JPH10275852A - 半導体基板の接着方法および接着装置 - Google Patents
半導体基板の接着方法および接着装置Info
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- JPH10275852A JPH10275852A JP8164297A JP8164297A JPH10275852A JP H10275852 A JPH10275852 A JP H10275852A JP 8164297 A JP8164297 A JP 8164297A JP 8164297 A JP8164297 A JP 8164297A JP H10275852 A JPH10275852 A JP H10275852A
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
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- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1089—Methods of surface bonding and/or assembly therefor of discrete laminae to single face of additional lamina
- Y10T156/1092—All laminae planar and face to face
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板を保持基体へ凹凸がない状態で押
し付けられる、半導体基板の接着方法および接着装置を
提供する。 【解決手段】 半導体基板を接着材料によって保持基体
に接着する半導体基板の接着方法において、前記半導体
基板を外周側から挟持すると共に、前記半導体基板の中
央部に対応する部分が最も膨出するようなエアバッグに
よって背圧を加えて該半導体基板を湾曲させてその中央
部を前記保持基体に押し付けた後、前記挟持状態を解除
するようにして、前記半導体基板を前記保持基体に接着
するようにしたことを特徴とする。
し付けられる、半導体基板の接着方法および接着装置を
提供する。 【解決手段】 半導体基板を接着材料によって保持基体
に接着する半導体基板の接着方法において、前記半導体
基板を外周側から挟持すると共に、前記半導体基板の中
央部に対応する部分が最も膨出するようなエアバッグに
よって背圧を加えて該半導体基板を湾曲させてその中央
部を前記保持基体に押し付けた後、前記挟持状態を解除
するようにして、前記半導体基板を前記保持基体に接着
するようにしたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板を接着
材料によって保持基体に接着するための半導体基板の接
着方法および接着装置に関するものである。
材料によって保持基体に接着するための半導体基板の接
着方法および接着装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路は超大集積化の傾
向にあり、この超大集積化に伴って半導体基板の大口径
化と各半導体素子の微細化が益々進んできた。そのた
め、半導体基板の平坦度が益々厳しくなってきている。
向にあり、この超大集積化に伴って半導体基板の大口径
化と各半導体素子の微細化が益々進んできた。そのた
め、半導体基板の平坦度が益々厳しくなってきている。
【０００３】ところで、半導体基板の平坦度は、半導体
基板の研磨の際の、半導体基板の保持基体（押圧プレー
ト）への接着精度にも依存する。そこで、従来、特開昭
64-10643号公報に記載のような接着方法が考えられてい
る。
基板の研磨の際の、半導体基板の保持基体（押圧プレー
ト）への接着精度にも依存する。そこで、従来、特開昭
64-10643号公報に記載のような接着方法が考えられてい
る。
【０００４】この方法を図８を用いて説明すれば、この
接着方法では、半導体基板２１または研磨装置の保持基
体２２にワックスや接着剤等の接着材料２３を塗布し、
吸着部材２４に取り付けられセラミックス等からなる多
孔質の吸着盤２５で半導体基板２１を真空吸着し、保持
基体２２を加熱して接着材料２３を融解させた状態でこ
の保持基体２２に半導体基板２１を押圧し、その後に真
空吸着を解除するようにしている。この際用いられる吸
着盤２５の吸着面は球面となっている。
接着方法では、半導体基板２１または研磨装置の保持基
体２２にワックスや接着剤等の接着材料２３を塗布し、
吸着部材２４に取り付けられセラミックス等からなる多
孔質の吸着盤２５で半導体基板２１を真空吸着し、保持
基体２２を加熱して接着材料２３を融解させた状態でこ
の保持基体２２に半導体基板２１を押圧し、その後に真
空吸着を解除するようにしている。この際用いられる吸
着盤２５の吸着面は球面となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような方法によれ
