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JPH10268326A - Substrate for liquid crystal display device - Google Patents

Substrate for liquid crystal display device

Info

Publication number
JPH10268326A
JPH10268326A JP7411297A JP7411297A JPH10268326A JP H10268326 A JPH10268326 A JP H10268326A JP 7411297 A JP7411297 A JP 7411297A JP 7411297 A JP7411297 A JP 7411297A JP H10268326 A JPH10268326 A JP H10268326A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sealing material
light
conductive pattern
liquid crystal
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7411297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Takahashi
一博 高橋
Ryuji Tada
龍二 多田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP7411297A priority Critical patent/JPH10268326A/en
Publication of JPH10268326A publication Critical patent/JPH10268326A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the substrate for a liquid crystal display device which is free of mixture of a liquid crystal layer with impurities and a decrease in the retaining force of liquid crystal due to a difficiency in the setting of a photosetting sealing material. SOLUTION: Many gaps 29 of small area for light transmission are arranged and formed almost uniformly at an overlap of the sealing material 24 with a light-shielding conductive pattern 28. Thus, the gaps 29 are provided to secure light irradiation area at the overlap of the sealing material 24 with the conductive pattern 28. Even if the light-shielding conductive pattern 28 overlaps with the photosetting sealing material 24, the sealing material 24 has no insufficiently set part and is able to securely set entirely. When the shape and array of the gaps 29 are so set that light creeps by diffraction, the sealing material 24 at non-gap parts can be set with light which is made incident on the gaps 29 and creeps, thereby securing the setting of the sealing material at the overlap part.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、対向基板を貼り合
わせて液晶層を挟持する液晶表示装置用基板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate for a liquid crystal display device in which an opposing substrate is bonded to sandwich a liquid crystal layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、液晶表示装置は、薄形で軽量、低
消費電力という大きな利点を生かして、パーソナルコン
ピュータなどの表示装置として広く利用されている。特
に、各画素電極毎に薄膜トランジスタ(Thin Film Tran
sistor)などのスイッチング素子を有するアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置は、高精細で高画質の表示が
可能であることから、開発が盛んである。
2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices have been widely used as display devices for personal computers and the like, taking advantage of their thin, lightweight, and low power consumption advantages. In particular, a thin film transistor (Thin Film Tran
Active matrix type liquid crystal display devices having switching elements such as sistors are being actively developed because they can display high definition and high image quality.

【0003】このアクティブマトリクス型の液晶表示装
置は、薄膜トランジスタおよびこの薄膜トランジスタに
接続される互いに直交して配置されたそれぞれ複数本の
信号線および走査線の直線状パターンが形成されている
アレイ基板と、透明導電膜が形成された対向基板とを有
している。そして、これらアレイ基板および対向基板間
に液晶層を挟持した状態で、液晶層の周囲にシール材を
介して一体的に構成される。
This active matrix type liquid crystal display device includes an array substrate on which a thin film transistor and a plurality of linear patterns of signal lines and scanning lines connected to the thin film transistor and arranged at right angles to each other are formed; And a counter substrate on which a transparent conductive film is formed. In a state where the liquid crystal layer is sandwiched between the array substrate and the counter substrate, the liquid crystal layer is integrally formed around the liquid crystal layer via a sealing material.

【0004】ここで、液晶表示装置は外部駆動回路から
給電される信号によって所定の表示動作するが、外部駆
動回路との接続用端子はアレイ基板にのみ設けられてい
る。そして、アレイ基板上の画素電極は、この接続用端
子に接続している信号線および走査線の配線パターンか
ら対応する薄膜トランジスタを介して直接給電される。
Here, the liquid crystal display device performs a predetermined display operation in response to a signal supplied from an external drive circuit, but terminals for connection to the external drive circuit are provided only on the array substrate. The pixel electrodes on the array substrate are directly supplied with power from the wiring patterns of the signal lines and the scanning lines connected to the connection terminals via the corresponding thin film transistors.

【0005】これに対し、対向基板に形成された透明導
電膜は、外部回路に対しては直接に接続されていない。
このため、アレイ基板上に、対向基板側への給電用とし
てトランスファ電極を設けるとともに、このトランスフ
ァ電極と外部接続用の端子との間を導電パターンによっ
て電気的に接続している。そして、これら導電パターン
およびトランスファ電極を介して対向電極側の透明導電
膜に給電するように構成している。なお、トランスファ
電極には、導電性の金属ペーストが用いられる。
On the other hand, the transparent conductive film formed on the opposite substrate is not directly connected to an external circuit.
For this reason, a transfer electrode is provided on the array substrate to supply power to the counter substrate, and the transfer electrode and an external connection terminal are electrically connected by a conductive pattern. The power is supplied to the transparent conductive film on the counter electrode side via the conductive pattern and the transfer electrode. Note that a conductive metal paste is used for the transfer electrode.

【0006】ここで、アレイ基板の製造工程について説
明する。
Here, the manufacturing process of the array substrate will be described.

