JPH0967341A - 新規トリプトファン誘導体およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トリプトファン含有ペプチドまたはそのフラ
グメント合成に有用なＢＯＣトリプトファン誘導体であ
って、ペプチド合成中間段階での処理条件に安定で、最
終脱離処理の際にチオール系スカベンジャーを使用せず
に脱離し得るインドール核保護基を有する化合物の提
供。 【解決手段】 式 【化１】 （式中、ｎは０、１または２を表わす）で示される新規
トリプトファン誘導体またはその塩。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は新規トリプトファン
誘導体、さらに詳しくは、ヒト副甲状腺ホルモン（ＰＴ
Ｈ）や黄体刺激ホルモン分泌ホルモン（ＬＨ−ＲＨ）な
どのトリプトファン含有ペプチドまたはそれらの部分フ
ラグメント等の合成原料として有用な後記一般式（１）
で示される新規トリプトファン誘導体ならびにその塩お
よびその製造法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ペプチドの合成に際しては、原
料となるアミノ酸における反応に関与しないアミノ基や
カルボキシル基を一時的に保護しておく必要があるが、
トリプトファン含有ペプチドの合成に際し、そのトリプ
トファンのα−アミノ基の一時的保護基としてtert−ブ
トキシカルボニル基（以下、ＢＯＣ基と略す）を適用す
る場合、トリプトファン側鎖官能基であるインドール核
の窒素にも保護基を導入しておく必要がある。それは、
ペプチド合成の中間段階においてトリフルオロ酢酸やＨ
Ｃｌ／ジオキサン等を用いた脱ＢＯＣ基処理の際、ＢＯ
Ｃ基由来のカチオンによるインドール核のtert−ブチル
化および使用した酸によるインドール核の２量化を避け
るためである。この目的には、従来ホルミル基がトリプ
トファン側鎖保護基として用いられているが、このホル
ミル基を使用した場合、その最終脱保護条件には、炭酸
水素アンモニウムや水酸化ナトリウム等の塩基処理を除
けば、適当なチオール系スカベンジャー（例えばメルカ
プトエタノール）の存在下にＨＦ、メタンスルホン酸や
トリフルオロメタンスルホン酸等の強酸処理が適用され
ている。ホルミル基の脱離には、その反応機構からチオ
ールの添加が原理的に不可欠とされている。すなわち、
ホルミル基をインドール核に導入したトリプトファンを
用いてペプチドを合成した場合、最終的にその保護基を
除去するためにチオール系スカベンジャーの使用は不可
避である。しかし、これらのチオール系スカベンジャー
は甚だしい悪臭を有しており、その悪臭の故に最終脱保
護操作、それに続く精製段階にまで種々操作上の制約を
受ける。また、ホルミル基以外の保護基として２,４,６
−トリメトキシベンゼンスルホニル（Ｍｔｂ）基や４−
メトキシ−２,３,６−トリメチルベンゼンスルホニル
（Ｍｔｒ）基も知られているが、これらの保護基の場合
にも、最終的にはチオール系スカベンジャーの使用を避
けることはできない。

【０００３】このようなＮ保護基として用い得ることが
知られている既存の保護基のうちで唯一ベンジルオキシ
カルボニル（Ｚ）基およびそのベンゼン環にニトロ基や
アルコキシ基等が置換した各種置換体が、チオール系ス
カベンジャーを添加することなく強酸処理で脱離し得る
ことが知られている。しかしながら、このＺ基またはそ
の置換体は、ペプチド中間体の合成段階で反応性基の保
護基を選択的に脱離させるためのトリフルオロ酢酸処
理、ＨＣｌ／ジオキサン処理、さらにジイソプロピルエ
チルアミン、トリエチルアミン等の塩基処理に対して不
安定であり、特に固相合成法での使用は不適合である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような事情にかん
がみ、本発明者らは、一次構造中にトリプトファンを含
有する各種ペプチド類およびそれらのフラグメントを固
相法または液相法によって合成する際に用いられるトリ
プトファン、ことにＢＯＣ−トリプトファンの側鎖保護
基、すなわちインドール核のＮ保護基として、ペプチド
合成中間段階で用いられる種々の処理条件に安定で、か
つ最終脱保護基の際の強酸処理時にチオール系スカベン
ジャーの添加を必要としないような保護基を見い出すべ
く種々研究を行った。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らの研究によれ
ば、特定のシクロアルキルオキシカルボニル基が前記の
種々の要件を満たす優れた保護基であることを見い出
し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は次
式

