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JPH10335395A - プローブカードの接触位置検出方法 - Google Patents

プローブカードの接触位置検出方法

Info

Publication number
JPH10335395A
JPH10335395A JP9138632A JP13863297A JPH10335395A JP H10335395 A JPH10335395 A JP H10335395A JP 9138632 A JP9138632 A JP 9138632A JP 13863297 A JP13863297 A JP 13863297A JP H10335395 A JPH10335395 A JP H10335395A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contact
wafer
stage
pins
set amount
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9138632A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Abiko
透 安彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP9138632A priority Critical patent/JPH10335395A/ja
Priority to US09/082,934 priority patent/US6191596B1/en
Priority to TW087108058A priority patent/TW410412B/zh
Priority to KR1019980019078A priority patent/KR19980087379A/ko
Priority to DE19823729A priority patent/DE19823729A1/de
Publication of JPH10335395A publication Critical patent/JPH10335395A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06794—Devices for sensing when probes are in contact, or in position to contact, with measured object
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/002—Constructional details of contacts for gauges actuating one or more contacts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • G01R31/2887—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks involving moving the probe head or the IC under test; docking stations

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  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウェーハとプローブピンの１ｓｔタッチ位置
の検出を短い時間で行う。 【解決手段】 先ず、設定量ａでステージ５を上昇さ
せ、ウェーハ６と接触しているプローブピン８の数であ
る接触ピン数が一定値以上となると、今度は設定量ａで
ステージ５を下降させ、接触ピン数がある一定値以下と
なると、設定量ａよりも小さい設定量ｂでステージ５を
再度上昇させ接触ピン数がある一定値を越えるとその時
のステージ５の位置を１ｓｔタッチ位置とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣのテストを行
う際にプローブピンとウェーハの１ｓｔタッチ位置を検
出するプローブカードの接触位置検出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣのウェーハ段階での検査を行うため
に、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ Ｂｅａｍ：電子ビー
ム）を用いてウェーハの検査を行うＥＢテストシステム
が用いられている。このＥＢテストシステムでは、半導
体試験装置に接続されたプローブピンを移動させ、ウェ
ーハと最初に接触する位置である１ｓｔタッチ位置を検
出し、プローブピンをその位置から一定の距離だけウェ
ーハに押し付け、ウェーハとプローブピンが確実にコン
タクトするようにしている。
【０００３】このようなＥＢテストシステムにおいて、
従来のプローブカードの接触位置検出方法では、半導体
試験装置でウェーハとプローブピンの接触状態を確認し
ながら手動でウェーハを少しづつ移動させることにより
１ｓｔタッチ位置の検出を行っていた。
【０００４】このような従来のプローブカードの接触位
置検出方法を図３のフローチャートを用いて説明する。
【０００５】先ず、半導体試験装置においてコンタクト
