JPH10308533A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置Info
- Publication number
- JPH10308533A JPH10308533A JP11911497A JP11911497A JPH10308533A JP H10308533 A JPH10308533 A JP H10308533A JP 11911497 A JP11911497 A JP 11911497A JP 11911497 A JP11911497 A JP 11911497A JP H10308533 A JPH10308533 A JP H10308533A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light
- compound semiconductor
- based compound
- gallium nitride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 65
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 72
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 38
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 58
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 27
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 23
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 6
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 claims description 2
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体層側から光を取り出すことを可能と
し、サファイア基板を下面としてマウントしても十分な
発光強度が得られるばかりでなく、製造歩留まりおよび
信頼性も向上された窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子及びその製造方法ならびに発光装置を提供することを
目的とする。 【解決手段】 基板上に堆積した窒化ガリウム系化合物
半導体層の最上面に酸素と金属元素とを含む透光性電極
を形成し、この電極を透過させて発光を取り出すように
する。この透光性電極に水素を含有させるとさらに光透
過率を向上させることができる。また、透光性電極の下
にドーパントの層を設け、熱処理を施すことにより、接
触抵抗を低減することができる。
し、サファイア基板を下面としてマウントしても十分な
発光強度が得られるばかりでなく、製造歩留まりおよび
信頼性も向上された窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子及びその製造方法ならびに発光装置を提供することを
目的とする。 【解決手段】 基板上に堆積した窒化ガリウム系化合物
半導体層の最上面に酸素と金属元素とを含む透光性電極
を形成し、この電極を透過させて発光を取り出すように
する。この透光性電極に水素を含有させるとさらに光透
過率を向上させることができる。また、透光性電極の下
にドーパントの層を設け、熱処理を施すことにより、接
触抵抗を低減することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化ガリウム系化
合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装
置に関する。より詳しくは、本発明は、基板上にＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮなどの窒化ガリウム系化合
物半導体層が積層された発光素子において、積層された
半導体層の表面から光を取り出すように透光性の電極を
有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその
製造方法ならびに発光装置に関する。
合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装
置に関する。より詳しくは、本発明は、基板上にＧａ
Ｎ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮなどの窒化ガリウム系化合
物半導体層が積層された発光素子において、積層された
半導体層の表面から光を取り出すように透光性の電極を
有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその
製造方法ならびに発光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＧａＡｌＮ
など窒化ガリウム系化合物半導体が、青色あるいは緑色
の波長領域で発光する発光ダイオード（ＬＥＤ）として
注目されている。このような窒化ガリウム系化合物半導
体を用いることによって、これまで困難とされていた青
色または緑色領域での高い強度の発光が可能となってき
た。これらの窒化ガリウム系化合物半導体は、一般にサ
ファイア基板上に結晶成長される。
など窒化ガリウム系化合物半導体が、青色あるいは緑色
の波長領域で発光する発光ダイオード（ＬＥＤ）として
注目されている。このような窒化ガリウム系化合物半導
体を用いることによって、これまで困難とされていた青
色または緑色領域での高い強度の発光が可能となってき
た。これらの窒化ガリウム系化合物半導体は、一般にサ
ファイア基板上に結晶成長される。
【０００３】しかし、サファイアは電気的に絶縁性を有
するために、窒化ガリウム系半導体発光素子では、ガリ
ウム砒素などの導電性の基板を用いた発光素子の場合と
異なり、基板裏面に電極を設けることができない。この
ために、結晶成長した半導体層側にアノードとカソード
の両方の電極を形成することが必要とされている。ま
た、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、サファ
イア基板が発光波長に対して透光性を有するために、電
極面を下側にして素子をマウントし、サファイア基板側
から光を取り出すことが多かった。なお、本明細書にお
いて「窒化ガリウム系化合物半導体」とは、Ｇａｘ Ａ
ｌｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｎ（０＜ｘ，ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦
１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範
囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとす
る。例えば、ＧａＮ（ｘ＝１、ｙ＝０）も「Ｇａｘ Ａ
ｌｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｎ」に含まれるものとする。
するために、窒化ガリウム系半導体発光素子では、ガリ
ウム砒素などの導電性の基板を用いた発光素子の場合と
異なり、基板裏面に電極を設けることができない。この
ために、結晶成長した半導体層側にアノードとカソード
の両方の電極を形成することが必要とされている。ま
た、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子では、サファ
イア基板が発光波長に対して透光性を有するために、電
極面を下側にして素子をマウントし、サファイア基板側
から光を取り出すことが多かった。なお、本明細書にお
いて「窒化ガリウム系化合物半導体」とは、Ｇａｘ Ａ
ｌｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｎ（０＜ｘ，ｙ≦１，ｘ＋ｙ≦
１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範
囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとす
る。例えば、ＧａＮ（ｘ＝１、ｙ＝０）も「Ｇａｘ Ａ
ｌｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｎ」に含まれるものとする。
【０００４】図８は、従来の窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子を用いた発光装置の概略構成を表す断面図で
