JPH1049830A - 磁気抵抗センサ - Google Patents
磁気抵抗センサInfo
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- JPH1049830A JPH1049830A JP20169296A JP20169296A JPH1049830A JP H1049830 A JPH1049830 A JP H1049830A JP 20169296 A JP20169296 A JP 20169296A JP 20169296 A JP20169296 A JP 20169296A JP H1049830 A JPH1049830 A JP H1049830A
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- ferromagnetic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐食性が高く、合成温度が低い反強磁性体の
交換バイアス層を用いた磁気抵抗センサを提供する。 【解決手段】 基板１１上に下地層１２を積層し、磁気
抵抗センサを形成する。すなわち、下地層１２の上に交
換バイアス層としてＮｉＯ層１３と界面制御層１４の二
層膜を積層し、第二の強磁性体層１５、非磁性体スペー
サ層１６、第一の強磁性体層１７を順次積層し磁気抵抗
センサを形成する。界面制御層１４は、非磁性金属、Ｃ
ｒ若しくはＭｎ又はその酸化物、鉄酸化物等である。
交換バイアス層を用いた磁気抵抗センサを提供する。 【解決手段】 基板１１上に下地層１２を積層し、磁気
抵抗センサを形成する。すなわち、下地層１２の上に交
換バイアス層としてＮｉＯ層１３と界面制御層１４の二
層膜を積層し、第二の強磁性体層１５、非磁性体スペー
サ層１６、第一の強磁性体層１７を順次積層し磁気抵抗
センサを形成する。界面制御層１４は、非磁性金属、Ｃ
ｒ若しくはＭｎ又はその酸化物、鉄酸化物等である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気的な情報を読み
取るための磁気抵抗センサに関する。
取るための磁気抵抗センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁気抵抗センサ（「ＭＲセンサ」
ともいう。）又は磁気抵抗ヘッドと呼ばれる磁気読み取
り変換器が知られており、これは大きな線形密度で磁性
表面からデータを読み取れることがわかっている。磁気
抵抗センサは、読み取り素子によって感知される磁束の
強さと、方向の関数としての抵抗変化とを介して磁界信
号を検出する。こうした従来の磁気抵抗センサは、読み
取り素子の抵抗の１成分が磁化方向と素子中を流れる感
知電流の方向との間の角度の余弦の２乗に比例して変化
する、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果に基づいて動作す
る。ＡＭＲ効果のより詳しい説明は、D.A.トムソン (Th
omson)等の論文”Memory,Storage,and Related Applica
tions"IEEE Trans.on Mag.MAG-11,p.1039(1975) に記載
されているる。
ともいう。）又は磁気抵抗ヘッドと呼ばれる磁気読み取
り変換器が知られており、これは大きな線形密度で磁性
表面からデータを読み取れることがわかっている。磁気
抵抗センサは、読み取り素子によって感知される磁束の
強さと、方向の関数としての抵抗変化とを介して磁界信
号を検出する。こうした従来の磁気抵抗センサは、読み
取り素子の抵抗の１成分が磁化方向と素子中を流れる感
知電流の方向との間の角度の余弦の２乗に比例して変化
する、異方性磁気抵抗（ＡＭＲ）効果に基づいて動作す
る。ＡＭＲ効果のより詳しい説明は、D.A.トムソン (Th
omson)等の論文”Memory,Storage,and Related Applica
tions"IEEE Trans.on Mag.MAG-11,p.1039(1975) に記載
されているる。
【０００３】さらに最近の論文には、積層磁気センサの
抵抗変化が、非磁性層を介する磁性層間での伝導電子の
スピン依存性伝導、及びそれに付随する層界面でのスピ
ン依存性散乱に帰される、より顕著な磁気抵抗効果が記
載されている。この磁気抵抗効果は、「巨大磁気抵抗効
果」や「スピン・バルブ効果」など様々な名称で呼ばれ
ている。このような磁気抵抗センサは適当な材料で構成
されており、ＡＭＲ効果を利用するセンサで観察される
よりも、感度が改善され、抵抗変化が大きい。この種の
磁気抵抗センサでは、非磁性層で分離された一対の強磁
性体層の間の平面内抵抗が、二つの層の磁化方向間の角
度の余弦に比例して変化する。
抵抗変化が、非磁性層を介する磁性層間での伝導電子の
スピン依存性伝導、及びそれに付随する層界面でのスピ
ン依存性散乱に帰される、より顕著な磁気抵抗効果が記
載されている。この磁気抵抗効果は、「巨大磁気抵抗効
果」や「スピン・バルブ効果」など様々な名称で呼ばれ
ている。このような磁気抵抗センサは適当な材料で構成
されており、ＡＭＲ効果を利用するセンサで観察される
よりも、感度が改善され、抵抗変化が大きい。この種の
磁気抵抗センサでは、非磁性層で分離された一対の強磁
性体層の間の平面内抵抗が、二つの層の磁化方向間の角
度の余弦に比例して変化する。
【０００４】特開平２−６１５７２号公報には、磁性層
内の磁化の反平行整列によって生じる高いＭＲ変化をも
たらす積層磁性構造が記載されている。積層構造で使用
可能な材料として、上記公報には強磁性の遷移金属及び
合金が挙げられている。また、中間層により分離してい
る少なくとも二層の強磁性体層の一方に反強磁性体層を
付加した構造及び反強磁性体層としてＦｅＭｎが適当で
あることが開示されている。
内の磁化の反平行整列によって生じる高いＭＲ変化をも
たらす積層磁性構造が記載されている。積層構造で使用
可能な材料として、上記公報には強磁性の遷移金属及び
合金が挙げられている。また、中間層により分離してい
る少なくとも二層の強磁性体層の一方に反強磁性体層を
付加した構造及び反強磁性体層としてＦｅＭｎが適当で
あることが開示されている。
【０００５】特開平４−３５８３１０号公報には、非磁