【化６】 （式中、ｎは０、１または２を表す）で示されるトリプ
トファン誘導体およびその塩を提供するものである。

【０００６】

【発明の実施の形態】本発明の新規トリプトファン誘導
体（１）におけるインドール核上のＮ保護基であるシク
ロアルキルオキシカルボニル基としては、シクロペンチ
ルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル
およびシクロヘプチルオキシカルボニルが含まれるが、
ペプチド合成途上でのＢＯＣ保護基の脱離のためのトル
フルオロ酢酸処理、ＨＣｌ／ジオキサン処理などに対す
る高安定性および最終保護基脱離処理であるフッ化水素
などの強酸処理の容易性などの観点からシクロヘキシル
オキシカルボニルが最も好ましい。本発明のトリプトフ
ァン誘導体の塩としては、ジシクロヘキシルアミン、シ
クロヘキシルアミン等の塩が含まれる。

【０００７】本発明のトリプトファン誘導体（１）およ
びその塩は、例えば下記反応工程式で示される方法によ
って合成することができる。

【化７】 （式中、ＢＯＣはｔ−ブトキシカルボニル基、Ｂｚｌは
ベンジル基、Ｐａｃはフェナシル基、ＴＢＡＨＳはテト
ラ−ｎ−ブチルアンモニウムハイドロゲンスルホニウム
を表し、ｎは０、１または２を表す）

【０００８】上記反応工程式にしたがって本発明のトリ
プトファン誘導体（１）の製法を説明する。 （ａ）工程ａ まず、ＢＯＣ−トリプトファン（ＢＯＣ−Ｔｒｐ）
（２）を常法によりエステル化して、次式

【化８】 （式中、Ｒは低級アルキル、アラルキル、アシルアルキ
ル等のエステル残基を表す）で示されるＢＯＣ−トリプ
トファンエステル（２'）に導く。例えば、該化合物
（２）にハロゲン化ベンジルやハロゲン化フェナシルな
どのエステル化剤を作用させて、トリプトファンのカル
ボキシル基をエステル化する。この反応は、通常、炭酸
セシウム、トリエチルアミン、ジエチルイソプロピルア
ミンなどの塩基の存在下に、ジメチルホルムアミド（Ｄ
ＭＦ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等の適当な有
機溶媒中で、氷冷下または室温にて数〜十数時間撹拌下
に行われる。生成するＢＯＣ−トリプトファンエステル
体（３）または（４）を単離して次の反応に供する。

【０００９】（ｂ）工程ｂ 一方、シクロアルキルアルコール（５）にホスゲンを反
応させてシクロアルキルオキシカルボニルクロリド
（６）を合成する。この反応は通常ベンゼン、トルエ
ン、キシレンなどの芳香族炭化水素、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等の適当な有機溶媒中、室温〜加温下に
数〜十数時間撹拌して行われる。

【００１０】（ｃ）工程ｃ 上記工程ａで得られるＢＯＣ−トリプトファンエステル
（３）または（４）に上記工程ｂで得られるシクロアル
キルオキシカルボニルクロリド（６）を反応させて、そ
れぞれＮⁱⁿ−シクロアルキルオキシカルボニル−ＢＯＣ
−トリプトファンエステル（７）または（８）を得る。
この反応は、通常、ジクロロメタン、クロロホルム、テ
トラヒドロフラン等の有機溶媒中、テトラ−ｎ−ブチル
アンモニウムハイドロゲンスルホニウム（ＴＢＡＨＳ）
等の触媒および水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の
アルカリの存在下に氷冷〜室温にて撹拌下に行われる。