ある。まず、発光素子１１０について説明すると、発光
素子１１０は同図において最上部に表されているサファ
イア基板１１２の上にＧａＮバッファ層１１４、ｎ型Ｇ
ａＮ層１１６、およびｐ型ＧａＮ層１１８がこの順序で
積層された構成を有する。ｐ型ＧａＮ層１１８の上に
は、ｐ側電極１２０が堆積されている。また、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１１８の一部はエッチング除去されて、ｎ型ＧａＮ
層１１６が露出され、その表面にｎ側電極１２２が堆積
されている。ｎ側電極１２２の上には、さらにオーバー
コート電極１２４が積層されている。
体発光素子を用いた発光装置の概略構成を表す断面図で
ある。まず、発光素子１１０について説明すると、発光
素子１１０は同図において最上部に表されているサファ
イア基板１１２の上にＧａＮバッファ層１１４、ｎ型Ｇ
ａＮ層１１６、およびｐ型ＧａＮ層１１８がこの順序で
積層された構成を有する。ｐ型ＧａＮ層１１８の上に
は、ｐ側電極１２０が堆積されている。また、ｐ型Ｇａ
Ｎ層１１８の一部はエッチング除去されて、ｎ型ＧａＮ
層１１６が露出され、その表面にｎ側電極１２２が堆積
されている。ｎ側電極１２２の上には、さらにオーバー
コート電極１２４が積層されている。
【０００５】このような発光素子１１０は、リードフレ
ーム１３０の実装面上に、各電極１２０、１２４を下に
向けて、銀ペーストなどの導電性接着材料１４０により
マウントされている。図８に示したような従来の発光素
子では、ｐ型ＧａＮ層１１８からｎ型ＧａＮ層１１６に
駆動電流が注入されて発光が生ずる。この発光のうち、
図中の上に向かう成分は、そのままサファイア基板１１
２を透過して取り出される。また、図中の下に向かう発
光成分は、ｐ側電極１２０により反射されて上方に向か
い、サファイア基板１１２を透過して取り出される。
ーム１３０の実装面上に、各電極１２０、１２４を下に
向けて、銀ペーストなどの導電性接着材料１４０により
マウントされている。図８に示したような従来の発光素
子では、ｐ型ＧａＮ層１１８からｎ型ＧａＮ層１１６に
駆動電流が注入されて発光が生ずる。この発光のうち、
図中の上に向かう成分は、そのままサファイア基板１１
２を透過して取り出される。また、図中の下に向かう発
光成分は、ｐ側電極１２０により反射されて上方に向か
い、サファイア基板１１２を透過して取り出される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図８に示した
ような従来の半導体発光素子では、導電性接着剤１４０
がはみ出して、リードフレーム１３０の対向する電極間
隙１３２や、発光素子１１０のｐｎ接合間隙１２８にま
で広がり易かった。この結果として、これらの電極間や
接合間でショートが発生し、マウント工程の歩留まりが
著しく低下すると共に、長期的信頼性においても問題を
生ずることがあった。
ような従来の半導体発光素子では、導電性接着剤１４０
がはみ出して、リードフレーム１３０の対向する電極間
隙１３２や、発光素子１１０のｐｎ接合間隙１２８にま
で広がり易かった。この結果として、これらの電極間や
接合間でショートが発生し、マウント工程の歩留まりが
著しく低下すると共に、長期的信頼性においても問題を
生ずることがあった。
【０００７】これらの問題を避けるためには、素子サイ
ズを大きくして、ｐｎ接合間隙１２８とリードフレーム
の電極間隙１３２を広くすれば良い。しかし、素子サイ
ズを大きくすると、ウェーハから得られる素子数が減少
するために、製造コストが上昇するという新たな問題を
生ずることとなる。
ズを大きくして、ｐｎ接合間隙１２８とリードフレーム
の電極間隙１３２を広くすれば良い。しかし、素子サイ
ズを大きくすると、ウェーハから得られる素子数が減少
するために、製造コストが上昇するという新たな問題を
生ずることとなる。
【０００８】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
である。すなわち、本発明は、半導体層の表面に透光性
およびオーミック性が良好な電極を形成することによ
り、半導体層側から光を取り出すことを可能とし、サフ
ァイア基板を下面としてマウントしても十分な発光強度
が得られるばかりでなく、製造歩留まりおよび信頼性も
向上された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそ
の製造方法ならびに発光装置を提供することを目的とす
るものである。
である。すなわち、本発明は、半導体層の表面に透光性
およびオーミック性が良好な電極を形成することによ
り、半導体層側から光を取り出すことを可能とし、サフ
ァイア基板を下面としてマウントしても十分な発光強度
が得られるばかりでなく、製造歩留まりおよび信頼性も
向上された窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びそ
の製造方法ならびに発光装置を提供することを目的とす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明による
半導体発光素子は、基板と、前記基板上に堆積された少
なくとも１層の第１導電型の窒化ガリウム系化合物半導
体の層と、前記第１導電型の窒化ガリウム系化合物半導
体の層の上に堆積された少なくとも１層の第２導電型の
窒化ガリウム系化合物半導体の層と、からなる積層構造
体と、前記第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の
層の表面上に形成された、酸素を含有してなる金属から
なる透光性電極と、を備え、前記積層構造体の内部で生
じた発光を前記透光性電極を透過させて取り出すように
したことを特徴とするものとして構成される。
半導体発光素子は、基板と、前記基板上に堆積された少
なくとも１層の第１導電型の窒化ガリウム系化合物半導
体の層と、前記第１導電型の窒化ガリウム系化合物半導
体の層の上に堆積された少なくとも１層の第２導電型の
窒化ガリウム系化合物半導体の層と、からなる積層構造
体と、前記第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の
層の表面上に形成された、酸素を含有してなる金属から
なる透光性電極と、を備え、前記積層構造体の内部で生
じた発光を前記透光性電極を透過させて取り出すように
したことを特徴とするものとして構成される。
【００１０】また、この透光性電極に、さらに水素を含
有させることによって、光透過率を向上させてより効率
的に光を取り出すことができる。
有させることによって、光透過率を向上させてより効率
的に光を取り出すことができる。
【００１１】また、この透光性電極に、前述の第２導電
型のドーパントをさらに含有させることにより、接触抵
抗を低減することができる。
型のドーパントをさらに含有させることにより、接触抵
抗を低減することができる。
【００１２】また、この透光性電極を構成する前記金属
は、ニッケル、チタン、白金、タングステン、パラジウ
ム、モリブデン、バナジウム、イリジウム、ロジウム、
コバルト、金、マグネシウム、及びアルミニウムからな
る群から選択された金属とすることにより光透過率の高
い良好な電極を形成することができる。 さらに、前記
基板はサファイアであり、前記第１導電型はｎ型であ
り、前記第２導電型はｐ型であり、前記ドーパントは、
マグネシウムであり、前記透光性電極を構成する前記金
属はニッケルとすることにより従来の材料や製造工程を
利用して高性能な発光素子を得ることができる。
は、ニッケル、チタン、白金、タングステン、パラジウ
ム、モリブデン、バナジウム、イリジウム、ロジウム、
コバルト、金、マグネシウム、及びアルミニウムからな
る群から選択された金属とすることにより光透過率の高
い良好な電極を形成することができる。 さらに、前記
基板はサファイアであり、前記第１導電型はｎ型であ
り、前記第２導電型はｐ型であり、前記ドーパントは、
マグネシウムであり、前記透光性電極を構成する前記金
属はニッケルとすることにより従来の材料や製造工程を
利用して高性能な発光素子を得ることができる。
【００１３】また、本発明による製造方法は、基板上
に、少なくとも１層の第１導電型の窒化ガリウム系化合
物半導体の層を成長し、前記第１導電型の窒化ガリウム
系化合物半導体の層の上に少なくとも１層の第２導電型
の窒化ガリウム系化合物半導体の層を成長する、結晶成
長工程と、前記第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導
体の層の表面上に、前記第２導電型のドーパントを含む
不純物層を堆積する、不純物堆積工程と、前記不純物層
