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JPH10303689A - Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same - Google Patents

Surface acoustic wave device and method of manufacturing the same

Info

Publication number
JPH10303689A
JPH10303689A JP9109483A JP10948397A JPH10303689A JP H10303689 A JPH10303689 A JP H10303689A JP 9109483 A JP9109483 A JP 9109483A JP 10948397 A JP10948397 A JP 10948397A JP H10303689 A JPH10303689 A JP H10303689A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
insulating substrate
cap
wave device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9109483A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Wakamori
聡 若森
Seiichi Ogawa
誠一 小川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Consumer Electronics Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Media Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Media Electronics Co Ltd filed Critical Hitachi Media Electronics Co Ltd
Priority to JP9109483A priority Critical patent/JPH10303689A/en
Publication of JPH10303689A publication Critical patent/JPH10303689A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 性能に優れ、小型化、薄型化が可能な弾性表
面波装置を提供する。 【解決手段】 圧電性基板10の表面に電極パターン1
1を設けた弾性表面波チップ3と、電極パターン11と
接続する導電性パターン5,6を有し、電極パターン1
1との間に隙間19をもって弾性表面波チップ3と電気
的に接続する絶縁性基板1と、開口部を絶縁性基板1と
嵌合することにより弾性表面波チップ3を内側に収容す
るキャップ4と、弾性表面波チップ3の電極パターン1
1の少なくとも主要部を覆わないようにして弾性表面波
チップ3をキャップ4内に固定するとともに、絶縁性基
板1の周辺部とキャップ4の開口端との接合部をキャッ
プ4の内側からシールする接着性を有するシール層20
を備えたことを特徴とする。
(57) [Summary] [PROBLEMS] To provide a surface acoustic wave device which is excellent in performance and can be reduced in size and thickness. An electrode pattern (1) is formed on a surface of a piezoelectric substrate (10).
A surface acoustic wave chip 3 provided with an electrode pattern 1 and conductive patterns 5 and 6 connected to the electrode pattern 11;
An insulating substrate 1 electrically connected to the surface acoustic wave chip 3 with a gap 19 between the insulating substrate 1 and a cap 4 for accommodating the surface acoustic wave chip 3 therein by fitting an opening to the insulating substrate 1. And the electrode pattern 1 of the surface acoustic wave chip 3
The surface acoustic wave chip 3 is fixed in the cap 4 so as not to cover at least the main part of the cap 1, and the joint between the peripheral portion of the insulating substrate 1 and the open end of the cap 4 is sealed from the inside of the cap 4. Adhesive seal layer 20
It is characterized by having.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信機(例
えばページャ、携帯電話、PHS、FPLMTS、業務
用無線、アマチュア無線用携帯無線機)のRF、IFフ
ィルタ、ハンディパソコン用無線モデム(CDPD)の
RF、IFフィルタ等に使用される弾性表面波装置に係
り、特に周波数特性を改善するとともに、安価で、パッ
ケージの小型化、薄型化が可能な弾性表面波装置ならび
にその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mobile communication device (for example, a pager, a portable telephone, a PHS, a FPLMTS, a business radio, a portable radio for an amateur radio), an RF filter, a radio modem for a handy personal computer (CDPD). The present invention relates to a surface acoustic wave device used for RF, IF filters and the like, and more particularly to a surface acoustic wave device which can improve the frequency characteristics, is inexpensive, and can be made smaller and thinner, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯電話、PHS、ページャ等の移動体
通信機のRF、IFフィルタとして、表面実装型の弾性
表面波装置が使用されている。図16ないし図19に従
来例の弾性表面波装置の構造を示す。
2. Description of the Related Art Surface-mounted surface acoustic wave devices are used as RF and IF filters for mobile communication devices such as mobile phones, PHSs, and pagers. 16 to 19 show the structure of a conventional surface acoustic wave device.

【0003】図16は第1の従来例に係る弾性表面波装
置の分解斜視図、図17はその弾性表面波装置の縦断面
図である。この従来例は特開昭61−245709号公
報に示されたもので、絶縁性基板50上に弾性表面波
(以下、SAWと略記する)チップ51が搭載され、絶
縁性基板50の導電性パターンとSAWチップ51の電
極はボンディングワイヤ52により電気的に接続されて
いる。SAWチップ51の上方から絶縁性基板50に絶
縁性キャップ53を被せ、キャップ53の開口端と絶縁
性基板50は封止用接着剤54でシールされている。
FIG. 16 is an exploded perspective view of a surface acoustic wave device according to a first conventional example, and FIG. 17 is a longitudinal sectional view of the surface acoustic wave device. This conventional example is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-245709, in which a surface acoustic wave (hereinafter abbreviated as SAW) chip 51 is mounted on an insulating substrate 50, and a conductive pattern of the insulating substrate 50 is formed. The electrodes of the SAW chip 51 are electrically connected by bonding wires 52. An insulating cap 53 is placed on the insulating substrate 50 from above the SAW chip 51, and the opening end of the cap 53 and the insulating substrate 50 are sealed with a sealing adhesive 54.