【0007】まず、ガラスなどによる絶縁性の透明基板
上にスパッタ法によってモリブデン−タングステン(M
oW)膜を3000オングストロームの膜厚で成膜す
る。そして、走査線や、対向基板への給電用の導電パタ
ーンなどを、フォト・エッチング法によって所定の形状
に形成する。
First, molybdenum-tungsten (M) is deposited on an insulating transparent substrate such as glass by sputtering.
oW) A film is formed to a thickness of 3000 Å. Then, a scanning line, a conductive pattern for supplying power to the opposing substrate, and the like are formed in a predetermined shape by a photo-etching method.

【0008】次に、酸化シリコン(SiOx )や窒化シ
リコン(SiNx )などのゲート絶縁膜をそれぞれ35
00オングストローム、500オングストロームの膜厚
に、薄膜トランジスタのチャネル領域となるアモルファ
スシリコン(a−Si)膜をCVD法により500オン
グストロームの膜厚に成膜する。また、窒化シリコンの
エッチング保護膜をCVD法により3100オングスト
ロームの膜厚で成膜した後、この保護膜のみをフォト・
エッチング法によって所定の形状に成形加工する。
Next, a gate insulating film such as silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN x ) is
An amorphous silicon (a-Si) film serving as a channel region of a thin film transistor is formed to a thickness of 500 angstroms by a CVD method to have a thickness of 00 angstroms and 500 angstroms. After forming an etching protection film of silicon nitride to a thickness of 3100 angstroms by the CVD method, only this protection film is photo-etched.
It is formed into a predetermined shape by an etching method.

【0009】さらに、CVD法によってn+ 型アモルフ
ァスシリコン膜を500オングストロームの膜厚で成膜
する。この後、n+ 型アモルファスシリコン膜とともに
アモルファスシリコン膜を所定の形状に成形加工し、さ
らに、画素電極としてITO(Indium Tin Oxide)膜を
スパッタによって400オングストロームの膜厚で成膜
した後、フォト・エッチング法により所定の形状に成形
加工する。
Further, an n + -type amorphous silicon film is formed to a thickness of 500 angstroms by the CVD method. Thereafter, the amorphous silicon film is formed into a predetermined shape together with the n + -type amorphous silicon film, and an ITO (Indium Tin Oxide) film is formed as a pixel electrode to a thickness of 400 Å by sputtering. It is formed into a predetermined shape by an etching method.

【0010】次に、走査線の接続用端子などをフォト・
エッチング法によって所定の形状に成形加工する。ま
た、アルミニウム(Al)をスパッタ法によって450
0オングストロームの膜厚で成膜し、フォト・エッチン
グ法により所定の形状に成形加工する。
Next, the scanning line connection terminals and the like are photo-
It is formed into a predetermined shape by an etching method. In addition, aluminum (Al) is 450
A film having a thickness of 0 Å is formed and formed into a predetermined shape by a photo-etching method.

【0011】最後に、窒化シリコン(SiN)の保護
膜をCVD法により2000オングストロームの膜厚で
成膜し、フォト・エッチング法によって成形加工するこ
とにより、アレイ基板が完成する。
Finally, a protective film of silicon nitride (SiN x ) is formed to a thickness of 2000 angstroms by a CVD method, and is formed by a photo-etching method to complete an array substrate.

【0012】このようなアレイ基板では、多数の画素電
極がマトリクス状に配置された表示領域に対し、この表
示領域の周囲には対向基板との間で液晶層を挟持するシ
ール材が、表示領域を囲むように設けられている。この
他に、対向基板との電気的接続に用いられるトランスフ
ァ電極およびこのトランスファ電極と外部接続用の端子
との間を電気的に接続する導電パターンがそれぞれ設け
られている。
In such an array substrate, a sealing material for sandwiching a liquid crystal layer between the display region and a counter substrate is provided around the display region in which a large number of pixel electrodes are arranged in a matrix. Is provided so as to surround the. In addition, a transfer electrode used for electrical connection with the opposing substrate and a conductive pattern for electrically connecting the transfer electrode to a terminal for external connection are provided.

【0013】ところで、近年、液晶表示装置に対して
は、高開口率化いわゆる低消費電力化、低価格化、およ
び、大画面化の要求が多い。これらの要求を満足させる
手段として、シール材に、従来の熱硬化性シール材に代
って、光硬化性のシール材を用いることが提案されてい
る。
In recent years, there has been a great demand for liquid crystal display devices to have a higher aperture ratio, so-called lower power consumption, lower cost, and a larger screen. As means for satisfying these requirements, it has been proposed to use a photocurable sealing material instead of a conventional thermosetting sealing material as the sealing material.

