JPH10335837A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板の製造方法Info
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Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 内層の導体回路に表面凹凸が存在していて
も、層間樹脂絶縁層の表面を平坦化することのできる多
層プリント配線板の製造方法を提案すること。 【解決手段】 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化の層間樹脂絶縁剤を塗
布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する
工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
も、層間樹脂絶縁層の表面を平坦化することのできる多
層プリント配線板の製造方法を提案すること。 【解決手段】 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化の層間樹脂絶縁剤を塗
布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する
工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板の製造方法に関し、特に、セミアディティブ法により
形成した導体回路の表面凹凸に起因する層間樹脂絶縁層
の表面凹凸を有利に防止し得る方法についての提案であ
る。
板の製造方法に関し、特に、セミアディティブ法により
形成した導体回路の表面凹凸に起因する層間樹脂絶縁層
の表面凹凸を有利に防止し得る方法についての提案であ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平4−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる層間樹脂絶縁剤を塗布し、これを乾
燥したのち露光現像することにより、バイアホール用開
口を有する層間樹脂絶縁層を形成し、次いで、この層間
樹脂絶縁層の表面を酸化剤等による処理にて粗化したの
ち、その粗化面に感光性の樹脂層を露光現像処理してな
るめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成部分
に無電解めっきを施してバイアホールを含む導体回路パ
ターンを形成し、このような工程を複数回繰り返すこと
により、多層化したビルドアップ配線基板が得られるの
である。
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平4−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる層間樹脂絶縁剤を塗布し、これを乾
燥したのち露光現像することにより、バイアホール用開
口を有する層間樹脂絶縁層を形成し、次いで、この層間
樹脂絶縁層の表面を酸化剤等による処理にて粗化したの
ち、その粗化面に感光性の樹脂層を露光現像処理してな
るめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成部分
に無電解めっきを施してバイアホールを含む導体回路パ
ターンを形成し、このような工程を複数回繰り返すこと
により、多層化したビルドアップ配線基板が得られるの
である。
【0003】このような方法で製造されるビルドアップ
多層配線基板は、めっきレジストと導体回路の界面での
密着性が悪い。そのため、この種のビルドアップ多層配
線基板は、ICチップ等を搭載した場合、めっきレジス
トと導体回路の熱膨張率差に起因して、これらの界面を
起点とするクラックが層間樹脂絶縁層に発生するという
問題があった。
多層配線基板は、めっきレジストと導体回路の界面での
密着性が悪い。そのため、この種のビルドアップ多層配
線基板は、ICチップ等を搭載した場合、めっきレジス
トと導体回路の熱膨張率差に起因して、これらの界面を
起点とするクラックが層間樹脂絶縁層に発生するという
問題があった。
【0004】これに対し従来、上述した問題を解消でき
る技術として、導体回路の少なくとも側面を粗化処理す
ることにより、その導体回路上に形成される層間樹脂絶
縁層との密着性を改善する方法がある。この方法は、上
記ビルドアップ多層配線基板の製造に適用するには、導
体回路を粗化処理するに先立ち、めっきレジストを除去
することが必要となる。そのため、めっきレジストを除
去して上記問題を解消できるビルドアップ多層配線基板
を製造する方法として、例えばセミアディティブ法が挙
げられる。
る技術として、導体回路の少なくとも側面を粗化処理す
ることにより、その導体回路上に形成される層間樹脂絶
縁層との密着性を改善する方法がある。この方法は、上
記ビルドアップ多層配線基板の製造に適用するには、導
体回路を粗化処理するに先立ち、めっきレジストを除去
することが必要となる。そのため、めっきレジストを除
去して上記問題を解消できるビルドアップ多層配線基板
を製造する方法として、例えばセミアディティブ法が挙
げられる。
【0005】このセミアディティブ法は、まず、層間樹
脂絶縁層の表面に粗化面を設け、その粗化面全体に無電
解めっきを薄く施し、次いで、その無電解めっき膜の非
導体部分にめっきレジストを形成し、そのレジスト非形
成部分に電解めっきを厚く施した後、そのめっきレジス
トとめっきレジスト下の無電解めっき膜を除去すること
により、導体回路パターンを形成する方法である。
脂絶縁層の表面に粗化面を設け、その粗化面全体に無電
解めっきを薄く施し、次いで、その無電解めっき膜の非
導体部分にめっきレジストを形成し、そのレジスト非形
成部分に電解めっきを厚く施した後、そのめっきレジス
トとめっきレジスト下の無電解めっき膜を除去すること
により、導体回路パターンを形成する方法である。
【0006】従って、このようにしてセミアディティブ
法により形成した導体回路は、少なくとも側面を粗化処
理することによって、その導体回路上に形成される層間
樹脂絶縁層との密着性が改善される。
法により形成した導体回路は、少なくとも側面を粗化処
理することによって、その導体回路上に形成される層間
樹脂絶縁層との密着性が改善される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このセ
ミアディティブ法により形成した導体回路は、その導体
回路間にめっきレジストが存在しないので、その表面が
凹凸となる。そのため、この導体回路の層上にさらに層
間樹脂絶縁層を形成すると、その層間樹脂絶縁層の表面
には、導体回路の表面凹凸に起因する凹凸が生じる。そ
の結果、セミアディティブ法により多層配線基板を製造
する場合、導体回路の表面凹凸が原因となって、露光現
像によるバイアホール形成用開口の形成不良を招いた
り、ICチップなどの実装不良を招くといった他の問題
があった。また、セミアディティブ法では、導体回路間
に層間樹脂が流れ込むため、全体的に層間樹脂絶縁層が
薄くなる傾向が見られる一方で、この層間樹脂絶縁層を
露光、現像処理すると、表層が現像液に溶けてしまい、
層間樹脂絶縁層が薄くなる(いわゆる膜減り)という問
題があった。さらに、セミアディティブ法では、粗化面
全体に形成した無電解めっき膜のうち、導体を構成しな
い無電解めっき膜をエッチングで除去する必要がある。
そのため、粗化面のアンカーが深すぎると、無電解めっ
き膜をエッチング除去しきれないことから、粗化面のア
ンカー深さは1〜5μm程度と浅くしなければならな
い。ところが、このようなアンカー深さの浅い粗化面で
は、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着強度(ピール強
度)が低下してしまうという問題があった。
ミアディティブ法により形成した導体回路は、その導体
回路間にめっきレジストが存在しないので、その表面が
凹凸となる。そのため、この導体回路の層上にさらに層
間樹脂絶縁層を形成すると、その層間樹脂絶縁層の表面
には、導体回路の表面凹凸に起因する凹凸が生じる。そ
の結果、セミアディティブ法により多層配線基板を製造
する場合、導体回路の表面凹凸が原因となって、露光現
像によるバイアホール形成用開口の形成不良を招いた
り、ICチップなどの実装不良を招くといった他の問題
があった。また、セミアディティブ法では、導体回路間
に層間樹脂が流れ込むため、全体的に層間樹脂絶縁層が
薄くなる傾向が見られる一方で、この層間樹脂絶縁層を
露光、現像処理すると、表層が現像液に溶けてしまい、
層間樹脂絶縁層が薄くなる(いわゆる膜減り)という問
題があった。さらに、セミアディティブ法では、粗化面
全体に形成した無電解めっき膜のうち、導体を構成しな
い無電解めっき膜をエッチングで除去する必要がある。
そのため、粗化面のアンカーが深すぎると、無電解めっ
き膜をエッチング除去しきれないことから、粗化面のア
ンカー深さは1〜5μm程度と浅くしなければならな
い。ところが、このようなアンカー深さの浅い粗化面で
は、導体回路と層間樹脂絶縁層との密着強度(ピール強
度)が低下してしまうという問題があった。
【0008】本発明は、従来技術が抱える上述した問題
を解消するための技術を提案する。すなわち、本発明の
主たる目的は、内層の導体回路に表面凹凸が存在してい
ても、層間樹脂絶縁層の表面を平坦化することのできる
多層プリント配線板の製造方法を提案することにある。
また、本発明の他の目的は、感光性の層間樹脂絶縁剤が
抱えるいわゆる膜減りの問題を解決し、アンカー深さの
浅い粗化面でも実用的なピール強度を得ることができる
多層プリント配線板の製造方法を提案することにある。
を解消するための技術を提案する。すなわち、本発明の
主たる目的は、内層の導体回路に表面凹凸が存在してい
ても、層間樹脂絶縁層の表面を平坦化することのできる
多層プリント配線板の製造方法を提案することにある。
また、本発明の他の目的は、感光性の層間樹脂絶縁剤が
抱えるいわゆる膜減りの問題を解決し、アンカー深さの
浅い粗化面でも実用的なピール強度を得ることができる
多層プリント配線板の製造方法を提案することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した。その結果、層間樹脂絶縁層
の凹凸は、樹脂を硬化させる前にプレスすれば平坦化で
きること、膜減りおよびアンカー深さの浅い粗化面で
のピール強度低下の原因が、感光性の層間樹脂絶縁層を
光重合反応により露光硬化させる際に、その表面の樹脂
重合反応が空気中の酸素により阻害されてしまうためで
あること、を知見した。本発明は、このような知見に基
づいて完成したものであり、その要旨構成は以下のとお
りである。 (1) 多層プリント配線板を製造するに当たり、少なくと
も下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化の層間樹脂絶縁剤を塗
布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する
工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
実現に向け鋭意研究した。その結果、層間樹脂絶縁層
の凹凸は、樹脂を硬化させる前にプレスすれば平坦化で
きること、膜減りおよびアンカー深さの浅い粗化面で
のピール強度低下の原因が、感光性の層間樹脂絶縁層を
光重合反応により露光硬化させる際に、その表面の樹脂
重合反応が空気中の酸素により阻害されてしまうためで
あること、を知見した。本発明は、このような知見に基
づいて完成したものであり、その要旨構成は以下のとお
りである。 (1) 多層プリント配線板を製造するに当たり、少なくと
も下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化の層間樹脂絶縁剤を塗
布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する
工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
【0010】なお、上記(1) に記載の本発明方法におい
て、層間樹脂絶縁剤として、硬化処理によって酸あるい
は酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂マトリック
ス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱
性樹脂粒子を分散させた無電解めっき用接着剤を用いる
ことが望ましい。
て、層間樹脂絶縁剤として、硬化処理によって酸あるい
は酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂マトリック
ス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理された耐熱
性樹脂粒子を分散させた無電解めっき用接着剤を用いる
ことが望ましい。
【0011】また、上記(1) に記載の本発明方法におい
