JP3941463B2 - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基板上に転写法により多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、エレクトロニクス分野の発展は著しく、電子機器の小型化、高密度実装化及び高性能化（高速化）に伴い、配線板自体の高密度化、即ち導体パターンの微細化、高信頼化が求められている。
【０００３】
絶縁基板上に銅配線パターンを形成するには、サブトラクティブ法が一般に使用されている。
しかし、銅配線パターンが微細化になるとサブトラクティブ法は対応できなくなる問題があった。
【０００４】
微細な銅配線パターンを形成する有効な手段としては、セミアディティブ法が用いられる。
先ず絶縁性基板上に電気めっき導通用の薄い下地銅層を形成し、次いで前記下地銅層の表面にめっき用のフォトレジストマスクパターンを形成する。
次に電解めっき法でマスクパターンの露出した部分に銅めっき被膜を形成し、マスクパターンを剥離する。
最後に、ソフトエッチングで下地銅層の不要となった部分を除去することによって銅配線パターンを形成する。
しかし、銅配線パターンが微細化になってくると最後の下地銅層を除去するためのソフトエッチング工程では銅配線パターンが更に細くなるため、断線したり、剥がれたりすることが発生してしまい、また銅配線パターンの間の幅が狭くなると不要となった下地銅層を完全に除去するには困難になり、そのため銅配線パターン間の絶縁信頼性が低下するなどの問題があった。
【０００５】
更に、セミアディティブ法で銅配線パターンを形成する時にソフトエッチング時に銅配線パターンへのダメージを軽減するために、下地銅層を薄くする必要がある。
しかし下地銅層が薄くなると、下地銅層の厚みのばらつきが生じると同時に抵抗が高くなるので、銅配線パターンのばらつきが大きくなる問題もあった。
【０００６】
また、別の方法として、無電解めっき法を含む工程で微細な銅配線パターンを形成することができる。
先ず、粗化したポリイミド表面に無電解銅めっき用の触媒を付与した後にめっき用のマスクパターンを形成してから、無電解めっきでマスクパターンの露出した部分に銅めっき被膜を形成する。
又は先ず無電解めっきでマスクパターンの露出した部分に１〜５ミクロンの被膜を形成してから更に電解めっきを施して、銅めっき被膜を形成する。
最後にめっき用のマスクパターンを剥離して、銅配線パターンを形成することができる。
しかしこの方法を用いると最も問題になるのは銅配線パターン間のポリイミド表面に残っている触媒である。
現在多く使用されている触媒としてはＰｄ−Ｓｎコロイドが上げられる。
しかし、パラジウムの耐食性が強く、通常のエッチング処理ではポリイミド表面に付着したパラジウムを除去することは困難であり、結局残留のパラジウムは銅配線パターン間の絶縁性を悪くしてしまう問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の解決しようとする課題は、サブトラクティブ法で微細な銅配線パターンを形成しにくいことと、セミアディティブ法で微細な銅配線パターンを形成することができるが、最後のソフトエッチング工程では銅配線パターンに強いダメージを与え、しかも銅配線パターン間の不要となった下地銅層を完全に除去できず、線間絶縁信頼性が低かった。
これらの問題を解決することによって、微細且つ絶縁信頼性の高い銅配線パターンを有する多層プリント配線板を提供することができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
まず、金属板上にフォトレジストマスクパターン形成する凹状パターン用レジスト形成工程と、金属板の表面にエッチングで銅配線パターンを形成するための凹状パターンを形成する凹状パターン形成工程と、フォトレジストマスクパターンを剥離する凹状パターン用レジスト剥離工程と、金属板の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属板の表面の凹状パターン表面の絶縁層を除去するためのフォトレジストマスクパターンを形成する絶縁層用レジスト形成工程と、エッチングで金属板の表面の凹状パターン表面の絶縁層を除去する絶縁層除去工程と、フォトレジストマスクパターンを剥離する絶縁層用レジスト剥離工程とによりなる、金属板の表面に銅配線パターン及びビアランドめっき用凹状パターンを形成することを特徴とする金属転写板の製造方法を提供するものである。
【０００９】
請求項１として、絶縁基板上に転写法により銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリント配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビアランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パターンとビアランドを形成された絶縁基板上に２層目の絶縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パターンとビアランドを形成する第２の転写工程と、レーザでビアを形成するための穴を形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを形成するレジスト形成工程と、めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１０】
請求項２として、絶縁基板上に転写法により銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリント配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビアランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パターンとビアランドを形成された絶縁基板上にビアランドの直上に穴を有する２層目の絶縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パターンと中心部に穴を有するビアランドを形成する第２の転写工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを形成するレジスト形成工程と、めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１１】
