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JPH10223773A - Power supply protection circuit - Google Patents

Power supply protection circuit

Info

Publication number
JPH10223773A
JPH10223773A JP9022534A JP2253497A JPH10223773A JP H10223773 A JPH10223773 A JP H10223773A JP 9022534 A JP9022534 A JP 9022534A JP 2253497 A JP2253497 A JP 2253497A JP H10223773 A JPH10223773 A JP H10223773A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
transistor
supply line
gate
turned
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9022534A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shiyuuhei Noichi
修平 乃一
Kazuya Takahashi
和也 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP9022534A priority Critical patent/JPH10223773A/en
Publication of JPH10223773A publication Critical patent/JPH10223773A/en
Pending legal-status Critical Current

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Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電源ラインに逆電圧が印加されても、電源ラ
イン間に接続されたトランジスタに大電流が流れるのを
防止できる電源間保護回路を実現する。 【解決手段】 動作電源用の電源ライン4と接地用の電
源ライン5との間に接続した電源間保護用のNMOSト
ランジスタ1と、電源ライン4,5間に直列接続されN
MOSトランジスタ1のゲート電圧をコントロールする
NMOSトランジスタ2,3とを備えている。通常動作
時には、トランジスタ2がオフ、トランジスタ3がオン
となり、トランジスタ1はオフとなる。また、逆電圧印
加時には、トランジスタ2がオン、トランジスタ3がオ
フとなり、トランジスタ1はオフとなる。このようにト
ランジスタ1は、通常動作時,逆電圧印加時ともにオフ
となり、トランジスタ1に大電流が流れるのを防止する
ことができる。
(57) [Problem] To provide an inter-power supply protection circuit capable of preventing a large current from flowing through a transistor connected between power supply lines even when a reverse voltage is applied to the power supply line. SOLUTION: An NMOS transistor 1 for protection between power supplies connected between a power supply line 4 for operating power supply and a power supply line 5 for grounding, and N connected in series between the power supply lines 4 and 5
NMOS transistors 2 and 3 for controlling the gate voltage of the MOS transistor 1 are provided. During normal operation, transistor 2 is off, transistor 3 is on, and transistor 1 is off. When a reverse voltage is applied, the transistor 2 is turned on, the transistor 3 is turned off, and the transistor 1 is turned off. As described above, the transistor 1 is turned off both during the normal operation and when the reverse voltage is applied, so that a large current can be prevented from flowing through the transistor 1.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の電源
間保護回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply protection circuit for a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】図7は半導体装置の従来の電源間保護回
路の構成を示すものであり、図7において、31は電源
間保護用のNMOSトランジスタ、32は動作電圧Vc
cを印加するための動作電源用の電源ライン、33は接
地電圧Vssを印加するための接地用の電源ラインであ
る。
2. Description of the Related Art FIG. 7 shows a configuration of a conventional power supply protection circuit of a semiconductor device. In FIG. 7, reference numeral 31 denotes an NMOS transistor for power supply protection, and 32 denotes an operating voltage Vc.
Reference numeral 33 denotes a power supply line for operating power supply for applying c, and reference numeral 33 denotes a power supply line for ground for applying ground voltage Vss.

【0003】この従来の電源間保護回路は、電源ライン
32,33間にNMOSトランジスタ31を接続したも
のであり、NMOSトランジスタ31は、ドレインを動
作電源用の電源ライン32に接続し、ソースおよびゲー
トを接地用の電源ライン33に接続している。このNM
OSトランジスタ31は、ゲートが接地用の電源ライン
33に接続されているため、通常動作時は常にオフ状態
を保つ。
In this conventional power supply protection circuit, an NMOS transistor 31 is connected between power supply lines 32 and 33. The NMOS transistor 31 has a drain connected to a power supply line 32 for operating power supply, a source and a gate. Are connected to a power supply line 33 for grounding. This NM
Since the gate of the OS transistor 31 is connected to the power supply line 33 for grounding, the OS transistor 31 is always kept off during normal operation.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、例えば、電源ライン32と33とが電源に
逆に挿入接続されたりして、電源ライン32,33に逆
の電圧が印加された場合、すなわち、動作電源用の電源
ライン32に接地電圧Vssが印加され、接地用の電源
ライン33に動作電圧Vccが印加された場合には、N
MOSトランジスタ31は常にオン状態となり、大電流
が流れるという問題を有していた。
However, in the above-described conventional configuration, for example, when the power supply lines 32 and 33 are reversely inserted and connected to the power supply, or when a reverse voltage is applied to the power supply lines 32 and 33, for example, That is, when the ground voltage Vss is applied to the power supply line 32 for operating power supply and the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 33 for grounding, N
The MOS transistor 31 is always turned on, and has a problem that a large current flows.

【0005】本発明は、電源ラインに逆電圧が印加され
ても、電源ライン間に接続されたトランジスタに大電流
が流れるのを防止することのできる電源間保護回路を提
供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide an inter-power supply protection circuit capable of preventing a large current from flowing through transistors connected between power supply lines even when a reverse voltage is applied to the power supply lines. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の電源間保護回路は、動作電源用の電源ライン
と接地用の電源ラインとの間に接続した電源間保護用の
第1のトランジスタと、動作電源用と接地用の電源ライ
ン間に直列接続され第1のトランジスタが通常動作時・
逆電圧印加時ともに常にオフとなるように第1のトラン
ジスタのゲート電圧をコントロールする第2および第3
のトランジスタとを備えている。
In order to achieve this object, an inter-power supply protection circuit according to the present invention comprises a first inter-power supply protection circuit connected between a power supply line for operating power supply and a power supply line for grounding. And the first transistor connected in series between the operating power supply line and the grounding power supply line during normal operation.
Second and third gates for controlling the gate voltage of the first transistor so that the gate voltage is always off when the reverse voltage is applied.
Transistors.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】請求項1記載の電源間保護回路
は、ドレインを動作電源用の電源ラインに接続し、ソー
スを接地用の電源ラインに接続したNMOSの第1のト
ランジスタと、ゲートを接地用の電源ラインに接続し、
ドレインを動作電源用の電源ラインに接続し、ソースを
第1のトランジスタのゲートに接続したNMOSの第2
のトランジスタと、ゲートを動作電源用の電源ラインに
接続し、ソースを接地用の電源ラインに接続し、ドレイ
ンを第1のトランジスタのゲートに接続したNMOSの
第3のトランジスタとを備えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an inter-power supply protection circuit comprising: a first NMOS transistor having a drain connected to a power supply line for operating power supply and a source connected to a power supply line for grounding; Connect to the power line for grounding,
A second NMOS transistor having a drain connected to a power supply line for operating power and a source connected to the gate of the first transistor.
And an NMOS third transistor having a gate connected to a power supply line for operating power supply, a source connected to a power supply line for grounding, and a drain connected to the gate of the first transistor.

