JPH1048650A - 液晶ディスプレイ用電極配線及びその形成方法 - Google Patents
液晶ディスプレイ用電極配線及びその形成方法Info
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- JPH1048650A JPH1048650A JP20074596A JP20074596A JPH1048650A JP H1048650 A JPH1048650 A JP H1048650A JP 20074596 A JP20074596 A JP 20074596A JP 20074596 A JP20074596 A JP 20074596A JP H1048650 A JPH1048650 A JP H1048650A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低比抵抗でしかも、耐久性に優れ、かつ、形成
が容易な液晶ディスプレイ用電極配線及びその形成方法
を提供する。 【解決手段】酸化物層と金属層とが２ｎ＋１（ｎは１以
上の整数）で積層され、かつ、各酸化物層には酸化亜鉛
を主成分とする膜を少なくとも１層含み、各金属層には
銀を主成分とする膜を少なくとも１層含む透明導電膜
を、ソース電極７、かつドレイン電極８、かつ画素電極
８として用いる薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイ用
電極配線及びその形成方法。
が容易な液晶ディスプレイ用電極配線及びその形成方法
を提供する。 【解決手段】酸化物層と金属層とが２ｎ＋１（ｎは１以
上の整数）で積層され、かつ、各酸化物層には酸化亜鉛
を主成分とする膜を少なくとも１層含み、各金属層には
銀を主成分とする膜を少なくとも１層含む透明導電膜
を、ソース電極７、かつドレイン電極８、かつ画素電極
８として用いる薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイ用
電極配線及びその形成方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
用電極配線及びその形成方法に関するものである。
用電極配線及びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイ
（ＴＦＴ−ＬＣＤと称する）の薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔと称する）基板側の電極としては、ＴＦＴ駆動用のゲ
ート電極、ソース電極、ドレイン電極、そして画素電極
がある。
（ＴＦＴ−ＬＣＤと称する）の薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔと称する）基板側の電極としては、ＴＦＴ駆動用のゲ
ート電極、ソース電極、ドレイン電極、そして画素電極
がある。
【０００３】従来、画素電極としては、導電性を有する
と同時に透明性が必要であることから、スズを含有した
酸化インジウム薄膜（ＩＴＯと称する）の電極が使用さ
れている。一方、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電
極は、高い導電性を必要とし、必ずしも透明性は必要で
はないために、Ｃｒなどの金属電極が使用されている。
と同時に透明性が必要であることから、スズを含有した
酸化インジウム薄膜（ＩＴＯと称する）の電極が使用さ
れている。一方、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電
極は、高い導電性を必要とし、必ずしも透明性は必要で
はないために、Ｃｒなどの金属電極が使用されている。
【０００４】これら各種電極の形成方法を図１（ｂ）を
参照して以下に簡単に述べる。
参照して以下に簡単に述べる。
【０００５】（１）基板（ガラス基板）１上にＣｒなど
の金属膜２を成膜し、所望のパターンのゲート電極にエ
ッチング加工する。
の金属膜２を成膜し、所望のパターンのゲート電極にエ
ッチング加工する。
【０００６】（２）ゲート絶縁膜３を形成後、半導体層
４を形成し、所望のパターンにエッチング加工する。
４を形成し、所望のパターンにエッチング加工する。
【０００７】（３）画素電極としてＩＴＯ膜を成膜し、
所望パターンに画素電極５をエッチング加工する。