【００１１】（ｄ）工程ｄまたはｅ 上記の方法で得られた化合物（７）または（８）を常法
により脱エルテル化して目的とするトリプトファン誘導
体（１）に導く。この脱エルテル化は、エステルの種類
に応じて最も適した条件が採用される。例えば化合物
（７）におけるようなベンジルエステルではＰｄ−ｃの
ような接触還元触媒の存在下水素添加する方法が採用さ
れ、また化合物（８）におけるようなフェナシルエステ
ルでは亜鉛等の触媒の存在下酢酸を作用させる。これら
の脱エステル化処理は、いずれも、当該ペプチド合成分
野において公知の方法である。

【００１２】

【発明の効果】本発明のトリプトファン誘導体はトリプ
トファン含有ペプチド類またはそのフラグメントの合成
に有用な物質であり、それらペプチド類またはフラグメ
ントの合成中間段階で行われる脱保護基処理、例えばト
ルフルオロ酢酸処理やＨＣｌ／ジオキサン処理などの際
にも、トリプトファン側鎖保護基であるシクロアルキル
オキシカルボニル基は安定に保持されており、しかも目
的のペプチド類またはそれらのフラグメントから該シク
ロアルキルオキシカルボニル保護基を最終的に脱離させ
る強酸処理においてもチオール系スカベンジャーの存在
なしに容易に除去することができる。すなわち、本発明
のＮⁱⁿ−シクロアルキルオキシカルボニル−トリプトフ
ァンが結合されたペプチドを、フッ化水素、メタンスル
ホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸等の強酸で処理
することにより容易にそのＮⁱⁿ−シクロアルキルオキシ
カルボニル基は脱離される。

【００１３】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に
説明するが、本発明はこれらに限定されない。

【００１４】実施例１ （ａ）Ｎ^α−ＢＯＣ−トリプトファンベンジルエステル
（３）の合成（工程ａ） Ｎ^α−ＢＯＣ−トリプトファン（２）（１５２.２ｇ、
０.５ｍｏｌ）を含水エタノール（５００ｍｌ）に溶解
し、炭酸セシウム（８９.６ｇ、０.２７５ｍｏｌ）を添
加する。溶媒を留去し、残渣にトルエンを加え、フラッ
シュしたのち、ＤＭＦ（７００ｍｌ）に溶かし、氷冷撹
拌下にベンジルブロミド（６２.３ｍｌ、０.５２５ｍｏ
ｌ）を滴下する。終夜、室温で撹拌後、反応液を酢酸エ
チル（１０００ｍｌ）に注ぎ、水、５％炭酸水素ナトリ
ウム水、水、Ｎ−塩酸、水、飽和食塩水で順次洗浄す
る。酢酸エチル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、酢
酸エチルを減圧下に留去し、油状物を得る。これにヘキ
サンを加え結晶化し標記化合物（３）１７０.７ｇ（収
率８６.５％）を得る。

【００１５】（ｂ）シクロヘキシルオキシカルボニルク
ロリド（６）の合成（工程ｂ） ベンゼン（１５０ｍｌ）に活性炭（５ｇ）を添加した
後、ジホスゲン（１１９ｇ、０.６ｍｏｌ）を室温で滴
下する。さらに室温で１時間撹拌した後、シクロヘキサ
ノール（５）（１００ｇ、１.０ｍｏｌ）を滴下する。
反応温度が３５℃に上昇し、塩化水素の放出が始まる。
その反応液を室温で終夜撹拌し、窒素ガスを通じた後活
性炭を濾去し、減圧下に塩化水素および過剰のホスゲン
を除いて液状の標記化合物（６）１６２ｇを定量的に得
る。

