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JPH10130468A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPH10130468A
JPH10130468A JP28680496A JP28680496A JPH10130468A JP H10130468 A JPH10130468 A JP H10130468A JP 28680496 A JP28680496 A JP 28680496A JP 28680496 A JP28680496 A JP 28680496A JP H10130468 A JPH10130468 A JP H10130468A
Authority
JP
Japan
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epoxy resin
coupling agent
resin composition
component
embedded image
Prior art date
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Granted
Application number
JP28680496A
Other languages
English (en)
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JP3618182B2 (ja
Inventor
Hironori Kobayashi
弘典 小林
Kiyoshi Saito
斉藤  潔
Akihisa Kuroyanagi
秋久 黒柳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP28680496A priority Critical patent/JP3618182B2/ja
Publication of JPH10130468A publication Critical patent/JPH10130468A/ja
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Publication of JP3618182B2 publication Critical patent/JP3618182B2/ja
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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半田耐熱性および成形性の双方に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。 【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有する半導
体封止用エポキシ樹脂組成物である。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)無機質充填剤。 (D)下記の(d1)および(d2)からなる混合シラ
ン系カップリング剤。 (d1)エポキシシラン系カップリング剤。 (d2)メルカプトシラン系カップリング剤およびアミ
ノシラン系カップリング剤の少なくとも一方。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、信頼性、特に半田
実装時の耐半田性に優れ、かつ生産性にも優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】トランジスター、IC、LSI等の半導
体素子は、従来から、セラミックパッケージ等によって
封止され、半導体装置化されていたが、最近では、コス
ト、量産性の観点から、プラスチックパッケージを用い
た樹脂封止が主流になっている。この種の樹脂封止に
は、従来から、エポキシ樹脂が使用されており良好な成
績を収めている。しかしながら、半導体分野の技術革新
によって集積度の向上とともに素子サイズの大形化、配
線の微細化が進み、パッケージも小形化、薄形化する傾
向にあり、これに伴って封止材料に対してより以上の信
頼性(得られる半導体装置の熱応力の低減、耐湿信頼
性、耐熱衝撃試験に対する信頼性等)の向上が要望され
ている。特に、近年、電子装置の小形で高機能にする要
求から、実装の高密度化が進んでいる。このような観点
から従来のピン挿入型パッケージから表面実装型パッケ
ージが主流になってきている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記のよう
な表面実装型パッケージでは、実装前にパッケージが吸
湿した状態で用いられると、半田実装時に水分の蒸気圧
により、各部材との剥離やパッケージにクラックや膨れ
が発生する問題がある。
【0004】また、より高密度化のためにパッケージの
薄形化、大形化が進み、その成形もより緻密になり、ボ