テストを行う（ステップ３１）、そしてウェーハとプロ
ーブピンが接触していなければ（ステップ３２）、手動
によりウェーハを載せたステージを１ピッチ上昇させる
（ステップ３３）。そして、再度コンタクトテストを行
い（ステップ３１）、ウェーハとプローブピンが接触し
ていなければステップ３３とステップ３１の動作を繰り
返すが、ウェーハとプローブピンが接触していれは処理
を終了する（ステップ３２）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のプロー
ブカードの接触位置検出方法では、ウェーハとプローブ
ピンの１ｓｔタッチ位置の検出を手動で行っているた
め、検出するために要する時間が長いという問題点があ
った。
【０００７】本発明の目的は、ウェーハとプローブピン
の１ｓｔタッチ位置の検出を短い時間で行うことのでき
るプローブカードの接触位置検出方法を提供することで
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のプローブカードの接触位置検出方法は、ウ
ェーハと接触しているプローブピンの数である接触ピン
数が予め定められた一定の数以上であることが検出され
るまで第１の設定量で前記ウェーハが載せられたステー
ジを上昇させ、前記接触ピン数が予め定められた一定の
数以上であることが検出されると、前記接触ピン数が一
定の数以下となるまで前記第１の設定量で前記ステージ
を下降させ、前記接触ピン数が一定の数以下であること
が検出されると、前記接触ピン数が一定の数以上となる
まで前記第１の設定量よりも小さい第２の設定量で前記
ステージを上昇させ、前記接触ピン数が一定の数以上で
あることが検出されると、その時の前記ステージの位置
を１ｓｔタッチ位置とする。
【０００９】本発明は、第１の設定量でステージを上昇
させ、ウェーハと接触しているプローブピンの数が予め
定められたある一定値以上となると、第１の設定量でス
テージを下降させ、接触ピン数がある一定値以下となる
と、今度は、第１の設定量よりも小さい第２の設定量で
ステージを再度上昇させ接触ピン数がある一定値を越え
ると、その時のステージの位置を１ｓｔタッチ位置とす
るようにしたものである。
【００１０】したがって、ステージの移動を全て大きな
第１の設定量で行う場合よりも正確な１ｓｔタッチ位置
の検出をすることができ、ステージの移動を全て小さな
第２の設定量で行った場合に比べてより短い時間で位置
検出を行うことができるので、ウェーハとプローブピン
の１ｓｔタッチ位置を自動で検出することができるとと
もに、手動で位置検出を行うよりも位置検出の時間を短
くすることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施形態のプローブカー
ドの接触位置検出方法を説明するためのＥＢテストシス
テムの構成図、図２は本発明の一実施形態のプローブカ
ードの接触位置検出方法を示したフローチャートであ
る。
【００１３】このＥＢテストシステムは、ＥＢ用ウェー
ハプローバ１と、ポゴピン７によりＥＢ用ウェーハプロ
ーバ１と接続され、プローブピン８のコンタクトテスト
を行う半導体試験装置２と、ウェーハプローバコントロ
ールユニット３とから構成されている。
【００１４】ＥＢ用ウェーハプローバ１は、ウェーハプ
ローバコントロール信号１０１により制御されて上下に
移動するステージ５と、ウェーハ６と接触してポゴピン
７からの信号をウェーハ６に伝達するプローブピン８
と、プローブピン８が設けられているプローブカード４
とから構成されている。
【００１５】また、ウェーハプローバコントロールユニ
ット３は、半導体試験装置制御信号１０２を介して半導
体試験装置２から移動要求が伝達されるとウェーハプロ
ーバコントロール信号１０１によりステージ５を上下に
移動させ、移動が終了すると移動終了通知を半導体試験
装置制御信号１０２により半導体試験装置２に伝達す
る。ここで、１度のウェーハプローバコントロール信号
１０１によりステージ５を上下させる距離である設定量
は任意に設定することができるものであり、設定量ａは
設定量ｂより大きいものとする。
【００１６】半導体試験装置２は、半導体試験装置制御
信号１０２を介してウェーハプローバコントロールユニ
ット３から動作開始の指示が伝達されるとプローブカー
ド４に対してコンタクトテストを行い、移動終了通知が
伝達されるとクリア通知をウェーハプローバコントロー
ルユニット３に伝達する。
【００１７】次に、本実施形態の動作について図１およ
び図２を参照して説明する。
【００１８】先ず、ウェーハプローバコントロールユニ
ット３は、半導体試験装置２に半導体試験装置制御信号
１０２を介して動作開始の指示を伝達する。半導体試験
装置２では、その動作開始の指示が伝達されるとポゴピ
ン７を通してプローブカード４に対してコンタクトテス
トを行う（ステップ２１）。そして、ウェーハ６と接触
しているプローブピン８の数が予め定められた設定数以
上でない場合（ステップ２２）、半導体試験装置２は半
導体試験装置制御信号１０２を介してウェーハプローバ
コントロールユニット３にステージ移動要求を伝達す
る。ウェーハプローバコントロールユニット３では、そ
の移動要求を受けてウェーハプローバコントロール信号
１０１によりステージ５を設定量ａだけ上昇させる（ス
テップ２３）。そして、ウェーハプローバコントロール
ユニット３はステージ５の上昇が終了すると移動終了通
