JPH1032281A

JPH1032281A - 抵抗内蔵半導体回路基板

Info

Publication number: JPH1032281A
Application number: JP18442296A
Authority: JP
Inventors: Hirobumi Tanaka; 博文田中; Moriji Morita; 守次森田; Shigeki Nakahara; 重樹中原; Toshiji Koike; 利治小池; Naoki Kuwabara; 直樹桑原
Original assignee: Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Current assignee: Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Priority date: 1996-07-15
Filing date: 1996-07-15
Publication date: 1998-02-03

Abstract

(57)【要約】【解決手段】銅箔上に、金属クロム（あるいはクロム
合金）層および／または金属クロム（あるいはクロム合
金）を含むクロメート層が形成され、更にクロメート層
が順に形成される処理を施してなる、表面処理銅箔を、
絶縁性基材に該クロメート層が接触するように接着され
た配線基材を用いて加工形成される半導体回路飢餓番に
おいて、パターニング形成された表面処理銅箔からなる
電送ライン上の一部の銅を除去し、アースラインと電気
的外部接続用端子間で、金属クロム（あるいはクロム合
金）層および／または金属クロム（あるいはクロム合
金）を含むクロメート層とおよびクロメート層からなる
シート状抵抗を終端抵抗として加工形成されることを特
徴とする半導体回路基板。【効果】本発明により、抵抗精度良好で且つ耐久性に
優れたシート状抵抗を内蔵した回路基板を製造でき、マ
イクロストリップライン構造を有する半導体回路基板に
おいて、接続点における信号波形の乱れを低減させる終
端抵抗を容易に内蔵することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高速動作ICチップ
をマウントするマイクロストリップライン構造を有する
半導体基板において、接続点における信号波形の乱れを
低減させるために設置された終端抵抗を内蔵した半導体
回路基板およびその作製方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プリント回路基板内に抵抗を入れる場合
には、回路間に抵抗部品を実装する事が一般であるが、
実装の際の接続信頼性の問題や実装体積の問題があり、
今後の小型化・多ピン化の趨勢に合致しなくなってい
る。この問題を解決するため、プリント回路基板内に、
シート状抵抗を形成する方法としては、ガラス繊維入り
のエポキシ系樹脂、ＢＴ樹脂、マレイミド系ポリイミド
樹脂の片面もしくは両面に、電気メッキにより形成され
たリンを含むNi層をシート状抵抗体として、銅箔上に形
成した金属箔を接着した基材を用いた方法(米国特許380
8576号)等が知られている。しかしながら、この方法で
は、銅箔とリンを含むNi層からなるシート状抵抗とのエ
ッチング選択性が低いという問題点が残されているのが
現状である。そのため、加工法として次のような方法
（工程１〜３）が採られているが（特公平３−７１６９
６号公報）、管理幅が狭いという困難さが残されてい
る。

【０００３】すなわち、工程１：電送ラインを形成後公
知の方法でマスクしたのち、銅箔層とリンを含むNi層に
対してエッチング選択性の小さい、塩化第二銅やアンモ
ニア液といったエッチング液を用いて銅箔層とリンを含
むNi層からなる電送ラインを形成する。

【０００４】工程２：エッチング速度の小さいリンを含
むNi層が電送ライン以外の場所に不要な層として残るの
で、この層を、銅箔層とリンを含むNi層とのエッチング
選択性が高い、硫酸銅／濃硫酸エッチング液を用いて、
銅の部分をサイドエッチングしないよう注意しながら、
リンを含むNi層のエッチングを行い除去する。

【０００５】工程３：シート状抵抗形成用レジストを公
知の方法で形成し、その次に、銅箔とリンを含むNi層に
対して選択性が小さいアンモニアを含むアルカリエッチ
ング液で銅のエッチングを行い銅のみを除去する。この
操作は、リンを含むNi層をエッチングしないように、エ
ッチング温度、時間等厳密に注意しながら、電送ライン
上の銅箔のみを一部除去し、電送ラインの一部にリンを
含むNi層からなるシート状抵抗を形成するのである。

