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JPH10104101A - 半導体圧力センサ - Google Patents

半導体圧力センサ

Info

Publication number
JPH10104101A
JPH10104101A JP8261647A JP26164796A JPH10104101A JP H10104101 A JPH10104101 A JP H10104101A JP 8261647 A JP8261647 A JP 8261647A JP 26164796 A JP26164796 A JP 26164796A JP H10104101 A JPH10104101 A JP H10104101A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure sensor
cavity
pressure
lead frame
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8261647A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoichi Moriyama
恭一 森山
Katsumi Sakabe
勝己 阪部
Motomi Ichihashi
素海 市橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP8261647A priority Critical patent/JPH10104101A/ja
Priority to US08/819,085 priority patent/US5859759A/en
Publication of JPH10104101A publication Critical patent/JPH10104101A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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    • G01L19/0061—Electrical connection means
    • G01L19/0084—Electrical connection means to the outside of the housing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
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    • G01L19/14—Housings
    • G01L19/141—Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型化及び製造工程の簡略化を図ることがで
き、様々な実装形態が可能となると共に、信頼性の確保
ができる半導体圧力センサを得る。 【解決手段】 圧力センサチップを有して圧力を検出す
る圧力センサ部と、圧力センサ部で検出した圧力を電気
信号に変換し、該電気信号から所定の処理を行う周辺回
路部と、周辺回路部を固着し電気的に接続するリードフ
レームと、圧力センサ部を格納する凹部であるキャビテ
ィ部を形成するように周辺回路部をリードフレームと共
にモールド樹脂で成形して形成されるパッケージと、圧
力センサ部を格納したキャビティ部の開口部を封着する
カバーと、圧力センサチップに圧力媒体を導入する圧力
導入口とを備え、圧力センサ部を、キャビティ部内側の
底部に固着し、キャビティ部内でリードフレームの所定
箇所に電気的に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、家電製
品、計測機器、医療機器等の各種分野に用いられている
圧力センサにおいて、特に圧力センサと集積化された周
辺回路が、一体モジュール化された半導体圧力センサに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、自動車、家電製品、計測機器、医
療機器等の各種分野において幅広く使用されている圧力
センサに、ハイブリッド化された圧力センサモジュール
がある。図１８は、従来の圧力センサの例を示した斜視
図である。図１８において、半導体圧力センサ１００
は、気密中空にしたモールド樹脂ケース１０１に圧力導
入口１０２を設け、該モールド樹脂ケース１０１内のリ
ードフレーム１０３に、圧力センサチップ（図示せず）
が、台座を介して接着剤等によって固着されると共に金
線等で電気的に接続されて形成された圧力センサモジュ
ール１０４と、印刷により形成された多層配線パターン
と厚膜抵抗を有する厚膜回路基板１０５と、半導体圧力
センサ１００をプリント基板上に実装するために上記厚
膜回路基板１０５に設けられたクリップリード１０６と
で構成されている。
【０００３】上記圧力センサチップ上には、圧力センサ
素子と、該圧力センサ素子で検出した圧力を電気信号に
変換するための変換回路が形成されている。また、上記
厚膜回路基板１０５上には、上記圧力センサモジュール
１０４が実装されると共に、上記変換回路における圧力
センサチップ上に形成することができないコンデンサ及
び抵抗素子等のチップ部品１０７がそれぞれ表面実装さ
れる。上記リードフレーム１０３は、厚膜回路基板１０
５の配線パターンに電気的に接続され、上記圧力センサ
チップは、金線等によって接続されたリードフレーム１
０３を介して厚膜回路基板１０５の配線パターンに電気
的に接続される。また、上記各チップ部品１０７は、各
端子が厚膜回路基板１０５の配線パターンに電気的に接
続され、上記クリップリード１０６は、厚膜回路基板１
０５の配線パターンに電気的に接続される。
【０００４】上記のような構成において、上記圧力導入
口１０２は、圧力センサ素子に圧力媒体を導くためのも
のであり、圧力導入口１０２から導入された圧力媒体に
よって、上記圧力センサモジュール１０４の圧力センサ
素子は圧力を検出し、圧力センサ素子で検出された圧力
を上記変換回路によって電気信号に変換される。上記半
導体圧力センサ１００、及び上記変換回路で変換された
電気信号から所定の処理を行う信号処理回路は、プリン
ト基板上にそれぞれ実装されると共に、プリント基板の
配線パターンで電気的に接続される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ここで、近年、各種分
野においては、半導体圧力センサに対して、小型化、多
機能化への要求が高まっており、上記変換回路、厚膜回
路基板１０５及び多機能化に対応するための信号処理回
路等のＩＣ化を図り、ＩＣパッケージ構造により近い形
態にする必要があった。しかし、半導体圧力センサは、
機械的な変位を受ける素子であり、圧力センサ素子の周
囲を中空又は気密中空とする必要がある。そのため、圧
力センサ素子と、上記変換回路、厚膜回路基板１０５及
び信号処理回路等からなる周辺回路ＩＣとを一体構成の
モジュールとする場合、プリモールドされた中空パッケ
ージを用いる必要がある。また、パッケージ全体を中空
にした場合、圧力検出方式によって中空気密室に外気及
び各種圧力媒体が流入する場合があるため、上記周辺回
路ＩＣを保護しなければならないという問題があった。
【０００６】本発明は、上記のような問題を解決するた
めになされたものであり、小型化及び製造工程の簡略化
を図ることができ、各種分野において様々な実装形態が
可能となると共に、信頼性の確保ができる半導体圧力セ
ンサを得ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係る半導体
圧力センサは、圧力導入口より導入された圧力媒体から
圧力を検出する半導体センサを有する圧力センサ部と、
該圧力センサ部で検出された圧力を電気信号に変換して
所定の処理を行う周辺回路部で構成された半導体圧力セ
ンサにおいて、リードフレームに固着され電気的に接続
された上記周辺回路部を、リードフレームと共にモール
ド樹脂で成形すると同時に、上記圧力センサ部を格納す
るための凹部であるキャビティ部を一体成形して形成さ
れるパッケージと、上記圧力センサ部が格納されたキャ
ビティ部における開口部を封着するためのカバーとを備
え、上記圧力センサ部は、上記キャビティ部の内側にお
ける底部に固着されると共に、キャビティ部内で露出さ
せたリードフレームの所定の箇所に電気的に接続される
ものである。
【０００８】第２の発明に係る半導体圧力センサは、圧
力導入口より導入された圧力媒体から圧力を検出する半
導体センサを有する圧力センサ部と、該圧力センサ部で
検出された圧力を電気信号に変換して所定の処理を行う
周辺回路部で構成された半導体圧力センサにおいて、リ
ードフレームをモールド樹脂で成形すると同時に、上記
圧力センサ部を格納するための凹部であるキャビティ部
と、上記周辺回路部を格納するための凹部であるサブキ
ャビティ部とを一体成形して形成されるパッケージと、
上記圧力センサ部が格納されたキャビティ部における開
口部を封着するためのカバーと、上記周辺回路部が格納
されたサブキャビティ部に流し込んで成形する封止樹脂
とを備え、上記周辺回路部は、サブキャビティ部内で露
出させたリードフレームにおける所定の箇所に固着され
ると共に電気的に接続され、上記圧力センサ部は、上記
キャビティ部の内側における底部に固着されると共に、
キャビティ部内で露出させたリードフレームの所定の箇
所に電気的に接続されるものである。
【０００９】第３の発明に係る半導体圧力センサでは、
第１又は第２の発明において、上記圧力導入口は、上記
パッケージ形成時にキャビティ部の底部に貫通穴を設け
て形成され、上記圧力センサ部は、圧力導入口上に配置
されて固着される。
【００１０】第４の発明に係る半導体圧力センサでは、
第３の発明において、上記圧力センサ部は、大略中央に
ダイヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該ダ
イヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を、圧力媒体
を導入するための貫通穴を設けた台座に接合して形成さ
れ、該台座は、台座の貫通穴が上記圧力導入口に気密に
