JPH10173200A

JPH10173200A - 半導体装置の作製方法

Info

Publication number: JPH10173200A
Application number: JP35213996A
Authority: JP
Inventors: Naoaki Yamaguchi; 直明山口
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1996-12-12
Filing date: 1996-12-12
Publication date: 1998-06-26

Abstract

(57)【要約】【課題】簡易な手段で低濃度不純物領域を形成し、半
導体装置の製造コストを下げる。【解決手段】まず、レジストマスク１０６をマスクと
したドライエッチング法によりアルミニウムパターン１
０７、ゲイト絶縁膜１０８を形成する。次に、アルミニ
ウムパターン１０７の側面のみを選択的にエッチングし
て、レジストマスクよりも幅の狭いアルミニウムパター
ン１０７’を形成する。そして、ゲイト絶縁膜１０８と
ゲイト電極１１０をマスクとしてイオン注入を行い、自
己整合的に低濃度不純物領域を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本明細書で開示する発明は、
薄膜半導体を用いた半導体装置の作製方法に関する。特
に、プレーナ型薄膜トランジスタの作製方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】絶縁ゲイト型半導体装置として電界効果
トランジスタ（ＦＥＴ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
が知られている。これらの絶縁ゲイト型トランジスタは
ソース領域、チャネル形成領域、ドレイン領域とで構成
される活性層と、活性層に接するゲイト絶縁膜と、ゲイ
ト絶縁膜に接して活性層の反対側に配置されるゲイト電
極とから構成される。

【０００３】また、この絶縁ゲイト型トランジスタの信
頼性を高める手段として、チャネル形成領域とドレイン
領域との間にドレイン領域よりも不純物濃度の低い低濃
度不純物領域を設ける技術が知られている。この様な低
濃度不純物領域はＬＤＤ（Lightly Doped Drain ）領域
とも呼ばれる。

【０００４】本発明者らはこの様な低濃度不純物領域を
形成する手段として、例えば特開平7-135318号公報に記
載された技術を開示している。同公報記載の技術は陽極
酸化法を用いてゲイト電極の側壁に陽極酸化膜を形成
し、それを利用して高抵抗ドレイン（ＨＲＤ：High Res
istive Drain）領域を形成する技術である。以下、その
技術について簡単に説明する。

【０００５】図３（Ａ）において、３０１はガラス基
板、３０２は下地膜、３０３は結晶性珪素膜でなる活性
層、３０４は後にゲイト絶縁膜となる第１の絶縁膜、３
０５はゲイト電極の原型となるアルミニウム膜、３０６
は１度目の陽極酸化で形成された薄い陽極酸化膜、３０
７はレジストマスクである。

【０００６】次に、図３（Ａ）に示す状態で２度目の陽
極酸化を行い、アルミニウム膜３０５の側面に多孔質状
の陽極酸化膜３０８を形成する。図３（Ｂ）に示す陽極
酸化工程において、薄い陽極酸化膜３０６はレジストマ
スク３０７が剥がれるのを防止する接着層として機能し
ている。

【０００７】次に、レジストマスク３０７を除去した
後、３度目の陽極酸化を行い、緻密な陽極酸化膜３０９
を形成する。この時、多孔質状の陽極酸化膜３０８の内
部にまで電解溶液が侵入するので、図３（Ｃ）に示す様
な状態で陽極酸化膜３０９が形成される。また、この
際、ゲイト電極３１０が画定する。

【０００８】次に、図３（Ｃ）に示す状態でドライエッ
チング法により第１の絶縁膜３０４をエッチングする。
このエッチング工程の後、陽極酸化膜３０９、ゲイト電
極３１０の下方に残存した状態でゲイト絶縁膜３１１が
画定する。（図３（Ｄ））

【０００９】次に、多孔質状の陽極酸化膜３０８を除去
した後、活性層３０３に対して一導電性を付与する不純
物イオンを添加し、ソース領域３１２、ドレイン領域３
１３、低濃度不純物領域３１４、３１５、チャネル形成
領域３１６を形成する。低濃度不純物領域３１５は特に
ＬＤＤ領域とも呼ばれる。（図３（Ｅ））

