JPH10181261A - 非接触icカード - Google Patents
非接触icカードInfo
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- JPH10181261A JPH10181261A JP34214796A JP34214796A JPH10181261A JP H10181261 A JPH10181261 A JP H10181261A JP 34214796 A JP34214796 A JP 34214796A JP 34214796 A JP34214796 A JP 34214796A JP H10181261 A JPH10181261 A JP H10181261A
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- card
- contact
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Abstract
(57)【要約】
【課題】非接触モジュールを樹脂で封止した比較的面積
の大きなモジュールパッケージをカード基材に埋設する
構造における上記捻りを可及的に防止することができる
非接触ICカードを提供する。 【解決手段】IC及びコイル等の電子部品で構成される
非接触モジュール10を樹脂で封止加工したモジュール
パッケージ40がカード基材中に埋設されている非接触
ICカードにおいて、モジュールパッケージ40と、カ
ード基材を構成し該モジュールパッケージを被覆してい
る樹脂シート44a、44bとの間に補強繊維3a、3
bを介在させる。
の大きなモジュールパッケージをカード基材に埋設する
構造における上記捻りを可及的に防止することができる
非接触ICカードを提供する。 【解決手段】IC及びコイル等の電子部品で構成される
非接触モジュール10を樹脂で封止加工したモジュール
パッケージ40がカード基材中に埋設されている非接触
ICカードにおいて、モジュールパッケージ40と、カ
ード基材を構成し該モジュールパッケージを被覆してい
る樹脂シート44a、44bとの間に補強繊維3a、3
bを介在させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、捻れなどの変形を
防止した非接触ICカードに関する。
防止した非接触ICカードに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、外部装置とカード本体内に設けた
ループアンテナを介して送受信などを行う非接触型IC
カードがICカードの主流になってきている。この非接
触型ICカードは、例えば図3の断面図に示すように、
ICチップ12、コンデンサ13、14、プリントコイ
ル等をモジュール基板11に組み込んだ非接触モジュー
ル10をエポキシ樹脂等の封止樹脂32で封止したモジ
ュールパッケージ40を、モジュールパッケージ40と
同厚の中間シート41の打ち抜き孔に装着し、そのシー
ト41の両面をカバーシート42a,42bやオーバー
シート43a,43b等で熱プレスラミネート加工して
ICカード化されたものが一般的である。
ループアンテナを介して送受信などを行う非接触型IC
カードがICカードの主流になってきている。この非接
触型ICカードは、例えば図3の断面図に示すように、
ICチップ12、コンデンサ13、14、プリントコイ
ル等をモジュール基板11に組み込んだ非接触モジュー
ル10をエポキシ樹脂等の封止樹脂32で封止したモジ
ュールパッケージ40を、モジュールパッケージ40と
同厚の中間シート41の打ち抜き孔に装着し、そのシー
ト41の両面をカバーシート42a,42bやオーバー
シート43a,43b等で熱プレスラミネート加工して
ICカード化されたものが一般的である。
【0003】モジュールパッケージを製造する工程と、
このICモジュールパッケージをカード化する工程につ
いて簡単に説明する。まず、図4(a−1)の斜視図、
同図のA−A’線に沿った断面図の(a−2)に示すよ
うな非接触モジュールを用意する。この非接触モジュー
ル10は、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂板で構成
されるモジュール基板11にICチップ12、コンデン
サ13、14が実装され、モジュール基板11にリソグ
ラフィとエッチングにより形成されたプリントコイル1
5が設けられている構造を有する。モジュール基板11
の寸法は、例えば80×48×0.2mmであり、IC
チップの厚さは約0.7mm程度である。従って、非接
触モジュールの全体の厚さは約0.9mmである。
このICモジュールパッケージをカード化する工程につ
いて簡単に説明する。まず、図4(a−1)の斜視図、
同図のA−A’線に沿った断面図の(a−2)に示すよ