イドの発生、金線ワイヤーの流れ、半導体チップを搭載
するダイのシフト等問題が多く発生している。
【0005】このような問題に対する解決策として、例
えば、下記の一般式(1)で表されるような、より低粘
度で低吸湿性のエポキシ樹脂を用い、さらに無機フィラ
ーを多く含有させた封止用樹脂組成物が提案されている
が、半田耐熱性および成形性の両者を充分満足させるも
のではない。
【0006】
【化3】
【0007】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、半田耐熱性および成形性の双方に優れた半導体
封止用エポキシ樹脂組成物の提供をその目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、下記
の(A)〜(D)成分を含有するという構成をとる。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)無機質充填剤。 (D)下記の(d1)および(d2)からなる混合シラ
ン系カップリング剤。 (d1)エポキシシラン系カップリング剤。 (d2)メルカプトシラン系カップリング剤およびアミ
ノシラン系カップリング剤の少なくとも一方。
【0009】すなわち、本発明者らは、成形性に優れ、
かつ半田耐熱性にも優れた封止用樹脂組成物を得るため
に一連の研究を重ねた。その結果、封止用樹脂組成物の
構成成分として、上記のように、エポキシシラン系カッ
プリング剤(d1)を必須成分とし、これにメルカプト
シラン系カップリング剤およびアミノシラン系カップリ
ング剤の少なくとも一方(d2)を配合した混合シラン
系カップリング剤を用いると、上記エポキシシラン系カ
ップリング剤使用によるリードフレームに対する接着力
が向上するという作用効果と、上記メルカプトシラン系
カップリング剤およびアミノシラン系カップリング剤の
少なくとも一方を用いることによる封止樹脂の高温強度
および高温伸びが向上するという作用効果との相乗効果
により、著しい半田耐熱性の向上が実現することを見出
し本発明に到達した。
【0010】そして、上記封止用樹脂組成物において、
エポキシ樹脂として前記一般式(1)で表されるビフェ
ニル型エポキシ樹脂を、また、フェノール樹脂としてフ
ェノールアラルキル樹脂を用いることにより、封止用樹
脂組成物の低粘度化が図られ、その結果、無機質充填剤
の高充填化が実現してより一層半田耐熱性と成形性が向
上する。
【0011】
【発明の実施の形態】つぎに、本発明の実施の形態につ
いて説明する。
【0012】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂(A成分)と、フェノール樹脂(B成
分)と、無機質充填剤(C成分)と、複数種類のシラン
系カップリング剤からなる混合シラン系カップリング剤
(D成分)を用いて得られるものであり、通常、粉末状
あるいはこれを打錠したタブレット状になっている。
【0013】上記エポキシ樹脂(A成分)としては、特
に限定するものではなく、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ノボ
ラックビスA型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポ
キシ樹脂、ジシクロペンタジエン系エポキシ樹脂等従来
公知の各種エポキシ樹脂が用いられる。なかでも、低粘
度で低吸湿性を備えているという点から、下記の一般式
(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を用いるこ
とが好ましい。
【0014】
【化4】
【0015】上記式(1)において、R1 〜R4 が、水
素原子、メチル基を有するものが好ましく、特にそのな
かでも、水素原子が70重量%以下で、残りがメチル基
であるものが、低吸湿性および反応性の点から好まし
い。
【0016】上記エポキシ樹脂(A成分)とともに用い
られるフェノール樹脂(B成分)としては、特に限定す
るものではなく従来からエポキシ樹脂の硬化剤として作
用する各種フェノール樹脂が用いられる。なかでも、フ
ェノールアラルキル樹脂を用いることが好ましく、具体
的には下記の一般式(2)で表されるフェノールアラル
キル樹脂を用いることが特に好ましい。
【0017】
【化5】
【0018】上記式(2)において、繰り返し数n,m
とも、好適には各上限値が20に設定される。そして、
繰り返し数nは1〜9、繰り返し数mは1〜9の範囲が
好ましく、特に好ましくは、繰り返し数nは1〜5、繰
り返し数mは1〜5の範囲である。さらに好ましくは、
繰り返し数nが1〜5、繰り返し数mが1〜5におい
て、n+m=2〜5となる範囲である。また、上記式
(2)中、繰り返し単位nと繰り返し単位mとはランダ
ム結合であってもよいし、ブロック結合であってもよ
い。
【0019】上記一般式(2)で表されるフェノール樹
脂(B成分)は、水酸基当量150〜220、軟化点4
