JPH10294115A - 固体電解質薄膜とその製造方法 - Google Patents
固体電解質薄膜とその製造方法Info
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- JPH10294115A JPH10294115A JP9103310A JP10331097A JPH10294115A JP H10294115 A JPH10294115 A JP H10294115A JP 9103310 A JP9103310 A JP 9103310A JP 10331097 A JP10331097 A JP 10331097A JP H10294115 A JPH10294115 A JP H10294115A
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- Fuel Cell (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気化学蒸着法では、酸化イットリウムを固
溶した酸化ジルコニウムに第三成分を添加することが困
難である。 【解決手段】 金属イットリウム(Y)を含む一酸化ジ
ルコニウム(ZrO)に対し、酸化アルミニウム(Al
2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr
2O3)、酸化鉄(Fe2O3)のうち少なくとも一種類以
上の第三成分を添加した電解質材料8に、高密度アーク
放電プラズマ流13を照射して加熱・蒸発させ、同時に
蒸発粒子をプラズマ化し、このプラズマ化した蒸発粒子
を多孔質状電極基板12上に供給し、酸素雰囲気下で多
孔質状電極基板12上に酸化イットリウム(Y2O3)
と、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(B
i2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe
2O3)のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸化ジルコ
ニウム(ZrO2)からなる固体電解質薄膜を形成す
る。
溶した酸化ジルコニウムに第三成分を添加することが困
難である。 【解決手段】 金属イットリウム(Y)を含む一酸化ジ
ルコニウム(ZrO)に対し、酸化アルミニウム(Al
2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr
2O3)、酸化鉄(Fe2O3)のうち少なくとも一種類以
上の第三成分を添加した電解質材料8に、高密度アーク
放電プラズマ流13を照射して加熱・蒸発させ、同時に
蒸発粒子をプラズマ化し、このプラズマ化した蒸発粒子
を多孔質状電極基板12上に供給し、酸素雰囲気下で多
孔質状電極基板12上に酸化イットリウム(Y2O3)
と、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(B
i2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe
2O3)のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸化ジルコ
ニウム(ZrO2)からなる固体電解質薄膜を形成す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、燃料電池に組込ま
れる固体電解質薄膜とその製造方法に関する。
れる固体電解質薄膜とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】固体電解質薄膜を組込んだ燃料電池に
は、電解質、燃料極および空気極が平板状の平板型固体
電解質型燃料電池と、電解質、燃料極および空気極が円
筒状の円筒型固体電解質型燃料電池がある。平板型固体
電解質型燃料電池としては、図3に示すように、固体電
解質100の両側に燃料極101と空気極102を取付
けて一つのユニットを構成し、セパレータ103を介し
てユニットを複数直列接続したものが知られている。
は、電解質、燃料極および空気極が平板状の平板型固体
電解質型燃料電池と、電解質、燃料極および空気極が円
筒状の円筒型固体電解質型燃料電池がある。平板型固体
電解質型燃料電池としては、図3に示すように、固体電
解質100の両側に燃料極101と空気極102を取付
けて一つのユニットを構成し、セパレータ103を介し
てユニットを複数直列接続したものが知られている。
【0003】固体電解質材料、燃料極材料、空気極材
料、セパレータ材料には、夫々酸化イットリウムを固溶
した酸化ジルコニウム、ニッケルと酸化ジルコニウムの
サーメット、酸化ストロンチウムを固溶したランタンマ
ンガナイト、酸化ストロンチウムや酸化マグネシウムを
固溶したランタンクロマイトが用いられる。固体電解質
100とセパレータ103の材料には、緻密であること
が要求される。
料、セパレータ材料には、夫々酸化イットリウムを固溶
した酸化ジルコニウム、ニッケルと酸化ジルコニウムの
