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JPH10163258A - Bump, and method and apparatus for forming bump - Google Patents

Bump, and method and apparatus for forming bump

Info

Publication number
JPH10163258A
JPH10163258A JP8323153A JP32315396A JPH10163258A JP H10163258 A JPH10163258 A JP H10163258A JP 8323153 A JP8323153 A JP 8323153A JP 32315396 A JP32315396 A JP 32315396A JP H10163258 A JPH10163258 A JP H10163258A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bump
capillary
electrode
tip
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8323153A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuji Uno
雄二 鵜野
Toshimasa Akamatsu
敏正 赤松
Kazunori Sato
和典 里
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Ten Ltd
Original Assignee
Denso Ten Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Ten Ltd filed Critical Denso Ten Ltd
Priority to JP8323153A priority Critical patent/JPH10163258A/en
Publication of JPH10163258A publication Critical patent/JPH10163258A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/118Post-treatment of the bump connector
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    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81193Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed on both the semiconductor or solid-state body and another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form bumps high and having less height variation, and to provide a bump shape and a bump forming method capable of preventing melted solder from flowing out to its periphery at the time of soldering. SOLUTION: Metal bumps 34 projecting on the electrode surfaces of a surface mounting type electronic component are formed by press-bonding one end of a metal wire 13 projecting from the tip of a capillary 36 to the tip of the capillary between the tip of the capillary and the surface of each electrode 92a, with a capillary having truncated conical or columnar recession having an inside diameter larger than a capillary hole at the tip part of the capillary 36, and cutting the other end of the metal wire 13 after that.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型電子部
品の電極を直接回路基板の電極と半田付け又は導電性接
着剤等で接続するために、表面実装型電子部品の電極上
に形成するバンプの構造及びその形成方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of forming electrodes on a surface-mounted electronic component on an electrode of the surface-mounted electronic component in order to directly connect the electrodes of the electronic component to the electrodes of a circuit board by soldering or a conductive adhesive. The present invention relates to a bump structure and a method for forming the bump.

【0002】[0002]

【従来の技術】プリント基板(以下、単に基板と称す
る)への電子部品の高密度実装手段として、集積回路チ
ップ(以下、単にチップと称する)の電極と基板の電極
(ランドと称する)を直接半田付け(又は接着剤により
接着)するフリップチップ方式がある。この方式は、予
めチップの電極にバンプと称する突起を設け、基板のラ
ンドに設けられた半田(又は接着剤)と一致するように
重ねて加熱することにより両者を接続するものである。
2. Description of the Related Art As means for high-density mounting of electronic components on a printed circuit board (hereinafter simply referred to as a substrate), electrodes of an integrated circuit chip (hereinafter simply referred to as a chip) and electrodes of a substrate (referred to as lands) are directly connected. There is a flip chip method of soldering (or bonding with an adhesive). In this method, a projection called a bump is provided on an electrode of a chip in advance, and the two are connected by overlapping and heating so as to match a solder (or an adhesive) provided on a land of a substrate.

【0003】図9は従来のバンプ形成用キャピラリ、バ
ンプの形状及び形成方法を説明するための図で、(a)
はバンプ形成用キャピラリの断面図、(b)はバンプ形
成方法を示す断面図、(c)はバンプの断面図である。
図10は従来のチップの基板への半田付け方法を説明す
るための図で、(a)は基板への半田付け前の位置関係
を示す断面図、(b)は基板への半田付け完了時の位置
関係を示す断面図である。以下、図に従って説明する。
FIG. 9 is a view for explaining a conventional capillary for forming a bump, the shape of a bump, and a forming method.
3A is a cross-sectional view of a bump forming capillary, FIG. 3B is a cross-sectional view illustrating a bump forming method, and FIG. 3C is a cross-sectional view of a bump.
10A and 10B are views for explaining a conventional method of soldering a chip to a substrate, wherein FIG. 10A is a cross-sectional view showing a positional relationship before soldering to the substrate, and FIG. It is sectional drawing which shows the positional relationship of. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings.

【0004】92は基板91のランド91aと半田付け
するためのアルミ等の電極92aを有する集積回路チッ
プである。94はチップ92の電極92a上に設けられ
た金、アルミ等のバンプである。91は電子部品等が搭
載される基板で、チップ92上のバンプ94と半田付け
するためのランド91aを有する。キャピラリ96には
図9(a)のごとくアルミ等のワイヤ93が通るキャピ
ラリホール96aが設けられており、ボールボンディン
グの際にワイヤ93先端の溶融したボールがキャピラリ
96の底部96bとチップ92の電極92a間で図9
(b)のごとく圧着され(超音波ボンディング)、余分
のワイヤ93が引きちぎられて図9(c)のごときバン
プ94が完成する。尚、電極92aに金、半田等をめっ
きしてバンプ94を形成する方法もある。
Reference numeral 92 denotes an integrated circuit chip having an electrode 92a of aluminum or the like for soldering to a land 91a of a substrate 91. Reference numeral 94 denotes a bump made of gold, aluminum, or the like provided on the electrode 92a of the chip 92. Reference numeral 91 denotes a substrate on which electronic components and the like are mounted, and has a land 91a for soldering to a bump 94 on a chip 92. As shown in FIG. 9A, the capillary 96 is provided with a capillary hole 96a through which a wire 93 of aluminum or the like passes, and a molten ball at the tip of the wire 93 is connected to the bottom 96b of the capillary 96 and the electrode of the chip 92 at the time of ball bonding. FIG.
Pressing is performed as shown in FIG. 9B (ultrasonic bonding), and the extra wires 93 are torn off to complete the bumps 94 as shown in FIG. 9C. Note that there is also a method of forming the bumps 94 by plating the electrodes 92a with gold, solder, or the like.

