JPH10274583A - Semiconductor pressure sensor - Google Patents
Semiconductor pressure sensorInfo
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- JPH10274583A JPH10274583A JP8119597A JP8119597A JPH10274583A JP H10274583 A JPH10274583 A JP H10274583A JP 8119597 A JP8119597 A JP 8119597A JP 8119597 A JP8119597 A JP 8119597A JP H10274583 A JPH10274583 A JP H10274583A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体圧力センサ
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor pressure sensor.
【0002】[0002]
【従来の技術】図2は、従来例に係る半導体圧力センサ
を母基板3上に実装した状態を示す略断面図である。図
で、半導体圧力センサは、半導体圧力センサチップ1を
ガラス台座2に陽極接合法等により接合し、樹脂モール
ドされたパッケージ本体9の底面の略中央に凹部9aを
設け、そこにガラス台座2を接着剤6等によってマウン
トしたものである。パッケージ本体9の上部には、ガラ
ス台座2の略中央に形成された貫通孔2aを通って半導
体圧力センサチップ1に連通する圧力導入孔9bが形成
されている。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a schematic sectional view showing a state in which a semiconductor pressure sensor according to a conventional example is mounted on a motherboard 3. As shown in FIG. In the figure, in the semiconductor pressure sensor, a semiconductor pressure sensor chip 1 is bonded to a glass pedestal 2 by an anodic bonding method or the like, and a concave portion 9a is provided substantially at the center of the bottom surface of the resin-molded package body 9, and the glass pedestal 2 is placed there. It is mounted with an adhesive 6 or the like. In the upper part of the package body 9, a pressure introducing hole 9b is formed which communicates with the semiconductor pressure sensor chip 1 through a through hole 2a formed substantially at the center of the glass pedestal 2.
【0003】また、パッケージ本体9の底面に形成され
た凹部9aの開口は蓋体10によって塞がれており、こ
れによって凹部9aの内部は密閉性を高めた圧力基準室
11となっている。The opening of the concave portion 9a formed on the bottom surface of the package body 9 is closed by a lid 10, so that the inside of the concave portion 9a becomes a pressure reference chamber 11 with improved sealing.
【0004】半導体圧力センサチップ1は、単結晶シリ
コン基板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム1a,歪みゲージ(図示せず)及
び電極(図示せず)を形成したもので、ピエゾ抵抗効果
により圧力の変化を電気抵抗の変化に変換して出力する
ものである。The semiconductor pressure sensor chip 1 has a single crystal silicon substrate having a pressure receiving surface formed on one surface, a diaphragm 1a for converting pressure into stress, a strain gauge (not shown), and electrodes (not shown). In this method, a change in pressure is converted into a change in electric resistance by the piezoresistance effect and output.
【0005】半導体圧力センサチップ1に形成された電
極と、パッケージ本体8に一体成形されたリード12と
は、Au線等のボンディングワイヤ13により接続さ
れ、リード12は、半導体圧力センサが実装される母基
板3上に形成された回路パターン(図示せず)との接続
のため、リード12となるリードフレームのダイバー切
断後、パッケージ本体9の側面から突出した部分の先端
部分が略垂直に下方に折り曲げられている。このリード
12の先端部分は、母基板3上に実装されたソケット1
4に差し込まれる。これによって、半導体圧力センサ
は、母基板3上に実装されるのである。The electrodes formed on the semiconductor pressure sensor chip 1 and the leads 12 integrally formed on the package body 8 are connected by bonding wires 13 such as Au wires, and the leads 12 are mounted with the semiconductor pressure sensors. In order to connect with a circuit pattern (not shown) formed on the motherboard 3, after the diver of the lead frame serving as the lead 12 is cut, the tip portion of the portion protruding from the side surface of the package body 9 is substantially vertically downward. It is bent. The tip of the lead 12 is connected to the socket 1 mounted on the mother board 3.
Inserted into 4. Thus, the semiconductor pressure sensor is mounted on the motherboard 3.