請求項３としては、前記絶縁基板がポリイミド、液晶ポリマから選ばれたものであることを特徴とするプリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１２】
請求項４としては、前記絶縁層がＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３から選ばれたものであることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１３】
請求項５として、前記絶縁層の厚みは０．０１μｍ以上であることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１４】
請求項６としては、前記めっき法で金属表面の凹状パターンの中に形成するめっき被膜の露出面に対して粗化処理をし、その表面粗さＲｚは１μｍ以上であることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図１〜５を使い製造工程に従って詳細に説明を行う。
なお、銅配線パターン及びビアランドを形成するための凹状パターンを形成する場合（図１）、および銅配線パターン及び中心部に穴を有するビアランドを形成するための凹状パターンを形成する場合（図２）を併せて説明する。
【００１６】
本発明は、まず、金属板であるステンレス板の表面にエッチングにより銅配線パターンとビアランドを形成するための凹状パターンを形成するためのフォトレジストマスクパターンを形成する（図１（１）、図２（１））。
金属板は、転写の容易性、価格等の関係上ステンレスを用いたが、他の金属材料をもちいるものであっても構わない。
【００１７】
次に、ＦｅＣｌ3をエッチング液として用い、エッチングでステンレス板の表面に凹状パターンを形成してから、剥離液でフォトレジストパターンを剥離した（図１（２）、図２（２））。
エッチング液は、金属材料に応じて適宜選択可能である。
また、フォトレジストも金属材料に応じて適宜選択可能であり、エッチング条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可能であり、剥離液や剥離条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可能である。
凹状パターンの深さは０．１〜１００μｍで、好ましいのは１５μｍである。
また、凹状パターンの幅は０．１〜５０μｍである。
【００１８】
図１（２）に示すのは銅配線パターン及びビアランドを形成するための凹状パターンである。
図２（２）に示すのは銅配線パターン及び中心部に穴を有するビアランドを形成するための凹状パターンである。
【００１９】
次に、スパッタリング法で凹状パターンを形成したステンレス板の表面に絶縁層を形成する（（図１（３）、図２（３）））。
絶縁層の厚みは０．０１〜５μｍで、好ましいのは１μｍである。
０．０１μｍ以下であると、層の形成が困難という問題点が発生する。
【００２０】
絶縁層としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等が使用できる。
この絶縁層の役割は後に行われるめっきの時に凹状パターン以外の部分にめっき被膜を形成させないためである。
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3以外であっても、後に行われるめっきの時に凹状パターン以外の部分にめっき被膜を形成させないものであれば他の材料も可能である。
【００２１】
次に、エッチングでステンレス板の表面の凹状パターン内の絶縁層を除去するためのレジストマスクパターンを形成する（図１（４）、図２（４））。
【００２２】
次に、エッチングでステンレス板の表面の凹状パターン内の絶縁層を除去してから、剥離液でフォトレジストパターンを剥離することにより、銅配線パターン及びビアランド転写用のステンレス転写板を作製することができる（図１（５）、図２（５））。
エッチング液は、金属材料に応じて適宜選択可能である。
また、フォトレジストも金属材料に応じて適宜選択可能であり、エッチング条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可能であり、剥離液や剥離条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可能である。
【００２３】
図１（５）に示すのは銅配線パターン及びビアランドを転写するためのステンレス転写板（第一種転写板）である。
図２（５）に示すのは銅配線パターン及び中心部に穴を有するビアランドを転写するためのステンレス転写板（第二種転写板）である。
【００２４】
次に、第一種転写板を用い、電解銅めっきを行う。
この時、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われているため、めっき被膜が凹状パターンにしか形成できないことになる。
めっき被膜が１〜１０μｍの高さでオーバーに形成される（図３（１））。
好ましいのは５μｍである。
この目的は後の転写工程でめっき被膜と絶縁基板との密着性をよくするためである。
【００２５】
次に、前記凹状パターン内の銅めっき被膜のオーバー部分を粗化する（図３（２））。
その表面粗さＲｚは１μｍ以上である。
１μｍ未満であると、絶縁基板との密着力が弱いという問題点が発生するからである。
【００２６】
本発明における粗化用の薬液としては、三菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９００や、旭電化工業株式会社製テックＳＯ−Ｇなどがあるが好ましいが、これに限らない。
【００２７】
