JPH10189296A - 平行板電極プラズマリアクタ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 オーバーヘッド平面誘導コイルアンテナを有
する誘導結合プラズマリアクタの利点と、プラズマリア
クタに単独リアクタで容量結合されている平行板電極の
利点とを合わせる。 【解決手段】 半球あるいはドームのような３次元の形
態のオーバーヘッドの天井を有するチャンバを備える、
ウェーハのような半導体ワークピースの加工のためのプ
ラズマリアクタが開示されている。リアクタは、アンテ
ナの誘導磁場のウィンドウとまた同時に、地絡させるこ
とができるか、ＲＦ電力掛けるか電気的に浮揚させるこ
とができる、電極としての役目を果たすために、更に天
井と共形あるいは非共形とすることができる天井の上の
誘導アンテナを備える。リアクタは、ウェーハの表面を
横断して加工の均一性のために最適な分布に調整される
ウェーハの表面を横断してプラズマイオンの密度を横方
向の分布を行うことができる種々の特徴を備える。
する誘導結合プラズマリアクタの利点と、プラズマリア
クタに単独リアクタで容量結合されている平行板電極の
利点とを合わせる。 【解決手段】 半球あるいはドームのような３次元の形
態のオーバーヘッドの天井を有するチャンバを備える、
ウェーハのような半導体ワークピースの加工のためのプ
ラズマリアクタが開示されている。リアクタは、アンテ
ナの誘導磁場のウィンドウとまた同時に、地絡させるこ
とができるか、ＲＦ電力掛けるか電気的に浮揚させるこ
とができる、電極としての役目を果たすために、更に天
井と共形あるいは非共形とすることができる天井の上の
誘導アンテナを備える。リアクタは、ウェーハの表面を
横断して加工の均一性のために最適な分布に調整される
ウェーハの表面を横断してプラズマイオンの密度を横方
向の分布を行うことができる種々の特徴を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ等
のワークピースがその間に配置される平行板と、また平
行板の一つを介してＲＦ電源を内部リアクタに結合させ
る誘導コイルアンテナを有するプラズマリアクタに関す
る。
のワークピースがその間に配置される平行板と、また平
行板の一つを介してＲＦ電源を内部リアクタに結合させ
る誘導コイルアンテナを有するプラズマリアクタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】Ｏｇｌｅに与えられた米国特許４，９４
８，４５８で開示されたリアクタのタイプのような、半
導体ウェーハを加工する誘導結合プラズマリアクタは、
容量結合の平行板のプラズマリアクタに対して大きな利
点を持っている。例えば、誘導結合プラズマリアクタ
は、より高いイオン密度を達成する（例えば、約１０11
イオン／ｃｍ3）。更に、プラズマイオンの密度とプラ
ズマイオンのエネルギーは、バイアス電力をワークピー
スあるいはウェーハに掛けることで誘導結合プラズマリ
アクタの中でそれぞれ別個に制御することができる。こ
れとは対照的に、容量結合リアクタは、一般的に比較的
低いプラズマイオンを作り出し（例えば、約１０10イオ
ン／ｃｍ3）、また一般的に、別々にイオン密度とイオ
ンエネルギーを作り出すことができない。二酸化シリコ
ンのエッチングに使用される誘導結合プラズマエッチン
グリアクタにより与えられる最高のイオン対中性密度比
は、例えば、より良好なエッチング異方性エッチング、
エッチングの横断面とエッチングの選択性を含む、寸法
の小さいエッチング（例えば、０．５ミクロン以下の特
性のサイズ）で最高の性能を発揮する。これとは対照的
に、容量結合平行板プラズマリアクタは、劣っているイ
オン対中性密度比のために、一般的に約０．２５ミクロ
ンのあたりを特徴とするサイズでエッチングを停止する
か、あるいは少なくとも劣るエッチングの選択性とエッ
チングの断面を示す。
８，４５８で開示されたリアクタのタイプのような、半
導体ウェーハを加工する誘導結合プラズマリアクタは、
容量結合の平行板のプラズマリアクタに対して大きな利
点を持っている。例えば、誘導結合プラズマリアクタ
は、より高いイオン密度を達成する（例えば、約１０11
イオン／ｃｍ3）。更に、プラズマイオンの密度とプラ
ズマイオンのエネルギーは、バイアス電力をワークピー
スあるいはウェーハに掛けることで誘導結合プラズマリ
アクタの中でそれぞれ別個に制御することができる。こ
れとは対照的に、容量結合リアクタは、一般的に比較的
低いプラズマイオンを作り出し（例えば、約１０10イオ
ン／ｃｍ3）、また一般的に、別々にイオン密度とイオ
ンエネルギーを作り出すことができない。二酸化シリコ
ンのエッチングに使用される誘導結合プラズマエッチン
グリアクタにより与えられる最高のイオン対中性密度比
は、例えば、より良好なエッチング異方性エッチング、
エッチングの横断面とエッチングの選択性を含む、寸法
の小さいエッチング（例えば、０．５ミクロン以下の特
性のサイズ）で最高の性能を発揮する。これとは対照的
に、容量結合平行板プラズマリアクタは、劣っているイ
オン対中性密度比のために、一般的に約０．２５ミクロ
ンのあたりを特徴とするサイズでエッチングを停止する
か、あるいは少なくとも劣るエッチングの選択性とエッ
チングの断面を示す。
【０００３】前記に引用されている、米国特許番号４，
９４８，４５８で開示されている誘導結合プラズマリア
クタは、チャンバの天井に重なっておりまた、加工され
る半導体に面している平面コイルを有し、該コイルによ
り、最適状態で均一のＲＦ誘導磁界をウェーハの表面に
与える。この目的のために、空にすることができるよう
になっているリアクタのチャンバを密封している天井
は、コイルからのＲＦ誘導磁界に対してかなり透過性が
あるはずであるので、クオーツのような誘電体である。
該天井が、クオーツ以外の、酸化アルミニウムのような
誘電体材料から製造することができることに注目しなけ
ればならない。しかし、酸化アルミニウムのような他の
材料は、スパッタリングのために、クオーツより多量の
汚染を作り出す傾向がある。
９４８，４５８で開示されている誘導結合プラズマリア
クタは、チャンバの天井に重なっておりまた、加工され
る半導体に面している平面コイルを有し、該コイルによ
り、最適状態で均一のＲＦ誘導磁界をウェーハの表面に
与える。この目的のために、空にすることができるよう
になっているリアクタのチャンバを密封している天井
は、コイルからのＲＦ誘導磁界に対してかなり透過性が
あるはずであるので、クオーツのような誘電体である。
該天井が、クオーツ以外の、酸化アルミニウムのような
誘電体材料から製造することができることに注目しなけ
ればならない。しかし、酸化アルミニウムのような他の
材料は、スパッタリングのために、クオーツより多量の
汚染を作り出す傾向がある。
【０００４】容量結合プラズマリアクタの利点は、平行
板電極間の空間を縮小することで、チャンバの容積を大
幅に縮小でき、それによって、リアクタを比較的高いチ
ャンバ圧力（例えば、２００ ｍＴｏｒｒ）で運転しな
がら、ワークピースの上のプラズマをより良く閉じ込め
るか、あるいは濃縮することができる。これとは対照的
に、誘導結合リアクタは、ＲＦ誘導磁場のより厚い表皮
のためにより大きな容積を必要とし、また再結合（中
和）によるプラズマイオンのロスを避けるために、より
低い圧力（例えば、１０ｍＴｏｒｒ）で運転しなければ
ならない。前記に引用されている米国特許番号４，９４
８，４５８ の誘導結合リアクタ商業化のための実施例
の中で、大きなチャンバの容積の必要性は、大きな側壁
の面積で対応している。ウェーハのバイアスに対する他
の全てのＲＦの地絡回帰の不足はエッチングに使用され
る（上にあるコイルからＲＦ誘導磁場を受け入れるため
の誘電ウィンドウの必要性のために）ということはチャ
ンバの側壁が誘導性であり、また主な接地あるいはＲＦ
の回帰面として働くことを意味する。しかし側壁は、ウ
ェーハの出入りのためのスリットバルブ、ガス配分口あ
るいは装置その他のような不連続であるので、接地とし
ては不十分である。この不連続性は、不均一な電流の配
分を生じ、ウェーハ表面に対するプラズマの配分を歪め
る。その結果発生する側壁に向けた横道の電流の流れ
は、ウェーハの表面に対する不均一なプラズマイオンの
配分を助長する。
板電極間の空間を縮小することで、チャンバの容積を大
幅に縮小でき、それによって、リアクタを比較的高いチ
ャンバ圧力（例えば、２００ ｍＴｏｒｒ）で運転しな
がら、ワークピースの上のプラズマをより良く閉じ込め
るか、あるいは濃縮することができる。これとは対照的
に、誘導結合リアクタは、ＲＦ誘導磁場のより厚い表皮
のためにより大きな容積を必要とし、また再結合（中
和）によるプラズマイオンのロスを避けるために、より
低い圧力（例えば、１０ｍＴｏｒｒ）で運転しなければ
ならない。前記に引用されている米国特許番号４，９４
８，４５８ の誘導結合リアクタ商業化のための実施例
の中で、大きなチャンバの容積の必要性は、大きな側壁
の面積で対応している。ウェーハのバイアスに対する他
の全てのＲＦの地絡回帰の不足はエッチングに使用され
る（上にあるコイルからＲＦ誘導磁場を受け入れるため
の誘電ウィンドウの必要性のために）ということはチャ
ンバの側壁が誘導性であり、また主な接地あるいはＲＦ
の回帰面として働くことを意味する。しかし側壁は、ウ
ェーハの出入りのためのスリットバルブ、ガス配分口あ
るいは装置その他のような不連続であるので、接地とし
ては不十分である。この不連続性は、不均一な電流の配
分を生じ、ウェーハ表面に対するプラズマの配分を歪め
る。その結果発生する側壁に向けた横道の電流の流れ
は、ウェーハの表面に対する不均一なプラズマイオンの
配分を助長する。
【０００５】容量結合と誘導結合を組み合わせるための
一つの取り組みは、Ｃｏｌｌｉｎｓ他による欧州特許公
報番号０ ５２０ ５１９ Ａ１で開示されている通
り、平行板プラズマリアクタの回りに巻かれている側面
コイルを設けることである。この目的のために、筒状チ
ャンバの側壁は、ＲＦ磁場をチャンバの中に受け入れる
ために、クオーツのような非導体でなければならない。
このタイプのプラズマリアクタの主な問題は、ウェーハ
を横断する加工行程での非均一性を示す傾向があること
である。例えば、エッチング速度（単位時間当りのエッ
チングの深さ）は、ウェーハの周辺では非常に大きくま
たウェーハの中心では非常に遅いので、そのために加工
の選択幅を狭める。事実、エッチング加工は、実際には
ウェーハの中心で止ることがあるが、ウェーハの周辺で
は継続される。チャンバの中心に向けた、比較的に薄い
（例えば２ｃｍ）表皮（あるいはほとんどのＲＦ出力が
吸収される深さ以内）のリアクタのチャンバの側壁に沿
った誘導コイルアンテナの配置と側面からのリアクタの
チャンバへのエッチング前駆物質ガスの導入は、大部分
の腐食イオンとラジカル（基）の生成をチャンバの側壁
の付近あるいはウェーハの周辺に閉じ込める。この明細
書の中で使用されている用語“腐食イオンとラジカル”
は、過フッ化炭化水素イオンとラジカルとまたフッ化炭
化水素イオンとラジカルを含む腐食反応を行う各種の化
学の種を指すものである。遊離フッ素イオンとラジカル
の数は、選択的エッチング加工を望む場合、最低限度に
抑えるのが好ましい。プラズマ源の力により発生する強
いエネルギーの電子は、加工前駆物質ガスと相互作用
し、該相互作用により必要な腐食イオンとラジカルを生
成し、更に、高度なエッチング加工に使用される重合に
必要な分子あるいは原子炭素を生成する。ウェーハの中
心の近くのエッチング加工は、チャンバの側壁の近くか
らの移動し、この道に沿って中性子あるいはイオンとの
衝突により再結合する前にウェーハ中心に到達するこの
ような強いエネルギーの電子左右されるので、ウェーハ
の表面を横断するエッチングの加工は均一でない。これ
等の問題は、エッチング加工の中で果たす重合の役割か
ら鑑みてより良く理解できる。
一つの取り組みは、Ｃｏｌｌｉｎｓ他による欧州特許公
報番号０ ５２０ ５１９ Ａ１で開示されている通
り、平行板プラズマリアクタの回りに巻かれている側面
コイルを設けることである。この目的のために、筒状チ
ャンバの側壁は、ＲＦ磁場をチャンバの中に受け入れる
ために、クオーツのような非導体でなければならない。
このタイプのプラズマリアクタの主な問題は、ウェーハ
を横断する加工行程での非均一性を示す傾向があること
である。例えば、エッチング速度（単位時間当りのエッ
チングの深さ）は、ウェーハの周辺では非常に大きくま
たウェーハの中心では非常に遅いので、そのために加工
の選択幅を狭める。事実、エッチング加工は、実際には
ウェーハの中心で止ることがあるが、ウェーハの周辺で
は継続される。チャンバの中心に向けた、比較的に薄い
（例えば２ｃｍ）表皮（あるいはほとんどのＲＦ出力が
吸収される深さ以内）のリアクタのチャンバの側壁に沿
った誘導コイルアンテナの配置と側面からのリアクタの
チャンバへのエッチング前駆物質ガスの導入は、大部分
の腐食イオンとラジカル（基）の生成をチャンバの側壁
の付近あるいはウェーハの周辺に閉じ込める。この明細
書の中で使用されている用語“腐食イオンとラジカル”
は、過フッ化炭化水素イオンとラジカルとまたフッ化炭
化水素イオンとラジカルを含む腐食反応を行う各種の化
学の種を指すものである。遊離フッ素イオンとラジカル
の数は、選択的エッチング加工を望む場合、最低限度に
抑えるのが好ましい。プラズマ源の力により発生する強
いエネルギーの電子は、加工前駆物質ガスと相互作用
し、該相互作用により必要な腐食イオンとラジカルを生
成し、更に、高度なエッチング加工に使用される重合に
必要な分子あるいは原子炭素を生成する。ウェーハの中
心の近くのエッチング加工は、チャンバの側壁の近くか
らの移動し、この道に沿って中性子あるいはイオンとの
衝突により再結合する前にウェーハ中心に到達するこの
ような強いエネルギーの電子左右されるので、ウェーハ
の表面を横断するエッチングの加工は均一でない。これ
等の問題は、エッチング加工の中で果たす重合の役割か
ら鑑みてより良く理解できる。
【０００６】電子化学協会誌、１３７巻、８号（１９９
０年８月）、頁２５７５−２５８１の１頁目の、Ｂａｒ
ｉｙａ他の“プラズマエッチングに応用されるプラズマ
重合のための表面運動モデル”の中で説明されている通
り、過フッ化炭化水素（ＣxＦx）あるいはフッ化炭化水
素の化学作用を使用する重合は、例えば、異方性あるい
は断面エッチングとまたエッチング選択性を高めるの
に、一般的な二酸化珪素のエッチング加工に使用され
る。リアクタチャンバの中に導入されるＣ2Ｆ6のような
過フッ化炭化水素あるいはフッ化炭化水素のようなエッ
チング前駆物質ガスは、プラズマの中の強いエネルギー
の電子との非弾性衝突により、腐食イオンとラジカルと
同時に炭素に解離する。前記で述べた通り、該腐食イオ
ンとラジカルには、例えば、遊離フッ素イオンとラジカ
ルのような、過フッ化炭化水素あるいはフッ化炭化水素
イオンとラジカルが含まれる。遊離フッ素イオンとラジ
カルは、例えば、エッチング加工が重合シリコンのよう
な非酸素含有物質に対して選択的である場合、除去で最
小限度に抑えられるのが望ましい。炭素と少なくとも過
フッ化炭化水素あるいはフッ化炭化水素イオンとラジカ
ルは、重合体形成である。またプラズマの中に存在する
ものは、励起された中性あるいは解離された種とエッチ
ングの副産物である。重合体形成ラジカルと炭素は、エ
ッチングの断面を次の方法で高める：エッチング特性の
側壁上のみで形成することで（プラズマからのエネルギ
ーの強い下向きのイオン束により予防されている水平面
上での形成）、重合体は、放射方向のエッチングをブロ
ックすることができるので、それにより異方性（狭く深
い）断面を作ることができる。重合体形成イオンとラジ
カルは、重合体が、好ましい条件の下で一般的に酸化シ
リコン上で形成しないが、エッチングされる、珪素ある
いは腐食されないが酸化シリコン層の下に横たわる他の
材料上で形成するので、また酸化珪素エッチングの選択
性を高める。従って、下に横たわる重合シリコン層を露
出するために、下に横たわっている酸化シリコンが完全
に腐食され尽くされたら、直ちに、露出された重合シリ
コン層に接触するプラズマの中の重合形成イオンとラジ
カルは、これ以上の腐食を抑えて、直ちに重合層の形成
を開始する。
０年８月）、頁２５７５−２５８１の１頁目の、Ｂａｒ
ｉｙａ他の“プラズマエッチングに応用されるプラズマ
重合のための表面運動モデル”の中で説明されている通
り、過フッ化炭化水素（ＣxＦx）あるいはフッ化炭化水
素の化学作用を使用する重合は、例えば、異方性あるい
は断面エッチングとまたエッチング選択性を高めるの
に、一般的な二酸化珪素のエッチング加工に使用され
る。リアクタチャンバの中に導入されるＣ2Ｆ6のような
過フッ化炭化水素あるいはフッ化炭化水素のようなエッ
チング前駆物質ガスは、プラズマの中の強いエネルギー
の電子との非弾性衝突により、腐食イオンとラジカルと
同時に炭素に解離する。前記で述べた通り、該腐食イオ
ンとラジカルには、例えば、遊離フッ素イオンとラジカ
ルのような、過フッ化炭化水素あるいはフッ化炭化水素
イオンとラジカルが含まれる。遊離フッ素イオンとラジ
カルは、例えば、エッチング加工が重合シリコンのよう
な非酸素含有物質に対して選択的である場合、除去で最
小限度に抑えられるのが望ましい。炭素と少なくとも過
フッ化炭化水素あるいはフッ化炭化水素イオンとラジカ
ルは、重合体形成である。またプラズマの中に存在する
ものは、励起された中性あるいは解離された種とエッチ
ングの副産物である。重合体形成ラジカルと炭素は、エ
ッチングの断面を次の方法で高める：エッチング特性の
側壁上のみで形成することで（プラズマからのエネルギ
ーの強い下向きのイオン束により予防されている水平面
上での形成）、重合体は、放射方向のエッチングをブロ
ックすることができるので、それにより異方性（狭く深
い）断面を作ることができる。重合体形成イオンとラジ
カルは、重合体が、好ましい条件の下で一般的に酸化シ
リコン上で形成しないが、エッチングされる、珪素ある
いは腐食されないが酸化シリコン層の下に横たわる他の
材料上で形成するので、また酸化珪素エッチングの選択
性を高める。従って、下に横たわる重合シリコン層を露
出するために、下に横たわっている酸化シリコンが完全
に腐食され尽くされたら、直ちに、露出された重合シリ
コン層に接触するプラズマの中の重合形成イオンとラジ
カルは、これ以上の腐食を抑えて、直ちに重合層の形成
を開始する。
【０００７】該エッチング工程の間の重合には、適当な
重合形成の抑制を避けるために腐食剤の濃縮が減損レベ
ルにあるので、慎重な該腐食剤と重合体のバランスが必
要である。その結果、ウェーハの周辺の近くで形成され
る大きな割合の腐食イオンとラジカルは、ウェーハの中
心に達する前に消費される。更にはウェーハ中心に渡っ
て腐食イオンの濃縮を取り除く。これは、結果として、
ウェーハの中心の近くでより低いエッチング速度あるい
はエッチング停止をもたらす。
重合形成の抑制を避けるために腐食剤の濃縮が減損レベ
ルにあるので、慎重な該腐食剤と重合体のバランスが必
要である。その結果、ウェーハの周辺の近くで形成され
る大きな割合の腐食イオンとラジカルは、ウェーハの中
心に達する前に消費される。更にはウェーハ中心に渡っ
て腐食イオンの濃縮を取り除く。これは、結果として、
ウェーハの中心の近くでより低いエッチング速度あるい
はエッチング停止をもたらす。
【０００８】ウェーハの周辺により多くのイオンがある
一つの理由は、側壁にある誘導コイルの場所が、側壁の
付近で作られるべきより熱いイオン生成電子を引き起こ
し、中心に達する前に、再結合により、該電子が冷却さ
れるかあるいは消費されるかその双方であるということ
であり、その結果、ウェーハの中心で腐食イオンとラジ
カルの生成が少なくなる。更に、側面からの腐食剤前駆
物質ガスの導入と側面からのプラズマ動力源の結合は、
側面に効果を与える非均一腐食イオン／ラジカルの分布
を作り出す。側面の近くで（ウェーハの周辺の上に）形
成される多くのイオンとラジカルは、クオーツ側壁を腐
食することで消費され、ウェーハの中央をエッチングす
るためのものが得られない一方で、腐食イオン／ラジカ
ルを形成する、側面の近くで作られるエネルギーの強い
電子は、ウェーハの中心に到達する前に、他の種との衝
突で失われ、その結果、ウェーハの中心の腐食イオンの
濃縮を減少させる。（クオーツの側壁が非常に高価な品
物であるので、定期的に交換しなければならない該側壁
の腐食が、大きくリアクタの操作費用を押し上げること
に注意しなければならない。）ウェーハの中心の近くの
相対的な腐食イオンの不足は、場合によっては、特に
０．５ミクロン以下の特徴のあるサイズで、重合体の形
成はエッチング行程を上回り停止させる程大きい、ウェ
ーハの中心のより早い重合の形成を許す。該エッチング
の停止は、より浅い腐食の深さあるいはより短い腐食時
間で、大きなエッチングの特徴で起こりうる。
一つの理由は、側壁にある誘導コイルの場所が、側壁の
付近で作られるべきより熱いイオン生成電子を引き起こ
し、中心に達する前に、再結合により、該電子が冷却さ
れるかあるいは消費されるかその双方であるということ
であり、その結果、ウェーハの中心で腐食イオンとラジ
カルの生成が少なくなる。更に、側面からの腐食剤前駆
物質ガスの導入と側面からのプラズマ動力源の結合は、
側面に効果を与える非均一腐食イオン／ラジカルの分布
を作り出す。側面の近くで（ウェーハの周辺の上に）形
成される多くのイオンとラジカルは、クオーツ側壁を腐
食することで消費され、ウェーハの中央をエッチングす
るためのものが得られない一方で、腐食イオン／ラジカ
ルを形成する、側面の近くで作られるエネルギーの強い
電子は、ウェーハの中心に到達する前に、他の種との衝
突で失われ、その結果、ウェーハの中心の腐食イオンの
濃縮を減少させる。（クオーツの側壁が非常に高価な品
物であるので、定期的に交換しなければならない該側壁
の腐食が、大きくリアクタの操作費用を押し上げること
に注意しなければならない。）ウェーハの中心の近くの
相対的な腐食イオンの不足は、場合によっては、特に
０．５ミクロン以下の特徴のあるサイズで、重合体の形
成はエッチング行程を上回り停止させる程大きい、ウェ
ーハの中心のより早い重合の形成を許す。該エッチング
の停止は、より浅い腐食の深さあるいはより短い腐食時
間で、大きなエッチングの特徴で起こりうる。
【０００９】前記と逆の場合は、ウェーハ周辺の近くの
相対的に充満した腐食イオンとラジカルは、選択された
加工条件の下では、場合によっては下に横たわるウェー
ハの周辺近くの層に穴開けを起こし、また更にウェーハ
の周辺で非常に早いエッチング速度を生じる、エッチン
グの選択性を損なう程、重合を妨げる。関連する問題
は、前記クオーツ側壁のエッチングにより放出された酸
素と共に、この付近により強いエネルギーのプラズマイ
オンを供給するチャンバの側壁／ウェーハの周辺の近く
のより熱い電子が、ウェーハ周辺の付近のフォトレジス
トマスクの縁を腐食することである。該腐食は切子面を
刻み、該刻みはフォトレジストマスクで画された角を腐
食し、好ましくない傾斜が付けられたエッチング断面を
作り出す。
相対的に充満した腐食イオンとラジカルは、選択された
加工条件の下では、場合によっては下に横たわるウェー
ハの周辺近くの層に穴開けを起こし、また更にウェーハ
の周辺で非常に早いエッチング速度を生じる、エッチン
グの選択性を損なう程、重合を妨げる。関連する問題
は、前記クオーツ側壁のエッチングにより放出された酸
素と共に、この付近により強いエネルギーのプラズマイ
オンを供給するチャンバの側壁／ウェーハの周辺の近く
のより熱い電子が、ウェーハ周辺の付近のフォトレジス
トマスクの縁を腐食することである。該腐食は切子面を
刻み、該刻みはフォトレジストマスクで画された角を腐
食し、好ましくない傾斜が付けられたエッチング断面を
作り出す。
【００１０】前記解説から、ウェーハの縁に穴開けと切
子面を刻むことを避けることとウェーハの中央のエッチ
ング停止を避けることの間の、ウェーハ面全体にわたっ
て成功するエッチング加工が実現できる加工パラメータ
の非常に狭い選択幅を強制する、取捨選択があることが
明かである。ウェーハの周辺の腐食のし過ぎを防ぐため
に、ウェーハの中心のエッチングの停止の危険がある、
他の微粒子（例えば、重合形成イオンあるいはラジカル
と炭素）に比例するプラズマの中の腐食イオンとラジカ
ルの濃縮は、減少させることができる。逆に、ウェーハ
の中心のエッチングの停止を避けるために、ウェーハの
周辺の近くの穴開けあるいは切子面を刻む危険がある、
プラズマの中の腐食イオンを増やすことができる。従っ
て、ウェーハ全部を完全にエッチングするための選択幅
は非常に狭い。
子面を刻むことを避けることとウェーハの中央のエッチ
ング停止を避けることの間の、ウェーハ面全体にわたっ
て成功するエッチング加工が実現できる加工パラメータ
の非常に狭い選択幅を強制する、取捨選択があることが
明かである。ウェーハの周辺の腐食のし過ぎを防ぐため
に、ウェーハの中心のエッチングの停止の危険がある、
他の微粒子（例えば、重合形成イオンあるいはラジカル
と炭素）に比例するプラズマの中の腐食イオンとラジカ
ルの濃縮は、減少させることができる。逆に、ウェーハ
の中心のエッチングの停止を避けるために、ウェーハの
周辺の近くの穴開けあるいは切子面を刻む危険がある、
プラズマの中の腐食イオンを増やすことができる。従っ
て、ウェーハ全部を完全にエッチングするための選択幅
は非常に狭い。
【００１１】平行板プラズマリアクタの中で、プラズマ
の中の遊離フッ素は、シリコンのような除去品目を、リ
アクタチャンバの頂上あるいはその近くに導入すること
で制御できる。除去品目から物理的に腐食させられた
（放出させられた）、化学的に腐食させられたかあるい
は反応イオンで腐食させられたシリコン原子は、フッ素
イオンとラジカルと結合し、それによりプラズマの中の
フッ素イオンとラジカルの濃縮を減少させる。シリコン
原子が、除去品目から物理的あるいは化学的に腐食させ
られる速度を制御することで、前記狭い加工選択幅に合
わせるために、遊離プラズマの中のフッ素イオンとラジ
カルの量を希望通り制御できる（例えば、減らす）。除
去品目の温度を制御するかあるいは除去品目の上のイオ
ン衝撃速度を制御するかあるいはその双方で、物理的あ
るいは化学的にエッチング速度を制御できる。ＲＦある
いは加熱で、除去品目の表面を活性化する（シリコンの
原子をプラズマに放出する）ことができる。除去品目の
温度を重合が起こる点の以下に保つことで、重合体が除
去品目の表面に蓄積され、該表面からのシリコン原子の
放出をブロックする。除去品目の温度を上げることで、
表面から重合体がなくなり、シリコン原子のプラズマの
中への放出を可能とする。更に温度を上げれば上げるほ
ど、除去品目の表面からプラズマへのシリコン原子が放
出される速度が増す。ＲＦ電力による除去品目の活性化
に対するものと同様に、除去品目のイオン衝撃の速度
は、除去品目の付近にある頂上の平行板電極に掛けられ
たＲＦの電位あるいは、（直接的あるいは間接的に）バ
イアスにより影響される。この方法による遊離フッ素の
濃縮の減少は、エッチング速度を減らすだけでなくまた
重合体の酸素を濃化する効果を有しているので、エッチ
ング加工で重合体の効果を増やし、ウェーハ周辺の穴開
きから保護するが、またウェーハの中心の停止の増大す
る危険もまた増大する。前記とは逆に、遊離フッ素の濃
縮の増大は、エッチング速度を増やすだけではなく、ま
た重合体の炭素の含有を減少させ、その結果、エッチン
グ加工で重合化の効果を減らし、更に結果的にウェーハ
の中心の停止の危険を減らすが、ウェーハの周辺の穴開
きに対する保護を弱める。
の中の遊離フッ素は、シリコンのような除去品目を、リ
アクタチャンバの頂上あるいはその近くに導入すること
で制御できる。除去品目から物理的に腐食させられた
（放出させられた）、化学的に腐食させられたかあるい
は反応イオンで腐食させられたシリコン原子は、フッ素
イオンとラジカルと結合し、それによりプラズマの中の
フッ素イオンとラジカルの濃縮を減少させる。シリコン
原子が、除去品目から物理的あるいは化学的に腐食させ
られる速度を制御することで、前記狭い加工選択幅に合
わせるために、遊離プラズマの中のフッ素イオンとラジ
カルの量を希望通り制御できる（例えば、減らす）。除
去品目の温度を制御するかあるいは除去品目の上のイオ
ン衝撃速度を制御するかあるいはその双方で、物理的あ
るいは化学的にエッチング速度を制御できる。ＲＦある
いは加熱で、除去品目の表面を活性化する（シリコンの
原子をプラズマに放出する）ことができる。除去品目の
温度を重合が起こる点の以下に保つことで、重合体が除
去品目の表面に蓄積され、該表面からのシリコン原子の
放出をブロックする。除去品目の温度を上げることで、
表面から重合体がなくなり、シリコン原子のプラズマの
中への放出を可能とする。更に温度を上げれば上げるほ
ど、除去品目の表面からプラズマへのシリコン原子が放
出される速度が増す。ＲＦ電力による除去品目の活性化
に対するものと同様に、除去品目のイオン衝撃の速度
は、除去品目の付近にある頂上の平行板電極に掛けられ
たＲＦの電位あるいは、（直接的あるいは間接的に）バ
イアスにより影響される。この方法による遊離フッ素の
濃縮の減少は、エッチング速度を減らすだけでなくまた
重合体の酸素を濃化する効果を有しているので、エッチ
ング加工で重合体の効果を増やし、ウェーハ周辺の穴開
きから保護するが、またウェーハの中心の停止の増大す
る危険もまた増大する。前記とは逆に、遊離フッ素の濃
縮の増大は、エッチング速度を増やすだけではなく、ま
た重合体の炭素の含有を減少させ、その結果、エッチン
グ加工で重合化の効果を減らし、更に結果的にウェーハ
の中心の停止の危険を減らすが、ウェーハの周辺の穴開
きに対する保護を弱める。
【００１２】狭い加工の選択幅も、またプラズマの中の
重合形成イオンとラジカルの濃縮を調節することで対応
できる。これは、チャンバの天井あるいは側壁（あるい
は除去品目）への重合化により重合形成ラジカルとイオ
ンがプラズマから失われる速度、あるいは重合体の堆積
が天井あるいは側壁（あるいは除去品目）から飛ばされ
る速度を調整することで達成できる。天井での重合化速
度は、天井の温度を重合化温度より高いかあるいは低く
調整することで影響される。天井に堆積している該重合
体が腐食されて、プラズマに放出される速度は、次のフ
ァクターに影響される：即ち、（直接的あるいは間接的
に）天井の電極に掛けられるＲＦ電力、温度、チャンバ
の圧力、ガスの流量、誘導源の電力と他のパラメータで
ある。
重合形成イオンとラジカルの濃縮を調節することで対応
できる。これは、チャンバの天井あるいは側壁（あるい
は除去品目）への重合化により重合形成ラジカルとイオ
ンがプラズマから失われる速度、あるいは重合体の堆積
が天井あるいは側壁（あるいは除去品目）から飛ばされ
る速度を調整することで達成できる。天井での重合化速
度は、天井の温度を重合化温度より高いかあるいは低く
調整することで影響される。天井に堆積している該重合
体が腐食されて、プラズマに放出される速度は、次のフ
ァクターに影響される：即ち、（直接的あるいは間接的
に）天井の電極に掛けられるＲＦ電力、温度、チャンバ
の圧力、ガスの流量、誘導源の電力と他のパラメータで
ある。
【００１３】従って、狭い加工ウィンドウに対応するた
めに、一般的に、プラズマの中の遊離フッ素と重合形成
イオンとラジカルの相対濃縮度は、チャンバの天井ある
いは側壁あるいは除去品目（もしあれば）の温度を調整
するかあるいはオーバーヘッド／天井の平行板電極に掛
かるＲＦの電力を調整するかその双方で制御することが
できる。
めに、一般的に、プラズマの中の遊離フッ素と重合形成
イオンとラジカルの相対濃縮度は、チャンバの天井ある
いは側壁あるいは除去品目（もしあれば）の温度を調整
するかあるいはオーバーヘッド／天井の平行板電極に掛
かるＲＦの電力を調整するかその双方で制御することが
できる。
【００１４】従って、筒状の側壁の回りに巻かれた誘導
コイルを有する平行板プラズマリアクタが、ウェ−ハの
全表面の上の均一の接地面として該天井電極を設ける利
点を有しているが、プラズマイオン生成品をチャンバの
側壁の付近に閉じ込めるので、プラズマ加工はウェーハ
の中心でより弱くまたウェーハの周辺でより強いことが
分かる。オーバーヘッドの平面コイルプラズマリアクタ
は、ウェーハの表面に対してより均一なＲＦ磁場の利点
を有しているので、イオン生成品は、ウェーハの周辺に
閉じ込められないが、ウェーハの上に均一の接地面の不
足の問題を有しているので、側壁に向けてのプラズマイ
オンの流れはプラズマを歪める。
コイルを有する平行板プラズマリアクタが、ウェ−ハの
全表面の上の均一の接地面として該天井電極を設ける利
点を有しているが、プラズマイオン生成品をチャンバの
側壁の付近に閉じ込めるので、プラズマ加工はウェーハ
の中心でより弱くまたウェーハの周辺でより強いことが
分かる。オーバーヘッドの平面コイルプラズマリアクタ
は、ウェーハの表面に対してより均一なＲＦ磁場の利点
を有しているので、イオン生成品は、ウェーハの周辺に
閉じ込められないが、ウェーハの上に均一の接地面の不
足の問題を有しているので、側壁に向けてのプラズマイ
オンの流れはプラズマを歪める。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
の欠点ないし問題を受けずに、オーバーヘッドの(overh
ead)平面誘導コイルアンテナを有する誘導結合プラズマ
リアクタの利点と、プラズマリアクタに単独リアクタで
容量結合されている平行板電極の利点とを合わせること
である。より具体的には、本発明の目的は、プラズマ加
工ウィンドウを広げて、例えば、チャンバの圧力のよう
な、加工パラメ−タの幅を広げることができるようなウ
ェーハの全表面を横断して均一のプラズマ加工を示す、
誘導結合平行板電極プラズマリアクタを提供することで
ある。
の欠点ないし問題を受けずに、オーバーヘッドの(overh
ead)平面誘導コイルアンテナを有する誘導結合プラズマ
リアクタの利点と、プラズマリアクタに単独リアクタで
容量結合されている平行板電極の利点とを合わせること
である。より具体的には、本発明の目的は、プラズマ加
工ウィンドウを広げて、例えば、チャンバの圧力のよう
な、加工パラメ−タの幅を広げることができるようなウ
ェーハの全表面を横断して均一のプラズマ加工を示す、
誘導結合平行板電極プラズマリアクタを提供することで
ある。
【００１６】本発明の目的は、物理的設置あるいは電力
分布パターンあるいはその双方をウェーハ表面全体にわ
たって比較的均一とすることによりプラズマイオンの生
成がチャンバ側壁の付近では支配的とならないような誘
導コイルアンテナを提供することであり、一方同時に、
チャンバの側壁へのプラズマ流の流れを防止するためウ
ェーハの表面に隣接して均一の接地面を提供することで
ある。本発明のもう一つの目的は、チャンバの側壁との
相互作用を最小限度に抑えるために、ウェーハの上面に
より近いプラズマを有効に閉じ込める方法で該接地面を
使用することである。
分布パターンあるいはその双方をウェーハ表面全体にわ
たって比較的均一とすることによりプラズマイオンの生
成がチャンバ側壁の付近では支配的とならないような誘
導コイルアンテナを提供することであり、一方同時に、
チャンバの側壁へのプラズマ流の流れを防止するためウ
ェーハの表面に隣接して均一の接地面を提供することで
ある。本発明のもう一つの目的は、チャンバの側壁との
相互作用を最小限度に抑えるために、ウェーハの上面に
より近いプラズマを有効に閉じ込める方法で該接地面を
使用することである。
【００１７】本発明のもう一つの目的は、チャンバの側
壁の付近のプラズマイオンの消耗とまた高価なリアクタ
の構成部品の、該材料の腐食を通じての消費を避けるた
めに、チャンバの側壁の中のクオーツあるいはセラミッ
クスのような消耗材料を除去するか減らすことである。
壁の付近のプラズマイオンの消耗とまた高価なリアクタ
の構成部品の、該材料の腐食を通じての消費を避けるた
めに、チャンバの側壁の中のクオーツあるいはセラミッ
クスのような消耗材料を除去するか減らすことである。
【００１８】本発明のもう一つの目的は、均一のエッチ
ングと重合前駆ガスの配分を提供することで、該リアク
タの中でウェーハの周辺で加工の均一性を高めることで
ある。特に、本発明の目的は、チャンバの中央あるいは
チャンバの周辺あるいはその双方の内の、ウェーハの表
面を横断して、何れか均一な加工の最適化を行う、該ガ
スを導入することである。例えば、ウェーハの中央のエ
ッチング速度が低く、ウェーハの周辺では高い場合、ガ
スは、天井の周辺からではなく、天井の中央から導入さ
れることが望ましい。
ングと重合前駆ガスの配分を提供することで、該リアク
タの中でウェーハの周辺で加工の均一性を高めることで
ある。特に、本発明の目的は、チャンバの中央あるいは
チャンバの周辺あるいはその双方の内の、ウェーハの表
面を横断して、何れか均一な加工の最適化を行う、該ガ
スを導入することである。例えば、ウェーハの中央のエ
ッチング速度が低く、ウェーハの周辺では高い場合、ガ
スは、天井の周辺からではなく、天井の中央から導入さ
れることが望ましい。
【００１９】本発明のもう一つの目的は、ウェーハの周
辺の上のＲＦ磁場に対して、ウェーハの中央の上でＲＦ
誘導磁場を高める（希望すれば減らす）リアクタの中
で、ウェーハの周辺に対してウェーハの中央で加工の均
一性を高めることである。具体的には、本発明のもう一
つの目的は、ウェーハの表面を横断するプラズマ加工の
均一性を最適化するために、ウェーハの表面を横断する
ＲＦ誘導磁場の放射状の分布を調整できるようにするた
めに、ウェーハの周辺の上のＲＦの誘導磁場の強さの分
離あるいは独立した制御装置を提供することである。
辺の上のＲＦ磁場に対して、ウェーハの中央の上でＲＦ
誘導磁場を高める（希望すれば減らす）リアクタの中
で、ウェーハの周辺に対してウェーハの中央で加工の均
一性を高めることである。具体的には、本発明のもう一
つの目的は、ウェーハの表面を横断するプラズマ加工の
均一性を最適化するために、ウェーハの表面を横断する
ＲＦ誘導磁場の放射状の分布を調整できるようにするた
めに、ウェーハの周辺の上のＲＦの誘導磁場の強さの分
離あるいは独立した制御装置を提供することである。
【００２０】半導体ウェーハ上の選択的エッチングのた
めに使用される一般的なプラズマ加工チャンバの中で、
エッチングと装着加工は、同時に行われる。重合体は、
十分に冷たいか（重合のしきい値以下の温度）、あるい
はイオン衝撃がしき値以エネルギ−以下である（重合体
の堆積速度を相殺するのに十分なしきい値のイオンエネ
ルギ−）表面上で形成される。温度しきい値としきい値
イオンエネルギ−は、表面の材料により左右される。ウ
ェーハの上とまた加工チャンバの表面に堆積が起こる可
能性がある。ウェーハの上とチャンバの表面の堆積の制
御は、選択的エッチング工程の制御に重要である。リア
クタのチャンバの内面の重合体の堆積は、チャンバの壁
の材料がウェーハの上で実行される加工と適合しない場
合に必要である。この一つの例は、チャンバの壁がアル
ミニウムであり、実行される加工が二酸化シリコンのプ
ラズマエッチングである場合である。チャンバの壁の表
面上の重合体の堆積は、プラズマイオンのチャンバの壁
の飛び出しを防ぐことでアルミニウムの加工への導入を
防ぐ。
めに使用される一般的なプラズマ加工チャンバの中で、
エッチングと装着加工は、同時に行われる。重合体は、
十分に冷たいか（重合のしきい値以下の温度）、あるい
はイオン衝撃がしき値以エネルギ−以下である（重合体
の堆積速度を相殺するのに十分なしきい値のイオンエネ
ルギ−）表面上で形成される。温度しきい値としきい値
イオンエネルギ−は、表面の材料により左右される。ウ
ェーハの上とまた加工チャンバの表面に堆積が起こる可
能性がある。ウェーハの上とチャンバの表面の堆積の制
御は、選択的エッチング工程の制御に重要である。リア
クタのチャンバの内面の重合体の堆積は、チャンバの壁
の材料がウェーハの上で実行される加工と適合しない場
合に必要である。この一つの例は、チャンバの壁がアル
ミニウムであり、実行される加工が二酸化シリコンのプ
ラズマエッチングである場合である。チャンバの壁の表
面上の重合体の堆積は、プラズマイオンのチャンバの壁
の飛び出しを防ぐことでアルミニウムの加工への導入を
防ぐ。
【００２１】重合体の堆積を制御するための従来の技術
には、ユーザーが次の二つのオプションから選択するこ
とが求められている： （１）表面上に重合体の堆積を起こさせるために加工チ
ャンバの表面をしきい値以下の温度に保つか、あるいは
イオンエネルギ−をきい値以下に保つ； （２）表面上に重合体の堆積を防ぐために加工チャンバ
の表面をしきい値以上の温度に保つか、あるいはイオン
エネルギ−をしきい値以上に保つ。
には、ユーザーが次の二つのオプションから選択するこ
とが求められている： （１）表面上に重合体の堆積を起こさせるために加工チ
ャンバの表面をしきい値以下の温度に保つか、あるいは
イオンエネルギ−をきい値以下に保つ； （２）表面上に重合体の堆積を防ぐために加工チャンバ
の表面をしきい値以上の温度に保つか、あるいはイオン
エネルギ−をしきい値以上に保つ。
【００２２】オプション（１）の問題は、表面上に蓄積
された重合体を、手作業による清掃（湿式）あるいはプ
ラズマによる清掃（乾式）で、定期的に取り除くか、あ
るいは汚染した部品を取り替えなければならないことで
ある。そうしないと、重合体の剥れが起き、チャンバの
汚染を招く。リアクタのチャンバの清掃には、清掃過程
の間中、リアクタの運転を停止する必要があり、生産性
の著しい低下とリアクタの運転コストの増大を招く。プ
ラズマの清掃過程に関連する問題には、生産性の低下の
みならず、チャンバの中の消耗品と汚染のロスが含まれ
る。
された重合体を、手作業による清掃（湿式）あるいはプ
ラズマによる清掃（乾式）で、定期的に取り除くか、あ
るいは汚染した部品を取り替えなければならないことで
ある。そうしないと、重合体の剥れが起き、チャンバの
汚染を招く。リアクタのチャンバの清掃には、清掃過程
の間中、リアクタの運転を停止する必要があり、生産性
の著しい低下とリアクタの運転コストの増大を招く。プ
ラズマの清掃過程に関連する問題には、生産性の低下の
みならず、チャンバの中の消耗品と汚染のロスが含まれ
る。
【００２３】オプション（２）の問題は、チャンバの表
面が露出されているので該表面に腐食が起こることであ
る。一般的に、これ等の表面はアルミニウムかあるいは
クオーツである。前記で述べた通り、アルミニウムの表
面に対しては、腐食がウェーハのプラズマ加工の完璧性
を台無しにする汚染副産物を作り出す。クオーツの表面
に対しては、その部品においてかなりの費用がかかり、
また、生産時間のロスとなる、クオーツ部品を定期的に
交換しなけばならないほどの早い速度で起きる可能性が
ある。更に、冷たい表面への遷移（真空排気環のような
チャンバの他の領域での）を設けなければならない。
面が露出されているので該表面に腐食が起こることであ
る。一般的に、これ等の表面はアルミニウムかあるいは
クオーツである。前記で述べた通り、アルミニウムの表
面に対しては、腐食がウェーハのプラズマ加工の完璧性
を台無しにする汚染副産物を作り出す。クオーツの表面
に対しては、その部品においてかなりの費用がかかり、
また、生産時間のロスとなる、クオーツ部品を定期的に
交換しなけばならないほどの早い速度で起きる可能性が
ある。更に、冷たい表面への遷移（真空排気環のような
チャンバの他の領域での）を設けなければならない。
【００２４】従って、本発明のもう一つの目的は、リア
クタのチャンバの内部の定期的な清掃の必要性を無くす
ことである。本発明のもう一つの更なる目的は、チャン
バの加工領域の中のチャンバの表面上の重合体の集積を
防止することである。これに関連する目的は、該同一チ
ャンバの表面の腐食速度を制御することである。本発明
のもう一つの目的は、プラズマを閉じ込めることで、チ
ャンバの加工領域から加工領域への適切な遷移を設ける
ことである。本発明の更なる目的は、すべての残留重合
形成種を、真空排出環のようなチャンバの加工領域外の
領域に集積することである。
クタのチャンバの内部の定期的な清掃の必要性を無くす
ことである。本発明のもう一つの更なる目的は、チャン
バの加工領域の中のチャンバの表面上の重合体の集積を
防止することである。これに関連する目的は、該同一チ
ャンバの表面の腐食速度を制御することである。本発明
のもう一つの目的は、プラズマを閉じ込めることで、チ
ャンバの加工領域から加工領域への適切な遷移を設ける
ことである。本発明の更なる目的は、すべての残留重合
形成種を、真空排出環のようなチャンバの加工領域外の
領域に集積することである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】半球あるいはドームのよ
うな立体型のオーバーヘッドの天井を有するチャンバを
含む、開示されたウェーハのような半導体ワークピース
の加工のためのプラズマリアクタがある。リアクタは、
更に、非等角あるいは等角の天井の上の誘導アンテナを
備える。天井は、アンテナの誘導磁場のウィンドウと、
また接地させることができる電極としての機能を発揮で
きるように半導体材料とすることができるか、あるい
は、該天井にＲＦ電力を掛けることができるか、あるい
は電気的に浮動の状態にさせることもできる。リアクタ
は、ウェーハの表面を横断する加工の均一性のための分
布を最適化するために調整されるプラズマイオン濃度の
放射状分布をウェーハの表面を横断して行うことができ
る各種の特徴を備える。例えば、オーバーヘッドコイル
アンテナを、希望通りの異なるＲＦ電力レベルで駆動さ
せることができる別個の左右対称のアンテナに分割する
ことができる。チャンバへのプロセスガスの入り口は、
種々の半径方向に設けることができ、また該入り口の中
の流量は、プラズマイオン密度の分布を達成するために
個別に制御できる。天井自身は、プラズマイオン密度の
配分の希望する調整を達成するために、異なるＲＦのバ
イアス電力で駆動される、電気的に別個の放射状に左右
対称の部分に分けることができる。天井の上部から伸び
る非等角コイルアンテナを螺旋巻線を有するソレノイド
にすることができる。更に、天井の温度を、ウェーハの
表面を横断してプラズマ加工の均一性を最適化する希望
する天井温度の特性に従って異なる放射領域が異なる温
度で保たれることができる方法で制御することができ
る。この目的のために、天井を横断して、個別に制御さ
れる複数の熱源（ヒ−トランプのような）が、放射状の
各所に置かれる。この方法で、天井は異なる環状温度制
御領域に分けられる。チャンバの中のプラズマイオンの
密度の放射状分布を調整するためのプラズマリアクタの
能力を高めるために、これ等の全ての特徴は、他の一つ
あるいは一部あるは全部の特徴と組み合わせることがで
きる。
うな立体型のオーバーヘッドの天井を有するチャンバを
含む、開示されたウェーハのような半導体ワークピース
の加工のためのプラズマリアクタがある。リアクタは、
更に、非等角あるいは等角の天井の上の誘導アンテナを
備える。天井は、アンテナの誘導磁場のウィンドウと、
また接地させることができる電極としての機能を発揮で
きるように半導体材料とすることができるか、あるい
は、該天井にＲＦ電力を掛けることができるか、あるい
は電気的に浮動の状態にさせることもできる。リアクタ
は、ウェーハの表面を横断する加工の均一性のための分
布を最適化するために調整されるプラズマイオン濃度の
放射状分布をウェーハの表面を横断して行うことができ
る各種の特徴を備える。例えば、オーバーヘッドコイル
アンテナを、希望通りの異なるＲＦ電力レベルで駆動さ
せることができる別個の左右対称のアンテナに分割する
ことができる。チャンバへのプロセスガスの入り口は、
種々の半径方向に設けることができ、また該入り口の中
の流量は、プラズマイオン密度の分布を達成するために
個別に制御できる。天井自身は、プラズマイオン密度の
配分の希望する調整を達成するために、異なるＲＦのバ
イアス電力で駆動される、電気的に別個の放射状に左右
対称の部分に分けることができる。天井の上部から伸び
る非等角コイルアンテナを螺旋巻線を有するソレノイド
にすることができる。更に、天井の温度を、ウェーハの
表面を横断してプラズマ加工の均一性を最適化する希望
する天井温度の特性に従って異なる放射領域が異なる温
度で保たれることができる方法で制御することができ
る。この目的のために、天井を横断して、個別に制御さ
れる複数の熱源（ヒ−トランプのような）が、放射状の
各所に置かれる。この方法で、天井は異なる環状温度制
御領域に分けられる。チャンバの中のプラズマイオンの
密度の放射状分布を調整するためのプラズマリアクタの
能力を高めるために、これ等の全ての特徴は、他の一つ
あるいは一部あるは全部の特徴と組み合わせることがで
きる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面において同様の
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２７】図１に示されるように、プラズマリアクタ
は、筒状の側壁１０５により囲われている密封された筒
状のチャンバ１００、ディスク型の天井１１０と土台１
１５を備える。ウェーハ架台１２０は、リアクタにより
加工される半導体ウェーハあるいはワークピース１２５
を支えている。ウェーハ架台１２０は、Ｋｅｎｎｅｔｈ
Ｓ． Ｃｏｌｌｉｎｓ他により１９９５年７月２６日
に出願され、本出願人に譲渡された米国特許出願の“電
子的に変化が可能な密度の特性を有するプラズマ源”で
開示されいる通り、静電チャック組立体とすることがで
きる。該開示事項は、本出願に引用により組み込まれて
いる。バイアスＲＦ電力発生装置１３０は、公知の技術
のタイプのインピーダンス整合回路１３５（図中には M
ATCH と表示）を経由して、バイアス電位をウェーハ架
台１２０に掛ける。インピ−ダンス整合回路は、例えば
Ｃｏｌｌｉｎｓ他に与えられた米国特許番号５，３９
２，０１８と５，１８７，４５４で開示されている。架
台１２０の付近のガスの入り口１３７は、ＣxＦxガスの
ような前駆物質ガスのような腐食加工用ガスを受け入れ
る。真空ポンプ１４０(PUMP)は、希望する圧力までチャ
ンバ１００の空気を排出する。絶縁アンテナホルダー１
４７の中の天井１１０の上に支えられているオーバーヘ
ッドの誘導コイルアンテナ１４５は、もう一つの従来の
インピ−ダンス整合回路１５５(MATCH) を経由してプラ
ズマ源ＲＦ電力発生装置１５０に接続されており、また
ＲＦ電力を天井１１０を経由してチャンバに結合してい
る。
は、筒状の側壁１０５により囲われている密封された筒
状のチャンバ１００、ディスク型の天井１１０と土台１
１５を備える。ウェーハ架台１２０は、リアクタにより
加工される半導体ウェーハあるいはワークピース１２５
を支えている。ウェーハ架台１２０は、Ｋｅｎｎｅｔｈ
Ｓ． Ｃｏｌｌｉｎｓ他により１９９５年７月２６日
に出願され、本出願人に譲渡された米国特許出願の“電
子的に変化が可能な密度の特性を有するプラズマ源”で
開示されいる通り、静電チャック組立体とすることがで
きる。該開示事項は、本出願に引用により組み込まれて
いる。バイアスＲＦ電力発生装置１３０は、公知の技術
のタイプのインピーダンス整合回路１３５（図中には M
ATCH と表示）を経由して、バイアス電位をウェーハ架
台１２０に掛ける。インピ−ダンス整合回路は、例えば