所望パターンに画素電極５をエッチング加工する。
【０００８】（４）さらに、ソース電極膜、ドレイン電
極膜としてＡｌなどの金属膜を成膜し、所望のパターン
にソース電極７、ドレイン電極６にエッチング加工す
る。
極膜としてＡｌなどの金属膜を成膜し、所望のパターン
にソース電極７、ドレイン電極６にエッチング加工す
る。
【０００９】以上のように、従来の液晶ディスプレイ用
電極配線構造を形成するためには、いくつもの成膜工程
とエッチング加工工程が必要であり、これがＴＦＴ作成
の際の歩留まり低下、スループットの低下、製造コスト
増加の要因となっている。
電極配線構造を形成するためには、いくつもの成膜工程
とエッチング加工工程が必要であり、これがＴＦＴ作成
の際の歩留まり低下、スループットの低下、製造コスト
増加の要因となっている。
【００１０】そこで、ＩＴＯ膜や、Ａｇ膜をＩＴＯ膜で
挟んだサンドイッチ構成膜を画素電極として用いると同
時に、ソース電極やゲート電極にも用いることによっ
て、ソース電極、ドレイン電極形成のための金属膜の成
膜工程、エッチング加工工程を省略、簡素化することが
試みられている。
挟んだサンドイッチ構成膜を画素電極として用いると同
時に、ソース電極やゲート電極にも用いることによっ
て、ソース電極、ドレイン電極形成のための金属膜の成
膜工程、エッチング加工工程を省略、簡素化することが
試みられている。
【００１１】しかし、ＩＴＯ膜を低抵抗（例えば３Ω／
□以下）が必要なソース電極、ドレイン電極に使用する
場合には、ＩＴＯ膜の膜厚を５００ｎｍ以上にしなけれ
ばならない。また、Ａｇ膜をＩＴＯ膜でサンドイッチし
たサンドイッチ構成膜では、低抵抗の膜が容易に得られ
るものの耐湿性などの耐久性に課題があった。
□以下）が必要なソース電極、ドレイン電極に使用する
場合には、ＩＴＯ膜の膜厚を５００ｎｍ以上にしなけれ
ばならない。また、Ａｇ膜をＩＴＯ膜でサンドイッチし
たサンドイッチ構成膜では、低抵抗の膜が容易に得られ
るものの耐湿性などの耐久性に課題があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術が有していた前述の欠点を解決し、低比抵抗でしか
も、耐久性に優れ、かつ、形成が容易な液晶ディスプレ
イ用電極配線及びその形成方法を提供しようとするもの
である。
技術が有していた前述の欠点を解決し、低比抵抗でしか
も、耐久性に優れ、かつ、形成が容易な液晶ディスプレ
イ用電極配線及びその形成方法を提供しようとするもの
である。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶ディスプレ
イ用電極配線は、酸化物層と金属層とが２ｎ＋１（ｎは
１以上の整数）で積層され、かつ、各酸化物層には酸化
亜鉛を主成分とする膜を少なくとも１層含み、各金属層
には銀を主成分とする膜を少なくとも１層含む透明導電
膜を薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイのソース電
極、かつドレイン電極、かつ画素電極として用いること
を特徴とする。
イ用電極配線は、酸化物層と金属層とが２ｎ＋１（ｎは
１以上の整数）で積層され、かつ、各酸化物層には酸化
亜鉛を主成分とする膜を少なくとも１層含み、各金属層
には銀を主成分とする膜を少なくとも１層含む透明導電
膜を薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイのソース電
極、かつドレイン電極、かつ画素電極として用いること
を特徴とする。
【００１４】本発明の液晶ディスプレイ用電極配線形成
方法は、基体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層
を形成した後に、酸化亜鉛を主成分とする膜を少なくと
も１層含む酸化物層と銀を主成分とする膜を少なくとも
１層含む金属層とを２ｎ＋１層積層してなる透明導電膜
を形成し、次いで、エッチング加工に該透明導電膜をエ
ッチングすることによりソース電極、画素電極と一体化
したドレイン電極を形成することを特徴とする。
方法は、基体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層
を形成した後に、酸化亜鉛を主成分とする膜を少なくと
も１層含む酸化物層と銀を主成分とする膜を少なくとも
