JP3042344B2 - Semiconductor pressure sensor - Google Patents
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、母基板上に表面実装す
る小型の半導体圧力センサに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a small semiconductor pressure sensor which is surface-mounted on a mother board.
【0002】[0002]
【従来の技術】図3に基づいて従来の半導体圧力センサ
の一例について説明する。図3は半導体圧力センサを母
基板上に実装した状態を示す断面図である。図で、半導
体圧力センサは、半導体圧力センサチップ1を台座2に
陽極接合法等により接合し、樹脂モールドされたパッケ
ージ本体3の底面の中央に凹部3aを設け、そこに台座
2を接着剤4等によってマウントしたものである。パッ
ケージ本体3の上部には、台座2に形成された貫通孔2
aを通って半導体圧力センサチップ1に連通する圧力導
入口3bが形成されている。また、パッケージ本体3の
底面に形成された凹部3aの開口は蓋5によって塞がれ
ており、これによって、凹部3aの内部は密閉性を高め
た圧力基準室3cとなっている。2. Description of the Related Art An example of a conventional semiconductor pressure sensor will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state where the semiconductor pressure sensor is mounted on the motherboard. In the figure, a semiconductor pressure sensor has a semiconductor pressure sensor chip 1 bonded to a pedestal 2 by an anodic bonding method or the like, a concave portion 3a is provided in the center of the bottom surface of a resin-molded package body 3, and the pedestal 2 is bonded with an adhesive 4 And so on. In the upper part of the package body 3, a through hole 2 formed in the base 2 is provided.
A pressure introduction port 3b communicating with the semiconductor pressure sensor chip 1 through a is formed. Further, the opening of the concave portion 3a formed on the bottom surface of the package body 3 is closed by the lid 5, whereby the inside of the concave portion 3a becomes a pressure reference chamber 3c with improved sealing performance.
【0003】半導体圧力センサチップ1は、シリコーン
単結晶板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム1a、及び、歪ゲージ(図示省
略)を形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変
化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである。A semiconductor pressure sensor chip 1 is formed by forming a diaphragm 1a having a pressure-receiving surface on one side for converting pressure into stress and a strain gauge (not shown) on a single-crystal silicon plate. A change in pressure is converted into a change in electrical resistance by the effect and output.
【0004】半導体圧力センサチップ1と、パッケージ
本体3に一体成型されたリード6とは、Au線等のボンデ
ィングワイヤ7により接続され、リード6は、半導体圧
力センサが実装される母基板8上に形成された配線パタ
ーン(図示省略)との接続のため、リード6となるリー
ドフレームのタイバー切断後、パッケージ本体3の側面
から突出した部分の先端部分が略垂直に下方に折り曲げ
られている。このリード6の先端部分は、母基板8上に
実装されたソケット9に差し込まれる。これによって、
半導体圧力センサは母基板8上に実装されるのである。The semiconductor pressure sensor chip 1 and the leads 6 integrally formed on the package body 3 are connected by bonding wires 7 such as Au wires, and the leads 6 are mounted on a mother board 8 on which the semiconductor pressure sensors are mounted. In order to connect with the formed wiring pattern (not shown), after cutting the tie bar of the lead frame serving as the lead 6, the tip end of the portion protruding from the side surface of the package body 3 is bent substantially vertically downward. The tips of the leads 6 are inserted into sockets 9 mounted on the motherboard 8. by this,
The semiconductor pressure sensor is mounted on the mother board 8.
【0005】次に、図4に基づいて従来の半導体圧力セ
ンサの異なる例について説明する。図4は半導体圧力セ
ンサを母基板上に実装した状態を示す断面図である。但
し、図3に示した構成と同等構成については同符号を付
すこととし詳細な説明は省略する。図4に示す例が、図
3に示した例と異なる点は、リードの形状及び実装の方
法である。図4に示す例では、パッケージ本体3の側面
から突出するリード10は、斜め下方に折り曲げられ、
さらに、その先端部分は、パッケージ本体3側とは反対
の方向に略水平となるように折り曲げられている。リー
ド10の形状に対応して母基板8上には配線パターン1
1が形成され、半田12によってリード10の先端部分
と接合されている。Next, a different example of the conventional semiconductor pressure sensor will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state where the semiconductor pressure sensor is mounted on the motherboard. However, the same components as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description is omitted. The example shown in FIG. 4 differs from the example shown in FIG. 3 in the shape of the leads and the mounting method. In the example shown in FIG. 4, the leads 10 protruding from the side surface of the package body 3 are bent obliquely downward,
Further, the tip portion is bent so as to be substantially horizontal in a direction opposite to the package body 3 side. The wiring pattern 1 is formed on the mother board 8 corresponding to the shape of the lead 10.
