JPH0985985A - 光プリントヘッドおよびロッドレンズ・ユニット - Google Patents
光プリントヘッドおよびロッドレンズ・ユニットInfo
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- JPH0985985A JPH0985985A JP24581095A JP24581095A JPH0985985A JP H0985985 A JPH0985985 A JP H0985985A JP 24581095 A JP24581095 A JP 24581095A JP 24581095 A JP24581095 A JP 24581095A JP H0985985 A JPH0985985 A JP H0985985A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 自己走査型端面発光素子アレイおよびセルフ
ォックレンズアレイを備えた光プリントヘッドを提供す
る。 【解決手段】 プリント配線基板51上に自己走査型端
面発光素子アレイ52と、セルフォックレンズアレイ5
3とが貼り付けて実装されている。自己走査型端面発光
素子アレイ52は、発光素子アレイチップ59を連続し
て配列することにより構成される。一方、セルフォック
レンズアレイ53は、所定本数のセルフォックレンズ5
4を、1つの基板55上に配列し固着したセルフォック
レンズアレイ・ユニットを連続して配列することにより
構成される。
ォックレンズアレイを備えた光プリントヘッドを提供す
る。 【解決手段】 プリント配線基板51上に自己走査型端
面発光素子アレイ52と、セルフォックレンズアレイ5
3とが貼り付けて実装されている。自己走査型端面発光
素子アレイ52は、発光素子アレイチップ59を連続し
て配列することにより構成される。一方、セルフォック
レンズアレイ53は、所定本数のセルフォックレンズ5
4を、1つの基板55上に配列し固着したセルフォック
レンズアレイ・ユニットを連続して配列することにより
構成される。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般には光プリ
ントヘッド、特に自己走査型端面発光素子アレイおよび
セルフォックレンズアレイを備えた光プリントヘッドに
関するものである。
ントヘッド、特に自己走査型端面発光素子アレイおよび
セルフォックレンズアレイを備えた光プリントヘッドに
関するものである。
【0002】
【従来の技術】光プリントヘッドを備える光プリンタの
原理図を図1に示す。円筒形の感光ドラム2の表面に、
アモルファスSi等の光導電性を持つ材料(感光体)が
作られている。このドラムはプリントの速度で回転して
いる。回転しているドラムの感光体表面を、帯電器4で
一様に帯電させる。そして、光プリントヘッド6で、印
字するドットイメージの光を感光体上に照射し、光の当
たったところの帯電を中和する。続いて、現像器8で感
光体上の帯電状態にしたがって、トナーを感光体上につ
ける。そして、転写器10でカセット12中から送られ
てきた用紙14上に、トナーを転写する。用紙は、定着
器16にて熱等を加えられ定着され、スタッカ18に送
られる。一方、転写の終了したドラムは、消去ランプ2
0で帯電が全面にわたって中和され、清掃器22で残っ
たトナーが除去される。
原理図を図1に示す。円筒形の感光ドラム2の表面に、
アモルファスSi等の光導電性を持つ材料(感光体)が
作られている。このドラムはプリントの速度で回転して
いる。回転しているドラムの感光体表面を、帯電器4で
一様に帯電させる。そして、光プリントヘッド6で、印
字するドットイメージの光を感光体上に照射し、光の当
たったところの帯電を中和する。続いて、現像器8で感
光体上の帯電状態にしたがって、トナーを感光体上につ
ける。そして、転写器10でカセット12中から送られ
てきた用紙14上に、トナーを転写する。用紙は、定着
器16にて熱等を加えられ定着され、スタッカ18に送
られる。一方、転写の終了したドラムは、消去ランプ2
0で帯電が全面にわたって中和され、清掃器22で残っ
たトナーが除去される。
【0003】このような光プリンタに用いられる従来の
光プリントヘッドとして、特開昭60−116479号
公報に開示のものがある。図2に、その構造を示す。こ
の光プリントヘッドは、端面発光LEDアレイを用いた
ものであり、基板30上に、配線手段32,LEDアレ
イチップ34,ドライバ回路36,セルフォックレンズ
アレイ38を実装し、フラットケーブル39が接続され
ている。LEDアレイチップ34とドライバ回路36と
の間は、ワイヤボンディングされている。
光プリントヘッドとして、特開昭60−116479号
公報に開示のものがある。図2に、その構造を示す。こ
の光プリントヘッドは、端面発光LEDアレイを用いた
ものであり、基板30上に、配線手段32,LEDアレ
イチップ34,ドライバ回路36,セルフォックレンズ
アレイ38を実装し、フラットケーブル39が接続され
ている。LEDアレイチップ34とドライバ回路36と
の間は、ワイヤボンディングされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の光プ
リントヘッドは、LEDアレイを駆動するドライバ回路
を必要とし、LEDアレイとドライバ回路とをボンディ
ングしているので、これらの部分をコンパクトにでき
ず、またボンディングのためLEDの配列ピッチを小さ
くすることができないという問題がある。さらには、セ
ルフォックレンズアレイとLEDアレイチップの組立が
面倒であるうえ、セルフォックレンズとLEDの光軸合
わせが難しいという問題があった。
リントヘッドは、LEDアレイを駆動するドライバ回路
を必要とし、LEDアレイとドライバ回路とをボンディ
ングしているので、これらの部分をコンパクトにでき
ず、またボンディングのためLEDの配列ピッチを小さ
くすることができないという問題がある。さらには、セ