【0014】そして、光硬化性のシール材は、高開口率
化に対しては、アレイ基板と対向基板との組立て精度向
上という面で有効であるとともに、低価格化に対して
は、工程数が削減されることから有効であるが、大画面
化については次のような問題がある。
The photo-curable sealing material is effective in improving the assembling accuracy of the array substrate and the counter substrate for increasing the aperture ratio, and is also effective in reducing the number of steps for reducing the cost. Is effective because the number of images is reduced, but there are the following problems with the enlargement of the screen.

【0015】すなわち、大画面化のために表示領域を大
きくするとその周囲のいわゆる額縁部分が狭くなり、ト
ランスファ電極への遮光性の導電パターンとシール材と
が重なってしまい、大画面化が進むにつれ、この重なり
部分は増大する。
That is, when the display area is enlarged to enlarge the screen, the so-called frame portion around the area becomes narrower, and the light-shielding conductive pattern to the transfer electrode overlaps with the sealing material. , The overlap increases.

【0016】この場合、従来の熱硬化性のシール材では
問題は生じないが、光硬化性のシール材の場合、導電パ
ターンとの重なり部分には光が照射されないため、光照
射による光硬化性のシール材の硬化が不十分になる。こ
のように光硬化性のシール材の硬化が不十分の場合、シ
ール材およびシール材外部からイオンなどの不純物が液
晶内に混入し、液晶の保持率低下などを招く。このた
め、表示品位の不良が生じ、歩留まりの低下が生じる。
In this case, there is no problem with the conventional thermosetting sealing material. However, in the case of the photocuring sealing material, light is not irradiated to a portion overlapping with the conductive pattern. The curing of the sealing material becomes insufficient. When the photocurable sealing material is not sufficiently cured in this manner, impurities such as ions are mixed into the liquid crystal from the sealing material and the outside of the sealing material, and the retention rate of the liquid crystal is reduced. For this reason, display quality is deteriorated, and the yield is reduced.

【0017】そして、図7および図8に示すように、ア
レイ基板11は周縁部に、図示しない表示領域を囲むよう
に熱硬化性のシール材12が設けられており、対向基板13
を一体的に貼り合わせている。また、このシール材12に
囲まれた内部には、図示しない液晶層が封入されてお
り、この液晶層はアレイ基板11と対向基板13とによって
挟持される。
As shown in FIGS. 7 and 8, the array substrate 11 is provided with a thermosetting sealing material 12 at a peripheral portion so as to surround a display area (not shown).
Are bonded together. A liquid crystal layer (not shown) is sealed in the interior surrounded by the sealing material 12, and the liquid crystal layer is sandwiched between the array substrate 11 and the counter substrate 13.

【0018】また、このアレイ基板11の周縁部には、シ
ール材12の他に、対向基板13上の透明導電膜14への給電
用としてトランスファ電極15が設けられ、さらに、この
トランスファ電極15と、図示しない外部接続用の端子と
の間を接続する遮光性の導電パターン16がそれぞれ形成
されている。これらトランスファ電極15,15a および導
電パターン16,16a の少なくとも一方は、液晶表示装置
の大画面化によってシール材12と重なっている。そし
て、トランスファ電極15a および導電パターン16a の双
方がシール材と重なっている。
At the periphery of the array substrate 11, in addition to the sealing material 12, a transfer electrode 15 is provided for supplying power to the transparent conductive film 14 on the counter substrate 13. A light-shielding conductive pattern 16 is formed to connect to an external connection terminal (not shown). At least one of the transfer electrodes 15, 15a and the conductive patterns 16, 16a overlaps the sealing material 12 due to the enlargement of the screen of the liquid crystal display device. Then, both the transfer electrode 15a and the conductive pattern 16a overlap with the sealing material.

【0019】ここで、光硬化性のシール材12は、図8で
示すように、アレイ基板11の裏側から照射される光Lに
よって硬化するが、トランスファ電極15a および導電パ
ターン16a との重なり部には光が照射されないため硬化
が不十分となる。特に、特定領域、シール材12の長さ方
向に沿うトランスファ電極15の重なり寸法xとシール材
の幅寸法yとから求まる面積の領域に対し、重なり部分
のトランスファ電極15a および導電パターン16a の面積
が占める割合が多いと、シール材12は硬化不足となり、
液晶層へのイオンなどの不純物の混入や液晶の保持力低
下などの問題が生じる。
Here, as shown in FIG. 8, the photo-curable sealing material 12 is cured by light L radiated from the back side of the array substrate 11, and is cured at a portion where the transfer electrode 15a and the conductive pattern 16a overlap. Is insufficiently cured because it is not irradiated with light. In particular, the area of the transfer electrode 15a and the conductive pattern 16a in the overlapped area is smaller than the specific area, the area of the area determined from the overlap dimension x of the transfer electrode 15 along the length direction of the sealing material 12 and the width dimension y of the sealing material. If the occupying ratio is large, the sealing material 12 is insufficiently cured,
Problems such as the incorporation of impurities such as ions into the liquid crystal layer and a decrease in the holding power of the liquid crystal occur.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】このように、大画面化
が進められた液晶表示装置用のアレイ基板では、表示領
域の周縁部が狭くなるため、シール材と遮光性パターン
などとの重なり部分が多くなり、光硬化性のシール材に
硬化不十分な部位が生じるという問題を有している。
As described above, in the array substrate for a liquid crystal display device having a large screen, the peripheral portion of the display area becomes narrow, so that the overlapping portion between the sealing material and the light-shielding pattern is formed. And there is a problem that an insufficiently cured portion is generated in the photocurable sealing material.