【００１０】なお、ここでは図示しないが陽極酸化膜３
０９の直下はゲイト電圧が印加されない実質的に真性な
領域であり、抵抗成分として働くオフセット領域とな
る。本発明者らは、オフセット領域とＬＤＤ領域３１５
とを組み合わせた領域をＨＲＤ領域と定義し、従来のＬ
ＤＤ領域とは区別している。

【００１１】以上が特開平7-135318号公報に記載された
技術の簡単な説明である。図３（Ｅ）に示す状態から先
の工程は、通常のＴＦＴの作製工程に従えば良いので説
明を省略する。以上の様に、特開平7-135318号公報に記
載された技術は３度の陽極酸化工程を経てＨＲＤ構造を
作製するものである。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記特開平
7-135318号公報に記載された技術よりもさらに簡易な手
段で低濃度不純物領域を形成し、ＬＤＤ構造またはＨＲ
Ｄ構造を有する半導体装置の製造コストを下げることを
課題とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本明細書で開示する発明
の構成は、絶縁表面を有する基板上に活性層と該活性層
を覆う珪素を主成分とする絶縁膜とを形成する第１の工
程と、前記珪素を主成分とする絶縁膜上にアルミニウム
またはアルミニウムを主成分とする材料でなる金属膜を
成膜する第２の工程と、前記金属膜上に選択的にレジス
トマスクを形成する第３の工程と、前記金属膜をドライ
エッチング法によりエッチングする第４の工程と、前記
珪素を主成分とする絶縁膜をドライエッチング法により
エッチングする第５の工程と、前記金属膜の側面のみを
等方的にエッチングする第６の工程と、前記レジストマ
スクを除去した後に、前記活性層に対して一導電性を付
与する不純物イオンを添加する第７の工程と、を少なく
とも有することを特徴とする。

【００１４】また、他の発明の構成は、絶縁表面を有す
る基板上に活性層と該活性層を覆う珪素を主成分とする
絶縁膜とを形成する第１の工程と、前記珪素を主成分と
する絶縁膜上にアルミニウムまたはアルミニウムを主成
分とする材料でなる金属膜を成膜する第２の工程と、前
記金属膜上に選択的にレジストマスクを形成する第３の
工程と、前記金属膜をドライエッチング法によりエッチ
ングする第４の工程と、前記珪素を主成分とする絶縁膜
をドライエッチング法によりエッチングする第５の工程
と、前記金属膜の側面のみを等方的にエッチングする第
６の工程と、前記レジストマスクを除去した後に、前記
金属膜の露出表面に陽極酸化法またはプラズマ酸化法に
より酸化膜を形成する第７の工程と、前記活性層に対し
て一導電性を付与する不純物イオンを添加する第８の工
程と、を少なくとも有することを特徴とする。

【００１５】即ち、従来は複数の陽極酸化工程を経て作
製していたＬＤＤ構造（またはＨＲＤ構造）をさらに簡
易な手段で作製可能とすることを特徴としている。従っ
て、大幅なスループットの向上が実現される。

【００１６】

【発明の実施の形態】絶縁表面を有する基板（ガラス基
板）１０１上に活性層１０３、珪素を主成分とする絶縁
膜１０４、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分と
する金属膜１０５を形成する。そして、選択的にレジス
トマスク１０６を配置し、それをマスクとして金属膜１
０５、珪素を主成分とする絶縁膜１０４をドライエッチ
ング法によりエッチングする。この際、金属膜１０５、
珪素を主成分とする絶縁膜１０４とは各々に選択性を有
するエッチングガスを使用する。

【００１７】次に、ウェットエッチング法によりアルミ
ニウムパターン１０７の側面のみを選択的にエッチング
し、ゲイト電極の原型となるアルミニウムパターン１０
７’を形成する。その後、アルミニウムパターン１０
７’の陽極酸化を行い、保護層として機能する緻密な陽
極酸化膜１０９およびゲイト電極１１０を形成する。

【００１８】以上の様な工程を経て図１（Ｄ）に示す構
造が得られたら、活性層１０３に対してゲイト電極１１
０（厳密には陽極酸化膜１０９も含む）、ゲイト絶縁膜
１０８をマスクとして自己整合的に不純物イオンの添加
を行い、ソース領域１１３、ドレイン領域１１４、低濃
度不純物領域１１５、１１６を形成してＨＲＤ構造を実
現する。