次に、凹状パターン内の銅めっき被膜を絶縁基板上に転写することによって、１層目の絶縁基板上で１層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図３（３））。
また、絶縁基板と接触する銅めっき被膜部分が粗化されたため、絶縁基板との接着力が増強され、ピール強度を向上することができる。
【００２８】
本発明における絶縁基板としては、他の材料でも良いが、ポリイミド、液晶ポリマ等が好ましい。
【００２９】
次に、１層目の銅配線パターンとビアランドの表面を必要に応じて粗化してから、１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目の絶縁基板上に２層目の絶縁基板を接着剤を介して、張り付ける（図３（４））。
粗化工程は、００２５、００２６と同様である。
接着剤は、絶縁基板どうし、絶縁基板と銅との接着性等を考慮して適宜選択可能である。
【００３０】
前記００２４〜００２７と同様の方法で２層目の絶縁基板上に２層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図３（５））。
【００３１】
次に、レーザで２層目のビアランドとその直下の絶縁層を貫通させ、ビアを形成するための穴を形成する（図４（６））。
レーザは、ビアを形成するための穴を形成できるものであれば各種波長、出力のものを用いる事が可能である。
【００３２】
次に、ビアめっき用のフォトレジストマスクパターンを形成する（図４（７））。
その目的は後のビアめっきを行う時に他の銅配線パターンにめっき被膜を形成させないようにするためである。
従って、このマスクパターンは２層目のビアランドの穴部分しか開いていない。
また、フォトレジストも絶縁基板に応じて適宜選択可能であり、露光現像条件もフォトレジストに応じて適宜選択可能である。
【００３３】
次に、銅めっきでビアを形成し、１層目と２層目の銅配線パターンをビアを通してつなげることができる（図４（８））。
【００３４】
最後に、剥離液でビアめっき用のフォトレジストマスクパターンを剥離することによって、２層のプリント配線板を形成することができる（図４（９））。
また、剥離液も、フォトレジストや絶縁基板に応じて適宜選択可能であり、剥離条件もフォトレジストに応じて適宜選択可能である。
【００３５】
このように繰り返していけば、多層プリント配線板を形成することができる。
【００３６】
また、以下の工程で多層プリント配線板を形成することもできる。
【００３７】
まず、前記００２４〜００２７の方法で１層目の絶縁基板上に１層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図３（３））。
【００３８】
次に、１層目の銅配線パターンとビアランドの表面を粗化してから、１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目の絶縁基板上に２層目の絶縁基板を接着剤を介して、張り付ける。
この２層目の絶縁基板は予めパターニングされ、ビアを形成するための穴が開いている（図５（１））。
【００３９】
次に、第二種のステンレス転写板を用い、前記００２４〜００２７の方法で２層目の絶縁基板上に２層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図５（２））。
【００４０】
次に、００３２〜００３５の方法で多層プリント配線板を形成することができる。
【００４１】
この方法は形成された２層目の絶縁基板とビアランドの中心部に予めビアめっき用のパターンを形成したので、レーザで穴開けとその後の処理工程を省くことができる特徴がある。
【００４２】
【実施例】
（実施例１）
まず、厚さ１ｍｍのステンレス板１の表面にエッチングにより銅配線パターンとビアランドを形成するための凹状パターンを形成するためのフォトレジストマスクパターン２（フォトレジスト東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成した（図１（１）、図２（１））参照）。
【００４３】
次に、ＦｅＣｌ3を用いて、エッチングでステンレス板の表面に深さ１５μｍの凹状パターン３、４、５を形成してから、剥離液（東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でフォトレジストパターンを剥離した（図１（２）、図２（２）参照）。
３、４、５はそれぞれ銅配線パターン、ビアランドと中心部に穴が開いたビアランドを形成する用の凹状パターンである。
【００４４】
次に、スパッタリング法でステンレス板１の表面に厚み１μｍのＳｉＯ2絶縁層６を形成した（図１（３）、図２（３）参照）。
【００４５】
次に、ステンレス板１の表面の凹状パターン内のＳｉＯ2絶縁層を除去するために、ＳｉＯ2絶縁層の上にフォトレジストパターン７（フォトレジスト東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成した（図１（４）、図２（４）参照）。
【００４６】
次に、ふっ酸を用いて、エッチングでステンレス板の表面の凹状パターン内のＳｉＯ2絶縁層を除去してから、剥離液（東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でフォトレジストパターンを剥離することによって、第一種転写板８（図１（５）参照）と第二種転写板９（図２（５）参照）を作製することができる。
【００４７】
（実施例２）
第一種転写板を用い、電解銅めっきを行うことにより、凹状パターン内に高さ２μｍをオーバーする銅配線パターン１０、１１を形成した（図３（１）参照）。
【００４８】
次に、三菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９００で前記めっき被膜１０、１１の露出面を粗化した（図３（２）参照）。
表面粗さＲｚは１μｍ以上であった。
【００４９】
次に、前記露出面が粗化されためっき被膜をポリイミド基板１３上に転写することによって、１層目のポリイミド基板１３上で１層目の銅配線パターンとビアランド１２を形成した（図３（３）参照）。
【００５０】