【0021】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、光硬化性のシール材に遮光性のパターンとの重なり
部分が生じても、硬化不足による液晶層への不純物の混
入や液晶の保持力低下などの問題が生じない液晶表示装
置用基板を提供するを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems. Even if a light-curing sealing material overlaps with a light-shielding pattern, impurities may not be mixed into the liquid crystal layer due to insufficient curing or the liquid crystal may be mixed. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device substrate that does not cause a problem such as a decrease in holding power.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置用
基板は、絶縁性の透明基板上にマトリクス状に配置され
た画素電極と、液晶層を挟持した状態に対向基板を貼り
合わせ周囲に形成された光硬化性のシール材と、この光
硬化性のシール材の一部と少なくとも一部が重なってお
り、この導電パターンの重なり部分に光透過用の隙間が
形成され前記透明基板上に形成された遮光性の導電パタ
ーンとを具備したものである。そして、導電パターンの
光硬化性のシール材との重なり部分に光透過用の隙間を
形成したので、この隙間を透過した光が光硬化性のシー
ルに照射されることになり、硬化不足を防止する。
A substrate for a liquid crystal display device according to the present invention comprises a pixel electrode arranged in a matrix on an insulative transparent substrate, and a counter substrate with a liquid crystal layer sandwiched therebetween. The formed photocurable sealing material, at least a part of the photocurable sealing material overlaps, a gap for light transmission is formed in the overlapping portion of the conductive pattern, on the transparent substrate And a light-shielding conductive pattern formed. And, since a gap for light transmission is formed at the overlapping portion of the conductive pattern with the photocurable sealing material, light transmitted through this gap is irradiated on the photocurable seal, preventing insufficient curing. I do.

【0023】また、導電パターンは、隙間から入射した
光の回り込みにより、隙間部に重なっていない光硬化性
のシール材を硬化させることができる形状であるもの
で、隙間部に重なっていない部分の導電パターンに光を
照射して光硬化性のシール材を硬化させる。
The conductive pattern has a shape capable of curing a photo-curable sealing material that does not overlap with the gap due to the sneak of light incident from the gap. Light is applied to the conductive pattern to cure the photocurable sealing material.

【0024】さらに、本発明は、導電パターンの重なり
部分に光透光性導電物質を有するもので、光透過性導電
物質によって光硬化性のシール材への光が遮光されるこ
とはなく、光照射不足による光硬化性のシール材の硬化
不足を防止する。
Further, according to the present invention, the light-transmitting conductive material is provided at the overlapping portion of the conductive pattern, so that the light-transmitting conductive material does not block light to the photocurable sealing material. Insufficient curing of the photocurable sealing material due to insufficient irradiation is prevented.

【0025】またさらに、光硬化性のシール材の一部と
少なくとも一部が重なっており、光硬化性のシール材の
長さ方向に沿うトランスファ電極の重なり寸法および光
硬化性のシール材の幅寸法により求まる面積に対し、導
電パターンの重なり部分が占める面積が設定値以下とな
るように配置したもので、トランスファ電極の近くの限
られた面積中に導電パターンの重なり部分が集中しない
ように導電パターンの重なり部分を配置したので、この
重なり部分が、比較的広い範囲に分散することになり、
遮光部分の集中による光硬化性のシール材の硬化不足を
防止する。
Further, at least a part of the photocurable sealing material overlaps at least a part thereof, and the overlap dimension of the transfer electrode and the width of the photocurable sealing material along the length direction of the photocurable sealing material. The conductive pattern is arranged so that the area occupied by the overlapping part of the conductive pattern is less than the set value with respect to the area determined by the dimensions, and the conductive part is placed so that the overlapping part of the conductive pattern does not concentrate in a limited area near the transfer electrode Since the overlapping part of the pattern is arranged, this overlapping part will be dispersed over a relatively wide range,
Insufficient curing of the photocurable sealing material due to concentration of the light-shielding portion is prevented.

【0026】また、導電パターンは、重なり部分が間隔
を保って形成された複数本のパターンであり、この間隔
が100ミクロン以上、および、重なり部分が形成密度
が50%未満の少なくともいずれかであるものである。
The conductive pattern is a plurality of patterns in which overlapping portions are formed with an interval therebetween, and the interval is at least 100 μm and the overlapping portion has a formation density of less than 50%. Things.