Ｃｏｌｌｉｎｓ他に与えられた米国特許番号５，３９
２，０１８と５，１８７，４５４で開示されている。架
台１２０の付近のガスの入り口１３７は、ＣxＦxガスの
ような前駆物質ガスのような腐食加工用ガスを受け入れ
る。真空ポンプ１４０(PUMP)は、希望する圧力までチャ
ンバ１００の空気を排出する。絶縁アンテナホルダー１
４７の中の天井１１０の上に支えられているオーバーヘ
ッドの誘導コイルアンテナ１４５は、もう一つの従来の
インピ−ダンス整合回路１５５(MATCH) を経由してプラ
ズマ源ＲＦ電力発生装置１５０に接続されており、また
ＲＦ電力を天井１１０を経由してチャンバに結合してい
る。
【００２８】ウェーハ１２５の全表面の上のバイアスＲ
Ｆ電力のための均一な地絡帰線を提供するために、また
側壁１０５に向けた電流の流れを最小限度に抑えるため
に、天井１１０は、地絡されている。しかし、この特徴
を実現させるには、天井１１０が次の２つの機能を果た
させる必要がある：（ａ）地絡できる導電体としての役
割を果す、と（ｂ）オーバーヘッドのコイルアンテナか
らのＲＦ誘導磁場が透過できるようにするために非導電
体としての役割を果す。この二重の役割を果すために、
天井１１０はシリコンのような半導体である。シリコン
天井１１０を、チャンバの導電部材から絶縁体１５８に
より絶縁することができる。半導体としてのシリコン天
井１１０は、電極あるいは地絡面としての機能を発揮す
るのに十分な導電特性を有していると思われる。ウェー
ハ１２５により近いプラズマを垂直に閉じ込め、また側
壁１０５に向かう横道のプラズマ電流の流れを最小限度
に抑えるためにオーバーヘッドの均一の地絡面をできる
だけウェーハ１２５の近くに持っていくために、（即
ち、側壁１０５より近くに）、シリコン天井１１０の位
置は、ウェーハの直径より短いウェーハ１２５の距離の
範囲内にし、またウェーハの直径にできるだけ限りなく
近くすることが好ましい（即ち、２０ｃｍの直径のウェ
ーハに対して数センチ以内）。この距離は、好ましくは
幅２−１０ｃｍであるが、２０ｃｍまで長くしたり、ま
た１ｃｍまで短くすることができる。
Ｆ電力のための均一な地絡帰線を提供するために、また
側壁１０５に向けた電流の流れを最小限度に抑えるため
に、天井１１０は、地絡されている。しかし、この特徴
を実現させるには、天井１１０が次の２つの機能を果た
させる必要がある：（ａ）地絡できる導電体としての役
割を果す、と（ｂ）オーバーヘッドのコイルアンテナか
らのＲＦ誘導磁場が透過できるようにするために非導電
体としての役割を果す。この二重の役割を果すために、
天井１１０はシリコンのような半導体である。シリコン
天井１１０を、チャンバの導電部材から絶縁体１５８に
より絶縁することができる。半導体としてのシリコン天
井１１０は、電極あるいは地絡面としての機能を発揮す
るのに十分な導電特性を有していると思われる。ウェー
ハ１２５により近いプラズマを垂直に閉じ込め、また側
壁１０５に向かう横道のプラズマ電流の流れを最小限度
に抑えるためにオーバーヘッドの均一の地絡面をできる
だけウェーハ１２５の近くに持っていくために、（即
ち、側壁１０５より近くに）、シリコン天井１１０の位
置は、ウェーハの直径より短いウェーハ１２５の距離の
範囲内にし、またウェーハの直径にできるだけ限りなく
近くすることが好ましい（即ち、２０ｃｍの直径のウェ
ーハに対して数センチ以内）。この距離は、好ましくは
幅２−１０ｃｍであるが、２０ｃｍまで長くしたり、ま
た１ｃｍまで短くすることができる。
【００２９】天井１１０は、できればシリコンであるこ
とが好ましい半導体材の半導体のウィンドウである。し
かし、シリコンカーバイド、ゲルマニウム、硫化ゲルマ
ニウムあるは燐化イリジウムのようなＩＩＩ−Ｖ化合物
半導体と水銀カドミウムテルル化物のようなＩＩ−ＩＩ
Ｉ−Ｖ化合物半導体のような他の良く知られた半導体材
を使用することもできる。室温で望ましいシリコンウィ
ンドウ電極の抵抗率が与えられた必要不可欠なドーピン
グ（添加）剤の不純度レベルは、Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，Ｐａｇｅ １１３の
Ｇｒｏｖｅのグラフの図４．１４から得ることができ
る。シリコンウィンドウ１１０の温度は、絶縁体として
の役割を果さない以上で、導電体としての役割を果さな
い以下の範囲内で維持されなければならない。必要不可
欠な温度幅は、ｎ型シリコンの中の電子集中と温度との
相関関係を示しているＰｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，のＧｒｏｖｅのグラフの図４．
８から得ることができる。このグラフは、約１００°Ｋ
以下では、シリコンは絶縁体の様に働き始めるのに対し
て、約６００°Ｋ以上では導電体として働くことを示し
ている。従って、シリコン天井１１０の温度を、温度に
対して電荷担体の集中がほとんど一定である範囲内、即
ち１００°Ｋから６００°Ｋの範囲内に維持することが
好ましい。
とが好ましい半導体材の半導体のウィンドウである。し
かし、シリコンカーバイド、ゲルマニウム、硫化ゲルマ
ニウムあるは燐化イリジウムのようなＩＩＩ−Ｖ化合物
半導体と水銀カドミウムテルル化物のようなＩＩ−ＩＩ
Ｉ−Ｖ化合物半導体のような他の良く知られた半導体材
を使用することもできる。室温で望ましいシリコンウィ
ンドウ電極の抵抗率が与えられた必要不可欠なドーピン
グ（添加）剤の不純度レベルは、Ｐｈｙｓｉｃｓ ｏｆ
Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，Ｐａｇｅ １１３の
Ｇｒｏｖｅのグラフの図４．１４から得ることができ
る。シリコンウィンドウ１１０の温度は、絶縁体として
の役割を果さない以上で、導電体としての役割を果さな
い以下の範囲内で維持されなければならない。必要不可
欠な温度幅は、ｎ型シリコンの中の電子集中と温度との
相関関係を示しているＰｈｙｓｉｃｓ ｏｆ Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ，のＧｒｏｖｅのグラフの図４．
８から得ることができる。このグラフは、約１００°Ｋ
以下では、シリコンは絶縁体の様に働き始めるのに対し
て、約６００°Ｋ以上では導電体として働くことを示し
ている。従って、シリコン天井１１０の温度を、温度に
対して電荷担体の集中がほとんど一定である範囲内、即
ち１００°Ｋから６００°Ｋの範囲内に維持することが
好ましい。
【００３０】側壁の回りに巻かれているコイルを有する
従来のタイプのリアクタと比較して、図１のプラズマリ
アクタの利点は、オーバーヘッドのコイルアンテナ１４
５により作られたプラズマ電源のウェーハの全表面を横
断する均等な分布を備える。従って、プラズマイオンの
発生は、ウェーハ表面上で均一の分布される。前記で引
用されている米国特許番号４，９４８，４５８で開示さ
れている絶縁天井の上のオーバーヘッドのコイルアンテ
ナを有するプラズマリアクタの中の横道の電流の流れと
は対照的に、地絡された天井の電極１１０が、側壁１０
５へのプラズマ電流の流れを減らしたり除去するので、
プラズマイオンの均一性は高められる。また、ウェーハ
と天井の間が垂直に接近していることで、ウェーハと、
プラズマイオンが作られる領域との間の距離を縮めてい
るので、再結合のロスを減少させ、またチャンバの圧力
を上げることができる（例えば、５０−２００ ｍＴｏ
ｒｒの幅）。該圧力上昇は、エッチングの選択性のよう
な、一部の加工性能パラメータを高めるために好ましい
ものとすることができる。図１の実施例の中の、チャン
バの側壁に向けた電流の流れの減少（ウェーハ１２５に
隣接して地絡されたシリコン天井１１０により達成され
る）を伴うプラズマイオンの生成の均一性（オーバーヘ
ッドのコイルアンテナ１４５により達成される）は、ウ
ェーハの中心とウェーハの中心の加工（例えばエッチン
グ）の差異を減少させるか、あるは除去するので、加工
ウィンドウを広げる。具体的には、ウェーハの周辺の過
剰エッチングあるいは穴抜けの傾向は減少するが、同時
に小型のサイズのウェーハの中央のエッチング停止の傾
向もまた減少する。また、エッチングの断面を劣ったも
のにする、ウェーハ周辺に近いところのフォトレジスト
マスクの縁を切り子にすることと、また全般的にフォト
レジストを腐食する傾向は、減少するかあるいは除去さ
れる。従って、図１のプラズマリアクタは、殆ど、マイ
クロ（精密）ローディング無しで、ウェーハの前面を横
断して、優れたエッチング断面と優れたエッチング選択
性で、非常に小さなサイズの、進取の気性に富んだエッ
チング性能を発揮することができる。更に、側壁１０５
の参加が殆ど無いので、リアクタの構成部品の消耗と関
連する操業費用が、著しく減少する。従って、本発明
は、技術の革命的な進歩を提供する。
従来のタイプのリアクタと比較して、図１のプラズマリ
アクタの利点は、オーバーヘッドのコイルアンテナ１４
５により作られたプラズマ電源のウェーハの全表面を横
断する均等な分布を備える。従って、プラズマイオンの
発生は、ウェーハ表面上で均一の分布される。前記で引
用されている米国特許番号４，９４８，４５８で開示さ
れている絶縁天井の上のオーバーヘッドのコイルアンテ
ナを有するプラズマリアクタの中の横道の電流の流れと
は対照的に、地絡された天井の電極１１０が、側壁１０
５へのプラズマ電流の流れを減らしたり除去するので、
プラズマイオンの均一性は高められる。また、ウェーハ
と天井の間が垂直に接近していることで、ウェーハと、
プラズマイオンが作られる領域との間の距離を縮めてい
るので、再結合のロスを減少させ、またチャンバの圧力
を上げることができる（例えば、５０−２００ ｍＴｏ
ｒｒの幅）。該圧力上昇は、エッチングの選択性のよう
な、一部の加工性能パラメータを高めるために好ましい
ものとすることができる。図１の実施例の中の、チャン
バの側壁に向けた電流の流れの減少（ウェーハ１２５に
隣接して地絡されたシリコン天井１１０により達成され
る）を伴うプラズマイオンの生成の均一性（オーバーヘ
ッドのコイルアンテナ１４５により達成される）は、ウ
ェーハの中心とウェーハの中心の加工（例えばエッチン
グ）の差異を減少させるか、あるは除去するので、加工
ウィンドウを広げる。具体的には、ウェーハの周辺の過
剰エッチングあるいは穴抜けの傾向は減少するが、同時
に小型のサイズのウェーハの中央のエッチング停止の傾
向もまた減少する。また、エッチングの断面を劣ったも
のにする、ウェーハ周辺に近いところのフォトレジスト
マスクの縁を切り子にすることと、また全般的にフォト
レジストを腐食する傾向は、減少するかあるいは除去さ
れる。従って、図１のプラズマリアクタは、殆ど、マイ
クロ（精密）ローディング無しで、ウェーハの前面を横
断して、優れたエッチング断面と優れたエッチング選択
性で、非常に小さなサイズの、進取の気性に富んだエッ
チング性能を発揮することができる。更に、側壁１０５
の参加が殆ど無いので、リアクタの構成部品の消耗と関
連する操業費用が、著しく減少する。従って、本発明
は、技術の革命的な進歩を提供する。
【００３１】しかし、解決しないと、図１のリアクタが
役に立たなくなる可能性がある、幾つかの潜在的な問題
がある。先ず第一に、シリコン天井１１０が、オーバー
ヘッドコイルアンテナ１４５のＲＦ磁場がチャンバ１０
０に到達することを常に遮るかどうかという問題があ
る。例えば、シリコンの天井１１０のＲＦ誘導磁場に対
するインピーダンスは、該天井を通過して伝達するのに
大きすぎる可能性がある。これは、シリコン天井１１０
の中のドーピングの不純度の濃縮、あるいはシリコン天
井１１０の温度に影響されることがある。あるいは、そ
の代わりに、シリコン天井１１０を通したＲＦ誘導磁場
の外皮の厚みが、天井の厚みを超えないことがあり、該
天井を通過する伝送を妨げる。また、チャンバ１００の
中のプラズマを通じたＲＦ誘導磁場外皮の厚みは、チャ
ンバの高さより大きいことがあるので（即ち、ウェーハ
の頂上の電極の間隙）、ＲＦ電力は、効果的にプラズマ
と結合しない可能性がある。もう一つの問題は、天井１
１０とウェーハ１２５との接近が、天井１１０の近くに
あるプラズマ被覆を、下に横たわるウェーハ１２５に近
いプラズマ被覆から分離するのに不十分である可能性が
あるので、それにより、頂上から底へプラズマを短絡す
る可能性があるということである。また、天井１１０の
シリコン材の、バイアスＲＦ電力発生装置１３０のＲＦ
帰線への挿入は、大きなＲＦ電力のロスを引き起こす可
能性がある。最後の問題は、必要以上のロスあるいは減
衰無しでＲＦ誘導磁場が結合できる範囲内の半導体ウィ
ンドウに対して適当かあるいは実行可能な抵抗率の幅が
存在しない可能性がある。これ等の問題は、下記の分析
の中で解決されるか、あるいは処理される。
役に立たなくなる可能性がある、幾つかの潜在的な問題
がある。先ず第一に、シリコン天井１１０が、オーバー
ヘッドコイルアンテナ１４５のＲＦ磁場がチャンバ１０
０に到達することを常に遮るかどうかという問題があ
る。例えば、シリコンの天井１１０のＲＦ誘導磁場に対
するインピーダンスは、該天井を通過して伝達するのに
大きすぎる可能性がある。これは、シリコン天井１１０
の中のドーピングの不純度の濃縮、あるいはシリコン天
井１１０の温度に影響されることがある。あるいは、そ
の代わりに、シリコン天井１１０を通したＲＦ誘導磁場
の外皮の厚みが、天井の厚みを超えないことがあり、該
天井を通過する伝送を妨げる。また、チャンバ１００の
中のプラズマを通じたＲＦ誘導磁場外皮の厚みは、チャ
ンバの高さより大きいことがあるので（即ち、ウェーハ
の頂上の電極の間隙）、ＲＦ電力は、効果的にプラズマ
と結合しない可能性がある。もう一つの問題は、天井１
１０とウェーハ１２５との接近が、天井１１０の近くに
あるプラズマ被覆を、下に横たわるウェーハ１２５に近
いプラズマ被覆から分離するのに不十分である可能性が
あるので、それにより、頂上から底へプラズマを短絡す
る可能性があるということである。また、天井１１０の
シリコン材の、バイアスＲＦ電力発生装置１３０のＲＦ
帰線への挿入は、大きなＲＦ電力のロスを引き起こす可
能性がある。最後の問題は、必要以上のロスあるいは減
衰無しでＲＦ誘導磁場が結合できる範囲内の半導体ウィ
ンドウに対して適当かあるいは実行可能な抵抗率の幅が
存在しない可能性がある。これ等の問題は、下記の分析
の中で解決されるか、あるいは処理される。
【００３２】「プラズマを通す誘導磁場の外皮の深さ
は、十分に短いので、電力は効果的にプラズマの中に吸
収される：」オーバーヘッドコイルアンテナ１４５から
のＲＦ磁場の外皮の深さは、天井からウェーハまでの高
さより短い（例えば、約ウェーハの直径かそれより短
い）ので、コイルアンテナ１５４からの電力はプラズマ
に効果的に誘導結合している。これは、二つの場合で示
すことができる、即ち、プラズマ源ＲＦの角周波数が、
プラズマの運動量移動弾性衝突周波数より非常に小さい
衝突外皮の深さ、とまたプラズマ源ＲＦ角周波数が、プ
ラズマの運動量移動弾性衝突周波数より非常に大きい衝
突無しの外皮の深さである。
は、十分に短いので、電力は効果的にプラズマの中に吸
収される：」オーバーヘッドコイルアンテナ１４５から
のＲＦ磁場の外皮の深さは、天井からウェーハまでの高
さより短い（例えば、約ウェーハの直径かそれより短
い）ので、コイルアンテナ１５４からの電力はプラズマ
に効果的に誘導結合している。これは、二つの場合で示
すことができる、即ち、プラズマ源ＲＦの角周波数が、
プラズマの運動量移動弾性衝突周波数より非常に小さい
衝突外皮の深さ、とまたプラズマ源ＲＦ角周波数が、プ
ラズマの運動量移動弾性衝突周波数より非常に大きい衝
突無しの外皮の深さである。
【００３３】プラズマを経由するＲＦ誘導磁場の衝突外
皮の厚みδcは次のように計算される （１）δc＝（２γm／ω）1/2ｃ［（ｅ2ｎe）／（ε0ｍ
e）］-1/2である。
皮の厚みδcは次のように計算される （１）δc＝（２γm／ω）1/2ｃ［（ｅ2ｎe）／（ε0ｍ
e）］-1/2である。
【００３４】ここで、γｍ＝１．４１０7ｓｅｃ-1は、
アルゴンプラズマに対して、温度が３００°Ｋで、チャ
ンバの圧力が５ｍＴｏｒｒにおける電子−中性運動量移
転衝突周波数、ω＝１２．５７x１０6radian/sec.は、
コイルアンテナに掛かる誘導磁場ＲＦ源の角周波数、ｃ
＝３ｘ１０8m/sec.は光速、ｅ＝１．６０２２ｘ１０-19
coulombは電荷、ｎe＝５ｘ１０17m-3は掛かる電子密
度、ε0＝８．８５ｘ１０-12farad/mは自由空間の電気
的誘電率 ｍe＝９．１０９５ｘ１０-31ｋｇは電子の質量である。
アルゴンプラズマに対して、温度が３００°Ｋで、チャ
ンバの圧力が５ｍＴｏｒｒにおける電子−中性運動量移
転衝突周波数、ω＝１２．５７x１０6radian/sec.は、
コイルアンテナに掛かる誘導磁場ＲＦ源の角周波数、ｃ
＝３ｘ１０8m/sec.は光速、ｅ＝１．６０２２ｘ１０-19
coulombは電荷、ｎe＝５ｘ１０17m-3は掛かる電子密
度、ε0＝８．８５ｘ１０-12farad/mは自由空間の電気
的誘電率 ｍe＝９．１０９５ｘ１０-31ｋｇは電子の質量である。
【００３５】これらの値を方程式１に代入すれば、衝突
表皮の深さ： （２）δc＝１．１ｃｍが得られる。
表皮の深さ： （２）δc＝１．１ｃｍが得られる。
【００３６】プラズマを経由するＲＦ誘導磁場の衝突無
しの表皮の厚みδpは次のように計算される： （３）δp ＝ｃ［（ｅ2ｎe）／（ε0ｍe）］-1/2 これらの値を方程式３に代入すれば、衝突無しの表皮の
深さとして： （４）δp ＝ ０．８ｃｍが得られる。
しの表皮の厚みδpは次のように計算される： （３）δp ＝ｃ［（ｅ2ｎe）／（ε0ｍe）］-1/2 これらの値を方程式３に代入すれば、衝突無しの表皮の
深さとして： （４）δp ＝ ０．８ｃｍが得られる。
【００３７】従って、何れの場合も、ＲＦ誘導磁場の表
皮の深さは、著しくウェーハから天井の高さより少ない
ので、ＲＦ源電力は有効にプラズマにより吸収される。
皮の深さは、著しくウェーハから天井の高さより少ない
ので、ＲＦ源電力は有効にプラズマにより吸収される。
【００３８】「シリコンの天井を通した誘導磁場の表皮
の深さは、天井の厚みよりより大きいので、天井を通し
て延長することができる。」コイルアンテナ１４５のＲ
Ｆ誘導磁場は、シリコンの天井の一インチ（２．５４ｃ
ｍ）の厚みを大きく越して伸びている表皮の深さをを有
している。従って、ＲＦ誘導磁場は、抵抗率のロスが十
分に少ないことを条件として、シリコンの天井１１０を
十分に深く突き通している。これは、有限平面シリコン
の厚板上の均一の平面波入射の表皮の深さδを計算する
ことで、かなり近いところまで見積ることができる： δ＝［π ｆ σ μ]-1/2 ここで、ｆ＝２ＭＨｚがコイルアンテナ１４５に接続さ
れたＲＦの電源１３０の周波数 μ＝４πｘ１０-7ヘンリー／メートルは、シリコン厚板
の透磁率である。
の深さは、天井の厚みよりより大きいので、天井を通し
て延長することができる。」コイルアンテナ１４５のＲ
Ｆ誘導磁場は、シリコンの天井の一インチ（２．５４ｃ
ｍ）の厚みを大きく越して伸びている表皮の深さをを有
している。従って、ＲＦ誘導磁場は、抵抗率のロスが十
分に少ないことを条件として、シリコンの天井１１０を
十分に深く突き通している。これは、有限平面シリコン
の厚板上の均一の平面波入射の表皮の深さδを計算する
ことで、かなり近いところまで見積ることができる： δ＝［π ｆ σ μ]-1/2 ここで、ｆ＝２ＭＨｚがコイルアンテナ１４５に接続さ
れたＲＦの電源１３０の周波数 μ＝４πｘ１０-7ヘンリー／メートルは、シリコン厚板
の透磁率である。
【００３９】σ＝３．３３Ω-1メートル-1は３０Ω−ｃ
ｍ抵抗率シリコン厚板のコンダクタンスである 前記数値を方程式δに置き換えると： δ＝０．１９５ ｍとなるので、表皮の深さはシリコン
の天井１１０の約八倍であり、従って、ＲＦ誘導磁場
は、シリコンの天井１１０が高いインピーダンスをＲＦ
誘導磁場に与えないことを条件として、十分にチャンバ
１０に達する浸透する深さを有している。
ｍ抵抗率シリコン厚板のコンダクタンスである 前記数値を方程式δに置き換えると： δ＝０．１９５ ｍとなるので、表皮の深さはシリコン
の天井１１０の約八倍であり、従って、ＲＦ誘導磁場
は、シリコンの天井１１０が高いインピーダンスをＲＦ
誘導磁場に与えないことを条件として、十分にチャンバ
１０に達する浸透する深さを有している。
【００４０】「シリコンの天井は、低いインピーダンス
をＲＦ誘導磁場に与える。」室温で直径１３．５インチ
厚さ１インチにおいて測定した３０Ω抵抗率のディスク
型のシリコン厚板を備えるシリコンの天井１１０の一つ
の実施例を通してのＲＦ誘導磁場の伝送は、室温で、誘
導コイルを厚板の反対側に置いて、コイルを厚板のもう
一つの側を多チャンネル分析装置に接続してから、ＲＦ
源の周波数の１ｋＨｚから１０ＭＨｚの間で掃引して、
試験された。多チャンネル分析装置の出力結果は、図２
に示されている。“振幅”と標識されたカーブに対し
て、縦軸は受信と送信信号の振幅率の比であり、目盛り
の頂上の単位元から伸びて、０．１の単位無し増加で無
くなる一方で、横軸は周波数であり、左の１ＫＨｚから
伸び右の１０ＭＨｚまでである。“位相”と標識されて
いるカーブに対して、縦軸は受信と送信信号の位相の角
度の差であり、目盛りの頂上の２０°から伸び、２０°
の増加で終る。図２のグラフは、シリコンの厚板を通し
て実質的にＲＦ電力のロスが無く、また２ＭＨｚ以上で
はロスが比較的小さいいことを示している。
をＲＦ誘導磁場に与える。」室温で直径１３．５インチ
厚さ１インチにおいて測定した３０Ω抵抗率のディスク
型のシリコン厚板を備えるシリコンの天井１１０の一つ
の実施例を通してのＲＦ誘導磁場の伝送は、室温で、誘
導コイルを厚板の反対側に置いて、コイルを厚板のもう
一つの側を多チャンネル分析装置に接続してから、ＲＦ
源の周波数の１ｋＨｚから１０ＭＨｚの間で掃引して、
試験された。多チャンネル分析装置の出力結果は、図２
に示されている。“振幅”と標識されたカーブに対し
て、縦軸は受信と送信信号の振幅率の比であり、目盛り
の頂上の単位元から伸びて、０．１の単位無し増加で無
くなる一方で、横軸は周波数であり、左の１ＫＨｚから
伸び右の１０ＭＨｚまでである。“位相”と標識されて
いるカーブに対して、縦軸は受信と送信信号の位相の角
度の差であり、目盛りの頂上の２０°から伸び、２０°
の増加で終る。図２のグラフは、シリコンの厚板を通し
て実質的にＲＦ電力のロスが無く、また２ＭＨｚ以上で
はロスが比較的小さいいことを示している。
【００４１】図２が、円盤状のシリコンの厚板で得られ
た結果を示している一方で、図３は、１２．３インチの
外径と、厚み１ｃｍを有する筒状シリコン厚板で、室温
で、得られた結果を示している。ＲＦ電力をシリコンの
厚板で囲まれた内部の容積に送信するために、５回巻の
送信コイルは筒状の厚板の外側に巻かれた。
た結果を示している一方で、図３は、１２．３インチの
外径と、厚み１ｃｍを有する筒状シリコン厚板で、室温
で、得られた結果を示している。ＲＦ電力をシリコンの
厚板で囲まれた内部の容積に送信するために、５回巻の
送信コイルは筒状の厚板の外側に巻かれた。
【００４２】計測は、２．３インチの外径と、３インチ
の長さを有する８回巻受信コイルから内部の容積の中心
で行われた。“振幅”と標識されたカーブに対して、縦
軸は受信と送信信号の振幅率の比であり、目盛りの頂上
の単位元から伸びて、０．１の単位無し増加でほとんど
無くなる一方で、横軸は周波数であり、左の１ＫＨｚか
ら伸び右の１０ＭＨｚまでである。“位相”と標識され
ているカーブに対して、縦軸は受信と送信信号の位相の
角度の差であり、目盛りの頂上の２０°から伸び、２０
°の増加で終る。図２のグラフは、２ＭＨｚまで、シリ
コンの厚板を通して実質的にＲＦ電力のロスが無いこと
を明らかに示している。従って、シリコンの天井１１０
は、ＲＦ誘導磁場に対して殆ど透明である。
の長さを有する８回巻受信コイルから内部の容積の中心
で行われた。“振幅”と標識されたカーブに対して、縦
軸は受信と送信信号の振幅率の比であり、目盛りの頂上
の単位元から伸びて、０．１の単位無し増加でほとんど
無くなる一方で、横軸は周波数であり、左の１ＫＨｚか
ら伸び右の１０ＭＨｚまでである。“位相”と標識され
ているカーブに対して、縦軸は受信と送信信号の位相の
角度の差であり、目盛りの頂上の２０°から伸び、２０
°の増加で終る。図２のグラフは、２ＭＨｚまで、シリ
コンの厚板を通して実質的にＲＦ電力のロスが無いこと
を明らかに示している。従って、シリコンの天井１１０
は、ＲＦ誘導磁場に対して殆ど透明である。
【００４３】「シリコンの天井は、広い温度範囲で、低
いインピーダンスをＲＦ誘導磁場に与える。」図２と３
に関する前記で説明された試験は、２００°と２５０°
で繰り返されたが、重合化とフッ素除去工程を希望通り
調整するためにシリコンの天井１１０の温度を広い範囲
で変化させることができることを立証して、同じ結果が
得られた。しかし、３００°よりかなり上では、シリコ
ンの天井１１０は元通りとなり、従って、チャンバ１０
０へ到達するべきオーバーヘッドコイルアンテナ１４５
のＲＦ誘導磁場を切り放す。高い抵抗率のシリコン（例
えば、室温で３０Ω−ｃｍ）を天井１１０に使用するこ
とが好ましい。そうでない場合は、例えば、天井１１０
の中の０．０１−ｃｍΩ抵抗率のシリコンでは、シリコ
ンの天井を通じて結合するために、ＲＦ誘導磁場の周波
数をＫＨｚの幅あるいはそれ以下に落とす必要がある。
もう一つの選択肢は、天井の厚みを薄くすることであ
る。
いインピーダンスをＲＦ誘導磁場に与える。」図２と３
に関する前記で説明された試験は、２００°と２５０°
で繰り返されたが、重合化とフッ素除去工程を希望通り
調整するためにシリコンの天井１１０の温度を広い範囲
で変化させることができることを立証して、同じ結果が
得られた。しかし、３００°よりかなり上では、シリコ
ンの天井１１０は元通りとなり、従って、チャンバ１０
０へ到達するべきオーバーヘッドコイルアンテナ１４５
のＲＦ誘導磁場を切り放す。高い抵抗率のシリコン（例
えば、室温で３０Ω−ｃｍ）を天井１１０に使用するこ
とが好ましい。そうでない場合は、例えば、天井１１０
の中の０．０１−ｃｍΩ抵抗率のシリコンでは、シリコ
ンの天井を通じて結合するために、ＲＦ誘導磁場の周波
数をＫＨｚの幅あるいはそれ以下に落とす必要がある。
もう一つの選択肢は、天井の厚みを薄くすることであ
る。
【００４４】「シリコンの天井は、バイアスＲＦ電源の
帰線の中で事実上ロスを増やさない。」シリコンの天井
１１０の挿入で起こる、バイアス電力発生装置１３０に
対するＲＦの帰線の中のＲＦ電力のロスが低いことは、
表皮の深さが厚板の厚みより非常に大きいと仮定し、ま
たシリコンの厚板の裏に完全な導電体地絡面の存在を仮
定して、シリコン厚板の、厚板の平面に対して正常な電
流フラックスに対する抵抗を計算することで分かる。こ
の抵抗は、ウェーハ架台１２０に於ける計測された駆動
点のＲＦのインピーダンスより非常に少なく示されるの
で、シリコンの天井の挿入は、全般のバイアスＲＦ電力
のロスの僅かな増大しか引き起こさない。
帰線の中で事実上ロスを増やさない。」シリコンの天井
１１０の挿入で起こる、バイアス電力発生装置１３０に
対するＲＦの帰線の中のＲＦ電力のロスが低いことは、
表皮の深さが厚板の厚みより非常に大きいと仮定し、ま
たシリコンの厚板の裏に完全な導電体地絡面の存在を仮
定して、シリコン厚板の、厚板の平面に対して正常な電
流フラックスに対する抵抗を計算することで分かる。こ
の抵抗は、ウェーハ架台１２０に於ける計測された駆動
点のＲＦのインピーダンスより非常に少なく示されるの
で、シリコンの天井の挿入は、全般のバイアスＲＦ電力
のロスの僅かな増大しか引き起こさない。
【００４５】表面に対して正常な電流フラックスに対す
るシリコン厚板の抵抗Ｒslab は次のように計算され
る： ｔ＝０．０２５４ｍは、厚板の厚み ｄ＝０．３１８ｍは、厚板の電流フラックスに曝される
有効直径 Γ＝０．３０Ω−ｍは、室温での、３０Ω−ｃｍの抵抗
率のシリコンとして： Ｒslab＝Γｔ（ｄ／２）-2／π 前記数値をＲslabに対する方程式に置き換えると：結果
としての厚板の抵抗は：Ｒslab＝０．０９６Ωである。
るシリコン厚板の抵抗Ｒslab は次のように計算され
る： ｔ＝０．０２５４ｍは、厚板の厚み ｄ＝０．３１８ｍは、厚板の電流フラックスに曝される
有効直径 Γ＝０．３０Ω−ｍは、室温での、３０Ω−ｃｍの抵抗
率のシリコンとして： Ｒslab＝Γｔ（ｄ／２）-2／π 前記数値をＲslabに対する方程式に置き換えると：結果
としての厚板の抵抗は：Ｒslab＝０．０９６Ωである。
【００４６】ウェーハ架台１２０に於ける駆動点のイン
ピーダンスＺは、図１で示されているタイプの一般的な
並列電極プラズマリアクタで、３８．７Ωとして、５
０．１°の角度で、計測された（コイルアンテナからの
２．０ＭＨｚのプラズマ電力源ＲＦ誘導磁場と架台に掛
けられた１．８ＭＨｚのＲＦで）。この駆動点の実際の
部分のインピーダンスは：Ｒｅ（Ｚ）＝３８．７Ωｃｏ
ｓ（５０．１°（１８０／π）） ２４Ωである。
ピーダンスＺは、図１で示されているタイプの一般的な
並列電極プラズマリアクタで、３８．７Ωとして、５
０．１°の角度で、計測された（コイルアンテナからの
２．０ＭＨｚのプラズマ電力源ＲＦ誘導磁場と架台に掛
けられた１．８ＭＨｚのＲＦで）。この駆動点の実際の
部分のインピーダンスは：Ｒｅ（Ｚ）＝３８．７Ωｃｏ
ｓ（５０．１°（１８０／π）） ２４Ωである。
【００４７】シリコンの天井を挿入することによるＲＦ
の電力ロスの僅かな増加は：Ｒslab／Ｒｅ（ｚ）＝０．
０９６／２４＝０．０００４であり非常に僅かである。
従って、シリコンの厚板のＲＦバイアス電力発生装置１
３０のＲＦ帰線挿入は、殆ど問題にならない僅かな抵抗
値を追加するのに過ぎない。
の電力ロスの僅かな増加は：Ｒslab／Ｒｅ（ｚ）＝０．
０９６／２４＝０．０００４であり非常に僅かである。
従って、シリコンの厚板のＲＦバイアス電力発生装置１
３０のＲＦ帰線挿入は、殆ど問題にならない僅かな抵抗
値を追加するのに過ぎない。
【００４８】「プラズマＤＣ被覆の厚みは天井とウェー
ハの間の短絡を防ぐのに十分に短くなっている」プラズ
マの縁に被覆があり、該被覆を横断して、プラズマイオ
ンの密度は、プラズマイオン密度値からゼロに降下す
る。ウェーハの表面の被覆が、チャンバの天井の被覆と
合っている場合は、チャンバの中にプラズマは無い。高
圧プラズマＤＣ被覆の厚み、ｓは、次のように計算され
る： ｓ＝（２1/2／３）［（ε0Ｔe）／（ｅｎe）］1/2（２
Ｖ0／Ｔe）3/4 ここで、ε0＝８．８５ｘ１０-14ファラッド／ｃｍは、
自由空間の誘電率である。
ハの間の短絡を防ぐのに十分に短くなっている」プラズ
マの縁に被覆があり、該被覆を横断して、プラズマイオ
ンの密度は、プラズマイオン密度値からゼロに降下す
る。ウェーハの表面の被覆が、チャンバの天井の被覆と
合っている場合は、チャンバの中にプラズマは無い。高
圧プラズマＤＣ被覆の厚み、ｓは、次のように計算され
る： ｓ＝（２1/2／３）［（ε0Ｔe）／（ｅｎe）］1/2（２
Ｖ0／Ｔe）3/4 ここで、ε0＝８．８５ｘ１０-14ファラッド／ｃｍは、
自由空間の誘電率である。
【００４９】Ｔe＝５ｅＶは、マックスウェル分布を仮
定した平均電子温度である。
定した平均電子温度である。
【００５０】ｅ＝１．６０２２ｘ１０-19クーロンは電
荷である。
荷である。
【００５１】ｎe＝５ｘ１０11ｃｍ-3は、被覆に隣接す
るバルクプラズマの中の平均電子密度である。
るバルクプラズマの中の平均電子密度である。
【００５２】Ｖ0＝３００ボルトはプラズマ被覆を横断
するＤＣ電圧である。
するＤＣ電圧である。
【００５３】これらの値をＲslabに対する方程式に代入
すると：ｓ＝０．０４ｃｍとなり、プラズマ被覆の厚み
がウェーハから天井の距離の僅かな画分のみとなり、従
って、天井と底の被覆が交差する危険は無い。
すると：ｓ＝０．０４ｃｍとなり、プラズマ被覆の厚み
がウェーハから天井の距離の僅かな画分のみとなり、従
って、天井と底の被覆が交差する危険は無い。
【００５４】「低い減衰ロスでＲＦ電力を結合する半導
体ウィンドウ電極に対する抵抗率の数値の幅は広い」低
い減衰ロスでＲＦ誘導磁場を結合するか透過させる半導
体のウィンドウの抵抗率の数値の範囲を確定するため
に、ウィンドウの厚みを選定しなければならず、ＲＦ誘
導磁場の周波数と、またウィンドウの厚みに対するＲＦ
の表皮の厚みの最小比率ｒを指定しなければならない。
第一の例の中で、ウィンドウの厚みＴは、０．０２５４
メートル、ＲＦｆは２１０6ｓ-1とウィンドウの厚みに
対するＲＦの表皮の厚み最小比率ｒは５である。この第
１の例に対して、半導体のウィンドウに対する最小抵抗
率Γminの方程式は：μ＝４π１０-7ヘンリー／メート
ルが半導体のウィンドウの透磁率、Ｓ＝ ｒＴが半導体
のウィンドウの中のＲＦ誘導磁場の表皮の厚み、と仮定
して： Γmin ＝ Ｓ2πｆμ 上記の与えられた数字を方程式に代入し、一番目の例に
対する最小抵抗率は：Γmin ＝ １２．７３５Ω−ｃ
ｍである。
体ウィンドウ電極に対する抵抗率の数値の幅は広い」低
い減衰ロスでＲＦ誘導磁場を結合するか透過させる半導
体のウィンドウの抵抗率の数値の範囲を確定するため
に、ウィンドウの厚みを選定しなければならず、ＲＦ誘
導磁場の周波数と、またウィンドウの厚みに対するＲＦ
の表皮の厚みの最小比率ｒを指定しなければならない。
第一の例の中で、ウィンドウの厚みＴは、０．０２５４
メートル、ＲＦｆは２１０6ｓ-1とウィンドウの厚みに
対するＲＦの表皮の厚み最小比率ｒは５である。この第
１の例に対して、半導体のウィンドウに対する最小抵抗
率Γminの方程式は：μ＝４π１０-7ヘンリー／メート
ルが半導体のウィンドウの透磁率、Ｓ＝ ｒＴが半導体
のウィンドウの中のＲＦ誘導磁場の表皮の厚み、と仮定
して： Γmin ＝ Ｓ2πｆμ 上記の与えられた数字を方程式に代入し、一番目の例に
対する最小抵抗率は：Γmin ＝ １２．７３５Ω−ｃ
ｍである。
【００５５】次に、第一の例に対する最大抵抗率が計算
されなければならない。次の分析を目的として、半導体
のウィンドウの後ろにＲＦ誘導磁場を伝達する地絡面が
あると仮定する。ＲＦバイアスプラズマ負荷インピーダ
ンスの実際の部分が画定されなければならず、容認でき
るロスＬとまた半導体のウィンドウの有効プラズマの相
互作用の直径ｄが画定されなければならない。この第一
の例の中では、ＲＦバイアスプラズマインピーダンスの
実際の部分Ｒは： Ｒ＝２５Ω、 許容できるロス（１００％＝１と標準化して）は： Ｌ ＝ ０．０１、 半導体のウィンドウの有効プラズマの相互作用の直径
は：ｄ ＝ ０．３１８、これから計算される有効プラ
ズマの相互作用の面積ＡはＡ＝π（ｄ／２）-2である。
されなければならない。次の分析を目的として、半導体
のウィンドウの後ろにＲＦ誘導磁場を伝達する地絡面が
あると仮定する。ＲＦバイアスプラズマ負荷インピーダ
ンスの実際の部分が画定されなければならず、容認でき
るロスＬとまた半導体のウィンドウの有効プラズマの相
互作用の直径ｄが画定されなければならない。この第一
の例の中では、ＲＦバイアスプラズマインピーダンスの
実際の部分Ｒは： Ｒ＝２５Ω、 許容できるロス（１００％＝１と標準化して）は： Ｌ ＝ ０．０１、 半導体のウィンドウの有効プラズマの相互作用の直径
は：ｄ ＝ ０．３１８、これから計算される有効プラ
ズマの相互作用の面積ＡはＡ＝π（ｄ／２）-2である。
【００５６】最大抵抗率Γmaxは次の方程式で与えられ
る： Γmax ＝Ｌ・Ｒ・Ａ／Ｔ 与えられた前記数値をこの方程式に置き換えた結果は：
Γmax ＝７８．１７２Ω−ｃｍである。
る： Γmax ＝Ｌ・Ｒ・Ａ／Ｔ 与えられた前記数値をこの方程式に置き換えた結果は：
Γmax ＝７８．１７２Ω−ｃｍである。
【００５７】従って、この一番目の例の中で、半導体の
抵抗率は、１２．７３５Ω−ｃｍと７８．１７２Ω−ｃ
ｍの間のどこかに位置するだろう。
抵抗率は、１２．７３５Ω−ｃｍと７８．１７２Ω−ｃ
ｍの間のどこかに位置するだろう。
【００５８】第２の例の中で、半導体のウィンドウの厚
みは、Ｔ＝０．００２５４メートルになるように係数１
０で減少される。この場合、Γminは、０．１２７Ω−
ｃｍに減少される一方で、Γmaxは７８１．７１９Ω−
ｃｍに増大する。
みは、Ｔ＝０．００２５４メートルになるように係数１
０で減少される。この場合、Γminは、０．１２７Ω−
ｃｍに減少される一方で、Γmaxは７８１．７１９Ω−
ｃｍに増大する。
【００５９】第３の例の中で、ＲＦ誘導磁場の周波数が
１００ ｋＨｚ（ｆ＝０．１１０6ｓ1）に減少されるこ
とを除いて、第２の例のパラメータが繰り返される。こ
の場合、Γminは、０．００６Ω−ｃｍに減少される一
方で、Γmaxは、７８１．７１９Ω−ｃｍに於て不変で
ある（二番目の例から）。
１００ ｋＨｚ（ｆ＝０．１１０6ｓ1）に減少されるこ
とを除いて、第２の例のパラメータが繰り返される。こ
の場合、Γminは、０．００６Ω−ｃｍに減少される一
方で、Γmaxは、７８１．７１９Ω−ｃｍに於て不変で
ある（二番目の例から）。
【００６０】第４の例の中で、ＲＦ誘導磁場の周波数が
１０ＭＨｚ（ｆ＝１０１０6ｓ1）に増やされることを除
いて、第一の例のパラメータが採用される。この場合、
Γmi nは、６３．６７５Ω−ｃｍに増やされる一方で、
Γmaxは７８．１７２Ω−ｃｍに減らされるので、他の
例と比較して、幅はやや狭くなる。
１０ＭＨｚ（ｆ＝１０１０6ｓ1）に増やされることを除
いて、第一の例のパラメータが採用される。この場合、
Γmi nは、６３．６７５Ω−ｃｍに増やされる一方で、
Γmaxは７８．１７２Ω−ｃｍに減らされるので、他の
例と比較して、幅はやや狭くなる。
【００６１】従って、抵抗率の利用できる幅は広い。半
導体のウィンドウが２．５４ｃｍの厚みのシリコンの厚
板であり、またＲＦ誘導磁場が２ＭＨｚである場合は、
好ましい抵抗率は３０Ω−ｃｍである。
導体のウィンドウが２．５４ｃｍの厚みのシリコンの厚
板であり、またＲＦ誘導磁場が２ＭＨｚである場合は、
好ましい抵抗率は３０Ω−ｃｍである。
【００６２】好ましい実施例の図１の中で、シリコンの
天井１１０が地絡されている一方で、図４の実施例の中
では、ＲＦ発生装置１３０の電力は分割装置１６０(POW
ER SPLITTER)により架台１２０とシリコンの天井１１０
に分割されている。地絡帰線を設けるために、側壁１０
５を導電体とすることができる。図５の中で、シリコン
の天井１１０は、従来のインピーダンス整合回路１７０
(MATCH)を経由して、架台１２０から独立してＲＦ電力
発生装置１６５により駆動される。図１の実施例が、単
独のコイルを誘導アンテナ１４５として使用している一
方で、図６の実施例の中では、誘導アンテナ１４５は、
独立して駆動されるコイル複数（この場合２本）、即
ち、ウェーハの中央に上から重なっている内側のコイル
１７５とウェーハの周辺に上から重なっている外側のコ
イル１８０を備える。図６の実行の中で、内側と外側の
コイル１７５と１８０は、別個のプラズマ源発生装置１
８５と１９０によりに駆動される平面同心コイルであ
る。その利点は、チャンバ１００の半径に沿ったプラズ
マの変化が、２個の発生装置１８５と１９０からの異な
る電力レベルを選択することで補正されることである。
図６の実施例のプロトタイプの中で、内側と外側のコイ
ルは各々９回巻を備える。固定されたインピーダンスの
整合は、入力と帰線端に各々接続された内側のコイル１
７５と外側のコイル１８０の並列と直列のキャパシタ２
０５と２１０の、入力と帰線端に各々接続されている並
列と直列のキャパシタ１９５と２００を使用して実現さ
れた。実用の例の中で、プラズマ源ＲＦ電力発生装置１
５５は、２．０ＭＨｚで２６００ワットを生成し、バイ
アスＲＦ電力発生装置１３０は、１．８ＭＨｚで１６０
０ワットを生成し、Ｃ2Ｆ6ガスは、チャンバ１００の中
に、流量３０ ｓｃｃｍで、１００ｃｃのアルゴンと共
にポンプで送り込まれた。チャンバの圧力は、６．５ｍ
Ｔｏｒｒに維持され、またシリコンの天井１１０の温度
は摂氏２００°に維持された。これ等の条件の下で、内
側のコイル１７５の並列と直列のキャパシタ１９５と２
００は、８．１９６９９ナノファラッドのキャパシタン
スと２．１２６３１ナノファラッドのキャパシタンス
を、各々有した一方で、外側のコイル１８０の並列と直
列キャパシタ２０５と２１０は、４．４５５７２ナノフ
ァラッドのキャパシタンスと１．０９０８５ナノファラ
ッドのキャパシタンスを、各々有した。内側と外側のコ
イル１７５と１８５の一つを短絡させることで、他方の
入力インピーダンスを計測することができた。事実、前
記キャパシタンスが選択されて、内側のコイル１７５の
複合インピーダンスは、−１２°の複合平面角度で、５
１Ωと測定され、また外側のコイル１８０の複合インピ
ーダンスは、−１２°の複合平面角度で、５１．８Ωと
測定された。従って、これ等のインピーダンスは、ＲＦ
発生装置１８５と１９０のほぼ標準の５０Ωの出力に整
合した。
天井１１０が地絡されている一方で、図４の実施例の中
では、ＲＦ発生装置１３０の電力は分割装置１６０(POW
ER SPLITTER)により架台１２０とシリコンの天井１１０
に分割されている。地絡帰線を設けるために、側壁１０
５を導電体とすることができる。図５の中で、シリコン
の天井１１０は、従来のインピーダンス整合回路１７０
(MATCH)を経由して、架台１２０から独立してＲＦ電力
発生装置１６５により駆動される。図１の実施例が、単
独のコイルを誘導アンテナ１４５として使用している一
方で、図６の実施例の中では、誘導アンテナ１４５は、
独立して駆動されるコイル複数（この場合２本）、即
ち、ウェーハの中央に上から重なっている内側のコイル
１７５とウェーハの周辺に上から重なっている外側のコ
イル１８０を備える。図６の実行の中で、内側と外側の
コイル１７５と１８０は、別個のプラズマ源発生装置１
８５と１９０によりに駆動される平面同心コイルであ
る。その利点は、チャンバ１００の半径に沿ったプラズ
マの変化が、２個の発生装置１８５と１９０からの異な
る電力レベルを選択することで補正されることである。
図６の実施例のプロトタイプの中で、内側と外側のコイ
ルは各々９回巻を備える。固定されたインピーダンスの
整合は、入力と帰線端に各々接続された内側のコイル１
７５と外側のコイル１８０の並列と直列のキャパシタ２
０５と２１０の、入力と帰線端に各々接続されている並
列と直列のキャパシタ１９５と２００を使用して実現さ
れた。実用の例の中で、プラズマ源ＲＦ電力発生装置１
５５は、２．０ＭＨｚで２６００ワットを生成し、バイ
アスＲＦ電力発生装置１３０は、１．８ＭＨｚで１６０
０ワットを生成し、Ｃ2Ｆ6ガスは、チャンバ１００の中
に、流量３０ ｓｃｃｍで、１００ｃｃのアルゴンと共
にポンプで送り込まれた。チャンバの圧力は、６．５ｍ
Ｔｏｒｒに維持され、またシリコンの天井１１０の温度
は摂氏２００°に維持された。これ等の条件の下で、内
側のコイル１７５の並列と直列のキャパシタ１９５と２
００は、８．１９６９９ナノファラッドのキャパシタン
スと２．１２６３１ナノファラッドのキャパシタンス
を、各々有した一方で、外側のコイル１８０の並列と直
列キャパシタ２０５と２１０は、４．４５５７２ナノフ
ァラッドのキャパシタンスと１．０９０８５ナノファラ
ッドのキャパシタンスを、各々有した。内側と外側のコ
イル１７５と１８５の一つを短絡させることで、他方の
入力インピーダンスを計測することができた。事実、前
記キャパシタンスが選択されて、内側のコイル１７５の
複合インピーダンスは、−１２°の複合平面角度で、５
１Ωと測定され、また外側のコイル１８０の複合インピ
ーダンスは、−１２°の複合平面角度で、５１．８Ωと
測定された。従って、これ等のインピーダンスは、ＲＦ
発生装置１８５と１９０のほぼ標準の５０Ωの出力に整
合した。
【００６３】図７の実施例の中で、側壁１０５は側壁２
１５と置き換えられ、また誘導結合は、シリコンの側壁
２１５の回りに巻かれ、インピーダンス整合回路１５
５’(MATCH)を経由して、プラズマ源電力発生装置１５
０’に接続されているコイル誘導装置２２０により設け
られた。図７の中で、シリコンの側壁２１５は地絡され
ている。図４の実施例の中のように、図８は、電力分割
装置１６０が、バイアス発生装置１３０からの分離ＲＦ
電力を架台１２０とシリコンの側壁２１５の間で分割で
きることを示している。図５の実施例のように、図９
は、シリコンの側壁２１５が、整合回路１７０を経由し
て、独立して別個のＲＦ発生装置１６５により給電され
る方法を示している。図１０は、図１のシリコンの天井
１１０とオーバーヘッドコイルアンテナ１４５が、図７
のシリコンの側壁２１５と側面アンテナ２２０と結合す
る方法を示している。図１１は、電力をバイアス発生装
置１３０から側壁２１５と架台１２０に分離するため
に、図１０の実施例の中で、図８の電力分離装置１６０
を使用する方法を示している。図１２は、図９の実施例
が、図１のオーバーヘッドコイルアンテナ１４５とシリ
コンの天井１１０との結合を示している。
１５と置き換えられ、また誘導結合は、シリコンの側壁
２１５の回りに巻かれ、インピーダンス整合回路１５
５’(MATCH)を経由して、プラズマ源電力発生装置１５
０’に接続されているコイル誘導装置２２０により設け
られた。図７の中で、シリコンの側壁２１５は地絡され
ている。図４の実施例の中のように、図８は、電力分割
装置１６０が、バイアス発生装置１３０からの分離ＲＦ
電力を架台１２０とシリコンの側壁２１５の間で分割で
きることを示している。図５の実施例のように、図９
は、シリコンの側壁２１５が、整合回路１７０を経由し
て、独立して別個のＲＦ発生装置１６５により給電され
る方法を示している。図１０は、図１のシリコンの天井
１１０とオーバーヘッドコイルアンテナ１４５が、図７
のシリコンの側壁２１５と側面アンテナ２２０と結合す
る方法を示している。図１１は、電力をバイアス発生装
置１３０から側壁２１５と架台１２０に分離するため
に、図１０の実施例の中で、図８の電力分離装置１６０
を使用する方法を示している。図１２は、図９の実施例
が、図１のオーバーヘッドコイルアンテナ１４５とシリ
コンの天井１１０との結合を示している。
【００６４】図１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃと１３Ｄは、そ
れぞれ図１、４、５と６の変形の実施例を示している。
該実施例の中で平面のシリコン天井１１０と平面の誘導
コイルアンテナ１４５は各々ドーム型シリコン天井２３
０とドーム型コイルアンテナ２３５によって置き換えら
れている。該実施例の中で、平面シリコンの天井１１０
と平面コイルアンテナ２３０とドーム型コイルアンテナ
２３５は、螺旋状に巻かれている。図１４は、ドーム型
コイルアンテナ２３５が、ドーム型天井２３０から伸び
て、側壁１０５の回りに巻き付くために、ドーム型天井
２３０を通過する１つの例を示している。この場合、少
なくとも、コイルアンテナ２３５の底の部分により囲ま
れている側壁１０５のこの部分は、クオーツのようなあ
るいはシリコンのような半導体のような非導電体である
はずである。図１５は、図１０に関連した実施例を示し
ており、該実施例の中で、平面のシリコンの天井１１０
と平面のアンテナ１４５は、図１３Ａのドーム型のシリ
コンの天井２３０とドーム型コイルアンテナ２３５と置
き換えられている。
れぞれ図１、４、５と６の変形の実施例を示している。
該実施例の中で平面のシリコン天井１１０と平面の誘導
コイルアンテナ１４５は各々ドーム型シリコン天井２３
０とドーム型コイルアンテナ２３５によって置き換えら
れている。該実施例の中で、平面シリコンの天井１１０
と平面コイルアンテナ２３０とドーム型コイルアンテナ
２３５は、螺旋状に巻かれている。図１４は、ドーム型
コイルアンテナ２３５が、ドーム型天井２３０から伸び
て、側壁１０５の回りに巻き付くために、ドーム型天井
２３０を通過する１つの例を示している。この場合、少
なくとも、コイルアンテナ２３５の底の部分により囲ま
れている側壁１０５のこの部分は、クオーツのようなあ
るいはシリコンのような半導体のような非導電体である
はずである。図１５は、図１０に関連した実施例を示し
ており、該実施例の中で、平面のシリコンの天井１１０
と平面のアンテナ１４５は、図１３Ａのドーム型のシリ
コンの天井２３０とドーム型コイルアンテナ２３５と置
き換えられている。
【００６５】図１６は、電力をプラズマ源ＲＦ電力発生
装置１５０から、図６のシリコンの天井１１０の上に重
なっている内側と外側のコイルアンテナ１７５、１８０
の間で分離するために、電力分離装置２５０を使用する
方法を示している。 ＲＦ電力分離装置は、Ｃｏｌｌｉ
ｎｓ他に与えられた米国特許番号５，３４９，３１３で
開示されている。上記の引用で組み込まれているＣｏｌ
ｌｉｎｓ他の並行特許申請中の中で開示されているとお
り、制御装置２６０(CONTROLLER)は、ウェーハの中央の
上とウェーハの周辺の上の間のプラズマイオンの密度の
差を補正するために内側と外側のコイルアンテナ１７
５、１８０の電力比を変えることができる。図１７Ａ
は、電力分離装置２５０(POWER SPLITTER)が、ＲＦ電力
をプラズマ源電力発生装置１５０から、側面コイル２２
０とドーム型オーバーヘッドコイル２３５の間で分離し
ている、図１５の実施例に関連する一つの実施例を示し
ている。図１７Ｂは、内側（上部）のドーム型コイル２
７０と外側（下部）ドーム型コイル２８０を有するドー
ム型のシリコンの天井２３０による、一つの実施例を示
している。電力分離装置２５０は、プラズマ源電力発生
装置１５０からＲＦ電力を、内側と外側のドーム型コイ
ル２７０と２８０の間で分離する。図１７Ｂのシリコン
の天井２３０とウェーハ架台１２０を、図１３Ａ、１３
Ｂあるいは１３Ｃの何れか一つの実施例に従って接続す
ることができる。図１８は、電力分離装置２５０が、電
力をプラズマ源ＲＦ電力発生装置１５０から、図１０の
オーバーヘッドコイルアンテナ１４５と側面コイルアン
テナ２２０に、分離する方法を示している。
装置１５０から、図６のシリコンの天井１１０の上に重
なっている内側と外側のコイルアンテナ１７５、１８０
の間で分離するために、電力分離装置２５０を使用する
方法を示している。 ＲＦ電力分離装置は、Ｃｏｌｌｉ
ｎｓ他に与えられた米国特許番号５，３４９，３１３で
開示されている。上記の引用で組み込まれているＣｏｌ
ｌｉｎｓ他の並行特許申請中の中で開示されているとお
り、制御装置２６０(CONTROLLER)は、ウェーハの中央の
上とウェーハの周辺の上の間のプラズマイオンの密度の
差を補正するために内側と外側のコイルアンテナ１７
５、１８０の電力比を変えることができる。図１７Ａ
は、電力分離装置２５０(POWER SPLITTER)が、ＲＦ電力
をプラズマ源電力発生装置１５０から、側面コイル２２
０とドーム型オーバーヘッドコイル２３５の間で分離し
ている、図１５の実施例に関連する一つの実施例を示し
ている。図１７Ｂは、内側（上部）のドーム型コイル２
７０と外側（下部）ドーム型コイル２８０を有するドー
ム型のシリコンの天井２３０による、一つの実施例を示
している。電力分離装置２５０は、プラズマ源電力発生
装置１５０からＲＦ電力を、内側と外側のドーム型コイ
ル２７０と２８０の間で分離する。図１７Ｂのシリコン
の天井２３０とウェーハ架台１２０を、図１３Ａ、１３
Ｂあるいは１３Ｃの何れか一つの実施例に従って接続す