次に、三菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９００で銅配線パターンとビアランドの表面を粗化（表面粗さＲｚは１μｍ以上）してから、１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目のポリイミド基板上に２層目のポリイミド基板１４を接着剤１４’（エポキシ系接着剤：日立化成株式会社製：製品名ＡＳ２７００厚さ２５μｍ）を介して、張り付けた（図３（４）参照）。
【００５１】
次に、００４７〜００４９の方法で２層目のポリイミド基板１４の表面に２層目の銅配線パターンとビアランド１５を形成した（図３（５）参照）。
【００５２】
次に、レーザでビアを形成するための穴１６を形成した（図４（６）参照）。
【００５３】
次に、ビアめっき用のフォトレジストマスクパターン１７（フォトレジスト東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成した（図４（７）参照）。
【００５４】
次に、銅めっきでビア１８を厚さ２５μｍ形成した（図４（８）参照）。
【００５５】
最後に、剥離液（東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でビアめっき用のフォトレジストマスクパターン１７を剥離することによって、２層のプリント配線板を形成した（図４（９）参照）。
【００５６】
このように繰り返していけば、多層プリント配線板を形成することができる。
【００５７】
（実施例３）
００４７〜００４９の工程は実施例１と同じである。
【００５８】
次に、予めビアの位置にレーザ（実施例２のレーザと同一）で穴２０を形成した２層目のポリイミド基板を接着剤（実施例２の接着剤と同一）を介して、１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目のポリイミド基板上に張り付けた（図５（１）参照）。
【００５９】
次に、第二種転写板を用い、前記００４７〜００４９の方法で２層目の絶縁基板上に２層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図５（２）参照）。
その時ビアランドの真ん中に穴２１が形成されているため、レーザで穴を開ける必要がなくなる。
【００６０】
次に、００５３〜００５６の工程で、多層プリント配線板を形成することができる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、銅配線パターンがまず金属転写板の表面の凹状パターン内で形成してからポリイミド基板に転写するので、高さのばらつきが少なく、また線間の絶縁性も優れている微細な銅配線パターンを有する多層プリント基板を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のステンレス転写板の製造工程を示す断面図である。
【図２】図１とは別な本発明のステンレス転写板の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の多層プリント配線板の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の多層プリント配線板の製造工程の続きを示す断面図である。
【図５】図４、図５とは別な本発明の多層プリント配線板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ステンレス板
２ ステンレス表面に凹状パターンを形成するためのレジストマスクパターン
３ 銅配線パターンを形成するための凹状パターン
４ ビアランドを形成するための凹状パターン
５ 中心部に穴を有するビアランドを形成するための凹状パターン
６ 絶縁層
７ 凹状パターン内の絶縁層を除去するためのレジストマスクパターン
８ 第一種転写板
９ 第二種転写板（ビアランドの中心部に穴を有する）
１０ めっき被膜（銅配線パターン）
１１ めっき被膜（ビアランド）
１２ １層目の銅配線パターン及びビアランド
１３ １層目の絶縁基板
１４ ２層目の絶縁基板
１４’接着剤
１５ ２層目の銅配線パターン及びビアランド
１６ レーザで形成したビアめっき用の穴
１７ ビアめっき用のレジストマスクパターン
１８ ビア
１９ ２層プリント配線板
２０ ２層目のポリイミド基板上に形成された穴パターン
２１ ビアめっき用の穴
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基板上に転写法により多層プリント配線板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、エレクトロニクス分野の発展は著しく、電子機器の小型化、高密度実装化及び高性能化（高速化）に伴い、配線板自体の高密度化、即ち導体パターンの微細化、高信頼化が求められている。
【０００３】
絶縁基板上に銅配線パターンを形成するには、サブトラクティブ法が一般に使用されている。
しかし、銅配線パターンが微細化になるとサブトラクティブ法は対応できなくなる問題があった。
【０００４】
微細な銅配線パターンを形成する有効な手段としては、セミアディティブ法が用いられる。
先ず絶縁性基板上に電気めっき導通用の薄い下地銅層を形成し、次いで前記下地銅層の表面にめっき用のフォトレジストマスクパターンを形成する。
次に電解めっき法でマスクパターンの露出した部分に銅めっき被膜を形成し、マスクパターンを剥離する。
最後に、ソフトエッチングで下地銅層の不要となった部分を除去することによって銅配線パターンを形成する。
しかし、銅配線パターンが微細化になってくると最後の下地銅層を除去するためのソフトエッチング工程では銅配線パターンが更に細くなるため、断線したり、剥がれたりすることが発生してしまい、また銅配線パターンの間の幅が狭くなると不要となった下地銅層を完全に除去するには困難になり、そのため銅配線パターン間の絶縁信頼性が低下するなどの問題があった。
【０００５】
更に、セミアディティブ法で銅配線パターンを形成する時にソフトエッチング時に銅配線パターンへのダメージを軽減するために、下地銅層を薄くする必要がある。