【0008】この構成によれば、動作電源用の電源ライ
ンに動作電圧が印加され、接地用の電源ラインに接地電
圧が印加される通常動作時には、第2のトランジスタが
オフ、第3のトランジスタがオンし、第1のトランジス
タはオフとなる。また、動作電源用の電源ラインに接地
電圧が印加され、接地用の電源ラインに動作電圧が印加
される逆電圧印加時には、第2のトランジスタがオン、
第3のトランジスタがオフし、第1のトランジスタはオ
フとなる。このように、電源ライン間に接続された第1
のトランジスタは、逆電圧印加時にもオフとなり、大電
流が流れるのを防止することができる。
According to this configuration, in the normal operation in which the operating voltage is applied to the power supply line for the operating power supply and the ground voltage is applied to the power supply line for grounding, the second transistor is turned off and the third transistor is turned off. Is turned on, and the first transistor is turned off. Further, when a ground voltage is applied to the power supply line for the operation power supply and a reverse voltage is applied to the power supply line for ground, the second transistor is turned on.
The third transistor is turned off, and the first transistor is turned off. Thus, the first power supply line connected between the power supply lines
Are turned off even when a reverse voltage is applied, and a large current can be prevented from flowing.

【0009】請求項2記載の電源間保護回路は、ドレイ
ンを動作電源用の電源ラインに接続し、ソースを接地用
の電源ラインに接続したNMOSの第1のトランジスタ
と、ゲートおよびソースを動作電源用の電源ラインに接
続し、ドレインを第1のトランジスタのゲートに接続し
たPMOSの第2のトランジスタと、ゲートおよびドレ
インを接地用の電源ラインに接続し、ソースを第1のト
ランジスタのゲートに接続したPMOSの第3のトラン
ジスタとを備えている。
According to a second aspect of the present invention, there is provided an inter-power supply protection circuit comprising: an NMOS first transistor having a drain connected to an operation power supply line and a source connected to a ground power supply line; And a second transistor of a PMOS having a drain connected to the gate of the first transistor, a gate and a drain connected to a power supply line for grounding, and a source connected to the gate of the first transistor. And a third PMOS transistor.

【0010】この構成によれば、通常動作時には、第2
のトランジスタがオフ、第3のトランジスタがオンし、
第1のトランジスタはオフとなる。また、逆電圧印加時
には、第2のトランジスタがオン、第3のトランジスタ
がオフし、第1のトランジスタはオフとなる。このよう
に、電源ライン間に接続された第1のトランジスタは、
逆電圧印加時にもオフとなり、大電流が流れるのを防止
することができる。請求項3記載の電源間保護回路は、
ドレインを動作電源用の電源ラインに接続し、ソースを
接地用の電源ラインに接続したNMOSの第1のトラン
ジスタと、ゲートおよびソースを動作電源用の電源ライ
ンに接続し、ドレインを第1のトランジスタのゲートに
接続したPMOSの第2のトランジスタと、ゲートを動
作電源用の電源ラインに接続し、ソースを接地用の電源
ラインに接続し、ドレインを第1のトランジスタのゲー
トに接続したNMOSの第3のトランジスタとを備えて
いる。
According to this configuration, during normal operation, the second
Transistor is off, the third transistor is on,
The first transistor is off. When a reverse voltage is applied, the second transistor is turned on, the third transistor is turned off, and the first transistor is turned off. Thus, the first transistor connected between the power supply lines
It is turned off even when a reverse voltage is applied, so that a large current can be prevented from flowing. The protection circuit between power supplies according to claim 3,
An NMOS first transistor having a drain connected to a power supply line for operating power and a source connected to a power supply line for grounding; a gate and a source connected to a power supply line for operating power; a drain connected to the first transistor The second transistor of the PMOS connected to the gate of the first transistor, the gate of the second transistor connected to the power supply line for operating power, the source connected to the power supply line for ground, and the second transistor of the NMOS connected to the gate of the first transistor 3 transistors.

【0011】この構成によれば、通常動作時には、第2
のトランジスタがオフ、第3のトランジスタがオンし、
第1のトランジスタはオフとなる。また、逆電圧印加時
には、第2のトランジスタがオン、第3のトランジスタ
がオフし、第1のトランジスタはオフとなる。このよう
に、電源ライン間に接続された第1のトランジスタは、
逆電圧印加時にもオフとなり、大電流が流れるのを防止
することができる。
According to this configuration, during normal operation, the second
Transistor is off, the third transistor is on,
The first transistor is off. When a reverse voltage is applied, the second transistor is turned on, the third transistor is turned off, and the first transistor is turned off. Thus, the first transistor connected between the power supply lines
It is turned off even when a reverse voltage is applied, so that a large current can be prevented from flowing.

【0012】請求項4記載の電源間保護回路は、ソース
を動作電源用の電源ラインに接続し、ドレインを接地用
の電源ラインに接続したPMOSの第1のトランジスタ
と、ゲートおよびドレインを動作電源用の電源ラインに
接続し、ソースを第1のトランジスタのゲートに接続し
たNMOSの第2のトランジスタと、ゲートおよびソー
スを接地用の電源ラインに接続し、ドレインを第1のト
ランジスタのゲートに接続したNMOSの第3のトラン
ジスタとを備えている。
According to a fourth aspect of the present invention, in the power supply protection circuit, a first transistor of a PMOS having a source connected to a power supply line for an operation power supply and a drain connected to a power supply line for grounding, and a gate and a drain connected to an operation power supply NMOS transistor having a source connected to the gate of the first transistor, a gate and a source connected to the ground power supply line, and a drain connected to the gate of the first transistor. And a third NMOS transistor.

【0013】この構成によれば、通常動作時には、第2
のトランジスタがオン、第3のトランジスタがオフし、
第1のトランジスタはオフとなる。また、逆電圧印加時
には、第2のトランジスタがオフ、第3のトランジスタ
がオンし、第1のトランジスタはオフとなる。このよう
に、電源ライン間に接続された第1のトランジスタは、
逆電圧印加時にもオフとなり、大電流が流れるのを防止
することができる。
According to this configuration, during normal operation, the second
Transistor is on, the third transistor is off,
The first transistor is off. When a reverse voltage is applied, the second transistor is turned off, the third transistor is turned on, and the first transistor is turned off. Thus, the first transistor connected between the power supply lines
It is turned off even when a reverse voltage is applied, so that a large current can be prevented from flowing.

