ、ウェーブガイド
1078および1084からウェーブガイド1080または1086へビームを
反射させるためにマイクロミラー1082および1088が設けられる。TIR
スイッチ1092または1096は、オン状態ではそれぞれ、ウェーブガイド1
080または1086内を伝搬するビームを受け取り、射出ビーム1070を形
成する。ビーム1062を射出ビーム1070に切り替えることが望ましい場合
、スイッチ1096およびすべての後続のスイッチをオフにしなければならない
ことは明らかである(そうしない場合、大部分の所望のビームがウェーブガイド
1076から反射する)。同様な制約が、多重スイッチ・アレイ内の他のすべて
の切替ビームに当てはまる。
図の構造を形成するために、基板1098は、本明細書で説明するように処理
される。スイッチ1090または1094がオフのとき、入射ビームは無視でき
る損失を受けながら切替領域1090または1094内を伝搬し、(必要に応じ
て、非対称クロス内の)ウェーブガイド1076を横切り、それぞれ、射出ビー
ム1066または1068として現れ、場合によっては追加スイッチへの入力と
して使用される。
追加入射ウェーブガイドを設け、ウェーブガイド1076に結合し(あるいは
必要に応じて、結合せず)、この構造を射出ビーム1070の方向へ修正しなが
ら繰り返すこともできる。追加射出ウェーブガイドを設け、必要に応じて入射ウ
ェーブガイド1072または1074、あるいはその両方に結合し、この構造を
ビーム1066および1068の方向へ修正しながら繰り返すこともできる。
第38図は、多数対多数構成の格子リフレクタのアレイ1210を示す。図の
構造では、2つの入射ウェーブガイド1222および1224が2条の入射ビー
ム1212および1214を、入射ウェーブガイドに当接する2つの射出ウェー
ブガイド1226および1228内の2条の射出ビーム1220および1221
に切り替える。格子1238、1240、1244、1246を含む格子スイッ
チ1230、1232、1234、1236については上記て第7図、第8図、
第12図、第13図を参照して説明してあり、したがって概略的にしか示されて
おらず、図を明確にするために多数の要素(電極、接点、電源、コントローラ、
垂直拘束手段、極化領域の深さ、極化領域のテーパ付け、電極の間隔など)が省
略されている。スイッチ1230または1232がオンのとき、ビーム1212
の一部がそれぞれ射出ビーム1220または1221に切り替えられる。入射ビ
ームの残りの部分は、入射ウェーブガイドの連続部分に沿って射出経路内へビー
ム1250として伝搬し、他の構成要素で使用することも、あるいは吸収しある
いはシステムから散乱させるためのビーム・ダンプとすることもできる。スイッ
チ1234または1236がオンのとき、ビーム1214の一部がそれぞれ射出
ビーム1220または1221に切り替えられる。入射ビームの残りの部分は、
入射ウェーブガイドの連続部分に沿って射出経路内へビーム1252として伝搬
し他の構成要素で使用することも、あるいは吸収し、あるいはシステムから散乱
させるためのビーム・ダンプとすることもできる。この構造では2方向伝搬が可
能であることを理解されたい。
図の構造を形成するために、基板1248は、本明細書で説明するように処理
される。スイッチがオフのとき、入射ビームは切替領域内を伝搬し(切替領域内
では、必要に応じてウェーブガイドを非対称クロスとして構成することができる
)、それぞれ、射出ビーム1250または1252として現れ、場合によっては
追加スイッチへの入力として使用される。ウェーブガイドは、図のように簡単な
大角度接合として互いに交差することができ、あるいは接合は、格子1238、
1240、1244、1246の配置にそれほど影響を与えない非対称クロスで
あっ
てよい。格子が実際には、基板を覆い、所望の電極によってそれぞれの異なるス
イッチの領域でしか活動化されない単一の大型格子の一部であることに留意され
たい。格子をたとえば極化ドメインで構成する場合、より簡単に形成できる格子
向けに基板全体を極化することができる。別法として、格子は、ストライプ状に
構成することも、あるいは他の群構成にすることもできる。
追加入射ウェーブガイドを設け、ウェーブガイド1226または1228に結
合し(あるいは必要に応じて、結合せず)、この構造を射出ビーム1220およ
び1221の方向へ修正しながら繰り返すこともできる。追加射出ウェーブガイ
ドを設け、必要に応じて入射ウェーブガイド1222または1224、あるいは
その両方に結合し、この構造をビーム1250および1252の方向へ修正しな
がら繰り返すこともできる。
第39A図は、n×n通信経路指定応用例における代替スイッチ・アレイの応
用例を概略的に示す。この応用例では、n個の入射光チャネル中の光パワーは、
最小限の損失および最小限のクロストークを受けながらn個の射出光チャネルへ
経路指定される。コントローラは、1つのチャネルと他のチャネルとの間のアド
レス可能な経路をセットアップする。左側にn個の入射が配列され、底部にn個
の射出が配列されるまで第38図の構造を繰り返し、すべてのn2個のウェーブ
ガイド交差にスイッチを設けることによって簡単な方形アレイが形成される。交
差角は、好都合な角度でよい。この構造では、チャネルの他のチャネルへの切替
は、1つのスイッチを活動化することによって行われる。光線は、ウェーブガイ
ド形状を最適化することによって低減させることができる少量のクロストークを
受けながらウェーブガイド・クロスで互いに交差する。この構造は、入射と射出
との間に独立の1対1接続を確立することができる。通信チャネルを両方の方向
で同様に、かつ事実上同時に使用できるように接続が2方向のものであることに
も留意されたい。スイッチは図では、特に格子と共に実施されているが、第37
図の構造を複製しn×n個の入射および射出を形成することによって第37図を
参照して説明した二重TIRスイッチを用い、あるいは知られておらず、あるい
はまだ発見されていない他の光学切替技法を用いて実施することができる。TI
Rスイッチの場合、光学データ経路が入射ウェーブガイドと射出ウェーブガイド
との間の交差の頂点を通過しないことに留意されたい。その代わり、それは交差
の近くの他のウェーブガイドを通過する。スイッチの特定の形状によれば、入射
ウェーブガイドと射出ウェーブガイドは、第37図、第38図、第39図に示し
たように大きな角度に交差することも、あるいは斜めの角度に交差することもで
きる。斜めに交差するウェーブガイドの場合、二重TIR切替形状の固定リフレ
クタ1088および1082は必要とされない。
n個の並列入射ウェーブガイドを含む簡単な方形形状では、単一のスイッチを
含む最も近くの射出ウェーブガイドに接続できる1つの入射ウェーブガイドがあ
り、最低の損失を有する最良ケースの接続が形成される。他の極端な例では、最
も遠くの射出ウェーブガイドに切り替えるべき2(n−1)個のウェーブガイド
・クロスを横切らなければならない1つのウェーブガイドがある。この最悪ケー
スの接続は、最良ケースの接続よりもずっと大きな損失を有する。スイッチ・ア
レイ構造の最大挿入損失を低減させるには、第36図を参照して説明したように
非対称クロス接合を使用することができる。最悪ケースの接続の損失は、上記の
ウェーブガイドが横切るあらゆるウェーブガイド・クロスが、入射ウェーブガイ
ドと射出ウェーブガイドのどちらかに沿った光の伝搬方向を向く非対称クロスで
あれば最もうまく低減される。中間接合部で非対称スイッチを使用することはい
くつかの切替経路の助けとなるが、他の切替経路を犠牲にするので、この構造を
内側ウェーブガイドに一般化できないことは明らかである。非対称クロスの最適
な方向を選択するアルゴリズムが必要である。非対称クロスを配設する良好な方
法は、ほぼ半分のクロスが各方向を向くようにすることである。斜線(しかし、
斜線は含めない)の左上のn(n−1)個のクロスが主として、エネルギーを右
側に分散するために使用されることに留意されたい。したがって、これらのクロ
スは、入射ウェーブガイドの方向に沿った方向を向くべきであり、それに対して
右下のクロスが射出ウェーブガイドの方向を向くべきである。2方向構造では、
斜線上のクロスは、簡単な対称クロスであるべきであり、本明細書では非対称ク
ロスの簡単な斜め構成と呼ばれる。それぞれの異なる使用パターンに応じて他の
構成を使用することができるが、これは良好な汎用構成である。
n×m(n>m)構成では、完全な接続が可能なのはm本の「入射」ラインと
n本の「射出」ラインとの間だけである。この場合、すべてのラインが2方向性
のものなのて、「入射」および「射出」は識別のため使用されているに過ぎない
。監視機能と同報通信機能の両方におけるシステム制御には追加n−m「システ
ム」ラインが有用である。たとえば、ラインAは、ラインBに接続したい場合、
応答が得られるまでその機能を求めるシステム要求を送信し続ける。たとえば、
ラインm+3を、システム要求に関するすべての「入射」ラインの走査専用に使
用することができる(「射出」ラインを監視する同様なラインを設けるには、m
本のラインが、m×m本のラインからなるサブグループにおけるユーザ専用に使
用される、第39A図に示したn×nマトリックスなど、より大型のライン・マ
トリックスが必要である。その場合、ラインn−2などのラインを使用して、「
射出」ラインを監視することができる)。監視時には、システムは、「入射」ラ
インまたは「射出」ラインに対応する連続格子をオンにし、ラインが活動状態で
あるかどうかを検出する。監視中の1本のラインが活動状況である場合、モニタ
検出器に整列する連続的にオンに切り替えられる格子によって、ある程度のパワ
ーがモニタ検出器に切り替えられる。活動状態のラインは、活動化されたリフレ
クタによって、選択された他のラインに接続される。しかし、活動化されたリフ
レクタは、ある程度のパワーを漏らし、モニタ検出器によって検出できるビーム
を形成する。この例では、ラインm+3に接続されたモニタ検出器が、スイッチ
1255(特に格子スイッチとして示されている)をオンに切り替え、ラインA
からの要求を受信したときに、制御システムは、ラインBがビジーであるかどう
かを検査する必要がある。スイッチ1253を通じてラインn−2との接続が確
立されると、ラインB接続スイッチを越える位置へ漏れる残留ビームによって、
システムは、ラインBが活動状況であることを知る。活動が検知されない場合、
システム要求を(同じモニタ・ラインが、多重化送受信機能を有する場合には同
じモニタ・ラインを通じて、あるいは別のシステム・ラインを通じて)ラインA
とラインBの両方へ送信することができ、スイッチ1254を閉じて接続を確立
することができる。
同報通信機能は、所与の入射からのすべての射出に対応する必要なスイッチ行
を部分的にオンにした場合でも、すでに確立されており場合によっては活動状態
である、他のチャネル間のいくつかの通信に干渉するので、1対1接続に使用さ
れる基本m×m切替ブロック内のラインでは実施できない。同報通信は、第39
A図に示したm×m切替ブロックの「外側」にあるシステム・ラインから行うの
が最適である(この形状の「内側コーナー」は、「入射」側のライン1と「射出
」側のライン1との間の、最低の損失を有する最良ケースのウェーブガイド接続
である)。ラインCは図では、同報通信の一例として格子1256によって第3
9A図の大部分の「射出」ラインまたはすべての「射出」ラインに活動可能に接
続されている。ラインCのスイッチ1256は、十分なパワーが各「射出」ライ
ンへ送られるように部分的にのみオンにしなければならない。簡単な通信接続の
場合と同様に、同報通信の場合に同様なプロトコルを使用してチャネル間の競合
を防止することができる。同報通信接続は非活動状態チャネルを用いてのみセッ
トアップされ、システムはチャネルをグループ化することも、あるいは個別のチ
ャネルがそれに対する同報通信を許可するのを待つことも、あるいはその両方を
行うこともできる。
切替効率を高めるには、ウェーブガイドを大型のマルチモード・ウェーブガイ
ドとすることができ、その場合、本明細書の他の箇所で説明する断熱エキスパン
ダを用いて単一モード通信網が単一モード入射ポートおよび射出ポートlないし
mに接続される。
上記で第39A図を参照して説明した構造全体は、非同期転送モード(ATM
)として、あるいはポイント・ツー・ポイント交換通信応用分野で有用である。
この構造の有用な1つの変形態様は、WDM網における多重波長動作である。極
化格子スイッチを使用し、あるいは指定された通信帯域との間で同調する同調可
能な固定格子を使用することによって、本明細書で説明するように波長選択光学
スイッチを実施することができる。WDM網では、同じチャネル中を(2方向に
)伝わる他の波長に影響を及ぼさずにチャネル間で特定の波長を切り替えること
が望ましい。反射周波数を選択し、同時にWDMスペクトルの他の1組の周波数
をほぼ伝送することができる同調可能なスイッチを用いる場合、第39A図の簡
単な形状が妥当である。しかし、単一の動作周波数を有する切替格子を使用する
場合、各波長ごとに別々の接続経路が必要である。
第39B図は、ネットワーク内で使用される各周波数ごとに別々の経路を含む
交換WDM通信網1260を示す。この例は、2周波数WDM網に関するもので
あるが、任意の数の通信周波数に一般化することができる。第39B図には、3
つのポート1a、2a、3aに接続された3つの「入射」ウェーブガイド127
6が示され、かつ3つのポート1b、2b、3bに接続された3つの「射出」ウ
ェーブガイド1276が示されている。ウェーブガイドは9つの交差を形成する
。各交差には、各「入射」と各「射出」を接続する3つの追加光路がある。この
例では、追加経路は同じものであり、3つのタイプからなる。第1のタイプ12
66の光路は、共に、WDMシステムの2つの信号周波数帯域のうちの第1の帯
域を反射させることができる、一対の固定周波数切替リフレクタからなる。リフ
レクタは、交差に関連付けられた「入射」ウェーブガイドおよび「射出」ウェー
ブガイドを横切る格子であり、対応するウェーブガイドと2つの格子を接続する
追加ウェーブガイド・セグメントとの間で第1の周波数帯域中のパワーを反射さ
せることが好ましい。第2のタイプ1268の光路は、共に、WDMシステムの
2つの信号周波数帯域のうちの第2の帯域を反射させることができる、第2の一
対の固定周波数切替リフレクタからなる。この場合も、リフレクタは、それぞれ
のウェーブガイドを横切って配置された格子であり、対応するウェーブガイドと
第2の2つの格子を接続する追加ウェーブガイド・セグメントとの間で第2の周
波数帯域中のパワーを反射させることが好ましい。第3のタイプ1270の光路
は、共に、WDMシステムの両方の信号周波数帯域を反射させることができる、
一対の周波数独立切替リフレクタからなる。この第3のタイプの光路は、ウェー
ブガイドおよび(第37図を参照して説明した)固定ミラーによって接続された
一対のTIRリフレクタとして実施することができる。
この場合、ポート1a、2a、1b、2bと、関連するウェーブガイド127
6、1277は、「入射」ポートと「射出」ポートとの間で2つの周波数チャネ
ルを同時に切り替えることができる2×2交換網を形成する。関連するウェーブ
ガイド1276、1277を含むシステム制御ポート3aおよび3bは、監視機
能およびシステム通信機能を実行する。たとえば、WDMシステムの第1の周波
数をポート2aとポート1bとの間で切り替えたい場合、ポート2aとポート1
bを接続するウェーブガイドの交差にあるタイプ1266の光路に関連付けられ
た2つのスイッチがオンにされ、第1の周波数の光パワーが、2つのスイッチを
接続するウェーブガイドを通じてポート2aとポート1bとの間で経路指定され
る。所与のポートに関連付けられたすべての周波数を他のポートに経路指定する
場合、2つのポートに対応する交差でタイプ1270のスイッチおよび光路がオ
ンにされる。2つのチャネル間て両方のWDM周波数を切り替えるには、対応す
る経路1266および1268を共に活動化することができるので、光路127
0は実際には、2×2網では余計なものである。しかし、多数のWDM周波数を
有する上位通信網では、単一の全周波数接続が最低損失を有するので、この接続
が望ましい。
第40図は、二次元1対多数経路指定構造を示す。第1のウェーブガイド経路
指定スイッチ行は、光パワーを入射ウェーブガイドから画素ウェーブガイド列に
接続する。この場合も、スイッチの細部は示されておらず、スイッチは格子とし
て概略的に示されているに過ぎないが、いくつかの異なる方法で実施することが
できる。二次元「画素」スイッチ・アレイは、「画素位置」にある画素ウェーブ
ガイドからパワーを経路指定する(画素位置でこのパワーに何が起こるかは、応
用例に依存する)。すべての画素に到達するために2つの切替レベルが使用され
る。この構造は、ディスプレイ用に使用することも、あるいはプロセスまたは装
置を作動させあるいは制御するために使用することも、あるいはある種のデータ
を読み取るために使用することもできる。後者の場合、パワー・フローの方向が
反転され、装置は多数対1経路指定構造として動作する。
入射光線1342は、入射ウェーブガイド1352内を伝搬し、二次元切替要
素アレイ1356のうちの1つの切替要素によって多数の画素ウェーブガイド1
354のうちの1つに結合される。切替要素1364は、上記で第7図、第8図
、第12図、第13図、第38図を参照して説明したように格子スイッチとして
実施することができ、あるいは第30図ないし第32図および第37図を参照し
て説明したTIRスイッチであっても、あるいは切替可能な他の要素であっても
よい。ビーム1344は図では、スイッチ要素1358によって両素ウェーブガ
イドに切り替えられ、その後、スイッチ要素1360によってもう1度切り替え
ら
れ、画素要素1362へ伝搬するビーム1346を形成している。画素要素13
66は、図のようにウェーブガイド・セグメントによってウェーブガイド135
4から分離することも、あるいはほとんどの切替光が画素要素を通過しないよう
にウェーブガイドに短い距離を置いて隣接することもできる。
ディスプレイ応用例の場合、画素要素は、基板1348の平面から光1346
を放出させるためのものでよい。その場合、画素要素は、基板1348の表面上
の粗パッチでも、あるいは角度付けされたマイクロミラーでも、あるいは光を拡
散する角度付けされた粗いマイクロミラーでも、あるいはリン充填ピットでも、
あるいは可視光を生成するその他の手段でもよい。ディスプレイの場合、入射ビ
ーム1342は、いくつかの色を含むことができ、その場合、ウェーブガイドは
すべての色を案内することができ、スイッチはすべての色を結合することができ
る。ウェーブガイド・スイッチが順次走査され、ディスプレイの画像が生成され
る。格子スイッチは多重周期格子として実施されるが、TIRスイッチは、この
目的のための修正をほとんど必要としない。ウェーブガイドは、単一モードの場
合、最も短い波長ビームを有効に案内しなければならない。入射ビーム1342