しかし下地銅層が薄くなると、下地銅層の厚みのばらつきが生じると同時に抵抗が高くなるので、銅配線パターンのばらつきが大きくなる問題もあった。
【０００６】
また、別の方法として、無電解めっき法を含む工程で微細な銅配線パターンを形成することができる。
先ず、粗化したポリイミド表面に無電解銅めっき用の触媒を付与した後にめっき用のマスクパターンを形成してから、無電解めっきでマスクパターンの露出した部分に銅めっき被膜を形成する。
又は先ず無電解めっきでマスクパターンの露出した部分に１〜５ミクロンの被膜を形成してから更に電解めっきを施して、銅めっき被膜を形成する。
最後にめっき用のマスクパターンを剥離して、銅配線パターンを形成することができる。
しかしこの方法を用いると最も問題になるのは銅配線パターン間のポリイミド表面に残っている触媒である。
現在多く使用されている触媒としてはＰｄ−Ｓｎコロイドが上げられる。
しかし、パラジウムの耐食性が強く、通常のエッチング処理ではポリイミド表面に付着したパラジウムを除去することは困難であり、結局残留のパラジウムは銅配線パターン間の絶縁性を悪くしてしまう問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の解決しようとする課題は、サブトラクティブ法で微細な銅配線パターンを形成しにくいことと、セミアディティブ法で微細な銅配線パターンを形成することができるが、最後のソフトエッチング工程では銅配線パターンに強いダメージを与え、しかも銅配線パターン間の不要となった下地銅層を完全に除去できず、線間絶縁信頼性が低かった。
これらの問題を解決することによって、微細且つ絶縁信頼性の高い銅配線パターンを有する多層プリント配線板を提供することができる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
まず、金属板上にフォトレジストマスクパターン形成する凹状パターン用レジスト形成工程と、金属板の表面にエッチングで銅配線パターンを形成するための凹状パターンを形成する凹状パターン形成工程と、フォトレジストマスクパターンを剥離する凹状パターン用レジスト剥離工程と、金属板の表面に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、金属板の表面の凹状パターン表面の絶縁層を除去するためのフォトレジストマスクパターンを形成する絶縁層用レジスト形成工程と、エッチングで金属板の表面の凹状パターン表面の絶縁層を除去する絶縁層除去工程と、フォトレジストマスクパターンを剥離する絶縁層用レジスト剥離工程とによりなる、金属板の表面に銅配線パターン及びビアランドめっき用凹状パターンを形成することを特徴とする金属転写板の製造方法を提供するものである。
【０００９】
請求項１として、絶縁基板上に転写法により銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリント配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビアランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パターンとビアランドを形成された絶縁基板上に２層目の絶縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パターンとビアランドを形成する第２の転写工程と、レーザでビアを形成するための穴を形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを形成するレジスト形成工程と、めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１０】
請求項２として、絶縁基板上に転写法により銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリント配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビアランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パターンとビアランドを形成された絶縁基板上にビアランドの直上に穴を有する２層目の絶縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パターンと中心部に穴を有するビアランドを形成する第２の転写工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを形成するレジスト形成工程と、めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１１】
請求項３としては、前記絶縁基板がポリイミド、液晶ポリマから選ばれたものであることを特徴とするプリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１２】
請求項４としては、前記絶縁層がＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３から選ばれたものであることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１３】
請求項５として、前記絶縁層の厚みは０．０１μｍ以上であることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１４】
請求項６としては、前記めっき法で金属表面の凹状パターンの中に形成するめっき被膜の露出面に対して粗化処理をし、その表面粗さＲｚは１μｍ以上であることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法を提供するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図１〜５を使い製造工程に従って詳細に説明を行う。