サーメット、酸化ストロンチウムを固溶したランタンマ
ンガナイト、酸化ストロンチウムや酸化マグネシウムを
固溶したランタンクロマイトが用いられる。固体電解質
100とセパレータ103の材料には、緻密であること
が要求される。
【0004】平板型固体電解質型燃料電池の発電効率
は、構成材料の電流経路に沿った電気抵抗、即ち厚さ方
向の電気抵抗が小さいほど高くなる。構成材料のうち
で、最も電気抵抗率の高いのは、固体電解質材料である
から、固体電解質100は機械的強度、緻密性を確保し
た上で、できるだけ薄く作製することが要求される。
は、構成材料の電流経路に沿った電気抵抗、即ち厚さ方
向の電気抵抗が小さいほど高くなる。構成材料のうち
で、最も電気抵抗率の高いのは、固体電解質材料である
から、固体電解質100は機械的強度、緻密性を確保し
た上で、できるだけ薄く作製することが要求される。
【0005】これらの要求を満たす従来技術としては、
例えば多孔質電極基板上に固体電解質膜を作製する電気
化学蒸着法が知られている。この方法については、例え
ば高橋武彦著「燃料電池(1984)」に記載されてい
る。
例えば多孔質電極基板上に固体電解質膜を作製する電気
化学蒸着法が知られている。この方法については、例え
ば高橋武彦著「燃料電池(1984)」に記載されてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】酸化イットリウムを固
溶した酸化ジルコニウムに第三成分として酸化アルミニ
ウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化ク
ロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)などを添加する
ことにより、機械的強度の向上、緻密性の向上を図るこ
とが可能である。しかし、電気化学蒸着法では、これら
の第三成分を添加することが困難であるという問題点が
ある。
溶した酸化ジルコニウムに第三成分として酸化アルミニ
ウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化ク
ロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)などを添加する
ことにより、機械的強度の向上、緻密性の向上を図るこ
とが可能である。しかし、電気化学蒸着法では、これら
の第三成分を添加することが困難であるという問題点が
ある。
【0007】更に、電気化学蒸着法は、高価な金属塩化
物を原料として用いる、複雑な温度管理を必要とする、
微妙な圧力管理を必要とする、大面積の固体電解質膜を
作製できない、など多くの問題点も有している。
物を原料として用いる、複雑な温度管理を必要とする、
微妙な圧力管理を必要とする、大面積の固体電解質膜を
作製できない、など多くの問題点も有している。
【0008】本発明は、従来の技術が有するこのような
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、緻密で結晶性が高く熱的に安定で酸素イオン伝
導度の高い固体電解質薄膜と、その固体電解質薄膜の作
製が短時間で可能な製造方法を提供しようとするもので
ある。
問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、緻密で結晶性が高く熱的に安定で酸素イオン伝
導度の高い固体電解質薄膜と、その固体電解質薄膜の作
製が短時間で可能な製造方法を提供しようとするもので
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく請
求項1の固体電解質薄膜は、6〜12mol%の酸化イ
ットリウム(Y2O3)と、2〜20mol%の範囲で酸
化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi
2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)
のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸化ジルコニウム
(ZrO2)からなるものである。
求項1の固体電解質薄膜は、6〜12mol%の酸化イ
ットリウム(Y2O3)と、2〜20mol%の範囲で酸
化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi
2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)
のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸化ジルコニウム
(ZrO2)からなるものである。
【0010】請求項2の固体電解質薄膜の製造方法は、
高密度アーク放電プラズマ流を照射して電解質材料を加
熱・蒸発させ、同時に蒸発粒子をプラズマ化し、このプ
ラズマ化した蒸発粒子を多孔質状電極基板上に供給して
電解質薄膜を形成する方法において、前記電解質材料が
7〜11wt%の金属イットリウム(Y)を含む一酸化