【０００６】このような方法の場合、リンを含むNi層の
一部がどうしてもエッチングされてしまうことで、抵抗
値が変化してしまっていた。通常、クロック周波数が30
0MHz以上といった高速ICに用いられる終端抵抗は規定値
の±５％以下の制度を要求されているために、膜厚で±
２％以内であることが望ましいが、シート状抵抗形成後
に、多くの場合にはレーザートリミングを行う工程が必
要があった。該公報以外にも、シート抵抗としてNi系合
金を使用する技術が知られているが（特開平3-71696号
公報、特開平3-180094号公報、いずれも、多かれ、少な
かれ前記と同様なエッチング選択性の問題を抱えてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は銅との
エッチング選択性が高く、かつ、エッチング可能で耐久
性に優れた金属を抵抗層に適用することにより、抵抗精
度を高めると同時に、絶縁性基材側の表面粗度を制御す
ることにより、絶縁性基材との接着力が高いシート状抵
抗を内蔵した半導体回路基板を提供することである。ま
た、アースラインと外部接続用端子間にシート状抵抗を
終端抵抗として設け、接続点における信号波形の乱れを
低減させる技術を提起することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、（１）銅箔
上に、金属クロム層および／または金属クロムを含むク
ロメート層が形成され、更にクロメート層が順に形成さ
れる処理を施してなる、表面処理銅箔（以下表面処理銅
箔１と略す）を、絶縁性基材に該クロメート層が接触す
るように接着された配線基材を用いて加工形成される半
導体回路基板において、パターニング形成された表面処
理銅箔１からなる電送ライン上の一部の銅を除去し、ア
ースラインと電気的外部接続用端子間で、金属クロム層
および／または金属クロムを含むクロメート層と、およ
びクロメート層（以下クロメート抵抗層１と略す）から
なるシート状抵抗が終端抵抗として加工形成されること
を特徴とする半導体回路基板、（２）銅箔上に、クロ
ム合金層および／またはクロム合金を含むクロメート層
が形成され、更にクロメート層が順に形成される処理を
施してなる、表面処理銅箔（以下表面処理銅箔２と略
す）を、絶縁性基材に該クロメート層が接触するように
接着された配線基材を用いて加工形成される半導体回路
基板において、パターニング形成された表面処理銅箔２
からなる電送ライン上の一部の銅を除去し、アースライ
ンと電気的外部接続用端子間で、クロム合金層および／
またはクロム合金を含むクロメート層と、およびクロメ
ート層（以下クロメート抵抗層２と略す）からなるシー
ト状抵抗が終端抵抗として加工形成されることを特徴と
する半導体回路基板、（３）表面処理銅箔１の、該表
面処理が電解メッキで行われ、表面処理層が銅側に緻密
な金属光沢を有する金属クロム層および／または金属ク
ロムを含むクロメート層、絶縁基材側に中心線表面粗さ
が０．０５〜２．０μｍである粗面状態のクロメート層
を有する事を特徴とする（１）記載の半導体回路基板、
（４）表面処理銅箔２の、該表面処理が電解メッキで
行われ、表面処理層が銅側に緻密な金属光沢を有するク
ロム合金層および／またはクロム合金を含むクロメート
層、絶縁基材側に中心線表面粗さが０．０５〜２．０μ
ｍである粗面状態のクロメート層を有する事を特徴とす
る（２）記載の半導体回路基板、（５）（１）記載の
半導体回路基板の製造方法であって、金属クロム層およ
び／または金属クロムを含むクロメート層およびクロメ
ート層からなる表面処理層のエッチングにおいて、濃
度：２Ｎ〜１０Ｎ、液温度：４０℃〜９５℃の塩酸水溶
液を使用してエッチングすることを特徴とする半導体回
路基板の製造方法、（６）（２）記載の半導体回路基
板の製造方法であって、クロム合金層および／またはク
ロム合金を含むクロメート層と、およびクロメート層か
らなる表面処理層のエッチングにおいて、濃度：２Ｎ〜
１０Ｎ、液温度：４０℃〜９５℃の塩酸水溶液を使用し
てエッチングすることを特徴とする半導体回路基板の製
造方法である。