ルフォックレンズアレイとLEDアレイチップの組立が
面倒であるうえ、セルフォックレンズとLEDの光軸合
わせが難しいという問題があった。
【0005】一方、ロッドレンズアレイ(日本板硝子
(株)商標名:セルフォックレンズアレイ)は、長尺の
ものが単体として製造されるため、一部に欠陥があった
場合に不良品となり、製造歩留りが悪いという問題があ
った。
(株)商標名:セルフォックレンズアレイ)は、長尺の
ものが単体として製造されるため、一部に欠陥があった
場合に不良品となり、製造歩留りが悪いという問題があ
った。
【0006】前者の問題に対しては、本発明者らは発光
素子アレイの構成要素としてPNPN構造を持つ発光サ
イリスタに注目し、発光点の自己走査が実現できること
を既に特許出願(特開平1−238962号、特開平2
−14584号、特開平2−92650号、特開平2−
92651号)し、光プリンタ用光源として実装上簡便
となること、発光素子ピッチを細かくできること、コン
パクトな発光素子アレイを作製できること等を示してい
る。このような発光素子アレイは、端面発光素子アレイ
として構成することができる。
素子アレイの構成要素としてPNPN構造を持つ発光サ
イリスタに注目し、発光点の自己走査が実現できること
を既に特許出願(特開平1−238962号、特開平2
−14584号、特開平2−92650号、特開平2−
92651号)し、光プリンタ用光源として実装上簡便
となること、発光素子ピッチを細かくできること、コン
パクトな発光素子アレイを作製できること等を示してい
る。このような発光素子アレイは、端面発光素子アレイ
として構成することができる。
【0007】本発明の目的は、このような自己走査型端
面発光素子アレイを用い、セルフォックレンズアレイを
ユニット化し、複数個のセルフォックレンズアレイ・ユ
ニットを基板上に配列することにより長尺のセルフォッ
クレンズアレイを実現し、上述の問題点を解決すること
にある。
面発光素子アレイを用い、セルフォックレンズアレイを
ユニット化し、複数個のセルフォックレンズアレイ・ユ
ニットを基板上に配列することにより長尺のセルフォッ
クレンズアレイを実現し、上述の問題点を解決すること
にある。
【0008】本発明の他の目的は、セルフォックレンズ
アレイ・ユニットの新規な構造を提供することにある。
アレイ・ユニットの新規な構造を提供することにある。
【0009】本発明のさらに他の目的は、端面発光素子
アレイおよびセルフォックレンズアレイの実装方法を提
供することにある。
アレイおよびセルフォックレンズアレイの実装方法を提
供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の光プリントヘッ
ドは、自己走査型端面発光素子アレイと、前記自己走査
型端面発光素子アレイからの出射光を結像するロッドレ
ンズアレイとを備え、前記自己走査型端面発光素子アレ
イと、前記ロッドレンズアレイとが同じ基板上に実装さ
れていることを特徴とする。
ドは、自己走査型端面発光素子アレイと、前記自己走査
型端面発光素子アレイからの出射光を結像するロッドレ
ンズアレイとを備え、前記自己走査型端面発光素子アレ
イと、前記ロッドレンズアレイとが同じ基板上に実装さ
れていることを特徴とする。
【0011】前記自己走査型端面発光素子アレイは、複
数個の端面発光素子が集積された端面発光素子アレイチ
ップが複数個配列されて構成され、前記ロッドレンズア
レイは、複数本のロッドレンズが光軸を平行にして配列
され固着されたロッドレンズ・ユニットが複数個配列さ
れて構成されている。
数個の端面発光素子が集積された端面発光素子アレイチ
ップが複数個配列されて構成され、前記ロッドレンズア
レイは、複数本のロッドレンズが光軸を平行にして配列
され固着されたロッドレンズ・ユニットが複数個配列さ
れて構成されている。
【0012】前記ロッドレンズ・ユニットは、1枚の固
定用基板上に固着されているか、または、2枚の固定用
基板間に固着されている。また、前記ロッドレンズ・ユ
ニットは、ロッドレンズを1層または2層に配列して構
成する。なお、ロッドレンズの外周面には、黒色樹脂コ
ーティングを施すのが好適である。
定用基板上に固着されているか、または、2枚の固定用
基板間に固着されている。また、前記ロッドレンズ・ユ
ニットは、ロッドレンズを1層または2層に配列して構
成する。なお、ロッドレンズの外周面には、黒色樹脂コ
ーティングを施すのが好適である。
【0013】前記端面発光素子アレイチップと前記ロッ
ドレンズ・ユニットとの基板上への実装は、同一のチッ
プマウンタを用い、前記基板上に接着樹脂で、前記端面
発光素子アレイチップおよび前記ロッドレンズ・ユニッ
トを貼り付けることにより行う。
ドレンズ・ユニットとの基板上への実装は、同一のチッ
プマウンタを用い、前記基板上に接着樹脂で、前記端面
発光素子アレイチップおよび前記ロッドレンズ・ユニッ
トを貼り付けることにより行う。
【0014】
【発明の実施の形態】まず、自己走査型端面発光素子ア
レイの3つの基本構造について説明する。
レイの3つの基本構造について説明する。
【0015】図3は、自己走査型端面発光素子アレイの
第1の基本構造の等価回路図である。発光素子として、
発光サイリスタT(−2)〜T(+2)を用い、発光サ
イリスタT(−2)〜T(+2)には、各々ゲート電極
G-2〜G+2が設けられている。各々のゲート電極には、
負荷抵抗RL を介して電源電圧VGKが印加される。ま
た、各々のゲート電極G-2〜G+2は、相互作用を作るた
めに抵抗RI を介して電気的に接続されている。また、
各単体発光サイリスタのアノード電極に、3本の転送ク
ロックライン(φ1 ,φ2 ,φ3 )が、それぞれ3素子
おきに(繰り返されるように)接続される。
第1の基本構造の等価回路図である。発光素子として、
発光サイリスタT(−2)〜T(+2)を用い、発光サ
イリスタT(−2)〜T(+2)には、各々ゲート電極
G-2〜G+2が設けられている。各々のゲート電極には、