【0005】次に、基板91のランド91a上に設けら
れた半田91cとチップ92側のバンプ94が一致する
ように重ねて、基板全体を又は局部的に接続部を加熱し
て半田を溶融させ、両者を固着させることによりチップ
92の基板91への半田付けが完了する。
Next, the solder 91c provided on the lands 91a of the substrate 91 and the bumps 94 on the chip 92 are overlapped so as to coincide with each other, and the entire substrate or the connection portion is heated to melt the solder. Then, by fixing both, the soldering of the chip 92 to the substrate 91 is completed.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】チップ92上にボール
ボンディング法によりバンプ94を形成すると、ボンデ
ィング後にワイヤ93を引きちぎる時の切断位置94a
が一定せず、複数のバンプ94において高さに大きなば
らつきが生ずるという問題がある。また、チップ上にめ
っき法によりバンプを形成すると、バンプ94の高さは
一定になるが、バンプ94を厚く形成することが難し
く、底辺に比べて低いバンプ94では、半田付け時に溶
融した半田91cがバンプ94に沿って拡がり易く、高
密度の端子においては隣接電極とショートするという問
題が生ずる。
When bumps 94 are formed on a chip 92 by a ball bonding method, a cutting position 94a when the wire 93 is torn off after bonding.
However, there is a problem that the height of the plurality of bumps 94 varies greatly. Further, when bumps are formed on the chip by plating, the height of the bumps 94 becomes constant, but it is difficult to form the bumps 94 thickly. Are easily spread along the bumps 94, and there is a problem that a high-density terminal is short-circuited with an adjacent electrode.

【0007】本発明は、高く、且つ、高さのばらつきの
少ないバンプを形成すると共に、半田付け時に周辺へ溶
融半田が流出しないバンプ形状、バンプ形成方法及びバ
ンプ形成装置を提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a bump shape, a bump forming method, and a bump forming apparatus which form a bump having a small height variation and in which molten solder does not flow out to the periphery during soldering. I do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、表面実装型電子部品の電極表面に突設され
てなるバンプにおいて、前記バンプが円錐台状又は円柱
状の凸部に形成されてなることを特徴とするものであ
る。また、表面実装型電子部品の電極表面に突設されて
なるバンプにおいて、前記バンプの外周部に壁が形成さ
れてなることを特徴とするものである。
In order to achieve the above object, the present invention relates to a bump formed on an electrode surface of a surface mount type electronic component, wherein the bump has a truncated conical or cylindrical projection. It is characterized by being formed. Further, in the bumps protruding from the electrode surface of the surface mount electronic component, a wall is formed on an outer peripheral portion of the bumps.

【0009】また、表面実装型電子部品の電極表面に突
設されてなるバンプにおいて、前記バンプが前記電極表
面に突設されてなる第1バンプと該第1バンプ上に該第
1バンプよりも断面積の小さい第2バンプとから構成さ
れてなることを特徴とするものである。また、前記バン
プが半田被覆された金属線で構成されてなることを特徴
とするものである。
Further, in a bump formed on an electrode surface of a surface mount type electronic component, a first bump formed by projecting the bump on the electrode surface and a first bump formed on the first bump and having a smaller height than the first bump. And a second bump having a small cross-sectional area. Further, the bump is made of a metal wire coated with solder.

【0010】また、前記第1バンプ又は第2バンプがめ
っき法又はボールボンディング法により形成されてなる
ことを特徴とするものである。また、表面実装型電子部
品の電極表面に突設されてなるバンプがウェッジボンデ
ィング法により形成されてなることを特徴とするもので
ある。また、キャピラリホールを有するキャピラリの先
端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピラリ
の先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金属ワ
イヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成するバ
ンプ形成方法において、前記キャピラリの先端部に前記
キャピラリホールと連がっている前記キャピラリホール
の内径よりも大きい内径を有する円錐台状又は円柱状の
凹部が設けられていることを特徴とするものである。
Further, the first bump or the second bump is formed by a plating method or a ball bonding method. In addition, the bumps projecting from the electrode surface of the surface mount electronic component are formed by a wedge bonding method. Further, after crimping one end of a metal wire protruding from a tip end of a capillary having a capillary hole between the tip end of the capillary and the electrode surface, cutting the other end of the metal wire to project on the electrode surface. In the bump forming method of forming a portion, a truncated conical or columnar concave portion having an inner diameter larger than the inner diameter of the capillary hole communicating with the capillary hole is provided at the tip of the capillary. It is a feature.

【0011】また、キャピラリホールを有するキャピラ
リの先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャ
ピラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記
金属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成
するバンプ形成方法において、前記キャピラリホールー
の所定の位置に前記キャピラリホールーの内径よりも小
さい内径のくびれが設けられていることを特徴とするも
のである。
Further, after one end of a metal wire protruding from the tip of a capillary having a capillary hole is pressed between the tip of the capillary and the surface of the electrode, the other end of the metal wire is cut to form the electrode. In the bump forming method for forming a convex portion on a surface, a constriction having an inner diameter smaller than the inner diameter of the capillary hole is provided at a predetermined position of the capillary hole.

【0012】また、キャピラリホールを有するキャピラ
リの先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャ
ピラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記
金属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成
するバンプ形成方法において、前記キャピラリの先端部
に前記バンプの外径よりも小さい径の凹部が設けられて
いることを特徴とするものである。
Further, one end of a metal wire protruding from the tip of a capillary having a capillary hole is pressed between the tip of the capillary and the surface of the electrode, and then the other end of the metal wire is cut to form the electrode. In the bump forming method for forming a convex portion on the surface, a concave portion having a diameter smaller than an outer diameter of the bump is provided at a tip portion of the capillary.

【0013】また、キャピラリホールを有するキャピラ
リの先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャ
ピラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記
金属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成
するバンプ形成方法において、前記表面実装型電子部品
の電極表面に形成したバンプに、所定の形状の凹部が形
成された整形型を押圧して、前記バンプの上部を所定の
形状の凸部に整形することを特徴とするものである。
Further, one end of a metal wire protruding from a tip end of a capillary having a capillary hole is pressed between the tip end of the capillary and the surface of the electrode, and the other end of the metal wire is cut to form the electrode. In a bump forming method for forming a convex portion on a surface, a shaped die having a concave portion having a predetermined shape is pressed against a bump formed on an electrode surface of the surface-mounted electronic component, and an upper portion of the bump is pressed by a predetermined amount. It is characterized by shaping into a convex part of a shape.