の表面上に、酸素を含有してなる金属からなる透光性電
極を形成する、電極形成工程と、熱処理を施すことによ
り、前記不純物層から前記ドーパントを前記第２導電型
の窒化ガリウム系化合物半導体の層と前記透光性電極と
に拡散させて、接触抵抗を低減させる、熱処理工程と、
を備えたことを特徴とするものして構成される。
に、少なくとも１層の第１導電型の窒化ガリウム系化合
物半導体の層を成長し、前記第１導電型の窒化ガリウム
系化合物半導体の層の上に少なくとも１層の第２導電型
の窒化ガリウム系化合物半導体の層を成長する、結晶成
長工程と、前記第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導
体の層の表面上に、前記第２導電型のドーパントを含む
不純物層を堆積する、不純物堆積工程と、前記不純物層
の表面上に、酸素を含有してなる金属からなる透光性電
極を形成する、電極形成工程と、熱処理を施すことによ
り、前記不純物層から前記ドーパントを前記第２導電型
の窒化ガリウム系化合物半導体の層と前記透光性電極と
に拡散させて、接触抵抗を低減させる、熱処理工程と、
を備えたことを特徴とするものして構成される。
【００１４】ここで、熱処理工程において、前記第２導
電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層に含有されてい
る水素が放出され、前記放出された水素のうちの少なく
とも一部が前記透光性電極に含有されるようにすること
により、透光性電極の光透過率をさらに向上させること
ができる。
電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層に含有されてい
る水素が放出され、前記放出された水素のうちの少なく
とも一部が前記透光性電極に含有されるようにすること
により、透光性電極の光透過率をさらに向上させること
ができる。
【００１５】また、透光性電極を構成する前記金属は、
ニッケル、チタン、白金、タングステン、パラジウム、
モリブデン、バナジウム、イリジウム、ロジウム、コバ
ルト、金、マグネシウム、及びアルミニウムからなる群
から選択された金属とすることにより、光透過率の高い
良好な電極を形成することができる。
ニッケル、チタン、白金、タングステン、パラジウム、
モリブデン、バナジウム、イリジウム、ロジウム、コバ
ルト、金、マグネシウム、及びアルミニウムからなる群
から選択された金属とすることにより、光透過率の高い
良好な電極を形成することができる。
【００１６】さらに、前記基板はサファイアであり、前
記第１導電型はｎ型であり、前記第２導電型はｐ型であ
り、前記ドーパントは、マグネシウムであり、前記透光
性電極を構成する前記金属はニッケルであることを特徴
とするものして構成することにより、材料や製造装置を
大幅に変更することなく高性能な発光素子を製造するこ
とができる。
記第１導電型はｎ型であり、前記第２導電型はｐ型であ
り、前記ドーパントは、マグネシウムであり、前記透光
性電極を構成する前記金属はニッケルであることを特徴
とするものして構成することにより、材料や製造装置を
大幅に変更することなく高性能な発光素子を製造するこ
とができる。
【００１７】また、本発明による発光装置は、リード・
フレームと前述したいずれかの発光素子とを備え、リー
ド・フレームの実装部に前記基板を接着面としてマウン
トされて、前記発光素子の前記積層構造体の内部で生じ
た発光を前記透光性電極を透過させて取り出すようにし
たことを特徴とするものして構成され、簡易な製造工程
で高性能な発光装置を得ることができる。
フレームと前述したいずれかの発光素子とを備え、リー
ド・フレームの実装部に前記基板を接着面としてマウン
トされて、前記発光素子の前記積層構造体の内部で生じ
た発光を前記透光性電極を透過させて取り出すようにし
たことを特徴とするものして構成され、簡易な製造工程
で高性能な発光装置を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照しつつ、本発明
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の構成を表す概略断面
図である。すなわち、本発明による発光素子１０は、サ
ファイア基板１２上に、バッファ層１４、ｎ型層１６、
ｐ型層１８がこの順序に積層された積層体を有する。そ
して、ｐ型層１８の一部はエッチング除去され、露出さ
れたｎ型層１６の表面に、ｎ側電極２０およびオーバー
コート層２２が堆積されている。
の実施の形態について説明する。図１は、本発明の窒化
ガリウム系化合物半導体発光素子の構成を表す概略断面
図である。すなわち、本発明による発光素子１０は、サ
ファイア基板１２上に、バッファ層１４、ｎ型層１６、
ｐ型層１８がこの順序に積層された積層体を有する。そ
して、ｐ型層１８の一部はエッチング除去され、露出さ
れたｎ型層１６の表面に、ｎ側電極２０およびオーバー
コート層２２が堆積されている。
【００１９】ここで、本発明においては、ｐ型層１８の
表面に不純物層２４および透光性電極２６が形成されて
いる。図１に示した不純物層２４は、例えばマグネシウ
ムなどの不純物薄膜層を堆積後に、加熱処理を施すこと
により、マグネシウムなどの不純物をｐ型層１８と電極
層２６にそれぞれ拡散させる工程を経て得られるもので
ある。従って、製造工程中に堆積する不純物の膜厚やそ
の後の加熱処理の条件により、製造工程終了後の不純物
層２４の層厚や組成は種々に異なる。例えば、当初堆積
した不純物のすべてが、その後の熱処理によってｐ型層
１８と電極層２６とに完全に拡散混入した場合は、製造
工程終了後には不純物層２４は実質的には存在しない。
一方、当初堆積した不純物の一部が、その後の熱処理に
よってｐ型層１８と電極層２６とに拡散するが、残りの
一部が未拡散のまま残留するような場合は、製造工程後
にも不純物層２４が存在する。図１は、このように、不
純物層が残留する場合を例示したものである。
表面に不純物層２４および透光性電極２６が形成されて
いる。図１に示した不純物層２４は、例えばマグネシウ
ムなどの不純物薄膜層を堆積後に、加熱処理を施すこと
により、マグネシウムなどの不純物をｐ型層１８と電極
層２６にそれぞれ拡散させる工程を経て得られるもので
ある。従って、製造工程中に堆積する不純物の膜厚やそ
の後の加熱処理の条件により、製造工程終了後の不純物
層２４の層厚や組成は種々に異なる。例えば、当初堆積
した不純物のすべてが、その後の熱処理によってｐ型層
１８と電極層２６とに完全に拡散混入した場合は、製造
工程終了後には不純物層２４は実質的には存在しない。
一方、当初堆積した不純物の一部が、その後の熱処理に
よってｐ型層１８と電極層２６とに拡散するが、残りの
一部が未拡散のまま残留するような場合は、製造工程後
にも不純物層２４が存在する。図１は、このように、不
純物層が残留する場合を例示したものである。
【００２０】また、透光性電極２６は、例えば、酸素と
水素とを含有するニッケルにより構成され、さらに、前
述したマグネシウムも含有している。ｐ型層１８とｎ型
層１６の残りの表面部分の上には、それぞれ絶縁膜２８
が堆積されている。また、絶縁膜２８の上には透光性電
極２６と接続されたボンディング・パッド３０が形成さ
れている。
水素とを含有するニッケルにより構成され、さらに、前
述したマグネシウムも含有している。ｐ型層１８とｎ型
層１６の残りの表面部分の上には、それぞれ絶縁膜２８
が堆積されている。また、絶縁膜２８の上には透光性電
極２６と接続されたボンディング・パッド３０が形成さ
れている。
【００２１】このような発光素子の、まず、透光性電極
２６について説明する。図２は、ニッケルに酸素と水素
を含有させた場合の光透過率を示す特性図である。すな
わち、同図の横軸は光の波長を表し、縦軸は光の透過率
を表す。また、同図においては、ニッケル薄膜と、酸素
を含有したニッケル薄膜と、酸素および水素を含有した
ニッケル薄膜のそれぞれについて光透過率を示した。こ
こで、各薄膜の厚さは、ニッケル薄膜が１０ナノメータ
であり、酸素を含有したニッケル薄膜と、酸素および水
素を含有したニッケル薄膜はそれぞれ５０ナノメータで
ある。
２６について説明する。図２は、ニッケルに酸素と水素
を含有させた場合の光透過率を示す特性図である。すな
わち、同図の横軸は光の波長を表し、縦軸は光の透過率
を表す。また、同図においては、ニッケル薄膜と、酸素
を含有したニッケル薄膜と、酸素および水素を含有した
ニッケル薄膜のそれぞれについて光透過率を示した。こ
こで、各薄膜の厚さは、ニッケル薄膜が１０ナノメータ
であり、酸素を含有したニッケル薄膜と、酸素および水
素を含有したニッケル薄膜はそれぞれ５０ナノメータで
ある。
【００２２】図２から分かるように、ニッケルのみの場