【0004】図18は、第2の従来例に係る弾性表面波
装置の縦断面図である。この従来例は特開平3−727
08号公報に示されたもので、絶縁性基板50にシール
リング55を銀蝋付けし、金属製キャップ56をシーム
溶接の手法で封止して気密性を高めたものである。なお
符号57はシーム溶接部を示す。
FIG. 18 is a longitudinal sectional view of a surface acoustic wave device according to a second conventional example. This conventional example is disclosed in JP-A-3-727.
08, in which the seal ring 55 is brazed to the insulating substrate 50 by silver brazing, and the metal cap 56 is sealed by seam welding to improve airtightness. Reference numeral 57 denotes a seam weld.

【0005】図19は、第3の従来例に係る弾性表面波
装置の断面図である。この従来例は、セラミック多層化
の技術を用い、積層セラミックケース58によるSAW
チップ収納用のポケット59を形成し、ポケット59内
にSAWチップ51を配置して、銀蝋付けしたシールリ
ング55を介してフラツトな金属板60でポケット59
の開口部を閉塞している。
FIG. 19 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to a third conventional example. This conventional example uses a ceramic multilayering technique and uses a multilayer ceramic case 58 to form a SAW.
A pocket 59 for accommodating a chip is formed, a SAW chip 51 is arranged in the pocket 59, and a pocket 59 is formed by a flat metal plate 60 via a seal ring 55 brazed with silver.
The opening is closed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところでこのような構
造の従来の弾性表面波装置においては、帯域内外の周波
数特性が十分でなく、弾性表面波装置として優れた特性
が発揮されなかった。
However, in the conventional surface acoustic wave device having such a structure, the frequency characteristics inside and outside the band are not sufficient, and excellent characteristics as the surface acoustic wave device have not been exhibited.

【0007】また前記第1、第2の従来例においてはワ
イヤボンディング用のスペースAを必要とし、このスペ
ースAの存在によりパッケージサイズが大きくなるとい
う欠点がある。
In the first and second conventional examples, a space A for wire bonding is required, and there is a disadvantage that the package size is increased due to the presence of the space A.

【0008】また、第2、第3の従来例においてはシー
ルリングを使用しているが、シールリングタイプのもの
は絶縁性基板に銀蝋付けする高度で煩雑な作業が必要で
あり、材料費が高く、生産性が悪いという欠点があっ
た。
In the second and third conventional examples, a seal ring is used. However, the seal ring type requires a high-level and complicated operation for brazing silver to an insulating substrate, and the material cost is high. And the productivity was poor.

【0009】近年の移動体通信機、特に携帯電話、PH
S、ページャの超小型化、超薄型化、低価格化の要求が
強く、これに対応するには採用する部品それぞれの超小
型化、超薄型化、低価格化が不可欠である。
Recent mobile communication devices, especially mobile phones, PH
There is a strong demand for ultra-small, ultra-thin, and low-price S and pagers, and in order to meet this demand, ultra-small, ultra-thin, and low-priced components are indispensable.

【0010】本発明は、このような背景に鑑みてなされ
たものであり、周波数特性に優れ、小型化、薄型化、コ
ストの低減が可能な弾性表面波装置ならびにその製造方
法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such a background, and an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device which is excellent in frequency characteristics and can be reduced in size, thickness, and cost, and a method of manufacturing the same. Aim.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、第1の本発明は、圧電性基板の表面に電極パターン
を設けた弾性表面波チップと、前記電極パターンと接続
する導電性パターンを有し、電極パターンとの間に隙間
をもって弾性表面波チップと電気的に接続する絶縁性基
板と、開口部を絶縁性基板と嵌合することにより前記弾
性表面波チップを内側に収容するキャップと、前記弾性
表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を覆わ
ないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固定す
るとともに、絶縁性基板の周辺部とキャップの開口端と
の接合部をキャップの内側からシールする接着性を有す
る、例えばエポキシ系樹脂などのシール層とを備えたこ
とを特徴とするものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a surface acoustic wave chip having an electrode pattern provided on a surface of a piezoelectric substrate, and a conductive pattern connected to the electrode pattern. An insulating substrate electrically connected to the surface acoustic wave chip with a gap between the electrode pattern and a cap for accommodating the surface acoustic wave chip inside by fitting an opening to the insulating substrate And fixing the surface acoustic wave chip in the cap so as not to cover at least the main part of the electrode pattern of the surface acoustic wave chip, and joining the peripheral portion of the insulating substrate to the opening end of the cap with the cap. And a sealing layer having an adhesive property for sealing from the inside, such as an epoxy resin.

【0012】前記目的を達成するために、第2の本発明
は、弾性表面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導
電性パターンが隙間を介して対面するようにして弾性表
面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パター
ンを電気的に接続する工程と、キャップの内側に所定量
の例えばエポキシ系樹脂などのシール剤を注入する工程
と、前記弾性表面波チップ付きの絶縁性基板をキャップ
の開口端に嵌合して、前記シール剤で弾性表面波チップ
をキャップの内側で接着固定するとともに、絶縁性基板
の周辺部とキャップの開口端との接合部をキャップの内
側からシールする工程とを有することを特徴とするもの
である。
According to a second aspect of the present invention, an electrode pattern of a surface acoustic wave chip is provided such that an electrode pattern of the surface acoustic wave chip and a conductive pattern of an insulating substrate face each other via a gap. Electrically connecting the conductive pattern with the conductive pattern of the insulating substrate, injecting a predetermined amount of a sealing agent such as an epoxy resin into the inside of the cap, and capping the insulating substrate with the surface acoustic wave chip. Fitting the surface acoustic wave chip inside the cap with the sealant, and sealing the joint between the peripheral portion of the insulating substrate and the open end of the cap from the inside of the cap. And characterized in that:

