JPH0955447A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0955447A JPH0955447A JP7227099A JP22709995A JPH0955447A JP H0955447 A JPH0955447 A JP H0955447A JP 7227099 A JP7227099 A JP 7227099A JP 22709995 A JP22709995 A JP 22709995A JP H0955447 A JPH0955447 A JP H0955447A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 より薄型化、小型化ができ、高周波デバイス
に適するギャングボンディング接続のＢＧＡ型半導体装
置を低コストで得る。 【構成】 片面に回路パタ−ンを形成し、他面側に接着
剤を介して補強支持材が接着された樹脂性テ−プと、前
記回路パタ−ンのリ−ド先端部とギャングボンドで接続
した半導体チップと、前記回路パタ−ンに接続した半田
ボ−ルとを有する半導体装置において、前記補強支持材
と前記半田ボ−ルの中の所定の半田ボ−ルを、前記樹脂
性テ−プと前記接着剤層に設けた貫通孔を通して導通さ
せ補強支持材をグランドプレ−ンの機能も兼備させてい
る。
に適するギャングボンディング接続のＢＧＡ型半導体装
置を低コストで得る。 【構成】 片面に回路パタ−ンを形成し、他面側に接着
剤を介して補強支持材が接着された樹脂性テ−プと、前
記回路パタ−ンのリ−ド先端部とギャングボンドで接続
した半導体チップと、前記回路パタ−ンに接続した半田
ボ−ルとを有する半導体装置において、前記補強支持材
と前記半田ボ−ルの中の所定の半田ボ−ルを、前記樹脂
性テ−プと前記接着剤層に設けた貫通孔を通して導通さ
せ補強支持材をグランドプレ−ンの機能も兼備させてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波デバイスに適する
半導体装置に関する。
半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は実装基板上の回路に当該半
導体装置のアウターリードを半田付けして接続されてい
る。近年、半導体装置は多ピン化、小型化の要請が強
く、これに対応してＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒ
ｒａｙ）と称される半導体装置が提案されている。これ
は樹脂製テ−プ、例えばポリイミドテ−プの両面に回路
パタ−ンを設けた配線基板に半導体チップを搭載し、当
該半導体チップと配線基板の回路パタ−ンをワイヤ−ボ
ンディングし、配線基板の上面の回路パタ−ンと下面の
回路パタ−ンを当該配線基板に形成したスル−ホ−ルを
介して導通させ、前記下面の回路パタ−ンに接続して設
けた半田ボ−ルに導通させ、当該半田ボ−ル外部接続端
子としたものである。
導体装置のアウターリードを半田付けして接続されてい
る。近年、半導体装置は多ピン化、小型化の要請が強
く、これに対応してＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒ
ｒａｙ）と称される半導体装置が提案されている。これ
は樹脂製テ−プ、例えばポリイミドテ−プの両面に回路
パタ−ンを設けた配線基板に半導体チップを搭載し、当
該半導体チップと配線基板の回路パタ−ンをワイヤ−ボ
ンディングし、配線基板の上面の回路パタ−ンと下面の
回路パタ−ンを当該配線基板に形成したスル−ホ−ルを
介して導通させ、前記下面の回路パタ−ンに接続して設
けた半田ボ−ルに導通させ、当該半田ボ−ル外部接続端
子としたものである。
【０００３】ＢＧＡ型の半導体装置においては、前記配
線基板の回路パタ−ンと半導体チップの接続を、ワイヤ
−を用いず直接行うギャングボンディングと称されるも
のがある。これは回路パタ−ンのリ−ド先端幅をより狭
くでき、同じ多ピン数の場合、リ−ドピッチを広げ得て
接続作業がしやすくなり、また同じ半導体チップの場合
には多ピン化できるという作用効果がある。
線基板の回路パタ−ンと半導体チップの接続を、ワイヤ
−を用いず直接行うギャングボンディングと称されるも
のがある。これは回路パタ−ンのリ−ド先端幅をより狭
くでき、同じ多ピン数の場合、リ−ドピッチを広げ得て
接続作業がしやすくなり、また同じ半導体チップの場合
には多ピン化できるという作用効果がある。