なお、銅配線パターン及びビアランドを形成するための凹状パターンを形成する場合（図１）、および銅配線パターン及び中心部に穴を有するビアランドを形成するための凹状パターンを形成する場合（図２）を併せて説明する。
【００１６】
本発明は、まず、金属板であるステンレス板の表面にエッチングにより銅配線パターンとビアランドを形成するための凹状パターンを形成するためのフォトレジストマスクパターンを形成する（図１（１）、図２（１））。
金属板は、転写の容易性、価格等の関係上ステンレスを用いたが、他の金属材料をもちいるものであっても構わない。
【００１７】
次に、ＦｅＣｌ3をエッチング液として用い、エッチングでステンレス板の表面に凹状パターンを形成してから、剥離液でフォトレジストパターンを剥離した（図１（２）、図２（２））。
エッチング液は、金属材料に応じて適宜選択可能である。
また、フォトレジストも金属材料に応じて適宜選択可能であり、エッチング条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可能であり、剥離液や剥離条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可能である。
凹状パターンの深さは０．１〜１００μｍで、好ましいのは１５μｍである。
また、凹状パターンの幅は０．１〜５０μｍである。
【００１８】
図１（２）に示すのは銅配線パターン及びビアランドを形成するための凹状パターンである。
図２（２）に示すのは銅配線パターン及び中心部に穴を有するビアランドを形成するための凹状パターンである。
【００１９】
次に、スパッタリング法で凹状パターンを形成したステンレス板の表面に絶縁層を形成する（（図１（３）、図２（３）））。
絶縁層の厚みは０．０１〜５μｍで、好ましいのは１μｍである。
０．０１μｍ以下であると、層の形成が困難という問題点が発生する。
【００２０】
絶縁層としては、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3等が使用できる。
この絶縁層の役割は後に行われるめっきの時に凹状パターン以外の部分にめっき被膜を形成させないためである。
ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3以外であっても、後に行われるめっきの時に凹状パターン以外の部分にめっき被膜を形成させないものであれば他の材料も可能である。
【００２１】
次に、エッチングでステンレス板の表面の凹状パターン内の絶縁層を除去するためのレジストマスクパターンを形成する（図１（４）、図２（４））。
【００２２】
次に、エッチングでステンレス板の表面の凹状パターン内の絶縁層を除去してから、剥離液でフォトレジストパターンを剥離することにより、銅配線パターン及びビアランド転写用のステンレス転写板を作製することができる（図１（５）、図２（５））。
エッチング液は、金属材料に応じて適宜選択可能である。
また、フォトレジストも金属材料に応じて適宜選択可能であり、エッチング条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可能であり、剥離液や剥離条件もフォトレジストと金属材料に応じて適宜選択可能である。
【００２３】
図１（５）に示すのは銅配線パターン及びビアランドを転写するためのステンレス転写板（第一種転写板）である。
図２（５）に示すのは銅配線パターン及び中心部に穴を有するビアランドを転写するためのステンレス転写板（第二種転写板）である。
【００２４】
次に、第一種転写板を用い、電解銅めっきを行う。
この時、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われているため、めっき被膜が凹状パターンにしか形成できないことになる。
めっき被膜が１〜１０μｍの高さでオーバーに形成される（図３（１））。
好ましいのは５μｍである。
この目的は後の転写工程でめっき被膜と絶縁基板との密着性をよくするためである。
【００２５】
次に、前記凹状パターン内の銅めっき被膜のオーバー部分を粗化する（図３（２））。
その表面粗さＲｚは１μｍ以上である。
１μｍ未満であると、絶縁基板との密着力が弱いという問題点が発生するからである。
【００２６】
本発明における粗化用の薬液としては、三菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９００や、旭電化工業株式会社製テックＳＯ−Ｇなどがあるが好ましいが、これに限らない。
【００２７】
次に、凹状パターン内の銅めっき被膜を絶縁基板上に転写することによって、１層目の絶縁基板上で１層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図３（３））。
また、絶縁基板と接触する銅めっき被膜部分が粗化されたため、絶縁基板との接着力が増強され、ピール強度を向上することができる。
【００２８】
本発明における絶縁基板としては、他の材料でも良いが、ポリイミド、液晶ポリマ等が好ましい。
【００２９】
次に、１層目の銅配線パターンとビアランドの表面を必要に応じて粗化してから、１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目の絶縁基板上に２層目の絶縁基板を接着剤を介して、張り付ける（図３（４））。
粗化工程は、００２５、００２６と同様である。
接着剤は、絶縁基板どうし、絶縁基板と銅との接着性等を考慮して適宜選択可能である。
【００３０】
前記００２４〜００２７と同様の方法で２層目の絶縁基板上に２層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図３（５））。
【００３１】
次に、レーザで２層目のビアランドとその直下の絶縁層を貫通させ、ビアを形成するための穴を形成する（図４（６））。
レーザは、ビアを形成するための穴を形成できるものであれば各種波長、出力のものを用いる事が可能である。
【００３２】
次に、ビアめっき用のフォトレジストマスクパターンを形成する（図４（７））。
その目的は後のビアめっきを行う時に他の銅配線パターンにめっき被膜を形成させないようにするためである。