性金属体の薄膜層によって仕切られた強磁性体の二層の
薄膜層を有し、印加磁界が零である場合に二つの強磁性
薄膜層の磁化方向が直交し、二つの非結合強磁性体層間
の抵抗が二つの層の磁化方向間の角度の余弦に比例して
変化し、センサ中を通る電流の方向とは独立な、磁気抵
抗センサが開示されている。
性金属体の薄膜層によって仕切られた強磁性体の二層の
薄膜層を有し、印加磁界が零である場合に二つの強磁性
薄膜層の磁化方向が直交し、二つの非結合強磁性体層間
の抵抗が二つの層の磁化方向間の角度の余弦に比例して
変化し、センサ中を通る電流の方向とは独立な、磁気抵
抗センサが開示されている。
【０００６】特開平６−２０３３４０号公報には、非磁
性金属材料の薄膜層で分離された二つの強磁性体薄膜層
を含み、外部印加磁界がゼロのとき、隣接する反強磁性
体層の磁化が他方の強磁性体層に対して垂直に保たれ
る、上記の効果に基づく磁気抵抗センサが開示されてい
る。
性金属材料の薄膜層で分離された二つの強磁性体薄膜層
を含み、外部印加磁界がゼロのとき、隣接する反強磁性
体層の磁化が他方の強磁性体層に対して垂直に保たれ
る、上記の効果に基づく磁気抵抗センサが開示されてい
る。
【０００７】図８に、従来の磁気抵抗センサの部分断面
図を示す。図８では、基板２１上に下地層２２を積層
し、磁気抵抗センサを形成する。すなわち、下地層２２
の上に交換バイアス層としてのＦｅＭｎ層２３を積層
し、第二の強磁性体層２４、非磁性体スペーサ層２５、
第一の強磁性体層２６の順次積層し磁気抵抗センサを形
成する。
図を示す。図８では、基板２１上に下地層２２を積層
し、磁気抵抗センサを形成する。すなわち、下地層２２
の上に交換バイアス層としてのＦｅＭｎ層２３を積層
し、第二の強磁性体層２４、非磁性体スペーサ層２５、
第一の強磁性体層２６の順次積層し磁気抵抗センサを形
成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】反強磁性体の交換バイ
アス層には、従来ＦｅＭｎ膜、ＮｉＭｎ膜、ＮｉＯ膜が
用いられていた。ＦｅＭｎ膜は作製が容易で広く交換バ
イアス層として用いられてきていたが、腐食しやすいと
いう欠点がある。ＮｉＭｎ膜は、強磁性体層の磁化方向
を固定する磁界である交換結合磁界が大きく耐食性も高
いが、高い合成温度を必要とするため磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）比が低くなるという欠点がある。ＮｉＯ、は耐食性
が高いこと及び絶縁体であることなどから、ＦｅＭｎや
ＮｉＭｎよりも有効であるが、強磁性体層と積層した場
合、強磁性体の保磁力が交換結合磁界よりも大きくな
り、磁気抵抗センサとして正常な動作を期待できないと
いう問題点がある。
アス層には、従来ＦｅＭｎ膜、ＮｉＭｎ膜、ＮｉＯ膜が
用いられていた。ＦｅＭｎ膜は作製が容易で広く交換バ
イアス層として用いられてきていたが、腐食しやすいと
いう欠点がある。ＮｉＭｎ膜は、強磁性体層の磁化方向
を固定する磁界である交換結合磁界が大きく耐食性も高
いが、高い合成温度を必要とするため磁気抵抗効果（Ｍ
Ｒ）比が低くなるという欠点がある。ＮｉＯ、は耐食性
が高いこと及び絶縁体であることなどから、ＦｅＭｎや
ＮｉＭｎよりも有効であるが、強磁性体層と積層した場
合、強磁性体の保磁力が交換結合磁界よりも大きくな
り、磁気抵抗センサとして正常な動作を期待できないと
いう問題点がある。
【０００９】
【発明の目的】本発明は、このような問題点を解決すべ
くなされたもので、その目的は、耐食性が高く、合成温
度が低い反強磁性体の交換バイアス層を用いた磁気抵抗
センサを提供することにある。
くなされたもので、その目的は、耐食性が高く、合成温
度が低い反強磁性体の交換バイアス層を用いた磁気抵抗
センサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気抵抗セ
ンサは、非磁性体スペーサ層と、この非磁性体スペーサ
層によって互いに分離された第一の強磁性体層及び第二
の強磁性体層と、この第二の強磁性体層の磁化を所望の
方向に維持するための交換バイアス層とを備えている。
そして、交換バイアス層はニッケル酸化物と界面制御層
との積層膜からなり、なおかつ界面制御層は第二の強磁
性体層に接している。界面制御層としては、非磁性金
属、Ｃｒ若しくはＭｎ又はその酸化物、鉄酸化物等を用
いる。非磁性金属は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｕ，Ｚｎ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ及びＥｒの中から選ばれた一つの金属又は二つ以上の
金属からなる合金である。非磁性金属の厚さｔは、０．
３ｎｍ≦ｔ≦１．０ｎｍの範囲である。界面制御層がＣ
ｒ若しくはＭｎ又はその酸化物、鉄酸化物等の場合は、
厚さｔは０．３ｎｍ≦ｔ≦２．０ｎｍの範囲である。
ンサは、非磁性体スペーサ層と、この非磁性体スペーサ
層によって互いに分離された第一の強磁性体層及び第二
の強磁性体層と、この第二の強磁性体層の磁化を所望の
方向に維持するための交換バイアス層とを備えている。
そして、交換バイアス層はニッケル酸化物と界面制御層
との積層膜からなり、なおかつ界面制御層は第二の強磁
性体層に接している。界面制御層としては、非磁性金
属、Ｃｒ若しくはＭｎ又はその酸化物、鉄酸化物等を用
いる。非磁性金属は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｕ，Ｚｎ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈ
ｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｌａ，
Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈ
ｏ及びＥｒの中から選ばれた一つの金属又は二つ以上の
金属からなる合金である。非磁性金属の厚さｔは、０．
３ｎｍ≦ｔ≦１．０ｎｍの範囲である。界面制御層がＣ
ｒ若しくはＭｎ又はその酸化物、鉄酸化物等の場合は、
厚さｔは０．３ｎｍ≦ｔ≦２．０ｎｍの範囲である。
【００１１】ニッケル酸化物層を交換バイアス層に用い