【０００４】
【この発明が解決しようとする課題】しかし、ギャング
ボンディングによる接続の半導体装置では、グランドプ
レ−ンとして別体のプレ−ンを要することになり、樹脂
製テ−プにグランドプレ−ンを要せば両面銅箔テ−プを
使用することになりコスト高となる。
ボンディングによる接続の半導体装置では、グランドプ
レ−ンとして別体のプレ−ンを要することになり、樹脂
製テ−プにグランドプレ−ンを要せば両面銅箔テ−プを
使用することになりコスト高となる。
【０００５】本発明はギャンクボンディング接続であっ
て多ピン化が容易でありながら、別体のグランドプレ−
ンを不要とし、高周波デバイスに適する半導体装置を低
コストで得ることを目的とする。
て多ピン化が容易でありながら、別体のグランドプレ−
ンを不要とし、高周波デバイスに適する半導体装置を低
コストで得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、片面に
回路パタ−ンを形成し他面側に接着剤を介して補強支持
材が接着された樹脂製テ−プと、該樹脂製テ−プに形成
された前記回路パタ−ンのリ−ド先端とギャングボンド
で接続した半導体チップと、前記回路パタ−ンに接続し
た半田ボ−ルとを有する半導体装置において、前記補強
支持材と前記半田ボ−ルの中の所定半田ボ−ルを、樹脂
製テ−プと接着剤層に形成した貫通孔を介して導通し、
当該補強支持材にグランドプレ−ンの機能も具備させた
半導体装置にある。
回路パタ−ンを形成し他面側に接着剤を介して補強支持
材が接着された樹脂製テ−プと、該樹脂製テ−プに形成
された前記回路パタ−ンのリ−ド先端とギャングボンド
で接続した半導体チップと、前記回路パタ−ンに接続し
た半田ボ−ルとを有する半導体装置において、前記補強
支持材と前記半田ボ−ルの中の所定半田ボ−ルを、樹脂
製テ−プと接着剤層に形成した貫通孔を介して導通し、
当該補強支持材にグランドプレ−ンの機能も具備させた
半導体装置にある。
【０００７】
【作用】本発明は、片面に半田ボ−ルが接続される回路
パタ−ンを設けた樹脂製テ−プを、他面側に接着した補
強支持材で補強支持し、該回路パタ−ンのリ−ド先端を
ギャングボンディングで半導体チップと接続した半導体
装置であって、前記補強支持材と前記半田ボ−ルの中の
所定の半田ボ−ルを、樹脂製テ−プ及び接着剤層に形成
した貫通孔を通して電気的に導通させ、補強支持材にグ
ランドプレ−ンの機能をも兼備させている。而して、ギ
ャンクボンディングした当該半導体装置は別体のグラン
ドプレ−ンを省略でき小型化・薄型化できる。また、回
路パタ−ンは片面側だけに形成しているので、ＢＧＡ型
の半導体装置が有する高周波デバイスが低コストで得ら
れる。
パタ−ンを設けた樹脂製テ−プを、他面側に接着した補
強支持材で補強支持し、該回路パタ−ンのリ−ド先端を
ギャングボンディングで半導体チップと接続した半導体
装置であって、前記補強支持材と前記半田ボ−ルの中の
所定の半田ボ−ルを、樹脂製テ−プ及び接着剤層に形成
した貫通孔を通して電気的に導通させ、補強支持材にグ
ランドプレ−ンの機能をも兼備させている。而して、ギ
ャンクボンディングした当該半導体装置は別体のグラン
ドプレ−ンを省略でき小型化・薄型化できる。また、回
路パタ−ンは片面側だけに形成しているので、ＢＧＡ型
の半導体装置が有する高周波デバイスが低コストで得ら
れる。
【０００８】
【実施例】次に、本発明について１実施例に基づき図面
を参照して述べる。図面において、１は樹脂製テ−プ
で、例えばポリミイドテ−プであり、その上面に接着し
た金属箔例えばＣｕ箔等からエッチングで形成された回
路パタ−ン２が設けられている。該回路パタ−ン２はＮ
ｉ、Ａｕ又はＳｎめっきされ、そのリ−ド先端２ａが半
導体チップ３の搭載領域まで延出していて、バンブ４を
介して半導体チップ３とギャングボンディングしてい
る。
を参照して述べる。図面において、１は樹脂製テ−プ
で、例えばポリミイドテ−プであり、その上面に接着し
た金属箔例えばＣｕ箔等からエッチングで形成された回
路パタ−ン２が設けられている。該回路パタ−ン２はＮ
ｉ、Ａｕ又はＳｎめっきされ、そのリ−ド先端２ａが半
導体チップ３の搭載領域まで延出していて、バンブ４を
介して半導体チップ３とギャングボンディングしてい
る。
【０００９】５は前記回路パタ−ン２を設けた樹脂製テ
−プ１の補強支持材で、例えば金属薄板であり、接着剤
６を介して回路パタ−ン２の上面側に設けられ、樹脂製
テ−プ１を補強し、曲がり、捻じれ、反り等の変形が生