負荷抵抗RL を介して電源電圧VGKが印加される。ま
た、各々のゲート電極G-2〜G+2は、相互作用を作るた
めに抵抗RI を介して電気的に接続されている。また、
各単体発光サイリスタのアノード電極に、3本の転送ク
ロックライン(φ1 ,φ2 ,φ3 )が、それぞれ3素子
おきに(繰り返されるように)接続される。
【0016】動作を説明すると、まず転送クロックφ3
がハイレベルとなり、発光サイリスタT(0)がオンし
ているとする。このとき3端子サイリスタの特性から、
ゲート電極G0 は零ボルト近くまで引き下げられる。電
源電圧VGKを仮に5ボルトとすると、負荷抵抗RL 、相
互作用抵抗RI のネットワークから各発光サイリスタの
ゲート電圧が決まる。そして、発光サイリスタT(0)
に近い素子のゲート電圧が最も低下し、以降順にT
(0)から離れるにしたがいゲート電圧は上昇してい
く。これは次のように表せる。
がハイレベルとなり、発光サイリスタT(0)がオンし
ているとする。このとき3端子サイリスタの特性から、
ゲート電極G0 は零ボルト近くまで引き下げられる。電
源電圧VGKを仮に5ボルトとすると、負荷抵抗RL 、相
互作用抵抗RI のネットワークから各発光サイリスタの
ゲート電圧が決まる。そして、発光サイリスタT(0)
に近い素子のゲート電圧が最も低下し、以降順にT
(0)から離れるにしたがいゲート電圧は上昇してい
く。これは次のように表せる。
【0017】 VG0<VG1=VG-1 <VG2=VG-2 (1) これらの電圧の差は、負荷抵抗RL ,相互作用抵抗RI
の値を適当に選択することにより設定することができ
る。
の値を適当に選択することにより設定することができ
る。
【0018】3端子サイリスタのアノード側のターンオ
ン電圧VONは、ゲート電圧より拡散電位Vdif だけ高い
電圧となることが知られている。
ン電圧VONは、ゲート電圧より拡散電位Vdif だけ高い
電圧となることが知られている。
【0019】VON≒VG +Vdif (2) したがって、アノードにかける電圧をこのターンオン電
圧VONより高く設定すれば、その発光サイリスタはオン
することになる。
圧VONより高く設定すれば、その発光サイリスタはオン
することになる。
【0020】さてこの発光サイリスタT(0)がオンし
ている状態で、次の転送クロックパルスφ1 にハイレベ
ル電圧VH を印加する。このクロックパルスφ1 は発光
サイリスタT(+1)とT(―2)に同時に加わるが、
ハイレベル電圧VH の値を次の範囲に設定すると、発光
サイリスタT(+1)のみをオンさせることができる。
ている状態で、次の転送クロックパルスφ1 にハイレベ
ル電圧VH を印加する。このクロックパルスφ1 は発光
サイリスタT(+1)とT(―2)に同時に加わるが、
ハイレベル電圧VH の値を次の範囲に設定すると、発光
サイリスタT(+1)のみをオンさせることができる。
【0021】 VG-2 +Vdif >VH >VG+1 +Vdif (3) これで発光サイリスタT(0),T(+1)が同時にオ
ンしていることになる。そしてクロックパルスφ3 のハ
イレベル電圧を切ると、発光サイリスタT(0)がオフ
となりオン状態の転送ができたことになる。
ンしていることになる。そしてクロックパルスφ3 のハ
イレベル電圧を切ると、発光サイリスタT(0)がオフ
となりオン状態の転送ができたことになる。
【0022】このように、自己走査型端面発光素子アレ
イでは抵抗ネットワークで各発光サイリスタのゲート電
極間を結ぶことにより、発光サイリスタに転送機能をも
たせることが可能となる。 上に述べたような原理か
ら、転送クロックφ1 ,φ2 ,φ3 のハイレベル電圧を
順番に互いに少しずつ重なるように設定すれば、発光サ
イリスタのオン状態は順次転送されていく。すなわち、
発光点が順次転送され、自己走査型端面発光素子アレイ
を実現することができる。
イでは抵抗ネットワークで各発光サイリスタのゲート電
極間を結ぶことにより、発光サイリスタに転送機能をも
たせることが可能となる。 上に述べたような原理か
ら、転送クロックφ1 ,φ2 ,φ3 のハイレベル電圧を
順番に互いに少しずつ重なるように設定すれば、発光サ
イリスタのオン状態は順次転送されていく。すなわち、
発光点が順次転送され、自己走査型端面発光素子アレイ
を実現することができる。
【0023】図4は、自己走査型端面発光素子アレイの
第2の基本構造の等価回路図である。この自己走査型端
面発光素子アレイは、発光サイリスタのゲート電極間の
電気的接続の方法としてダイオードを用いている。発光
サイリスタT(−2)〜T(+2)は、一列に並べられ
た構成となっている。G-2〜G+2は、発光サイリスタT
(−2)〜T(+2)のそれぞれのゲート電極を表す。
RL はゲート電極の負荷抵抗を表し、D-2〜D+2は電気
的相互作用を行うダイオードを表す。またVGKは電源電
圧を表す。各単体発光サイリスタのアノード電極に、2
本の転送クロックライン(φ1 ,φ2 )がそれぞれ1素
子おきに接続される。
第2の基本構造の等価回路図である。この自己走査型端
面発光素子アレイは、発光サイリスタのゲート電極間の
電気的接続の方法としてダイオードを用いている。発光
サイリスタT(−2)〜T(+2)は、一列に並べられ
た構成となっている。G-2〜G+2は、発光サイリスタT
(−2)〜T(+2)のそれぞれのゲート電極を表す。
RL はゲート電極の負荷抵抗を表し、D-2〜D+2は電気
的相互作用を行うダイオードを表す。またVGKは電源電
圧を表す。各単体発光サイリスタのアノード電極に、2
本の転送クロックライン(φ1 ,φ2 )がそれぞれ1素
子おきに接続される。
【0024】動作を説明する。まず転送クロックφ2 が
ハイレベルとなり、発光サイリスタT(0)がオンして
いるとする。このとき3端子サイリスタの特性からゲー
ト電極G0 は零ボルト近くまで引き下げられる。電源電
圧VGKを仮に5ボルトとすると、抵抗RL ,ダイオード
D-2〜D+2のネットワークから各発光サイリスタのゲー