る場合、積層する強磁性体との間に非磁性金属又は反強
磁性からなる薄層（以下、「界面制御層」という。）を
積層することで、強磁性体の保磁力が低下することが、
今回本発明者によって明らかにされた。
る場合、積層する強磁性体との間に非磁性金属又は反強
磁性からなる薄層（以下、「界面制御層」という。）を
積層することで、強磁性体の保磁力が低下することが、
今回本発明者によって明らかにされた。
【００１２】図２は、界面制御層にＣｕを用いたガラス
基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃｕ（０．５ｎｍ）／Ｎｉ
Ｆｅ（６ｎｍ）構成の試料の磁化曲線と、比較のための
ＮｉＯ単層の磁化曲線である。ＮｉＯ単層では保磁力が
大きく磁界ゼロで二値を取るため、スピンバルブ膜には
使用できない。これに対し、界面制御層としてＣｕ
（０．５ｎｍ）層を用いることで、保磁力は１／３以下
に低減し、スピンバルブ動作が可能となる。
基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃｕ（０．５ｎｍ）／Ｎｉ
Ｆｅ（６ｎｍ）構成の試料の磁化曲線と、比較のための
ＮｉＯ単層の磁化曲線である。ＮｉＯ単層では保磁力が
大きく磁界ゼロで二値を取るため、スピンバルブ膜には
使用できない。これに対し、界面制御層としてＣｕ
（０．５ｎｍ）層を用いることで、保磁力は１／３以下
に低減し、スピンバルブ動作が可能となる。
【００１３】図３は、ガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）
／界面制御層（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）という構
成の試料において、層厚ｔによる交換結合磁界及び保磁
力の変化を示し、界面制御層に非磁性金属としてＣｕ又
はＡｇを用いた例である。４１はＣｕを界面制御層にし
た試料の保磁力、４２はＡｇを界面制御層にした試料の
保磁力、４３はＣｕを界面制御層にした試料の交換結合
磁界、４４はＡｇを界面制御層にした試料の交換結合磁
界である。界面制御層の厚さを増加すると、保磁力及び
交換結合磁界の値は減少するが、保磁力の低下量は交換
結合磁界の低下量よりも大きい。このため、界面制御層
の厚さを０．３ｎｍ以上、１．０ｎｍ以下に選ぶこと
で、交換結合磁界は保磁力よりも大きくなり、磁気抵抗
センサとして正常な動作が可能となる。適当な界面制御
層の厚さは、非磁性金属では０．３ｎｍ以上、１．０ｎ
ｍ以下であり、反強磁性体では０．３ｎｍ以上、２．０
ｎｍ以下の範囲である。
／界面制御層（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）という構
成の試料において、層厚ｔによる交換結合磁界及び保磁
力の変化を示し、界面制御層に非磁性金属としてＣｕ又
はＡｇを用いた例である。４１はＣｕを界面制御層にし
た試料の保磁力、４２はＡｇを界面制御層にした試料の
保磁力、４３はＣｕを界面制御層にした試料の交換結合
磁界、４４はＡｇを界面制御層にした試料の交換結合磁
界である。界面制御層の厚さを増加すると、保磁力及び
交換結合磁界の値は減少するが、保磁力の低下量は交換
結合磁界の低下量よりも大きい。このため、界面制御層
の厚さを０．３ｎｍ以上、１．０ｎｍ以下に選ぶこと
で、交換結合磁界は保磁力よりも大きくなり、磁気抵抗
センサとして正常な動作が可能となる。適当な界面制御
層の厚さは、非磁性金属では０．３ｎｍ以上、１．０ｎ
ｍ以下であり、反強磁性体では０．３ｎｍ以上、２．０
ｎｍ以下の範囲である。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る磁気抵抗セ
ンサの一実施形態を示す、一部をブロック化した断面図
である。以下、この図面に基づき説明する。
ンサの一実施形態を示す、一部をブロック化した断面図
である。以下、この図面に基づき説明する。
【００１５】基板１１上に下地層１２を積層し、磁気抵
抗センサを形成する。すなわち、下地層１２の上に交換
バイアス層としてＮｉＯ層１３と界面制御層１４の二層
膜を積層し、第二の強磁性体層１５、非磁性体スペーサ
層１６、第一の強磁性体層１７を順次積層し磁気抵抗セ
ンサを形成する。磁気抵抗センサはフォトリソグラフィ
工程により適当な大きさ形状にパターン化されており、
その端部に接するように電極層１８ａ，１８ｂが積層さ
れている。電極層１８ａ，１８ｂには電流源１９及び感
知手段２０が接続されており、外部磁界変化を抵抗率変
化として検知できる磁気検出装置が構成されている。
抗センサを形成する。すなわち、下地層１２の上に交換
バイアス層としてＮｉＯ層１３と界面制御層１４の二層
膜を積層し、第二の強磁性体層１５、非磁性体スペーサ
層１６、第一の強磁性体層１７を順次積層し磁気抵抗セ
ンサを形成する。磁気抵抗センサはフォトリソグラフィ
工程により適当な大きさ形状にパターン化されており、
その端部に接するように電極層１８ａ，１８ｂが積層さ
れている。電極層１８ａ，１８ｂには電流源１９及び感
知手段２０が接続されており、外部磁界変化を抵抗率変
化として検知できる磁気検出装置が構成されている。
【００１６】下地層１２には、アルミナ、ＳｉＯ2 、窒
化アルミニウム、窒化シリコン等の誘電体やＺｒ，Ｔ
ａ，Ｈｆ，Ｍｏ等のｆｃｃ構造を有する材料が適当であ
る。界面制御層１４には、非磁性金属、Ｃｒ若しくはＭ
ｎ又はこれらの酸化物、鉄酸化物等が用いられる。非磁
性金属としては、Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒの中から選ばれた一つの金属又は二つ以上の金属から
なる合金とするのが好ましい。非磁性金属とした場合の
厚さｔは、０．３ｎｍ≦ｔ≦１．０ｍの範囲が好まし
い。Ｃｒ若しくはＭｎ又はこれらの酸化物、又は鉄酸化
物等とした場合の厚さｔは、０．３ｎｍ≦ｔ≦２．０ｎ
ｍの範囲が好ましい。第一及び第二の強磁性体層１５，
１７としては、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，ＣｏＺｒ系材
料，ＦｅＣｏＢ，センダスト，窒化鉄系材料，ＦｅＣｏ
等を用いることができる。第一及び第二の強磁性体層１