つながるように上記キャビティ部の底部に固着されると
共に、上記圧力センサチップは、キャビティ部内で露出
させたリードフレームの所定の箇所にそれぞれリード線
で電気的に接続される。
【００１１】第５の発明に係る半導体圧力センサでは、
第３の発明において、上記圧力センサ部は、大略中央に
ダイヤフラム部が形成された圧力センサチップからな
り、該圧力センサチップは、ダイヤフラム部が上記圧力
導入口上に気密につながるように、ダイヤフラム部が形
成される際に薄肉化された側を上記キャビティ部の底部
に固着されると共に、上記圧力センサチップは、キャビ
ティ部内で露出させたリードフレームの所定の箇所にそ
れぞれリード線で電気的に接続される。
【００１２】第６の発明に係る半導体圧力センサでは、
第４の発明において、上記カバーをキャビティ部の開口
部に封着する際、キャビティ部内を真空にして封止す
る。
【００１３】第７の発明に係る半導体圧力センサでは、
第４又は第５の発明において、上記カバーは、キャビテ
ィ部内が外気圧と同じになるように、貫通穴で形成され
た導通口を有する。
【００１４】第８の発明に係る半導体圧力センサでは、
第１又は第２の発明において、上記圧力導入口は、上記
カバーに貫通穴を設けて形成される。
【００１５】第９の発明に係る半導体圧力センサでは、
第８の発明において、上記圧力センサ部は、大略中央に
ダイヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該ダ
イヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を台座に接合
すると共に、圧力センサチップと台座との間に形成され
た空間を真空にして形成され、上記台座は、上記キャビ
ティ部の底部に固着されると共に、上記圧力センサチッ
プは、キャビティ部内で露出させたリードフレームの所
定の箇所にそれぞれリード線で電気的に接続される。
【００１６】第１０の発明に係る半導体圧力センサは、
圧力導入口より導入された圧力媒体から圧力を検出する
半導体センサを有する圧力センサ部と、該圧力センサ部
で検出された圧力を電気信号に変換して所定の処理を行
う周辺回路部で構成された半導体圧力センサにおいて、
リードフレームに固着され電気的に接続された上記周辺
回路部を、リードフレームと共にモールド樹脂で成形す
ると同時に、上記圧力センサ部を格納するための凹部で
あるキャビティ部を一体成形して形成されるパッケージ
と、貫通穴で形成された上記圧力導入口を有し、上記圧
力センサ部が格納されたキャビティ部における開口部を
封着するためのカバーとを備え、上記キャビティ部は、
リードフレームにおける、周辺回路部が固着された面と
相対する面側に形成され、上記圧力センサ部は、上記キ
ャビティ部内で露出させたリードフレームの所定の箇所
に、固着されると共に電気的に接続されるものである。
【００１７】第１１の発明に係る半導体圧力センサで
は、第１０の発明において、上記圧力センサ部は、大略
中央にダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
に、該ダイヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を台
座に接合すると共に、圧力センサチップと台座との間に
形成された空間を真空にして形成され、上記台座は、上
記キャビティ部内で露出させたリードフレームの所定の
箇所に固着されると共に、上記圧力センサチップは、キ
ャビティ部内で露出させたリードフレームの所定の箇所
にそれぞれリード線で電気的に接続される。
【００１８】第１２の発明に係る半導体圧力センサは、
圧力導入口より導入された圧力媒体から圧力を検出する
半導体センサを有する圧力センサ部と、該圧力センサ部
で検出された圧力を電気信号に変換して所定の処理を行
う周辺回路部で構成された半導体圧力センサにおいて、
リードフレームに固着され電気的に接続された上記周辺
回路部を、リードフレームと共にモールド樹脂で成形す
ると同時に、上記圧力センサ部を格納するための凹部で
あるキャビティ部を一体成形して形成されるパッケージ
と、サブリードフレームをモールド樹脂で成形すると同
時に、上記圧力導入口をなす貫通穴を一体成形して形成
される、上記キャビティ部における開口部を封着するた
めのカバーとを備え、上記キャビティ部は、リードフレ
ームにおける、周辺回路部が固着された面と相対する面
側に形成され、上記圧力センサ部は、上記カバー上に固
着されると共にサブリードフレームの所定の箇所に電気
的に接続され、上記カバーは、固着された圧力センサ部
が上記キャビティ部内に格納されるように上記キャビテ
ィ部における開口部を封着するものである。
【００１９】第１３の発明に係る半導体圧力センサで
は、第１２の発明において、上記圧力センサ部は、大略
中央にダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
に、該ダイヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を、
圧力媒体を導入するための貫通穴を設けた台座に接合し
て形成され、該台座は、台座の貫通穴が上記圧力導入口
に気密につながるように上記カバーに固着されると共
に、上記圧力センサチップは、キャビティ部内で露出さ
せたサブリードフレームの所定の箇所にそれぞれリード
線で電気的に接続される。
【００２０】第１４の発明に係る半導体圧力センサで
は、第１２の発明において、上記圧力センサ部は、大略
中央にダイヤフラム部が形成された圧力センサチップか
らなり、該圧力センサチップは、ダイヤフラム部が上記
圧力導入口上に気密につながるように、ダイヤフラム部
が形成される際に薄肉化された側を上記カバーに固着さ
れると共に、上記圧力センサチップは、キャビティ部内
で露出させたサブリードフレームの所定の箇所にそれぞ
れリード線で電気的に接続される。
【００２１】第１５の発明に係る半導体圧力センサで
は、第１２の発明において、上記圧力センサ部は、大略
中央にダイヤフラム部が形成された圧力センサチップ
に、該ダイヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を台
座に接合すると共に、圧力センサチップと台座との間に
形成された空間を真空にして形成され、上記台座は、上
記圧力導入口を閉鎖しないように上記カバーに固着され
る。
【００２２】第１６の発明に係る半導体圧力センサで
は、第１３の発明において、上記カバーをキャビティ部
の開口部に封着する際、キャビティ部内を真空にして封
止する。
【００２３】第１７の発明に係る半導体圧力センサで
は、第１３又は第１４の発明において、上記カバーは、
キャビティ部内が外気圧と同じになるように、貫通穴で
形成された導通口を有する。
【００２４】第１８の発明に係る半導体圧力センサで
は、第１２から第１７の発明において、上記リードフレ
ームは、実装基板に実装するためのリード端子として外
部に露出させた所定の箇所に、上記サブリードフレーム
における外部に露出させた所定の箇所を電気的に接続さ
れる。
【００２５】第１９の発明に係る半導体圧力センサで
は、第１２から第１７の発明において、上記リードフレ
ーム及びサブリードフレームは、各所定の箇所を、実装
基板に実装するためのリード端子としてそれぞれ外部に
露出させる。
【００２６】
【発明の実施の形態】次に、図面に示す実施の形態に基
づいて、本発明を詳細に説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の実施の形態１における
半導体圧力センサの例を示した平面図である。図２は、
図１のＡ−Ａ断面を示した断面図であり、図３は、図１
のＢ−Ｂ断面を示した断面図である。なお、図１から図
３で示した半導体圧力センサは、圧力の絶対値を検出す
る絶対圧検出方式の半導体圧力センサを例にして示して
いる。
【００２７】図１から図３における半導体圧力センサ１
において、検出した圧力を電気信号に変換する変換回
路、及び該変換回路で変換された電気信号から所定の処
理を行う信号処理回路等の周辺回路からなるＩＣ２が、
シリコン系接着剤等の接着剤３でリードフレーム４の所
定の場所にそれぞれ固着され、更に、リードフレーム４
における配線パターンを形成している所定の箇所に金線
等のリード線５でそれぞれ電気的に接続される。また、
上記ＩＣ２内に形成することができないコンデンサ及び
抵抗素子等の各チップ部品６は、リードフレーム４の所
定の場所にそれぞれ半田７で電気的に接続される。
【００２８】上記ＩＣ２及び各チップ部品６の周囲は、
モールド樹脂によってプリモールド成形されてパッケー
ジ８を形成し、その際、パッケージ８の一角には容器状
の凹部をなすキャビティ９が形成されると共に、該キャ
ビティ９の底部の外側には、モールド樹脂によってキャ
ビティ９の開口部と相対する方向に大略円柱の突起１０
が形成される。更に、該突起１０が大略円筒をなすよう
に貫通穴が設けられ、該貫通穴はキャビティ９の底部を
も貫通するように形成される。なお、上記突起１０は、
パッケージ８を形成する際に一体成形されて形成され
る。
【００２９】ここで、圧力媒体を導入するための貫通穴
を中央付近に設けた大略四角形の板状をなすガラス製の
台座１１に、中央を薄肉化してダイヤフラム部を形成し
た圧力センサチップ１２を陽極接合して形成された圧力
センサ部１３は、上記突起１０及び台座１１の各貫通穴
がつながって圧力導入口１４を形成するように、台座１
１側がキャビティ９の内側における底部にシリコン系接
着剤等の接着剤１５で固着される。なお、上記圧力セン
サチップ１２において、ダイヤフラム部の大略中央が上
記圧力導入口１４上に配置されるように、ダイヤフラム
部を形成する際に薄肉化した側を上記台座１１に接合す
る。
【００３０】上記圧力センサチップ１２は、例えばＮ型
単結晶シリコンからなり、ダイヤフラム部の表面（圧力
センサチップ１２の表面）には、ボロン等のＰ型不純物
を熱拡散又はイオン注入して、ピエゾ抵抗効果を利用す
るための４つの抵抗（以下、ピエゾ抵抗と呼ぶ）が形成
される。該各ピエゾ抵抗は、Ｐ型不純物を高濃度で導入
して形成した拡散配線又は蒸着等によって形成されたア
ルミ配線により、ブリッジ回路を形成するように結線さ