【0027】[0027]

【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示装置用基
板の一実施の形態を図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the substrate for a liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0028】図1および図2に示すように、アレイ基板
21は、ガラスなどの絶縁性を有する透明基板22を有し、
この透明基板22の上面には、図示しない画素電極をマト
リクス状に配置した表示領域23が形成されている。ま
た、この表示領域23を囲むように光硬化性のシール材24
が配置されており、この光硬化性のシール材24の内部に
は図示しない液晶層が保持される。さらに、この透明基
板22は、光硬化性のシール材24を介して貼り合わされる
図示しない対向基板とともに、この光硬化性のシール材
24の内側に保持された液晶層を挟持する。
As shown in FIGS. 1 and 2, the array substrate
21 has a transparent substrate 22 having an insulating property such as glass,
On the upper surface of the transparent substrate 22, a display region 23 in which pixel electrodes (not shown) are arranged in a matrix is formed. In addition, a photo-curable sealing material 24 is
Are disposed, and a liquid crystal layer (not shown) is held inside the photocurable sealing material 24. Further, the transparent substrate 22 is provided with a photo-curable sealing material together with a counter substrate (not shown) bonded through a photo-curing sealing material 24.
The liquid crystal layer held inside 24 is sandwiched.

【0029】また、透明基板22の周縁部には、外部接続
用の端子26および給電用のトランスファ電極27が設けら
れている。外部接続用の端子26は、透明基板22上におい
て絶縁層を介して互いに直交配置されたそれぞれ複数本
の図示しない直線状パターンと接続している。これら直
線状パターンの表示領域23内における各交差部には、図
示しない薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor)を
介してマトリクス状に配置された画素電極がそれぞれ接
続されている。この外部接続用の端子26は、図示しない
外部駆動回路と接続されており、各画素電極は、この外
部駆動回路から外部接続用の端子26、直交配置された直
線状パターンを介して対応する薄膜トランジスタに給電
されて、所定の表示動作を行なう。
Further, on the periphery of the transparent substrate 22, a terminal 26 for external connection and a transfer electrode 27 for power supply are provided. The external connection terminals 26 are connected to a plurality of linear patterns (not shown) which are arranged orthogonally to each other via an insulating layer on the transparent substrate 22. Pixel electrodes arranged in a matrix are connected to respective intersections in the display area 23 of these linear patterns via thin film transistors (Thin Film Transistors) not shown. The external connection terminal 26 is connected to an external drive circuit (not shown), and each pixel electrode is connected to the corresponding thin film transistor via the external connection terminal 26 and the orthogonally arranged linear pattern from the external drive circuit. To perform a predetermined display operation.

【0030】さらに、トランスファ電極27は、図示しな
い対向基板への給電に用いられるもので、このトランス
ファ電極27は、遮光性の導電パターン28により外部接続
用の端子26に接続している。したがって、対向基板に設
けられた透明導電膜はアレイ基板21側に設けられた外部
接続用の端子26、遮光性の導電パターン28、トランスフ
ァ電極27を介して外部駆動回路から給電される。
The transfer electrode 27 is used to supply power to a counter substrate (not shown). The transfer electrode 27 is connected to a terminal 26 for external connection by a light-shielding conductive pattern 28. Therefore, the transparent conductive film provided on the counter substrate is supplied with power from an external drive circuit via the external connection terminal 26, the light-shielding conductive pattern 28, and the transfer electrode 27 provided on the array substrate 21 side.

【0031】ここで、液晶表示装置の大画面化に伴い、
アレイ基板21の周縁部、すなわち表示領域23の外側の幅
が狭くなっているので、光硬化性のシール材24の一部
が、遮光性の導電パターン28の一部と重なってしまう。
通常、光硬化性のシール材24を硬化させるための光は透
明基板22の裏側から照射されるが、遮光性の導電パター
ン28はこの裏側から照射される光を遮光してしまうの
で、このままでは、光硬化性のシール材24の遮光性の導
電パターン28と重なっている部分には光が照射されず、
硬化不足が生じてしまう。
Here, with the enlargement of the screen of the liquid crystal display device,
Since the peripheral portion of the array substrate 21, that is, the width outside the display region 23 is narrow, a part of the photocurable sealing material 24 overlaps a part of the light-shielding conductive pattern 28.
Normally, light for curing the photocurable sealing material 24 is irradiated from the back side of the transparent substrate 22.However, the light-shielding conductive pattern 28 blocks light irradiated from this back side. Light is not applied to the portion of the photocurable sealing material 24 overlapping the light-shielding conductive pattern 28,
Insufficient curing occurs.