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明は前述のように、シール層
により弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主
要部を覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ
内に固定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成
することにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外およ
び帯域内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優
れた性能を有する弾性表面波装置を提供することができ
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS As described above, according to the present invention, a surface acoustic wave chip is fixed in a cap so that at least a main part of an electrode pattern of the surface acoustic wave chip is not covered by a seal layer, and an insulating substrate is provided. By forming a gap between the surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device, there is no loss of the surface acoustic wave, the frequency characteristics outside the band and within the band are improved, and the surface acoustic wave device has excellent performance over a long period of time.

【0014】また、従来の構造で一般的に採用されてい
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
In addition, a complicated and complicated process of silver brazing of a seal ring required for seam welding, which is generally employed in the conventional structure, is not required, so that material costs can be reduced and working efficiency can be improved.

【0015】さらにシール層をキャップ内に封じ込める
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、SAWチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
Further, by enclosing the sealing layer in the cap, the bottom area of the package can be made substantially the same size as the insulating substrate, and the device can be made smaller and thinner. In addition, the sealing layer sealed in the cap can simultaneously exhibit both the function of fixing the SAW chip and the function of hermetic sealing, and the cost can be reduced from this point as well.

【0016】さらにまた弾性表面波チップをフェースダ
ウン状態で絶縁性基板にバンプボンディングすることに
より、ワイヤボンディングのスペースが不要になり、そ
の結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が図れる。
Furthermore, by bump bonding the surface acoustic wave chip to the insulating substrate in a face-down state, a space for wire bonding becomes unnecessary, and as a result, the surface acoustic wave device can be reduced in size and thickness.

【0017】また導電性のキャップを用いることによ
り、外部との電磁気的干渉を排除することができる。さ
らにそのキャップと絶縁性基板の導電性パターンとを電
気的に接続することにより、外部との電磁気的遮断を一
層強度にすることができる。
By using a conductive cap, electromagnetic interference with the outside can be eliminated. Further, by electrically connecting the cap and the conductive pattern of the insulating substrate, electromagnetic shielding from the outside can be further enhanced.

【0018】以下、本発明の実施の形態を具体的に説明
する。図1ないし図4は第1の実施の形態に係る弾性表
面波装置を説明するためのもので、図1はそれの分解斜
視図、図2は組立が完了した状態での斜視図、図3は縦
断側面図、図4はSAWチップの電極パターンの一例を
示す拡大平面図である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be specifically described. 1 to 4 are views for explaining the surface acoustic wave device according to the first embodiment, FIG. 1 is an exploded perspective view thereof, FIG. 2 is a perspective view in a state where assembly is completed, and FIG. Is a longitudinal sectional side view, and FIG. 4 is an enlarged plan view showing an example of an electrode pattern of a SAW chip.

【0019】ガラスエポキシ樹脂あるいはセラミックな
どからなる絶縁性基板1の上には、下面に導電性の例え
ば金や半田などからなるバンプ2(図3参照)を有する
SAWチップ3が搭載され、その上からキャップ4が嵌
合されている。
On an insulating substrate 1 made of glass epoxy resin or ceramic, a SAW chip 3 having a conductive lower surface bump 2 made of, for example, gold or solder (see FIG. 3) is mounted. And the cap 4 is fitted.

【0020】絶縁性基板1には、入出力用導電性パター
ン5とグランド用導電性パターン6が形成され、これら
導電性パターン5,6は絶縁性基板1の上面から側端面
を経て下面に延びている。絶縁性基板1の長辺側端面で
かつグランド用導電性パターン6が形成されている以外
の個所にキャップ4の厚さとほぼ同じ深さの2つの溝状
の凹部7が形成されている(図1参照)。
An input / output conductive pattern 5 and a ground conductive pattern 6 are formed on the insulating substrate 1, and these conductive patterns 5, 6 extend from the upper surface of the insulating substrate 1 to the lower surface via the side end surfaces. ing. Two groove-shaped recesses 7 having a depth substantially equal to the thickness of the cap 4 are formed on the long-side end surface of the insulating substrate 1 and at a place other than where the ground conductive pattern 6 is formed. 1).

【0021】キャップ2は例えば鉄−ニッケル−コバル
ト合金(商品名コバール)や鉄−ニッケル合金(商品名
42アロイ)などの金属または合成樹脂から構成され、
一面に絶縁性基板1とほぼ同じ面積の開口部を有する箱
状のもので、開口端には前記凹部7に嵌入する脚部8が
設けられ、入出力用導電性パターン5と対向する開口端
には入出力用導電性パターン5との接続を避けるために
切欠部9が形成されている。
The cap 2 is made of a metal or a synthetic resin such as an iron-nickel-cobalt alloy (trade name Kovar) or an iron-nickel alloy (trade name 42 alloy).
It has a box-like shape having an opening having substantially the same area as the insulating substrate 1 on one surface. A leg 8 is provided at the opening end so as to fit into the recess 7, and the opening end faces the input / output conductive pattern 5. Is formed with a notch 9 to avoid connection with the input / output conductive pattern 5.