うな非接触モジュールを用意する。この非接触モジュー
ル10は、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂板で構成
されるモジュール基板11にICチップ12、コンデン
サ13、14が実装され、モジュール基板11にリソグ
ラフィとエッチングにより形成されたプリントコイル1
5が設けられている構造を有する。モジュール基板11
の寸法は、例えば80×48×0.2mmであり、IC
チップの厚さは約0.7mm程度である。従って、非接
触モジュールの全体の厚さは約0.9mmである。
【0004】このような非接触モジュール10を、図4
(b)に示すように、スペーサー22で一定の間隔に保
たれた上板23と底板21とで構成される型20に入れ
て液状硬化性樹脂31で封止加工する。次に、上板23
と底板21、スペーサー22を取り除いてエポキシ樹脂
で埋め込まれた図4(c)に示すような薄板状のモジュ
ールパッケージ40を取り出す。このICモジュールパ
ッケージの寸法は、例えば82×50×0.9mmであ
る。
(b)に示すように、スペーサー22で一定の間隔に保
たれた上板23と底板21とで構成される型20に入れ
て液状硬化性樹脂31で封止加工する。次に、上板23
と底板21、スペーサー22を取り除いてエポキシ樹脂
で埋め込まれた図4(c)に示すような薄板状のモジュ
ールパッケージ40を取り出す。このICモジュールパ
ッケージの寸法は、例えば82×50×0.9mmであ
る。
【0005】一方、図4(d)に示すように、モジュー
ルパッケージ40と同じ厚さの樹脂シートを非接触IC
モジュールと略同寸法で打ち抜き、打ち抜き部41aを
設けた中間シート41を用意する。そして、図5(e)
に示すように、中間シート41の打ち抜き部41aにモ
ジュールパッケージ40を装着し、モジュールパッケー
ジ40を装着した中間シートの上下両面にポリ塩化ビニ
ル製のカバーシート42a,42bとオーバーシート4
3a,43bとをそれぞれ重ね、ヒートプレスを行い、
これらを熱融着する。
ルパッケージ40と同じ厚さの樹脂シートを非接触IC
モジュールと略同寸法で打ち抜き、打ち抜き部41aを
設けた中間シート41を用意する。そして、図5(e)
に示すように、中間シート41の打ち抜き部41aにモ
ジュールパッケージ40を装着し、モジュールパッケー
ジ40を装着した中間シートの上下両面にポリ塩化ビニ
ル製のカバーシート42a,42bとオーバーシート4
3a,43bとをそれぞれ重ね、ヒートプレスを行い、
これらを熱融着する。
【0006】次いで、図5(f)に示すように、カード
サイズに打ち抜き加工を行って、図3に示したような非
接触ICカードを製造することができる。
サイズに打ち抜き加工を行って、図3に示したような非
接触ICカードを製造することができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記モ
ジュールパッケージの寸法は、例えば82×50×0.
9mmの薄板状であり、プリントコイルを内蔵すること
から比較的面積が大きく、内部に複雑な形状の非接触モ
ジュール10が封入されている構造を有する。非接触I
Cモジュールの線膨張率は16(ppm/℃)程度であ
るのに対し、これを封止するエポキシ樹脂の線膨張率は
60(/℃)程度である。このようにパッケージで使用
するエポキシ樹脂と非接触モジュールの線膨張率の差が
大きいため、型から取りだしたモジュールパッケージに
は、捻れが生じることが認められる。かかる面積が大き
なモジュールパッケージを埋設した非接触ICカードに
も同様な捻れが生じることが認められる。
ジュールパッケージの寸法は、例えば82×50×0.
9mmの薄板状であり、プリントコイルを内蔵すること
から比較的面積が大きく、内部に複雑な形状の非接触モ
ジュール10が封入されている構造を有する。非接触I
Cモジュールの線膨張率は16(ppm/℃)程度であ
るのに対し、これを封止するエポキシ樹脂の線膨張率は
60(/℃)程度である。このようにパッケージで使用
するエポキシ樹脂と非接触モジュールの線膨張率の差が
大きいため、型から取りだしたモジュールパッケージに
は、捻れが生じることが認められる。かかる面積が大き
なモジュールパッケージを埋設した非接触ICカードに
も同様な捻れが生じることが認められる。
【0008】捻れが生じたICカードは、外観が悪く、
商品価値が著しく低下してしまう。そのため、捻れが生
じない非接触ICカードが要望されていた。本発明は、
上記要望に鑑みなされたもので、非接触モジュールを樹
脂で封止した比較的面積の大きなモジュールパッケージ
をカード基材に埋設する構造における上記捻りを可及的
に防止することができる非接触ICカードを提供するこ
とを目的とする。
商品価値が著しく低下してしまう。そのため、捻れが生
じない非接触ICカードが要望されていた。本発明は、