れ、各ピエゾ抵抗に応力が集中するようになっている。
【００３１】また、上記キャビティ９内では上記リード
フレーム４の所定の配線パターンが露出しており、圧力
センサチップ１２は、キャビティ９内のリードフレーム
４における配線パターンの所定の箇所に金線等のリード
線１６でそれぞれ電気的に接続される。図４は、図１で
示した半導体圧力センサ１における、リードフレーム４
の配線パターンの例を示した図である。図４で示すよう
に、圧力センサチップ１２は、半導体圧力センサ１内
で、リードフレーム４を介して上記ＩＣ２及び各チップ
部品６に接続される。
【００３２】この後、上記キャビティ９の開口部には、
圧力センサチップ１２を保護するための樹脂製のカバー
１７がエポキシ系接着剤又はシリコン系接着剤等の接着
剤１８で固着されて、キャビティ９内を密封する。この
際、キャビティ９内を真空にして封止する。なお、上記
半導体圧力センサ１は、圧力の絶対値を検出する絶対圧
検出方式の圧力センサであり、このような半導体圧力セ
ンサ１においては、上記キャビティ９内が気密状態にな
るように、上記カバー１７を固着すると共に上記圧力導
入口１４を形成する。なお、上記ＩＣ２及び各チップ部
品６は周辺回路部をなし、上記キャビティ９はキャビテ
ィ部をなす。
【００３３】また、図３で示すように、キャビティ９の
底部において、圧力センサ部１３を固着する面が、リー
ドフレーム４が露出する面よりも低くなるように形成さ
れている。これは、圧力センサチップ１２に台座１１を
接合して圧力センサ部１３を形成しており、圧力センサ
部１３の高さが高くなり、圧力センサチップ１２と、キ
ャビティ９におけるリードフレーム４とを、ボンディン
グ等を行ってリード線１６で接続することが困難になる
ことを防ぐためのものである。
【００３４】上記のような構成において、圧力センサチ
ップ１２は、圧力導入口１４から導入された圧力媒体か
らの圧力を、例えばピエゾ抵抗の抵抗値の変化によって
検出し、上記ＩＣ２及び各チップ部品６は、リードフレ
ーム４を介して得られた圧力センサチップ１２における
ピエゾ抵抗の抵抗値から圧力センサチップ１２で検出さ
れた圧力を電気信号に変換すると共に、該電気信号から
所定の信号処理等を行って、リードフレーム４を介して
接続される外部回路との信号の入出力を行う。
【００３５】次に、上記においては絶対圧検出方式の半
導体圧力センサを例にして説明したが、本発明の実施の
形態１は、大気圧等に対する相対圧力を検出するゲージ
圧検出方式の半導体圧力センサにおいても適用すること
ができる。図５は、本発明の実施の形態１におけるゲー
ジ圧検出方式の半導体圧力センサの例を示した平面図で
あり、図６は、図５のＣ−Ｃ断面を示した断面図であ
る。
【００３６】図５及び図６における上記図１及び図２と
の相違点は、カバー１７に、キャビティ９内を外気圧と
同じにするための貫通穴である導通口２１を設け、これ
に伴って、カバー１７をカバー２２とし、半導体圧力セ
ンサ１を半導体圧力センサ２０としたことにある。これ
以外、半導体圧力センサ２０は、上記図１から図４で示
した半導体圧力センサ１と同じであり、上記導通口２１
によってキャビティ９内は外気圧と同じになり、圧力セ
ンサチップ１２は、キャビティ９内の気圧に対する、圧
力導入口１４から導入された圧力媒体の相対的な圧力を
検出する。
【００３７】上記のように、本実施の形態１における半
導体圧力センサは、変換回路及び信号処理回路等の周辺
回路を形成する、ＩＣ２と各チップ部品６の周囲を覆う
ようにモールド樹脂でフルモールドして汎用ＩＣのよう
な構造を形成し、その際、中空部を形成するためのキャ
ビティ９を同一パッケージ内に設けて、該キャビティ９
内に圧力センサチップ１２を実装した。このことから、
圧力センサチップと周辺回路をモールド樹脂で形成され
たパッケージで一体構造化を行うことによって、小型化
を図ることができると共に、周辺回路をプリモールドす
ることで信頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数
を削減することができ、製造工程の簡略化を図ることが
でき、ゲージ圧検出方式及び絶対圧検出方式のいずれの
方式にも使用することができる汎用性を備えさせること
ができる。
【００３８】実施の形態２．上記実施の形態１において
は、ＩＣ２及び各チップ部品６をプリモールドしたが、
圧力センサチップ１２を実装するためのキャビティ９に
加えて、更に、ＩＣ２及び各チップ部品６を実装するた
めのキャビティを設けるようにしてもよく、このように
したものを本発明の実施の形態２とする。
【００３９】図７は、本発明の実施の形態２における半
導体圧力センサの例を示した平面図であり、図８は、図
７のＤ−Ｄ断面を示した断面図である。なお、図７及び
図８において、上記図１から図３で示したものと同じも
のは同じ符号で示しており、ここではその説明を省略す
ると共に、上記図１から図３との相違点のみ説明する。
また、図７及び図８で示した半導体圧力センサは、圧力
の絶対値を検出する絶対圧検出方式の半導体圧力センサ
を例にして示している。
【００４０】図７及び図８において、上記図１から図３
との相違点は、ＩＣ２及び各チップ部品６を実装するた
めの大略四角形の容器状の凹部をなすキャビティ３１を
設け、該キャビティ３１内にＩＣ２及び各チップ部品６
を実装した後、封止樹脂３２をキャビティ３１内に流し
込んで成形することにあり、このことから、図１から図
３のパッケージ８をパッケージ３３とし、これらのこと
から、図１から図３の半導体圧力センサ１を半導体圧力
センサ３０としたことにある。
【００４１】図９は、上記封止樹脂３２をキャビティ３
１内に流し込んで成形する前の状態を示した平面図であ
る。図９において、リードフレーム４はあらかじめモー
ルド樹脂でプリモールドされてパッケージ３３を形成す
る。その際、パッケージ３３には容器状の凹部をなすキ
ャビティ９及び３１が形成されると共に、該キャビティ
９の底部には、上記図８で示したように、モールド樹脂
によってキャビティ９の開口部と相対する方向に大略円
柱の突起１０が形成される。更に、該突起が大略円筒を
なすように貫通穴が設けられ、該貫通穴はキャビティ９
の底部をも貫通するように形成される。なお、上記キャ
ビティ３１はサブキャビティ部をなす。また、上記突起
１０は、パッケージ３３を形成する際に一体成形されて
形成される。
【００４２】次に、ＩＣ２が、接着剤３でリードフレー
ム４の所定の場所にそれぞれ固着され、リードフレーム
４における配線パターンを形成している所定の箇所にリ
ード線５でそれぞれ電気的に接続される。また、各チッ
プ部品６は、リードフレーム４の所定の場所にそれぞれ
半田７で電気的に接続される。更に、圧力センサ部１３
は、上記突起１０及び台座１１の各貫通穴がつながって
圧力導入口１４を形成するように、台座１１側がキャビ
ティ９の底部に接着剤１５で固着され、圧力センサチッ
プ１２は、キャビティ９内のリードフレーム４における
配線パターンの所定の箇所にリード線１６でそれぞれ電
気的に接続される。
【００４３】この後、キャビティ３１内にゲル又はモー
ルド樹脂からなる封止樹脂３２を流し込んで成形すると
共に、上記キャビティ９の開口部には、圧力センサチッ
プ１２を保護するためのカバー１７が接着剤１８で固着
されて、キャビティ９内を密封する。この際、キャビテ
ィ９内を真空にして封止する。なお、上記半導体圧力セ
ンサ３０は、圧力の絶対値を検出する絶対圧検出方式の
圧力センサであり、このような半導体圧力センサ３０に
おいては、上記キャビティ９内が気密状態になるよう
に、上記カバー１７を固着すると共に上記圧力導入口１
４を形成する。上記のような構成の半導体圧力センサ３
０において、上記実施の形態１における半導体圧力セン
サ１と同様の動作を行う。
【００４４】次に、上記においては絶対圧検出方式の半
導体圧力センサを例にして説明したが、本発明の実施の
形態２は、上記実施の形態１と同様に、大気圧等に対す
る相対圧力を検出するゲージ圧検出方式の半導体圧力セ
ンサにおいても適用することができる。この場合、半導
体圧力センサ３０において、上記図５及び図６で示した
半導体圧力センサ２０と同様に、カバー１７に導通口２
１を設ければよい。
【００４５】上記のように、本実施の形態２における半
導体圧力センサは、圧力センサチップ１２を実装するた
めのキャビティ９に加えて、更に、ＩＣ２及び各チップ
部品６を実装するためのキャビティ３１を設け、該キャ
ビティ３１内のリードフレーム４上にＩＣ２及び各チッ
プ部品６をそれぞれ実装した後、キャビティ３１内に封
止樹脂３２を流し込んで成形して汎用ＩＣのような構造
を形成すると共に、キャビティ９内に圧力センサチップ
１２を実装した。このことから、上記実施の形態１と同
様の効果を得ることができる。
【００４６】実施の形態３．上記実施の形態１及び実施
の形態２において、ゲージ圧検出方式の半導体圧力セン
サにおいても台座１１を使用したが、ゲージ圧検出方式
の半導体圧力センサにおいては、上記台座１１を削減す
ることができ、このようにしたものを本発明の実施の形
態３とする。なお、本実施の形態３においては、上記実
施の形態１におけるゲージ圧検出方式の半導体圧力セン
サを例にして説明するが、実施の形態２におけるゲージ
圧検出方式の半導体圧力センサにおいても同様であるの
で、ここではその説明を省略する。
【００４７】図１０は、本発明の実施の形態３における
半導体圧力センサの例を示した断面図である。なお、図
１０において、上記図５及び図６で示したものと同じも
のは同じ符号で示し、ここではその説明を省略すると共
に、図６との相違点のみ説明する。図１０における図６
との相違点は、台座１１を使用せずにキャビティ９の底
部に圧力センサチップ１２を接着剤１５で直接固着した
ことから、圧力センサ部１３を圧力センサ部４１とし、
半導体圧力センサ１を半導体圧力センサ４０にしたこと
にある。
【００４８】図１０において、圧力センサチップ１２
は、ダイヤフラム部の大略中央が上記圧力導入口１４上
に配置されるように、ダイヤフラム部を形成する際に薄
肉化した側を、キャビティ９の底部に接着剤１５で固着
される。更に、圧力センサチップ１２は、キャビティ９
内のリードフレーム４における配線パターンの所定の箇
所にリード線１６でそれぞれ電気的に接続される。この
後、上記キャビティ９の開口部には、圧力センサチップ