【0006】次に、図3に基づいて、従来の半導体圧力
センサの異なる例について説明する。図3は、従来例に
係る半導体圧力センサを母基板3上に実装した状態を示
す略断面図である。なお、説明の便宜上、図2に示した
構成と同一の構成については同一符号を付して説明を省
略する。図3に示す例が、図2に示した例と異なる点
は、リードの形状及び実装の方法である。図3に示す例
では、パッケージ本体9の側面から突出するリード15
は、斜め下方に折り曲げられ、更に、その先端部分は、
パッケージ本体9側とは反対の方向に略水平となるよう
に折り曲げられている。リード15の形状に対応して母
基板3上には回路パターン4が形成され、半田16によ
ってリード15の先端部分と接合されている。Next, a different example of the conventional semiconductor pressure sensor will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor pressure sensor according to a conventional example is mounted on a mother board 3. For convenience of description, the same components as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. The example shown in FIG. 3 differs from the example shown in FIG. 2 in the shape of the leads and the mounting method. In the example shown in FIG. 3, the leads 15 protruding from the side of the package body 9 are provided.
Is bent diagonally downward, and further, its tip is
It is bent so as to be substantially horizontal in the direction opposite to the package body 9 side. The circuit pattern 4 is formed on the mother board 3 corresponding to the shape of the lead 15, and is joined to the tip of the lead 15 by solder 16.
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述のよう
な構成においては、半導体圧力センサチップ1をパッケ
ージ本体9に一度実装してから、その圧力センサを回路
パターン4が形成された母基板3上に実装していたの
で、組立工数も多くなりコストがかかっていた。However, in the above configuration, the semiconductor pressure sensor chip 1 is mounted on the package body 9 once, and then the pressure sensor is mounted on the mother board 3 on which the circuit pattern 4 is formed. , The assembly man-hours increased and the cost was increased.
【0008】また、半導体圧力センサチップ1の電極
と、リード12,15の電気接続は、ボンディングワイ
ヤ13による接続であるため、接合強度が弱く、振動に
弱いという問題があった。Further, since the electrical connection between the electrodes of the semiconductor pressure sensor chip 1 and the leads 12 and 15 is made by the bonding wires 13, there is a problem that the bonding strength is weak and the vibration is weak.
【0009】本発明は、上記の点に鑑みて成されたもの
であり、その目的とするところは、低コストで、かつ、
振動に強い半導体圧力センサを提供することにある。[0009] The present invention has been made in view of the above points, and its object is to provide a low-cost,
An object of the present invention is to provide a semiconductor pressure sensor that is resistant to vibration.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は、
薄肉状のダイヤフラム及び電極を有して成る半導体圧力
センサチップと、該半導体圧力センサチップに接合され
た貫通孔を有して成るガラス台座と、該貫通孔に挿入さ
れた圧力導入孔を有して成る圧力導入部材と、前記半導
体圧力センサを実装する、大気開放孔及び回路パターン
を有して成る母基板とを有して成り、前記回路パターン
は、バンプを介して前記電極に電気的に接続され、前記
大気開放孔が、前記ダイヤフラムに連通するように前記
半導体圧力センサチップが前記母基板上に配置されて、
前記ダイヤフラムの一方の面は前記大気開放孔により大
気圧にされ、他方の面に前記圧力導入孔から印加された
圧力が、前記貫通孔を介して前記ダイヤフラムに印加さ
れるようにしたことを特徴とするものである。According to the first aspect of the present invention,
A semiconductor pressure sensor chip having a thin diaphragm and electrodes, a glass pedestal having a through hole joined to the semiconductor pressure sensor chip, and a pressure introducing hole inserted into the through hole. And a mother board having an atmosphere opening hole and a circuit pattern on which the semiconductor pressure sensor is mounted, and the circuit pattern is electrically connected to the electrode via a bump. Connected, the semiconductor pressure sensor chip is arranged on the mother substrate so that the atmosphere opening hole communicates with the diaphragm,
One surface of the diaphragm is set to atmospheric pressure by the atmosphere opening hole, and the pressure applied from the pressure introduction hole to the other surface is applied to the diaphragm through the through hole. It is assumed that.