【００１６】（ｃ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシ
ルオキシカルボニルトリプトファンベンジルエステル
（７）の合成（工程ｃ） 上記工程ａで得られた化合物（３）（１.９７ｇ、５.０
ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液（１０ｍｌ）に、粉砕
した水酸化ナトリウム（０.５ｇ、１２.５ｍｍｏｌ）お
よびテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムハイドロゲンスル
ホニウム（２０ｍｇ、０.０５ｍｍｏｌ）を加えて懸濁
させ、氷冷撹拌下に工程ｂで得られた化合物（６）
（１.３ｇ、７.５ｍｍｏｌ）を添加する。その混合物を
３０分間撹拌した後、反応液を水、５％炭酸水素ナトリ
ウム水、水、Ｎ−塩酸、水、飽和食塩水で順次洗浄す
る。ジクロロメタン層を無水硫酸マグネシウムで乾燥
後、ジクロロメタンを減圧下に留去し、固体の標記化合
物（７）２.４ｇ（収率９４％）を得る。

【００１７】（ｄ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシ
ルオキシカルボニルトリプトファン（１）の合成（工程
ｄ） 上記工程ｃで得られた化合物（７）（２.４ｇ、４.７ｍ
ｏｌ）をエタノール（１０ｍｌ）に溶かし、これに５％
パラジウム炭素（０.５ｇ）を触媒として水素ガスを通
じる。３０分後触媒を濾去し、エタノールを留去し、得
られる固体残渣を酢酸エチル／ヘキサンより再結晶して
標記目的化合物（１）１.８ｇ（収率９１％）を得る。 元素分析値：Ｃ₂₃Ｈ₃₀Ｎ₂Ｏ₆として 計算値 Ｃ，６４.１７；Ｈ，７.０２；Ｎ，６.５１％ 実測値 Ｃ，６４.０２；Ｈ，７.１９；Ｎ，６.６６％

【００１８】実施例２ （ａ）Ｎ^α−ＢＯＣ−トリプトファンフェナシルエステ
ル（４）の合成 Ｎ^α−ＢＯＣ−トリプトファン（２）（１０.０ｇ、３
５ｍｍｏｌ）を含水エタノール（３０ｍｌ）に溶解し、
炭酸セシウム（５.７０ｇ、１７.５ｍｍｏｌ）を添加す
る。溶媒を留去し、残渣にトルエンを加えフラッシュし
た後、ＤＭＦ（５０ｍｌ）に溶かし、氷冷撹拌下にフェ
ナシルブロミド（７.３１ｇ、３６.８ｍｍｏｌ）を添加
する。終夜、室温で撹拌する。反応液を酢酸エチル（１
００ｍｌ）に注ぎ、水、５％炭酸水素ナトリウム水、
水、Ｎ−塩酸、水、飽和食塩水で順次洗浄する。酢酸エ
チル層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、酢酸エチルを
減圧下に留去し、油状物を得る。これにヘキサンを加え
結晶化し標記化合物１３.４ｇ（収率９１.０％）を得
る。 （ｂ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカル
ボニルトリプトファンフェナシルエステル（８）の合成 前記実施例１（ｃ）の方法において、化合物（３）の代
わりに上記（ａ）で得られた化合物（４）（２.１１
ｇ、５.０ｍｍｏｌ）を用いて同様に処理して標記化合
物（８）２.４６ｇ（収率９０％）を得る。 （ｃ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカル
ボニルトリプトファン（１）の合成（工程ｅ） 上記化合物（８）（２.４ｇ、４.４ｍｍｏｌ）を酢酸
（１０ｍｌ）に溶かし、これに亜鉛粉末（１ｇ）を加え
る。反応液を４０℃に加温しながら撹拌する。３０分後
触媒を瀘去し、酢酸を留去し、得られた油状残渣に０.
１Ｎ−塩酸を加え析出した固体を瀘取する。水で洗浄し
た後乾燥し、この固体を酢酸エチル／ヘキサンより再結
晶して標記目的化合物（１）１.６７ｇ（収率８８％）
を得る。