５，１７の膜厚は１〜１０ｎｍ程度が望ましい。第一及
び第二の強磁性体層１５，１７が、非磁性体スペーサ層
１６に隣接する薄いＣｏ膜を有することも可能である。
非磁性体スペーサ層１６は、銀、金及び銅の中から選ば
れた一つの金属又は二つ以上の金属からなる合金を用い
ることができる。非磁性体スペーサ層１６の膜厚は２〜
３ｎｍが好ましい。ニッケル酸化物の組成比Ｏ／（Ｎｉ
＋Ｏ）は、０．４≦Ｏ／（Ｎｉ＋Ｏ）≦０．６の範囲と
することが好ましい。
化アルミニウム、窒化シリコン等の誘電体やＺｒ，Ｔ
ａ，Ｈｆ，Ｍｏ等のｆｃｃ構造を有する材料が適当であ
る。界面制御層１４には、非磁性金属、Ｃｒ若しくはＭ
ｎ又はこれらの酸化物、鉄酸化物等が用いられる。非磁
性金属としては、Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅ
ｒの中から選ばれた一つの金属又は二つ以上の金属から
なる合金とするのが好ましい。非磁性金属とした場合の
厚さｔは、０．３ｎｍ≦ｔ≦１．０ｍの範囲が好まし
い。Ｃｒ若しくはＭｎ又はこれらの酸化物、又は鉄酸化
物等とした場合の厚さｔは、０．３ｎｍ≦ｔ≦２．０ｎ
ｍの範囲が好ましい。第一及び第二の強磁性体層１５，
１７としては、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｏ，ＣｏＺｒ系材
料，ＦｅＣｏＢ，センダスト，窒化鉄系材料，ＦｅＣｏ
等を用いることができる。第一及び第二の強磁性体層１
５，１７の膜厚は１〜１０ｎｍ程度が望ましい。第一及
び第二の強磁性体層１５，１７が、非磁性体スペーサ層
１６に隣接する薄いＣｏ膜を有することも可能である。
非磁性体スペーサ層１６は、銀、金及び銅の中から選ば
れた一つの金属又は二つ以上の金属からなる合金を用い
ることができる。非磁性体スペーサ層１６の膜厚は２〜
３ｎｍが好ましい。ニッケル酸化物の組成比Ｏ／（Ｎｉ
＋Ｏ）は、０．４≦Ｏ／（Ｎｉ＋Ｏ）≦０．６の範囲と
することが好ましい。
【００１７】図４は、界面制御層として非磁性金属であ
るＣｕを０．５ｎｍ用いたスピンバルブ膜のＲ−Ｈ曲線
である。構成はＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃｕ（０．５ｎ
ｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／Ｎｉ
Ｆｅ（６ｎｍ）である。ＮｉＯの成膜には、焼結体ター
ゲットを用いたｒｆスパッタ法を用いた。スパッタガス
はＡｒとし、ガス圧０．３Ｐａ、投入パワー２００Ｗで
行った。Ｃｕ，ＮｉＦｅの成膜は、ｄｃマグネトロンス
パッタ法で行った。スパッタガスはＡｒとし、ガス圧
０．３Ｐａ、投入パワーはＣｕ７Ｗ、ＮｉＦｅ３５Ｗで
行った。正常なＭＲ動作をしており、ＭＲ比５．５％が
得られている。Ｃｕの層厚が、０．３ｎｍ以下では、固
定層の保磁力が大きいため正常なスピンバルブ動作はし
なかった。１．０ｎｍ以上では、交換結合磁界が小さく
なるので磁気抵抗センサには適さない。一方、界面制御
層を用いないＮｉＯ（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）
／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）構成のスピ
ンバルブ膜では、固定層の保磁力が大きいため正常なス
ピンバルブ動作はしなかった。
るＣｕを０．５ｎｍ用いたスピンバルブ膜のＲ−Ｈ曲線
である。構成はＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃｕ（０．５ｎ
ｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／Ｎｉ
Ｆｅ（６ｎｍ）である。ＮｉＯの成膜には、焼結体ター
ゲットを用いたｒｆスパッタ法を用いた。スパッタガス
はＡｒとし、ガス圧０．３Ｐａ、投入パワー２００Ｗで
行った。Ｃｕ，ＮｉＦｅの成膜は、ｄｃマグネトロンス
パッタ法で行った。スパッタガスはＡｒとし、ガス圧
０．３Ｐａ、投入パワーはＣｕ７Ｗ、ＮｉＦｅ３５Ｗで
行った。正常なＭＲ動作をしており、ＭＲ比５．５％が
得られている。Ｃｕの層厚が、０．３ｎｍ以下では、固
定層の保磁力が大きいため正常なスピンバルブ動作はし
なかった。１．０ｎｍ以上では、交換結合磁界が小さく
なるので磁気抵抗センサには適さない。一方、界面制御
層を用いないＮｉＯ（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）
／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）構成のスピ
ンバルブ膜では、固定層の保磁力が大きいため正常なス
ピンバルブ動作はしなかった。
【００１８】図５は、界面制御層として非磁性金属であ
るＡｇを０．５ｎｍ用いたスピンバルブ膜のＲ−Ｈ曲線
である。構成はＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ａｇ（０．５ｎ
ｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／Ｎｉ
Ｆｅ（６ｎｍ）である。ＭＲ比５．５％で、正常なＭＲ
動作をしていることが分かる。成膜条件はＣｕの場合と
同様である。Ａｇの層厚が、０．３ｎｍ以下では、固定
層の保磁力が大きいため正常なスピンバルブ動作はしな
かった。１．０ｎｍ以上では、交換結合磁界が小さくな
るので磁気抵抗センサには適さない。界面制御層とし
て、他の非磁性金属すなわちＡｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｎ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ及び
Ｅｒの中から選ばれた一つの金属又は二以上の金属から
なる合金を用いた場合も、Ｃｕ又はＡｇを用いた場合と
同様の結果が得られた。
るＡｇを０．５ｎｍ用いたスピンバルブ膜のＲ−Ｈ曲線
である。構成はＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ａｇ（０．５ｎ
ｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／Ｎｉ