ジルコニウム(ZrO)の導電性材料に対して酸化アル
ミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸
化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)のうち少な
くとも一種類以上の第三成分を、その総量が2〜12w
t%となるように添加した材料であって、酸素雰囲気下
で前記多孔質状電極基板上に6〜12mol%の酸化イ
ットリウム(Y2O3)と、2〜20mol%の範囲で酸
化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi
2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)
のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸化ジルコニウム
(ZrO2)からなる固体電解質薄膜を形成するもので
ある。
高密度アーク放電プラズマ流を照射して電解質材料を加
熱・蒸発させ、同時に蒸発粒子をプラズマ化し、このプ
ラズマ化した蒸発粒子を多孔質状電極基板上に供給して
電解質薄膜を形成する方法において、前記電解質材料が
7〜11wt%の金属イットリウム(Y)を含む一酸化
ジルコニウム(ZrO)の導電性材料に対して酸化アル
ミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸
化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)のうち少な
くとも一種類以上の第三成分を、その総量が2〜12w
t%となるように添加した材料であって、酸素雰囲気下
で前記多孔質状電極基板上に6〜12mol%の酸化イ
ットリウム(Y2O3)と、2〜20mol%の範囲で酸
化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi
2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)
のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸化ジルコニウム
(ZrO2)からなる固体電解質薄膜を形成するもので
ある。
【0011】請求項3の固体電解質薄膜の製造方法は、
請求項2の固体電解質薄膜の製造方法において、前記ア
ーク放電プラズマ流がArガスとO2ガスの混合ガスか
ら成るプラズマであって、その酸素分圧が0.35mT
orr〜0.85mTorrとした。
請求項2の固体電解質薄膜の製造方法において、前記ア
ーク放電プラズマ流がArガスとO2ガスの混合ガスか
ら成るプラズマであって、その酸素分圧が0.35mT
orr〜0.85mTorrとした。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図1は本発明の方法
を実施する成膜装置の概略構成図、図2は本発明の方法
により多孔質電極基板上に形成された固体電解質薄膜の
粒子構造を示す走査電子顕微鏡写真である。
図面に基づいて説明する。ここで、図1は本発明の方法
を実施する成膜装置の概略構成図、図2は本発明の方法
により多孔質電極基板上に形成された固体電解質薄膜の
粒子構造を示す走査電子顕微鏡写真である。
【0013】成膜装置は、図1に示すように、真空容器
1と、真空容器1の内部に設置された坩堝2及び永久磁
石3と、真空容器1の側面に設置されたプラズマ発生陰
極4、中間電極5及び空芯コイル6などを備えている。
1と、真空容器1の内部に設置された坩堝2及び永久磁
石3と、真空容器1の側面に設置されたプラズマ発生陰
極4、中間電極5及び空芯コイル6などを備えている。
【0014】真空容器1の内部は、真空排気ポンプ(不
図示)により排気口7から真空排気される。坩堝2は放
電陽極を兼ねており、蒸発させるための材料8が装填さ
れる。坩堝2の直下には水冷機構を具備した永久磁石3
が配置され、これにより垂直方向の磁場BVが形成され
る。
図示)により排気口7から真空排気される。坩堝2は放
電陽極を兼ねており、蒸発させるための材料8が装填さ
れる。坩堝2の直下には水冷機構を具備した永久磁石3
が配置され、これにより垂直方向の磁場BVが形成され
る。
【0015】真空容器1の側面に設置されたプラズマ発
生陰極4は、TaパイプとLaB6の複合陰極からな
り、プラズマ発生陰極4には放電ガスを導入するための
放電ガス導入口9が設けられている。また、中間電極5
はプラズマを真空容器1内部に引き出すためのもので、
空芯コイル6は水平方向の磁場BHを発生させるための
ものである。
生陰極4は、TaパイプとLaB6の複合陰極からな
り、プラズマ発生陰極4には放電ガスを導入するための
放電ガス導入口9が設けられている。また、中間電極5
はプラズマを真空容器1内部に引き出すためのもので、
空芯コイル6は水平方向の磁場BHを発生させるための
ものである。
【0016】プラズマ発生陰極4と放電陽極を兼ねた坩
堝2は、低電圧・大電流の直流電源10によって電気的