ト電圧が決まる。そして発光サイリスタT(0)に近い
素子のゲート電圧が最も低下し、以降順にT(0)から
離れるにしたがいゲート電圧は上昇していく。
ハイレベルとなり、発光サイリスタT(0)がオンして
いるとする。このとき3端子サイリスタの特性からゲー
ト電極G0 は零ボルト近くまで引き下げられる。電源電
圧VGKを仮に5ボルトとすると、抵抗RL ,ダイオード
D-2〜D+2のネットワークから各発光サイリスタのゲー
ト電圧が決まる。そして発光サイリスタT(0)に近い
素子のゲート電圧が最も低下し、以降順にT(0)から
離れるにしたがいゲート電圧は上昇していく。
【0025】しかしながら、ダイオード特性の一方向
性,非対称性から、電圧を下げる効果は、T(0)の右
方向にしか働かない。すなわちゲート電極G1 はG0 に
対し、ダイオードの順方向立ち上がり電圧Vdif だけ高
い電圧に設定され、ゲート電極G2 はG1 に対し、さら
にダイオードの順方向立ち上がり電圧Vdif だけ高い電
圧に設定される。一方、T(0)の左側のゲート電極G
-1はダイオードD-1が逆バイアスになっているため電流
が流れず、したがって電源電圧VGKと同電位となる。
性,非対称性から、電圧を下げる効果は、T(0)の右
方向にしか働かない。すなわちゲート電極G1 はG0 に
対し、ダイオードの順方向立ち上がり電圧Vdif だけ高
い電圧に設定され、ゲート電極G2 はG1 に対し、さら
にダイオードの順方向立ち上がり電圧Vdif だけ高い電
圧に設定される。一方、T(0)の左側のゲート電極G
-1はダイオードD-1が逆バイアスになっているため電流
が流れず、したがって電源電圧VGKと同電位となる。
【0026】次の転送クロックパルスφ1 は、最近接の
発光サイリスタT(1),T(−1)、そしてT(3)
およびT(−3)等に印加されるが、これらのなかで、
最もターンオン電圧の最も低い素子はT(1)であり、
T(1)のターンオン電圧は約G1 のゲート電圧+V
dif であるが、これはVdif の約2倍である。次にター
ン電圧の低い素子はT(3)であり、Vdif の約4倍で
ある。T(−1)とT(−3)のオン電圧は、約VGK+
Vdif となる。
発光サイリスタT(1),T(−1)、そしてT(3)
およびT(−3)等に印加されるが、これらのなかで、
最もターンオン電圧の最も低い素子はT(1)であり、
T(1)のターンオン電圧は約G1 のゲート電圧+V
dif であるが、これはVdif の約2倍である。次にター
ン電圧の低い素子はT(3)であり、Vdif の約4倍で
ある。T(−1)とT(−3)のオン電圧は、約VGK+
Vdif となる。
【0027】以上から、転送クロックパルスのハイレベ
ル電圧をVdif の約2倍からVdifの約4倍の間に設定
しておけば、発光サイリスタT(1)のみをオンさせる
ことができ、転送動作を行うことができる。
ル電圧をVdif の約2倍からVdifの約4倍の間に設定
しておけば、発光サイリスタT(1)のみをオンさせる
ことができ、転送動作を行うことができる。
【0028】図5は、自己走査型端面発光素子アレイの
第3の基本構造の等価回路図である。この自己走査型端
面発光素子アレイは、スイッチ素子T(−1)〜T
(2)、書き込み用発光素子L(−1)〜L(2)から
なる。スイッチ素子部分の構成は、ダイオード接続を用
いた例を示している。スイッチ素子のゲート電極G-1〜
G1 は、書き込み用発光素子のゲートにも接続される。
書き込み用発光素子のアノードには、書き込み信号Sin
が加えられている。
第3の基本構造の等価回路図である。この自己走査型端
面発光素子アレイは、スイッチ素子T(−1)〜T
(2)、書き込み用発光素子L(−1)〜L(2)から
なる。スイッチ素子部分の構成は、ダイオード接続を用
いた例を示している。スイッチ素子のゲート電極G-1〜
G1 は、書き込み用発光素子のゲートにも接続される。
書き込み用発光素子のアノードには、書き込み信号Sin
が加えられている。
【0029】以下に、この自己走査型端面発光素子アレ
イの動作を説明する。いま、転送素子T(0)がオン状
態にあるとすると、ゲート電極G0 の電圧は、VGK(こ
こでは5ボルトと想定する)より低下し、ほぼ零ボルト
となる。したがって、書き込み信号Sinの電圧が、PN
接合の拡散電位(約1ボルト)以上であれば、発光素子
L(0)を発光状態とすることができる。
イの動作を説明する。いま、転送素子T(0)がオン状
態にあるとすると、ゲート電極G0 の電圧は、VGK(こ
こでは5ボルトと想定する)より低下し、ほぼ零ボルト
となる。したがって、書き込み信号Sinの電圧が、PN
接合の拡散電位(約1ボルト)以上であれば、発光素子
L(0)を発光状態とすることができる。
【0030】これに対し、ゲート電極G-1は約5ボルト
であり、ゲート電極G1 は約1ボルトとなる。したがっ
て、発光素子L(−1)の書き込み電圧は約6ボルト、
発光素子L(1)の書き込み電圧は約2ボルトとなる。
これから、発光素子L(0)のみに書き込める書き込み
信号Sinの電圧は、約1〜2ボルトの範囲となる。発光
素子L(0)がオン、すなわち発光状態に入ると、書き
込み信号Sinラインの電圧は約1ボルトに固定されてし
まうので、他の発光素子が選択されてしまう、というエ
ラーは防ぐことができる。
であり、ゲート電極G1 は約1ボルトとなる。したがっ
て、発光素子L(−1)の書き込み電圧は約6ボルト、
発光素子L(1)の書き込み電圧は約2ボルトとなる。
これから、発光素子L(0)のみに書き込める書き込み
信号Sinの電圧は、約1〜2ボルトの範囲となる。発光
素子L(0)がオン、すなわち発光状態に入ると、書き
込み信号Sinラインの電圧は約1ボルトに固定されてし
まうので、他の発光素子が選択されてしまう、というエ
ラーは防ぐことができる。
【0031】発光強度は書き込み信号Sinに流す電流量
で決められ、任意の強度にて画像書き込みが可能とな
る。また、発光状態を次の素子に転送するためには、書
