JPH10145162A - 増幅器、送信回路及び受信回路 - Google Patents
増幅器、送信回路及び受信回路Info
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- JPH10145162A JPH10145162A JP8310011A JP31001196A JPH10145162A JP H10145162 A JPH10145162 A JP H10145162A JP 8310011 A JP8310011 A JP 8310011A JP 31001196 A JP31001196 A JP 31001196A JP H10145162 A JPH10145162 A JP H10145162A
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、増幅器、送信回路及び受信回路にお
いて、簡易な構成及び制御で、出力電力及び利得の安定
性の精度を向上し得るようにする。 【解決手段】第１の能動素子及び当該第１の能動素子に
比して低利得な第２〜第Ｎの能動素子を並列に多段接続
してなる増幅手段と、増幅手段に対する入力電力が所定
のしきい値以下又は以上の場合、各能動素子に供給する
バイアス電圧又はバイアス電流を切り換えて、所望数の
能動素子を利得の低いものから順次、非能動状態に切り
換えることにより増幅手段全体としての利得を制御する
バイアス制御手段とを設ける。高出力時又は高入力時に
は全ての能動素子を能動状態とし、また低出力時又は低
入力時には低利得な第２〜第Ｎの能動素子を利得の低い
ものから順次、非能動状態とすることによつて、低出力
時及び低入力時の電力消費を低減し得ると共に、利得の
変動を低減し得る。
いて、簡易な構成及び制御で、出力電力及び利得の安定
性の精度を向上し得るようにする。 【解決手段】第１の能動素子及び当該第１の能動素子に
比して低利得な第２〜第Ｎの能動素子を並列に多段接続
してなる増幅手段と、増幅手段に対する入力電力が所定
のしきい値以下又は以上の場合、各能動素子に供給する
バイアス電圧又はバイアス電流を切り換えて、所望数の
能動素子を利得の低いものから順次、非能動状態に切り
換えることにより増幅手段全体としての利得を制御する
バイアス制御手段とを設ける。高出力時又は高入力時に
は全ての能動素子を能動状態とし、また低出力時又は低
入力時には低利得な第２〜第Ｎの能動素子を利得の低い
ものから順次、非能動状態とすることによつて、低出力
時及び低入力時の電力消費を低減し得ると共に、利得の
変動を低減し得る。
Description
【０００１】
以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術（図７） 発明が解決しようとする課題（図８及び図９） 課題を解決するための手段 発明の実施の形態（図１〜図６） 発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は増幅器、送信回路及
び受信回路に関し、例えば送信電力制御を行う無線通信
端末装置で用いられる増幅器、送信回路及び受信回路に
適用して好適なものである。
び受信回路に関し、例えば送信電力制御を行う無線通信
端末装置で用いられる増幅器、送信回路及び受信回路に
適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】従来、携帯電話等の無線通信端末装置に
おいては、消費電力の低減化及び他局との干渉の低減化
のために送信電力制御がなされている。以下に図７を示
し、送信電力制御を行う無線通信端末装置について説明
する。図７において、１は全体として無線通信端末装置
を示し、通信相手局から送られた信号をアンテナ２によ
つて受信し、受信信号Ｓ１として送受分波器３を介して
受信回路部４に供給する。
おいては、消費電力の低減化及び他局との干渉の低減化
のために送信電力制御がなされている。以下に図７を示
し、送信電力制御を行う無線通信端末装置について説明
する。図７において、１は全体として無線通信端末装置
を示し、通信相手局から送られた信号をアンテナ２によ
つて受信し、受信信号Ｓ１として送受分波器３を介して
受信回路部４に供給する。
【０００４】受信回路部４は受信信号Ｓ１を受信増幅器
５に入力する。受信増幅器５は受信信号Ｓ１を増幅して
高周波信号Ｓ２に変換する。受信増幅器５は得られた高
周波信号Ｓ２を混合器６に送出する。ここで混合器６に
はローカル発振器７からローカル周波数信号Ｓ３が供給
されている。混合器６はローカル発振器７から供給され
るローカル周波数信号Ｓ３を高周波信号Ｓ２と混合する
ことにより、高周波信号Ｓ２を中間周波信号Ｓ４に変換
して中間周波利得可変増幅器８に送出する。
５に入力する。受信増幅器５は受信信号Ｓ１を増幅して
高周波信号Ｓ２に変換する。受信増幅器５は得られた高
周波信号Ｓ２を混合器６に送出する。ここで混合器６に
はローカル発振器７からローカル周波数信号Ｓ３が供給
されている。混合器６はローカル発振器７から供給され
るローカル周波数信号Ｓ３を高周波信号Ｓ２と混合する
ことにより、高周波信号Ｓ２を中間周波信号Ｓ４に変換
して中間周波利得可変増幅器８に送出する。
【０００５】ここで中間周波利得可変増幅器８には受信
電力測定回路１０が接続されており、当該受信電力測定
回路１０によつて中間周波利得可変増幅器８が送出する
中間周波信号Ｓ４の出力レベルの検出がなされている。
受信電力測定回路１０はＡＧＣ（Automatic Gain Contr
ol）制御部であり、検出した中間周波信号Ｓ４の出力レ
ベルに応じて中間周波利得可変増幅器８の利得を可変制
御する。中間周波利得可変増幅器８は、このように利得
制御して得られた中間周波信号Ｓ４を復調器９に供給す
る。復調器９は中間周波信号Ｓ４を復調してベースバン
ド信号Ｓ５とし、これをベースバンド信号処理回路１１
に供給する。
電力測定回路１０が接続されており、当該受信電力測定
回路１０によつて中間周波利得可変増幅器８が送出する
中間周波信号Ｓ４の出力レベルの検出がなされている。
受信電力測定回路１０はＡＧＣ（Automatic Gain Contr
ol）制御部であり、検出した中間周波信号Ｓ４の出力レ
ベルに応じて中間周波利得可変増幅器８の利得を可変制
御する。中間周波利得可変増幅器８は、このように利得
制御して得られた中間周波信号Ｓ４を復調器９に供給す
る。復調器９は中間周波信号Ｓ４を復調してベースバン
ド信号Ｓ５とし、これをベースバンド信号処理回路１１
に供給する。
【０００６】一方、無線通信端末装置１から通信相手局
に送信される信号（以下、これを送信ベースバンド信号
Ｓ６と呼ぶ）はベースバンド信号処理回路１１から送信
回路部１２に送出される。送信回路部１２は送信ベース
バンド信号Ｓ６を変調器１３に入力する。変調器１３は
送信ベースバンド信号Ｓ６に所定の変調処理を施して中
間周波信号Ｓ７に変換し、中間周波利得可変増幅器１４
に与える。ここで中間周波利得可変増幅器１４には送信
電力制御回路１５から制御信号Ｓ８が与えられている。
送信電力制御回路１５には受信電力測定回路１０から中
間周波利得可変増幅器８の出力レベルに応じた受信信号
強度レベル情報Ｓ９が与えられている。送信電力制御回
路１５は受信信号強度レベル情報Ｓ９に基づき制御信号
