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JPH10282501A - 配向膜、その形成方法及び該配向膜を採用した液晶表示素子 - Google Patents

配向膜、その形成方法及び該配向膜を採用した液晶表示素子

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JPH10282501A
JPH10282501A JP9359447A JP35944797A JPH10282501A JP H10282501 A JPH10282501 A JP H10282501A JP 9359447 A JP9359447 A JP 9359447A JP 35944797 A JP35944797 A JP 35944797A JP H10282501 A JPH10282501 A JP H10282501A
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JP
Japan
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resin layer
thermosetting resin
liquid crystal
layer
crystal display
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9359447A
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English (en)
Inventor
Oso Ri
應 相 李
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Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Devices Co Ltd
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Publication date
Application filed by Samsung Display Devices Co Ltd filed Critical Samsung Display Devices Co Ltd
Publication of JPH10282501A publication Critical patent/JPH10282501A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 配向膜、その形成方法及び該配向膜を採用し
た液晶表示素子を提供する。 【解決手段】 マイクログルーブが形成された熱硬化性
樹脂層と、その上部にコーティングされた光配向性高分
子層とを含むことにより、熱的安定性が著しく改善さ
れ、表示性能の向上した液晶表示素子を得ることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子に係
り、特に配向性と熱的安定性に優れた配向膜、該配向膜
を形成する方法及び該配向膜を採用する液晶表示素子に
関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶(liquid crys
tal)とは液体の流動性と結晶の光学的性質を兼備し
た物質のことであり、電界または熱により光学的異方性
が変化する。このような液晶の性質を用いた表示素子と
して液晶表示素子がある。
【0003】図1は一般的な液晶表示素子の構造を示す
断面図である。これを参照すれば、上,下の一対の透明
基板12及び12’の上部には透明電極13及び13’
が形成されており、前記透明電極13及び13’の上部
には絶縁層14及び14’と配向膜15及び15’が各
々形成されている。
【0004】前記上部透明基板12と下部透明基板1
2’の間にはスペーサ16があって、セルギャップを一
定の厚さに保っており、このセルギャップには液晶層1
7が形成されている。
【0005】一方、前記基板12及び12’の外側面に
は入射光の偏光のための偏光板11及び11’が各々設
けられている。
【0006】前述のような構造の液晶表示素子におい
て、光透過性、応答時間、視野角、コントラストなどの
表示素子としての性能は、液晶分子の配列特性に応じて
決められる。したがって、液晶分子の配向を均一に制御
することは非常に重要である。
【0007】液晶の均一な配向状態は、単に液晶を上,
下基板の間に介在させるだけでは得られ難いことから、
図1に示される液晶表示素子の構造からわかるように、
透明電極12及び12’の上部に配向膜15及び15’
が形成されている。
【0008】前記配向膜は、ポリイミド、ポリアミドな
どの有機高分子物質からなる薄膜を基板上に形成して硬
化した後、特殊な形態の布でラビングする方法により形
成されることが多い。
【0009】前記配向膜の形成方法は、施しやすくかつ
工程が簡単であるという長所を有する。しかしながら、
ラビング時に用いられた特殊な形態の布から微細粒子ま
たは繊維素が離脱して配向膜を汚染させる場合があり、
配向膜の材料に応じて配向が十分に行われない場合があ
る上に、ラビング時に発生する静電気により薄膜トラン
ジスタなどが損なわれる問題点があった。
【0010】前述の問題点を解決するために、ほこりや
静電気を発生させることなく工程が清潔に行われる光配
向方法が開発された。この方法は非破壊的な配向方法で
あり、偏光された光が光配向膜に照射されれば非等方性
光重合が起こって光配向膜が配向性を有するようにな
り、液晶が均一に配向する。
【0011】前記光配向膜形成用の高分子としてはポリ
ビニルシンナメート(以下、PVCNともいう)、ポリ
ビニルメトキシシンナメート(以下、PVMCともい
う)などが主に用いられるが、このような高分子は光配
向性には非常に優れているが熱的安定性に劣るという問
題があった。すなわち、配向膜の熱的安定性は高分子の
熱的安定性に応じて左右され、これは高分子のガラス転
移温度と架橋密度に頼るが、ポリシンナメート系の高分
子はガラス転移温度が通常100℃以下であり、固体状
態で50%以上光反応させるのが難しいので架橋密度を
増加させるには限界があり、配向膜の熱的安定性が落ち
る。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点を解決するために案出されたものであり、熱的安
定性に非常に優れた配向膜を提供することにその目的が
ある。
【0013】また、本発明の他の目的は前記配向膜の形
成方法を提供することにある。
【0014】さらに、本発明の他の目的は前記配向膜を
採用した液晶表示素子を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明の配向膜は、マイクログルーブ(または微細