ることができる。図１８は、電力分離装置２５０が、電
力をプラズマ源ＲＦ電力発生装置１５０から、図１０の
オーバーヘッドコイルアンテナ１４５と側面コイルアン
テナ２２０に、分離する方法を示している。
【００６６】図１９は、電力分離装置２５０が、電力を
プラズマ源ＲＦ電力発生装置１５０から、オーバーヘッ
ドコイルアンテナ１４５とシリコンの天井１１０の間
で、分離する方法を示している。図１９の実施例の中
で、地絡させることもできるウェーハ架台１２０は、イ
ンピーダンス整合回路１３５を経由して、バイアスＲＦ
発生装置１３０に接続されている。図２０は、電力分離
装置２５０が、ＲＦ電力発生装置１５０から、オーバー
ヘッドコイルアンテナ１４５とウェーハ架台１２０の間
で、分離する方法を示している。図２０の実施例の中
で、シリコンの天井１１０は、地絡させることも、ある
いは整合回路１７０を経由して、分離ＲＦ発生装置１６
５に接続させることもできる。図２１は、図１９の平面
のシリコンの天井１１０と平面コイルアンテナ１４５の
代わりに、ドーム型シリコンの天井２３０とドーム型コ
イルアンテナ２３５を使用している点を除き図１９に関
する実施例である。図２２は、図２０の平面のシリコン
の天井１１０と平面コイルアンテナ１４５の代わりに、
ドーム型シリコンの天井２３０とドーム型コイルアンテ
ナ２３５を使用している点を除き、図１９に関する実施
例である。
プラズマ源ＲＦ電力発生装置１５０から、オーバーヘッ
ドコイルアンテナ１４５とシリコンの天井１１０の間
で、分離する方法を示している。図１９の実施例の中
で、地絡させることもできるウェーハ架台１２０は、イ
ンピーダンス整合回路１３５を経由して、バイアスＲＦ
発生装置１３０に接続されている。図２０は、電力分離
装置２５０が、ＲＦ電力発生装置１５０から、オーバー
ヘッドコイルアンテナ１４５とウェーハ架台１２０の間
で、分離する方法を示している。図２０の実施例の中
で、シリコンの天井１１０は、地絡させることも、ある
いは整合回路１７０を経由して、分離ＲＦ発生装置１６
５に接続させることもできる。図２１は、図１９の平面
のシリコンの天井１１０と平面コイルアンテナ１４５の
代わりに、ドーム型シリコンの天井２３０とドーム型コ
イルアンテナ２３５を使用している点を除き図１９に関
する実施例である。図２２は、図２０の平面のシリコン
の天井１１０と平面コイルアンテナ１４５の代わりに、
ドーム型シリコンの天井２３０とドーム型コイルアンテ
ナ２３５を使用している点を除き、図１９に関する実施
例である。
【００６７】図２３は、シリコンの天井１１０とウェー
ハ架台１２０が互いにＲＦ地絡帰線である実施例を示し
ている。天井と架台１１０と１２０は、関連するインピ
ーダンス整合回路２８０と２９０を経由して、関連する
独立している、関連するＲＦｆ1とｆ2のと３００、３０
５ＲＦ電力発生装置により、ＲＦ隔離フィルター３１０
と３１５を経由して駆動され、また地絡ＲＦフィルター
３２０と３２５を経由して、各々地絡されている。隔離
フィルター３１０と３１５は、ＲＦエネルギーが、ＲＦ
電力発生装置３００と３０５に到達することを予防す
る。地絡ＲＦフィルター３２０と３２５の何れか一つ
は、天井と架台１１０と１２０が、チャンバ１００を横
断して放射されているＲＦ電力を、他のフィルターによ
り地絡させて帰すことができるようになっている。同時
に、地絡ＲＦフィルター３２０と３２５は、天井と架台
１１０と１２０の何れか１つに掛かるＲＦ電力が、直接
アースに短絡することを予防する。具体的には、シリコ
ンの天井１１０と周波数ｆ1のＲＦ電力発生装置３００
の間に接続されている隔離フィルター３１０は、ＲＦ電
力を周波数ｆ1で通過させ、周波数ｆ2でＲＦ電力をブロ
ックする。ウェーハ架台１２０と周波数ｆ2のＲＦ電力
発生装置３０５の間に接続されている隔離フィルター３
１５は、ＲＦ電力を周波数ｆ2で通過させ、周波数ｆ1で
ＲＦ電力をブロックする。シリコンの天井１１０との間
に接続されている地絡フィルター３２０は、ＲＦ電力を
周波数ｆ2で通過させ、周波数ｆ1でＲＦ電力をブロック
する。ウェーハ１２０架台とアースの間に接続されてい
る地絡フィルター３２５は、ＲＦ電力を周波数ｆ1で通
過させ、周波数ｆ2でＲＦ電力をブロックする。
ハ架台１２０が互いにＲＦ地絡帰線である実施例を示し
ている。天井と架台１１０と１２０は、関連するインピ
ーダンス整合回路２８０と２９０を経由して、関連する
独立している、関連するＲＦｆ1とｆ2のと３００、３０
５ＲＦ電力発生装置により、ＲＦ隔離フィルター３１０
と３１５を経由して駆動され、また地絡ＲＦフィルター
３２０と３２５を経由して、各々地絡されている。隔離
フィルター３１０と３１５は、ＲＦエネルギーが、ＲＦ
電力発生装置３００と３０５に到達することを予防す
る。地絡ＲＦフィルター３２０と３２５の何れか一つ
は、天井と架台１１０と１２０が、チャンバ１００を横
断して放射されているＲＦ電力を、他のフィルターによ
り地絡させて帰すことができるようになっている。同時
に、地絡ＲＦフィルター３２０と３２５は、天井と架台
１１０と１２０の何れか１つに掛かるＲＦ電力が、直接
アースに短絡することを予防する。具体的には、シリコ
ンの天井１１０と周波数ｆ1のＲＦ電力発生装置３００
の間に接続されている隔離フィルター３１０は、ＲＦ電
力を周波数ｆ1で通過させ、周波数ｆ2でＲＦ電力をブロ
ックする。ウェーハ架台１２０と周波数ｆ2のＲＦ電力
発生装置３０５の間に接続されている隔離フィルター３
１５は、ＲＦ電力を周波数ｆ2で通過させ、周波数ｆ1で
ＲＦ電力をブロックする。シリコンの天井１１０との間
に接続されている地絡フィルター３２０は、ＲＦ電力を
周波数ｆ2で通過させ、周波数ｆ1でＲＦ電力をブロック
する。ウェーハ１２０架台とアースの間に接続されてい
る地絡フィルター３２５は、ＲＦ電力を周波数ｆ1で通
過させ、周波数ｆ2でＲＦ電力をブロックする。
【００６８】インピーダンス整合回路２８０と２９０
は、本出願の中で、前記に解説された従来のタイプであ
り、実際の入力インピーダンスを計測するために、電圧
と電流センサーあるいはインピーダンス整合トランヂュ
ーサ（図示されていない）を、従来の方法で使用してい
る。ＲＦ電力発生装置３００あるいは３０５の何れか一
方からのＲＦが、他のインピーダンス整合回路の作動を
干渉することを予防するために、関連する整合隔離フィ
ルター３３０と３３５が、インピーダンス整合トランジ
ューサと、インピーダンス整合回路２８０(MATCH)と２
９０(MATCH)に対するトランジューサ入力の間にそれぞ
れ接続されている(FROM MATCH TRANSDUCER(S))。ｆ1整
合回路２８０に対する入力端にある整合隔離フィルター
３３０は、ＲＦ電力を周波数ｆ1で通過させ、周波数ｆ2
でＲＦ電力をブロックする。ｆ2整合回路２９０に対す
る入力端にある整合隔離フィルター３３５は、ＲＦ電力
を周波数ｆ２で通過させ、周波数ｆ1でＲＦ電力をブロ
ックする。３３０、３１０、３１５、３２０、３２５、
３３５では、通過をPASS f1、阻止をREJECT f2 と表現
している。
は、本出願の中で、前記に解説された従来のタイプであ
り、実際の入力インピーダンスを計測するために、電圧
と電流センサーあるいはインピーダンス整合トランヂュ
ーサ（図示されていない）を、従来の方法で使用してい
る。ＲＦ電力発生装置３００あるいは３０５の何れか一
方からのＲＦが、他のインピーダンス整合回路の作動を
干渉することを予防するために、関連する整合隔離フィ
ルター３３０と３３５が、インピーダンス整合トランジ
ューサと、インピーダンス整合回路２８０(MATCH)と２
９０(MATCH)に対するトランジューサ入力の間にそれぞ
れ接続されている(FROM MATCH TRANSDUCER(S))。ｆ1整
合回路２８０に対する入力端にある整合隔離フィルター
３３０は、ＲＦ電力を周波数ｆ1で通過させ、周波数ｆ2
でＲＦ電力をブロックする。ｆ2整合回路２９０に対す
る入力端にある整合隔離フィルター３３５は、ＲＦ電力
を周波数ｆ２で通過させ、周波数ｆ1でＲＦ電力をブロ
ックする。３３０、３１０、３１５、３２０、３２５、
３３５では、通過をPASS f1、阻止をREJECT f2 と表現
している。
【００６９】種々のＲＦフィルター３１０、３１５、３
２０、３２５、３３０、３３５は、公知の技術を利用し
て、能動と反応構成部品（キャパシタとインダクタ）で
構築させることができる。二つの周波数ｆ1、ｆ2が幅広
く分離されている場合（例えばオクターブで）、種々の
ＲＦフィルター３１０、３１５、３２０、３２５、３３
０、３３５は、切り放し周波数を適切に選んで、適当な
高域と低域パスフィルターに適している。逆に、二つの
周波数ｆ1、ｆ2が、十分に離されていない場合は、種々
のＲＦフィルター３１０、３１５、３２０、３２５、３
３０、３３５は、適当な周波数を中心とする域帯通過あ
るは域帯破棄フィルターでなければならない。
２０、３２５、３３０、３３５は、公知の技術を利用し
て、能動と反応構成部品（キャパシタとインダクタ）で
構築させることができる。二つの周波数ｆ1、ｆ2が幅広
く分離されている場合（例えばオクターブで）、種々の
ＲＦフィルター３１０、３１５、３２０、３２５、３３
０、３３５は、切り放し周波数を適切に選んで、適当な
高域と低域パスフィルターに適している。逆に、二つの
周波数ｆ1、ｆ2が、十分に離されていない場合は、種々
のＲＦフィルター３１０、３１５、３２０、３２５、３
３０、３３５は、適当な周波数を中心とする域帯通過あ
るは域帯破棄フィルターでなければならない。
【００７０】図２４は、図２３の平面のシリコンの天井
１１０と平面コイルアンテナ１４５の代わりに図１３Ａ
のドーム型シリコンの天井２３０とドーム型コイルアン
テナ２３５を使用していることを除き図２３に関連する
一つの実施例を示している。
１１０と平面コイルアンテナ１４５の代わりに図１３Ａ
のドーム型シリコンの天井２３０とドーム型コイルアン
テナ２３５を使用していることを除き図２３に関連する
一つの実施例を示している。
【００７１】図２５Ａは、シリコンの天井１１０の上部
側面と裏面の上に導電裏板４００を使用を示している。
シリコンの天井１１０に掛けられる電位（例えばアース
あるいは代わりに、ＲＦ発生装置の出力端）は、シリコ
ンの天井１１０の裏面を横断する均一の分布のために直
接導電体裏板４００に掛けられる。裏板４００は、例え
ばアルミニウムあるいは銅のような高い導電材料とする
ことができる。更に、裏板４００は、裏板４００を経由
してＲＦ誘導磁場の伝導をブロックするオーバーヘッド
アンテナ１４５の誘導ＲＦ磁場によるうず電流の形成を
予防するために、十分な開口部を有していなければなら
ない。例えば、図２５Ｂの上面図は、導電体裏板４００
が、導電体の中心４１０から放射方向に伸びている複数
の導電腕４０５を有する星型とすることができることを
示している。できれば、導電体腕４０５の間の空間ある
いは開口部４１５は、シリコンの天井１１０の厚みとほ
ぼ同じの独特の幅であることが好ましい。この特徴は、
シリコンの天井１１０を経由する均一な電流の配分と垂
直な流れを提供する。図２５Ｂの実施例の中心に接続さ
れている腕は、できれば、製造を容易にするためにセラ
ミックの上にシリコンがラミネートされた箱であること
が好ましい。図２５Ｃは、代案としての、導電環４２０
から放射状に、仮想中心点４３０に向かって伸びている
複数の導電腕４２５を有する外側の導電環４２０を備え
る導電体裏板４００の実施例を示している。導電体腕４
２５の間の開口部４３５は、図２５Ｃで示されていると
おり、シリコンの天井１１０の厚みとほぼ同じの独特の
幅である。できれば、電気的接触は、導電環４２０に全
体に沿って行われることが好ましい。できれば、外側の
導電環４２０は、ＲＦ誘導磁場の有効放射範囲外である
ことが好ましい。
側面と裏面の上に導電裏板４００を使用を示している。
シリコンの天井１１０に掛けられる電位（例えばアース
あるいは代わりに、ＲＦ発生装置の出力端）は、シリコ
ンの天井１１０の裏面を横断する均一の分布のために直
接導電体裏板４００に掛けられる。裏板４００は、例え
ばアルミニウムあるいは銅のような高い導電材料とする
ことができる。更に、裏板４００は、裏板４００を経由
してＲＦ誘導磁場の伝導をブロックするオーバーヘッド
アンテナ１４５の誘導ＲＦ磁場によるうず電流の形成を
予防するために、十分な開口部を有していなければなら
ない。例えば、図２５Ｂの上面図は、導電体裏板４００
が、導電体の中心４１０から放射方向に伸びている複数
の導電腕４０５を有する星型とすることができることを
示している。できれば、導電体腕４０５の間の空間ある
いは開口部４１５は、シリコンの天井１１０の厚みとほ
ぼ同じの独特の幅であることが好ましい。この特徴は、
シリコンの天井１１０を経由する均一な電流の配分と垂
直な流れを提供する。図２５Ｂの実施例の中心に接続さ
れている腕は、できれば、製造を容易にするためにセラ
ミックの上にシリコンがラミネートされた箱であること
が好ましい。図２５Ｃは、代案としての、導電環４２０
から放射状に、仮想中心点４３０に向かって伸びている
複数の導電腕４２５を有する外側の導電環４２０を備え
る導電体裏板４００の実施例を示している。導電体腕４
２５の間の開口部４３５は、図２５Ｃで示されていると
おり、シリコンの天井１１０の厚みとほぼ同じの独特の
幅である。できれば、電気的接触は、導電環４２０に全
体に沿って行われることが好ましい。できれば、外側の
導電環４２０は、ＲＦ誘導磁場の有効放射範囲外である
ことが好ましい。
【００７２】できれば、シリコンの天井は、構造的強度
と１０を超える内破防止安全係数を与えるために、１３
インチ（３２ｃｍ）の直径の天井にに対して、約１イン
チ（２．５４ｃｍ）の厚みであることが好ましい。しか
し、シリコンの天井の厚みを著しく減らすために（たと
えば１インチの単位で）、図２６は、シリコンの天井１
１０と裏板４００を、セラミックのディスクのような頑
丈な支持基盤５００に接着する方法を示している。オー
バーヘッド誘導コイルアンテナホルダー１４７は、基板
５００の上に置かれている。シリコンの天井１１０の温
度を制御するために、アンテナホルダー１４７の上に加
熱層５１０が置かれており、また冷却板５２０が加熱層
５１０の頂上に置かれている。図２７は、基盤５００の
役割とアンテナホルダー１４７の役割を、アンテナホル
ダー１４７の中のセラミックのような頑丈な材料で一本
の部材に統合し、またシリコンの天井１１０を、導電裏
板４００と共に直接アンテナホルダー１４７に接着する
方法を示している。
と１０を超える内破防止安全係数を与えるために、１３
インチ（３２ｃｍ）の直径の天井にに対して、約１イン
チ（２．５４ｃｍ）の厚みであることが好ましい。しか
し、シリコンの天井の厚みを著しく減らすために（たと
えば１インチの単位で）、図２６は、シリコンの天井１
１０と裏板４００を、セラミックのディスクのような頑
丈な支持基盤５００に接着する方法を示している。オー
バーヘッド誘導コイルアンテナホルダー１４７は、基板
５００の上に置かれている。シリコンの天井１１０の温
度を制御するために、アンテナホルダー１４７の上に加
熱層５１０が置かれており、また冷却板５２０が加熱層
５１０の頂上に置かれている。図２７は、基盤５００の
役割とアンテナホルダー１４７の役割を、アンテナホル
ダー１４７の中のセラミックのような頑丈な材料で一本
の部材に統合し、またシリコンの天井１１０を、導電裏
板４００と共に直接アンテナホルダー１４７に接着する
方法を示している。
【００７３】図２８は、代案としての、例えばアルミニ
ウムあるいは銅のような導電体を備えるアンテナホルダ
ー１４７’を使用する本発明の実施例を示している。こ
の実施例の中で、絶縁材１４６が、誘導コイルアンテナ
１４５の巻線と導電体アンテナホルダー１４７’の間に
設けられている。誘導アンテナホルダー１４７’が、Ｒ
Ｆ誘導磁場をブロックすることを予防するために、アン
テナ１４５の各巻線をアンテナホルダー１４７’の溝型
の開口部５５０の中に納める。各該開口部５５０は、導
電アンテナホルダー１４７’の底面１４７ａに対して開
いている。図２８の導電アンテナホルダー１４７’は、
またシリコンの天井１１０の導電裏板とまた同時に天井
１１０のための頑丈な支持基板としての役割を果たすこ
とができる。この場合、シリコンの天井１１０が直接図
２８の導電アンテナホルダー１４７’に接着されてい
る。しかし、好ましい選択は星型の導電裏板４００をシ
リコンの天井１１０と図２８の導電体裏板１４７’の間
に挿入することである。図２９は、図６あるいは１６の
各々関連する内側と外側のコイルアンテナ１７５、１８
０を納める、一組の幅広い同心の環状開口部５６０と５
６５を有する導電アンテナホルダー１４７’のもう一つ
の実施例を示している。環状開口部５６０と５６５は、
アンテナホルダーの底面１４７ａのところで開いている
ので、ＲＦ誘導磁場のブロックは無い。この実施例の中
で、図２８のとおり、導電アンテナホルダーもまたシリ
コンアンテナのための導電裏板と（星型導電体裏板４０
０の代わりに）、また頑丈な支持基板としての役割を果
たす（支持基板５００の代わりに）ので、直接シリコン
の天井１１０に接着できる。できれば、しかし、星型導
電体裏板は、導電アンテナホルダー１４７’とシリコン
の天井１１０間に差し込まれ、またシリコンの天井１１
０と共にアンテナホルダー１４７’に接着されるのが好
ましい。
ウムあるいは銅のような導電体を備えるアンテナホルダ
ー１４７’を使用する本発明の実施例を示している。こ
の実施例の中で、絶縁材１４６が、誘導コイルアンテナ
１４５の巻線と導電体アンテナホルダー１４７’の間に
設けられている。誘導アンテナホルダー１４７’が、Ｒ
Ｆ誘導磁場をブロックすることを予防するために、アン
テナ１４５の各巻線をアンテナホルダー１４７’の溝型
の開口部５５０の中に納める。各該開口部５５０は、導
電アンテナホルダー１４７’の底面１４７ａに対して開
いている。図２８の導電アンテナホルダー１４７’は、
またシリコンの天井１１０の導電裏板とまた同時に天井
１１０のための頑丈な支持基板としての役割を果たすこ
とができる。この場合、シリコンの天井１１０が直接図
２８の導電アンテナホルダー１４７’に接着されてい
る。しかし、好ましい選択は星型の導電裏板４００をシ
リコンの天井１１０と図２８の導電体裏板１４７’の間
に挿入することである。図２９は、図６あるいは１６の
各々関連する内側と外側のコイルアンテナ１７５、１８
０を納める、一組の幅広い同心の環状開口部５６０と５
６５を有する導電アンテナホルダー１４７’のもう一つ
の実施例を示している。環状開口部５６０と５６５は、
アンテナホルダーの底面１４７ａのところで開いている
ので、ＲＦ誘導磁場のブロックは無い。この実施例の中
で、図２８のとおり、導電アンテナホルダーもまたシリ
コンアンテナのための導電裏板と（星型導電体裏板４０
０の代わりに）、また頑丈な支持基板としての役割を果
たす（支持基板５００の代わりに）ので、直接シリコン
の天井１１０に接着できる。できれば、しかし、星型導
電体裏板は、導電アンテナホルダー１４７’とシリコン
の天井１１０間に差し込まれ、またシリコンの天井１１
０と共にアンテナホルダー１４７’に接着されるのが好
ましい。
【００７４】オーバーヘッドコイルアンテナ１４５は、
単独の同心螺旋巻線あるいは内側と外側の同心螺旋巻線
１７５、１８０で成っているものとして前記で説明され
た。図３０Ａ、３０Ｂと３０Ｃは、代案としての、非同
心巻線を有するオーバーヘッドコイルアンテナ１４５の
設計を示している。具体的には、図３０Ａの中で、少な
くとも、円周全体に沿って殆ど同電位にするための非常
に低いインダクタンスと低い抵抗の一個の外側の円形導
電体６００がある。複数の螺旋状の導電体６１０は、外
側の導電体６００から内側に向けて内旋の通路で、螺旋
の導電体６１０を結び付ける中心点６２０に放射する。
プラズマ源ＲＦ電力（ＲＦ発生装置１０５より）は、外
側の導電体６００と中心点６２０の間に掛けられる。図
３０Ｂに示されているとおり、内旋の螺旋導電体６１０
は平面に置かれている一方で、図３０Ｃは、代案とし
て、中で内旋の螺旋導電体６１０がドームを形成してい
るドーム型天井２３０を使用する実施例を示している。
この明細書の中で開示された種々の実施例の中で使用さ
れたドーム型のような、ドーム型は、非直線あるいは半
球あるいは円錐あるいは、円錐部分あるいは二つの異な
る半径の組合せのようなアーチ型のカーブの回転とする
ことができる（この明細書の初めに開示されているとお
り）。
単独の同心螺旋巻線あるいは内側と外側の同心螺旋巻線
１７５、１８０で成っているものとして前記で説明され
た。図３０Ａ、３０Ｂと３０Ｃは、代案としての、非同
心巻線を有するオーバーヘッドコイルアンテナ１４５の
設計を示している。具体的には、図３０Ａの中で、少な
くとも、円周全体に沿って殆ど同電位にするための非常
に低いインダクタンスと低い抵抗の一個の外側の円形導
電体６００がある。複数の螺旋状の導電体６１０は、外
側の導電体６００から内側に向けて内旋の通路で、螺旋
の導電体６１０を結び付ける中心点６２０に放射する。
プラズマ源ＲＦ電力（ＲＦ発生装置１０５より）は、外
側の導電体６００と中心点６２０の間に掛けられる。図
３０Ｂに示されているとおり、内旋の螺旋導電体６１０
は平面に置かれている一方で、図３０Ｃは、代案とし
て、中で内旋の螺旋導電体６１０がドームを形成してい
るドーム型天井２３０を使用する実施例を示している。
この明細書の中で開示された種々の実施例の中で使用さ
れたドーム型のような、ドーム型は、非直線あるいは半
球あるいは円錐あるいは、円錐部分あるいは二つの異な
る半径の組合せのようなアーチ型のカーブの回転とする
ことができる（この明細書の初めに開示されているとお
り）。
【００７５】図３１Ａ、３１Ｂと３１Ｃは、もう一つ非
同心のオーバーヘッドコイルアンテナの実施例を示して
いる。図３１Ｂは、平面の場合を指している一方で、図
３１Ｃはドーム型の場合を指している。一個の外側の円
形導電体７００は、内側に放射し、末端７１５Ａ、７１
５Ｂ、７１５Ｃで終る、複数のアーチ型の導電腕７１０
を有している。中心点７２０は、外側に放射し、末端７
４０Ａ、７４０Ｂ、７４０Ｃで終る、複数のアーチ型の
導電体腕７３０を有している。図１６の実施例の中で使
用されているとおり、図１６の電力分離装置２５０の一
方の出力端からのＲＦ電力は、外側に円形の導電体７０
０と末端７１５の間に掛けられる一方で、電力分離装置
２５０の他方の出力端からのＲＦ電力は、中心点７４０
と末端７２０の間に掛けられる。
同心のオーバーヘッドコイルアンテナの実施例を示して
いる。図３１Ｂは、平面の場合を指している一方で、図
３１Ｃはドーム型の場合を指している。一個の外側の円
形導電体７００は、内側に放射し、末端７１５Ａ、７１
５Ｂ、７１５Ｃで終る、複数のアーチ型の導電腕７１０
を有している。中心点７２０は、外側に放射し、末端７
４０Ａ、７４０Ｂ、７４０Ｃで終る、複数のアーチ型の
導電体腕７３０を有している。図１６の実施例の中で使
用されているとおり、図１６の電力分離装置２５０の一
方の出力端からのＲＦ電力は、外側に円形の導電体７０
０と末端７１５の間に掛けられる一方で、電力分離装置
２５０の他方の出力端からのＲＦ電力は、中心点７４０
と末端７２０の間に掛けられる。
【００７６】誘導アンテナの導電体は、如何なる適応す
る３次元の通路にも従うことができる。例えば、図３２
は、二重同心筒状螺旋巻線、即ち、全て同じ導電体に形
成された、一つの外側の筒状螺旋８００と内側の筒状螺
旋８１０を備えるコイルアンテナ１４５の非平面あるい
は３次元の実施例を示している。図３３は、図１６の内
側と外側の平面巻線１７５、１８０の代わりに、図３２
に示されている一組の二重同心筒状螺旋巻線、即ち内側
の二重の同心の筒状の螺旋巻線８２０と外側の二重同心
の筒状の螺旋巻線３２０が、図１６の実施例の中のオー
バーヘッドの誘導アンテナの内側と外側の巻線として使
用できるかの方法を示している。
る３次元の通路にも従うことができる。例えば、図３２
は、二重同心筒状螺旋巻線、即ち、全て同じ導電体に形
成された、一つの外側の筒状螺旋８００と内側の筒状螺
旋８１０を備えるコイルアンテナ１４５の非平面あるい
は３次元の実施例を示している。図３３は、図１６の内
側と外側の平面巻線１７５、１８０の代わりに、図３２
に示されている一組の二重同心筒状螺旋巻線、即ち内側
の二重の同心の筒状の螺旋巻線８２０と外側の二重同心
の筒状の螺旋巻線３２０が、図１６の実施例の中のオー
バーヘッドの誘導アンテナの内側と外側の巻線として使
用できるかの方法を示している。
【００７７】図３４は、螺旋状の巻線８５０の重ねられ
た層８４０ａ、８４０ｂ、８４０ｃを備える図１の誘導
アンテナ１４５のもう一つの非平面の実施例を示してい
る。
た層８４０ａ、８４０ｂ、８４０ｃを備える図１の誘導
アンテナ１４５のもう一つの非平面の実施例を示してい
る。
【００７８】本出願で、前記に述べられているとおり、
一つの要素がプラズマエッチングにウェーハの中心とウ
ェーハの周辺の非均一エッチング前駆物質ガスの配分の
間の差異を起こす可能性がある。ガスの配分の該非均一
性は、ガス入口１３７を経由してウェーハの架台側から
のガスの導入から起こるので、ウェーハの中心の近くに
比較的により多くの腐食前駆物質ガスがある。この問題
は、腐食前駆物質ガスを直接ウェーハの上に、ウェーハ
の中心に対して左右対照の方法で、導入するためにシリ
コンの天井１１０に組み込まれているガス供給システム
を備える図３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃ、３５Ｄと３５Ｅの
シリコンの天井１１０の実施例の中で取り組まれてい
る。
一つの要素がプラズマエッチングにウェーハの中心とウ
ェーハの周辺の非均一エッチング前駆物質ガスの配分の
間の差異を起こす可能性がある。ガスの配分の該非均一
性は、ガス入口１３７を経由してウェーハの架台側から
のガスの導入から起こるので、ウェーハの中心の近くに
比較的により多くの腐食前駆物質ガスがある。この問題
は、腐食前駆物質ガスを直接ウェーハの上に、ウェーハ
の中心に対して左右対照の方法で、導入するためにシリ
コンの天井１１０に組み込まれているガス供給システム
を備える図３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｃ、３５Ｄと３５Ｅの
シリコンの天井１１０の実施例の中で取り組まれてい
る。
【００７９】図３５Ｄに関して、１インチの厚みのシリ
コンの天井１１０は、その頂上の面に、ほぼ０．３３イ
ンチの深さと３．５インチの直径の座えぐり開口部９０
０を有している。好ましくは、図３５Ｅに示されている
とおり、約２２の左右対照に置かれた０．２０インチの
穴が、座えぐり開口部９００の頂上の面から下に向けて
天井１１０の厚みの約８０％を通って開けられている。
より大きな穴９１０と同心の小さい０．０３０インチの
直径の穴９２０は、シリコンの天井１１０の底面からレ
ーザーで穴が開けられる。図３５Ａと３５Ｂに示されて
いるとおり、ディスク型ガス供給頂上９３０は、シリコ
ンの天井１１０の頂上の面の上の座えぐり開口部９００
の中にきっちりとはめられる。ガス供給の頂上９３０の
底面は、約０．０１インチの深さで３．３インチの直径
の座えぐり開口部９４０を有しており、該開口部の中
は、ガス配分マニフォルドを形成している。センターガ
ス供給パイプ９５０は、ガス供給頂上９３０を経由し
て、開口部９４０の座えぐり開口部９４０に開かれる。
ガス供給の底の周辺の角は、段階９６０の段階をその中
に有し、段階９６０は、０．１４３インチの深さで、半
径方向に０．０７５インチ内の方向に伸びている。段階
９６０は、段階９６０にぴったり合った寸法を有する環
状テフロン密封外周のポケットを作り出す。できれば、
テフロンの密封は、図３５Ｃに示されているとおり、断
面がＵ型の有することが好ましい。テフロンの密封９７
０の中の環状のスチールワイヤーの補助鋼９７５が、密
封９７０に対して９７０の硬さを提供することが好まし
い。
コンの天井１１０は、その頂上の面に、ほぼ０．３３イ
ンチの深さと３．５インチの直径の座えぐり開口部９０
０を有している。好ましくは、図３５Ｅに示されている
とおり、約２２の左右対照に置かれた０．２０インチの
穴が、座えぐり開口部９００の頂上の面から下に向けて
天井１１０の厚みの約８０％を通って開けられている。
より大きな穴９１０と同心の小さい０．０３０インチの
直径の穴９２０は、シリコンの天井１１０の底面からレ
ーザーで穴が開けられる。図３５Ａと３５Ｂに示されて
いるとおり、ディスク型ガス供給頂上９３０は、シリコ
ンの天井１１０の頂上の面の上の座えぐり開口部９００
の中にきっちりとはめられる。ガス供給の頂上９３０の
底面は、約０．０１インチの深さで３．３インチの直径
の座えぐり開口部９４０を有しており、該開口部の中
は、ガス配分マニフォルドを形成している。センターガ
ス供給パイプ９５０は、ガス供給頂上９３０を経由し
て、開口部９４０の座えぐり開口部９４０に開かれる。
ガス供給の底の周辺の角は、段階９６０の段階をその中
に有し、段階９６０は、０．１４３インチの深さで、半
径方向に０．０７５インチ内の方向に伸びている。段階
９６０は、段階９６０にぴったり合った寸法を有する環
状テフロン密封外周のポケットを作り出す。できれば、
テフロンの密封は、図３５Ｃに示されているとおり、断
面がＵ型の有することが好ましい。テフロンの密封９７
０の中の環状のスチールワイヤーの補助鋼９７５が、密
封９７０に対して９７０の硬さを提供することが好まし
い。
【００８０】図３５Ａ−Ｅの中央のガス供給シリコンの
天井は、電気的制御装置２６０により、電力分離装置２
５０を経由して、独立して調整できる内側と外側の誘導
コイルアンテナ１７５、１８０と組み合わせて図１６の
実施例の中のシリコンの天井１１０として使用すること
ができる。利点は、図３５Ａ−Ｅの中心ガス供給シリコ
ンの天井１１０で達成されるウェーハ表面を横断する均
一な腐食前駆物質ガスの配分により、リアクタの中心か
ら縁までのエッチングの均一性が高められることと、ま
た、制御装置２６０を使用して、如何なる残りの中心か
ら縁までのエッチングの非均一性が、前記で引用されて
いる並行して申請中のＣｏｌｌｉｎｓ他の中で開示され
ている方法で内側と外側のコイルアンテナ１７５、１８
０に掛けられる電力レベルの相対的な割合を正当に調整
することで正確に補正されるということである。その結
果、ウェーハの中心から縁までのエッチングの均一性
は、非常に小さいサイズを特徴とする、エッチングの断
面、エッチングの選択性とエッチング速度を犠牲にしな
いで従来の技術では達成できない程度まで最適化され
る。
天井は、電気的制御装置２６０により、電力分離装置２
５０を経由して、独立して調整できる内側と外側の誘導
コイルアンテナ１７５、１８０と組み合わせて図１６の
実施例の中のシリコンの天井１１０として使用すること
ができる。利点は、図３５Ａ−Ｅの中心ガス供給シリコ
ンの天井１１０で達成されるウェーハ表面を横断する均
一な腐食前駆物質ガスの配分により、リアクタの中心か
ら縁までのエッチングの均一性が高められることと、ま
た、制御装置２６０を使用して、如何なる残りの中心か
ら縁までのエッチングの非均一性が、前記で引用されて
いる並行して申請中のＣｏｌｌｉｎｓ他の中で開示され
ている方法で内側と外側のコイルアンテナ１７５、１８
０に掛けられる電力レベルの相対的な割合を正当に調整
することで正確に補正されるということである。その結
果、ウェーハの中心から縁までのエッチングの均一性
は、非常に小さいサイズを特徴とする、エッチングの断
面、エッチングの選択性とエッチング速度を犠牲にしな
いで従来の技術では達成できない程度まで最適化され
る。
【００８１】図３６Ａは、ガス供給の頂上をプラズマか
らより良く保護する中央ガス供給シリコンの天井のもう
一つの好ましい実施例を示している。この実施例の中
で、シリコンの天井１１０の中の座えぐり開口部９００
の周辺に沿って肩９８０が設けられている。シリコンウ
ェーハ９８５は、肩９８０の上に乗ってから、シリコン
の天井１１０の頂上にある別個のチャンバの座えぐり開
口部９００と、またガス供給の頂上９３０の底にある座
えぐり開口部９４０の２つの分離チャンバに分かれる。
シリコンウェーハ９８５は、ドリルで開けられた複数の
ガス供給孔９８６を有しており、該孔は、シリコンの天
井１１０の中のガス供給孔９１０から横にずらされてい
る。この方法でのウェーハ９８５の挿入は、孔９２０を
経由してチャンバから上に向けて拡散するプラズマイオ
ンのためのガス供給頂上９３０への直線通路を除去す
る。この特徴は、より良く頂上９３０をプラズマによる
腐食から保護する。頂上９３０は、ＲＦ誘導磁場を大き
く減衰させない半導体かあるいは絶縁材であるか、ある
いは、該頂上の直径が、何れの誘導アンテナの中心の直
径より小さい場合は、ステンレススチールのような導電
体とすることができる。
らより良く保護する中央ガス供給シリコンの天井のもう
一つの好ましい実施例を示している。この実施例の中
で、シリコンの天井１１０の中の座えぐり開口部９００
の周辺に沿って肩９８０が設けられている。シリコンウ
ェーハ９８５は、肩９８０の上に乗ってから、シリコン
の天井１１０の頂上にある別個のチャンバの座えぐり開
口部９００と、またガス供給の頂上９３０の底にある座
えぐり開口部９４０の２つの分離チャンバに分かれる。
シリコンウェーハ９８５は、ドリルで開けられた複数の
ガス供給孔９８６を有しており、該孔は、シリコンの天
井１１０の中のガス供給孔９１０から横にずらされてい
る。この方法でのウェーハ９８５の挿入は、孔９２０を
経由してチャンバから上に向けて拡散するプラズマイオ
ンのためのガス供給頂上９３０への直線通路を除去す
る。この特徴は、より良く頂上９３０をプラズマによる
腐食から保護する。頂上９３０は、ＲＦ誘導磁場を大き
く減衰させない半導体かあるいは絶縁材であるか、ある
いは、該頂上の直径が、何れの誘導アンテナの中心の直
径より小さい場合は、ステンレススチールのような導電
体とすることができる。
【００８２】図３５Ａ−Ｅと３６Ａの実施例の中で、ガ
ス供給孔９１０、９２０は、天井１１０の中心の回りで
グループ化されているが、何れの実施例の中でも、孔９
１０、９２０は、中心から周辺に向かってか、あるい
は、もし希望すれば中心の代わりに周辺の回りにグルー
プ化させて配分させることができる。これは、ガス供給
孔９１０、９２０が天井１１０の周辺の回りに配分され
ている図３６Ｂの中で示されている。
ス供給孔９１０、９２０は、天井１１０の中心の回りで
グループ化されているが、何れの実施例の中でも、孔９
１０、９２０は、中心から周辺に向かってか、あるい
は、もし希望すれば中心の代わりに周辺の回りにグルー
プ化させて配分させることができる。これは、ガス供給
孔９１０、９２０が天井１１０の周辺の回りに配分され
ている図３６Ｂの中で示されている。
【００８３】図３７Ａは、例えば、絶縁され、地絡され
ているファラデー被覆９９０が、オーバーヘッド誘導ア
ンテナ１４５とシリコンの天井１１０の間に挿入されて
いる、図１の実施例のような平面のシリコンの天井１１
０を使用している如何なる実施例にも適用できる変形を
示している。ファラデー被覆は、図３７Ｂの上面図の中
で、形態が最も良く示されており、また誘導アンテナ１
４５からプラズマへの容量結合を低減するために使用さ
れている従来のタイプである。図３８Ａは、例えば、絶
縁され、地絡されたファラデー被覆９９０が、オーバー
ヘッド誘導アンテナ１４５とシリコンの天井２３０の間
に挿入されている、図１３Ａのようなドーム型シリコン
の天井２３０を使用している如何なる実施例にも適用で
きる改造を示している。図３８Ｂは、誘導アンテナ２２
０と筒状半導体ウィンドウ電極２１５との間に挿入され
ている筒状ファラデー被覆９９０’の追加の特徴と共
に、筒状の側面半導体ウィンドウ電極２１５と筒状側面
誘導アンテナ２２０をを有する図７−９の実施例に関連
する実施例を示している。
ているファラデー被覆９９０が、オーバーヘッド誘導ア
ンテナ１４５とシリコンの天井１１０の間に挿入されて
いる、図１の実施例のような平面のシリコンの天井１１
０を使用している如何なる実施例にも適用できる変形を
示している。ファラデー被覆は、図３７Ｂの上面図の中
で、形態が最も良く示されており、また誘導アンテナ１
４５からプラズマへの容量結合を低減するために使用さ
れている従来のタイプである。図３８Ａは、例えば、絶
縁され、地絡されたファラデー被覆９９０が、オーバー
ヘッド誘導アンテナ１４５とシリコンの天井２３０の間
に挿入されている、図１３Ａのようなドーム型シリコン
の天井２３０を使用している如何なる実施例にも適用で
きる改造を示している。図３８Ｂは、誘導アンテナ２２
０と筒状半導体ウィンドウ電極２１５との間に挿入され
ている筒状ファラデー被覆９９０’の追加の特徴と共
に、筒状の側面半導体ウィンドウ電極２１５と筒状側面
誘導アンテナ２２０をを有する図７−９の実施例に関連
する実施例を示している。
【００８４】図３９Ａは、本出願のプラズマエッチング
リアクタの中の前記で説明された要素の好ましい配列を
示している比例した図面である。図３９Ｂは、オーバー
ヘッド誘導アンテナを実施するのに使用されている、内
部の容積に水のような冷却液を送り込むことができる、
チューブ型の導電体の断面図である。
リアクタの中の前記で説明された要素の好ましい配列を
示している比例した図面である。図３９Ｂは、オーバー
ヘッド誘導アンテナを実施するのに使用されている、内
部の容積に水のような冷却液を送り込むことができる、
チューブ型の導電体の断面図である。
【００８５】前記実施例の各々は、ＲＦ電力源あるいは
アースのような半導体ウィンドウの電位への電気的な接
続を使用することで、半導体ウィンドウを電極として使
用するものとして説明されたが、このような電気的接続
と電極としての半導体ウィンドウの使用は、必要でな
い。事実、半導体ウィンドウを、電極として使用する代
わりに、電気的に浮遊させ、接続しないままにすること
ができる。これは、必ずしも電極として機能させなくて
も、ある程度の利点を提供する。一つの利点は、一般的
なプラズマリアクタの中あるいは近くに、一般的に使用
されている他の材料（例えばクオーツあるいはアルミニ
ウム）と比較して、半導体ウィンドウの半導体材（例え
ばシリコン）が汚染源になり難いということである。も
う一つの利点は、半導体ウィンドウが、フッ素除去材で
あるということである。従って、半導体ウィンドウは、
同時に誘導アンテナに対する被覆とフッ素除去材として
機能することができる。
アースのような半導体ウィンドウの電位への電気的な接
続を使用することで、半導体ウィンドウを電極として使
用するものとして説明されたが、このような電気的接続
と電極としての半導体ウィンドウの使用は、必要でな
い。事実、半導体ウィンドウを、電極として使用する代
わりに、電気的に浮遊させ、接続しないままにすること
ができる。これは、必ずしも電極として機能させなくて
も、ある程度の利点を提供する。一つの利点は、一般的
なプラズマリアクタの中あるいは近くに、一般的に使用
されている他の材料（例えばクオーツあるいはアルミニ
ウム）と比較して、半導体ウィンドウの半導体材（例え
ばシリコン）が汚染源になり難いということである。も
う一つの利点は、半導体ウィンドウが、フッ素除去材で
あるということである。従って、半導体ウィンドウは、
同時に誘導アンテナに対する被覆とフッ素除去材として
機能することができる。
【００８６】前記何れの実施例も、半導体ウィンドウ電
極と該半導体に重なるコイル誘導装置の祖法をチャンバ
の内側に置くことで変形できる。この変形の中で、半導
体ウィンドウ電極は、チャンバの覆いの一部ではなく、
覆いの天井の下に置かれている。図１、４−１２、１
６、１８−２０、２３と３７Ａの実施例の中で使用され
ているタイプの平面半導体ウィンドウ電極に対して、図
４０は、チャンバ１００の中にあるが、チャンバの天井
１０６から離れている、平面半導体ウィンドウ電極１１
０と平面誘導アンテナ１４５を示している。図１３Ａ−
１５、１７Ａ、１７Ｂ、２１、２２、２４と３８の実施
例の中で使用されているタイプのカーブしているかドー
ム型の半導体ウィンドウ電極に対して、図４１は、チャ
ンバの天井１０６の下にあるチャンバ１００の中で、ド
ーム型の半導体ウィンドウ電極２３０と等角誘導アンテ
ナ２３５を示している。図７−９の実施例のなかで使用
されている筒型半導体ウィンドウに対して、図４１Ｂ
は、チャンバ１００の中にある、筒型半導体ウィンドウ
２３０’と筒型誘導アンテナ２３５’を示している。
極と該半導体に重なるコイル誘導装置の祖法をチャンバ
の内側に置くことで変形できる。この変形の中で、半導
体ウィンドウ電極は、チャンバの覆いの一部ではなく、
覆いの天井の下に置かれている。図１、４−１２、１
６、１８−２０、２３と３７Ａの実施例の中で使用され
ているタイプの平面半導体ウィンドウ電極に対して、図
４０は、チャンバ１００の中にあるが、チャンバの天井
１０６から離れている、平面半導体ウィンドウ電極１１
０と平面誘導アンテナ１４５を示している。図１３Ａ−
１５、１７Ａ、１７Ｂ、２１、２２、２４と３８の実施
例の中で使用されているタイプのカーブしているかドー
ム型の半導体ウィンドウ電極に対して、図４１は、チャ
ンバの天井１０６の下にあるチャンバ１００の中で、ド
ーム型の半導体ウィンドウ電極２３０と等角誘導アンテ
ナ２３５を示している。図７−９の実施例のなかで使用
されている筒型半導体ウィンドウに対して、図４１Ｂ
は、チャンバ１００の中にある、筒型半導体ウィンドウ
２３０’と筒型誘導アンテナ２３５’を示している。
【００８７】前記実施例の各々の半導体ウィンドウが、
モノリシック構造として示された一方で、一つの変形に
従って、半導体ウィンドウは、複数の部材に分節させる
ことができる。具体的には、図４２と４３の中で、平面
半導体ウィンドウ１１０’は（例えば、図１あるいは４
０の平面半導体ウィンドウ電極１１０に関連して）、中
央ディスク１１０ａと、ディスク１１０ａを囲んでおり
該ディスクと同心の周辺環１１０ｂを備える。できれ
ば、ディスク１１０ａと環１１０ｂは、シリコンあるい
は前記に例として挙げられた推奨されている半導体材の
ような同じ半導体材であることが好ましい。一つの実施
例の中で、相対的中心−縁エッチング性能は、種々のレ
ベルのＲＦ電力を環１１０ａとディスク１１０ｂに掛け
ることにより、希望するとおりに調整される。これは、
ディスク１１０ａと環１１０ｂに掛けられる関連するＲ
Ｆ電力出力端を有するＲＦ電力分離装置１６０に供給す
る単独ＲＦ源１５０使用することで達成される。これに
は、ＲＦアースに接続されている導電体側壁（図４２に
は示されていない）のような三番目の端子（例えば地絡
された電極）が必要である。例えば、ウェーハの中心付
近のエッチング速度が、ウェーハ周辺の速度より大きい
と仮定した場合、ＲＦ電力分離装置１６０は、より大き
なＲＦ電力を中央ディスク１１０ａと、また比較的少な
い電力を半導体ウィンドウの周辺環１１０ｂに掛けるた
めに、調整しうる。更に、中心から縁のエッチング性能
に対するより大きな制御に対してさえ、図６、１３Ｄ、
１６あるいは１７Ｂの分離内側と外側誘導アンテナの部
分は、分離半導体ウィンドウ電極１１０ａ、１１ｂと結
合できる。具体的には、図４２は、内部のディスク１１
０と半導体ウィンドウ電極の環１１０ｂと結合された図
１６の内側と外側の誘導アンテナ１７５、１８０を示し
ている。図１６のとおり、電力分離装置２５０は、内側
と外側の誘導アンテナ１７５、１８０の関連する一つに
接続されている別個のＲＦ電力出力端を有している。
モノリシック構造として示された一方で、一つの変形に
従って、半導体ウィンドウは、複数の部材に分節させる
ことができる。具体的には、図４２と４３の中で、平面
半導体ウィンドウ１１０’は（例えば、図１あるいは４
０の平面半導体ウィンドウ電極１１０に関連して）、中
央ディスク１１０ａと、ディスク１１０ａを囲んでおり
該ディスクと同心の周辺環１１０ｂを備える。できれ
ば、ディスク１１０ａと環１１０ｂは、シリコンあるい
は前記に例として挙げられた推奨されている半導体材の
ような同じ半導体材であることが好ましい。一つの実施
例の中で、相対的中心−縁エッチング性能は、種々のレ
ベルのＲＦ電力を環１１０ａとディスク１１０ｂに掛け
ることにより、希望するとおりに調整される。これは、
ディスク１１０ａと環１１０ｂに掛けられる関連するＲ
Ｆ電力出力端を有するＲＦ電力分離装置１６０に供給す
る単独ＲＦ源１５０使用することで達成される。これに
は、ＲＦアースに接続されている導電体側壁（図４２に
は示されていない）のような三番目の端子（例えば地絡
された電極）が必要である。例えば、ウェーハの中心付
近のエッチング速度が、ウェーハ周辺の速度より大きい
と仮定した場合、ＲＦ電力分離装置１６０は、より大き
なＲＦ電力を中央ディスク１１０ａと、また比較的少な
い電力を半導体ウィンドウの周辺環１１０ｂに掛けるた
めに、調整しうる。更に、中心から縁のエッチング性能
に対するより大きな制御に対してさえ、図６、１３Ｄ、
１６あるいは１７Ｂの分離内側と外側誘導アンテナの部
分は、分離半導体ウィンドウ電極１１０ａ、１１ｂと結
合できる。具体的には、図４２は、内部のディスク１１
０と半導体ウィンドウ電極の環１１０ｂと結合された図
１６の内側と外側の誘導アンテナ１７５、１８０を示し
ている。図１６のとおり、電力分離装置２５０は、内側
と外側の誘導アンテナ１７５、１８０の関連する一つに
接続されている別個のＲＦ電力出力端を有している。
【００８８】図４４は、分離半導体ウィンドウ電極が、
アーチ型かドーム型の図４２に関連する一つの実施例を
示している。図４４の中で、半導体ウィンドウ電極の中
央ディスク１１０ａは、ドームの中心部に対応する一方
で、半導体ウィンドウ電極の周辺環１１０ｂは、ドーム
の外の部分とドームの円周上の基礎に接触するシリンダ
ーに対応する。図４５は、ドームのカーブがほぼ消えて
いるので、中央ディスク１１０ａが実質的に平面である
一方で環１１０ｂが実質的に筒状の側壁である、図４４
の実施例の変形を示している。
アーチ型かドーム型の図４２に関連する一つの実施例を
示している。図４４の中で、半導体ウィンドウ電極の中
央ディスク１１０ａは、ドームの中心部に対応する一方
で、半導体ウィンドウ電極の周辺環１１０ｂは、ドーム
の外の部分とドームの円周上の基礎に接触するシリンダ
ーに対応する。図４５は、ドームのカーブがほぼ消えて
いるので、中央ディスク１１０ａが実質的に平面である
一方で環１１０ｂが実質的に筒状の側壁である、図４４
の実施例の変形を示している。
【００８９】図４２−４５のＲＦ電力分離に対して必要
不可欠な三番目の端子が、地絡された側壁としてとして
説明された一方で、もう一つの変形に従って、三番目の
端は、半導体ウィンドウ周辺環１１０ｂとすることがで
きる一方で、ＲＦは、半導体ウィンドウ中央ディスク１
１０ａとウェーハ架台１２０のような他の物の間に分け
られる。図４６と４７は、各々後者の変形が図４２と４
４の実施例を変える方法を示している。図４５の実施例
に行われた該変形は、図１３Ｂの実施例に関連する実施
例の結果となっている。図４６と４７の実施例の中で、
ＲＦ電力分割装置２５０は、半導体ウィンドウ電極の中
央ディスク１１０ａに接続されているＲＦ電力出力端の
一つとまたウェーハ架台１２０に接続されている他の出
力端を有している一方で、半導体ウィンドウ周辺環１１
０ｂは地絡されている。
不可欠な三番目の端子が、地絡された側壁としてとして
説明された一方で、もう一つの変形に従って、三番目の
端は、半導体ウィンドウ周辺環１１０ｂとすることがで
きる一方で、ＲＦは、半導体ウィンドウ中央ディスク１
１０ａとウェーハ架台１２０のような他の物の間に分け
られる。図４６と４７は、各々後者の変形が図４２と４
４の実施例を変える方法を示している。図４５の実施例
に行われた該変形は、図１３Ｂの実施例に関連する実施
例の結果となっている。図４６と４７の実施例の中で、
ＲＦ電力分割装置２５０は、半導体ウィンドウ電極の中
央ディスク１１０ａに接続されているＲＦ電力出力端の
一つとまたウェーハ架台１２０に接続されている他の出
力端を有している一方で、半導体ウィンドウ周辺環１１
０ｂは地絡されている。
【００９０】半導体ウィンドウの有効プラズマ反応領域
は、半導体ウィンドウとウェーハ／ウェーハ架台の有効
プラズマ反応領域の比率を変更するために変更できる。
この領域の比率に対する次の三つの形態がある： （１）左右対称：有効プラズマ反応領域はほぼ同じであ
る（領域比率は約１）ので、ウェーハと半導体ウィンド
ウ電極は、同じプラズマＲＦ電流密度と、同じＲＦとＤ
Ｃ被覆電圧振幅を有している。
は、半導体ウィンドウとウェーハ／ウェーハ架台の有効
プラズマ反応領域の比率を変更するために変更できる。
この領域の比率に対する次の三つの形態がある： （１）左右対称：有効プラズマ反応領域はほぼ同じであ
る（領域比率は約１）ので、ウェーハと半導体ウィンド
ウ電極は、同じプラズマＲＦ電流密度と、同じＲＦとＤ
Ｃ被覆電圧振幅を有している。
【００９１】（２）完全に非左右対称でない：領域比は
１から２と４の間の係数の範囲にあるので、より狭い領
域の電極に於ける電流の密度とＲＦとＤＣ被覆電圧振幅
は、より大きな領域に於ける電極より大きく、また更な
る増加を伴って領域比を著しく変える。
１から２と４の間の係数の範囲にあるので、より狭い領
域の電極に於ける電流の密度とＲＦとＤＣ被覆電圧振幅
は、より大きな領域に於ける電極より大きく、また更な
る増加を伴って領域比を著しく変える。
【００９２】（３）完全に非左右対称：領域比が２と４
の間の係数を超え、電流の密度とＲＦとＤＣ被覆電圧振
幅が、更なる領域比の増加を伴って大きく変わらず、飽
和状態に到達する。
の間の係数を超え、電流の密度とＲＦとＤＣ被覆電圧振
幅が、更なる領域比の増加を伴って大きく変わらず、飽
和状態に到達する。
【００９３】最後の場合、（即ち、ケース３）、より大
きな被覆電圧降下とＲＦ電流密度が、何れかより小さい
プラズマ反応領域を有する方の半導体ウィンドウ電極あ
るいはウェーハ／ウェーハ架台に現れる。この方法でＲ
Ｆ電流密度と被覆電圧降下を引き上げると、反応領域が
狭められた一つの要素（半導体ウィンドウあるいはウェ
ーハ／ウェーハ架台）に掛けられるＲＦバイアスを引き
上げることと同じ効果がある。半導体ウィンドウに関し
ては、この変化は除去材のプラズマへの付着比に影響を
与え、また半導体ウィンドウ電極の表面の重合化比に影
響を与える。ウェーハ／架台に関しては、該変化は、例
えばエッチング速度、エッチング断面とエッチング選択
性のような、通常掛けられるＲＦ電力の変化により加工
パラメータに影響を与える。
きな被覆電圧降下とＲＦ電流密度が、何れかより小さい
プラズマ反応領域を有する方の半導体ウィンドウ電極あ
るいはウェーハ／ウェーハ架台に現れる。この方法でＲ
Ｆ電流密度と被覆電圧降下を引き上げると、反応領域が
狭められた一つの要素（半導体ウィンドウあるいはウェ
ーハ／ウェーハ架台）に掛けられるＲＦバイアスを引き
上げることと同じ効果がある。半導体ウィンドウに関し
ては、この変化は除去材のプラズマへの付着比に影響を
与え、また半導体ウィンドウ電極の表面の重合化比に影
響を与える。ウェーハ／架台に関しては、該変化は、例
えばエッチング速度、エッチング断面とエッチング選択
性のような、通常掛けられるＲＦ電力の変化により加工
パラメータに影響を与える。
【００９４】２個以上の電極を有するリアクタの中で有
効プラズマ相互作用領域の比を調整するとき、同じ原理
が適用される。例えば、図２３と２４の実施例の中で、