１層含む金属層とを２ｎ＋１層積層してなる透明導電膜
を形成し、次いで、エッチング加工に該透明導電膜をエ
ッチングすることによりソース電極、画素電極と一体化
したドレイン電極を形成することを特徴とする。
【００１５】
【作用】従来のＩＴＯ膜が１５０℃以下の低温成膜条件
下において非結晶構造を取るのに対し、本発明に使用さ
れる酸化亜鉛を主成分とする膜は結晶化しやすく、Ａｇ
膜の下地膜となった時、Ａｇの結晶化を促し、Ａｇの凝
集現象を防止するだけでなく、酸化亜鉛を主成分とする
膜とＡｇ膜界面との付着力が向上し、その結果、耐湿性
などの耐久性が著しく向上する。
下において非結晶構造を取るのに対し、本発明に使用さ
れる酸化亜鉛を主成分とする膜は結晶化しやすく、Ａｇ
膜の下地膜となった時、Ａｇの結晶化を促し、Ａｇの凝
集現象を防止するだけでなく、酸化亜鉛を主成分とする
膜とＡｇ膜界面との付着力が向上し、その結果、耐湿性
などの耐久性が著しく向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は本発明の実施態様に
係る液晶ディスプレイ用電極配線を示す模式断面図であ
る。
係る液晶ディスプレイ用電極配線を示す模式断面図であ
る。
【００１７】図１（ａ）に示すように、まず、基体（ガ
ラス基板）１上に、Ｃｒなどからなるゲート電極２を形
成し、次いでゲート絶縁膜３を形成し、さらに半導体層
４を形成する。次に、酸化亜鉛を主成分とする膜からな
る透明酸化物層、銀を主成分とする膜からなる金属層、
及び酸化亜鉛を主成分とする膜からなる透明酸化物層を
この順で順次積層した構成を有する透明導電膜２７を成
膜し、エッチング加工により、ソース電極７、及び画素
電極と一体化したドレイン電極８を形成する。
ラス基板）１上に、Ｃｒなどからなるゲート電極２を形
成し、次いでゲート絶縁膜３を形成し、さらに半導体層
４を形成する。次に、酸化亜鉛を主成分とする膜からな
る透明酸化物層、銀を主成分とする膜からなる金属層、
及び酸化亜鉛を主成分とする膜からなる透明酸化物層を
この順で順次積層した構成を有する透明導電膜２７を成
膜し、エッチング加工により、ソース電極７、及び画素
電極と一体化したドレイン電極８を形成する。
【００１８】なお、ゲート電極２、半導体層４、ソース
電極７、ドレイン電極８、画素電極８の形成の順序は、
これに限られるものではない。
電極７、ドレイン電極８、画素電極８の形成の順序は、
これに限られるものではない。
【００１９】透明導電膜２７は、図２に示すように、酸
化亜鉛を主成分とする膜からなる透明酸化物層９、１
０、１３と、Ａｇを主成分とする膜からなる金属層１
０、１２を２ｎ＋１（ｎは１以上の整数）層積層した構
成からなる。その成膜方法は高いスループットと性能の
優れた透明導電膜が得られるという理由から、ＤＣスパ
ッタ法が好ましく、パターン形成には、より微細なパタ
ーンが得られるという理由から、ドライエッチング法が
好ましい。
化亜鉛を主成分とする膜からなる透明酸化物層９、１
０、１３と、Ａｇを主成分とする膜からなる金属層１
０、１２を２ｎ＋１（ｎは１以上の整数）層積層した構
成からなる。その成膜方法は高いスループットと性能の
優れた透明導電膜が得られるという理由から、ＤＣスパ
ッタ法が好ましく、パターン形成には、より微細なパタ
ーンが得られるという理由から、ドライエッチング法が
好ましい。
【００２０】特に、金属層１０、１２は、他金属（Ｐ
ｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｌのいづれか１つ以上の金
属）を（Ａｇ＋他金属）に対し０．１以上５原子％以下
の範囲でＡｇ中に含有する合金膜であることが耐久性向
上の理由から特に好ましい。
ｄ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｌのいづれか１つ以上の金
属）を（Ａｇ＋他金属）に対し０．１以上５原子％以下
の範囲でＡｇ中に含有する合金膜であることが耐久性向
上の理由から特に好ましい。
【００２１】他金属の含有比率が０．１原子％未満では
耐湿性などの耐久性が低下し、５原子％を超えると、透
明導電膜の抵抗の上昇、透過率の低下を招くので好まし
くない。
耐湿性などの耐久性が低下し、５原子％を超えると、透
明導電膜の抵抗の上昇、透過率の低下を招くので好まし
くない。
【００２２】各金属層は銀を主成分とする膜を少なくと