に接続されており、プラズマ発生陰極4と坩堝2との間
に直流電圧を印加することによって大電流のプラズマ流
13が発生する。そして、中間電極5によって真空容器
1内部に引き出されたプラズマ流13は、空芯コイル6
による水平方向の磁場BHと坩堝2直下の永久磁石3に
よる垂直方向の磁場BVの合成磁場により坩堝2直上で
90度に曲げられ、坩堝2内の電解質材料8に照射され
る。
堝2は、低電圧・大電流の直流電源10によって電気的
に接続されており、プラズマ発生陰極4と坩堝2との間
に直流電圧を印加することによって大電流のプラズマ流
13が発生する。そして、中間電極5によって真空容器
1内部に引き出されたプラズマ流13は、空芯コイル6
による水平方向の磁場BHと坩堝2直下の永久磁石3に
よる垂直方向の磁場BVの合成磁場により坩堝2直上で
90度に曲げられ、坩堝2内の電解質材料8に照射され
る。
【0017】成膜する際に真空容器1内部に導入する酸
素ガスは、真空容器1の側面に設けられたガス導入口1
1から導入される。また、薄膜を形成する多孔質状電極
基板12は、坩堝2の直上に配置される。
素ガスは、真空容器1の側面に設けられたガス導入口1
1から導入される。また、薄膜を形成する多孔質状電極
基板12は、坩堝2の直上に配置される。
【0018】以上のように構成した成膜装置の作用につ
いて説明する。放電ガス導入口9から放電ガスを真空容
器1内部に導入した後、真空容器1の側面に設けたプラ
ズマ発生陰極4と、放電陽極を兼ねた坩堝2内の電解質
材料8との間に直流電源10により直流電圧を印加す
る。
いて説明する。放電ガス導入口9から放電ガスを真空容
器1内部に導入した後、真空容器1の側面に設けたプラ
ズマ発生陰極4と、放電陽極を兼ねた坩堝2内の電解質
材料8との間に直流電源10により直流電圧を印加す
る。
【0019】すると、大電流直流アーク放電プラズマ流
13が発生して電解質材料8に照射し、電解質材料8の
加熱・蒸発・プラズマ化が起こる。この時、金属イット
リウム(Y)を含んだ一酸化ジルコニウム(ZrO)
は、室温で電気伝導性があるために、安定した放電を持
続することができる。
13が発生して電解質材料8に照射し、電解質材料8の
加熱・蒸発・プラズマ化が起こる。この時、金属イット
リウム(Y)を含んだ一酸化ジルコニウム(ZrO)
は、室温で電気伝導性があるために、安定した放電を持
続することができる。
【0020】また、第三成分として添加した酸化アルミ
ニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化
クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)は、固体電解
質薄膜の結晶粒界の生成を抑制するように作用する。
ニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化
クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)は、固体電解
質薄膜の結晶粒界の生成を抑制するように作用する。
【0021】更に、真空容器1内部に酸素ガスをガス導
入口11から導入し、高密度プラズマ中で活性化された
酸素雰囲気下で成膜を行うことによって多孔質状電極基
板12表面上に結晶性が高く、熱的に安定で、酸素イオ
ン伝導性の高い、緻密な固体電解質薄膜が形成される。
入口11から導入し、高密度プラズマ中で活性化された
酸素雰囲気下で成膜を行うことによって多孔質状電極基
板12表面上に結晶性が高く、熱的に安定で、酸素イオ
ン伝導性の高い、緻密な固体電解質薄膜が形成される。
【0022】また、電解質材料8に照射するプラズマ流
13は、150A以上の大電流プラズマであるために、
電解質材料8の蒸発速度を高めることが可能となり、か
つ放電形態がアーク放電であるために高密度なプラズマ
の発生を可能にし、短時間で多孔質状電極基板12に緻
密な固体電解質薄膜が形成される。
13は、150A以上の大電流プラズマであるために、
電解質材料8の蒸発速度を高めることが可能となり、か
つ放電形態がアーク放電であるために高密度なプラズマ
の発生を可能にし、短時間で多孔質状電極基板12に緻
密な固体電解質薄膜が形成される。
【0023】本発明における膜形成手段は、材料を加熱
・蒸発させて薄膜を形成する蒸着技術の一種であるた
め、蒸発材料の組成は容易に変更することができ、一酸
化ジルコニウム(ZrO)に第二成分としての金属イッ
トリウム(Y)や、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸
化ビスマス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸
化鉄(Fe2O3)のうち少なくとも一種類以上の第三成
分の添加を容易にすることができる。
・蒸発させて薄膜を形成する蒸着技術の一種であるた
め、蒸発材料の組成は容易に変更することができ、一酸
化ジルコニウム(ZrO)に第二成分としての金属イッ
トリウム(Y)や、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸
化ビスマス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸
化鉄(Fe2O3)のうち少なくとも一種類以上の第三成
分の添加を容易にすることができる。
【0024】また、本発明で使用できる高密度アーク放
電プラズマ流の発生装置としては、例えば「真空第25
巻第10号(1982年発刊)」に記載された複合陰極
型プラズマ発生装置と圧力勾配型プラズマ発生装置を組
み合わせた放電陰極を用いることができるが、大電流の
アーク放電プラズマ流を発生できる装置であれば特に限
定するものではない。
電プラズマ流の発生装置としては、例えば「真空第25
巻第10号(1982年発刊)」に記載された複合陰極
型プラズマ発生装置と圧力勾配型プラズマ発生装置を組
み合わせた放電陰極を用いることができるが、大電流の
アーク放電プラズマ流を発生できる装置であれば特に限
定するものではない。
【0025】(実施例1)金属イットリウム(Y)を含
む一酸化ジルコニウム(ZrO)に対して酸化アルミニ
ウム(Al2O3)を第三成分として添加した電解質材料
8を蒸発源として、以下の手順に従ってニッケル(N
i)と酸化ジルコニウム(ZrO)のサーメットで形成
された多孔質状電極基板12上に固体電解質薄膜を形成
し、形成された固体電解質薄膜の酸素イオン伝導性、緻
密性および組成を評価した。
む一酸化ジルコニウム(ZrO)に対して酸化アルミニ
ウム(Al2O3)を第三成分として添加した電解質材料
8を蒸発源として、以下の手順に従ってニッケル(N
i)と酸化ジルコニウム(ZrO)のサーメットで形成
された多孔質状電極基板12上に固体電解質薄膜を形成
し、形成された固体電解質薄膜の酸素イオン伝導性、緻
密性および組成を評価した。
【0026】緻密性については、室温における窒素ガス
の透過量測定により評価した。また、膜の組成は、同時
に石英基板上に形成したものをICP分析(誘導結合型
プラズマ発光分光分析法)により同定する方法を用い
た。
の透過量測定により評価した。また、膜の組成は、同時
に石英基板上に形成したものをICP分析(誘導結合型
プラズマ発光分光分析法)により同定する方法を用い
た。
【0027】真空容器1内部を真空排気ポンプによっ
て、5×10-6Torr以下の圧力に排気した後、放電
ガス導入口9から放電ガスとしてArガスを30scc
m導入し、プラズマ発生陰極4と坩堝2との間に電流が
200Aの直流電力を供給し、大電流のアーク放電プラ
ズマ流を生成する。坩堝2内には、蒸発させる電解質材
料8として、金属イットリウム(Y)が一酸化ジルコニ
ウム(ZrO)に対してある割合で含有する材料を装填
する。
て、5×10-6Torr以下の圧力に排気した後、放電
ガス導入口9から放電ガスとしてArガスを30scc
m導入し、プラズマ発生陰極4と坩堝2との間に電流が
200Aの直流電力を供給し、大電流のアーク放電プラ
ズマ流を生成する。坩堝2内には、蒸発させる電解質材
料8として、金属イットリウム(Y)が一酸化ジルコニ
ウム(ZrO)に対してある割合で含有する材料を装填
する。
【0028】プラズマ発生陰極4によって生成したプラ
ズマ流13を中間電極5と空芯コイル6によって真空容
器1内部に導いた後、永久磁石3で形成される磁場BV
によって電解質材料8の中心に照射して、電解質材料8
の加熱・蒸発を行った。この時、ガス導入口11から約
200sccmの酸素ガスを真空容器1内に導入し、酸
素ガスと蒸発粒子を反応させて、坩堝2の直上に配置し
た基板12上に約60分間の薄膜形成を実施した。
ズマ流13を中間電極5と空芯コイル6によって真空容
器1内部に導いた後、永久磁石3で形成される磁場BV
によって電解質材料8の中心に照射して、電解質材料8
の加熱・蒸発を行った。この時、ガス導入口11から約
200sccmの酸素ガスを真空容器1内に導入し、酸
素ガスと蒸発粒子を反応させて、坩堝2の直上に配置し
た基板12上に約60分間の薄膜形成を実施した。
【0029】酸素ガスを導入する前の真空容器1内部の
圧力は、真空排気速度とArガス流量によって決定さ
れ、この時の圧力は、2.5×10-4Torrであっ
た。酸素ガスを導入した後の圧力、即ち成膜最中の圧力
は、7.5×10-4Torrであった。電解質材料8の
組成、即ち一酸化ジルコニウム(ZrO)に対する金属
イットリウム(Y)と酸化アルミニウム(Al2O3)の
含有量を変えて、固体電解質薄膜を形成した結果を以下
に示す表1にまとめた。
圧力は、真空排気速度とArガス流量によって決定さ
れ、この時の圧力は、2.5×10-4Torrであっ
た。酸素ガスを導入した後の圧力、即ち成膜最中の圧力
は、7.5×10-4Torrであった。電解質材料8の
組成、即ち一酸化ジルコニウム(ZrO)に対する金属
イットリウム(Y)と酸化アルミニウム(Al2O3)の
含有量を変えて、固体電解質薄膜を形成した結果を以下
に示す表1にまとめた。
【0030】
【表1】
【0031】表1に示すように、固体電解質薄膜中の酸
化イットリウム(Y2O3)の濃度が6〜12mol%、
酸化アルミニウム(Al2O3)の濃度が2〜20mol