【００１９】

【実施例】

〔実施例１〕本発明を利用した半導体装置としてＨＲＤ
構造を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の作製工程に
ついて図１を用いて説明する。なお、本実施例は本発明
における一実施例であり、本発明はこれに限定されるべ
きものではない。

【００２０】まず、絶縁表面を有する基板はガラス基板
１０１上に下地膜１０２として酸化珪素膜を2000Åの厚
さに成膜して用意する。ガラス基板の代わりに石英基
板、シリコン基板等を用いても構わない。

【００２１】次に、下地膜１０２上に図示しない結晶性
珪素膜を500 Åの厚さに形成し、その結晶性珪素膜を島
状に加工して活性層１０３を形成する。結晶性珪素膜
は、直接成膜するのであっても良いし、非晶質珪素膜を
結晶化して得るのであっても良い。また、活性層１０３
を非晶質珪素膜で作製することも可能である。

【００２２】活性層１０３を形成したら、後にゲイト絶
縁膜となる酸化珪素膜１０４を1200Åの厚さに成膜す
る。酸化珪素膜以外にも酸化窒化珪素膜や窒化珪素膜等
の珪素を主成分とする絶縁膜を用いることができる。ま
た、それらの積層構造とすることもできる。

【００２３】次に、アルミニウムに対して0.2wt%のスカ
ンジウムを含有させた金属膜１０５を2500Åの厚さに成
膜する。スカンジウムはアルミニウム表面にヒロックや
ウィスカーが発生するのを抑制する。（図１（Ａ））

【００２４】図１（Ａ）の状態が得られたら、ゲイト電
極となる領域に対して選択的にレジストマスク１０６を
配置し、金属膜１０５のエッチングを行う。この際、本
発明ではレジストマスク１０６を付けたまま陽極酸化す
ることがないので、金属膜１０５とレジストマスク１０
６との間に従来の様な接着層（薄い陽極酸化膜）を設け
る必要がない。

【００２５】また、金属膜１０５のエッチングは異方性
のドライエッチング法で行い、エッチングガスとしてSi
Cl₄ とCl₂ との混合ガスを用いる。こうした塩素系ガス
は下地となる酸化珪素膜１０４を殆どエッチングしない
特徴がある。こうしてゲイト電極の原型となるアルミニ
ウムパターン１０７が形成される。

【００２６】次に、エッチングガスをCHF₃等のフッ素系
ガスに切り換えて酸化珪素膜１０４のエッチングを行
い、ゲイト絶縁膜１０８を形成する。本実施例では、エ
ッチングガスの切り換えとエッチング条件（印加電力、
ガス圧力等）の変更のみで大気開放せずに金属膜１０５
と酸化珪素膜１０４のエッチングを行うのでスループッ
トが高い。この際、フッ素系ガスはアルミニウムパター
ン１０７を殆どエッチングしないので酸化珪素膜１０４
のみを選択的にエッチングできる。

【００２７】こうして図１（Ｂ）に示す状態が得られ
る。本実施例では選択性のあるエッチングガスを使い分
けるため、アルミニウムパターン１０７とゲイト絶縁膜
１０８の形状を概略同一のものとすることができる。こ
れはアルミニウムを主成分とする金属膜がフッ素系ガス
でエッチングされないために可能な構成であって、シリ
コン、タンタル、タングステン、モリブデン等を主成分
とする薄膜ではフッ素系ガスで容易にエッチングされて
しまう。

【００２８】図１（Ｂ）の状態が得られたら、リン酸、
酢酸、硝酸を混合した混酸溶液を用いてアルミニウムパ
ターン１０７をエッチングする（以下、この工程をサイ
ドエッチング工程と呼ぶ）。この際、エッチングはアル
ミニウムパターン１０７の側面のみにおいて等方的に進
行するため、図１（Ｃ）に示す様なアルミニウムパター
ン１０７’となる。

【００２９】本実施例では混酸溶液の温度を35℃とし、
約40秒の処理を行って0.7 μｍの距離をエッチングす
る。この距離が後に低濃度不純物領域の長さを決定す
る。なお、低濃度不純物領域の長さは実施者が実験的に
最適値を決定し、エッチング時間を調節することで自由
に設定することができる。