も１層含むものであった、例えば、図３に示すように、
銀を主成分とする膜１５を他金属の膜１４、１６でサン
ドイッチした金属層１２を用いることができる。なお、
他金属の膜１４、１６の厚さはそれぞれ０．１ｎｍ以上
３ｎｍ以下が好ましい。の厚さを有する他金属膜１４、
１６でサンドイッチした構成の膜１２である。
も１層含むものであった、例えば、図３に示すように、
銀を主成分とする膜１５を他金属の膜１４、１６でサン
ドイッチした金属層１２を用いることができる。なお、
他金属の膜１４、１６の厚さはそれぞれ０．１ｎｍ以上
３ｎｍ以下が好ましい。の厚さを有する他金属膜１４、
１６でサンドイッチした構成の膜１２である。
【００２３】この構成では、酸化亜鉛を主成分とする膜
９、１１は他金属膜１４、１６と接することとなる。他
金属膜１４、１６の膜厚が０．１ｎｍ未満では、耐湿性
などの耐久性が低下し、３ｎｍを超えると、透明導電膜
の抵抗の上昇、透過率の低下を招くので好ましくない。
９、１１は他金属膜１４、１６と接することとなる。他
金属膜１４、１６の膜厚が０．１ｎｍ未満では、耐湿性
などの耐久性が低下し、３ｎｍを超えると、透明導電膜
の抵抗の上昇、透過率の低下を招くので好ましくない。
【００２４】さらに、Ａｇを主成分とする膜からなる金
属層としては、例えば、図４に示すような傾斜組成膜と
することも好ましい。傾斜組成膜では、その片方又は両
方の面（すなわち、酸化亜鉛を主成分とする膜９，１１
の片方又は両方の界面）から他金属の濃度が漸次減少し
ていく。その際、他金属の濃度がＡｇよりも多い（５０
原子％以上）部分（他金属リッチ部）１７、１９の厚み
が、０．１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることが耐久性が向
上するという理由から特に好ましい。他金属リッチ部の
厚みが、０．１ｎｍ未満では、耐湿性などの耐久性が低
下し、３ｎｍを超えると透明導電膜の抵抗の上昇、透過
率の低下を招くので好ましくない。いずれにおいても銀
を主成分とする金属膜の膜厚の総和は、低い抵抗値と高
い透過率を得るために、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲
が特に好ましい。
属層としては、例えば、図４に示すような傾斜組成膜と
することも好ましい。傾斜組成膜では、その片方又は両
方の面（すなわち、酸化亜鉛を主成分とする膜９，１１
の片方又は両方の界面）から他金属の濃度が漸次減少し
ていく。その際、他金属の濃度がＡｇよりも多い（５０
原子％以上）部分（他金属リッチ部）１７、１９の厚み
が、０．１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることが耐久性が向
上するという理由から特に好ましい。他金属リッチ部の
厚みが、０．１ｎｍ未満では、耐湿性などの耐久性が低
下し、３ｎｍを超えると透明導電膜の抵抗の上昇、透過
率の低下を招くので好ましくない。いずれにおいても銀
を主成分とする金属膜の膜厚の総和は、低い抵抗値と高
い透過率を得るために、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲
が特に好ましい。
【００２５】酸化亜鉛を主成分とする膜９、１１、１３
は、ガリウム含有酸化亜鉛（「ＧＺＯ」と称する）膜が
好ましい。絶縁物である酸化亜鉛にＡｌなどの３価のド
ーパントを添加すると導電性を示すことが知られている
が、Ｇａを添加したものが最も良い導電性と可視光透過
率を示すためである。
は、ガリウム含有酸化亜鉛（「ＧＺＯ」と称する）膜が
好ましい。絶縁物である酸化亜鉛にＡｌなどの３価のド
ーパントを添加すると導電性を示すことが知られている
が、Ｇａを添加したものが最も良い導電性と可視光透過
率を示すためである。
【００２６】また、成膜法として、量産性の高い直流ス
パッタリングを想定した場合、亜鉛金属をターゲットと
して用いることもできるが、成膜条件のマージンが狭い
難点がある。しかるに、Ｇａを添加することで酸化亜鉛
ターゲットからの直流スパッタリングが可能となり、そ
の成膜条件のマージンも非常に広くなるためである。
パッタリングを想定した場合、亜鉛金属をターゲットと
して用いることもできるが、成膜条件のマージンが狭い
難点がある。しかるに、Ｇａを添加することで酸化亜鉛