【0011】請求項2記載の発明は、請求項1記載の半
導体圧力センサにおいて、前記母基板の大気開放孔にお
ける前記半導体圧力センサチップ実装側に、テーパを形
成するようにしたことを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor pressure sensor according to the first aspect, a taper is formed on a side of the mother substrate where the semiconductor pressure sensor chip is mounted in an atmosphere opening hole of the mother substrate. Things.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面に基づき説明する。図1は、本発明の一実施形態
に係る半導体圧力センサを示す略断面図である。なお、
説明の便宜上、図2,図3と同一構成の箇所には同一符
号を付して説明を省略する。半導体圧力センサチップ1
をガラス台座2に陽極接合法等により接合し、半導体圧
力センサチップ1の電極は、母基板3上に形成された回
路パターン4にバンプ5を介して電気的に接続されると
ともに、ゴム,ゲル状のシリコーン樹脂またはエポキシ
樹脂等の低応力の接着剤6により母基板3にダイボンデ
ィングされている。このとき、半導体圧力センサチップ
1は、後述する封止樹脂8が接触しないように、接着剤
6により外周面が覆われている。また、母基板3には、
ダイヤフラム1aに連通する大気開放孔3aが形成され
ており、大気開放孔3aの半導体圧力センサチップ1実
装面側にはテーパ3bが形成されている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing a semiconductor pressure sensor according to one embodiment of the present invention. In addition,
For convenience of explanation, the same components as those in FIGS. 2 and 3 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. Semiconductor pressure sensor chip 1
Is bonded to the glass pedestal 2 by an anodic bonding method or the like, and the electrodes of the semiconductor pressure sensor chip 1 are electrically connected to the circuit patterns 4 formed on the mother substrate 3 via the bumps 5 and the rubber and gel The mother substrate 3 is die-bonded with a low-stress adhesive 6 such as a silicone resin or an epoxy resin. At this time, the outer peripheral surface of the semiconductor pressure sensor chip 1 is covered with the adhesive 6 so that a sealing resin 8 described later does not come into contact with the semiconductor pressure sensor chip 1. The mother board 3 has
An air opening hole 3a communicating with the diaphragm 1a is formed, and a taper 3b is formed on the semiconductor pressure sensor chip 1 mounting surface side of the air opening hole 3a.
【0013】また、ガラス台座2の貫通孔2aには、略
中央に圧力導入孔7aを有して成る、樹脂モールドされ
た圧力導入部材7の一端が挿入されており、圧力導入部
材7は、接着剤6によりガラス台座2に接着されてい
る。なお、圧力導入孔7aから印加された圧力は、貫通
孔2aを介してダイヤフラム1aまで連通されるように
構成されている。One end of a resin-molded pressure-introducing member 7 having a pressure-introducing hole 7a substantially at the center is inserted into the through-hole 2a of the glass pedestal 2. It is bonded to the glass pedestal 2 by the adhesive 6. The pressure applied from the pressure introducing hole 7a is configured to communicate with the diaphragm 1a through the through hole 2a.
【0014】また、圧力導入部材7のガラス台座2に挿
入された側と異なる側を除いて、圧力導入部材7,ガラ
ス台座2及び半導体圧力センサチップ1は封止樹脂8に
より封止されている。The pressure introducing member 7, the glass pedestal 2, and the semiconductor pressure sensor chip 1 are sealed with a sealing resin 8 except for the side of the pressure introducing member 7 different from the side inserted into the glass pedestal 2. .
【0015】従って、本実施形態においては、従来のよ
うにパッケージ本体への半導体圧力センサチップ1の実
装工程を省略することができ、工程数が減らせてコスト
ダウンを図ることができる。Therefore, in the present embodiment, the step of mounting the semiconductor pressure sensor chip 1 on the package body as in the prior art can be omitted, and the number of steps can be reduced, and the cost can be reduced.
【0016】また、半導体圧力センサチップ1の電極
は、バンプ5により回路パターン4に電気的に接続され
ているので、振動に対する信頼性が向上する。Since the electrodes of the semiconductor pressure sensor chip 1 are electrically connected to the circuit pattern 4 by the bumps 5, the reliability against vibration is improved.
【0017】また、本実施形態においては、母基板3の
大気開放孔3aにおけるガラス台座2の実装側には、テ
ーパ3bが形成されているので、接着剤6により大気開
放孔3aが塞がれるのを防止することができる。In this embodiment, since the taper 3b is formed on the mounting side of the glass pedestal 2 in the air opening hole 3a of the motherboard 3, the air opening hole 3a is closed by the adhesive 6. Can be prevented.
【0018】なお、本実施形態においては、半導体圧力
センサチップ1にガラス台座2接合するようにしたが、
これに限定される必要はなく、半導体圧力センサチップ
1のみを母基板3上にダイボンディングするようにし、
半導体圧力センサチップ1に直接圧力導入部材7を接着
剤6により接着するようにしても良く、これにより半導
体圧力センサを薄型化することができる。In this embodiment, the glass pedestal 2 is joined to the semiconductor pressure sensor chip 1.
There is no need to be limited to this, and only the semiconductor pressure sensor chip 1 is die-bonded on the motherboard 3,
The pressure introducing member 7 may be directly bonded to the semiconductor pressure sensor chip 1 with the adhesive 6, so that the semiconductor pressure sensor can be reduced in thickness.