【００１９】実施例３ （ａ）シクロペンチルオキシカルボニルクロリドの合成 前記実施例１（ｂ）の方法において、シクロヘキサノー
ルの代わりにシクロペンタノール（１７.２ｇ、０.２ｍ
ｏｌ）を用いて同様に反応させて標記化合物を得る。 （ｂ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロペンチルオキシカル
ボニルトリプトファンベンジルエステルの合成 前記実施例１（ｃ）の方法において、シクロヘキシルオ
キシカルボニルクロリド（６）の代わりに上記（ａ）で
得られたシクロペンチルオキシカルボニルクロリド
（５.６ｇ、３８ｍｍｏｌ）を用いて同様に反応させ
て、標記化合物１０.２ｇ（収率７５.３％）を得る。 （ｃ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロペンチルオキシカル
ボニルトリプトファンの合成 前記実施例１（ｄ）の方法において、化合物（７）の代
わりに、上記（ｂ）で得られたＮ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シ
クロペンチルオキシカルボニルトリプトファンベンジル
エステルを用いて同様に処理して、標記化合物１.６ｇ
を得る。 融点：１５２−１５６℃ 元素分析値：Ｃ₂₂Ｈ₂₈Ｎ₂Ｏ₆として 計算値 Ｃ，６３.４５；Ｈ，６.７８；Ｎ，６.７３％ 実測値 Ｃ，６３.０５；Ｈ，６.９２；Ｎ，６.７０％

【００２０】実施例４ （ａ）シクロヘプチルオキシカルボニルクロリドの合成 前記実施例１（ｂ）の方法において、シクロヘキサノー
ルの代わりにシクロヘプタノール（２２.８ｇ、１０.２
ｍｏｌ）を用いて同様に反応させて標記化合物を得る。 （ｂ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘプチルオキシカル
ボニルトリプトファンベンジルエステルの合成 前記実施例１（ｃ）の方法において、シクロヘキシルオ
キシカルボニルクロリド（６）の代わりに上記（ａ）で
得られたシクロヘプチルオキシカルボニルクロリド
（６.７ｇ、３８ｍｍｏｌ）を用いて同様に反応させ
て、標記化合物１０.０ｇ（収率７０.５％）を得る。 （ｃ）Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘプチルオキシカル
ボニルトリプトファンの合成 前記実施例１（ｄ）の方法において、化合物（７）の代
わりに、上記（ｂ）で得られたＮ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シ
クロヘプチルオキシカルボニルトリプトファンベンジル
エステルを用いて同様に処理して、標記化合物１.２ｇ
を得る。 融点：９０−９４℃ 元素分析値：Ｃ₂₄Ｈ₃₂Ｎ₂Ｏ₆として 計算値 Ｃ，６４.８５；Ｈ，７.２６；Ｎ，６.３０％ 実測値 Ｃ，６４.３３；Ｈ，７.２９；Ｎ，６.２５％

【００２１】参考例１ 次式 で示されるソマトスタチンの合成 （１）ＢＯＣ−Ｃｙｓ（ＭｅＢｚｌ）−メリフィールド
樹脂への１３位Ｓｅｒの導入 １）脱保護および中和 ＢＯＣ−Ｃｙｓ（ＭｅＢｚｌ）−メリフィールド樹脂
（０.５０２ｍｍｏｌ／ｇ）０.９９６ｇをジクロロメタ
ン（ＤＣＭ）で洗浄する。この樹脂に、３０％トリフル
オロ酢酸（ＴＦＡ）溶液（溶媒：ＤＣＭ）１１ｍｌを加
え、３分間撹拌後瀘過する。さらに５０％ＴＦＡ溶液
（溶媒：ＤＣＭ）９ｍｌを加え、１６分間撹拌後瀘過し
て、ＢＯＣ基を脱離させ、得られた樹脂を、下記の溶媒
で順次処理し、各々の処理後に瀘過する。 ジクロロメタン（ＤＭＣ） （５回、各３分） ５％ジイソプロピルエチルアミン／Ｎ−メチルピロリド
ン(ＤＩＥＡ/ＮＭＰ)（１回、各４分） Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ） （６回、各５分）