【0022】SAWチップ3は図4に示すように、ニオ
ブ酸リチウムなどからなる圧電性基板10の表面に第1
の多電極SAW11aと第2の多電極SAW11bが並
んで設けられている。
As shown in FIG. 4, the SAW chip 3 has a first surface on a piezoelectric substrate 10 made of lithium niobate or the like.
The multi-electrode SAW 11a and the second multi-electrode SAW 11b are provided side by side.

【0023】第1の多電極SAW11aにおいて入力電
極12aと出力電極13aが所定の間隙を介して対向し
て櫛型状電極を構成し、櫛型状電極の両側に反射器14
a,14aが設けられている。第2の多電極SAW11
bも同様に、入力電極12bと出力電極13bが対向し
て櫛型状電極を構成し、その両側に反射器14b,14
bが設けられている。
In the first multi-electrode SAW 11a, the input electrode 12a and the output electrode 13a face each other with a predetermined gap therebetween to form a comb-shaped electrode, and reflectors 14 are provided on both sides of the comb-shaped electrode.
a, 14a are provided. Second multi-electrode SAW11
Similarly, the input electrode 12b and the output electrode 13b face each other to form a comb-shaped electrode, and reflectors 14b, 14b
b is provided.

【0024】第1の多電極SAW11aは反射器14a
−櫛型状電極12a,13a−反射器14aが、第2の
多電極SAW11bは反射器14b−櫛型状電極12
b,13b−反射器14bが、ともに弾性表面波伝搬方
向に沿って配置されている。15aは入力端子、16b
は出力端子、17a,17bはグランド端子、18は導
電体である。
The first multi-electrode SAW 11a includes a reflector 14a
-Comb-shaped electrodes 12a, 13a-Reflector 14a is second multi-electrode SAW 11b is reflector 14b-Comb-shaped electrode 12
b, 13b-reflector 14b are both arranged along the surface acoustic wave propagation direction. 15a is an input terminal, 16b
Is an output terminal, 17a and 17b are ground terminals, and 18 is a conductor.

【0025】図3に示すようにSAWチップ3は多電極
SAW11a,11bを下にして絶縁性基板1上に配置
され、SAWチップ3の前記入出力電極15a,16b
は絶縁性基板1の入出力用導電性パターン5に、SAW
チップ3の前記グランド電極17は絶縁性基板1のグラ
ンド用導電性パターン6に、それぞれバンプ2を介して
TABボンディングすることにより接続される。また、
多電極SAW11a,11bは絶縁性基板1とは直接接
触せず、隙間19をもって絶縁性基板1と対向して、多
電極SAW11a,11bの振動が抑制されないように
なっている。
As shown in FIG. 3, the SAW chip 3 is arranged on the insulating substrate 1 with the multi-electrode SAWs 11a and 11b facing down, and the input / output electrodes 15a and 16b of the SAW chip 3 are arranged.
Indicates that the input / output conductive pattern 5 of the insulating substrate 1 has a SAW
The ground electrode 17 of the chip 3 is connected to the ground conductive pattern 6 of the insulating substrate 1 by TAB bonding via the bump 2. Also,
The multi-electrode SAWs 11a and 11b do not directly contact the insulating substrate 1, but face the insulating substrate 1 with a gap 19 so that vibration of the multi-electrode SAWs 11a and 11b is not suppressed.

【0026】一方、キャップ4内にはエポキシ系樹脂や
シリコンゴム系樹脂などからなる、例えば粘度が約20,0
00CPS以上の高粘度で接着性を有するシール剤20が
所定量注入されており、このキャップ4にSAWチップ
3付きの絶縁性基板1を被せ、図2に示しているように
キャップ4の脚部8を絶縁性基板1の凹部7に嵌入する
とともに、脚部8以外の開口端21を絶縁性基板1の周
縁22に当接する。これによって絶縁性基板1は過度に
内側に入り込むことなくキャップ4の開口部を塞ぎ、図
3に示す如くキャップ4の内側にSAWチップ3が収容
され、SAWチップ3とキャップ4の間にシール剤20
が充満される。なお、シール剤20は高粘度であるた
め、絶縁性基板1とSAWチップ3の隙間19までは浸
透せず、多電極SAW11a,11bの少なくとも主要
部(櫛型状電極1213a、反射器14)はシール剤2
0で覆われることなく、隙間19は確保されている。前
記切欠部9はシール剤20をパッケージ内に充満させる
際、余分なシール剤を外部に出す機能も有している。
On the other hand, the cap 4 is made of an epoxy resin or a silicone rubber resin, for example, having a viscosity of about
A predetermined amount of a sealing agent 20 having a high viscosity of not less than 00 CPS and having an adhesive property is injected, and the cap 4 is covered with the insulating substrate 1 with the SAW chip 3, and as shown in FIG. 8 is fitted into the concave portion 7 of the insulating substrate 1, and the opening end 21 other than the leg 8 is in contact with the peripheral edge 22 of the insulating substrate 1. As a result, the insulating substrate 1 closes the opening of the cap 4 without excessively entering the inside, and the SAW chip 3 is accommodated inside the cap 4 as shown in FIG. 20
Is charged. Since the sealant 20 has a high viscosity, the sealant 20 does not penetrate into the gap 19 between the insulating substrate 1 and the SAW chip 3 and at least the main parts (comb-shaped electrodes 1213a and the reflector 14) of the multi-electrode SAWs 11a and 11b are formed. Sealant 2
The gap 19 is secured without being covered with zero. The notch 9 also has a function of discharging excess sealant to the outside when the sealant 20 is filled in the package.