1 is formed and joined to the tip of the lead 10 by the solder 12.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】図3及び図4に示した
半導体圧力センサでは、リード6またはリード10がパ
ッケージ本体3の側面から大きく突出しているので、半
導体圧力センサの実装面積が大きくなってしまうという
問題点があった。また、図3に示した例では、リード6
を差し込むためのソケット9を予め母基板8上に実装し
ておく必要があり、部品点数が多くなりコスト高となっ
ていた。In the semiconductor pressure sensor shown in FIGS. 3 and 4, since the lead 6 or the lead 10 protrudes largely from the side surface of the package body 3, the mounting area of the semiconductor pressure sensor becomes large. There was a problem that it would. In the example shown in FIG.
It is necessary to previously mount the socket 9 for inserting the connector on the mother board 8, which increases the number of parts and increases the cost.
【0007】本発明は上記課題に鑑みなされたもので、
その目的とするところは、安価で、小型化が図れる半導
体圧力センサの構造を提供することにある。[0007] The present invention has been made in view of the above problems,
An object of the present invention is to provide a structure of a semiconductor pressure sensor which is inexpensive and can be downsized.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の半導体圧力センサは、圧力を応力に
変換するダイヤフラムが形成された半導体圧力センサチ
ップと、この半導体圧力センサチップを支持する台座
と、前記半導体圧力センサチップ及び前記台座を内部に
収容する凹部、及び、圧力導入口が形成されたパッケー
ジ本体と、前記半導体圧力センサとワイヤボンディング
により電気的に接続され前記パッケージ本体の外部に引
き出されたリードとを備えた半導体圧力センサにおい
て、前記リードが前記パッケージ本体の側方に引き出さ
れ前記パッケージ本体の側面に略沿うように前記パッケ
ージ本体の底面側に折り曲げられ、さらに、その先端部
分が前記パッケージ本体の底面に略沿うように折り曲げ
られていることを特徴とするものである。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor pressure sensor including a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm for converting pressure into stress, and a semiconductor pressure sensor chip supporting the semiconductor pressure sensor chip. A package body in which a pedestal, a recess for accommodating the semiconductor pressure sensor chip and the pedestal therein, and a pressure inlet are formed, and the semiconductor pressure sensor is electrically connected to the semiconductor pressure sensor by wire bonding and is external to the package body. A semiconductor pressure sensor having a lead drawn out to the package body, wherein the lead is drawn out to the side of the package body and bent toward the bottom side of the package body so as to substantially along the side surface of the package body, and further, Wherein the portion is bent substantially along the bottom surface of the package body. Is shall.
【0009】請求項2記載の半導体圧力センサは、圧力
を応力に変換するダイヤフラムが形成された半導体圧力
センサチップと、この半導体圧力センサチップを支持す
る台座と、前記半導体圧力センサチップ及び前記台座を
内部に収容する凹部、及び、圧力導入口が形成されたパ
ッケージ本体と、前記半導体圧力センサとワイヤボンデ
ィングにより電気的に接続され前記パッケージ本体の外
部に引き出されたリードとを備え、母基板上に実装され
る半導体圧力センサにおいて、前記凹部が前記パッケー
ジ本体の底面側に形成され、前記半導体圧力センサが前
記母基板上に実装された際に、前記パッケージ本体が、
前記凹部の箇所で、前記母基板上に実装された、少なく
とも1つの素子、及び、その周辺部分を覆うように形成
されていると共に、前記リードが前記パッケージ本体の
側方に引き出され前記パッケージ本体の側面に略沿うよ
うに前記パッケージ本体の底面側に折り曲げられ、さら
に、その先端部分が前記パッケージ本体の底面に略沿う
ように折り曲げられていることを特徴とするものであ
る。A semiconductor pressure sensor according to a second aspect of the present invention includes a semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm for converting pressure into stress, a pedestal supporting the semiconductor pressure sensor chip, and a semiconductor pressure sensor chip and the pedestal. A concave body to be housed therein, and a package main body having a pressure inlet formed therein, and a lead electrically connected to the semiconductor pressure sensor by wire bonding and led out of the package main body. In the semiconductor pressure sensor to be mounted, the concave portion is formed on the bottom side of the package main body, and when the semiconductor pressure sensor is mounted on the mother board, the package main body is
The package body is formed so as to cover at least one element mounted on the mother board and a peripheral portion thereof at the location of the concave portion, and the lead is drawn out to the side of the package body. Are bent to the bottom surface side of the package main body substantially along the side surfaces of the package body, and further, the tip portion is bent substantially along the bottom surface of the package main body.