て、層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成するに当たり、
まず、粗化した層間樹脂絶縁層上の全面に設けた無電解
めっき膜にめっきレジストを配設して非導体部分を形成
する一方、その非導体部分以外に電解めっきを施して導
体を形成した後、前記めっきレジストとこのめっきレジ
スト下にある前記無電解めっき膜を除去することによ
り、無電解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる導体
回路を得ることが望ましい。
て、層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成するに当たり、
まず、粗化した層間樹脂絶縁層上の全面に設けた無電解
めっき膜にめっきレジストを配設して非導体部分を形成
する一方、その非導体部分以外に電解めっきを施して導
体を形成した後、前記めっきレジストとこのめっきレジ
スト下にある前記無電解めっき膜を除去することによ
り、無電解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる導体
回路を得ることが望ましい。
【0012】(2) 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層を露光、現像処理して、
バイアホール形成用の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層を露光、現像処理して、
バイアホール形成用の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
【0013】(3) 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成した後、この層間
樹脂絶縁層上に透光性のフィルムを貼付する工程、 .その透光性フィルムを介して層間樹脂絶縁層を加熱
プレスし、その表面を平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その
透光性フィルムを除去し、さらに現像処理してバイアホ
ール形成用の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成した後、この層間
樹脂絶縁層上に透光性のフィルムを貼付する工程、 .その透光性フィルムを介して層間樹脂絶縁層を加熱
プレスし、その表面を平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その
透光性フィルムを除去し、さらに現像処理してバイアホ
ール形成用の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
【0014】(4) 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付
する工程、 .層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その透光性フィ
ルムを除去し、さらに現像処理してバイアホール形成用
の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付
する工程、 .層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その透光性フィ
ルムを除去し、さらに現像処理してバイアホール形成用
の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
【0015】(5) 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付する工
程、 .層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その透光性フィ
ルムを除去し、さらに現像処理してバイアホール形成用
の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層上の全面に無電解めっ
き膜を設け、この無電解めっき膜にめっきレジストを配
設して非導体部分を形成する一方、その非導体部分以外
に電解めっきを施して導体を形成した後、前記めっきレ
ジストと、このめっきレジスト下にある前記無電解めっ
き膜を除去することにより、無電解めっき膜と電解めっ
き膜の2層からなる導体回路およびバイアホールを形成
する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付する工
程、 .層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その透光性フィ
ルムを除去し、さらに現像処理してバイアホール形成用
の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層上の全面に無電解めっ
き膜を設け、この無電解めっき膜にめっきレジストを配
設して非導体部分を形成する一方、その非導体部分以外
に電解めっきを施して導体を形成した後、前記めっきレ
ジストと、このめっきレジスト下にある前記無電解めっ
き膜を除去することにより、無電解めっき膜と電解めっ
き膜の2層からなる導体回路およびバイアホールを形成
する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法
である。
【0016】(6) プリント配線板を製造するに当たり、
少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶縁剤を塗布
して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付する工
程、 .層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その透光性フィ
ルムを除去し、表面を粗化処理する工程、 .粗化処理した層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を
設け、この無電解めっき膜にめっきレジストを配設して
非導体部分を形成する一方、その非導体部分以外に電解
めっきを施して導体を形成した後、前記めっきレジスト
と、このめっきレジスト下にある前記無電解めっき膜を
除去することにより、無電解めっき膜と電解めっき膜の
2層からなる導体回路を形成する工程、 を経ることを特徴とするプリント配線板の製造方法であ
る。
少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶縁剤を塗布
して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付する工
程、 .層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その透光性フィ
ルムを除去し、表面を粗化処理する工程、 .粗化処理した層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を
設け、この無電解めっき膜にめっきレジストを配設して
非導体部分を形成する一方、その非導体部分以外に電解
めっきを施して導体を形成した後、前記めっきレジスト
と、このめっきレジスト下にある前記無電解めっき膜を
除去することにより、無電解めっき膜と電解めっき膜の
2層からなる導体回路を形成する工程、 を経ることを特徴とするプリント配線板の製造方法であ
る。
【0017】なお、上記(2),(3),(4),(5),(6) に記載の
本発明方法において、感光性の層間樹脂絶縁剤として、
硬化処理によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬
化で感光性の耐熱性樹脂マトリックス中に酸あるいは酸
化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子を分散さ
せた無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。
本発明方法において、感光性の層間樹脂絶縁剤として、
硬化処理によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬
化で感光性の耐熱性樹脂マトリックス中に酸あるいは酸
化剤に可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子を分散さ
せた無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。
【0018】また、上記(2),(3),(4) に記載の本発明方
法において、層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイアホ
ールを形成するに当たり、まず、粗化した層間樹脂絶縁
層上の全面に設けた無電解めっき膜にめっきレジストを
配設して非導体部分を形成する一方、その非導体部分以
外に電解めっきを施して導体を形成した後、前記めっき
レジストとこのめっきレジスト下にある前記無電解めっ
き膜を除去することにより、無電解めっき膜と電解めっ
き膜の2層からなる導体回路およびバイアホールを得る
ことが望ましい。
法において、層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイアホ
ールを形成するに当たり、まず、粗化した層間樹脂絶縁
層上の全面に設けた無電解めっき膜にめっきレジストを
配設して非導体部分を形成する一方、その非導体部分以
外に電解めっきを施して導体を形成した後、前記めっき
レジストとこのめっきレジスト下にある前記無電解めっ
き膜を除去することにより、無電解めっき膜と電解めっ
き膜の2層からなる導体回路およびバイアホールを得る
ことが望ましい。
【0019】さらに、上記(1),(2),(3),(4),(5) に記載
の本発明方法において、基板の導体回路上に層間樹脂絶
縁剤を塗布するに先立ち、前記導体回路の少なくとも側
面を含む表面を粗化処理することが望ましい。また、上
記(1),(2),(3),(4) に記載の本発明方法において、層間
樹脂絶縁層の加熱プレスは、層間樹脂絶縁層を加熱しな
がら金属板または金属ロールを押圧して行うことが望ま
しい。
の本発明方法において、基板の導体回路上に層間樹脂絶
縁剤を塗布するに先立ち、前記導体回路の少なくとも側
面を含む表面を粗化処理することが望ましい。また、上
記(1),(2),(3),(4) に記載の本発明方法において、層間
樹脂絶縁層の加熱プレスは、層間樹脂絶縁層を加熱しな
がら金属板または金属ロールを押圧して行うことが望ま
しい。
【0020】
【発明の実施の形態】さて、前述のようにセミアディテ
ィブ法により形成した導体回路は、その導体回路間にめ
っきレジストが存在しないので、その表面が凹凸とな
る。この凹凸面に未硬化の層間樹脂絶縁剤をロールコー
タなどで塗布すると、形成される層間樹脂絶縁層にもま
た表面凹凸が生じる。例えば、図23に示すように、導体
回路の面積が広い領域に形成される層間樹脂絶縁層は、
その厚みが相対的に厚く、導体回路の面積が狭い領域
(導体回路パターン領域)に形成される層間樹脂絶縁層
は、パターン間に層間樹脂絶縁剤が入りこむので、その
厚みが薄くなる。このように、層間樹脂絶縁層は、その
厚みが内層導体回路の表面凹凸により変化するので、そ
の表面に凹凸が発生するのである。
ィブ法により形成した導体回路は、その導体回路間にめ
っきレジストが存在しないので、その表面が凹凸とな
る。この凹凸面に未硬化の層間樹脂絶縁剤をロールコー
タなどで塗布すると、形成される層間樹脂絶縁層にもま
た表面凹凸が生じる。例えば、図23に示すように、導体
回路の面積が広い領域に形成される層間樹脂絶縁層は、
その厚みが相対的に厚く、導体回路の面積が狭い領域
(導体回路パターン領域)に形成される層間樹脂絶縁層
は、パターン間に層間樹脂絶縁剤が入りこむので、その
厚みが薄くなる。このように、層間樹脂絶縁層は、その
厚みが内層導体回路の表面凹凸により変化するので、そ
の表面に凹凸が発生するのである。
【0021】この点、本発明の方法は、基板の導体回路
上に、未硬化の層間樹脂絶縁層を形成した後、金属板や
金属ロールなどで加熱プレスして、層間樹脂絶縁層の表
面を平坦化する点に特徴がある。これにより、基板の導
体回路上に形成される層間樹脂絶縁層は、表面凹凸が発
生することはない。しかも、導体回路の表面凹凸(即
ち、層間樹脂絶縁層の厚さの相違)が原因となって、露
光現像によるバイアホール形成用開口の形成不良を招い
たり、ICチップなどの実装不良を招くこともない。
上に、未硬化の層間樹脂絶縁層を形成した後、金属板や
金属ロールなどで加熱プレスして、層間樹脂絶縁層の表
面を平坦化する点に特徴がある。これにより、基板の導
体回路上に形成される層間樹脂絶縁層は、表面凹凸が発
生することはない。しかも、導体回路の表面凹凸(即
ち、層間樹脂絶縁層の厚さの相違)が原因となって、露
光現像によるバイアホール形成用開口の形成不良を招い
たり、ICチップなどの実装不良を招くこともない。
【0022】また、本発明では、層間樹脂絶縁層に透光
性フィルムを貼付して露光硬化を行っているので、酸素