合は光透過率が４０％以下であるが、酸素が導入される
と透過率が顕著に改善されて約８５％まで上昇する。す
なわち、酸素を導入したニッケル膜は、膜厚が５倍程度
も厚いにもかかわらず、光透過率がニッケル薄膜の２倍
以上に上昇する。さらに、水素が導入されると透過率は
改善されて約９０％となる。このように、ニッケルに酸
素と水素とを含有させることにより、窒化ガリウム系半
導体の発光波長領域において、光の透過率を９０％近く
まで上昇させることができる。その結果として、透光性
電極２６を透過させて十分な強度の発光を取り出すこと
が可能となる。
合は光透過率が４０％以下であるが、酸素が導入される
と透過率が顕著に改善されて約８５％まで上昇する。す
なわち、酸素を導入したニッケル膜は、膜厚が５倍程度
も厚いにもかかわらず、光透過率がニッケル薄膜の２倍
以上に上昇する。さらに、水素が導入されると透過率は
改善されて約９０％となる。このように、ニッケルに酸
素と水素とを含有させることにより、窒化ガリウム系半
導体の発光波長領域において、光の透過率を９０％近く
まで上昇させることができる。その結果として、透光性
電極２６を透過させて十分な強度の発光を取り出すこと
が可能となる。
【００２３】ここで、透光性電極２６の最適な酸素の含
有量は、金属元素の種類や電極の形成方法により異な
る。本発明者の実験によれば、一般的な傾向として、酸
素含有量が少なすぎると、透光性が十分でなく、一方、
酸素含有量が多すぎると、導電性が不足する傾向が見ら
れた。また、金属元素としてニッケルを用いた実験によ
れば、酸素含有雰囲気中でスパッタリングすることによ
り透光性電極を堆積する場合には、形成されるニッケル
酸化物中の酸素含有量が原子濃度で約７０％以下である
ような場合に、良好な透光性と導電性とが得られること
が分かった。
有量は、金属元素の種類や電極の形成方法により異な
る。本発明者の実験によれば、一般的な傾向として、酸
素含有量が少なすぎると、透光性が十分でなく、一方、
酸素含有量が多すぎると、導電性が不足する傾向が見ら
れた。また、金属元素としてニッケルを用いた実験によ
れば、酸素含有雰囲気中でスパッタリングすることによ
り透光性電極を堆積する場合には、形成されるニッケル
酸化物中の酸素含有量が原子濃度で約７０％以下である
ような場合に、良好な透光性と導電性とが得られること
が分かった。
【００２４】次に、本発明の発光素子１０の不純物層２
４の作用について説明する。本発明においては、前述し
たように、ｐ型層１８の表面にマグネシウムなどの不純
物を堆積し、熱処理を施すことによってその不純物をｐ
型層１８と透光性電極２６とに拡散させる。この場合
に、不純物としては、ｐ型層１８の導電型と同一のドー
パント用いる。このように、ドーパントを拡散させるこ
とにより、透光性電極２６のオーミック性が大幅に改善
される。なお、本発明者の実験によれば、前述したよう
に、堆積したドーパントが熱処理により全て拡散して、
製造工程後に不純物層２４が残留しないような場合に
も、このようなオーミック性の改善の効果は同様に生ず
る。
４の作用について説明する。本発明においては、前述し
たように、ｐ型層１８の表面にマグネシウムなどの不純
物を堆積し、熱処理を施すことによってその不純物をｐ
型層１８と透光性電極２６とに拡散させる。この場合
に、不純物としては、ｐ型層１８の導電型と同一のドー
パント用いる。このように、ドーパントを拡散させるこ
とにより、透光性電極２６のオーミック性が大幅に改善
される。なお、本発明者の実験によれば、前述したよう
に、堆積したドーパントが熱処理により全て拡散して、
製造工程後に不純物層２４が残留しないような場合に
も、このようなオーミック性の改善の効果は同様に生ず
る。
【００２５】図３は、マグネシウム不純物層２４を設け
た場合と設けない場合とを比較して示した素子のＩ−Ｖ
特性図である。ここでは、評価用の素子を試作して、Ｉ
−Ｖ特性の評価を行った。同図から分かるように、マグ
ネシウムを導入しない素子では、電圧が２ボルト以上ま
で電流が殆ど流れず強い整流特性を示している。しか
し、マグネシウムを導入した素子では、線型の電圧電流
特性が得られ、オーミック性が大幅に改善され、電極の
接触抵抗が顕著に低下している。本発明によれば、ｐ型
層１８と透光性電極２６との間にｐ型のドーパントであ
るマグネシウムの層を設け、しかる後に熱処理を施して
マグネシウムを拡散させる。従って、ｐ型層１８と透光
性電極２６との界面付近で、マグネシウムが高濃度に導
入され、極めて効果的に接触抵抗を低下することができ
る。
た場合と設けない場合とを比較して示した素子のＩ−Ｖ
特性図である。ここでは、評価用の素子を試作して、Ｉ
−Ｖ特性の評価を行った。同図から分かるように、マグ
ネシウムを導入しない素子では、電圧が２ボルト以上ま
で電流が殆ど流れず強い整流特性を示している。しか
し、マグネシウムを導入した素子では、線型の電圧電流
特性が得られ、オーミック性が大幅に改善され、電極の
接触抵抗が顕著に低下している。本発明によれば、ｐ型
層１８と透光性電極２６との間にｐ型のドーパントであ
るマグネシウムの層を設け、しかる後に熱処理を施して
マグネシウムを拡散させる。従って、ｐ型層１８と透光
性電極２６との界面付近で、マグネシウムが高濃度に導
入され、極めて効果的に接触抵抗を低下することができ
る。
【００２６】一方、ｐ型層を結晶成長する際に水素が結
晶中に取り込まれることが多い。この水素は、上述の熱
処理の際にｐ型層から放出され、酸素を含有するニッケ
ルからなる透光性電極２６に拡散して、電極の透過率を
さらに上昇させるという効果も得られる。
晶中に取り込まれることが多い。この水素は、上述の熱
処理の際にｐ型層から放出され、酸素を含有するニッケ
ルからなる透光性電極２６に拡散して、電極の透過率を
さらに上昇させるという効果も得られる。
【００２７】以上、説明したように、本発明によれば、
まず、透光性電極２６の光透過率が顕著に改善される。
さらに、電極のオーミック性も改善される。その結果と
して、図８に示したような従来の素子と異なり、発光層
側、すなわち窒化ガリウム半導体側から効率的に光を取
り出すことができる。
まず、透光性電極２６の光透過率が顕著に改善される。
さらに、電極のオーミック性も改善される。その結果と
して、図８に示したような従来の素子と異なり、発光層
側、すなわち窒化ガリウム半導体側から効率的に光を取
り出すことができる。
【００２８】次に、本発明の変形例について説明する。
図４は、本発明による発光素子の第２の例を表す、ｐ側
電極周辺の要部拡大図である。同図に示した発光素子に
おいては、ｐ型層１８の上に、第１の薄膜金属層２５が
形成され、さらにその上に透光性電極２６が形成されて
いる。第１の薄膜金属層２５は、発光素子の発光を透過
させる程度の薄膜とすることが望ましく、例えば、厚さ
が５ナノメータ程度の金を用いることができる。また、
透光性電極２６としては、例えば、厚さが１００ナノメ
ータ程度の酸素を含有したニッケルの層とすることがで
きる。このように、透光性電極２６とｐ型層１８との間
に薄膜金属層２５を設けることにより、電極のシート抵
抗を低減させ、導電性を改善することができる。さら
に、薄膜金属層２５の材料として、ｐ型層１８とのオー
ミック性が良好な材料を選択すれば、図１に関して前述
したような不純物層２４を設ける必要が無くなる。
図４は、本発明による発光素子の第２の例を表す、ｐ側
電極周辺の要部拡大図である。同図に示した発光素子に
おいては、ｐ型層１８の上に、第１の薄膜金属層２５が
形成され、さらにその上に透光性電極２６が形成されて
いる。第１の薄膜金属層２５は、発光素子の発光を透過
させる程度の薄膜とすることが望ましく、例えば、厚さ
が５ナノメータ程度の金を用いることができる。また、
透光性電極２６としては、例えば、厚さが１００ナノメ
ータ程度の酸素を含有したニッケルの層とすることがで
きる。このように、透光性電極２６とｐ型層１８との間
に薄膜金属層２５を設けることにより、電極のシート抵
抗を低減させ、導電性を改善することができる。さら
に、薄膜金属層２５の材料として、ｐ型層１８とのオー
ミック性が良好な材料を選択すれば、図１に関して前述
したような不純物層２４を設ける必要が無くなる。
【００２９】次に、図５は、本発明による発光素子の第
３の例を表す、ｐ側電極周辺の要部拡大図である。同図
に示した発光素子においては、ｐ型層１８の上に、ま
ず、不純物層２４が形成され、その上に、第１の薄膜金
属層２５と透光性電極２６とがこの順序に形成されてい
る。ここで、不純物層２４は、図１に関して前述したよ
うに、ｐ型層１８のドーパントとなる不純物を堆積後、
熱処理を施して上下の層にその不純物を拡散させた後に
残留する層である。また、第１の薄膜金属層２５は、前
述した図４の場合と同様に、発光素子の発光を透過させ
る程度の薄膜とすることが望ましく、例えば、厚さが５