Ｆｅ（６ｎｍ）である。ＭＲ比５．５％で、正常なＭＲ
動作をしていることが分かる。成膜条件はＣｕの場合と
同様である。Ａｇの層厚が、０．３ｎｍ以下では、固定
層の保磁力が大きいため正常なスピンバルブ動作はしな
かった。１．０ｎｍ以上では、交換結合磁界が小さくな
るので磁気抵抗センサには適さない。界面制御層とし
て、他の非磁性金属すなわちＡｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｎ，
Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｈｆ，Ｔ
ａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｌａ，Ｃｅ，
Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ及び
Ｅｒの中から選ばれた一つの金属又は二以上の金属から
なる合金を用いた場合も、Ｃｕ又はＡｇを用いた場合と
同様の結果が得られた。
【００１９】図６は、ガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）
／界面制御層（ｔｎｍ）ＮｉＦｅ（６ｎｍ）という構成
の試料において、層厚ｔによる交換結合磁界Ｈｅｘと保
磁力Ｈｃの変化を示し、界面制御層に反強磁性金属のＭ
ｎ又はＣｒを用いた結果である。７１はＭｎを界面制御
層にした試料の保磁力、７２はＣｒを界面制御層にした
試料の保磁力、７３はＭｎを界面制御層にした試料の交
換結合磁界、７４はＣｒを界面制御層にした試料の交換
結合磁界である。界面制御層の厚さを増加すると、保磁
力は単調に減少するが、交換結合磁界は一旦増加した
後、低下する。界面制御層の厚さを０．３ｎｍ以上に選
ぶことで、交換結合磁界は保磁力よりも大きくなり、磁
気抵抗センサとして正常な動作が可能となる。界面制御
層に反強磁性金属のＣｒ又はＭｎを用いたＮｉＯ（５０
ｎｍ）／Ｃｒ又はＭｎ（０．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎ
ｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）構成の
試料を作製し、Ｒ−Ｈ曲線を測定したところ、ＭＲ比
５．５％で、正常なＭＲ動作をした。Ｃｒ又はＭｎの層
厚が、０．３ｎｍ以下では、固定層の保磁力が大きいた
め正常なスピンバルブ動作をしなかった。２．０ｎｍ以
上では、交換結合磁界が小さくなるので磁気抵抗センサ
には適さない。界面制御層としてＣｒ又はＭｎの酸化物
を用いた場合も、Ｃｒ又はＭｎの場合と同様の結果が得
られた。
／界面制御層（ｔｎｍ）ＮｉＦｅ（６ｎｍ）という構成
の試料において、層厚ｔによる交換結合磁界Ｈｅｘと保
磁力Ｈｃの変化を示し、界面制御層に反強磁性金属のＭ
ｎ又はＣｒを用いた結果である。７１はＭｎを界面制御
層にした試料の保磁力、７２はＣｒを界面制御層にした
試料の保磁力、７３はＭｎを界面制御層にした試料の交
換結合磁界、７４はＣｒを界面制御層にした試料の交換
結合磁界である。界面制御層の厚さを増加すると、保磁
力は単調に減少するが、交換結合磁界は一旦増加した
後、低下する。界面制御層の厚さを０．３ｎｍ以上に選
ぶことで、交換結合磁界は保磁力よりも大きくなり、磁
気抵抗センサとして正常な動作が可能となる。界面制御
層に反強磁性金属のＣｒ又はＭｎを用いたＮｉＯ（５０
ｎｍ）／Ｃｒ又はＭｎ（０．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎ
ｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）構成の
試料を作製し、Ｒ−Ｈ曲線を測定したところ、ＭＲ比
５．５％で、正常なＭＲ動作をした。Ｃｒ又はＭｎの層
厚が、０．３ｎｍ以下では、固定層の保磁力が大きいた
め正常なスピンバルブ動作をしなかった。２．０ｎｍ以
上では、交換結合磁界が小さくなるので磁気抵抗センサ
には適さない。界面制御層としてＣｒ又はＭｎの酸化物
を用いた場合も、Ｃｒ又はＭｎの場合と同様の結果が得
られた。
【００２０】図７は、ガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）
／鉄酸化物（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）という構成
の試料における、層厚ｔによる交換結合磁界Ｈｅｘと保
磁力Ｈｃの変化を示す。８１は保磁力、８２は交換結合
磁界である。界面制御層の厚さを増加すると、保磁力は
単調に減少するが、交換結合磁界は一旦増加した後、低
下する。界面制御層の厚さを０．３ｎｍ以上に選ぶこと
で、交換結合磁界は保磁力より大きくなり、磁気抵抗セ
ンサとして正常な動作が可能となる。界面制御層に鉄酸
化物を用いたＮｉＯ（５０ｎｍ）／鉄酸化物（０．５ｎ
ｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／Ｎｉ
Ｆｅ（６ｎｍ）構成の試料を作製し、Ｒ−Ｈ曲線を測定
したところ、ＭＲ比５．５％で、正常なＭＲ動作をし
た。鉄酸化物の層厚が、０．３ｎｍ以下では、固定層の
保磁力が大きいため正常なスピンバルブ動作はしなかっ
た。２．０ｎｍ以上では、交換結合磁界が小さくなるの
で磁気抵抗センサには適さない。
／鉄酸化物（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）という構成
の試料における、層厚ｔによる交換結合磁界Ｈｅｘと保
磁力Ｈｃの変化を示す。８１は保磁力、８２は交換結合
磁界である。界面制御層の厚さを増加すると、保磁力は
単調に減少するが、交換結合磁界は一旦増加した後、低
下する。界面制御層の厚さを０．３ｎｍ以上に選ぶこと
で、交換結合磁界は保磁力より大きくなり、磁気抵抗セ
ンサとして正常な動作が可能となる。界面制御層に鉄酸
化物を用いたＮｉＯ（５０ｎｍ）／鉄酸化物（０．５ｎ
ｍ）／ＮｉＦｅ（３ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／Ｎｉ
Ｆｅ（６ｎｍ）構成の試料を作製し、Ｒ−Ｈ曲線を測定