【0014】請求項5記載の電源間保護回路は、ソース
を動作電源用の電源ラインに接続し、ドレインを接地用
の電源ラインに接続したPMOSの第1のトランジスタ
と、ゲートを接地用の電源ラインに接続し、ソースを動
作電源用の電源ラインに接続し、ドレインを第1のトラ
ンジスタのゲートに接続したPMOSの第2のトランジ
スタと、ゲートを動作電源用の電源ラインに接続し、ド
レインを接地用の電源ラインに接続し、ソースを第1の
トランジスタのゲートに接続したPMOSの第3のトラ
ンジスタとを備えている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an inter-power supply protection circuit, wherein a first transistor of a PMOS having a source connected to a power supply line for operating power supply and a drain connected to a power supply line for grounding, and a power supply for grounding the gate. A second transistor of a PMOS having a source connected to a power supply line for operating power supply, a drain connected to the gate of the first transistor, a gate connected to a power supply line for operating power supply, and a drain connected A PMOS third transistor connected to a power supply line for grounding and having a source connected to the gate of the first transistor.

【0015】この構成によれば、通常動作時には、第2
のトランジスタがオン、第3のトランジスタがオフし、
第1のトランジスタはオフとなる。また、逆電圧印加時
には、第2のトランジスタがオフ、第3のトランジスタ
がオンし、第1のトランジスタはオフとなる。このよう
に、電源ライン間に接続された第1のトランジスタは、
逆電圧印加時にもオフとなり、大電流が流れるのを防止
することができる。
According to this configuration, during normal operation, the second
Transistor is on, the third transistor is off,
The first transistor is off. When a reverse voltage is applied, the second transistor is turned off, the third transistor is turned on, and the first transistor is turned off. Thus, the first transistor connected between the power supply lines
It is turned off even when a reverse voltage is applied, so that a large current can be prevented from flowing.

【0016】請求項6記載の電源間保護回路は、ソース
を動作電源用の電源ラインに接続し、ドレインを接地用
の電源ラインに接続したPMOSの第1のトランジスタ
と、ゲートを接地用の電源ラインに接続し、ソースを動
作電源用の電源ラインに接続し、ドレインを第1のトラ
ンジスタのゲートに接続したPMOSの第2のトランジ
スタと、ゲートおよびソースを接地用の電源ラインに接
続し、ドレインを第1のトランジスタのゲートに接続し
たNMOSの第3のトランジスタとを備えている。
According to a sixth aspect of the present invention, the power supply protection circuit includes a first PMOS transistor having a source connected to a power supply line for operating power supply and a drain connected to a power supply line for grounding, and a power supply for grounding a gate. A second transistor of a PMOS having a source connected to a power supply line for operating power supply, a drain connected to a gate of the first transistor, a gate and a source connected to a power supply line for grounding, And an NMOS third transistor connected to the gate of the first transistor.

【0017】この構成によれば、通常動作時には、第2
のトランジスタがオン、第3のトランジスタがオフし、
第1のトランジスタはオフとなる。また、逆電圧印加時
には、第2のトランジスタがオフ、第3のトランジスタ
がオンし、第1のトランジスタはオフとなる。このよう
に、電源ライン間に接続された第1のトランジスタは、
逆電圧印加時にもオフとなり、大電流が流れるのを防止
することができる。
According to this configuration, during normal operation, the second
Transistor is on, the third transistor is off,
The first transistor is off. When a reverse voltage is applied, the second transistor is turned off, the third transistor is turned on, and the first transistor is turned off. Thus, the first transistor connected between the power supply lines
It is turned off even when a reverse voltage is applied, so that a large current can be prevented from flowing.

【0018】以下、本発明の実施の形態について、図面
を参照しながら説明する。 〔第1の実施の形態〕図1は本発明の第1の実施の形態
の電源間保護回路の構成図である。図1において、1は
電源間保護用のNMOSトランジスタ(第1のトランジ
スタ)、2,3は電源間保護用のNMOSトランジスタ
1のゲート電圧をコントロールするNMOSトランジス
タ(第2,第3のトランジスタ)、4は動作電圧Vcc
を印加するための動作電源用の電源ライン、5は接地電
圧Vssを印加するための接地用の電源ラインである。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. [First Embodiment] FIG. 1 is a block diagram of an inter-power supply protection circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is an NMOS transistor for protecting between power supplies (first transistor), 2 and 3 are NMOS transistors (second and third transistors) for controlling a gate voltage of the NMOS transistor 1 for protecting between power supplies, 4 is the operating voltage Vcc
And 5, a power supply line for operating power supply for applying the ground voltage and a power supply line for grounding for applying the ground voltage Vss.

【0019】この第1の実施の形態の電源間保護回路
は、電源間保護用のNMOSトランジスタ1と、NMO
Sトランジスタ1のゲート電圧をコントロールするNM
OSトランジスタ2,3とを備えている。NMOSトラ
ンジスタ1は、ドレインを動作電源用の電源ライン4に
接続し、ソースを接地用の電源ライン5に接続してい
る。NMOSトランジスタ2は、ゲートを接地用の電源
ライン5に接続し、ドレインを動作電源用の電源ライン
4に接続し、ソースをNMOSトランジスタ1のゲート
に接続している。NMOSトランジスタ3は、ゲートを
動作電源用の電源ライン4に接続し、ソースを接地用の
電源ライン5に接続し、ドレインをNMOSトランジス
タ1のゲートに接続している。
The power supply protection circuit according to the first embodiment comprises an NMOS transistor 1 for power supply protection, and an NMO
NM that controls the gate voltage of S transistor 1
OS transistors 2 and 3 are provided. The NMOS transistor 1 has a drain connected to a power supply line 4 for operating power supply and a source connected to a power supply line 5 for grounding. The NMOS transistor 2 has a gate connected to the power supply line 5 for grounding, a drain connected to the power supply line 4 for operating power supply, and a source connected to the gate of the NMOS transistor 1. The NMOS transistor 3 has a gate connected to the power supply line 4 for operating power, a source connected to the power supply line 5 for ground, and a drain connected to the gate of the NMOS transistor 1.

【0020】以上のように構成される電源間保護回路に
ついて、以下その動作を説明する。通常動作時、すなわ
ち、動作電源用の電源ライン4に動作電圧Vccが印加
され、接地用の電源ライン5に接地電圧Vssが印加さ
れた時には、NMOSトランジスタ2がオフ、NMOS
トランジスタ3がオンとなり、したがってNMOSトラ
ンジスタ1はオフとなる。また、逆電圧印加時、すなわ
ち、動作電源用の電源ライン4に接地電圧Vssが印加
され、接地用の電源ライン5に動作電圧Vccが印加さ
れた時には、NMOSトランジスタ2がオン、NMOS
トランジスタ3がオフとなり、したがってNMOSトラ
ンジスタ1はオフとなる。
The operation of the inter-power supply protection circuit configured as described above will be described below. During normal operation, that is, when the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 4 for operating power supply and the ground voltage Vss is applied to the power supply line 5 for grounding, the NMOS transistor 2 is turned off.
Transistor 3 turns on, and thus NMOS transistor 1 turns off. When a reverse voltage is applied, that is, when the ground voltage Vss is applied to the power supply line 4 for operating power and the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 5 for grounding, the NMOS transistor 2 is turned on and the NMOS transistor 2 is turned on.
Transistor 3 turns off, and thus NMOS transistor 1 turns off.