ターゲットからの直流スパッタリングが可能となり、そ
の成膜条件のマージンも非常に広くなるためである。
【００２７】特に、ＧＺＯ膜中のＧａ添加量は、（Ｇａ
＋ＺｎＯ）に対し１〜１５原子％であることが好まし
い。Ｇａドープ量は１％原子未満では抵抗が高くなり、
ドープ量が１５原子％より多いと可視光透過率が低くな
るので好ましくない。また、酸化亜鉛を主成分とする膜
の膜厚は、高い透過率を得るために、１５ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下の範囲が特に好ましい。
＋ＺｎＯ）に対し１〜１５原子％であることが好まし
い。Ｇａドープ量は１％原子未満では抵抗が高くなり、
ドープ量が１５原子％より多いと可視光透過率が低くな
るので好ましくない。また、酸化亜鉛を主成分とする膜
の膜厚は、高い透過率を得るために、１５ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下の範囲が特に好ましい。
【００２８】本発明では、各酸化物層は酸化亜鉛を主成
分とする膜を少なくとも１層含むものであるが、さら
に、例えば、酸化亜鉛を主成分とする膜と酸化インジウ
ムを主成分とする膜と組み合わせて用いることができ、
このような酸化物層を用いることで耐アルカリ性などの
耐久性が向上する。具体的には、例えば図５に示すよう
に、１）酸化亜鉛を主成分とする膜１３／酸化インジウ
ムを主成分とする膜２２、２）酸化亜鉛を主成分とする
膜１１ａ／酸化インジウムを主成分とする膜２１／酸化
亜鉛を主成分とする膜１１ｂ、３）酸化インジウムを主
成分とする膜２０／酸化亜鉛を主成分とする膜９などが
挙げられる。例えば、前記１）のような酸化物層は金属
層の下に、前記３）のような酸化物層は金属層の上に、
また、前記２）のような酸化物層は金属層と金属層との
間に用いられる。
分とする膜を少なくとも１層含むものであるが、さら
に、例えば、酸化亜鉛を主成分とする膜と酸化インジウ
ムを主成分とする膜と組み合わせて用いることができ、
このような酸化物層を用いることで耐アルカリ性などの
耐久性が向上する。具体的には、例えば図５に示すよう
に、１）酸化亜鉛を主成分とする膜１３／酸化インジウ
ムを主成分とする膜２２、２）酸化亜鉛を主成分とする
膜１１ａ／酸化インジウムを主成分とする膜２１／酸化
亜鉛を主成分とする膜１１ｂ、３）酸化インジウムを主
成分とする膜２０／酸化亜鉛を主成分とする膜９などが
挙げられる。例えば、前記１）のような酸化物層は金属
層の下に、前記３）のような酸化物層は金属層の上に、
また、前記２）のような酸化物層は金属層と金属層との
間に用いられる。
【００２９】このとき、酸化亜鉛を主成分とする透明酸
化物層と酸化インジウムを主成分とする膜との膜厚の総
和は、高い透過率を得るために、１５以上１００ｎｍ以
下の範囲が特に好ましい。ここで膜厚の総和とは、上記
１）、２）、３）の場合でいうならば、１）では層９と
層２０との和、２）では層１１ａと層２１と層１１ｂと
の和、３）では層１３と層２２との和である。
化物層と酸化インジウムを主成分とする膜との膜厚の総
和は、高い透過率を得るために、１５以上１００ｎｍ以
下の範囲が特に好ましい。ここで膜厚の総和とは、上記
１）、２）、３）の場合でいうならば、１）では層９と
層２０との和、２）では層１１ａと層２１と層１１ｂと
の和、３）では層１３と層２２との和である。
【００３０】なお、電極配線の成膜に際しては基板温度
は１５０℃以下が好ましい。１５０℃以下にしないとＡ
ｇが凝集してしまい良好な膜が得られない場合が生じ
る。
は１５０℃以下が好ましい。１５０℃以下にしないとＡ
ｇが凝集してしまい良好な膜が得られない場合が生じ
る。
【００３１】さらに、本発明の透明導電膜は、低抵抗、
高可視光透過率、高耐久性を示すが、さらに特性を向上
させるために、成膜後１００〜４００℃の加熱処理を行
うことが好ましい。
高可視光透過率、高耐久性を示すが、さらに特性を向上
させるために、成膜後１００〜４００℃の加熱処理を行
うことが好ましい。
【００３２】
【実施例】ガラス基板上に表１に示すような各種構成の
透明導電膜を直流スパッタリング法により、基板加熱を
行わずに形成した。
透明導電膜を直流スパッタリング法により、基板加熱を
行わずに形成した。
【００３３】酸化亜鉛を主成分とする膜からなる透明酸
化物層は、Ｇａを５原子％含むＺｎＯ焼結体ターゲット