Ｓ８を生成し、中間周波利得可変増幅器１４に供給す
る。中間周波利得可変増幅器１４は、こうして与えられ
る制御信号Ｓ８に基づいて中間周波信号Ｓ７の利得を制
御し、混合器１６に供給する。
に送信される信号（以下、これを送信ベースバンド信号
Ｓ６と呼ぶ）はベースバンド信号処理回路１１から送信
回路部１２に送出される。送信回路部１２は送信ベース
バンド信号Ｓ６を変調器１３に入力する。変調器１３は
送信ベースバンド信号Ｓ６に所定の変調処理を施して中
間周波信号Ｓ７に変換し、中間周波利得可変増幅器１４
に与える。ここで中間周波利得可変増幅器１４には送信
電力制御回路１５から制御信号Ｓ８が与えられている。
送信電力制御回路１５には受信電力測定回路１０から中
間周波利得可変増幅器８の出力レベルに応じた受信信号
強度レベル情報Ｓ９が与えられている。送信電力制御回
路１５は受信信号強度レベル情報Ｓ９に基づき制御信号
Ｓ８を生成し、中間周波利得可変増幅器１４に供給す
る。中間周波利得可変増幅器１４は、こうして与えられ
る制御信号Ｓ８に基づいて中間周波信号Ｓ７の利得を制
御し、混合器１６に供給する。
【０００７】混合器１６はローカル発振器７から与えら
れるローカル周波数信号Ｓ３を中間周波信号Ｓ７に混合
して、無線周波数信号としての高周波信号Ｓ１０に変換
して無線周波利得可変増幅器１７に送出する。無線周波
利得可変増幅器１７には中間周波利得可変増幅器１４と
同様に、送信電力制御回路１５から受信信号強度レベル
情報Ｓ９に基づく制御信号Ｓ１２が与えられている。無
線周波利得可変増幅器１７は制御信号Ｓ１２に基づいて
高周波信号Ｓ１０の利得制御を行い、送信電力増幅器１
８に供給する。送信電力増幅器１８は高周波信号Ｓ１０
を増幅して送受分波器３に与え、送受分波器３は高周波
信号Ｓ１０をアンテナ２を介して送信出力する。
れるローカル周波数信号Ｓ３を中間周波信号Ｓ７に混合
して、無線周波数信号としての高周波信号Ｓ１０に変換
して無線周波利得可変増幅器１７に送出する。無線周波
利得可変増幅器１７には中間周波利得可変増幅器１４と
同様に、送信電力制御回路１５から受信信号強度レベル
情報Ｓ９に基づく制御信号Ｓ１２が与えられている。無
線周波利得可変増幅器１７は制御信号Ｓ１２に基づいて
高周波信号Ｓ１０の利得制御を行い、送信電力増幅器１
８に供給する。送信電力増幅器１８は高周波信号Ｓ１０
を増幅して送受分波器３に与え、送受分波器３は高周波
信号Ｓ１０をアンテナ２を介して送信出力する。
【０００８】このように無線通信端末装置１では、受信
した信号のレベルに応じた受信信号強度レベル情報Ｓ９
に基づいて制御信号Ｓ８及びＳ１２を生成し、これによ
つて中間周波利得可変増幅器１４及び無線周波利得可変
増幅器１７の利得を可変制御することにより送信電力制
御を行うようになされている。因みに、受信信号Ｓ１に
含まれた相手局からの指示信号に基づいて利得制御を行
う手法も存在する。この場合、無線通信端末装置１はベ
ースバンド信号処理回路１１によつて受信信号Ｓ１に含
まれている相手局からの指示信号Ｓ１１を抽出する。当
該指示信号Ｓ１１は相手局によつて自局の送信信号レベ
ルを測定することで得られた送信電力制御情報である。
無線通信端末装置１は、指示信号Ｓ１１をマイクロコン
ピユータ１９を介して送信電力制御回路１５に供給し、
これにより制御信号Ｓ８及びＳ１２を生成する。
した信号のレベルに応じた受信信号強度レベル情報Ｓ９
に基づいて制御信号Ｓ８及びＳ１２を生成し、これによ
つて中間周波利得可変増幅器１４及び無線周波利得可変
増幅器１７の利得を可変制御することにより送信電力制
御を行うようになされている。因みに、受信信号Ｓ１に
含まれた相手局からの指示信号に基づいて利得制御を行
う手法も存在する。この場合、無線通信端末装置１はベ
ースバンド信号処理回路１１によつて受信信号Ｓ１に含
まれている相手局からの指示信号Ｓ１１を抽出する。当
該指示信号Ｓ１１は相手局によつて自局の送信信号レベ
ルを測定することで得られた送信電力制御情報である。
無線通信端末装置１は、指示信号Ｓ１１をマイクロコン
ピユータ１９を介して送信電力制御回路１５に供給し、
これにより制御信号Ｓ８及びＳ１２を生成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところでかかる構成の
無線通信端末装置１においては、送信電力制御を行う際
の無線周波利得可変増幅器１７の後段に配された送信電
力増幅器１８の入出力について考えた場合、無駄な電力
消費がなされているという問題がある。また同様に受信
信号強度レベルの変動に応じて受信増幅器５による増幅
処理の効率が低下する。送信電力増幅器１８では入力電
力が増加した場合、これに伴つて出力電力が増加する。
また入力電力の増加に伴い、電力付加効率も増加する。
ここで低出力時に送信電力制御によつて送信電力増幅器
１８での入力電力が低下した場合、電力付加効率が低下
し、全体的な消費電力に対して実際に送信信号を出力す
るために消費される電力が僅かなものとなる。すなわち
低出力時には、大半の電力が無駄に消費されていること
になる。
無線通信端末装置１においては、送信電力制御を行う際
の無線周波利得可変増幅器１７の後段に配された送信電
力増幅器１８の入出力について考えた場合、無駄な電力
消費がなされているという問題がある。また同様に受信
信号強度レベルの変動に応じて受信増幅器５による増幅
処理の効率が低下する。送信電力増幅器１８では入力電
力が増加した場合、これに伴つて出力電力が増加する。
また入力電力の増加に伴い、電力付加効率も増加する。
ここで低出力時に送信電力制御によつて送信電力増幅器
１８での入力電力が低下した場合、電力付加効率が低下
し、全体的な消費電力に対して実際に送信信号を出力す
るために消費される電力が僅かなものとなる。すなわち
低出力時には、大半の電力が無駄に消費されていること
になる。
【００１０】こうした問題を回避するために、受信増幅
器５及び送信電力増幅器１８を、複数のＦＥＴ（Field
Effect Transistor ）を並列に多段接続した構成とし、
送信電力制御回路１５から制御信号を供給して所望のＦ
ＥＴをオフ状態に切り換えることにより、低送信出力状
態である場合に低レベルな出力に適した増幅器とする手
法が考えられる。
器５及び送信電力増幅器１８を、複数のＦＥＴ（Field
Effect Transistor ）を並列に多段接続した構成とし、
送信電力制御回路１５から制御信号を供給して所望のＦ
ＥＴをオフ状態に切り換えることにより、低送信出力状
態である場合に低レベルな出力に適した増幅器とする手
法が考えられる。
【００１１】図８に示すように、このような構成でなる
受信増幅器５及び送信電力増幅器１８（図７）では、低
送信出力状態である場合又は受信信号強度が高レベルで
ある場合に使用するＦＥＴ数を制限することでドレイン
電流を低減し得る。図８では出力電力１５[dBm] 以下の
低送信出力状態で所望のＦＥＴをオフ状態にしたことに
より、全てのＦＥＴがオン状態の場合に比してドレイン
電流Ｉｄ[mA]が１／２以下となつている。
受信増幅器５及び送信電力増幅器１８（図７）では、低
送信出力状態である場合又は受信信号強度が高レベルで
ある場合に使用するＦＥＴ数を制限することでドレイン
電流を低減し得る。図８では出力電力１５[dBm] 以下の
低送信出力状態で所望のＦＥＴをオフ状態にしたことに