上記要望に鑑みなされたもので、非接触モジュールを樹
脂で封止した比較的面積の大きなモジュールパッケージ
をカード基材に埋設する構造における上記捻りを可及的
に防止することができる非接触ICカードを提供するこ
とを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、IC及びコイル等の電子部品で構成される
非接触モジュールを樹脂で封止加工したモジュールパッ
ケージがカード基材中に埋設されている非接触ICカー
ドにおいて、該モジュールパッケージと、カード基材を
構成し該モジュールパッケージを被覆している樹脂シー
トとの間に補強繊維が介在していることを特徴とする非
接触ICカードを提供する。
成するため、IC及びコイル等の電子部品で構成される
非接触モジュールを樹脂で封止加工したモジュールパッ
ケージがカード基材中に埋設されている非接触ICカー
ドにおいて、該モジュールパッケージと、カード基材を
構成し該モジュールパッケージを被覆している樹脂シー
トとの間に補強繊維が介在していることを特徴とする非
接触ICカードを提供する。
【0010】本発明の非接触ICカードは、ICチップ
やコイル等で構成される非接触モジュールを樹脂で封止
したモジュールパッケージに生じた捻りがカード基材に
現れることを防止するため、モジュールパッケージとこ
れを覆う樹脂シートとの間に補強繊維を介在させたもの
である。
やコイル等で構成される非接触モジュールを樹脂で封止
したモジュールパッケージに生じた捻りがカード基材に
現れることを防止するため、モジュールパッケージとこ
れを覆う樹脂シートとの間に補強繊維を介在させたもの
である。
【0011】この補強繊維を介在させていることによ
り、例えば樹脂シートを熱溶着によりモジュールパッケ
ージに接合すると、補強繊維の繊維の隙間に溶融した樹
脂シートが侵入し、樹脂シートと補強繊維とが一体化
し、いわば繊維強化プラスチック(FRP)になる。ま
た、モジュールパッケージを覆う樹脂シートは、補強繊
維の繊維の間を通してモジュールパッケージに熱融着す
ることができ、モジュールパッケージとこれを覆う補強
繊維と一体化した樹脂シートとが接着し、樹脂シートと
一体化した補強繊維の補強効果が十分に発揮される。そ
のため、モジュールパッケージに捻りが生じていても、
モジュールパッケージの捻りを補強繊維と一体化した樹
脂シートで抑制することができる。
り、例えば樹脂シートを熱溶着によりモジュールパッケ
ージに接合すると、補強繊維の繊維の隙間に溶融した樹
脂シートが侵入し、樹脂シートと補強繊維とが一体化
し、いわば繊維強化プラスチック(FRP)になる。ま
た、モジュールパッケージを覆う樹脂シートは、補強繊
維の繊維の間を通してモジュールパッケージに熱融着す
ることができ、モジュールパッケージとこれを覆う補強
繊維と一体化した樹脂シートとが接着し、樹脂シートと
一体化した補強繊維の補強効果が十分に発揮される。そ
のため、モジュールパッケージに捻りが生じていても、
モジュールパッケージの捻りを補強繊維と一体化した樹
脂シートで抑制することができる。
【0012】補強繊維の熱膨張係数を非接触モジュール
のモジュール基板の熱膨張係数に近接させることによ
り、これらの熱膨張係数の違いによる捻りの発生を防止
して、補強繊維の補強効果を発揮させることができる。
非接触モジュールのモジュール基板がガラスクロスを基
材として用いている場合は、補強繊維としてガラスクロ
スを用いることにより、これらの熱膨張係数を近接させ
ることができる。
のモジュール基板の熱膨張係数に近接させることによ
り、これらの熱膨張係数の違いによる捻りの発生を防止
して、補強繊維の補強効果を発揮させることができる。
非接触モジュールのモジュール基板がガラスクロスを基
材として用いている場合は、補強繊維としてガラスクロ
スを用いることにより、これらの熱膨張係数を近接させ
ることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て具体的に説明するが、本発明は下記の実施の形態に限
定されるものではない。本発明の非接触ICカードの一
形態の断面構造を図1に示す。このICカード1は、例
えば長さが85.6mm、幅が54.0mm、厚さが
1.3mmのカード型であり、従来例で説明したよう
に、例えばICチップ12、コンデンサ13、14、プ
リントコイル(図示せず)等を例えばガラスエポキシテ
ープで構成されるモジュール基板11に組み込んだ非接
触モジュール10をエポキシ樹脂等の封止樹脂32で封
止した例えば長さが82mm、幅が50mm、厚さが
0.9mmの比較的面積の大きなモジュールパッケージ
40を埋設している。
て具体的に説明するが、本発明は下記の実施の形態に限
定されるものではない。本発明の非接触ICカードの一
形態の断面構造を図1に示す。このICカード1は、例