【0010】請求項3記載の半導体圧力センサは、請求
項2記載の半導体圧力センサで、前記素子の少なくとも
1つが、前記半導体圧力センサの温度補償のために、そ
の温度を前記半導体圧力センサチップの温度と略等しい
温度に保つ必要がある素子であることを特徴とするもの
である。A semiconductor pressure sensor according to a third aspect of the present invention is the semiconductor pressure sensor according to the second aspect, wherein at least one of the elements uses the temperature of the semiconductor pressure sensor chip for temperature compensation of the semiconductor pressure sensor. The element is required to be maintained at a temperature substantially equal to the temperature.
【0011】[0011]
【作用】請求項1乃至請求項3記載の半導体圧力センサ
は、リードを半導体圧力センサのパッケージ本体の側方
に引き出し、パッケージ本体の側面に略沿うように前記
パッケージ本体の底面側に折り曲げ、さらに、その先端
部分をパッケージ本体の底面に略沿うように折り曲げ
て、リードの先端部分を母基板上に形成された配線パタ
ーンと半田等により接合して表面実装するように構成し
たものである。この構造によれば、リードがパッケージ
本体から側方に大きく突出することがないので半導体圧
力センサの小型化が図れる。According to the semiconductor pressure sensor of the present invention, the lead is drawn out to the side of the package body of the semiconductor pressure sensor, and is bent toward the bottom surface side of the package body substantially along the side surface of the package body. The tip portion is bent substantially along the bottom surface of the package body, and the tip portion of the lead is joined to a wiring pattern formed on the motherboard by soldering or the like, and is surface-mounted. According to this structure, the lead does not largely protrude laterally from the package body, so that the semiconductor pressure sensor can be downsized.
【0012】また、請求項2及び請求項3記載の半導体
圧力センサは、パッケージ本体が、凹部の箇所で、母基
板上に実装された、少なくとも1つの素子、及び、その
周辺部分を覆うようにパッケージ本体を構成したことを
特徴とするものである。このように構成することによ
り、母基板上の半導体圧力センサの実装領域に、他の素
子も実装することができるので母基板の小型化が図れ
る。According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor pressure sensor, the package body covers at least one element mounted on the mother board and a peripheral portion thereof at the concave portion. A package body is constituted. With this configuration, other elements can be mounted in the mounting area of the semiconductor pressure sensor on the motherboard, so that the size of the motherboard can be reduced.
【0013】さらに、請求項3記載の半導体圧力センサ
は、請求項2記載の半導体圧力センサで、素子の少なく
とも1つを、半導体圧力センサの温度補償のために、そ
の温度を半導体圧力センサチップの温度と略等しい温度
に保つ必要がある素子(温度補償用素子)としたことを
特徴とするもので、このように構成することにより、温
度補償用素子と、半導体圧力センサチップとが同じ圧力
基準室内に配置され、温度補償用素子の温度と半導体圧
力センサチップの温度とが略等しくなるので、精度の高
い温度補償が可能となる。The semiconductor pressure sensor according to a third aspect of the present invention is the semiconductor pressure sensor according to the second aspect, wherein at least one of the elements is connected to a semiconductor pressure sensor chip for temperature compensation of the semiconductor pressure sensor. The temperature compensation element (temperature compensation element) is required to be maintained at a temperature substantially equal to the temperature. With this configuration, the temperature compensation element and the semiconductor pressure sensor chip have the same pressure reference. Since the temperature of the temperature compensating element and the temperature of the semiconductor pressure sensor chip are substantially equal to each other, the temperature compensation can be performed with high accuracy.