による硬化反応の阻害が防止される結果、その後に現像
処理しても膜減りを防止でき、また粗化処理して浅い粗
化層を形成してもピール強度の低下を招くことはない。
性フィルムを貼付して露光硬化を行っているので、酸素
による硬化反応の阻害が防止される結果、その後に現像
処理しても膜減りを防止でき、また粗化処理して浅い粗
化層を形成してもピール強度の低下を招くことはない。
【0023】次に、本発明にかかるプリント配線板の製
造方法を、セミアディティブ法を例に挙げて具体的に説
明する。 (1) まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板を
作製する。この配線基板の導体回路は、銅張積層板をエ
ッチングして行う方法、あるいは、ガラスエポキシ基板
やポリイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基
板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この接着剤層表
面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施す方
法、もしくはいわゆるセミアディティブ法(その粗化面
全体に無電解めっきを施し、めっきレジストを形成し、
めっきレジスト非形成部分に電解めっきを施した後、め
っきレジストを除去し、エッチング処理して、電解めっ
き膜と無電解めっき膜とからなる導体回路を形成する方
法)により形成される。
造方法を、セミアディティブ法を例に挙げて具体的に説
明する。 (1) まず、基板の表面に導体回路を形成した配線基板を
作製する。この配線基板の導体回路は、銅張積層板をエ
ッチングして行う方法、あるいは、ガラスエポキシ基板
やポリイミド基板、セラミック基板、金属基板などの基
板に無電解めっき用接着剤層を形成し、この接着剤層表
面を粗化して粗化面とし、ここに無電解めっきを施す方
法、もしくはいわゆるセミアディティブ法(その粗化面
全体に無電解めっきを施し、めっきレジストを形成し、
めっきレジスト非形成部分に電解めっきを施した後、め
っきレジストを除去し、エッチング処理して、電解めっ
き膜と無電解めっき膜とからなる導体回路を形成する方
法)により形成される。
【0024】なお、上記配線基板の導体回路は、側面を
含む表面に、銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成
することにより、この導体回路の上に形成される層間樹
脂絶縁層との密着性を改善することができる。この粗化
層は、無電解めっきにより形成することが望ましい。そ
の無電解めっきの液組成は、銅イオン濃度、ニッケルイ
オン濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ 2.2×10
-2〜 4.1×10-2 mol/l、 2.2×10-3〜 4.1×10-3 mol
/l、0.20〜0.25 mol/lであることが望ましい。この
範囲で析出する皮膜は、結晶構造が針状構造であり、ア
ンカー効果に優れるからである。なお、無電解めっき浴
には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよ
い。粗化層を形成する他の方法として、導体回路表面を
酸化(黒化)−還元処理したり、エッチング処理して形
成する方法などがある。
含む表面に、銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成
することにより、この導体回路の上に形成される層間樹
脂絶縁層との密着性を改善することができる。この粗化
層は、無電解めっきにより形成することが望ましい。そ
の無電解めっきの液組成は、銅イオン濃度、ニッケルイ
オン濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ 2.2×10
-2〜 4.1×10-2 mol/l、 2.2×10-3〜 4.1×10-3 mol
/l、0.20〜0.25 mol/lであることが望ましい。この
範囲で析出する皮膜は、結晶構造が針状構造であり、ア
ンカー効果に優れるからである。なお、無電解めっき浴
には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよ
い。粗化層を形成する他の方法として、導体回路表面を
酸化(黒化)−還元処理したり、エッチング処理して形
成する方法などがある。
【0025】この粗化層は、イオン化傾向が銅より大き
くかつチタン以下である金属または貴金属の層で被覆さ
れていてもよい。これらの金属または貴金属の層は、粗
化層を被覆し、層間樹脂絶縁層を粗化する際に起こる局
部電極反応による導体回路の溶解を防止できるからであ
る。その層の厚さは 0.1〜2μmがよい。このような金
属としては、チタン、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジ
ウム、タリウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビス
マスから選ばれるいずれか少なくとも1種がある。貴金
属としては、金、銀、白金、パラジウムがある。これら
のうち、特にスズがよい。スズは無電解置換めっきによ
り薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利であ
る。このスズの場合、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩化
スズ−チオ尿素液を使用する。そして、Cu−Snの置換反
応により 0.1〜2μm程度のSn層が形成される。貴金属
の場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用できる。
くかつチタン以下である金属または貴金属の層で被覆さ
れていてもよい。これらの金属または貴金属の層は、粗
化層を被覆し、層間樹脂絶縁層を粗化する際に起こる局
部電極反応による導体回路の溶解を防止できるからであ
る。その層の厚さは 0.1〜2μmがよい。このような金
属としては、チタン、アルミニウム、亜鉛、鉄、インジ
ウム、タリウム、コバルト、ニッケル、スズ、鉛、ビス
マスから選ばれるいずれか少なくとも1種がある。貴金
属としては、金、銀、白金、パラジウムがある。これら
のうち、特にスズがよい。スズは無電解置換めっきによ
り薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利であ
る。このスズの場合、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩化
スズ−チオ尿素液を使用する。そして、Cu−Snの置換反
応により 0.1〜2μm程度のSn層が形成される。貴金属
の場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用できる。
【0026】また、コア基板には、スルーホールが形成
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層を
電気的に接続することができる。さらに、スルーホール
およびコア基板の導体回路間にビスフェノールF型エポ
キシ樹脂などの低粘度の樹脂を充填し、配線基板の平滑
性を確保してもよい。
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層を
電気的に接続することができる。さらに、スルーホール
およびコア基板の導体回路間にビスフェノールF型エポ
キシ樹脂などの低粘度の樹脂を充填し、配線基板の平滑
性を確保してもよい。
【0027】(2) 次に、前記(1) で作製した配線基板の
上に、層間樹脂絶縁剤を塗布する。特に本発明では、層
間樹脂絶縁剤を感光性とすることが望ましい。露光、現
像処理によりバイアホール用開口を設けることができる
からである。層間樹脂絶縁剤としては、硬化処理によっ
て酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂
マトリックス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理
された耐熱性樹脂粒子を分散させた無電解めっき用接着
剤を用いることが望ましい。この理由は、酸や酸化剤で
処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去され
て、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成で
きるからである。
上に、層間樹脂絶縁剤を塗布する。特に本発明では、層
間樹脂絶縁剤を感光性とすることが望ましい。露光、現
像処理によりバイアホール用開口を設けることができる
からである。層間樹脂絶縁剤としては、硬化処理によっ
て酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂
マトリックス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理
された耐熱性樹脂粒子を分散させた無電解めっき用接着
剤を用いることが望ましい。この理由は、酸や酸化剤で
処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去され
て、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成で
きるからである。
【0028】ここで、上記無電解めっき用接着剤を構成
する耐熱性樹脂マトリックスとしては、熱硬化性樹脂
(熱硬化基の一部を感光化したものも含む)と熱可塑性
樹脂の複合体を用いることができる。熱硬化性樹脂とし
ては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂
などを用いることができる。感光化する場合は、熱硬化
性樹脂の熱硬化基をメタクリル酸やアクリル酸などと反
応させてアクリル化する。特にエポキシ樹脂のアクリレ
ートが最適である。熱可塑性樹脂としては、ポリエーテ
ルスルフォン、ポリスルフォンなどを用いることができ
る。
する耐熱性樹脂マトリックスとしては、熱硬化性樹脂
(熱硬化基の一部を感光化したものも含む)と熱可塑性
樹脂の複合体を用いることができる。熱硬化性樹脂とし
ては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂
などを用いることができる。感光化する場合は、熱硬化
性樹脂の熱硬化基をメタクリル酸やアクリル酸などと反
応させてアクリル化する。特にエポキシ樹脂のアクリレ
ートが最適である。熱可塑性樹脂としては、ポリエーテ
ルスルフォン、ポリスルフォンなどを用いることができ
る。
【0029】上記無電解めっき用接着剤を構成する耐熱
性樹脂粒子としては、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂など)、エポキシ樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン樹脂などを用いることができる。
性樹脂粒子としては、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂など)、エポキシ樹脂、ビスマレ
イミドトリアジン樹脂などを用いることができる。
【0030】この耐熱性樹脂粒子は、平均粒径の大きな
粗粒子と平均粒径の小さな微粒子を混合したものがよ
い。酸や酸化剤でこれら平均粒径の異なる耐熱性樹脂粒
子を溶解除去させた場合に、複雑なアンカー形状を実現
できるからである。この耐熱性樹脂粒子は、平均粒径10
μm以下がよい。
粗粒子と平均粒径の小さな微粒子を混合したものがよ
い。酸や酸化剤でこれら平均粒径の異なる耐熱性樹脂粒
子を溶解除去させた場合に、複雑なアンカー形状を実現
できるからである。この耐熱性樹脂粒子は、平均粒径10
μm以下がよい。
【0031】上記耐熱性樹脂粒子における粗粒子と微粒
子の混合割合は、重量比で、粗粒子/微粒子= 100/1
〜1/100 がよい。この理由は、粗粒子が多すぎるとア
ンカーの深さが深くなりすぎて無電解めっき膜をエッチ
ング除去しにくくなり、一方、粗粒子が少なすぎるとめ
っき膜との高い密着強度が得られないからである。
子の混合割合は、重量比で、粗粒子/微粒子= 100/1
〜1/100 がよい。この理由は、粗粒子が多すぎるとア
ンカーの深さが深くなりすぎて無電解めっき膜をエッチ
ング除去しにくくなり、一方、粗粒子が少なすぎるとめ
っき膜との高い密着強度が得られないからである。
【0032】前記粗粒子は接着剤の固形分に対して10重
量%〜40重量%がよい。また、前記微粒子は、接着剤の
固形分に対して1重量%〜15重量%がよい。この重量百
分率の範囲で粗粒子の重量が微粒子よりも多くなるよう
に調整する。
量%〜40重量%がよい。また、前記微粒子は、接着剤の
固形分に対して1重量%〜15重量%がよい。この重量百
分率の範囲で粗粒子の重量が微粒子よりも多くなるよう
に調整する。
【0033】また、耐熱性樹脂粒子は予め硬化処理され