より、全てのＦＥＴがオン状態の場合に比してドレイン
電流Ｉｄ[mA]が１／２以下となつている。
【００１２】しかし図９に示すように、このような手法
を用いた受信増幅器５及び送信電力増幅器１８では、低
送信出力状態又は受信信号強度が高レベルである場合で
のＦＥＴのオフ状態への切り換え時に利得変動が生じ
る。図９ではオフ状態への切り換え時に約１．３[dB]の
利得変動が生じている。こうした電力利得の不連続性は
無線通信装置の安定性に影響を及ぼすことになり、特に
高精度に電力制御を行なう必要のある場合、問題とな
る。
を用いた受信増幅器５及び送信電力増幅器１８では、低
送信出力状態又は受信信号強度が高レベルである場合で
のＦＥＴのオフ状態への切り換え時に利得変動が生じ
る。図９ではオフ状態への切り換え時に約１．３[dB]の
利得変動が生じている。こうした電力利得の不連続性は
無線通信装置の安定性に影響を及ぼすことになり、特に
高精度に電力制御を行なう必要のある場合、問題とな
る。
【００１３】こうした利得変動を補償するために以下の
ような手法が考えられる。例えば送信電力増幅器１８の
前段の無線周波利得可変増幅器１７に補償制御回路を接
続して設ける。補償制御回路は例えば送信電力の所定の
切換えレベルと、各切換えレベルに対応する無線周波利
得可変増幅器１７の利得変動量とのテーブルデータを有
している。これにより低送信出力状態での消費電力制御
を行うと共に、この際に変動する利得を上昇又は低下さ
せるように補償制御回路によつて補償制御を行う。
ような手法が考えられる。例えば送信電力増幅器１８の
前段の無線周波利得可変増幅器１７に補償制御回路を接
続して設ける。補償制御回路は例えば送信電力の所定の
切換えレベルと、各切換えレベルに対応する無線周波利
得可変増幅器１７の利得変動量とのテーブルデータを有
している。これにより低送信出力状態での消費電力制御
を行うと共に、この際に変動する利得を上昇又は低下さ
せるように補償制御回路によつて補償制御を行う。
【００１４】ところが、このような補償制御回路を設け
た場合、構成が複雑化して無線通信端末装置１の小型化
を妨げる要因となる。またこのような補償制御回路を無
線周波利得可変増幅器１７と共有した場合、その制御が
複雑なものとなる。
た場合、構成が複雑化して無線通信端末装置１の小型化
を妨げる要因となる。またこのような補償制御回路を無
線周波利得可変増幅器１７と共有した場合、その制御が
複雑なものとなる。
【００１５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、簡易な構成及び制御で、出力電力及び利得の安定性
の精度を向上し得る増幅器、送信回路及び受信回路を提
案しようとするものである。
で、簡易な構成及び制御で、出力電力及び利得の安定性
の精度を向上し得る増幅器、送信回路及び受信回路を提
案しようとするものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、第１の能動素子及び当該第１の能
動素子に比して低利得な第２〜第Ｎの能動素子を並列に
多段接続してなる増幅手段と、増幅手段に対する入力電
力が所定のしきい値以下又は以上の場合、各能動素子に
供給するバイアス電圧又はバイアス電流を切り換えて、
所望数の能動素子を利得の低いものから順次、非能動状
態に切り換えることにより増幅手段全体としての利得を
制御するバイアス制御手段とを設ける。
め本発明においては、第１の能動素子及び当該第１の能
動素子に比して低利得な第２〜第Ｎの能動素子を並列に
多段接続してなる増幅手段と、増幅手段に対する入力電
力が所定のしきい値以下又は以上の場合、各能動素子に
供給するバイアス電圧又はバイアス電流を切り換えて、
所望数の能動素子を利得の低いものから順次、非能動状
態に切り換えることにより増幅手段全体としての利得を
制御するバイアス制御手段とを設ける。
【００１７】高出力時又は高入力時には全ての能動素子
を能動状態とし、また低出力時又は低入力時には低利得
な第２〜第Ｎの能動素子を利得の低いものから順次、非
能動状態とすることによつて、低出力時及び低入力時の
電力消費を低減し得ると共に、利得の変動を低減し得
る。
を能動状態とし、また低出力時又は低入力時には低利得
な第２〜第Ｎの能動素子を利得の低いものから順次、非
能動状態とすることによつて、低出力時及び低入力時の
電力消費を低減し得ると共に、利得の変動を低減し得
る。
【００１８】また本発明においては、第１の能動素子及
び当該第１の能動素子に比して低利得な第２〜第Ｎの能
動素子を並列に多段接続してなり、入力される送信信号
の増幅処理を行う増幅手段と、増幅手段に対する入力電
力が所定のしきい値以下の場合、各能動素子に供給する
バイアス電圧又はバイアス電流を切り換えて、所望数の
能動素子を利得の低いものから順次、非能動状態に切り
換えることにより増幅手段全体としての利得を制御する
バイアス制御手段と、増幅手段に入力される送信信号の
信号レベルを検出する検出手段と、検出手段の検出結果
に応じて、非能動状態に切り換える能動素子の数を決定
してバイアス制御手段に供給する制御手段とを設ける。
び当該第１の能動素子に比して低利得な第２〜第Ｎの能
動素子を並列に多段接続してなり、入力される送信信号
の増幅処理を行う増幅手段と、増幅手段に対する入力電
力が所定のしきい値以下の場合、各能動素子に供給する
バイアス電圧又はバイアス電流を切り換えて、所望数の
能動素子を利得の低いものから順次、非能動状態に切り
換えることにより増幅手段全体としての利得を制御する
バイアス制御手段と、増幅手段に入力される送信信号の
信号レベルを検出する検出手段と、検出手段の検出結果
に応じて、非能動状態に切り換える能動素子の数を決定
してバイアス制御手段に供給する制御手段とを設ける。
【００１９】高出力送信時には全ての能動素子を能動状
態とし、また低出力送信時には低利得な第２〜第Ｎの能
動素子を利得の低いものから順次、非能動状態とするこ
とによつて、低出力送信時に増幅手段の電力消費を低減
し得ると共に、利得の変動を低減し得、送信制御の精度
を向上し得る。
態とし、また低出力送信時には低利得な第２〜第Ｎの能
動素子を利得の低いものから順次、非能動状態とするこ
とによつて、低出力送信時に増幅手段の電力消費を低減
し得ると共に、利得の変動を低減し得、送信制御の精度
を向上し得る。
【００２０】また本発明においては、第１の能動素子及
び当該第１の能動素子に比して低利得な第２〜第Ｎの能
動素子を並列に多段接続してなり、入力される送信信号
の増幅処理を行う増幅手段と、増幅手段に対する入力電
力が所定のしきい値以上の場合、各能動素子に供給する
バイアス電圧又はバイアス電流を切り換えて、所望数の
能動素子を利得の低いものから順次、非能動状態に切り
換えることにより増幅手段全体としての利得を制御する
バイアス制御手段と、増幅手段に入力される受信信号の
信号レベルを検出する検出手段と、検出手段の検出結果
に応じて、非能動状態に切り換える能動素子の数を決定
してバイアス制御手段に供給する制御手段とを設ける。
び当該第１の能動素子に比して低利得な第２〜第Ｎの能
動素子を並列に多段接続してなり、入力される送信信号
の増幅処理を行う増幅手段と、増幅手段に対する入力電
力が所定のしきい値以上の場合、各能動素子に供給する
バイアス電圧又はバイアス電流を切り換えて、所望数の