【0019】また、本実施形態においては、大気開放孔
3aによりダイヤフラム1aの一方の面側を大気圧にす
るようにしたが、これに限定される必要はなく、基準圧
を印加するようにしてもよい。Further, in this embodiment, one side of the diaphragm 1a is set to the atmospheric pressure by the air opening hole 3a. However, the present invention is not limited to this. Is also good.
【0020】[0020]
【発明の効果】請求項1記載の発明は、薄肉状のダイヤ
フラム及び電極を有して成る半導体圧力センサチップ
と、半導体圧力センサチップに接合された貫通孔を有し
て成るガラス台座と、貫通孔に挿入された圧力導入孔を
有して成る圧力導入部材と、半導体圧力センサを実装す
る、大気開放孔及び回路パターンを有して成る母基板と
を有して成り、回路パターンは、バンプを介して電極に
電気的に接続され、大気開放孔が、ダイヤフラムに連通
するように半導体圧力センサチップが母基板上に配置さ
れて、ダイヤフラムの一方の面は大気開放孔により大気
圧にされ、他方の面に圧力導入孔から印加された圧力
が、貫通孔を介してダイヤフラムに印加されるようにし
たので、従来のようにパッケージ本体への半導体圧力セ
ンサチップの実装工程を省略することができ、工程数が
減らせてコストダウンを図ることができ、半導体圧力セ
ンサチップの電極は、バンプにより回路パターンに電気
的に接続されているので、振動に対する信頼性が向上
し、低コストで、かつ、振動に強い半導体圧力センサを
提供することができた。According to the first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor pressure sensor chip having a thin diaphragm and electrodes, a glass pedestal having a through hole joined to the semiconductor pressure sensor chip, and a through hole. A pressure introducing member having a pressure introducing hole inserted into the hole, and a mother substrate having an atmosphere opening hole and a circuit pattern for mounting a semiconductor pressure sensor, wherein the circuit pattern has a bump. The semiconductor pressure sensor chip is disposed on the motherboard so that the air opening hole communicates with the diaphragm, and one surface of the diaphragm is brought to the atmospheric pressure by the air opening hole. Since the pressure applied from the pressure introducing hole to the other surface is applied to the diaphragm through the through hole, the process of mounting the semiconductor pressure sensor chip on the package body as in the related art is performed. It can be omitted, the number of steps can be reduced and the cost can be reduced. Since the electrodes of the semiconductor pressure sensor chip are electrically connected to the circuit pattern by bumps, the reliability against vibration is improved, It was possible to provide a semiconductor pressure sensor that was cost-effective and resistant to vibration.
【0021】請求項2記載の発明は、請求項1記載の半
導体圧力センサにおいて、母基板の大気開放孔における
半導体圧力センサチップ実装側に、テーパを形成するよ
うにしたので、接着剤等により半導体圧力センサチップ
を母基板上に実装する際に、大気開放孔が塞がれるのを
防止することができる。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor pressure sensor according to the first aspect, a taper is formed on the side of the mother substrate where the semiconductor pressure sensor chip is mounted in the open-to-atmosphere hole. When the pressure sensor chip is mounted on the motherboard, it is possible to prevent the air opening hole from being closed.
【図1】本発明の一実施形態に係る半導体圧力センサを
示す略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view showing a semiconductor pressure sensor according to one embodiment of the present invention.
【図2】従来例に係る半導体圧力センサを母基板上に実
装した状態を示す略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a state where a semiconductor pressure sensor according to a conventional example is mounted on a mother board.
【図3】従来例に係る半導体圧力センサを母基板上に実
装した状態を示す略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a semiconductor pressure sensor according to a conventional example is mounted on a mother board.