実際１つの周波数を、またもう一つの周波数でアースを
駆動する電極を使用することで、４個の電極が、２本に
減らされている。駆動／地絡電極の一組は、前項で概略
説明されているものと同じ効果を有する変更領域比でで
別個に分析される。もう一つの例のとおり、筒状の側壁
のような三番目の電極が、アースあるいはもう一つのＲ
Ｆ電力のような電位に接続されている図４−１２の中の
実施例の中で、地絡された電極（例えば、筒状の側壁）
と一つのＲＦ電力源に接続されている他の端子の間で地
絡帰線の割当が、二つの駆動端子との間の位相の差とま
た同時に有効プラズマ相互作用領域比のような動的係数
により決定されることを除き、同じ分析が、適用され
る。予め設定された、２個のＲＦで駆動される電極の間
の位相の差を一定に維持するために、Ｋｅｎｎｅｔｈ
Ｓ． Ｃｏｌｌｉｎｓ他による米国特許番号５，３４
９，３１３開示されている発明を使用することができ
る。
効プラズマ相互作用領域の比を調整するとき、同じ原理
が適用される。例えば、図２３と２４の実施例の中で、
実際１つの周波数を、またもう一つの周波数でアースを
駆動する電極を使用することで、４個の電極が、２本に
減らされている。駆動／地絡電極の一組は、前項で概略
説明されているものと同じ効果を有する変更領域比でで
別個に分析される。もう一つの例のとおり、筒状の側壁
のような三番目の電極が、アースあるいはもう一つのＲ
Ｆ電力のような電位に接続されている図４−１２の中の
実施例の中で、地絡された電極（例えば、筒状の側壁）
と一つのＲＦ電力源に接続されている他の端子の間で地
絡帰線の割当が、二つの駆動端子との間の位相の差とま
た同時に有効プラズマ相互作用領域比のような動的係数
により決定されることを除き、同じ分析が、適用され
る。予め設定された、２個のＲＦで駆動される電極の間
の位相の差を一定に維持するために、Ｋｅｎｎｅｔｈ
Ｓ． Ｃｏｌｌｉｎｓ他による米国特許番号５，３４
９，３１３開示されている発明を使用することができ
る。
【００９５】一組の希望するＲＦで駆動される諸要素
（電極あるいは誘導アンテナ）の間の位相の関係を確立
する能力を、ＲＦ電力の該要素に対する割当に使用する
ことができる。例えば、分節されている誘導アンテナの
部分を使用している図１６、１７Ａ、１７Ｂと１８のよ
うな実施例の中で、二つの分節されたアンテナの部分の
間のような電力の割当は、前記で、関係するアンテナ部
分にに掛けられるＲＦ電圧を振幅を変化させることで達
成されるものとして説明されている。しかし、電力の割
当も、また異なるアンテナの部分に掛けられるＲＦ電圧
の間の位相の角度を変えることで、変えることができ
る。同様に、分節された半導体ウィンドウを使用する図
４２−４７のような実施例の中で、二つの分節された半
導体ウィンドウの間の電力の割当は、前記で、関係する
半導体ウィンドウ部分に掛けられるＲＦ電圧を振幅を変
化させることで達成されるものとして説明されている
が、しかし、電力の割当も、また異なる半導体ウィンド
ウの部分に掛けられるＲＦ電圧の間の位相の角度を変え
ることで、変えることができる。
（電極あるいは誘導アンテナ）の間の位相の関係を確立
する能力を、ＲＦ電力の該要素に対する割当に使用する
ことができる。例えば、分節されている誘導アンテナの
部分を使用している図１６、１７Ａ、１７Ｂと１８のよ
うな実施例の中で、二つの分節されたアンテナの部分の
間のような電力の割当は、前記で、関係するアンテナ部
分にに掛けられるＲＦ電圧を振幅を変化させることで達
成されるものとして説明されている。しかし、電力の割
当も、また異なるアンテナの部分に掛けられるＲＦ電圧
の間の位相の角度を変えることで、変えることができ
る。同様に、分節された半導体ウィンドウを使用する図
４２−４７のような実施例の中で、二つの分節された半
導体ウィンドウの間の電力の割当は、前記で、関係する
半導体ウィンドウ部分に掛けられるＲＦ電圧を振幅を変
化させることで達成されるものとして説明されている
が、しかし、電力の割当も、また異なる半導体ウィンド
ウの部分に掛けられるＲＦ電圧の間の位相の角度を変え
ることで、変えることができる。
【００９６】図４８Ａは、オーバーヘッドの半導体ウィ
ンドウ電極が、ディスク型の半導体天井１０２０から垂
直に下に伸びている半導体スカート１０１０に広がって
おり、該スカート１０１０と天井１０２０は、絶縁リン
グで互いに絶縁されており、またプラズマを相互作用装
置チャンバ加工領域の範囲内１０３５に閉じ込めている
全部半導体でできている覆いを構成してることを除い
て、図１の実施例と非常によく似たプラズマ相互作用装
置を示している。図１の実施例のように、コイル誘導装
置１０４０は、半導体天井１０２０の上に横たわってい
る。スカート１０１０は、筒状とすることができる。選
択肢としてのスカート１０１０と一体化されて形成され
ている環状半導体足１０１１は、筒状スカート１０１０
の底から放射方向内側に伸ばすことができる。カラー１
０５０は、足１０１１の放射方向内側の縁の近くから、
加工されるウェーハ１０６５を支えているウェーハ架台
１０６０の近くに、高いアスペクト比の該スカートと該
足の曲がりくねった間隙を残して、伸びている。好まし
い実施の中で、ウェーハ架台１０６０は、静電チャック
を備える。カラー１０５０の一つの目的は、架台１０６
０の回りで、加工領域１０３５から、空気抜き環１０７
０と、狭い間隙（高いアスペクト比）あるいは通路１０
５１に、逃げるプラズマを閉じ込めて、空気抜き環１０
７０に到達する前に、空気抜き環１０７０に通路に沿っ
た壁面のところで逃げるイオンを再結合することであ
る。もう一つの特徴は、間隙１０５１が曲がりくねった
通路となっており、空気抜き環１０７０に向かって逃げ
るプラズマイオンがこの曲がりくねった通路を通らなけ
ればならないようにするために、カラー１０５０が、重
なっている邪魔板構造になっていることである。この特
徴で、間隙１０５１の内側の、逃げるプラズマイオンの
再結合を、更に高めることができる。
ンドウ電極が、ディスク型の半導体天井１０２０から垂
直に下に伸びている半導体スカート１０１０に広がって
おり、該スカート１０１０と天井１０２０は、絶縁リン
グで互いに絶縁されており、またプラズマを相互作用装
置チャンバ加工領域の範囲内１０３５に閉じ込めている
全部半導体でできている覆いを構成してることを除い
て、図１の実施例と非常によく似たプラズマ相互作用装
置を示している。図１の実施例のように、コイル誘導装
置１０４０は、半導体天井１０２０の上に横たわってい
る。スカート１０１０は、筒状とすることができる。選
択肢としてのスカート１０１０と一体化されて形成され
ている環状半導体足１０１１は、筒状スカート１０１０
の底から放射方向内側に伸ばすことができる。カラー１
０５０は、足１０１１の放射方向内側の縁の近くから、
加工されるウェーハ１０６５を支えているウェーハ架台
１０６０の近くに、高いアスペクト比の該スカートと該
足の曲がりくねった間隙を残して、伸びている。好まし
い実施の中で、ウェーハ架台１０６０は、静電チャック
を備える。カラー１０５０の一つの目的は、架台１０６
０の回りで、加工領域１０３５から、空気抜き環１０７
０と、狭い間隙（高いアスペクト比）あるいは通路１０
５１に、逃げるプラズマを閉じ込めて、空気抜き環１０
７０に到達する前に、空気抜き環１０７０に通路に沿っ
た壁面のところで逃げるイオンを再結合することであ
る。もう一つの特徴は、間隙１０５１が曲がりくねった
通路となっており、空気抜き環１０７０に向かって逃げ
るプラズマイオンがこの曲がりくねった通路を通らなけ
ればならないようにするために、カラー１０５０が、重
なっている邪魔板構造になっていることである。この特
徴で、間隙１０５１の内側の、逃げるプラズマイオンの
再結合を、更に高めることができる。
【００９７】空気抜き環１０７０は、ウェーハ切込みバ
ルブ１０７５を経由して加工領域１０３５に結合され、
ポンプ１０８０で空気が抜かれる。切込みバルブ１０７
５を経由するプラズマの漏洩を減らすか防止するため
に、切込みバルブ１０７５は、開口部をできるだけ狭く
するために、できるだけ高いアスペクト比を持たせて、
切込みバルブ１０７５の内面でのプラズマイオンの再結
合を高めている。図４８Ａの好ましい実施例の中で、半
導体の覆い１０３０は、チャンバの真空の境界をなして
いる。代案として、該半導体の覆いを、金属真空覆いの
中に設けて、半導体覆い自体を真空の境界としないこと
もできる。後者の代案は、現存する従来の技術による相
互作用装置チャンバの変形により実行される、本発明の
実施例の中で活用することができる。
ルブ１０７５を経由して加工領域１０３５に結合され、
ポンプ１０８０で空気が抜かれる。切込みバルブ１０７
５を経由するプラズマの漏洩を減らすか防止するため
に、切込みバルブ１０７５は、開口部をできるだけ狭く
するために、できるだけ高いアスペクト比を持たせて、
切込みバルブ１０７５の内面でのプラズマイオンの再結
合を高めている。図４８Ａの好ましい実施例の中で、半
導体の覆い１０３０は、チャンバの真空の境界をなして
いる。代案として、該半導体の覆いを、金属真空覆いの
中に設けて、半導体覆い自体を真空の境界としないこと
もできる。後者の代案は、現存する従来の技術による相
互作用装置チャンバの変形により実行される、本発明の
実施例の中で活用することができる。
【００９８】図４８Ａの全部半導体でできている加工チ
ャンバ覆いには、幾つかの利点がある。その内一つの利
点は、プラズマ加工の間、加工領域１０３５を包んでい
る全部半導体でできているものの表面を、蓄積された重
合体により不動能化する必要がないばかりでなく、むし
ろその代わり裸のままにしておくことができることであ
る。その理由は、プラズマと半導体表面との間の相互作
用が、ウェーハのプラズマ加工にとって有害な副産物を
作らないからである。むしろ、プラズマと加工領域１０
３５を包んでいる半導体の表面との相互作用により作ら
れた副産物は、揮発性となる傾向を持っているので、ポ
ンプ１０８０により、何時でも吹い出される。加工領域
１０３５を包んでいる表面を不動能化すする必要がない
ので、表面を清掃するためにリアクタの運転を中断する
必要がないという優れた利点を持っている。
ャンバ覆いには、幾つかの利点がある。その内一つの利
点は、プラズマ加工の間、加工領域１０３５を包んでい
る全部半導体でできているものの表面を、蓄積された重
合体により不動能化する必要がないばかりでなく、むし
ろその代わり裸のままにしておくことができることであ
る。その理由は、プラズマと半導体表面との間の相互作
用が、ウェーハのプラズマ加工にとって有害な副産物を
作らないからである。むしろ、プラズマと加工領域１０
３５を包んでいる半導体の表面との相互作用により作ら
れた副産物は、揮発性となる傾向を持っているので、ポ
ンプ１０８０により、何時でも吹い出される。加工領域
１０３５を包んでいる表面を不動能化すする必要がない
ので、表面を清掃するためにリアクタの運転を中断する
必要がないという優れた利点を持っている。
【００９９】加工領域１０３５を包んでいる表面上の重
合体の蓄積を予防するには、二つの方法がある。その一
つは、該表面の温度を重合体の凝縮以上に保つことであ
る。この目的のために、天井１０２０とスカート１０１
０は、半導体のような比較的高い熱伝導材料で形成す
る。代案として、必ずしも材料は半導体でなければなら
ないということではなく、例えば硝化シリコン、硝化ア
ルミニウム、クオーツあるいはアルミニウムナのような
絶縁体とすることもできる。半導体材を使用する好まし
い実施例の中で、該材料は、炭化シリコンのような他の
半導体材をしようすることができるが、シリコンであ
る。シリコンは、シリコン化学変化（例えば、二酸化シ
リコンのような）を利用するプラズマ加工にとって好ま
しい。その理由は、シリコンウィンドウ１０３０は、ウ
ェーハ上のエッチング速度と比較して、該加工の中で、
緩やかに腐食するからである（ウェーハからの１μ毎の
二酸化シリコンの腐食に対してシリコン覆いの表面から
の３Ａの腐食）。従って、著しい量の材料（例えば１ｍ
ｍ）がシリコンの覆い１０３０から腐食で消える前に、
約３５，０００枚のウェーハを加工することができる。
シリコンの覆い１０３０の腐食による厚みの喪失の許容
限度は、次の要素により制限される： （ａ）構造的完璧性に必要なシリコンの覆いの厚み；と
（ｂ）コイルアンテナからチャンバへのＲＦ結合を大き
く変化させる厚みの変化。
合体の蓄積を予防するには、二つの方法がある。その一
つは、該表面の温度を重合体の凝縮以上に保つことであ
る。この目的のために、天井１０２０とスカート１０１
０は、半導体のような比較的高い熱伝導材料で形成す
る。代案として、必ずしも材料は半導体でなければなら
ないということではなく、例えば硝化シリコン、硝化ア
ルミニウム、クオーツあるいはアルミニウムナのような
絶縁体とすることもできる。半導体材を使用する好まし
い実施例の中で、該材料は、炭化シリコンのような他の
半導体材をしようすることができるが、シリコンであ
る。シリコンは、シリコン化学変化（例えば、二酸化シ
リコンのような）を利用するプラズマ加工にとって好ま
しい。その理由は、シリコンウィンドウ１０３０は、ウ
ェーハ上のエッチング速度と比較して、該加工の中で、
緩やかに腐食するからである（ウェーハからの１μ毎の
二酸化シリコンの腐食に対してシリコン覆いの表面から
の３Ａの腐食）。従って、著しい量の材料（例えば１ｍ
ｍ）がシリコンの覆い１０３０から腐食で消える前に、
約３５，０００枚のウェーハを加工することができる。
シリコンの覆い１０３０の腐食による厚みの喪失の許容
限度は、次の要素により制限される： （ａ）構造的完璧性に必要なシリコンの覆いの厚み；と
（ｂ）コイルアンテナからチャンバへのＲＦ結合を大き
く変化させる厚みの変化。
【０１００】この明細書の中の前記に記載されている半
導体材選択のガイドラインを守っていれば、１０％未満
の厚みの変化は、ウェーハの加工に影響を及ぼす程のＲ
Ｆ結合に大きな変化を作り出さないと信じられている。
導体材選択のガイドラインを守っていれば、１０％未満
の厚みの変化は、ウェーハの加工に影響を及ぼす程のＲ
Ｆ結合に大きな変化を作り出さないと信じられている。
【０１０１】塩化処理を伴うアルミニウムあるいは重合
シリコンのエッチング加工に対して、シリコン壁は早く
腐食する可能性があるので（基本的プラズマ加工パラメ
ータの制御方法によっては）、シリコンあるいは半導体
材は、この応用に対しては最適ではない。しかし、半導
体材は、本発明を実施するのに当たって必要ではなく
（電気的あるいはＲＦ電位が該材料に掛けられない限
り）、また硝化シリコンのような非半導体の如何なる適
当な材料も、加工領域覆い１０３０のために使用するこ
とができる。
シリコンのエッチング加工に対して、シリコン壁は早く
腐食する可能性があるので（基本的プラズマ加工パラメ
ータの制御方法によっては）、シリコンあるいは半導体
材は、この応用に対しては最適ではない。しかし、半導
体材は、本発明を実施するのに当たって必要ではなく
（電気的あるいはＲＦ電位が該材料に掛けられない限
り）、また硝化シリコンのような非半導体の如何なる適
当な材料も、加工領域覆い１０３０のために使用するこ
とができる。
【０１０２】半導体天井１０２０の温度を、選択された
温度で（例えば重合体の堆積を防ぐために）維持するた
めに、直接温度接触あるいは間接温度接触の何れかを使
用している温度制御装置を使用することができる。図面
の中で、間接温度接触を使用している温度制御装置が示
されており、該装置は、天井１０２０の上のコイル誘導
体１０４０を包んでいる絶縁層１１１２の上の加熱層１
１１０と、加熱層１１１０の上の冷却プレート１１２０
と、また該層を分離している抵抗空気間隙１１４を備え
る。加熱層１１１０には、在来の電気加熱エレメント
（図４８Ａの中に示されていない）が入っている一方
で、冷却プレート１１２０は、内部の冷却ジャケット１
１２２を有する。冷却プレート１１２０によりもたらさ
れる冷却の量は、天井１０２０の全てのプラズマ加熱を
相殺するのに十分である一方で、加熱層１１１０がもた
らすことができる熱量は、冷却プレート１１２０からの
冷却を相殺するのに十分な熱量より大きい。従来の温度
センサー／制御装置（図４８Ａの中に示されていない）
は、加熱層１１１０の抵抗加熱エレメントの中の電流量
を調節する。
温度で（例えば重合体の堆積を防ぐために）維持するた
めに、直接温度接触あるいは間接温度接触の何れかを使
用している温度制御装置を使用することができる。図面
の中で、間接温度接触を使用している温度制御装置が示
されており、該装置は、天井１０２０の上のコイル誘導
体１０４０を包んでいる絶縁層１１１２の上の加熱層１
１１０と、加熱層１１１０の上の冷却プレート１１２０
と、また該層を分離している抵抗空気間隙１１４を備え
る。加熱層１１１０には、在来の電気加熱エレメント
（図４８Ａの中に示されていない）が入っている一方
で、冷却プレート１１２０は、内部の冷却ジャケット１
１２２を有する。冷却プレート１１２０によりもたらさ
れる冷却の量は、天井１０２０の全てのプラズマ加熱を
相殺するのに十分である一方で、加熱層１１１０がもた
らすことができる熱量は、冷却プレート１１２０からの
冷却を相殺するのに十分な熱量より大きい。従来の温度
センサー／制御装置（図４８Ａの中に示されていない）
は、加熱層１１１０の抵抗加熱エレメントの中の電流量
を調節する。
【０１０３】半導体スカート１０１０の温度を、選択さ
れた温度に維持するために（例えば、重合体の堆積を防
止するために）、直接温度接触あるいは間接温度接触の
何れか使用する温度制御装置を、使用することができ
る。図面の中で、直接温度接触を使用する温度制御シス
テムが示されており、必ずしも必要としない選択肢とし
ての絶縁層１１１２Ａを経由してスカート１０１０を囲
みながら該スカートに接触している加熱リング１１１０
Ａとを備える。冷却リング１１２０ａは、スカート１０
１０に接触している。選択肢としての絶縁層を、冷却リ
ング１１２０ａとスカート１０１０の間に置くことがで
きる。加熱リング１１１０Ａには、従来の電気的加熱エ
レメント１１１０Ｂが入っている一方で、冷却リング１
１２０Ａは、内部の冷却ジャケット１１２２Ａを有して
いる。冷却リング１１２０Ａによりもたらされる冷却量
は、スカート１０１０のプラズマ加熱を相殺するのに十
分なものより少ない一方で、加熱リング１１１０Ａが与
えることができる熱量は、冷却リング１１２０Ａからの
冷却を相殺するのに十分なものより大きい。従来の温度
センサー／制御装置（図４８Ａの中に示されていない）
は、加熱リング１１１０Ａの抵抗加熱エレメントの中の
電流量を調節する。
れた温度に維持するために（例えば、重合体の堆積を防
止するために）、直接温度接触あるいは間接温度接触の
何れか使用する温度制御装置を、使用することができ
る。図面の中で、直接温度接触を使用する温度制御シス
テムが示されており、必ずしも必要としない選択肢とし
ての絶縁層１１１２Ａを経由してスカート１０１０を囲
みながら該スカートに接触している加熱リング１１１０
Ａとを備える。冷却リング１１２０ａは、スカート１０
１０に接触している。選択肢としての絶縁層を、冷却リ
ング１１２０ａとスカート１０１０の間に置くことがで
きる。加熱リング１１１０Ａには、従来の電気的加熱エ
レメント１１１０Ｂが入っている一方で、冷却リング１
１２０Ａは、内部の冷却ジャケット１１２２Ａを有して
いる。冷却リング１１２０Ａによりもたらされる冷却量
は、スカート１０１０のプラズマ加熱を相殺するのに十
分なものより少ない一方で、加熱リング１１１０Ａが与
えることができる熱量は、冷却リング１１２０Ａからの
冷却を相殺するのに十分なものより大きい。従来の温度
センサー／制御装置（図４８Ａの中に示されていない）
は、加熱リング１１１０Ａの抵抗加熱エレメントの中の
電流量を調節する。
【０１０４】加工領域１０３５を包んでいる表面上の重
合体の堆積を予防する二番目の方法は、プラズマからの
イオンによる該表面のイオン衝撃を高めるのに十分な力
でＲＦ電位を、該表面に掛けることである。イオン衝撃
緑は、重合体を表面から、堆積するより早く取り除くの
に十分でなければならない。この目的のために、ディス
ク型天井１０２０と筒状スカート１０１０は、掛けられ
たＲＦ電力に対して、電極としての役目を果たすのに十
分な導電性がなければならない。天井１０２０とスカー
ト１０１０は、できれば半導体であることが好ましい
が、しかし、プラズマに曝された金属は、加工領域１０
３５に、チャンバとウェーハを汚染する副産物を作り出
すので、できれば金属でないほうが好ましい。天井１０
２０とスカート１０１０に対して、半導体の方が導電
（メタリック）材より好ましいもう一つの理由は、天井
１０２０の中の導電材が、天井１０２０を経由する、コ
イル誘導装置１０４０からのＲＦプラズマ源電力の伝達
を妨げるからである。
合体の堆積を予防する二番目の方法は、プラズマからの
イオンによる該表面のイオン衝撃を高めるのに十分な力
でＲＦ電位を、該表面に掛けることである。イオン衝撃
緑は、重合体を表面から、堆積するより早く取り除くの
に十分でなければならない。この目的のために、ディス
ク型天井１０２０と筒状スカート１０１０は、掛けられ
たＲＦ電力に対して、電極としての役目を果たすのに十
分な導電性がなければならない。天井１０２０とスカー
ト１０１０は、できれば半導体であることが好ましい
が、しかし、プラズマに曝された金属は、加工領域１０
３５に、チャンバとウェーハを汚染する副産物を作り出
すので、できれば金属でないほうが好ましい。天井１０
２０とスカート１０１０に対して、半導体の方が導電
（メタリック）材より好ましいもう一つの理由は、天井
１０２０の中の導電材が、天井１０２０を経由する、コ
イル誘導装置１０４０からのＲＦプラズマ源電力の伝達
を妨げるからである。
【０１０５】好ましい、実施例の中で、重合体の堆積を
予防する二つの方法（ＲＦ電位をウィンドウ電極に掛け
る温度制御と付着促進）が結合される。イオン衝撃ある
いは表面の付着を有利に促進するＲＦ電位を半導体の覆
い１０３０に掛けることは、表面上の重合体の蓄積を予
防するのに必要な表面温度を下げる。例えば、十分高い
バイアス電圧で、温度を、重合体蓄積を予防するために
従来の技術で一般的に必要な約摂氏２６５°から約摂氏
１００°まで下げることができるので、本発明で、リア
クタを、一方で加工領域１０３５の範囲内の表面上の重
合体の蓄積を防ぎながら、他方でより低い温度で運転す
ることができる。逆に、表面上の重合体の蓄積減らすの
に必要な半導体覆い１０３０の表面温度を上げることが
有利にイオン衝撃あるいは付着を減らす。一つの例の中
で、半導体の天井１０２０に掛けられるＲＦ電力は、
０．１ＭＨｚで、５００ワット、ウェーハ架台１０６０
にに掛けられるバイアス電力は、１．８ＭＨｚで、１４
００ワット、コイルアンテナ１０４０に掛けられる電源
は、２ＭＨｚで、３０００ワットであった一方で、半導
体の覆い１０３０の温度は、摂氏２００°で保たれた。
この実施例を実行するに当たって、コイルアンテナ１０
４０の形態の誘導アンテナが使用されたが、他の形態の
アンテナのタイプを使用することができる。
予防する二つの方法（ＲＦ電位をウィンドウ電極に掛け
る温度制御と付着促進）が結合される。イオン衝撃ある
いは表面の付着を有利に促進するＲＦ電位を半導体の覆
い１０３０に掛けることは、表面上の重合体の蓄積を予
防するのに必要な表面温度を下げる。例えば、十分高い
バイアス電圧で、温度を、重合体蓄積を予防するために
従来の技術で一般的に必要な約摂氏２６５°から約摂氏
１００°まで下げることができるので、本発明で、リア
クタを、一方で加工領域１０３５の範囲内の表面上の重
合体の蓄積を防ぎながら、他方でより低い温度で運転す
ることができる。逆に、表面上の重合体の蓄積減らすの
に必要な半導体覆い１０３０の表面温度を上げることが
有利にイオン衝撃あるいは付着を減らす。一つの例の中
で、半導体の天井１０２０に掛けられるＲＦ電力は、
０．１ＭＨｚで、５００ワット、ウェーハ架台１０６０
にに掛けられるバイアス電力は、１．８ＭＨｚで、１４
００ワット、コイルアンテナ１０４０に掛けられる電源
は、２ＭＨｚで、３０００ワットであった一方で、半導
体の覆い１０３０の温度は、摂氏２００°で保たれた。
この実施例を実行するに当たって、コイルアンテナ１０
４０の形態の誘導アンテナが使用されたが、他の形態の
アンテナのタイプを使用することができる。
【０１０６】前記で説明されているとおり、ウェーハ架
台１０６０のところのプラズマの漏洩は、カラー１０５
０、高いアスペクト比の開口部／あるいは曲がりくねっ
た通路あるいはその双方を設けることで予防される。ま
た、前記で述べられているとおり、切込みバルブ１０７
５は、同じ目的のための高いアスペクト比の開口部であ
る。このような高いアスペクト比の開口部は、言うまで
もなくプラズマイオンの漏洩をブロックする、カラー１
０５０により重ねられている側壁と架台の間の間隙のみ
ならず、プロセスガス噴射オリフィスのような同時に他
のタイプの通路を備えるが、しかし切込みバルブ１０７
５は、半導体ウェーハ１０６５を納めるのに十分な長さ
が必要であり、従って、該バルブを通過するプラズマイ
オンの漏洩の影響を受け易い。切込みバルブ１０７５の
ような大きな開口部を通過する加工領域１０３５からの
漏洩を防止するために、選択肢としての本発明の特徴
は、切込みバルブの開口部を横断する磁束線を確立する
ための切込みバルブ１０７５の反対側の境界にあるマグ
ネットリング２１３０、２１３５のようなプラズマ閉じ
込めマグネットを備える。切込みバルブ１０７５に接近
したプラズマイオン、電子あるいは帯電した微粒子は、
直ちに磁束線に当然の加速と該線に当然の速度を強いら
れるので、該プラズマイオン等は、切込みバルブ１０７
５を経由する通路から逸らされて、その代わりに、吸い
込み環１０７０に到達する前の再結合により除去される
ように、切込みバルブの側壁に衝撃を与える。これによ
りマグネット２１３０と２１３５の磁束線の密度、イオ
ンと微粒子の帯電、これ等のマスと速度次第で、切込み
バルブ１０７５をを経由するイオンの通過の確立を減ら
す。複数のマグネットを使用することは、開口部を横断
する磁束を最大限とする一方で、チャンバへ浸透してウ
ェーハ１０６５に向かう磁束を最小限度に抑えるという
利点を有している。できれば、マグネット２１３０、２
１３５は、プラズマのイオンにより強い影響を与えるの
に十分に強いことが好ましい。例えば、マグネットは、
プラズマの中の電子のエネルギー、プラズマイオンエネ
ルギープラズマリアクタチャンバの圧力と他のプラズマ
加工パラメータ次第で、開口部を横断する約５０ガウス
あるいはそれ以上の磁束密度を作り出さなければならな
い。例えば、開口部を横断する１００ガウスと２００ガ
ウスの間の磁束密度は、マグネットから２ｃｍ離れたと
ころで、５ ｍＴと１００ ｍＴの幅のリアクタチャン
バ圧力、１ｃｃ当りの１と５ｘ１０11の電子の間の幅の
電子の密度上で、イオンの飽和電流を７５％減らした。
マグネットは、できれば、摂氏１００°あるいは少なく
とも該マグネットのキューリー温度以下にに冷却され、
また、例えば、耐久力のある材料（硝化シリコンのよう
な）のカプセルに入れることでによりプラズマイオンか
ら絶縁されることが好ましい。代案としてのマグネット
２１３０、２１３５の配設は、この明細書の中で次のよ
うに説明される。
台１０６０のところのプラズマの漏洩は、カラー１０５
０、高いアスペクト比の開口部／あるいは曲がりくねっ
た通路あるいはその双方を設けることで予防される。ま
た、前記で述べられているとおり、切込みバルブ１０７
５は、同じ目的のための高いアスペクト比の開口部であ
る。このような高いアスペクト比の開口部は、言うまで
もなくプラズマイオンの漏洩をブロックする、カラー１
０５０により重ねられている側壁と架台の間の間隙のみ
ならず、プロセスガス噴射オリフィスのような同時に他
のタイプの通路を備えるが、しかし切込みバルブ１０７
５は、半導体ウェーハ１０６５を納めるのに十分な長さ
が必要であり、従って、該バルブを通過するプラズマイ
オンの漏洩の影響を受け易い。切込みバルブ１０７５の
ような大きな開口部を通過する加工領域１０３５からの
漏洩を防止するために、選択肢としての本発明の特徴
は、切込みバルブの開口部を横断する磁束線を確立する
ための切込みバルブ１０７５の反対側の境界にあるマグ
ネットリング２１３０、２１３５のようなプラズマ閉じ
込めマグネットを備える。切込みバルブ１０７５に接近
したプラズマイオン、電子あるいは帯電した微粒子は、
直ちに磁束線に当然の加速と該線に当然の速度を強いら
れるので、該プラズマイオン等は、切込みバルブ１０７
５を経由する通路から逸らされて、その代わりに、吸い
込み環１０７０に到達する前の再結合により除去される
ように、切込みバルブの側壁に衝撃を与える。これによ
りマグネット２１３０と２１３５の磁束線の密度、イオ
ンと微粒子の帯電、これ等のマスと速度次第で、切込み
バルブ１０７５をを経由するイオンの通過の確立を減ら
す。複数のマグネットを使用することは、開口部を横断
する磁束を最大限とする一方で、チャンバへ浸透してウ
ェーハ１０６５に向かう磁束を最小限度に抑えるという
利点を有している。できれば、マグネット２１３０、２
１３５は、プラズマのイオンにより強い影響を与えるの
に十分に強いことが好ましい。例えば、マグネットは、
プラズマの中の電子のエネルギー、プラズマイオンエネ
ルギープラズマリアクタチャンバの圧力と他のプラズマ
加工パラメータ次第で、開口部を横断する約５０ガウス
あるいはそれ以上の磁束密度を作り出さなければならな
い。例えば、開口部を横断する１００ガウスと２００ガ
ウスの間の磁束密度は、マグネットから２ｃｍ離れたと
ころで、５ ｍＴと１００ ｍＴの幅のリアクタチャン
バ圧力、１ｃｃ当りの１と５ｘ１０11の電子の間の幅の
電子の密度上で、イオンの飽和電流を７５％減らした。
マグネットは、できれば、摂氏１００°あるいは少なく
とも該マグネットのキューリー温度以下にに冷却され、
また、例えば、耐久力のある材料（硝化シリコンのよう
な）のカプセルに入れることでによりプラズマイオンか
ら絶縁されることが好ましい。代案としてのマグネット
２１３０、２１３５の配設は、この明細書の中で次のよ
うに説明される。
【０１０７】マグネット２１３０、２１３５は、切込み
バルブ１０７５を通過する帯電中性重合構成微粒子を含
む帯電中性のラジカルと微粒子を予防しない。従って、
重合体が、吸い込み環１０７０の中に蓄積される可能性
がある。吸い込み環１０７０の中の該重合体を取り込み
制御するために、吸い込み環１０７０の内面の温度は、
切込みバルブ１０７５を経由して逃げる重合体前駆材料
を切込みバルブ１０７５の内面に堆積させるために、重
合濃縮温度の十分以下に維持される。できれば、吸い込
み環１０７０は、アルミニウム、陽極化されたアルミニ
ウムあるいは、熱的に冷却物落込み孔２１５５に結合さ
れた、アルミニウムの上にプラズマでスプレーされたも
ののような取外しできる冷却ライナー２１５０で覆われ
ていることが好ましい。この特徴の利点は、プラズマイ
オンで乱されない切込みバルブ１０７５の冷却ライナー
２１５０の上に蓄積された重合体が、プラズマの加熱に
曝されず、また飛び散らされてチャンバ１０３０の中の
拡散された汚染とならないことである。従って、重合体
を、チャンバの汚染となる危険を生じる前に、大きな厚
みで冷却ライナー２１５０の上に蓄積できる。その結
果、最も大きな利点である、最も長い間隔以外に、冷却
ライナー２１５０を定期的に清掃したり、交換するする
必要がない。重合体の堆積速度が、吸い込み環の表面に
中に蓄積された重合体を、チャンバの中で加工される３
０，０００から４０，０００枚のウェーハ毎より頻繁に
取り除く必要がない程低いので、冷却ライナー２１５０
を必要としないことがある。
バルブ１０７５を通過する帯電中性重合構成微粒子を含
む帯電中性のラジカルと微粒子を予防しない。従って、
重合体が、吸い込み環１０７０の中に蓄積される可能性
がある。吸い込み環１０７０の中の該重合体を取り込み
制御するために、吸い込み環１０７０の内面の温度は、
切込みバルブ１０７５を経由して逃げる重合体前駆材料
を切込みバルブ１０７５の内面に堆積させるために、重
合濃縮温度の十分以下に維持される。できれば、吸い込
み環１０７０は、アルミニウム、陽極化されたアルミニ
ウムあるいは、熱的に冷却物落込み孔２１５５に結合さ
れた、アルミニウムの上にプラズマでスプレーされたも
ののような取外しできる冷却ライナー２１５０で覆われ
ていることが好ましい。この特徴の利点は、プラズマイ
オンで乱されない切込みバルブ１０７５の冷却ライナー
２１５０の上に蓄積された重合体が、プラズマの加熱に
曝されず、また飛び散らされてチャンバ１０３０の中の
拡散された汚染とならないことである。従って、重合体
を、チャンバの汚染となる危険を生じる前に、大きな厚
みで冷却ライナー２１５０の上に蓄積できる。その結
果、最も大きな利点である、最も長い間隔以外に、冷却
ライナー２１５０を定期的に清掃したり、交換するする
必要がない。重合体の堆積速度が、吸い込み環の表面に
中に蓄積された重合体を、チャンバの中で加工される３
０，０００から４０，０００枚のウェーハ毎より頻繁に
取り除く必要がない程低いので、冷却ライナー２１５０
を必要としないことがある。
【０１０８】カラー１０５０の表面上の重合体の蓄積を
予防するために、カラー１０５０を、熱的にカラー１０
５０に結合されている加熱落し穴２１７０と冷却落し穴
２１７５を備える、従来の温度制御システムで重合体凝
結温度より十分高い選択された温度で保持する。
予防するために、カラー１０５０を、熱的にカラー１０
５０に結合されている加熱落し穴２１７０と冷却落し穴
２１７５を備える、従来の温度制御システムで重合体凝
結温度より十分高い選択された温度で保持する。
【０１０９】本発明のもう一つの特徴に従って、天井１
０２０の中心と縁の部分にそれぞれある中心と縁のガス
の噴射孔２２００、２２１０は、独立したガス供給装置
２２２０(GAS)、２２２５(GAS)からプラズマ前駆物質ガ
スを受け入れる。この特徴で、ウェーハの中心とウェー
ハの周辺にあるガスの流量とガスの混合を、ウェーハの
中止から縁の加工の不均一性を正確に補正するために別
個に調整することができる。従って、例えば、ガス供給
装置２２２０は、一つの流量で一つのプラズマ前駆物質
ガスの混合をウェーハの中心の上に供給することができ
る一方で、ガス供給装置２２２５は、もう一つのプラズ
マ前駆物質ガス混合をもう一つの流量でウェーハの周辺
の上に供給することができる。図面が、ウェーハの中心
の上で単独のガス流入口２２００に結合されているガス
供給装置２２２０を示している一方で、ウェーハの中心
の上のガスの流量を制御するために、ウェーハの中心に
重なっている多重ガス流入口あるいはシャワー噴射口の
形状を使用することができる。図面が、側壁あるいはス
カート１０１０を経由してウェーハの縁に向けて放射方
向に伸びているガス流入口２２１０結合されているガス
供給装置２２２５を示している一方で、ガス供給装置２
２２５を、代わりに、ウェーハの縁の上のガスの流れを
制御するために、ウェーハの縁にあるいは下に向けて天
井１０２０を経由してか、あるいは下向きにカラー１０
５０を経由して伸びているガス流入口に結合することが
できる。
０２０の中心と縁の部分にそれぞれある中心と縁のガス
の噴射孔２２００、２２１０は、独立したガス供給装置
２２２０(GAS)、２２２５(GAS)からプラズマ前駆物質ガ
スを受け入れる。この特徴で、ウェーハの中心とウェー
ハの周辺にあるガスの流量とガスの混合を、ウェーハの
中止から縁の加工の不均一性を正確に補正するために別
個に調整することができる。従って、例えば、ガス供給
装置２２２０は、一つの流量で一つのプラズマ前駆物質
ガスの混合をウェーハの中心の上に供給することができ
る一方で、ガス供給装置２２２５は、もう一つのプラズ
マ前駆物質ガス混合をもう一つの流量でウェーハの周辺
の上に供給することができる。図面が、ウェーハの中心
の上で単独のガス流入口２２００に結合されているガス
供給装置２２２０を示している一方で、ウェーハの中心
の上のガスの流量を制御するために、ウェーハの中心に
重なっている多重ガス流入口あるいはシャワー噴射口の
形状を使用することができる。図面が、側壁あるいはス
カート１０１０を経由してウェーハの縁に向けて放射方
向に伸びているガス流入口２２１０結合されているガス
供給装置２２２５を示している一方で、ガス供給装置２
２２５を、代わりに、ウェーハの縁の上のガスの流れを
制御するために、ウェーハの縁にあるいは下に向けて天
井１０２０を経由してか、あるいは下向きにカラー１０
５０を経由して伸びているガス流入口に結合することが
できる。
【０１１０】プラズマ源ＲＦ電力は、端子２３１０、２
３２０を横断してコイル誘導装置１０４０に掛けられ
る。バイアスＲＦ電力は、架台端子２３３０を経由して
ウェーハ架台１０６０に掛けられる。ＲＦ電力あるいは
地絡電位は、端子２３４０を経由して半導体の覆い電極
１０３０（ディスク天井１０２０と筒状スカート１０１
０を含む）に掛けられる。半導体ウィンドウ覆い１０３
０、誘導コイル１０４０とウェーハ架台１０６０に対し
て、別個のＲＦ電力供給装置を設けるか、あるいはＲＦ
電力を該半導体ウィンドウ覆い、誘導コイルとウェーハ
架台に分離するための種々の方法が本明細書の中で前記
で開示されているが（例えば図１、５、１９あるいは２
３で示されているとおり）、何れの一つも図４８Ａの実
施例に適用できる。更に、種々の誘導コイルの外形が本
明細書の中で開示されているが（図３０Ａ、３０Ｂ、３
０Ｃ、３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ、３２、３３あるいは３
４で示されているとおり）、何れの一つも図４８Ａの実
施例の実行に当たって、使用できる。
３２０を横断してコイル誘導装置１０４０に掛けられ
る。バイアスＲＦ電力は、架台端子２３３０を経由して
ウェーハ架台１０６０に掛けられる。ＲＦ電力あるいは
地絡電位は、端子２３４０を経由して半導体の覆い電極
１０３０（ディスク天井１０２０と筒状スカート１０１
０を含む）に掛けられる。半導体ウィンドウ覆い１０３
０、誘導コイル１０４０とウェーハ架台１０６０に対し
て、別個のＲＦ電力供給装置を設けるか、あるいはＲＦ
電力を該半導体ウィンドウ覆い、誘導コイルとウェーハ
架台に分離するための種々の方法が本明細書の中で前記
で開示されているが（例えば図１、５、１９あるいは２
３で示されているとおり）、何れの一つも図４８Ａの実
施例に適用できる。更に、種々の誘導コイルの外形が本
明細書の中で開示されているが（図３０Ａ、３０Ｂ、３
０Ｃ、３１Ａ、３１Ｂ、３１Ｃ、３２、３３あるいは３
４で示されているとおり）、何れの一つも図４８Ａの実
施例の実行に当たって、使用できる。
【０１１１】従って、図４８Ａの実施例は、独立した３
個の電極を有している、即ち： （ａ）ウェーハ架台１６０ （ｂ）半導体天井１０２０ （ｃ）半導体スカート１０１０ である。これ等３個の“電極”の各々の何れの一つも、
他の２個以外は、特定の“電極”とプラズマの間の希望
する相互作用次第で、有効領域の中でより大きくもより
小さくもできる。他の２個に対する３個の“電極”の有
効領域の中のこのような増大と縮小により、一つの電極
に於けるプラズマイオンの束とエネルギーは、他の電極
に比例して割り当てられる。具体的には、他の電極と比
例した一つの電極の有効領域の縮小は、一つの電極に於
けるプラズマイオン束とエネルギーを増大させる。これ
は、一つの電極とプラズマの間の相互作用を制御するた
めのもう一つの方法を提供し、例えば、希望するプラズ
マの相互作用を達成するのに当たって、ＲＦバイアス電
力の必要条件あるいは温度の必要条件を軽減させるのに
利用できる。電極プラズマ間の相互作用の望ましい例の
一つとして、本発明の一つの形態の中で、できれば、二
個の半導体電極（即ち、スカート１０１０と天井１０２
０）を含む半導体覆いの内面への物質の堆積を予防する
ことが好ましい。このようにして半導体電極を、堆積さ
れた汚染物質（例えば重合前駆物質）がないように清潔
に保つことで、プラズマ工程の化学変化に継続的に有利
に参加できるようにするために、電極を同時に裸のまま
にしながら、堆積された物質の剥がれ落ちによるウェー
ハの汚染が予防される。例えば、電極をシリコンを含ん
だ材料とすることができ、またフッ素を含んだプロセス
ガスを使用して、プラズマ工程を酸化シリコンエッチン
グ工程とすることができるが、該工程の場合、電極はフ
ッ素を除去するために、プラズマに飛び込むシリコン材
を作り出す。何れの場合でも、一つの“電極”に於ける
次の三つのパラメータの何れか一つ、あるいはそれ以
上、あるいは全てを調整することで、ＲＦバイアス電力
の軽減の必要条件あるいは電極温度の必要条件を満たす
ことができる。
個の電極を有している、即ち： （ａ）ウェーハ架台１６０ （ｂ）半導体天井１０２０ （ｃ）半導体スカート１０１０ である。これ等３個の“電極”の各々の何れの一つも、
他の２個以外は、特定の“電極”とプラズマの間の希望
する相互作用次第で、有効領域の中でより大きくもより
小さくもできる。他の２個に対する３個の“電極”の有
効領域の中のこのような増大と縮小により、一つの電極
に於けるプラズマイオンの束とエネルギーは、他の電極
に比例して割り当てられる。具体的には、他の電極と比
例した一つの電極の有効領域の縮小は、一つの電極に於
けるプラズマイオン束とエネルギーを増大させる。これ
は、一つの電極とプラズマの間の相互作用を制御するた
めのもう一つの方法を提供し、例えば、希望するプラズ
マの相互作用を達成するのに当たって、ＲＦバイアス電
力の必要条件あるいは温度の必要条件を軽減させるのに
利用できる。電極プラズマ間の相互作用の望ましい例の
一つとして、本発明の一つの形態の中で、できれば、二
個の半導体電極（即ち、スカート１０１０と天井１０２
０）を含む半導体覆いの内面への物質の堆積を予防する
ことが好ましい。このようにして半導体電極を、堆積さ
れた汚染物質（例えば重合前駆物質）がないように清潔
に保つことで、プラズマ工程の化学変化に継続的に有利
に参加できるようにするために、電極を同時に裸のまま
にしながら、堆積された物質の剥がれ落ちによるウェー
ハの汚染が予防される。例えば、電極をシリコンを含ん
だ材料とすることができ、またフッ素を含んだプロセス
ガスを使用して、プラズマ工程を酸化シリコンエッチン
グ工程とすることができるが、該工程の場合、電極はフ
ッ素を除去するために、プラズマに飛び込むシリコン材
を作り出す。何れの場合でも、一つの“電極”に於ける
次の三つのパラメータの何れか一つ、あるいはそれ以
上、あるいは全てを調整することで、ＲＦバイアス電力
の軽減の必要条件あるいは電極温度の必要条件を満たす
ことができる。
【０１１２】（ａ）一つの電極に掛けられたＲＦバイア
ス電力； （ｂ）一つの電極の温度； （ｃ）一つの電極の、他の電極の有効面積と比較した有
効面積である。
ス電力； （ｂ）一つの電極の温度； （ｃ）一つの電極の、他の電極の有効面積と比較した有
効面積である。
【０１１３】従って、電極の一つの温度を最小限度に抑
え、また一つの電極に掛けられるＲＦバイアス電力を最
小限度に抑えるが、一方で電極の上に材料の堆積（重合
前駆物質のような）を防ぐことが望ましい場合は、減ら
された電極温度と電極ＲＦバイアス電力を補正するため
に、一つの電極に於けるプラズマイオン束とエネルギー
を増やすために、電極の有効面積を減らすことができ
る。この方法で、電極面積の選択は、電極とプラズマの
間の希望する相互作用を達成するに当たって、ＲＦバイ
アス電極と温度必要条件を軽減させることができる。
え、また一つの電極に掛けられるＲＦバイアス電力を最
小限度に抑えるが、一方で電極の上に材料の堆積（重合
前駆物質のような）を防ぐことが望ましい場合は、減ら
された電極温度と電極ＲＦバイアス電力を補正するため
に、一つの電極に於けるプラズマイオン束とエネルギー
を増やすために、電極の有効面積を減らすことができ
る。この方法で、電極面積の選択は、電極とプラズマの
間の希望する相互作用を達成するに当たって、ＲＦバイ
アス電極と温度必要条件を軽減させることができる。
【０１１４】図４８Ａの実施例の中で、コイル誘導装置
１０４０を、電気的に別個の内側と外側のコイル誘導装
置に分けることができる。例えば、該内側と外側の誘導
装置は、内側の外側のコイル誘導装置２４１０と２４２
０として図５２の中で示されている。半導体ウィンドウ
覆いと組み合わせて該内側と外側のコイル誘導装置を個
別に駆動する種々の方法は、本明細書の中で開示されて
おり（図６、１６の中に例として示されているとお
り）、該方法の何れの一つも、図４８Ａの実施例を実行
するに当たって、使用することができる。ウェーハ−天
井の距離が狭い特別の場合には、外側のアンテナコイル
２４２０を個別に制御する一つの利点は、ウェーハ−天
井の距離が短いためにウェーハの周辺のプラズマ密度よ
り低いウェーハの中央の上のプラズマの密度が、内側コ
イル誘導装置２４１０にかけられるのに比例して外側コ
イル誘導装置２４２０に掛けられるＲＦ源電力を減らす
ことで、ウェーハ周辺に於ける密度と比較して高められ
ることである。
１０４０を、電気的に別個の内側と外側のコイル誘導装
置に分けることができる。例えば、該内側と外側の誘導
装置は、内側の外側のコイル誘導装置２４１０と２４２
０として図５２の中で示されている。半導体ウィンドウ
覆いと組み合わせて該内側と外側のコイル誘導装置を個
別に駆動する種々の方法は、本明細書の中で開示されて
おり（図６、１６の中に例として示されているとお
り）、該方法の何れの一つも、図４８Ａの実施例を実行
するに当たって、使用することができる。ウェーハ−天
井の距離が狭い特別の場合には、外側のアンテナコイル
２４２０を個別に制御する一つの利点は、ウェーハ−天
井の距離が短いためにウェーハの周辺のプラズマ密度よ
り低いウェーハの中央の上のプラズマの密度が、内側コ
イル誘導装置２４１０にかけられるのに比例して外側コ
イル誘導装置２４２０に掛けられるＲＦ源電力を減らす
ことで、ウェーハ周辺に於ける密度と比較して高められ
ることである。
【０１１５】図４８Ａの実施例が、加工領域１０３５を
吸い込み環１０７０まで横方向に排気しているに対し、
図４８Ｂの実施例は、下向きに筒状のスカート１０１０
の軸上で並行してポンプ１０８０(PUMP)まで排気してい
る。選択肢としてのマグネットリング２１３０ａ、２１
３５ａは、加工領域１０３５から吸い込み環までのプラ
ズマの漏洩をブロックしている。図４８Ａの実施例の中
で、更にプラズマの漏洩をブロックするために、開口部
１０７５は、比較的高いアスペクト比を有しているの
で、漏洩プラズマイオンあるいは電子は、開口部を完全
に通過する前に、開口部１０７５の内面で衝突してか
ら、吸収され易い。プラズマの漏洩を減らすもう一つの
特徴は、開口部１０５１を経由する、カラー１０５０と
スカート１０１０の底の間に曲がりくねった通路であ
る。図に示されているとおり、カラー１０５０とスカー
ト１０１０は、形状が一致している、該カラーとスカー
トの間を通過する全てのプラズマを制約する、重なった
邪魔板の方法で重なった段を有しており、間隙１０５１
を経由して曲がりくねった通路に続くようになっている
ので、プラズマの該カラーとスカートの表面との衝突の
発生を増やしている。
吸い込み環１０７０まで横方向に排気しているに対し、
図４８Ｂの実施例は、下向きに筒状のスカート１０１０
の軸上で並行してポンプ１０８０(PUMP)まで排気してい
る。選択肢としてのマグネットリング２１３０ａ、２１
３５ａは、加工領域１０３５から吸い込み環までのプラ
ズマの漏洩をブロックしている。図４８Ａの実施例の中
で、更にプラズマの漏洩をブロックするために、開口部
１０７５は、比較的高いアスペクト比を有しているの
で、漏洩プラズマイオンあるいは電子は、開口部を完全
に通過する前に、開口部１０７５の内面で衝突してか
ら、吸収され易い。プラズマの漏洩を減らすもう一つの
特徴は、開口部１０５１を経由する、カラー１０５０と
スカート１０１０の底の間に曲がりくねった通路であ
る。図に示されているとおり、カラー１０５０とスカー
ト１０１０は、形状が一致している、該カラーとスカー
トの間を通過する全てのプラズマを制約する、重なった
邪魔板の方法で重なった段を有しており、間隙１０５１
を経由して曲がりくねった通路に続くようになっている
ので、プラズマの該カラーとスカートの表面との衝突の
発生を増やしている。
【０１１６】図４８Ａの中で、筒状スカート１０１０
は、ディスク型天井１０２０から電気的に分離されてお
り、該スカートと天井は、端子２３４０と２３４０ａを
経由して独立したＲＦ電源にそれぞれ接続できる。これ
により、ウェーハ周辺の付近のプラズマ条件を、ウェー
ハの中央付近のプラズマ条件に影響を与え易いディスク
型天井１０２０の端子２３４０に掛けられるＲＦ電位か
ら独立している筒状スカート１０１０上の端子２３４０
ａに掛けられる別個のＲＦ電位で制御することができ
る。半導体ウィンドウ覆いの二つの電気的に別個の部分
の上のＲＦ電位を制御する各種の方法は、前記明細書の
中で開示されている（例えば、図４２、４６、１０、１
１あるいは１２の中で示されているとおり）が、これ等
の何れも、図４８Ａの実施例の実行に当たって、使用す
ることができる。
は、ディスク型天井１０２０から電気的に分離されてお
り、該スカートと天井は、端子２３４０と２３４０ａを
経由して独立したＲＦ電源にそれぞれ接続できる。これ
により、ウェーハ周辺の付近のプラズマ条件を、ウェー
ハの中央付近のプラズマ条件に影響を与え易いディスク
型天井１０２０の端子２３４０に掛けられるＲＦ電位か
ら独立している筒状スカート１０１０上の端子２３４０
ａに掛けられる別個のＲＦ電位で制御することができ
る。半導体ウィンドウ覆いの二つの電気的に別個の部分
の上のＲＦ電位を制御する各種の方法は、前記明細書の
中で開示されている（例えば、図４２、４６、１０、１
１あるいは１２の中で示されているとおり）が、これ等
の何れも、図４８Ａの実施例の実行に当たって、使用す
ることができる。
【０１１７】スカート１０１０、天井１０２０とウェー
ハ架台１０６０は、独立した電極として使用することが
できるので、これ等の何れか一つは、他のものに対して
電気的に地絡させることができるが、地絡されていない
ものは、同じかあるいは別個の電源で駆動させることが
できる。例えば、図４８Ｃに示されているとおり、周波
数ｆ1の一番目の電源３０１０は、半導体天井電極１０
２０に結合される一方で、フィルター３０２０(f2 PAS
S)と３０３０(f3 PASS)は、周波数ｆ2とｆ3で、インピ
ーダンス回路３０３５(RF MATCH)に戻るＲＦ電力の結合
を防止する。周波数ｆ２の二番目のＲＦ電源３０４０
は、半導体天井スカート１０１０に結合される一方で、
フィルター３０５０(f1 PASS)と３０６０(f3 PASS)は、
周波数ｆ1とｆ3で、インピーダンス回路３０６５(RF MA
TCH)に戻るＲＦ電力の結合を防止する。周波数ｆ３の三
番目のＲＦ電源３０７０は、ウェーハ架台１０６０に結
合される一方で、フィルター３０８０(f1 PASS)と３０
９０(f2 PASS)は、周波数ｆ1とｆ2で、インピーダンス
回路３０９５(RF MATCH)に戻るＲＦ電力の結合を防止す
る。図４８Ｃの実施例を、三つの要素１０２０、１０１
０あるいは１０６０の何れか一つを地絡させることで希
望通りに変形することができる。
ハ架台１０６０は、独立した電極として使用することが
できるので、これ等の何れか一つは、他のものに対して