能動素子を利得の低いものから順次、非能動状態に切り
換えることにより増幅手段全体としての利得を制御する
バイアス制御手段と、増幅手段に入力される受信信号の
信号レベルを検出する検出手段と、検出手段の検出結果
に応じて、非能動状態に切り換える能動素子の数を決定
してバイアス制御手段に供給する制御手段とを設ける。
【００２１】受信信号強度が高レベルである場合には全
ての能動素子を能動状態とし、また低レベルである場合
には低利得な第２〜第Ｎの能動素子を利得の低いものか
ら順次、非能動状態とすることによつて、受信信号強度
が低レベルである場合に増幅手段の電力消費を低減し得
ると共に、利得の変動を低減し得、受信制御の精度を向
上し得る。
ての能動素子を能動状態とし、また低レベルである場合
には低利得な第２〜第Ｎの能動素子を利得の低いものか
ら順次、非能動状態とすることによつて、受信信号強度
が低レベルである場合に増幅手段の電力消費を低減し得
ると共に、利得の変動を低減し得、受信制御の精度を向
上し得る。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【００２３】図７との対応部分に同一符号を付して示す
図１において、２０は全体として無線通信端末装置を示
し、受信増幅器５及び送信電力増幅器１８（図７）に換
えて増幅器２１及び２２をそれぞれ配すると共に、受信
回路４側の増幅器２１の消費電力及び利得を制御する受
信電力制御回路２３を設けている。受信電力制御回路２
３及び送信電力制御回路１５は、受信電力測定回路１０
に接続されている。受信電力測定回路１０は中間周波利
得可変器８から出力される中間周波信号Ｓ４の出力レベ
ルを検出して、当該出力レベルに応じた受信信号強度レ
ベル情報Ｓ９を受信電力制御回路２３及び送信電力制御
回路１５に供給する。
図１において、２０は全体として無線通信端末装置を示
し、受信増幅器５及び送信電力増幅器１８（図７）に換
えて増幅器２１及び２２をそれぞれ配すると共に、受信
回路４側の増幅器２１の消費電力及び利得を制御する受
信電力制御回路２３を設けている。受信電力制御回路２
３及び送信電力制御回路１５は、受信電力測定回路１０
に接続されている。受信電力測定回路１０は中間周波利
得可変器８から出力される中間周波信号Ｓ４の出力レベ
ルを検出して、当該出力レベルに応じた受信信号強度レ
ベル情報Ｓ９を受信電力制御回路２３及び送信電力制御
回路１５に供給する。
【００２４】受信電力制御回路２３は、こうして与えら
れる受信信号強度レベル情報Ｓ９に基づいて増幅器２１
に制御信号Ｓ１３を供給することによつて、受信信号強
度が低レベルである場合に増幅器２１の消費電力を低減
すると共に利得の低下を低減するように制御を行う。ま
た送信電力制御回路１５は、こうして与えられる受信信
号強度レベル情報Ｓ９に基づいて増幅器２２に制御信号
Ｓ１４を供給することによつて、送信電力が低送信出力
時の場合に増幅器２２の消費電力を低減すると共に利得
の低下を低減するように制御を行う。なお、消費電力の
低減及び利得低下の低減の制御については後述する。
れる受信信号強度レベル情報Ｓ９に基づいて増幅器２１
に制御信号Ｓ１３を供給することによつて、受信信号強
度が低レベルである場合に増幅器２１の消費電力を低減
すると共に利得の低下を低減するように制御を行う。ま
た送信電力制御回路１５は、こうして与えられる受信信
号強度レベル情報Ｓ９に基づいて増幅器２２に制御信号
Ｓ１４を供給することによつて、送信電力が低送信出力
時の場合に増幅器２２の消費電力を低減すると共に利得
の低下を低減するように制御を行う。なお、消費電力の
低減及び利得低下の低減の制御については後述する。
【００２５】図２は増幅器２２の内部構成を示し、送信
電力増幅器２４とゲートバイアス制御部２５とで構成さ
れている。なお増幅器２１は当該増幅器２２と同一構成
であるため、説明を省略する。増幅器２２は入力電力Ｐ
１を送信電力増幅器２４に入力する。送信電力増幅器２
４は入力電力Ｐ１を整合回路２６を介してＦＥＴ（Fiel
d Effect Transistor）群２７及び２８で増幅し、整合
回路２９を介して出力電力Ｐ２として出力する。
電力増幅器２４とゲートバイアス制御部２５とで構成さ
れている。なお増幅器２１は当該増幅器２２と同一構成
であるため、説明を省略する。増幅器２２は入力電力Ｐ
１を送信電力増幅器２４に入力する。送信電力増幅器２
４は入力電力Ｐ１を整合回路２６を介してＦＥＴ（Fiel
d Effect Transistor）群２７及び２８で増幅し、整合
回路２９を介して出力電力Ｐ２として出力する。
【００２６】ＦＥＴ群２７及び２８は、それぞれ複数の
単位ＦＥＴによつて構成されており、各単位ＦＥＴのゲ
ート及びドレインを電気的に接続し、またソースを接地
している。またＦＥＴ群２７とＦＥＴ群２８とでは、異
なるゲート長又はゲートフインガ幅でなる単位ＦＥＴが
配されており、例えばＦＥＴ群２７の単位ＦＥＴのゲー
ト長又はゲートフインガ幅はＦＥＴ群２８の単位ＦＥＴ
のゲート長又はゲートフインガ幅に比して小さくなるよ
うになされている。これによつてＦＥＴ群２７の利得は
ＦＥＴ群２８の利得に比して高いものとなつている。各
単位ＦＥＴの構造（ゲート長、ゲートフインガ幅）及び
利得の関係については後述する。
単位ＦＥＴによつて構成されており、各単位ＦＥＴのゲ
ート及びドレインを電気的に接続し、またソースを接地
している。またＦＥＴ群２７とＦＥＴ群２８とでは、異
なるゲート長又はゲートフインガ幅でなる単位ＦＥＴが
配されており、例えばＦＥＴ群２７の単位ＦＥＴのゲー
ト長又はゲートフインガ幅はＦＥＴ群２８の単位ＦＥＴ
のゲート長又はゲートフインガ幅に比して小さくなるよ
うになされている。これによつてＦＥＴ群２７の利得は
ＦＥＴ群２８の利得に比して高いものとなつている。各
単位ＦＥＴの構造（ゲート長、ゲートフインガ幅）及び
利得の関係については後述する。
【００２７】また整合回路２６とＦＥＴ群２７及び２８
との間にはＤＣカツトキヤパシタ３０、３１をそれぞれ
接続して配しており、これによりＦＥＴ群２７及び２８
のゲート電極はＤＣ的に分離され、高周波的に接続され
た状態となつている。さらにＦＥＴ群２７及び２８のゲ
ート電極にはゲート抵抗３２、３３をそれぞれ接続して
配しており、これによつてＦＥＴ群２７及び２８のゲー
ト電極はゲートバイアス制御部２５との高周波的アイソ
レーシヨンを得ている。
との間にはＤＣカツトキヤパシタ３０、３１をそれぞれ
接続して配しており、これによりＦＥＴ群２７及び２８
のゲート電極はＤＣ的に分離され、高周波的に接続され
た状態となつている。さらにＦＥＴ群２７及び２８のゲ
ート電極にはゲート抵抗３２、３３をそれぞれ接続して
配しており、これによつてＦＥＴ群２７及び２８のゲー
ト電極はゲートバイアス制御部２５との高周波的アイソ
レーシヨンを得ている。
【００２８】一方、ＦＥＴ群２７及び２８のドレイン電
極は接続されており、当該ドレイン電極と整合回路２９
との間に接続された高周波チヨークコイル３４からドレ
イン電圧Ｖｄが印加されることでドレイン電流Ｉｄmax
を得ている。なおドレイン電流Ｉｄmax はＦＥＴ群２７
及び２８に動作ゲート電圧が印加された状態で得られる
電流量である。
極は接続されており、当該ドレイン電極と整合回路２９
との間に接続された高周波チヨークコイル３４からドレ