は、切替要素が簡単なオン・オフ装置となるように(入射ビームのすべての色成
分を含め)外部から変調することが好ましい。画素要素が、多少とも真っ直ぐな
線として構成され、行に沿って電気的に接続することができる場合、画素スイッ
チ行を作動させるために、ウェーブガイド列を横切る単一行電極を配設すること
ができることに留意されたい。
投影ディスプレイの場合、アレイ内のすべての画素から放出される光を収集し
、レンズから(大きく)離れた画面上に再合焦させるために追加レンズ構造が必
要である。レンズは、焦点面が画面において合理的に平坦になるように良好な軸
外性能を有することが好ましく、画素アレイから放出される光のうちの大部分を
収集するのに十分な開口数(NA)を有するべきてある。レンズ・アレイを画素
構造に結合し、個別のレンズから生成されるビームの広がりを低減させ、投影レ
ンズに対する(コストのかかる)NA要件を低減させると有利である。これを行
う他の方法は、この場合も、画素においてできるだけ大きな寸法になるようにウ
ェーブガイドをテーパ付けすることである。画素を横寸法が大きくなるようにテ
ー
パ付けすることは比較的容易であるが、非常に深いウェーブガイドを得ることは
困難である。広幅のウェーブガイドに長い格子結合器を結合することで大きな画
素をつくることができる。
この経路指定構造内で分散される光を使用して、たとえばDNAリーダや、ア
レルギー・リーダや、タンパク質リーダの場合にプロセスを活動化することもで
きる。これらの特定のケースのそれぞれでは、別々のDNAアレイまたはアレル
ゲン・アレイまたはタンパク質アレイが、光によって励起できる蛍光タグを用い
て作成される。1種類の分子または1つの分子標品を、各画素を介して励起でき
るように構成することができる。光は、それぞれの異なる画素間で電子的に走査
され、結果に応じて走査速度および走査順序を決定することができる。蛍光は、
外部レンズおよび検出器による検出が可能なように収集することができる。しか
し、いくつかの応用例では、画素(およびそのレンズ)およびウェーブガイド構
造自体が、放出された放射を収集し光エネルギー検出手段へ案内すると共に、光
源の放出を制御すると有利である。レンズは、所望の光照明・収集形状に応じて
、コリメート・レンズでも、あるいは再合焦レンズでも、あるいは場合によって
は発散ビームを生成するレンズでもよい。コリメート・レンズは、透過し(かつ
収集された)たビームがほぼ平行になるようウェーブガイドの端部からレンズの
焦点距離だけ分離される。コリメート・レンズは、検査用光線が横切るべき材料
の部分が大きい場合に最も有用である。再合焦レンズは、ウェーブガイドの端部
から物体距離だけ分離される。物体距離の逆数は、像距離の逆数と焦点距離の逆
数との間の差に関係するものであり、像距離は、レンズから所望の像ビーム・ス
ポットまでの距離である。再合焦レンズは、サンプルを小さなスポットに集中さ
せ、それを照明し、あるいはウェーブガイドから読み取り、あるいはその両方を
行いたい場合に使用される。発散ビームは、ウェーブガイドの端部から焦点距離
よりも短い距離だけ分離されたレンズによって生成される。レンズに接近する光
波の広がりが2つの平面で異なる場合、簡単なレンズからの射出ビームは、必ず
しも丸いわけではない。(再合焦後に最小スポット面積を得るために)ビームを
丸くする最も簡単な方法は、ウェーブガイドの端部での丸いビームから始めるこ
とである。これは、ウェーブガイドの設計またはウェーブガイドのテーパ付けに
よっ
て行うことができる。レンズは、光波全体をウェーブガイドから導き、応用例に
応じて回折制限スポットまたはコリメートビームに合焦させるのに適した開口数
を有することが好ましい。
画素要素1362は、上記でこのケースで述べた要素であってよく、活動化す
べき材料に直接関連付けることも、あるいは材料と共役な外部プレートと位置合
わせする場合のように間接的に関連付けることもできる。各画素要素は、ほぼ共
通の焦点面内に像ビーム・スポットを有するレンズ・アレイにスイッチ・アレイ
を結合できるように前述のように位置合わせされたレンズを含むことができる(
「ほぼ共通」とは、この場合、収差のためにかなりゆがむことがある真の焦点面
のほぼレイリー範囲内であることを意味する)。この経路指定構造を使用して蛍
光放出も検出する場合には、画素要素1362において拡散体ではなくあるタイ
プのリフレクタを使用することが好ましい。というのは、リフレクタは、蛍光放
出が来たときにそれをウェーブガイドに結合するからである。この結合は、所与
の画素用のスイッチが活動化されているかぎり維持される。必要に応じて、他の
画素要素に切り替える前に光源をオフに切り替え、放出の減衰を解消することが
できる。
データ・リーダとして使用する場合、光伝搬の意味は、第40図に示した意味
とは逆になる。データを含む装置からの光が、画素要素で収集され、経路指定ウ
ェーブガイド構造に結合され、経路指定ウェーブガイド構造がこの光を入射ウェ
ーブガイド1352へ案内する。ウェーブガイド1352には、データを読み取
る検出器が接続される。この検出器は、ウェーブガイド1352とデータ媒体の
照明に使用される光源との間のビームスプリッタを介してウェーブガイドに同時
に接続することができる。画素要素1366(または単に「画素」)は、構造1
350を通じて経路指定された光を収集しデータ媒体へ送るために、レンズを介
してデータ・スポットに結合することが好ましい。このレンズ結合は、データ媒
体から反射され、あるいはその他の方法で放出された光を収集し、画素要素に結
合されウェーブガイドの端部上に再合焦させるようにも働く。データはターゲッ
ト・ボリュームのものでよく、その場合、レンズは光ビーム1346を平行にす
るよう配置される。データはターゲット上に表れる。その場合、それぞれの異な
る画素要素が、たとえば磁気光学データ記憶表面やCDの回転ディスク上のそれ
ぞれの異なるトラックに対応することができる。レンズは、回折を制限しながら
画素からの光をデータ・スポットに再合焦させるように構成される。それぞれの
異なる画素をそれぞれの異なるトラックに関連付けることによって、ほぼ遅延時
間なしにトラック間に切替を電子的に行うことができる。
データ媒体上のそれぞれの異なる平面にそれぞれの異なる画素を結合すること
もできる。これは、総記憶容量を増加させるために媒体上の複数の平面に記録さ
れたデータを読み取るうえで有用である。平面間の切替は、それぞれの異なる平
面に結合された画素どうしを切り替えることによって電子的に行うことができる
。
所与のトラックを横切る(好ましくは、それに垂直な)トラック分離線の一部
によって分離された位置にいくつかの異なる両素要素を合焦させることもできる
。トラックが移動する際、画素どうしを切り替えることによって、機械的ではな
く電子的に正のトラッキングを行うことができる。トラックの移動を検出するに
はセンサおよび電子機器が必要であり、所望の画素に切り替えるにはコントロー
ラが必要である。それぞれの異なるチャネルで信号強度および信号雑音比(SN
R)を検出し、好ましい(最もうまく位置合わせされた)チャネルを判定するこ
とができる。ウェーブガイド1352に沿ったスイッチを3方向クロスではなく
、基板の縁部に第4のレグを含む4方向クロスとして構成する場合、検出器アレ
イ1368を第4のレグに位置合わせして配置することができ、各列からのリタ
ーン・パワーを検出するために個別の検出器1367を各行に個別に位置合わせ
することができる。検出器1367を使用する場合、検出器アレイ1368上の
データ媒体からのリターン・パワーを最大にするために、ウェーブガイド135
2に沿って存在する格子の最適屈折率は約50%である。このルータ構造の上流
側のウェーブガイド1352に単一のビームスプリッタを配設する場合も、最適
な反射は50%である。
入射ウェーブガイドと画素ウェーブガイドのどちらかに沿ってスイッチを部分
的に励起することによって、それぞれの異なる画素を部分的に励起することがで
きることに留意されたい。切替要素1364は、その反射係数を変更するように
印加電界によって調整することができる。ある程度のビームを、第2の画素で同
時に使用できるように、部分的に励起されたスイッチを透過させることができる
。ルータ1350では複数の検出器を構成することもできるので、トラック移動
補正の場合、多重画素励起が特に重要である。たとえば、経路指定構造1350
の3つの異なる列上の3つの異なる画素を同時に励起する場合には、それらに対
応する画素列スイッチを部分的に励起する必要がある。複数のスイッチの適切な
励起を判定するための計算をコントローラによって行う必要がある。スイッチに
おける損失を無視する場合、最適のSNRを得るためにスイッチのそれぞれの検
出器上で等しい強度を生成するには、入射光の約16分の3だけ反射するように
第1の画素列に対応する第1のスイッチを励起し、第1のスイッチを通過した残
りの光の約4分の1だけ反射するように第2の画素列に対応する第2のスイッチ
を励起し、前の2つのスイッチを通過した残りの光の約2分の1だけ反射するよ
うに第3の画素列に対応する最後のスイッチを励起すべきである。媒体からの反
射が100%であり、光収集係数が100%であると仮定すると、入射ビームの
約15%が各検出器に反射される。この結果は、単一画素の場合に単一の検出器
上でビームの25%を受け取ることが最適である(最適なスイッチ励起=屈折率
50%)ことと比べてかなり良好である。実際、1条のビームを用いる場合より
も3条のビームを用いる場合の方が多くの全光子が収集される。電子トラッキン
グによって、より廉価でより高速であり、より信頼できるデータ読取り/書込み
装置が得られる。
これらの手法(電子トラック切替、電子データ平面切替、電子トラッキング)
を任意に組み合わせてデータ記憶装置の性能を向上させることができる。可変合
焦を電子的に行い、場合によってはすべての機械的運動(媒体の回転を除く)を
装置から除去する手段も必要である。下記で第54図を参照して説明するように
、電子可変合焦は、ゾーンプレート・レンズを用いて、光線1342の波長を変
化させることによって行うことができる。
図のように、第40図の経路指定構造は、TMモードしか反射させない90°
格子スイッチを含む偏光構造である。その結果、強度に基づくビームスプリッテ
ィングしか使用できない。偏光ビームスプリッタを使用できれば、所与の光強度
に関する信号強度が係数4だけ増加するので非常に有利である。しかし、2つの
偏光を移送し次いで分離することができる切替構造が必要である。十分なすれす
れTIR角(TEモードに関する全内部反射のための角度よりもかなり小さな角
度)ではTIRスイッチの偏光依存性は無視できるが、非常にロー・アングルの
切替形状を使用する際には充填密度に関する問題が生じる。
第41図は、データ・リーダ1370として構成された偏光に強く依存するス
イッチの線形アレイを示す。スイッチは、活動化されたスイッチ1372内でT
M偏光され強く反射されたビーム1342を用いて励起される。両方の偏光を案
内する、ニオブ酸リチウムにおけるチタン内部拡散ウェーブガイドなどのウェー
ブガイド1376および1378が使用される。画素要素は、一体化レンズ13
80と組み合わされたマイクロミラー1374と、軸1388の周りで回転する
ディスク1386上のトラック1384に構成されたデータスポット、たとえば
1382として実施される。データ・トラック上の複屈折データ・スポット(ま
たはセパレータ)から反射された直交偏光は、レンズ1380によって収集され
、ウェーブガイド1378に再合焦され、マイクロミラーによって、TE偏光を
有するガイドの平面に反射される。TEモードは、格子に関するブルースターの
角度に偏向されると共に、反射に関して、位相整合されない異なる伝搬定数を有
するので、検出器アレイ1368の検出器1367への反射なしにスイッチ内を
伝搬する(別法として、スイッチがTIRスイッチである場合、屈折率は、TM
波の場合よりもTE波の方がずっと低く、大部分のTE波はスイッチを透過し、
検出器にぶつかる)。スイッチ1372の代わりに他のスイッチ1373を作動
させる場合、ビームは異なる画素1375へ伝搬し、画素1375とそのマイク
ロレンズ1381の位置合わせに応じて、(画素1375がトラック切替に関す
るものか、それともデータ平面切替に関するものか、それともトラッキング制御
に関するものかに応じて)他のデータ・トラックと、他のデータ平面と、トラッ
ク幅の一部からなる横偏差を有する同じトラックのいずれかに合焦される。
ルータ内のスイッチを異なる方式で配向させ平面内の光伝搬方向を変更できる
ことや、単一の装置内で複数のタイプのスイッチを使用できることや、より高い
レベルの切替を使用できることなど、第40図および第41図を参照して説明し
た構造に関しては多数の変形形態が明らかになろう。
第42図は、切替可能な一体型スペクトル・アナライザ930を示す。入射ビ
ーム921は、ある距離だけ延びた後に終わる入射ウェーブガイド923に進入
する。入射ビーム921は、他のウェーブガイド内を伝搬することも、あるいは
好ましくはウェーブガイド923へのパワーを最適化するように位置合わせされ
モード整合される自由空間ビームとなることもできる。装置930は、平面内の
伝搬を制約する平面ウェーブガイド835を備える。入射ウェーブガイドの端部
から現れた光線927は、一体型レンズ要素925を通過するまで平面ウェーブ
ガイド内の1つの平面で発散する。一体型レンズは、光軸からほぼ2次関数的に
減少する光学的厚さを画定する境界内で平面ウェーブガイドと比べて高い屈折率
を有する(あるいは、一体型レンズが低い屈折率を有する場合、光学的厚さはほ
ぼ2次関数的に増加する)。レンズは、マスク内部拡散またはイオン交換によっ
て製造することができ、あるいは電極によって励起される逆極化セグメントであ
ってもよい。
レンズ925は光線をコリメートし、光線は次いで、3つの格子部929、9
31、933のうちの少なくとも1つへ移動する。格子は、それぞれ、ドメイン
を有する個別のセルで形成され、各ドメインは、背景材料とは区別され、応用例
に応じた可変量だけ分離される。セルは、基板に対する不変屈折率差または調整
可能な屈折率差を有し、それぞれの異なるセルは、それぞれの異なるタイプのも
のであってよい。永久ドメイン・タイプにはたとえば、内部拡散領域、イオン交
換領域、エッチング領域、放射ボンバー領域が含まれ、さらに一般に、任意のタ
イプの屈折率修正プロセスによって形成された領域が含まれる。格子部は、エッ
チング、またはイオン交換、または内部拡散によって製造することができ、その
場合、格子は永久的なものであるが、好ましい実施形態では極化ドメインから製
造されるものとして示されている。電極932、934、936は、共通の電極
938と共に格子を個別に励起するために使用される。共通の電極938は、図
が簡単になるように示した基板の対向面上に配置することも、あるいは低電圧励
起のために電極932、934、936を囲むように配置することもできる。
個別の格子内のセルは、必要な運動量を有する仮想光子を供給するために所望
の方向の所望の周期性を形成するように代替方法で構成することができる。セル
は、行の間隔によって画定される運動量を有する平面に垂直な仮想光子運動量を
有するある種の平面を画定するように行として構成することができる。この場合
、行中のセルの間隔によって画定される運動量を有する平面に沿って、運動量を
有する仮想光子も存在する。再帰反射を位相整合するために、仮想光子の運動量
は、入射光子の運動量の丁度2倍であり、逆の方向へ送られる。他の反射プロセ
スは、より小さな運動量を有し、入射軸を横切る方向へ送られる。したがって、
行間隔の周期Λは、量λ/2neffの一部であるという点で入射波長λに部分的
に比例する。一般的なケースでは、入射軸に沿った仮想光子運動量がその軸に沿
ったセル分布の(フーリエ変換を通じて求められる)空間周波数スペクトルによ
って決定されるように、格子内の位置と共に変動する距離の分布によってセルを
分離することができる。
対応する電極の電位状態を調整することによって、少なくとも1つの格子92
9または931または933がオンにされる。第42図で、格子929は活動化
されているものとして示されている。活動化された格子は、仮想光子を入射光子
とし、散乱プロセスをへて位相整合し、それぞれの異なる波長を有する波長に応
じて角度単位で分離された複数の射出ビーム935および937を形成する。活
動化された格子929からの射出ビームはレンズ939を通過し、レンズ939
は射出ビームを検出器アレイ941上に再合焦させる。検出器アレイは、検出の
ために射出ビームの一部を受け取るように配設されたセンサ群であり、図のよう
に装置930の縁部に結合することが好ましい。しかし、装置930をより大き
な基板上に一体化したい場合、この位置に基板の縁部を有することは望ましくな
い。この場合、他のビーム抽出法(垂直偏向ミラーなど)を使用してビーム93
5および937の一部を検出アレイへ偏向させることができる。検知手段は、射
出レンズ939の焦点面の約1レイリー範囲内に配置される。この位置では、入
射ビーム角が射出ビーム位置にマップされる。格子は入射波長を射出ビーム角度
としてマップするので、コリメートされた入射ビームの場合、それぞれの異なる
入射波長が焦点面内のそれぞれの異なる位置にマップされ、波長スペクトルの空
間解像度が、格子の特性に依存する。アレイ941内の検出器の位置の関数とし
ての検出されるパワーは、入射ビーム921の周波数パワー・スペクトルに比例
する。したがって、装置930は、スペクトル・アナライザである。装置930
は、入射ビームが、いくつかの異なった周波数チャネルを占有するチャネルに分
割され、装置自体がチャネルを所定の検出器または検出器群に分散するように構
成される場合は、マルチチャネル検出器である。
それぞれの異なる格子をオンに切り替えることによって、それぞれの異なる周
波数範囲で機能するように装置を再構成することができる。たとえば、格子93
1または933を活動化した場合、分散された光はレンズ939によって、異な
る検出器アレイ943と拡張検出器アレイ941の異なる部分のどちらか上に合
焦される。格子の周波数範囲は、格子のビームに対する角度および格子の周期性
によって決定される。格子931は、活動化されたときにより高い光周波数範囲
が選択されるようにビームに対してより浅い角度を有するように示されている。
格子933は、重なり合う複数の周波数範囲を選択できるように、互いに横切る
複数の周期を有する。上記で第18図を参照して説明したように、複数の周波数
を極化領域境界にマップすることができる。格子933の極化要素は全体的に、
2つの主仮想光子運動量方向に垂直に配向された平面として構成することができ
る。平面の整相は、所望の格子の周波数成分をドメイン境界に移すプロセスによ
って行われる。しかし、一般的な格子は、すべての方向に運動量を有し、その場
合、結果として得られるドメイン境界は、主方向を除いて平面としては構成され
ない。
透過ビーム913は、一体型レンズ907によって射出ウェーブガイド・セグ