1 半導体圧力センサチップ 1a ダイヤフラム 2 ガラス台座 2a 貫通孔 3 母基板 3a 大気開放孔 3b テーパ 4 回路パターン 5 バンプ 6 接着剤 7 圧力導入部材 7a 圧力導入孔 8 封止樹脂 9 パッケージ本体 9a 凹部 9b 圧力導入孔 10 蓋体 11 圧力基準室 12 リード 13 ボンディングワイヤ 14 ソケット 15 リード 16 半田 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor pressure sensor chip 1a Diaphragm 2 Glass pedestal 2a Through hole 3 Mother substrate 3a Open air hole 3b Taper 4 Circuit pattern 5 Bump 6 Adhesive 7 Pressure introducing member 7a Pressure introducing hole 8 Sealing resin 9 Package body 9a Depression 9b Pressure introduction Hole 10 Lid 11 Pressure reference chamber 12 Lead 13 Bonding wire 14 Socket 15 Lead 16 Solder
Claims (2)
成る半導体圧力センサチップと、該半導体圧力センサチ
ップに接合された貫通孔を有して成るガラス台座と、該
貫通孔に挿入された圧力導入孔を有して成る圧力導入部
材と、前記半導体圧力センサを実装する、大気開放孔及
び回路パターンを有して成る母基板とを有して成り、前
記回路パターンは、バンプを介して前記電極に電気的に
接続され、前記大気開放孔が、前記ダイヤフラムに連通
するように前記半導体圧力センサチップが前記母基板上
に配置されて、前記ダイヤフラムの一方の面は前記大気
開放孔により大気圧にされ、他方の面に前記圧力導入孔
から印加された圧力が、前記貫通孔を介して前記ダイヤ
フラムに印加されるようにしたことを特徴とする半導体
圧力センサ。1. A semiconductor pressure sensor chip having a thin diaphragm and electrodes, a glass pedestal having a through hole joined to the semiconductor pressure sensor chip, and a pressure inserted into the through hole. A pressure introducing member having an introduction hole, and a mother substrate having an atmosphere opening hole and a circuit pattern for mounting the semiconductor pressure sensor, wherein the circuit pattern is formed via bumps. The semiconductor pressure sensor chip is disposed on the motherboard so as to be electrically connected to an electrode and communicate with the diaphragm so that the atmosphere opening hole communicates with the diaphragm. Wherein the pressure applied from the pressure introduction hole to the other surface is applied to the diaphragm through the through hole.
導体圧力センサチップ実装側に、テーパを形成するよう
にしたことを特徴とする請求項1記載の半導体圧力セン
サ。2. The semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein a taper is formed on a side of the mother substrate on which the semiconductor pressure sensor chip is mounted in an atmosphere opening hole.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8119597A JPH10274583A (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8119597A JPH10274583A (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Semiconductor pressure sensor |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10274583A true JPH10274583A (en) | 1998-10-13 |
Family
ID=13739703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8119597A Pending JPH10274583A (en) | 1997-03-31 | 1997-03-31 | Semiconductor pressure sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10274583A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040096115A (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-16 | 주식회사 케이이씨 | Pressure sensor device and its manufacturing method |
JP2006177925A (en) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Denso Corp | Pressure sensor and manufacturing method therefor |
JP2010517021A (en) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. | Differential sensor MEMS device and electronic device having perforated substrate |
KR101197913B1 (en) | 2009-07-06 | 2012-11-05 | 아즈빌주식회사 | Pressure sensor and manufacturing method |
JP2016075576A (en) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 新日本無線株式会社 | Sensor device and method for manufacturing the same |
CN108885150A (en) * | 2016-04-26 | 2018-11-23 | 株式会社电装 | Physical quantity transducer and its manufacturing method |
-
1997
- 1997-03-31 JP JP8119597A patent/JPH10274583A/en active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040096115A (en) * | 2003-05-07 | 2004-11-16 | 주식회사 케이이씨 | Pressure sensor device and its manufacturing method |
JP2006177925A (en) * | 2004-11-25 | 2006-07-06 | Denso Corp | Pressure sensor and manufacturing method therefor |
JP2010517021A (en) * | 2007-01-24 | 2010-05-20 | エスティーマイクロエレクトロニクス エス.アール.エル. | Differential sensor MEMS device and electronic device having perforated substrate |
US8796059B2 (en) | 2007-01-24 | 2014-08-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Method of forming electronic device that includes forming protective package to house substrate and die attached thereto while leaving first and second active surface portions of the die exposed |
US8847340B2 (en) | 2007-01-24 | 2014-09-30 | Stmicroelectronics S.R.L. | Packaged sensor structure having sensor opening and package opening aligned with sensor element |
KR101197913B1 (en) | 2009-07-06 | 2012-11-05 | 아즈빌주식회사 | Pressure sensor and manufacturing method |
JP2016075576A (en) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 新日本無線株式会社 | Sensor device and method for manufacturing the same |
CN108885150A (en) * | 2016-04-26 | 2018-11-23 | 株式会社电装 | Physical quantity transducer and its manufacturing method |
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