【0021】以上のように本実施の形態によれば、電源
ライン4,5間に接続した電源間保護用のNMOSトラ
ンジスタ1のゲート電圧を、NMOSトランジスタ2,
3によりコントロールして、NMOSトランジスタ1を
通常動作時・逆電圧印加時ともに常にオフ状態とするこ
とができ、その結果、逆電圧印加時にNMOSトランジ
スタ1に大電流が流れるのを防止することができる。
As described above, according to the present embodiment, the gate voltage of the NMOS transistor 1 for protection between power supplies connected between the power supply lines 4 and 5 is changed to the NMOS transistors 2 and
3, the NMOS transistor 1 can always be turned off during normal operation and when a reverse voltage is applied. As a result, a large current can be prevented from flowing through the NMOS transistor 1 when a reverse voltage is applied. .

【0022】〔第2の実施の形態〕図2は本発明の第2
の実施の形態の電源間保護回路の構成図である。図2に
おいて、6は電源間保護用のNMOSトランジスタ(第
1のトランジスタ)、7,8は電源間保護用のNMOS
トランジスタ6のゲート電圧をコントロールするPMO
Sトランジスタ(第2,第3のトランジスタ)、9は動
作電圧Vccを印加するための動作電源用の電源ライ
ン、10は接地電圧Vssを印加するための接地用の電
源ラインである。
[Second Embodiment] FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply protection circuit according to the embodiment. In FIG. 2, 6 is an NMOS transistor (first transistor) for protection between power supplies, and 7 and 8 are NMOS transistors for protection between power supplies.
PMO controlling the gate voltage of transistor 6
S transistors (second and third transistors), 9 are power supply lines for operating power supply for applying operating voltage Vcc, and 10 are power supply lines for grounding for applying ground voltage Vss.

【0023】この第2の実施の形態の電源間保護回路
は、電源間保護用のNMOSトランジスタ6と、NMO
Sトランジスタ6のゲート電圧をコントロールするPM
OSトランジスタ7,8とを備えている。NMOSトラ
ンジスタ6は、ドレインを動作電源用の電源ライン9に
接続し、ソースを接地用の電源ライン10に接続してい
る。PMOSトランジスタ7は、ゲートおよびソースを
動作電源用の電源ライン9に接続し、ドレインをNMO
Sトランジスタ6のゲートに接続している。PMOSト
ランジスタ8は、ゲートおよびドレインを接地用の電源
ライン10に接続し、ソースをNMOSトランジスタ6
のゲートに接続している。
The power supply protection circuit according to the second embodiment includes an NMOS transistor 6 for protection between power supplies and an NMO
PM that controls the gate voltage of S transistor 6
OS transistors 7 and 8 are provided. The NMOS transistor 6 has a drain connected to a power supply line 9 for operating power supply, and a source connected to a power supply line 10 for grounding. The PMOS transistor 7 has a gate and a source connected to a power supply line 9 for operating power, and a drain connected to an NMO.
Connected to the gate of S transistor 6. The PMOS transistor 8 has a gate and a drain connected to the power supply line 10 for grounding, and a source connected to the NMOS transistor 6.
Connected to the gate.

【0024】以上のように構成される電源間保護回路に
ついて、以下その動作を説明する。通常動作時、すなわ
ち、動作電源用の電源ライン9に動作電圧Vccが印加
され、接地用の電源ライン10に接地電圧Vssが印加
された時には、PMOSトランジスタ7がオフ、PMO
Sトランジスタ8がオンとなり、したがってNMOSト
ランジスタ6はオフとなる。また、逆電圧印加時、すな
わち、動作電源用の電源ライン9に接地電圧Vssが印
加され、接地用の電源ライン10に動作電圧Vccが印
加された時には、PMOSトランジスタ7がオン、PM
OSトランジスタ8がオフとなり、したがってNMOS
トランジスタ6はオフとなる。
The operation of the power supply protection circuit configured as described above will be described below. During normal operation, that is, when the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 9 for operating power supply and the ground voltage Vss is applied to the power supply line 10 for grounding, the PMOS transistor 7 is turned off.
The S transistor 8 turns on, and the NMOS transistor 6 turns off. When a reverse voltage is applied, that is, when the ground voltage Vss is applied to the power supply line 9 for operating power supply and the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 10 for grounding, the PMOS transistor 7 is turned on and PM
The OS transistor 8 is turned off, so that the NMOS transistor
The transistor 6 is turned off.

【0025】以上のように本実施の形態によれば、電源
ライン9,10間に接続した電源間保護用のNMOSト
ランジスタ6のゲート電圧を、PMOSトランジスタ
7,8によりコントロールして、NMOSトランジスタ
6を通常動作時・逆電圧印加時ともに常にオフ状態とす
ることができ、その結果、逆電圧印加時にNMOSトラ
ンジスタ6に大電流が流れるのを防止することができ
る。
As described above, according to the present embodiment, the gate voltage of the NMOS transistor 6 for protecting the power supply connected between the power supply lines 9 and 10 is controlled by the PMOS transistors 7 and 8 so that the NMOS transistor 6 Can be always turned off both during normal operation and when a reverse voltage is applied, and as a result, a large current can be prevented from flowing through the NMOS transistor 6 when a reverse voltage is applied.

【0026】〔第3の実施の形態〕図3は本発明の第3
の実施の形態の電源間保護回路の構成図である。図3に
おいて、11は電源間保護用のNMOSトランジスタ
(第1のトランジスタ)、12,13は電源間保護用の
NMOSトランジスタ11のゲート電圧をコントロール
するPMOSトランジスタ(第2のトランジスタ),N
MOSトランジスタ(第3のトランジスタ)、14は動
作電圧Vccを印加するための動作電源用の電源ライ
ン、15は接地電圧Vssを印加するための接地用の電
源ラインである。
[Third Embodiment] FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply protection circuit according to the embodiment. In FIG. 3, reference numeral 11 denotes an NMOS transistor for protecting between power supplies (first transistor), reference numerals 12 and 13 denote a PMOS transistor (second transistor) for controlling a gate voltage of the NMOS transistor 11 for protecting power supply, and N
MOS transistors (third transistors), 14 are power supply lines for operating power supply for applying the operating voltage Vcc, and 15 are power supply lines for grounding for applying the ground voltage Vss.

