JPH10223971A

JPH10223971A - 半導体パルスレーザ装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH10223971A
Application number: JP2180097A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Matsui; 康浩松井; Shin Arataira; 慎荒平; Hiroshi Ogawa; 洋小川
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1997-02-04
Filing date: 1997-02-04
Publication date: 1998-08-21

Abstract

(57)【要約】【課題】ブラッグ波長の反射ピークの両側に現れる各
反射ピークの強度を向上させる。【解決手段】基板１０１上に利得領域１２１、可飽和
吸収領域１２２およびブラッグ反射鏡領域１２３をそれ
ぞれ形成してなる半導体パルスレーザ装置において、ブ
ラッグ反射鏡領域１２３が、凹凸形成領域と平面領域と
を所定間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティング
構造の回折格子１０５ａを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば光計測や
光通信等に用いる超短光パルス列を発生する半導体パル
スレーザ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、超短光パルス列を発生する半導体
パルスレーザ装置として、分布反射型或は分布帰還型と
称されるものが知られている。

【０００３】このような半導体パルスレーザ装置を開示
した文献としては、例えば、本発明者等による文献であ
る Shin Arahira, Saeko Oshiba, Yasuhiro Matui, Tat
suoKunii,and Yoh Ogawa,"Terahertz-rate optical pul
se generation from a passively mode-locked semicon
ductor laser diode",Optics Letters,vol.19,No.11,19
94.（以下「文献１」と記す）や、半導体レーザと光集
積回路、末松安晴著、オーム社、３２５−３３９頁（以
下「文献２」と記す）等が知られている。

【０００４】上述の文献１に記載された半導体パルスレ
ーザ装置は、電流の注入により光の発生および増幅を行
なう利得領域と、この利得領域と同一の構造を有する可
飽和吸収領域と、バンドギャップ波長が利得領域よりも
短い組成からなる受動導波路（位相調整領域）と、受動
導波路と同じバンドギャップ組成からなり、表面に回折
格子が設けられたブラッグ反射鏡領域とを備え、これら
の各構成部を集積化することによって構成されている。
また、文献１では、各領域の導波方向の長さを、利得領
域が７５０μｍ、可飽和吸収領域が７５μｍ、受動導波
路が１５０μｍ、ブラッグ反射鏡領域が１２０μｍとし
ており、したがって素子の全長は約１１００μｍであ
る。

【０００５】このような分布反射型或は分布帰還型の半
導体パルスレーザ装置において、ブラッグ反射鏡領域の
回折格子は、ガイド層に周期的な凹凸構造を設けること
によって構成されている。このような周期構造（グレー
ティング）を設けることにより、反射する光の間でブラ
ッグ反射を生じさせて、光パルス出力を生成することが
できる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】かかる半導体パルスレ
ーザ装置において、光パルス出力の繰り返し周波数は、
素子の全長や利得領域への注入電流等で決定される。例
えば、文献１に開示されている半導体パルスレーザ装置
（全長約１１００μｍ）では、可飽和吸収領域を接地し
た状態で利得領域に７６ｍＡの電流を注入した場合に
は、繰り返し周波数は、素子の周回周波数にあたる３
８．８ＧＨｚとなる（この繰り返し周波数を「基本繰り
返し周波数」という）。また、利得領域の注入電流を１
３７ｍＡ、１５４ｍＡ、１７９ｍＡと増加させていく
と、繰り返し周波数は、基本繰り返し周波数の１０倍、
２０倍、４０倍にあたる４００ＧＨｚ、８００ＧＨｚ、
１５４０ＧＨｚに増加し、高次のモード同期を得ること
ができる。

【０００７】これに対して、本発明者等の検討によれ
ば、素子の全長に依存させることなく光パルス出力の繰
り返し周波数を設定することが可能である（上記文献１
参照）。以下、この方法について説明する。

【０００８】図４は、従来の半導体パルスレーザ装置に
おける、ブラッグ反射鏡領域の反射特性を概念的に示す
グラフである。同図に示したように、ブラッグ反射鏡領
域は、ブラッグ波長（ブラッグの反射条件を満たす波
長）λ_b に一致した反射率ピークα₀ の近傍に、周期的
な小さい反射率ピークであるα₁₁，α₁₂，・・・および
α₂₁，α₂₂，・・・を有している。