えば長さが85.6mm、幅が54.0mm、厚さが
1.3mmのカード型であり、従来例で説明したよう
に、例えばICチップ12、コンデンサ13、14、プ
リントコイル(図示せず)等を例えばガラスエポキシテ
ープで構成されるモジュール基板11に組み込んだ非接
触モジュール10をエポキシ樹脂等の封止樹脂32で封
止した例えば長さが82mm、幅が50mm、厚さが
0.9mmの比較的面積の大きなモジュールパッケージ
40を埋設している。
【0014】モジュールパッケージ40は、このモジュ
ールパッケージ40と同厚の例えば硬質塩化ビニル樹脂
製の中間シート41に例えば打ち抜きなどで穿設された
モジュールパッケージ40と同形同寸法のモジュール孔
41a内に装着されており、これらのモジュールパッケ
ージ40と中間シート41を覆って両面にそれぞれ補強
繊維として例えば厚さが0.1mmのガラスクロス3
a、3bと例えば白色に着色された厚さが0.1mmの
硬質塩化ビニル樹脂製のカバーシート44a、44bが
順に積層され、例えば熱融着により接合されている。こ
の非接触ICカードのカード基材は、中間シート41、
補強繊維3a、3b及びカバーシート44a、44bで
構成されている。
ールパッケージ40と同厚の例えば硬質塩化ビニル樹脂
製の中間シート41に例えば打ち抜きなどで穿設された
モジュールパッケージ40と同形同寸法のモジュール孔
41a内に装着されており、これらのモジュールパッケ
ージ40と中間シート41を覆って両面にそれぞれ補強
繊維として例えば厚さが0.1mmのガラスクロス3
a、3bと例えば白色に着色された厚さが0.1mmの
硬質塩化ビニル樹脂製のカバーシート44a、44bが
順に積層され、例えば熱融着により接合されている。こ
の非接触ICカードのカード基材は、中間シート41、
補強繊維3a、3b及びカバーシート44a、44bで
構成されている。
【0015】このような構造のICカード1は、カバー
シート44a、44bがガラスクロス3a、3bの繊維
の間を通過してモジュールパッケージ40と中間シート
41に接合されており、また、このようにカバーシート
44a、44bがガラスクロス3a、3bの繊維の間に
侵入することによりカバーシート44a、44bとガラ
スクロス3a、3bとが一体化しており、モジュールパ
ッケージ40、ガラスクロス3a、3b、カバーシート
44a、44b及び中間シート41が一体化している。
そして、モジュールパッケージ40の両面に接合されて
いるカバーシート44a、44bと補強繊維3a、3b
との繊維強化プラスチックにより、ガラスエポキシ基板
11とエポキシ樹脂32との線膨張係数の違いによる捻
れがモジュールパッケージ40に生じていたとしても、
モジュールパッケージ40の捻れが抑えられ、カード基
材に捻れが生じるおそれは少なく、品質が良好である。
シート44a、44bがガラスクロス3a、3bの繊維
の間を通過してモジュールパッケージ40と中間シート
41に接合されており、また、このようにカバーシート
44a、44bがガラスクロス3a、3bの繊維の間に
侵入することによりカバーシート44a、44bとガラ
スクロス3a、3bとが一体化しており、モジュールパ
ッケージ40、ガラスクロス3a、3b、カバーシート
44a、44b及び中間シート41が一体化している。
そして、モジュールパッケージ40の両面に接合されて
いるカバーシート44a、44bと補強繊維3a、3b
との繊維強化プラスチックにより、ガラスエポキシ基板
11とエポキシ樹脂32との線膨張係数の違いによる捻
れがモジュールパッケージ40に生じていたとしても、
モジュールパッケージ40の捻れが抑えられ、カード基
材に捻れが生じるおそれは少なく、品質が良好である。
【0016】上記説明は、カバーシートを熱溶着で接合
した例について説明しているが、接着剤を用いても、同
様にガラスクロス3a、3bの繊維間の隙間を通して接
着剤がカバーシート44a、44bとモジュールパッケ
ージ40、中間シート41を接合できるので、熱融着と
同様にモジュールパッケージ40と中間シート41、及
びカバーシート44a、44bが一体化され、補強繊維
3a、3bの補強効果を発揮させることができる。
した例について説明しているが、接着剤を用いても、同
様にガラスクロス3a、3bの繊維間の隙間を通して接
着剤がカバーシート44a、44bとモジュールパッケ
ージ40、中間シート41を接合できるので、熱融着と
同様にモジュールパッケージ40と中間シート41、及
びカバーシート44a、44bが一体化され、補強繊維
3a、3bの補強効果を発揮させることができる。
【0017】また、ガラスクロス3a、3bとモジュー
ルパッケージ40のモジュール基板11を構成するガラ
スクロスとは熱膨張係数が近接し、ガラスクロスと一体
化しているカバーシート44a、44bの線膨張係数も
ガラスクロス3a、3bに近接するため、カード基材に