を用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜した。
酸化インジウムを主成分とする膜はＳｎを１０原子％含
む酸化インジウム焼結体ターゲットを用い、３％酸素を
含んだＡｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気で成膜した。金属
層は、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕや１％Ｐｄ−Ａｇターゲットと
を用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜した。
それぞれの膜厚は、スパッタ電力及びスパッタ時間によ
り調整した。
化物層は、Ｇａを５原子％含むＺｎＯ焼結体ターゲット
を用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜した。
酸化インジウムを主成分とする膜はＳｎを１０原子％含
む酸化インジウム焼結体ターゲットを用い、３％酸素を
含んだＡｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気で成膜した。金属
層は、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕや１％Ｐｄ−Ａｇターゲットと
を用い、Ａｒガス３ｍＴｏｒｒの雰囲気下で成膜した。
それぞれの膜厚は、スパッタ電力及びスパッタ時間によ
り調整した。
【００３４】また、一部の膜については、成膜後に大気
中で、２５０℃×３０分間の熱処理を行った。
中で、２５０℃×３０分間の熱処理を行った。
【００３５】その後、レジストを塗布し、ソース電極、
ドレイン電極、画素電極に相当するレジストパターンを
形成後、図６に示すようなドライエッチング装置におい
て、ＨＩガスとＡｒガスとの混合ガスを用いてソース電
極、ドレイン電極、画素電極パターンの一括形成を行っ
た。
ドレイン電極、画素電極に相当するレジストパターンを
形成後、図６に示すようなドライエッチング装置におい
て、ＨＩガスとＡｒガスとの混合ガスを用いてソース電
極、ドレイン電極、画素電極パターンの一括形成を行っ
た。
【００３６】以上のようにして作製したサンプルの電気
特性、光学特牲を評価するとともに、耐湿性や耐アルカ
リ性などの耐久性、パターニング性を評価した。耐湿性
については、４０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１週
間放置し、抵抗の変化とピンホール等の異物発生の状況
を観察した。
特性、光学特牲を評価するとともに、耐湿性や耐アルカ
リ性などの耐久性、パターニング性を評価した。耐湿性
については、４０℃、相対湿度９０％の雰囲気中に１週
間放置し、抵抗の変化とピンホール等の異物発生の状況
を観察した。
【００３７】耐アルカリ性については、３ｗｔ％と１ｗ
ｔ％のＮａＯＨ、室温のアルカリ水溶液に１０分間浸漬
し、膜剥離の有無や膜減りの状況を観察した。
ｔ％のＮａＯＨ、室温のアルカリ水溶液に１０分間浸漬
し、膜剥離の有無や膜減りの状況を観察した。
【００３８】観察結果を表１に示す。
【００３９】表１に示すように、（ａ）酸化亜鉛を主成
分とする酸化物層用い、そして金属層にＰｄやＡｕを添
加したＡｇ膜、及びＰｄやＡｕ層でＡｇ層をサンドイッ
チした膜では、抵抗上昇もなく耐湿性が向上した。
（ｂ）ＩＴＯ膜をオーバーコートすることで耐アルカリ
性も向上した。（ｃ）成膜後の加熱処理により、いずれ
のサンプルも抵抗が低下し、また、透過率が向上した。
（ｄ）パターニング性については、いずれのサンプルに
ついてもパターンエッジ形状はシャープで、エッチング
残滓等は見られず、サイドエッチング量も１μｍ程度と
良好な結果が得られた。
分とする酸化物層用い、そして金属層にＰｄやＡｕを添
加したＡｇ膜、及びＰｄやＡｕ層でＡｇ層をサンドイッ
チした膜では、抵抗上昇もなく耐湿性が向上した。
（ｂ）ＩＴＯ膜をオーバーコートすることで耐アルカリ
性も向上した。（ｃ）成膜後の加熱処理により、いずれ
のサンプルも抵抗が低下し、また、透過率が向上した。
（ｄ）パターニング性については、いずれのサンプルに
ついてもパターンエッジ形状はシャープで、エッチング
残滓等は見られず、サイドエッチング量も１μｍ程度と