ば下記のような効果があるとされている。すなわち、半
導体基板２１を保持基体２２に押圧し、この押圧状態の
ままで半導体基板２１の吸着の解除つまりは半導体基板
２１の湾曲状態を解除するようにすれば、円の半径方向
または一方向に沿う半導体基板２１上の領域が順次に保
持基体２２へ押圧される。したがって、接着材料２３中
に気泡が混入していても、これらの気泡は円の半径方向
または一方向へ順次に押し出される。また、上述のよう
にして半導体基板２１の湾曲状態を解除すれば、順次に
押圧される円の半径方向または一方向に沿う半導体基板
２１上の領域に対する押圧力は保持されたままである。
したがって、接着材料２３中への気泡の混入が効果的に
防止される。しかしながら、上述の方法によれば、多孔
質の吸着盤２５を用いているため、吸着された半導体基
板２１には微小な凹凸が生じる。したがって、半導体基
板２１を保持基体２２に押圧する際に接着材料２３中へ
の気泡の混入は避けられない。そして、その気泡の一部
は、半導体基板２１の保持基体２２への接着後も、その
まま接着材料２３中へ残ることになる。その結果、研磨
の際に、前記微小な凹凸の一部が半導体基板２１に転写
されてしまい、フラットネスレベルの低下を招くという
問題があった。本発明は、かかる点に鑑みなされたもの
で、半導体基板を保持基体へ凹凸がない状態で押し付け
られる、半導体基板の接着方法および接着装置を提供す
ることを目的としている。
ば下記のような効果があるとされている。すなわち、半
導体基板２１を保持基体２２に押圧し、この押圧状態の
ままで半導体基板２１の吸着の解除つまりは半導体基板
２１の湾曲状態を解除するようにすれば、円の半径方向
または一方向に沿う半導体基板２１上の領域が順次に保
持基体２２へ押圧される。したがって、接着材料２３中
に気泡が混入していても、これらの気泡は円の半径方向
または一方向へ順次に押し出される。また、上述のよう
にして半導体基板２１の湾曲状態を解除すれば、順次に
押圧される円の半径方向または一方向に沿う半導体基板
２１上の領域に対する押圧力は保持されたままである。
したがって、接着材料２３中への気泡の混入が効果的に
防止される。しかしながら、上述の方法によれば、多孔
質の吸着盤２５を用いているため、吸着された半導体基
板２１には微小な凹凸が生じる。したがって、半導体基
板２１を保持基体２２に押圧する際に接着材料２３中へ
の気泡の混入は避けられない。そして、その気泡の一部
は、半導体基板２１の保持基体２２への接着後も、その
まま接着材料２３中へ残ることになる。その結果、研磨
の際に、前記微小な凹凸の一部が半導体基板２１に転写
されてしまい、フラットネスレベルの低下を招くという
問題があった。本発明は、かかる点に鑑みなされたもの
で、半導体基板を保持基体へ凹凸がない状態で押し付け
られる、半導体基板の接着方法および接着装置を提供す
ることを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の接着方法
は、半導体基板を接着材料によって保持基体に接着する
半導体基板の接着方法において、前記半導体基板を外周
側から挟持すると共に、前記半導体基板の中央部に対応
する部分が最も膨出するようなエアバッグによって背圧
を加えて該半導体基板を湾曲させてその中央部を前記保
持基体に押し付けた後、前記挟持状態を解除するように
して、前記半導体基板を前記保持基体に接着するように
したことを特徴とする。この接着方法によれば、エアバ
ッグにより背圧を加えて半導体基板を湾曲させているの
で、吸着の場合と異なり、半導体基板に微小な凹凸が生
じなくなるため、接着材料中に気泡が混入しにくい。そ
の結果、研磨後のフラットネスレベルが向上することに
なる。
は、半導体基板を接着材料によって保持基体に接着する
半導体基板の接着方法において、前記半導体基板を外周
側から挟持すると共に、前記半導体基板の中央部に対応
する部分が最も膨出するようなエアバッグによって背圧
を加えて該半導体基板を湾曲させてその中央部を前記保
持基体に押し付けた後、前記挟持状態を解除するように
して、前記半導体基板を前記保持基体に接着するように
したことを特徴とする。この接着方法によれば、エアバ
ッグにより背圧を加えて半導体基板を湾曲させているの
で、吸着の場合と異なり、半導体基板に微小な凹凸が生
じなくなるため、接着材料中に気泡が混入しにくい。そ
の結果、研磨後のフラットネスレベルが向上することに
なる。
【０００７】請求項２記載の接着方法は、半導体基板を
接着材料によって保持基体に接着する半導体基板の接着
方法において、前記半導体基板を外周側から挟持し、こ
の挟持状態にある前記半導体基板の挟持状態を解除する
ことによって自重により前記保持基体上に落下させた
後、前記半導体基板に、該半導体基板の中央部に対応す
る部分が最も膨出するようなエアバッグによって背圧を
加えることによって、前記半導体基板を前記保持基体に
接着するようにしたことを特徴とする。この接着方法に