0〜110℃が好ましく、より好ましくは水酸基当量1
50〜200、軟化点50〜90℃である。
【0020】上記エポキシ樹脂(A成分)とフェノール
樹脂(B成分)との配合割合は、エポキシ樹脂成分中の
エポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が
0.8〜1.2当量となるように配合することが好適で
ある。より好適なのは0.9〜1.1当量である。
【0021】上記エポキシ樹脂(A成分)およびフェノ
ール樹脂(B成分)とともに用いられる無機質充填剤
(C成分)としては、特に限定するものではなく従来公
知のものが用いられる。例えば、石英ガラス、タルク、
シリカ粉末およびアルミナ粉末等があげられる。なかで
も、シリカ粉末、特に溶融シリカ粉末を用いることが好
適である。
【0022】さらに詳しく述べると、シリカ粉末のなか
でも、下記の(a)〜(d)に示す粒度分布に設定され
たものを用いることが、より高度な封止用樹脂組成物の
低粘度化が図られ、その結果、より一層の無機質充填剤
の高充填化の実現が図られる。
【0023】(a)平均粒径20〜60μmの球状シリ
カ粉末がシリカ粉末全体の40〜80重量%。 (b)平均粒径1〜10μmの球状シリカ粉末がシリカ
粉末全体の5〜50重量%。 (c)平均粒径0.1〜1μmの球状シリカ粉末がシリ
カ粉末全体の5〜20重量%。 (d)平均粒径1〜20μmの破砕シリカ粉末がシリカ
粉末全体の0〜20重量%。
【0024】このような無機質充填剤(C成分)の含有
量は、例えば、上記のように、シリカ粉末〔上記(a)
〜(d)の粒度分布に設定されたシリカ粉末等を含む〕
を用いる場合、エポキシ樹脂組成物全体の75重量%以
上となるように設定することが好ましい。特に好適なの
は80〜93重量%の範囲である。すなわち、無機質充
填剤(C成分)の含有量が75重量%未満では、半田耐
熱性が大幅に低下する傾向がみられるからである。
【0025】つぎに、上記A〜C成分とともに用いる特
定の混合シラン系カップリング剤(D成分)は、エポキ
シシラン系カップリング剤(d1)を必須成分とし、こ
れに、メルカプトシラン系カップリング剤およびアミノ
シラン系カップリング剤の少なくとも一方(d2)を配
合したものである。このように、上記エポキシシラン系
カップリング剤を必須成分として用いることにより、リ
ードフレームに対する接着力の向上効果が得られ、さら
に、上記メルカプトシラン系カップリング剤およびアミ
ノシラン系カップリング剤の少なくとも一方を用いるこ
とにより、封止樹脂の高温強度および高温伸びの向上効
果が得られ、結果、上記d1成分とd2成分との併用に
より、良好な成形性とともに優れた耐半田性の実現とい
う相乗効果が得られるようになる。
【0026】上記エポキシシラン系カップリング剤(d
1)としては、例えば、下記の式(a)で表されるもの
があげられる。
【0027】
【化6】
【0028】また、上記メルカプトシラン系カップリン
グ剤としては、例えば、下記の式(b)で表されるもの
があげられる。
【0029】
【化7】
【0030】さらに、上記アミノシラン系カップリング
剤としては、例えば、下記の式(c)で表されるジアミ
ノシラン系カップリング剤、下記の式(d)で表される
モノアミノシラン系カップリング剤があげられる。
【0031】
【化8】
【0032】
【化9】
【0033】そして、D成分である混合シラン系カップ
リング剤の好ましい組み合わせとしては、封止樹脂の高
温強度および高温伸びの向上という観点から、必須成分
であるエポキシシラン系カップリング剤(d1)と、ア
ミノシラン系カップリング剤(d2)とを併用する組み
合わせがあげられる。
【0034】上記必須成分であるエポキシシラン系カッ
プリング剤(d1)と、メルカプトシラン系カップリン
グ剤およびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも
一方(d2)との両者の混合割合(d1/d2)は、全
体を100とした場合、重量比で、d1/d2=80/
20〜20/80の範囲に設定することが好ましく、特
に好ましくはd1/d2=60/40〜40/60であ
る。すなわち、エポキシシラン系カップリング剤(d
1)の混合比が20未満(d2が80を超える)では、
リードフレームに対する接着力が低下するため、成形性
および耐半田性に悪影響が生じ、また保存性も低下する
傾向がみられる。逆にエポキシシラン系カップリング剤
(d2)の混合比が80を超える(d2が20未満)
と、高温強度および高温伸びが低下するために耐半田性
が低下する傾向がみられるからである。
【0035】さらに、上記エポキシシラン系カップリン
グ剤(d1)と、メルカプトシラン系カップリング剤お
よびアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方
(d2)とからなる混合シラン系カップリング剤(D成
分)の含有量は、エポキシ樹脂組成物中0.10〜1.