したところ、ＭＲ比５．５％で、正常なＭＲ動作をし
た。鉄酸化物の層厚が、０．３ｎｍ以下では、固定層の
保磁力が大きいため正常なスピンバルブ動作はしなかっ
た。２．０ｎｍ以上では、交換結合磁界が小さくなるの
で磁気抵抗センサには適さない。
【００２１】なお、本発明に係る磁気抵抗センサ（請求
項１，２，３，４，５，６又は７記載の磁気抵抗セン
サ）を用い、基板上にシールド層、下ギャップ層、及び
当該磁気抵抗センサが積層されており、シールド層はパ
ターン化されており、磁気抵抗センサはパターン化され
ており、その端部に接するように縦バイアス層及び下電
極層が順次積層されており、その上にギャップ層、上シ
ールド層が順次積層されている、シールド型磁気抵抗セ
ンサを構成することもできる。
項１，２，３，４，５，６又は７記載の磁気抵抗セン
サ）を用い、基板上にシールド層、下ギャップ層、及び
当該磁気抵抗センサが積層されており、シールド層はパ
ターン化されており、磁気抵抗センサはパターン化され
ており、その端部に接するように縦バイアス層及び下電
極層が順次積層されており、その上にギャップ層、上シ
ールド層が順次積層されている、シールド型磁気抵抗セ
ンサを構成することもできる。
【００２２】また、本発明に係る磁気抵抗センサ（請求
項１，２，３，４，５，６又は７記載の磁気抵抗セン
サ）を用い、基板上にシールド層、下ギャップ層、及び
当該磁気抵抗センサが積層されており、シールド層はパ
ターン化されており、磁気抵抗センサはパターン化され
ており、その上部に一部重なるように縦バイアス層及び
下電極層が順次積層されており、その上に上ギャップ
層、上シールド層が順次積層されている、シールド型磁
気抵抗センサを構成することもできる。
項１，２，３，４，５，６又は７記載の磁気抵抗セン
サ）を用い、基板上にシールド層、下ギャップ層、及び
当該磁気抵抗センサが積層されており、シールド層はパ
ターン化されており、磁気抵抗センサはパターン化され
ており、その上部に一部重なるように縦バイアス層及び
下電極層が順次積層されており、その上に上ギャップ
層、上シールド層が順次積層されている、シールド型磁
気抵抗センサを構成することもできる。
【００２３】さらに、上記の二つのシールド型磁気抵抗
センサのいずれかを用いて、当該シールド型磁気抵抗セ
ンサを通る電流を生じる手段と、検出される磁界の関数
として前記シールド型磁気抵抗センサの抵抗率変化を検
出する手段とを備えた磁気抵抗検出装置を構成すること
もできる。
センサのいずれかを用いて、当該シールド型磁気抵抗セ
ンサを通る電流を生じる手段と、検出される磁界の関数
として前記シールド型磁気抵抗センサの抵抗率変化を検
出する手段とを備えた磁気抵抗検出装置を構成すること
もできる。
【００２４】さらにまた、この磁気抵抗検出装置を用い
て、データ記録のための複数個のトラックを有する磁気
記憶媒体と、この磁気記憶媒体上にデータを記憶させる
ための磁気記録装置と、この磁気記録装置及び当該磁気
抵抗検出装置を前記磁気記憶媒体の選択されたトラック
へ移動させるために、前記磁気記録装置及び磁気抵抗変
換装置に結合されたアクチュエータ手段とを備えた磁気
記憶システムを構成することもできる。
て、データ記録のための複数個のトラックを有する磁気
記憶媒体と、この磁気記憶媒体上にデータを記憶させる
ための磁気記録装置と、この磁気記録装置及び当該磁気
抵抗検出装置を前記磁気記憶媒体の選択されたトラック
へ移動させるために、前記磁気記録装置及び磁気抵抗変
換装置に結合されたアクチュエータ手段とを備えた磁気
記憶システムを構成することもできる。
【００２５】
【発明の効果】本発明にによれば、交換バイアス層をニ
ッケル酸化物と界面制御層との積層膜とし、かつ界面制
御層に非磁性金属、Ｃｒ若しくはＭｎ又はその酸化物、
鉄酸化物等を用いたことにより、ニッケル酸化物を用い
ても強磁性体層の保持力を低く抑えることができるの
で、耐食性が高く、合成温度が低い反強磁性体の交換バ
イアス層を有する磁気抵抗センサを実現することができ
る。
ッケル酸化物と界面制御層との積層膜とし、かつ界面制
御層に非磁性金属、Ｃｒ若しくはＭｎ又はその酸化物、
鉄酸化物等を用いたことにより、ニッケル酸化物を用い
ても強磁性体層の保持力を低く抑えることができるの
で、耐食性が高く、合成温度が低い反強磁性体の交換バ
イアス層を有する磁気抵抗センサを実現することができ
る。
【図１】本発明に係る磁気抵抗センサの一実施形態を示
す、一部をブロック化した断面図である。
す、一部をブロック化した断面図である。
【図２】本発明に係る磁気抵抗センサにおいて界面制御
層にＣｕを用いてガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃ
ｕ（０．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）とした試料、及
び比較用として界面制御層にＣｕを用いないでガラス基
板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）とした試
料における、それぞれの磁化曲線を示すグラフである。
層にＣｕを用いてガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）／Ｃ
ｕ（０．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）とした試料、及
び比較用として界面制御層にＣｕを用いないでガラス基
板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）とした試
料における、それぞれの磁化曲線を示すグラフである。
【図３】本発明に係る磁気抵抗センサにおいて界面制御
層にＣｕ又はＡｇを用いガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎ
ｍ）／Ｃｕ又はＡｇ（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）と
した試料における、界面制御層の厚さと交換結合磁界及
び保磁力との関係を示すグラフである。
層にＣｕ又はＡｇを用いガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎ
ｍ）／Ｃｕ又はＡｇ（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）と
した試料における、界面制御層の厚さと交換結合磁界及
び保磁力との関係を示すグラフである。
【図４】本発明に係る磁気抵抗センサにおいて界面制御
層にＣｕを用いたスピンバルブ膜のＲ−Ｈ曲線を示すグ
ラフである。
層にＣｕを用いたスピンバルブ膜のＲ−Ｈ曲線を示すグ
ラフである。
【図５】本発明に係る磁気抵抗センサにおいて界面制御
層にＡｇを用いたスピンバルブ膜のＲ−Ｈ曲線を示すグ
ラフである。
層にＡｇを用いたスピンバルブ膜のＲ−Ｈ曲線を示すグ
ラフである。
【図６】本発明に係る磁気抵抗センサにおいて界面制御
層にＭｎ又はＣｒを用いガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎ
ｍ）／Ｍｎ又はＣｒ（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）と
した試料における、界面制御層の厚さと交換結合磁界及
び保磁力との関係を示すグラフである。
層にＭｎ又はＣｒを用いガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎ
ｍ）／Ｍｎ又はＣｒ（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）と
した試料における、界面制御層の厚さと交換結合磁界及
び保磁力との関係を示すグラフである。
【図７】本発明に係る磁気抵抗センサにおいて界面制御
層に鉄酸化物を用いガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）／
鉄酸化物（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）とした試料に
おける、界面制御層の厚さと交換結合磁界及び保磁力と
の関係を示すグラフである。
層に鉄酸化物を用いガラス基板／ＮｉＯ（５０ｎｍ）／
鉄酸化物（ｔｎｍ）／ＮｉＦｅ（６ｎｍ）とした試料に
おける、界面制御層の厚さと交換結合磁界及び保磁力と
の関係を示すグラフである。
【図８】従来の磁気抵抗センサを示す断面図である。
１１ 基板 １２ 下地層 １３ ＮｉＯ層 １４ 界面制御層 １５ 第二の強磁性体層 １６ 非磁性体スペーサ層 １７ 第一の強磁性体層 ４１ Ｃｕを界面制御層にした試料の保磁力 ４２ Ａｇを界面制御層にした試料の保磁力 ４３ Ｃｕを界面制御層にした試料の交換結合磁界 ４４ Ａｇを界面制御層にした試料の交換結合磁界 ７１ Ｍｎを界面制御層にした試料の保磁力 ７２ Ｃｒを界面制御層にした試料の保磁力 ７３ Ｍｎを界面制御層にした試料の交換結合磁界 ７４ Ｃｒを界面制御層にした試料の交換結合磁界 ８１ 保磁力 ８２ 交換結合磁界
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 英文 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 石原 邦彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (11)
- 【請求項１】 非磁性体スペーサ層と、この非磁性体ス
ペーサ層によって互いに分離された第一の強磁性体層及
び第二の強磁性体層と、この第二の強磁性体層の磁化を
所望の方向に維持するための交換バイアス層とを備えた
磁気抵抗センサにおいて、 前記交換バイアス層がニッケル酸化物と非磁性金属との
積層膜からなり、かつこの非磁性金属が前記第二の強磁
性体層と接することを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項２】 前記非磁性金属が、Ａｌ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃ
ｕ，Ｚｎ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，
Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｐｂ，Ｂ
ｉ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＥｒの中から選ばれた一つの金属又
は二つ以上の金属からなる合金である、請求項１記載の
磁気抵抗センサ。 - 【請求項３】 前記非磁性金属の厚さｔが、０．３ｎｍ
≦ｔ≦１．０ｎｍの範囲である、請求項１又は２記載の
磁気抵抗センサ。 - 【請求項４】 非磁性体スペーサ層と、この非磁性体ス
ペーサ層によって互いに分離された第一の強磁性体層及
び第二の強磁性体層と、この第二の強磁性体層の磁化を
所望の方向に維持するための交換バイアス層とを備えた
磁気抵抗センサにおいて、 前記交換バイアス層がニッケル酸化物とＣｒ若しくはＭ
ｎ又はその酸化物との積層膜からなり、かつこのＣｒ若
しくはＭｎ又はその酸化物が前記第二の強磁性体層と接
することを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項５】 前記Ｃｒ若しくはＭｎ又はその酸化物の
厚さｔが、０．３ｎｍ≦ｔ≦２．０ｎｍの範囲である、
請求項４記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項６】 非磁性体スペーサ層と、この非磁性体ス
ペーサ層によって互いに分離された第一の強磁性体層及
び第二の強磁性体層と、この第二の強磁性体層の磁化を
所望の方向に維持するための交換バイアス層とを備えた
磁気抵抗センサにおいて、 前記交換バイアス層がニッケル酸化物と鉄酸化物との積
層膜からなり、この鉄酸化物が前記第二の強磁性体層と
接することを特徴とする磁気抵抗センサ。 - 【請求項７】 前記鉄酸化物の厚さｔが、０．３ｎｍ≦
ｔ≦２．０ｎｍの範囲である、請求項６に記載の磁気抵
抗センサ。 - 【請求項８】 前記第一及び第二の強磁性体層が、Ｃ
ｏ，Ｆｅ及びＮｉの中から選ばれた一つの金属又は二つ
以上の金属からなる合金である、請求項１，２，３，
４，５，６又は７記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項９】 前記第一及び第二の強磁性体層が、前記