ていることが必要である。硬化されていないと樹脂マト
リックスを溶解させる溶剤に溶解してしまい、均一混合
してしまい、酸や酸化剤でこの耐熱性樹脂粒子のみを選
択的に溶解除去できなくなるからである。
ていることが必要である。硬化されていないと樹脂マト
リックスを溶解させる溶剤に溶解してしまい、均一混合
してしまい、酸や酸化剤でこの耐熱性樹脂粒子のみを選
択的に溶解除去できなくなるからである。
【0034】なお、層間樹脂絶縁層を複数層とし、各層
における耐熱性樹脂粒子の粒子径を変えてもよい。例え
ば、下層を粗粒子=0.5 μmとし、上層を粗粒子/微粒
子=3.0μm/0.5 μmとして、耐熱性樹脂粒子の粒子
径が異なる接着剤で構成してもよい。層間樹脂絶縁剤の
塗布は、ロールコータ、カーテンコータなどを使用でき
る。
における耐熱性樹脂粒子の粒子径を変えてもよい。例え
ば、下層を粗粒子=0.5 μmとし、上層を粗粒子/微粒
子=3.0μm/0.5 μmとして、耐熱性樹脂粒子の粒子
径が異なる接着剤で構成してもよい。層間樹脂絶縁剤の
塗布は、ロールコータ、カーテンコータなどを使用でき
る。
【0035】(3) 次に、塗布した層間樹脂絶縁剤(無電
解めっき用接着剤)を乾燥する。この時点では、基板の
導体回路上に設けた層間樹脂絶縁層は、導体回路パター
ン領域上の層間樹脂絶縁層の厚さは薄く、導体回路の面
積が広い領域上の層間樹脂絶縁層の厚さは厚く、凹凸が
発生している状態である(図15(a) 参照)。
解めっき用接着剤)を乾燥する。この時点では、基板の
導体回路上に設けた層間樹脂絶縁層は、導体回路パター
ン領域上の層間樹脂絶縁層の厚さは薄く、導体回路の面
積が広い領域上の層間樹脂絶縁層の厚さは厚く、凹凸が
発生している状態である(図15(a) 参照)。
【0036】(4) 次に、凹凸状態にある層間樹脂絶縁層
を、金属板や金属ロールを用いて加熱しながら押圧(加
熱プレス)し、その表面を平坦化する(図15(b) 参
照)。ここで用いる金属板や金属ロールは、ステンレス
製のものがよい。その理由は耐腐食性に優れるからであ
る。加熱プレスは、層間樹脂絶縁層を設けた基板を金属
板または金属ロールにて挟持し、加熱雰囲気でプレスす
ることにより行う。この加熱プレスにより、層間絶縁剤
の樹脂が流動して層間樹脂絶縁層の表面が平坦になる。
この加熱プレスにおける加熱温度、圧力、時間は、層間
樹脂絶縁剤に用いる樹脂により異なる。例えば、エポキ
シ樹脂のアクリレートとポリエーテルスルフォンの複合
体を樹脂マトリックスとし、エポキシ樹脂粒子を耐熱性
樹脂粒子とした無電解めっき用接着剤を層間樹脂絶縁剤
に用いる場合は、加熱温度を60〜70℃、圧力を15〜25 k
gf/cm2 、時間を15〜25分とすることが望ましい。
を、金属板や金属ロールを用いて加熱しながら押圧(加
熱プレス)し、その表面を平坦化する(図15(b) 参
照)。ここで用いる金属板や金属ロールは、ステンレス
製のものがよい。その理由は耐腐食性に優れるからであ
る。加熱プレスは、層間樹脂絶縁層を設けた基板を金属
板または金属ロールにて挟持し、加熱雰囲気でプレスす
ることにより行う。この加熱プレスにより、層間絶縁剤
の樹脂が流動して層間樹脂絶縁層の表面が平坦になる。
この加熱プレスにおける加熱温度、圧力、時間は、層間
樹脂絶縁剤に用いる樹脂により異なる。例えば、エポキ
シ樹脂のアクリレートとポリエーテルスルフォンの複合
体を樹脂マトリックスとし、エポキシ樹脂粒子を耐熱性
樹脂粒子とした無電解めっき用接着剤を層間樹脂絶縁剤
に用いる場合は、加熱温度を60〜70℃、圧力を15〜25 k
gf/cm2 、時間を15〜25分とすることが望ましい。
【0037】なお、金属ロールを用いる場合は、搬送し
ながら加熱プレスすることができ、量産性の観点から有
利である。特に、ゴムのような弾性体のロールと金属ロ
ールを組み合わせて用いることが有利である。例えば、
図15(b) に示すように、最初にゴムロール200 により加
熱プレスし、次いで、金属ロール201 にて加熱プレスす
る。この場合、層間樹脂絶縁層を設けた基板は最初のゴ
ムロール200 により予備加熱され、予備加熱されたその
基板は金属ロール201 により平坦化される。
ながら加熱プレスすることができ、量産性の観点から有
利である。特に、ゴムのような弾性体のロールと金属ロ
ールを組み合わせて用いることが有利である。例えば、
図15(b) に示すように、最初にゴムロール200 により加
熱プレスし、次いで、金属ロール201 にて加熱プレスす
る。この場合、層間樹脂絶縁層を設けた基板は最初のゴ
ムロール200 により予備加熱され、予備加熱されたその
基板は金属ロール201 により平坦化される。
【0038】本発明では、層間樹脂絶縁剤が感光性の場
合は、必要に応じて加熱プレス前に透光性フィルムを層
間樹脂絶縁層上に貼り付けることができる。この透光性
フィルムは、光重合反応の際に酸素が反応を阻害して、
現像時の膜減りやピール強度の低下を招くのを防止する
ために使用される。このため、浅いアンカー深さでも、
ピール強度の低下は見られない。この透光性フィルム
は、熱可塑性樹脂フィルムが望ましく、例えば、ポリエ
チレンテレフタレート(PET)やポリエチレン(P
E)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリエーテル
エーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルサルフォン
(PES)、ポリプロピレン(PP)、ポリ塩化ビニル
(PVC)などのフィルムがよい。
合は、必要に応じて加熱プレス前に透光性フィルムを層
間樹脂絶縁層上に貼り付けることができる。この透光性
フィルムは、光重合反応の際に酸素が反応を阻害して、
現像時の膜減りやピール強度の低下を招くのを防止する
ために使用される。このため、浅いアンカー深さでも、
ピール強度の低下は見られない。この透光性フィルム
は、熱可塑性樹脂フィルムが望ましく、例えば、ポリエ
チレンテレフタレート(PET)やポリエチレン(P
E)、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリエーテル
エーテルケトン(PEEK)、ポリエーテルサルフォン
(PES)、ポリプロピレン(PP)、ポリ塩化ビニル
(PVC)などのフィルムがよい。
【0039】なお、これらのフィルムは、貼着側の面に
粘着剤を塗布しておくことが望ましい。その理由は、層
間樹脂絶縁層との密着性を確保できるからである。この
粘着剤は、特に限定されないが、「伊保内 賢、小松
公栄、北崎 寧昭 編著、工業調査会発行 粘着剤活用
ノート」に記載されたものを使用できる。例えば、天然
ゴム系、スチレンーブタジエン系、ポリイソブチレン
系、イソプレン系、アクリル系、アクリルエマルジョン
系、シリコーン系、天然ゴム−ブタジエンラテックス系
の粘着剤が挙げられる。具体的には、次のような組成の
粘着剤を挙げることができる。 (1) 天然ゴム系 天然ゴム 100 重量部 粘着付与剤樹脂 150〜120 重量部 亜鉛華 25〜50 重量部 炭酸カルシウム 35〜60 重量部 カーボンブラック 〜15 重量部 老化防止剤 〜1.5 重量部 イオウ 0.5〜2.25 重量部 (2) スチレン−ブタジエン系 ゴムラテックス 100 重量部 高融点粘着付与剤 89 重量部 石鹸生成樹脂酸 5.6 重量部 抵酸化剤 4.8 重量部 アンモニア水 0.7 重量部 水 151 重量部 (3) ポリイソブチレン系 ポリイソブチレン 100 重量部 ポリブテン 10 重量部 ホワイトオイル 20 重量部 (4) イソプレン系 クラレ製、商品名:クラプレンIR−10 (5) アクリル系 アクリル酸2−エチルヘキシン 78 重量部 アクリル酸メチル 20 重量部 無水マレイン酸 2 重量部 ヘキサメチレンジアミン 0.5 重量部 (6) アクリルエマルジョン系 2−エチルヘキシルアクリレート 70 重量部 酢酸ビニル 30 重量部 アクリル酸 2 重量部 (7) シリコーン系 シリコーンゴム 100 重量部 シリコーンレジン 80〜120 重量部 縮合触媒 0.01〜0.5 重量部 溶剤 100〜150 重量部
粘着剤を塗布しておくことが望ましい。その理由は、層
間樹脂絶縁層との密着性を確保できるからである。この
粘着剤は、特に限定されないが、「伊保内 賢、小松
公栄、北崎 寧昭 編著、工業調査会発行 粘着剤活用
ノート」に記載されたものを使用できる。例えば、天然
ゴム系、スチレンーブタジエン系、ポリイソブチレン
系、イソプレン系、アクリル系、アクリルエマルジョン
系、シリコーン系、天然ゴム−ブタジエンラテックス系
の粘着剤が挙げられる。具体的には、次のような組成の
粘着剤を挙げることができる。 (1) 天然ゴム系 天然ゴム 100 重量部 粘着付与剤樹脂 150〜120 重量部 亜鉛華 25〜50 重量部 炭酸カルシウム 35〜60 重量部 カーボンブラック 〜15 重量部 老化防止剤 〜1.5 重量部 イオウ 0.5〜2.25 重量部 (2) スチレン−ブタジエン系 ゴムラテックス 100 重量部 高融点粘着付与剤 89 重量部 石鹸生成樹脂酸 5.6 重量部 抵酸化剤 4.8 重量部 アンモニア水 0.7 重量部 水 151 重量部 (3) ポリイソブチレン系 ポリイソブチレン 100 重量部 ポリブテン 10 重量部 ホワイトオイル 20 重量部 (4) イソプレン系 クラレ製、商品名:クラプレンIR−10 (5) アクリル系 アクリル酸2−エチルヘキシン 78 重量部 アクリル酸メチル 20 重量部 無水マレイン酸 2 重量部 ヘキサメチレンジアミン 0.5 重量部 (6) アクリルエマルジョン系 2−エチルヘキシルアクリレート 70 重量部 酢酸ビニル 30 重量部 アクリル酸 2 重量部 (7) シリコーン系 シリコーンゴム 100 重量部 シリコーンレジン 80〜120 重量部 縮合触媒 0.01〜0.5 重量部 溶剤 100〜150 重量部
【0040】本発明では、透光性フィルムを、凹凸状態
にある層間樹脂絶縁層に貼着し、これを加熱プレス(図
15(a),(b) 参照)してもよく、図24のように、凹凸状態
にある層間樹脂絶縁層を加熱プレスして平坦化した後に
透光性フィルムを貼着してもよい。平坦化した後に透光
性フィルムを貼着した方が、樹脂が動きやすく層間樹脂
絶縁層を平坦化しやすいため、有利である。
にある層間樹脂絶縁層に貼着し、これを加熱プレス(図
15(a),(b) 参照)してもよく、図24のように、凹凸状態
にある層間樹脂絶縁層を加熱プレスして平坦化した後に
透光性フィルムを貼着してもよい。平坦化した後に透光
性フィルムを貼着した方が、樹脂が動きやすく層間樹脂
絶縁層を平坦化しやすいため、有利である。
【0041】(5) 次に、層間樹脂絶縁層を硬化する一方
で、その層間樹脂絶縁層にバイアホール形成用の開口を
設ける。層間樹脂絶縁層の硬化処理は、層間樹脂絶縁剤
が熱硬化性樹脂からなる場合は熱硬化して行い、一方、
層間樹脂絶縁剤が感光性樹脂からなる場合は紫外線など
を露光して行う。バイアホール形成用の開口は、層間樹
脂絶縁剤が熱硬化性の場合は、レーザ光や酸素プラズマ
などを用いて穿孔し、一方、層間樹脂絶縁剤が感光性の
場合は、露光現像処理にて穿孔される。なお、露光現像
処理は、感光性の層間樹脂絶縁層に上に、バイアホール
形成のための円パターンが描画されたフォトマスク(ガ
ラス基板がよい)を密着させて載置したのち、露光、現
像処理する。
で、その層間樹脂絶縁層にバイアホール形成用の開口を
設ける。層間樹脂絶縁層の硬化処理は、層間樹脂絶縁剤
が熱硬化性樹脂からなる場合は熱硬化して行い、一方、
層間樹脂絶縁剤が感光性樹脂からなる場合は紫外線など
を露光して行う。バイアホール形成用の開口は、層間樹
脂絶縁剤が熱硬化性の場合は、レーザ光や酸素プラズマ
などを用いて穿孔し、一方、層間樹脂絶縁剤が感光性の
場合は、露光現像処理にて穿孔される。なお、露光現像
処理は、感光性の層間樹脂絶縁層に上に、バイアホール
形成のための円パターンが描画されたフォトマスク(ガ
ラス基板がよい)を密着させて載置したのち、露光、現
像処理する。
【0042】(6) 次に、バイアホール形成用開口を設け
た層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面を
粗化する。特に、無電解めっき用接着剤層の場合は、そ
の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸あるいは酸化剤に
よって溶解除去することにより、接着剤層表面を粗化処
理する。このとき、粗化面の深さは、1〜5μm程度が
よい。ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、
あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸
を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイア
ホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからで
ある。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガ
ン酸塩(過マンガン酸カリウムなど)を用いることが望
ましい。
た層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面を
粗化する。特に、無電解めっき用接着剤層の場合は、そ
の表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸あるいは酸化剤に
よって溶解除去することにより、接着剤層表面を粗化処
理する。このとき、粗化面の深さは、1〜5μm程度が
よい。ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、
あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸
を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイア
ホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからで
ある。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガ
ン酸塩(過マンガン酸カリウムなど)を用いることが望
ましい。
【0043】(7) 次に、層間樹脂絶縁層の粗化面に触媒
核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金
属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、
塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。な
お、触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ま
しい。このような触媒核としてはパラジウムがよい。
核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金
属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的には、
塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。な
お、触媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ま
しい。このような触媒核としてはパラジウムがよい。
【0044】(8) 次に、粗化した層間樹脂絶縁層上の全
面に薄膜の無電解めっき膜を形成する。この無電解めっ
き膜は、厚みを 0.1〜5μm、より望ましくは1〜2μ
mとする。
面に薄膜の無電解めっき膜を形成する。この無電解めっ
き膜は、厚みを 0.1〜5μm、より望ましくは1〜2μ
mとする。
【0045】(9) 次に、前記(8) で設けた無電解めっき
膜上に感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)をラミネ
ートし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジスト
パターンが描画されたフォトマスク(ガラス基板がよ
い)を密着させて載置し、露光、現像処理することによ
り、めっきレジストを配設した非導体部分を形成する。
膜上に感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)をラミネ
ートし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジスト
パターンが描画されたフォトマスク(ガラス基板がよ
い)を密着させて載置し、露光、現像処理することによ
り、めっきレジストを配設した非導体部分を形成する。
【0046】(10)次に、無電解めっき膜上の非導体部分
以外に電解めっき膜を形成し、導体回路、ならびにバイ
アホールとなる導体部を設ける。ここで、電解めっきと
しては、電解銅めっきを用いることが望ましく、その厚
みは、10〜20μmがよい。
以外に電解めっき膜を形成し、導体回路、ならびにバイ
アホールとなる導体部を設ける。ここで、電解めっきと
しては、電解銅めっきを用いることが望ましく、その厚
みは、10〜20μmがよい。
【0047】(11)次に、非導体部分のめっきレジストを
除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫
酸ナトリウム、過硫酸アンモニウムなどのエッチング液
にて無電解めっき膜を溶解除去し、無電解めっき膜と電
解めっき膜の2層からなる独立した導体回路、ならびに
バイアホールを得る。
除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫
酸ナトリウム、過硫酸アンモニウムなどのエッチング液
にて無電解めっき膜を溶解除去し、無電解めっき膜と電
解めっき膜の2層からなる独立した導体回路、ならびに
バイアホールを得る。
【0048】(12)次に、前記(11)で得た導体回路、なら
びにバイアホールの表面に粗化層を形成する。この粗化
層の形成方法としては、エッチング処理、研磨処理、酸
化還元処理あるいはめっき処理がある。酸化還元処理
は、酸化浴(黒化浴)としてNaOH(10g/l)、NaClO2
(40gl)、Na3PO4(6g/l)を用い、還元浴として
NaOH(10g/l)、NaBH4 (g/l)を用いて行う。ま
た、銅−ニッケル−リン合金層による粗化層を形成する
場合は無電解めっきにより析出させる。この合金の無電
解めっき液としては、硫酸銅1〜40g/l、硫酸ニッケ
ル0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン
酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤
0.01〜10g/lからなる液組成のめっき浴を用いること
が望ましい。
びにバイアホールの表面に粗化層を形成する。この粗化
層の形成方法としては、エッチング処理、研磨処理、酸
化還元処理あるいはめっき処理がある。酸化還元処理
は、酸化浴(黒化浴)としてNaOH(10g/l)、NaClO2
(40gl)、Na3PO4(6g/l)を用い、還元浴として
NaOH(10g/l)、NaBH4 (g/l)を用いて行う。ま
た、銅−ニッケル−リン合金層による粗化層を形成する
場合は無電解めっきにより析出させる。この合金の無電
解めっき液としては、硫酸銅1〜40g/l、硫酸ニッケ
ル0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン
酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤
0.01〜10g/lからなる液組成のめっき浴を用いること
が望ましい。
【0049】(13)次に、この基板上に(2)〜(4) の工程
に従い、層間樹脂絶縁層を形成する。(14)さらに、上述
した (5)〜(11)の工程を必要に応じて繰り返すことによ
り多層化し、多層配線基板を製造する。
に従い、層間樹脂絶縁層を形成する。(14)さらに、上述
した (5)〜(11)の工程を必要に応じて繰り返すことによ
り多層化し、多層配線基板を製造する。
【0050】
(実施例1) (1) 厚さ 0.6mmのガラスエポキシ樹脂またはBT(ビス
マレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18
μmの銅箔18がラミネートされてなる銅張積層板を出発
材料とした(図1参照)。この銅張積層板をドリル削孔
し、無電解めっきを施し、銅箔8を常法に従いパターン
状にエッチングすることにより、基板1の両面に内層導
体回路4とスルーホール9を形成した。この内層導体回
路4とスルーホール9の表面を酸化(黒化)−還元処理
して粗化し(図2参照)、導体回路間とスルーホール内
に、充填樹脂10としてビスフェノールF型エポキシ樹脂
を充填した後、その基板表面を、導体回路表面およびス
ルーホールのランド表面が露出するまで研磨して平坦化
した(図3参照)。
マレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両面に18
μmの銅箔18がラミネートされてなる銅張積層板を出発
材料とした(図1参照)。この銅張積層板をドリル削孔
し、無電解めっきを施し、銅箔8を常法に従いパターン
状にエッチングすることにより、基板1の両面に内層導
体回路4とスルーホール9を形成した。この内層導体回
路4とスルーホール9の表面を酸化(黒化)−還元処理
して粗化し(図2参照)、導体回路間とスルーホール内
に、充填樹脂10としてビスフェノールF型エポキシ樹脂
を充填した後、その基板表面を、導体回路表面およびス
ルーホールのランド表面が露出するまで研磨して平坦化
した(図3参照)。
【0051】(2) 前記(1) の処理を施した基板を水洗い
し、乾燥した後、その基板を酸性脱脂してソフトエッチ
ングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒
溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を活性化
した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケル 0.6g/l、ク
エン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ
酸31g/l、界面活性剤 0.1g/l、pH=9からなる
無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路の露出し
た表面にCu−Ni−P合金からなる厚さ 2.5μmの粗化層
11(凹凸層)を形成した。さらに、その基板を、0.1mol
/lホウふっ化スズ−1.0mol/lチオ尿素液からなる無
電解スズ置換めっき浴に50℃で1時間浸漬し、前記粗化
層11の表面に厚さ0.3μmのスズ置換めっき層を設けた
(図4参照、但しスズ層については図示しない)。
し、乾燥した後、その基板を酸性脱脂してソフトエッチ
ングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒
溶液で処理して、Pd触媒を付与し、この触媒を活性化
した後、硫酸銅8g/l、硫酸ニッケル 0.6g/l、ク
エン酸15g/l、次亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ
酸31g/l、界面活性剤 0.1g/l、pH=9からなる
無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路の露出し
た表面にCu−Ni−P合金からなる厚さ 2.5μmの粗化層
11(凹凸層)を形成した。さらに、その基板を、0.1mol
/lホウふっ化スズ−1.0mol/lチオ尿素液からなる無
電解スズ置換めっき浴に50℃で1時間浸漬し、前記粗化
層11の表面に厚さ0.3μmのスズ置換めっき層を設けた
(図4参照、但しスズ層については図示しない)。
【0052】(3) DMDG(ジエチレングリコールジメ
チルエーテル)に溶解したクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化
物を34重量部、ポリエーテルスルフォン(PES)12重
量部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4M
Z-CN)2重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン
変成トリス(アクロキシエチル)イソシアヌレート(東
亜合成製、商品名:アロニックスM315 )4重量部、光
開始剤(チバガイギー社製、商品名:イルガキュアー90
7 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、商品名:DETX−
S)0.2 重量部、さらに、エポキシ樹脂粒子(三洋化成
製、商品名:ポリマーポール) の平均粒径3.0μmのも
のを25重量部、平均粒径 0.5μmのものを10重量部を混
合した後、NMP(ノルマルメチルピロリドン)30.0重
量部を添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘
度7Pa・sに調整し、続いて3本ロールで混練して感光
性の無電解めっき用接着剤溶液(層間樹脂絶縁剤)を得
た。
チルエーテル)に溶解したクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化
物を34重量部、ポリエーテルスルフォン(PES)12重
量部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4M
Z-CN)2重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン
変成トリス(アクロキシエチル)イソシアヌレート(東
亜合成製、商品名:アロニックスM315 )4重量部、光
開始剤(チバガイギー社製、商品名:イルガキュアー90