ナノメータ程度の金を用いることができる。また、透光
性電極２６としては、例えば、厚さが１００ナノメータ
程度の酸素を含有したニッケルの層とすることができ
る。
３の例を表す、ｐ側電極周辺の要部拡大図である。同図
に示した発光素子においては、ｐ型層１８の上に、ま
ず、不純物層２４が形成され、その上に、第１の薄膜金
属層２５と透光性電極２６とがこの順序に形成されてい
る。ここで、不純物層２４は、図１に関して前述したよ
うに、ｐ型層１８のドーパントとなる不純物を堆積後、
熱処理を施して上下の層にその不純物を拡散させた後に
残留する層である。また、第１の薄膜金属層２５は、前
述した図４の場合と同様に、発光素子の発光を透過させ
る程度の薄膜とすることが望ましく、例えば、厚さが５
ナノメータ程度の金を用いることができる。また、透光
性電極２６としては、例えば、厚さが１００ナノメータ
程度の酸素を含有したニッケルの層とすることができ
る。
【００３０】図５に示した発光素子においては、ｐ型層
１８と第１の薄膜金属層２５との間にドーパントとなる
不純物層２４を設け、熱処理により、その不純物をｐ型
層１８と第１の薄膜金属層２５とに拡散させるようにし
ている。従って、前述した電極のシート抵抗の低減とい
う効果に加えて、電極コンタクトのオーミック性が改善
され、接触抵抗が低減されるという効果も得ることがで
きる。
１８と第１の薄膜金属層２５との間にドーパントとなる
不純物層２４を設け、熱処理により、その不純物をｐ型
層１８と第１の薄膜金属層２５とに拡散させるようにし
ている。従って、前述した電極のシート抵抗の低減とい
う効果に加えて、電極コンタクトのオーミック性が改善
され、接触抵抗が低減されるという効果も得ることがで
きる。
【００３１】次に、本発明による発光層の製造工程につ
いて、図１を参照しつつ説明する。まず、サファイア基
板１２上に、バッファ層１４、ｎ型層１６、ｐ型層１８
をこの順序に結晶成長する。バッファ層１４の材料とし
ては、例えばＧａＮを用いることができる。ｎ型層１６
の材料としては、例えばｎ型のＧａＮを用いることがで
きる。また、ｐ型層１８の材料としては、例えばｐ型の
ＧａＮを用いることができる。また、ｎ型層１６とｐ型
層１８との間にｎ型クラッド層と活性層とｐ型クラッド
層とをこの順序で積層しても良い。これらの各半導体層
の結晶成長法としては、例えば有機金属気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＤ）を用いることができる。ＭＯＣＶＤを用いた
場合には、キャリアガスの水素が結晶中に取り込まれる
ことがあり、前述したように、この水素が素子の熱処理
に際してニッケル電極２６に拡散してその光透過性を向
上させるという効果も得ることができる。
いて、図１を参照しつつ説明する。まず、サファイア基
板１２上に、バッファ層１４、ｎ型層１６、ｐ型層１８
をこの順序に結晶成長する。バッファ層１４の材料とし
ては、例えばＧａＮを用いることができる。ｎ型層１６
の材料としては、例えばｎ型のＧａＮを用いることがで
きる。また、ｐ型層１８の材料としては、例えばｐ型の
ＧａＮを用いることができる。また、ｎ型層１６とｐ型
層１８との間にｎ型クラッド層と活性層とｐ型クラッド
層とをこの順序で積層しても良い。これらの各半導体層
の結晶成長法としては、例えば有機金属気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＤ）を用いることができる。ＭＯＣＶＤを用いた
場合には、キャリアガスの水素が結晶中に取り込まれる
ことがあり、前述したように、この水素が素子の熱処理
に際してニッケル電極２６に拡散してその光透過性を向
上させるという効果も得ることができる。
【００３２】しかし、その他の成長法として、例えば、
有機金属を原料に用いない気相成長法や、化学ビーム・
エピタキシャル法（ＣＢＥ）を用いることもできる。
有機金属を原料に用いない気相成長法や、化学ビーム・
エピタキシャル法（ＣＢＥ）を用いることもできる。
【００３３】結晶成長に続いて、ｐ型層１８の一部をＰ
ＥＰ法によりパターニングし、さらに反応性イオン・エ
ッチング（ＲＩＥ）法などを用いてエッチングすること
により、ｎ型層１６を露出させる。
ＥＰ法によりパターニングし、さらに反応性イオン・エ
ッチング（ＲＩＥ）法などを用いてエッチングすること
により、ｎ型層１６を露出させる。
【００３４】次に、ＰＥＰ法によりパターニングを施
し、ｎ型層１６の表面上にチタン及び金をこの順序で堆
積し、リフト・オフ法によりｎ側電極２０を形成する。
し、ｎ型層１６の表面上にチタン及び金をこの順序で堆
積し、リフト・オフ法によりｎ側電極２０を形成する。
【００３５】次に、ＰＥＰ法によりパターニングを施
し、ｐ型層１８の上に厚さ約１ナノメータのマグネシウ
ム層を堆積し、さらに厚さ約１００ナノメータの酸素を
含有するニッケル層を堆積し、リフト・オフ法によりこ
れらをパターニングする。これらの層の堆積方法として
は、例えば高周波スパッタ法を用いることができる。す
なわち、酸素を含む雰囲気中で、ニッケルをターゲット
としてスパッタリングを行うことにより、酸素を含有す
るニッケル層を堆積することができる。
し、ｐ型層１８の上に厚さ約１ナノメータのマグネシウ
ム層を堆積し、さらに厚さ約１００ナノメータの酸素を
含有するニッケル層を堆積し、リフト・オフ法によりこ
れらをパターニングする。これらの層の堆積方法として
は、例えば高周波スパッタ法を用いることができる。す
なわち、酸素を含む雰囲気中で、ニッケルをターゲット
としてスパッタリングを行うことにより、酸素を含有す
るニッケル層を堆積することができる。
【００３６】次に、熱処理を施す。その条件は、マグネ
シウム層の厚さなどに依存する。本発明者の実験によれ
ば、不純物の拡散を生じさせ、オーミック性を改善する
ためには４００℃以上の温度で熱処理を施すことが望ま
しいことが分かった。また、熱処理温度が高すぎると、
ニッケル層から酸素が放出される等の弊害が生ずること
があり、その温度の上限は、８００℃とすることが望ま
しいことも分かった。
シウム層の厚さなどに依存する。本発明者の実験によれ
ば、不純物の拡散を生じさせ、オーミック性を改善する
ためには４００℃以上の温度で熱処理を施すことが望ま
しいことが分かった。また、熱処理温度が高すぎると、
ニッケル層から酸素が放出される等の弊害が生ずること
があり、その温度の上限は、８００℃とすることが望ま
しいことも分かった。
【００３７】ここでは、熱処理の条件を、７００℃で２
０分間とした。この熱処理によって、ｐ型層１８から水
素が放出されてニッケル電極層２６に拡散し、その光透
過率を向上させる。また、マグネシウムがｐ型層１８と
電極２６とにそれぞれ拡散して活性化され、オーミック
性が改善されて接触抵抗が低下する。さらに、ｐ側電極
２６とｐ型層１８との密着性も向上する。
０分間とした。この熱処理によって、ｐ型層１８から水
素が放出されてニッケル電極層２６に拡散し、その光透
過率を向上させる。また、マグネシウムがｐ型層１８と
電極２６とにそれぞれ拡散して活性化され、オーミック
性が改善されて接触抵抗が低下する。さらに、ｐ側電極
２６とｐ型層１８との密着性も向上する。
【００３８】次に、絶縁膜２８を堆積する。絶縁膜２８
の材料としては、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを
用いることができる。さらに、ＰＥＰ法によりパターニ
ングし、さらにエッチングすることによりボンディング
・パッド３０とオーバーコート２２を形成する。これら
は、例えば、チタンと金をこの順序で積層した構造とす
ることができる。
の材料としては、例えば酸化シリコンや窒化シリコンを
用いることができる。さらに、ＰＥＰ法によりパターニ
ングし、さらにエッチングすることによりボンディング
・パッド３０とオーバーコート２２を形成する。これら
は、例えば、チタンと金をこの順序で積層した構造とす
ることができる。
【００３９】図６は、上述した工程により得られた発光
素子の電流・電圧特性と光出力特性とを表す特性図であ
る。すなわち、同図の横軸は電流を表し、左縦軸は光出
力、右縦軸は順方向電圧を表す。また、図中の実線は光
出力特性を表し、破線は電流・電圧特性を表す。同図に
示したように、本発明による発光素子は、接触抵抗が極
めて低く、良好な電流電圧特性を示している。また、光
出力特性の立ち上がりも良好である。２０ミリアンペア
の電流に対する順方向電圧は約３．３ボルト、光出力は
約９０マイクロワットと極めて良好な特性を得ることが
できた。また、ウェーハ面内での電流電圧特性や光出力
特性のばらつきは非常に小さく、素子歩留まりは、９２
％以上と非常に良好であった。
素子の電流・電圧特性と光出力特性とを表す特性図であ