【０００９】本発明者等の検討によれば、これらの各反
射率ピークα₀ 、α₁₁，α₁₂，・・・およびα₂₁，
α₂₂，・・・で反射する各反射光の間でモード同期を起
こさせることにより、素子の全長に依存させることなく
繰り返し周波数が非常に高い光パルス出力を得ることが
できる。

【００１０】ここで、ブラッグ反射鏡領域におけるブラ
ッグ波長λ_b は、次式（１）で与えられる。なお、Λは
ブラッグ反射鏡領域の回折格子が有する凹凸の周期（グ
レーティングピッチ）、ｎ_eqはブラッグ反射鏡領域が有
する導波路の等価屈折率である。

【００１１】 λ_b ＝２・ｎ_eq・Λ ・・・（１）また、各反射率ピークα₀ 、α₁₁，α₁₂，・・・、
α₂₁，α₂₂，・・・の間隔（すなわち、これらの各反射
率ピークで反射する反射光の波長差）Δλは、このブラ
ッグ波長λ_b を用いた式（２）で与えられる。なお、Ｌ
_eff は、ブラッグ反射鏡領域に侵入した光の強度が１／
ｅ（ｅ＝２．７２）になる距離である。このＬ_eff は、
グレーティングが深くなるほど（すなわち凹凸の高さの
差が大きくなるほど）短くなる。

【００１２】 Δλ＝λ_b ／（２・ｎ_eq・Ｌ_eff ）・・・（２）ここで、文献１に開示した半導体パルスレーザ装置にお
いては、Ｌ_eff は１００μｍ程度であり、また、これよ
り、波長差Δλは３．１ｎｍ程度と計算される。そし
て、この波長差Δλを周波数に換算すると、４００ＧＨ
ｚとなる。

【００１３】このように、図４に示した各反射率ピーク
α₀ 、α₁₁，α₁₂，・・・およびα₂₁，α₂₂，・・・で
反射する各反射光の間でモード同期を起こさせることに
より、非常に高い基本繰り返し周波数を得ることができ
る。

【００１４】実際、上述したような、図４に示した各反
射率ピークのモード同期を用いない方法（周回周波数に
よって基本繰り返し周波数が決定される方法）の場合
に、基本周波数を４００ＧＨｚに設定しようとすると、
素子の全長を約１００μｍとしなければならない。この
ように短い素子を実際に製造することは、製造技術上、
非常に困難である。これに対して、各反射率ピークのモ
ード同期を用いる方法では、素子の全長を極端に短くす
ることなく、非常に高い繰り返し周波数を得ることがで
きるので、このような製造技術上の問題を生じることは
ない。

【００１５】実際には、波長間隔Δλ＝３．１ｎｍの各
波長の間でモード同期を生じさせるためには、利得の回
復時間、すなわち利得領域でのパルスが通過した後に一
旦減少した利得が回復するための時間を速くしなければ
ならないため、利得領域のポンピングレートを上げるこ
とが必要となる。例えば、利得領域の活性導波路への注
入電流を１３７ｍＡに増大させることにより、１０次の
モード同期が可能となる。さらに、この注入電流を１５
４ｍＡまで増大させると、波長間隔Δλ＝３．１ｎｍの
各波長のうち、１つおきのモードの間（すなわち６．３
ｎｍ間隔）で発振を起こすことができ、このときの繰り
返し周波数は８００ＧＨｚとなる。続いて、この注入電
流を１７９ｍＡまで上昇させると、波長間隔Δλ＝３．
１ｎｍの各波長のうち、２つおきのモードの間（すなわ
ち１２．５ｎｍ間隔）で発振を起こすことができ、この
ときの繰り返し周波数は１５４０ＧＨｚとなる。

【００１６】しかしながら、この方法（図４に示した各
反射率ピークのモード同期を用いる方法）には、反射率
ピークα₀ （すなわちブラッグ波長λ_b に対応する反射
率ピーク）の近傍に現れる各反射率ピークα₁₁，α₁₂，
・・・、α₂₁，α₂₂，・・・の反射率が、この反射率ピ
ークα₀ から遠ざかるにしたがって小さくなるため、発
振に必要なしきい値利得が増大してしまい、高次のモー
ド同期になるほど発振が困難になるという欠点があっ
た。