従って、このマスクパターンは２層目のビアランドの穴部分しか開いていない。
また、フォトレジストも絶縁基板に応じて適宜選択可能であり、露光現像条件もフォトレジストに応じて適宜選択可能である。
【００３３】
次に、銅めっきでビアを形成し、１層目と２層目の銅配線パターンをビアを通してつなげることができる（図４（８））。
【００３４】
最後に、剥離液でビアめっき用のフォトレジストマスクパターンを剥離することによって、２層のプリント配線板を形成することができる（図４（９））。
また、剥離液も、フォトレジストや絶縁基板に応じて適宜選択可能であり、剥離条件もフォトレジストに応じて適宜選択可能である。
【００３５】
このように繰り返していけば、多層プリント配線板を形成することができる。
【００３６】
また、以下の工程で多層プリント配線板を形成することもできる。
【００３７】
まず、前記００２４〜００２７の方法で１層目の絶縁基板上に１層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図３（３））。
【００３８】
次に、１層目の銅配線パターンとビアランドの表面を粗化してから、１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目の絶縁基板上に２層目の絶縁基板を接着剤を介して、張り付ける。
この２層目の絶縁基板は予めパターニングされ、ビアを形成するための穴が開いている（図５（１））。
【００３９】
次に、第二種のステンレス転写板を用い、前記００２４〜００２７の方法で２層目の絶縁基板上に２層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図５（２））。
【００４０】
次に、００３２〜００３５の方法で多層プリント配線板を形成することができる。
【００４１】
この方法は形成された２層目の絶縁基板とビアランドの中心部に予めビアめっき用のパターンを形成したので、レーザで穴開けとその後の処理工程を省くことができる特徴がある。
【００４２】
【実施例】
（実施例１）
まず、厚さ１ｍｍのステンレス板１の表面にエッチングにより銅配線パターンとビアランドを形成するための凹状パターンを形成するためのフォトレジストマスクパターン２（フォトレジスト東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成した（図１（１）、図２（１））参照）。
【００４３】
次に、ＦｅＣｌ3を用いて、エッチングでステンレス板の表面に深さ１５μｍの凹状パターン３、４、５を形成してから、剥離液（東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でフォトレジストパターンを剥離した（図１（２）、図２（２）参照）。
３、４、５はそれぞれ銅配線パターン、ビアランドと中心部に穴が開いたビアランドを形成する用の凹状パターンである。
【００４４】
次に、スパッタリング法でステンレス板１の表面に厚み１μｍのＳｉＯ2絶縁層６を形成した（図１（３）、図２（３）参照）。
【００４５】
次に、ステンレス板１の表面の凹状パターン内のＳｉＯ2絶縁層を除去するために、ＳｉＯ2絶縁層の上にフォトレジストパターン７（フォトレジスト東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成した（図１（４）、図２（４）参照）。
【００４６】
次に、ふっ酸を用いて、エッチングでステンレス板の表面の凹状パターン内のＳｉＯ2絶縁層を除去してから、剥離液（東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でフォトレジストパターンを剥離することによって、第一種転写板８（図１（５）参照）と第二種転写板９（図２（５）参照）を作製することができる。
【００４７】
（実施例２）
第一種転写板を用い、電解銅めっきを行うことにより、凹状パターン内に高さ２μｍをオーバーする銅配線パターン１０、１１を形成した（図３（１）参照）。
【００４８】
次に、三菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９００で前記めっき被膜１０、１１の露出面を粗化した（図３（２）参照）。
表面粗さＲｚは１μｍ以上であった。
【００４９】
次に、前記露出面が粗化されためっき被膜をポリイミド基板１３上に転写することによって、１層目のポリイミド基板１３上で１層目の銅配線パターンとビアランド１２を形成した（図３（３）参照）。
【００５０】
次に、三菱ガス化学株式会社製ＣＰＥ−９００で銅配線パターンとビアランドの表面を粗化（表面粗さＲｚは１μｍ以上）してから、１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目のポリイミド基板上に２層目のポリイミド基板１４を接着剤１４’（エポキシ系接着剤：日立化成株式会社製：製品名ＡＳ２７００厚さ２５μｍ）を介して、張り付けた（図３（４）参照）。
【００５１】
次に、００４７〜００４９の方法で２層目のポリイミド基板１４の表面に２層目の銅配線パターンとビアランド１５を形成した（図３（５）参照）。
【００５２】
次に、レーザでビアを形成するための穴１６を形成した（図４（６）参照）。
【００５３】
次に、ビアめっき用のフォトレジストマスクパターン１７（フォトレジスト東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ Ｐ−６０００）を形成した（図４（７）参照）。
【００５４】
次に、銅めっきでビア１８を厚さ２５μｍ形成した（図４（８）参照）。
【００５５】
最後に、剥離液（東京応化株式会社製：製品名ＰＭＥＲ剥離液ＰＳ）でビアめっき用のフォトレジストマスクパターン１７を剥離することによって、２層のプリント配線板を形成した（図４（９）参照）。
【００５６】
このように繰り返していけば、多層プリント配線板を形成することができる。
【００５７】
（実施例３）
００４７〜００４９の工程は実施例１と同じである。
【００５８】