【００２２】２）ＢＯＣ−Ｓｅｒ（Ｂｚｌ）−ＯＢｔ活
性エステルの調製 ＢＯＣ−Ｓｅｒ（Ｂｚｌ）２ｍｍｏｌを、Ｎ−メチルピ
ロリドン（ＮＭＰ）３.４ｍｌに溶解後、これに１Ｍブ
タノール溶液（溶媒：ＮＭＰ）２ｍｌを加える。さらに
１ＭＤＣＣ溶液（溶媒：ＮＭＰ）２ｍｌを加え、４０−
５０分間反応させ、ブタノール活性エステルを生成させ
る。副生するジシクロヘキシルウレアを瀘別する。

【００２３】３）縮合反応およびアセチルキャッピング ２）で調製したＢＯＣ−Ｓｅｒ（Ｂｚｌ）−ＯＢｔ活性
エステルのＮＭＰ溶液を１）で調製したＣｙｓ（ＭｅＢ
ｚｌ）−メリフィールド樹脂に加え、室温で３９分間反
応させる。ジメチルスルホキシド／Ｎ−メチルピロリド
ン（ＤＭＳＯ／ＮＭＰ）混合溶媒（８０：２０）２.８
ｍｌを加え、全体の溶媒比を１５％ＤＭＳＯ／８５％Ｎ
ＭＰとして１６分間反応を続ける。ジイソプロピルエチ
ルアミン（ＤＩＥＡ）０.３３ｍｌ（３.８当量）を加
え、さらに５分間反応させる。反応終了後、反応液を瀘
去し、ＮＭＰ７ｍｌで洗浄する。次に、未反応のアミノ
基をブロックする目的で、無水酢酸でアセチル化する。
すなわち、５％ＤＩＥＡ／１０％無水酢酸溶液（溶媒：
ＮＭＰ）１０ｍｌを加え、９分間反応し、得られた樹脂
をＤＣＭ（４回、各２０秒）で洗浄し、各々の処理後に
瀘過する。

【００２４】（２）１２から１位の各アミノ酸の導入 （１）と同様にして、ＢＯＣ−Ｓｅｒ（Ｂｚｌ）−Ｃｙ
ｓ（ＭｅＢｚｌ）−メリフィールド樹脂に、ソマトスタ
チンの１２位から１位までの各構成アミノ酸に対応する
保護アミノ酸を順次カップリングさせる。１位のアミノ
酸、Ｂｏｃ−Ａｌａ、導入後、この樹脂ペプチドに３０
％ＴＦＡ溶液（溶媒：ＤＣＭ）１１ｍｌを加え、３分間
撹拌後瀘過する。さらに５０％ＴＦＡ溶液（溶媒：ＤＣ
Ｍ）９ｍｌを加え、１６分間撹拌後瀘過して、ＢＯＣ基
を脱離させ、得られた樹脂を、下記の溶媒で順次処理
し、各々の処理後に瀘過する。 ＤＣＭ （５回、各３分） ５％ＤＩＥＡ／ＮＭＰ （１回、各４分） ＮＭＰ （６回、各５分） ＤＣＭ （４回、各２０秒） 次に、本樹脂ペプチドを１昼夜減圧乾燥して乾燥樹脂ペ
プチド２.０２６ｇ（収率９１％）を得る。