7 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、商品名:DETX−
S)0.2 重量部、さらに、エポキシ樹脂粒子(三洋化成
製、商品名:ポリマーポール) の平均粒径3.0μmのも
のを25重量部、平均粒径 0.5μmのものを10重量部を混
合した後、NMP(ノルマルメチルピロリドン)30.0重
量部を添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘
度7Pa・sに調整し、続いて3本ロールで混練して感光
性の無電解めっき用接着剤溶液(層間樹脂絶縁剤)を得
た。
【0053】(4) 前記(3) で得た感光性の接着剤溶液
を、前記(2) の処理を終えた基板の両面に、ロールコー
タを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60
℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μmの接着剤層2を形
成した(図5参照)。
を、前記(2) の処理を終えた基板の両面に、ロールコー
タを用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60
℃で30分間の乾燥を行い、厚さ60μmの接着剤層2を形
成した(図5参照)。
【0054】(5) 前記(4) で基板の両面に形成した接着
剤層2の上に、粘着剤を介してポリエチレンテレフタレ
ートフィルム18を貼着した。そして、厚さ5μmの遮光
インクによってバイアホールと同形の円パターン(マス
クパターン190 )が描画された厚さ5mmのソーダライム
ガラス基板19を、円パターンが描画された側を接着剤層
2に密着させて載置し、紫外線を照射して露光した(図
6参照)。
剤層2の上に、粘着剤を介してポリエチレンテレフタレ
ートフィルム18を貼着した。そして、厚さ5μmの遮光
インクによってバイアホールと同形の円パターン(マス
クパターン190 )が描画された厚さ5mmのソーダライム
ガラス基板19を、円パターンが描画された側を接着剤層
2に密着させて載置し、紫外線を照射して露光した(図
6参照)。
【0055】(6) 露光した基板をDMTG(トリエチレ
ングリコールジメチルエーテル)溶液でスプレー現像す
ることにより、接着剤層2にバイアホールとなる 100μ
mφの開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀
灯にて3000mJ/cm2 で露光し、100℃で1時間、その後
150℃で5時間にて加熱処理することにより、フォトマ
スクフィルムに相当する寸法精度に優れ、開口(バイア
ホール形成用開口)6を有する厚さ50μmの接着剤層2
を形成した。なお、バイアホールとなる開口6には、粗
化層11を部分的に露出させた(図7参照)。
ングリコールジメチルエーテル)溶液でスプレー現像す
ることにより、接着剤層2にバイアホールとなる 100μ
mφの開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀
灯にて3000mJ/cm2 で露光し、100℃で1時間、その後
150℃で5時間にて加熱処理することにより、フォトマ
スクフィルムに相当する寸法精度に優れ、開口(バイア
ホール形成用開口)6を有する厚さ50μmの接着剤層2
を形成した。なお、バイアホールとなる開口6には、粗
化層11を部分的に露出させた(図7参照)。
【0056】(7) 前記(5),(6) でバイアホール形成用開
口6を形成した基板を、クロム酸に2分間浸漬し、接着
剤層2の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去し
て、当該接着剤層2の表面を粗化し、その後、中和溶液
(シプレイ社製)に浸漬してから水洗した(図8参
照)。
口6を形成した基板を、クロム酸に2分間浸漬し、接着
剤層2の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去し
て、当該接着剤層2の表面を粗化し、その後、中和溶液
(シプレイ社製)に浸漬してから水洗した(図8参
照)。
【0057】(8) 前記(7) で粗面化処理(粗化深さ5μ
m)を行った基板に対し、パラジウム触媒(アトテック
製)を付与することにより、接着剤層2およびバイアホ
ール用開口6の表面に触媒核を付与した。
m)を行った基板に対し、パラジウム触媒(アトテック
製)を付与することにより、接着剤層2およびバイアホ
ール用開口6の表面に触媒核を付与した。
【0058】(9) 以下に示す組成の無電解銅めっき浴中
に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ3μmの無電解銅め
っき膜12を形成した(図9参照)。 〔無電解めっき液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分
に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ3μmの無電解銅め
っき膜12を形成した(図9参照)。 〔無電解めっき液〕 EDTA 150 g/l 硫酸銅 20 g/l HCHO 30ml/l NaOH 40 g/l α、α’−ビピリジル 80 mg/l PEG 0.1 g/l 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分
【0059】(10)前記(9) で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性樹脂フィルム(ドライフィルム31)
を熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム31
上に、クロム層によってめっきレジスト非形成部分がマ
スクパターン190 として描画された厚さ5mmのソーダラ
イムガラス基板19を、クロム層が形成された側をドライ
フィルム31に密着させて載置し、 110mJ/cm2 で露光し
(図10参照)、0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚
さ15μmのめっきレジストパターン3を設けた(図11参
照)。
12上に市販の感光性樹脂フィルム(ドライフィルム31)
を熱圧着して貼り付け、さらに、このドライフィルム31
上に、クロム層によってめっきレジスト非形成部分がマ
スクパターン190 として描画された厚さ5mmのソーダラ
イムガラス基板19を、クロム層が形成された側をドライ
フィルム31に密着させて載置し、 110mJ/cm2 で露光し
(図10参照)、0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、厚
さ15μmのめっきレジストパターン3を設けた(図11参
照)。
【0060】(11)次に、めっきレジスト非形成部分に、
以下に示す条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電
解銅めっき膜13を形成した(図12参照)。 〔電解めっき液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製 商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1.2 A/dm2 時間 30 分 温度 室温
以下に示す条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μmの電
解銅めっき膜13を形成した(図12参照)。 〔電解めっき液〕 硫酸 180 g/l 硫酸銅 80 g/l 添加剤(アトテックジャパン製 商品名:カパラシドGL) 1 ml/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1.2 A/dm2 時間 30 分 温度 室温
【0061】(12)めっきレジスト3を5%KOH をスプレ
ーして剥離除去した後、そのめっきレジスト3下の無電
解めっき膜12を、硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅め
っき膜13からなる厚さ18μmの内層導体回路5を形成し
た。さらに、粗化面11に残っているPdをクロム酸( 800
g/l)に1〜2分浸漬して除去した(図13参照)。
ーして剥離除去した後、そのめっきレジスト3下の無電
解めっき膜12を、硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅め
っき膜13からなる厚さ18μmの内層導体回路5を形成し
た。さらに、粗化面11に残っているPdをクロム酸( 800
g/l)に1〜2分浸漬して除去した(図13参照)。
【0062】(13)導体回路5を形成した基板を、硫酸銅
8g/l、硫酸ニッケル 0.6g/l、クエン酸15g/
l、次亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ酸31g/l、
界面活性剤 0.1g/lからなるpH=9の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路5の表面に厚さ3μmの銅−ニ
ッケル−リンからなる粗化層11を形成した。このとき、
粗化層11をEPMA(蛍光X線分析装置)で分析したと
ころ、Cu:98mol%、Ni:1.5mol %、P: 0.5mol%の組成
比であった。そしてさらに、その基板を水洗いし、0.1m
ol/lホウふっ化スズ−1.0mol/lチオ尿素液からなる
無電解スズ置換めっき浴に50℃で1時間浸漬し、前記粗
化層11の表面に厚さ 0.3μmのスズ置換めっき層を形成
した(図14参照、ズズ置換層は図示しない)。
8g/l、硫酸ニッケル 0.6g/l、クエン酸15g/
l、次亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ酸31g/l、
界面活性剤 0.1g/lからなるpH=9の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路5の表面に厚さ3μmの銅−ニ
ッケル−リンからなる粗化層11を形成した。このとき、
粗化層11をEPMA(蛍光X線分析装置)で分析したと
ころ、Cu:98mol%、Ni:1.5mol %、P: 0.5mol%の組成
比であった。そしてさらに、その基板を水洗いし、0.1m
ol/lホウふっ化スズ−1.0mol/lチオ尿素液からなる
無電解スズ置換めっき浴に50℃で1時間浸漬し、前記粗
化層11の表面に厚さ 0.3μmのスズ置換めっき層を形成
した(図14参照、ズズ置換層は図示しない)。
【0063】(14)次に、前記(4) の工程に従って、接着
剤層2をさらに設け、その表面にポリエチレンテレフタ
レートフィルム18を貼着した後(図15(a) 参照)、ステ
ンレス板20で配線板を挟み、20 kgf/cm2 で加圧し、加
熱炉内で65℃で加熱しながら、20分間加熱プレスした
(図15(b) の左図参照)。この加熱プレスにより、接着
剤層2の表面を平坦化して層間樹脂絶縁層とした(図15
(c) 参照)。
剤層2をさらに設け、その表面にポリエチレンテレフタ
レートフィルム18を貼着した後(図15(a) 参照)、ステ
ンレス板20で配線板を挟み、20 kgf/cm2 で加圧し、加
熱炉内で65℃で加熱しながら、20分間加熱プレスした
(図15(b) の左図参照)。この加熱プレスにより、接着
剤層2の表面を平坦化して層間樹脂絶縁層とした(図15
(c) 参照)。
【0064】(15)そして前記 (5)〜(13)の工程を繰り返
すことにより、さらに導体回路を設けた。ついで導体回
路の表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層11を設け
た。但し、粗化層11表面にはスズ置換めっき層を形成し
なかった(図16〜20参照)。
すことにより、さらに導体回路を設けた。ついで導体回
路の表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層11を設け
た。但し、粗化層11表面にはスズ置換めっき層を形成し
なかった(図16〜20参照)。
【0065】(16)一方、DMDGに溶解させた60重量%
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)
のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー(分子量4000)を 46.67重量部、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェル製、商品名:エピコート1001)15.0重
量部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4M
Z-CN)1.6 重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、商品名:R604 )3重量部、同
じく多価アクリルモノマー(共栄社化学製、商品名:DP