じないようにしている。
−プ１の補強支持材で、例えば金属薄板であり、接着剤
６を介して回路パタ−ン２の上面側に設けられ、樹脂製
テ−プ１を補強し、曲がり、捻じれ、反り等の変形が生
じないようにしている。
【００１０】７は半田ボ−ルで、前記樹脂製テ−プ１の
所定箇所に設けた貫通孔８を通して所定の回路パタ−ン
２に接続するように設けられ外部接続端子として機能す
る。
所定箇所に設けた貫通孔８を通して所定の回路パタ−ン
２に接続するように設けられ外部接続端子として機能す
る。
【００１１】ところで、従来のギャングボンディングし
たＢＧＡの半導体装置では、グランドプレ−ンを別体に
て設けていてそれなりの効果があるものの、コストが高
いため実用化を妨げている。そこで本発明では、前記半
田ボ−ル７の中の任意の半田ボ−ル７ａを、前記樹脂製
テ−プ１及び接着剤６層に形成した貫通孔９を通して前
記補強支持材５と導通させ、補強支持材５をグランドプ
レ−ンとしても機能させる。
たＢＧＡの半導体装置では、グランドプレ−ンを別体に
て設けていてそれなりの効果があるものの、コストが高
いため実用化を妨げている。そこで本発明では、前記半
田ボ−ル７の中の任意の半田ボ−ル７ａを、前記樹脂製
テ−プ１及び接着剤６層に形成した貫通孔９を通して前
記補強支持材５と導通させ、補強支持材５をグランドプ
レ−ンとしても機能させる。
【００１２】前記半田ボ−ル７ａと補強支持材５の接続
に際しては、予め補強支持材５の表面にＳｎめっき等の
表面処理を施しておけば、よりスム−ズに行える。
に際しては、予め補強支持材５の表面にＳｎめっき等の
表面処理を施しておけば、よりスム−ズに行える。
【００１３】また、前記樹脂製テ−プ１の貫通孔８は、
予め回路パタ−ン２と半田ボ−ル７の導通箇所が分かる
ので、前もって形成しておくとよい。また前記接着剤６
層への貫通孔９の形成においても、グランドとして用い
る半田ボ−ル７ａは予め分かるので、それに対応した箇
所の接着剤６層に空所を作っておくことで容易になされ
る。
予め回路パタ−ン２と半田ボ−ル７の導通箇所が分かる
ので、前もって形成しておくとよい。また前記接着剤６
層への貫通孔９の形成においても、グランドとして用い
る半田ボ−ル７ａは予め分かるので、それに対応した箇
所の接着剤６層に空所を作っておくことで容易になされ
る。
【００１４】なお、１０は半導体チップ３を支持固定用
の樹脂である。また、放熱板を補強支持板５と半導体チ
ップ３の上面に設けることもできる。
の樹脂である。また、放熱板を補強支持板５と半導体チ
ップ３の上面に設けることもできる。
【００１５】
【発明の効果】本発明は、前述のように回路パタ−ンを
設けた樹脂製テ−プの補強支持材を、半田ボ−ルの中の
所定の半田ボ−ルと導通させグランドプレ−ンとしても
機能させているので、ギャングボンディングしたＢＧＡ
型の半導体装置をより低コスト化できる。また、回路パ
タ−ンは樹脂製テ−プの片側に設ければよいので、この
面からもコスト低減が図れる等の効果がある。
設けた樹脂製テ−プの補強支持材を、半田ボ−ルの中の
所定の半田ボ−ルと導通させグランドプレ−ンとしても
機能させているので、ギャングボンディングしたＢＧＡ
型の半導体装置をより低コスト化できる。また、回路パ
タ−ンは樹脂製テ−プの片側に設ければよいので、この
面からもコスト低減が図れる等の効果がある。
【図１】本発明の１実施例におけるＢＧＡ型の半導体装
置を示す図。
置を示す図。
１ 樹脂製テ−プ ２ 回路パタ−ン ３ 半導体チップ ４ バンプ ５ 補強支持材 ６ 接着剤 ７ 半田ボ−ル ８ 貫通孔 ９ 貫通孔 １０ 樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 片面に回路パタ−ンを形成し、他面側に
接着剤を介して補強支持材が接着された樹脂性テ−プ
と、該樹脂性テ−プに形成された前記回路パタ−ンのリ
−ド先端部とギャングボンドで接続した半導体チップ
と、前記回路パタ−ンに接続した半田ボ−ルとを有する
半導体装置において、前記補強支持材と前記半田ボ−ル
の中の所定の半田ボ−ルを、前記樹脂性テ−プと前記接
着剤層に設けた貫通孔を介して導通し補強支持材にグラ