【0014】また、キャピラリホールを有するキャピラ
リの先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャ
ピラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記
金属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成
するバンプ形成装置において、前記キャピラリの先端部
に対応した位置に前記金属ワイヤーの他端を切断するカ
ッタが設けられてなることを特徴とするものである。
Further, one end of a metal wire protruding from the tip of a capillary having a capillary hole is pressed between the tip of the capillary and the surface of the electrode, and then the other end of the metal wire is cut to form the electrode. In a bump forming apparatus for forming a projection on a surface, a cutter for cutting the other end of the metal wire is provided at a position corresponding to a tip of the capillary.

【0015】[0015]

【実施例】図1は本発明の第1の実施例のバンプの形状
及び形成方法を説明するための図で、(a)はバンプ形
成方法を示す図、(b)はバンプの横断面図、(c)は
バンプの縦断面図である。以下、図に従って説明する。
尚、本例はバンプの底面積を大きくすることなく、高い
バンプを形成することを目的とする。
1A and 1B are diagrams for explaining a bump shape and a forming method according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a diagram showing a bump forming method, and FIG. 1B is a transverse sectional view of the bump. (C) is a longitudinal sectional view of the bump. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings.
Note that the purpose of this example is to form a high bump without increasing the bottom area of the bump.

【0016】92は基板91のランド91aと半田付け
するためのアルミ等の電極92aを有する集積回路チッ
プである。14はチップ92の電極92a上にウェッジ
ボンド法により設けられたアルミ等のバンプである。9
1は電子部品等が搭載される基板で、チップ92の電極
92a上のバンプ14と半田付けするためのランド91
aを有する。
Reference numeral 92 denotes an integrated circuit chip having electrodes 92a made of aluminum or the like for soldering to lands 91a of the substrate 91. Reference numeral 14 denotes a bump made of aluminum or the like provided on the electrode 92a of the chip 92 by a wedge bonding method. 9
Reference numeral 1 denotes a substrate on which electronic components and the like are mounted, and lands 91 for soldering to the bumps 14 on the electrodes 92a of the chip 92.
a.

【0017】次に、バンプ14の形成方法及び基板91
への半田付け方法について述べる。チップ92の電極9
2a上にアルミのワイヤ13を乗せ、ワイヤ13の上部
に図1(a)のごとくウェッジ16を当てて超音波ボン
ディングする。ボンディング後に余分なワイヤ13を引
きちぎりバンプ14を形成する。このバンプ14は電極
92aの長さ方向に延びており、横断面は図1(b)の
ごとく長いが、隣接電極との位置関係が問題になる縦断
面は図1(c)のごとく底辺の割りには高くできる。基
板91のランド91a上に設けられた半田91cとチッ
プ92側のバンプ14が一致するように重ねて、基板全
体を又は局部的に接続部を加熱して半田を溶融させ、両
者を固着させることによりチップ92の基板91への半
田付けが完了する。
Next, a method of forming the bump 14 and the substrate 91
A method for soldering to a substrate will be described. Electrode 9 of chip 92
An aluminum wire 13 is placed on 2a, and a wedge 16 is applied to the upper portion of the wire 13 as shown in FIG. After bonding, excess wires 13 are torn off to form bumps 14. The bumps 14 extend in the length direction of the electrode 92a, and have a long cross section as shown in FIG. 1B, but a vertical section in which the positional relationship with the adjacent electrode is a problem, as shown in FIG. It can be expensive. The solder 91c provided on the lands 91a of the board 91 and the bumps 14 on the chip 92 are overlapped so as to coincide with each other, and the entire board or a locally connected portion is heated to melt the solder and fix the both. Thereby, the soldering of the chip 92 to the substrate 91 is completed.

【0018】以上のように本実施例では、バンプの高さ
を概略ワイヤ径に等しくでき、また、ワイヤが隣接電極
に並行してワイヤ間隔が広くできるので、半田付けに際
して溶融半田が隣接電極に流れず短絡障害も発生しな
い。図2は本発明の第2の実施例のバンプの形状及び形
成方法を説明するための図で、(a)はめっき法による
第1バンプの形状を示す断面図、(b)はめっき法によ
る完成バンプの形状を示す断面図である。(c)はボー
ルボンディング法による第1バンプの形状を示す断面
図、(d)はボールボンディング法による完成バンプの
形状を示す断面図である。以下、図に従って説明する。
尚、本例はバンプの底面積を大きくすることなく、高い
バンプを形成することを目的とする。
As described above, in this embodiment, the height of the bumps can be made substantially equal to the wire diameter, and the wires can be widened in parallel with the adjacent electrodes. No flow and no short circuit failure. FIGS. 2A and 2B are diagrams for explaining the shape and formation method of the bump according to the second embodiment of the present invention. FIG. 2A is a cross-sectional view showing the shape of a first bump formed by plating, and FIG. It is sectional drawing which shows the shape of a completed bump. (C) is a cross-sectional view showing the shape of the first bump formed by the ball bonding method, and (d) is a cross-sectional view showing the shape of the completed bump formed by the ball bonding method. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings.
Note that the purpose of this example is to form a high bump without increasing the bottom area of the bump.

【0019】24はチップ92の電極92a上に2段に
設けられたバンプで、めっきにより設けられた金等の第
1バンプ24aと、第1バンプ24aの上にめっきによ
り設けられた半田等の第2バンプ24bで構成されてい
る。尚、チップ92は第1の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
Numeral 24 denotes bumps provided in two steps on the electrodes 92a of the chip 92, such as a first bump 24a made of gold or the like provided by plating and a solder or the like provided by plating on the first bump 24a. It is composed of the second bump 24b. Since the chip 92 has the same name, function and operation as those of the first embodiment, the same reference numerals are given and the description is omitted.