【００３０】なお、図１（Ｃ）に示す様なアルミニウム
パターンのサイドエッチング工程は等方的なドライエッ
チング法で行うこともできる。その場合、図１（Ｂ）と
図１（Ｃ）に示す工程を連続的に行えるが、活性層に過
剰なプラズマダメージを与えない様な配慮が必要であ
る。

【００３１】また、サイドエッチング工程の別の手段と
して、アルミニウム表面を電解エッチングすることも可
能である。その場合、電解溶液としてアルミニウム表面
に酸化膜を形成しない溶液（アルカリ溶液が好ましい）
を用いる。電解エッチングは電荷量でエッチング量を制
御できるので高い再現性が期待できる。

【００３２】次に、レジストマスク１０６を専用の剥離
液で除去し、アルミニウムパターン１０７’の露出表面
に保護膜として機能する酸化膜を陽極酸化法により形成
する。なお、400 〜500 ℃程度に加熱してもヒロックを
発生しない様な耐熱性の高いアルミニウム膜を使用して
いる場合には、ここで行う酸化膜の形成を省略すること
も可能である。

【００３３】陽極酸化工程は３％の酒石酸が含まれたエ
チレングリコール溶液を電解溶液として行い、アルミニ
ウムのパターン１０７’の表面に緻密な陽極酸化膜１０
９を形成する。また、こうしてゲイト電極１１０が画定
する。

【００３４】この時、陽極酸化膜１０９は100 〜500 Å
( 好ましくは150 〜300 Å）の厚さで形成することが望
ましい。これ以下の薄さではゲイト電極１１０を保護す
る機能（ヒロック防止も含む）が失われてしまう恐れが
ある。また、これ以上厚いと後にゲイト電極の上部にコ
ンタクトホールを形成する際に、陽極酸化膜１０９の除
去が困難なものとなってしまう。

【００３５】以上の様にして図１（Ｄ）の状態が得られ
る。次に、一導電性を付与する不純物イオン（Ｎチャネ
ル型ＴＦＴの場合はリン、Ｐチャネル型ＴＦＴの場合は
ボロン）を活性層に対して添加する。不純物イオンが添
加された不純物領域は、ゲイト電極１１０、ゲイト絶縁
膜１０８をマスクとして自己整合的に形成される。

【００３６】まず図２（Ａ）に示す様に、１度目のイオ
ン注入は加速電圧を80kV程度と高めにして行い、不純物
領域１１１、１１２を形成する。このイオン注入では加
速電圧が高いため不純物イオンの飛程距離は深く、ゲイ
ト絶縁膜１０８を通過して活性層１０３の内部にまで添
加される。

【００３７】次に、加速電圧を10kV程度と１度目よりも
低く設定し、２度目のイオン注入を行う。このイオン注
入では加速電圧が低いため不純物イオンの飛程距離は浅
く、ゲイト絶縁膜１０８の下方には添加されない。（図
２（Ｂ））

【００３８】以上の様な２度にわたるイオン注入工程に
よりソース領域１１３、ドレイン領域１１４が形成され
る。また、１１５、１１６で示される領域は１度目のイ
オン注入でその濃度が決まり、ソース／ドレイン領域よ
りも濃度の低い低濃度不純物領域となる。また、ゲイト
電極１１０の直下には不純物イオンの添加されない（実
質的に真性な）チャネル形成領域１１７が形成される。
なお、厳密には低濃度不純物領域１１５、１１６とチャ
ネル形成領域１１７との間にはオフセット領域（図示せ
ず）が形成されている。

【００３９】また、図２（Ｂ）に示す状態が得られた
ら、熱アニールまたはレーザーアニールまたは両者を併
用することで、添加された不純物イオンの活性化を行
う。また、この時イオン注入によって活性層１０３が受
けた損傷が修復される。

【００４０】そして、層間絶縁膜１１８を成膜した後コ
ンタクトホールを形成し、ソース配線１１９、ドレイン
配線１２０、ゲイト配線１２１を形成する。最後に、全
体を水素化処理して図２（Ｃ）に示す半導体装置が完成
する。

【００４１】本実施例の最大の特徴は、従来は３回の陽
極酸化工程を経て作製されていたＨＲＤ構造を、１回の
陽極酸化工程で実現できる点にある。この事は、スルー
プットが大幅に向上することを意味している。しかも、
使用するマスク枚数を増やす必要もない。