イン電圧Ｖｄが印加されることでドレイン電流Ｉｄmax
を得ている。なおドレイン電流Ｉｄmax はＦＥＴ群２７
及び２８に動作ゲート電圧が印加された状態で得られる
電流量である。
【００２９】ゲートバイアス制御部２５はＦＥＴ群２７
及び２８に対するゲート電圧を供給する。ゲートバイア
ス制御部２５は例えば抵抗３５、３６による抵抗分圧に
よつて動作ゲート電圧Ｖonと、ピンチオフ電圧Ｖｐ以下
であるオフゲート電圧Ｖoffを得ている。ゲートバイア
ス制御部２５はＦＥＴ群２７に対するゲート電圧とし
て、動作ゲート電圧Ｖonをゲート抵抗３２を介して供給
している。一方、動作ゲート電圧Ｖonとオフゲート電圧
Ｖoff とはスイツチ３７の各端子に供給されており、当
該スイツチ３７はゲート抵抗３３に接続されている。ゲ
ートバイアス制御部２５はＦＥＴ群２８に対するゲート
電圧として、動作ゲート電圧Ｖonとオフゲート電圧Ｖ
off とのいずれか一方をスイツチ３７の切り換えにより
供給している。
及び２８に対するゲート電圧を供給する。ゲートバイア
ス制御部２５は例えば抵抗３５、３６による抵抗分圧に
よつて動作ゲート電圧Ｖonと、ピンチオフ電圧Ｖｐ以下
であるオフゲート電圧Ｖoffを得ている。ゲートバイア
ス制御部２５はＦＥＴ群２７に対するゲート電圧とし
て、動作ゲート電圧Ｖonをゲート抵抗３２を介して供給
している。一方、動作ゲート電圧Ｖonとオフゲート電圧
Ｖoff とはスイツチ３７の各端子に供給されており、当
該スイツチ３７はゲート抵抗３３に接続されている。ゲ
ートバイアス制御部２５はＦＥＴ群２８に対するゲート
電圧として、動作ゲート電圧Ｖonとオフゲート電圧Ｖ
off とのいずれか一方をスイツチ３７の切り換えにより
供給している。
【００３０】スイツチ３７は送信電力制御回路１５から
与えられる制御信号Ｓ１４によつて切り換えられるよう
になされている。すなわち送信電力が高送信出力状態で
ある場合、スイツチ３７は動作ゲート電圧Ｖonが供給さ
れている端子側に接続され、ＦＥＴ群２８に対するゲー
ト電圧として動作ゲート電圧Ｖonを供給する。また送信
電力が低送信出力状態である場合、スイツチ３７はオフ
ゲート電圧Ｖoff が供給されている端子側に接続され、
ＦＥＴ群２８に対するゲート電圧としてオフゲート電圧
Ｖoff を供給する。
与えられる制御信号Ｓ１４によつて切り換えられるよう
になされている。すなわち送信電力が高送信出力状態で
ある場合、スイツチ３７は動作ゲート電圧Ｖonが供給さ
れている端子側に接続され、ＦＥＴ群２８に対するゲー
ト電圧として動作ゲート電圧Ｖonを供給する。また送信
電力が低送信出力状態である場合、スイツチ３７はオフ
ゲート電圧Ｖoff が供給されている端子側に接続され、
ＦＥＴ群２８に対するゲート電圧としてオフゲート電圧
Ｖoff を供給する。
【００３１】このように増幅器２２は、高送信出力状態
である場合はスイツチ３７の切り換えによつてＦＥＴ群
２７及び２８共に動作ゲート電圧Ｖonを供給して高レベ
ルな出力に適した増幅器となる。また低送信出力状態で
ある場合はスイツチ３７の切り換えによつてＦＥＴ群２
７のみに動作ゲート電圧Ｖonを供給してＦＥＴ群２８を
オフ状態とすることで低レベルな出力に適した増幅器と
なる。
である場合はスイツチ３７の切り換えによつてＦＥＴ群
２７及び２８共に動作ゲート電圧Ｖonを供給して高レベ
ルな出力に適した増幅器となる。また低送信出力状態で
ある場合はスイツチ３７の切り換えによつてＦＥＴ群２
７のみに動作ゲート電圧Ｖonを供給してＦＥＴ群２８を
オフ状態とすることで低レベルな出力に適した増幅器と
なる。
【００３２】図３に示すように、ＦＥＴ群２７及び２８
の各単位ＦＥＴはソース、ゲート及びドレイン電極から
なり、ゲート電極に印加する電圧に応じてドレイン電極
からソース電極に流れる電流値が変化する。ここで図中
に示すＬG をゲート長とする。一般に増幅素子の性能値
としては最大発振周波数ｆmax が用いられる。ここでｆ
max は電力利得が１となる周波数を示しており、Ｒｇを
ＦＥＴのゲート抵抗値、ＧｄをＦＥＴのドレインコンダ
クタンス、νsat を電子飽和速度とした場合、ＦＥＴの
利得については
の各単位ＦＥＴはソース、ゲート及びドレイン電極から
なり、ゲート電極に印加する電圧に応じてドレイン電極
からソース電極に流れる電流値が変化する。ここで図中
に示すＬG をゲート長とする。一般に増幅素子の性能値
としては最大発振周波数ｆmax が用いられる。ここでｆ
max は電力利得が１となる周波数を示しており、Ｒｇを
ＦＥＴのゲート抵抗値、ＧｄをＦＥＴのドレインコンダ
クタンス、νsat を電子飽和速度とした場合、ＦＥＴの
利得については
【数１】 で近似的に表すことができる。この（１）式からわかる
ように、ＦＥＴではゲート長Ｌを小さくすることにより
ｆmax 、すなわち所定の周波数点での利得を高くし得る
ことがわかる。
ように、ＦＥＴではゲート長Ｌを小さくすることにより
ｆmax 、すなわち所定の周波数点での利得を高くし得る
ことがわかる。
【００３３】またゲートフインガ幅ＺG については、図
４に示すように、ゲートフインガ幅ＺG に対する利得特
性のシミユレーシヨン値から、ＺG を小さくすることに
より利得を高くし得ることがわかる。
４に示すように、ゲートフインガ幅ＺG に対する利得特
性のシミユレーシヨン値から、ＺG を小さくすることに
より利得を高くし得ることがわかる。
【００３４】このことからＦＥＴ群２７及び２８では、
上述したように、ＦＥＴ群２７のゲート長又はゲートフ
インガ幅を小さくすることで電力利得を高くし、またＦ
ＥＴ群２８のゲート長又はゲートフインガ幅を大きくす
ることで電力利得を低くするようになされている。図５
に示すように、増幅器２２は高利得でなるＦＥＴ群２７
及び低利得でなるＦＥＴ群２８を並列に接続すると共に
低出力送信時（図中、１５[dBm] の部分）にＦＥＴ群２
８をオフ状態に切り換えるようにしたことにより、入力
電力に対する利得の変動幅、すなわち高出力送信時の利
得から低出力送信時の利得への変動幅を従来の変動幅に
比して小さくすることを得ている。
上述したように、ＦＥＴ群２７のゲート長又はゲートフ
インガ幅を小さくすることで電力利得を高くし、またＦ
ＥＴ群２８のゲート長又はゲートフインガ幅を大きくす
ることで電力利得を低くするようになされている。図５
に示すように、増幅器２２は高利得でなるＦＥＴ群２７
及び低利得でなるＦＥＴ群２８を並列に接続すると共に
低出力送信時（図中、１５[dBm] の部分）にＦＥＴ群２
８をオフ状態に切り換えるようにしたことにより、入力
電力に対する利得の変動幅、すなわち高出力送信時の利
得から低出力送信時の利得への変動幅を従来の変動幅に
比して小さくすることを得ている。
【００３５】以上の構成において、増幅器２２はＦＥＴ
群２７及び２８を並列に多段接続した構成としている。
高出力送信時、ＦＥＴ群２７及び２８に供給されるゲー
ト電圧は共にＶonであり、ＦＥＴ群２７及び２８共に動
作状態となつている。この場合、ドレイン電流ＩｄはＦ
ＥＴ群２７及び２８に流れる電流値となつている。また
低出力送信時、ＦＥＴ群２８に供給されるゲート電圧は
Ｖoff に切り換えられ、ＦＥＴ群２７のみが動作状態と
なつている。この場合、ドレイン電流ＩｄはＦＥＴ群２
７に流れる分だけの電流値となる（図８）。このように