良好な結果が得られた。
【００４０】以上の結果より、ＩＴＯ／Ａｇ系の膜に比
較し、耐湿性に優れ、また、ＩＴＯの単膜に比較し３分
の１以下の膜厚で、７０％以上の透過率と３Ω／□以下
の抵抗が得られるために、ＴＦＴ型ＬＣＤのソース電
極、かつドレイン電極、かつ画素電極に用いることが可
能である。
較し、耐湿性に優れ、また、ＩＴＯの単膜に比較し３分
の１以下の膜厚で、７０％以上の透過率と３Ω／□以下
の抵抗が得られるために、ＴＦＴ型ＬＣＤのソース電
極、かつドレイン電極、かつ画素電極に用いることが可
能である。
【００４１】
【表１】
【００４２】
【発明の効果】低比抵抗でしかも、耐久性に優れ、か
つ、形成が容易な液晶ディスプレイ用電極配線を提供す
ることができる。
つ、形成が容易な液晶ディスプレイ用電極配線を提供す
ることができる。
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態に係る液晶デイス
プレイ用電極配線の模式図、（ｂ）は従来例に係る液晶
デイスプレイ用電極配線の模式図である。
プレイ用電極配線の模式図、（ｂ）は従来例に係る液晶
デイスプレイ用電極配線の模式図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る透明導電膜の断面模
式図である。
式図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る透明導電膜の断面模
式図である。
式図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る傾斜組成金属膜の断
面模式図である。
面模式図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る透明導電膜の断面模
式図である。
式図である。
【図６】実施例において使用するドライエッチング装置
の模式図である。
の模式図である。
１：基体 ２：ゲート電極 ３：ゲート絶縁膜 ４：半導体層 ５：画素電極 ６：ドレイン電極 ７：ソース電極 ８：一体化したドレイン電極と画素電極 ９：酸化亜鉛を主成分とする膜 １０：Ａｇを主成分とする膜 １１、１１ａ、１１ｂ：酸化亜鉛を主成分とする膜 １２：Ａｇを主成分とする膜 １３：酸化亜鉛を主成分とする膜 １４：他金属層 １５：Ａｇ層 １６：他金属層 １７：他金属リッチ部 １８：Ａｇリッチ部 １９：他金属リッチ部 ２０、２１、２２：酸化インジウムを主成分とする膜 ２３：ＲＦ電源 ２４：カソード電極 ２５：サンプル ２６：アノード電極 ２７：透明導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河村 有紀 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 西村 啓道 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】酸化物層と金属層とが２ｎ＋１（ｎは１以
上の整数）で積層され、かつ、各酸化物層には酸化亜鉛
を主成分とする膜を少なくとも１層含み、各金属層には
銀を主成分とする膜を少なくとも１層含む透明導電膜を
薄膜トランジスタ型液晶ディスプレイのソース電極、か
つドレイン電極、かつ画素電極として用いることを特徴
とする液晶ディスプレイ用電極配線。 - 【請求項２】酸化亜鉛を主成分とする膜の膜厚が、１５
ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする
請求項１の液晶ディスプレイ用電極配線。 - 【請求項３】酸化亜鉛を主成分とする膜が、ガリウムを
１原子％以上１５原子％以下の範囲で含有することを特
徴とする請求項１又は２の液晶ディスプレイ用電極配
線。 - 【請求項４】基体上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導
体層を形成した後に、酸化亜鉛を主成分とする膜を少な
くとも１層含む酸化物層と銀を主成分とする膜を少なく
とも１層含む金属層とを２ｎ＋１層積層してなる透明導
電膜を形成し、次いで、エッチング加工に該透明導電膜
をエッチングすることによりソース電極、画素電極と一
体化したドレイン電極を形成することを特徴とする液晶