【００１７】すなわち、図４からわかるように、ブラッ
グ波長λ_b に対応する反射率ピークα₀ の反射率を１０
０％とすると、その両側の反射率ピークα₁₁，α₂₁の反
射率は通常数パーセントとなってしまう。この傾向は、
グレーティングが深くなるほど（すなわち凹凸の高さの
差が大きくなるほど）顕著となり、また、このグレーテ
ィングが長くなるほど顕著となる。

【００１８】このように、高次のモードの発振が困難で
あると、モード同期に寄与するモードの数を制限するこ
ととなるので、光パルス出力の繰り返し周波数を向上さ
せる上での障害となっていた。

【００１９】このため、ブラッグ波長に対応する反射率
ピークの両側に現れる各反射率ピークの反射率を向上さ
せる技術が嘱望されていた。

【００２０】

【課題を解決するための手段】

（１）第１の発明に係る半導体パルスレーザ装置は、基
板上に利得領域、可飽和吸収領域およびブラッグ反射鏡
領域をそれぞれ形成してなる半導体パルスレーザ装置に
おいて、ブラッグ反射鏡領域が、凹凸形成領域と平面領
域とを所定間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティ
ング構造の回折格子を備える。

【００２１】このような構成によれば、ブラッグ波長に
対応する反射率ピークの両側に現れる各反射率ピークの
反射率を向上させることができる。

【００２２】（２）第２の発明に係る半導体パルスレー
ザ装置の製造方法は、凹凸形成領域と平面領域とを所定
間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティング構造の
回折格子を備えたブラッグ反射鏡領域を有する半導体パ
ルスレーザ装置の製造方法において、ブラッグ反射鏡領
域の導波路上に回折格子となるべき薄膜を形成する第１
の工程と、この薄膜の全面に、導波方向に添って並ぶ凹
凸を形成する第２の工程と、薄膜の所定領域にのみエッ
チングを施して平坦化することにより、凹凸形成領域と
平面領域とを所定間隔で繰り返してなるサンプルドグレ
ーティング構造を形成する第３の工程とを備える。

【００２３】このような構成によれば、ブラッグ波長に
対応する反射率ピークの両側に現れる各反射率ピークの
反射率を向上させることができる半導体パルスレーザ装
置を簡単な工程で製造することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を用いて説明する。なお、図中、各構成成分
の大きさ、形状および配置関係は、この発明が理解でき
る程度に概略的に示してあるにすぎず、また、以下に説
明する数値的条件は単なる例示にすぎないことを理解さ
れたい。

【００２５】図１は、この実施の形態に係る半導体パル
スレーザ装置の構成を概念的に示す図である。

【００２６】同図に示したように、半導体パルスレーザ
素子１００において、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０１とし
ての半導体基板の表面には、活性導波路１０２が形成さ
れている。

【００２７】この活性導波路１０２は、ＩｎＧａＡｓＰ
ガイド層１０３，１０５および量子井戸構造層１０４に
よって構成されている。

【００２８】すなわち、厚さが約１５０μｍのＩｎＧａ
ＡｓＰガイド層１０３の表面には、バンドギャップ波長
として１．５５μｍ近傍の値を持つ量子井戸構造層１０
４が形成されている。この実施の形態では、この量子井
戸構造層１０４として、厚さが約７ｎｍでバンドギャッ
プ波長が約１．６７μｍのＩｎＧａＡｓ層からなるウエ
ルと厚さが１４ｎｍでバンドギャップ波長が１．３μｍ
のＩｎＧａＡｓＰ層とを交互に積層してなる五層構造の
ものを使用した。

【００２９】そして、この量子井戸構造層１０４の表面
には、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５が形成されてい
る。ここで、このＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５のう
ち、ブラッグ反射鏡領域１２３となるべき領域の表面の
部分には、凹凸形成領域と平面領域とを所定間隔で繰り
返してなるサンプルドグレーティング構造（後述の図２
参照）が形成されており、これにより、この部分のＩｎ
ＧａＡｓＰガイド層１０５は回折格子１０５ａを構成し
ている。