ガラス繊維を補強繊維として埋設しても、熱膨張係数の
違いから生じる新たな捻りは生じない。
ルパッケージ40のモジュール基板11を構成するガラ
スクロスとは熱膨張係数が近接し、ガラスクロスと一体
化しているカバーシート44a、44bの線膨張係数も
ガラスクロス3a、3bに近接するため、カード基材に
ガラス繊維を補強繊維として埋設しても、熱膨張係数の
違いから生じる新たな捻りは生じない。
【0018】この場合、封止樹脂としては、一般的なエ
ポキシ樹脂の他、シリコン系樹脂、ウレタン樹脂、ポリ
イミド、液晶ポリマー等の熱硬化性又は常温硬化性の樹
脂、あるいは塩化ビニル樹脂などの熱可塑性樹脂の樹脂
等を用いることができるが、これに限られるものではな
い。この封止樹脂中にガラスファイバ、酸化シリコン、
アルミナ等の充填剤を配合して熱膨張係数を下げること
は任意である。また、非接触型ICカードに用いる非接
触ICモジュール10としては、ICチップ、コンデン
サ、コイル等をモジュール基板11に装着したものが一
般的である。ICモジュールに用いるモジュール基板1
1としては、例えばエポキシ樹脂をガラスクロスやパラ
アミド系不織布等に含浸したものが挙げられ、これらの
線膨張率は8〜16ppm/℃程度である。これに対し
てエポキシ樹脂の線膨張率は60/℃程度である。
ポキシ樹脂の他、シリコン系樹脂、ウレタン樹脂、ポリ
イミド、液晶ポリマー等の熱硬化性又は常温硬化性の樹
脂、あるいは塩化ビニル樹脂などの熱可塑性樹脂の樹脂
等を用いることができるが、これに限られるものではな
い。この封止樹脂中にガラスファイバ、酸化シリコン、
アルミナ等の充填剤を配合して熱膨張係数を下げること
は任意である。また、非接触型ICカードに用いる非接
触ICモジュール10としては、ICチップ、コンデン
サ、コイル等をモジュール基板11に装着したものが一
般的である。ICモジュールに用いるモジュール基板1
1としては、例えばエポキシ樹脂をガラスクロスやパラ
アミド系不織布等に含浸したものが挙げられ、これらの
線膨張率は8〜16ppm/℃程度である。これに対し
てエポキシ樹脂の線膨張率は60/℃程度である。
【0019】また、本発明の特徴である補強繊維として
は、上記のガラスクロス以外に、例えば可撓性を有する
カーボン繊維、多孔質セラミック等の無機系繊維、パラ
アミド系不織布、アラミド繊維等の有機系繊維等が例示
でき、補強繊維は、不織布等も含む概念である。補強繊
維の線膨張率は、低いことが好ましく、具体的には、封
止樹脂32の線膨張率よりも、モジュール基板11を構
成する基材(例えば、ガラス繊維)やICチップなどの
線膨張率と近似しているものが好ましく、線膨張率は、
0.1〜20(ppm/℃)程度が好ましいが、これに
限られるものではない。例えば、好ましい補強繊維であ
るガラスクロスの線膨張率は約6ppm/℃である。
は、上記のガラスクロス以外に、例えば可撓性を有する
カーボン繊維、多孔質セラミック等の無機系繊維、パラ
アミド系不織布、アラミド繊維等の有機系繊維等が例示
でき、補強繊維は、不織布等も含む概念である。補強繊
維の線膨張率は、低いことが好ましく、具体的には、封
止樹脂32の線膨張率よりも、モジュール基板11を構
成する基材(例えば、ガラス繊維)やICチップなどの
線膨張率と近似しているものが好ましく、線膨張率は、
0.1〜20(ppm/℃)程度が好ましいが、これに
限られるものではない。例えば、好ましい補強繊維であ
るガラスクロスの線膨張率は約6ppm/℃である。
【0020】次に、この非接触ICカード1の製造方法
について説明する。まず、従来例で説明したように、図
4(a−1)、(a−2)に示すような例えば非接触型
ICカードに用いるICモジュール10を用意する。こ
のICモジュール10は、例えば、ガラス布基材エポキ
シ樹脂板で構成されるモジュール基板11にICチップ
12、コンデンサ13、14が装着され、基板11にリ
ソグラフィとエッチングにより形成されたプリントコイ
ル15が設けられている構造を有する。モジュール基板
11の寸法は、例えば80×48×0.2mmであり、
ICチップ12の厚さは約0.7mm程度である。従っ
て、ICモジュール10の全体の厚さは約0.9mmで
ある。
について説明する。まず、従来例で説明したように、図
4(a−1)、(a−2)に示すような例えば非接触型
ICカードに用いるICモジュール10を用意する。こ
のICモジュール10は、例えば、ガラス布基材エポキ
シ樹脂板で構成されるモジュール基板11にICチップ
12、コンデンサ13、14が装着され、基板11にリ
ソグラフィとエッチングにより形成されたプリントコイ
ル15が設けられている構造を有する。モジュール基板
11の寸法は、例えば80×48×0.2mmであり、
ICチップ12の厚さは約0.7mm程度である。従っ
て、ICモジュール10の全体の厚さは約0.9mmで