【0027】このようにしてシール剤20によりSAW
チップ3がキャップ4内で固定されるとともに、絶縁性
基板1とキャップ4の接合部が内側から気密にシールさ
れる。また金属製のキャップ4の場合は開口端21の一
部はグランド用導電性パターン6と接触して電気的に接
続され、外部との電磁気的遮断(電磁気的干渉)を一層
強化することができる。
In this manner, SAW is applied by the sealant 20.
The chip 3 is fixed in the cap 4, and the joint between the insulating substrate 1 and the cap 4 is hermetically sealed from the inside. In the case of the metal cap 4, a part of the opening end 21 is in contact with and electrically connected to the ground conductive pattern 6, so that electromagnetic interruption (electromagnetic interference) with the outside can be further enhanced. .

【0028】図5は、SAWチップ3を固定した場合
(実線)と固定しない場合(破線)の周波数特性を示す
図である。この図から明らかなようにSAWチップ3を
固定しない場合、チップ体積で決まる周波数間隔Δfで
厚み方向の縦振動が発生し、帯域外および帯域内の周波
数特性が劣化して、弾性表面波装置としての機能が十分
に発揮されない。これに対して本発明のようにSAWチ
ップ3をキャップ4内にしっかりと固定することによ
り、帯域外および帯域内の周波数特性が改善されて、弾
性表面波装置としての機能が十分に発揮できる。
FIG. 5 is a diagram showing frequency characteristics when the SAW chip 3 is fixed (solid line) and when it is not fixed (dashed line). As is apparent from this figure, when the SAW chip 3 is not fixed, a longitudinal vibration in the thickness direction occurs at a frequency interval Δf determined by the chip volume, and the out-of-band and in-band frequency characteristics are deteriorated. Function is not fully exhibited. On the other hand, by firmly fixing the SAW chip 3 in the cap 4 as in the present invention, the out-of-band and in-band frequency characteristics are improved, and the function as a surface acoustic wave device can be sufficiently exhibited.

【0029】図6は本発明の第2の実施の形態を示す図
で、絶縁性基板1として積層基板1a〜1cが用いら
れ、各積層基板1a〜1cに入出力用導電パターン5や
グランド用導電パターン6が形成され、入出力用導電パ
ターン5の一部が金属製のキャップ4と電気的に接続さ
れている。他の構成は前記第1の実施の形態と同様であ
るので、それらの説明は省略する。
FIG. 6 is a view showing a second embodiment of the present invention, wherein laminated substrates 1a to 1c are used as an insulating substrate 1, and each laminated substrate 1a to 1c has an input / output conductive pattern 5 and a ground. A conductive pattern 6 is formed, and a part of the input / output conductive pattern 5 is electrically connected to the metal cap 4. The other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description thereof is omitted.

【0030】図7は本発明の第3の実施の形態を示す図
で、この例の場合はシール剤20の注入量を前記第1の
実施の形態の場合よりも少なくしてさらに軽量化を図
り、SAWチップ3の裏面固定、ならびに絶縁性基板1
とキャップ4との接合部のシールとを行なっている。
FIG. 7 is a view showing a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the injection amount of the sealant 20 is made smaller than that in the first embodiment to further reduce the weight. The SAW chip 3 is fixed on the back surface and the insulating substrate 1
And the cap 4 is sealed at the joint.

【0031】図8ないし図12は本発明の第4の実施の
形態を示す図で、図8、図9、図10は絶縁性基板1の
上面図、側面図、下面図、図11はキャップ4の正面
図、図12は弾性表面波装置の縦断面図である。
FIGS. 8 to 12 show a fourth embodiment of the present invention. FIGS. 8, 9, and 10 are a top view, a side view, and a bottom view of the insulating substrate 1, and FIG. 4 is a front view, and FIG. 12 is a longitudinal sectional view of the surface acoustic wave device.

【0032】入出力用導電パターン5とグランド用導電
パターン6は絶縁性基板1の上面では図8のように、各
導電パターン5,6は絶縁性基板1の側端面を通り絶縁
性基板1の下面では図10のように、それぞれパターン
ニングされている。
The input / output conductive pattern 5 and the ground conductive pattern 6 are formed on the upper surface of the insulating substrate 1 as shown in FIG. The lower surface is patterned as shown in FIG.

【0033】図8に示すように絶縁性基板1の上面四隅
でグランド用導電パターン6上には、半田層23が印刷
により形成されている。そして図12のように金属製の
キャツプ4を絶縁性基板1に嵌合することにより、キャ
ツプ4の開口端21がグランド用導電パターン6と接触
し、さらにその後にリフローすることにより、前記半田
層23を溶融してキャツプ4とグランド用導電パターン
6との電気的な接続をより確実にしている。
As shown in FIG. 8, a solder layer 23 is formed on the ground conductive pattern 6 at the four corners of the upper surface of the insulating substrate 1 by printing. Then, as shown in FIG. 12, the metal cap 4 is fitted to the insulating substrate 1 so that the open end 21 of the cap 4 comes into contact with the ground conductive pattern 6 and then reflows to form the solder layer. By melting 23, the electrical connection between the cap 4 and the ground conductive pattern 6 is further ensured.