知を半導体試験装置２に伝達する。半導体試験装置２で
は移動終了通知を受けてクリア通知をウェーハプローバ
コントロールユニット３に伝達する。ウェーハプローバ
コントロールユニット３は、クリア通知を受けて保持し
ているデータをクリアし半導体試験装置２に動作開始の
指示を伝達する。そして、半導体試験装置２は、その動
作開始の指示が伝達されるとポゴピン７を通してプロー
ブカード４に対してコンタクトテストを行う（ステップ
２１）。
【００１９】上記のステップ２１〜ステップ２３の動作
を、ステップ２２で設定数以上の接触ピン数が検出され
るまで繰り返し続ける。
【００２０】そして、ステップ２２で設定数以上の接触
ピン数が検出されると、半導体試験装置２は、ステージ
下降要求をウェーハプローバコントロールユニット３に
伝達する。ウェーハプローバコントロールユニット３で
は、ステージ下降要求を受けて設定量ａだけステージ５
を下降させた後に、半導体試験装置２に移動終了通知を
伝達する。半導体試験装置２では移動終了通知を受けて
クリア通知をウェーハプローバコントロールユニット３
に伝達する。ウェーハプローバコントロールユニット３
は、クリア通知を受けて保持しているデータをクリアし
半導体試験装置２に動作開始の指示を伝達する。そし
て、半導体試験装置２は、その動作開始の指示が伝達さ
れるとポゴピン７を通してプローブカード４に対してコ
ンタクトテストを行う（ステップ２１）。
【００２１】上記のステップ２４〜ステップ２６の動作
を、ステップ２６で接触ピン数が設定数以下であると検
出されるまで繰り返し続ける。
【００２２】そして、ステップ２６で接触ピン数が設定
数以下であることが検出されると、半導体試験装置２
は、クリア通知をウェーハプローバコントロールユニッ
ト３に伝達する。ウェーハプローバコントロールユニッ
ト３は、クリア通知を受けて保持しているデータをクリ
アし半導体試験装置２に動作開始の指示を伝達する。そ
して、半導体試験装置２は、その動作開始の指示が伝達
されるとポゴピン７を通してプローブカード４に対して
コンタクトテストを行う（ステップ２７）。そして、接
触ピン数が設定数以上でなければ、ステージ５を設定量
ａより小さい設定量ｂだけ上昇させる（ステップ２
９）。
【００２３】上記のステップ２７〜ステップ２９の動作
を、ステップ２８で設定数以上の接触ピン数が検出され
るまで繰り返し続ける。
【００２４】そして、ステップ２８で設定数以上の接触
ピン数が検出されると、半導体試験装置２は終了通知を
ウェーハプローバコントロールユニット３に伝達する。
そして、ウェーハプローバコントロールユニット３で
は、終了通知を受けて動作を終了し、その時のステージ
５の位置を１ｓｔタッチ位置とする。
【００２５】本実施形態では、ステージ５の移動を全て
設定量ａで行う場合よりも正確な１ｓｔタッチ位置の検
出をすることができるとともに、ステージ５の移動を全
て設定量ｂで行った場合に比べてより短い時間で位置検
出を行うことができる。
【００２６】この結果、ウェーハ５とプローブピン８の
１ｓｔタッチ位置の検出をウェーハプローバコントロー
ルユニット３を用いて自動的に行うことができるため、
位置検出のための時間を従来より短くすることができ
る。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ウェー
ハとプローブピンの１ｓｔタッチ位置を自動的に検出す
るための時間を短くすることができるという効果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態のプローブカードの接触位
置検出方法を説明するためのＥＢテストシステムの構成
図である。
【図２】本発明の一実施形態のプローブカードの接触位
置検出方法を示したフローチャートである。
【図３】従来のプローブカードの接触位置検出方法を示
したフローチャートである。
【符号の説明】 １ ＥＢ用ウェーハプローバ ２ 半導体試験装置 ３ ウェーハプローバコントロールユニット ４ プローブカード ５ ステージ ６ ウェーハ ７ ポゴピン ８ プローブピン ２１〜２９ ステップ ３１〜３３ ステップ １０１ ウェーハプローバコントロール信号 １０２ 半導体試験装置制御信号

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェーハと接触しているプローブピン
    の数である接触ピン数が予め定められた一定の数以上で
    あることが検出されるまで第１の設定量で前記ウェーハ
    が載せられたステージを上昇させ、 前記接触ピン数が予め定められた一定の数以上であるこ
    とが検出されると、前記接触ピン数が一定の数以下とな
    るまで前記第１の設定量で前記ステージを下降させ、 前記接触ピン数が一定の数以下であることが検出される
    と、前記接触ピン数が一定の数以上となるまで前記第１
    の設定量よりも小さい第２の設定量で前記ステージを上
    昇させ、 前記接触ピン数が一定の数以上であることが検出される
    と、その時の前記ステージの位置を１ｓｔタッチ位置と
    するプローブカードの接触位置検出方法。
JP9138632A 1997-05-28 1997-05-28 プローブカードの接触位置検出方法 Withdrawn JPH10335395A (ja)

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