よれば、前記半導体基板を外周側から挟持し、この挟持
状態にある前記半導体基板の挟持状態を解除することに
よって自重により落下させエアバッグにより背圧を加え
て接着させているので、吸着の場合と異なり、半導体基
板に微小な凹凸が生じなくなるため、接着材料中に気泡
が混入しにくい。その結果、研磨後のフラットネスレベ
ルが向上することになる。
接着材料によって保持基体に接着する半導体基板の接着
方法において、前記半導体基板を外周側から挟持し、こ
の挟持状態にある前記半導体基板の挟持状態を解除する
ことによって自重により前記保持基体上に落下させた
後、前記半導体基板に、該半導体基板の中央部に対応す
る部分が最も膨出するようなエアバッグによって背圧を
加えることによって、前記半導体基板を前記保持基体に
接着するようにしたことを特徴とする。この接着方法に
よれば、前記半導体基板を外周側から挟持し、この挟持
状態にある前記半導体基板の挟持状態を解除することに
よって自重により落下させエアバッグにより背圧を加え
て接着させているので、吸着の場合と異なり、半導体基
板に微小な凹凸が生じなくなるため、接着材料中に気泡
が混入しにくい。その結果、研磨後のフラットネスレベ
ルが向上することになる。
【０００８】請求項３記載の接着装置は、半導体基板を
接着材料によって保持基体に接着するための半導体基板
の接着装置において、前記半導体基板を外周側から挟持
するチャックと、このチャックを動作させて該チャック
に挟持状態と挟持解除状態とを取らせるチャック駆動手
段と、前記半導体基板の中央部に対応する部分が最も膨
出するように構成され前記チャックに挟持された前記半
導体基板に背圧を加えるためのエアバッグと、このエア
バッグを膨縮させるエアバッグ膨縮手段とを備えたこと
を特徴とする。この請求項３記載の接着装置によれば、
請求項１または請求項２記載の接着方法を実施できるの
で、接着材料中に気泡が混入しにくい。その結果、研磨
後のフラットネスレベルが向上することになる。
接着材料によって保持基体に接着するための半導体基板
の接着装置において、前記半導体基板を外周側から挟持
するチャックと、このチャックを動作させて該チャック
に挟持状態と挟持解除状態とを取らせるチャック駆動手
段と、前記半導体基板の中央部に対応する部分が最も膨
出するように構成され前記チャックに挟持された前記半
導体基板に背圧を加えるためのエアバッグと、このエア
バッグを膨縮させるエアバッグ膨縮手段とを備えたこと
を特徴とする。この請求項３記載の接着装置によれば、
請求項１または請求項２記載の接着方法を実施できるの
で、接着材料中に気泡が混入しにくい。その結果、研磨
後のフラットネスレベルが向上することになる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１には本発明に係る接着装置の
実施形態が示されている。この接着装置１は４つのチャ
ック２を備えている。
実施形態が示されている。この接着装置１は４つのチャ
ック２を備えている。
【００１０】チャック２は、特に限定はされないが、取
付板３の半径方向に延びる水平部２ａと、この水平部２
ａの先端から下方に向けて延びる垂下部２ｂとを有して
おり、全体として鉤形に構成されている。垂下部２ｂの
内側には山形部２ｃが形成されており、この山形部２ｃ
によって半導体基板４を挟持できるようになっている。
また、このチャック２は取付板３の半径方向に往復動可
能となっている。さらに、このチャック２は、歯車機
構、リンク機構またはカム機構あるいはこれらを組み合
わせてなる機構等を介してモータ、空圧装置または油圧
装置等の動力源に連結されている。図２にはピニオン６
ａとラック６ｂの歯車機構６を用いた例が、図３には十
文字形のリンク７ａと短リンク７ｂのリンク機構７を用
いた例が、図４には各チャック２に対応した鰭状の４つ
の突起８ａを有する原節を持つカム機構８を用いた例
が、図５には十文字形の回転体９ａと各チャック２とを
スプリング９ｂによって連結した機構が示されている。
なお、図４のカム機構８を用いる場合には、図示しない
スプリングによりチャック２基端側を原節に常時当接さ
せておくようにすることが好ましい。
付板３の半径方向に延びる水平部２ａと、この水平部２
ａの先端から下方に向けて延びる垂下部２ｂとを有して
おり、全体として鉤形に構成されている。垂下部２ｂの
内側には山形部２ｃが形成されており、この山形部２ｃ
によって半導体基板４を挟持できるようになっている。
また、このチャック２は取付板３の半径方向に往復動可
能となっている。さらに、このチャック２は、歯車機
構、リンク機構またはカム機構あるいはこれらを組み合
わせてなる機構等を介してモータ、空圧装置または油圧
装置等の動力源に連結されている。図２にはピニオン６
ａとラック６ｂの歯車機構６を用いた例が、図３には十
文字形のリンク７ａと短リンク７ｂのリンク機構７を用
いた例が、図４には各チャック２に対応した鰭状の４つ
の突起８ａを有する原節を持つカム機構８を用いた例
が、図５には十文字形の回転体９ａと各チャック２とを