50重量%の範囲となるように設定することが好まし
く、特に好ましくは0.2〜1.0重量%である。すな
わち、混合シラン系カップリング剤(D成分)の含有量
が0.10重量%未満では、耐半田性に対する物性(高
温強度および高温伸び)の充分な向上効果が得られず、
また1.50重量%を超えると、樹脂が高粘度となり、
成形性(ワイヤー流れ、ダイシフト)に悪影響が生じる
恐れがあるからである。
【0036】また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、上記A〜D成分に加えて、硬化促進剤を用
いてもよい。上記硬化促進剤としては、例えば、1,8
−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、ト
リエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエ
タノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス
(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三級アミン
類、2−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチル
イミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニ
ル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダ
ゾール等のイミダゾール類、トリブチルホスフィン、メ
チルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、
ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホ
スフィン類、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニ
ルボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾールテト
ラフェニルボレート、N−メチルモルホリンテトラフェ
ニルボレート等のテトラフェニルボロン類等(リン系硬
化促進剤)があげられる。これらは単独でもしくは併せ
て用いられる。なかでも、特に、その硬化性、耐湿信頼
性という点から、上記各種リン系硬化促進剤を用いるこ
とが好ましい。
【0037】そして、上記硬化促進剤、例えば、リン系
硬化促進剤は、他の成分と同様に単に配合するだけでも
よいが、予め、上記フェノール樹脂(B成分)の一部ま
たは全部に溶融混合して用いると、成形性および耐半田
性に関してより一層良好な結果が得られる。
【0038】さらに、内部応力の低減化のために、シリ
コーン化合物を用いてもよい。上記シリコーン化合物と
しては、例えば、下記の一般式(4)および一般式
(5)で表されるシリコーン化合物があげられる。これ
らは単独でもしくは併用して用いられる。
【0039】
【化10】
【0040】上記シリコーン化合物のなかでも、下記の
式(6)および式(7)で表されるものが好ましい。そ
して、上記式(7)のなかでも、特に好ましいものとし
て具体的には、式(8)のものがあげられる。
【0041】
【化11】
【0042】
【化12】
【0043】
【化13】
【0044】上記シリコーン化合物の配合量は、エポキ
シ樹脂組成物全体の5重量%以下となるよう設定するこ
とが好ましい。特に好ましくは0.1〜3重量%の範囲
内である。
【0045】なお、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、樹脂硬化物と成形用金型との離型性を向上
させ、成形作業性を良好にするために、各種離型剤を配
合してもよい。上記離型剤としては、ポリエチレン系ワ
ックス、カルナバワックス、モンタン酸、ステアリン酸
等の公知のものがあげられる。なかでも、離型性と接着
性(信頼性)という観点からポリエチレン系ワックスを
用いることが好ましい。さらに、上記ポリエチレン系ワ
ックスのなかでも、酸化ポリエチレンワックスを用いる
ことが好ましく、上記酸化ポリエチレンワックスとして
は、酸価10〜30で、滴点(溶融して液滴状になる温
度)90〜130℃のものを用いることが好ましい。
【0046】上記離型剤の含有量は、エポキシ樹脂組成
物全体の0.1〜2.0重量%の範囲に設定することが
好ましく、より好ましくは0.1〜1.0重量%であ
る。
【0047】そして、上記離型剤、例えば、ポリエチレ
ン系ワックスは、他の成分と同様に単に配合するだけで
もよいが、予め、前記フェノール樹脂(B成分)の一部
または全部に溶融混合して用いると、離型性と接着性
(信頼性)に関してより一層良好な結果が得られる。
【0048】さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物には、上記A〜D成分、硬化促進剤、シリコー
ン化合物、離型剤以外に、必要に応じて、他の添加剤と
して、三酸化アンチモン、リン系化合物等の難燃剤や、
顔料、シランカップリング剤等のカップリング剤、イオ