電気的に地絡させることができるが、地絡されていない
ものは、同じかあるいは別個の電源で駆動させることが
できる。例えば、図４８Ｃに示されているとおり、周波
数ｆ1の一番目の電源３０１０は、半導体天井電極１０
２０に結合される一方で、フィルター３０２０(f2 PAS
S)と３０３０(f3 PASS)は、周波数ｆ2とｆ3で、インピ
ーダンス回路３０３５(RF MATCH)に戻るＲＦ電力の結合
を防止する。周波数ｆ２の二番目のＲＦ電源３０４０
は、半導体天井スカート１０１０に結合される一方で、
フィルター３０５０(f1 PASS)と３０６０(f3 PASS)は、
周波数ｆ1とｆ3で、インピーダンス回路３０６５(RF MA
TCH)に戻るＲＦ電力の結合を防止する。周波数ｆ３の三
番目のＲＦ電源３０７０は、ウェーハ架台１０６０に結
合される一方で、フィルター３０８０(f1 PASS)と３０
９０(f2 PASS)は、周波数ｆ1とｆ2で、インピーダンス
回路３０９５(RF MATCH)に戻るＲＦ電力の結合を防止す
る。図４８Ｃの実施例を、三つの要素１０２０、１０１
０あるいは１０６０の何れか一つを地絡させることで希
望通りに変形することができる。
【０１１８】半導体覆い１０３０を、二つの別個のシリ
コン部品１０１０と１０２０として形成させることで、
更に製造を容易にするという利点を提供することができ
るので、そのようにすることが好ましい。
コン部品１０１０と１０２０として形成させることで、
更に製造を容易にするという利点を提供することができ
るので、そのようにすることが好ましい。
【０１１９】図４９は、スカート１０１０と天井１０２
０が電気的に互いに絶縁されておらず、またむしろ単独
の一体化されたモノリシックシリコン部品として形成さ
れていることを除き、図４８Ａに関連する実施例を示し
ている。
０が電気的に互いに絶縁されておらず、またむしろ単独
の一体化されたモノリシックシリコン部品として形成さ
れていることを除き、図４８Ａに関連する実施例を示し
ている。
【０１２０】図５０は、ディスク型半導体天井１０２０
が、どのようにして内側の中心のディスク部分１０２０
Ａと、また筒状スカート１０１０が周辺の環状部分１０
２０ｂから下向きに伸びている、該環状部分に分けられ
ることができるかの方法を示している。図４９の実施例
のとおり、別個の端子２３４０と２３４０ａにそれぞれ
掛けられる別個のＲＦバイアス信号により、ウェーハの
中心と縁に於けるプラズマ条件を、独立して制御するこ
とができるようになっている。前記で開示された、図４
８Ａに関連して引用されている半導体ウィンドウ覆い１
０３０の個別の部分を制御するための種々の方法の何れ
の一つも、図５０の実施例の実行に当たって、使用する
ことができる。
が、どのようにして内側の中心のディスク部分１０２０
Ａと、また筒状スカート１０１０が周辺の環状部分１０
２０ｂから下向きに伸びている、該環状部分に分けられ
ることができるかの方法を示している。図４９の実施例
のとおり、別個の端子２３４０と２３４０ａにそれぞれ
掛けられる別個のＲＦバイアス信号により、ウェーハの
中心と縁に於けるプラズマ条件を、独立して制御するこ
とができるようになっている。前記で開示された、図４
８Ａに関連して引用されている半導体ウィンドウ覆い１
０３０の個別の部分を制御するための種々の方法の何れ
の一つも、図５０の実施例の実行に当たって、使用する
ことができる。
【０１２１】図５１は、半導体ウィンドウ覆い１０３０
を、どのようにして、（１）天井１０２０の内側のディ
スク部分１０２０ａ、（２）天井１０２０と（３）外側
の環状部分１０２０ｂから分離されているスカート１０
１０を備える、三つの電気的に別個の部分に分けられる
かの方法を示している。三つの別個のＲＦ信号は、内側
ディスク部分１０２０ａに対する端子２３４０を経由し
て、スカート１０１０に対する端子２３４０ａを経由し
て、また外側の環状部分１０２０ｂに対する端子２３４
０Ｂを経由して、三つの部分に掛けることができる。
を、どのようにして、（１）天井１０２０の内側のディ
スク部分１０２０ａ、（２）天井１０２０と（３）外側
の環状部分１０２０ｂから分離されているスカート１０
１０を備える、三つの電気的に別個の部分に分けられる
かの方法を示している。三つの別個のＲＦ信号は、内側
ディスク部分１０２０ａに対する端子２３４０を経由し
て、スカート１０１０に対する端子２３４０ａを経由し
て、また外側の環状部分１０２０ｂに対する端子２３４
０Ｂを経由して、三つの部分に掛けることができる。
【０１２２】図５２は、図５０の実施例を、ウェーハの
中心とウェーハの縁に対するプラズマ条件の独立した制
御のために、どのようにして独立した内側と外側の誘導
コイル２４１０、２４２０と組み合わせるかの方法を示
している。それぞれ内側と外側の誘導コイル２４１０、
２４２０に対する端子２４３０、２４３５と２４３５と
２４４５を、別個のＲＦ電力供給装置によるか、あるい
はＲＦ電力を共通の電源から分離することによりり駆動
させることができるようになっている。別個に駆動され
ている半導体ウィンドウの覆い１０３０の部分と組み合
わせて、該内側と外側の誘導コイル２４１０、２４２０
に電力を供給する種々の方法は、前記でこの明細書の中
で開示されているが（例えば、図４２、４３あるいは４
６に示されているとおり）、図５３の実施例の実行に当
たって、その何れの一つも使用することができる。
中心とウェーハの縁に対するプラズマ条件の独立した制
御のために、どのようにして独立した内側と外側の誘導
コイル２４１０、２４２０と組み合わせるかの方法を示
している。それぞれ内側と外側の誘導コイル２４１０、
２４２０に対する端子２４３０、２４３５と２４３５と
２４４５を、別個のＲＦ電力供給装置によるか、あるい
はＲＦ電力を共通の電源から分離することによりり駆動
させることができるようになっている。別個に駆動され
ている半導体ウィンドウの覆い１０３０の部分と組み合
わせて、該内側と外側の誘導コイル２４１０、２４２０
に電力を供給する種々の方法は、前記でこの明細書の中
で開示されているが（例えば、図４２、４３あるいは４
６に示されているとおり）、図５３の実施例の実行に当
たって、その何れの一つも使用することができる。
【０１２３】図５３は、どのようにして図５１の実施例
を別個の内側と外側のコイル誘導装置２４１０、２４２
０と組み合わせることができるかの方法を示している。
を別個の内側と外側のコイル誘導装置２４１０、２４２
０と組み合わせることができるかの方法を示している。
【０１２４】図５４は、図４８Ａの実施例をどのように
して、図１０の実施例と似た方法で、半導体スカート１
０１０の回りに巻かれている筒状側面コイル２６１０と
組み合わせることができるかの方法を示している。プラ
ズマＲＦ源電力は、端子２６２０、２６３０を経由して
側面コイル２６１０に掛けられる。できれば、頂上のコ
イル１０４０と側面コイル２６１０が、プラズマの中の
ＲＦ磁場の表皮の深さの少なくとも約二倍に等しい距離
で分離されていることが好ましい。
して、図１０の実施例と似た方法で、半導体スカート１
０１０の回りに巻かれている筒状側面コイル２６１０と
組み合わせることができるかの方法を示している。プラ
ズマＲＦ源電力は、端子２６２０、２６３０を経由して
側面コイル２６１０に掛けられる。できれば、頂上のコ
イル１０４０と側面コイル２６１０が、プラズマの中の
ＲＦ磁場の表皮の深さの少なくとも約二倍に等しい距離
で分離されていることが好ましい。
【０１２５】選択肢として、図７、８と９と同類の、側
面コイル２６１０を選んで、天井１０２０の上に横たわ
っているコイル誘導装置１０４０を省くことができる。
このような場合、筒状の半導体ウィンドウの覆い１０３
０を提供する半導体材としてのスカート１０１０のみが
必要である一方で、天井１０２０を絶縁体（例えば、窒
化シリコンのような）とすることができる。別個にＲＦ
電力を、筒状の半導体ウィンドウ覆い、側面コイルとウ
ェーハ架台に掛けるための、図７、８あるいは９の技術
の何れの一つも、図５４の実施例の実行に当たって、使
用することができる。
面コイル２６１０を選んで、天井１０２０の上に横たわ
っているコイル誘導装置１０４０を省くことができる。
このような場合、筒状の半導体ウィンドウの覆い１０３
０を提供する半導体材としてのスカート１０１０のみが
必要である一方で、天井１０２０を絶縁体（例えば、窒
化シリコンのような）とすることができる。別個にＲＦ
電力を、筒状の半導体ウィンドウ覆い、側面コイルとウ
ェーハ架台に掛けるための、図７、８あるいは９の技術
の何れの一つも、図５４の実施例の実行に当たって、使
用することができる。
【０１２６】図５５は、半導体ウィンドウ覆い１０３０
が、天井１０２０とスカート１０１０に分かれている図
４８Ａの実施例を、どのようにしてスカート１０１０の
回りに巻かれている筒状側面コイル２６１０と組み合わ
せることができるかの方法を示している。図１０、１１
及び１２の中に示されているＲＦ電力を別個の天井部分
と頂上と側面コイル誘導装置に掛けることの何れの一つ
も、図５５の実施例を実行するに当たって使用すること
ができる。
が、天井１０２０とスカート１０１０に分かれている図
４８Ａの実施例を、どのようにしてスカート１０１０の
回りに巻かれている筒状側面コイル２６１０と組み合わ
せることができるかの方法を示している。図１０、１１
及び１２の中に示されているＲＦ電力を別個の天井部分
と頂上と側面コイル誘導装置に掛けることの何れの一つ
も、図５５の実施例を実行するに当たって使用すること
ができる。
【０１２７】図５６は、半導体ウィンドウ覆い１０３０
が内側のディスク部分１０２０ａとスカート１０１０を
有する外側の環状部分１０２０ａに分かれている図５０
の実施例を、どのようにしてスカート１０１０の回りに
巻かれている側面コイル２６１０と組み合わせることが
できるかの方法を示している。図１０、１１と１２の中
に示されているＲＦ電力を別個の天井部分と頂上と側面
コイル誘導装置に掛けることの何れの一つも、図５６の
実施例を実行するに当たって使用することができる。
が内側のディスク部分１０２０ａとスカート１０１０を
有する外側の環状部分１０２０ａに分かれている図５０
の実施例を、どのようにしてスカート１０１０の回りに
巻かれている側面コイル２６１０と組み合わせることが
できるかの方法を示している。図１０、１１と１２の中
に示されているＲＦ電力を別個の天井部分と頂上と側面
コイル誘導装置に掛けることの何れの一つも、図５６の
実施例を実行するに当たって使用することができる。
【０１２８】図５７は、半導体ウィンドウ覆い１０３０
が内側のディスク部分１０２０ａ、外側の環状部分１０
２０ｂとスカート１０１０に分かれている図５１の実施
例を、どのようにしてスカート１０１０の回りに巻かれ
ている側面コイル２６１０と組み合わせることができる
かの方法を示している。
が内側のディスク部分１０２０ａ、外側の環状部分１０
２０ｂとスカート１０１０に分かれている図５１の実施
例を、どのようにしてスカート１０１０の回りに巻かれ
ている側面コイル２６１０と組み合わせることができる
かの方法を示している。
【０１２９】図５８は、図４８の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型を有するように変形できる
かの方法を示している。できれば、ドーム型は、半径が
縁から中心に向かって増加する多半径ドーム型であるこ
とが好ましい。必ずしもそうでなければならないという
わけではないが、できれば、天井コイル誘導装置１０４
０が、天井１０２０のドーム型と一致しているのが好ま
しい。同様に、図５９は、図４９の実施例の天井１０２
０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を
示している。同様に、図６０は、図５０の実施例の天井
１０２０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの
方法を示している。図６１は、図５１の実施例の天井１
０２０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方
法を示している。図６２は、図５２の実施例の天井１０
２０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法
を示している。図６３は、図５３の実施例の天井１０２
０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を
示している。図６４は、図５４の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を示
している。図６５は、図５５の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を示
している。図６６は、図５６の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を示
している。図６７は、図５７の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を示
している。図６８Ａは、図４８Ａの反対側のマグネット
リング２３１３０、２１３５に関連して前記で引用され
ている磁力閉じ込め特徴の一番目の実施例の断面図を示
している。図６８Ａの中で、マグネットリングは、反対
極が向き合っている端と端が向い合っている極を有す
る。図６８Ｂの中で、反対側のマグネットの一組の極は
両側に反対方向に向いているので、相対する極は並んで
配列されている。図６８Ｃの中で、マグネットの両極
は、２本のマグネットリング２０３０、２０３５の間の
変位方向に対して、対角線上の鋭い角度に沿って向いて
いる。図６８Ｄと６８Ｅは、マグネットの極が、反対の
マグネット極ではなく並んでいることを除いて、図６８
Ｂと６８Ｃにそれぞれ対応する。本発明の実行に当たっ
て、必要不可欠なイオンの、直線通路から切込みバルブ
１０７５あるいは他の大きな開口部を経由する迂回を行
う他の入れるも提供される。
を、どのようにしてドーム型を有するように変形できる
かの方法を示している。できれば、ドーム型は、半径が
縁から中心に向かって増加する多半径ドーム型であるこ
とが好ましい。必ずしもそうでなければならないという
わけではないが、できれば、天井コイル誘導装置１０４
０が、天井１０２０のドーム型と一致しているのが好ま
しい。同様に、図５９は、図４９の実施例の天井１０２
０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を
示している。同様に、図６０は、図５０の実施例の天井
１０２０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの
方法を示している。図６１は、図５１の実施例の天井１
０２０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方
法を示している。図６２は、図５２の実施例の天井１０
２０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法
を示している。図６３は、図５３の実施例の天井１０２
０を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を
示している。図６４は、図５４の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を示
している。図６５は、図５５の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を示
している。図６６は、図５６の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を示
している。図６７は、図５７の実施例の天井１０２０
を、どのようにしてドーム型に変形できるかの方法を示
している。図６８Ａは、図４８Ａの反対側のマグネット
リング２３１３０、２１３５に関連して前記で引用され
ている磁力閉じ込め特徴の一番目の実施例の断面図を示
している。図６８Ａの中で、マグネットリングは、反対
極が向き合っている端と端が向い合っている極を有す
る。図６８Ｂの中で、反対側のマグネットの一組の極は
両側に反対方向に向いているので、相対する極は並んで
配列されている。図６８Ｃの中で、マグネットの両極
は、２本のマグネットリング２０３０、２０３５の間の
変位方向に対して、対角線上の鋭い角度に沿って向いて
いる。図６８Ｄと６８Ｅは、マグネットの極が、反対の
マグネット極ではなく並んでいることを除いて、図６８
Ｂと６８Ｃにそれぞれ対応する。本発明の実行に当たっ
て、必要不可欠なイオンの、直線通路から切込みバルブ
１０７５あるいは他の大きな開口部を経由する迂回を行
う他の入れるも提供される。
【０１３０】図４８Ａ−６８Ｃの実施例が、種々の形の
天井とスカート（即ち、それぞれディスクと筒状あるい
はディスクとドーム）を引用して説明されたが、該天井
とスカートは、半球、多半径ドーム、筒状、円錐、切れ
た円錐等を含む、カーブの回転により形成される同じ形
あるいは異なる形とすることができる。
天井とスカート（即ち、それぞれディスクと筒状あるい
はディスクとドーム）を引用して説明されたが、該天井
とスカートは、半球、多半径ドーム、筒状、円錐、切れ
た円錐等を含む、カーブの回転により形成される同じ形
あるいは異なる形とすることができる。
【０１３１】前記説明は回転的に左右対称の誘導アンテ
ナを引用してきたが、該アンテナは、本発明の実行に当
たって、必要ではなく、またアンテナを、誘導的にＲＦ
電力をチャンバに結合することができる他の形態にする
こともできる。従って、この明細書と、別添の特許請求
で使用されている用語のとおりの誘導アンテナは、全て
の電流を搬送する、少なくとも誘導的にＲＦ電力をプラ
ズマに結合する、プラズマに隣接するエレメントであ
り、また従って、必ずしもコイルである必要はなく、ま
た更にリアクタチャンバの天井の付近に置く必要はない
が、チャンバの側壁のような、他の隣接する適当な場所
とすることができる。事実、図６９の実施例のように誘
導アンテナを一体で設置することができる。図６９は、
図４８Ａから、誘導アンテナ１０４０を取り除いたもの
である。その代わり、ＲＦ電力は、例えば、半導体天井
１０２０とウェーハ架台１０６０を備える一組の電極か
らプラズマに容量結合する。
ナを引用してきたが、該アンテナは、本発明の実行に当
たって、必要ではなく、またアンテナを、誘導的にＲＦ
電力をチャンバに結合することができる他の形態にする
こともできる。従って、この明細書と、別添の特許請求
で使用されている用語のとおりの誘導アンテナは、全て
の電流を搬送する、少なくとも誘導的にＲＦ電力をプラ
ズマに結合する、プラズマに隣接するエレメントであ
り、また従って、必ずしもコイルである必要はなく、ま
た更にリアクタチャンバの天井の付近に置く必要はない
が、チャンバの側壁のような、他の隣接する適当な場所
とすることができる。事実、図６９の実施例のように誘
導アンテナを一体で設置することができる。図６９は、
図４８Ａから、誘導アンテナ１０４０を取り除いたもの
である。その代わり、ＲＦ電力は、例えば、半導体天井
１０２０とウェーハ架台１０６０を備える一組の電極か
らプラズマに容量結合する。
【０１３２】図７０は、図４８Ａの実施例の天井１０２
０を、どのようにして変形して半球型にすることができ
るかの方法を示している。半球型は、ドームの半径が縁
から中心まで同じの、単一の半径のドーム型である。必
ずしもそうでなければならないわけではないが、できれ
ば、天井コイル誘導装置１０４０は、天井１０２０の半
球型と共形（同角、コンフォーマル）であることが好ま
しい。同様に、図７１は、図４９の実施例の天井１０２
０を、どのようにして半球型に変形できるかの方法を示
している。同様に、図７２は、図５０の実施例の天井１
０２０を、どのようにして半球型に変形できるかの方法
を示している、図７３は、図５１の実施例の天井１０２
０を、どのようにして半球型に変形できるかの方法を示
している。図７４は、図５２の実施例の天井１０２０
を、どのようにして半球型に変形できるかの方法を示し
ている、図７５は、図５３の実施例の天井１０２０を、
どのようにして半球型に変形できるかの方法を示してい
る。図７６は、図５４の実施例の天井１０２０を、どの
ようにして半球型に変形できるかの方法を示している、
図７７は、図５５の実施例の天井１０２０を、どのよう
にして半球型に変形できるかの方法を示している、図７
８は、図５６の実施例の天井１０２０を、どのようにし
て半球型に変形できるかの方法を示している、また図７
９は、図５７の実施例の天井１０２０を、どのようにし
て半球型に変形できるかの方法を示している。
０を、どのようにして変形して半球型にすることができ
るかの方法を示している。半球型は、ドームの半径が縁
から中心まで同じの、単一の半径のドーム型である。必
ずしもそうでなければならないわけではないが、できれ
ば、天井コイル誘導装置１０４０は、天井１０２０の半
球型と共形（同角、コンフォーマル）であることが好ま
しい。同様に、図７１は、図４９の実施例の天井１０２
０を、どのようにして半球型に変形できるかの方法を示
している。同様に、図７２は、図５０の実施例の天井１
０２０を、どのようにして半球型に変形できるかの方法
を示している、図７３は、図５１の実施例の天井１０２
０を、どのようにして半球型に変形できるかの方法を示
している。図７４は、図５２の実施例の天井１０２０
を、どのようにして半球型に変形できるかの方法を示し
ている、図７５は、図５３の実施例の天井１０２０を、
どのようにして半球型に変形できるかの方法を示してい
る。図７６は、図５４の実施例の天井１０２０を、どの
ようにして半球型に変形できるかの方法を示している、
図７７は、図５５の実施例の天井１０２０を、どのよう
にして半球型に変形できるかの方法を示している、図７
８は、図５６の実施例の天井１０２０を、どのようにし
て半球型に変形できるかの方法を示している、また図７
９は、図５７の実施例の天井１０２０を、どのようにし
て半球型に変形できるかの方法を示している。
【０１３３】永久磁石のプラズマ閉じ込めマグネットを
引用して説明されたが、電気式マグネットを、プラズマ
閉じ込めマグネットとして使用することができる。
引用して説明されたが、電気式マグネットを、プラズマ
閉じ込めマグネットとして使用することができる。
【０１３４】図４８Ａ−７９の実施例が、プラズマエッ
チングリアクタを引用して説明されたが、本発明を、ま
た、化学蒸気堆積（ＣＶＤ）プラズマリアクタのような
プラズマ堆積リアクタに使用することができる。この場
合、加工を、ウェーハの上のみならずチャンバの壁の上
に堆積が起こるのような方法で実行できる。代案とし
て、物質がウェーハの上に堆積している間でも、チャン
バの内壁に堆積物が蓄積されないように、壁を十分なＲ
Ｆ電力でバイアスとすることができる。これは、特に、
例えば酸化シリコンＣＶＤプラズマリアクタに対して大
きな利点である。その理由は、本発明無しでは、該リア
クタの内壁を定期的に清掃しなければならないからであ
る。このような清掃作業は、表面の温度が化学的腐食し
きい値より十分高くない限り、フッ素を含有している清
掃ガスでも、二酸化シリコンが非常に緩やかに腐食する
ので困難である。
チングリアクタを引用して説明されたが、本発明を、ま
た、化学蒸気堆積（ＣＶＤ）プラズマリアクタのような
プラズマ堆積リアクタに使用することができる。この場
合、加工を、ウェーハの上のみならずチャンバの壁の上
に堆積が起こるのような方法で実行できる。代案とし
て、物質がウェーハの上に堆積している間でも、チャン
バの内壁に堆積物が蓄積されないように、壁を十分なＲ
Ｆ電力でバイアスとすることができる。これは、特に、
例えば酸化シリコンＣＶＤプラズマリアクタに対して大
きな利点である。その理由は、本発明無しでは、該リア
クタの内壁を定期的に清掃しなければならないからであ
る。このような清掃作業は、表面の温度が化学的腐食し
きい値より十分高くない限り、フッ素を含有している清
掃ガスでも、二酸化シリコンが非常に緩やかに腐食する
ので困難である。
【０１３５】代案として、本発明は、ＲＦ電力を各半導
体覆い要素に掛けて、該チャンバの温度を適切に調整し
ながら、清掃ガス（例えばフッ素を含有しているガス）
をチャンバに導入することで加工後自己清掃ＣＶＤリア
クタの役割を果たす。該代案としての実施例の中で、量
産品ウェーハのＣＶＤ加工の間、リアクタを、本発明の
特徴の何れかを利用せずに従来のＣＶＤリアクタの方法
で運転できる。該運転後、本発明の全ての特徴を使用し
た清掃作業が実施される。該清掃作業の間、半導体覆い
の内面の堆積した汚染物質が完全に腐食で取り除かれる
速度は、ＲＦバイアス電力を半導体覆いに掛けること
で、必ずしも表面温度を上昇させないで、本発明に従っ
て高められる。
体覆い要素に掛けて、該チャンバの温度を適切に調整し
ながら、清掃ガス（例えばフッ素を含有しているガス）
をチャンバに導入することで加工後自己清掃ＣＶＤリア
クタの役割を果たす。該代案としての実施例の中で、量
産品ウェーハのＣＶＤ加工の間、リアクタを、本発明の
特徴の何れかを利用せずに従来のＣＶＤリアクタの方法
で運転できる。該運転後、本発明の全ての特徴を使用し
た清掃作業が実施される。該清掃作業の間、半導体覆い
の内面の堆積した汚染物質が完全に腐食で取り除かれる
速度は、ＲＦバイアス電力を半導体覆いに掛けること
で、必ずしも表面温度を上昇させないで、本発明に従っ
て高められる。
【０１３６】熟練工により、特定の応用の独特の必要条
件を満たすために、半導体覆いの形を変えることができ
る。例えば、図４８Ａと４８Ｂの実施例の中で、シリコ
ンスカート１０１０は、ウェーハの周辺からスカート１
０１０の垂直面までの放射方向距離を増やすために、Ｌ
型の断面を有してる（半導体のスカート１０１０の筒状
部分と半導体環状足１０１１により形成されている）一
方で、他の図面の実施例の中で、スカート１０１０の内
面は、完全な直線であり、従って、ウェーハの周辺に近
い。半導体スカート１０１０の該変形を、図示されてい
る実施例の何れの一つのなかでも実行することができ
る。
件を満たすために、半導体覆いの形を変えることができ
る。例えば、図４８Ａと４８Ｂの実施例の中で、シリコ
ンスカート１０１０は、ウェーハの周辺からスカート１
０１０の垂直面までの放射方向距離を増やすために、Ｌ
型の断面を有してる（半導体のスカート１０１０の筒状
部分と半導体環状足１０１１により形成されている）一
方で、他の図面の実施例の中で、スカート１０１０の内
面は、完全な直線であり、従って、ウェーハの周辺に近
い。半導体スカート１０１０の該変形を、図示されてい
る実施例の何れの一つのなかでも実行することができ
る。
【０１３７】「多半径温度領域と非共形コイル」図８０
は、ドーム型あるいは半球型の、放射方向にグループ化
されている複数の温度制御領域、天井の形に非共形の複
数の横に左右対称の誘導コイルを有する半導体ウィンド
ウ電極を有するプラズマリアクタを示している。図８０
の中で、筒状チャンバ３３４０は、側壁３３５０と天井
３３５２が、シリコンのような単独の材料で構成される
ようになっている、筒状側壁３３５０と、側壁３３５０
と一体化して形成されている半球型の天井３３５２を備
える。しかし、本発明は、本明細書の下記で説明される
ように、側壁３３５０と天井３３５２を別個の部品とし
て実行できる。一般的には、ソレノイド３３４２のピッ
チ（即ち、該コイルの垂直の高さを水平の該コイルの幅
で割ったもの）は、天井３３５２の垂直のピッチを超え
ている。この目的は、少なくとも好ましい実施例の中で
は、アンテナの左右対称軸の付近でアンテナの誘導を集
中することである。天井のピッチを超えるピッチを有す
るソレノイドは、本出願の中では、非共形ソレノイドを
指す、即ち、一般的に、該ソレノイドの形態が天井の形
態と一致しないということであり、またより具体的に
は、該ソレノイドの垂直のピッチが、天井の垂直のピッ
チを超えるということである。２次元的あるいは平面の
天井は、垂直ピッチを有していない一方で、３次元的天
井は、垂直の非ゼロピッチを有している。
は、ドーム型あるいは半球型の、放射方向にグループ化
されている複数の温度制御領域、天井の形に非共形の複
数の横に左右対称の誘導コイルを有する半導体ウィンド
ウ電極を有するプラズマリアクタを示している。図８０
の中で、筒状チャンバ３３４０は、側壁３３５０と天井
３３５２が、シリコンのような単独の材料で構成される
ようになっている、筒状側壁３３５０と、側壁３３５０
と一体化して形成されている半球型の天井３３５２を備
える。しかし、本発明は、本明細書の下記で説明される
ように、側壁３３５０と天井３３５２を別個の部品とし
て実行できる。一般的には、ソレノイド３３４２のピッ
チ（即ち、該コイルの垂直の高さを水平の該コイルの幅
で割ったもの）は、天井３３５２の垂直のピッチを超え
ている。この目的は、少なくとも好ましい実施例の中で
は、アンテナの左右対称軸の付近でアンテナの誘導を集
中することである。天井のピッチを超えるピッチを有す
るソレノイドは、本出願の中では、非共形ソレノイドを
指す、即ち、一般的に、該ソレノイドの形態が天井の形
態と一致しないということであり、またより具体的に
は、該ソレノイドの垂直のピッチが、天井の垂直のピッ
チを超えるということである。２次元的あるいは平面の
天井は、垂直ピッチを有していない一方で、３次元的天
井は、垂直の非ゼロピッチを有している。
【０１３８】チャンバ３３４０の底にある架台３３５４
は、加工の間、ワークピース支持平面の中の平面のワー
クピース３３５６を支えている。ワークピース３３５６
は、一般的に半導体ウェーハであり、ワークピース支持
面は一般的にウェーハあるいはワークピース３３５６の
平面である。チャンバ３３４０は、環状通路３３５８を
経由して、チャンバ３３４０の下部を囲んでいる空気抜
き環３３６０に向かって、ポンプ（図面に示されていな
い）により空気が抜かれる。空気抜き環の内部は、交換
できる金属のライナー３３６０ａで内張りされる。環状
通路３３５８は、筒状側壁３３５０の底の縁３３５０ａ
と、架台３３５４を囲んでいる平面リング３３６２によ
り画されている。プロセスガスは、多様なガス供給装置
の何れか一つを経由してチャンバ３３４０に供給され
る。ワークピースの中央付近のプロセスガスの流れを制
御するために、中央のガス供給装置３３６４ａを、天井
３３５２の中央を経由して下に向けて、ワークピース３
３５６の中央（あるいはワークピースの支持面の中央）
に向かって伸ばすことができる。ワークピースの周辺の
付近（あるいはワークピースの支持面の周辺付近）のガ
スの流れを制御するために、中央ガス供給装置３３６４
ａから独立して制御できる複数の横方向のガス供給装置
３３６４ｂは、側壁３３５０から横に、中に向けてワー
クピースの周辺に向かって伸びているか、あるいは基礎
の縦方向ガス供給装置３３６４ｃは、架台３３５４の付
近から上に向けてワークピースの周辺に伸びているか、
あるいは天井の縦方向ガス供給装置３３６４ｄは、天井
３３５２から下に向けてワークピースの周辺に伸びてい
る。中央ガス供給装置３３６４ａと周辺ガス供給装置３
３６４ｂ−ｄの内の一つだけを、それぞれ、経由して、
ワークピースの中央と周辺のプロセスガスの流量を制御
することで、ワークピースを横断する横方向により均一
なエッチング速度の配分を達成するために、ワークピー
スの中央と周辺のエッチング速度あるいは重合体堆積速
度あるいはその双方を、互いに関連させながら、独立し
て制御することができる。
は、加工の間、ワークピース支持平面の中の平面のワー
クピース３３５６を支えている。ワークピース３３５６
は、一般的に半導体ウェーハであり、ワークピース支持
面は一般的にウェーハあるいはワークピース３３５６の
平面である。チャンバ３３４０は、環状通路３３５８を
経由して、チャンバ３３４０の下部を囲んでいる空気抜
き環３３６０に向かって、ポンプ（図面に示されていな
い）により空気が抜かれる。空気抜き環の内部は、交換
できる金属のライナー３３６０ａで内張りされる。環状
通路３３５８は、筒状側壁３３５０の底の縁３３５０ａ
と、架台３３５４を囲んでいる平面リング３３６２によ
り画されている。プロセスガスは、多様なガス供給装置
の何れか一つを経由してチャンバ３３４０に供給され
る。ワークピースの中央付近のプロセスガスの流れを制
御するために、中央のガス供給装置３３６４ａを、天井
３３５２の中央を経由して下に向けて、ワークピース３
３５６の中央（あるいはワークピースの支持面の中央）
に向かって伸ばすことができる。ワークピースの周辺の
付近（あるいはワークピースの支持面の周辺付近）のガ
スの流れを制御するために、中央ガス供給装置３３６４
ａから独立して制御できる複数の横方向のガス供給装置
３３６４ｂは、側壁３３５０から横に、中に向けてワー
クピースの周辺に向かって伸びているか、あるいは基礎
の縦方向ガス供給装置３３６４ｃは、架台３３５４の付
近から上に向けてワークピースの周辺に伸びているか、
あるいは天井の縦方向ガス供給装置３３６４ｄは、天井
３３５２から下に向けてワークピースの周辺に伸びてい
る。中央ガス供給装置３３６４ａと周辺ガス供給装置３
３６４ｂ−ｄの内の一つだけを、それぞれ、経由して、
ワークピースの中央と周辺のプロセスガスの流量を制御
することで、ワークピースを横断する横方向により均一
なエッチング速度の配分を達成するために、ワークピー
スの中央と周辺のエッチング速度あるいは重合体堆積速
度あるいはその双方を、互いに関連させながら、独立し
て制御することができる。
【０１３９】ソレノイドコイルアンテナ３３４２は、中
央ガス供給装置３３６４を囲んでいるハウジング３３６
６の回りに巻かれている。プラズマ源ＲＦ電力供給装置
３３６８は、コイルアンテナ３３４２を横断して接続さ
れており、バイアスＲＦ電力供給装置３３７０は、架台
３３５４に接続されている。
央ガス供給装置３３６４を囲んでいるハウジング３３６
６の回りに巻かれている。プラズマ源ＲＦ電力供給装置
３３６８は、コイルアンテナ３３４２を横断して接続さ
れており、バイアスＲＦ電力供給装置３３７０は、架台
３３５４に接続されている。
【０１４０】オーバーヘッドアンテナ３３４２を天井３
３５２の中央領域への閉じ込めることで、天井３３５２
の頂上部分に、占有されていない大きな面積が残ったの
で、例えば、タングステンハロゲンランプのような複数
の輻射熱ヒーター３３７２と、また、水冷冷却プレート
３３７４を経由して伸びている冷却通路を有する、例え
ば銅あるいはアルミニウムで形成させることができる該
プレートを含む温度制御装置を直接接触させることがで
きる。個々のヒーター３３７２は、複数のグループを形
成して、天井を中心とする一定の半径に沿って円周状に
各々グループを成して配設されている。天井全体が単独
の温度制御領域を形成するようにするために、ヒーター
を、同時に制御できる。しかし、ヒーター３３７２の各
々の放射状グループを、該ヒーターの他のグループから
独立してに制御できるようにするために、天井は、ワー
クピースあるいはウェーハの表面の加工の均一性を最適
化するために、それぞれの温度を変えることができる複
数の環状制御領域に分割されている。
３５２の中央領域への閉じ込めることで、天井３３５２
の頂上部分に、占有されていない大きな面積が残ったの
で、例えば、タングステンハロゲンランプのような複数
の輻射熱ヒーター３３７２と、また、水冷冷却プレート
３３７４を経由して伸びている冷却通路を有する、例え
ば銅あるいはアルミニウムで形成させることができる該
プレートを含む温度制御装置を直接接触させることがで
きる。個々のヒーター３３７２は、複数のグループを形
成して、天井を中心とする一定の半径に沿って円周状に
各々グループを成して配設されている。天井全体が単独
の温度制御領域を形成するようにするために、ヒーター
を、同時に制御できる。しかし、ヒーター３３７２の各
々の放射状グループを、該ヒーターの他のグループから
独立してに制御できるようにするために、天井は、ワー
クピースあるいはウェーハの表面の加工の均一性を最適
化するために、それぞれの温度を変えることができる複
数の環状制御領域に分割されている。
【０１４１】できれば、冷却通路３３７４ａは、電気的
にアンテナあるいはソレノイド３３４２の出力低下を避
けるために、高い熱伝導性であるが低い導電性を有する
が各種の公知の冷却剤を含んでいることが好ましい。冷
却プレート３３７４で、天井３３５２の安定した冷却を
行うことができる一方で、天井３３５２のレスポンスの
良い、安定した温度制御を容易にする、輻射熱ヒーター
３３７２の最大出力は、必要に応じて、冷却プレート３
３７４による冷却を凌駕するように選択される。ヒータ
ー３３７２により照射されている広い天井面積で、より
大きな均一性と効果的な温度制御を行うことができる。
（本明細書の中で、下記に説明されいるとおり、輻射熱
が必ずしも、本発明の実行に必要ではなく、また熟練工
なら、その代わりに電気的加熱エレメントを使用するこ
とを選択できることに注意しなければならない。）１９
９６年２月２日にＫｅｎｎｅｔｈ Ｓ． Ｃｏｌｌｉｎ
ｓ他による係属出願中の出願番号０８／５９７，５７７
で開示されているとおり、天井３３５２がシリコンであ
る場合、天井を横断する温度制御の均一性と効率を増大
することで得られる大きな利点がある。具体的には、重
合体前駆物質と腐食前駆物質ガス（例えば、過フッ化炭
化水素）が使用され、また腐食剤（例えば、フッ素）を
除去しければならない場合、天井３３５２の全体を横断
する重合堆積速度あるいは、天井３３５２がフッ素腐剤
除去材（シリコン）をプラズマに与える速度あるいはそ
の双方は、天井３３５２の接触面積を広くすることでよ
り良く制御される。ソレノイドの巻線３３４４が、天井
の中心軸に集中されているので、ソレノイドアンテナ３
３４２は、天井３３５２上の、用意できる熱接触面積を
広める。
にアンテナあるいはソレノイド３３４２の出力低下を避
けるために、高い熱伝導性であるが低い導電性を有する
が各種の公知の冷却剤を含んでいることが好ましい。冷
却プレート３３７４で、天井３３５２の安定した冷却を
行うことができる一方で、天井３３５２のレスポンスの
良い、安定した温度制御を容易にする、輻射熱ヒーター
３３７２の最大出力は、必要に応じて、冷却プレート３
３７４による冷却を凌駕するように選択される。ヒータ
ー３３７２により照射されている広い天井面積で、より
大きな均一性と効果的な温度制御を行うことができる。
（本明細書の中で、下記に説明されいるとおり、輻射熱
が必ずしも、本発明の実行に必要ではなく、また熟練工
なら、その代わりに電気的加熱エレメントを使用するこ
とを選択できることに注意しなければならない。）１９
９６年２月２日にＫｅｎｎｅｔｈ Ｓ． Ｃｏｌｌｉｎ
ｓ他による係属出願中の出願番号０８／５９７，５７７
で開示されているとおり、天井３３５２がシリコンであ
る場合、天井を横断する温度制御の均一性と効率を増大
することで得られる大きな利点がある。具体的には、重
合体前駆物質と腐食前駆物質ガス（例えば、過フッ化炭
化水素）が使用され、また腐食剤（例えば、フッ素）を
除去しければならない場合、天井３３５２の全体を横断
する重合堆積速度あるいは、天井３３５２がフッ素腐剤
除去材（シリコン）をプラズマに与える速度あるいはそ
の双方は、天井３３５２の接触面積を広くすることでよ
り良く制御される。ソレノイドの巻線３３４４が、天井
の中心軸に集中されているので、ソレノイドアンテナ３
３４２は、天井３３５２上の、用意できる熱接触面積を
広める。
【０１４２】天井３３５２上で、熱接触のために用意で
きる面積の拡大は、好ましい実施の中で、底面が天井３
３５２に座っておりまた頂上面が冷却プレート３３７４
を支えている、高い熱伝導の円環体３３７５（硝化アル
ミニウム、酸化アルミニウムあるいは硝化シリコンある
いはのようなセラミック、あるいはドーピングされてい
るかあるいはされていなシリコンのような非セラミック
で形成されている）により実現されている。円環体３３
７５の一つの特徴は、冷却プレート３３７４を十分にソ
レノイド３３４２の頂点より十分上に変位することであ
る。この特徴は、そうしないと誘導的冷却プレート３３
７４から隣接したところからソレノイド３３４２の間で
起きる、ソレノイド３３４２とプラズマの間の誘導結合
の中の還元をほとんど和らげるかあるいはほとんど除去
することである。誘導結合でこのような還元を予防する
ために、できれば冷却プレート３３７４とソレノイド３
３４２の頂上の巻線の間の距離を、少なくともソレノイ
ド３３４２の全高のほぼ分数（例えば二分の一）とする
ことが好ましい。円環体３３７５を通過して伸びている
複数の縦方向の孔３３７５ａは、二つの同心の円に沿っ
て間隔が置かれており、複数の複写ヒーターあるいはラ
ンプ３３７２を支えており、直接天井３３５２を直接照
射できるようになっている。ランプの効率を最大にする
ために、孔の内面を反射層（例えばアルミニウム）で裏
打ちすることができる。特定のリアクタの設計と工程条
件次第で、中央ガス供給装置６４ａを、輻射ヒーターに
取り替えることができる。天井の温度は、ランプヒータ
ー３３７２により占拠されていない孔３３７５の一つを
経由して伸びているサーモカップル３３７６のようなセ
ンサーにより感知される。良好な熱接触のために、硝化
ほう酸を浸透させたシリコンゴムのような高い熱伝導の
エラストマ３３７３が、セラミック円環体３３７５と銅
の冷却プレート３３７４間とまたセラミック円環体３３
７５とシリコン天井３３５２の間に置かれる。
きる面積の拡大は、好ましい実施の中で、底面が天井３
３５２に座っておりまた頂上面が冷却プレート３３７４
を支えている、高い熱伝導の円環体３３７５（硝化アル
ミニウム、酸化アルミニウムあるいは硝化シリコンある
いはのようなセラミック、あるいはドーピングされてい
るかあるいはされていなシリコンのような非セラミック
で形成されている）により実現されている。円環体３３
７５の一つの特徴は、冷却プレート３３７４を十分にソ
レノイド３３４２の頂点より十分上に変位することであ
る。この特徴は、そうしないと誘導的冷却プレート３３
７４から隣接したところからソレノイド３３４２の間で
起きる、ソレノイド３３４２とプラズマの間の誘導結合
の中の還元をほとんど和らげるかあるいはほとんど除去
することである。誘導結合でこのような還元を予防する
ために、できれば冷却プレート３３７４とソレノイド３
３４２の頂上の巻線の間の距離を、少なくともソレノイ
ド３３４２の全高のほぼ分数（例えば二分の一）とする
ことが好ましい。円環体３３７５を通過して伸びている
複数の縦方向の孔３３７５ａは、二つの同心の円に沿っ
て間隔が置かれており、複数の複写ヒーターあるいはラ
ンプ３３７２を支えており、直接天井３３５２を直接照
射できるようになっている。ランプの効率を最大にする
ために、孔の内面を反射層（例えばアルミニウム）で裏
打ちすることができる。特定のリアクタの設計と工程条
件次第で、中央ガス供給装置６４ａを、輻射ヒーターに
取り替えることができる。天井の温度は、ランプヒータ
ー３３７２により占拠されていない孔３３７５の一つを
経由して伸びているサーモカップル３３７６のようなセ
ンサーにより感知される。良好な熱接触のために、硝化
ほう酸を浸透させたシリコンゴムのような高い熱伝導の
エラストマ３３７３が、セラミック円環体３３７５と銅
の冷却プレート３３７４間とまたセラミック円環体３３
７５とシリコン天井３３５２の間に置かれる。
【０１４３】上記で引用されている係属出願の中で開示
されているとおり、チャンバ３３４０を全半導体チャン
バとすることができるが、その場合、天井３３５２と側
壁３３５０は、双方ともシリコンのような半導体材であ
る。上記で引用されている係属出願の中で説明されてい
るとおり、天井３３５２あるいは壁３３５０の何れかの
温度、と掛けられるＲＦ電力は、フッ素除去前駆材（シ
リコン）をプラズマに与える範囲、あるいは代案とし
て、重合体でコーティングする範囲を制御する。天井３
３５２の材料はシリコンに限られるわけではなく、代案
として炭化シリコン、二酸化シリコン（クオーツ）、硝
化シリコンあるいはセラミックとすることができる。
されているとおり、チャンバ３３４０を全半導体チャン
バとすることができるが、その場合、天井３３５２と側
壁３３５０は、双方ともシリコンのような半導体材であ
る。上記で引用されている係属出願の中で説明されてい
るとおり、天井３３５２あるいは壁３３５０の何れかの
温度、と掛けられるＲＦ電力は、フッ素除去前駆材（シ
リコン）をプラズマに与える範囲、あるいは代案とし
て、重合体でコーティングする範囲を制御する。天井３
３５２の材料はシリコンに限られるわけではなく、代案
として炭化シリコン、二酸化シリコン（クオーツ）、硝
化シリコンあるいはセラミックとすることができる。
【０１４４】上記で引用されている係属出願の中で説明
されているとおり、チャンバの壁あるいは天井３３５
０、３３５２は、フッ素除去の材料の原料として使用す
る必要はない。その代わりに、処分できるシリコン部材
をチャンバ３３４０の中に置き、該チャンバの上の重合
体の凝縮を防止するために十分に高温で維持することが
でき、フッ素除去材のように、シリコン材を該チャンバ
からプラズマへ取り除くことができる。この場合、壁３
３５０と天井３３５２は、必ずしもシリコンである必要
はなく、あるいはシリコンである場合は、摩耗を防ぐた
めに、壁と天井がプラズマから重合体でコーティングさ
れるように、これを重合凝縮温度（あるいは重合体凝縮
ＲＦバイアスしきい値）の近くか未満の温度（あるいは
ＲＦバイアスあるいはその双方）で維持させることがで
きる。処分できるシリコン部材をどんな形態にもできる
が、図示されている実施例の中では、架台３３５４を囲
んでいる処分できるシリコン部材は、環状リング３３６
２である。できれば、環状リング３３６２は、高い純度
のシリコンであり、電気的あるいは光学的特性を変える
ためにドーピングができることが好ましい。プラズマ加
工（例えばシリコン材のプラズマ加工へのフッ素除去の
ための貢献）での有利な参加を確保するためにシリコン
リング３３６２を十分な温度で維持するために、環状リ
ング３３６２の下に円形に配設されている複数の放射
（例えば、タングステンハロゲンランプ）ヒーター３３
７７は、クオーツウィンドウ３３７８を経由してシリコ
ンリング３３６２を加熱する。上記で引用されている係
属出願の中で説明されているとおり、ヒーター３３７７
は、光学的高温計あるいはフッ素光学プローブのよう
な、遠隔センサーとすることできる温度センサー３３７
９により感知されたシリコンリング３３６２の計測され
た温度に従って制御される。センサー３３７９を、より
信頼の置ける温度の計測のための灰色体ラジェーターの
ように作動するように、シリコンリング３３６２の温度
の発散率の中で、少なくとも温度に左右される変化を部
分的に覆う部分的に非常に深い孔３３６２ａに伸ばすこ
とができる。本明細書で前記で述べられているとおり異
なる放射場所のヒーターが別個に制御されている場合、
異なる放射場所の複数のセンサーを設けることができ
る。
されているとおり、チャンバの壁あるいは天井３３５
０、３３５２は、フッ素除去の材料の原料として使用す
る必要はない。その代わりに、処分できるシリコン部材
をチャンバ３３４０の中に置き、該チャンバの上の重合
体の凝縮を防止するために十分に高温で維持することが
でき、フッ素除去材のように、シリコン材を該チャンバ
からプラズマへ取り除くことができる。この場合、壁３
３５０と天井３３５２は、必ずしもシリコンである必要
はなく、あるいはシリコンである場合は、摩耗を防ぐた
めに、壁と天井がプラズマから重合体でコーティングさ
れるように、これを重合凝縮温度（あるいは重合体凝縮
ＲＦバイアスしきい値）の近くか未満の温度（あるいは
ＲＦバイアスあるいはその双方）で維持させることがで
きる。処分できるシリコン部材をどんな形態にもできる
が、図示されている実施例の中では、架台３３５４を囲
んでいる処分できるシリコン部材は、環状リング３３６
２である。できれば、環状リング３３６２は、高い純度
のシリコンであり、電気的あるいは光学的特性を変える
ためにドーピングができることが好ましい。プラズマ加
工（例えばシリコン材のプラズマ加工へのフッ素除去の
ための貢献）での有利な参加を確保するためにシリコン
リング３３６２を十分な温度で維持するために、環状リ
ング３３６２の下に円形に配設されている複数の放射
（例えば、タングステンハロゲンランプ）ヒーター３３
７７は、クオーツウィンドウ３３７８を経由してシリコ
ンリング３３６２を加熱する。上記で引用されている係
属出願の中で説明されているとおり、ヒーター３３７７
は、光学的高温計あるいはフッ素光学プローブのよう
な、遠隔センサーとすることできる温度センサー３３７
９により感知されたシリコンリング３３６２の計測され
た温度に従って制御される。センサー３３７９を、より
信頼の置ける温度の計測のための灰色体ラジェーターの
ように作動するように、シリコンリング３３６２の温度
の発散率の中で、少なくとも温度に左右される変化を部
分的に覆う部分的に非常に深い孔３３６２ａに伸ばすこ
とができる。本明細書で前記で述べられているとおり異
なる放射場所のヒーターが別個に制御されている場合、
異なる放射場所の複数のセンサーを設けることができ
る。
【０１４５】上記で引用されている米国特許出願番号０
８／５９７／５７７で説明されている通り、全半導体チ
ャンバの利点は、例えば金属のような汚染物質を作り出
す材料との接触が無いことである。この目的のために、
環状開口部３３５８に隣接するプラズマの閉じ込めマグ
ネット３３８０、３３８２は、プラズマの吸い込み環３
３６０への流れを予防するか削減する。例えば係属出願
の中で説明されているとおり、重合体前駆物質及び／ま
たは活性種が吸い込み環３３６０にうまく入り込む程度
に、裏打ち３３６０ａを重合凝縮温度より十分に低い温
度で維持することで、全ての前駆物質あるいは結果とし
て生まれる重合体あるいは汚染物の交換できる内部の裏
打ち３３６０ａへの堆積を予防できる。
８／５９７／５７７で説明されている通り、全半導体チ
ャンバの利点は、例えば金属のような汚染物質を作り出
す材料との接触が無いことである。この目的のために、
環状開口部３３５８に隣接するプラズマの閉じ込めマグ
ネット３３８０、３３８２は、プラズマの吸い込み環３
３６０への流れを予防するか削減する。例えば係属出願
の中で説明されているとおり、重合体前駆物質及び／ま
たは活性種が吸い込み環３３６０にうまく入り込む程度
に、裏打ち３３６０ａを重合凝縮温度より十分に低い温
度で維持することで、全ての前駆物質あるいは結果とし
て生まれる重合体あるいは汚染物の交換できる内部の裏
打ち３３６０ａへの堆積を予防できる。
【０１４６】吸い込み環３３６０の外壁を経由するウェ
ーハ切込みバルブ３３８４ は、ウェーハの出入りを受
け入れる。チャンバ３３４０と吸い込み環３３６０の間
の環状開口部３３５８はウェーハ切込みバルブ３３８４
に隣接してより大きく、チャンバの圧力の配分を非左右
対称ポンプ口の場所とより左右対称にするために、筒状
側壁３３５０の底の縁の傾斜により反対側でもっとも小
さい。
ーハ切込みバルブ３３８４ は、ウェーハの出入りを受
け入れる。チャンバ３３４０と吸い込み環３３６０の間
の環状開口部３３５８はウェーハ切込みバルブ３３８４
に隣接してより大きく、チャンバの圧力の配分を非左右
対称ポンプ口の場所とより左右対称にするために、筒状
側壁３３５０の底の縁の傾斜により反対側でもっとも小