【０００９】

【発明の実施の形態】まず、添付図面について説明す
る。図１の（ａ）は、銅箔／（金属クロム層または金属
クロムを含むクロメート層）／クロメート層／ポリイミ
ド等の絶縁性基材／（銅または銅合金等の金属板）から
なる半導体回路基板を示す断面図であり、（ｂ）は銅箔
／（クロム合金層またはクロム合金を含むクロメート
層）／クロメート層／ポリイミド等の絶縁性基材／（銅
または銅合金等の金属板）からなる半導体回路基板を示
す断面図であり、（ｃ）は銅箔／（金属クロム層または
クロム合金層）／（金属クロムまたはクロム合金を含む
クロメート層）／クロメート層／ポリイミド等の絶縁性
基材／（銅または銅合金等の金属板）からなる半導体回
路基板を示す断面図であり、いずれも本発明の半導体回
路基板を示す。

【００１０】図２は、これらの半導体回路基板よりシー
ト状抵抗６０を形成した状態を示す。すなわち、（ａ）
は銅箔／（金属クロム層またはクロム合金層）／（金属
クロムまたはクロム合金を含むクロメート層）／クロメ
ート層／ポリイミド等の絶縁性基材／（銅または銅合金
等の金属板）からなる半導体回路基板において、銅箔／
（金属クロム層またはクロム合金層）／（金属クロムま
たはクロム合金を含むクロメート層）／クロメート層を
加工して、半導体回路基板の一部に、複数のシート状抵
抗６０の形成を行ったその一つのＡ−Ａ’面での断面図
であり、（ｂ）は（ａ）の上面図である。（なお、図２
は図１（Ｃ）の半導体回路基板を使用した場合であ
る。）ここで、１０は銅箔、１５は金属クロム層または金属ク
ロムを含むクロメート層、１６はクロム合金層またはク
ロム合金を含むクロメート層、２０は金属クロム層また
はクロム合金層、３０は金属クロムまたはクロム合金を
含むクロメート層、３５はクロメート層、４０はポリイ
ミド等の絶縁性基材、５０は銅板または銅合金板等の金
属板、６０はシート状抵抗、７０は電送ライン、８０は
電気的外部接続用ハンダボール形成部、９０はアースラ
インである。

【００１１】本発明において、絶縁性基材としては、エ
ポキシ樹脂、フッ素樹脂、ＢＴ樹脂、マレイミド系ポリ
イミド樹脂、芳香族系ポリイミド樹脂等の樹脂やセラミ
ックスが使用される。高速ICチップの動作用としては誘
電特性に優れた芳香族ポリイミド樹脂やフッ素樹脂がよ
り好適に使用される。絶縁性基材の厚みは、10μｍ〜30
00μｍのものが用いられる。より好適には20〜200μmの
ものが使用される。また、樹脂にガラス繊維や公知のフ
ィラー等を添加しても良い。さらに、基材の放熱性、電
磁シールド性、機械強度を高めるために絶縁性基材の片
面に銅板等の厚さ0.01〜5mmの金属を積層しても良い。
この積層には、Ｂステージ状態の絶縁性基材を用いて
も、Ｃステージ状態の絶縁性基材にエポキシ系、アクリ
ル系或いは熱可塑性ポリイミド等の接着剤を用いて該基
材に積層してもよい。

【００１２】本発明において、銅箔に、クロメート抵抗
層１を形成する方法としては、クロムメッキ浴、およ
び、無水クロム酸を成分として含んだ硫酸浴に浸せき
し、電気メッキ等により所定の膜厚形成を行えばよい。
また、クロメート抵抗層２を形成する方法としては、ク
ロムメッキ浴あるいはクロム合金メッキ浴、および、無
水クロム酸を成分として含んだ硫酸浴に浸せきし、電気
メッキ等により所定の膜厚形成を行えばよい。

【００１３】かくして得られた表面処理銅箔１あるいは
２と絶縁性基材との積層は、加熱真空プレス機等の公知
のプレス機を用いて、接着積層したり、絶縁性基材の前
駆体のワニスを公知の方法で銅箔に塗工、乾燥、硬化さ
せ絶縁性基材を積層する事等により得られる。この際、
中心線表面粗さが好ましくは0.05〜2.0μｍに制御され
たクロメート層が絶縁基材に接触積層するようにするこ
とで、接着強度が高められるようにすることが好まし
い。

【００１４】高速ICチップを搭載するための半導体回路
基板を製造するためには、絶縁性基材にICチップの端子
数に相当する数のワイアボンディング部、信号電送ライ
ン、電源ライン、アースライン、外部接続用ハンダボー
ル形成部、及び補助的な電源ライン、アースライン、内
蔵抵抗ライン等を回路加工で形成し、ハンダレジスト形
成、Ni/Auメッキを行って半導体回路基板とする。