【0034】図13ないし図16は本発明の第5の実施
の形態を示す図で、図13と図14は絶縁性基板1の上
面図と下面図、図15は図13X−X線上における絶縁
性基板1の縦断面図である。
FIGS. 13 to 16 show a fifth embodiment of the present invention. FIGS. 13 and 14 are top and bottom views of the insulating substrate 1, and FIG. FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a conductive substrate 1.

【0035】入出力用導電パターン5とグランド用導電
パターン6は絶縁性基板1の上面では図13のようにパ
ターンニングされ、絶縁性基板1の下面では図14のよ
うにパターンニングされている。また絶縁性基板1は2
つのスルーホール24を有し、そのスルーホール24を
通して絶縁性基板1の上面側のグランド用導電パターン
6と下面側のグランド用導電パターン6が電気的に接続
されている(図15参照)。このようにスルーホール2
4を設けることにより、入出力間の電気的アイソレーシ
ョンを強化することで、帯域外の減衰度特性を一層改善
することができる。
The input / output conductive pattern 5 and the ground conductive pattern 6 are patterned on the upper surface of the insulating substrate 1 as shown in FIG. 13, and are patterned on the lower surface of the insulating substrate 1 as shown in FIG. The insulating substrate 1 is 2
There are two through holes 24, and the ground conductive pattern 6 on the upper surface side and the ground conductive pattern 6 on the lower surface side of the insulating substrate 1 are electrically connected through the through holes 24 (see FIG. 15). Thus, through hole 2
By providing 4, the electrical isolation between the input and the output is strengthened, so that the attenuation characteristics outside the band can be further improved.

【0036】図15に示すように絶縁性基板1の上面に
はグランド用導電パターン6が形成されているから、金
属製のキャップ4を絶縁性基板1に嵌合することにより
キャツプ4の開口端21がグランド用導電パターン6と
接触して電気的に接続される。なお必要があれば、前記
第4の実施の形態のようにキャツプ4の開口端21とグ
ランド用導電パターン6を半田23で電気的に接続する
こともできる。またキャツプ4とグランド用導電パター
ン6の半田による電気的な接続は、パッケージの外側で
行なうことも可能である。
Since the ground conductive pattern 6 is formed on the upper surface of the insulating substrate 1 as shown in FIG. 15, the metal cap 4 is fitted to the insulating substrate 1 so that the opening end of the cap 4 is opened. 21 is in contact with and electrically connected to the ground conductive pattern 6. If necessary, the open end 21 of the cap 4 and the ground conductive pattern 6 can be electrically connected by solder 23 as in the fourth embodiment. The electrical connection between the cap 4 and the ground conductive pattern 6 by soldering can also be made outside the package.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明は前述のように、シール層により
弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主要部を
覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ内に固
定するとともに、絶縁性基板との間に隙間を形成するこ
とにより、弾性表面波のロスがなく、帯域外および帯域
内の周波数特性が改善され、長期間にわたって優れた性
能を有する弾性表面波装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, the surface acoustic wave chip is fixed in the cap so as not to cover at least the main part of the electrode pattern of the surface acoustic wave chip with the sealing layer, and the sealing substrate is in contact with the insulating substrate. By forming a gap between the two, it is possible to provide a surface acoustic wave device that has no loss of surface acoustic waves, improves out-of-band and in-band frequency characteristics, and has excellent performance over a long period of time.

【0038】また、従来の構造で一般的に採用されてい
たシーム溶接に必要なシールリングの銀蝋付けという高
度で煩雑な工程が不要となり、材料費が低減でき、作業
効率の向上が図れる。
Further, a complicated and complicated process of silver brazing of a seal ring required for seam welding, which is generally employed in the conventional structure, is not required, so that material costs can be reduced and work efficiency can be improved.

【0039】さらにシール層をキャップ内に封じ込める
ことにより、パッケージの底面積を絶縁性基板とほぼ同
サイズにでき、装置の小型化、薄型化が可能となる。ま
たキャップ内に封じ込められたシール層は、SAWチッ
プの固定と気密封止の両方の機能を同時に発揮でき、こ
の点からもコストの低減が図れる。
Further, by enclosing the sealing layer in the cap, the bottom area of the package can be made substantially the same size as the insulating substrate, and the device can be made smaller and thinner. In addition, the sealing layer sealed in the cap can simultaneously exhibit both the function of fixing the SAW chip and the function of hermetic sealing, and the cost can be reduced from this point as well.

【0040】前記実施の形態のように弾性表面波チップ
をフェースダウン状態で絶縁性基板にバンプボンディン
グすることにより、ワイヤボンディングのスペースが不
要になり、その結果弾性表面波装置の小型化、薄型化が
図れる。
By bump-bonding the surface acoustic wave chip to the insulating substrate in a face-down state as in the above embodiment, a space for wire bonding becomes unnecessary, and as a result, the surface acoustic wave device can be made smaller and thinner. Can be achieved.