メント909に再合焦され、格子と相互作用しなかった入射ビーム921の帯域
外部分の少なくとも一部を含む射出ビーム911が形成される。
切替範囲スペクトル・アナライザの有用な変形形態は、第42図および第30
図ないし第35図の要素を組み合わせたものである。この基本的な考えは、格子
の角度を変更し、あるいは光源点を等価的に変更することによって格子のスペク
トル範囲をシフトすることができることに基づくものである。この変形形態では
、ウェーブガイド経路指定構造を使用して光源点を切り替えられるようにする。
ウェーブガイド・スイッチが入射ウェーブガイド923(および場合によっては
放射ウェーブガイド上)の1つまたは複数の位置に配置され、並列光源ウェーブ
ガ
イド・アレイが形成される。これらにウェーブガイド間で入射光線921を切り
替えることができる。ウェーブガイドはすべて同じ平面、好ましくは入射レンズ
925の焦点面で終わる。スペクトル・アナライザの残りの部分は同じである。
ただし、複数の入射を用いる場合、追加格子931および933を有する必要は
ない。複数の切替入射ウェーブガイドの分離は、アナライザ930向けの切替可
能な所望のスペクトル範囲が得られるように応用例に応じて調整される。
第43図は、極化音響多層干渉計構造953を示す。入射音響波972は、バ
ルクでも、あるいは表面音響波でもよい。極化構造は、2種類のドメイン963
とドメイン964とを含む圧電基板965の領域955に製造される。極性反転
によって部分的な音響波反射が起こることが知られている(たとえば、米国特許
第4410823号Miller等)。ビーム973の反射およびビーム961
の透過は、極化領域間の界面の間隔の影響を受ける。高反射率および低透過率が
必要である場合、隣接する界面を音響波長の半分の整数倍に等しい距離だけ離隔
すべきである。構造の透過率を高くし、反射率を低くする必要がある場合、間隔
は、音響波長の4分の1に波長の半分の整数倍を加えた値に等しくすべきである
。音響インピーダンスが変化する界面近くに適当な数の極化領域を付与すること
によって、界面からの反射波とは異なる位相を有し、かつそのような反射波と同
じ振幅を有するように反射波の位相を選択して、反射防止(AR)構造を製造す
ることができる。
第44図は、極化バルク音響トランスジューサ971を示す。入射音響ビーム
972は、一対の電極974および975を含む圧電基板965の極化領域に入
射する。極化領域は、2種類のドメイン963および964、すなわち互いに最
適に反転されたドメインを含む。極化方向を音響波長の2分の1ごとに反転する
ことによって、各極化領域で音響波によって誘導される電界として同じ電界を選
択することができる。この場合、従来技術のインターデジタル電極ではなく単一
の電極を使用して、誘導された電圧を捕捉することができる。電極974および
975は、入射波972の存在を検出するために使用される。射出電圧は、導体
979によって漸減され、電子コントローラ978で検出され、時間の関数とし
て(狭帯域入力の場合)正弦的に変動し、振幅は音響波の振幅に比例する。前述
のように、極化界面間隔が波長の2分の1である場合、この構造はハイ・レフと
しても働き、このことは所与の実施態様では望ましくない。この特性は、第44
図に示したように界面を波長の4分の1および4分の3の間隔に配置することに
よってなくすることができる。この場合、この構造は望ましくない反射をなくす
る反射防止コーティングである。ほぼ音響波全体が極化構造を貫通し、音響波の
エネルギーを完全に検出電子機器に吸収することができるので、この構造971
は、音響エネルギーの効率的な同調検出器である。この構造の帯域幅は電極で覆
われた極化構造内に入る音響周期の数に反比例する。この効率は、電極の下方の
音響経路長に比例する。したがって、検出器の帯域幅と効率は、比例し、検出領
域の寸法を変更することによって調整することができる。
構造971は、基本的にプロセスを逆に実行することによって音響生成装置と
して使用することもできる。2つの電極の間に、励起する必要がある音響波の周
波数の時間依存電気信号が印加される。基板の圧電係数によって音響波の周波数
で周期ひずみが生成され、1つ961は順方向に伝搬し、1つ973は他方向に
伝搬する一対の波が生成される。装置953と装置971を組み合わせ、953
を望ましくない波のトータル・リフレクタとして構成することによって、単一の
波を生成する必要がある場合に高効率単方向性生成装置を形成することができる
。トータル・リフレクタを望ましくない波に対して90°に配向させ、所望の波
と同じ位相を反射波の位相として選択した場合、2つの波は単一の方向にほぼ単
一の波として現れる。
第44図の構造の変形形態は、ひずみ作動光学相互作用装置である。この装置
では、ひずみ場のために極化領域964および963が作動し、光弾性効果を通
じて屈折率が変化する。この場合、構造975はひずみ誘導パッドであり、被膜
および基板のそれぞれの異なる熱膨張係数のために室温でひずみ場が生成される
ように高温で基板材料965上に付着させることができる。この機械的ひずみ場
は、光弾性テンソルを通じて動作し、ドメインごとに異なる基板の屈折率を変化
させ、この場合も、本明細書の他の箇所で説明するように使用できるパターン化
屈折率を有する基板を形成する。電極の付着工程が所望のひずみ場に望ましくな
い影響を及ぼさないかぎり、電子光学効果を使用する電界を光弾性効果と組み合
わせることができる。
第45図の構造890は、一対の光波の同調コヒーレント検出器である。この
構造は、所望の中央「共振」周波数差の周りのある帯域幅内の光波間の周波数差
しか検知しないという意味で同調式である。最も簡単なケースでは、装置は、周
期Λを有する周期構造を形成するインターデジタル電極885とインターデジタ
ル電極886との間の各離隔距離が等しくなるように構成される。所与の瞬間に
は、入射ビーム887に存在する2つの入射周波数によって、光周波数差および
光周波数での基板889の屈折率に依存する空間周期を有する電界の干渉パター
ンがウェーブガイド888内で生成される。干渉パターンの空間周期が周期Λに
等しい周波数差で、電極構造は共振し、電極は、ウェーブガイド上の誘導された
変位電荷のための電位差に励起される。
周波数応答特性は、極化格子周期内で2つの光波が2πだけ位相ずれする光周
波数差によって決定される共振周波数を有する正弦関数に関係するものである。
バッファ層891は、電極構造が配置されたときに伝搬する光波の損失を最小限
に抑えるために必要である。バッファ層891は、厚さが周期Λよりもずっと小
さい場合、誘導電位の強度をそれほど低減させない。干渉パターンは、2つの光
波間の周波数差で振動する低周波数成分を有する。したがって、リード線979
を介して電子コントローラ978によって捕捉される電子信号もこの差周波数で
振動する。電子信号の振幅は、この共振差周波数で大きく、インターデジタル電
極構造内に含まれる最良の周期の数の逆数に比例する装置の帯域幅に応じて他の
差周波数では低下する。
別法として、インターデジタル電極は、複数の共振周波数が存在し、あるいは
応答の帯域幅が修正されるように複数の周波数成分と共に構成することもできる
。この装置は多重命令に敏感であることも留意されたい。電極の幅が半周期と比
ベて狭い場合、共振差周波数の奇数高調波で顕著な応答が行われる。ウェーブガ
イドの軸に沿って非対称的になるようにフィンガを互いにずらすことによって、
偶数高調波に対する応答性を生成することができる。この上位応答は、一次応答
を低下させる犠牲を払わないかぎり向上させることができない。この応答は、電
極どうしを互いに心合わせし、電極の幅を増加させることによって最小限に抑え
る
ことができる。
最後に、ウェーブガイド888は厳密に必要なものではない。このウェーブガ
イドは省略できるが、検出された波を電極の非常に近くまで運び信号の捕捉を最
適化すべきである。
第46図は、低損失切替可能ウェーブガイド・スプリッタ780を示す。この
装置は、Y字形接合部として広がり、共に、入射セグメントに入射した光の光路
となる可能性のある、2つの射出ウェーブガイド・セグメント775および77
6に分岐する、入射ウェーブガイド・セグメントからなる永久Y字形ウェーブガ
イド・スプリッタ774を有する。入射セグメント幅および屈折率プロファイル
と射出セグメントの幅および屈折率プロファイルは等しいことが好ましい。スプ
リッタ780は、Y字形スプリッタ774の領域内に電子光学係数を有する極化
構造778も有する。極化領域778は、複数の層を有することができる基板の
頂部近くの薄い層であってよく、あるいは基板全体にわたって延びることができ
る。基板の残りの部分は、極化することも、あるいは非極化することもできる。
ウェーブガイドの上方に一対の平面電極777および779が互いに隣接して配
設され、一方の電極777は射出ウェーブガイド775の一部を覆い、他方の電
極779は、射出ウェーブガイド776の一部を覆う。電極は、製造上の都合お
よび機能が最適化される程度にのみ平面である。電極が付与される表面が平坦で
あり、あるいは湾曲している場合、電極はそれに整合する。電極777の縁部7
81は、ウェーブガイド775に非常に浅い角度で交差し、Y字形接合部でウェ
ーブガイド776の内側縁部の円滑な連続部を形成する。同様に、電極779の
縁部783は、ウェーブガイド776に非常に浅い角度で交差し、Y字形接合部
でウェーブガイド775の内側縁部の円滑な連続部を形成する。ある極性を用い
て電極を互いに励起させると、電極777の下方の屈折率が低減し、電極779
の下方の屈折率が増加する。その結果、電極縁部781の下方の励起領域がウェ
ーブガイド境界を形成し、入射ビーム789をほぼ完全に射出ビーム784に切
り替え、代替射出ビーム782へのパワー漏れはほとんどない。電極779の下
方の屈折率が増加することは、光エネルギーを境界781から移動するうえで助
けとなる。電極間に逆の極性を印加すると、入射ビームはほぼ完全に他方の射出
ビーム782に切り替えられる。電圧を印加しない場合、入射パワーは、構造が
対称的である場合には2つの射出ポートに均等に分割される。したがって、この
構造は3dBスプリッタであり、ビーム・ディレクターとして2つの方向のうち
の一方に低損失で電気的に切り替えることができる。
電極777および779は、Y字形構造774から構造への入力時にテーパし
ており、それによって、屈折率のより低い領域がウェーブガイドの方へ次第に近
づき、光損失が最小限に抑えられる。静電界分布の円滑化効果によって両方の電
極の下方で非常に円滑な屈折率遷移が行われる。Y字形分岐領域から離れた射出
ウェーブガイドを横切る電極の縁部をウェーブガイドに対して90°に構成し、
損失を最小限に抑えることが好ましい。
このY字形スプリッタは、電界がオフの場合に3dBとは異なる分割比を生成
するように非対称的に構成することができる。これは、一方のウェーブガイドの
偏差角を増加させ、あるいは他方の偏差角を減少させ、あるいはその両方を行う
ことによって行うことができる。十分に大きな電界が電極に印加されるかぎり、
切替機能は、非対称構造の場合でも、対称構造の場合とほぼ同様に動作する。消
光比(オンに切り替えられたウェーブガイド内のパワーと、オフに切り替えられ
たウェーブガイド内のパワーとの比)は、非対称性が大きいにもかかわらず非常
に大きなままである。しかし、光損失は、非対称切替可能ウェーブガイド・スプ
リッタの2つのレグではいくらか異なる。したがって、装置780は、所望の分
割比を有するスプリッタとして構成することができ、しかも良好な効率および高
い消光比で切り替えることができる。
この装置は、2つよりも多くの射出ウェーブガイド間で切り替えられるように
縦続接続することができる。たとえば、射出ウェーブガイド775を780と同
様な第2の装置の入力に接続する場合、そのパワーを一対の追加ウェーブガイド
に受動的に切り替えることも、あるいは能動的に切り替えることもできる。78
0と同様な1つのスイッチ、2つのスイッチ、4つのスイッチ、8つのスイッチ
からなる4組のスイッチを用いて、16本の切替射出ラインを得ることができる
。これらのライン間のパワー分割比は、非切替状態の場合に等しくなるように構
成することも、あるいは任意の他のパワー分割比として構成することもできる。
ス
イッチを活動化したときに、単一の射出ウェーブガイドをオンにすることも、あ
るいは単一の射出ウェーブガイドをオフにすることも、あるいは射出ウェーブガ
イドの組合せをオンおよびオフにすることもできる。
装置内の光の伝搬方向は反転することができる。この場合、射出ポート775
および776のどちらかへの入射を入射ポートから現れるように切り替えること
ができる。印加電圧がない場合、各射出ポートでのパワーは所与の減衰(対称装
置の場合は3dB)を受けながら入射ポートに結合される。電界をオンに切り替
えると、「オン」ウェーブガイド内のパワーは非常に低い損失を受けながら入射
ポートに接続され、それに対して「オフ」ウェーブガイド内のパワーは入射ウェ
ーブガイドから非常に有効に回折される。「オフ」ウェーブガイドは入射ポート
からほぼ絶縁される。
別法として、入射ウェーブガイドどうしが接合し2×2スイッチまたはルータ
を形成するように、ミラー像装置を背面組み合わせでスイッチ780に接続する
ことができる。どちらかのウェーブガイド・ポート対への入射は、他方のポート
対のどちらかのウェーブガイドに切り替えることができる。n×nスイッチまた
はルータを形成時にカスケードすることは可能である。
第47図は、複数の極化領域を使用する切替可能なウェーブガイド・スプリッ
タの代替実施態様790を示す。この構成では、Y字形領域内のウェーブガイド
の境界に沿って切替屈折率差が増加し、それによって光モードがより狭い領域に
よりうまく拘束され、オフに切り替えられた射出ウェーブガイドへの残留結合が
低減される。2つの極化領域785および786は、入射ウェーブガイド774
の各側にY字形分割領域に沿って配設される。極化領域は、射出ウェーブガイド
775および776に非常に浅い角度で交差し、Y字形接合部でウェーブガイド
776および775の内側縁部の円滑な連続部を形成する境界787および78
8を有する。極化領域の境界は、電気的に励起される屈折率変化が徐々に始まる
ように入射ウェーブガイドから徐々にテーパし、かつY字形接合部から離れた位
置で射出ウェーブガイドを横切る。この位置では、電界が大幅に低減され、光損
失が減少する。電極791および792は、ほぼ極化領域785および786の
全体にわたって配設される。
電極に電位差が印加され、電極間および電極の周りの部分全体にわたって電界
が静電パターンとして励起される。電界は、極化領域およびその周りの領域を貫
通し、対応する光屈折率変化パターンを誘導する。局部光屈折率変化は、局部電
界方向と局部電子光学係数の積に比例する。極化領域は、互いに逆の極性の領域
に囲まれることが好ましく、その場合、極化領域の電子光学係数は、周りの領域
の電子光学係数とは逆の符号を有する。界面787および788で、屈折率の鋭
い変化が発生する。ウェーブガイドの一方の側では、界面において屈折率が低減
し、ビームが低屈折率領域から案内される傾向が生じる。他方の側には逆のこと
が当てはまる。印加電界が十分に大きなものである場合、低減された屈折率を有
する界面がウェーブガイド境界を形成する。案内界面が極化領域の対向側に射出
ウェーブガイドの内部境界の延長として円滑に接続するので、入射光線789は
射出ウェーブガイドへ案内される。案内境界の曲率が徐々に変化するものである
場合、オフに切り替えられたウェーブガイドへの光漏れは少ない。極化領域がウ
ェーブガイドに徐々に近づくので、入射時の損失は少ない。接合部を越えて延び
る極化領域の部分が、オフに切り替えられた射出ウェーブガイドの案内効果を抑
制し、オンに切り替えられた射出ウェーブガイドの案内効果を高めるので、Y字
形接合部での損失は少ない。
代替策として、極化領域を非極化材料で囲むことができる。その場合も、界面
787および788で屈折率が急激に変化し、したがって装置は依然として機能
するが、屈折率変化は、極化領域が逆極化材料で囲まれるときに得られる値の半
分に過ぎず、したがって印加電界はより高くなければならない。前述した別法も
この装置に適用できる。
第48図は、1×3スイッチの主要な設計要素を示す。図の設計要素は、第4
6図の装置780をどのように単一の極化領域とパターン化電極とを含む1×3
スイッチに転換するかを示す。この装置は、所望の数n(n=3)の射出分岐を
有する永久分岐ウェーブガイドを含む。ウェーブガイドは、(良好な消光比を得
るために)ウェーブガイド自体よりも深く延び、かつウェーブガイドが大きく(
ウェーブガイドの幅の3倍など)分離された接合領域をかなり越えて延びる極化
領域を通過する。ウェーブガイド境界、このウェーブガイド境界の、入射ウェ
ーブガイドの境界への円滑な延長部、接合領域をかなり越えた距離で射出ウェー
ブガイドを横切る垂直境界によっていくつかのゾーンが画定される。そのように
画定される(n2+2n−2)/2個のゾーンがある。図のように最外ゾーンを
最外ウェーブガイドの外側を越えて延ばし、入射をテーパ付けすると有用である
。すべての電極間に、小さいが励起時に電気絶縁破壊を回避するのに十分なギャ
ップが設けられるように、各領域の上方に別々の電極が配置される。
この装置を操作するには、対応するゾーンが所望のウェーブガイド内に拘束さ
れるかどうによって決定される極性を有する各ゾーンに独立に電界を印加する。
たとえば、第48図の5つのゾーンは、表1に従って励起される。前述のように
、電界の大きさは、それぞれの異なる極性で励起される隣接するゾーンの縁部に
沿って良好な案内境界を生成するように調整される。
第48図の設計要素は、第47図の装置790をどのように、複数の極化領域
を含む1×3スイッチに転換するかも示す。この装置はこの場合も、所望の数n
(n=3)の射出分岐を有する永久分岐ウェーブガイドを含む。この場合も、ウ
ェーブガイド境界、このウェーブガイド境界の、入射ウェーブガイドの境界への
円滑な延長部、接合領域をかなり越えた距離で射出ウェーブガイドを横切る垂直
境界によっていくつかのゾーンが画定される。この場合も、図のように最外ゾー
ンを最外ウェーブガイドの外側を越えて延ばし、入射をテーパ付けすると有用で
ある。各ゾーンは、共通のゾーン境界を有する近傍のゾーンとは逆の方向へ極化
される。同じ極化方向を有するゾーンは、頂点を共有するに過ぎない。入射ウェ
ーブガイド領域を最内ゾーン(すなわち、入射ウェーブガイドの最も近くのゾー
ン)とは逆方向へ極化することが好ましい。第48図で、最内ゾーンはゾーン2
および4と呼ばれている。このゾーン・ベースの極性選択手順によってゾーン2
および4のみが逆極化され、それに対してゾーン1、3、5、すなわち射出ウェ
ーブガイド・ゾーンは正極化される(周りの領域が極化される場合はその領域と
同じ方向)。4つの射出ウェーブガイドを使用する場合、9つのゾーンがあり、
すべての射出ウェーブガイドゾーンを含め、このうちの6つは逆極化される。し
たがって、射出ウェーブガイドが電位基板極化とは逆に極化されるのは偶数のス