【0027】この第3の実施の形態の電源間保護回路
は、電源間保護用のNMOSトランジスタ11と、NM
OSトランジスタ11のゲート電圧をコントロールする
PMOSトランジスタ12およびNMOSトランジスタ
13とを備えている。NMOSトランジスタ11は、ド
レインを動作電源用の電源ライン14に接続し、ソース
を接地用の電源ライン15に接続している。PMOSト
ランジスタ12は、ゲートおよびソースを動作電源用の
電源ライン14に接続し、ドレインをNMOSトランジ
スタ11のゲートに接続している。NMOSトランジス
タ13は、ゲートを動作電源用の電源ライン14に接続
し、ソースを接地用の電源ライン15に接続し、ドレイ
ンをNMOSトランジスタ11のゲートに接続してい
る。
The power supply protection circuit according to the third embodiment includes an NMOS transistor 11 for power supply protection and an NM
A PMOS transistor 12 and an NMOS transistor 13 for controlling the gate voltage of the OS transistor 11 are provided. The NMOS transistor 11 has a drain connected to a power supply line 14 for operating power supply and a source connected to a power supply line 15 for grounding. The PMOS transistor 12 has a gate and a source connected to a power supply line 14 for operating power, and a drain connected to the gate of the NMOS transistor 11. The NMOS transistor 13 has a gate connected to a power supply line 14 for operating power, a source connected to a power supply line 15 for ground, and a drain connected to the gate of the NMOS transistor 11.

【0028】以上のように構成される電源間保護回路に
ついて、以下その動作を説明する。通常動作時、すなわ
ち、動作電源用の電源ライン14に動作電圧Vccが印
加され、接地用の電源ライン15に接地電圧Vssが印
加された時には、PMOSトランジスタ12がオフ、N
MOSトランジスタ13がオンとなり、したがってNM
OSトランジスタ11はオフとなる。また、逆電圧印加
時、すなわち、動作電源用の電源ライン14に接地電圧
Vssが印加され、接地用の電源ライン15に動作電圧
Vccが印加された時には、PMOSトランジスタ12
がオン、NMOSトランジスタ13がオフとなり、した
がってNMOSトランジスタ11はオフとなる。
The operation of the inter-power supply protection circuit configured as described above will be described below. During normal operation, that is, when the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 14 for operating power supply and the ground voltage Vss is applied to the power supply line 15 for grounding, the PMOS transistor 12 is turned off.
MOS transistor 13 is turned on, so that NM
The OS transistor 11 turns off. When a reverse voltage is applied, that is, when the ground voltage Vss is applied to the power supply line 14 for operation power supply and the operation voltage Vcc is applied to the power supply line 15 for ground supply, the PMOS transistor 12
Is turned on, the NMOS transistor 13 is turned off, and the NMOS transistor 11 is turned off.

【0029】以上のように本実施の形態によれば、電源
ライン14,15間に接続した電源間保護用のNMOS
トランジスタ11のゲート電圧を、PMOSトランジス
タ12およびNMOSトランジスタ13によりコントロ
ールして、NMOSトランジスタ11を通常動作時・逆
電圧印加時ともに常にオフ状態とすることができ、その
結果、逆電圧印加時にNMOSトランジスタ11に大電
流が流れるのを防止することができる。
As described above, according to the present embodiment, the NMOS for protection between power supplies connected between the power supply lines 14 and 15 is provided.
The gate voltage of the transistor 11 is controlled by the PMOS transistor 12 and the NMOS transistor 13 so that the NMOS transistor 11 can be always turned off both during normal operation and when a reverse voltage is applied. As a result, when the reverse voltage is applied, the NMOS transistor 11 is turned off. 11 can be prevented from flowing a large current.

【0030】〔第4の実施の形態〕図4は本発明の第4
の実施の形態の電源間保護回路の構成図である。図4に
おいて、16は電源間保護用のPMOSトランジスタ
(第1のトランジスタ)、17,18は電源間保護用の
PMOSトランジスタ16のゲート電圧をコントロール
するNMOSトランジスタ(第2,第3のトランジス
タ)、19は動作電圧Vccを印加するための動作電源
用の電源ライン、20は接地電圧Vssを印加するため
の接地用の電源ラインである。
[Fourth Embodiment] FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply protection circuit according to the embodiment. In FIG. 4, reference numeral 16 denotes a PMOS transistor (first transistor) for protection between power supplies, reference numerals 17 and 18 denote NMOS transistors (second and third transistors) for controlling the gate voltage of the PMOS transistor 16 for protection between power supplies, Reference numeral 19 denotes a power supply line for operating power supply for applying the operation voltage Vcc, and reference numeral 20 denotes a power supply line for ground for applying the ground voltage Vss.

【0031】この第4の実施の形態の電源間保護回路
は、電源間保護用のPMOSトランジスタ16と、PM
OSトランジスタ16のゲート電圧をコントロールする
NMOSトランジスタ17,18とを備えている。PM
OSトランジスタ16は、ドレインを動作電源用の電源
ライン19に接続し、ソースを接地用の電源ライン20
に接続している。NMOSトランジスタ17は、ゲート
およびドレインを動作電源用の電源ライン19に接続
し、ソースをPMOSトランジスタ16のゲートに接続
している。NMOSトランジスタ18は、ゲートおよび
ソースを接地用の電源ライン20に接続し、ドレインを
PMOSトランジスタ16のゲートに接続している。
The power supply protection circuit of the fourth embodiment comprises a PMOS transistor 16 for protection between power supplies,
NMOS transistors 17 and 18 for controlling the gate voltage of the OS transistor 16 are provided. PM
The OS transistor 16 has a drain connected to a power supply line 19 for operating power supply and a source connected to a power supply line 20 for grounding.
Connected to The NMOS transistor 17 has a gate and a drain connected to a power supply line 19 for operating power, and a source connected to the gate of the PMOS transistor 16. The NMOS transistor 18 has a gate and a source connected to the power supply line 20 for grounding, and a drain connected to the gate of the PMOS transistor 16.

【0032】以上のように構成される電源間保護回路に
ついて、以下その動作を説明する。通常動作時、すなわ
ち、動作電源用の電源ライン19に動作電圧Vccが印
加され、接地用の電源ライン20に接地電圧Vssが印
加された時には、NMOSトランジスタ17がオン、N
MOSトランジスタ18がオフとなり、したがってPM
OSトランジスタ16はオフとなる。また、逆電圧印加
時、すなわち、動作電源用の電源ライン19に接地電圧
Vssが印加され、接地用の電源ライン20に動作電圧
Vccが印加された時には、NMOSトランジスタ17
がオフ、NMOSトランジスタ18がオンとなり、した
がってPMOSトランジスタ16はオフとなる。
The operation of the inter-power supply protection circuit configured as described above will be described below. During normal operation, that is, when the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 19 for operating power supply and the ground voltage Vss is applied to the power supply line 20 for grounding, the NMOS transistor 17 is turned on.
The MOS transistor 18 is turned off, so that PM
The OS transistor 16 is turned off. When a reverse voltage is applied, that is, when the ground voltage Vss is applied to the power supply line 19 for operating power supply and the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 20 for grounding, the NMOS transistor 17
Is turned off, the NMOS transistor 18 is turned on, and the PMOS transistor 16 is turned off.