【0014】[0014]
【実施例】図1に基づいて本発明の半導体圧力センサの
一実施例について説明する。図1は半導体圧力センサを
母基板上に実装した状態を示す断面図である。但し、図
4に示した構成と同等構成については同符号を付すこと
とする。図で、半導体圧力センサチップ1は、パイレッ
クスガラス材料等で構成された台座2に陽極接合法等に
より接合され、台座2は樹脂モールドされたパッケージ
本体3の底面に形成された凹部3aの底面に接着剤4等
によってマウントされている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the semiconductor pressure sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a state where a semiconductor pressure sensor is mounted on a mother board. However, the same components as those shown in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. In the figure, a semiconductor pressure sensor chip 1 is joined to a pedestal 2 made of a Pyrex glass material or the like by an anodic bonding method or the like. It is mounted with an adhesive 4 or the like.
【0015】パッケージ本体3の上部には、台座2に形
成された貫通孔2aを通って半導体圧力センサチップ1
に連通する圧力導入口3bが形成されている。また、凹
部3aの開口は蓋5によって塞がれており、これによ
り、凹部3aの内部は密閉性が高められた圧力基準室3
cとなっている。圧力基準室3cについては、その内部
気圧を大気圧に設定する場合、真空に設定したりする場
合等がある。The semiconductor pressure sensor chip 1 passes through a through hole 2a formed in the pedestal 2 at the upper part of the package body 3.
Is formed. Further, the opening of the concave portion 3a is closed by the lid 5, so that the inside of the concave portion 3a is a pressure reference chamber 3 having an improved hermeticity.
c. The internal pressure of the pressure reference chamber 3c may be set to atmospheric pressure, or may be set to vacuum.
【0016】半導体圧力センサチップ1は、シリコーン
単結晶板に、片面に受圧面が形成された、圧力を応力に
変換するダイヤフラム1a、及び、歪ゲージ(図示省
略)を形成したもので、ピエゾ抵抗効果により圧力の変
化を電気抵抗の変化に変換して出力するものである。The semiconductor pressure sensor chip 1 is formed by forming a diaphragm 1a having a pressure-receiving surface on one side, which converts pressure into stress, and a strain gauge (not shown) on a single-crystal silicon plate. A change in pressure is converted into a change in electrical resistance by the effect and output.
【0017】半導体圧力センサチップ1と、パッケージ
本体3に一体成型されたリード13とは、Au線等のボン
ディングワイヤ7により接続されている。リード13
は、リード13となるリードフレームのタイバー切断
後、パッケージ本体3の側方に引き出された部分が、パ
ッケージ本体3の側面に略沿うように、パッケージ本体
3の底面側に折り曲げられ、さらに、その先端部分が、
パッケージ本体3の底面に略沿うように折り曲げられて
いる。リード13の先端部分は、母基板8(銅張積層
板、セラミック、金属ベース基板等)上に形成された配
線パターン14と半田12等によって接合されている。
図1に示す構造によれば、リードがパッケージ本体3の
側方に大きく突出することがないので半導体圧力センサ
の小型化が図れ実装面積を小さくすることができる。The semiconductor pressure sensor chip 1 and the leads 13 integrally formed on the package body 3 are connected by bonding wires 7 such as Au wires. Lead 13
After the tie bar of the lead frame serving as the lead 13 is cut, the portion pulled out to the side of the package body 3 is bent to the bottom surface side of the package body 3 so as to be substantially along the side surface of the package body 3, and furthermore, The tip is
It is bent substantially along the bottom surface of the package body 3. The tips of the leads 13 are joined to the wiring patterns 14 formed on the mother board 8 (copper-clad laminate, ceramic, metal base board, or the like) by the solder 12 or the like.
According to the structure shown in FIG. 1, the lead does not largely protrude to the side of the package body 3, so that the semiconductor pressure sensor can be downsized and the mounting area can be reduced.
【0018】図2に基づいて本発明の半導体圧力センサ
の異なる実施例について説明する。図2は半導体圧力セ
ンサを母基板上に実装した状態を示す断面図である。但
し、図1に示した構成と同等構成については同符号を付
し詳細説明を省略することとする。図2に示す実施例
は、リードを図1に示した実施例のリード13と同様に
構成すると共に、パッケージ本体3が、凹部3aの箇所
で、母基板8上に実装された、ベアチップ状のオペアン
プIC15、及び、その周辺部分(例えば、オペアンプ
IC15に接続されたボンディングワイヤ、そのボンデ
ィングワイヤに接続された配線パターンの一部が形成さ
れている領域)を覆うように構成したものである。図2
に示す実施例の場合、図1に示した実施例の蓋5は除去
されている。Referring to FIG. 2, another embodiment of the semiconductor pressure sensor according to the present invention will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a state where the semiconductor pressure sensor is mounted on the motherboard. However, the same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description will be omitted. In the embodiment shown in FIG. 2, the leads are configured in the same manner as the leads 13 of the embodiment shown in FIG. 1, and the package body 3 is mounted on the mother board 8 at the concave portion 3a. It is configured to cover the operational amplifier IC 15 and its peripheral portion (for example, a region where a bonding wire connected to the operational amplifier IC 15 and a part of a wiring pattern connected to the bonding wire are formed). FIG.