スプリング９ｂによって連結した機構が示されている。
なお、図４のカム機構８を用いる場合には、図示しない
スプリングによりチャック２基端側を原節に常時当接さ
せておくようにすることが好ましい。
【００１１】また、取付板３の下面には４つのチャック
２の中央位置にエアバッグ５が取り付けられている。こ
のエアバッグ５は膨縮自在に構成されている。このエア
バッグ５はエア給排装置１０に連結され（図１）、この
エア給排装置１０によるエアの給排によって膨縮するよ
うになっている。そして、エアバッグ５の膨張によっ
て、４つのチャック２の山形部２ｃに挟持された半導体
基板４の中央部を湾曲させるようになっている。この場
合の撓み量は、例えば直径２００ｍｍの半導体基板４の
場合で２〜４ｍｍ程度が好適である。２ｍｍ未満である
と接着材料中の気泡が十分に押し出されないおそれがあ
り、一方、４ｍｍを越えると割れなどを生じるおそれが
あるからである。この好適な撓み量は、半導体基板４の
厚さや直径によって変わるものであることに留意する必
要がある。なお、このエアバッグ５により半導体基板４
が撓んだ場合、半導体基板４の中央部が保持基体１１に
押圧されるようにチャック２の垂下部２ｂの高さを選定
しておく必要があることはいうまでもない。
２の中央位置にエアバッグ５が取り付けられている。こ
のエアバッグ５は膨縮自在に構成されている。このエア
バッグ５はエア給排装置１０に連結され（図１）、この
エア給排装置１０によるエアの給排によって膨縮するよ
うになっている。そして、エアバッグ５の膨張によっ
て、４つのチャック２の山形部２ｃに挟持された半導体
基板４の中央部を湾曲させるようになっている。この場
合の撓み量は、例えば直径２００ｍｍの半導体基板４の
場合で２〜４ｍｍ程度が好適である。２ｍｍ未満である
と接着材料中の気泡が十分に押し出されないおそれがあ
り、一方、４ｍｍを越えると割れなどを生じるおそれが
あるからである。この好適な撓み量は、半導体基板４の
厚さや直径によって変わるものであることに留意する必
要がある。なお、このエアバッグ５により半導体基板４
が撓んだ場合、半導体基板４の中央部が保持基体１１に
押圧されるようにチャック２の垂下部２ｂの高さを選定
しておく必要があることはいうまでもない。
【００１２】次に、前記接着装置１によってなされる接
着方法の一例について説明する。まず、半導体基板４の
一面に接着材料（図示せず）を塗布しておき、この接着
材料が塗布された半導体基板４をチャック２によって挟
持させる（図６（ａ））。この場合、半導体基板４の下
面側が接着材料が塗布された面となるようにする。な
お、半導体基板４に接着材料を塗布する代わりに、保持
基体１１側に接着材料を塗布するようにしても良い。次
いで、取付板３を動作させて、半導体基板４が保持基体
１１の直上に位置するようにする。取付板３を下降させ
て、チャック２の下端を保持基体１１に当接させる。エ
アバッグ５を膨らませ、半導体基板４の中央部を保持基
体１１に押圧する（図６（ｂ））。その際、保持基体１
１を加熱して接着材料を融解させるようにしておく。そ
して、チャック２を開いて、チャック２による半導体基
板４の挟持を解除し、半導体基板４の弾性復元力を利用
して、その半導体基板４を保持基体１１に接着する（図
６（ｃ））。
着方法の一例について説明する。まず、半導体基板４の
一面に接着材料（図示せず）を塗布しておき、この接着
材料が塗布された半導体基板４をチャック２によって挟
持させる（図６（ａ））。この場合、半導体基板４の下
面側が接着材料が塗布された面となるようにする。な
お、半導体基板４に接着材料を塗布する代わりに、保持
基体１１側に接着材料を塗布するようにしても良い。次
いで、取付板３を動作させて、半導体基板４が保持基体
１１の直上に位置するようにする。取付板３を下降させ
て、チャック２の下端を保持基体１１に当接させる。エ
アバッグ５を膨らませ、半導体基板４の中央部を保持基
体１１に押圧する（図６（ｂ））。その際、保持基体１
１を加熱して接着材料を融解させるようにしておく。そ
して、チャック２を開いて、チャック２による半導体基
板４の挟持を解除し、半導体基板４の弾性復元力を利用
して、その半導体基板４を保持基体１１に接着する（図
６（ｃ））。
【００１３】この接着方法によれば、エアバッグ５によ
り背圧を加えて半導体基板４を湾曲させているので、吸
着の場合と異なり、半導体基板４に微小な凹凸が生じな
くなるため、接着材料中に気泡が混入しにくい。その結
果、研磨後のフラットネスレベルが向上することにな
る。
り背圧を加えて半導体基板４を湾曲させているので、吸
着の場合と異なり、半導体基板４に微小な凹凸が生じな
くなるため、接着材料中に気泡が混入しにくい。その結
果、研磨後のフラットネスレベルが向上することにな
る。
【００１４】続いて、前記接着装置１によってなされる
接着方法の他例について説明する。一面に接着材料（図
示せず）が塗布された半導体基板４をチャック２によっ
て挟持させる（図７（ａ））。この場合、半導体基板４