プリッタだけなので、偶数の射出ウェーブガイドを有するスプリッタ実施態様は
利点を有し、最後の分割点で拘束が向上し、「オン」状態に関する透過率がより
高く、「オフ」状態での逆方向絶縁がより良好であるという利点も有する。各領
域の上方に別々の電極が配置される。
この装置を操作するには、各ゾーンに独立に電界を印加するが、この場合、極
性に関する規則は異なる。極性は、対応するゾーンが所望のウェーブガイド内に
含まれているかどうかと、下方の極化領域の極性の2つの因子によって決定され
る。たとえば、正極化領域に正の極性を印加すると屈折率が増加する場合、下記
の選択規則に従う。ゾーンが正極化されている場合、ゾーンが所望のウェーブガ
イドの内側にある場合には正の電気励起極性が選択され、ゾーンが外側にある場
合は負の極性が選択される。ゾーンが逆極化(負)されている場合、ゾーンが所
望のウェーブガイドの内側にある場合には負の極性が選択され、ゾーンが外側に
ある場合は正の極性が選択される。表2に、第48図に示した3つの射出ポート
を含むn=3ケースに関するゾーンの最適な極化方向を示す。1×n個のスイッ
チおよびn×n個のスイッチの設計は、第46図、第47図、第48図の説明か
ら帰納することによって導かれる。
本明細書で説明する平面構成要素は、電子光学的に制御される装置とウェーブ
ガイド構成要素とを含む多層三次元構造として積み重ねることができる。平面ウ
ェーブガイドおよびスイッチのスタックまたは三次元構造は、電子光学的に活性
の極化可能な薄膜、好ましくはポリマーとバッファ絶縁層を交互に層化しあるい
は付着させることによって製造される。バッファ絶縁層は、絶縁性のものでも、
あるいは導電性のものでもよい。積み重ね構造の利点には、ウェーブガイド要素
がより広い間隔を置いて配置されるのでクロストーク絶縁がより良好になること
が含まれる。層間により多くの光パワーを分散することができるので、より高い
パワー処理機能も達成される。必要に応じて、個別の層を使用して表示装置内で
個別の波長を分散することができる。
活性光学ウェーブガイド/切替層を適切な基板上に付着させた後、前述の技法
を使用してこの層の極化を行う。ある活性層を隣接する層から絶縁するには低屈
折率のバッファ層が必要であり、このようなバッファ層は、平面に垂直な次元で
所望の案内を確立するように設計される。たとえば、SiO2のバッファ層を使
用することができる。次に、光学的に活性の層から絶縁されるので金属層で製造
することができる接地平面を付着させ、その後に薄いバッファ層を付着させる。
バッファ層は、電極および接地平面のそれぞれの異なる層間の印加電圧に耐える
こともできなければならない。ポリマーでは、大きな面積を極化することができ
、SiO2などの透過バッファ層を付与した後でも、前述のUV照射技法によっ
て所望の領域を選択的に非極化してウェーブガイド微細形状を作製することがで
きる。あるいは、極化を電気的に行うこともできる。ポリマーを用いる場合、U
V照射によってある層を非極化しても、下方の金属接地平面による遮蔽のために
、その後方の層は影響を受けない。次いで、標準マスキング技法およびコーティ
ング技法によって金属電極および導電経路を形成し、その後に別の絶縁バッファ
層および次の活性層を形成することができる。バッファ層は、後に続く活性光学
ウェーブガイド/切替層の損失を最小限に抑えるために平面化すべきである。層
を付加するこの工程は、所与の装置に必要な回数だけ繰り返すことができる。
極化装置スタック用の活動化経路および電極をマスクする製造技法の変形形態
は、電子光学層を絶縁層で被覆することである。その後、この絶縁層に対してド
ーピングまたは注入が行われ、標準リソグラフィック・マスキング技法を使用し
てこのバッファ層内に導電パターンが形成される。バッファ層に電極を組み込む
ことによって、積み重ね装置の厚さが最小限に抑えられる。
それぞれの異なる電子光学活性材料からなる混成装置を使用して製造上の複雑
さを改善することができる。たとえば、ウェーブガイド装置を含む第1の電子光
学活性層を、支持基板としても働くLiNbO3基板内に製造することができる
。次に、ニオブ酸リチウム装置用のバッファ層および電極層を付着させる。次い
で、次の活性層、たとえば極化可能なポリマーを付着させる前に、導電平面を間
に挟む2つの絶縁バッファ層を装置上に被覆する。その後に続く層を前述のよう
に形成し、極化し、パターン化する。バッファ層間の導電平面は、電極として各
ポリマー層の領域極化を可能にすると共に、前の層を極化プロセスから遮蔽する
ように働くことができる。
積み重ねウェーブガイド・アレイはたとえば、自由空間ビーム操作用のステア
リング装置として使用することができる。密に積み重ねられ光源アレイに位置合
わせされた、電気的に活動化され個別にアドレス可能なウェーブガイド要素は、
光放射を放出する制御可能なフェイズド・アレイを形成する。ビームの相対位相
は、前述のように極化ゾーン上の電圧を変化させることによって調整することが
できる。線形ランプ内のこのような位相を調整することによって、ウェーブガイ
ド・アレイからの放出光をアレイの平面内である方向に急速に掃引することがで
きる。それゆえ、平面上の装置の直列アレイは平面内においてのみ掃引が可能で
ある。しかし、極化ウェーブガイド・アレイ平面を垂直方向に三次元バルク装置
として一体化すると、装置から放出される光線を2つの次元に送ることができる
。
この概念を拡張したものとして、ウェーブガイド格子リフレクタのスタックを
使用するマルチモード・レーザ・バー・アレイのモード制御がある。ウェーブガ
イド・スタックは、レーザ・ダイオード・アレイに突き合わせ結合されるように
次元的に整合される。個別の要素の位相を制御することによって、多要素レーザ
・バーの放出モード・パターンを制御することができる。単一モード・ウェーブ
ガイド拘束が必要とされない装置では、たとえばマルチモード・アレイまたはバ
ルク・アレイを積み重ねて、切替極化装置のパワー処理能力を高めることもでき
る。
第49図は、図を明確にするために単一のウェーブガイド列のみが示されたフ
ェイズド・アレイ・ウェーブガイド・スタック部1630の実施形態を示す。光
放射1640は、極化可能なポリマーなど、電子光学的に活性の薄膜1650で
製造されたウェーブガイド1638を通じてスタック1630に進入する。この
場合、入射ビーム1640は、波長は同じであるがそれぞれの異なる位相を有す
るビームを表すために千鳥状に示されている。光はウェーブガイド1638に沿
って伝わり、ウェーブガイド1638内で極化領域1634に出会う。極化領域
1634内では、前述の技法を使用して屈折率を電子的に修正することができる
。ビーム1642は、各光波が、位相が位置合わせされた射出成分ビームを生成
するように個別に位相調整された後の、フェイズド・アレイの射出を表す。
他の多数の入射波態様および射出波態様が可能である。たとえば、平坦な位相
波面を有する単一モード・レーザ・ビームはウェーブガイド要素のある領域を照
明することができ、ウェーブガイド要素は次いで、ビームの空間モードを横切っ
て任意の位相遅延を課し、それによってビームを自由空間で電子的に操作できる
ようにする。この方法を使用する方向性ビーム制御装置は、現行の機械的装置ま
たはA−O装置よりもずっと高速でずっと小型である。本明細書に記載され、あ
るいは当技術分野で知られている光学電気ピックアップ装置を使用して、積み重
ね装置の内部または外部の位相差または複数の周波数成分の存在を検知し、フィ
ードバック・ループに関する瞬間情報を与えることができる。
本明細書に表した装置セグメント1630は、電極、バッファ層、極化可能材
料を下記のように交互に付着させることによって、SiO2などの基板1632
上に構成される。不透明金属被膜またはインジウム酸化スズなどの透明導電材料
で構成された広面積平面電極1654を付着させ、その後にSiO2などの電気
的に絶縁性のバッファ層1652を付着させる。このバッファ層は、次の極化可
能材料層1650に製造されるウェーブガイド1638用の下部境界層としても
働く。極化構造を活動化するために使用されるパターン化電極1636を付着さ
せる前に、極化可能な層1650上に他のバッファ層1652を付加して上部ウ
ェーブガイド境界を形成する。次いで、他のバッファ層1652を付加し、今回
はパターン化電極を次の層、すなわち他の広面積平面電極1654から電気的に
絶縁させる。パターン化電極1636は、厚いバッファ層によってのみ一方の平
面電極から分離され、バッファ層および極化可能な材料によって他方の平面電極
から分離される。極化可能な材料を横切って電界を印加することが望ましいので
、極化可能な材料を横切る電気的分離は、バッファ層のみを横切る分離よりも弱
くすべきである。広面積電極間の層化シーケンスは、最後の極化可能材料層16
50まで繰り返され、その後、スタックを完成するのに付加する必要があるのは
バッファ層1652、パターン化電極1636、任意選択の最後の絶縁層165
2だけである。電気リード線1646および1648をそれぞれ、当技術分野で
知られている一体化技法および結合技法を通じて電極1636および1654に
接触させ、電圧分配制御装置1644に接続する。
電圧制御装置1644は、極化装置を個別に活動化することと、近傍の活性要
素層を制御するために使用される電界から各極化装置を絶縁させることの2つの
目的を有する。装置1644は基本的に、結合されている浮動電源の集合であり
、装置1644では、ある活性層を間に挟む電極1636と電極1654との間
の電圧を、他の活性層を横切る電圧差を変化させることなしに制御することがで
きる。
領域1634は、1つまたは複数のドメインを含む極化領域を示し、電極16
36は、1つまたは複数の絶縁要素を含む連続領域またはセグメント化領域また
はパターン化領域を示す。ウェーブガイド・スタック1630は、位相制御用の
装置として表されているが、ウェーブガイド構造のスタックには、光学的に直列
接続され、あるいはその他の方法で構成された、本明細書で説明する極化装置の
任意の数の組合せを含めることができる。
第50図は、従来技術の調整可能な減衰器1400を示す。入射ウェーブガイ
ド1402は、基板1404の電子光学的に活性の領域を横切る。入射光線14
06は、入射ウェーブガイドに沿って射出ウェーブガイド1408内へ伝搬し、
射出光線1410を形成する。電極1412、1414、1416は、電極14
14が2つの電極1412および1416に対して所与の極性(正または負)で
励起されたときに、電子光学効果のために、ウェーブガイドのセグメント141
8領域内の、電極の下方の位置および電極に隣接する位置で屈折率の変化が誘導
されるように、ウェーブガイドの上方に配設される。この電極構成は、ある程度
任意のものであり、第50図で表した従来技術に示した構成とは異なり、かつそ
のような構成よりも複雑なものでよいが、すべてのパターンが共通に有する共通
因子として、一般に、それらのパターンは、ある電圧に励起されたときにコアの
屈折率を低減させ、周りの領域の屈折率を増加させる。
印加電界がないときには、ウェーブガイド・セグメントの損失は小さく、主と
してウェーブガイド壁に沿った粗面上の散乱によって決定される。しかし、電界
を印加すると、損失を非常に大きな値に増加させることができる。3電極パター
ンによって、ウェーブガイドの外側で正の屈折率変化が発生するのと同時にウェ
ーブガイド内部で負の屈折率変化を発生させ、屈折率プロファイルをかなり平坦
で幅の広いものにすることができる。電界を印加すると、電極の下方のウェーブ
ガイド1418の修正部は、ウェーブガイドの入射部1402および射出部14
08に対してずっと幅の広い最下位モード・プロファイルを有する。その結果、
入射ビーム1416が部分1418に遷移するときにも、部分1418内の光が
射出ウェーブガイド1408に結合されるときにも、モード結合損失が発生する
。屈折率変化が十分に大きなものである場合、最下位モードが遮断周波数よりも
低くなり、ウェーブガイド1402の端部から現れる光がほぼ自由に基板内へ回
折し、そのため、ウェーブガイド1408の始めで大きな結合損失が生じる。
所与のモードがウェーブガイドの修正部1418に進入すると、このモードの
強度プロファイルと修正部1418のモード・プロファイルとの間の重なり合い
が、修正セグメントの屈折率プロファイルの変化によって低減される。セグメン
ト1418がマルチモードである場合、いくつかの伝搬モードおよび放射モード
が励起される。単一モードである場合、多数の放射モードが励起される。次いで
、これらのモードの組合せがセグメント1418の遠い端部へ伝搬し、射出ウェ
ーブガイド部1408に結合され、この場合、光の一部のみがウェーブガイドの
モードに結合され射出ビーム1410を形成する。電極に印加される電圧を制御
することによって、装置1400の損失を非常に低い値から非常に高い価に調整
することができる。
得られる最大損失は、屈折率変化の大きさ、励起領域の寸法、励起領域の長さ
、入射ウェーブガイドおよび射出ウェーブガイドが単一モードであるか、それと
もマルチモードであるかに依存する。形状の変形形態では、ウェーブガイド・セ
グ
メント1418の上方に2つの電極のみを配設し、ウェーブガイド・セグメント
内の屈折率を低減させ両側ではなく一方の側の屈折率を増加させることができる
。この機能はこの場合も減衰器であるが、排除された放射電界は装置から出て、
屈折率が増加された側へ向かう。損失放射を方向付けるこの能力は、排除された
光を制御する必要があるある種のシステムで有利である。セグメント1418の
下流側の一方の側または両側にアブソーバを配置し、排除された光がシステム内
の他の場所で他の機能に干渉するのを防止することができる。
第51図は、極化切替減衰器1420を示す。この装置は、極化領域を使用し
て屈折率変化の画定を向上させ、屈折率の不連続性を増大させ、それによって単
一の段で得られる減衰の量を増加させるという点で、第50図の従来技術の装置
を改良したものである。領域1422および1424は、周りの材料とは逆の方
向に電子光学的に極化される(代替策として、周りの材料を非極化することも、
あるいは周りの材料が電子光学係数を有さないようにすることも、あるいは単に
周りの材料を領域1422および1424とは異なるように極化することもでき
る)。中央電極1426は、極化領域と周りの材料の両方を覆う。中央電極14
26は、極化領域1422、1424および周りの材料内で屈折率変化を発生さ
せるように電極1428および1430に対して励起される。装置1420は装
置1400を参考にして、前述した方法と似た方法で作動する。印加電圧によっ
て、ウェーブガイド・セグメント1418の屈折率プロファイルが縮小され拡大
され、射出ウェーブガイド1408のモードと、入射ビーム1406によってセ
グメント1418内で励起されるモードとの間の結合が低減される。この構成で
は、修正ウェーブガイド領域1418の始めで屈折率プロファイルの変化が急激
に起こり、したがって損失がより大きくなる。極化セグメント1422および1
424の数および形状は、励起されたウェーブガイド・セグメント1418との
モード結合が、励起されないセグメントとのモード結合と異なるものであるかぎ
り変更することができる。この装置は、電気的に励起されない状態で損失が大き
くなるように構成し、電気的に励起された状態で損失が小さくなるように調整す
ることができる。この場合、電気的に励起される領域または極化領域、あるいは
その両方は、ウェーブガイド・セグメント1418の構造の一部を形成する。ウ
ェーブガイド・セグメント1418自体は、特に、完全に励起がないときに損失
が存在しない場合、多数の異なる方法で構成することができる。その場合、装置
は第29A図の切替ウェーブガイド変調器に類似するものになる。
前述のように、これらの装置を縦続接続し、この場合は最大減衰を増加させる
ことができる。
第50図および第51図の装置は、可変強度局所化(「点」)光源として操作
することもできる。ウェーブガイド1402内を伝搬する光は、電極構造に電圧
が印加されるまでウェーブガイドの経路に従うように拘束される。屈折率を変化
させることによってウェーブガイド効果が低減または破壊されると、前に拘束さ
れた光線の一部またはすべてが、自由空間回折理論に従って伝搬する。その回折
ビームは、引き続き順方向へ伝搬し、同時にビーム領域が2つの次元で拡大し、
ウェーブガイド1408のコアよりもずっと大きくなる。電極構造から適当な距
離で、ビーム領域は基板アパーチャの大部分を満たし、ビューアには電極構造の
近くの空間位置から放出する点光源として見える。
必要に応じて、この技法を用いて一次元局所化光源を構築することもできる。
電極構造に適当な電圧レベルが印加されたときにモードの横拘束が破壊され、そ
れに対して平面ウェーブガイド内の垂直拘束が破壊されないように、当技術分野
で知られている技法を使用して製造された平面ウェーブガイド構造に第50図お
よび第51図のウェーブガイド・セグメント1418を埋め込むことができる。
したがって、ビーム領域は1つの次元で拡大し、光を幅の狭い平面に拘束する。
第52図は、角度拡大極化格子を含む極化装置1500を示す。帯域幅を広げ
る、図の方法は、第18図を参照して説明し、かつ本明細書の他の箇所で説明す
る帯域幅修正手法の代替策である。周期構造1500は、好ましくは基板150
4の極化領域へ逆極化される極化領域1502と共に示されている。ウェーブガ
イドや電極や追加格子など他の構造が、必要に応じて組み込まれる。ドメイン1
502は、50%デューティ・サイクルで厳密に繰り返されるパターンで入射ビ
ーム1508の中心伝搬軸に交差する。極化領域の頂面の側面はすべて、位置合
わせ点1506から引かれた線に沿って整列する。極化領域は、その表面形状を
材料内にある距離だけ再生する。この結果、極化基板の横位置と共に線形に変化
する周期性を有する極化構造が得られる。極化領域を横切る入射ビーム1508
は、自由に伝搬するガウス・ビームでよく(ドメインが深く極化される場合)、
あるいはウェーブガイド1512内に拘束することもできる。格子の機能に応じ
て、フィルタされあるいは周波数変換された射出ビーム1510に入射ビームを
結合することも、あるいは再帰反射されたビーム1514に入射ビームを結合す
ることもできる。格子構造(したがって、その帯域幅)の周期性の範囲は、ビー
ムの幅およびビームの軸からの点1506の離隔距離に依存する。これらの数量
を調整することによって、格子に入る一次周期の数によって決定される最小値に
対して極化構造の帯域幅を大幅に増加させることができる。極化境界の望ましい
最大角には制限があり、したがって第52図に示した構造を制限なしに延ばすこ
とはできない。しかし、いくつかのセグメントを縦続接続することによって長い
相互作用領域を得ることができる。セグメント間のコヒーレンスを最大にするに
は、ビームの中心軸に沿ったドメインの周期性を、セグメント間の継手では未修
正のままにしておくべきである。セグメント間には少なくとも1つのくさび形ド
メインがある。