さい。
【０１４７】チャンバの中心軸３３４６の付近の最大の
インダクタンスは、垂直に重ねられたソレノイドの巻線
３３４４により達成される。図示されているとおり、垂
直の巻線３３４４の外側であるが底のソレノイド巻線３
３４４の垂直面のもう一つの巻線３３４４ａを、追加巻
線加３３４５が底のソレノイド巻線３３４４ａに近いこ
とを条件として、加えることができる。
インダクタンスは、垂直に重ねられたソレノイドの巻線
３３４４により達成される。図示されているとおり、垂
直の巻線３３４４の外側であるが底のソレノイド巻線３
３４４の垂直面のもう一つの巻線３３４４ａを、追加巻
線加３３４５が底のソレノイド巻線３３４４ａに近いこ
とを条件として、加えることができる。
【０１４８】本発明の一つの特徴は、ウェーハ表面の近
くのプラズマの中のエッチング前駆物資と重合体堆積前
駆物質の放射状の配分の調整である。該調整を、ウェー
ハを横断してより均一なエッチング剤と重合堆積前駆物
質の放射状分布とすることができ、これは重要な利点で
ある。該調整は、内部と外部のガスの入口（例えば、図
８０のそれぞれい内部と外部のガスの入り口３３６４
ａ、３３６３ｄ）を経由して流量を差を付けて調整し、
内部と外部の天井ヒーター（例えば、図８０のそれぞれ
３３７６、３３７２）のグループへの電力を差を付けて
調整し、内側と外側のオーバーヘッドアンテナコイル
（例えば、図４２−４７のそれぞれ内側と外側のコイル
アンテナ１７５、１８０）に掛かるＲＦ電力を差を付け
て調整し、あるいはまたは双方の天井の内側と外側の部
分（例えば、図４２−４７のそれぞれ内側と外側の天井
部分２３０ａ、２３０ｂ）に掛かるＲＦ電力差を付けて
調整することで実行される。最適の調整能力を発揮させ
るために、図４７の内側と外側の天井部分２３０ａ、２
３０ｂと天井３３５２に対する外側のアンテナコイル１
７５、１８０を、図８０の天井３３５２とアンテナ３３
４２に置き換えることでこれ等全ての調整可能な特徴
を、図８０のリアクタに結合させることができる。
くのプラズマの中のエッチング前駆物資と重合体堆積前
駆物質の放射状の配分の調整である。該調整を、ウェー
ハを横断してより均一なエッチング剤と重合堆積前駆物
質の放射状分布とすることができ、これは重要な利点で
ある。該調整は、内部と外部のガスの入口（例えば、図
８０のそれぞれい内部と外部のガスの入り口３３６４
ａ、３３６３ｄ）を経由して流量を差を付けて調整し、
内部と外部の天井ヒーター（例えば、図８０のそれぞれ
３３７６、３３７２）のグループへの電力を差を付けて
調整し、内側と外側のオーバーヘッドアンテナコイル
（例えば、図４２−４７のそれぞれ内側と外側のコイル
アンテナ１７５、１８０）に掛かるＲＦ電力を差を付け
て調整し、あるいはまたは双方の天井の内側と外側の部
分（例えば、図４２−４７のそれぞれ内側と外側の天井
部分２３０ａ、２３０ｂ）に掛かるＲＦ電力差を付けて
調整することで実行される。最適の調整能力を発揮させ
るために、図４７の内側と外側の天井部分２３０ａ、２
３０ｂと天井３３５２に対する外側のアンテナコイル１
７５、１８０を、図８０の天井３３５２とアンテナ３３
４２に置き換えることでこれ等全ての調整可能な特徴
を、図８０のリアクタに結合させることができる。
【０１４９】アースに接続されている誘導裏板（図２５
Ａ−Ｃの裏板４００のような）の存在は、本明細書の初
めに、補助加熱“シリコン天井は、バイアス電源の帰線
で実際にはロスが無い”の下で設けられた分析と例の中
で推定されていたが、現在の好ましい実施例の中では、
該裏板は使用されていない。その代わりに、半導体ウィ
ンドウ電極あるいは天井１１０の縁が、アースあるいは
ＲＦバイアス源に接続されている。一つの利点は、熱制
御のために天井１１０より広い面積が用意できることで
ある。この変化は、分析と前記に記載されている例に比
較して天井１１０の挿入インピーダンスを増大している
ので、Ｒslab／Ｒｅ（Ｚ）は天井を経由して横に流れる
帰線電流を求めることで、０．００４から０．０１７に
増大していが、この比は、好ましい実施例の中で取るに
足らない程まだ小さい。この増加は、該縁（アースある
いはＲＦバイアス源の何れかへの）に於けるこの接続に
直接起因する天井を横断する多分放射状の電圧降下のた
めである。放射状電圧降下は極めて小さく、約３．３．
％であり、それが、好ましい実施例の中のＲslab/Ｒｅ
（Ｚ）が比較的小さいままである理由である。
Ａ−Ｃの裏板４００のような）の存在は、本明細書の初
めに、補助加熱“シリコン天井は、バイアス電源の帰線
で実際にはロスが無い”の下で設けられた分析と例の中
で推定されていたが、現在の好ましい実施例の中では、
該裏板は使用されていない。その代わりに、半導体ウィ
ンドウ電極あるいは天井１１０の縁が、アースあるいは
ＲＦバイアス源に接続されている。一つの利点は、熱制
御のために天井１１０より広い面積が用意できることで
ある。この変化は、分析と前記に記載されている例に比
較して天井１１０の挿入インピーダンスを増大している
ので、Ｒslab／Ｒｅ（Ｚ）は天井を経由して横に流れる
帰線電流を求めることで、０．００４から０．０１７に
増大していが、この比は、好ましい実施例の中で取るに
足らない程まだ小さい。この増加は、該縁（アースある
いはＲＦバイアス源の何れかへの）に於けるこの接続に
直接起因する天井を横断する多分放射状の電圧降下のた
めである。放射状電圧降下は極めて小さく、約３．３．
％であり、それが、好ましい実施例の中のＲslab/Ｒｅ
（Ｚ）が比較的小さいままである理由である。
【０１５０】本発明は好ましい実施例に対する特定の引
用で説明されたが、本発明の精神と範囲を逸脱しない該
例の変形と変更が可能であると解釈されるものとする。
用で説明されたが、本発明の精神と範囲を逸脱しない該
例の変形と変更が可能であると解釈されるものとする。
【０１５１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、前述の欠点ないし問題を受けずに、オーバーヘッ
ドの平面誘導コイルアンテナを有する誘導結合プラズマ
リアクタの利点と、プラズマリアクタに単独リアクタで
容量結合されている平行板電極の利点とを合わせること
ができる。
れば、前述の欠点ないし問題を受けずに、オーバーヘッ
ドの平面誘導コイルアンテナを有する誘導結合プラズマ
リアクタの利点と、プラズマリアクタに単独リアクタで
容量結合されている平行板電極の利点とを合わせること
ができる。
【図１】図１は、平面のシリコン天井に横たわっている
平面のコイルアンテナを有するプラズマリアクタの第一
の実施例を示している。
平面のコイルアンテナを有するプラズマリアクタの第一
の実施例を示している。
【図２】図２は、送信ＲＦコイルから、図１の平面シリ
コンウィンドウを有する受信ＲＦコイルへの正規化され
た順方向電圧伝達係数を示しているグラフである。
コンウィンドウを有する受信ＲＦコイルへの正規化され
た順方向電圧伝達係数を示しているグラフである。
【図３】図３は、送信ＲＦコイルから、送信と受信ＲＦ
コイルの間の筒状のバ−ジョンのシリコンウィンドウを
有する受信ＲＦコイルへの正規化された順方向電圧伝達
係数を示しているグラフである。
コイルの間の筒状のバ−ジョンのシリコンウィンドウを
有する受信ＲＦコイルへの正規化された順方向電圧伝達
係数を示しているグラフである。
【図４】図４は、シリコンの天井とウェーハの架台の間
に分割されている電力を使用する、本発明の一つの実施
例を示してしている。
に分割されている電力を使用する、本発明の一つの実施
例を示してしている。
【図５】図５は、ウェーハの架台、オーバーヘッドの誘
導コイルとシリコンの天井を駆動するために別個のＲＦ
電力源を使用する、本発明の一つの実施例を示してい
る。
導コイルとシリコンの天井を駆動するために別個のＲＦ
電力源を使用する、本発明の一つの実施例を示してい
る。
【図６】図６は、オーバーヘッド誘導アンテナが別個に
電力が供給される同心の内側と外側の巻線に別れてい
る、本発明の一つの実施例を示している。
電力が供給される同心の内側と外側の巻線に別れてい
る、本発明の一つの実施例を示している。
【図７】図７は、筒状のシリコン側壁の回りに巻かれた
側面誘導アンテナを使用する、一つの実施例を示してい
る。
側面誘導アンテナを使用する、一つの実施例を示してい
る。
【図８】図８は、図７に対応する、単独のＲＦ電源がシ
リコン側壁とウェーハの架台の間に別れている、一つの
実施例を示している。
リコン側壁とウェーハの架台の間に別れている、一つの
実施例を示している。
【図９】図９は、シリコン側壁、ウェーハの架台と誘導
側面アンテナを駆動する別個のＲＦ発生装置を使用す
る、一つの実施例を示している。
側面アンテナを駆動する別個のＲＦ発生装置を使用す
る、一つの実施例を示している。
【図１０】図１０は、シリコンの天井とオーバーヘッド
の誘導アンテナをシリコン側壁と該側壁の回りに巻かれ
ている誘導コイルと組み合わせている、一つの実施例を
示している。
の誘導アンテナをシリコン側壁と該側壁の回りに巻かれ
ている誘導コイルと組み合わせている、一つの実施例を
示している。
【図１１】図１１は、シリコンの側壁とウェーハの架台
の間で電力分割を使用している図１０に対応する、一つ
の実施例を示している。
の間で電力分割を使用している図１０に対応する、一つ
の実施例を示している。
【図１２】図１２は、シリコンの天井、シリコンの側
壁、オーバーヘッドの誘導アンテナと側面の誘導アンテ
ナが、ＲＦ電力で個別に駆動されている、一つの実施例
を示している。
壁、オーバーヘッドの誘導アンテナと側面の誘導アンテ
ナが、ＲＦ電力で個別に駆動されている、一つの実施例
を示している。
【図１３】図１３Ａは、ドーム型のシリコンの天井を使
用している、図１に対応する一つの実施例を示してい
る。図１３Ｂは、ドーム型のシリコンの天井を使用して
いる、図４に対応する一つの実施例を示している。図１
３Ｃは、ドーム型のシリコンの天井を使用している、図
５に対応する一つの実施例を示している。図１３Ｄは、
ドーム型のシリコンの天井を使用している、図６に対応
する一つの実施例を示している。
用している、図１に対応する一つの実施例を示してい
る。図１３Ｂは、ドーム型のシリコンの天井を使用して
いる、図４に対応する一つの実施例を示している。図１
３Ｃは、ドーム型のシリコンの天井を使用している、図
５に対応する一つの実施例を示している。図１３Ｄは、
ドーム型のシリコンの天井を使用している、図６に対応
する一つの実施例を示している。
【図１４】図１４は、ドーム型のシリコンの天井とまた
下に横たわっている天井の下に横たわっており、また筒
状の側壁の回りを包んでいる筒状の部分に連続している
ドーム型の部分を有する誘導アンテナを有している、一
つの実施例を示している。
下に横たわっている天井の下に横たわっており、また筒
状の側壁の回りを包んでいる筒状の部分に連続している
ドーム型の部分を有する誘導アンテナを有している、一
つの実施例を示している。
【図１５】図１５は、図１４に対応しているが、誘導ア
ンテナのドーム型と筒状の部分が互いに分離されてお
り、ＲＦ電力により個別に駆動される、一つの実施例を
示している。
ンテナのドーム型と筒状の部分が互いに分離されてお
り、ＲＦ電力により個別に駆動される、一つの実施例を
示している。
【図１６】図１６は、共通のＲＦ発生装置からの電力
が、内側と外側の誘導アンテナに分割されている、図６
に対応する一つの実施例を示している。
が、内側と外側の誘導アンテナに分割されている、図６
に対応する一つの実施例を示している。
【図１７】図１７Ａは、共通のＲＦ発生装置からの電力
が、ドーム型と筒状の誘導アンテナ部分に分割されてい
る、図１５に対応する、一つの実施例を示している。図
１７Ｂは、共通のＲＦ発生装置からの電力が分割されて
いる、別個の内側と外側のドーム型のアンテナを有する
一つの実施例を示している。
が、ドーム型と筒状の誘導アンテナ部分に分割されてい
る、図１５に対応する、一つの実施例を示している。図
１７Ｂは、共通のＲＦ発生装置からの電力が分割されて
いる、別個の内側と外側のドーム型のアンテナを有する
一つの実施例を示している。
【図１８】図１８は、共通のＲＦ発生装置からの電力が
オーバーヘッド誘導アンテナと側面誘導アンテナに分割
されている、図１０に対応する、一つの実施例を示して
いる。
オーバーヘッド誘導アンテナと側面誘導アンテナに分割
されている、図１０に対応する、一つの実施例を示して
いる。
【図１９】図１９は、共通のＲＦ発生装置からの電力が
オーバーヘッド誘導アンテナとシリコンの天井に分割さ
れている、図１に対応する、一つの実施例を示してい
る。
オーバーヘッド誘導アンテナとシリコンの天井に分割さ
れている、図１に対応する、一つの実施例を示してい
る。
【図２０】図２０は、共通のＲＦ発生装置からの電力が
オーバーヘッド誘導アンテナとウェーハ架台に分割され
ている、図１に対応する、一つの実施例を示している。
オーバーヘッド誘導アンテナとウェーハ架台に分割され
ている、図１に対応する、一つの実施例を示している。
【図２１】図２１は、共通のＲＦ発生装置からの電力が
オーバーヘッド誘導アンテナとドーム型のシリコンの天
井に分割されている、ドーム型の天井を有する図１３Ａ
に関連する、一つの実施例を示している。
オーバーヘッド誘導アンテナとドーム型のシリコンの天
井に分割されている、ドーム型の天井を有する図１３Ａ
に関連する、一つの実施例を示している。
【図２２】図２２は、共通のＲＦ発生装置からの電力が
オーバーヘッド誘導アンテナとウェーハの架台に分割さ
れている、ドーム型の天井を有する図１３Ａに対応す
る、一つの実施例を示している。
オーバーヘッド誘導アンテナとウェーハの架台に分割さ
れている、ドーム型の天井を有する図１３Ａに対応す
る、一つの実施例を示している。
【図２３】図２３は、ウェーハの架台とシリコンの天井
が個別にＲＦ電力で駆動され、また各々が互いに対抗電
極としての役割を果す、一つの実施例を示している。
が個別にＲＦ電力で駆動され、また各々が互いに対抗電
極としての役割を果す、一つの実施例を示している。
【図２４】図２４は、シリコンの天井がドーム型になっ
ている、図２３に対応する、一つの実施例を示してい
る。
ている、図２３に対応する、一つの実施例を示してい
る。
【図２５】図２５Ａは、誘導後ろ板を含むシリコンの天
井の一つの実施例の側面図である。図２５Ｂは、誘導後
ろ板の一つの実施例の上面図である。図２５Ｃは、誘導
後ろ板の別の実施例の上面図である。
井の一つの実施例の側面図である。図２５Ｂは、誘導後
ろ板の一つの実施例の上面図である。図２５Ｃは、誘導
後ろ板の別の実施例の上面図である。
【図２６】図２６は、支持基盤に接着されている天井の
一つの実施例の側面図である。
一つの実施例の側面図である。
【図２７】図２７は、支持基盤が誘導アンテナの絶縁の
ホルダ−である、図２６に対応する一つの実施例の側面
図である。
ホルダ−である、図２６に対応する一つの実施例の側面
図である。
【図２８】図２８は、アンテナホルダーが導電である本
発明の一つの実施例の側面図である。
発明の一つの実施例の側面図である。
【図２９】図２９は、導電アンテナホルダーが、外側と
内側のオーバーヘッド誘導アンテナが納まっている一組
の環状の開口部を有する図２８に対応する一つの実施例
の側面図である。
内側のオーバーヘッド誘導アンテナが納まっている一組
の環状の開口部を有する図２８に対応する一つの実施例
の側面図である。
【図３０】図３０Ａは、非同心オーバーヘッド誘導アン
テナの実施例の平面図である。図３０Ｂと３０Ｃは、代
案としての図３０Ａの、それぞれ平面とドーム型の誘導
アンテナの実施例の側面図である。
テナの実施例の平面図である。図３０Ｂと３０Ｃは、代
案としての図３０Ａの、それぞれ平面とドーム型の誘導
アンテナの実施例の側面図である。
【図３１】図３１Ａはオーバーヘッド誘導アンテナの別
の非同心の実施例の平面図である。図３１Ｂと３１Ｃ
は、代案としての図３１Ａの、それぞれ平面とドーム型
の誘導アンテナの実施例の側面図である。
の非同心の実施例の平面図である。図３１Ｂと３１Ｃ
は、代案としての図３１Ａの、それぞれ平面とドーム型
の誘導アンテナの実施例の側面図である。
【図３２】図３２は、二重の筒状の螺旋のオーバーヘッ
ド誘導アンテナの実施例の側面断面図である。
ド誘導アンテナの実施例の側面断面図である。
【図３３】図３３は、図１６の外側と内側のアンテナに
対する図３２に示されているタイプの一組の同心の筒状
の螺旋誘導アンテナの側面断面図である。
対する図３２に示されているタイプの一組の同心の筒状
の螺旋誘導アンテナの側面断面図である。
【図３４】図３４は、複数の誘導アンテナの層を備える
オーバーヘッド誘導アンテナの一つの実施例の側面断面
図である。
オーバーヘッド誘導アンテナの一つの実施例の側面断面
図である。
【図３５】図３５Ａから３５Ｅは、中央のガス供給シリ
コン天井一つの実施例を示しており、内３５Ａはガス供
給装置の頂上の底面斜視図であり、図３５Ｂは、該頂上
の環状シールの底面斜視図であり、図３５Ｃは、図３５
Ｂの断面図であり、図３５Ｄは、図３５Ｄのガス供給孔
を示しているシリコンの天井の上面図である。図３５Ｅ
は図３５Ｄのシリコン天井の部分的な断面図である。
コン天井一つの実施例を示しており、内３５Ａはガス供
給装置の頂上の底面斜視図であり、図３５Ｂは、該頂上
の環状シールの底面斜視図であり、図３５Ｃは、図３５
Ｂの断面図であり、図３５Ｄは、図３５Ｄのガス供給孔
を示しているシリコンの天井の上面図である。図３５Ｅ
は図３５Ｄのシリコン天井の部分的な断面図である。
【図３６】図３６Ａは、シリコンウェーハ邪魔板で仕切
られている一組のガスプレナムを有する中央ガス供給シ
リコン天井のもう一つの実施例の断面図である。図３６
Ｂは、代案としての図３６に関する実施例を示してい
る。
られている一組のガスプレナムを有する中央ガス供給シ
リコン天井のもう一つの実施例の断面図である。図３６
Ｂは、代案としての図３６に関する実施例を示してい
る。
【図３７】図３７Ａは、ドーム型天井を有する図１０の
実施例の中に、ファラデー遮蔽を含める方法を示してい
る。図３７Ｂは、図３７Ａのファラデ−遮蔽の上面図で
ある。
実施例の中に、ファラデー遮蔽を含める方法を示してい
る。図３７Ｂは、図３７Ａのファラデ−遮蔽の上面図で
ある。
【図３８】図３８Ａは、ドーム型天井を有する図１０の
実施例にファラデー遮蔽を含める方法を示している。図
３８Ｂは、筒状半導体ウィンドウ電極と誘導アンテナを
有する図７から９の実施例にファラデー遮蔽を含める方
法を示している。
実施例にファラデー遮蔽を含める方法を示している。図
３８Ｂは、筒状半導体ウィンドウ電極と誘導アンテナを
有する図７から９の実施例にファラデー遮蔽を含める方
法を示している。
【図３９】図３９Ａは、本発明の好ましい実施例の詳し
い側面断面図である。図３９Ｂは、オーバーヘッド誘導
アンテナに使用される導電体の軸方向断面図である。
い側面断面図である。図３９Ｂは、オーバーヘッド誘導
アンテナに使用される導電体の軸方向断面図である。
【図４０】図４０は、半導体ウィンドウと誘導アンテナ
がリアクタチャンバの中にある代案としての実施例を示
している。
がリアクタチャンバの中にある代案としての実施例を示
している。
【図４１】図４１Ａは、半導体のウィンドウがドーム型
である図４０に対応する実施例を示している。図４１Ｂ
は、半導体のウィンドウが筒状で誘導コイルが筒状であ
る図４０に対応する実施例を示している。
である図４０に対応する実施例を示している。図４１Ｂ
は、半導体のウィンドウが筒状で誘導コイルが筒状であ
る図４０に対応する実施例を示している。
【図４２】図４２は、半導体ウィンドウの分されたバ−
ジョンの側面を示している。
ジョンの側面を示している。
【図４３】図４２は、半導体ウィンドウの分されたバ−
ジョンの上面を示している。
ジョンの上面を示している。
【図４４】図４４は、半導体のウィンドウがドーム型で
ある図４２に対応する実施例を示している。
ある図４２に対応する実施例を示している。
【図４５】図４５は、ＲＦ電力が半導体のウィンドウ電
極と側壁電極に分けられており、該電極自身が半導体の
ウィンドウ電極の分節された一部とすることができる実
施例を示している。
極と側壁電極に分けられており、該電極自身が半導体の
ウィンドウ電極の分節された一部とすることができる実
施例を示している。
【図４６】図４６は、半導体ウィンドウの電極の外側の
分節が接地されておりまたＲＦ電力が半導体のウィンド
ウの電極とウェーハ架台に分けられている、図４２実施
例の変形を示している。
分節が接地されておりまたＲＦ電力が半導体のウィンド
ウの電極とウェーハ架台に分けられている、図４２実施
例の変形を示している。
【図４７】図４７は、半導体ウィンドウの電極の外側の
分節が接地されておりまたＲＦ電力が半導体のウィンド
ウの電極とウェーハ架台に分けられている、図４４の実
施例の変形を示している。
分節が接地されておりまたＲＦ電力が半導体のウィンド
ウの電極とウェーハ架台に分けられている、図４４の実
施例の変形を示している。
【図４８】図４８Ａは、プラズマをウェーハの上の加工
領域の中に閉じ込める全半導体覆いを有する本発明の一
つの実施例のプラズマリアクタの切り取り側面図であ
る。図４８Ｂは、ウェーハの架台に対して横ではなくプ
ラズマが軸上で分離されていることを除いて図４８Ａに
対応するプラズマリアクタの切り取り側面図である。図
４８Ｃは、天井の異なる部分がＲＦで駆動される、図４
８に関連する実施例を示している。
領域の中に閉じ込める全半導体覆いを有する本発明の一
つの実施例のプラズマリアクタの切り取り側面図であ
る。図４８Ｂは、ウェーハの架台に対して横ではなくプ
ラズマが軸上で分離されていることを除いて図４８Ａに
対応するプラズマリアクタの切り取り側面図である。図
４８Ｃは、天井の異なる部分がＲＦで駆動される、図４
８に関連する実施例を示している。
【図４９】図４９は、全ての半導体の覆いがモノリシッ
クであることを除いて図４８Ａに対応するプラズマリア
クタ切り取り側面図である。
クであることを除いて図４８Ａに対応するプラズマリア
クタ切り取り側面図である。
【図５０】図５０は、半導体の覆いがディスクの中心部
分と筒状のスカ−トを有する環状部分に分けられている
ことを除いて図４８Ａに対応するプラズマリアクタ切り
取り側面図である。
分と筒状のスカ−トを有する環状部分に分けられている
ことを除いて図４８Ａに対応するプラズマリアクタ切り
取り側面図である。
【図５１】図５１は、半導体の覆いがディスクの中心部
分、環状側面部分と別個の筒状スカ−トに分けられてい
ることを除いて図４８Ａに対応するプラズマリアクタ切
り取り側面図である。
分、環状側面部分と別個の筒状スカ−トに分けられてい
ることを除いて図４８Ａに対応するプラズマリアクタ切
り取り側面図である。
【図５２】図５２は、別個の内側と外側の誘導コイルを
有する図５０のプラズマリアクタを示している。
有する図５０のプラズマリアクタを示している。
【図５３】図５３は、別個の内側と外側の誘導コイルを
有する図５１のプラズマリアクタを示している。
有する図５１のプラズマリアクタを示している。
【図５４】図５４は、半導体の覆いの筒状のスカートの
回りに巻かれた筒状の誘導コイルを有する図４８のプラ
ズマリアクタを示している。
回りに巻かれた筒状の誘導コイルを有する図４８のプラ
ズマリアクタを示している。
【図５５】図５５は、半導体の覆いの筒状のスカートの
回りに巻かれた筒状の誘導コイルを有する図４８のプラ
ズマリアクタを示している。
回りに巻かれた筒状の誘導コイルを有する図４８のプラ
ズマリアクタを示している。
【図５６】図５６は、半導体の覆いの筒状のスカートの
回りに巻かれた筒状の誘導コイルを有する図５０のプラ
ズマリアクタを示している。
回りに巻かれた筒状の誘導コイルを有する図５０のプラ
ズマリアクタを示している。
【図５７】図５７は、半導体の覆いの筒状のスカートの
回りに巻かれた筒状の誘導コイルを有する図５１のプラ
ズマリアクタを示している。
回りに巻かれた筒状の誘導コイルを有する図５１のプラ
ズマリアクタを示している。
【図５８】図５８は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図４８Ａに対応するプラズマリア
クタ切り取り側面図である。
型であることを除いて図４８Ａに対応するプラズマリア
クタ切り取り側面図である。
【図５９】図５９は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図４９に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図４９に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６０】図６０は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図５０に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図５０に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６１】図６１は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図５１に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図５１に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６２】図６２は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図５２に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図５２に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６３】図６３は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図５３に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図５３に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６４】図６４は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図５４に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図５４に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６５】図６５は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図５５に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図５５に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６６】図６６は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図５６に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図５６に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６７】図６７は、半導体の覆いの天井部分がドーム
型であることを除いて図５７に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
型であることを除いて図５７に対応するプラズマリアク
タ切り取り側面図である。
【図６８】図６８Ａは、図４８−６７の実施例の中でオ
プションとして使用されたプラズマ閉じ込め磁石の第一
のバ−ジョンの図表である。図６８Ｂは、図４８−６７
の実施例の中でオプションとして使用されたプラズマ閉
じ込め磁石の第二のバ−ジョンの図表である。図６８Ｃ
は、図４８−６７の実施例の中でオプションとして使用
されたプラズマ閉じ込め磁石の第三のバ−ジョンの図表
である。図６８Ｄは、図４８−６７の実施例の中でオプ
ションとして使用されたプラズマ閉じ込め磁石の第三の
バ−ジョンの図表である。図６８Ｅは、図４８−６７の
実施例の中でオプションとして使用されたプラズマ閉じ
込め磁石の第４のバ−ジョンの図表である。
プションとして使用されたプラズマ閉じ込め磁石の第一
のバ−ジョンの図表である。図６８Ｂは、図４８−６７
の実施例の中でオプションとして使用されたプラズマ閉
じ込め磁石の第二のバ−ジョンの図表である。図６８Ｃ
は、図４８−６７の実施例の中でオプションとして使用
されたプラズマ閉じ込め磁石の第三のバ−ジョンの図表
である。図６８Ｄは、図４８−６７の実施例の中でオプ
ションとして使用されたプラズマ閉じ込め磁石の第三の
バ−ジョンの図表である。図６８Ｅは、図４８−６７の
実施例の中でオプションとして使用されたプラズマ閉じ
込め磁石の第４のバ−ジョンの図表である。
【図６９】図６９は、容量結合を除いて、図４８Ａに対
応する本発明の代案としての実施例のプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
応する本発明の代案としての実施例のプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図７０】図７０は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図４８Ａに関する本発明の代案とし
ての実施例のプラズマリアクタ切り取り側面図である。
であることを除いて図４８Ａに関する本発明の代案とし
ての実施例のプラズマリアクタ切り取り側面図である。
【図７１】図７１は、半導体の覆いの天井部分がを半球
体であることを除く図４９に関するプラズマリアクタ切
り取り側面図である。
体であることを除く図４９に関するプラズマリアクタ切
り取り側面図である。
【図７２】図７２は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図５０に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
であることを除いて図５０に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図７３】図７３は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図５１に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
であることを除いて図５１に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図７４】図７４は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図５２に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
であることを除いて図５２に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図７５】図７５は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図５３に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
であることを除いて図５３に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図７６】図７６は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図５４に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
であることを除いて図５４に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図７７】図７７は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図５５に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
であることを除いて図５５に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図７８】図７８は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図５６に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
であることを除いて図５６に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図７９】図７９は、半導体の覆いの天井部分が半球体
であることを除いて図５７に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
であることを除いて図５７に対応するプラズマリアクタ
切り取り側面図である。
【図８０】図８０は、複数の放射状にグループ化された
温度が制御された領域、天井の形と非等角である複数の
放射状に左右対称の誘導コイルを有するドーム型あるい
は半球形半導体ウィンドウ電極天井を有するプラズマリ
アクタを示している。
温度が制御された領域、天井の形と非等角である複数の
放射状に左右対称の誘導コイルを有するドーム型あるい
は半球形半導体ウィンドウ電極天井を有するプラズマリ
アクタを示している。
１３５…整合回路、１４０…ポンプ、１５５…整合回
路、１６０…電力分離装置、１７０…整合回路。
路、１６０…電力分離装置、１７０…整合回路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ (72)発明者 マイケル ライス アメリカ合衆国， カリフォルニア州， プレザントン， クラレット コート 675 (72)発明者 ジョン トロウ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， ナイツヘイヴン ウェイ 162 (72)発明者 ダグラス ブクバーガー アメリカ合衆国， カリフォルニア州， トレーシー， ジャーニー ストリート 421 (72)発明者 エリック アスカリナム アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェイル， ポーリン ドライヴ 1332 (72)発明者 ジョシュア ツイ アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サンタ クララ， アゼヴェド コート 613 (72)発明者 デイヴィッド グローシェル アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サニーヴェイル， マルベリー レーン 801 (72)発明者 レイモンド ハング アメリカ合衆国， カリフォルニア州， サン ノゼ， バーケット ドライヴ 1282
Claims (93)
- 【請求項１】 プラズマイオン密度の半径方向分布をワ
ークピースの表面全面にわたって制御するプラズマリア
クタであって：半導体ワークピース及びプロセスガスを
収容するリアクタチャンバであって、該チャンバが、該
チャンバの内部に面している３次元の形態の内面を有す
るオーバーヘッド半導体天井を備える、前記リアクタチ
ャンバと、 該天井の上方に配置される誘導アンテナであって、該誘
導アンテナが、それぞれ個別に制御可能な放射方向内側
部分と放射方向外側部分とを備える、前記誘導アンテナ
と、 前記放射方向内側アンテナ部分と前記放射方向外側アン
テナ部分とのそれぞれ一方に接続される、複数の独立し
たＲＦ電源とを備えるリアクタ。 - 【請求項２】 前記天井の内面がドーム型である請求項
１に記載のリアクタ。 - 【請求項３】 前記天井の内面が半球型である請求項２
に記載のリアクタ。 - 【請求項４】 前記天井が、更に前記天井の内面と一致
している外面を有しており、また誘導アンテナが一般的
に形態で前記天井の外面と共形である、請求項１に記載
のリアクタ。 - 【請求項５】 前記誘導アンテナが、前記３次元の天井
の内面と非共形である、請求項１に記載のリアクタ。 - 【請求項６】 前記誘導アンテナが略平面である請求項
５に記載のリアクタ。 - 【請求項７】 前記天井の別々の半径方向の位置に配置
された複数の熱源を備える請求項１に記載のリアクタ。 - 【請求項８】 更に、熱源を異なる別々の放射位置で個
別に制御する温度制御システムを備え、該システムによ
り前記天井が複数の放射方向温度制御領域を備える、請
求項７に記載のリアクタ。 - 【請求項９】 更に前記チャンバの中に、それぞれ内側
放射配置と外側放射配置にある内側プロセスガス流入口
と外側プロセスガス流入口とを備える、請求項１に記載
のリアクタ。 - 【請求項１０】 前記内側ガス流入口と外側ガス流入口
のプロセスガスの流量が別個に制御可能である請求項９
に記載のリアクタ。 - 【請求項１１】 更に、前記半導体天井に接続されてい
るＲＦ電源を備える、請求項１に記載のリアクタ。 - 【請求項１２】 前記３次元の形態の天井が、電気的に
分離された内側天井部と外側天井部とを備え、該リアク
タが、前記分離された天井部にそれぞれ接続されている
ＲＦ電源を備える請求項１に記載のリアクタ。 - 【請求項１３】 前記天井が、更に前記天井の内面と同
型の外面を有し、また誘導アンテナが形態において前記
天井の外面と共形である請求項３に記載のリアクタ。 - 【請求項１４】 前記誘導アンテナが形態において前記
３次元の形態の天井と内面と非共形である、請求項３に
記載のリアクタ。 - 【請求項１５】 前記天井の別々の放射位置に配置され
た複数の熱源を備える請求項３に記載のリアクタ。 - 【請求項１６】 更に、熱源を異なる別々の放射位置で
個別に制御する温度制御システムを備え、該システムに
より前記天井が複数の放射方向温度制御領域を備える、
請求項１５に記載のリアクタ。 - 【請求項１７】 更に、内側放射方向配置に内側プロセ
スガス流入口を、外側放射方向配置に外側プロセスガス
流入口を、それぞれ前記チャンバに備える請求項３に記
載のリアクタ。 - 【請求項１８】 前記内側ガス流入口と外側ガス流入口
のプロセスガスの流量が別個に制御可能である請求項１
７に記載のリアクタ。 - 【請求項１９】 前記半導体天井に接続されているＲＦ
電源を備える請求項３に記載のリアクタ。 - 【請求項２０】 前記３次元の形態の天井が、電気的に
分離された内側天井部と外側天井部とを備え、該リアク
タが、前記分離された天井部にそれぞれ接続されている
ＲＦ電源を備える請求項３に記載のリアクタ。 - 【請求項２１】 更に、内側放射方向配置に内側プロセ
スガス流入口を、外側放射方向配置に外側プロセスガス
流入口を、それぞれ前記チャンバに備える請求項８に記
載のリアクタ。 - 【請求項２２】 前記内側ガス流入口と外側ガス流入口
のプロセスガスの流量が別個に制御可能である請求項２
１に記載のリアクタ。 - 【請求項２３】 前記天井が、電気的に分離された内側
天井部と外側天井部とを備え、該リアクタが更に、前記
分離された天井部にそれぞれ接続されているＲＦ電源を
備える請求項２２に記載のリアクタ。 - 【請求項２４】 前記天井が、電気的に分離された内側
天井部と外側天井部とを備え、該リアクタが更に、前記
分離された天井部にそれぞれ接続されているＲＦ電源を
備える請求項１０に記載のリアクタ。 - 【請求項２５】 更に、内側放射方向配置に内側プロセ
スガス流入口を、外側放射方向配置に外側プロセスガス
流入口を、それぞれ前記チャンバに備える請求項１６に
記載のリアクタ。 - 【請求項２６】 前記内側ガス流入口と外側ガス流入口
のプロセスガスの流量が別個に制御可能である請求項２
５に記載のリアクタ。 - 【請求項２７】 前記３次元の形態の天井が、電気的に
分離された内側天井部と外側天井部とを備え、該リアク
タが、前記分離された天井部にそれぞれ接続されている
ＲＦ電源を備える請求項２６に記載のリアクタ。 - 【請求項２８】 更に、内側放射方向配置に内側プロセ
スガス流入口を、外側放射方向配置に外側プロセスガス
流入口を、それぞれ前記チャンバに備える請求項２０に
記載のリアクタ。 - 【請求項２９】 前記内側ガス流入口と外側ガス流入口
のプロセスガスの流量が別個に制御可能である請求項２
８に記載のリアクタ。 - 【請求項３０】 プラズマリアクタであって：半導体ワ
ークピース及びプロセスガスを収容するためのリアクタ
チャンバであって、該チャンバが、該チャンバの内部に
面している半球体の形態の内面を有するオーバーヘッド
半導体天井を備える、前記リアクタチャンバと、 該天井の上方に配置される誘導アンテナであって、該誘
導アンテナが前記天井の半球型の内面と非共形である、
前記誘導アンテナと、 前記アンテナに接続されるＲＦ電源とを備えるリアク
タ。 - 【請求項３１】 前記天井が半導体材料を備える請求項
３０に記載のリアクタ。 - 【請求項３２】 更に前記天井に接続されている天井Ｒ
Ｆ電源を備え、前記天井が、（ａ）前記誘導アンテナか
らのＲＦ電力を結合するためのウィンドウと、（ｂ）前
記天井ＲＦ電源から電力を容量結合させる電極とを備え
る請求項３１に記載のリアクタ。 - 【請求項３３】 前記アンテナが、前記天井から上と外
に伸びている巻線を備える請求項３０に記載のリアク
タ。 - 【請求項３４】 前記巻線がソレノイド誘導装置を構成
している請求項３３に記載のリアクタ。 - 【請求項３５】 前記天井が、更に前記天井の内面と同
じ外面を有しており、また誘導アンテナが形態において
前記天井の外面と略共形である請求項３０に記載のリア
クタ。 - 【請求項３６】 前記誘導アンテナが形態で前記３次元
の形態の天井と内面と非共形である請求項３０に記載の
リアクタ。 - 【請求項３７】 前記誘導アンテナが略平面である請求
項３６に記載のリアクタ。 - 【請求項３８】 前記天井の別々の半径方向の位置に配
置された複数の熱源を備える請求項３０に記載のリアク
タ。 - 【請求項３９】 更に、熱源を異なる別々の放射位置で
個別に制御する温度制御システムを備え、該システムに
より前記天井が複数の放射方向温度制御領域を備える、
請求項３８に記載のリアクタ。 - 【請求項４０】 更に、内側放射方向配置に内側プロセ
スガス流入口を、外側放射方向配置に外側プロセスガス
流入口を、それぞれ前記チャンバに備える請求項３０に
記載のリアクタ。 - 【請求項４１】 前記内側ガス流入口と前記外側ガス流
入口でプロセスガス流量が別個に制御可能である請求項
４０に記載のリアクタ。 - 【請求項４２】 前記半導体天井に接続されているＲＦ
電源を備える請求項３０に記載のリアクタ。 - 【請求項４３】 前記３次元の形態の天井が、電気的に
分離された内側天井部と外側天井部とを備え、該リアク
タが、前記分離された天井部にそれぞれ接続されるＲＦ
電源を備える請求項３０に記載のリアクタ。 - 【請求項４４】 更に、内側放射方向配置に内側プロセ
スガス流入口を、外側放射方向配置に外側プロセスガス
流入口を、それぞれ前記チャンバに備える請求項３９に
記載のリアクタ。 - 【請求項４５】 前記内側ガス流入口と外側ガス流入口
のプロセスガスの流量が別個に制御可能である請求項４
４に記載のリアクタ。 - 【請求項４６】 前記天井が、電気的に分離された内側
天井部と外側天井部とを備え、該リアクタが、前記分離
された天井部にそれぞれ接続されるＲＦ電源を備える請
求項４５に記載のリアクタ。 - 【請求項４７】 前記天井が、電気的に分離された内側
天井部と外側天井部とを備え、該リアクタが、前記分離
された天井部にそれぞれ接続されるＲＦ電源を備える請
求項４１に記載のリアクタ。 - 【請求項４８】 プラズマイオン密度の半径方向分布を
ワークピースの表面全面にわたって制御するプラズマリ
アクタであって：半導体ワークピース及びプロセスガス
を収容するリアクタチャンバであって、該チャンバが、
該チャンバの内部に面している３次元の形態の内面を有
するオーバーヘッド半導体天井を備える、前記リアクタ
チャンバと、 該天井の上方に配置される誘導アンテナと、 前記チャンバ内の内側放射方向配置の内側プロセスガス
流入口と、外側放射方向配置の外側プロセスガス流入口
とであって、前記内側ガス流入口と外側ガス流入口のプ
ロセスガスの流量が別個に制御可能である、前記内側プ
ロセスガス流入口及び前記外側プロセスガス流入口と、
前記アンテナに接続されるＲＦ電源とを備えるリアク
タ。 - 【請求項４９】 前記天井が半導体材を備える請求項４
８に記載のプラズマリアクタ。 - 【請求項５０】 更に前記天井に接続されている天井Ｒ
Ｆ電源を備え、前記天井が、（ａ）前記誘導アンテナか
らのＲＦ電力を結合するためのウィンドウと、（ｂ）前
記天井ＲＦ電源からの電力を容量結合させる電極とを備
える請求項４９に記載のリアクタ。 - 【請求項５１】 前記アンテナ、天井から上と外に伸び
ている巻線を備える請求項４８に記載のリアクタ。 - 【請求項５２】 前記巻線がソレノイド誘導装置を構成
している請求項５１に記載のリアクタ。 - 【請求項５３】 前記天井が、更に前記天井の内面と同
型の外面を有し、また誘導アンテナが形態において前記
天井の外面と共形である請求項４８に記載のリアクタ。 - 【請求項５４】 前記誘導アンテナが形態で前記３次元
の形態の天井と内面と非共形である、請求項４８に記載
のリアクタ。 - 【請求項５５】 前記誘導アンテナが略平面である請求
項５４に記載のリアクタ。 - 【請求項５６】 前記天井の別々の放射位置に配置され
た複数の熱源を備える請求項４８に記載のリアクタ。 - 【請求項５７】 更に、熱源を異なる別々の放射位置で
個別に制御する温度制御システムを備え、該システムに
より前記天井が複数の放射方向温度制御領域を備える請
求項５６に記載のリアクタ。 - 【請求項５８】 前記３次元の形態の天井が、電気的に
分離された内側天井部と外側天井部とを備え、該リアク
タが、前記分離された天井部にそれぞれ接続されるＲＦ
電源を備える請求項４８に記載のリアクタ。 - 【請求項５９】 前記天井が、電気的に分離された内側
天井部と外側天井部とを備え、該リアクタが、前記分離
された天井部にそれぞれ接続されるＲＦ電源を備える請
求項５７に記載のリアクタ。 - 【請求項６０】 前記天井が、電気的に分離された内側
天井部と外側天井部とを備え、該リアクタが、前記分離
された天井部にそれぞれ接続されるＲＦ電源を備える請
求項４８に記載のリアクタ。 - 【請求項６１】 プラズマリアクタであって：半導体ワ
ークピース及びプロセスガスを収容するためのリアクタ
チャンバであって、該チャンバが、該チャンバの内部に
面する内面を有するオーバーヘッド半導体天井を備え
る、前記リアクタチャンバと、 該天井の上方に配置され、前記天井の前記内面と非共形
である誘導アンテナと、 前記アンテナに接続されるＲＦ電源とを備えるリアク
タ。 - 【請求項６２】 前記天井が半導体材を備える請求項６
１に記載のリアクタ。 - 【請求項６３】 更に前記天井に接続されている天井Ｒ
Ｆ電源を備え、前記天井が、（ａ）前記誘導アンテナか
らのＲＦ電力を結合するためのウィンドウと、（ｂ）前
記天井ＲＦ電源からの電力を容量結合させる電極とを備
える請求項６２に記載のリアクタ。 - 【請求項６４】 前記アンテナが、前記天井から上と外
に伸びている巻線を備える、請求項６１に記載のリアク
タ。 - 【請求項６５】 前記巻線がソレノイド誘導装置を構成
している、請求項６４に記載のリアクタ。 - 【請求項６６】 前記天井の内面が３次元の形態であ
る、請求項６１に記載のリアクタ。 - 【請求項６７】 前記誘導アンテナが一般的に平面であ
る、請求項６６に記載のリアクタ。 - 【請求項６８】 前記天井の内面がドーム型である、請
求項６６に記載のリアクタ。 - 【請求項６９】 前記天井の別々の放射位置に配置され
た複数の熱源を備える請求項６１に記載のリアクタ。 - 【請求項７０】 更に、熱源を異なる別々の放射位置で
個別に制御する温度制御システムを備え、該システムに
より前記天井が複数の放射方向温度制御領域を備える請
求項６９に記載のリアクタ。 - 【請求項７１】 前記天井が、電気的に分離された内側
天井部と外側天井部とを備え、該リアクタが、前記分離
された天井部にそれぞれ接続されるＲＦ電源を備える請
求項７０に記載のリアクタ。 - 【請求項７２】 前記天井が、電気的に分離された内側
天井部と外側天井部とを備え、該リアクタが、前記分離
された天井部にそれぞれ接続されるＲＦ電源を備える請
求項６１に記載のリアクタ。 - 【請求項７３】 プラズマリアクタであって：半導体ワ
ークピースとプロセスガスを入れるためのリアクタチャ
ンバであって、前記チャンバが、前記チャンバの内部に
面し３次元状の内面を有し少なくとも半導電体であるオ
ーバーヘッド天井を備え、前記天井が、電気的に分離さ
れる内側天井部と外側天井部分を備え、前記リアクタ
が、更に前記分離される天井部分にそれぞれ接続される
それぞれのＲＦ電源を備えるリアクタ。 - 【請求項７４】 前記天井と対面し前記天井の反対側に
電極を構成するワークピース支持体を、前記チャンバ内
に備える請求項７３に記載のリアクタ。 - 【請求項７５】 前記天井が半導体材料を備え、前記天
井は、前チャンバ内へＲＦ電力を誘導結合させるための
ウィンドウと、電極との両者であり、前記リアクタが更
に：前記天井の上方に配置される誘導アンテナと前記ア
ンテナに接続されるＲＦ電源をと備える請求項７３に記
載のリアクタ。 - 【請求項７６】 前記アンテナが前記天井の内面と非共
形である、請求項７３に記載のリアクタ。 - 【請求項７７】 前記アンテナが前記天井から上と外に
伸びている巻線を備える、請求項７６に記載のリアク
タ。 - 【請求項７８】 前記巻線がソレノイド誘導装置を構成
している、請求項７７に記載のリアクタ。 - 【請求項７９】 前記誘導アンテナが一般的に平面であ
る、請求項７６に記載のリアクタ。 - 【請求項８０】 前記天井の内面がドーム型である、請
求項７６に記載のリアクタ。 - 【請求項８１】 前記天井の別々の放射位置に配置され
た複数の熱源を備える請求項７３に記載のリアクタ。 - 【請求項８２】 更に、熱源を異なる別々の放射位置で
個別に制御する温度制御システムを備え、該システムに
より前記天井が複数の放射方向温度制御領域を備える請
求項８１に記載のリアクタ。 - 【請求項８３】 前記天井が、更に前記天井の内面と同
型の外面を有し、また誘導アンテナが形態において前記
天井の外面と共形である請求項７３に記載のリアクタ。 - 【請求項８４】 プラズマリアクタであって：半導体ワ
ークピース及びプロセスガスを収容するためのリアクタ
チャンバであって、該チャンバが、該チャンバの内部に
面する３次元の内面を有するオーバーヘッド半導体天井
を備える、前記リアクタチャンバと、 該天井の上方に配置される誘導アンテナと、前記天井の
別々の放射位置に配置された複数の熱源とを備えるプラ
ズマリアクタ。 - 【請求項８５】 更に、熱源を異なる別々の放射位置で
個別に制御する温度制御システムを備え、該システムに
より前記天井が複数の放射方向温度制御領域を備える請
求項８４に記載のリアクタ。 - 【請求項８６】 前記天井が半導体材を備える、請求項
８４に記載のリアクタ。 - 【請求項８７】 更に前記天井に接続されている天井Ｒ