【0033】以上のように本実施の形態によれば、電源
ライン19,20間に接続した電源間保護用のPMOS
トランジスタ16のゲート電圧を、NMOSトランジス
タ17,18によりコントロールして、PMOSトラン
ジスタ16を通常動作時・逆電圧印加時ともに常にオフ
状態とすることができ、その結果、逆電圧印加時にPM
OSトランジスタ16に大電流が流れるのを防止するこ
とができる。
As described above, according to the present embodiment, the PMOS for protection between power supplies connected between the power supply lines 19 and 20 is provided.
The gate voltage of the transistor 16 is controlled by the NMOS transistors 17 and 18 so that the PMOS transistor 16 can be always turned off both during the normal operation and when the reverse voltage is applied.
A large current can be prevented from flowing through the OS transistor 16.

【0034】〔第5の実施の形態〕図5は本発明の第5
の実施の形態の電源間保護回路の構成図である。図5に
おいて、21は電源間保護用のPMOSトランジスタ
(第1のトランジスタ)、22,23は電源間保護用の
PMOSトランジスタ21のゲート電圧をコントロール
するPMOSトランジスタ(第2,第3のトランジス
タ)、24は動作電圧Vccを印加するための動作電源
用の電源ライン、25は接地電圧Vssを印加するため
の接地用の電源ラインである。
[Fifth Embodiment] FIG. 5 shows a fifth embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply protection circuit according to the embodiment. In FIG. 5, 21 is a PMOS transistor for protecting between power supplies (first transistor), 22 and 23 are PMOS transistors (second and third transistors) for controlling a gate voltage of the PMOS transistor 21 for protecting between power supplies, Reference numeral 24 denotes a power supply line for operating power supply for applying the operating voltage Vcc, and reference numeral 25 denotes a power supply line for grounding for applying the ground voltage Vss.

【0035】この第5の実施の形態の電源間保護回路
は、電源間保護用のPMOSトランジスタ21と、PM
OSトランジスタ21のゲート電圧をコントロールする
PMOSトランジスタ22,23とを備えている。PM
OSトランジスタ22は、ゲートを接地用の電源ライン
25に接続し、ソースを動作電源用の電源ライン24に
接続し、ドレインをPMOSトランジスタ21のゲート
に接続している。PMOSトランジスタ23は、ゲート
を動作電源用の電源ライン24に接続し、ドレインを接
地用の電源ライン25に接続し、ソースをPMOSトラ
ンジスタ21のゲートに接続している。
The power supply protection circuit according to the fifth embodiment includes a PMOS transistor 21 for power supply protection, a PM transistor
PMOS transistors 22 and 23 for controlling the gate voltage of the OS transistor 21 are provided. PM
The OS transistor 22 has a gate connected to a power supply line 25 for grounding, a source connected to a power supply line 24 for operating power supply, and a drain connected to the gate of the PMOS transistor 21. The PMOS transistor 23 has a gate connected to a power supply line 24 for operating power, a drain connected to a power supply line 25 for ground, and a source connected to the gate of the PMOS transistor 21.

【0036】以上のように構成される電源間保護回路に
ついて、以下その動作を説明する。通常動作時、すなわ
ち、動作電源用の電源ライン24に動作電圧Vccが印
加され、接地用の電源ライン25に接地電圧Vssが印
加された時には、PMOSトランジスタ22がオン、P
MOSトランジスタ23がオフとなり、したがってPM
OSトランジスタ21はオフとなる。また、逆電圧印加
時、すなわち、動作電源用の電源ライン24に接地電圧
Vssが印加され、接地用の電源ライン25に動作電圧
Vccが印加された時には、PMOSトランジスタ22
がオフ、PMOSトランジスタ23がオンとなり、した
がってPMOSトランジスタ21はオフとなる。
The operation of the power supply protection circuit configured as described above will be described below. During normal operation, that is, when the operating voltage Vcc is applied to the operating power supply power supply line 24 and the ground voltage Vss is applied to the grounding power supply line 25, the PMOS transistor 22 is turned on.
The MOS transistor 23 is turned off, so that PM
The OS transistor 21 is turned off. When a reverse voltage is applied, that is, when the ground voltage Vss is applied to the power supply line 24 for operating power and the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 25 for grounding, the PMOS transistor 22
Is turned off, the PMOS transistor 23 is turned on, and the PMOS transistor 21 is turned off.

【0037】以上のように本実施の形態によれば、電源
ライン24,25間に接続した電源間保護用のPMOS
トランジスタ21のゲート電圧を、PMOSトランジス
タ22,23によりコントロールして、PMOSトラン
ジスタ21を通常動作時・逆電圧印加時ともに常にオフ
状態とすることができ、その結果、逆電圧印加時にPM
OSトランジスタ21に大電流が流れるのを防止するこ
とができる。
As described above, according to the present embodiment, the PMOS for protection between power supplies connected between the power supply lines 24 and 25 is provided.
The gate voltage of the transistor 21 is controlled by the PMOS transistors 22 and 23, so that the PMOS transistor 21 can be always turned off both during normal operation and when a reverse voltage is applied.
A large current can be prevented from flowing through the OS transistor 21.

【0038】〔第6の実施の形態〕図6は本発明の第6
の実施の形態の電源間保護回路の構成図である。図6に
おいて、26は電源間保護用のPMOSトランジスタ
(第1のトランジスタ)、27,28は電源間保護用の
PMOSトランジスタ26のゲート電圧をコントロール
するPMOSトランジスタ(第2のトランジスタ),N
MOSトランジスタ(第3のトランジスタ)、29は動
作電圧Vccを印加するための動作電源用の電源ライ
ン、30は接地電圧Vssを印加するための接地用の電
源ラインである。
[Sixth Embodiment] FIG. 6 shows a sixth embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply protection circuit according to the embodiment. In FIG. 6, reference numeral 26 denotes a PMOS transistor for protecting between power supplies (first transistor), 27 and 28 denote PMOS transistors (second transistor) for controlling the gate voltage of the PMOS transistor 26 for protecting power supply, and N
MOS transistor (third transistor), 29 is a power supply line for operating power supply for applying operating voltage Vcc, and 30 is a power supply line for grounding for applying ground voltage Vss.