ントラップ剤等を適宜に配合することができる。
【0049】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
は、例えば、つぎのようにして製造することができる。
すなわち、まず、上記A〜D成分、硬化促進剤、シリコ
ーン化合物、離型剤、および、必要に応じて上記他の添
加剤を所定の割合で配合する。ついで、これら配合物を
ミキシングロール機等の混練機にかけ、加熱状態で溶融
混練してこれを室温に冷却した後、公知の手段によって
粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程を経る
ことによって目的とする半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を製造することができる。なお、D成分である混合シ
ラン系カップリング剤は、上記のように、他の成分とと
もに単に配合するだけでもよいが、予め、上記フェノー
ル樹脂(B成分)の一部または全部に溶融混合して用い
てもよい。
【0050】また、上記各成分の配合に先立って、前述
のシリコーン化合物を用いて上記A成分およびB成分の
少なくとも一方を変性し、この変性樹脂と残りの成分と
を配合してもよい。
【0051】このような半導体封止用エポキシ樹脂組成
物を用いての半導体素子の封止等は特に限定するもので
はなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド
方法によって行うことができる。
【0052】このようにして得られる半導体装置は、特
定の混合シラン系カップリング剤(D成分)を用いるた
め、優れた半田耐熱性と、低粘度化の実現による流動性
向上の結果から優れた成形性とを備えている。
【0053】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
【0054】まず、実施例に先立って、下記に示す各成
分を準備した。
【0055】〔エポキシ樹脂A〕下記の式(A)で表さ
れるビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量195、
軟化点107℃)
【化14】
【0056】〔エポキシ樹脂B〕下記の式(B)で表さ
れるビフェニル型エポキシ樹脂(エポキシ当量175、
軟化点125℃)
【化15】
【0057】〔エポキシ樹脂C〕下記の式(C)で表さ
れるエポキシ樹脂(エポキシ当量195、軟化点85
℃)
【化16】
【0058】〔フェノール樹脂D〕下記の式(D)で表
されるフェノール樹脂(水酸基当量163、軟化点73
℃)
【化17】
【0059】〔フェノール樹脂E〕下記の式(E)で表
されるフェノールアラルキル樹脂(水酸基当量173、
軟化点70℃)
【化18】
【0060】〔フェノール樹脂F〕下記の式(F)で表
されるフェノール樹脂(水酸基当量110、軟化点80
℃)
【化19】
【0061】〔無機質充填剤〕下記に示す球状シリカ粉
末a〜c、および、破砕シリカ粉末dを用いた。 (a)平均粒径20〜60μmの球状シリカ粉末。 (b)平均粒径1〜10μmの球状シリカ粉末。 (c)平均粒径0.1〜1μmの球状シリカ粉末。 (d)平均粒径1〜20μmの破砕シリカ粉末。
【0062】〔硬化促進剤〕テトラフェニルホスホニウ
ムテトラフェニルボレート(4P4B)
【0063】〔ポリエチレン系ワックス〕酸化ポリエチ
レンワックス(酸価18、滴点105℃)
【0064】〔シリコーン化合物G〕下記の式(G)で
表されるシリコーン化合物
【化20】
【0065】〔シリコーン化合物H〕下記の式(H)で
表されるシリコーン化合物
【化21】
【0066】〔イオントラップ剤〕ハイドロタルサイト
類化合物
【0067】〔シラン系カップリング剤a〕下記の式
(a)で表されるエポキシシラン系カップリング剤
【化22】
【0068】〔シラン系カップリング剤b〕下記の式
(b)で表されるメルカプトシラン系カップリング剤
【化23】
【0069】〔シラン系カップリング剤c〕下記の式
(c)で表されるジアミノシラン系カップリング剤
【化24】
【0070】〔シラン系カップリング剤d〕下記の式
(d)で表されるモノアミノシラン系カップリング剤
【化25】
【0071】
【実施例1〜21、比較例1〜5】下記の表1〜表4に
示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロー
ル機(温度100℃)で3分間溶融混練を行い、冷却固
化後粉砕して目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を
得た。なお、上記各成分の配合に際して、実施例1で
は、各成分の配合に先立って、予め、上記フェノール樹
脂Dと触媒とを溶融混合した。また、実施例5では、各
成分の配合に先立って、予め、上記フェノール樹脂Dと
酸化ポリエチレンワックスとを溶融混合した。
【0072】
【表1】
【0073】
【表2】
【0074】
【表3】
【0075】
【表4】
【0076】このようにして得られた各実施例および比
較例のエポキシ樹脂組成物を用い、まず、このエポキシ
樹脂組成物硬化体の高温曲げ強度、高温曲げ弾性率およ
び高温曲げ伸びを測定した。また、上記各エポキシ樹脂