【００４２】また、図３を用いて説明した従来例の場
合、緻密な陽極酸化膜３０９が多孔質状の陽極酸化膜３
０８を除去する際に同時に数百Å程度エッチングされる
ので、設定膜厚に余裕をもって800 〜1000Å程度を形成
する必要があった。そのため、最終的な膜厚が少なくと
も500 Å以上となることが多く、ゲイト電極上部にコン
タクトホールを形成する際に速やかな除去が困難であっ
た。

【００４３】しかしながら、本発明では緻密な陽極酸化
膜１０９の膜厚をヒロック等の防止のみを考慮して最低
限度（代表的には150 〜300 Å）まで薄くすることが可
能であるので、コンタクトホールの形成時に容易に除去
することができる。また、配線の分断工程においても容
易な分断が可能である。

【００４４】〔実施例２〕本実施例では実施例１におい
て不純物イオンを添加する工程の順番を変えた場合の例
について説明する。説明には図４を用い、必要箇所以外
は図１、２で用いた符号と同一の符号を用いることとす
る。

【００４５】まず、実施例１に示す手順に従って図１
（Ｃ）に示す状態を得る。即ち、サイドエッチング工程
を終え、アルミニウムパターン１０７’上にレジストマ
スク１０６が傘の様な状態で配置された状態である。
（図４（Ａ））

【００４６】そして、図４（Ａ）に示す状態で１度目の
イオン注入工程を行う。なお、加速電圧が高いとレジス
トマスク１０６が変質して除去しにくくなるため、低加
速電圧で注入することが望ましい。また、図４（Ａ）の
状態ではレジストマスク１０６が存在するので、４０
１、４０２で示される領域に不純物が添加される。

【００４７】次に、レジストマスク１０６を除去し、実
施例１と同様の条件で陽極酸化工程を行う。この工程で
緻密な陽極酸化膜１０９が形成され、ゲイト電極１１０
が画定する。（図４（Ｂ））

【００４８】次に、１度目よりも高い加速電圧で２度目
のイオン注入工程を行い、ゲイト絶縁膜１０８の下に低
濃度不純物領域４０５、４０６を形成する。この時、活
性層の露出部にも不純物イオンが添加されるため、４０
１、４０２で示された領域は高濃度に不純物イオンが添
加されたソース領域４０１’、ドレイン領域４０２’と
なる。また、４０７で示される領域はチャネル形成領域
である。

【００４９】以上の工程を終了したら、不純物イオンの
活性化を行い、層間絶縁膜１１８を成膜してコンタクト
ホールを形成する。そして、ソース配線１１９、ドレイ
ン配線１２０、ゲイト配線１２１を形成し、水素化処理
を施して図４（Ｄ）に示す薄膜トランジスタを完成させ
る。

【００５０】本実施例に示す構成とすると、ゲイト絶縁
膜１０８中に残存する不純物イオンの濃度およびイオン
注入時の損傷などに起因するトラップ準位を減らすこと
ができるので、薄膜トランジスタの信頼性を高めること
ができる。

【００５１】また、図４（Ｃ）に示す様な２度目のイオ
ン注入工程を行わない構成とすることも可能である。そ
の場合、緻密な陽極酸化膜および露出したゲイト絶縁膜
１０８の直下がオフセット領域となる。この様な構成
は、薄膜トランジスタの電界効果移動度は低下するが、
オフ電流やリーク電流が極めて小さくなる。

【００５２】〔実施例３〕本実施例では実施例１におけ
る陽極酸化により酸化膜形成工程を、プラズマ酸化法で
行う場合の例を示す。この場合、酸素ガスを利用したプ
ラズマ雰囲気でアルミニウムパターン１０７’を酸化す
ることで図１（Ｄ）に示す様な状態を得ることができ
る。

【００５３】プラズマ酸化は通常のドライエッチング装
置で実施することができるので、実施例１に示した様
な、図１（Ｂ）に示す金属膜１０７および珪素を主成分
とする絶縁膜１０８のエッチング工程、図１（Ｃ）に示
すサイドエッチング工程と同様に全てをドライプロセス
で行うことができる。