%の範囲で良好な酸素イオン伝導性と緻密性が得られ、
薄膜燃料電池に用いる固体電解質薄膜として好ましい特
性を有する。
化イットリウム(Y2O3)の濃度が6〜12mol%、
酸化アルミニウム(Al2O3)の濃度が2〜20mol
%の範囲で良好な酸素イオン伝導性と緻密性が得られ、
薄膜燃料電池に用いる固体電解質薄膜として好ましい特
性を有する。
【0032】一方、酸化イットリウム(Y2O3)の濃度
が5mol%以下や13mol%以上である場合には、
約1000℃の加熱時に固体電解質薄膜の相変態に伴
い、薄膜中にクラックが生じた結果、ガス遮蔽性の低下
が発生したため、本発明の用途である薄膜燃料電池に用
いる固体電解質薄膜としては好ましくない。
が5mol%以下や13mol%以上である場合には、
約1000℃の加熱時に固体電解質薄膜の相変態に伴
い、薄膜中にクラックが生じた結果、ガス遮蔽性の低下
が発生したため、本発明の用途である薄膜燃料電池に用
いる固体電解質薄膜としては好ましくない。
【0033】固体電解質薄膜中の第三成分である酸化ア
ルミニウム(Al2O3)が2mol%以下の場合は、固
体電解質薄膜の結晶粒界の生成を抑制する効果が不十分
であるために、ガス遮蔽性能が十分に得られないので、
やはり本発明の用途である薄膜燃料電池に用いる固体電
解質薄膜としては好ましくない。また、酸化アルミニウ
ム(Al2O3)が21mol%以上の場合には、ガス遮
蔽性能は良好な特性を有するが、酸素イオン伝導性が低
下するために本発明の用途である薄膜燃料電池に用いる
固体電解質薄膜には適さない。
ルミニウム(Al2O3)が2mol%以下の場合は、固
体電解質薄膜の結晶粒界の生成を抑制する効果が不十分
であるために、ガス遮蔽性能が十分に得られないので、
やはり本発明の用途である薄膜燃料電池に用いる固体電
解質薄膜としては好ましくない。また、酸化アルミニウ
ム(Al2O3)が21mol%以上の場合には、ガス遮
蔽性能は良好な特性を有するが、酸素イオン伝導性が低
下するために本発明の用途である薄膜燃料電池に用いる
固体電解質薄膜には適さない。
【0034】図2に9wt%の金属イットリウム(Y)
と5wt%の酸化アルミニウム(Al2O3)を含む電解
質材料8を用いて多孔質状電極基板12上に作製した固
体電解質薄膜の断面SEM観察写真を示す。図2から約
20μmに渡り、結晶粒界の無い緻密な薄膜が形成され
ていることがわかる。
と5wt%の酸化アルミニウム(Al2O3)を含む電解
質材料8を用いて多孔質状電極基板12上に作製した固
体電解質薄膜の断面SEM観察写真を示す。図2から約
20μmに渡り、結晶粒界の無い緻密な薄膜が形成され
ていることがわかる。
【0035】(実施例2)一酸化ジルコニウム(Zr
O)に対して9wt%の金属イットリウム(Y)を含む
材料に対し、第三成分として5wt%の酸化ビスマス
(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe
2O3)を添加した材料を用いて実施例1と同様の方法で
固体電解質薄膜を作製し、評価を行なった。
O)に対して9wt%の金属イットリウム(Y)を含む
材料に対し、第三成分として5wt%の酸化ビスマス
(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe
2O3)を添加した材料を用いて実施例1と同様の方法で
固体電解質薄膜を作製し、評価を行なった。
【0036】いずれの場合にも、実施例1に示した酸化
アルミニウム(Al2O3)の場合と同様に、良好な酸素
イオン伝導性とガス遮蔽性を有し、本発明の用途である
薄膜燃料電池に適した固体電解質薄膜であると判断され
た。実施例2における結果を以下に示す表2にまとめ
た。
アルミニウム(Al2O3)の場合と同様に、良好な酸素
イオン伝導性とガス遮蔽性を有し、本発明の用途である
薄膜燃料電池に適した固体電解質薄膜であると判断され
た。実施例2における結果を以下に示す表2にまとめ
た。
【0037】
【表2】
【0038】(実施例3)一酸化ジルコニウム(Zr
O)に対して9wt%の金属イットリウム(Y)を含む
材料に対し、第三成分として5wt%の酸化アルミニウ
ム(Al2O3)を添加した材料を用い、実施例1に示し
た方法のうち酸素分圧が0.3mTorrと0.9mT
orrの条件で石英ガラス上に固体電解質薄膜を形成し
た。
O)に対して9wt%の金属イットリウム(Y)を含む
材料に対し、第三成分として5wt%の酸化アルミニウ
ム(Al2O3)を添加した材料を用い、実施例1に示し
た方法のうち酸素分圧が0.3mTorrと0.9mT
orrの条件で石英ガラス上に固体電解質薄膜を形成し
た。
【0039】酸素分圧が0.3mTorrの場合は、薄
膜に強い光学吸収が観察され、さらにX線回折法により
結晶性を評価したところ、わずかに安定化ジルコニウム
(YSZ)の回折パターンがみられるものの、結晶性の
低い薄膜であることが明らかとなった。
膜に強い光学吸収が観察され、さらにX線回折法により
結晶性を評価したところ、わずかに安定化ジルコニウム
(YSZ)の回折パターンがみられるものの、結晶性の