増幅器２２は低出力送信時、ＦＥＴ群２８の動作状態を
オフに切り換えてＦＥＴ群２７のみを動作状態とするよ
うにしたことにより、ＦＥＴ群２８の動作に要する消費
電力を削減して、消費電力の低減を得ることができる。
群２７及び２８を並列に多段接続した構成としている。
高出力送信時、ＦＥＴ群２７及び２８に供給されるゲー
ト電圧は共にＶonであり、ＦＥＴ群２７及び２８共に動
作状態となつている。この場合、ドレイン電流ＩｄはＦ
ＥＴ群２７及び２８に流れる電流値となつている。また
低出力送信時、ＦＥＴ群２８に供給されるゲート電圧は
Ｖoff に切り換えられ、ＦＥＴ群２７のみが動作状態と
なつている。この場合、ドレイン電流ＩｄはＦＥＴ群２
７に流れる分だけの電流値となる（図８）。このように
増幅器２２は低出力送信時、ＦＥＴ群２８の動作状態を
オフに切り換えてＦＥＴ群２７のみを動作状態とするよ
うにしたことにより、ＦＥＴ群２８の動作に要する消費
電力を削減して、消費電力の低減を得ることができる。
【００３６】また増幅器２２は、ＦＥＴ群２７のゲート
長又はゲートフインガ幅を小さくし又ＦＥＴ群２８のゲ
ート長又はゲートフインガ幅を大きくしている。高出力
送信時、すなわちＦＥＴ群２７及び２８が共に動作状態
となつている場合、ＦＥＴ群２７に比して低利得でなる
ＦＥＴ群２８が含まれているため、従来のように共に同
一利得でなるＦＥＴ群を配した場合に比して、増幅器２
２全体としての利得は低下する。しかし低出力時、すな
わちＦＥＴ群２７のみが動作状態となつている場合、Ｆ
ＥＴ群２７はＦＥＴ群２８に比して高利得であるため、
増幅器２２全体としての利得は従来の増幅器に等しい利
得となる（図５）。
長又はゲートフインガ幅を小さくし又ＦＥＴ群２８のゲ
ート長又はゲートフインガ幅を大きくしている。高出力
送信時、すなわちＦＥＴ群２７及び２８が共に動作状態
となつている場合、ＦＥＴ群２７に比して低利得でなる
ＦＥＴ群２８が含まれているため、従来のように共に同
一利得でなるＦＥＴ群を配した場合に比して、増幅器２
２全体としての利得は低下する。しかし低出力時、すな
わちＦＥＴ群２７のみが動作状態となつている場合、Ｆ
ＥＴ群２７はＦＥＴ群２８に比して高利得であるため、
増幅器２２全体としての利得は従来の増幅器に等しい利
得となる（図５）。
【００３７】このように増幅器２２はゲート長又はゲー
トフインガ幅の異なるＦＥＴ群２７及び２８を設けて、
低出力送信時、ＦＥＴ群２７に比して低利得でなるＦＥ
Ｔ群２８をオフ状態とすることにより、高出力送信時に
比した場合の入力電力に対する利得の変動幅を従来の増
幅器に比して小さくすることができ、これにより利得の
不連続性を低減することができる。
トフインガ幅の異なるＦＥＴ群２７及び２８を設けて、
低出力送信時、ＦＥＴ群２７に比して低利得でなるＦＥ
Ｔ群２８をオフ状態とすることにより、高出力送信時に
比した場合の入力電力に対する利得の変動幅を従来の増
幅器に比して小さくすることができ、これにより利得の
不連続性を低減することができる。
【００３８】以上の構成によれば、ゲート長又はゲート
フインガ幅の異なるＦＥＴ群２７及び２８を設けると共
に、当該ＦＥＴ群２７及び２８を並列な多段接続とし、
高出力送信時及び受信信号強度の低レベル時にはＦＥＴ
群２７及び２８共に動作状態とすると共に、低出力送信
時及び受信信号強度の低レベル時にはスイツチ３７の切
り換えによつて、ＦＥＴ群２７に比して低利得でなるＦ
ＥＴ群２８をオフ状態とすることにより、低出力送信時
及び受信信号強度の低レベル時の電力消費を低減し得る
と共に利得の変動幅を小さくして利得の不連続性を低減
することができる。かくするにつき、簡易な構成及び制
御によつて、出力電力及び利得の安定性の精度を向上し
得る。
フインガ幅の異なるＦＥＴ群２７及び２８を設けると共
に、当該ＦＥＴ群２７及び２８を並列な多段接続とし、
高出力送信時及び受信信号強度の低レベル時にはＦＥＴ
群２７及び２８共に動作状態とすると共に、低出力送信
時及び受信信号強度の低レベル時にはスイツチ３７の切
り換えによつて、ＦＥＴ群２７に比して低利得でなるＦ
ＥＴ群２８をオフ状態とすることにより、低出力送信時
及び受信信号強度の低レベル時の電力消費を低減し得る
と共に利得の変動幅を小さくして利得の不連続性を低減
することができる。かくするにつき、簡易な構成及び制
御によつて、出力電力及び利得の安定性の精度を向上し
得る。
【００３９】なお上述の実施例においては、それぞれ異
なるゲート長又はゲートフインガ幅でなるＦＥＴ群２７
及び２８を設けた場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えばそれぞれ異なるゲート長又はゲートフ
インガ幅でなるＦＥＴ群を３つ以上設けるようにしても
よい。
なるゲート長又はゲートフインガ幅でなるＦＥＴ群２７
及び２８を設けた場合について述べたが、本発明はこれ
に限らず、例えばそれぞれ異なるゲート長又はゲートフ
インガ幅でなるＦＥＴ群を３つ以上設けるようにしても
よい。
【００４０】また上述の実施例においては、ＦＥＴ群２
７及び２８を設けた増幅器２１及び２２の場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、例えばバイポーラト
ランジスタを設けるようにしてもよい。図６に示すよう
に、バイポーラトランジスタはエミツタ、ベース及びコ
レクタ電極からなり、ベース電極に印加する電流値に応
じてコレクタ電極からエミツタ電極に流れる電流量が変
化する（ｎｐｎ型の場合）。バイポーラトランジスタで
はゲート長Ｌに相当するのがエミツタ幅Ｗｅであり、ゲ
ートフインガ幅Ｚに相当するのがエミツタ長Ｌｅであ
る。従つてバイポーラトランジスタを設けた増幅器で
は、それぞれ異なるエミツタ幅Ｗｅ又はエミツタ長Ｌｅ
でなるバイポーラトランジスタ群を設けるようにすれば
よい。
７及び２８を設けた増幅器２１及び２２の場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、例えばバイポーラト
ランジスタを設けるようにしてもよい。図６に示すよう
に、バイポーラトランジスタはエミツタ、ベース及びコ
レクタ電極からなり、ベース電極に印加する電流値に応
じてコレクタ電極からエミツタ電極に流れる電流量が変
化する（ｎｐｎ型の場合）。バイポーラトランジスタで
はゲート長Ｌに相当するのがエミツタ幅Ｗｅであり、ゲ
ートフインガ幅Ｚに相当するのがエミツタ長Ｌｅであ
る。従つてバイポーラトランジスタを設けた増幅器で
は、それぞれ異なるエミツタ幅Ｗｅ又はエミツタ長Ｌｅ
でなるバイポーラトランジスタ群を設けるようにすれば
よい。
【００４１】さらに上述の実施例においては、複数の単
位ＦＥＴで構成されるＦＥＴ群２７及び２８を配して、
高出力送信時及び受信信号強度の高レベル時、又は低出
力送信時及び受信信号強度の低レベル時とでＦＥＴ群２
８の動作状態をオン又はオフに切り換える増幅器２１及
び２２の場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、単位ＦＥＴのそれぞれについてオン又はオフを切り
換え得るようにしてもよい。
位ＦＥＴで構成されるＦＥＴ群２７及び２８を配して、
高出力送信時及び受信信号強度の高レベル時、又は低出
力送信時及び受信信号強度の低レベル時とでＦＥＴ群２