の下面側が接着材料が塗布された面となるようにする。
なお、この場合も、半導体基板４に接着材料を塗布する
代わりに、保持基体１１側に接着材料を塗布するように
しても良いことは勿論である。次いで、取付板３を動作
させて、半導体基板４が保持基体１１の直上に位置する
ようにする。取付板３を下降させて、チャック２の下端
を保持基体１１に当接させる。その際、保持基体１１を
加熱して接着材料を融解させるようにしておく。そし
て、チャック２を開いて、チャック２による半導体基板
４の挟持を解除し、半導体基板４を自然落下させ（図７
（ｂ））、エアバッグ５によって背圧を加えることによ
って、半導体基板４を保持基体１１に接着する（図７
（ｃ））。
接着方法の他例について説明する。一面に接着材料（図
示せず）が塗布された半導体基板４をチャック２によっ
て挟持させる（図７（ａ））。この場合、半導体基板４
の下面側が接着材料が塗布された面となるようにする。
なお、この場合も、半導体基板４に接着材料を塗布する
代わりに、保持基体１１側に接着材料を塗布するように
しても良いことは勿論である。次いで、取付板３を動作
させて、半導体基板４が保持基体１１の直上に位置する
ようにする。取付板３を下降させて、チャック２の下端
を保持基体１１に当接させる。その際、保持基体１１を
加熱して接着材料を融解させるようにしておく。そし
て、チャック２を開いて、チャック２による半導体基板
４の挟持を解除し、半導体基板４を自然落下させ（図７
（ｂ））、エアバッグ５によって背圧を加えることによ
って、半導体基板４を保持基体１１に接着する（図７
（ｃ））。
【００１５】この接着方法によれば、半導体基板４を外
周側から挟持し、この挟持状態にある半導体基板４の挟
持状態を解除することによって自重により落下させエア
バッグ５により背圧を加えて半導体基板４を接着させて
いるので、吸着の場合と異なり、半導体基板４に微小な
凹凸が生じなくなるため、接着材料中に気泡が混入しに
くい。その結果、研磨後のフラットネスレベルが向上す
ることになる。
周側から挟持し、この挟持状態にある半導体基板４の挟
持状態を解除することによって自重により落下させエア
バッグ５により背圧を加えて半導体基板４を接着させて
いるので、吸着の場合と異なり、半導体基板４に微小な
凹凸が生じなくなるため、接着材料中に気泡が混入しに
くい。その結果、研磨後のフラットネスレベルが向上す
ることになる。
【００１６】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明は、かかる実施形態には限定されず、その要
旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
が、本発明は、かかる実施形態には限定されず、その要
旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。
【００１７】
【発明の効果】本願発明の代表的なものによれば、半導
体基板を接着材料によって保持基体に接着する半導体基
板の接着方法において、前記半導体基板を外周側から挟
持すると共に、前記半導体基板の中央部に対応する部分
が最も膨出するようなエアバッグによって背圧を加えて
該半導体基板を湾曲させてその中央部を前記保持基体に
押し付けた後、前記挟持状態を解除するようにして、前
記半導体基板を前記保持基体に接着するようにしたの
で、接着材料中に気泡が混入しにくい。その結果、研磨
後のフラットネスレベルが向上することになる。
体基板を接着材料によって保持基体に接着する半導体基
板の接着方法において、前記半導体基板を外周側から挟
持すると共に、前記半導体基板の中央部に対応する部分
が最も膨出するようなエアバッグによって背圧を加えて
該半導体基板を湾曲させてその中央部を前記保持基体に
押し付けた後、前記挟持状態を解除するようにして、前
記半導体基板を前記保持基体に接着するようにしたの
で、接着材料中に気泡が混入しにくい。その結果、研磨
後のフラットネスレベルが向上することになる。
【図１】本発明に係る接着装置の縦断面図である。
【図２】本発明に係る接着装置のチャック駆動手段を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明に係る接着装置のチャック駆動手段を示
す図である。
す図である。
【図４】本発明に係る接着装置のチャック駆動手段を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明に係る接着装置のチャック駆動手段を示
す図である。
す図である。
【図６】本発明に係る接着装置による接着方法の一例を
示す図である。
示す図である。
【図７】本発明に係る接着装置による接着方法の他例を
示す図である。
示す図である。
【図８】従来の接着方法を示す図である。
１ 接着装置 ２ チャック ３ 取付板 ４ 半導体基板 ５ エアバッグ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板を接着材料によって保持基体