ある。
【0021】このようなICモジュール10を、図4
(b)に示すように、スペーサーで一定の間隔に保たれ
た上板と底板とで構成される型20に入れて樹脂で封止
する。まず、表面が平滑な金属などの底板21の上に所
定寸法のスペーサー22を置き、その内部に例えばエポ
キシ樹脂30を薄く塗布する。その後、例えば液状エポ
キシ樹脂(例えば、長瀬チバ(株)製のNo.5)31
を注入してスペーサー内の空隙部を埋め、その上に表面
が平滑な金属などの上板23を置いて加圧し、スペーサ
ー内の余分なエポキシ樹脂を除く。上板23と底板21
間に荷重をかけた状態で加熱室に入れて加圧するか、又
は常温で放置してエポキシ樹脂31を硬化させる。加熱
硬化条件は、例えば150℃で5分である。
(b)に示すように、スペーサーで一定の間隔に保たれ
た上板と底板とで構成される型20に入れて樹脂で封止
する。まず、表面が平滑な金属などの底板21の上に所
定寸法のスペーサー22を置き、その内部に例えばエポ
キシ樹脂30を薄く塗布する。その後、例えば液状エポ
キシ樹脂(例えば、長瀬チバ(株)製のNo.5)31
を注入してスペーサー内の空隙部を埋め、その上に表面
が平滑な金属などの上板23を置いて加圧し、スペーサ
ー内の余分なエポキシ樹脂を除く。上板23と底板21
間に荷重をかけた状態で加熱室に入れて加圧するか、又
は常温で放置してエポキシ樹脂31を硬化させる。加熱
硬化条件は、例えば150℃で5分である。
【0022】次に、上板23と底板21、スペーサー2
2を取り除き、硬化したエポキシ樹脂32で埋め込まれ
た薄板状の非接触ICモジュールパッケージ1を取り出
す。このICモジュールの寸法は、例えば82×50×
0.9mmであり、縦横寸法は、カードサイズより小さ
いが、ICカードに占める面積は大きい。
2を取り除き、硬化したエポキシ樹脂32で埋め込まれ
た薄板状の非接触ICモジュールパッケージ1を取り出
す。このICモジュールの寸法は、例えば82×50×
0.9mmであり、縦横寸法は、カードサイズより小さ
いが、ICカードに占める面積は大きい。
【0023】一方、図4(d)に示したように、モジュ
ールパッケージ40と同じ厚さで、縦横寸法がカードサ
イズより大きな、例えばポリ塩化ビニル製の樹脂シート
(例えば、太平化学製品(株)製の耐熱コアTN82
8)に、モジュールパッケージ40と略同寸法の打ち抜
き孔41aを穿設し、モジュール孔41aを設けた中間
シート41を用意する。
ールパッケージ40と同じ厚さで、縦横寸法がカードサ
イズより大きな、例えばポリ塩化ビニル製の樹脂シート
(例えば、太平化学製品(株)製の耐熱コアTN82
8)に、モジュールパッケージ40と略同寸法の打ち抜
き孔41aを穿設し、モジュール孔41aを設けた中間
シート41を用意する。
【0024】そして、図2(a)に示すように、例えば
中間シート41と同寸法の塩化ビニル樹脂製で白色に着
色した厚さが0.1mmのカバーシート(例えば、太平
化学製品(株)製のXK95−10)44aの上に、例
えば中間シート41と同寸法で厚さが0.1mmのガラ
スクロス(例えば日東防(株)製のサーフェスマットM
F30P)3aを乗せ、この上に打ち抜き部41aにモ
ジュールパッケージ40を装着した中間シート41を被
せ、更に上記と同じガラスクロス3bとカバーシート4
2bを積層配置し、ヒートプレスを行い、これらを熱融
着する。ヒートプレスの条件は、例えば150℃で10
分、25kg/cm2 である。
中間シート41と同寸法の塩化ビニル樹脂製で白色に着
色した厚さが0.1mmのカバーシート(例えば、太平
化学製品(株)製のXK95−10)44aの上に、例
えば中間シート41と同寸法で厚さが0.1mmのガラ
スクロス(例えば日東防(株)製のサーフェスマットM
F30P)3aを乗せ、この上に打ち抜き部41aにモ
ジュールパッケージ40を装着した中間シート41を被
せ、更に上記と同じガラスクロス3bとカバーシート4
2bを積層配置し、ヒートプレスを行い、これらを熱融
着する。ヒートプレスの条件は、例えば150℃で10
分、25kg/cm2 である。
【0025】次いで、図2(b)に示すように、カード
サイズに打ち抜き加工を行って、図1に示したようなI
Cカード1を製造することができる。上記熱プレス時
に、カバーシート44a、44bが溶融してガラスクロ
ス3a、3bの繊維の隙間に侵入し、ガラスクロス3
a、3bと一体化して一種の繊維強化プラスチックとな
り、カバーシート44a、44bの機械強度、熱変形温
度などが向上する。また、溶融したカバーシート44
a、44bがガラス繊維間の隙間からモジュールパッケ
ージ40と中間シート41に溶着し、カバーシート44
a、44bとガラスクロス3a、3bが一体化したもの
がモジュールパッケージ40に溶着している構造とな
る。そのため、モジュールパッケージ40に捻りがあっ