組成物を用いてトランスファー成形にて半導体装置を作
製した。さらに、この半導体装置を用い、半田耐熱性に
ついて、下記の方法に従って測定・評価した。これらの
結果を下記の表5〜表8に示す。
【0077】〔高温曲げ強度・高温曲げ弾性率・高温曲
げ伸び〕エポキシ樹脂組成物を用いて、硬化条件:17
5℃×2分間(成形)+175℃×5時間(ポストキュ
ア)にて、測定評価用硬化体を作製し、これを121℃
×100%×96時間の吸湿後、250℃にて、曲げ強
度、曲げ弾性率、曲げ伸びを測定した(JIS K 6
911に準拠)。
【0078】〔半田耐熱性〕まず、半導体装置(QFP
−80:14×20×厚み2.7mm)をつぎの条件で
製造(TOWA社製自動成形機)した。
【0079】・リードフレーム:42アロイ製 ・ダイパッドの大きさ:8×8mm ・成形条件:温度100℃、注入時間10秒、注入圧力
100kg/mm2 、成形時間120秒、エポキシ樹脂
組成物製タブレットの圧縮比93%
【0080】このようにして製造された半導体装置につ
いて、85℃/85%RHの相対湿度に設定された恒温
槽中に、168時間放置して吸湿させた後、IRリフロ
ー(240℃×10秒)の熱処理を行った。このときの
熱衝撃により発生したパッケージクラックの有無、剥離
の有無を目視により観察し評価した。パッケージクラッ
クの発生および剥離の発生の双方とも確認されなかった
ものを◎、パッケージクラックは発生しなかったが、剥
離が発生したものを○、パッケージクラックおよび剥離
の双方とも発生したものを×として表示した。
【0081】
【表5】
【0082】
【表6】
【0083】
【表7】
【0084】
【表8】
【0085】上記表5〜表8の結果から、全ての実施例
品は高温特性(高温曲げ強度、高温曲げ弾性率、高温曲
げ伸び)に優れ、さらに、半田耐熱性にも優れているこ
とがわかる。これに対して、比較例品は、高温特性およ
び半田耐熱性の少なくともいずれか一つに劣っている。
このように、全実施例品は、高温特性および半田耐熱性
おいて優れた特性を有することがわかる。
【0086】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂(A成分)とフェノ
ール樹脂(B成分)と無機質充填剤(C成分)ととも
に、エポキシシラン系カップリング剤(d1)を必須成
分とし、これにメルカプトシラン系カップリング剤およ
びアミノシラン系カップリング剤の少なくとも一方(d
2)を配合した混合シラン系カップリング剤(D成分)
を含有するため、半田耐熱性と成形性の双方とも優れた
ものとなる。このことから、本発明の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物は、例えば、高密度化によるパッケージ
の薄形化に充分対応できるものである。
【0087】そして、上記エポキシ樹脂(A成分)とし
て前記一般式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹
脂を、また、上記フェノール樹脂(B成分)としてフェ
ノールアラルキル樹脂、特に前記一般式(2)で表され
るフェノールアラルキル樹脂を用いることにより、封止
用樹脂組成物の低粘度化が図られ、その結果、無機質充
填剤の高充填化が実現してより一層半田耐熱性と成形性
が向上する。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08L 61/06 C08L 61/06 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記の(A)〜(D)成分を含有するこ
    とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 (A)エポキシ樹脂。 (B)フェノール樹脂。 (C)無機質充填剤。 (D)下記の(d1)および(d2)からなる混合シラ
    ン系カップリング剤。 (d1)エポキシシラン系カップリング剤。 (d2)メルカプトシラン系カップリング剤およびアミ
    ノシラン系カップリング剤の少なくとも一方。
  2. 【請求項2】 上記(A)成分であるエポキシ樹脂が、
    下記の一般式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹
    脂である請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
    物。 【化1】
  3. 【請求項3】 上記(B)成分であるフェノール樹脂
    が、フェノールアラルキル樹脂である請求項1または2
    記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  4. 【請求項4】 上記フェノールアラルキル樹脂が、下記
    の一般式(2)で表されるフェノールアラルキル樹脂で
    ある請求項3記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化2】
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