【0020】先ず、チップ92の電極92a上にめっき
法により第1バンプ24aを設け、その上に、さらに半
田をめっきして第2バンプ24bを形成する。このよう
に2段にめっきすることによりバンプ24の高さを従来
のバンプに比べて高くできる。基板のランド上に設けら
れた半田とチップ92側のバンプ24が一致するように
重ねて、基板全体を又は局部的に接続部を加熱して半田
を溶融させ、両者を固着させることによりチップ92の
基板への半田付けが完了する。尚、図2(c)、(d)
のごとくバンプ25を、第1バンプ25aをめっき法の
代わりにボールボンディング法により形成し、また、第
2バンプ25bもボールボンディング法により形成して
も同様の効果が得られる。
First, the first bumps 24a are provided on the electrodes 92a of the chip 92 by a plating method, and the second bumps 24b are formed thereon by further plating the solder. By performing plating in two steps in this manner, the height of the bump 24 can be made higher than that of a conventional bump. The solder provided on the lands of the substrate and the bumps 24 on the chip 92 side are overlapped so as to coincide with each other, and the entire substrate or a locally connected portion is heated to melt the solder, thereby fixing the two. Is completed. In addition, FIG. 2 (c), (d)
As described above, the same effect can be obtained by forming the first bump 25a by a ball bonding method instead of the plating method and forming the second bump 25b by a ball bonding method.

【0021】以上のように本実施例では、バンプを2段
に形成することによりバンプの高さが高くできるので、
半田付けに際して溶融半田が隣接電極方向に流れず短絡
障害も発生しない。また、バンプが高いために基板とチ
ップの間での機械的な応力を逃がすことも可能になる。
図3は本発明の第3の実施例のバンプ形成用キャピラ
リ、バンプの形状及び形成方法を説明するための図で、
(a)は円錐台形バンプ形成用キャピラリの断面図、
(b)はバンプ形成方法を示す断面図、(c)はバンプ
の断面図である。(d)は円筒形バンプ形成用キャピラ
リの断面図、(e)はバンプの断面図である。以下、図
に従って説明する。尚、本例はバンプの底面積を大きく
することなく、高いバンプを形成すると共に、バンプの
形状、高さのばらつきを少なくすることを目的とする。
As described above, in this embodiment, the height of the bump can be increased by forming the bump in two steps.
At the time of soldering, the molten solder does not flow in the direction of the adjacent electrodes, and no short circuit fault occurs. Further, since the bumps are high, mechanical stress between the substrate and the chip can be released.
FIG. 3 is a view for explaining a bump forming capillary, a bump shape and a forming method according to a third embodiment of the present invention.
(A) is a sectional view of a capillary for forming a truncated cone-shaped bump,
(B) is a sectional view showing a bump forming method, and (c) is a sectional view of the bump. (D) is a sectional view of a capillary for forming a cylindrical bump, and (e) is a sectional view of the bump. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings. The purpose of this example is to form a high bump without increasing the bottom area of the bump, and to reduce variations in the shape and height of the bump.

【0022】34はチップ92の電極92a上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。尚、チップ92は第1の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
先ず、キャピラリ36の形状について述べる。アルミワ
イヤが通るキャピラリホール36aは図3(a)のごと
く先端部に円錐台状の窪み36bが設けられている。ボ
ールボンディングの際には、ワイヤ13の先端で溶融し
たボールが円錐台状の窪み36bとチップ92の電極9
2aの間で図3(b)のごとく圧着され、図3(c)の
ごときバンプ34が完成する。このバンプ34は従来の
バンプに比べて同一の底辺の大きさでバンプの高さが高
くでき、且つ、キャピラリ36の窪み36bによりバン
プ34の形状が一定にできる。基板のランド上に設けら
れた半田とチップ92側のバンプ34が一致するように
重ねて、基板全体を又は局部的に接続部を加熱して半田
を溶融させ、両者を固着させることによりチップ92の
基板への半田付けが完了する。
Reference numeral 34 denotes a bump made of aluminum or the like provided on the electrode 92a of the chip 92 by a ball bonding method. Since the chip 92 has the same name, function and operation as those of the first embodiment, the same reference numerals are given and the description is omitted.
First, the shape of the capillary 36 will be described. As shown in FIG. 3A, the capillary hole 36a through which the aluminum wire passes is provided with a truncated conical recess 36b at the tip. At the time of ball bonding, the ball melted at the tip of the wire 13 has a truncated conical recess 36 b and the electrode 9 of the chip 92.
3B, the bumps 34 are completed as shown in FIG. 3C. The bumps 34 can have the same bottom size as the conventional bumps and the height of the bumps can be made higher, and the shape of the bumps 34 can be made constant by the depressions 36b of the capillary 36. The solder provided on the lands of the substrate and the bumps 34 on the chip 92 are overlapped so as to coincide with each other, and the entire substrate or a locally connected portion is heated to melt the solder, thereby fixing the two. Is completed.

【0023】尚、図3(d)のようにキャピラリホール
37aの先端部に円筒状の窪み37bを有するキャピラ
リ37を使用してボールボンディングを行うことにより
図3(e)のごとき円筒状のバンプ35を形成すること
ができる。このバンプ35により前述の円錐台状バンプ
34と同様の効果が得られる。以上のように本実施例で
は、キャピラリのキャピラリホールの内部に所定の形状
の窪みを設けることによりバンプの高さを高くでき、且
つ、ばらつきも少なくできる。その結果、半田付けに際
して溶融半田が隣接電極方向に流れず短絡障害も発生し
ない。また、バンプのが高いために基板とチップの間で
の機械的な応力を逃がすことも可能になる。
By performing ball bonding using a capillary 37 having a cylindrical recess 37b at the tip of a capillary hole 37a as shown in FIG. 3D, a cylindrical bump as shown in FIG. 35 can be formed. The same effect as that of the above-described truncated conical bump 34 can be obtained by the bump 35. As described above, in the present embodiment, the height of the bump can be increased and the variation can be reduced by providing a recess having a predetermined shape inside the capillary hole of the capillary. As a result, at the time of soldering, the molten solder does not flow in the direction of the adjacent electrodes, and no short circuit fault occurs. Further, since the bumps are high, mechanical stress between the substrate and the chip can be released.