【００５４】〔実施例４〕実施例１に示した様に、耐熱
性の高いアルミニウム膜をゲイト電極として利用する場
合にはゲイト電極の表面に保護層として機能する酸化膜
は必ずしも必要ではない。この場合、後にゲイト電極上
部にコンタクトホールを形成する際、酸化膜の除去がな
い点で有利である。

【００５５】ところが、ＨＲＤ領域（ＬＤＤ領域＋オフ
セット領域）を有する半導体装置を作製する場合には、
少なくともゲイト電極の側面に酸化膜を形成してから不
純物イオンの添加を行ってオフセット領域を形成する必
要がある。

【００５６】その様な場合、図１（Ｃ）に示す状態、即
ちアルミニウムパターン１０７’の上部にレジストマス
ク１０６を残した状態で酸化膜の形成を行い、ゲイト電
極の側面のみに酸化膜（保護層）を形成すれば良い。酸
化膜の形成方法は陽極酸化法またはプラズマ酸化法を用
いれば良いが、この場合はプラズマ酸化法を用いるのが
好ましい。

【００５７】プラズマ酸化法を用いる場合、金属膜のエ
ッチング工程、珪素を主成分とする絶縁膜のエッチング
工程、サイドエッチング工程、酸化膜形成工程までのプ
ロセスを、全てドライエッチング装置内で連続的に行う
ことが可能である。従って、製造工程を簡略化すること
ができる。なお、シングルチャンバーの装置ならばガス
交換を必要とするが、マルチチャンバーの装置ならば各
処理室で各々のプロセスを行えば良い。

【００５８】〔実施例５〕実施例１では絶縁表面を有す
る基板として、ガラス基板、石英基板等の上に絶縁膜を
設けた基板を使用する例を示した。しかし、本発明はシ
リコン基板やシリコンウェハー上に形成される半導体装
置に対しても適用することができる。

【００５９】通常のＩＣプロセスを用いてシリコンウェ
ハー上に形成される絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ
（ＩＧＦＥＴ）に対して、本発明は容易に適用すること
ができる。従って、ＩＣチップまたはＩＣチップを集積
化したＶＬＳＩ回路などを構成することができる。ま
た、例えばＳＲＡＭの負荷素子として本発明のＴＦＴを
利用する様なこともできる。また、パワーＭＯＳＦＥＴ
の様な大電力型の半導体装置に適用することも可能であ
る。

【００６０】また、本発明はＳＯＳ（Silicon On Sapph
ire ）基板、ＳＩＭＯＸ（Separation by Implanted Ox
ygen）基板等に代表されるＳＯＩ基板に対しても適用す
ることができる。

【００６１】ＳＯＩ基板を用いる場合、活性層を構成す
る半導体材料として単結晶シリコンを利用することがで
きるため、優れた電気特性の半導体装置を実現すること
が可能である。

【００６２】この様な半導体装置（薄膜トランジスタ）
は活性層が単結晶シリコンで構成されているため電界効
果移動度は極めて大きく、流れる電流量も多い。そのた
め、本発明に示すＨＲＤ構造の様な劣化を抑制する構造
は有効である。

【００６３】〔実施例６〕本発明を利用した半導体装置
をガラス基板上に集積化して、同一基板上に駆動回路と
画素マトリクス回路とを一体形成したアクティブマトリ
クス型電気光学装置を作製することができる。

【００６４】電気光学装置としては透過型または反射型
の液晶表示装置、ＥＬ表示装置、ＥＣ表示装置などが挙
げられる。本発明を利用した半導体装置はマトリクス状
に配列された画素領域のスイッチング素子として活用さ
れたり、そのスイッチング素子を駆動するための駆動回
路を構成することができる。

【００６５】〔実施例７〕本明細書中における「半導体
装置」とは「半導体を利用することで駆動する装置」全
般を指しており、実施例４に示した電気光学装置も「半
導体装置」の範疇に含まれるものとする。

【００６６】従って、実施例４に示した電気光学装置や
実施例３に示した集積化回路（ＩＣ回路、ＶＬＳＩ回
路）を利用して製造された応用製品（電子機器）も「半
導体装置」の範疇に含まれる。