【0041】また前記実施の形態のように導電性のキャ
ップを用いることにより、外部との電磁気的干渉を排除
することができる。さらにそのキャップと絶縁性基板の
導電性パターンとを電気的に接続することにより、外部
との電磁気的遮断を一層強度にすることができるなどの
特長を有している。
Further, by using a conductive cap as in the above embodiment, electromagnetic interference with the outside can be eliminated. In addition, by electrically connecting the cap to the conductive pattern of the insulating substrate, electromagnetic shielding from the outside can be further enhanced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る弾性表面波装
置の分解斜視図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】組立が完了した状態での弾性表面波装置の斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view of the surface acoustic wave device in a state where assembly is completed.

【図3】その弾性表面波装置の縦断面図である。FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the surface acoustic wave device.

【図4】その弾性表面波装置におけるSAWチップの電
極パターンの拡大平面図である。
FIG. 4 is an enlarged plan view of an electrode pattern of a SAW chip in the surface acoustic wave device.

【図5】SAWチップを固定した場合と固定しない場合
における弾性表面波装置の周波数特性図である。
FIG. 5 is a frequency characteristic diagram of the surface acoustic wave device when a SAW chip is fixed and when it is not fixed.

【図6】本発明の第2の実施の形態に係る弾性表面波装
置の斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第3の実施の形態に係る弾性表面波装
置の断面図である。
FIG. 7 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to a third preferred embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第4の実施の形態に係る弾性表面波装
置に用いる絶縁性基板の上面図である。
FIG. 8 is a top view of an insulating substrate used for a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図9】その絶縁性基板の側面図である。FIG. 9 is a side view of the insulating substrate.

【図10】その絶縁性基板の下面図である。FIG. 10 is a bottom view of the insulating substrate.

【図11】その弾性表面波装置に用いるキャップの正面
図である。
FIG. 11 is a front view of a cap used in the surface acoustic wave device.

【図12】その弾性表面波装置の縦断面図である。FIG. 12 is a longitudinal sectional view of the surface acoustic wave device.

【図13】本発明の第5の実施の形態に係る弾性表面波
装置に用いる絶縁性基板の上面図である。
FIG. 13 is a top view of an insulating substrate used for a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図14】その絶縁性基板の下面図である。FIG. 14 is a bottom view of the insulating substrate.

【図15】図13X−X線上における絶縁性基板の断面
図である。
FIG. 15 is a sectional view of the insulating substrate taken along line XX of FIG. 13;

【図16】第1の従来例に係る弾性表面波装置の分解斜
視図である。
FIG. 16 is an exploded perspective view of a surface acoustic wave device according to a first conventional example.

【図17】その弾性表面波装置の縦断面図である。FIG. 17 is a longitudinal sectional view of the surface acoustic wave device.

【図18】第2の従来例に係る弾性表面波装置の縦断面
図である。
FIG. 18 is a longitudinal sectional view of a surface acoustic wave device according to a second conventional example.

【図19】第3の従来例に係る弾性表面波装置の縦断面
図である。
FIG. 19 is a longitudinal sectional view of a surface acoustic wave device according to a third conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 絶縁性基板 2 バンプ 3 SAWチップ 4 キャップ 5 入出力用導電性パターン 6 グランド用導電性パターン 7 凹部 8 脚部 9 切欠部 10 圧電性基板 11 多電極SAW 19 隙間 20 シール剤 21 開口端 22 周縁 23 半田層 24 スルーホール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Bump 3 SAW chip 4 Cap 5 Input / output conductive pattern 6 Ground conductive pattern 7 Concave portion 8 Leg 9 Notch 10 Piezoelectric substrate 11 Multi-electrode SAW 19 Gap 20 Sealant 21 Opening end 22 Peripheral edge 23 Solder layer 24 Through hole