１２を保護するための樹脂製のカバー２２が接着剤１８
で固着される。
【００４９】このようにして、カバー２２の導通口２１
によってキャビティ９内は外気圧と同じになり、圧力セ
ンサチップ１２は、キャビティ９内の気圧に対する、圧
力導入口１４から導入された圧力媒体の相対的な圧力を
検出する。なお、圧力センサチップ１２において、キャ
ビティ９の底部に接着される接着面積が小さいため接着
強度が弱く、絶対圧検出方式においては台座を使用する
必要がある。
【００５０】上記のように、本実施の形態３における半
導体圧力センサは、ゲージ圧検出方式において、変換回
路、信号処理回路等の周辺回路を形成するＩＣ２と各チ
ップ部品６の周囲を覆うようにモールドして汎用ＩＣの
ような構造を形成し、その際、中空部を形成するための
キャビティ９を同一パッケージ内に設けて、台座を使用
せずにキャビティ９内に圧力センサチップ１２を実装し
た。このことから、ゲージ圧検出方式の半導体圧力セン
サにおいて、台座のコストを削減することができると共
に、圧力センサチップと周辺回路をモールド樹脂で形成
されたパッケージで一体構造化を行うことによって、小
型化を図ることができ、周辺回路をプリモールドするこ
とで信頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数を削
減することができ、製造工程の簡略化を図ることができ
る。
【００５１】実施の形態４．上記実施の形態１及び実施
の形態２において、突起１０を設けて圧力導入口１４を
形成したが、絶対圧検出方式の半導体圧力センサの場
合、突起１０を設けずに、圧力導入口をカバー１７に設
けるようにしてもよく、このようにしたものを本発明の
実施の形態４とする。なお、本実施の形態４において
は、上記実施の形態１における絶対圧検出方式の半導体
圧力センサを例にして説明するが、実施の形態２におけ
る絶対圧検出方式の半導体圧力センサにおいても同様で
あるので、ここではその説明を省略する。
【００５２】図１１は、本発明の実施の形態４における
半導体圧力センサの例を示した平面図であり、図１２
は、図１１のＥ−Ｅ断面を示した断面図である。なお、
図１１及び図１２において、上記図１から図３で示した
ものと同じものは同じ符号で示しており、ここではその
説明を省略すると共に、上記図１から図３との相違点の
み説明する。
【００５３】図１１及び図１２において、上記図１から
図３との相違点は、圧力導入口１４を形成する突起１０
を設けることなく、キャビティ９の底部に貫通穴を形成
しないことから、図１から図３のキャビティ９をキャビ
ティ５１とし、カバー１７に貫通穴を設けて圧力導入口
５２を形成したことから、図１から図３のカバー１７を
カバー５３とし、更に図１から図３の台座１１を貫通穴
のない大略四角形の板状にしたことから台座５４とした
ことにある。更に、これらに伴って、図１から図３のパ
ッケージ８をパッケージ５５とし、図１から図３の圧力
センサ部１３を圧力センサ部５６とし、図１から図３の
半導体圧力センサ１を半導体圧力センサ５０とした。
【００５４】図１１及び図１２において、上記ＩＣ２及
び各チップ部品６の周囲は、モールド樹脂によってプリ
モールド成形されてパッケージ５５を形成し、その際、
パッケージ５５の一角には容器状の凹部をなすキャビテ
ィ５１が形成される。ここで、大略四角形の板状をなす
ガラス製の台座５４に、中央を薄肉化してダイヤフラム
部を形成した圧力センサチップ１２を陽極接合して形成
された圧力センサ部５６は、台座５４側がキャビティ５
１の内側における底部に接着剤１５で固着される。な
お、上記圧力センサチップ１２において、ダイヤフラム
部を形成する際に薄肉化した側を台座５４に接合する。
その際、ダイヤフラム部を形成することによってできた
圧力センサチップ１２と台座５４との間の空間を真空に
する。
【００５５】また、上記キャビティ５１内では上記リー
ドフレーム４の所定の配線パターンが露出しており、圧
力センサチップ１２は、キャビティ５１内のリードフレ
ーム４における配線パターンの所定の箇所に金線等のリ
ード線１６でそれぞれ電気的に接続される。この後、上
記キャビティ５１の開口部には、圧力センサチップ１２
を保護するための樹脂製のカバー５３が接着剤１８で固
着される。カバー５３には、圧力媒体をキャビティ５１
内に導入するための貫通穴である圧力導入口５２が形成
されており、カバー５３をキャビティ５１の開口部に固
着する際、キャビティ５１内が気密になるようにする。
なお、上記図３で示したキャビティ９と同様に、キャビ
ティ５１の底部においても、圧力センサ部５６を固着す
る面が、リードフレーム４が露出する面よりも低くなる
ように形成されている。
【００５６】上記のような構成において、圧力センサチ
ップ１２は、圧力導入口５２から導入された圧力媒体か
らの圧力を、例えばピエゾ抵抗の抵抗値の変化によって
検出し、上記ＩＣ２及び各チップ部品６は、リードフレ
ーム４を介して得られた圧力センサチップ１２における
ピエゾ抵抗の抵抗値から圧力センサチップ１２で検出さ
れた圧力を電気信号に変換すると共に、該電気信号から
所定の信号処理等を行って、リードフレーム４を介して
接続される外部回路との信号の入出力を行う。
【００５７】このように、本実施の形態４における半導
体圧力センサは、絶対圧検出方式において、変換回路及
び信号処理回路等の周辺回路を形成する、ＩＣ２と各チ
ップ部品６の周囲を覆うようにモールドして汎用ＩＣの
ような構造を形成し、その際、中空部を形成するための
キャビティ５１を同一パッケージ内に設けて、キャビテ
ィ５１内に圧力センサ部５６を実装すると共に、圧力導
入口を形成する突起をキャビティ５１の底部に設けず
に、カバー５３に設けた貫通穴を圧力導入口にした。
【００５８】このことから、絶対圧検出方式の半導体圧
力センサにおいて、圧力センサチップと信号処理回路及
び各種周辺回路をモールド樹脂で形成されたパッケージ
で一体構造化を行うことによって、小型化を図ることが
でき、周辺回路をプリモールドすることで信頼性の確保
ができる。更に、能動部品の点数を削減することがで
き、製造工程の簡略化を図ることができると共に、半導
体圧力センサを実装する基板に圧力導入口を形成する突
起用の貫通穴をなくすことができ、実装効率を向上させ
ることができる。
【００５９】実施の形態５．絶対圧検出方式の半導体圧
力センサにおいて、上記実施の形態４では、ＩＣ２、各
チップ部品６及び圧力センサ部５６をリードフレーム４
の一方の面側に実装したが、リードフレーム４の両面に
実装するようにしてもよく、このようにしたものを本発
明の実施の形態５とする。図１３は、本発明の実施の形
態５における絶対圧検出方式の半導体圧力センサの例を
示した断面図である。なお、図１３において、上記図１
から図３で示したものと同じものは同じ符号で示してお
り、ここではその説明を省略する。
【００６０】図１３における半導体圧力センサ６０にお
いて、変換回路及び信号処理回路等の周辺回路からなる
ＩＣ２が、接着剤３でリードフレーム６１の一方の面側
の所定の場所にそれぞれ固着され、更に、リードフレー
ム６１における配線パターンを形成している所定の箇所
に金線等のリード線５でそれぞれ電気的に接続される。
また、ＩＣ２内に形成することができないコンデンサ及
び抵抗素子等の各チップ部品（図示せず）においても、
リードフレーム６１の一方の面側の所定の場所にそれぞ
れ半田で電気的に接続される。
【００６１】上記ＩＣ２及び各チップ部品の周囲は、モ
ールド樹脂によってプリモールド成形されてパッケージ
６２を形成し、その際、リードフレーム６１の他方の面
側には大略四角形の容器状の凹部をなすキャビティ６３
が形成される。ここで、大略四角形の板状をなすガラス
製の台座６４に、中央を薄肉化してダイヤフラム部を形
成した圧力センサチップ１２を陽極接合して形成された
圧力センサ部６５は、キャビティ６３の内側における底
部に、台座６４側が接着剤１５で固着される。なお、上
記圧力センサチップ１２において、ダイヤフラム部を形
成する際に薄肉化した側を台座６４に接合する。その
際、ダイヤフラム部を形成することによってできた圧力
センサチップ１２と台座６４との間の空間を真空にす
る。
【００６２】また、上記キャビティ６３内では上記リー
ドフレーム６１の所定の配線パターンが露出しており、
圧力センサチップ１２は、キャビティ６３内のリードフ
レーム６１における配線パターンの所定の箇所に金線等
のリード線１６でそれぞれ電気的に接続される。この
後、上記キャビティ６３の開口部には、圧力センサチッ
プ１２を保護するための樹脂製のカバー６６が接着剤１
８で固着される。カバー６６には、圧力媒体をキャビテ
ィ６３内に導入するための貫通穴である圧力導入口６７
が形成されている。
【００６３】上記のような構成において、圧力センサチ
ップ１２は、圧力導入口６７から導入された圧力媒体か
らの圧力を、例えばピエゾ抵抗の抵抗値の変化によって
検出し、上記ＩＣ２及び各チップ部品は、リードフレー
ム６１を介して得られた圧力センサチップ１２における
ピエゾ抵抗の抵抗値から圧力センサチップ１２で検出さ
れた圧力を電気信号に変換すると共に、該電気信号から
所定の信号処理等を行って、リードフレーム６１を介し
て接続される外部回路との信号の入出力を行う。
【００６４】このように、本実施の形態５における半導
体圧力センサは、絶対圧検出方式において、リードフレ
ーム６１の一方の面側にＩＣ２及び各チップ部品を実装
すると共に、ＩＣ２と各チップ部品の周囲を覆うように
モールドして汎用ＩＣのような構造を形成し、その際、
中空部を形成するためのキャビティ６３をリードフレー
ム６１の他方の面側に設けて、キャビティ６３内のリー
ドフレーム６１に圧力センサ部６５を実装すると共に、
カバー６６に圧力導入口６７を形成した。このように、
ＩＣ２、各チップ部品及び圧力センサ部６５をリードフ
レーム６１の両面に実装するようにしたことから、絶対
圧検出方式の半導体圧力センサにおいて、上記実施の形
態４と同様の効果に加えて、更に小型化を図ることがで
きると共に、半導体圧力センサの実装に必要な基板面積
を小さくすることができる。
【００６５】実施の形態６．上記実施の形態１では、Ｉ
Ｃ２、各チップ部品６及び圧力センサ部１３をそれぞれ
１つのリードフレーム４の一方の面に実装したが、２つ