る。すなわち、同図の横軸は電流を表し、左縦軸は光出
力、右縦軸は順方向電圧を表す。また、図中の実線は光
出力特性を表し、破線は電流・電圧特性を表す。同図に
示したように、本発明による発光素子は、接触抵抗が極
めて低く、良好な電流電圧特性を示している。また、光
出力特性の立ち上がりも良好である。２０ミリアンペア
の電流に対する順方向電圧は約３．３ボルト、光出力は
約９０マイクロワットと極めて良好な特性を得ることが
できた。また、ウェーハ面内での電流電圧特性や光出力
特性のばらつきは非常に小さく、素子歩留まりは、９２
％以上と非常に良好であった。
【００４０】なお、本発明による発光素子１０に関した
上述の説明では、サファイア基板１２上にｎ型層１６と
ｐ型層１８とをこの順序で積層する構成を例示した。し
かし、本発明はこれに限定されるものではない。すなわ
ち、ｐ型層とｎ型層との積層順序が逆であるような構成
についても本発明は同様に適用することができる。この
場合にはサファイア基板１２上にバッファ層を介して、
まずｐ型層を成長し、次にｐ型層を成長する。そして、
ｎ型層の上にｎ型のドーパントとなる不純物の薄膜を堆
積し、さらにその上に酸素を含み光透過率の高い金属電
極層を形成しても良い。この場合にも、熱処理を施すこ
とにより、電極のオーミック性や光透過率を向上させる
ことができる。
上述の説明では、サファイア基板１２上にｎ型層１６と
ｐ型層１８とをこの順序で積層する構成を例示した。し
かし、本発明はこれに限定されるものではない。すなわ
ち、ｐ型層とｎ型層との積層順序が逆であるような構成
についても本発明は同様に適用することができる。この
場合にはサファイア基板１２上にバッファ層を介して、
まずｐ型層を成長し、次にｐ型層を成長する。そして、
ｎ型層の上にｎ型のドーパントとなる不純物の薄膜を堆
積し、さらにその上に酸素を含み光透過率の高い金属電
極層を形成しても良い。この場合にも、熱処理を施すこ
とにより、電極のオーミック性や光透過率を向上させる
ことができる。
【００４１】また、上述した例では、透光性電極２６の
金属元素としてニッケルを用い、半導体層１４〜１８と
してＧａＮを用いた場合を例示した。しかし、本発明は
これに限定されるものではない。本発明者の実験によれ
ば、ニッケル以外にも、透光性電極に含まれる金属元素
として、チタン、白金、タングステン、パラジウム、モ
リブデン、バナジウム、イリジウム、ロジウム、コバル
ト、金、マグネシウム、及びアルミニウムのうちのいず
れか１つまたは複数の金属元素を選択して用いても、同
様に良好な結果を得られることが分かった。
金属元素としてニッケルを用い、半導体層１４〜１８と
してＧａＮを用いた場合を例示した。しかし、本発明は
これに限定されるものではない。本発明者の実験によれ
ば、ニッケル以外にも、透光性電極に含まれる金属元素
として、チタン、白金、タングステン、パラジウム、モ
リブデン、バナジウム、イリジウム、ロジウム、コバル
ト、金、マグネシウム、及びアルミニウムのうちのいず
れか１つまたは複数の金属元素を選択して用いても、同
様に良好な結果を得られることが分かった。
【００４２】また、半導体１４〜１８としては、Ｇａｘ
Ａｌｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｎ（０＜ｘ，ｙ≦１，ｘ＋
ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれ
の範囲内で変化させたすべての組成のうちから適宜選択
した半導体を用いることができる。
Ａｌｙ Ｉｎ１−ｘ−ｙ Ｎ（０＜ｘ，ｙ≦１，ｘ＋
ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれ
の範囲内で変化させたすべての組成のうちから適宜選択
した半導体を用いることができる。
【００４３】また、製造方法において、熱処理は、ｐ側
電極２６のオーミック性の向上、ｐ側電極２６の光透過
率の向上、およびｎ側電極２０のオーミック性の向上な
どのそれぞれの目的に応じて、別々に施しても良い。さ
らに、ｐ側電極２６中に酸素および水素の導入させるた
めに、それぞれのガス雰囲気中において熱処理を施して
も良い。
電極２６のオーミック性の向上、ｐ側電極２６の光透過
率の向上、およびｎ側電極２０のオーミック性の向上な
どのそれぞれの目的に応じて、別々に施しても良い。さ
らに、ｐ側電極２６中に酸素および水素の導入させるた
めに、それぞれのガス雰囲気中において熱処理を施して
も良い。
【００４４】図７は、本発明による発光素子を用いた発
光装置を表す概略構成図である。図６に示したような従
来の発光装置と異なり、本発明による発光装置では、発
光素子１０はサファイア基板１２を下側に向けてリード
・フレーム７０にマウントされている。そして、ｐ側の
ボンディング・パッド３０とｎ側のオーバーコート２２
とにそれぞれワイア７６、７６がボンディングされてい
る。
光装置を表す概略構成図である。図６に示したような従
来の発光装置と異なり、本発明による発光装置では、発
光素子１０はサファイア基板１２を下側に向けてリード
・フレーム７０にマウントされている。そして、ｐ側の
ボンディング・パッド３０とｎ側のオーバーコート２２
とにそれぞれワイア７６、７６がボンディングされてい
る。
【００４５】本発明によれば、発光素子１０の表面側か
ら光を取り出すことができるので、同図に示したよう
に、ガリウム砒素型のＬＥＤで用いられるようなカップ
型のリードフレーム７０を用いることができる。このよ
うなカップ型のリード・フレーム７０は、発光素子の実
装部の周囲に光反射壁７４を有するので、集光性が向上
する。また、図８に示したような従来の発光装置と異な
り、導電性接着剤の「はみ出し」による電極間或いは接
合間のショートが発生しない。従って、製造歩留まりや
長期的信頼性が改善される。
ら光を取り出すことができるので、同図に示したよう
に、ガリウム砒素型のＬＥＤで用いられるようなカップ
型のリードフレーム７０を用いることができる。このよ
うなカップ型のリード・フレーム７０は、発光素子の実
装部の周囲に光反射壁７４を有するので、集光性が向上
する。また、図８に示したような従来の発光装置と異な
り、導電性接着剤の「はみ出し」による電極間或いは接
合間のショートが発生しない。従って、製造歩留まりや
長期的信頼性が改善される。
【００４６】さらに、図７に示した装置では、発光素子
のマウント位置を電極パターンにあわせて精密に調節す
る必要がなくなる。従って、マウント作業が容易とな
り、組立工程の生産性が向上する。
のマウント位置を電極パターンにあわせて精密に調節す
る必要がなくなる。従って、マウント作業が容易とな
り、組立工程の生産性が向上する。
【００４７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に説明する効果を奏する。
施され、以下に説明する効果を奏する。
【００４８】まず、本発明によれば、電極として酸素お
よび水素を含有した金属電極層を用いることにより、電
極層の光透過率を向上させ、発光層からの光を電極を透
過させて効率良く取り出すことができるようになる。
よび水素を含有した金属電極層を用いることにより、電
極層の光透過率を向上させ、発光層からの光を電極を透
過させて効率良く取り出すことができるようになる。
【００４９】本発明によれば、このように素子の表面側
から光を効率良く取り出すことができるので、組立工程
も簡易化され、従来問題となっていた電極間などでのシ
ョートも解消することができる。さらに、製造コストが
低下し、長期的信頼性も改善される。
から光を効率良く取り出すことができるので、組立工程
も簡易化され、従来問題となっていた電極間などでのシ
ョートも解消することができる。さらに、製造コストが
低下し、長期的信頼性も改善される。
【００５０】また、本発明によれば、電極とそれに接触
する半導体層の界面付近にその半導体層の導電型を与え
るドーパントを高濃度に含有させることにより、オーミ
ック性を向上させ、電極の接触抵抗を低下させることが
できる。
する半導体層の界面付近にその半導体層の導電型を与え
るドーパントを高濃度に含有させることにより、オーミ
ック性を向上させ、電極の接触抵抗を低下させることが
できる。
【００５１】また、本発明によれば、熱処理によって、
半導体層に含有されている水素を放出させて電極層中に
拡散させるという簡易な方法により、電極の光透過率を
さらに改善することができる。すなわち、製造コストが
低減し、歩留まりの向上を図ることができる。
半導体層に含有されている水素を放出させて電極層中に
拡散させるという簡易な方法により、電極の光透過率を
さらに改善することができる。すなわち、製造コストが
低減し、歩留まりの向上を図ることができる。
【００５２】このように、本発明によれば、高性能で高