【００６７】その様な応用製品としては、ビデオカメ
ラ、スチルカメラ、プロジェクション、携帯情報端末
（モバイルコンピュータ、携帯電話、ハンディターミナ
ル等）、カーナビゲーションシステムなど、多岐に渡る
電子機器が挙げられる。他にも、バーチャルリアリティ
で注目されるヘッドマウントディスプレイなどにも利用
することができる。

【００６８】以上の様に、本発明を適用しうる応用範囲
は極めて広く、それらの半導体装置の製造工程を簡略化
し、生産歩留りを向上させる本発明の効果は、経済的に
も非常に有益なものである。

【００６９】

【発明の効果】本発明を実施することで、ＬＤＤ構造ま
たはＨＲＤ構造を有する半導体装置の作製工程を大幅に
簡略化することが可能である。また、作製工程を減らす
ことで生産歩留りを向上させることができる。

【００７０】また、ゲイト電極（またはゲイト線）を保
護する酸化膜を容易に除去することができるため、ゲイ
ト電極と外部端子となるゲイト配線との確実なオーミッ
ク接触を確保することが可能となる。即ち、信頼性の高
い半導体装置を作製することが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】薄膜トランジスタの作製工程を示す図。

【図２】薄膜トランジスタの作製工程を示す図。

【図３】従来のＨＲＤ構造の作製工程を示す図。

【図４】薄膜トランジスタの作製工程を示す図。

【符号の説明】

１０１ガラス基板１０２下地膜１０３活性層１０４珪素を主成分とする絶縁膜１０５アルミニウムまたはアルミニウムを
主成分とする金属膜１０６レジストマスク１０７アルミニウムパターン１０８ゲイト絶縁膜１０９緻密な陽極酸化膜１１０ゲイト電極１１１、１１２不純物領域１１３ソース領域１１４ドレイン領域１１５、１１６低濃度不純物領域１１７チャネル形成領域１１８層間絶縁膜１１９ソース配線１２０ドレイン配線１２１ゲイト配線

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁表面を有する基板上に活性層と該活性
層を覆う珪素を主成分とする絶縁膜とを形成する第１の
工程と、前記珪素を主成分とする絶縁膜上にアルミニウムまたは
アルミニウムを主成分とする材料でなる金属膜を成膜す
る第２の工程と、前記金属膜上に選択的にレジストマスクを形成する第３
の工程と、前記金属膜をドライエッチング法によりエッチングする
第４の工程と、前記珪素を主成分とする絶縁膜をドライエッチング法に
よりエッチングする第５の工程と、前記金属膜の側面のみを等方的にエッチングする第６の
工程と、前記レジストマスクを除去した後に、前記活性層に対し
て一導電性を付与する不純物イオンを添加する第７の工
程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の作製
方法。
【請求項２】絶縁表面を有する基板上に活性層と該活性
層を覆う珪素を主成分とする絶縁膜とを形成する第１の
工程と、前記珪素を主成分とする絶縁膜上にアルミニウムまたは
アルミニウムを主成分とする材料でなる金属膜を成膜す
る第２の工程と、前記金属膜上に選択的にレジストマスクを形成する第３
の工程と、前記金属膜をドライエッチング法によりエッチングする
第４の工程と、前記珪素を主成分とする絶縁膜をドライエッチング法に
よりエッチングする第５の工程と、前記金属膜の側面のみを等方的にエッチングする第６の
工程と、前記レジストマスクを除去した後に、前記金属膜の露出
表面に陽極酸化法またはプラズマ酸化法により酸化膜を
形成する第７の工程と、前記活性層に対して一導電性を付与する不純物イオンを
添加する第８の工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の作製
方法。
【請求項３】請求項２において、第７の工程で形成され
る酸化膜の膜厚は100 〜500 Åであることを特徴とする
半導体装置の作製方法。
【請求項４】請求項１または請求項２において、第４の
工程は塩素系ガスを用いたドライエッチング法で行わ
れ、第５の工程はフッ素系ガスを用いたドライエッチン
グ法で行われることを特徴とする半導体装置の作製方
法。
【請求項５】請求項１または請求項２において、第４お
よび第５の工程は大気開放することなく連続的に行われ
ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】請求項１または請求項２において、第６の
工程はリン酸系溶液を用いたウェットエッチング法によ
り行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。