Ｆ電源を備え、前記天井が、（ａ）前記誘導アンテナか
らのＲＦ電力を結合するためのウィンドウと、（ｂ）前
記天井ＲＦ電源からの電力を容量結合させる電極とを備
える請求項８６に記載のリアクタ。 - 【請求項８８】 前記アンテナが前記天井の内面と非共
形である、請求項８７に記載のリアクタ。 - 【請求項８９】 前記誘導アンテナが略平面である、請
求項８８に記載のリアクタ。 - 【請求項９０】 前記天井の内面がドーム型である、請
求項８９に記載のリアクタ。 - 【請求項９１】 前記アンテナが、前記天井から離れて
伸びている誘導巻線を備える請求項８８に記載のリアク
タ。 - 【請求項９２】 前記アンテナがソレノイドを備える、
請求項９１に記載のリアクタ。 - 【請求項９３】 前記天井が、更に前記天井の内面と同
型の外面を有し、また誘導アンテナが形態において前記
天井の外面と共形である、請求項８３に記載のリアク
タ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/740,124 US6054013A (en) | 1996-02-02 | 1996-10-24 | Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density |
| US08/740124 | 1996-10-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189296A true JPH10189296A (ja) | 1998-07-21 |
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|---|---|---|---|
| JP9309698A Withdrawn JPH10189296A (ja) | 1996-10-24 | 1997-10-24 | 平行板電極プラズマリアクタ |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6054013A (ja) |
| EP (1) | EP0838843A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10189296A (ja) |
| KR (1) | KR19980033120A (ja) |
| TW (1) | TW376531B (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001308079A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| KR100323613B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2002-02-19 | 박세근 | 대면적 플라즈마 소스 형성장치 |
| JP2004531856A (ja) * | 2001-04-13 | 2004-10-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 制御可能な電力分配を伴う誘導結合されたプラズマ源 |
| JP2004535056A (ja) * | 2000-04-25 | 2004-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバ排気内のプラズマに対する磁気障壁 |
| JP2009528676A (ja) * | 2006-02-27 | 2009-08-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマエッチングチャンバのための統合型の容量および誘導電源 |
| US7604709B2 (en) | 2002-08-06 | 2009-10-20 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2010238981A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2011018650A (ja) * | 1999-03-26 | 2011-01-27 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマのプラズマ分布および性能を改善する装置 |
| JP2011029584A (ja) * | 2009-01-14 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| JP2011509526A (ja) * | 2008-01-15 | 2011-03-24 | ユージン テクノロジー カンパニー リミテッド | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP2011096689A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP2012186248A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014089957A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-15 | Lam Research Corporation | プラズマエッチングチャンバ用のｔｃｃｔマッチング回路 |
| JP2014132570A (ja) * | 2013-01-04 | 2014-07-17 | Psk Inc | プラズマチャンバー及び基板処理装置 |
| US9313872B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-04-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US9899191B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-02-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JP2018073809A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-05-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フロースルー源を有するチャンバ |
| US9997332B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| WO2023058475A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Families Citing this family (457)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6063233A (en) | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6165311A (en) * | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| JP3257328B2 (ja) * | 1995-03-16 | 2002-02-18 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| TW279240B (en) | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
| TW303480B (en) | 1996-01-24 | 1997-04-21 | Applied Materials Inc | Magnetically confined plasma reactor for processing a semiconductor wafer |
| ATE396494T1 (de) | 1996-09-27 | 2008-06-15 | Surface Technology Systems Plc | Plasmabearbeitungsgerät |
| US6534922B2 (en) | 1996-09-27 | 2003-03-18 | Surface Technology Systems, Plc | Plasma processing apparatus |
| TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
| GB9714341D0 (en) * | 1997-07-09 | 1997-09-10 | Surface Tech Sys Ltd | Plasma processing apparatus |
| US6164241A (en) * | 1998-06-30 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Multiple coil antenna for inductively-coupled plasma generation systems |
| WO2000032839A1 (en) * | 1998-12-01 | 2000-06-08 | Silicon Genesis Corporation | Enhanced plasma mode, method, and system for plasma immersion ion implantation |
| US6474258B2 (en) | 1999-03-26 | 2002-11-05 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma |
| US6523493B1 (en) | 2000-08-01 | 2003-02-25 | Tokyo Electron Limited | Ring-shaped high-density plasma source and method |
| JP2000331993A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| JP3385528B2 (ja) * | 1999-07-06 | 2003-03-10 | 日本電気株式会社 | ドライエッチング装置とドライエッチング方法 |
| WO2001037314A1 (en) * | 1999-11-15 | 2001-05-25 | Lam Research Corporation | Materials and gas chemistries for processing systems |
| US6320320B1 (en) | 1999-11-15 | 2001-11-20 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing uniform process rates |
| US6322661B1 (en) | 1999-11-15 | 2001-11-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for controlling the volume of a plasma |
| US6302966B1 (en) | 1999-11-15 | 2001-10-16 | Lam Research Corporation | Temperature control system for plasma processing apparatus |
| US6341574B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-01-29 | Lam Research Corporation | Plasma processing systems |
| US6432259B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor cooled ceiling with an array of thermally isolated plasma heated mini-gas distribution plates |
| US6518190B1 (en) * | 1999-12-23 | 2003-02-11 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor with dry clean apparatus and method |
| US6447636B1 (en) * | 2000-02-16 | 2002-09-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with dynamic RF inductive and capacitive coupling control |
| US7067034B2 (en) | 2000-03-27 | 2006-06-27 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for plasma forming inner magnetic bucket to control a volume of a plasma |
| US6632322B1 (en) | 2000-06-30 | 2003-10-14 | Lam Research Corporation | Switched uniformity control |
| US6494998B1 (en) | 2000-08-30 | 2002-12-17 | Tokyo Electron Limited | Process apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma using an internal inductive element |
| JP4366856B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2009-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| US7096819B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-08-29 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor having coil with plural windings and method of controlling plasma density |
| US6583572B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-06-24 | Lam Research Corporation | Inductive plasma processor including current sensor for plasma excitation coil |
| JP5079949B2 (ja) * | 2001-04-06 | 2012-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および処理方法 |
| US20020170678A1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Toshio Hayashi | Plasma processing apparatus |
| JP4666912B2 (ja) * | 2001-08-06 | 2011-04-06 | エー・エス・エムジニテックコリア株式会社 | プラズマで補強した原子層蒸着装置及びこれを利用した薄膜形成方法 |
| US6820570B2 (en) * | 2001-08-15 | 2004-11-23 | Nobel Biocare Services Ag | Atomic layer deposition reactor |
| KR100760291B1 (ko) * | 2001-11-08 | 2007-09-19 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 박막 형성 방법 |
| US20030160024A1 (en) * | 2002-02-27 | 2003-08-28 | Tadayashi Kawaguchi | Plasma processing method and apparatus |
| US7354501B2 (en) * | 2002-05-17 | 2008-04-08 | Applied Materials, Inc. | Upper chamber for high density plasma CVD |
| US7074298B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-07-11 | Applied Materials | High density plasma CVD chamber |
| US7067439B2 (en) * | 2002-06-14 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | ALD metal oxide deposition process using direct oxidation |
| AU2002313941A1 (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-16 | Plasmart Co. Ltd. | Inductively coupled plasma generator having lower aspect ratio |
| US20040062624A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | Intel Corporation | Vented cold ring, processes, and methods of using |
| US20040112544A1 (en) * | 2002-12-16 | 2004-06-17 | Hongwen Yan | Magnetic mirror for preventing wafer edge damage during dry etching |
| JP2004363332A (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-24 | Nec Yamagata Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| KR101007822B1 (ko) * | 2003-07-14 | 2011-01-13 | 주성엔지니어링(주) | 혼합형 플라즈마 발생 장치 |
| US7405521B2 (en) * | 2003-08-22 | 2008-07-29 | Lam Research Corporation | Multiple frequency plasma processor method and apparatus |
| US7273533B2 (en) * | 2003-11-19 | 2007-09-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling |
| JP3816081B2 (ja) * | 2004-03-10 | 2006-08-30 | 松下電器産業株式会社 | プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法 |
| US20050205211A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-09-22 | Vikram Singh | Plasma immersion ion implantion apparatus and method |
| US8236105B2 (en) | 2004-04-08 | 2012-08-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling gas flow in a semiconductor substrate processing chamber |
| US8119210B2 (en) | 2004-05-21 | 2012-02-21 | Applied Materials, Inc. | Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material |
| US7169256B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Plasma processor with electrode responsive to multiple RF frequencies |
| JP4550507B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2010-09-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US7250373B2 (en) * | 2004-08-27 | 2007-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching material layers with high uniformity of a lateral etch rate across a substrate |
| US20060105114A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | White John M | Multi-layer high quality gate dielectric for low-temperature poly-silicon TFTs |
| KR100721572B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2007-05-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유도결합형 플라즈마 처리장치 |
| WO2006106764A1 (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 伝送線路 |
| US7396415B2 (en) * | 2005-06-02 | 2008-07-08 | Asm America, Inc. | Apparatus and methods for isolating chemical vapor reactions at a substrate surface |
| US7651587B2 (en) * | 2005-08-11 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Two-piece dome with separate RF coils for inductively coupled plasma reactors |
| KR100769138B1 (ko) * | 2005-10-12 | 2007-10-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 고밀도 플라즈마 화학기상 증착 방법을 이용한 플라즈마산화막 형성장치 및 형성방법 |
| JP2007149638A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-06-14 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ生成方法及び装置並びにプラズマ処理装置 |
| CN1937880B (zh) * | 2005-12-08 | 2010-05-12 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 电感耦合源 |
| KR100650260B1 (ko) * | 2005-12-27 | 2006-11-27 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 플라즈마 식각 장비 |
| US8012306B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-09-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing reactor with multiple capacitive and inductive power sources |
| US7678710B2 (en) * | 2006-03-09 | 2010-03-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system |
| US7645710B2 (en) * | 2006-03-09 | 2010-01-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma system |
| US7837838B2 (en) * | 2006-03-09 | 2010-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method of fabricating a high dielectric constant transistor gate using a low energy plasma apparatus |
| TWI398926B (zh) * | 2006-04-25 | 2013-06-11 | Gen Co Ltd | 具有與磁通通道耦合之電漿室的電漿反應器 |
| US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
| US7520999B2 (en) * | 2006-05-03 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece in a plasma reactor with dynamic adjustment of the plasma source power applicator and the workpiece relative to one another |
| US7431797B2 (en) * | 2006-05-03 | 2008-10-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with a dynamically adjustable plasma source power applicator |
| US7419551B2 (en) * | 2006-05-03 | 2008-09-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with apparatus for dynamically adjusting the plasma source power applicator and the workpiece relative to one another |
| US7504041B2 (en) * | 2006-05-03 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Method of processing a workpiece in a plasma reactor employing a dynamically adjustable plasma source power applicator |
| US9275887B2 (en) * | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
| CN101136279B (zh) * | 2006-08-28 | 2010-05-12 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 电感耦合线圈及电感耦合等离子体装置 |
| WO2008039845A2 (en) * | 2006-09-26 | 2008-04-03 | Applied Materials, Inc. | Fluorine plasma treatment of high-k gate stack for defect passivation |
| US20080078745A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Zyvex Corporation | RF Coil Plasma Generation |
| US7758763B2 (en) * | 2006-10-31 | 2010-07-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma for resist removal and facet control of underlying features |
| US8314560B2 (en) * | 2006-11-28 | 2012-11-20 | Samco Inc. | Plasma processing apparatus |
| US20080156264A1 (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-03 | Novellus Systems, Inc. | Plasma Generator Apparatus |
| US7758718B1 (en) * | 2006-12-29 | 2010-07-20 | Lam Research Corporation | Reduced electric field arrangement for managing plasma confinement |
| US8123902B2 (en) * | 2007-03-21 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Gas flow diffuser |
| US20080241387A1 (en) * | 2007-03-29 | 2008-10-02 | Asm International N.V. | Atomic layer deposition reactor |
| US9536711B2 (en) * | 2007-03-30 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for DC voltage control on RF-powered electrode |
| US8956500B2 (en) | 2007-04-24 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Methods to eliminate “M-shape” etch rate profile in inductively coupled plasma reactor |
| US8435379B2 (en) | 2007-05-08 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods |
| US7976674B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-07-12 | Tokyo Electron Limited | Embedded multi-inductive large area plasma source |
| US20090004873A1 (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-01 | Intevac, Inc. | Hybrid etch chamber with decoupled plasma controls |
| US20090004836A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma doping with enhanced charge neutralization |
| US9123509B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-09-01 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Techniques for plasma processing a substrate |
| KR101358780B1 (ko) * | 2007-07-20 | 2014-02-04 | 최대규 | 히터가 설치된 유도 결합 플라즈마 소스를 구비한 플라즈마반응기 |
| US20090035946A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Asm International N.V. | In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors |
| KR20090018290A (ko) * | 2007-08-17 | 2009-02-20 | 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 | 증착 장치 |
| JP5347294B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| US9287096B2 (en) | 2007-09-27 | 2016-03-15 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for a hybrid capacitively-coupled and an inductively-coupled plasma processing system |
| US20090084987A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Charge neutralization in a plasma processing apparatus |
| US8673080B2 (en) | 2007-10-16 | 2014-03-18 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead |
| US20090162570A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for processing a substrate using inductively coupled plasma technology |
| US8062472B2 (en) * | 2007-12-19 | 2011-11-22 | Applied Materials, Inc. | Method of correcting baseline skew by a novel motorized source coil assembly |
| US8137463B2 (en) * | 2007-12-19 | 2012-03-20 | Applied Materials, Inc. | Dual zone gas injection nozzle |
| US8999106B2 (en) * | 2007-12-19 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling edge performance in an inductively coupled plasma chamber |
| US8876024B2 (en) * | 2008-01-10 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Heated showerhead assembly |
| US8607733B2 (en) * | 2008-02-18 | 2013-12-17 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method |
| CN101515498B (zh) * | 2008-02-18 | 2013-12-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种电感耦合线圈及采用该耦合线圈的等离子体处理装置 |
| US20090221149A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-03 | Hammond Iv Edward P | Multiple port gas injection system utilized in a semiconductor processing system |
| US9591738B2 (en) * | 2008-04-03 | 2017-03-07 | Novellus Systems, Inc. | Plasma generator systems and methods of forming plasma |
| US8383525B2 (en) * | 2008-04-25 | 2013-02-26 | Asm America, Inc. | Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures |
| KR101020075B1 (ko) * | 2008-05-06 | 2011-03-09 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 유도 결합 플라즈마 반응기 |
| US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US20100266765A1 (en) * | 2009-04-21 | 2010-10-21 | White Carl L | Method and apparatus for growing a thin film onto a substrate |
| US9305750B2 (en) * | 2009-06-12 | 2016-04-05 | Lam Research Corporation | Adjusting current ratios in inductively coupled plasma processing systems |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US9034142B2 (en) * | 2009-12-18 | 2015-05-19 | Novellus Systems, Inc. | Temperature controlled showerhead for high temperature operations |
| KR101092172B1 (ko) * | 2009-12-24 | 2011-12-13 | 주식회사 디엠에스 | 설정된 식각 조건에 따라 유도성 코일의 결합구조를 선택적으로 변경하는 플라즈마 반응기 및 이를 이용한 식각 방법 |
| JP5462369B2 (ja) * | 2010-09-10 | 2014-04-02 | 株式会社イー・エム・ディー | プラズマ処理装置 |
| US8591755B2 (en) * | 2010-09-15 | 2013-11-26 | Lam Research Corporation | Methods for controlling plasma constituent flux and deposition during semiconductor fabrication and apparatus for implementing the same |
| KR101937115B1 (ko) | 2011-03-04 | 2019-01-09 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 하이브리드 세라믹 샤워헤드 |
| JPWO2012120928A1 (ja) * | 2011-03-09 | 2014-07-17 | 日本碍子株式会社 | リアクタ構造及びプラズマ処理装置 |
| US9059678B2 (en) * | 2011-04-28 | 2015-06-16 | Lam Research Corporation | TCCT match circuit for plasma etch chambers |
| US10056231B2 (en) * | 2011-04-28 | 2018-08-21 | Lam Research Corporation | TCCT match circuit for plasma etch chambers |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130017315A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling power distribution in substrate processing systems |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| CN103002649B (zh) * | 2011-09-13 | 2016-09-14 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种电感耦合式的等离子体处理装置及其基片处理方法 |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9673069B2 (en) * | 2012-07-20 | 2017-06-06 | Applied Materials, Inc. | High frequency filter for improved RF bias signal stability |
| US9021985B2 (en) * | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9082589B2 (en) * | 2012-10-09 | 2015-07-14 | Novellus Systems, Inc. | Hybrid impedance matching for inductively coupled plasma system |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10316409B2 (en) | 2012-12-21 | 2019-06-11 | Novellus Systems, Inc. | Radical source design for remote plasma atomic layer deposition |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US9677176B2 (en) * | 2013-07-03 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Multi-plenum, dual-temperature showerhead |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10741365B2 (en) | 2014-05-05 | 2020-08-11 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with porous baffle |
| US9911579B2 (en) | 2014-07-03 | 2018-03-06 | Applied Materials, Inc. | Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| WO2016040547A1 (en) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Processing system for small substrates |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| JP6361495B2 (ja) * | 2014-12-22 | 2018-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10378107B2 (en) * | 2015-05-22 | 2019-08-13 | Lam Research Corporation | Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity |
| US10023959B2 (en) | 2015-05-26 | 2018-07-17 | Lam Research Corporation | Anti-transient showerhead |
| US9543150B2 (en) | 2015-06-10 | 2017-01-10 | Lam Research Corporation | Systems and methods for forming ultra-shallow junctions |
| US20160362782A1 (en) * | 2015-06-15 | 2016-12-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas dispenser and deposition apparatus using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| CN106548914B (zh) * | 2015-09-17 | 2018-10-30 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种等离子体处理设备及其清洗系统和方法 |
| US20170092470A1 (en) * | 2015-09-28 | 2017-03-30 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor for processing a workpiece with an array of plasma point sources |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10373794B2 (en) * | 2015-10-29 | 2019-08-06 | Lam Research Corporation | Systems and methods for filtering radio frequencies from a signal of a thermocouple and controlling a temperature of an electrode in a plasma chamber |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US9515633B1 (en) | 2016-01-11 | 2016-12-06 | Lam Research Corporation | Transformer coupled capacitive tuning circuit with fast impedance switching for plasma etch chambers |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US9911660B2 (en) | 2016-04-26 | 2018-03-06 | Lam Research Corporation | Methods for forming germanium and silicon germanium nanowire devices |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| CN107369602B (zh) * | 2016-05-12 | 2019-02-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 反应腔室及半导体加工设备 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102026880B1 (ko) * | 2016-10-13 | 2019-09-30 | 에이피시스템 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR102762543B1 (ko) | 2016-12-14 | 2025-02-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR102700194B1 (ko) | 2016-12-19 | 2024-08-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US11355321B2 (en) | 2017-06-22 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode assembly for moving substrate |
| US11114284B2 (en) | 2017-06-22 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode array in ceiling |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| KR102401446B1 (ko) | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11521828B2 (en) | 2017-10-09 | 2022-12-06 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma source |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| JP7206265B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-17 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | クリーン・ミニエンバイロメントを備える装置 |
| CN111316417B (zh) | 2017-11-27 | 2023-12-22 | 阿斯莫Ip控股公司 | 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置 |