信頼性を有する半導体発光素子を簡単なプロセスにより
高歩留まりで生産できるようになり、産業上のメリット
は多大である。
信頼性を有する半導体発光素子を簡単なプロセスにより
高歩留まりで生産できるようになり、産業上のメリット
は多大である。
【図１】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
の構成を表す概略断面図である。
の構成を表す概略断面図である。
【図２】ニッケルに酸素と水素を含有させた場合の光透
過率を示す特性図である。
過率を示す特性図である。
【図３】マグネシウム不純物層２４を設けた場合と設け
ない場合とを比較して示した発光素子のＩ−Ｖ特性図で
ある。
ない場合とを比較して示した発光素子のＩ−Ｖ特性図で
ある。
【図４】本発明による発光素子の第２の例を表す、ｐ側
電極周辺の要部拡大図である。
電極周辺の要部拡大図である。
【図５】本発明による発光素子の第３の例を表す、ｐ側
電極周辺の要部拡大図である。
電極周辺の要部拡大図である。
【図６】本発明により得られた発光素子の電流・電圧特
性と光出力特性とを表す特性図である。
性と光出力特性とを表す特性図である。
【図７】本発明による発光素子を用いた発光装置を表す
概略構成図である。
概略構成図である。
【図８】従来の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を
用いた発光装置の概略構成を表す断面図である。
用いた発光装置の概略構成を表す断面図である。
１０、１１０ 半導体発光素子 １２、１１２ サファイア基板 １４、１１４ バッファ層 １６、１１６ ｎ型層 １８、１１８ ｐ型層 ２０、１２２ ｎ側電極 ２２、１２４ オーバーコート ２４ 不純物層 ２５ 第１の薄膜金属層 ２６ 透光性電極 ２８ 絶縁膜 ３０ ボンディング・パッド ７０、１３０ リード・フレーム ７４ 反射壁 ７６ ワイア １４０ 導電性接着剤
Claims (12)
- 【請求項１】基板と、 前記基板上に堆積された少なくとも１層の第１導電型の
窒化ガリウム系化合物半導体の層と、前記第１導電型の
窒化ガリウム系化合物半導体の層の上に堆積された少な
くとも１層の第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導体
の層と、からなる積層構造体と、 前記第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層の表
面上に形成され、酸素を含有し、ニッケル、チタン、白
金、タングステン、パラジウム、モリブデン、バナジウ
ム、イリジウム、ロジウム、コバルト、金、マグネシウ
ム、及びアルミニウムからなる群から選択された金属か
らなる透光性電極と、 を備え、前記積層構造体の内部で生じた発光を前記透光
性電極を透過させて取り出すようにしたことを特徴とす
る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。 - 【請求項２】前記第２導電型の窒化ガリウム系化合物半
導体の層と、前記透光性電極との間に設けられた、透光
性を有する薄膜金属層をさらに備えたことを特徴とする
請求項１記載の発光素子。 - 【請求項３】前記薄膜金属層は、前記窒化ガリウム系化
合物半導体を前記第２導電型とするドーパントをさらに
含有することを特徴とする請求項１または２に記載の発
光素子。 - 【請求項４】前記透光性電極は、前記窒化ガリウム系化
合物半導体を前記第２導電型とするドーパントをさらに
含有することを特徴とする請求項１または３に記載の発
光素子。 - 【請求項５】前記透光性電極は、さらに水素を含有する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の
発光素子。 - 【請求項６】前記基板はサファイアであり、 前記第１導電型はｎ型であり、 前記第２導電型はｐ型であり、 前記透光性電極を構成する前記金属はニッケルであるこ
とを特徴とする請求項１記載の発光素子。 - 【請求項７】基板上に、少なくとも１層の第１導電型の
窒化ガリウム系化合物半導体の層を成長し、前記第１導
電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層の上に少なくと
も１層の第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層
を成長する、結晶成長工程と、 前記第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層の表
面上に、ニッケル、チタン、白金、タングステン、パラ
ジウム、モリブデン、バナジウム、イリジウム、ロジウ
ム、コバルト、金、マグネシウム、及びアルミニウムか
らなる群から選択された金属からなり、さらに酸素を含
有した透光性電極を形成する、電極形成工程と、 を備えたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子の製造方法。 - 【請求項８】基板上に、少なくとも１層の第１導電型の
窒化ガリウム系化合物半導体の層を成長し、前記第１導
電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層の上に少なくと
も１層の第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層
を成長する、結晶成長工程と、 前記第２導電型の窒化ガリウム系化合物半導体の層の表
面上に、前記第２導電型のドーパントを含む不純物層を
堆積する、不純物堆積工程と、 前記不純物層の表面上に、ニッケル、チタン、白金、タ
ングステン、パラジウム、モリブデン、バナジウム、イ
リジウム、ロジウム、コバルト、金、マグネシウム、及
びアルミニウムからなる群から選択された金属からな
り、さらに酸素を含有した透光性電極を形成する、電極
形成工程と、 ４００℃以上の温度で熱処理を施すことにより、前記不
純物層から前記ドーパントを前記第２導電型の窒化ガリ
ウム系化合物半導体の層と前記透光性電極とに拡散させ
て接触抵抗を低減させる、熱処理工程と、 を備えたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体
発光素子の製造方法。 - 【請求項９】前記電極形成工程は、酸素を含む雰囲気中
で、前記金属をスパッタリングすることにより前記透光
性電極を堆積する工程を含むことを特徴とする請求項７
または８に記載の方法。 - 【請求項１０】前記熱処理工程において、前記第２導電
型の窒化ガリウム系化合物半導体の層に含有されている
水素が放出され、前記放出された水素のうちの少なくと
も一部が前記透光性電極に含有されることを特徴とする
請求項８または９に記載の方法。 - 【請求項１１】前記基板はサファイアであり、 前記結晶成長工程における結晶成長法は水素ガスを含む
気相成長法であり、 前記第１導電型はｎ型であり、 前記第２導電型はｐ型であり、 前記ドーパントは、マグネシウムであり、 前記透光性電極を構成する前記金属はニッケルであり、 前記熱処理は、８００℃以下の温度で行うことを特徴と
する請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】リード・フレームと請求項１〜６のいず
れかに記載の発光素子と、 を備えた発光装置であって、 前記発光素子は、前記リード・フレームの実装部に前記
基板の裏面を接着面としてマウントされ、前記発光素子
の前記積層構造体の内部で生じた発光を前記透光性電極
を透過させて取り出すようにしたことを特徴とする発光
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11911497A JPH10308533A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11911497A JPH10308533A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308533A true JPH10308533A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14753278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11911497A Pending JPH10308533A (ja) | 1997-05-09 | 1997-05-09 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308533A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007398A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-01-12 | Agilent Technol Inc | ｐ型ＧａＮ層に透光性接触部を形成する方法 |