【0039】この第6の実施の形態の電源間保護回路
は、電源間保護用のPMOSトランジスタ26と、PM
OSトランジスタ26のゲート電圧をコントロールする
PMOSトランジスタ27およびNMOSトランジスタ
28とを備えている。PMOSトランジスタ27は、ゲ
ートを接地用の電源ライン30に接続し、ソースを動作
電源用の電源ライン29に接続し、ドレインをPMOS
トランジスタ26のゲートに接続している。NMOSト
ランジスタ28は、ゲートおよびソースを接地用の電源
ライン30に接続し、ドレインをPMOSトランジスタ
26のゲートに接続している。
The power supply protection circuit according to the sixth embodiment includes a PMOS transistor 26 for power supply protection,
A PMOS transistor 27 and an NMOS transistor 28 for controlling the gate voltage of the OS transistor 26 are provided. The PMOS transistor 27 has a gate connected to a power supply line 30 for grounding, a source connected to a power supply line 29 for operating power supply, and a drain connected to a PMOS power supply line 29.
Connected to the gate of transistor 26. The NMOS transistor 28 has a gate and a source connected to the power supply line 30 for grounding, and a drain connected to the gate of the PMOS transistor 26.

【0040】以上のように構成される電源間保護回路に
ついて、以下その動作を説明する。通常動作時、すなわ
ち、動作電源用の電源ライン29に動作電圧Vccが印
加され、接地用の電源ライン30に接地電圧Vssが印
加された時には、PMOSトランジスタ27がオン、N
MOSトランジスタ28がオフとなり、したがってPM
OSトランジスタ26はオフとなる。また、逆電圧印加
時、すなわち、動作電源用の電源ライン29に接地電圧
Vssが印加され、接地用の電源ライン30に動作電圧
Vccが印加された時には、PMOSトランジスタ27
がオフ、NMOSトランジスタ28がオンとなり、した
がってPMOSトランジスタ26はオフとなる。
The operation of the power supply protection circuit configured as described above will be described below. During normal operation, that is, when the operating voltage Vcc is applied to the power supply line 29 for operating power supply and the ground voltage Vss is applied to the power supply line 30 for grounding, the PMOS transistor 27 is turned on.
MOS transistor 28 is turned off, and therefore PM transistor
The OS transistor 26 is turned off. When a reverse voltage is applied, that is, when the ground voltage Vss is applied to the power supply line 29 for operation power and the operation voltage Vcc is applied to the power supply line 30 for ground, the PMOS transistor 27
Is turned off, the NMOS transistor 28 is turned on, and the PMOS transistor 26 is turned off.

【0041】以上のように本実施の形態によれば、電源
ライン29,30間に接続した電源間保護用のPMOS
トランジスタ26のゲート電圧を、PMOSトランジス
タ27およびNMOSトランジスタ28によりコントロ
ールして、PMOSトランジスタ26を通常動作時・逆
電圧印加時ともに常にオフ状態とすることができ、その
結果、逆電圧印加時にPMOSトランジスタ26に大電
流が流れるのを防止することができる。
As described above, according to the present embodiment, the PMOS for protecting the power supply connected between the power supply lines 29 and 30 is provided.
The gate voltage of the transistor 26 is controlled by the PMOS transistor 27 and the NMOS transistor 28 so that the PMOS transistor 26 can be always turned off both during normal operation and when a reverse voltage is applied. As a result, when the reverse voltage is applied, the PMOS transistor 26 is turned off. 26 can be prevented from flowing a large current.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上のように本発明は、第2および第3
のトランジスタにより電源ライン間に接続された第1の
トランジスタのゲート電圧をコントロールして、第1の
トランジスタを通常動作時・逆電圧印加時ともに常にオ
フ状態とすることができ、その結果、逆電圧印加時に第
1のトランジスタに大電流が流れるのを防止することが
できる。
As described above, the present invention provides the second and third embodiments.
By controlling the gate voltage of the first transistor connected between the power supply lines by the transistor, the first transistor can be always turned off both during normal operation and when a reverse voltage is applied. As a result, the reverse voltage A large current can be prevented from flowing through the first transistor at the time of application.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の電源間保護回路の
構成図である。
FIG. 1 is a configuration diagram of a protection circuit between power supplies according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態の電源間保護回路の
構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of an inter-power supply protection circuit according to a second embodiment of this invention.

【図3】本発明の第3の実施の形態の電源間保護回路の
構成図である。
FIG. 3 is a configuration diagram of a power supply protection circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施の形態の電源間保護回路の
構成図である。
FIG. 4 is a configuration diagram of a protection circuit between power supplies according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第5の実施の形態の電源間保護回路の
構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of an inter-power supply protection circuit according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第6の実施の形態の電源間保護回路の
構成図である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a protection circuit between power supplies according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】従来の電源間保護回路の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a conventional power supply protection circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 電源間保護用のNMOSトランジスタ(第1のトラ
ンジスタ) 2 NMOSトランジスタ(第2のトランジスタ) 3 NMOSトランジスタ(第3のトランジスタ) 4 動作電源用の電源ライン 5 接地用の電源ライン 6 電源間保護用のNMOSトランジスタ(第1のトラ
ンジスタ) 7 PMOSトランジスタ(第2のトランジスタ) 8 PMOSトランジスタ(第3のトランジスタ) 9 動作電源用の電源ライン 10 接地用の電源ライン 11 電源間保護用のNMOSトランジスタ(第1のト
ランジスタ) 12 PMOSトランジスタ(第2のトランジスタ) 13 NMOSトランジスタ(第3のトランジスタ) 14 動作電源用の電源ライン 15 接地用の電源ライン 16 電源間保護用のPMOSトランジスタ(第1のト
ランジスタ) 17 NMOSトランジスタ(第2のトランジスタ) 18 NMOSトランジスタ(第3のトランジスタ) 19 動作電源用の電源ライン 20 接地用の電源ライン 21 電源間保護用のPMOSトランジスタ(第1のト
ランジスタ) 22 PMOSトランジスタ(第2のトランジスタ) 23 PMOSトランジスタ(第3のトランジスタ) 24 動作電源用の電源ライン 25 接地用の電源ライン 26 電源間保護用のPMOSトランジスタ(第1のト
ランジスタ) 27 PMOSトランジスタ(第2のトランジスタ) 28 NMOSトランジスタ(第3のトランジスタ) 29 動作電源用の電源ライン 30 接地用の電源ライン
1 NMOS transistor (first transistor) for protection between power supplies 2 NMOS transistor (second transistor) 3 NMOS transistor (third transistor) 4 power supply line for operation power supply 5 power supply line for grounding 6 protection for power supply NMOS transistor (first transistor) 7 PMOS transistor (second transistor) 8 PMOS transistor (third transistor) 9 power supply line for operating power supply 10 power supply line for grounding 11 NMOS transistor for power supply protection (first 1 transistor) 12 PMOS transistor (second transistor) 13 NMOS transistor (third transistor) 14 power supply line for operating power supply 15 grounding power supply line 16 PMOS transistor (first transistor) 1 for protection between power supplies 1 NMOS transistor (second transistor) 18 NMOS transistor (third transistor) 19 power supply line for operating power supply 20 power supply line for grounding 21 PMOS transistor for protection between power supplies (first transistor) 22 PMOS transistor (secondary transistor) 23 PMOS transistor (third transistor) 24 Power supply line for operating power supply 25 Grounding power supply line 26 PMOS transistor for protection between power supplies (first transistor) 27 PMOS transistor (second transistor) 28 NMOS Transistor (third transistor) 29 Power supply line for operating power supply 30 Power supply line for grounding