【００１５】この、半導体回路基板に、クロメート抵抗
層１あるいは２からなるシート状抵抗を形成する方法と
しては、まず表面処理銅箔層１あるいは２から、回路を
形成する部分以外の不要部分の銅のみを公知のエッチン
グ液、例えば塩化第二銅または、塩化第二鉄といったエ
ッチング液で除去する（回路形成工程１）。この結果、
銅を除かれた部分には、金属光沢を帯びた金属クロム層
または金属クロムを含んだクロメート層あるいはクロム
合金層またはクロム合金を含んだクロメート層が露出す
ることになる。この際、エッチング選択性が極めて高い
ので、クロメート抵抗層１あるいは２は全くエッチング
されない。

【００１６】続いて、この露出したクロメート抵抗層１
あるいは２を、好ましくは濃度２〜１０Ｎ、温度４０〜
９５℃、より好ましくは濃度３〜８Ｎ、温度６０〜８０
℃の塩酸水溶液を用いて溶解除去する（回路形成工程
２）。クロメート抵抗層のエッチングを塩酸を用いて行
うことが本発明の特徴の一つである。通常の当業者の予
想に反して、驚くべきことにエッチング選択性は極めて
高いことを我々は見いだした。したがって、このエッチ
ングは回路状の銅およびその銅の下のクロメートの溶解
の心配は実質的に全く無く行うことができ、表面処理銅
箔１あるいは２からなる回路が形成されるのである。温
度および濃度は、エッチング速度および選択性の点から
好ましい範囲である。

【００１７】続いて、シート状抵抗部を電送ライン上に
形成するためには、公知のレジストマスク形成を行い、
銅のみを塩化第二銅または、塩化第二鉄といった公知の
エッチング液で除去して、クロメート抵抗層１あるいは
２からなるシート状抵抗を形成するのである（回路形成
３）。

【００１８】この場合も、エッチング選択性は極めて高
いので、所定の形状のシート状抵抗を精度良く形成でき
る。クロム合金の場合、クロム含有率が少なくとも30at
om%以上、好ましくは35atom%以上で、その他Mn、Co、F
e、Cu、W 、Ni、P 、B 、Oの複数もしくは、いづれかの
元素を含む合金であれば良い。この時のシート状抵抗の
抵抗値としては、クロムまたはクロムに添加される元素
の合金比を調節することで、クロム合金層のシート抵抗
値を調節する。用いられる、シート抵抗値としては、 5
Ω／□〜1000Ω／□のものが選ばれ、厚みとしてはクロ
メート抵抗層１あるいは２の厚みが0.1〜10μｍと比較
的薄いものが好ましい。

【００１９】また、このシート状抵抗を、アースライン
と外部接続用端子間で、終端抵抗として接続形成するこ
とにより、高速動作ICチップをマウントするマイクロス
トリップライン構造を有するメタルパッケージにおい
て、接続点における信号波形の乱れを低減させることが
できる。

【００２０】

【実施例】以下実施例により、発明の効果について説明
する。（実施例１）非熱可塑性ポリイミドに厚み25μｍのアピ
カル (鐘が淵化学社製) を用い、この両側に熱可塑性ポ
リイミドとして、厚み 8μｍのPI-A( 三井東圧化学社
製) を用い、両者を積層したポリイミド両面接着シート
をポリイミドフィルムとして用いた。

【００２１】一方、厚み18μｍの圧延銅箔に、電気メッ
キ法で、厚み、約50nｍの金属クロムを含むクロメート
層、続いて厚み約 0.4μｍのクロメート層を形成（クロ
メート抵抗層３とする）し、表面処理銅箔３とした。ま
た、厚さ200μｍの銅板を用意した。

【００２２】これら銅箔、両面接着シート、銅板をこの
順番に積層し、真空下、２４０℃、圧力４０kg/cm²で３
０分間圧着して銅ベース回路用基板を得た。表面処理銅
箔３とポリイミドフィルムとの剥離強度は2.2kg/cmであ
り十分強力であった。クロメート抵抗層３のシート抵抗
値は、18μｍの圧延銅箔を塩化第二銅エッチング液で除
去してクロメート抵抗層３を露出させて測定した。シー
ト抵抗は２７．６Ωであった。