き込み信号Sinラインの電圧を一度零ボルトまでおと
し、発光している素子をいったんオフにしておく必要が
ある。
で決められ、任意の強度にて画像書き込みが可能とな
る。また、発光状態を次の素子に転送するためには、書
き込み信号Sinラインの電圧を一度零ボルトまでおと
し、発光している素子をいったんオフにしておく必要が
ある。
【0032】図6は、自己走査型端面発光素子アレイの
特に発光素子部分の概略斜視図である。接地されたN形
GaAs基板41上にN形半導体層42、P形半導体層
43、N形半導体層44、P形半導体層45の各層を形
成する。そしてホトリソグラフィおよびエッチング等に
より、各単体発光サイリスタ46に分離する。分離溝を
47で示す。アノード電極(図示せず)はP形半導体層
45とオーミック接触を有し、ゲート電極(図示せず)
はN形半導体層44とオーミック接触を有する。
特に発光素子部分の概略斜視図である。接地されたN形
GaAs基板41上にN形半導体層42、P形半導体層
43、N形半導体層44、P形半導体層45の各層を形
成する。そしてホトリソグラフィおよびエッチング等に
より、各単体発光サイリスタ46に分離する。分離溝を
47で示す。アノード電極(図示せず)はP形半導体層
45とオーミック接触を有し、ゲート電極(図示せず)
はN形半導体層44とオーミック接触を有する。
【0033】発光端面は、へき開により形成せずに、上
述のようにエッチングで構成するのが望ましい。なぜな
らば、へき開による発光端面形成は生産性が悪く、また
へき開してみないと、発光端面の良,不良がわからない
からである。
述のようにエッチングで構成するのが望ましい。なぜな
らば、へき開による発光端面形成は生産性が悪く、また
へき開してみないと、発光端面の良,不良がわからない
からである。
【0034】また、図7に示すように発光サイリスタ4
6の発光端面とは反対側の後端面に、AlまたはAuの
ような金属層48を設けると、光が金属により反射し、
出射光を増大させることができる。
6の発光端面とは反対側の後端面に、AlまたはAuの
ような金属層48を設けると、光が金属により反射し、
出射光を増大させることができる。
【0035】以上のような自己走査型端面発光素子アレ
イは、半導体ウェハに集積した後、切り出して1つの半
導体チップ(以下、発光素子アレイチップという)の形
にし、これを必要個数配列して長尺のものを作製する。
イは、半導体ウェハに集積した後、切り出して1つの半
導体チップ(以下、発光素子アレイチップという)の形
にし、これを必要個数配列して長尺のものを作製する。
【0036】
【実施例1】図8は、本発明の光プリントヘッドの一実
施例を示す斜視図である。プリント配線基板51上に自
己走査型端面発光素子アレイ52と、セルフォックレン
ズアレイ53とが貼り付けられて実装されている。
施例を示す斜視図である。プリント配線基板51上に自
己走査型端面発光素子アレイ52と、セルフォックレン
ズアレイ53とが貼り付けられて実装されている。
【0037】自己走査型端面発光素子アレイ52は、前
述した発光素子アレイチップ59を連続して配列するこ
とにより構成される。例えば、1つの発光素子アレイチ
ップは、1200DPIで、256個の発光素子が配列
されているものとすると、チップ長さは約5.4mmと
なる。また発光点のサイズは、例えば5μm×1μmで
ある。
述した発光素子アレイチップ59を連続して配列するこ
とにより構成される。例えば、1つの発光素子アレイチ
ップは、1200DPIで、256個の発光素子が配列
されているものとすると、チップ長さは約5.4mmと
なる。また発光点のサイズは、例えば5μm×1μmで
ある。
【0038】一方、セルフォックレンズアレイ53は、
所定本数のセルフォックレンズ54を、1つの基板55
上に配列し固着したセルフォックレンズアレイ・ユニッ
ト56を連続して配列することにより構成される。
所定本数のセルフォックレンズ54を、1つの基板55
上に配列し固着したセルフォックレンズアレイ・ユニッ
ト56を連続して配列することにより構成される。
【0039】発光素子の発光点からの光は、セルフォッ
クレンズ54により、感光ドラム2の表面に結像する。
クレンズ54により、感光ドラム2の表面に結像する。
【0040】図9は、セルフォックレンズアレイ・ユニ
ットの一実施例を示す断面図である。このセルフォック
レンズアレイ・ユニット56は、例えば直径が600μ
mのセルフォックレンズ54を、多数本、光軸を平行に
して、基板55上に密接配列し接着剤57により一体固
着することにより形成される。
ットの一実施例を示す断面図である。このセルフォック
レンズアレイ・ユニット56は、例えば直径が600μ
mのセルフォックレンズ54を、多数本、光軸を平行に
して、基板55上に密接配列し接着剤57により一体固
着することにより形成される。
【0041】このようなセルフォックレンズアレイ・ユ
ニット56では、セルフォックレンズ同士が密接してい
るため、レンズ内に入射した光線のうち、外周面で全反
射され結像に寄与しないフレア光が密接部を通して隣接
するレンズ内に入射するおそれがある。これを防止する
ため、セルフォックレンズの外周面に黒色樹脂コーティ
ング58を施すのが望ましい。
ニット56では、セルフォックレンズ同士が密接してい
るため、レンズ内に入射した光線のうち、外周面で全反
射され結像に寄与しないフレア光が密接部を通して隣接
するレンズ内に入射するおそれがある。これを防止する
ため、セルフォックレンズの外周面に黒色樹脂コーティ
ング58を施すのが望ましい。
【0042】次に、図10を参照して、発光素子アレイ
チップおよびセルフォックレンズアレイ・ユニットのプ
リント配線基板上への実装方法について説明する。実装
は、チップマウンタを用いることにより行う。プリント
配線基板55上に、接着樹脂をコーティングしておき、
加熱状態のもとで発光素子アレイチップ59およびセル
フォックレンズアレイ・ユニット56を実装する。発光