ディスプレイ用電極配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20074596A JPH1048650A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 液晶ディスプレイ用電極配線及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20074596A JPH1048650A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 液晶ディスプレイ用電極配線及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048650A true JPH1048650A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16429473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20074596A Pending JPH1048650A (ja) | 1996-07-30 | 1996-07-30 | 液晶ディスプレイ用電極配線及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1048650A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003050405A (ja) * | 2000-11-15 | 2003-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル |
| KR100449791B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2004-09-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| CN100386689C (zh) * | 2004-07-12 | 2008-05-07 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器像素结构的制造方法 |
| US7486356B2 (en) | 2004-08-13 | 2009-02-03 | Au Optronics Corp. | Pixel structure of a liquid crystal display and fabricating method with black matrix pattern covering over TFT and directly lying on parts of pixel electrode pattern |
-
1996
- 1996-07-30 JP JP20074596A patent/JPH1048650A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100449791B1 (ko) * | 2000-05-25 | 2004-09-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액정 장치, 그 제조 방법 및 전자 기기 |
| JP2003050405A (ja) * | 2000-11-15 | 2003-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、その製造方法およびそれを用いた表示パネル |
| CN100386689C (zh) * | 2004-07-12 | 2008-05-07 | 友达光电股份有限公司 | 液晶显示器像素结构的制造方法 |
| US7486356B2 (en) | 2004-08-13 | 2009-02-03 | Au Optronics Corp. | Pixel structure of a liquid crystal display and fabricating method with black matrix pattern covering over TFT and directly lying on parts of pixel electrode pattern |
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