【0024】図4は本発明の第4の実施例のバンプ形成
用キャピラリ、バンプの形状及び形成方法を説明するた
めの図で、(a)はバンプ形成用キャピラリの断面図、
(b)はバンプ形成方法を示す断面図、(c)はバンプ
の断面図である。以下、図に従って説明する。尚、本例
はバンプの底面積を大きくすることなく、高いバンプを
形成すると共に、バンプの形状、高さのばらつきを少な
くすることを目的とする。
FIG. 4 is a view for explaining a bump-forming capillary, a bump shape and a forming method according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 4A is a sectional view of the bump-forming capillary.
(B) is a sectional view showing a bump forming method, and (c) is a sectional view of the bump. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings. The purpose of this example is to form a high bump without increasing the bottom area of the bump, and to reduce variations in the shape and height of the bump.

【0025】44はチップ92の電極92a上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。尚、チップ92は第1の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
先ず、キャピラリ46の形状について述べる。アルミワ
イヤ13が通るキャピラリホール46aの先端部に図4
(a)のごとく同心円状に凹部46bが設けられてい
る。ボールボンディングの際には、ワイヤ13の先端で
溶融したボールがキャピラリ46の先端部に凹部46b
とチップ92の電極92aの間で図4(b)のごとく圧
着され、図4(c)のごとき外周に凸部(突起)44b
を有するバンプ44が完成する。基板のランド上に設け
られた半田とチップ92側のバンプ44が一致するよう
に重ねて、基板全体を又は局部的に接続部を加熱して半
田を溶融させ、両者を固着させることによりチップ92
の基板への半田付けが完了する。バンプ44の外周の突
起(壁)44bが溶融半田の流動を阻止するので高密度
の端子付けに有利になる。
Reference numeral 44 denotes a bump made of aluminum or the like provided on the electrode 92a of the chip 92 by a ball bonding method. Since the chip 92 has the same name, function and operation as those of the first embodiment, the same reference numerals are given and the description is omitted.
First, the shape of the capillary 46 will be described. At the tip of the capillary hole 46a through which the aluminum wire 13 passes, FIG.
A concavity 46b is provided concentrically as shown in FIG. At the time of ball bonding, the ball melted at the tip of the wire 13
4B is pressed between the electrode 92a of the chip 92 and the projection 92b on the outer periphery as shown in FIG. 4C.
Is completed. The solder provided on the lands of the substrate and the bumps 44 on the chip 92 are overlapped so as to coincide with each other, and the entire substrate or a locally connected portion is heated to melt the solder, thereby fixing the two.
Is completed. The protrusions (walls) 44b on the outer periphery of the bumps 44 prevent the flow of the molten solder, which is advantageous for high-density terminal attachment.

【0026】以上のように本実施例では、キャピラリの
先端部に窪みを設けることによりバンプの外周に凸部が
形成でき、半田付けの際の溶融半田の流出を阻止でき、
隣接端子との短絡不良をなくすことができる。図5は本
発明の第5の実施例のバンプ形成用キャピラリ、バンプ
の形状及び形成方法を説明するための図で、(a)はバ
ンプ形成用キャピラリの断面図、(b)はボールボンデ
ィング工程を示す断面図、(c)はバンプの断面図であ
る。以下、図に従って説明する。尚、本例はバンプの底
面積を大きくすることなく、高いバンプを形成すると共
に、バンプの形状、高さのばらつきを少なくすることを
目的とする。
As described above, in the present embodiment, a projection can be formed on the outer periphery of the bump by providing a depression at the tip of the capillary, and the outflow of molten solder during soldering can be prevented.
Short-circuit defects with adjacent terminals can be eliminated. 5 (a) and 5 (b) are views for explaining a bump-forming capillary, a bump shape and a forming method according to a fifth embodiment of the present invention. FIG. 5 (a) is a cross-sectional view of the bump-forming capillary, and FIG. And (c) is a cross-sectional view of the bump. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings. The purpose of this example is to form a high bump without increasing the bottom area of the bump, and to reduce variations in the shape and height of the bump.

【0027】54はチップ92の電極92a上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。尚、チップ92は第1の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
先ず、キャピラリ56の形状について述べる。アルミワ
イヤが通るキャピラリホール56aは図5(a)のごと
く先端部に円筒状の窪み56bと円筒状の窪み56bの
キャピラリホール56a側の付け根には内径が小さくな
る様な円周状に突起56cが設けられている。ボールボ
ンディングの際には、ワイヤ13の先端で溶融したボー
ルが円筒状の窪み56bとチップ92の電極92aの間
で図5(b)のごとく圧着される。この時キャピラリ5
6の円周状に突起56cにより完成したバンプ54の先
端部54aが極端に絞られるので、ボールボンディング
後にワイヤ13を引きちぎると、この絞られた部分でワ
イヤ13が切れ、図5(c)のごときバンプ54が完成
する。このバンプ54は高さは突起56cの位置で決ま
るので、従来のバンプに比べてばらつきを少なくでき
る。
Reference numeral 54 denotes a bump made of aluminum or the like provided on the electrode 92a of the chip 92 by a ball bonding method. Since the chip 92 has the same name, function and operation as those of the first embodiment, the same reference numerals are given and the description is omitted.
First, the shape of the capillary 56 will be described. As shown in FIG. 5 (a), the capillary hole 56a through which the aluminum wire passes has a cylindrical dent 56b at the tip and a circumferential protrusion 56c at the base of the cylindrical dent 56b on the capillary hole 56a side such that the inner diameter becomes small. Is provided. In the ball bonding, the ball melted at the tip of the wire 13 is pressed between the cylindrical recess 56b and the electrode 92a of the chip 92 as shown in FIG. At this time, the capillary 5
6 is extremely narrowed at the tip end 54a of the bump 54 completed by the protrusion 56c. When the wire 13 is torn off after the ball bonding, the wire 13 is cut at the narrowed portion, and the wire 13 is cut off as shown in FIG. The bump 54 is completed. Since the height of the bump 54 is determined by the position of the protrusion 56c, the variation can be reduced as compared with the conventional bump.