【0032】そこで、遮光性の導電パターン28の光硬化
性のシール材24との重なり部分に、光透過用として小面
積の隙間29を多数ほぼ均等に配置形成する。これら隙間
29を設けることにより、光硬化性のシール材24の遮光性
の導電パターン28との重なり部分についても、ある程度
の光照射面積を確保することができる。すなわち、これ
ら隙間29の面積および数量は、重なり部分の全域に渡っ
て、光硬化性のシール材24を硬化させるに必要な最低限
の光照射量を少なくとも確保できるように設定する。な
お、隙間29の形状として正方形を図示したが、もちろん
正方形以外の形状でもよい。
In view of this, a large number of small-area gaps 29 for light transmission are formed almost uniformly at the overlapping portion of the light-shielding conductive pattern 28 with the photocurable sealing material 24. These gaps
By providing the light-transmitting member 29, a certain light irradiation area can be ensured even in the overlapping portion of the light-curable sealing material 24 with the light-shielding conductive pattern. That is, the area and the number of the gaps 29 are set so that at least the minimum amount of light irradiation necessary for curing the photocurable sealant 24 can be secured over the entire overlapping portion. Although a square is illustrated as the shape of the gap 29, it is needless to say that a shape other than a square may be used.

【0033】このように構成したことにより、光硬化性
のシール材24に対して、遮光性の導電パターン28との重
なり部分が生じても、従来のようにシール材に硬化不足
の部分が生じることなく、光硬化性のシール材24全体を
確実に硬化させることができ、硬化不足に起因する問題
点を解消できる。
With such a configuration, even if the light-curing sealing material 24 overlaps with the light-shielding conductive pattern 28, the sealing material has insufficient curing as in the related art. Without curing, the entire photocurable sealing material 24 can be surely cured, and problems caused by insufficient curing can be solved.

【0034】また、隙間29の形状および配列を、光の回
折などの回り込みが生じるように設定すると、光の照射
によって光硬化性のシール材24を硬化させる際に、隙間
29に入射した光の回折などの回り込みにより、非隙間部
の光硬化性のシール材24も硬化させることができ、重な
り部における光硬化性のシール材24の硬化を確実にでき
る。
When the shape and arrangement of the gaps 29 are set so as to cause wraparound such as light diffraction, the gaps are set when the light-curable sealing material 24 is cured by light irradiation.
The light-curing sealing material 24 in the non-gap portion can be cured by the sneaking of the light incident on the light 29, and the curing of the photocuring sealing material 24 in the overlapping portion can be reliably performed.

【0035】さらに、遮光性の導電パターン28の光硬化
性のシール材24との重なり部分のみに光透過性導電物質
を用いれば大幅なコスト上昇を招くことなく、光硬化性
のシール材24の光硬化をより一層確実にできる。
Further, if the light-transmitting conductive material is used only in the overlapping portion of the light-shielding conductive pattern 28 with the light-curable sealing material 24, the cost of the light-curing sealing material 24 can be reduced without a significant increase in cost. Photocuring can be more reliably performed.

【0036】また、他の実施の形態を図3および図4を
参照して説明する。
Another embodiment will be described with reference to FIGS.

【0037】これら図3および図4で示す一実施の形態
は、光硬化性のシール材24に対してトランスファ電極2
7,27a と遮光性の導電パターン28,28a が重なってい
るが、光硬化性のシール材24の特定領域内に、トランス
ファ電極27や遮光性の導電パターン28の重なり部分が集
中しないように構成して、光硬化性のシール材24の部分
的な光硬化不足を解消している。
In the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the transfer electrode 2
Although the light-shielding conductive patterns 28 and 28a overlap with the light-shielding conductive patterns 7, 27a, the overlapping portion of the transfer electrode 27 and the light-shielding conductive pattern 28 is not concentrated in a specific area of the photocurable sealing material 24. As a result, the insufficient photocuring of the photocurable sealing material 24 is eliminated.

【0038】ここで、特定領域とは、光硬化性のシール
材24の長さ方向に沿うトランスファ電極27の重なり部分
27a の寸法と、光硬化性のシール材24の幅寸法とから求
まる面積とする。そして、この面積に対し、遮光性の導
電パターン28の重なっている遮光性の導電パターン28a
が占める面積の割合が設定値以下となるように、この重
なっている遮光性の導電パターン28a を配置している。
具体的には、図3で示すように、重なっている遮光性の
導電パターン28a が、上述した特定領域の外部を迂回す
るように配置する。なお、対向基板13が対向して配置さ
れ、この対向基板13には透明導電膜14が形成されてい
る。
Here, the specific region is an overlapping portion of the transfer electrode 27 along the length direction of the photocurable sealing material 24.
The area is determined by the size of 27a and the width of the photocurable sealing material 24. The light-shielding conductive pattern 28a in which the light-shielding conductive pattern 28 overlaps the area
The overlapping light-shielding conductive patterns 28a are arranged such that the ratio of the area occupied by the light-shielding portion is equal to or less than a set value.
Specifically, as shown in FIG. 3, the overlapping light-shielding conductive patterns 28a are arranged so as to bypass the outside of the above-described specific region. In addition, the opposing substrate 13 is arranged to face, and a transparent conductive film 14 is formed on the opposing substrate 13.