E6A ) 1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ社製、商
品名:S−65)0.71重量部を混合し、さらにこれらの混
合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化
学製)2重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン(関
東化学製)0.2 重量部を加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・
sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘
度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で 60rpm
の場合はローターNo.4、6rpm の場合はローターNo.3に
よった。
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)
のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー(分子量4000)を 46.67重量部、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェル製、商品名:エピコート1001)15.0重
量部、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4M
Z-CN)1.6 重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬製、商品名:R604 )3重量部、同
じく多価アクリルモノマー(共栄社化学製、商品名:DP
E6A ) 1.5重量部、分散系消泡剤(サンノプコ社製、商
品名:S−65)0.71重量部を混合し、さらにこれらの混
合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化
学製)2重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン(関
東化学製)0.2 重量部を加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・
sに調整したソルダーレジスト組成物を得た。なお、粘
度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で 60rpm
の場合はローターNo.4、6rpm の場合はローターNo.3に
よった。
【0066】(17)前記(15)で得た基板の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布した。次い
で、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った
後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パタ
ーン(マスクパターン190 )が描画された厚さ5mmのソ
ーダライムガラス基板19を、クロム層が形成された側を
ソルダーレジスト層に密着させて載置し、1000mJ/cm2
の紫外線で露光し(図21参照)、DMTG現像処理した。そ
してさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で
1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、はんだパ
ッドの上面、バイアホールとそのランド部分を開口した
(開口径 200μm)ソルダーレジストパターン層14(厚
み20μm)を形成した。
ルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布した。次い
で、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った
後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パタ
ーン(マスクパターン190 )が描画された厚さ5mmのソ
ーダライムガラス基板19を、クロム層が形成された側を
ソルダーレジスト層に密着させて載置し、1000mJ/cm2
の紫外線で露光し(図21参照)、DMTG現像処理した。そ
してさらに、80℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で
1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、はんだパ
ッドの上面、バイアホールとそのランド部分を開口した
(開口径 200μm)ソルダーレジストパターン層14(厚
み20μm)を形成した。
【0067】(18)次に、ソルダーレジストパターン層14
を形成した基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸
ナトリウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lから
なるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬し
て、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層15を形成し
た。さらに、その基板を、シアン化金カリウム2g/
l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50
g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解
金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめ
っき層15上に厚さ0.03μmの金めっき層16を形成した。
を形成した基板を、塩化ニッケル30g/l、次亜リン酸
ナトリウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g/lから
なるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬し
て、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層15を形成し
た。さらに、その基板を、シアン化金カリウム2g/
l、塩化アンモニウム75g/l、クエン酸ナトリウム50
g/l、次亜リン酸ナトリウム10g/lからなる無電解
金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめ
っき層15上に厚さ0.03μmの金めっき層16を形成した。
【0068】(19)そして、ソルダーレジストパターン層
14の開口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることによりはんだバンプ(はんだ体)17を形成
し、はんだバンプ17を有するプリント配線板を製造した
(図22参照)。
14の開口部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフ
ローすることによりはんだバンプ(はんだ体)17を形成
し、はんだバンプ17を有するプリント配線板を製造した
(図22参照)。
【0069】(比較例1)層間樹脂絶縁層の加熱プレス
を行わなかったこと以外は、実施例と同様にしてはんだ
バンプを有するプリント配線板を製造した。
を行わなかったこと以外は、実施例と同様にしてはんだ
バンプを有するプリント配線板を製造した。
【0070】(比較例2)ポリエチレンテレフタレート
フィルムを貼着しなかったこと以外は、実施例と同様に
してはんだバンプを有するプリント配線板を製造した。
フィルムを貼着しなかったこと以外は、実施例と同様に
してはんだバンプを有するプリント配線板を製造した。
【0071】このようにして製造した実施例と比較例の
プリント配線板を比較すると、実施例では、各層間樹脂
絶縁層が平坦となっており、バイアホール用開口の形成
不良は見られなかったのに対して、比較例では、層間樹
脂絶縁層の厚みが異なるため、バイアホール用開口の未
開口部分が観察された。また、ICチップを実装しよう
とすると、実施例では実装不良がみられなかったのに対
して、比較例では、はんだバンプ群にうねりが見られ、
実装できなかった。さらに、−55℃〜125 ℃のヒートサ
イクル試験を実施したところ、実施例のプリント配線板
の層間樹脂絶縁層にはクラックは発生しなかった。
プリント配線板を比較すると、実施例では、各層間樹脂
絶縁層が平坦となっており、バイアホール用開口の形成
不良は見られなかったのに対して、比較例では、層間樹
脂絶縁層の厚みが異なるため、バイアホール用開口の未
開口部分が観察された。また、ICチップを実装しよう
とすると、実施例では実装不良がみられなかったのに対
して、比較例では、はんだバンプ群にうねりが見られ、
実装できなかった。さらに、−55℃〜125 ℃のヒートサ
イクル試験を実施したところ、実施例のプリント配線板
の層間樹脂絶縁層にはクラックは発生しなかった。
【0072】そしてさらに、得られた実施例と比較例2
のプリント配線板について、ピール強度をJIS-C-6486に
従い測定した。その結果、実施例では、1.2 kg/cm、比
較例2では、0.6 kg/cmであった。また、膜減りは、実
施例では5μmであったのに対して、比較例2では10μ
mに達した。このような差が発生する理由は、実施例で
はポリエチレンテレフタレートフィルムを貼着して層間
樹脂絶縁層表面の樹脂と酸素との接触を防止できるが、
比較例2では、層間樹脂絶縁層表面の樹脂が酸素と接触
するため、光重合反応が阻害され、充分に硬化せず、そ
のため溶剤に樹脂が溶解して膜減りが起こり、また硬化
が不充分であるためピール強度の低下が見られるものと
推定される。
のプリント配線板について、ピール強度をJIS-C-6486に
従い測定した。その結果、実施例では、1.2 kg/cm、比
較例2では、0.6 kg/cmであった。また、膜減りは、実
施例では5μmであったのに対して、比較例2では10μ
mに達した。このような差が発生する理由は、実施例で
はポリエチレンテレフタレートフィルムを貼着して層間
樹脂絶縁層表面の樹脂と酸素との接触を防止できるが、
比較例2では、層間樹脂絶縁層表面の樹脂が酸素と接触
するため、光重合反応が阻害され、充分に硬化せず、そ
のため溶剤に樹脂が溶解して膜減りが起こり、また硬化
が不充分であるためピール強度の低下が見られるものと
推定される。
【0073】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、内
層の導体回路に起因する層間樹脂絶縁層の表面凹凸を防
止して、バイアホール用開口の形成不良や実装面でのは
んだバンプ群のうねりを抑制することができる。しか
も、本発明によれば、内層の導体回路に起因する層間樹
脂絶縁層の表面凹凸を防止できるので、ヒートサイクル
特性に優れるビルドアップ多層配線板をセミアディティ
ブ法にて製造することができる。
層の導体回路に起因する層間樹脂絶縁層の表面凹凸を防
止して、バイアホール用開口の形成不良や実装面でのは
んだバンプ群のうねりを抑制することができる。しか
も、本発明によれば、内層の導体回路に起因する層間樹
脂絶縁層の表面凹凸を防止できるので、ヒートサイクル
特性に優れるビルドアップ多層配線板をセミアディティ
ブ法にて製造することができる。
【図1】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図2】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図3】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図4】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図5】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図6】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図7】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図8】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図9】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図10】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図11】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図12】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図13】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図14】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図15】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図16】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図17】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図18】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図19】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図20】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図21】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図22】発明にかかる多層プリント配線板の製造方法に