【0028】以上のように本実施例では、キャピラリの
キャピラリホールの内部に所定の位置に突起を設けるこ
とによりワイヤの切断箇所が一定となりバンプの高さの
ばらつきが減少する。図6は本発明の第6の実施例のバ
ンプ形成装置及びバンプの形状を説明するための図で、
(a)はバンプ形成装置を示す断面図、(b)はバンプ
の形状を示す断面図である。以下、図に従って説明す
る。尚、本例はバンプの高さのばらつきを少なくするこ
とを目的とする。
As described above, in the present embodiment, by providing a projection at a predetermined position inside the capillary hole of the capillary, the cutting position of the wire is fixed and the variation in the height of the bump is reduced. FIG. 6 is a view for explaining a bump forming apparatus and a bump shape according to a sixth embodiment of the present invention.
(A) is a sectional view showing a bump forming apparatus, and (b) is a sectional view showing a shape of a bump. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings. The purpose of this example is to reduce the variation in bump height.

【0029】64はチップ92の電極92a上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。尚、チップ92は第1の実施例と名称、機能及び作
用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略する。
先ず、キャピラリ66の形状について述べる。アルミワ
イヤ13が通るキャピラリホール66aの先端部に円筒
状の窪み66bを有する。ボールボンディングの際に
は、ワイヤ13の先端で溶融したボールが円筒状の窪み
66bとチップ92の電極92aの間で図6(a)のご
とく圧着される。その後、キャピラリ66が引き上げら
れ、カッター67によりワイヤ13が切断され、図6
(b)のごときバンプ64が完成する。このバンプ64
は従来のバンプに比べて高さのばらつきを少なくでき
る。尚、カッタ67はキャピラリ66の引き上げ動作に
連動するリンク機構等によりキャピラリ66引き上げ時
にワイヤ13を切断するように動作する。
Reference numeral 64 denotes a bump made of aluminum or the like provided on the electrode 92a of the chip 92 by a ball bonding method. Since the chip 92 has the same name, function and operation as those of the first embodiment, the same reference numerals are given and the description is omitted.
First, the shape of the capillary 66 will be described. A cylindrical recess 66b is provided at the tip of a capillary hole 66a through which the aluminum wire 13 passes. At the time of ball bonding, the ball melted at the tip of the wire 13 is pressed between the cylindrical recess 66b and the electrode 92a of the chip 92 as shown in FIG. Thereafter, the capillary 66 is pulled up, and the wire 13 is cut by the cutter 67.
The bump 64 is completed as shown in FIG. This bump 64
Can reduce the variation in height as compared with the conventional bump. Note that the cutter 67 operates so as to cut the wire 13 when the capillary 66 is pulled up by a link mechanism or the like interlocking with the raising operation of the capillary 66.

【0030】以上のように本実施例では、ボールボンデ
ィング後に所定位置でワイヤをカッターにより切断する
ので、ワイヤの切断箇所が一定となりバンプの高さのば
らつきが減少する。図7は本発明の第7の実施例のバン
プ形成用ワイヤ及びバンプの形状を説明するための図
で、(a)はバンプ形成用ワイヤの断面図、(b)はボ
ールボンディング法によるバンプの断面図、(c)はウ
ェッジボンディング法によるバンプの断面図である。以
下、図に従って説明する。尚、本例は基板との半田付け
に際して半田を供給する必要がなく組立工程を簡略にす
ることを目的とする。
As described above, in this embodiment, since the wire is cut by the cutter at a predetermined position after the ball bonding, the cut position of the wire is fixed, and the variation in the height of the bump is reduced. 7A and 7B are views for explaining the shape of a bump-forming wire and a bump according to a seventh embodiment of the present invention. FIG. 7A is a cross-sectional view of the bump-forming wire, and FIG. FIG. 3C is a cross-sectional view of a bump formed by a wedge bonding method. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings. It is to be noted that the purpose of this embodiment is to simplify the assembling process because it is not necessary to supply solder when soldering to a substrate.

【0031】73はアルミの芯線73aに半田73bが
被覆されたワイヤである。74はチップ92の電極92
a上にボールボンディング法により設けられたバンプで
ある。75はチップ92の電極92a上にウェッジボン
ディング法により設けられたバンプである。尚、チップ
92は第1の実施例と名称、機能及び作用が同じである
ため、同一番号を付し説明は省略する。
Reference numeral 73 denotes a wire in which an aluminum core wire 73a is covered with a solder 73b. 74 is an electrode 92 of the chip 92
a is a bump provided on a by a ball bonding method. Reference numeral 75 denotes a bump provided on the electrode 92a of the chip 92 by a wedge bonding method. Since the chip 92 has the same name, function and operation as those of the first embodiment, the same reference numerals are given and the description is omitted.

【0032】半田被覆アルミワイヤ73をチップ92の
電極92aにボールボンディングし、所定の位置でワイ
ヤ73を切断する(図7(b)参照)。また、半田被覆
アルミワイヤ73を使用してウェッジボンディング法に
よりバンプ75を形成する。(図7(c)参照)。基板
のランド上に設けられた半田とチップ92側のバンプ7
4又は75が一致するように重ねて、基板全体を又は局
部的に接続部を加熱して半田を溶融させ、両者を固着さ
せることによりチップ92の基板への半田付けが完了す
る。
The solder-coated aluminum wire 73 is ball-bonded to the electrode 92a of the chip 92, and the wire 73 is cut at a predetermined position (see FIG. 7B). The bumps 75 are formed by a wedge bonding method using the solder-coated aluminum wires 73. (See FIG. 7 (c)). Solder provided on land of substrate and bump 7 on chip 92 side
The soldering of the chip 92 to the substrate is completed by overlapping the substrates 4 or 75 so that the solder is melted by heating the entire substrate or the connection portion locally or locally to fix the two.