素子アレイチップ59の実装にあたっては、発光素子の
配列ピッチが同一となるように行われる。また、セルフ
ォックレンズアレイ・ユニット56の実装は、セルフォ
ックレンズ同士が密接するように行われる。実装の際、
基板51に対するセルフォックレンズアレイ・ユニット
56および発光素子アレイチップの位置決めは、基板5
1上に設けられたアライメントマーク60を用いて行わ
れる。
チップおよびセルフォックレンズアレイ・ユニットのプ
リント配線基板上への実装方法について説明する。実装
は、チップマウンタを用いることにより行う。プリント
配線基板55上に、接着樹脂をコーティングしておき、
加熱状態のもとで発光素子アレイチップ59およびセル
フォックレンズアレイ・ユニット56を実装する。発光
素子アレイチップ59の実装にあたっては、発光素子の
配列ピッチが同一となるように行われる。また、セルフ
ォックレンズアレイ・ユニット56の実装は、セルフォ
ックレンズ同士が密接するように行われる。実装の際、
基板51に対するセルフォックレンズアレイ・ユニット
56および発光素子アレイチップの位置決めは、基板5
1上に設けられたアライメントマーク60を用いて行わ
れる。
【0043】発光素子アレイチップおよびセルフォック
レンズアレイ・ユニットをプリント配線基板51上に実
装するとき、接着樹脂が押し流されるので、接着樹脂の
流れ止めのために、プリント配線基板上に溝60を設け
るようにすることもできる。
レンズアレイ・ユニットをプリント配線基板51上に実
装するとき、接着樹脂が押し流されるので、接着樹脂の
流れ止めのために、プリント配線基板上に溝60を設け
るようにすることもできる。
【0044】図11に、発光素子アレイチップ59およ
びセルフォックレンズアレイ・ユニット56がプリント
配線基板51に実装された状態を側面図で示す。この場
合、発光素子の発光点の高さは、セルフォックレンズの
光学軸からのずれΔyがセルフォックレンズの半径r0
を越えると、急激にレンズアレイの光量ムラが増加する
ので、セルフォックレンズの半径r0 内に入るように選
定される。
びセルフォックレンズアレイ・ユニット56がプリント
配線基板51に実装された状態を側面図で示す。この場
合、発光素子の発光点の高さは、セルフォックレンズの
光学軸からのずれΔyがセルフォックレンズの半径r0
を越えると、急激にレンズアレイの光量ムラが増加する
ので、セルフォックレンズの半径r0 内に入るように選
定される。
【0045】本実施例では、セルフォックレンズ54の
直径を600μm、発光素子アレイチップ59の厚さを
300μmに選定するだけで、高さ方向の位置決めは容
易に行うことができる。また、基板51上での2次平面
における位置決めは、チップマウンタによって正確に行
うことができる。
直径を600μm、発光素子アレイチップ59の厚さを
300μmに選定するだけで、高さ方向の位置決めは容
易に行うことができる。また、基板51上での2次平面
における位置決めは、チップマウンタによって正確に行
うことができる。
【0046】以上のように、セルフォックレンズと発光
素子アレイチップとの光軸合わせは、高さ方向には、セ
ルフォックレンズの直径および発光素子アレイチップの
厚さを選定することにより、2次平面ではチップマウン
タにより極めて簡単に行うことができる。さらには、チ
ップマウンタによるIC実装技術を応用できるので、高
精度に実装することができる。
素子アレイチップとの光軸合わせは、高さ方向には、セ
ルフォックレンズの直径および発光素子アレイチップの
厚さを選定することにより、2次平面ではチップマウン
タにより極めて簡単に行うことができる。さらには、チ
ップマウンタによるIC実装技術を応用できるので、高
精度に実装することができる。
【0047】以上のセルフォックレンズアレイ・ユニッ
トは、セルフォックレンズを一層配列していたが、図1
2に示すように2層を俵積みしたセルフォックレンズア
レイ・ユニットとすることもできる。俵積みの場合、図
に示すように発光素子アレイチップの厚さは、約500
μmに選ぶのが好適である。
トは、セルフォックレンズを一層配列していたが、図1
2に示すように2層を俵積みしたセルフォックレンズア
レイ・ユニットとすることもできる。俵積みの場合、図
に示すように発光素子アレイチップの厚さは、約500
μmに選ぶのが好適である。
【0048】
【実施例2】セルフォックレンズアレイの他の実施例
を、図13に示す。このセルフォックレンズアレイは、
図9の構造に補強板62を上部に付加して、サンドイッ
チ構造にしたものである。このセルフォックレンズアレ
イは上下に基板を有するので、構造的強度が大きいとい
う利点がある。
を、図13に示す。このセルフォックレンズアレイは、
図9の構造に補強板62を上部に付加して、サンドイッ
チ構造にしたものである。このセルフォックレンズアレ
イは上下に基板を有するので、構造的強度が大きいとい
う利点がある。
【0049】また、この構造では、補強板62の厚さを
200μmとした場合に、発光素子アレイチップの厚さ
を500μmとするのが好適である。
200μmとした場合に、発光素子アレイチップの厚さ
を500μmとするのが好適である。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、以下のような効果が得
られる。 (1)セルフォックレンズアレイはユニット化している
ので、製造歩留りが良い。 (2)端面発光素子アレイチップと、セルフォックレン
ズアレイ・ユニットとをチップ・マウンタで簡単にかつ
高精度に実装できる。 (3)セルフォックレンズと発光素子アレイチップとの
光軸合わせは、高さ方向には、セルフォックレンズの直
径および発光素子アレイチップの厚さの選定により、2
次平面方向には、チップ・マウンタにより、極めて容易
に、かつ正確に行うことができる。 (4)端面発光素子アレイは、自己走査型であるので、
ドライバ回路が不要となり、コンパクトな光プリントヘ
ッドを構成できる。 (5)上述したように実装が簡単であり、コンパクトな