格子の帯域幅を増加させると、相互作用強度が低減するが、小さな周波数ドリ
フトの影響をほとんど受けない格子を使用する装置が作製される。たとえば、角
度拡大格子を使用する周波数二倍装置は、温度ドリフトの耐性がより高い。他の
応用例は、使用しなければならない強力な格子のために狭い帯域幅を有する傾向
があるチャネル・ドロッピング・フィルタである。角度拡大格子を使用すること
によって、広げられた通過帯域は、高帯域幅通信信号を受け入れることができる
。角度拡大格子は、前述の他の格子構成に適用することもできる。
前述の厳密なパターンに従わない角度拡大格子を実施する代替策がある。たと
えば、格子周期の角度と伝搬軸に沿った距離との間の関係は、線形よりもずっと
複雑であることがある。大多数の相互作用パワーが格子の一端に存在するいくつ
かの応用例では、2次関数的変形形態または指数関数的変形形態の方が妥当であ
る。内部拡散格子、イオン交換格子、エッチ格子など、従来技術型の格子に角度
拡大技法を適用することもできる。
湾曲ウェーブガイドを使用する代替角度拡大装置1520を第53図に示す。
この場合、極化領域1522は平行な面を有し、面の角度は、ガイド内の局部伝
搬方向に対して傾斜するに過ぎない。この場合も、帯域幅は、格子のそれぞれの
異なるフーリエ成分を受ける光波のそれぞれの異なる成分によって広げられる。
湾曲ウェーブガイドは、直線ウェーブガイドよりも大きな損失を有するが、大き
な曲率は必要とされない。第53図に示したいくつかの部分を連結し、たとえば
、ほぼ真っ直ぐな線の周りで前後に波動する正弦ウェーブガイド構造を形成する
ことができる。第54図は、制御可能な極化レンズ1530を示す。同心状に構
成されたドメイン1532、1534、1536、1538は、基板の極性とは
逆の極性で電子光学基板1540内に極化される。透明電極1542および15
44は、装置の2つの対向表面の、極化領域の上方および下方に付与される。2
つの電極間に電界を印加すると、極化領域の屈折率が、極性に応じて増減する。
極化領域の形状は、所与の色の光波を合焦させる回折要件によって決定される。
境界間の離隔距離は、ほぼ2次関数的に半径と共に変動する。たとえば、応用例
において平面波を丸いスポットに合焦させる必要がある場合、極化領域は(両方
の平面で等しい合焦を行うために)丸く、極化領域の直径が増加するにつれて量
を減少させることによって分離される。極化領域の境界は、レンズ構造の表面で
の入射波に対する所望の射出波の位相によって決定される。極化領域の境界は、
光波の相対位相がπだけ変化するたびに現れる。たとえば、入射波が平面波であ
る場合、その位相は表面に沿って一定である。射出波は、表面から離れたスポッ
トで合焦する収束波である場合、基本的に球面波であり、位相は、球面波が境界
を決定するという点で変化する。レンズ1530は、印加電圧に応じた調整可能
な位相遅延を含む位相プレートであり、ドメインは物体のフレネル帯を占有する
。
所与の色の平面波を合焦させるには、平面波をπだけ位相遅れ(または進み)
させるのに十分な電圧を印加する。それぞれの異なる周波数は、極化レンズ15
30のフレネル帯構造によって決まる異なる焦点長を有する。周波数が高いほど
焦点長が長くなる。分散がない場合、あらゆる波長が同じ電圧で最適に合焦する
。電圧は、基板材料1540内の分散を補償するように調整することができる。
電圧を最適値から離れた値に調整する場合、それぞれの異なるゾーンからの光の
位相がもはや最適に付加されないので、スポットに合焦される光の量が減少する
。
光どうしが部分的に破壊的に干渉し、正味強度を低減させる。
第55図は、レーザ・フィードバック装置1450を示す。このレーザ光源は
、増幅器領域1452と、背部リフレクタ1454と、低反射射出領域1456
、たとえば反射防止被覆窓とからなる。従来型のレーザは第2のハイ・リフレク
タを有するが、本発明では、格子フィードバック装置がレーザの振動を制御でき
るようにハイ・リフレクタが取り除かれる。射出領域1456およびカプラ14
58からの反射は、レーザが外部光源からの追加フィードバックなしには作動し
ないほど低い。外部フィードバック光源は、光学結合システム1458と、電界
によって励起される光学増幅器からビームを反射させる極化材料1460とから
なる。極化材料1460の反射スペクトルは周波数空間の幅が非常に狭いので、
格子周期の分布に応じて格子を構成する単一または複数の周波数の周りの、レー
ザが動作できる幅の狭い領域を選択することができる。共振器の空洞が、FSR
が反射スペクトルの幅と同程度になるほど低い場合、この組合せ装置は、単一の
長手方向モード上で振動する。
光学増幅器と材料1460との間で光エネルギーを結合する手段1458は、
レーザの射出モードを収集し極化材料に再合焦させる。カプラ1458は、GR
IN(グレーデッド・インデックス)レンズや、非球面レンズや、回折レンズや
、多要素球面レンズなどの高開口数レンズ、テーパ付きウェーブガイド、ウェー
ブガイドどうしを突き合わせ結合する場合の近接アジャスタおよびアライナのう
ちの1つまたは複数を含め、多数の代替実施態様からなる。カプラ1460の表
面には反射防止コーティングを施すことが好ましい。ARコーティングは、多層
誘電コーティングでも、あるいはゾル・ゲル・コーティングでも、あるいは適当
な屈折率を有する材料の4分の1波層(隣接する2つの媒体の相乗平均)でもよ
い。材料をバルク極化する場合、材料1460内の最適焦点は、極化領域の長さ
にほぼ等しいレイリー範囲を有する。材料が、伝搬ビームを拘束するウェーブガ
イドを有する場合、光学結合システムは、ウェーブガイドの入口でレーザ・モー
ドを、位相波面角、曲率半径、横次元に関してウェーブガイドの所望のモードに
整合するモード・プロファイルに最適に変換すべきである。極化構造は、好まし
くは逆に極化された少なくとも2種類のドメイン1461および1463からな
る。極
化材料は、極化領域を横切って延び、電源1466によって電気的に励起するこ
とができる電極1462および1464を有する。電極に電圧を印加すると、材
料内の誘導電界によって、極化方向および電界強度に応じて空間的に変動する屈
折率変化が発生する。極化において周期構造を誘導することによって、屈折率の
電気的に制御可能な周期変調を誘導することができる。
増幅器1452は、中心光軸によって特徴付けられた拡張領域にわたって光学
利得係数を生成するのに必要な取り付け構造および励起構造を備える。増幅器の
光帯域幅は、利得を生じさせるプロセスに応じて制限される。帯域幅は、利得プ
ロファイル、すなわち光周波数の関数としての利得の依存性の幅(通常、3dB
全幅)である。半導体ダイオード技法(InGaAs、AIGaAs、AIGa
InP、InGaAsP、ZnSe、GaN、InSbなど)は、大きな帯域幅
を与えるうえで有利である。ただし、この場合、ハイパワーを供給することはで
きない。光学リフレクタ1454は、フィードバック・ミラーであり、増幅器の
背面から伝搬するモードを増幅器自体に反射するように半径がモードの位相波面
に位置合わせされ整合されたバルク・ミラーであってよい。あるいは、ウェーブ
ガイド増幅器(Nd:YAG、Er:YAG、Nd:LiNbO3、Er:Li
NbO3、希土イオンと結晶宿主またはガラス質宿主の様々な組合せ)の場合、
光学リフレクタ1454は、ウェーブガイドに垂直にクリーブまたは研磨された
増幅器の面でよい。共振器の形状がリング形であり、光の単方向性伝搬が可能で
ある場合、光学リフレクタは、増幅器を通過しない、材料1460から反射され
た光を収集し、前のパスの場合と同様なモード特性を用いて、この光を位置合わ
せし増幅器を通じて材料1460に再合焦させるために、少なくとも2つの要素
で構成された多要素構造である。
ビームと周期的極化材料1460とのいくつかの相互作用が可能である。増幅
器1452の利得プロファイル内で光を再帰反射させるのに必要な周期の倍数を
周期性として選択する場合、この装置は、(上位)電界制御式フィードバック・
ミラーとして機能する。電圧1466をオンに切り替えたときにレーザをオンに
し、それによって格子の帯域幅内で再帰反射を生成することができる。次いで、
レーザの振動が電界の強度に比例するので、その電圧を変調することによってレ
ーザ出力を振幅変調することができる。変調制御手段1466は、所望の電界を
材料1460内に時間の関数として確立するのに必要な電圧および電流を与える
。レーザは、材料1460とレーザ・リフレクタ1454との間の光の往復周波
数の倍数に等しい周波数で変調制御手段1466を操作することによってモード
ロックすることもできる。極化構造1450の反射率は同じ周波数で変調される
ので、2つのフィードバック・モニタ1450と1454との間で共振する光線
は、もちろん往復周波数で動く1つのパルス(または複数)に分割される傾向を
有する。周波数が往復周波数の倍数(1×,2×,3×,...)である場合、
パルスがリフレクタ1450に接近するたびに反射率が高くなる。倍数が大きく
なるにつれて、反射率が高いままである時間が短くなり、したがってより短いパ
ルスが生成されるが、往復光通過時間内の他の高反射時間に形成される傾向があ
る追加パルスを抑制する何らかの手段が必要である。追加パルスは、やはり往復
周波数の信号の成分をリフレクタ1450に印加し、あるいはやはり増幅器14
52を変調することにより、あるいは従来型の追加構成要素を含む他の手段によ
って抑制することができる。光射出はビーム1468または1469として抽出
することができる。
周期リフレクタは特定の周波数でしか動作しないので、レーザは、フィードバ
ック装置1450を使用することによって周波数安定化される。極化構造の帯域
幅の外側の入射周波数は反射されない。簡単な構造では、帯域幅は、その周波数
成分を含む極化領域の長さに入る一次格子周期の数の逆数によって決定される。
複数の周期を有するより複雑な構造では、帯域幅は、入射ビーム伝搬方向および
反射ビーム伝搬方向の二等分線角に沿った極化構造のフーリエ変換によって決定
される。フィードバックは限られた周波数範囲にしか存在しないので、装置14
50の射出周波数は、極化構造が簡単なミラーで置き換えられた自走レーザ発振
器の射出周波数よりもずっと狭いものにすることができる。反射の帯域幅が、リ
フレクタ1454と極化構造とで形成された拡張空洞の長手方向モードの離隔距
離に匹敵するものである場合、装置は単一周波数モードで動作する。
安定化特性は、利得が非常に高く広帯域である半導体ダイオードの場合に特に
有用である。ダイオード・レーザを用いる場合、射出領域1456からの反射な
ど、望ましくないすべての内部反射を非常に低い値(10-3よりも低い値など)
に維持することが好ましい。
電極1462および1464は、応用例に好ましい電界貫通・駆動電圧に応じ
て、基板の同じ面上に配置することも、あるいはそれぞれの対向面上に配置する
こともできる。レーザと切替リフレクタとを含む共振器は、第55図に示した線
形共振器ではなくリング形共振器でもよい。当技術分野で知られているようにリ
ング形共振器を形成するには追加光学要素が必要であり、極化材料1460から
の反射は、垂直入射時には発生しない。格子の周期性および角度は常に、相互作
用に仮想光子を付加した場合に入力光子と出力光子との間で運動量が保存される
ように調整しなければならない。この制約によって、極化格子の角度および周期
が決定される。
第56図は、ウェーブガイドを含むレーザ・フィードバック装置1470を示
す。ウェーブガイド1472を極化材料1460に組み込み、光線を長距離にわ
たって拘束することができる。これは、顕著な反射を生成するために相互作用長
を必要とする装置や、すべての光がウェーブガイド内で経路指定される一体型装
置で特に有用である。構造を頑丈にし動作を効率的にするには、第56図に示し
たように、半導体ダイオード・レーザやダイオード・ポンプ半導体レーザなどの
ウェーブガイド・レーザ1474をウェーブガイドに突き合わせ結合することが
できる。突き合わせ結合において、光学結合システム1458は、表面1475
および1477上のARコーティングと、位置合わせを維持するのに必要な位置
合わせ構造および取り付け構造である。光学増幅器1474のウェーブガイドと
極化基板1460のウェーブガイドは、光学増幅器から基板の方へ放射された光
電界位相波面が最適な範囲で、ウェーブガイド1472内を伝搬するモードの位
相波面と同じ角度、半径、横次元を有するように位置合わせされる。2つのウェ
ーブガイドの離隔距離は、レイリー範囲内であるべきであり、ウェーブガイドの
同軸位置合わせからの偏差は、横モード寸法の一部よりも小さくすべきである。
ウェーブガイド1472と増幅器1476内のガイドのどちらかを、この重なり
合いを最適化するようにテーパ付けすることができる。ウェーブガイド装置では
、極化領域1478および1480が基板1460全体にわたって延びる必要は
な
い。電極1482、1484、1486は、ウェーブガイド1472が横切る極
化領域の上方に配設される。電極1484を電極1482および1486に対し
て励起すると、基本的に極化基板の構造によって決定される構造を有するウェー
ブガイド内に、ある屈折率パターンが生成される。この屈折率パターンは、第5
5図を参照して説明したようにリフレクタとして働くことも、あるいは前述のよ
うに他のウェーブガイドとのカプラとして働くことも、あるいはその両方として
働くこともできる。スルー・ポート1488と増幅器1489の対向端部のどち
らかで装置から光射出を抽出することができる。
基板材料がニオブ酸リチウムや、タンタル酸リチウムや、KTPなどの非線形
光学材料である場合、基板1460に周波数二倍器を組み込むことができる。準
位相整合二倍器は、フィードバック格子構造の一部とし組み込むことも、あるい
はその前に組み込むことも、あるいはその後に組み込むこともできる。格子構造
が複数の反射周波数を組み込んでいる場合、光学増幅器1452または1474
を利得帯域幅内の1つまたは複数の周波数で振動するように誘導することができ
る。この場合、非線形周波数変換器は二倍器ではなく和周波数ミキサでよく、あ
るいはいくつかのそのような装置を縦続接続して、複数の周波数出力からなる複
数の周波数組合せを形成することもできる。
上記で極化構造、その励起、その使用モードに関して説明した変形形態は、外
部光学増幅器と組み合わせて適用することもできる。特に、第55図および第5
6図の構造をそれぞれ、第14図および第15図の同調可能な格子と組み合わせ
ることによって、周波数同調可能なレーザを実現することができる。前述のよう
に、同調は、平均屈折率が印加電界と共に変化するように極化格子構造を構成す
ることによって行われる。光学増幅器1452または1474の動作周波数は、
極化構造1460からのフィードバックの周波数によって決定される。したがっ
て、極化構造の平均屈折率のチャーピングまたは変調、あるいはその両方を行う
ことによって、射出周波数のチャーピングまたは変調、あるいはその両方を行う
ことができる。平均屈折率を変化させることによって、格子から与えられる仮想
光子の運動量ベクトルを変化させずに光子の運動量ベクトルが変化する。平均屈
折率が変化した後、古い反射周波数はもはや反射に関して最適に位相整合されて
おらず、ピーク反射率が新しい周波数へ移動している。
第55図および第56図を参照して説明した構成を使用すると共に、第14図
および第15図を参照して説明したように平均屈折率を変化させることによって
、周波数変調(FM)レーザを構築することができる。変調とは、本出願では、
高デューティ・サイクルまたは低デューティ・サイクルを用いてパルスする場合
のように、何らかのパラメータ、このケースでは時間の関数として変化させるこ
と、あるいは正弦的に変化させること、あるいは任意の時間依存性を用いて変化
させることを意味する。電圧を制御し、電界における所望の時間的変化を付与す
るために必要な電流を供給する制御システムを供給することができる。
通常、半導体レーザの最適なフィードバックに必要な格子の反射率は10%未
満である。残りの光は射出用に使用することができる。レーザは、格子チップ上
のウェーブガイド内での光線の拘束、格子内の分散、利得要素内のTM偏光およ
びTE偏光の相対利得に応じて、この2種類の偏光のどちらかで動作させること
ができる。格子の強度は制御可能なので、反射率は、レーザの射出結合を最適化
し射出パワーを最大にするように調整することができる。
同様に、格子を使用してパッシーブまたはビルドアップ空洞のリフレクタを形
成することもできる。レーザ・ビームの空洞への結合は、空洞損失に対する入射
カプラの相対反射率に依存するので、可変反射率入射カプラは、このパラメータ
を最適化する手段を与え、したがって共振器をインピーダンス整合する。
空洞では、半導体レーザなどレーザ・パワーCW源のチャーピングをほとんど
あるいはまったく行わずに、単一パルス切替、またはモード・ロッキング、また
は空洞ダンピングに本発明を使用することもできる。また、同調電位によって、
レーザを通信、分光、リモート・センシング用の光源として使用することができ
る。
第57図は、スイッチ・アレイによって制御される選択可能な波長レーザ14
90を示す。このレーザは、基板1461内のウェーブガイド1472に突き合
わせ結合されたウェーブガイド1476を含むダイオード・レーザ1474であ
ることが好ましい。光学増幅器1474がそれ自体の面の反射で作動しないよう
に表面1475および1477にはARコーティングを施すことが好ましい。基
板は、第30図ないし第32図および第34図ないし第35図のTIRスイッチ
や、第7図ないし第8図および第12図ないし第13図の格子スイッチ構造や、
第10図および第26図ないし第28図のカプラや、第23図、第25図、第3
3図、第46図ないし第48図のスプリッタや、現在知られており、あるいはま
だ発見されていない他の光学ウェーブガイド・スイッチ構造を含め、様々な方法
で実施できるスイッチ1492を支持できる任意の基板でよい。TIRスイッチ
1492については上記で十分に説明したので、この図ではTIRスイッチの存
在を概略的にのみ示す。オン位置では、このようなスイッチは、光エネルギーを
増幅器から、スイッチに関連付けられた一方のウェーブガイド1494に沿って
再経路指定する。
レトロリフレクタ・アレイ1496は、この場合は格子として示されたウェー
ブガイドに配設される。格子は、入射光を特定の周波数で反射させ、レーザは、
格子の帯域幅内で作動する。格子要素は、図では、格子の周期が、レーザから遠
くなるにつれて次第に短くなるように、ある程度離れた点1498の方を向いて
いる。したがって、格子の反射スペクトルはほぼ同じであるが、より短い波長へ
シフトされる。所望の格子周期に関連付けられたスイッチ1492を選択するこ
とによって、レーザの所望の動作周波数を選択することができる。光周波数は形
状によって決定され、一定のスイッチ離隔距離を用いて直線的に離隔された光波
長を得ることができる。必要に応じて、構成の充填密度機能内の任意の波長間隔
を選択することができる。TIRスイッチの挿入損失が低く、かつ充填密度が高