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 圧電性基板の表面に電極パターンを設け
た弾性表面波チップと、 前記電極パターンと接続する導電性パターンを有し、電
極パターンとの間に隙間をもって弾性表面波チップと電
気的に接続する絶縁性基板と、 開口部を絶縁性基板と嵌合することにより前記弾性表面
波チップを内側に収容するキャップと、 前記弾性表面波チップの電極パターンの少なくとも主要
部を覆わないようにして弾性表面波チップをキャップ内
に固定するとともに、絶縁性基板の周辺部とキャップの
開口端との接合部をキャップの内側からシールする接着
性を有するシール層とを備えたことを特徴とする弾性表
面波装置。
1. A surface acoustic wave chip having an electrode pattern provided on a surface of a piezoelectric substrate, and a conductive pattern connected to the electrode pattern, wherein the surface acoustic wave chip is electrically connected to the electrode pattern with a gap between the electrode pattern. An insulating substrate connected to the surface acoustic wave chip, a cap for accommodating the surface acoustic wave chip inside by fitting an opening to the insulating substrate, and covering at least a main part of an electrode pattern of the surface acoustic wave chip. And a sealing layer having an adhesive property for sealing a joint between a peripheral portion of the insulating substrate and an opening end of the cap from inside the cap, while fixing the surface acoustic wave chip in the cap. Surface acoustic wave device.
【請求項2】 請求項1記載において、前記弾性表面波
チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パターンが
バンプを介して接続されていることを特徴とする弾性表
面波装置。
2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein an electrode pattern of the surface acoustic wave chip and a conductive pattern of an insulating substrate are connected via a bump.
【請求項3】 請求項1記載において、前記キャップが
導電性を有していることを特徴とする弾性表面波装置。
3. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the cap has conductivity.
【請求項4】 請求項3記載において、前記キャップが
絶縁性基板に設けられている導電性パターンと電気的に
接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
4. The surface acoustic wave device according to claim 3, wherein the cap is electrically connected to a conductive pattern provided on the insulating substrate.
【請求項5】 請求項1記載において、前記絶縁性基板
に第1の係合部が設けられ、前記キャップに第2の係合
部が設けられて、キャップの開口端に絶縁性基板を嵌合
することにより、前記第1の係合部と第2の係合部が係
合してキャップの開口端における絶縁性基板の位置決め
がなされることを特徴とする弾性表面波装置。
5. The insulating substrate according to claim 1, wherein a first engaging portion is provided on the insulating substrate, a second engaging portion is provided on the cap, and the insulating substrate is fitted to an opening end of the cap. The surface acoustic wave device is characterized in that the first engagement portion and the second engagement portion engage with each other to position the insulating substrate at the opening end of the cap.
【請求項6】 請求項1記載において、前記キャップの
一部に余剰シール剤を外側に逃がす逃がし部が設けられ
ていることを特徴とする弾性表面波装置。
6. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a relief portion is provided at a part of the cap to allow excess sealant to escape outward.
【請求項7】 請求項1記載において、前記絶縁性基板
の内側の導電性パターンと外側の導電性パターンを電気
的に接続するスルーホールが絶縁性基板に設けられてい
ることを特徴とする弾性表面波装置。
7. The elastic substrate according to claim 1, wherein a through hole for electrically connecting the conductive pattern inside and the conductive pattern outside the insulating substrate is provided in the insulating substrate. Surface wave device.
【請求項8】 弾性表面波チップの電極パターンと絶縁
性基板の導電性パターンが隙間を介して対面するように
して弾性表面波チップの電極パターンと絶縁性基板の導
電性パターンを電気的に接続する工程と、 キャップの内側に所定量のシール剤を注入する工程と、 前記弾性表面波チップ付きの絶縁性基板をキャップの開
口端に嵌合して、前記シール剤で弾性表面波チップをキ
ャップの内側で接着固定するとともに、絶縁性基板の周
辺部とキャップの開口端との接合部をキャップの内側か
らシールする工程とを有することを特徴とする弾性表面
波装置の製造方法。
8. The electrode pattern of the surface acoustic wave chip and the conductive pattern of the insulating substrate are electrically connected so that the electrode pattern of the surface acoustic wave chip and the conductive pattern of the insulating substrate face each other via a gap. And a step of injecting a predetermined amount of a sealant inside the cap; fitting the insulating substrate with the surface acoustic wave chip to an open end of the cap; and capping the surface acoustic wave chip with the sealant. And a step of sealing the joint between the peripheral portion of the insulating substrate and the opening end of the cap from the inside of the cap.
【請求項9】 請求項8記載において、前記弾性表面波
チップの電極パターンと絶縁性基板の導電性パターンが
バンプを介して接続されていることを特徴とする弾性表
面波装置の製造方法。
9. The method according to claim 8, wherein the electrode pattern of the surface acoustic wave chip and the conductive pattern of the insulating substrate are connected via a bump.
【請求項10】 請求項8記載において、前記キャップ
が導電性を有していることを特徴とする弾性表面波装置
の製造方法。
10. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 8, wherein said cap has conductivity.
【請求項11】 請求項10記載において、前記キャッ
プが絶縁性基板に設けられている導電性パターンと電気
的に接続されていることを特徴とする弾性表面波装置の
製造方法。
11. The method according to claim 10, wherein the cap is electrically connected to a conductive pattern provided on an insulating substrate.
【請求項12】 請求項8記載において、前記絶縁性基
板に第1の係合部が設けられ、前記キャップに第2の係
合部が設けられて、キャップの開口端に絶縁性基板を嵌
合することにより、前記第1の係合部と第2の係合部が
係合してキャップの開口端における絶縁性基板の位置決
めがなされることを特徴とする弾性表面波装置の製造方
法。
12. The insulating substrate according to claim 8, wherein a first engaging portion is provided on the insulating substrate, and a second engaging portion is provided on the cap, and the insulating substrate is fitted to an opening end of the cap. The method for manufacturing a surface acoustic wave device, wherein the first and second engaging portions engage with each other to position the insulating substrate at the open end of the cap.
【請求項13】 請求項8記載において、前記キャップ
の一部に余剰シール剤を外側に逃がす逃がし部が設けら
れていることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
13. The method for manufacturing a surface acoustic wave device according to claim 8, wherein an escape portion for allowing excess sealant to escape to the outside is provided in a part of the cap.
【請求項14】 請求項8記載において、前記絶縁性基
板の内側の導電性パターンと外側の導電性パターンを電
気的に接続するスルーホールが絶縁性基板に設けられて
いることを特徴とする弾性表面波装置の製造方法。
14. The elastic substrate according to claim 8, wherein a through hole for electrically connecting the conductive pattern inside and the conductive pattern outside the insulating substrate is provided in the insulating substrate. A method for manufacturing a surface acoustic wave device.
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WO2022118864A1 (en) * 2020-12-01 2022-06-09 京セラ株式会社 Element mounting substrate and saw sensor device

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