【００３０】さらに、このＩｎＧａＡｓＰガイド層１０
５の表面には、ｐ型ＩｎＰクラッド層１０６が形成され
ている。

【００３１】また、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０１の裏面
全面には、Ａｕ等からなるオーミック電極１１１が形成
されている。そして、このオーミック電極１１１は、接
地されている。

【００３２】一方、ｐ型ＩｎＰクラッド層１０６の表面
のうち、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５に回折格子１０
５ａが形成されていない領域上には、Ａｕ等からなるオ
ーミック電極１１２，１１３が形成されている。そし
て、オーミック電極１１２と上述のオーミック電極１１
１との間には、電源１３１が順方向に接続されている。
さらに、オーミック電極１１３とオーミック電極１１１
との間には、電源１３２が逆バイアス方向に接続されて
いる。半導体パルスレーザ素子１００のうち、表面にオ
ーミック電極１１２が形成された領域は利得領域１２１
となり、また、表面にオーミック電極１１３が形成され
た領域は可飽和吸収領域１２２となる。

【００３３】さらに、この半導体パルスレーザ素子１０
０のうち、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５に回折格子１
０５ａが形成されている領域は、ブラッグ反射鏡領域１
２３となる。そして、この領域１２３のｐ型ＩｎＰクラ
ッド層１０６の表面には、Ａｕ等からなる４個のオーミ
ック電極１１４が、導波方向に添って配置されている。
そして、これらのオーミック電極１１４とオーミック電
極１１１との間には、電源１３３が、順方向に接続され
ている。

【００３４】この実施の形態では、利得領域１２１の長
さを８００μｍ、可飽和吸収領域１２２の長さを５０μ
ｍ、ブラッグ反射鏡領域１２３の長さを１６００μｍと
した。したがって、半導体パルスレーザ素子１００の全
長は、２４５０μｍである。

【００３５】なお、これらの各領域１２１，１２２，１
２３間は、十分な電気的アイソレーションを持ってお
り、電気的な干渉効果は無いものとする。

【００３６】ここで、ｎ型ＩｎＰクラッド層１０１の表
面にＩｎＧａＡｓＰガイド層１０３、量子井戸構造層１
０４、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５およびｐ型ＩｎＰ
クラッド層１０６を形成する方法としては、通常の薄膜
堆積技術を使用することができる。

【００３７】また、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５にサ
ンプルドグレーティング構造を形成するためには、例え
ば、まず、従来の一様なグレーティング構造の作製技術
を用いてＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５の表面に凹凸構
造を形成し、次に、この凹凸構造の一部について公知の
化学エッチング処理を施すことにより平面領域を形成す
ればよい。

【００３８】オーミック電極１１２，１１３，１１４
は、例えば、ｐ型ＩｎＰクラッド層１０６の表面全域に
Ａｕ等の電極材料による薄膜を蒸着した後、この薄膜の
一部を通常のフォトリソグラフィー技術を用いた化学エ
ッチング等によって除去することで、形成することがで
きる。

【００３９】図２は、この実施の形態にかかるサンプル
ドグレーティング構造を概略的に示す断面図である。

【００４０】同図に示したように、回折格子１０５ａを
なすＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５の表面には、同一の
長さの凹凸形成領域２０１と同一の長さの平面領域２０
２とが、交互に形成されている。すなわち、このように
して、ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０５の表面に、正弦波
状のサンプルドグレーティング構造が、均一の周期で形
成されている。

【００４１】この実施の形態では、このサンプルドグレ
ーティング構造のうち、各凹凸形成領域２０１の幅Ｌ₁
を例えば１５μｍ、各平面領域２０２の幅Ｌ₂ を例えば
６５μｍとした。すなわち、このサンプルドグレーティ
ング構造の一周期の長さΛ₂は、約８０μｍとした。ま
た、凹凸形成領域２０１内のグレーティングについて
は、一周期Λ₁ を約２４０ｎｍとし、振幅Ａを約５０ｎ
ｍとした。

【００４２】次に、この実施の形態にかかる半導体パル
スレーザ装置の動作原理について説明する。

【００４３】図１に示した半導体パルスレーザ素子１０
０において、利得領域１２１は、電源１３１から電流を
注入されることにより利得媒体として作用し、光の発生
およびレーザ発振に必要な光の増幅を行なう。また、可
飽和吸収領域１２２は、電源１３２によって逆バイアス
電圧を印加されることにより、受動モード同期を起こさ
せる。さらに、ブラッグ反射鏡領域１２３は、回折格子
１０５ａを設けたことにより、共振器内に組み込まれた
波長フィルタとして動作する。すなわち、このブラッグ
反射鏡領域１２３により、発振波長の制御および発振波
長域の制限を行ない、これにより屈折率の分散の影響を
抑えて受動モード同期を起こり易くすることができる。