【0039】このように構成したことにより、光硬化性
のシール材24の前述した特定領域内に遮光性の重なり部
分27a が集中しないので、光硬化性のシール材24の部分
的な光硬化不足を解消することができる。
With this configuration, the light-shielding overlapping portion 27a is not concentrated in the above-described specific region of the light-curable sealing material 24, so that the light-curing sealing material 24 is partially insufficiently light-cured. Can be eliminated.

【0040】また、この場合、光硬化性のシール材24に
対する重なっている遮光性の導電パターン28a を、間隔
31を保って形成された複数本のパターンとし、この間隔
31を100ミクロン以上、または、形成密度50%未満
とすることにより、より一層確実に光硬化性のシール材
24の部分的な光硬化不足を解消することができる。
In this case, the light-shielding conductive pattern 28a overlapping the photocurable sealing material 24 is
This is a multiple pattern formed while maintaining 31
By setting 31 to be not less than 100 microns or less than 50% of the formed density, a photo-curable sealing material can be more reliably achieved.
24 partial light curing deficiencies can be eliminated.

【0041】さらに、図5および図6を参照して他の実
施の形態を説明する。
Further, another embodiment will be described with reference to FIGS.

【0042】これら図5および図6に示す実施の形態
は、図3および図4に示す実施の形態において、トラン
スファ電極27の平面形状を略台形とし、光硬化性のシー
ル材24との重なり部分27a の面積を縮小している。ま
た、透明基板22上のトランスファ電極27や遮光性の導電
パターン28を覆うように絶縁膜32を設けている。
The embodiment shown in FIGS. 5 and 6 differs from the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 in that the planar shape of the transfer electrode 27 is substantially trapezoidal and that the transfer electrode 27 overlaps the photocurable sealing material 24. The area of 27a has been reduced. Further, an insulating film 32 is provided so as to cover the transfer electrode 27 and the light-shielding conductive pattern 28 on the transparent substrate 22.

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明の液晶表示装置用基板は、導電パ
ターンの光硬化性のシール材との重なり部分に光透過用
の隙間を形成したので、この隙間を透過した光が光硬化
性のシールに照射されることになり、硬化不足を防止で
きる。
According to the liquid crystal display device substrate of the present invention, a gap for light transmission is formed at a portion where the conductive pattern overlaps with the photocurable sealing material. Irradiation to the seal can prevent insufficient curing.

【0044】また、導電パターンは、隙間から入射した
光の回り込みにより、隙間部に重なっていない光硬化性
のシール材を硬化させることができる形状であるもの
で、隙間部に重なっていない部分の導電パターンに光を
照射して光硬化性のシール材を硬化できる。
The conductive pattern has a shape capable of curing a light-curable sealing material that does not overlap with the gap due to the sneak of light incident from the gap. Light can be applied to the conductive pattern to cure the photo-curable sealing material.

【0045】さらに、導電パターンの重なり部分に光透
光性導電物質を有するもので、光透過性導電物質によっ
て光硬化性のシール材への光が遮光されることはなく、
光照射不足による光硬化性のシール材の硬化不足を防止
できる。
Furthermore, since the light-transmitting conductive material is provided at the overlapping portion of the conductive pattern, the light-transmitting conductive material does not block light to the photocurable sealing material.
Insufficient curing of the photocurable sealing material due to insufficient light irradiation can be prevented.

【0046】またさらに、光硬化性のシール材の一部と
少なくとも一部が重なっており、光硬化性のシール材の
長さ方向に沿うトランスファ電極の重なり寸法および光
硬化性のシール材の幅寸法により求まる面積に対し、導
電パターンの重なり部分が占める面積が設定値以下とな
るように配置したもので、トランスファ電極の近くの限
られた面積中に導電パターンの重なり部分が集中しない
ように導電パターンの重なり部分を配置したので、この
重なり部分が、比較的広い範囲に分散することになり、
遮光部分の集中による光硬化性のシール材の硬化不足を
防止できる。
Further, at least a part of the photocurable sealing material overlaps at least a part thereof, and the overlap dimension of the transfer electrode and the width of the photocurable sealing material along the length direction of the photocurable sealing material. The conductive pattern is arranged so that the area occupied by the overlapping part of the conductive pattern is less than the set value with respect to the area determined by the dimensions, and the conductive part is placed so that the overlapping part of the conductive pattern does not concentrate in a limited area near the transfer electrode Since the overlapping part of the pattern is arranged, this overlapping part will be dispersed over a relatively wide range,
Insufficient curing of the light-curable sealing material due to concentration of the light-shielding portion can be prevented.

【0047】また、導電パターンは、重なり部分が間隔
を保って形成された複数本のパターンであり、この間隔
が100ミクロン以上、および、重なり部分が形成密度
が50%未満の少なくともいずれかにすることにより、
シール材の硬化不足を確実に防止する。
The conductive pattern is a plurality of patterns in which overlapping portions are formed with an interval therebetween, and the interval is at least 100 microns or more, and the overlapping portion has a formation density of less than 50%. By doing
Insufficient curing of the sealing material is reliably prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の液晶表示装置用基板の一実施の形態を
示す拡大した平面図である。
FIG. 1 is an enlarged plan view showing one embodiment of a substrate for a liquid crystal display device of the present invention.