いので、ウェーブガイド1472に沿って多数のスイッチを配設することができ
る。傾斜射出ウェーブガイドも非常に密に充填される。
射出ビームは、光学増幅器1474の背面からビーム1489として抽出する
ことも、あるいはTIRスイッチがウェーブガイド1472に沿ってレーザ光の
一部を漏らすため、ウェーブガイド1472からビーム1488として抽出する
こともできる。第56図を参照して説明したような多数の代替構成もこの構成に
関連するものである。たとえば、リフレクタ・アレイ1496は、多数の技法に
よって製造された永久格子、または切替格子で構成することができる。格子への
光路長を変化させることによってレーザ空洞の異なるFSRが選択される一様な
格子構造でリフレクタ・アレイを構成し、非常に狭い間隔を置いて配置されたス
ペクトル・ピークの選択可能なアレイで単一モード動作を行わせることができる
。リフレクタ・アレイは場合によっては、高反射または可変波長反射を得るため
に被覆することができるウェーブガイド1494に沿った永久ミラー・アレイで
構成することができる。この場合も、ミラーの離隔距離を変化させることによっ
て、レーザ空洞経路長を大きな範囲にわたって切替可能に調整することができる
。
第57図の構造のサブセットは、調整可能な光エネルギー・リディレクタ14
92を使用する変調器と、1つのウェーブガイド1494内の1つのフィードバ
ック・リフレクタ1496である。たとえば、リディレクタ1492の後に続い
て幅が零になるようにテーパ付けすることなどによって、ウェーブガイド147
2を反射しないように構成する場合、レーザはこの場合も、リフレクタ1496
から与えられるフィードバックによって作動する。リディレクタ1492の励起
によってフィードバックされる光エネルギーの量を調整することによって、レー
ザ出力特性を制御することができる。レーザ・パワーはこのように変調すること
ができ、その場合、リフレクタ1496は、固定格子でも、あるいは場合によっ
ては広帯域固定ミラーでもよい。格子リフレクタを用いる場合、レーザ・パワー
を周波数シフトなしに深く変調することができ、ほぼ純粋な振幅変調が行われる
という点で、固定周波数の利点がある。リディレクタ1492を空洞往復時間の
整数倍数で変調する場合、この装置はモード・ロッカであり、パルス出力を生成
する。往復時間とは、空洞内の最初の位置および方向へ戻るために、同軸的に位
置合わせされたパルスによって使用される時間である。それぞれの異なるスイッ
チを使用することによって、パルス離隔距離を変化させるように空洞長を変化さ
せることができる。2つの異なるスイッチを同時に使用することによって、往復
時間の上位倍数でモード・ロッキング周波数と共に成長する傾向がある中間パル
スを除外することもできる。周波数変調は、リフレクタの中心周波数を変調する
ことによって行うことができる。この場合、リフレクタ1496は、第14図な
いし第22図で説明したような同調可能な格子として実施することが好ましい。
第58図は、波長同調調整可能合焦システム1550を示す。第54図のゾー
ン・プレート・レンズ(または不透明ゾーン・プレートやエッチング・ゾーン・
プレートなどの固定回折レンズ)などの回折合焦要素1552と同調可能な光源
1554を組み合わせることによって、データ記憶分野で重要な新しい機能が与
えられる。ゾーン・プレートを調整可能な周波数光源を組み合わせると、焦点ま
での距離は、光源を同調させることによって調整される。この機能は、データ記
憶媒体1558までの様々な距離の位置に積み重ねられたデータ平面1556と
の間でデータが読み書きされる多層データ記憶装置に有用である。(上記で様々
な手段によって説明したように)光源の波長を同調させる場合、ゾーン・プレー
トから焦点までの距離はそれに対応して調整される。波長の変更によるこの焦点
の変更により、アナログ波長の変更によって、ゆがんだディスクの光学データ記
憶表面を瞬間的に追跡することができると共に、光波長の離散的変更によって、
様々な積み重ね平面1556へのランダム・アクセスを用いて所望のデータ表面
を選択することができる。
多平面データ記憶システムを駆動する、選択された周波数調整可能なレー
ザは、前述のような電子的に同調可能な格子1562からのフィードバックに基
づく同調を用いる半導体ダイオード・レーザ1560に基づくレーザ・システム
である。レーザは、準位相整合部1564内で2倍にされた周波数であってもよ
く、その場合、二倍器の受け入れを、光源レーザの有意の同調を受け入れられる
ほど広いものにする好ましい方法は、角度拡大極化格子を使用することである。
レンズ・システム1566は、レーザ射出を、コリメートしゾーン・プレート・
レンズ1552内の最後の焦点に備えて丸くする。
ゾーン・プレートが発散ビームを再合焦させることができるので、レンズ・シ
ステム1566は必要ではない。しかし、ゾーン・プレートを通じて丸いビーム
を得ることが望ましい。というのは、これによって最も小さなスポット寸法が生
成され、したがって最高密度のデータ読み書き機能が得られるからである。装置
1562、1564、1566は、必要に応じて同じ基板上のウェーブガイド内
で実施することができ、前述の面外リフレクタのうちの1つと組み合わせて、基
板の背面上でゾーン・プレート・レンズと一体化し、データ記憶システムを高速
に作動させることができる小型で軽量の装置を得ることができる。
特定の実施形態に関連して本発明を説明した。当業者には他の実施形態が明ら
かになろう。したがって、本発明は、本発明の説明の一部を形成する請求の範囲
で指摘する場合を除いて、制限されるものではない。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ブリンクマン,マイケル・ジェイ
アメリカ合衆国・94061・カリフォルニア
州・レッドウッド シティ・メリーランド
ストリート・1902
(72)発明者 ビシェル,ウイリアム・ケイ
アメリカ合衆国・94025・カリフォルニア
州・メンロ パーク・オリーブ ストリー
ト・740
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.光エネルギーを通過させる固体材料と、 少なくとも、前記固体材料に対向し前記固体材料内の電気的に制御可能な格子 の少なくとも2つの要素をブリッジする第1の電極を形成する第1の導電材料と 、 前記固体材料を横切る光軸に沿って配設され、前記少なくとも2つの要素が、 前記光軸を横切って配設された、光学増幅器と、 前記光軸に沿って前記固体材料と前記光学増幅器との間に配設された光結合手 段と を備えるレーザ。 2.さらに、 前記光軸に沿って配設された光学リフレクタを含み、前記光学増幅器が、前記 光学リフレクタと前記固体誘電材料との間に配設されることを特徴とする請求項 1に記載の装置。 3.さらに、 前記光軸に沿って配設され、前記光学増幅器が、前記光学リフレクタと前記固 体誘電材料との間に配設された、光学リフレクタと、 前記光学増幅器が半導体ダイオードである、前記固体誘電材料内の前記光軸に 沿ったウェーブガイド手段とを含み、 前記光結合手段が、前記半導体ダイオードと前記ウェーブガイドとの間に配設 された突き合わせ結合・反射防止手段を有し、 前記少なくとも2つの要素が、レーザ振動を発生させることができるフィード バック・ミラーを形成することを特徴とする請求項1に記載の装置。 4.さらに、 前記光軸に沿って配設され、前記光学増幅器が、前記光学リフレクタと前記固 体誘電材料との間に配設された、光学リフレクタと、 前記電界生成手段を変調する変調コントローラとを含み、 前記光結合手段が、反射防止型のものであり、前記電界のないときにレーザの 振動を抑制し、 前記格子が、前記電界の強度に比例してレーザ振動を発生させる電界制御式フ ィードバック・ミラーであることを特徴とする請求項1に記載の装置。 5.光信号を振幅変調し、 前記格子が、前記第1のタイプの前記要素と、前記第1のタイプの前記要素と は逆のセンスを有する分極構造である第2のタイプの前記要素を交互に備え、第 1のタイプの要素を横切る平均光距離が、前記光軸に沿って第2のタイプの要素 を横切る平均光距離にほぼ等しいことを特徴とする請求項4に記載の装置。 6.光信号を周波数変調し、 前記格子が、前記第1のタイプの前記要素と、前記第1のタイプの前記要素と は逆のセンスを有する分極構造である第2のタイプの前記要素を交互に備え、第 1のタイプの要素を横切る平均光距離が、前記光軸に沿って第2のタイプの要素 を横切る平均光距離とは異なることを特徴とする請求項4に記載の装置。 7.光エネルギーをモード・ロックし、さらに、 前記光軸に沿って配設され、前記光学増幅器が、前記光学リフレクタと前記固 体誘電材料との間に配設された、光学リフレクタと、 前記格子と前記光学リフレクタとの間の往復光通過時間の逆数である周波数の 倍数である周波数で動作するモード・ロッカとを含むことを特徴とする請求項1 に記載の装置。 8.前記少なくとも2つの要素が、複数の電子光学係数を有する複数のタイプ のドメインで形成され、装置が、さらに、 前記光軸に沿って配設され、前記光学増幅器が、前記光学リフレクタと前記固 体誘電材料との間に配設された、光学リフレクタを含み、 前記光結合手段が、反射防止型のものであり、前記少なくとも2つの要素から の光フィードバックのないときにレーザの振動を抑制し、 各ドメイン・タイプごとの、前記電子光学係数と前記光軸に沿ったドメイン・ タイプを横切る平均距離との積の、すべてのドメイン・タイプの和が零とは異な ることを特徴とする請求項1に記載の装置。 9.光エネルギーを非線形に変換し、さらに、 前記光軸に沿って配設され、前記光学増幅器が、前記光学リフレクタと前記固 体誘電材料との間に配設された、光学リフレクタを含み、 前記固体誘電材料が、前記光軸を横切るそれぞれの異なるドメインのパターン を含み、少なくとも第1のタイプの前記ドメインが、光学的に非線形の構造であ り、第2のタイプの前記ドメインと交互に現れる複数の構成要素を形成し、前記 パターンが、少なくとも2つの異なる周波数の3つの光波間で相互作用するよう に位相整合され、前記3つの光波の周波数の値の組合せがほぼ零であり、少なく とも1つの出射ビームを生成することを特徴とする請求項1に記載の装置。 10.前記要素および前記構成要素が共に、反射光学特性と非線形光学特性の 両方を有する組合せ構造を形成することを特徴とする請求項9に記載の装置。 11.前記光学的に非線形の構造が、周波数2倍器であることを特徴とする請 求項9に記載の装置。 12.前記光学的に非線形の構造が、周波数ミキサであることを特徴とする請 求項9に記載の装置。 13.前記光学的に非線形の構造が、光学パラメトリック発振器周波数2倍器 であることを特徴とする請求項9に記載の装置。 14.前記格子が、少なくとも2つの異なる周期で離隔された、前記第1のタ イプの前記要素と第2のタイプの前記要素を交互に備えることを特徴とする請求 項1に記載の装置。 15.さらに、 前記光軸に沿って配設され、前記光学増幅器が、前記光学リフレクタと前記固 体誘電材料との間に配設された、光学リフレクタと、 電界を誘導するために前記活性領域自体に隣接する電極を有する、前記光軸を 横切る前記固体材料内の少なくとも1つの電子光学的に活性の領域とを含むこと を特徴とする請求項1に記載の装置。 16.前記活性領域が、光合焦装置を画定することを特徴とする請求項15に 記載の装置。 17.前記活性領域が、前記光軸に対して斜めの反射界面を有し、光エネルギ ーを発散させる反射格子を形成することを特徴とする請求項15に記載の装置。 18.前記活性領域が、前記光路に沿った可変拡散電子制御式ウェーブガイド ・セグメントであることを特徴とする請求項15に記載の装置。 19.光エネルギーを通過させる固体材料と、 前記固体材料内の入射ウェーブガイドと、 光軸に沿って配設されたベース・リフレクタと、 前記入射ウェーブガイドに沿った交差領域で前記入射ウェーブガイドに出会う 複数の出射ウェーブガイドと、 それぞれ、前記固体材料に対向し前記固体材料内の少なくとも1つの電気的に 活性の要素をブリッジする第1の電極を形成する第1の導電材料を備える、前記 入射ウェーブガイドに沿って前記交差領域に配設された複数の電気的に切替可能 なビーム・リディレクタと、 電気的に選択可能なレトロリフレクタを画定し、さらに前記ベース・リフレク タと前記格子との間に空洞を画定する、前記出射ウェーブガイドに沿って配設さ れた複数の格子と、 前記固体材料を横切る光軸に沿って配設された光学増幅器と、 前記光軸に沿って前記固体材料と前記光学増幅器との間に配設された光結合手 段とを備えることを特徴とするレーザ。 20.前記光学的に切替可能なビーム・リディレクタが、全内部反射器である ことを特徴とする請求項19に記載のレーザ。 21.前記光学的に切替可能なビーム・リディレクタが、切替可能なミラーで あることを特徴とする請求項19に記載のレーザ。 22.前記格子が、選択可能な周波数動作をサポートするためにいくつかの異 なる周期を有することを特徴とする請求項19に記載のレーザ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/303,801 | 1994-09-09 | ||
US08/303,801 US5504772A (en) | 1994-09-09 | 1994-09-09 | Laser with electrically-controlled grating reflector |
PCT/US1995/012031 WO1996008059A1 (en) | 1994-09-09 | 1995-09-07 | Laser with electrically-controlled grating reflector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10507846A true JPH10507846A (ja) | 1998-07-28 |
Family
ID=23173763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8509725A Pending JPH10507846A (ja) | 1994-09-09 | 1995-09-07 | 電気的に制御できる格子反射鏡を備えたレーザ |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5504772A (ja) |
EP (1) | EP0783781A4 (ja) |
JP (1) | JPH10507846A (ja) |
KR (1) | KR970705855A (ja) |
CN (1) | CN1158671A (ja) |
IL (1) | IL115216A0 (ja) |
WO (1) | WO1996008059A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160062007A (ko) * | 2013-09-27 | 2016-06-01 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 |
KR20200105005A (ko) * | 2019-02-28 | 2020-09-07 | 고려대학교 세종산학협력단 | Ftir 기반 회절 광학 구조체 및 그를 갖는 웨이브 가이드 장치와 증강현실 디스플레이 |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2286057A (en) * | 1994-01-21 | 1995-08-02 | Sharp Kk | Electrically controllable grating |
US5586206A (en) * | 1994-09-09 | 1996-12-17 | Deacon Research | Optical power splitter with electrically-controlled switching structures |
US5703710A (en) * | 1994-09-09 | 1997-12-30 | Deacon Research | Method for manipulating optical energy using poled structure |
US5504772A (en) * | 1994-09-09 | 1996-04-02 | Deacon Research | Laser with electrically-controlled grating reflector |
US5566257A (en) * | 1995-06-08 | 1996-10-15 | The University Of British Columbia | Electro-optic modulator |
US5623561A (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-22 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated optic interferometric sensor |
US5913000A (en) * | 1995-12-29 | 1999-06-15 | Doerr; Christopher Richard | Method and apparatus for guiding optical signals |
US5680495A (en) * | 1996-07-12 | 1997-10-21 | Bloom; Cary | Fiber optic device sealed by compressed metal seals and method for making the same |
US5715271A (en) * | 1996-08-01 | 1998-02-03 | Northern Telecom Limited | Polarization independent grating resonator filter |
JPH10206753A (ja) * | 1997-01-28 | 1998-08-07 | Nec Corp | 波長可変光デバイス |
IT1291194B1 (it) * | 1997-03-14 | 1998-12-29 | Cselt Centro Studi Lab Telecom | Accoppiatore ottico non lineare |
US5987041A (en) * | 1997-04-23 | 1999-11-16 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | Laser apparatus and method for emission of laser beam using same |
JPH1114847A (ja) * | 1997-06-20 | 1999-01-22 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 結合導波路構造 |