ンドプレ−ンの機能も備えたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7227099A JPH0955447A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7227099A JPH0955447A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955447A true JPH0955447A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16855481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7227099A Pending JPH0955447A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955447A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6201298B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Semiconductor device using wiring tape |
| KR20010046361A (ko) * | 1999-11-12 | 2001-06-15 | 박종섭 | 솔더볼 접착용 테이프와 이를 이용한 반도체 패키지 |
| US6355978B1 (en) | 1999-07-19 | 2002-03-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Package for accommodating electronic parts, semiconductor device and method for manufacturing package |
| EP1019960A4 (en) * | 1997-05-07 | 2002-03-20 | Signetics Kp Co Ltd | SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH A GRID BALL ASSEMBLY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| KR100379085B1 (ko) * | 1998-10-31 | 2003-07-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체장치의봉지방법 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP7227099A patent/JPH0955447A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1019960A4 (en) * | 1997-05-07 | 2002-03-20 | Signetics Kp Co Ltd | SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH A GRID BALL ASSEMBLY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME |
| US6201298B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-03-13 | Nec Corporation | Semiconductor device using wiring tape |
| KR100379085B1 (ko) * | 1998-10-31 | 2003-07-10 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체장치의봉지방법 |
| US6355978B1 (en) | 1999-07-19 | 2002-03-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Package for accommodating electronic parts, semiconductor device and method for manufacturing package |
| KR20010046361A (ko) * | 1999-11-12 | 2001-06-15 | 박종섭 | 솔더볼 접착용 테이프와 이를 이용한 반도체 패키지 |
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