【００２３】抵抗回路の形成は、回路以外の不要部分の
銅を塩化第二銅エッチング液で除去したあと、露出した
クロメート抵抗層３を、３．５Ｎの塩酸溶液を用い、液
温６５℃で１分間エッチングし除去した。この際、回路
部分の銅およびその銅の下のクロム抵抗層３はまったく
エッチングされず極めてエッチング選択性が高い事が示
された。続いて、シート状抵抗形成部を電送ライン上に
形成するための所定のレジストマスク形成を行い、露出
している銅のみを塩化第二銅エッチング液で除去して、
クロメート抵抗層３からなるシート状抵抗を形成した。
かくして幅40μｍの電送ライン上で、ハンダボール形成
部と、アースラインの間において、幅40μｍ×長さ72μ
ｍの形状で、シート状抵抗を形成した。この抵抗値を測
定したところ、50.3Ωであった。このシート状抵抗の耐
久性を測定するために８５℃、８５％の雰囲気で１００
０時間放置したのち再度測定した結果、抵抗値は50.6Ω
と初期値と殆ど変化がなかった。

【００２４】（実施例２）非熱可塑性ポリイミドに厚み
25μｍのアピカル (鐘が淵化学社製) を用い、この両側
に熱可塑性ポリイミドとして、厚み 3μｍのPI-A( 三井
東圧化学社製) を用い、両者を積層したポリイミド両面
接着シートをポリイミドフィルムとして用いた。

【００２５】一方、厚み12μｍの圧延銅箔に、電気メッ
キ法で、厚み、約10nｍの金属クロム層、続いて厚み約
0.5μｍのクロメート層を形成（クロメート抵抗層４と
する）し表面処理銅箔４とした。また、厚さ０．５ｍｍ
の銅板を用意した。

【００２６】更に、これら銅箔、両面接着シート、銅板
をこの順番に積層し、真空下、２４０℃、圧力５０kg/c
m²で３０分間圧着して銅ベース回路用基板を得た。表面
処理銅箔４とポリイミドフィルム層との剥離強度は1.9k
g/cmで十分強力であった。クロメート抵抗層４のシート
抵抗値は、12μｍの圧延銅箔を塩化第二銅エッチング液
で除去してクロメート抵抗層４を露出させて測定した。
シート抵抗は２２Ωであった。

【００２７】抵抗回路の形成は、回路以外の不要部分の
銅を塩化第二銅エッチング液で除去したあと、露出した
クロメート抵抗層４を、４．５Ｎの塩酸溶液を用い、液
温７０℃で３０秒間エッチングし除去した。続いて、シ
ート状抵抗形成部を電送ライン上に形成するための所定
のレジストマスク形成を行い、露出している銅を塩化第
二銅エッチング液で除去して、クロメート抵抗層４から
なるシート状抵抗を形成した。かくして幅50μｍの電送
ライン上で、ハンダボール形成部と、アースラインの間
において、幅50μｍ×長さ115μｍの形状で、シート状
抵抗を形成した。この抵抗値を測定したところ、50.5Ω
であった。このシート状抵抗の耐久性を測定するために
８５℃、８５％の雰囲気で１０００時間放置したのち再
度測定した結果、抵抗値は50.8Ωと初期値と殆ど変化が
なかった。

【００２８】

【発明の効果】本発明に従えば、銅とのエッチング選択
性が高く、耐久性に優れた金属クロム（クロム合金）お
よび／または金属クロム（クロム合金）を含むクロメー
ト層とおよびクロメート層を抵抗層へ適用し、それら抵
抗層のエッチングを高温の塩酸溶液で行うことにより、
抵抗精度良好で且つ耐久性に優れたシート状抵抗を内蔵
した回路基板を製造でき、マイクロストリップライン構
造を有する半導体回路基板において、接続点における信
号波形の乱れを低減させる終端抵抗を容易に内蔵するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）：銅箔／（金属クロム層または金属クロ
ムを含むクロメート層）／クロメート層／ポリイミド等
の絶縁性基材／（銅または銅合金等の金属板）からなる
半導体回路基板を示す断面図（ｂ）：銅箔／（クロム合金層またはクロム合金を含む
クロメート層）／クロメート層／ポリイミド等の絶縁性
基材／（銅または銅合金等の金属板）からなる半導体回
路基板を示す断面図（ｃ）：銅箔／（金属クロム層またはクロム合金層）／
（金属クロムまたはクロム合金を含むクロメート層）／
クロメート層／ポリイミド等の絶縁性基材／（銅または
銅合金等の金属板）からなる半導体回路基板を示す断面
図