８の動作状態をオン又はオフに切り換える増幅器２１及
び２２の場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、単位ＦＥＴのそれぞれについてオン又はオフを切り
換え得るようにしてもよい。
【００４２】また上述の実施例においては、中間周波利
得可変増幅器８の出力レベルを受信電力測定回路１０に
よつて検出する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、例えば受信電力測定回路を増幅器２１の後段に
配するようにしてもよい。
得可変増幅器８の出力レベルを受信電力測定回路１０に
よつて検出する場合について述べたが、本発明はこれに
限らず、例えば受信電力測定回路を増幅器２１の後段に
配するようにしてもよい。
【００４３】また上述の実施例においては、送信電力制
御回路１５と受信電力制御回路２３を別々の構成とした
無線通信端末装置２０の場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、例えば送信電力制御回路と受信電力制
御回路とを同一構成としてもよい。これにより、無線通
信端末装置は送信回路及び受信回路における消費電力及
び利得の制御を一括して行うことができる。
御回路１５と受信電力制御回路２３を別々の構成とした
無線通信端末装置２０の場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、例えば送信電力制御回路と受信電力制
御回路とを同一構成としてもよい。これにより、無線通
信端末装置は送信回路及び受信回路における消費電力及
び利得の制御を一括して行うことができる。
【００４４】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、第１の能
動素子及び当該第１の能動素子に比して低利得な第２〜
第Ｎの能動素子を並列に多段接続してなる増幅手段と、
増幅手段に対する入力電力が所定のしきい値以下又は以
上の場合、各能動素子に供給するバイアス電圧又はバイ
アス電流を切り換えて、所望数の能動素子を利得の低い
ものから順次、非能動状態に切り換えることにより増幅
手段全体としての利得を制御するバイアス制御手段とを
設けて、高出力時又は高入力時には全ての能動素子を能
動状態とし、また低出力時又は低入力時には低利得な第
２〜第Ｎの能動素子を利得の低いものから順次、非能動
状態とすることによつて、低出力時及び低入力時の電力
消費を低減し得ると共に、利得の変動を低減し得、かく
するにつき、簡易な構成及び制御で、出力電力及び利得
の安定性の精度を向上し得る。
動素子及び当該第１の能動素子に比して低利得な第２〜
第Ｎの能動素子を並列に多段接続してなる増幅手段と、
増幅手段に対する入力電力が所定のしきい値以下又は以
上の場合、各能動素子に供給するバイアス電圧又はバイ
アス電流を切り換えて、所望数の能動素子を利得の低い
ものから順次、非能動状態に切り換えることにより増幅
手段全体としての利得を制御するバイアス制御手段とを
設けて、高出力時又は高入力時には全ての能動素子を能
動状態とし、また低出力時又は低入力時には低利得な第
２〜第Ｎの能動素子を利得の低いものから順次、非能動
状態とすることによつて、低出力時及び低入力時の電力
消費を低減し得ると共に、利得の変動を低減し得、かく
するにつき、簡易な構成及び制御で、出力電力及び利得
の安定性の精度を向上し得る。
【図１】本発明の一実施例による無線通信端末装置の構
成を示すブロツク図である。
成を示すブロツク図である。
【図２】実施例による増幅器の回路構成を示す回路図で
ある。
ある。
【図３】ＦＥＴの内部構成の説明に供する斜視図であ
る。
る。
【図４】ゲートフインガ幅と利得特性の関係の説明に供
する図表である。
する図表である。
【図５】実施例による利得の不連続性の低減の説明に供
する図表である。
する図表である。
【図６】バイポーラトランジスタの内部構成の説明に供
する斜視図である。
する斜視図である。
【図７】従来の無線通信端末装置の構成を示すブロツク
図である。
図である。
【図８】低送信出力状態での消費電力の低減の説明に供
する図表である。
する図表である。
【図９】消費電力の低減に伴う利得の不連続性の説明に
供する図表である。
供する図表である。
１、２０……無線通信端末装置、２……アンテナ、３…
…送受分波器、４……受信回路部、５……受信増幅器、
６、１６……混合器、７……ローカル発振器、８、１４
……中間周波利得可変増幅器、９……復調器、１０……
受信電力測定回路、１１……ベースバンド信号処理回
路、１２……送信回路部、１３……変調器、１５……送
信電力制御回路、１７……無線周波利得可変増幅器、１
８……送信電力増幅器、１９……マイクロコンピユー
タ、２１、２２……増幅器、２４……送信電力増幅器、
２５……ゲートバイアス制御部、２６、２９……整合回
路、２７、２８……ＦＥＴ群、３０、３１……ＤＣカツ
トキヤパシタ、３２、３３……ゲート抵抗、３４……高
周波チヨークコイル、３５、３６……抵抗、３７……ス
イツチ。
…送受分波器、４……受信回路部、５……受信増幅器、
６、１６……混合器、７……ローカル発振器、８、１４
……中間周波利得可変増幅器、９……復調器、１０……
受信電力測定回路、１１……ベースバンド信号処理回
路、１２……送信回路部、１３……変調器、１５……送
信電力制御回路、１７……無線周波利得可変増幅器、１
８……送信電力増幅器、１９……マイクロコンピユー
タ、２１、２２……増幅器、２４……送信電力増幅器、
２５……ゲートバイアス制御部、２６、２９……整合回
路、２７、２８……ＦＥＴ群、３０、３１……ＤＣカツ
トキヤパシタ、３２、３３……ゲート抵抗、３４……高
周波チヨークコイル、３５、３６……抵抗、３７……ス
イツチ。
Claims (15)
- 【請求項１】第１の能動素子及び当該第１の能動素子に
比して低利得な第２〜第Ｎの能動素子を並列に多段接続
してなる増幅手段と、 上記増幅手段に対する入力電力が所定のしきい値以下又
は以上の場合、各上記能動素子に供給するバイアス電圧
又はバイアス電流を切り換えて、所望数の上記能動素子
を利得の低いものから順次、非能動状態に切り換えるこ
とにより上記増幅手段全体としての利得を制御するバイ
アス制御手段とを具えることを特徴とする増幅器。 - 【請求項２】各上記能動素子は、 単数又は複数のＦＥＴを並列に接続してなり、 上記ＦＥＴのゲート電極のゲート長が上記第１の能動素
子と上記第２〜第Ｎの能動素子とで異なることを特徴と
する請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項３】各上記能動素子は、 単数又は複数のＦＥＴを並列に接続してなり、 上記ＦＥＴのゲート電極のゲート幅が上記第１の能動素
子と上記第２〜第Ｎの能動素子とで異なることを特徴と
する請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項４】各上記能動素子は、 単数又は複数のバイポーラトランジスタを並列に接続し
てなり、 上記バイポーラトランジスタのエミツタ電極のエミツタ
幅が上記第１の能動素子と上記第２〜第Ｎの能動素子と
で異なることを特徴とする請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項５】各上記能動素子は、 単数又は複数のバイポーラトランジスタを並列に接続し