なみぞ)の形成された熱硬化性樹脂層と、その上部にコ
ーティングされた光配向性高分子層とを含むことを特徴
とする。
【0016】また、本発明の他の目的を達成するために
本発明の配向膜の形成方法は、(a)電極が形成されて
いる基板上に熱硬化性樹脂層を形成する段階と、(b)
前記熱硬化性樹脂層の表面にマイクログルーブを形成す
る段階と、(c)マイクログルーブの形成された熱硬化
性樹脂層の上部に光配向性高分子をコーティングし、そ
の後紫外線を照射する段階とを含むことを特徴とする。
【0017】さらに、本発明の他の目的を達成するため
に本発明の液晶表示素子は、上,下基板、前記基板に各
々形成されている透明電極及び前記透明電極の上部に各
々形成された配向膜を含む液晶表示素子において、前記
配向膜が熱硬化性樹脂層と光配向性高分子層を含む二層
構造であることを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明の一実施態様によれば、配
向膜は熱硬化性樹脂層と光配向性高分子層の二層構造か
らなっている。したがって、配向膜の熱的安定性と液晶
の配向安全性が著しく改善される。この際、マイクログ
ルーブの形成による配向膜の配向方向と光の照射による
配向膜の配向方向が相互一致するように適切に制御する
ことが望ましい。また、マイクログルーブは層全面に形
成することが最も好ましい。
【0019】以下、図2を参照して、本発明による配向
膜、その形成方法及び前記配向膜を具備している液晶表
示素子について説明する。
【0020】最初に、ITO電極22の形成されたガラ
ス基板21の上に熱硬化性樹脂層23を形成する。前記
熱硬化性樹脂層の形成物質としては一般的な熱硬化性樹
脂ならば全て使用可能であり、そのうちでも特にエポキ
シ樹脂が望ましい。
【0021】その後、前記熱硬化性樹脂層23の表面に
マイクログルーブを形成する。熱硬化性樹脂層にマイク
ログルーブを形成する方法としては一般的なマイクログ
ルーブ形成方法の全てを用いることができるが、本発明
ではプレス(press)を用いた方法が好ましい。
【0022】前記マイクログルーブの深さは50ないし
500Åであることが望ましく、マイクログルーブの幅
は1000ないし10000Åであることが望ましい。
このような範囲の深さと幅を有するマイクログルーブを
形成する時に液晶の配向性能が最も優れている。
【0023】前記熱硬化性樹脂層23の上部に光配向性
高分子をコーティングし、乾燥して光配向性高分子層2
4を形成することにより、二層構造の光配向膜25を完
成する。ここで、光配向性高分子層形成用の物質が特別
に制限されることはない。
【0024】次いで、線偏光(波長:300ないし40
0nm)を照射して光反応を施した後、スペーサを用い
て一定のギャップが保たれた状態で二枚の基板を接合し
て空セル完成する。その後、前記空セルに公知の液晶、
例えばネマチックタイプを注入することにより液晶表示
素子を完成させる。
【0025】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する
が、本発明が実施例だけに限定されるものではない。
【0026】<実施例>清潔に洗浄された二枚のガラス
基板に各々ITO電極を形成した後、この基板上にエポ
キシ樹脂をコーティングしてエポキシ樹脂層を形成し
た。前記エポキシ樹脂層を乾燥した後、マイクログルー
ブの形成されたモールドを用いてプレスし、約150℃
で1時間の間熱処理してモールドのマイクログルーブ形
状をエポキシ樹脂層に転写させた。このとき、マイクロ
グルーブは層全面に形成されており、その深さは100
Å、その幅は2000Åであった。
【0027】その後、マイクログルーブの形成されたエ
ポキシ樹脂層の上部にポリビニルシンナメート(アルド
リチ社)0.2gをNMP(N−methyl−2−p
yrrolidone)10gに溶解させた組成物をス
ピンコーティングした。次いで、約100℃で1時間の
間乾燥させて光配向性高分子層を形成することにより二
層構造の配向膜を完成した。
【0028】それから、約10mw/cm2 の光強度を
有する高圧水銀ランプを用いて線偏光(波長:約313
nm)を約5分間照射した。
【0029】スペーサを用いて配向膜の形成された二枚
のガラス基板の間隔を一定な厚さで保ちながら、前記二
枚のガラス基板を接合して空きセルを製造した。この空
きセルに液晶(merck社、ZL2309)を注入し
て約100℃で25分間熱処理して液晶表示素子を完成
した。
【0030】<比較例1>エポキシ樹脂層の上部にマイ
クログルーブを形成しないことを除いては、実施例と同
じ方法で施した。
【0031】<比較例2>表面が清潔に洗浄された二枚
のガラス基板に各々ITO電極を形成した後、前記基板
上にポリイミド(日産化学、RN715)を塗布した。
次に、約220℃で約1時間の間熱処理して配向膜とし
て作用するポリイミド層を形成した。
【0032】次いで、前記ポリイミド層を布で摩擦して
ラビング処理した後、スペーサを用いてポリイミド層の
形成された二枚のガラス基板の間隔を一定な厚さで保ち
ながら、前記二枚のガラス基板を接合して空セルを製造
した。この空セルに液晶を注入して約100℃で25分
間熱処理して液晶表示素子を完成した。
【0033】前記実施例及び比較例1〜2で製造された
液晶表示素子において、配向膜の配向度と熱的安定性を
測定した。この際、配向膜の熱的安定性は約200℃で
所定時間だけ放置させた後に室温に冷却してから配向膜
の変性程度を偏光フィルムを通じて観察する方式により
測定し、配向度は偏光フィルムを通じて観察した。
【0034】その結果、実施例で製造された液晶表示素
子においては配向性に優れ、温度を200℃まで上げた
場合にもその配向状態がほとんど変化しなかったので、
熱的安定性が非常に優れていることがわかった。また、
光を用いて液晶を配向させるので配向膜の汚染度が非常
に低かった。
【0035】その反面、比較例1〜2の場合には配向性
が優秀であるが、熱的安定性が低下して約100℃から
配向膜の配向状態が変性される現像を観察することがで
きた。特に、比較例2の場合にはラビング処理中に生成
したほこりや静電気により配向膜の汚染度が高かった。
【0036】
【発明の効果】以上、述べたように本発明によると、熱
的安定性が著しく改善され、表示性能が向上した液晶表
示素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】一般的な液晶表示素子の断面図である。
【図2】本発明の一実施例による液晶表示素子の配向膜
構造を示した断面図である。
【符号の説明】
11・・偏光板 12・・透明基板 13・・透明電極 14・・絶縁層 15・・配向膜 16・・スペーサ 17・・液晶層 21・・ガラス基板 22・・ITO電極 23・・熱硬化性樹脂層 24・・光配向性高分子層