のリードフレームを使用し、一方のリードフレームにＩ
Ｃ２及び各チップ部品６を実装し、他方のリードフレー
ムに圧力センサ部１３を実装すると共に、２つのリード
フレームを重ね合わせるようにして２段構造にしてもよ
く、このようにしたものを本発明の実施の形態６とす
る。図１４は、本発明の実施の形態６における絶対圧検
出方式の半導体圧力センサの例を示した断面図である。
なお、図１４において、上記図１から図３で示したもの
と同じものは同じ符号で示しており、ここではその説明
を省略する。
【００６６】図１４における半導体圧力センサ７０にお
いて、ＩＣ２が、接着剤３でリードフレーム７１の一方
の面側の所定の場所にそれぞれ固着され、更に、リード
フレーム７１における配線パターンを形成している所定
の箇所にリード線５でそれぞれ電気的に接続される。ま
た、コンデンサ及び抵抗素子等の各チップ部品（図示せ
ず）においても、リードフレーム７１の一方の面側の所
定の場所にそれぞれ半田で電気的に接続される。
【００６７】上記ＩＣ２及び各チップ部品の周囲は、モ
ールド樹脂によってプリモールド成形されてパッケージ
７２を形成し、その際、リードフレーム７１の他方の面
側には大略四角形の容器状の凹部をなすキャビティ７３
が形成される。次に、サブリードフレーム７４が、モー
ルド樹脂によって、サブリードフレーム７４の所定の配
線パターンが露出するようにプリモールド成形されてカ
バー７５が形成される。その際、カバー７５におけるサ
ブリードフレーム７４が露出する面と相対する面には、
モールド樹脂によって大略円柱の突起７６が形成され
る。更に、該突起７６が大略円筒をなすように貫通穴が
設けられ、該貫通穴はカバー７５を貫通するように形成
される。なお、上記突起７６は、カバー７５を形成する
際に一体成形されて形成される。
【００６８】ここで、圧力媒体を導入するための貫通穴
を中央付近に設けた大略四角形の板状をなす台座１１
に、中央を薄肉化してダイヤフラム部を形成した圧力セ
ンサチップ１２を陽極接合して形成された圧力センサ部
１３は、上記突起７６及び台座１１の各貫通穴がつなが
って圧力導入口７７を形成するように、台座１１側がカ
バー７５におけるサブリードフレーム７４が露出する面
に接着剤１５で固着される。なお、上記圧力センサチッ
プ１２において、ダイヤフラム部の大略中央が上記圧力
導入口７７上に配置されるように、ダイヤフラム部を形
成する際に薄肉化した側を上記台座１１に接合する。
【００６９】上記カバー７５に固着された圧力センサ部
１３における圧力センサチップ１２は、カバー７５上に
露出したサブリードフレーム７４の配線パターンの所定
の箇所にリード線１６でそれぞれ電気的に接続される。
この後、圧力センサ部１３が上記キャビティ７３内に格
納されるように、上記カバー７５は、キャビティ７３の
開口部に接着剤１８で固着される。カバー７５をキャビ
ティ７３の開口部に固着する際、キャビティ７３内が気
密になるようにすると共に、キャビティ７３内を真空に
して封止する。更に、上記パッケージ７２から外部に突
出したリードフレーム７１は、カバー７５側に９０°曲
げられて、半導体圧力センサ７０を実装する際に、実装
基板の配線パターン等との電気的接続用、及び機械的接
続用に使用される。カバー７５から外部に突出したサブ
リードフレーム７４は、上記曲げられたリードフレーム
７１の所定の箇所に半田７８で電気的に接続される。
【００７０】なお、上記カバー７５において、圧力セン
サ部１３を固着する面が、サブリードフレーム７４が露
出する面よりも低くなるように形成されている。これ
は、圧力センサチップ１２に台座１１を接合して圧力セ
ンサ部１３を形成しており、圧力センサ部１３の高さが
高くなり、圧力センサチップ１２とカバー７５における
サブリードフレーム７４とを、ボンディング等を行って
リード線１６で接続することが困難になることを防ぐた
めのものである。
【００７１】上記のような構成において、圧力センサチ
ップ１２は、圧力導入口７７から導入された圧力媒体か
らの圧力を、例えばピエゾ抵抗の抵抗値の変化によって
検出し、上記ＩＣ２及び各チップ部品は、サブリードフ
レーム７４及びリードフレーム７１を介して得られた圧
力センサチップ１２におけるピエゾ抵抗の抵抗値から圧
力センサチップ１２で検出された圧力を電気信号に変換
すると共に、該電気信号から所定の信号処理等を行っ
て、リードフレーム７１を介して接続される外部回路と
の信号の入出力を行う。
【００７２】ここで、上記図１４では、圧力導入口７７
上に上記圧力センサチップ１２が配置されるように、圧
力センサ部１３をカバー７５に固着したが、絶対圧検出
方式において、圧力導入口７７上に圧力センサチップ１
２が配置されないようにしてもよく、図１５は、このよ
うにした絶対圧検出方式の半導体圧力センサにおける例
を示した断面図である。なお、図１５において、上記図
１４と同じものは同じ符号で示しており、ここではその
説明を省略すると共に、図１４との相違点のみ説明す
る。
【００７３】図１５における図１４との相違点は、圧力
導入口７７上に圧力センサチップ１２を配置せず、圧力
センサ部１３で圧力導入口７７を閉鎖しないようにした
ことから、図１４の突起７６を突起８１とし、図１４の
圧力導入口７７を圧力導入口８２とし、更に、図１４の
台座１１を貫通穴のない大略四角形の板状にしたことか
ら台座８３としたことにある。更に、これらに伴って、
図１４のカバー７５をカバー８４とし、図１４の圧力セ
ンサ部１３を圧力センサ部８５として、図１４の半導体
圧力センサ７０を半導体圧力センサ８０とした。
【００７４】図１５において、サブリードフレーム７４
が、モールド樹脂によって、サブリードフレーム７４の
所定の配線パターンが露出するようにプリモールド成形
されてカバー８４が形成される。その際、カバー８４に
おけるサブリードフレーム７４が露出する面と相対する
面には、モールド樹脂によって大略円柱の突起８１が形
成される。更に、該突起８１が大略円筒をなすように貫
通穴が設けられ、該貫通穴はカバー８４を貫通するよう
に形成され、上記貫通穴が圧力導入口８２をなす。な
お、上記突起８１は、カバー８４を形成する際に一体成
形されて形成される。
【００７５】ここで、大略四角形の板状をなすガラス製
の台座８３に、中央を薄肉化してダイヤフラム部を形成
した圧力センサチップ１２を陽極接合して形成された圧
力センサ部８５は、台座８３側がカバー８４におけるサ
ブリードフレーム７４が露出する面に接着剤１５で固着
される。この際、上記圧力センサ部８５を上記圧力導入
口８２上に固着しないようにして、上記圧力センサ部８
５が、上記圧力導入口８２を閉鎖しないようにする。な
お、上記圧力センサチップ１２において、ダイヤフラム
部を形成する際に薄肉化した側を台座８３に接合すると
共に、ダイヤフラム部を形成することによってできた圧
力センサチップ１２と台座８３との間の空間を真空にす
る。
【００７６】上記のような構成において、圧力センサチ
ップ１２は、圧力導入口８２からキャビティ７３内に導
入された圧力媒体からの圧力を、例えばピエゾ抵抗の抵
抗値の変化によって検出する。上記ＩＣ２及び各チップ
部品は、サブリードフレーム７４及びリードフレーム７
１を介して得られた圧力センサチップ１２におけるピエ
ゾ抵抗の抵抗値から圧力センサチップ１２で検出された
圧力を電気信号に変換すると共に、該電気信号から所定
の信号処理等を行って、リードフレーム７１を介して接
続される外部回路との信号の入出力を行う。
【００７７】次に、上記においては絶対圧検出方式の半
導体圧力センサを例にして説明したが、本発明の実施の
形態６は、ゲージ圧検出方式の半導体圧力センサにおい
ても適用することができる。図１６は、本発明の実施の
形態６におけるゲージ圧検出方式の半導体圧力センサの
例を示した断面図である。
【００７８】図１６における上記図１４との相違点は、
カバー７５に、キャビティ７３内を外気圧と同じにする
ための貫通穴である導通口９１を設け、これに伴って、
カバー７５をカバー９２とし、半導体圧力センサ７０を
半導体圧力センサ９０としたことにある。これ以外、半
導体圧力センサ９０は、上記図１４で示した半導体圧力
センサ７０と同じであり、上記導通口９１によってキャ
ビティ７３内は外気圧と同じになり、圧力センサチップ
１２は、キャビティ７３内の気圧に対する、圧力導入口
７７から導入された圧力媒体の相対的な圧力を検出す
る。なお、図１６において、上記実施の形態３と同様
に、上記圧力センサチップ１２は、台座１１を使用せず
に、ダイヤフラム部の大略中央が上記圧力導入口７７上
に配置されるように、ダイヤフラム部を形成する際に薄
肉化した側を、カバー９２に接着剤１５で直接固着する
ようにしてもよい。
【００７９】また、上記半導体圧力センサ７０、８０及
び９０においては、サブリードフレーム７４における、
カバー７５、カバー８４又はカバー９２から外部に突出
させた部分は、突起７６が突出する方向に対して垂直に
なるように突出させたが、図１７で示すように、突起７
６と平行になるように突出させるように形成してもよ
く、この場合、リードフレーム７１とサブリードフレー
ム７４の電気的な接続は、半導体圧力センサを実装する
際に、実装基板の配線パターン又はリード線等で行われ
る。
【００８０】このように、本実施の形態６における半導
体圧力センサは、上記実施の形態１と同様の効果を得る
ことができると共に、ＩＣ２及び各チップ部品をリード
フレームに実装してプリモールド成形した下に、キャビ
ティ７３を形成して圧力センサ部を実装した２段構造に
したことから、更に小型化を図ることができると共に、
半導体圧力センサの実装に必要な基板面積を小さくする
ことができる。更に、ゲージ圧検出方式の場合、台座１
１を削減することによってコストの低減を図ることがで
きる。
【００８１】なお、上記実施の形態１から実施の形態４
では、ＩＣ２及び各チップ部品６、並びに圧力センサチ
ップ１２との電気的な接続は、リードフレームを使用し
てパッケージ内部で行ったが、リードフレームを使用し
てパッケージ内部で接続せずに、半導体圧力センサを実
装する際に、実装基板の配線パターン又はリード線等
で、パッケージ外部で接続するようにしてもよい。ま
た、上記各実施の形態において、接着剤３及び接着剤１
５は同じものを使用してもよい。
【００８２】
【発明の効果】第１の発明に係る半導体圧力センサは、