構造であるので、安価な光プリントヘッドの提供が可能
となる。
られる。 (1)セルフォックレンズアレイはユニット化している
ので、製造歩留りが良い。 (2)端面発光素子アレイチップと、セルフォックレン
ズアレイ・ユニットとをチップ・マウンタで簡単にかつ
高精度に実装できる。 (3)セルフォックレンズと発光素子アレイチップとの
光軸合わせは、高さ方向には、セルフォックレンズの直
径および発光素子アレイチップの厚さの選定により、2
次平面方向には、チップ・マウンタにより、極めて容易
に、かつ正確に行うことができる。 (4)端面発光素子アレイは、自己走査型であるので、
ドライバ回路が不要となり、コンパクトな光プリントヘ
ッドを構成できる。 (5)上述したように実装が簡単であり、コンパクトな
構造であるので、安価な光プリントヘッドの提供が可能
となる。
【図1】光プリンタの原理を説明するための図である。
【図2】従来の光プリントヘッドの構造を示す図であ
る。
る。
【図3】自己走査型端面発光素子アレイの第1の基本構
造の等価回路図である。
造の等価回路図である。
【図4】自己走査型端面発光素子アレイの第2の基本構
造の等価回路図である。
造の等価回路図である。
【図5】自己走査型端面発光素子アレイの第3の基本構
造の等価回路図である。
造の等価回路図である。
【図6】自己走査型端面発光素子アレイの特に発光素子
部分の概略斜視図である。
部分の概略斜視図である。
【図7】発光サイリスタの発光端面とは反対側の後端面
に金属層を設けた状態を示す断面図である。
に金属層を設けた状態を示す断面図である。
【図8】本発明の光プリントヘッドの一実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図9】セルフォックレンズアレイ・ユニットの一実施
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図10】発光素子アレイチップおよびセルフォックレ
ンズアレイ・ユニットのプリント配線基板上への実装方
法を説明するための図である。
ンズアレイ・ユニットのプリント配線基板上への実装方
法を説明するための図である。
【図11】発光素子アレイチップおよびセルフォックレ
ンズアレイ・ユニットがプリント配線基板に実装された
状態を示す側面図である。
ンズアレイ・ユニットがプリント配線基板に実装された
状態を示す側面図である。
【図12】セルフォックレンズを俵積みしたセルフォッ
クレンズアレイ・ユニットを示す図である。
クレンズアレイ・ユニットを示す図である。
【図13】セルフォックレンズアレイの他の実施例を示
す図である。
す図である。
51 プリント配線基板 52 自己走査型端面発光素子アレイ 53 セルフォックレンズアレイ 54 セルフォックレンズ 56 セルフォックレンズアレイ・ユニット 58 黒色コーティング 59 発光素子アレイチップ 60 アライメントマーク 61 溝 62 補強板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 33/00
Claims (13)
- 【請求項1】自己走査型端面発光素子アレイと、 前記自己走査型端面発光素子アレイからの出射光を結像
するロッドレンズアレイとを備え、 前記自己走査型端面発光素子アレイと、前記ロッドレン
ズアレイとが同じ基板上に実装されていることを特徴と
する光プリントヘッド。 - 【請求項2】前記自己走査型端面発光素子アレイは、複
数個の端面発光素子が集積された端面発光素子アレイチ
ップが複数個配列されて構成され、 前記ロッドレンズアレイは、複数本のロッドレンズが光
軸を平行にして配列され固着されたロッドレンズ・ユニ
ットが複数個配列されて構成されている、請求項1記載
の光プリントヘッド。 - 【請求項3】前記ロッドレンズ・ユニットは、1枚の固
定用基板上に固着されている、請求項2記載の光プリン
トヘッド。 - 【請求項4】前記ロッドレンズ・ユニットは、2枚の固
定用基板間に固着されている、請求項2記載の光プリン
トヘッド。 - 【請求項5】前記ロッドレンズ・ユニットは、ロッドレ
ンズが1層または2層に配列されている、請求項3また
は4記載の光プリントヘッド。 - 【請求項6】ロッドレンズの外周面には、黒色樹脂コー
ティングが施されている、請求項5記載の光プリントヘ
ッド。 - 【請求項7】前記自己走査型端面発光素子アレイは、 しきい電圧またはしきい電流の制御電極を有する発光素
子を複数個配列し、各発光素子の前記制御電極をその近
傍に位置する少なくとも1つの発光素子の制御電極に、
接続用抵抗または電気的に一方向性を有する電気素子を
介して接続するとともに、各発光素子の前記制御電極に
電源ラインを負荷抵抗を介して接続し、かつ各発光素子
にクロックパルスラインを接続して形成した自己走査型
端面発光素子アレイである、請求項1〜6のいずれかに
記載の光プリントヘッド。 - 【請求項8】前記自己走査型端面発光素子アレイは、 スイッチング動作のためのしきい電圧またはしきい電流
の制御電極を有するスイッチ素子を複数個配列し、各ス
イッチ素子の前記制御電圧をその近傍に位置する少なく
とも1つのスイッチ素子の制御電極に、接続用抵抗また
は電気的に一方向性を有する電気素子を介して接続する
とともに、各スイッチ素子の制御電極に電源ラインを負
荷抵抗を介して接続し、かつ各スイッチ素子にクロック
パルスラインを接続して形成したスイッチング素子アレ
イと、 しきい電圧またはしきい電流の制御電極を有する発光素
子を複数個配列した発光素子アレイとからなり、 前記発光素子アレイの各制御電極を前記スイッチ素子の
制御電極と電気的手段にて接続し、各発光素子に発光の
ための電流を印加するラインを設けた自己走査型端面発
光素子アレイである、請求項1〜6のいずれかに記載の
光プリントヘッド。 - 【請求項9】光プリントヘッドに用いられるロッドレン
ズアレイの構成単位となるロッドレンズ・ユニットであ