US6816296B2 (en) | 1997-10-29 | 2004-11-09 | Teloptics Corporation | Optical switching network and network node and method of optical switching |
US6310712B1 (en) | 1997-10-29 | 2001-10-30 | Teloptics Corporation | Discrete element light modulating microstructure devices |
US6768572B2 (en) | 1997-10-29 | 2004-07-27 | Teloptics Corporation | Solid state free space switch array on a substrate |
JP3259765B2 (ja) * | 1997-12-11 | 2002-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 光入出力モジュール及び光反射器 |
US6122299A (en) * | 1997-12-31 | 2000-09-19 | Sdl, Inc. | Angled distributed reflector optical device with enhanced light confinement |
US5991476A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-23 | Hewlett-Packard Company | Pump directed optical switching element |
US6486996B1 (en) | 1998-10-27 | 2002-11-26 | Teloptics Corporations | Discrete element light modulating microstructure devices |
US6363189B1 (en) * | 1999-03-26 | 2002-03-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Directional coupler |
US6324204B1 (en) | 1999-10-19 | 2001-11-27 | Sparkolor Corporation | Channel-switched tunable laser for DWDM communications |
US6424669B1 (en) | 1999-10-29 | 2002-07-23 | E20 Communications, Inc. | Integrated optically pumped vertical cavity surface emitting laser |
WO2001031756A1 (en) | 1999-10-29 | 2001-05-03 | E20 Communications, Inc. | Modulated integrated optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
US6934313B1 (en) | 1999-11-04 | 2005-08-23 | Intel Corporation | Method of making channel-aligned resonator devices |
US6243517B1 (en) | 1999-11-04 | 2001-06-05 | Sparkolor Corporation | Channel-switched cross-connect |
US7085203B2 (en) * | 2000-03-03 | 2006-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head with defocusing correction and spherical aberration correction |
FR2806527B1 (fr) | 2000-03-20 | 2002-10-25 | Schlumberger Technologies Inc | Colonne a focalisation simultanee d'un faisceau de particules et d'un faisceau optique |
US7058245B2 (en) * | 2000-04-04 | 2006-06-06 | Waveguide Solutions, Inc. | Integrated optical circuits |
US6560259B1 (en) * | 2000-05-31 | 2003-05-06 | Applied Optoelectronics, Inc. | Spatially coherent surface-emitting, grating coupled quantum cascade laser with unstable resonance cavity |
US20020027655A1 (en) * | 2000-09-04 | 2002-03-07 | Shigeo Kittaka | Optical device and spectroscopic and polarization separating apparatus using the same |
JP4659300B2 (ja) | 2000-09-13 | 2011-03-30 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法 |
US6647164B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-11-11 | 3M Innovative Properties Company | Gimbaled micro-mirror positionable by thermal actuators |
US6594413B2 (en) * | 2000-12-28 | 2003-07-15 | Nortel Networks Limited | Optical switching device |
US6711318B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-03-23 | 3M Innovative Properties Company | Optical switch based on rotating vertical micro-mirror |
US6556610B1 (en) | 2001-04-12 | 2003-04-29 | E20 Communications, Inc. | Semiconductor lasers |
US6977767B2 (en) * | 2001-04-25 | 2005-12-20 | Arrowhead Center, Inc. | Plasmonic nanophotonics methods, materials, and apparatuses |
US6859467B2 (en) * | 2001-05-03 | 2005-02-22 | The Regents Of The University Of California | Electro-optic modulator material |
US6717964B2 (en) * | 2001-07-02 | 2004-04-06 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for wavelength tuning of optically pumped vertical cavity surface emitting lasers |
US6858114B2 (en) | 2001-07-03 | 2005-02-22 | The University Of Alabama | Laser hydrolysis of polypeptides |
US20030026316A1 (en) * | 2001-08-01 | 2003-02-06 | Binoptics, Inc. | Wavelength tunable ring lasers |
US6842563B2 (en) * | 2001-10-22 | 2005-01-11 | Oplux, Inc. | Waveguide grating-based wavelength selective switch actuated by micro-electromechanical system |
US7023886B2 (en) | 2001-11-08 | 2006-04-04 | Intel Corporation | Wavelength tunable optical components |
US6690694B2 (en) | 2001-11-08 | 2004-02-10 | Intel Corporation | Thermally wavelength tunable lasers |
US6947453B2 (en) * | 2002-01-17 | 2005-09-20 | Optitune Plc | Tunable diffractive device |
US6647032B1 (en) | 2002-01-31 | 2003-11-11 | Intel Corporation | Thermally wavelength tunable laser having selectively activated gratings |
US6782164B1 (en) | 2002-01-31 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Thermally wavelength tunable laser having selectively activated gratings |
ATE518242T1 (de) | 2002-03-12 | 2011-08-15 | Hamamatsu Photonics Kk | Methode zur trennung von substraten |
TWI326626B (en) | 2002-03-12 | 2010-07-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Laser processing method |
US6760350B1 (en) * | 2002-04-12 | 2004-07-06 | The United States Of America As Represented By The National Security Agency | Method for measuring gain of photonic inverters |
CN100524980C (zh) | 2003-03-19 | 2009-08-05 | 宾奥普迪克斯股份有限公司 | 高smsr单向蚀刻激光器和低背反射光子器件 |
JP4137680B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-08-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 光制御素子の製造方法 |
US7720116B2 (en) * | 2004-01-22 | 2010-05-18 | Vescent Photonics, Inc. | Tunable laser having liquid crystal waveguide |
US20050271325A1 (en) * | 2004-01-22 | 2005-12-08 | Anderson Michael H | Liquid crystal waveguide having refractive shapes for dynamically controlling light |
US8860897B1 (en) | 2004-01-22 | 2014-10-14 | Vescent Photonics, Inc. | Liquid crystal waveguide having electric field orientated for controlling light |
US8463080B1 (en) | 2004-01-22 | 2013-06-11 | Vescent Photonics, Inc. | Liquid crystal waveguide having two or more control voltages for controlling polarized light |
US8989523B2 (en) | 2004-01-22 | 2015-03-24 | Vescent Photonics, Inc. | Liquid crystal waveguide for dynamically controlling polarized light |
US20060140569A1 (en) * | 2004-12-28 | 2006-06-29 | Intel Corporation | Planar waveguides with air thin films used as anti-reflective layers, beam splitters and mirrors |
US7570320B1 (en) | 2005-09-01 | 2009-08-04 | Vescent Photonics, Inc. | Thermo-optic liquid crystal waveguides |
US20070160325A1 (en) * | 2006-01-11 | 2007-07-12 | Hyungbin Son | Angle-tunable transmissive grating |
US8805136B2 (en) * | 2006-05-08 | 2014-08-12 | Photonics On-Fiber Devices, Inc. | On-fiber tunable Bragg gratings for DWDM applications |
US8009279B2 (en) * | 2009-01-12 | 2011-08-30 | Corning Incorporated | Characterization of non-linear optical materials using bragg coupling |
US8152349B2 (en) * | 2009-01-15 | 2012-04-10 | Microsoft Corporation | End reflector for a flat panel lens |
US9366938B1 (en) | 2009-02-17 | 2016-06-14 | Vescent Photonics, Inc. | Electro-optic beam deflector device |
JP2011257337A (ja) | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Seiko Epson Corp | 光学式位置検出装置および位置検出機能付き表示装置 |
JP2011257338A (ja) * | 2010-06-11 | 2011-12-22 | Seiko Epson Corp | 光学式位置検出装置および位置検出機能付き表示装置 |
DE112011100039B4 (de) * | 2010-06-14 | 2014-01-02 | Mitsubishi Electric Corp. | Laserbearbeitungsvorrichtung und Laserbearbeitungsverfahren |
US8995038B1 (en) | 2010-07-06 | 2015-03-31 | Vescent Photonics, Inc. | Optical time delay control device |
CN102412504B (zh) * | 2011-11-25 | 2013-06-12 | 李若林 | 基于相位耦合反射光栅反馈的波长可调谐激光器 |
US9030732B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-05-12 | Raytheon Company | Suppression of amplified spontaneous emission (ASE) within laser planar waveguide devices |
US9419412B2 (en) * | 2013-11-13 | 2016-08-16 | Agency For Science, Technology And Research | Integrated laser and method of fabrication thereof |
US9991872B2 (en) * | 2014-04-04 | 2018-06-05 | Qorvo Us, Inc. | MEMS resonator with functional layers |
US9998088B2 (en) | 2014-05-02 | 2018-06-12 | Qorvo Us, Inc. | Enhanced MEMS vibrating device |
US9236949B1 (en) * | 2014-06-24 | 2016-01-12 | Applied Optoelectronics, Inc. | Laser transceiver with improved bit error rate |
US9989831B2 (en) * | 2016-03-02 | 2018-06-05 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Chip-scale two-dimensional optical phased array with simplified controls |
US9971091B2 (en) * | 2016-03-18 | 2018-05-15 | Singapore University Of Technology And Design | Optical devices and methods for fabricating an optical device |
WO2017171874A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Intel Corporation | Package-integrated piezoelectric optical grating switch array |