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H03K 19/00 19/003 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H03K 19/00 19/003

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ドレインを動作電源用の電源ラインに接
続し、ソースを接地用の電源ラインに接続したNMOS
の第1のトランジスタと、 ゲートを前記接地用の電源ラインに接続し、ドレインを
前記動作電源用の電源ラインに接続し、ソースを前記第
1のトランジスタのゲートに接続したNMOSの第2の
トランジスタと、 ゲートを前記動作電源用の電源ラインに接続し、ソース
を前記接地用の電源ラインに接続し、ドレインを前記第
1のトランジスタのゲートに接続したNMOSの第3の
トランジスタとを備えた電源間保護回路。
1. An NMOS having a drain connected to a power supply line for operating power supply and a source connected to a power supply line for grounding.
A second transistor of an NMOS having a gate connected to the power supply line for grounding, a drain connected to a power supply line for operating power, and a source connected to the gate of the first transistor. A power supply comprising: an NMOS third transistor having a gate connected to the power supply line for operating power, a source connected to the power supply line for grounding, and a drain connected to the gate of the first transistor. Protection circuit.
【請求項2】 ドレインを動作電源用の電源ラインに接
続し、ソースを接地用の電源ラインに接続したNMOS
の第1のトランジスタと、 ゲートおよびソースを前記動作電源用の電源ラインに接
続し、ドレインを前記第1のトランジスタのゲートに接
続したPMOSの第2のトランジスタと、 ゲートおよびドレインを前記接地用の電源ラインに接続
し、ソースを前記第1のトランジスタのゲートに接続し
たPMOSの第3のトランジスタとを備えた電源間保護
回路。
2. An NMOS having a drain connected to a power supply line for operating power supply and a source connected to a power supply line for grounding.
A second transistor of a PMOS having a gate and a source connected to a power supply line for the operation power supply, and a drain connected to a gate of the first transistor; and a gate and a drain connected to the ground for the ground. A power supply protection circuit comprising: a PMOS third transistor connected to a power supply line and having a source connected to the gate of the first transistor.
【請求項3】 ドレインを動作電源用の電源ラインに接
続し、ソースを接地用の電源ラインに接続したNMOS
の第1のトランジスタと、 ゲートおよびソースを前記動作電源用の電源ラインに接
続し、ドレインを前記第1のトランジスタのゲートに接
続したPMOSの第2のトランジスタと、 ゲートを前記動作電源用の電源ラインに接続し、ソース
を前記接地用の電源ラインに接続し、ドレインを前記第
1のトランジスタのゲートに接続したNMOSの第3の
トランジスタとを備えた電源間保護回路。
3. An NMOS having a drain connected to a power supply line for operating power supply and a source connected to a power supply line for grounding.
A second transistor of a PMOS having a gate and a source connected to a power supply line for the operation power supply, and a drain connected to a gate of the first transistor; a power supply for the operation power supply An NMOS third transistor having a source connected to the ground, a source connected to the power supply line for grounding, and a drain connected to the gate of the first transistor.
【請求項4】 ソースを動作電源用の電源ラインに接続
し、ドレインを接地用の電源ラインに接続したPMOS
の第1のトランジスタと、 ゲートおよびドレインを前記動作電源用の電源ラインに
接続し、ソースを前記第1のトランジスタのゲートに接
続したNMOSの第2のトランジスタと、 ゲートおよびソースを前記接地用の電源ラインに接続
し、ドレインを前記第1のトランジスタのゲートに接続
したNMOSの第3のトランジスタとを備えた電源間保
護回路。
4. A PMOS having a source connected to a power supply line for operating power supply and a drain connected to a power supply line for grounding.
A second transistor of NMOS having a gate and a drain connected to the power supply line for the operation power supply, and a source connected to the gate of the first transistor; and a gate and a source for the ground. An NMOS third transistor connected to a power supply line and having a drain connected to the gate of the first transistor;
【請求項5】 ソースを動作電源用の電源ラインに接続
し、ドレインを接地用の電源ラインに接続したPMOS
の第1のトランジスタと、 ゲートを前記接地用の電源ラインに接続し、ソースを前
記動作電源用の電源ラインに接続し、ドレインを前記第
1のトランジスタのゲートに接続したPMOSの第2の
トランジスタと、 ゲートを前記動作電源用の電源ラインに接続し、ドレイ
ンを前記接地用の電源ラインに接続し、ソースを前記第
1のトランジスタのゲートに接続したPMOSの第3の
トランジスタとを備えた電源間保護回路。
5. A PMOS having a source connected to a power supply line for operating power supply and a drain connected to a power supply line for grounding.
And a second transistor of a PMOS having a gate connected to the power supply line for grounding, a source connected to a power supply line for the operation power supply, and a drain connected to the gate of the first transistor. And a third transistor of a PMOS having a gate connected to the power supply line for the operation power supply, a drain connected to the power supply line for grounding, and a source connected to the gate of the first transistor. Protection circuit.
【請求項6】 ソースを動作電源用の電源ラインに接続
し、ドレインを接地用の電源ラインに接続したPMOS
の第1のトランジスタと、 ゲートを前記接地用の電源ラインに接続し、ソースを前
記動作電源用の電源ラインに接続し、ドレインを前記第
1のトランジスタのゲートに接続したPMOSの第2の
トランジスタと、 ゲートおよびソースを前記接地用の電源ラインに接続
し、ドレインを前記第1のトランジスタのゲートに接続
したNMOSの第3のトランジスタとを備えた電源間保
護回路。
6. A PMOS having a source connected to a power supply line for operating power supply and a drain connected to a power supply line for grounding.
And a second transistor of a PMOS having a gate connected to the power supply line for grounding, a source connected to a power supply line for the operation power supply, and a drain connected to the gate of the first transistor. And an NMOS third transistor having a gate and a source connected to the ground power supply line and a drain connected to the gate of the first transistor.
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