リードフレームに実装された周辺回路部を覆うようにリ
ードフレームと共にモールド樹脂でフルモールドして汎
用ＩＣのような構造を形成し、その際、中空部を形成す
るためのキャビティ部を同一パッケージ内に設けて、該
キャビティ部内に圧力センサ部を実装した。このことか
ら、圧力センサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成さ
れたパッケージで一体構造化を行うことによって、小型
化を図ることができると共に、周辺回路部をモールドす
ることで信頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数
を削減することができ、製造工程の簡略化を図ることが
できる。
【００８３】第２の発明に係る半導体圧力センサは、圧
力センサ部を実装するためのキャビティ部に加えて、更
に、周辺回路部を実装するためのサブキャビティ部を設
け、キャビティ部内に圧力センサ部を実装すると共に、
サブキャビティ部内のリードフレーム上に周辺回路部を
実装した後、サブキャビティ内に封止樹脂を流し込んで
成形して汎用ＩＣのような構造を形成した。このことか
ら、圧力センサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成さ
れたパッケージで一体構造化を行うことによって、小型
化を図ることができると共に、周辺回路部をモールドす
ることで信頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数
を削減することができ、製造工程の簡略化を図ることが
できる。
【００８４】第３の発明に係る半導体圧力センサは、第
１又は第２の発明において、上記圧力導入口を、パッケ
ージ形成時にキャビティ部の底部に貫通穴を設けて形成
し、上記圧力センサ部を、圧力導入口上に配置して固着
するようにしており、圧力センサ部と周辺回路部をモー
ルド樹脂で形成されたパッケージで一体構造化を行うこ
とによって、小型化を図ることができると共に、周辺回
路部をモールドすることで信頼性の確保ができる。更
に、能動部品の点数を削減することができ、製造工程の
簡略化を図ることができる。
【００８５】第４の発明に係る半導体圧力センサは、第
３の発明において、上記圧力センサ部を、大略中央にダ
イヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該ダイ
ヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を、圧力媒体を
導入するための貫通穴を設けた台座に接合して形成し、
該台座を、台座の貫通穴が上記圧力導入口に気密につな
がるように上記キャビティ部の底部に固着すると共に、
圧力センサチップを、キャビティ部内で露出させたリー
ドフレームの所定の箇所にそれぞれリード線で電気的に
接続した。このことから、ゲージ圧検出方式及び絶対圧
検出方式のいずれの方式の半導体圧力センサにも使用す
ることができる汎用性を備えさせることができ、圧力セ
ンサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成されたパッケ
ージで一体構造化を行うことによって、小型化を図るこ
とができると共に、周辺回路部をモールドすることで信
頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数を削減する
ことができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００８６】第５の発明に係る半導体圧力センサは、第
３の発明において、上記圧力センサ部は、大略中央にダ
イヤフラム部が形成された圧力センサチップからなり、
該圧力センサチップを、ダイヤフラム部が上記圧力導入
口上に気密につながるように、ダイヤフラム部が形成さ
れる際に薄肉化された側を上記キャビティ部の底部に固
着すると共に、上記圧力センサチップを、キャビティ部
内で露出させたリードフレームの所定の箇所にそれぞれ
リード線で電気的に接続する。このことから、ゲージ圧
検出方式の半導体圧力センサにおいて、圧力センサ部に
台座を使用しないことから、該台座のコストを削減する
ことができると共に、能動部品の点数を削減することが
でき、製造工程の簡略化を図ることができる。更に、圧
力センサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成されたパ
ッケージで一体構造化を行うことによって、小型化を図
ることができると共に、周辺回路部をモールドすること
で信頼性の確保ができる。
【００８７】第６の発明に係る半導体圧力センサは、第
４の発明において、上記カバーをキャビティ部の開口部
に封着する際、キャビティ部内を真空にして封止するこ
とから、絶対圧検出方式の半導体圧力センサにおいて、
圧力センサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成された
パッケージで一体構造化を行うことによって、小型化を
図ることができると共に、周辺回路部をモールドするこ
とで信頼性の確保ができ、更に、能動部品の点数を削減
することができ、製造工程の簡略化を図ることができ
る。
【００８８】第７の発明に係る半導体圧力センサは、第
４又は第５の発明において、上記カバーに、キャビティ
部内が外気圧と同じになるように、貫通穴で形成された
導通口を設けたことから、ゲージ圧検出方式の半導体圧
力センサにおいて、圧力センサ部と周辺回路部をモール
ド樹脂で形成されたパッケージで一体構造化を行うこと
によって、小型化を図ることができると共に、周辺回路
部をモールドすることで信頼性の確保ができ、更に、能
動部品の点数を削減することができ、製造工程の簡略化
を図ることができる。
【００８９】第８の発明に係る半導体圧力センサは、第
１又は第２の発明において、上記圧力導入口を、上記カ
バーに貫通穴を設けて形成したことから、半導体圧力セ
ンサを実装する基板に圧力導入口用の貫通穴をなくすこ
とができ、実装効率を向上させることができ、圧力セン
サ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成されたパッケー
ジで一体構造化を行うことによって、小型化を図ること
ができると共に、周辺回路部をモールドすることで信頼
性の確保ができる。更に、能動部品の点数を削減するこ
とができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００９０】第９の発明に係る半導体圧力センサは、第
８の発明において、上記圧力センサ部を、大略中央にダ
イヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該ダイ
ヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を台座に接合す
ると共に、圧力センサチップと台座との間に形成された
空間を真空にして形成し、上記台座を、上記キャビティ
部の底部に固着すると共に、上記圧力センサチップを、
キャビティ部内で露出させたリードフレームの所定の箇
所にそれぞれリード線で電気的に接続した。このことか
ら、絶対圧検出方式の半導体圧力センサにおいて、圧力
センサ部と周辺回路部とをモールド樹脂で形成されたパ
ッケージで一体構造化を行うことによって、更に小型化
を図ることができ、半導体圧力センサの実装に必要な基
板面積を小さくすることができる。更に、周辺回路をモ
ールドすることで信頼性の確保ができ、能動部品の点数
を削減することができることから製造工程の簡略化を図
ることができる。
【００９１】第１０の発明に係る半導体圧力センサは、
リードフレームの一方の面側に周辺回路部を実装すると
共に、周辺回路部を覆うようにモールド樹脂でフルモー
ルドして汎用ＩＣのような構造を形成し、その際、中空
部を形成するためのキャビティ部をリードフレームの他
方の面側に設けて、キャビティ部内に圧力センサ部を実
装し、圧力導入口を、上記カバーに貫通穴を設けて形成
した。このように、圧力センサ部及び周辺回路部をリー
ドフレームの両面に実装する２段構造にすると共に、圧
力センサ部と周辺回路部とをモールド樹脂で形成された
パッケージで一体構造化を行うことによって、更に小型
化を図ることができ、半導体圧力センサの実装に必要な
基板面積を小さくすることができると共に、半導体圧力
センサを実装する基板に圧力導入口用の貫通穴をなくす
ことができ、実装効率を向上させることができる。更
に、周辺回路をモールドすることで信頼性の確保がで
き、能動部品の点数を削減することができることから製
造工程の簡略化を図ることができる。
【００９２】第１１の発明に係る半導体圧力センサは、
第１０の発明において、上記圧力センサ部を、大略中央
にダイヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該
ダイヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を台座に接
合すると共に、圧力センサチップと台座との間に形成さ
れた空間を真空にして形成し、上記台座を、上記キャビ
ティ部内で露出させたリードフレームの所定の箇所に固
着すると共に、上記圧力センサチップを、キャビティ部
内で露出させたリードフレームの所定の箇所にそれぞれ
リード線で電気的に接続したことから、絶対圧検出方式
の半導体圧力センサにおいて、圧力センサ部と周辺回路
部とをモールド樹脂で形成されたパッケージで一体構造
化を行うことによって、更に小型化を図ることができ、
半導体圧力センサの実装に必要な基板面積を小さくする
ことができると共に、半導体圧力センサを実装する基板
に圧力導入口用の貫通穴をなくすことができ、実装効率
を向上させることができる。更に、周辺回路をモールド
することで信頼性の確保ができ、能動部品の点数を削減
することができることから製造工程の簡略化を図ること
ができる。
【００９３】第１２の発明に係る半導体圧力センサは、
リードフレームに実装された周辺回路部を覆うようにリ
ードフレームと共にモールド樹脂でフルモールドして汎
用ＩＣのような構造を形成し、その際、中空部を形成す
るためのキャビティ部を、リードフレームにおける周辺