次に、予めビアの位置にレーザ（実施例２のレーザと同一）で穴２０を形成した２層目のポリイミド基板を接着剤（実施例２の接着剤と同一）を介して、１層目の銅配線パターンとビアランドを形成した１層目のポリイミド基板上に張り付けた（図５（１）参照）。
【００５９】
次に、第二種転写板を用い、前記００４７〜００４９の方法で２層目の絶縁基板上に２層目の銅配線パターンとビアランドを形成することができる（図５（２）参照）。
その時ビアランドの真ん中に穴２１が形成されているため、レーザで穴を開ける必要がなくなる。
【００６０】
次に、００５３〜００５６の工程で、多層プリント配線板を形成することができる。
【００６１】
【発明の効果】
本発明によれば、銅配線パターンがまず金属転写板の表面の凹状パターン内で形成してからポリイミド基板に転写するので、高さのばらつきが少なく、また線間の絶縁性も優れている微細な銅配線パターンを有する多層プリント基板を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のステンレス転写板の製造工程を示す断面図である。
【図２】図１とは別な本発明のステンレス転写板の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の多層プリント配線板の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の多層プリント配線板の製造工程の続きを示す断面図である。
【図５】図４、図５とは別な本発明の多層プリント配線板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１ ステンレス板
２ ステンレス表面に凹状パターンを形成するためのレジストマスクパターン
３ 銅配線パターンを形成するための凹状パターン
４ ビアランドを形成するための凹状パターン
５ 中心部に穴を有するビアランドを形成するための凹状パターン
６ 絶縁層
７ 凹状パターン内の絶縁層を除去するためのレジストマスクパターン
８ 第一種転写板
９ 第二種転写板（ビアランドの中心部に穴を有する）
１０ めっき被膜（銅配線パターン）
１１ めっき被膜（ビアランド）
１２ １層目の銅配線パターン及びビアランド
１３ １層目の絶縁基板
１４ ２層目の絶縁基板
１４’接着剤
１５ ２層目の銅配線パターン及びビアランド
１６ レーザで形成したビアめっき用の穴
１７ ビアめっき用のレジストマスクパターン
１８ ビア
１９ ２層プリント配線板
２０ ２層目のポリイミド基板上に形成された穴パターン
２１ ビアめっき用の穴
Claims (7)
- 絶縁基板上に転写法により銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリント配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビアランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パターンとビアランドを形成された絶縁基板上に２層目の絶縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パターンとビアランドを形成する第２の転写工程と、レーザでビアを形成するための穴を形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを形成するレジスト形成工程と、めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
- 絶縁基板上に転写法により銅配線パターン及びビアランドを形成する多層プリント配線板の製造方法において、凹状パターン以外の部分が絶縁層に覆われている転写板の凹状パターンの中にめっき被膜を形成するめっき工程と、前記めっき被膜の露出面を粗化する粗化工程と、絶縁基板上に転写する転写工程とによって構成される所要の銅配線パターンとビアランドを形成するパターン形成工程と、前記銅配線パターンとビアランドを形成された絶縁基板上にビアランドの直上に穴を有する２層目の絶縁基板を接着剤を介して張り付ける張付工程と、前記２層目の絶縁基板上に前記転写法で銅配線パターンと中心部に穴を有するビアランドを形成する第２の転写工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを形成するレジスト形成工程と、めっきでビアを形成するビア形成工程と、ビアめっき用フォトレジストマスクパターンを剥離するレジスト剥離工程を、所要回数繰り返すことを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
- 前記絶縁基板がポリイミド、液晶ポリマから選ばれたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 前記絶縁層がＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３から選ばれたものであることを特徴とする請求項１〜３何れかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 前記絶縁層の厚みは０．０１μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４何れかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 前記めっき法で金属表面の凹状パターンの中に形成するめっき被膜の露出面に対して粗化処理し、その表面粗さＲｚは１μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜５何れかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
- 前記めっき法で金属表面の凹状パターンの中に形成するめっき被膜は、当該凹状パターンの高さをオーバーして形成することを特徴とする請求項２〜６何れかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
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