【図2】同上全体を示す平面図であるFIG. 2 is a plan view showing the whole of the same.

【図3】同上他の実施の形態を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing another embodiment of the present invention.

【図4】同上図3のA−A断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. 3;

【図5】同上他の実施の形態を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the above.

【図6】同上図5のB−B断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line BB of FIG. 5;

【図7】従来例を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing a conventional example.

【図8】同上図7のC−C断面図である。FIG. 8 is a sectional view taken along the line CC in FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

13 対向基板 22 透明基板 24 シール材 27 トランスファ電極 28 導電パターン 29 隙間 13 Opposite substrate 22 Transparent substrate 24 Seal material 27 Transfer electrode 28 Conductive pattern 29 Gap

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁性の透明基板上にマトリクス状に配
置された画素電極と、 液晶層を挟持した状態に対向基板を貼り合わせ周囲に形
成された光硬化性のシール材と、 この光硬化性のシール材の一部と少なくとも一部が重な
っており、この導電パターンの重なり部分に光透過用の
隙間が形成され前記透明基板上に形成された遮光性の導
電パターンとを具備したことを特徴とする液晶表示装置
用基板。
1. A photo-curable sealing material formed around a pixel electrode arranged in a matrix on an insulative transparent substrate, an opposing substrate stuck with a liquid crystal layer sandwiched between the pixel electrodes, At least a part of the conductive sealing material overlaps, and a light-shielding conductive pattern formed on the transparent substrate in which a gap for light transmission is formed in the overlapping portion of the conductive pattern. Characteristic liquid crystal display substrate.
【請求項2】 導電パターンは、隙間から入射した光の
回り込みにより、隙間部に重なっていない光硬化性のシ
ール材を硬化させることができる形状であることを特徴
とする請求項1に記載の液晶表示装置用基板。
2. The conductive pattern according to claim 1, wherein the conductive pattern has a shape capable of curing a light-curable sealing material that does not overlap with the gap due to the sneak of light incident from the gap. Substrate for liquid crystal display.
【請求項3】 絶縁性の透明基板上にマトリクス状に配
置された画素電極と、 液晶層を挟持した状態に対向基板を貼り合わせ周囲に形
成された光硬化性のシール材と、 この光硬化性のシール材の一部と少なくとも一部が重な
っており、この導電パターンの重なり部分に光透光性導
電物質を有し前記透明基板上に形成された遮光性の導電
パターンとを具備したことを特徴とする液晶表示装置用
基板。
3. A photo-curable sealing material formed around a pixel electrode arranged in a matrix on an insulating transparent substrate, a counter substrate adhered to a liquid crystal layer sandwiched therebetween, And a light-shielding conductive pattern formed on the transparent substrate and having a light-transmissive conductive material in an overlapping portion of the conductive pattern and at least a part of the conductive sealing material. A substrate for a liquid crystal display device, comprising:
【請求項4】 絶縁性の透明基板上にマトリクス状に配
置された画素電極と、 液晶層を挟持した状態に対向基板を貼り合わせ周囲に形
成された光硬化性のシール材と、 この光硬化性のシール材の一部と少なくとも一部が重な
っており、前記光硬化性のシール材の長さ方向に沿うト
ランスファ電極の重なり寸法および光硬化性のシール材
の幅寸法により求まる面積に対し、前記導電パターンの
重なり部分が占める面積が設定値以下となるように配置
し対向基板へ給電するトランスファ電極を有する遮光性
の導電パターンとを具備したことを特徴とする液晶表示
装置用基板。
4. A photo-curable sealing material formed around a pixel electrode arranged in a matrix on an insulative transparent substrate, a liquid crystal layer sandwiched therebetween, and an opposing substrate bonded thereto. At least a portion of the sealing material overlaps at least a part, and the area determined by the overlapping dimension of the transfer electrode and the width dimension of the photocurable sealing material along the length direction of the photocurable sealing material, A substrate for a liquid crystal display device, comprising: a light-shielding conductive pattern having a transfer electrode which is arranged so that an area occupied by the overlapping portion of the conductive pattern is equal to or less than a set value and supplies power to an opposite substrate.
【請求項5】 導電パターンは、重なり部分が間隔を保
って形成された複数本のパターンであり、この間隔が1
00ミクロン以上、および、重なり部分が形成密度が5
0%未満の少なくともいずれかであることを特徴とする
請求項4記載の液晶表示装置用基板。
5. The conductive pattern is a plurality of patterns in which overlapping portions are formed with an interval, and the interval is one.
00 micron or more, and the overlapping portion has a formation density of 5
The liquid crystal display device substrate according to claim 4, wherein the content is at least one of less than 0%.
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