回路部が実装された面と相対する面側に形成し、サブリ
ードフレームをモールド樹脂で成形して形成したカバー
に実装された圧力センサ部を上記キャビティ部に格納す
る２段構造にした。このように、圧力センサ部と周辺回
路部をモールド樹脂で形成されたパッケージで一体構造
化を行うことによって、更に小型化を図ることができ、
半導体圧力センサの実装に必要な基板面積を小さくする
ことができると共に、周辺回路部をモールドすることで
信頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数を削減す
ることができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００９４】第１３の発明に係る半導体圧力センサは、
第１２の発明において、上記圧力センサ部を、大略中央
にダイヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該
ダイヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を、圧力媒
体を導入するための貫通穴を設けた台座に接合して形成
し、該台座を、台座の貫通穴が上記圧力導入口に気密に
つながるように上記カバーに固着すると共に、上記圧力
センサチップを、キャビティ部内で露出させたサブリー
ドフレームの所定の箇所にそれぞれリード線で電気的に
接続した。このことから、ゲージ圧検出方式及び絶対圧
検出方式のいずれの方式の半導体圧力センサにも使用す
ることができる汎用性を備えさせることができ、圧力セ
ンサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成されたパッケ
ージで２段構造をなす一体構造化を行うことによって、
更に小型化を図ることができ、半導体圧力センサの実装
に必要な基板面積を小さくすることができると共に、周
辺回路部をモールドすることで信頼性の確保ができる。
更に、能動部品の点数を削減することができ、製造工程
の簡略化を図ることができる。
【００９５】第１４の発明に係る半導体圧力センサは、
第１２の発明において、上記圧力センサ部は、大略中央
にダイヤフラム部が形成された圧力センサチップからな
り、該圧力センサチップを、ダイヤフラム部が上記圧力
導入口上に気密につながるように、ダイヤフラム部が形
成される際に薄肉化された側を上記カバーに固着すると
共に、上記圧力センサチップを、キャビティ部内で露出
させたサブリードフレームの所定の箇所にそれぞれリー
ド線で電気的に接続した。このことから、ゲージ圧検出
方式の半導体圧力センサにおいて、圧力センサ部に台座
を使用しないことから、該台座のコストを削減すること
ができると共に、能動部品の点数を削減することがで
き、製造工程の簡略化を図ることができる。また、圧力
センサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成されたパッ
ケージで２段構造をなす一体構造化を行うことによっ
て、更に小型化を図ることができ、半導体圧力センサの
実装に必要な基板面積を小さくすることができると共
に、周辺回路部をモールドすることで信頼性の確保がで
きる。
【００９６】第１５の発明に係る半導体圧力センサは、
第１２の発明において、上記圧力センサ部を、大略中央
にダイヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該
ダイヤフラム部を形成する際に薄肉化した側を台座に接
合すると共に、圧力センサチップと台座との間に形成さ
れた空間を真空にして形成し、上記台座を、上記圧力導
入口を閉鎖しないように上記カバーに固着した。このこ
とから、絶対圧検出方式の半導体圧力センサにおいて、
圧力センサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成された
パッケージで２段構造をなす一体構造化を行うことによ
って、更に小型化を図ることができると共に、半導体圧
力センサの実装に必要な基板面積を小さくすることがで
き、周辺回路部をモールドすることで信頼性の確保がで
きる。更に、能動部品の点数を削減することができ、製
造工程の簡略化を図ることができる。
【００９７】第１６の発明に係る半導体圧力センサは、
第１３の発明において、上記カバーをキャビティ部の開
口部に封着する際、キャビティ部内を真空にして封止す
ることから、絶対圧検出方式の半導体圧力センサにおい
て、圧力センサ部と周辺回路部をモールド樹脂で形成さ
れたパッケージで２段構造をなす一体構造化を行うこと
によって、更に小型化を図ることができると共に、半導
体圧力センサの実装に必要な基板面積を小さくすること
ができ、周辺回路部をモールドすることで信頼性の確保
ができる。更に、能動部品の点数を削減することがで
き、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００９８】第１７の発明に係る半導体圧力センサは、
第１３又は第１４の発明において、上記カバーに、キャ
ビティ部内が外気圧と同じになるように、貫通穴で形成
された導通口を設けたことから、ゲージ圧検出方式の半
導体圧力センサにおいて、圧力センサ部と周辺回路部を
モールド樹脂で形成されたパッケージで２段構造をなす
一体構造化を行うことによって、更に小型化を図ること
ができると共に、半導体圧力センサの実装に必要な基板
面積を小さくすることができ、周辺回路部をモールドす
ることで信頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数
を削減することができ、製造工程の簡略化を図ることが
できる。
【００９９】第１８の発明に係る半導体圧力センサは、
第１２から第１７の発明において、上記リードフレーム
を、実装基板に実装するためのリード端子として外部に
露出させた所定の箇所に、上記サブリードフレームにお
ける外部に露出させた所定の箇所を電気的に接続した。
このことから、圧力センサ部と周辺回路部をモールド樹
脂で形成されたパッケージで２段構造をなす一体構造化
を行うことによって、更に小型化を図ることができると
共に、半導体圧力センサの実装に必要な基板面積を小さ
くすることができ、周辺回路部をモールドすることで信
頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数を削減する
ことができ、製造工程の簡略化を図ることができる。
【０１００】第１９の発明に係る半導体圧力センサは、
第１２から第１７の発明において、上記リードフレーム
及びサブリードフレームにおける各所定の箇所を、実装
基板に実装するためのリード端子としてそれぞれ外部に
露出させたことから、圧力センサ部と周辺回路部をモー
ルド樹脂で形成されたパッケージで２段構造をなす一体
構造化を行うことによって、更に小型化を図ることがで
きると共に、半導体圧力センサの実装に必要な基板面積
を小さくすることができ、周辺回路部をモールドするこ
とで信頼性の確保ができる。更に、能動部品の点数を削
減することができ、製造工程の簡略化を図ることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１における絶対圧検出方
式の半導体圧力センサの例を示した平面図である。
【図２】 図１のＡ−Ａ断面を示した断面図である。
【図３】 図１のＢ−Ｂ断面を示した断面図である。
【図４】 図１で示したリードフレーム４の配線パター
ンの例を示した図である。
【図５】 本発明の実施の形態１におけるゲージ圧検出
方式の半導体圧力センサの例を示した平面図である。
【図６】 図５のＣ−Ｃ断面を示した断面図である。
【図７】 本発明の実施の形態２における半導体圧力セ
ンサの例を示した平面図である。
【図８】 図７のＤ−Ｄ断面を示した断面図である。
【図９】 図７の封止樹脂３２をキャビティ３１内に流
し込んで成形する前の状態を示した平面図である。
【図１０】 本発明の実施の形態３における半導体圧力
センサの例を示した断面図である。
【図１１】 本発明の実施の形態４における半導体圧力
センサの例を示した平面図である。
【図１２】 図１１のＥ−Ｅ断面を示した断面図であ
る。
【図１３】 本発明の実施の形態５における絶対圧検出
方式の半導体圧力センサの例を示した断面図である。
【図１４】 本発明の実施の形態６における絶対圧検出
方式の半導体圧力センサの例を示した断面図である。
【図１５】 本発明の実施の形態６における絶対圧検出
方式の半導体圧力センサの他の例を示した断面図であ
る。
【図１６】 本発明の実施の形態６におけるゲージ圧検
出方式の半導体圧力センサの例を示した断面図である。
【図１７】 本発明の実施の形態６における半導体圧力
センサの変形例を示した断面図である。
【図１８】 従来の圧力センサの例を示した斜視図であ
る。
【符号の説明】
１，２０，３０，４０，５０，６０，７０，８０，９０
半導体圧力センサ、２ ＩＣ、 ３，１５，１８ 接
着剤、 ４，７１ リードフレーム、 ５，１６，６１
リード線、 ６ チップ部品、 ８，３３，５５，６
２，７２ パッケージ、 ９，３１，５１，６３，７３
キャビティ、 １０，７６，８１突起、 １１，５
４，６４，８３ 台座、 １２ 圧力センサチップ、
１３，５６，６５，８５ 圧力センサ部、 １４，５
２，６７，７７，８２ 圧力導入口、 １７，２２，５
３，６６，７５，８４，９２ カバー、 ２１，９１
導通口、 ３２ 封止樹脂、 ７４ サブリードフレー
ム

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧力導入口より導入された圧力媒体から
    圧力を検出する半導体センサを有する圧力センサ部と、
    該圧力センサ部で検出された圧力を電気信号に変換して
    所定の処理を行う周辺回路部で構成された半導体圧力セ
    ンサにおいて、 リードフレームに固着され電気的に接続された上記周辺
    回路部を、リードフレームと共にモールド樹脂で成形す
    ると同時に、上記圧力センサ部を格納するための凹部で
    あるキャビティ部を一体成形して形成されるパッケージ
    と、 上記圧力センサ部が格納されたキャビティ部における開
    口部を封着するためのカバーとを備え、 上記圧力センサ部は、上記キャビティ部の内側における