低い薄膜であることが明らかとなった。
【0040】酸素分圧が0.9mTorrの場合には、
透明な薄膜が得られるものの、成膜雰囲気に酸素が過剰
に供給されたために、蒸発した電解質材料8そのものが
酸化されてしまった結果、蒸発材料の電気伝導性の低下
が起こり放電の不安定性が発生した。この放電の不安定
性が原因で成膜速度は、酸素分圧が0.5mTorrの
場合の約60%にまで低下してしまった。これらの結果
から本発明における最適な酸素分圧は、0.35mTo
rr〜0.85mTorrであると判断できる。
透明な薄膜が得られるものの、成膜雰囲気に酸素が過剰
に供給されたために、蒸発した電解質材料8そのものが
酸化されてしまった結果、蒸発材料の電気伝導性の低下
が起こり放電の不安定性が発生した。この放電の不安定
性が原因で成膜速度は、酸素分圧が0.5mTorrの
場合の約60%にまで低下してしまった。これらの結果
から本発明における最適な酸素分圧は、0.35mTo
rr〜0.85mTorrであると判断できる。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように請求項1に係る固体
電解質薄膜によれば、酸化イットリウム(Y2O3)を固
溶した酸化ジルコニウム(ZrO2)に第三成分とし
て、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(B
i2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe
2O3)などを添加することにより、機械的強度が向上
し、緻密性が向上する。
電解質薄膜によれば、酸化イットリウム(Y2O3)を固
溶した酸化ジルコニウム(ZrO2)に第三成分とし
て、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(B
i2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe
2O3)などを添加することにより、機械的強度が向上
し、緻密性が向上する。
【0042】また、請求項2又は3に係る固体電解質薄
膜の製造方法によれば、酸化イットリウム(Y2O3)を
固溶した酸化ジルコニウム(ZrO2)に第三成分とし
て、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(B
i2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe
2O3)などを添加することにより、多孔質状電極基板上
に、機械的強度の向上、緻密性の向上を可能にする固体
電解質薄膜を作製することができる。
膜の製造方法によれば、酸化イットリウム(Y2O3)を
固溶した酸化ジルコニウム(ZrO2)に第三成分とし
て、酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマス(B
i2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe
2O3)などを添加することにより、多孔質状電極基板上
に、機械的強度の向上、緻密性の向上を可能にする固体
電解質薄膜を作製することができる。
【図1】本発明の方法を実施する成膜装置の概略構成図
【図2】本発明の方法により多孔質電極基板上に形成さ
れた固体電解質薄膜の粒子構造を示す走査電子顕微鏡写
真
れた固体電解質薄膜の粒子構造を示す走査電子顕微鏡写
真
【図3】平板型固体電解質型燃料電池のセル構造を示す
図
図
1…真空容器、2…坩堝、3…永久磁石、4…プラズマ
発生陰極、5…中間電極、6…空芯コイル、8…電解質
材料、9…放電ガス導入口、10…直流電源、12…多
孔質状電極基板、13…プラズマ流。
発生陰極、5…中間電極、6…空芯コイル、8…電解質
材料、9…放電ガス導入口、10…直流電源、12…多
孔質状電極基板、13…プラズマ流。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 菱沼 祐一 神奈川県横浜市金沢区釜利谷東6丁目36番 1号 (72)発明者 荻野 悦男 大阪府大阪市中央区道修町3丁目5番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 豊島 隆之 大阪府大阪市中央区道修町3丁目5番11号 日本板硝子株式会社内 (72)発明者 中井 日出海 大阪府大阪市中央区道修町3丁目5番11号 日本板硝子株式会社内
Claims (3)
- 【請求項1】 6〜12mol%の酸化イットリウム
(Y2O3)と、2〜20mol%の範囲で酸化アルミニ
ウム(Al2O3)、酸化ビスマス(Bi2O3)、酸化ク
ロム(Cr2O3)、酸化鉄(Fe2O3)のうち少なくと
も一種類以上を含んだ酸化ジルコニウム(ZrO2)か
らなることを特徴とする固体電解質薄膜。 - 【請求項2】 高密度アーク放電プラズマ流を照射して
電解質材料を加熱・蒸発させ、同時に蒸発粒子をプラズ
マ化し、このプラズマ化した蒸発粒子を多孔質状電極基
板上に供給して電解質薄膜を形成する方法において、前