【0033】この時、アルミワイヤ73aを被覆してい
る半田73bが溶融して基板との半田付けに際して充分
な半田が供給できるので、半田付けの信頼性が向上す
る。以上のように本実施例では、基板との半田付けに際
してワイヤを被覆している半田が溶融して半田の供給量
が増え、半田付けの信頼性が向上する。図8は本発明の
第8の実施例のバンプ整形用治具、レベリング工程及び
バンプ形状を説明するための図で、(a)はレベリング
治具の断面図、(b)はレベリング工程を示す断面図、
(c)はバンプの断面図である。以下、図に従って説明
する。尚、本例はバンプの形状及び高さを一定にするこ
とを目的とする。
At this time, since the solder 73b covering the aluminum wire 73a is melted and sufficient solder can be supplied at the time of soldering to the substrate, the reliability of soldering is improved. As described above, in the present embodiment, when soldering to the board, the solder covering the wire is melted, the supply amount of the solder is increased, and the reliability of the soldering is improved. 8A and 8B are diagrams for explaining a bump shaping jig, a leveling step, and a bump shape according to an eighth embodiment of the present invention. FIG. 8A is a cross-sectional view of the leveling jig, and FIG. Sectional view,
(C) is a sectional view of the bump. Hereinafter, description will be made with reference to the drawings. The purpose of this example is to make the shape and height of the bumps constant.

【0034】84はチップ92の電極92a上にボール
ボンディング法により設けられたアルミ等のバンプであ
る。85はレベリング治具87により整形されたバンプ
である。尚、チップ92は第1の実施例と名称、機能及
び作用が同じであるため、同一番号を付し説明は省略す
る。先ず、通常のボールボンディング法によりワイヤを
チップ92の電極92a上にボールボンディングする。
そして図8(a)に示すレベリング治具87を使用して
図8(b)に示すように加圧してバンプ84を整形す
る。このようにして図3(c)のごとき所定の形状のバ
ンプ85が完成する。この方法では、レベリング治具8
7の凹部87aによりバンプ85の先端部85aの形状
が決まるので、高さが一定となる。
Reference numeral 84 denotes a bump made of aluminum or the like provided on the electrode 92a of the chip 92 by a ball bonding method. Reference numeral 85 denotes a bump shaped by the leveling jig 87. Since the chip 92 has the same name, function and operation as those of the first embodiment, the same reference numerals are given and the description is omitted. First, a wire is ball-bonded on the electrode 92a of the chip 92 by a normal ball bonding method.
Then, a bump 84 is shaped by applying pressure as shown in FIG. 8B using a leveling jig 87 shown in FIG. 8A. Thus, a bump 85 having a predetermined shape as shown in FIG. 3C is completed. In this method, the leveling jig 8
Since the shape of the tip portion 85a of the bump 85 is determined by the concave portion 87a of 7, the height is constant.

【0035】以上のように本実施例では、バンプの形状
及び高さが一定となるので、安定した基板への半田付け
ができる。
As described above, in this embodiment, since the shape and height of the bumps are constant, soldering to the substrate can be performed stably.

【0036】[0036]

【発明の効果】以上説明したように、本発明ではバンプ
の高さを高くすると共に、半田付け時に周辺へ溶融半田
が拡散しないバンプの形状、形成方法を提供することに
より電子部品の高密度実装が可能になる。
As described above, according to the present invention, the height of the bumps is increased, and the shape and forming method of the bumps in which the molten solder is not diffused to the periphery at the time of soldering is provided. Becomes possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施例のバンプの形状及び形成
方法を説明するための図である。
FIG. 1 is a diagram for explaining a bump shape and a forming method according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例のバンプの形状及び形成
方法を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining a bump shape and a forming method according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例のバンプ形成用キャピラ
リ、バンプの形状及び形成方法を説明するための図であ
る。
FIG. 3 is a diagram for explaining a bump-forming capillary, a bump shape, and a forming method according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施例のバンプ形成用キャピラ
リ、バンプの形状及び形成方法を説明するための図であ
る。
FIG. 4 is a view for explaining a bump forming capillary, a bump shape and a forming method according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第5の実施例のバンプ形成用キャピラ
リ、バンプの形状及び形成方法を説明するための図であ
る。
FIG. 5 is a view for explaining a bump forming capillary, a bump shape and a forming method according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第6の実施例のバンプ形成装置及びバ
ンプの形状を説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a bump forming apparatus and a bump shape according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第7の実施例のバンプ形成用ワイヤ及
びバンプの形状を説明するための図である。
FIG. 7 is a view for explaining shapes of bump forming wires and bumps according to a seventh embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第8の実施例のバンプ整形用治具、レ
ベリング工程及びバンプ形状を説明するための図であ
る。
FIG. 8 is a view for explaining a bump shaping jig, a leveling step, and a bump shape according to an eighth embodiment of the present invention.

【図9】従来のバンプ形成用キャピラリ、バンプの形状
及び形成方法を説明するための図である。
FIG. 9 is a diagram for explaining a conventional capillary for forming a bump, a shape of a bump, and a forming method.

【図10】従来のチップの基板への半田付け方法を説明
するための図である。
FIG. 10 is a view for explaining a conventional method of soldering a chip to a substrate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

91・・・・基板、 16・・・・ウ
ェッジ、91a・・・ランド、 67・
・・・カッター、91b・・・半田、
36b、37b・・・・凹部、92・・・・チップ、
13、73・・・・ワイヤ、92a・
・・電極、 87・・・・レベリング
治具、14、24、34、44、54、64、74、7
5、85・・・・バンプ、36、46、56、66・・
・・キャピラリ。
91 ··· substrate, 16 ··· wedge, 91a ··· land, 67 ·
... Cutter, 91b ... Solder,
36b, 37b, recess, 92, tip
13, 73... Wire, 92a
..Electrode, 87 ........ Leveling jig, 14, 24, 34, 44, 54, 64, 74, 7
5, 85 ... bumps, 36, 46, 56, 66 ...
・ ・ Capillary.