って、 複数本のロッドレンズが光軸を平行にして配列され1枚
の固定用基板上に固着されたロッドレンズ・ユニット。 - 【請求項10】光プリントヘッドに用いられるロッドレ
ンズアレイの構成単位となるロッドレンズ・ユニットで
あって、 複数本のロッドレンズが光軸を平行にして配列され、2
枚の固定用基板間に固着されているロッドレンズ・ユニ
ット。 - 【請求項11】前記ロッドレンズが1層または2層に配
列されている、請求項9または10記載のロッドレンズ
・ユニット。 - 【請求項12】請求項2〜8記載のいずれかに記載の光
プリントヘッドの実装方法であって、同一のチップマウ
ンタを用い、前記基板上に接着樹脂で、前記端面発光素
子アレイチップおよび前記ロッドレンズ・ユニットを実
装する、光プリントヘッドの実装方法。 - 【請求項13】前記ロッドレンズと前記端面発光素子と
の光軸合わせは、前記自己走査型端面発光素子アレイ
と、前記ロッドレンズアレイとが実装される基板に対し
垂直な方向には、前記ロッドレンズの直径と前記端面発
光素子アレイチップの厚さの選定により、前記基板と平
方な2次面においては、前記チップマウンタにより行
う、請求項12記載の光プリントヘッドの実装方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24581095A JPH0985985A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 光プリントヘッドおよびロッドレンズ・ユニット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24581095A JPH0985985A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 光プリントヘッドおよびロッドレンズ・ユニット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0985985A true JPH0985985A (ja) | 1997-03-31 |
Family
ID=17139190
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24581095A Pending JPH0985985A (ja) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 光プリントヘッドおよびロッドレンズ・ユニット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0985985A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000076003A1 (en) | 1999-06-08 | 2000-12-14 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Edge-emitting light-emitting device having improved external luminous efficiency and self-scanning light-emitting device array comprising the same |
US6717182B1 (en) | 1996-09-24 | 2004-04-06 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Edge-emitting light-emitting device having improved external luminous efficiency and self-scanning light-emitting device array comprising the same |
CN1322597C (zh) * | 1999-08-23 | 2007-06-20 | 日本板硝子株式会社 | 发光闸流晶体管及自扫描型发光装置 |
US7903341B2 (en) | 2006-08-04 | 2011-03-08 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Lens array of erecting unit magnification system, image reading apparatus and image writing apparatus using the lens array, as well as method for manufacturing the lens array |
US8270085B2 (en) | 2006-07-19 | 2012-09-18 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Lens array plate of erecting unit magnification system, image reading apparatus and image writing apparatus using the lens array plate, as well as method for manufacturing the lens array plate |
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-
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- 1995-09-25 JP JP24581095A patent/JPH0985985A/ja active Pending
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Legal Events
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050315 |