1, the lid 5 of the embodiment shown in FIG. 1 has been removed.
【0019】オペアンプIC15は、半導体圧力センサ
チップ1(歪ゲージ)の出力を増幅し温度補償を行う機
能を有する素子である。図2に示す実施例では、圧力基
準室3dの内部に、オペアンプIC15を配置したが、
オペアンプIC15以外の素子を配置してもよい。ま
た、例えば、オペアンプIC15と、電気特性のバラツ
キを調整する抵抗素子というように複数の素子を配置し
てもよい。The operational amplifier IC 15 is an element having a function of amplifying the output of the semiconductor pressure sensor chip 1 (strain gauge) and performing temperature compensation. In the embodiment shown in FIG. 2, the operational amplifier IC 15 is disposed inside the pressure reference chamber 3d.
Elements other than the operational amplifier IC15 may be arranged. Further, for example, a plurality of elements such as the operational amplifier IC 15 and a resistance element for adjusting the variation of the electrical characteristics may be arranged.
【0020】以上に説明したように構成し、パッケージ
本体3の底面に略沿わせた、リード13の先端部分を、
母基板8上に形成された配線パターン14に接合するこ
とによって半導体圧力センサを母基板8上に実装する。
この場合、パッケージ本体3の底面と母基板8間の隙間
にシリコーン樹脂等で構成されるシーリング剤16を充
填し、圧力基準室3dの密封性を高めるように構成して
もよい。但し、このシーリングを行う場合、圧力基準室
3dの内部気圧を大気圧と等しくする場合は、圧力基準
室3dへの異物または水分の侵入を抑制すると共に、内
部気圧を大気圧と等しくするために、微小な通気孔(図
示省略)を形成しておく。この通気孔は、パッケージ本
体3の底面と母基板8間の隙間の一部にシーリング剤1
6を充填しないようにして形成したり、パッケージ本体
3に孔または溝を形成してそれを通気孔として用いるよ
うにしてもよい。また、母基板8側にスルーホール等を
形成してそれを通気孔としてもよい。The tip of the lead 13, which is constructed as described above and is substantially along the bottom surface of the package body 3,
The semiconductor pressure sensor is mounted on the motherboard 8 by bonding to the wiring pattern 14 formed on the motherboard 8.
In this case, the gap between the bottom surface of the package main body 3 and the motherboard 8 may be filled with a sealing agent 16 made of a silicone resin or the like so as to increase the sealing property of the pressure reference chamber 3d. However, when this sealing is performed, when the internal pressure of the pressure reference chamber 3d is made equal to the atmospheric pressure, intrusion of foreign matter or moisture into the pressure reference chamber 3d is suppressed and the internal pressure is made equal to the atmospheric pressure. , Small air holes (not shown) are formed in advance. This ventilation hole is provided in a part of a gap between the bottom surface of the package
6 may be formed so as not to be filled, or a hole or groove may be formed in the package body 3 and used as a vent. Further, a through hole or the like may be formed on the mother substrate 8 side and used as a vent hole.
【0021】なお、パッケージ本体の形状は実施例に限
定されない。また、実施例で、素子はオペアンプICで
あるとして説明したが実施例に限定されない。The shape of the package body is not limited to the embodiment. Further, in the embodiments, the element has been described as an operational amplifier IC, but is not limited to the embodiment.
【0022】[0022]
【発明の効果】以上に説明したように、請求項1乃至請
求項3記載の半導体圧力センサでは、半導体圧力センサ
と母基板上に形成された配線パターンとを電気的に接続
するリードを、パッケージ本体の側方に引出し、パッケ
ージ本体の側面及び底面に略沿うように折り曲げている
ので、半導体圧力センサの実装面積を著しく縮小でき、
半導体圧力センサの小型化が図れる。As described above, in the semiconductor pressure sensor according to any one of the first to third aspects, the lead for electrically connecting the semiconductor pressure sensor and the wiring pattern formed on the motherboard is provided in the package. Since it is pulled out to the side of the main body and bent almost along the side and bottom of the package main body, the mounting area of the semiconductor pressure sensor can be significantly reduced,
The size of the semiconductor pressure sensor can be reduced.