に接着する半導体基板の接着方法において、前記半導体
基板を外周側から挟持すると共に、前記半導体基板の中
央部に対応する部分が最も膨出するようなエアバッグに
よって背圧を加えて該半導体基板を湾曲させてその中央
部を前記保持基体に押し付けた後、前記挟持状態を解除
するようにして、前記半導体基板を前記保持基体に接着
するようにしたことを特徴とする、半導体基板の接着方
法。 - 【請求項２】 半導体基板を接着材料によって保持基体
に接着する半導体基板の接着方法において、前記半導体
基板を外周側から挟持し、この挟持状態にある前記半導
体基板の挟持状態を解除することによって自重により前
記保持基体上に落下させた後、前記半導体基板に、該半
導体基板の中央部に対応する部分が最も膨出するような
エアバッグによって背圧を加えることによって、前記半
導体基板を前記保持基体に接着するようにしたことを特
徴とする、半導体基板の接着方法。 - 【請求項３】 半導体基板を接着材料によって保持基体
に接着するための半導体基板の接着装置において、前記
半導体基板を外周側から挟持するチャックと、このチャ
ックを動作させて該チャックに挟持状態と挟持解除状態
とを取らせるチャック駆動手段と、前記半導体基板の中
央部に対応する部分が最も膨出するように構成され前記
チャックに挟持された前記半導体基板に背圧を加えるた
めのエアバッグと、このエアバッグを膨縮させるエアバ
ッグ膨縮手段とを備えたことを特徴とする、半導体基板
の接着装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8164297A JPH10275852A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 半導体基板の接着方法および接着装置 |
| US09/044,080 US5964978A (en) | 1997-03-31 | 1998-03-19 | Method and apparatus for adhesion of semiconductor substrate |
| TW087104244A TW374035B (en) | 1997-03-31 | 1998-03-21 | Method and device for adhering semiconductor substrate |
| EP98302175A EP0868977A3 (en) | 1997-03-31 | 1998-03-24 | Method and apparatus for adhesion of semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8164297A JPH10275852A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 半導体基板の接着方法および接着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275852A true JPH10275852A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=13752004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8164297A Pending JPH10275852A (ja) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | 半導体基板の接着方法および接着装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5964978A (ja) |
| EP (1) | EP0868977A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10275852A (ja) |
| TW (1) | TW374035B (ja) |
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- 1997-03-31 JP JP8164297A patent/JPH10275852A/ja active Pending
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- 1998-03-24 EP EP98302175A patent/EP0868977A3/en not_active Ceased
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| US5964978A (en) | 1999-10-12 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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