てなり、 上記バイポーラトランジスタのエミツタ電極のエミツタ
長が上記第１の能動素子と上記第２〜第Ｎの能動素子と
で異なることを特徴とする請求項１に記載の増幅器。 - 【請求項６】第１の能動素子及び当該第１の能動素子に
比して低利得な第２〜第Ｎの能動素子を並列に多段接続
してなり、入力される送信信号の増幅処理を行う増幅手
段と、 上記増幅手段に対する入力電力が所定のしきい値以下の
場合、各上記能動素子に供給するバイアス電圧又はバイ
アス電流を切り換えて、所望数の上記能動素子を利得の
低いものから順次、非能動状態に切り換えることにより
上記増幅手段全体としての利得を制御するバイアス制御
手段と、 上記増幅手段に入力される上記送信信号の信号レベルを
検出する検出手段と、 上記検出手段の検出結果に応じて、非能動状態に切り換
える上記能動素子の数を決定して上記バイアス制御手段
に供給する制御手段とを具えることを特徴とする送信回
路。 - 【請求項７】各上記能動素子は、 単数又は複数のＦＥＴを並列に接続してなり、 上記ＦＥＴのゲート電極のゲート長が上記第１の能動素
子と上記第２〜第Ｎの能動素子とで異なることを特徴と
する請求項６に記載の送信回路。 - 【請求項８】各上記能動素子は、 単数又は複数のＦＥＴを並列に接続してなり、 上記ＦＥＴのゲート電極のゲート幅が上記第１の能動素
子と上記第２〜第Ｎの能動素子とで異なることを特徴と
する請求項６に記載の送信回路。 - 【請求項９】各上記能動素子は、 単数又は複数のバイポーラトランジスタを並列に接続し
てなり、 上記バイポーラトランジスタのエミツタ電極のエミツタ
幅が上記第１の能動素子と上記第２〜第Ｎの能動素子と
で異なることを特徴とする請求項６に記載の送信回路。 - 【請求項１０】各上記能動素子は、 単数又は複数のバイポーラトランジスタを並列に接続し
てなり、 上記バイポーラトランジスタのエミツタ電極のエミツタ
長が上記第１の能動素子と上記第２〜第Ｎの能動素子と
で異なることを特徴とする請求項６に記載の送信回路。 - 【請求項１１】第１の能動素子及び当該第１の能動素子
に比して低利得な第２〜第Ｎの能動素子を並列に多段接
続してなり、入力される受信信号の増幅処理を行う増幅
手段と、 上記増幅手段に対する入力電力が所定のしきい値以上の
場合、各上記能動素子に供給するバイアス電圧又はバイ
アス電流を切り換えて、所望数の上記能動素子を利得の
低いものから順次、非能動状態に切り換えることにより
上記増幅手段全体としての利得を制御するバイアス制御
手段と、 上記増幅手段に入力される上記受信信号の信号レベルを
検出する検出手段と、 上記検出手段の検出結果に応じて、非能動状態に切り換
える上記能動素子の数を決定して上記バイアス制御手段
に供給する制御手段とを具えることを特徴とする受信回
路。 - 【請求項１２】各上記能動素子は、 単数又は複数のＦＥＴを並列に接続してなり、 上記ＦＥＴのゲート電極のゲート長が上記第１の能動素
子と上記第２〜第Ｎの能動素子とで異なることを特徴と
する請求項１１に記載の受信回路。 - 【請求項１３】各上記能動素子は、 単数又は複数のＦＥＴを並列に接続してなり、 上記ＦＥＴのゲート電極のゲート幅が上記第１の能動素
子と上記第２〜第Ｎの能動素子とで異なることを特徴と
する請求項１１に記載の受信回路。 - 【請求項１４】各上記能動素子は、 単数又は複数のバイポーラトランジスタを並列に接続し
てなり、 上記バイポーラトランジスタのエミツタ電極のエミツタ
幅が上記第１の能動素子と上記第２〜第Ｎの能動素子と
で異なることを特徴とする請求項１１に記載の受信回
路。 - 【請求項１５】各上記能動素子は、 単数又は複数のバイポーラトランジスタを並列に接続し
てなり、 上記バイポーラトランジスタのエミツタ電極のエミツタ
長が上記第１の能動素子と上記第２〜第Ｎの能動素子と
で異なることを特徴とする請求項１１に記載の受信回
路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31001196A JP3871153B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 増幅器、送信回路及び受信回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31001196A JP3871153B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 増幅器、送信回路及び受信回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10145162A true JPH10145162A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3871153B2 JP3871153B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=18000084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31001196A Expired - Fee Related JP3871153B2 (ja) | 1996-11-06 | 1996-11-06 | 増幅器、送信回路及び受信回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3871153B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000052384A (ko) * | 1998-11-27 | 2000-08-25 | 귄터 무스함마 | 집적 증폭기 |
| US6556848B2 (en) | 1998-04-27 | 2003-04-29 | Nec Corporation | Power amplifier |
| JP2012120230A (ja) * | 2012-01-30 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 無線通信装置及び電力増幅器制御方法 |
-
1996
- 1996-11-06 JP JP31001196A patent/JP3871153B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6556848B2 (en) | 1998-04-27 | 2003-04-29 | Nec Corporation | Power amplifier |
| KR20000052384A (ko) * | 1998-11-27 | 2000-08-25 | 귄터 무스함마 | 집적 증폭기 |
| JP2012120230A (ja) * | 2012-01-30 | 2012-06-21 | Fujitsu Ltd | 無線通信装置及び電力増幅器制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3871153B2 (ja) | 2007-01-24 |
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