【0023】また、請求項2及び請求項3記載の半導体
圧力センサでは、パッケージ本体が、凹部の箇所で、母
基板上に実装された、少なくとも1つの素子、及び、そ
の周辺部分を覆うようにパッケージ本体を構成したの
で、母基板上の半導体圧力センサの実装領域に、他の素
子も実装することができ母基板の小型化が図れる。Further, in the semiconductor pressure sensor according to the second and third aspects, the package body covers at least one element mounted on the mother board and a peripheral portion thereof at the concave portion. Since the package body is configured, other elements can be mounted in the mounting area of the semiconductor pressure sensor on the motherboard, and the motherboard can be reduced in size.
【0024】さらに、請求項3記載の半導体圧力センサ
は、母基板上に実装し圧力基準室に配置する素子の、少
なくとも1つを、半導体圧力センサの温度補償のため
に、その温度を半導体圧力センサチップの温度と略等し
い温度に保つ必要がある素子(温度補償用素子)とした
ので、半導体圧力センサチップと温度補償用素子を同じ
圧力基準室に配置することができ、半導体圧力センサチ
ップの温度と、温度補償用素子の温度を略等しくするこ
とができるので、温度補償が高い精度で行えるという効
果を奏する。Further, in the semiconductor pressure sensor according to the present invention, at least one of the elements mounted on the motherboard and arranged in the pressure reference chamber is connected to a semiconductor pressure sensor for temperature compensation of the semiconductor pressure sensor. Since the element (temperature compensation element) must be maintained at a temperature substantially equal to the temperature of the sensor chip, the semiconductor pressure sensor chip and the temperature compensation element can be arranged in the same pressure reference chamber, and the semiconductor pressure sensor chip Since the temperature and the temperature of the temperature compensation element can be made substantially equal, there is an effect that temperature compensation can be performed with high accuracy.
【図1】本発明の半導体圧力センサの一実施例を示す断
面図である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a semiconductor pressure sensor of the present invention.
【図2】本発明の半導体圧力センサの異なる実施例を示
す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing another embodiment of the semiconductor pressure sensor of the present invention.
【図3】従来の半導体圧力センサの一例を示す断面図で
ある。FIG. 3 is a sectional view showing an example of a conventional semiconductor pressure sensor.
【図4】従来の半導体圧力センサの異なる例を示す断面
図である。FIG. 4 is a sectional view showing a different example of the conventional semiconductor pressure sensor.
1 半導体圧力センサチップ 1a ダイヤフラム 2 台座 3 パッケージ本体 3a 凹部 3b 圧力導入口 8 母基板 13 リード 15 オペアンプIC(素子、半導体圧力センサの温
度補償のためにその温度を半導体圧力センサチップの温
度と略等しい温度に保つ必要がある素子)REFERENCE SIGNS LIST 1 semiconductor pressure sensor chip 1 a diaphragm 2 pedestal 3 package body 3 a recess 3 b pressure inlet 8 mother board 13 lead 15 operational amplifier IC (for temperature compensation of element and semiconductor pressure sensor, the temperature is substantially equal to the temperature of semiconductor pressure sensor chip. Elements that need to be kept at temperature)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−218739(JP,A) 特開 平7−38122(JP,A) 特開 平4−312980(JP,A) 実開 平4−113045(JP,U) 実開 平5−64748(JP,U) 実開 昭64−38545(JP,U) 実開 昭63−105332(JP,U) 実開 平3−125219(JP,U) 実開 平1−165436(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01L 9/04 H01L 29/84 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of the front page (56) References JP-A-4-218739 (JP, A) JP-A-7-38122 (JP, A) JP-A-4-312980 (JP, A) 113045 (JP, U) Fully open Hei 5-64748 (JP, U) Fully open Showa 64-38545 (JP, U) Really open Showa 63-105332 (JP, U) Really open 3-125219 (JP, U) Hikaru 1-165436 (JP, U) (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) G01L 9/04 H01L 29/84
Claims (3)
成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧力セ
ンサチップを支持する台座と、前記半導体圧力センサチ
ップ及び前記台座を内部に収容する凹部、及び、圧力導
入口が形成されたパッケージ本体と、前記半導体圧力セ
ンサとワイヤボンディングにより電気的に接続され前記
パッケージ本体の外部に引き出されたリードとを備えた
半導体圧力センサにおいて、前記リードが前記パッケー
ジ本体の側方に引き出され前記パッケージ本体の側面に
略沿うように前記パッケージ本体の底面側に折り曲げら
れ、さらに、その先端部分が前記パッケージ本体の底面
に略沿うように折り曲げられていることを特徴とする半
導体圧力センサ。A semiconductor pressure sensor chip on which a diaphragm for converting pressure into stress is formed; a pedestal supporting the semiconductor pressure sensor chip; a recess accommodating the semiconductor pressure sensor chip and the pedestal therein; In a semiconductor pressure sensor including a package body having a pressure inlet formed therein, and a lead that is electrically connected to the semiconductor pressure sensor by wire bonding and is drawn out of the package body, the lead may be connected to the package body. The package body is drawn out to the side and bent to the bottom surface side of the package body substantially along the side surface of the package body, and the tip portion is further bent substantially along the bottom surface of the package body. Semiconductor pressure sensor.