【００４４】図３は、この実施の形態にかかるブラッグ
反射鏡領域１２３の反射特性のシミュレーション結果を
示すグラフであり、縦軸は反射率、横軸は光の波長（ｎ
ｍ）を示している。このグラフでは、上述のようにΛ₂
＝８０μｍ、Ｌ₁ ＝１５μｍとし、また結合係数κを１
００ｃｍ、導波損失を０ｃｍ^-1とした。

【００４５】この実施の形態にかかる半導体パルスレー
ザ装置では、ブラッグ反射鏡領域１２３における反射ピ
ークの間隔Δλ_b は、次式（３）で与えられる。

【００４６】 Δλ_b ＝２・ｎ_eq・Λ₂ ・・・（３）ここでは、上述のようにΛ₂ ＝８０μｍであり、また活
性導波路１０２の等価屈折率ｎ_eqは３．２５程度である
ので、反射ピークの間隔Δλ_b は５ｎｍ程度となる。

【００４７】上述したように、従来の半導体パルスレー
ザ装置においては、反射ピークの間隔Δλ_b はＬ_eff に
依存し（式（２）参照）、このため、このΔλ_b はブラ
ッグ反射鏡領域の長さに左右されてしまう。これに対し
て、この実施の形態にかかる半導体パルスレーザ装置で
は、反射ピークの間隔Δλ_b は、ブラッグ反射鏡領域１
２３の全体の長さではなく、サンプルドグレーティング
構造の一周期の長さΛ₂ に依存する。

【００４８】図３からわかるように、各反射ピークの頂
点を結ぶ法絡線は、回折格子１０５ａが一様グレーティ
ング構造（すなわち従来の半導体パルスレーザ装置の回
折格子の構造）を採る場合の反射ピークの形状とほぼ同
様の形状を持っている。ここで、回折格子１０５ａが一
様グレーティング構造を採る場合の反射ピークの間隔Δ
λ_b は、サンプルドグレーティング構造の一周期の長さ
Λ₂ に凹凸形成領域の幅Ｌ₁ を代入することによって得
られ、したがって次式（４）で与えられる。

【００４９】 Δλ_b ＝２・ｎ_eq・Ｌ₁ ・・・（４）このため、上述の法絡線のピッチも、この式（４）で与
えられるΔλ_b に一致する。この実施の形態に係るブラ
ッグ反射鏡領域１２３では、Ｌ₁ ＝１５μｍなので、式
（４）より、法絡線のピッチは４０ｎｍとなる。すなわ
ち、この実施の形態によれば、４０ｎｍという非常に広
い範囲（図３の波長１５３５ｎｍ〜１５７５ｎｍの範
囲）で、高い反射率の反射ピークを複数本得ることがで
きる。

【００５０】この実施の形態にかかる半導体パルスレー
ザ装置では、これらの高反射率の反射ピーク（図３の波
長１５３５ｎｍ〜１５７５ｎｍ付近の反射ピーク）の間
でモード同期を起こさせることにより、光パルス出力の
繰り返し周波数を得る。

【００５１】これらの各反射ピークの間でモード同期を
起こさせる際には、まず、電源１３１を用いて、半導体
パルスレーザ素子１００（図１参照）の利得領域１２１
に電流注入を行なう。この状態でレーザ発振をさせた場
合、利得領域１２１で生成されたスペクトル（利得スペ
クトル）のピーク波長の近傍で、ブラッグ反射鏡領域１
２３の各反射ピークに一致した波長における複数モード
でのレーザ発振を行なうことができる。

【００５２】例えば、この実施の形態の場合、ブラッグ
反射鏡領域１２３の各反射ピークのうちで、使用される
反射ピークが存在する波長幅は４０ｎｍ（すなわち波長
１５３５ｎｍ〜１５７５ｎｍの範囲）なので、最大で８
〜９本程度の縦モードを同時に発振させることができ
る。