| JP2005072603A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| US7173277B2 (en) | 2002-11-27 | 2007-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
| JP2008060561A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-03-13 | Nanoteco Corp | 発光素子、及びその製造方法 |
| WO2011083923A2 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| JP2011199319A (ja) * | 2003-05-07 | 2011-10-06 | Samsung Led Co Ltd | 薄膜電極、及びその製造方法 |
| WO2011081484A3 (ko) * | 2009-12-30 | 2011-10-27 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
| KR101182919B1 (ko) | 2010-12-21 | 2012-09-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| US8981420B2 (en) | 2005-05-19 | 2015-03-17 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
-
1997
- 1997-05-09 JP JP11911497A patent/JPH10308533A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007398A (ja) * | 1999-06-08 | 2001-01-12 | Agilent Technol Inc | ｐ型ＧａＮ層に透光性接触部を形成する方法 |
| JP2012142616A (ja) * | 1999-06-08 | 2012-07-26 | Philips Lumileds Lightng Co Llc | ｐ型ＧａＮ層に透光性接触部を形成する方法 |
| US7173277B2 (en) | 2002-11-27 | 2007-02-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and method for fabricating the same |
| JP2011199319A (ja) * | 2003-05-07 | 2011-10-06 | Samsung Led Co Ltd | 薄膜電極、及びその製造方法 |
| JP2005072603A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Samsung Electronics Co Ltd | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| US8981420B2 (en) | 2005-05-19 | 2015-03-17 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP2008060561A (ja) * | 2006-08-04 | 2008-03-13 | Nanoteco Corp | 発光素子、及びその製造方法 |
| WO2011081484A3 (ko) * | 2009-12-30 | 2011-10-27 | 주식회사 에피밸리 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
| WO2011083923A2 (en) * | 2010-01-07 | 2011-07-14 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| WO2011083923A3 (en) * | 2010-01-07 | 2011-09-29 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Light emitting diode having electrode pads |
| KR101182919B1 (ko) | 2010-12-21 | 2012-09-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6316792B1 (en) | Compound semiconductor light emitter and a method for manufacturing the same | |
| EP3121857A2 (en) | Light emitting device | |
| US20060186552A1 (en) | High reflectivity p-contacts for group lll-nitride light emitting diodes | |
| JPH06314822A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその電極形成方法 | |
| TWI409973B (zh) | 發光二極體及發光二極體燈、及照明裝置 | |
| JPH10173224A (ja) | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP2002353499A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH10308533A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法ならびに発光装置 | |
| TWI260099B (en) | Positive electrode structure and gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device | |
| JPH08306643A (ja) | ３−５族化合物半導体用電極および発光素子 | |
| JPH0638265U (ja) | 窒化ガリウム系発光素子の電極 | |
| JP2004319672A (ja) | 発光ダイオード | |
| JP2941743B2 (ja) | 化合物半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JP4312504B2 (ja) | 発光ダイオード素子の電極及び発光ダイオード素子 | |
| JP3060931B2 (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
| US7538361B2 (en) | Ohmic electrode structure, compound semiconductor light emitting device having the same, and LED lamp | |
| JP2000174341A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| KR101068864B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| JP2004319671A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPH09172198A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
| JP4918245B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| TWI258876B (en) | Compound semiconductor light-emitting device and production method thereof | |
| JP2004103709A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2002344017A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2002344018A (ja) | 発光ダイオード及びその製作方法 |