成された半導体圧力センサチップと、この半導体圧力セ
ンサチップを支持する台座と、前記半導体圧力センサチ
ップ及び前記台座を内部に収容する凹部、及び、圧力導
入口が形成されたパッケージ本体と、前記半導体圧力セ
ンサとワイヤボンディングにより電気的に接続され前記
パッケージ本体の外部に引き出されたリードとを備え、
母基板上に実装される半導体圧力センサにおいて、前記
凹部が前記パッケージ本体の底面側に形成され、前記半
導体圧力センサが前記母基板上に実装された際に、前記
パッケージ本体が、前記凹部の箇所で、前記母基板上に
実装された、少なくとも1つの素子、及び、その周辺部
分を覆うように形成されていると共に、前記リードが前
記パッケージ本体の側方に引き出され前記パッケージ本
体の側面に略沿うように前記パッケージ本体の底面側に
折り曲げられ、さらに、その先端部分が前記パッケージ
本体の底面に略沿うように折り曲げられていることを特
徴とする半導体圧力センサ。2. A semiconductor pressure sensor chip having a diaphragm for converting pressure into stress, a pedestal supporting the semiconductor pressure sensor chip, a recess accommodating the semiconductor pressure sensor chip and the pedestal therein, and A package main body having a pressure inlet formed therein, and a lead that is electrically connected to the semiconductor pressure sensor by wire bonding and is drawn out of the package main body,
In the semiconductor pressure sensor mounted on the motherboard, the recess is formed on the bottom surface side of the package body, and when the semiconductor pressure sensor is mounted on the motherboard, the package body is located at the location of the recess. At least one element mounted on the motherboard is formed so as to cover a peripheral portion thereof, and the lead is drawn out to the side of the package body and substantially extends on a side surface of the package body. A semiconductor pressure sensor, wherein the semiconductor pressure sensor is bent toward the bottom surface of the package main body so as to extend along the bottom surface of the package main body.
体圧力センサの温度補償のために、その温度を前記半導
体圧力センサチップの温度と略等しい温度に保つ必要が
ある素子であることを特徴とする請求項2記載の半導体
圧力センサ。3. The semiconductor device according to claim 1, wherein at least one of the elements is an element whose temperature needs to be maintained at a temperature substantially equal to the temperature of the semiconductor pressure sensor chip for temperature compensation of the semiconductor pressure sensor. The semiconductor pressure sensor according to claim 2.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7011201A JP3042344B2 (en) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | Semiconductor pressure sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7011201A JP3042344B2 (en) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | Semiconductor pressure sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08201197A JPH08201197A (en) | 1996-08-09 |
JP3042344B2 true JP3042344B2 (en) | 2000-05-15 |
Family
ID=11771425
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7011201A Expired - Lifetime JP3042344B2 (en) | 1995-01-27 | 1995-01-27 | Semiconductor pressure sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3042344B2 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5227288B2 (en) * | 2009-10-15 | 2013-07-03 | 北陸電気工業株式会社 | Semiconductor pressure sensor |
-
1995
- 1995-01-27 JP JP7011201A patent/JP3042344B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08201197A (en) | 1996-08-09 |
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