Claims (11)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面実装型電子部品の電極表面に突設さ
れてなるバンプにおいて、 前記バンプが円錐台状又は円柱状に形成されてなること
を特徴とするバンプ。
1. A bump protruding from an electrode surface of a surface mount electronic component, wherein the bump is formed in a truncated cone or a column.
【請求項2】 表面実装型電子部品の電極表面に突設さ
れてなるバンプにおいて、 前記バンプの外周部に壁が形成されてなることを特徴と
するバンプ。
2. A bump formed on an electrode surface of a surface-mounted electronic component, wherein the bump is formed by forming a wall around an outer peripheral portion of the bump.
【請求項3】 表面実装型電子部品の電極表面に突設さ
れてなるバンプにおいて、 前記バンプが前記電極表面に突設されてなる第1バンプ
と該第1バンプ上に該第1バンプよりも断面積の小さい
第2バンプとから構成されてなることを特徴とするバン
プ。
3. A bump formed on the surface of an electrode of a surface-mounted electronic component, wherein the first bump is formed on the surface of the electrode and the first bump is formed on the first bump rather than the first bump. A second bump having a small cross-sectional area.
【請求項4】 前記バンプが半田被覆された金属線で構
成されてなることを特徴とする請求項1乃至請求項3記
載のバンプ。
4. The bump according to claim 1, wherein the bump is formed of a metal wire coated with solder.
【請求項5】 前記第1バンプ又は第2バンプがめっき
法又はボールボンディング法により形成されてなること
を特徴とする請求項3記載のバンプ。
5. The bump according to claim 3, wherein the first bump or the second bump is formed by a plating method or a ball bonding method.
【請求項6】 表面実装型電子部品の電極表面に突設さ
れてなるバンプがウェッジボンディング法により形成さ
れてなることを特徴とするバンプ。
6. A bump characterized in that a bump projecting from an electrode surface of a surface mount electronic component is formed by a wedge bonding method.
【請求項7】 キャピラリホールを有するキャピラリの
先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピラ
リの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金属
ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成する
バンプ形成方法において、 前記キャピラリの先端部に前記キャピラリホールと連が
っている前記キャピラリホールの内径よりも大きい内径
を有する円錐台状又は円柱状の凹部が設けられているこ
とを特徴とするバンプ形成方法。
7. An end of a metal wire protruding from a tip end of a capillary having a capillary hole is pressed between the tip end of the capillary and the electrode surface, and the other end of the metal wire is cut off to form the electrode. In the bump forming method of forming a convex portion on the surface, a truncated conical or cylindrical concave portion having an inner diameter larger than the inner diameter of the capillary hole communicating with the capillary hole is provided at the tip of the capillary. A bump forming method.
【請求項8】 キャピラリホールを有するキャピラリの
先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピラ
リの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金属
ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成する
バンプ形成方法において、 前記キャピラリホールーの所定の位置に前記キャピラリ
ホールーの内径よりも小さい内径のくびれが設けられて
いることを特徴とするバンプ形成方法。
8. After crimping one end of a metal wire protruding from the tip of a capillary having a capillary hole between the tip of the capillary and the electrode surface, cutting the other end of the metal wire to form the electrode. A bump forming method for forming a convex portion on a surface, wherein a constriction having an inner diameter smaller than the inner diameter of the capillary hole is provided at a predetermined position of the capillary hole.
【請求項9】 キャピラリホールを有するキャピラリの
先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピラ
リの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金属
ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凹部を形成する
バンプ形成方法において、 前記キャピラリの先端部に前記バンプの外径よりも小さ
い径の凹部が設けられていることを特徴とするバンプ形
成方法。
9. After crimping one end of a metal wire projecting from the tip of a capillary having a capillary hole between the tip of the capillary and the electrode surface, cutting the other end of the metal wire to form the electrode A bump forming method for forming a concave portion on a surface, wherein a concave portion having a diameter smaller than an outer diameter of the bump is provided at a tip portion of the capillary.
【請求項10】 キャピラリホールを有するキャピラリ
の先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピ
ラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金
属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成す
るバンプ形成方法において、 前記表面実装型電子部品の電極表面に形成したバンプ
に、所定の形状の凹部が形成された整形型を押圧して、
前記バンプの上部を所定の形状の凸部に整形することを
特徴とするバンプ形成方法。
10. An end of a metal wire protruding from a tip end of a capillary having a capillary hole is pressed between the tip end of the capillary and the electrode surface, and the other end of the metal wire is cut off to form the electrode. In a bump forming method of forming a convex portion on the surface, pressing a shaped die having a concave portion of a predetermined shape formed on a bump formed on an electrode surface of the surface-mounted electronic component,
A method of forming a bump, wherein an upper portion of the bump is shaped into a convex portion having a predetermined shape.
【請求項11】 キャピラリホールを有するキャピラリ
の先端部から突出した金属ワイヤの一端を、前記キャピ
ラリの先端部と前記電極表面の間で圧着した後、前記金
属ワイヤの他端を切断して前記電極表面に凸部を形成す
るバンプ形成装置において、 前記キャピラリの先端部に対応した位置に前記金属ワイ
ヤーの他端を切断するカッタが設けられてなることを特
徴とするバンプ形成装置。
11. An end of a metal wire projecting from a tip end of a capillary having a capillary hole is pressed between the tip end of the capillary and the electrode surface, and the other end of the metal wire is cut to form the electrode. A bump forming apparatus for forming a convex portion on a surface, wherein a cutter for cutting the other end of the metal wire is provided at a position corresponding to a tip of the capillary.
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