たとしても、モジュールパッケージ40の両面を挟むカ
バーシートとガラスクロスの強靭な一体物により、カー
ド基材に捻りが現れることを可及的に防止することがで
きる。
サイズに打ち抜き加工を行って、図1に示したようなI
Cカード1を製造することができる。上記熱プレス時
に、カバーシート44a、44bが溶融してガラスクロ
ス3a、3bの繊維の隙間に侵入し、ガラスクロス3
a、3bと一体化して一種の繊維強化プラスチックとな
り、カバーシート44a、44bの機械強度、熱変形温
度などが向上する。また、溶融したカバーシート44
a、44bがガラス繊維間の隙間からモジュールパッケ
ージ40と中間シート41に溶着し、カバーシート44
a、44bとガラスクロス3a、3bが一体化したもの
がモジュールパッケージ40に溶着している構造とな
る。そのため、モジュールパッケージ40に捻りがあっ
たとしても、モジュールパッケージ40の両面を挟むカ
バーシートとガラスクロスの強靭な一体物により、カー
ド基材に捻りが現れることを可及的に防止することがで
きる。
【0026】また、カバーシート44a、44bとガラ
スクロス3a、3bの一体物の熱膨張係数は、ガラスク
ロスに近くなり、非接触モジュール10のガラスエポキ
シ基板11とほぼ同等の低い熱膨張係数を有することに
なるので、ガラスクロス3a、3bを埋設することによ
り、新たな反りは生じ難い。
スクロス3a、3bの一体物の熱膨張係数は、ガラスク
ロスに近くなり、非接触モジュール10のガラスエポキ
シ基板11とほぼ同等の低い熱膨張係数を有することに
なるので、ガラスクロス3a、3bを埋設することによ
り、新たな反りは生じ難い。
【0027】上記の如くカバーシート44a、44bが
溶融してガラスクロス3a、3bの繊維の間隙からモジ
ュールパッケージ40と中間シート41に溶着するの
で、ガラスクロス3a、3bとしては、溶融した樹脂が
通り抜ける程度の比較的目の粗いものが好ましい。
溶融してガラスクロス3a、3bの繊維の間隙からモジ
ュールパッケージ40と中間シート41に溶着するの
で、ガラスクロス3a、3bとしては、溶融した樹脂が
通り抜ける程度の比較的目の粗いものが好ましい。
【0028】上記ガラスクロス3a、3bには、プライ
マーなどの処理を行うことが可能であり、また、カバー
シート44a、44bを直接熱融着しないで、別途熱融
着シートを用いて中間シート41とカバーシート44
a、44bを接合するようにしても良い。上記形態では
ガラスクロスはモジュールパッケージ40の両面に積層
しているが、例えばモジュール基板11と離れた方に1
枚だけ用いるようにしても良い。また、カバーシート4
4a、44bの上に例えば透明のオーバーシートを熱融
着により積層しても良い。
マーなどの処理を行うことが可能であり、また、カバー
シート44a、44bを直接熱融着しないで、別途熱融
着シートを用いて中間シート41とカバーシート44
a、44bを接合するようにしても良い。上記形態では
ガラスクロスはモジュールパッケージ40の両面に積層
しているが、例えばモジュール基板11と離れた方に1
枚だけ用いるようにしても良い。また、カバーシート4
4a、44bの上に例えば透明のオーバーシートを熱融
着により積層しても良い。
【0029】
【発明の効果】本発明の非接触ICカードは、モジュー
ルパッケージに生じた捻りがカードに現れることを可及
的に防止することができる。
ルパッケージに生じた捻りがカードに現れることを可及
的に防止することができる。
【図1】本発明の非接触ICカードの一形態を示す断面
図である。
図である。
【図2】図1に示した非接触ICカードの構成を説明す
る断面図であり、(a)は構成部材を示し、(b)は
(a)の部材を一体化した状態を示す。
る断面図であり、(a)は構成部材を示し、(b)は
(a)の部材を一体化した状態を示す。
【図3】従来の非接触ICカードの構造の一例を示す断
面図である。
面図である。
【図4】(a−1)〜(d)は、従来の非接触ICカー
ドの製造工程を示すフローチャートである。
ドの製造工程を示すフローチャートである。
【図5】(e)、(f)は、図4に続く非接触ICカー
ドの製造工程を示すフローチャートである。
ドの製造工程を示すフローチャートである。
1…非接触ICカード、3a、3b…ガラスクロス(補
強繊維)、10…非接触ICモジュール、11…モジュ
ール基板、12…ICチップ、13…コンデンサ、32
…封止樹脂、40…モジュールパッケージ、41…中間
シート、41a…モジュール孔、44a、44b…カバ
ーシート
強繊維)、10…非接触ICモジュール、11…モジュ
ール基板、12…ICチップ、13…コンデンサ、32
…封止樹脂、40…モジュールパッケージ、41…中間
シート、41a…モジュール孔、44a、44b…カバ
ーシート
Claims (5)
- 【請求項1】IC及びコイル等の電子部品で構成される