おける各工程を示す図である。
おける各工程を示す図である。
【図23】内層の導体回路に起因する層間樹脂絶縁層の表
面凹凸を示す図である。
面凹凸を示す図である。
【図24】凹凸状態にある層間樹脂絶縁層を平坦化した後
に透光性フィルムを貼着する方法を示す図である。
に透光性フィルムを貼着する方法を示す図である。
1 基板 2 層間樹脂絶縁層(接着剤層) 3 めっきレジスト(永久レジスト) 31 ドライフィルム 4,5 内層導体回路 6 バイアホール用開口 7 バイアホール 8 銅箔 9 スルーホール 10 充填樹脂 11 粗化層 12 無電解銅めっき膜 13 電解めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき層 16 金めっき層 17 はんだ体(はんだバンプ) 18 透光性フィルム 19 ガラス基板 190 マスクパターン 20 金属板(ステンレス板) 200 ゴムロール 201 金属ロール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H05K 3/38 H05K 3/38 A
Claims (17)
- 【請求項1】 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化の層間樹脂絶縁剤を塗
布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する
工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項2】 層間樹脂絶縁剤として、硬化処理によっ
て酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂
マトリックス中に酸あるいは酸化剤に可溶性の硬化処理
された耐熱性樹脂粒子を分散させた無電解めっき用接着
剤を用いることを特徴とする請求項1に記載の製造方
法。 - 【請求項3】 層間樹脂絶縁層上に導体回路を形成する
に当たり、まず、粗化した層間樹脂絶縁層上に設けた無
電解めっき膜にめっきレジストを配設して非導体部分を
形成する一方、その非導体部分以外に電解めっきを施し
て導体を形成した後、前記めっきレジストとこのめっき
レジスト下にある前記無電解めっき膜を除去することに
より、無電解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる導
体回路を得ることを特徴とする請求項1に記載の製造方
法。 - 【請求項4】 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層を露光、現像処理して、
バイアホール形成用の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項5】 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成した後、この層間
樹脂絶縁層上に透光性のフィルムを貼付する工程、 .その透光性フィルムを介して層間樹脂絶縁層を加熱
プレスし、その表面を平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その
透光性フィルムを除去し、さらに現像処理してバイアホ
ール形成用の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項6】 感光性の層間樹脂絶縁剤として、硬化処
理によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化で感
光性の耐熱性樹脂マトリックス中に酸あるいは酸化剤に
可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子を分散させた無
電解めっき用接着剤を用いることを特徴とする請求項4
または5に記載の製造方法。 - 【請求項7】 層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイア
ホールを形成するに当たり、まず、粗化した層間樹脂絶
縁層上に設けた無電解めっき膜にめっきレジストを配設
して非導体部分を形成する一方、その非導体部分以外に
電解めっきを施して導体を形成した後、前記めっきレジ
ストとこのめっきレジスト下にある前記無電解めっき膜
を除去することにより、無電解めっき膜と電解めっき膜
の2層からなる導体回路およびバイアホールを得ること
を特徴とする請求項4または5に記載の製造方法。 - 【請求項8】 基板の導体回路上に層間絶縁剤を塗布す
るに先立ち、前記導体回路の少なくとも側面を粗化処理
することを特徴する請求項1、4および5のいずれか1
項に記載の製造方法。 - 【請求項9】 層間樹脂絶縁層の加熱プレスは、層間樹
脂絶縁層を加熱しながら金属板または金属ロールを押圧
して行うことを特徴とする請求項1、4および5のいず
れか1項に記載の製造方法。 - 【請求項10】 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層を加熱プレスして、その表面を
平坦化する工程、 .平坦化した層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付
する工程、 .層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その透光性フィ
ルムを除去し、さらに現像処理してバイアホール形成用
の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイ
アホールを形成する工程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項11】 感光性の層間樹脂絶縁剤として、硬化処
理によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化で感
光性の耐熱性樹脂マトリックス中に酸あるいは酸化剤に
可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子を分散させた無
電解めっき用接着剤を用いることを特徴とする請求項10
に記載の製造方法。 - 【請求項12】 層間樹脂絶縁層に導体回路およびバイア
ホールを形成するに当たり、まず、粗化した層間樹脂絶
縁層上に設けた無電解めっき膜にめっきレジストを配設
して非導体部分を形成する一方、その非導体部分以外に
電解めっきを施して導体を形成した後、前記めっきレジ
ストとこのめっきレジスト下にある前記無電解めっき膜
を除去することにより、無電解めっき膜と電解めっき膜
の2層からなる導体回路およびバイアホールを得ること
を特徴とする請求項10に記載の製造方法。 - 【請求項13】 基板の導体回路上に層間絶縁剤を塗布す
るに先立ち、前記導体回路の少なくとも側面を粗化処理
することを特徴とする請求項10に記載の製造方法。 - 【請求項14】 層間樹脂絶縁層の加熱プレスは、層間樹
脂絶縁層を加熱しながら金属板又は金属ロールを押圧し
て行うことを特徴とする請求項10に記載の製造方法。 - 【請求項15】 多層プリント配線板を製造するに当た
り、少なくとも下記〜の工程、即ち、 .基板の導体回路上に、未硬化で感光性の層間樹脂絶
縁剤を塗布して層間樹脂絶縁層を形成する工程、 .この層間樹脂絶縁層に透光性フィルムを貼付する工
程、 .層間樹脂絶縁層を露光硬化した後、その透光性フィ
ルムを除去し、さらに現像処理してバイアホール形成用
の開口を設ける工程、 .開口を設けた層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜を
設け、この無電解めっき膜にめっきレジストを配設して
非導体部分を形成する一方、その非導体部分以外に電解
めっきを施して導体を形成した後、前記めっきレジスト
と、このめっきレジスト下にある前記無電解めっき膜を
除去することにより、無電解めっき膜と電解めっき膜の
2層からなる導体回路およびバイアホールを形成する工
程、 を経ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法。 - 【請求項16】 感光性の層間樹脂絶縁剤として、硬化処
理によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化で感
光性の耐熱性樹脂マトリックス中に酸あるいは酸化剤に
可溶性の硬化処理された耐熱性樹脂粒子を分散させた無
電解めっき用接着剤を用いる請求項15に記載の製造方
法。 - 【請求項17】 基板の導体回路上に層間絶縁剤を塗布す
るに先立ち、前記導体回路の少なくとも側面を粗化処理
することを特徴とする請求項15に記載の製造方法。
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---|---|---|---|
JP18658897A JPH10335837A (ja) | 1997-04-02 | 1997-07-11 | 多層プリント配線板の製造方法 |
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---|---|---|---|
JP2001020022A Division JP2001237543A (ja) | 1997-04-02 | 2001-01-29 | プリント配線板 |
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JP18658897A Pending JPH10335837A (ja) | 1997-04-02 | 1997-07-11 | 多層プリント配線板の製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10335837A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003204152A (ja) * | 1999-05-27 | 2003-07-18 | Hoya Corp | 両面配線板の製造方法 |
JP2007049106A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Sanei Kagaku Kk | 平坦化樹脂被覆プリント配線板 |
JP2012039143A (ja) * | 2011-09-22 | 2012-02-23 | Sanei Kagaku Kk | 平坦化樹脂被覆プリント配線板 |
WO2012060411A1 (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-11 JP JP18658897A patent/JPH10335837A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003204152A (ja) * | 1999-05-27 | 2003-07-18 | Hoya Corp | 両面配線板の製造方法 |
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JP2012099182A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法 |
US8810969B2 (en) | 2010-11-02 | 2014-08-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Suspension substrate, suspension, suspension with head, hard disk drive, and method of manufacturing suspension substrate |
JP2012039143A (ja) * | 2011-09-22 | 2012-02-23 | Sanei Kagaku Kk | 平坦化樹脂被覆プリント配線板 |
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