US9885870B2 (en) | 2016-04-25 | 2018-02-06 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Diffractive optical elements with analog modulations and switching |
US10725131B2 (en) * | 2016-09-06 | 2020-07-28 | The Royal Institution For The Advancement Of Learning/Mcgill University | Topologically-protected traveling-wave amplifier |
CN106654598A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-05-10 | 中国科学院国家空间科学中心 | 一种非等距排列的极化线栅装置 |
US11243450B2 (en) * | 2017-01-30 | 2022-02-08 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Saw modulator having optical power component for extended angular redirection of light |
US10935868B2 (en) * | 2017-09-28 | 2021-03-02 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | System and method for diffractive steering of electromagnetic radiation |
CN107748307B (zh) * | 2017-09-29 | 2019-09-13 | 华中科技大学 | 一种高功率毫米波模式实时分析系统 |
AT520811B1 (de) * | 2017-12-20 | 2021-06-15 | Donau Univ Krems | Vorrichtung zur messung eines elektrischen felds |
CN112285724B (zh) * | 2020-10-21 | 2023-10-17 | 电子科技大学 | 一种全固态激光雷达及其设计方法 |
EP4086675A1 (en) * | 2021-05-07 | 2022-11-09 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Beam-steering device and method for spatial steering of a light beam |
CN113644542B (zh) * | 2021-07-15 | 2023-03-24 | 上海交通大学 | 基于掺铒铌酸锂薄膜的稳频和调频激光器及制备方法 |
CN113835152B (zh) * | 2021-09-30 | 2024-03-12 | 上海交通大学烟台信息技术研究院 | 一种波导光栅以及一种量程可调的光栅光谱仪 |
CN114637116B (zh) * | 2022-03-15 | 2023-02-10 | 嘉兴驭光光电科技有限公司 | 衍射光波导以及具有其的显示设备 |
FI20245464A1 (en) * | 2023-04-13 | 2024-10-14 | Hycom Core Oy | Tunable optical device |
CN117813736A (zh) * | 2023-07-21 | 2024-04-02 | 海南师范大学 | 一种单片集成多段级联光频梳及其芯片 |
CN117687232A (zh) * | 2024-02-01 | 2024-03-12 | 武汉量子技术研究院 | 基于薄膜铌酸锂的高效电光调制器及方法 |
CN118801218B (zh) * | 2024-07-11 | 2025-03-28 | 天津赛米卡尔科技有限公司 | 一种具有双栅控制的半导体激光器结构及制备方法 |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3813142A (en) | 1972-12-04 | 1974-05-28 | Gte Laboratories Inc | Electro-optic variable phase diffraction grating and modulator |
US4039249A (en) | 1973-03-28 | 1977-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Integrated optical devices including tunable fixed grating |
DE2442652A1 (de) | 1974-09-06 | 1976-03-18 | Siemens Ag | Anordnung fuer durchstimmbare optische wellenleiter-komponenten |
DE2442723A1 (de) * | 1974-09-06 | 1976-03-18 | Siemens Ag | Steuerbarer elektrooptischer gitterkoppler |
JPS5234752A (en) | 1975-04-22 | 1977-03-16 | Hagiwara Denki Kk | Photomodulator |
GB1557484A (en) | 1976-07-09 | 1979-12-12 | Xerox Corp | Electro optic modulator deflector |
US4115747A (en) | 1976-12-27 | 1978-09-19 | Heihachi Sato | Optical modulator using a controllable diffraction grating |
US4410823A (en) * | 1981-11-13 | 1983-10-18 | Zenith Radio Corporation | Surface acoustic wave device employing reflectors |
JPS60260024A (ja) * | 1984-06-07 | 1985-12-23 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光変調素子 |
NL8600782A (nl) * | 1986-03-26 | 1987-10-16 | Nederlanden Staat | Elektro-optisch geinduceerde optische golfgeleider, en actieve inrichtingen waarvan zulk een golfgeleider deel uitmaakt. |
US4835779A (en) * | 1987-05-04 | 1989-05-30 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method and apparatus for the operation of a distributed feedback laser |
US4813771A (en) * | 1987-10-15 | 1989-03-21 | Displaytech Incorporated | Electro-optic switching devices using ferroelectric liquid crystals |
NL8801377A (nl) * | 1988-05-30 | 1989-12-18 | Nederland Ptt | Electro-optische component en een methode ten behoeve van de vervaardiging ervan. |
US5006285A (en) * | 1988-07-28 | 1991-04-09 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Electro-optic channel waveguide |
US5007696A (en) * | 1988-07-28 | 1991-04-16 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Electro-optic channel waveguide |
US4865406A (en) * | 1988-11-09 | 1989-09-12 | Hoechst Celanese Corp. | Frequency doubling polymeric waveguide |
US5103492A (en) * | 1989-01-03 | 1992-04-07 | Lockheed Missiles & Space Company, Inc. | Electro-optic channel switch |
ATE199992T1 (de) * | 1989-02-01 | 2001-04-15 | Univ Leland Stanford Junior | Verfahren zur bildung von bereichen ausgewählter ferroelektrischer polarisation in einem körper aus ferroelektrischem material |
JPH02269323A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子 |
JP2619057B2 (ja) * | 1989-05-22 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザの製造方法 |
US5119393A (en) * | 1989-06-14 | 1992-06-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device capable of controlling wavelength shift |
DE69027368T2 (de) * | 1989-06-30 | 1997-01-30 | Optical Measurement Technology | Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE3931588A1 (de) * | 1989-09-22 | 1991-04-04 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Interferometrischer halbleiterlaser |
US5317576A (en) * | 1989-12-26 | 1994-05-31 | United Technologies Corporation | Continously tunable single-mode rare-earth doped pumped laser arrangement |
US5022038A (en) * | 1989-12-28 | 1991-06-04 | General Dynamics Corp./Electronics Division | Wavelength tunable diode laser |
JPH0667234A (ja) | 1992-08-24 | 1994-03-11 | Hitachi Ltd | 導波路内部共振型shg光源 |
GB9012162D0 (en) * | 1990-05-31 | 1990-07-18 | Kodak Ltd | Optical article for reflection modulation |
US5182665A (en) * | 1990-09-07 | 1993-01-26 | Displaytech, Inc. | Diffractive light modulator |
US5061028A (en) * | 1990-10-23 | 1991-10-29 | Hoechst Celanese Corporation | Polymeric waveguides with bidirectional poling for radiation phase-matching |
US5040864A (en) * | 1990-11-13 | 1991-08-20 | Rockwell International Corporation | Optical crosspoint switch module |
JP3067880B2 (ja) * | 1991-01-12 | 2000-07-24 | キヤノン株式会社 | 回折格子を有する光検出装置 |
US5222071A (en) | 1991-02-21 | 1993-06-22 | Board Of Trustees Leland Stanford, Jr. University | Dynamic optical grating device |
US5093874A (en) | 1991-04-01 | 1992-03-03 | Eastman Kodak Company | Integrated electro-optical scanner with photoconductive substrate |
FR2684772B1 (fr) | 1991-12-10 | 1994-08-26 | Thomson Csf | Reseau d'indice optique commandable electriquement. |
US5185752A (en) * | 1992-02-18 | 1993-02-09 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Coupling arrangements for frequency-doubled diode lasers |
US5267336A (en) * | 1992-05-04 | 1993-11-30 | Srico, Inc. | Electro-optical sensor for detecting electric fields |
US5337328A (en) * | 1992-05-08 | 1994-08-09 | Sdl, Inc. | Semiconductor laser with broad-area intra-cavity angled grating |
US5231642A (en) * | 1992-05-08 | 1993-07-27 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Semiconductor ring and folded cavity lasers |
US5271024A (en) * | 1992-07-27 | 1993-12-14 | General Instrument Corporation | Optical fiber amplifier and laser with flattened gain slope |
JPH06110024A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光反射器 |
US5278924A (en) * | 1993-02-04 | 1994-01-11 | Hughes Aircraft Company | Periodic domain reversal electro-optic modulator |
US5416886A (en) | 1993-06-28 | 1995-05-16 | Zahler; Paul C. | Portable chain drying apparatus |
US5504772A (en) * | 1994-09-09 | 1996-04-02 | Deacon Research | Laser with electrically-controlled grating reflector |
-
1994
- 1994-09-09 US US08/303,801 patent/US5504772A/en not_active Ceased
-
1995
- 1995-09-07 KR KR1019970701499A patent/KR970705855A/ko not_active Application Discontinuation
- 1995-09-07 EP EP95933892A patent/EP0783781A4/en not_active Withdrawn
- 1995-09-07 CN CN95194992A patent/CN1158671A/zh active Pending
- 1995-09-07 WO PCT/US1995/012031 patent/WO1996008059A1/en not_active Application Discontinuation
- 1995-09-07 IL IL11521695A patent/IL115216A0/xx unknown
- 1995-09-07 JP JP8509725A patent/JPH10507846A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-01 US US09/053,422 patent/USRE37809E1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160062007A (ko) * | 2013-09-27 | 2016-06-01 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 특히, 마이크로리소그래픽 투영 노광 장치를 위한 거울 |
KR20200105005A (ko) * | 2019-02-28 | 2020-09-07 | 고려대학교 세종산학협력단 | Ftir 기반 회절 광학 구조체 및 그를 갖는 웨이브 가이드 장치와 증강현실 디스플레이 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1996008059A1 (en) | 1996-03-14 |
IL115216A0 (en) | 1995-12-31 |
EP0783781A4 (en) | 1998-05-13 |
KR970705855A (ko) | 1997-10-09 |
EP0783781A1 (en) | 1997-07-16 |
USRE37809E1 (en) | 2002-07-30 |
CN1158671A (zh) | 1997-09-03 |
US5504772A (en) | 1996-04-02 |
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