    底部に固着されると共に、キャビティ部内で露出させた
    リードフレームの所定の箇所に電気的に接続されること
    を特徴とする半導体圧力センサ。
  2. 【請求項２】 圧力導入口より導入された圧力媒体から
    圧力を検出する半導体センサを有する圧力センサ部と、
    該圧力センサ部で検出された圧力を電気信号に変換して
    所定の処理を行う周辺回路部で構成された半導体圧力セ
    ンサにおいて、 リードフレームをモールド樹脂で成形すると同時に、上
    記圧力センサ部を格納するための凹部であるキャビティ
    部と、上記周辺回路部を格納するための凹部であるサブ
    キャビティ部とを一体成形して形成されるパッケージ
    と、 上記圧力センサ部が格納されたキャビティ部における開
    口部を封着するためのカバーと、 上記周辺回路部が格納されたサブキャビティ部に流し込
    んで成形する封止樹脂とを備え、 上記周辺回路部は、サブキャビティ部内で露出させたリ
    ードフレームにおける所定の箇所に固着されると共に電
    気的に接続され、上記圧力センサ部は、上記キャビティ
    部の内側における底部に固着されると共に、キャビティ
    部内で露出させたリードフレームの所定の箇所に電気的
    に接続されることを特徴とする半導体圧力センサ。
  3. 【請求項３】 上記圧力導入口は、上記パッケージ形成
    時にキャビティ部の底部に貫通穴を設けて形成され、上
    記圧力センサ部は、圧力導入口上に配置されて固着され
    ることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに
    記載の半導体圧力センサ。
  4. 【請求項４】 上記圧力センサ部は、大略中央にダイヤ
    フラム部が形成された圧力センサチップに、該ダイヤフ
    ラム部を形成する際に薄肉化した側を、圧力媒体を導入
    するための貫通穴を設けた台座に接合して形成され、該
    台座は、台座の貫通穴が上記圧力導入口に気密につなが
    るように上記キャビティ部の底部に固着されると共に、
    上記圧力センサチップは、キャビティ部内で露出させた
    リードフレームの所定の箇所にそれぞれリード線で電気
    的に接続されることを特徴とする請求項３に記載の半導
    体圧力センサ。
  5. 【請求項５】 上記圧力センサ部は、大略中央にダイヤ
    フラム部が形成された圧力センサチップからなり、該圧
    力センサチップは、ダイヤフラム部が上記圧力導入口上
    に気密につながるように、ダイヤフラム部が形成される
    際に薄肉化された側を上記キャビティ部の底部に固着さ
    れると共に、上記圧力センサチップは、キャビティ部内
    で露出させたリードフレームの所定の箇所にそれぞれリ
    ード線で電気的に接続されることを特徴とする請求項３
    に記載の半導体圧力センサ。
  6. 【請求項６】 上記カバーをキャビティ部の開口部に封
    着する際、キャビティ部内を真空にして封止することを
    特徴とする請求項４に記載の半導体圧力センサ。
  7. 【請求項７】 上記カバーは、キャビティ部内が外気圧
    と同じになるように、貫通穴で形成された導通口を有す
    ることを特徴とする請求項４又は請求項５のいずれかに
    記載の半導体圧力センサ。
  8. 【請求項８】 上記圧力導入口は、上記カバーに貫通穴
    を設けて形成されることを特徴とする請求項１又は請求
    項２のいずれかに記載の半導体圧力センサ。
  9. 【請求項９】 上記圧力センサ部は、大略中央にダイヤ
    フラム部が形成された圧力センサチップに、該ダイヤフ
    ラム部を形成する際に薄肉化した側を台座に接合すると
    共に、圧力センサチップと台座との間に形成された空間
    を真空にして形成され、上記台座は、上記キャビティ部
    の底部に固着されると共に、上記圧力センサチップは、
    キャビティ部内で露出させたリードフレームの所定の箇
    所にそれぞれリード線で電気的に接続されることを特徴
    とする請求項８に記載の半導体圧力センサ。
  10. 【請求項１０】 圧力導入口より導入された圧力媒体か
    ら圧力を検出する半導体センサを有する圧力センサ部
    と、該圧力センサ部で検出された圧力を電気信号に変換
    して所定の処理を行う周辺回路部で構成された半導体圧
    力センサにおいて、 リードフレームに固着され電気的に接続された上記周辺
    回路部を、リードフレームと共にモールド樹脂で成形す
    ると同時に、上記圧力センサ部を格納するための凹部で
    あるキャビティ部を一体成形して形成されるパッケージ
    と、 貫通穴で形成された上記圧力導入口を有し、上記圧力セ
    ンサ部が格納されたキャビティ部における開口部を封着
    するためのカバーとを備え、 上記キャビティ部は、リードフレームにおける、周辺回
    路部が固着された面と相対する面側に形成され、上記圧
    力センサ部は、上記キャビティ部内で露出させたリード
    フレームの所定の箇所に、固着されると共に電気的に接
    続されることを特徴とする半導体圧力センサ。
  11. 【請求項１１】 上記圧力センサ部は、大略中央にダイ
    ヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該ダイヤ
    フラム部を形成する際に薄肉化した側を台座に接合する
    と共に、圧力センサチップと台座との間に形成された空
    間を真空にして形成され、上記台座は、上記キャビティ
    部内で露出させたリードフレームの所定の箇所に固着さ
    れると共に、上記圧力センサチップは、キャビティ部内
    で露出させたリードフレームの所定の箇所にそれぞれリ
    ード線で電気的に接続されることを特徴とする請求項１
    ０に記載の半導体圧力センサ。
  12. 【請求項１２】 圧力導入口より導入された圧力媒体か
    ら圧力を検出する半導体センサを有する圧力センサ部
    と、該圧力センサ部で検出された圧力を電気信号に変換
    して所定の処理を行う周辺回路部で構成された半導体圧
    力センサにおいて、 リードフレームに固着され電気的に接続された上記周辺
    回路部を、リードフレームと共にモールド樹脂で成形す
    ると同時に、上記圧力センサ部を格納するための凹部で
    あるキャビティ部を一体成形して形成されるパッケージ
    と、 サブリードフレームをモールド樹脂で成形すると同時
    に、上記圧力導入口をなす貫通穴を一体成形して形成さ
    れる、上記キャビティ部における開口部を封着するため
    のカバーとを備え、 上記キャビティ部は、リードフレームにおける、周辺回
    路部が固着された面と相対する面側に形成され、上記圧
    力センサ部は、上記カバー上に固着されると共にサブリ
    ードフレームの所定の箇所に電気的に接続され、上記カ
    バーは、固着された圧力センサ部が上記キャビティ部内
    に格納されるように上記キャビティ部における開口部を
    封着することを特徴とする半導体圧力センサ。
  13. 【請求項１３】 上記圧力センサ部は、大略中央にダイ
    ヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該ダイヤ
    フラム部を形成する際に薄肉化した側を、圧力媒体を導
    入するための貫通穴を設けた台座に接合して形成され、
    該台座は、台座の貫通穴が上記圧力導入口に気密につな
    がるように上記カバーに固着されると共に、上記圧力セ
    ンサチップは、キャビティ部内で露出させたサブリード
    フレームの所定の箇所にそれぞれリード線で電気的に接
    続されることを特徴とする請求項１２に記載の半導体圧
    力センサ。
  14. 【請求項１４】 上記圧力センサ部は、大略中央にダイ
    ヤフラム部が形成された圧力センサチップからなり、該
    圧力センサチップは、ダイヤフラム部が上記圧力導入口
    上に気密につながるように、ダイヤフラム部が形成され
    る際に薄肉化された側を上記カバーに固着されると共
    に、上記圧力センサチップは、キャビティ部内で露出さ
    せたサブリードフレームの所定の箇所にそれぞれリード
    線で電気的に接続されることを特徴とする請求項１２に
    記載の半導体圧力センサ。
  15. 【請求項１５】 上記圧力センサ部は、大略中央にダイ
    ヤフラム部が形成された圧力センサチップに、該ダイヤ
    フラム部を形成する際に薄肉化した側を台座に接合する
    と共に、圧力センサチップと台座との間に形成された空
    間を真空にして形成され、上記台座は、上記圧力導入口
    を閉鎖しないように上記カバーに固着されることを特徴
    とする請求項１２に記載の半導体圧力センサ。
  16. 【請求項１６】 上記カバーをキャビティ部の開口部に
    封着する際、キャビティ部内を真空にして封止すること
    を特徴とする請求項１３に記載の半導体圧力センサ。
  17. 【請求項１７】 上記カバーは、キャビティ部内が外気
    圧と同じになるように、貫通穴で形成された導通口を有
    することを特徴とする請求項１３又は請求項１４のいず
    れかに記載の半導体圧力センサ。
  18. 【請求項１８】 上記リードフレームは、実装基板に実
    装するためのリード端子として外部に露出させた所定の
    箇所に、上記サブリードフレームにおける外部に露出さ
    せた所定の箇所を電気的に接続されることを特徴とする
    請求項１２から請求項１７のいずれかに記載の半導体圧
    力センサ。
  19. 【請求項１９】 上記リードフレーム及びサブリードフ
    レームは、各所定の箇所を、実装基板に実装するための
    リード端子としてそれぞれ外部に露出させることを特徴
    とする請求項１２から請求項１７のいずれかに記載の半
    導体圧力センサ。
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