【００５３】そして、この状態で、バイアス電源１３２
を用いて可飽和吸収領域１２２に逆バイアス電圧を印加
することにより、この可飽和吸収領域１２２の吸収回復
時間を高速化して、各発振モードの位相関係を固定化
し、モード同期を実現することができる。

【００５４】この実施の形態の場合には、モードの波長
間隔は５ｎｍであるので、繰り返し周波数６５０ＧＨｚ
の光パルス出力を得ることができる。

【００５５】このようにして、この実施の形態にかかる
半導体パルスレーザ装置によれば、ブラッグ波長の反射
ピークの両側に現れる各反射ピークの強度を向上させる
ことができる。そして、これにより、発振に必要なしき
い値利得を低減させて、高次のモード同期による発振を
容易に行なうことができる。

【００５６】すなわち、この実施の形態にかかる発明に
よれば、ブラッグ波長の反射ピークの両側に現れる各反
射ピークを用いたレーザ発振を、容易に実現することが
できる。

【００５７】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、この発明に
かかる半導体パルスレーザ装置によれば、ブラッグ波長
の反射ピークの両側に現れる各反射ピークの強度を向上
させることができるので、これらの各反射ピークを用い
たモード同期によってレーザ発振を容易に実現すること
が可能となる。そして、これにより、発振波長の間隔を
素子の共振器長ではなくサンプルドグレーティング構造
の一周期の長さによって設定することができる。したが
って、この発明にかかる半導体パルスレーザ装置によれ
ば、繰り返し周波数を非常に高く設定する場合でも素子
長を極端に短くする必要がないので、素子の作製が容易
となる。さらに、モード同期に寄与するスペクトルの範
囲（波長の範囲）を拡大することができるので、パルス
幅が小さい素子を容易に得ることができる。

【００５８】また、この発明にかかる半導体パルスレー
ザ素子の製造方法によれば、上述のこの発明にかかる半
導体パルスレーザ素子を簡単な製造工程で安価に製造す
ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の実施の形態に係る半導体パルスレーザ装
置の構成を概念的に示す図である。

【図２】発明の実施の形態に係るサンプルドグレーティ
ング構造を概略的に示す断面図である。

【図３】発明の実施の形態に係るブラッグ反射鏡領域の
反射特性のシミュレーション結果を示すグラフである。

【図４】従来の半導体パルスレーザ装置に係るブラッグ
反射鏡領域の反射特性を概念的に示すグラフである。

【符号の説明】

１００半導体パルスレーザ素子１０１ｎ型ＩｎＰクラッド層１０２活性導波路１０３，１０５ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０４量子井戸構造層１０５ａ回折格子１０６ｐ型ＩｎＰクラッド層１１１〜１１４オーミック電極１２１利得領域１２２可飽和吸収領域１２３ブラッグ反射鏡領域１３１〜１３３バイアス電源

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に利得領域、可飽和吸収領域およ
びブラッグ反射鏡領域をそれぞれ形成してなる半導体パ
ルスレーザ装置において、前記ブラッグ反射鏡領域が、凹凸形成領域と平面領域と
を所定間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティング
構造の回折格子を備えたことを特徴とする半導体パルス
レーザ装置。
【請求項２】前記利得領域、前記可飽和吸収領域およ
び前記ブラッグ反射鏡領域が、同一組成の半導体導波路
を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体パル
スレーザ装置。
【請求項３】前記凹凸形成領域が、均一周期の正弦波
状に形成されたことを特徴とする請求項１または２のい
ずれかに記載の半導体パルスレーザ装置。
【請求項４】凹凸形成領域と平面領域とを所定間隔で
繰り返してなるサンプルドグレーティング構造の回折格
子を備えたブラッグ反射鏡領域を有する半導体パルスレ
ーザ装置の製造方法において、前記ブラッグ反射鏡領域の導波路上に前記回折格子とな
るべき薄膜を形成する第１の工程と、この薄膜の全面に、導波方向に添って並ぶ凹凸を形成す
る第２の工程と、前記薄膜の所定領域にのみエッチングを施して平坦化す
ることにより、前記凹凸形成領域と前記平面領域とを所
定間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティング構造
を形成する第３の工程と、を備えたことを特徴とする半導体パルスレーザ装置の製
造方法。