| CN111433902A (zh) | 2017-12-08 | 2020-07-17 | 朗姆研究公司 | 向下游室传送自由基和前体气体以实现远程等离子体膜沉积的有改进的孔图案的集成喷头 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI852426B (zh) | 2018-01-19 | 2024-08-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沈積方法 |
| KR102695659B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-08-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| KR102600229B1 (ko) | 2018-04-09 | 2023-11-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US12025484B2 (en) | 2018-05-08 | 2024-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Thin film forming method |
| TWI843623B (zh) | 2018-05-08 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| TWI840362B (zh) | 2018-06-04 | 2024-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 水氣降低的晶圓處置腔室 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| WO2020002995A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11499222B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR102686758B1 (ko) | 2018-06-29 | 2024-07-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR102707956B1 (ko) | 2018-09-11 | 2024-09-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344B (zh) | 2018-10-01 | 2024-10-25 | Asmip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR102748291B1 (ko) | 2018-11-02 | 2024-12-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP7504584B2 (ja) | 2018-12-14 | 2024-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR102727227B1 (ko) | 2019-01-22 | 2024-11-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| JP7509548B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-07-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| JP7603377B2 (ja) | 2019-02-20 | 2024-12-20 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TWI842826B (zh) | 2019-02-22 | 2024-05-21 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR102782593B1 (ko) | 2019-03-08 | 2025-03-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| JP6976279B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2021-12-08 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
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| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
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| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
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| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| JP7566873B2 (ja) | 2019-07-31 | 2024-10-15 | ラム リサーチ コーポレーション | 複数の出力ポートを有する無線周波数電力発生器 |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
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| CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
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| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
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| US12203168B2 (en) | 2019-08-28 | 2025-01-21 | Lam Research Corporation | Metal deposition |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR102733104B1 (ko) | 2019-09-05 | 2024-11-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TWI846953B (zh) | 2019-10-08 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理裝置 |
| KR20210042810A (ko) | 2019-10-08 | 2021-04-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| TWI846966B (zh) | 2019-10-10 | 2024-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| US12009241B2 (en) | 2019-10-14 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette |
| TWI834919B (zh) | 2019-10-16 | 2024-03-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP7527928B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-08-05 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板処理装置、基板処理方法 |
| JP7569858B2 (ja) | 2019-12-02 | 2024-10-18 | ラム リサーチ コーポレーション | 無線周波数支援プラズマ生成におけるインピーダンス変換 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR102757387B1 (ko) * | 2019-12-13 | 2025-01-20 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리방법 |
| JP2021097227A (ja) | 2019-12-17 | 2021-06-24 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| TW202142733A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 反應器系統、抬升銷、及處理方法 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR20210093163A (ko) | 2020-01-16 | 2021-07-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고 종횡비 피처를 형성하는 방법 |
| KR102675856B1 (ko) | 2020-01-20 | 2024-06-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| CN113284789A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-20 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括钒或铟层的结构的方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| KR20210103956A (ko) | 2020-02-13 | 2021-08-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법 |
| TWI855223B (zh) | 2020-02-17 | 2024-09-11 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法 |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
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| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| US12173404B2 (en) | 2020-03-17 | 2024-12-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method |
| US11994542B2 (en) | 2020-03-27 | 2024-05-28 | Lam Research Corporation | RF signal parameter measurement in an integrated circuit fabrication chamber |
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| JP2021181612A (ja) | 2020-04-29 | 2021-11-25 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 固体ソースプリカーサ容器 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| JP2021177545A (ja) | 2020-05-04 | 2021-11-11 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基板を処理するための基板処理システム |
| KR20210137395A (ko) | 2020-05-07 | 2021-11-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법 |
| CN113667953A (zh) | 2020-05-13 | 2021-11-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于反应器系统的激光器对准夹具 |
| TW202146699A (zh) | 2020-05-15 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統 |
| TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145079A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR102702526B1 (ko) | 2020-05-22 | 2024-09-03 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| KR20210148914A (ko) | 2020-05-29 | 2021-12-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202212620A (zh) | 2020-06-02 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| CN113871296A (zh) | 2020-06-30 | 2021-12-31 | Asm Ip私人控股有限公司 | 衬底处理方法 |
| TW202202649A (zh) | 2020-07-08 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| KR20220011092A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20220011093A (ko) | 2020-07-20 | 2022-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 몰리브덴층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20220021863A (ko) | 2020-08-14 | 2022-02-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| US12040177B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes |
| TW202228863A (zh) | 2020-08-25 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統 |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| TW202229601A (zh) | 2020-08-27 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統 |
| TW202217045A (zh) | 2020-09-10 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| KR20220036866A (ko) | 2020-09-16 | 2022-03-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물 증착 방법 |
| US11646179B2 (en) | 2020-09-24 | 2023-05-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202218049A (zh) | 2020-09-25 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| US12009224B2 (en) | 2020-09-29 | 2024-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for etching metal nitrides |
| KR20220045900A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치 |
| CN114293174A (zh) | 2020-10-07 | 2022-04-08 | Asm Ip私人控股有限公司 | 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备 |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220050048A (ko) | 2020-10-15 | 2022-04-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TWI758939B (zh) * | 2020-11-06 | 2022-03-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 感應耦合電漿設備及其操作方法 |
| CN113851366B (zh) * | 2020-11-06 | 2024-11-29 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 感应耦合电浆设备及其操作方法 |
| TW202229620A (zh) | 2020-11-12 | 2022-08-01 | 特文特大學 | 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法 |
| TW202229795A (zh) | 2020-11-23 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具注入器之基板處理設備 |
| TW202235649A (zh) | 2020-11-24 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充間隙之方法與相關之系統及裝置 |
| KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
| US12255053B2 (en) | 2020-12-10 | 2025-03-18 | Asm Ip Holding B.V. | Methods and systems for depositing a layer |
| TW202233884A (zh) | 2020-12-14 | 2022-09-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成臨限電壓控制用之結構的方法 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202242184A (zh) | 2020-12-22 | 2022-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法 |
| TW202226899A (zh) | 2020-12-22 | 2022-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 具匹配器的電漿處理裝置 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
| USD1060598S1 (en) | 2021-12-03 | 2025-02-04 | Asm Ip Holding B.V. | Split showerhead cover |
| US12074390B2 (en) | 2022-11-11 | 2024-08-27 | Tokyo Electron Limited | Parallel resonance antenna for radial plasma control |
Family Cites Families (84)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB231197A (en) | 1924-03-24 | 1925-08-06 | Peter August Nordling | Improvement in hooks and the like |
| GB1550853A (en) * | 1975-10-06 | 1979-08-22 | Hitachi Ltd | Apparatus and process for plasma treatment |
| US4233109A (en) | 1976-01-16 | 1980-11-11 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Dry etching method |
| JPS55154582A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-02 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas plasma etching method |
| US4261762A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-14 | Eaton Corporation | Method for conducting heat to or from an article being treated under vacuum |
| JPS6056431B2 (ja) * | 1980-10-09 | 1985-12-10 | 三菱電機株式会社 | プラズマエツチング装置 |
| JPS57155732A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-25 | Sharp Corp | Dry etching |
| US4350578A (en) * | 1981-05-11 | 1982-09-21 | International Business Machines Corporation | Cathode for etching |
| US4427516A (en) * | 1981-08-24 | 1984-01-24 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Apparatus and method for plasma-assisted etching of wafers |
| EP0082015A1 (en) * | 1981-12-16 | 1983-06-22 | Konica Corporation | Method of forming an image with a photographic cuprous halide material |
| US4512391A (en) * | 1982-01-29 | 1985-04-23 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for thermal treatment of semiconductor wafers by gas conduction incorporating peripheral gas inlet |
| US4457359A (en) * | 1982-05-25 | 1984-07-03 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer |
| JPS6060060A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | 株式会社日立製作所 | 鉄道車両の扉開閉装置 |
| US4579080A (en) | 1983-12-09 | 1986-04-01 | Applied Materials, Inc. | Induction heated reactor system for chemical vapor deposition |
| JPS6191377A (ja) * | 1984-10-12 | 1986-05-09 | Anelva Corp | 表面処理装置 |
| JPH07118474B2 (ja) * | 1984-12-17 | 1995-12-18 | ソニー株式会社 | エツチングガス及びこれを用いたエツチング方法 |
| JPS61147531A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Toshiba Corp | 反応性イオンエツチング方法 |
| US4870245A (en) * | 1985-04-01 | 1989-09-26 | Motorola, Inc. | Plasma enhanced thermal treatment apparatus |
| CA1247757A (en) * | 1985-05-03 | 1988-12-28 | The Australian National University | Method and apparatus for producing large volume magnetoplasmas |
| JPS6212129A (ja) * | 1985-07-10 | 1987-01-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| US4711698A (en) * | 1985-07-15 | 1987-12-08 | Texas Instruments Incorporated | Silicon oxide thin film etching process |
| US4807016A (en) * | 1985-07-15 | 1989-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Dry etch of phosphosilicate glass with selectivity to undoped oxide |
| JPS62254428A (ja) * | 1986-04-28 | 1987-11-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 反応性スパツタエツチング方法と反応性スパツタエツチング装置 |
| JPS639120A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Canon Inc | ドライエツチング用ウエハステ−ジ |
| US4755345A (en) | 1986-08-01 | 1988-07-05 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Impedance matched, high-power, rf antenna for ion cyclotron resonance heating of a plasma |
| US4786352A (en) * | 1986-09-12 | 1988-11-22 | Benzing Technologies, Inc. | Apparatus for in-situ chamber cleaning |
| US4756810A (en) * | 1986-12-04 | 1988-07-12 | Machine Technology, Inc. | Deposition and planarizing methods and apparatus |
| US4842683A (en) * | 1986-12-19 | 1989-06-27 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
| US5000113A (en) * | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
| US4793897A (en) * | 1987-03-20 | 1988-12-27 | Applied Materials, Inc. | Selective thin film etch process |
| US4786359A (en) * | 1987-06-24 | 1988-11-22 | Tegal Corporation | Xenon enhanced plasma etch |
| JPH0741153Y2 (ja) * | 1987-10-26 | 1995-09-20 | 東京応化工業株式会社 | 試料処理用電極 |
| ES2040914T3 (es) | 1988-03-24 | 1993-11-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Procedimiento y dispositivo para la elaboracion de capas semiconductoras que consisten de aleaciones amorfas de silicio-germanio segun la tecnica de descarga de efluvios, sobre todo para celulas solares. |
| US4918031A (en) * | 1988-12-28 | 1990-04-17 | American Telephone And Telegraph Company,At&T Bell Laboratories | Processes depending on plasma generation using a helical resonator |
| US5015330A (en) * | 1989-02-28 | 1991-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Film forming method and film forming device |
| GB8905075D0 (en) * | 1989-03-06 | 1989-04-19 | Nordiko Ltd | Electrode assembly and apparatus |
| US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US5421891A (en) | 1989-06-13 | 1995-06-06 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US4948458A (en) * | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
| US5556501A (en) * | 1989-10-03 | 1996-09-17 | Applied Materials, Inc. | Silicon scavenger in an inductively coupled RF plasma reactor |
| DE3942964A1 (de) * | 1989-12-23 | 1991-06-27 | Leybold Ag | Einrichtung fuer die erzeugung eines plasmas |
| WO1991010341A1 (en) * | 1990-01-04 | 1991-07-11 | Savas Stephen E | A low frequency inductive rf plasma reactor |
| US5203956A (en) * | 1990-01-08 | 1993-04-20 | Lsi Logic Corporation | Method for performing in-situ etch of a CVD chamber |
| US5085727A (en) * | 1990-05-21 | 1992-02-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion |
| US5258824A (en) * | 1990-08-09 | 1993-11-02 | Applied Materials, Inc. | In-situ measurement of a thin film deposited on a wafer |
| US5169487A (en) * | 1990-08-27 | 1992-12-08 | Micron Technology, Inc. | Anisotropic etch method |
| US5074456A (en) * | 1990-09-18 | 1991-12-24 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| JPH04365494A (ja) | 1990-11-08 | 1992-12-17 | Lonza Ag | ヒドロキシル化されたピラジン誘導体を製造するための微生物学的方法 |
| DE69224640T2 (de) * | 1991-05-17 | 1998-10-01 | Lam Res Corp | VERFAHREN ZUR BESCHICHTUNG EINES SIOx FILMES MIT REDUZIERTER INTRINSISCHER SPANNUNG UND/ODER REDUZIERTEM WASSERSTOFFGEHALT |
| US5477975A (en) | 1993-10-15 | 1995-12-26 | Applied Materials Inc | Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces |
| US5187454A (en) * | 1992-01-23 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Electronically tuned matching network using predictor-corrector control system |
| US5392018A (en) * | 1991-06-27 | 1995-02-21 | Applied Materials, Inc. | Electronically tuned matching networks using adjustable inductance elements and resonant tank circuits |
| US6036877A (en) | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US6077384A (en) * | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
| JP2635267B2 (ja) * | 1991-06-27 | 1997-07-30 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Ｒｆプラズマ処理装置 |
| US5164945A (en) * | 1991-07-01 | 1992-11-17 | Laser Centers Of America, Inc. | Laser device with intermediate refraction index layer for reduced fresnel losses |
| US5249251A (en) * | 1991-09-16 | 1993-09-28 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Optical fiber sensor having an active core |
| JP3221025B2 (ja) * | 1991-12-19 | 2001-10-22 | ソニー株式会社 | プラズマプロセス装置 |
| US5349313A (en) * | 1992-01-23 | 1994-09-20 | Applied Materials Inc. | Variable RF power splitter |
| EP0552490A1 (en) * | 1992-01-24 | 1993-07-28 | Applied Materials, Inc. | Process for etching an oxide layer over a nitride |
| US5423945A (en) * | 1992-09-08 | 1995-06-13 | Applied Materials, Inc. | Selectivity for etching an oxide over a nitride |
| DE69226253T2 (de) * | 1992-01-24 | 1998-12-17 | Applied Materials, Inc., Santa Clara, Calif. | Plasmaätzverfahren und Reaktor zur Plasmabearbeitung |
| FR2690674B1 (fr) * | 1992-04-30 | 1996-01-26 | Oreal | Distributeur de produit a poche deformable. |
| US5241245A (en) * | 1992-05-06 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | Optimized helical resonator for plasma processing |
| US5277751A (en) * | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Ogle John S | Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window |
| US5346578A (en) * | 1992-11-04 | 1994-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Induction plasma source |
| KR100281345B1 (ko) * | 1992-12-01 | 2001-03-02 | 조셉 제이. 스위니 | 전자기 결합성 플래너 플라즈마 장치에서의 산화물 에칭 공정 |
| US5401350A (en) * | 1993-03-08 | 1995-03-28 | Lsi Logic Corporation | Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems |
| US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
| US5529657A (en) * | 1993-10-04 | 1996-06-25 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| JPH07161702A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-06-23 | Applied Materials Inc | 酸化物のプラズマエッチング方法 |
| US5414246A (en) * | 1993-12-27 | 1995-05-09 | Ford Motor Company | Apparatus for scaleless induction heating |
| US5468341A (en) | 1993-12-28 | 1995-11-21 | Nec Corporation | Plasma-etching method and apparatus therefor |
| US5399237A (en) * | 1994-01-27 | 1995-03-21 | Applied Materials, Inc. | Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas |
| ATE251798T1 (de) * | 1994-04-28 | 2003-10-15 | Applied Materials Inc | Verfahren zum betreiben eines cvd-reaktors hoher plasma-dichte mit kombinierter induktiver und kapazitiver einkopplung |
| US5514246A (en) * | 1994-06-02 | 1996-05-07 | Micron Technology, Inc. | Plasma reactors and method of cleaning a plasma reactor |
| US5753044A (en) * | 1995-02-15 | 1998-05-19 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| US5783101A (en) * | 1994-09-16 | 1998-07-21 | Applied Materials, Inc. | High etch rate residue free metal etch process with low frequency high power inductive coupled plasma |
| US5777289A (en) * | 1995-02-15 | 1998-07-07 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| DE69510427T2 (de) * | 1994-10-31 | 1999-12-30 | Applied Materials, Inc. | Plasmareaktoren zur Halbleiterscheibenbehandlung |
| US5688357A (en) * | 1995-02-15 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
| DE19505460A1 (de) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Schaltungsanordnung zum Betrieb einer Entladungslampe |
| US5710486A (en) * | 1995-05-08 | 1998-01-20 | Applied Materials, Inc. | Inductively and multi-capacitively coupled plasma reactor |
| EP0756309A1 (en) * | 1995-07-26 | 1997-01-29 | Applied Materials, Inc. | Plasma systems for processing substrates |
-
1996
- 1996-10-24 US US08/740,124 patent/US6054013A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-20 TW TW086115445A patent/TW376531B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-10-22 EP EP97308402A patent/EP0838843A3/en not_active Withdrawn
- 1997-10-24 KR KR1019970054578A patent/KR19980033120A/ko not_active Application Discontinuation
- 1997-10-24 JP JP9309698A patent/JPH10189296A/ja not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-03-30 US US09/539,814 patent/US6524432B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011018650A (ja) * | 1999-03-26 | 2011-01-27 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマのプラズマ分布および性能を改善する装置 |
| JP4982010B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 誘導結合プラズマのプラズマ分布および性能を改善する装置 |
| JP2001308079A (ja) * | 2000-02-14 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| KR100323613B1 (ko) * | 2000-03-29 | 2002-02-19 | 박세근 | 대면적 플라즈마 소스 형성장치 |
| JP2004535056A (ja) * | 2000-04-25 | 2004-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | チャンバ排気内のプラズマに対する磁気障壁 |
| JP2004531856A (ja) * | 2001-04-13 | 2004-10-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 制御可能な電力分配を伴う誘導結合されたプラズマ源 |
| US7604709B2 (en) | 2002-08-06 | 2009-10-20 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JP2009528676A (ja) * | 2006-02-27 | 2009-08-06 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマエッチングチャンバのための統合型の容量および誘導電源 |
| US8911590B2 (en) | 2006-02-27 | 2014-12-16 | Lam Research Corporation | Integrated capacitive and inductive power sources for a plasma etching chamber |
| TWI460785B (zh) * | 2006-02-27 | 2014-11-11 | Lam Res Corp | 電漿處理室 |
| JP2011509526A (ja) * | 2008-01-15 | 2011-03-24 | ユージン テクノロジー カンパニー リミテッド | プラズマ処理装置及び方法 |
| JP2011029584A (ja) * | 2009-01-14 | 2011-02-10 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
| US8597463B2 (en) | 2009-01-14 | 2013-12-03 | Tokyo Electron Limited | Inductively coupled plasma processing apparatus |
| JP2010238981A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US9313872B2 (en) | 2009-10-27 | 2016-04-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2011096689A (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-12 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US9899191B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-02-20 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US9941097B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US9997332B2 (en) | 2009-10-27 | 2018-06-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| US10804076B2 (en) | 2009-10-27 | 2020-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
| JP2012186248A (ja) * | 2011-03-04 | 2012-09-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014089957A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-15 | Lam Research Corporation | プラズマエッチングチャンバ用のｔｃｃｔマッチング回路 |
| JP2014132570A (ja) * | 2013-01-04 | 2014-07-17 | Psk Inc | プラズマチャンバー及び基板処理装置 |
| JP2018073809A (ja) * | 2016-10-04 | 2018-05-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | フロースルー源を有するチャンバ |
| WO2023058475A1 (ja) * | 2021-10-08 | 2023-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0838843A3 (en) | 1999-01-13 |
| KR19980033120A (ko) | 1998-07-25 |
| US6524432B1 (en) | 2003-02-25 |
| TW376531B (en) | 1999-12-11 |
| US6054013A (en) | 2000-04-25 |
| EP0838843A2 (en) | 1998-04-29 |
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