記電解質材料が7〜11wt%の金属イットリウム
(Y)を含む一酸化ジルコニウム(ZrO)の導電性材
料に対して酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化ビスマ
ス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化鉄(F
e2O3)のうち少なくとも一種類以上の第三成分を、そ
の総量が2〜12wt%となるように添加した材料であ
って、酸素雰囲気下で前記多孔質状電極基板上に6〜1
2mol%の酸化イットリウム(Y2O3)と、2〜20
mol%の範囲で酸化アルミニウム(Al2O3)、酸化
ビスマス(Bi2O3)、酸化クロム(Cr2O3)、酸化
鉄(Fe2O3)のうち少なくとも一種類以上を含んだ酸
化ジルコニウム(ZrO2)からなる固体電解質薄膜を
形成することを特徴とする固体電解質薄膜の製造方法。 - 【請求項3】 前記アーク放電プラズマ流がArガスと
O2ガスの混合ガスから成るプラズマであって、その酸
素分圧が0.35mTorr〜0.85mTorrであ
る請求項2記載の固体電解質薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9103310A JPH10294115A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 固体電解質薄膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9103310A JPH10294115A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 固体電解質薄膜とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10294115A true JPH10294115A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14350649
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9103310A Pending JPH10294115A (ja) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | 固体電解質薄膜とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10294115A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002019455A3 (de) * | 2000-08-30 | 2003-06-05 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen einer festkeramischen brennstoffzelle |
JP2007299767A (ja) * | 2007-07-18 | 2007-11-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 固体電解質型燃料電池用電解質材料、固体電解質型燃料電池セル及びこれらの製造方法 |
CN117534462A (zh) * | 2023-12-06 | 2024-02-09 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种制备钇掺杂的氧化锆空心颗粒的方法 |
-
1997
- 1997-04-21 JP JP9103310A patent/JPH10294115A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2002019455A3 (de) * | 2000-08-30 | 2003-06-05 | Siemens Ag | Verfahren zum herstellen einer festkeramischen brennstoffzelle |
US7141271B2 (en) | 2000-08-30 | 2006-11-28 | Siemens Power Generation, Inc. | Method for producing a solid ceramic fuel cell |
JP2007299767A (ja) * | 2007-07-18 | 2007-11-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 固体電解質型燃料電池用電解質材料、固体電解質型燃料電池セル及びこれらの製造方法 |
CN117534462A (zh) * | 2023-12-06 | 2024-02-09 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种制备钇掺杂的氧化锆空心颗粒的方法 |
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