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マイクログルーブの形成された熱硬化性
    樹脂層と、その上部にコーティングされた光配向性高分
    子層とを含むことを特徴とする配向膜。
  2. 【請求項2】 前記熱硬化性樹脂層がエポキシ樹脂から
    なることを特徴とする請求項1に記載の配向膜。
  3. 【請求項3】 前記マイクログルーブの深さは50ない
    し500Åであることを特徴とする請求項1に記載の配
    向膜。
  4. 【請求項4】 前記マイクログルーブの幅が1000な
    いし10000Åであることを特徴とする請求項1に記
    載の配向膜。
  5. 【請求項5】 (a)電極が形成されている基板上に熱
    硬化性樹脂層を形成する段階と、 (b)前記熱硬化性樹脂層の表面にマイクログルーブを
    形成する段階と、 (c)マイクログルーブの形成された熱硬化性樹脂層の
    上部に光配向性高分子をコーティングし紫外線を照射す
    る段階とを含むことを特徴とする配向膜の形成方法。
  6. 【請求項6】 前記熱硬化性樹脂層がエポキシ樹脂から
    なることを特徴とする請求項5に記載の配向膜の形成方
    法。
  7. 【請求項7】 前記マイクログルーブの深さは50ない
    し500Åであることを特徴とする請求項5に記載の配
    向膜の形成方法。
  8. 【請求項8】 前記マイクログルーブの幅が1000な
    いし10000Åであることを特徴とする請求項5に記
    載の配向膜の形成方法。
  9. 【請求項9】 上,下基板、前記基板に各々形成されて
    いる透明電極及び前記透明電極の上部に各々形成された
    配向膜を含む液晶表示素子において、 前記配向膜が熱硬化性樹脂層と光配向性高分子層を含む
    二層構造であることを特徴とする液晶表示素子。
  10. 【請求項10】 前記熱硬化性樹脂層がエポキシ樹脂か
    らなることを特徴とする請求項9に記載の液晶表示素
    子。
  11. 【請求項11】 前記マイクログルーブの深さは50な
    いし500Åであることを特徴とする請求項9に記載の
    液晶表示素子。
  12. 【請求項12】 前記マイクログルーブの幅は1000
    ないし10000Åであることを特徴とする請求項9に
    記載の液晶表示素子。
JP9359447A 1996-12-30 1997-12-26 配向膜、その形成方法及び該配向膜を採用した液晶表示素子 Withdrawn JPH10282501A (ja)

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KR1019960076942A KR19980057643A (ko) 1996-12-30 1996-12-30 배향막, 그 형성방법 및 상기 배향막을 구비한 액정표시소자
KR96P76942 1996-12-30

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JPH10282501A true JPH10282501A (ja) 1998-10-23

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JP9359447A Withdrawn JPH10282501A (ja) 1996-12-30 1997-12-26 配向膜、その形成方法及び該配向膜を採用した液晶表示素子

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KR (1) KR19980057643A (ja)
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