【００２５】（３）ＨＦによる全保護基の除去および樹
脂からのペプチドの切断 乾燥した樹脂ペプチドの一部（０.８９ｇ、０.２０ｍｍ
ｏｌ相当）を秤量し、ＨＦ分解用反応容器（ダイフロン
製）に入れ、アニソール１.５ｍｌを加える。撹拌子を
入れた前記反応容器をＨＦ分解装置（ペプチド研究所
製）に取り付け、ドライアイス−メタノール浴中に置
き、ＨＦ８.５ｍｌを反応容器中に導入する。この混合
物を食塩を添加した氷浴中において１時間、−５℃で撹
拌する。減圧下にＨＦを留去し、２時間後、反応容器を
取り外し、無水ジエチルエーテルを加えることによりペ
プチドを粉末化する。ペプチドおよび樹脂を瀘過し、無
水ジエチルエーテルで洗浄する。５０％酢酸水（１０ｍ
ｌ）で、脱保護されたペプチドを溶解し、この酢酸溶液
を、塩交換の目的で予め酢酸型に置換したダウエックス
１×２イオン交換樹脂カラムに通す。素通り画分に水を
加えて酢酸濃度を約２Ｎに調製した後、凍結乾燥して還
元型の粗ソマトスタチン３０４ｍｇ（収率９３％）を得
る。

【００２６】（４）合成ソマトスタチンの構造確認と純
度検定 （３）で得られた還元型粗ソマトスタチンの溶液（１ｍ
ｇ／１００μｌの５０％酢酸）の一定量を高速液体クロ
マトグラフィー（ＨＰＬＣ）により分析した。カラムは
ＹＭＣ−Ｐａｃｋ ＯＤＳ−Ａ（ワイ・エム・シィ社
製、φ４.６×１５０ｍｍ）を用い、溶離液はＡ液とし
て０.１％ＴＡＦ／水、Ｂ液として０.１％ＴＡＦ／アセ
トニトリルを用い、アセトニトリル濃度１０％から６０
％（Ｂ濃度が、１０％から６０％に相当）の直線勾配
（３０分間）の条件下に溶出させた。溶出したピークを
２２０ｎｍの吸収で検出した。分析に供した粗ペプチド
の主ピークは１６.６分に溶出され、標品の還元型ソマ
トスタチンと完全に一致した。また上記（１）（２）に
おいて、Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシカ
ルボニルトリプトファンの代わりにＮ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ
−ホルミルトリプトファンを用いて同様に別途調製した
樹脂ペプチドを、上記（３）においてＨＦ／アニソール
（容量比８０：１５、１０ｍｌ）の代わりにＨＦ／ブタ
ンジチオール／ｐ−クレゾール（容量比８０：１５：
５、１０ｍｌ）を用いて同様に処理して得た還元型ソマ
トスタチンも、やはり１６.６分に溶出した。このとき
の純度（上記ＨＰＬＣでの分析で得られた全てのピーク
面積の総和に占める１６.６分に溶出される主ピーク面
積の割合）は、Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオ
キシカルボニルトリプトファンを適用した合成の場合、
４１％であり、一方Ｎ^α−ＢＯＣ−Ｎⁱⁿ−ホルミルトリ
プトファンを適用した場合、３９％であった。すなわ
ち、インドール核のＮ保護基として、ペプチド中間段階
で用いられる種々の処理条件に安定で、かつ最終脱保護
基の強酸処理時にチオール系スカベンジャーの添加を必
要としない保護基として、Ｎⁱⁿ−シクロヘキシルオキシ
カルボニル基は前記要因を満たす保護基である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記式（１） 【化１】 （式中、ｎは０、１または２を表す）で示される新規ト
   リプトファン誘導体およびその塩。
2. 【請求項２】 下記式（２'） 【化２】 （式中、Ｒはエステル残基を表す）で示されるＢＯＣ−
   トリプトファンエステルに、式（６） 【化３】 （式中、ｎは０、１または２を表す）で示されるシクロ
   アルキルオキシカルボニルクロリドを反応させ、生成す
   る次式 【化４】 （式中、Ｒおよびｎは前記に同じ）で示される化合物を
   脱エステル化することを特徴とする、式 【化５】 （式中、ｎは前記に同じ）で示される新規トリプトファ
   ン誘導体の製造法。