非磁性体スペーサ層に隣接する薄いＣｏ膜を有する、請
求項１，２，３，４，５，６又は７記載の磁気抵抗セン
サ。 - 【請求項１０】 前記非磁性体スペーサ層が、金、銀及
び銅の中から選ばれた一つの金属又は二つ以上の金属か
らなる合金を含む、請求項１，２，３，４，５，６又は
７記載の磁気抵抗センサ。 - 【請求項１１】 前記ニッケル酸化物の組成比Ｏ／（Ｎ
ｉ＋Ｏ）が、０．４≦Ｏ／（Ｎｉ＋Ｏ）≦０．６であ
る、請求項１，２，３，４，５，６又は７記載の磁気抵
抗センサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20169296A JP2850866B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 磁気抵抗センサ |
| KR1019970037430A KR100293861B1 (ko) | 1996-07-31 | 1997-07-31 | 교환바이어스자이언트자기저항소자를이용한자기저항센서 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20169296A JP2850866B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 磁気抵抗センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1049830A true JPH1049830A (ja) | 1998-02-20 |
| JP2850866B2 JP2850866B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=16445333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20169296A Expired - Fee Related JP2850866B2 (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 磁気抵抗センサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850866B2 (ja) |
| KR (1) | KR100293861B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100358452B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2002-10-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 자기 장치용 고정층 |
| US6867951B1 (en) | 2000-07-12 | 2005-03-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin valve magnetic properties with oxygen-rich NiO underlayer |
| JP2009004784A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Headway Technologies Inc | 交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子、並びに磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003124541A (ja) | 2001-10-12 | 2003-04-25 | Nec Corp | 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2738312B2 (ja) * | 1994-09-08 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果膜およびその製造方法 |
| JPH08129719A (ja) * | 1994-10-31 | 1996-05-21 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録装置 |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20169296A patent/JP2850866B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-07-31 KR KR1019970037430A patent/KR100293861B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100358452B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2002-10-25 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 자기 장치용 고정층 |
| US6867951B1 (en) | 2000-07-12 | 2005-03-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin valve magnetic properties with oxygen-rich NiO underlayer |
| JP2009004784A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Headway Technologies Inc | 交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子、並びに磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100293861B1 (ko) | 2001-09-17 |
| JP2850866B2 (ja) | 1999-01-27 |
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