【図２】（ａ）：銅箔／（金属クロム層またはクロム合
金層）／（金属クロムまたはクロム合金を含むクロメー
ト層）／クロメート層／ポリイミド等の絶縁性基材／
（銅または銅合金等の金属板）からなる半導体回路基板
において、銅箔／（金属クロム層またはクロム合金層）
／（金属クロムまたはクロム合金を含むクロメート層）
／クロメート層を加工して、半導体回路基板の一部に、
複数のシート状抵６０の抗形成を行ったその一つのＡ−
Ａ’面での断面図（ｂ）：（ａ）の上面図

【符号の説明】

１０銅箔１５金属クロム層または金属クロムを含むクロメート
層１６クロム合金層またはクロム合金を含むクロメート
層２０金属クロム層またはクロム合金層３０金属クロムまたはクロム合金を含むクロメート層３５クロメート層４０ポリイミド等の絶縁性基材５０銅板または銅合金板等の金属板６０シート状抵抗７０電送ライン８０電気的外部接続用ハンダボール形成部９０アースライン

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者小池利治神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内 (72)発明者桑原直樹神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地三井東圧化学株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銅箔上に、金属クロム層および／または
金属クロムを含むクロメート層が形成され、更にクロメ
ート層が順に形成される処理を施してなる、表面処理銅
箔を、絶縁性基材に該クロメート層が接触するように接
着された配線基材を用いて加工形成される半導体回路基
板において、パターニング形成された表面処理銅箔から
なる電送ライン上の一部の銅を除去し、アースラインと
電気的外部接続用端子間で、金属クロム層および／また
は金属クロムを含むクロメート層とおよびクロメート層
からなるシート状抵抗が終端抵抗として加工形成される
ことを特徴とする半導体回路基板。
【請求項２】銅箔上に、クロム合金層および／または
クロム合金を含むクロメート層が形成され、更にクロメ
ート層が順に形成される処理を施してなる、表面処理銅
箔を、絶縁性基材に該クロメート層が接触するように接
着された配線基材を用いて加工形成される半導体回路基
板において、パターニング形成された表面処理銅箔から
なる電送ライン上の一部の銅を除去し、アースラインと
電気的外部接続用端子間で、クロム合金層および／また
はクロム合金を含むクロメート層とおよびクロメート層
からなるシート状抵抗が終端抵抗として加工形成される
ことを特徴とする半導体回路基板。
【請求項３】表面処理銅箔の、該表面処理が電解メッ
キで行われ、表面処理層が銅側に緻密な金属光沢を有す
る金属クロム層および／または金属クロムを含むクロメ
ート層、絶縁基材側に中心線表面粗さが０．０５〜２．
０μｍである粗面状態のクロメート層を有することを特
徴とする請求項１記載の半導体回路基板。
【請求項４】表面処理銅箔の、該表面処理が電解メッ
キで行われ、表面処理層が銅側に緻密な金属光沢を有す
るクロム合金層および／またはクロム合金を含むクロメ
ート層、絶縁基材側に中心線表面粗さが０．０５〜２．
０μｍである粗面状態のクロメート層を有することを特
徴とする請求項２記載の半導体回路基板。
【請求項５】請求項１記載の半導体回路基板の製造方
法であって、金属クロム層および／または金属クロムを
含むクロメート層とおよびクロメート層からなる表面処
理層のエッチングにおいて、濃度：２Ｎ〜１０Ｎ、液温
度：４０℃〜９５℃の塩酸水溶液を使用してエッチング
することを特徴とする半導体回路基板の製造方法。
【請求項６】請求項２記載の半導体回路基板の製造方
法であって、クロム合金層および／またはクロム合金を
含むクロメート層と、およびクロメート層からなる表面
処理層のエッチングにおいて、濃度：２Ｎ〜１０Ｎ、液
温度：４０℃〜９５℃の塩酸水溶液を使用してエッチン
グすることを特徴とする半導体回路基板の製造方法。