非接触モジュールを樹脂で封止加工したモジュールパッ
ケージがカード基材中に埋設されている非接触ICカー
ドにおいて、 該モジュールパッケージと、カード基材を構成し該モジ
ュールパッケージを被覆している樹脂シートとの間に補
強繊維が介在していることを特徴とする非接触ICカー
ド。 - 【請求項2】上記電子部品がモジュール基板に実装され
ている請求項1記載の非接触ICカード。 - 【請求項3】上記補強繊維の熱膨張係数が上記モジュー
ル基板の熱膨張係数と近接している請求項2記載の非接
触ICカード。 - 【請求項4】補強繊維がガラスクロスであり、上記モジ
ュール基板がガラスクロスを基材として用いているもの
である請求項2記載の非接触ICカード。 - 【請求項5】上記モジュールパッケージを被覆している
樹脂シートが、補強繊維の繊維間の隙間で該モジュール
パッケージと接合している請求項1記載の非接触ICカ
ード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34214796A JPH10181261A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 非接触icカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34214796A JPH10181261A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 非接触icカード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10181261A true JPH10181261A (ja) | 1998-07-07 |
Family
ID=18351494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34214796A Pending JPH10181261A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 非接触icカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10181261A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001319211A (ja) * | 2000-05-11 | 2001-11-16 | Kyodo Printing Co Ltd | Icカードおよびその製造方法 |
JP2005502939A (ja) * | 2001-06-05 | 2005-01-27 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 文書管理における無線周波数識別 |
JP2005346559A (ja) * | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Nittoku Eng Co Ltd | Icモジュールおよびその製造方法 |
JP2006303382A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触給電モジュールの製造方法 |
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EP2172878A2 (en) | 2008-10-01 | 2010-04-07 | Fujitsu Limited | RFID tag manufacturing method and RFID tag |
JP2010109351A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
CN103258800A (zh) * | 2007-03-13 | 2013-08-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34214796A patent/JPH10181261A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2020150277A (ja) * | 2007-03-13 | 2020-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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US9196593B2 (en) | 2008-10-01 | 2015-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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